Ejercicios07 JFET

Dispositivos Semiconductores
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Última actualización: 1er Cuatrimestre de 2020
Guı́a de Ejercicios No 7: JFET
Datos generales: ε0 = 8,85 · 10−12 F m−1 , εr (Si) = 11,7, εr (SiO2 ) = 3,9, ni = 1 · 1010 F cm−3 , φ(n = p = ni ) = 0.
1. Se tiene un JFET de canal n con VP = −3 V y IDSS = 10 mA.

a) Graficar curvas de ID vs. VGS del transistor en saturación.
b) Para VGS = 0 V, −1 V, −2V , −3 V, graficar cualitativamente curvas ID vs. VDS . Indicar el lı́mite
entre saturación y triodo.
c) ¿Qué significado fı́sico tiene el valor VP ? ¿Qué significa fı́sicamente que se forme pinch-off ? ¿Por
qué ocurre para VGS − VDS = VP ?
2. Se conecta en el circuito de la Figura 6 un transistor J1 código 2N5485, que tiene parámetros que coinciden
con los máximos (ver 1).
a) Hallar el valor de la corriente de Drain si RS = 500 Ω.
b) Hallar el valor de RS si se quiere que ID = 5 mA.
c) Hallar las máximas y mı́nimas RL que mantienen al JFET polarizado y en saturación.
d ) Con RS = 500 Ω hallar los posibles valores de la corriente de drain si se cambia a J1 por algún otro
transistor con el mismo código pero con parámetros mı́nimos de VP y de IDSS .
Figura 1: Extracto de la hoja de datos del dispositivo 2N5485
3. Determinar el valor de VDS para el circuito de la Figura 2. Datos: IDSS = 10 mA, |VP | = 1 V, VDD = 3 V,
R = 100 Ω.
4. Se tiene un JFET de canal P conectado según la Figura 5. Sabiendo que |VP | = 1 V, VDD = 4 V,
|IDSS | = 4 mA, R = 1,5 kΩ, calcule el valor de VGG sabiendo que |ID | = 1 mA.
VDD VDD
VDD
RG1 RD RG1 RD
Vdd
R
J1 J1
RG2
+ VS RG2 VZ
− VGG + R
−
Figura 2 Figura 3 Figura 4 Figura 5

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5. Realizar un esquema del corte lateral de un transistor JFET de canal N. Identificar todos los materiales
y los terminales del dispositivo. A partir de ese diagrama explique porqué VGS < 0 V
6. Explicar las diferencias que existen entre los circuitos de las Figuras 3 y 4 considerando que VS = VZ .
7. Un JFET de canal N está conectado como se muestra en la Figura 4. Considerar una fuente de ali-
mentación de 5 V. Los parámetros del transistor son: IDSS = 10 mA, VP = −2 V y λ despreciable. Los
parámetros de diodo Zener son: VZ = 2,7 V Imin = 1 mA y Imax = 20 mA. Calcular los valores extremos
de VG (VG,min y VG,max ) para que el diodo funcione en la región de zener.
8. Por un JFET en saturación circulan 150 µA. Hallar VGS considerando IDSS = 500 µA y VP = −1,2 V.
9. Un JFET canal N con parámetros |VP | = 4 V y IDSS = 10 mA está polarizado como muestra la Fi-
gura 3, donde VDD = 5 V, RG1 = 270 kΩ, RG2 = 33 kΩ, RD = 100 Ω y VS = 1,3 V. ¿Cuánto vale la
transconductancia (gm )?
10. Se tiene un transistor JFET canal P |VP | = 0,7 V, |IDSS | = 1 mA. El gate del mismo está a VDD = 5 V,
el drain está conectado a tierra a través de una RD = 1 kΩ y el source está conectado a VDD utilizando
un diodo Zener de VZ = 1,3 V, con su cátodo a VDD . ¿En qué régimen está polarizado el transistor?
11. Se tiene un transistor JFET de canal P con |VP | = 1 V, |IDSS | = 4 mA y λ = 0. El mimso tiene
conectado un resistor de 1,5 kΩ entre drain y tierra y una fuente de 4 V entre source y tierra. Si se desea
una corriente |ID | = 1 mA, ¿cuál debe ser el valor de la tensión aplicada entre gate y tierra?
12. Se tiene un transistor JFET canal N con IDSS = 1,95 mA, VP = −1,4 V y λ = 0 polarizado con una
corriente IDQ = 1 mA. Considerando el criterio del 10 % de error, ¿cuál es el máximo valor de vgs
admisible tal que el modelo de pequeña señal sea válido?
13. El JFET de la Figura 7 tiene VP = −3 V, IDSS = 9 mA y λ = 0.
a) Hallar el valor de todos los resistores tales que el gate esté a una tensión de 5 V, la corriente de
Drain sea de 4 mA y el Drain esté a 11 V.
b) ¿Cuáles son el máximo y el mı́nimo valor posibles para RD tal que mantengan al transistor con
corriente de drain constante?
25 V 15 V
RL = 100 Ω RG1 RD
J1 J1
RS RG2 RS
Figura 6 Figura 7
14. Hallar el modelo de pequeña señal para un JFET. Considere que el mismo está formado por ro y gm . Si
además definimos rgs , ¿porqué podemos afirmar que su valor serı́a muy alto (rgs → ∞)?
!−1 !−1
∂ID ∂ID ∂IG
ro = gm = rgs = (1)
VDS Q VGS Q VGS Q
15. Calcular los parámetros del modelo de pequeña señal para un transistor JFET con parámetros VP =
−1,5 V, IDSS = 10 mA y λ = 0,03 V−1 , conectado como en la Figura 6 con RL = 100 Ω y RS = 500 ohm.
16. Explicar por qué no se podrı́a reemplazar en un circuito un transistor MOSFET por otro transistor JFET
con parámetros de transconductancia iguales.

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1. Se tiene un JFET de canal n con VP = −3 V y IDSS = 10 mA.

Figura 1: Extracto de la hoja de datos del dispositivo 2N5485

Figura 2 Figura 3 Figura 4 Figura 5

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