Ejercicios03 DiodoPN
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Última actualización: 1er Cuatrimestre de 2020
Datos generales: ε0 = 88.5 × 10−15 F/cm, εr (Si) = 11.7, ni = 1010 cm−3 , φ(n, p = ni ) = 0.
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V (V)
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Figura 1
7. Diseñe una juntura PN de silicio con un área de A = 5.5×10−4 cm2 tal que a 300K y para una polarización
inversa de VR = 1.2 V verifique que el 10 % del total de la zona de carga espacial esté en la región N, y
que su capacidad de juntura sea 3.5 pF .
a) Determine las concentraciones ND y NA necesarias.
b) Determine el potencial de juntura resultante.
8. Sea una juntura muy asimétrica P+ N, se tienen las siguientes mediciones de capacidad en polarización
inversa:
VR (V) Cj0 (nF/cm2 )
1 0.72
2 0.56
3 0.48
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a) ¿Por qué disminuye el valor de la capacidad a medida que aumenta la tensión inversa aplicada?
b) Obtenga las concentraciones de impurezas NA y ND y el potencial de built-in (φB ).
IX
+ R VOUT
VX −
Figura 2
16. Para el circuito de la figura 3, los diodos D1 y D2 están fabricados en el mismo proceso, con los mı́smos
parámetros, pero con diferente geometrı́a, tal que AD1 = 2 × AD2 . La tensión VX = 5 V y R = 100 Ω.
Determine la corriente que circula por cada uno de ellos considerando VD(ON ) = 0.7 V.
IX
VX + D1 D2
−
Figura 3
17. Un estudiante de ingenierı́a perdió el cargador de su celular, cuya tensión de salida era de 2.1 V. El
estudiante intenta comprar un cargador nuevo, pero no encuentra ninguno con tensión de salida menor
a 3 V. Entonces, este estudiante decide usar sus conocimientos de electrónica y construye el circuito de
la figura 4 donde los tres diodos son idénticos, VCH = 3 V, R = 100 Ω y VD(ON ) = 0.7 V. Asumiendo
IOU T = 0:
ICH
R
IOUT
+
VCH
VOUT
Figura 4
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a) Determine qué corriente de saturación inversa (Io ) deben tener los diodos para que el circuito
funcione correctamente.
b) Calcule la nueva tensión de salida si la tensión del cargador es de hecho 3.1 V.
18. (Rectificador de media onda) Para el circuito de la figura 2 donde R = 100 Ω, considerando el modelo de
orden 0 del diodo y VD(ON ) = 0 V, y considerando que ahora VX (t) = V0 + v sin(2π f t) con V0 = 0 V,
v = 4 V, f = 1 kHz:
a) Grafique en función del tiempo la tensión de salida VOU T (t).
b) Grafique en función del tiempo la corriente IX (t).
c) Repita para V0 = ±0.5 V, ±1 V, ±4 V.
d ) Repita considerando VD(ON ) = 0.7 V.
19. (Rectificador de onda completa) Para el circuito de la figura 5 donde RL = 100 Ω, y considerando que
todos los diodos son idénticos, VIN es la tensión de lı́nea (220 Vef f , 50 Hz) y RL = 100 Ω:
D4 D1
VIN
RL
D3 D2 VOUT
Figura 5
a) Grafique en función del tiempo la tensión sobre cada uno de los diodos.
b) Grafique en función del tiempo la corriente sobre RL .
c) Grafique en función del tiempo la tensión de salida VOU T .
c) Encuentre los valores numéricos de los elementos del modelo de pequeña señal del diodo (rd , Cj y
Cd ).
d ) Para esta tensión aplicada, ¿qué capacidad es más significativa, Cj o Cd ?
e) ¿Por qué razón la capacidad Cj es predominante en polarización inversa, mientras que Cd predomina
en polarización directa?
25. Se polariza en directa un diodo PN utilizando una resistencia de 1 kΩ y una fuente de tensión de 3 V.
Hallar el τRC asociado al nodo del ánodo del diodo cuando se aplica un pequeño incremento de tensión
sobre la fuente de tensión. Datos: Cj0 = 1.2 fF, τT = 12 ns.
26. Un diodo N+ P con ND = 1019 cm−3 , área A = 0.01mm2 y con parámetros φb = 900mV y τT = 18 ns.
Considere el circuito de la figura 6a donde VS = 8V y
(
0 si t < t0
vs (t) =
500 mV si t ≥ t0
R R
vs (t) + vs (t) +
vD vD
VS + − VS + −
− −
(a) (b)
Figura 6
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VIN D VOUT
Figura 7
33. Dado el circuito de la figura 8 siendo |Iz,min | = 1 mA, |Iz,max | = 5 mA, VN R,min = 8 V y VN R,min = 10 V,
hallar el rango de valores posibles de RL : (RL,min , RL,max ).
IR
vN R
IZ
IRL
VZ = 3.6 V RL
Figura 8
34. Se implementa una referencia de tensión con un diodo zener de 3, 9 V, |Iz(min) | = 1 mA, |Iz(max) | = 5 mA
y una resistencia de 330 Ω. Conociendo que la carga es una resistencia de 890 Ω hallar el rango de valores
de tensión no regulada para los cuales puede operar (VIN-min , VIN-max ).
35. Se implementa una referencia de tensión con un diodo zener de 5.6 V, |Iz(min) | = 1 mA, |Iz(max) | = 10 mA,
una resistencia de 220 Ω y una fuente de 9 V. Hallar el rango de valores de resistencias que pueden cargar
a esta referencia (RL-min , RL-max ).
36. Se desea utilizar un diodo zener para obtener una tensión constante de 5, 6 V a partir de una tensión no
regulada VN R = 10 V ± 2 V. Hallar el valor máximo y mı́nimo de la resistencia necesaria considerando
que en paralelo al zener se conecta una RL = 10 kΩ y que IZmin = 2 mA, IZmax = 8 mA.