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    5ºD TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN

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    INSTITUTO TECNOLÓGICO SAN BONIFACIO

    5º D Aplicaciones de Electrónica Analógica

    TRANSISTOR BIPOLAR EN MODO CONMUTACIÓN

    • INTRODUCCIÓN

    En la primera parte de la materia estuvimos estudiando al transistor en modo


    lineal de operación como amplificador de señales. También llamado modo de
    operación en zona activa ó zona lineal.

    En este modo de operación polarizábamos adecuadamente al transistor para


    garantizar su operación en modo lineal como amplificador, cuidando de NO
    trabajar en las zonas de sus curvas de salida llamadas zona de corte y zona
    de saturación, dado que allí dejaba de seguir a la señal de entrada,
    distorsionándola, siendo esta situación no deseada.

    Estudiaremos ahora al transistor operando en estas zonas denominadas de


    “corte” y “saturación”, diremos que lo hace en modo CONMUTACIÓN, y su
    comportamiento será equivalente al de un interruptor. La ventaja de este
    interruptor respecto a un interuptor electromecánico convencional será que a
    diferencia de operarlo mecánicamente por su palanca que lo abre y cierra, lo
    operaremos con una corriente de control relativamente baja (corriente de
    base IB) manejando potencias relativamente altas. Además el control puede
    ser automático, respondiendo a señales de alarma ó de procesos industriales
    sin intervención manual.

    A continuación las páginas 2 y 3 dan información general de clasisficación de


    transistores, distintos tipos, encapsulados y su simbología. La página 4 está
    dedicada a transistores bipolares TBJ, mostrando tipos NPN y PNP,
    estructura interna, curvas características de salida Ic= f(VCE) y ubicación
    de zonas de operación.

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    TRANSISTORES

     Los transistores bipolares se usan generalmente en electrónica


    electrónica analógica. También en
    algunas aplicaciones de electrónica digital como la tecnología TTL o BICMOS.
     Se consideran dispositivos activos porque pueden obtener una mayor corriente de salida
    a partir de , corriente o tensión de entrada, y por lo tanto,
    tanto, se utilizan en amplificación de
    corrientes y tensiones.
     Disponen de 3 terminales, pudiendo adoptar varias configuraciones:considerándose
    como entrada dos de ellos y de salida el tercero.

    CLASIFICACIÓN

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    SIMBOLOGIA DE TRANSISTORES

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    EL TRANSISTOR BIPOLAR BJT

    Formado por dos uniones PN con tres zonas cada una conectada a los terminales:C: "Colector", la zona
    central es la B:"Base" y E: "Emisor". El Emisor está muy impurificado, la Base tiene una impurificación
    muy baja, mientras que el Colector posee una impurificación intermedia.

    Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra
    entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base
    forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo
    de colector" (el de la derecha en este caso).

    CURVAS CARACTERÍSTICAS Y REGIONES DE


    FUNCIONAMIENTO:

    Curvas B-E IB (VBE) se corresponden con las de un


    diodo de unión.

    Curvas Ic(VCE):para diferentes valores de IB:

    Equivalencia simbólica. No equivale a dos diodos soldados.

    “IE sale; IB, IC entran” “IE entra; IB, IC salen”

    PARAMETROS DADOS POR EL FABRICANTE:


    VCEO <Vcc, VCESAT, VBESAT
    Icmax, Pcmax
    Β = HFE
    ICBO=Ico=Ic con la base en circuito abierto.

    EL TRANSISTOR POLARIZADO

    Si se conectan fuentes de tensión externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados nuevos e
    inesperados. Hay 3 configuraciones:

    • Base común (BC).


    • Emisor común (EC).
    • Colector común (CC).

    Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes:

    Zona ACTIVA: UE en Directa y UC en Inversa. AMPLIFICADORES


    Zona de SATURACIÓN: UE en Directa y UC en Directa. CONMUTACIÓN
    Zona de CORTE: UE en Inversa y UC en Inversa. CONMUTACIÓN
    Zona ACTIVA INVERTIDA: UE en Inversa y UC en Directa. SIN UTILIDAD

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    • DESCRIPCIÓN DE OPERACIÓN

    Si utilizamos al transistor operando en las zonas de corte y saturación,


    estamos utilizándolo en modo conmutación, en otras palabras está operando
    como un interruptor.

    De esta manera podemos comandar diferentes tipos de carga, por ejemplo:


    o Leds
    o Resistencias de calentamiento de un horno.
    o Motores.
    o Relés electromecánicos.

    Estas cargas serán comandadas por un transistor operando en modo


    conmutación, estando energizadas cuando el transistor se encuentre en
    “estado de saturación” y desenergizadas cuando el transistor se encuentre
    en “estado de corte”.

    Equivalencia con el interruptor mecánico:


    Los dos terminales del interruptor quedarían representados por los
    terminales colector y emisor del transistor; la planca de accionamiento del
    interruptor quedaría representada por el terminal de base. La señal de
    corriente inyectada a la base será quien comande ahora al interruptor.

    El análisis comparativo entre el transistor y el interruptor sería absolutamente


    cierto si el transistor en estado de corte tuviese una Ic=0 mA y en estado de
    saturación una VCE= 0V.
    Las características físicas del transistor nos indican que en estado de corte,
    es decir con corriente de base 0 mA, circulará en el circuito de colector-
    emisor una corriente de fuga denominada ICE0 cuyo valo típico es de algunos
    µA y depende de la temperatura. En estado de saturación observaremos una
    tensión denominada VCESAT cuyo valor típico es de 0,1 a 0,15 V

    • Estudio de un circuito en modo conmutación.

    Estudiaremos un circuito en modo conmutación, utilizando un transistor tipo


    NPN.
    Deseamos comandar la carga RL = 1kohm en modo conmutación, operando
    a través de un microinterruptor. Tensión de operación de la carga RL es 10V.

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    El diseño eléctrico es el indicado a continuación.

    Cuando el microinterruptor se encuentre en la posición 1, no circulará


    corriente hacia la base del transistor y por lo tanto diremos que el transistor
    se encuentra en “estado de corte”, y su corriente de colector será ICE0 , la que
    asumiremos en nuestros casos prácticos igual a 0mA.
    La tensión VCE tomará el valor de la fuente, es decir VCE= 10V.

    R Hfe transistor= ß =200

    Si trazamos la recta de carga sobre las curvas de salida del transistor,


    quedará determinado el punto 1: Ic=0mA VCE= 10V

    Cuando el microinterruptor se encuentre en la posición 2 circulará una


    intensidad de corriente hacia la base, que llevará al transistor al estado de
    saturación, su corriente de colector será Ic y su tensión VCE = VCESAT =0,15v

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    IBsat

    Ic IB
    IB

    0,15V 10V

    10V
    0,15 V

    Cálculo de R:

    El primer paso será calcular la Ic necesaria para energizar la carga:

    Planteando la ecuación de malla de salida y despejando Ic:

    Vcc= VCESAT + Ic. RL à Ic= (Vcc- VCESAT )/ RL = (10-0,15)/1kohm=9,85mA

    Sabiendo que Hfe=Ic/IB (dato Hfe= ß =200)

    IB = Ic/Hfe= 49 µA

    Para esta corriente de base corresponde la curva de salida de color verde,


    observando la gráfica vemos que la tensión correspondiente VCESAT será
    algo superior a la considerada 0,15 mV.
    Para eliminar este inconveniente diseñamos en modo conmutación
    considerando una IB superior a la calculada anteriormente y denominada
    IBSAT.
    Tomaremos como Hfe de diseño en modo conmutación un valor menor al
    indicado por el fabricante del transistor. Un valor adecuado es coinsiderar un
    Hfe de diseño igual a la mitad del Hfe nominal del transistor.

    Luego IBSAT = 2.(Ic/Hfe)= 98 µA

    Resultando la curva de trabajo indicada con IBSAT. Para esta curva


    observamos una reducción de VCE , alcanzando VCESAT = 0,15v.
    Decimos que el transistor esta sobresaturado con corriente de base IBSAT.

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    Luego R = (10v - VBE)/ IBSAT= (10-0,7)/ 98µA= 94,9 kohm.

    El circuito no requiere componentes adicionales de estabilización, dado que


    no requiere polarización alguna del punto de trabajo. Se debe cumplir no
    sobrepasar las especificaciónes máximas del transistor.

    En la práctica no excitamos la base del transistor con la fuente auxiliar de


    10V ni con el microinterruptor, sino que la señal de control en general será la
    salida de una compuerta digital ó señal lógica de un dispositivo previo.

    0,15v
    Vent

    Dado que la confiiguración del circuito es la de emisor común, la señal de


    salida sigue a la señal de entrada pero de modo inverso, es decir la señal de
    salida está invertida con respecto a la señal de entrada. Cuando la señal de
    entrada está en su nivel alto (VH), corresponde nivel bajo (VL) en la salida y la
    carga estará energizada.
    Para energizar la carga con nivel bajo de la señal de entrada debemos
    incorporar una etapa adicional en cascada, la que actuará como inversor.

    Bibliografía:

    Apuntes del docente.


    Aplicaciones del transistor. I.E.S. MARÍA MOLINER (SEGOVIA) España.

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