Transistor

TRANSISTORES
1.- Constitución y funcionamiento del transistor
Un transistor bipolar consiste en

un semiconductor con una región
dopada con impurezas tipo N situada
entre dos regiones dopadas con
impurezas tipo P, si es del tipo PNP, o
una región tipo P situada entre dos
regiones tipo N, si es del tipo NPN. Las
tres regiones que se crean en el
transistor se denominan emisor, base
y colector. El emisor y el colector son
la dos regiones dopadas con el mismo
tipo de impurezas y la base la región
dopada con diferente tipo.
El estudio del funcionamiento lo

realizaremos con un transistor del tipo
NPN, teniendo en cuenta que para el
PNP los resultados son los mismos sin
más que cambiar los sentidos de las
corrientes y la polaridad de las
tensiones.
El transistor se puede encontrar

en reposo, comportándose como dos
uniones PN con sendas barreras de
potencial y sin que exista corriente
alguna.
Se puede encontrar trabajando en zona activa, cuando se polariza la unión

emisor-base en sentido directo y la unión colector-base en sentido inverso,
estableciéndose una pequeña corriente de base que es capaz de controlar el flujo de
cargas eléctricas entre emisor y colector; es decir, con pequeñas variaciones de la
corriente de base podemos manejar grandes variaciones de la corriente de colector.
Se puede encontrar también trabajando en conmutación en los circuitos de

conmutación, en los que se requiere que el transistor se comporte como un interruptor;
para lo que se polarizan directamente las dos uniones con la tensión emisor-base
siempre mayor que la tensión colector-base produciéndose una gran corriente de
colector (interruptor cerrado), o se polarizan inversamente las dos uniones con lo
que la corriente de colector se corta (interruptor abierto).
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Configuraciones de trabajo
El transistor se puede conectar en un circuito en configuración base común,

emisor común y colector común, según qué terminal sea común a la entrada y a la
salida de señal, como se observa en la figura siguiente. Cada una de estas
configuraciones estará indicada para unas aplicaciones en concreto.
2.- Características de un transistor
La representación gráfica de las variaciones de las corrientes del transistor con

las tensiones aplicadas al mismo constituye una indicación excelente del
funcionamiento del dispositivo en diferentes condiciones de trabajo. Estas
representaciones gráficas se denominan curvas características y pueden ser de
entrada o de salida, dependiendo de los parámetros representados. Normalmente las
curvas se construyen para la configuración emisor común.
Características de entrada
Representan la relación entre la

tensión base-emisor UBE y la intensidad
de base IB tomando como parámetro
constate la tensión colector-emisor UCE.
Se observa que la característica es
similar a la de un diodo en polarización
directa.
Las características de entrada de

los transistores de germanio y de silicio
son similares en cuanto a forma, con la
diferencia de que la corriente deja de
ser cero entre 0,5 y 0,7 voltios en el
silicio, mientras que en el germanio lo
hace entre 0,1 y 0,2 voltios. Estas
tensiones permanecen prácticamente
constantes cuando el transistor está en
conducción, por lo que pueden servir de
indicadores para la localización de
averías.
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Características de salida
Representan la corriente de
colector IC en función de la tensión
colector-emisor UCE para distintos
valores constantes de la corriente de
base IB. Se observa que una pequeña
modificación de la corriente de base
produce una modificación mucho
mayor de la corriente de colector.
La zona activa de funcionamiento

corresponde a valores de la tensión
colector-emisor superiores a unas
décimas de voltio y a intensidades de
base algo superiores a cero. En la zona
activa, la corriente de salida del
transistor es proporcional a la corriente
de entrada y se cumple que:
IC: Intensidad de colector.
$: Ganancia de corriente o parámetro beta.
IC = β ⋅ I B IB: Intensidad de base.
La ganancia de corriente $ nos indica la variación que sufre la corriente de

colector para una variación de la corriente de base. Los fabricantes especifican el
rango de valores que puede tomar este parámetro, que en algunos manuales viene con
la denominación de hFE en lugar de $.
Limitaciones de potencia en un transistor
La potencia que disipa un transistor es:
P: Potencia disipada en el transistor.

P = U CE ⋅ I C UCE: Tensión colñector-emisor.
IC: Intensidad de colector.
Esta potencia que se transforma

en calor, puede destruir el transistor si
supera el valor máximo Pmáx indicado
por el fabricante. este dato de potencia
máxima se puede llevar en forma de
curva sobre las características de salida
del transistor, curva que pasaría por
aquellos puntos donde se cumpliese
que el producto UCE por IC coincidiese
con el valor de potencia máxima.
Otros límites de funcionamiento de un tran

sistor vienen determinados por la máxima corr
iente de colector Icmáx y por la máxima tensión colector-emisor UCEmáx, también
proporcionados por el fabricante.
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3.- Polarización de un transistor
Que el transistor trabaje en zona activa depende de las corrientes y tensiones

aplicadas en sus bornes, y para conseguirlo hay que conectar las correspondientes
fuentes de corriente continua, así como resistencias que limiten las corrientes. El
conjunto se llama circuito de polarización. En la figura podemos ver un circuito de
polarización denominado circuito de polarización fija.
E
n la gráfica anterior se puede ver que la zona activa de un transistor está limitada
por la zona de corte, la zona de saturación y la de potencia máxima. Y, por lo
tanto, es en el centro de esta zona activa donde debe situarse el punto de reposo Q
del transistor; es decir, debemos diseñar el circuito de polarización del transistor de
manera que, cuando esté alimentado el circuito pero no exista señal de entrada, la
intensidad de colector sea ICQ y la tensión colector-emisor sea UCEQ. Este punto Q
estará situado también en el centro de lo que se conoce como recta de carga
estática, que se puede construir sabiendo que, cuando en el circuito la UCE vale cero,
la IC=UCC/RC (punto de saturación), y que, cuando la IC vale cero, la UCE=UCC (punto de
corte). Estos valores nos proporcionan dos puntos A y B que unidos definen la recta
de carga estática. El punto Q vendrá fijado por el valor de la intensidad de base IBQ que
a su vez está determinada por la resistencia de base RB. Además, en este tipo de
circuitos se cumplen siempre las siguientes ecuaciones:
U CC = U CE + VRC U CC = VRB + U BE = VRB + 0,6v U CE = U BC + U BE = U BC + 0,6v
VRC I VRB
IC = β= C IB = I E = IC + I B
RC IB RB
Las variaciones de temperatura influyen en los parámetros del transistor, en

concreto, la intensidad de colector IC y la ganancia aumentan y la tensión base-emisor
UBE disminuye con los incrementos de temperatura. Para evitar las variaciones del
punto de polarización se recurre al circuito de la figura siguiente, en el que se consigue
un funcionamiento más estable y que se conoce con el nombre de autopolarizado.
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La base del transistor está
conectada en la unión de las
resistencias R1 y R2 que forman un
divisor de tensión de la fuente UCC. La
tensión en el emisor UE depende de la
resistencia RE y de la intensidad IE. Si
aumenta IC, aumenta IE y, por tanto,
aumenta UE. Como UB es prácticamente
constante, la diferencia UBE=UB-UE
disminuye, lo que provoca la
correspondiente disminución de IC,
anulándose su incremento inicial
provocado por el aumento de la
temperatura.
4.- Transistor de efecto de campo de unión (FET)
Los transistores FET se caracterizan por que controlan la corriente mediante

un campo eléctrico, y su funcionamiento depende únicamente de un sólo tipo de
portadores (electrones o huecos) por lo que se denominan unipolares.
Su estructura consiste en dos

contactos, S (surtidor) y D
(drenador), en los extremos de un
semiconductor denominado canal que
puede ser de tipo N o tipo P, y en dos
regiones fuertemente dopadas de tipo
contrario formadas en las dos caras
opuestas del canal y conectadas a un
mismo terminal denominado puerta e
indicado con la letra G.
La corriente entre surtidor y

drenador ID se controla variando la
tensión puerta-surtidor UGS. La
polarización inversa aplicada entre
puerta y surtidor UGS produce un
campo eléctrico en el canal, como
consecuencia de la producción de
iones en las inmediaciones de la
unión, que va estrechando el mismo,
pudiendo llegar a cortar la corriente
entre surtidor y drenador ID.
En las características del FET

proporcionadas por el fabricante se
pueden observar tres zonas de
funcionamiento: la zona óhmica, en la
que el transistor se comporta como
una resistencia proporcionando
incrementos de corriente I D
proporcionales a los incrementos de la
tensión entre drenador y surtidor UDS;
Página 5
la zona de saturación, en la que los
incrementos de I D dependen
solamente de la UGS y que es la que
se emplea para que trabaje como
amplificador; y la zona de corte, en la
que la ID se hace prácticamente nula,
a la que se llega cuando UGS=UP.
La intensidad drenador-surtidor
ID viene dada por la expresión:
2
 U 
I D = I DSS  1 − GS 
 UP 
ID: Intensidad de drenador.

IDSS: Intensidad de saturación con UGS=0v.
UGS: Tensión puerta-surtidor.
UP: Tensión de contracción de saturación.
La tensión de ruptura de
drenador-surtidor cuando UGS=0v se
denomina BUDSS y limita la tensión
máxima aplicable entre drenador y
surtidor.
5.- Circuitos de polarización para el FET
Las figuras siguientes muestran los circuitos de polarización más utilizados para
un transistor FET de canal N en conexión surtidor común. Para que el FET trabaje
correctamente es necesario que el drenador sea positivo respecto al surtidor y que la
puerta sea negativa respecto al surtidor, lo que se consigue con una sola fuente de
alimentación y el circuito de resistencias adecuado.
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1.- Constitución y funcionamiento del transistor

Un transistor bipolar consiste en

El estudio del funcionamiento lo

El transistor se puede encontrar

Se puede encontrar trabajando en zona activa, cuando se polariza la unión

Se puede encontrar también trabajando en conmutación en los circuitos de

El transistor se puede conectar en un circuito en configuración base común,

2.- Características de un transistor

La representación gráfica de las variaciones de las corrientes del transistor con

Representan la relación entre la

Las características de entrada de

La zona activa de funcionamiento

La ganancia de corriente $ nos indica la variación que sufre la corriente de

Limitaciones de potencia en un transistor

La potencia que disipa un transistor es:

P: Potencia disipada en el transistor.

Esta potencia que se transforma

Otros límites de funcionamiento de un tran

Que el transistor trabaje en zona activa depende de las corrientes y tensiones

U CC = U CE + VRC U CC = VRB + U BE = VRB + 0,6v U CE = U BC + U BE = U BC + 0,6v

Las variaciones de temperatura influyen en los parámetros del transistor, en

4.- Transistor de efecto de campo de unión (FET)

Los transistores FET se caracterizan por que controlan la corriente mediante

Su estructura consiste en dos

La corriente entre surtidor y

En las características del FET

ID: Intensidad de drenador.

5.- Circuitos de polarización para el FET

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