Ejercicios03 DiodoPN

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Última actualización: 1er Cuatrimestre de 2020

Guı́a de Ejercicios No 3: Diodo PN

Datos generales: ε0 = 88.5 × 10−15 F/cm, εr (Si) = 11.7, ni = 1010 cm−3 , φ(n, p = ni ) = 0.

Parte I: Repaso de juntura PN


0
1. Para una juntura PN simétrica con φB = 0.9 V, calcular Cj0 , ND y NA .
0
2. Se conoce que la capacidad de una juntura P+ N es Cj0 = 29 nF/cm2 y que φB = 840 mV. Hallar φn , φp ,
NA y ND .
3. Dada una juntura PN+ con NA = 1015 cm−3 , A = 0.2mm2 y Cj0 = 21 pF, hallar ND y φB .
0
4. En una juntura fuertemente asimétrica P+ N con φB = 870 mV, Cj0 = 60 nF/cm2 , ¿cuánto valen aproxi-
madamente los niveles de dopaje ND y NA ?
5. Conociendo que para una juntura muy asimétrica Cj0 (VR = 10 V) = 3.17 nF/cm2 y Cj0 (VR = 5 V) =
4.33 nF/cm2 , hallar el nivel del lado menos dopado.
6. Dada una juntura P+ N de silicio a 300K. Asuma que la intersección de la curva de la figura 1 con
el eje horizontal corresponde a un potencial de juntura de 0.855 V y que la pendiente de la recta es
1015 (F/cm−2 )−2 /V. Calcule la concentración de impurezas NA y ND de la juntura.

1/Cj0 2 (×1015 (F/cm−2 )−2 )

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

V (V)
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Figura 1

7. Diseñe una juntura PN de silicio con un área de A = 5.5×10−4 cm2 tal que a 300K y para una polarización
inversa de VR = 1.2 V verifique que el 10 % del total de la zona de carga espacial esté en la región N, y
que su capacidad de juntura sea 3.5 pF .
a) Determine las concentraciones ND y NA necesarias.
b) Determine el potencial de juntura resultante.
8. Sea una juntura muy asimétrica P+ N, se tienen las siguientes mediciones de capacidad en polarización
inversa:
VR (V) Cj0 (nF/cm2 )
1 0.72
2 0.56
3 0.48
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a) ¿Por qué disminuye el valor de la capacidad a medida que aumenta la tensión inversa aplicada?
b) Obtenga las concentraciones de impurezas NA y ND y el potencial de built-in (φB ).

Parte II: Principio de funcionamiento y polarización


9. Dado un diodo con una región P dopada con NA = 1018 cm−3 y una región N dopada con ND =
1016 cm−3 :
a) Grafique la concentración de portadores minoritarios (pn (xn ) y np (xp )) en los bordes de la región
de vaciamiento en función de la tensión aplicada, para tensiones en el rango −0.4 V < VD < 0.8 V.
Utilice escala lineal para el eje de tensiones y escala logarı́tmica para el eje de concentraciones.
b) ¿Hasta qué tensión VD aplicada considera que es válida la hipótesis de bajo nivel de inyección?
10. Se quiere diseñar un diodo con corriente de saturación inversa Io = 5 × 10−17 A. El proceso de fa-
bricación empleado da como resultado los siguientes parámetros: Wp = 0.5 µm, Wn = 1.0 µm, NA =
2.5 × 1018 cm−3 , ND = 4.0 × 1017 cm−3 , Dn = 5 cm2 s−1 y Dp = 5 cm2 s−1 .
a) Considerando que Wp  xp y que Wn  xn , ¿Cuál deberı́a ser el área A del diodo de modo de
obtener Io = 5 × 10−17 A? Suponiendo que el diodo tuviera sección cuadrada, ¿Cuánto medirı́an sus
lados?
b) Verifique que para VD = 650 mV se satisface la hipótesis de bajo nivel de inyección. Para esta
tensión aplicada calcule la corriente que circulará por el diodo.
c) ¿Qué porcentaje de esa corriente se debe a huecos y qué porcentaje a electrones?
d ) Recordando la relación de Einstein, y considerando que en el lado P los portadores minoritarios que
se difunden son los electrones, y que en el lado N los portadores minoritarios que se difunden son
los huecos, explique a partir del gráfico de movilidad vs. concentración de dopantes por qué en este
caso Dn = Dp .
11. Se realizan las mediciones de ID vs. VD para un diodo PN obteniéndose los siguientes resultados:

VD (mV) 600 660 720 780


ID (A) 3 × 10−6 3 × 10−5 3 × 10−4 3 × 10−3

a) Calcule la corriente de saturación Io de este diodo.


b) Sabiendo que la tensión de ruptura del diodo es VD = −18 V, y que la corriente del diodo para
VD = −18.5 V es ID = −500 µA, grafique la curva ID vs. VD para el rango −18.5 V < VD < 0.8 V.

12. Para un diodo PN de silicio,


a) Considerando que la recombinación se produce sólo en la superficie de contacto, explique por qué en
las regiones QNR la distribución de portadores debe ser una función lineal.
b) A partir de la condición de contorno en la superficie de contacto y en los lı́mites de la región SCR,
halle la expresión de la corriente ID vs. VD . Remarque todas las hipótesis o aproximaciones que
utilice.
c) Sabiendo que NA = 1014 cm−3 y que ND  NA , determine los parámetros constructivos del diodo
de modo que para una tensión aplicada VD = 650 mV la corriente ID sea igual a 10 mA. Aclare
todas las aproximaciones o suposiciones que considere necesarias.
13. Sobre un diodo PN de juntura simétrica se aplica una tensión VD = 0.8 V. Sabiendo que φB = 0.9 V,
Dp = 2.5 cm2 /s, Wn = 10 µm, sección 25 µm2 y despreciando el ancho de la zona desierta calcular la
corriente de huecos que circula.
14. ¿Cuáles son los efectos de la temperatura en la corriente del diodo? ¿Cómo cambia la curva I-V del
dispositivo?
15. Para el circuito de la figura 2 donde R = 100 Ω, considerando el modelo de orden 0 con VD(ON ) = 0 V
del diodo, grafique para −5 V < VX < 5 V:
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IX
+ R VOUT
VX −

Figura 2

a) La corriente IX en función de la tensión VX .


b) La tensión VOU T en función de la tensión VX .
c) Repita considerando VD(ON ) = 0.7 V.

16. Para el circuito de la figura 3, los diodos D1 y D2 están fabricados en el mismo proceso, con los mı́smos
parámetros, pero con diferente geometrı́a, tal que AD1 = 2 × AD2 . La tensión VX = 5 V y R = 100 Ω.
Determine la corriente que circula por cada uno de ellos considerando VD(ON ) = 0.7 V.

IX

VX + D1 D2

Figura 3

17. Un estudiante de ingenierı́a perdió el cargador de su celular, cuya tensión de salida era de 2.1 V. El
estudiante intenta comprar un cargador nuevo, pero no encuentra ninguno con tensión de salida menor
a 3 V. Entonces, este estudiante decide usar sus conocimientos de electrónica y construye el circuito de
la figura 4 donde los tres diodos son idénticos, VCH = 3 V, R = 100 Ω y VD(ON ) = 0.7 V. Asumiendo
IOU T = 0:

ICH

R
IOUT
+
VCH

VOUT

Figura 4
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a) Determine qué corriente de saturación inversa (Io ) deben tener los diodos para que el circuito
funcione correctamente.
b) Calcule la nueva tensión de salida si la tensión del cargador es de hecho 3.1 V.

18. (Rectificador de media onda) Para el circuito de la figura 2 donde R = 100 Ω, considerando el modelo de
orden 0 del diodo y VD(ON ) = 0 V, y considerando que ahora VX (t) = V0 + v sin(2π f t) con V0 = 0 V,
v = 4 V, f = 1 kHz:
a) Grafique en función del tiempo la tensión de salida VOU T (t).
b) Grafique en función del tiempo la corriente IX (t).
c) Repita para V0 = ±0.5 V, ±1 V, ±4 V.
d ) Repita considerando VD(ON ) = 0.7 V.
19. (Rectificador de onda completa) Para el circuito de la figura 5 donde RL = 100 Ω, y considerando que
todos los diodos son idénticos, VIN es la tensión de lı́nea (220 Vef f , 50 Hz) y RL = 100 Ω:

D4 D1

VIN
RL
D3 D2 VOUT

Figura 5

a) Grafique en función del tiempo la tensión sobre cada uno de los diodos.
b) Grafique en función del tiempo la corriente sobre RL .
c) Grafique en función del tiempo la tensión de salida VOU T .

Parte III: Modelo de pequeña señal


20. Un diodo es polarizado con una corriente ID = 1 mA.
a) Determine cuánto cambia la corriente en el diodo si VD cambia 1 mV.
b) Determine cuál debe ser el cambio en la tensión si la corriente varı́a un 10 %.
21. Se polariza en directa un diodo PN de Silicio utilizando una resistencia de 100 Ω y una fuente de tensión
de 1 V. Considerando que la fuente de tensión puede tener una variación de 10 mV, determine la variación
en corriente utilizando el modelo de pequeña señal para bajas frecuencias.
22. Se polariza en directa un diodo PN de Silicio utilizando una resistencia de 1 kΩ y una fuente de tensión de
5 V. Determinar a partir del modelo de pequeña señal para bajas frecuencias, cuál es la máxima variación
que puede tener la fuente de tensión si se admite una variación del 1 % en la corriente del diodo.
23. Repetir el ejercicio anterior, pero determinando la máxima variación admisible en la fuente de tensión
para que el modelo de pequeña señal sea válido.
24. Para el diodo PN del ejercicio 10 polarizado con una tensión VD = 720 mV,
a) ¿Es posible aplicar la aproximación de “juntura muy asimétrica”?
b) Considerando que Wp  xp y que Wn  xn , calcule el tiempo de transito de los huecos a través de
la región n-QNR (τT p ) y el tiempo de transito de los electrones a través de la región p-QNR (τT n ).
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c) Encuentre los valores numéricos de los elementos del modelo de pequeña señal del diodo (rd , Cj y
Cd ).
d ) Para esta tensión aplicada, ¿qué capacidad es más significativa, Cj o Cd ?
e) ¿Por qué razón la capacidad Cj es predominante en polarización inversa, mientras que Cd predomina
en polarización directa?
25. Se polariza en directa un diodo PN utilizando una resistencia de 1 kΩ y una fuente de tensión de 3 V.
Hallar el τRC asociado al nodo del ánodo del diodo cuando se aplica un pequeño incremento de tensión
sobre la fuente de tensión. Datos: Cj0 = 1.2 fF, τT = 12 ns.
26. Un diodo N+ P con ND = 1019 cm−3 , área A = 0.01mm2 y con parámetros φb = 900mV y τT = 18 ns.
Considere el circuito de la figura 6a donde VS = 8V y
(
0 si t < t0
vs (t) =
500 mV si t ≥ t0

con t0 = 1 ns y R = 4.7 kΩ.


a) Calcular la polarización.
b) Hallar el modelo de pequeña señal.
c) ¿Cuál es la corriente predominante, la de huecos o la de electrones?
d ) Encuentre la respuesta temporal de la tensión vD (t).
e) Si VS disminuye a la mitad, ¿cómo se modifica la respuesta temporal de vd (t)?
27. Considere el circuito de la figura 6b, con VS = 9 V y una resistencia de valor a elección.
a) Calcule el valor de la resistencia de manera que circulen 10 mA.
b) ¿Es válido el modelo de pequeña señal si vs (t) es un escalón de altura 1 V?
c) Identificar y explicar el fenómeno de capacidad que predomina en este caso.
d ) Grafique vD (t).
0
28. Se tiene un diodo de juntura P+ N del cual se conoce que Is = 1 pA, τT n = 12 ns, τT p = 18 ns, Cj0 =
2 2
31.4 nF/cm , φB = 840 mV, A = 10 µm . Este se conecta a un circuito como muestra la figura 6a con
R = 330 Ω.
a) Halle el modelo de pequeña señal para VS = {−5 V; +5 V}.
b) Repetir el punto anterior pero considerando un factor de idealidad n = 1.5.
c) Grafique vd (t) para los casos anteriores cuando se aplica escalón de tensión vs (t) de 200 mV.

R R

vs (t) + vs (t) +
vD vD
VS + − VS + −
− −

(a) (b)

Figura 6
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Parte IV: Diodos zener


29. (Opcional) Explique qué es un diodo zener, cómo funciona, cuáles son sus caracterı́sticas constructivas
para que funcione como tal.

30. (Opcional) Nombre aplicaciones tı́picas que utilicen diodos zener.


31. Realice una curva I-V de la transferencia de un diodo zener mostrando en la misma sus parámetros
caracterı́sticos.
32. Dado el circuito de la figura 7, donde VZ = 6.2 V, VIN = 10 V, IR(max) = 241 mA, IR(min) = 60, 5 mA:

VIN D VOUT

Figura 7

a) Explique cómo funciona un diodo Zener.


b) Calcule un valor de R posible para el caso en que la salida tiene una carga de 10 Ω. ¿Cuál es la
mı́nima y la máxima R que se le puede colocar al circuito?

33. Dado el circuito de la figura 8 siendo |Iz,min | = 1 mA, |Iz,max | = 5 mA, VN R,min = 8 V y VN R,min = 10 V,
hallar el rango de valores posibles de RL : (RL,min , RL,max ).

IR

vN R
IZ
IRL

VZ = 3.6 V RL

Figura 8

34. Se implementa una referencia de tensión con un diodo zener de 3, 9 V, |Iz(min) | = 1 mA, |Iz(max) | = 5 mA
y una resistencia de 330 Ω. Conociendo que la carga es una resistencia de 890 Ω hallar el rango de valores
de tensión no regulada para los cuales puede operar (VIN-min , VIN-max ).

35. Se implementa una referencia de tensión con un diodo zener de 5.6 V, |Iz(min) | = 1 mA, |Iz(max) | = 10 mA,
una resistencia de 220 Ω y una fuente de 9 V. Hallar el rango de valores de resistencias que pueden cargar
a esta referencia (RL-min , RL-max ).
36. Se desea utilizar un diodo zener para obtener una tensión constante de 5, 6 V a partir de una tensión no
regulada VN R = 10 V ± 2 V. Hallar el valor máximo y mı́nimo de la resistencia necesaria considerando
que en paralelo al zener se conecta una RL = 10 kΩ y que IZmin = 2 mA, IZmax = 8 mA.

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