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Rivera Alvarez Edgar Dispositivos y Circuitos Electrónicos
Grupo 2
TRANSISTOR MOSFET
Los transistores de efecto de campo (FET), son semiconductores activos en los cuales el control
de corriente depende de un campo eléctrico o diferencia de potencia. El más importante es el
MOSFET (Metal-Oxido Semiconductor) de acumulación. Es el transistor mas utilizado en la
industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
Estructura:
Este transistor está configurado para que el control de la conductividad del canal y, por tanto,
de la corriente a través de este y de los terminales extraídos en sus extremos de fuente y
drenador, se efectúa empleando un electro de puerta metálico, separado del canal
semiconductor por una capa de oxido aislante, el cual es el dispositivo de efecto de campo de
mayor importancia.
Ilustración 1:MOSFET de acumulación de canal N
Los dispositivos MOSFET, se presentan dos variantes. En un transistor BJT se tienen

transistores npn y pnp pero debido a que el FET es un dispositivos unipolar, sus variantes son
transistores MOSFET de canal n o canal p los cuales en términos generales se basan en el
mismo principio de operación.
Þ Canal n (NMOS):
Los extremos del dispositivo tienen dos

regiones fuertemente dopadas con
impurezas donadoras, y que constituyen
las regiones de fuente o surtidor (S) y
drenador o drenaje (D). La conductividad
Dispositivos y Circuitos Electrónicos
de este canal puede ser modulada variando la tensión de su puerta.
La fuente es la terminal a través del cual los portadores mayoritarios (electrones) entran al
canal, mientras que el drenador es la región por la que los portadores mayoritarios salen del
canal.
Podemos realizar el análisis de acuerdo con las diferentes tensiones aplicadas:
- Si 𝑉!" > 𝑉# la estructura se encuentra en acumulacion, por lo tanto, no existe un canal

de electrones que conecte internamente con la fuente con el drenador. Por la tanto la
corriente de drenador es 𝐼$ = 0 en cualquier tensión 𝑉$" , el dispositivo está en corte.
- Si 𝑉!" ≥ 𝑉# existe un canal que conecta surtidor y drenado y puede circular corriente
al aplicar una tensión 𝑉$" . A medida que aumentamos la tensión nos encontraremos en
la región óhmica o lineal.
- Para una tensión 𝑉$" en la cual el canal
se habrá contraído totalmente y
obtendremos la tensión de drenador de
saturación 𝑉$" "%# en donde el
dispositivo se encuentra al limite de la
zona de saturación: 𝑉$" "%# = 𝑉$" − 𝑉#
Ilustración 3: Curvas características del
transistor MOS de canal N.
Ilustración 2: Cuatro tipos de MOSFET con su estructura y símbolos.

Þ Canal p (PMOS):
En comparación con los transistores MOS de

canal N, intercambian las regiones dopadas n
por regiones dopadas p y viceversa. En este
caso el canal se forma gracias a la existencia
de cargas positivas libres. La corriente de
Ilustración 4: Curvas características de
drenador-fuente (𝐼"$ ) se origina si 𝑣$" < 0. transistor PMOS.
• Enriquecimiento: En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre

el electrodo de la compuerta (G) y el sustrato (B) induce un canal conductor entre los
contactos de drenador y surtidor, gracias al efecto de campo. En general, hace referencia al
incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores
de carga en la región correspondiente al canal, que también es conocida como la zona de
inversión.
Al ser de acumulación o enriquecimiento no dispone de canal por fabricación. Para que
pueda establecerse corriente por el es necesario inducir un canal mediante la polarización
puerta -fuente, aumentando su conductividad al incrementar dicha tensión.
Si analizamos los voltajes, obtenemos que para 𝑉!" = 0, la conductancia del canal es muy
pequeña o nula es de acumulación o normalmente de corte. De necesita, por tanto, una
tensión de puerta para crear el canal 𝑉# > 0 si el canal es de tipo n y 𝑉# < 0 si el canal es
de tipo p.
• Empobrecimiento: Los MOSFET de empobrecimiento tiene un canal conductor que

se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la compuerta, lo
cual ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de carga y una disminución
respectiva de la conductividad.
Si para 𝑉!" = 0, existe un canal capaz de conducir, entonces es de empobrecimiento o
normalmente de conducción. En este caso, la tensión de puerta a la que desaparece el canal
será negativa en un caso nMOS, 𝑉# < 0, y positiva en un pMOS, 𝑉# > 0.
Resumen:
Tabla 1: Regiones de operación y ecuaciones para transistores NMOS de enriquecimiento y empobrecimiento.
Como comentamos anteriormente, para transistores PMOS de enriquecimiento y

empobrecimiento, se pueden deducir mediante las mismas ecuaciones cambiando las
polaridades de las tensiones y los sentidos de las intensidades.
BIBLIOGRAFÍA:
Sedra, A. S. (1991). Microelectronic Circuits. Saunders Collegue.
Tema 4: El transistor MOSFET. (2004). Hispavila. https://hispavila.com/wp-
content/uploads/2015/08/tema4_el-mosfet.pdf
Tema 6: El transistor Unipolar MOSFEt. (s. f.).
http://quegrande.org/apuntes/grado/1G/TEG/teoria/10-11/tema_6_-
_transistores_unipolares.pdf
Transistores de efecto de campo (FETs). (2018). OpenCourseWare.
https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/40199/mod_resource/content/1/electro_dis/ensenan
zas-tecnicas/electronica-de-dispositivos/tema-14.pdf
Transistores MOSFET. (s. f.). Universidad de Sonora.
http://tesis.uson.mx/digital/tesis/docs/23137/Capitulo2.pdf

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Ilustración 1:MOSFET de acumulación de canal N

Los dispositivos MOSFET, se presentan dos variantes. En un transistor BJT se tienen

Los extremos del dispositivo tienen dos

de este canal puede ser modulada variando la tensión de su puerta.

Podemos realizar el análisis de acuerdo con las diferentes tensiones aplicadas:

- Si 𝑉!" > 𝑉# la estructura se encuentra en acumulacion, por lo tanto, no existe un canal

Ilustración 2: Cuatro tipos de MOSFET con su estructura y símbolos.

En comparación con los transistores MOS de

• Enriquecimiento: En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre

• Empobrecimiento: Los MOSFET de empobrecimiento tiene un canal conductor que

Tabla 1: Regiones de operación y ecuaciones para transistores NMOS de enriquecimiento y empobrecimiento.

Como comentamos anteriormente, para transistores PMOS de enriquecimiento y

Sedra, A. S. (1991). Microelectronic Circuits. Saunders Collegue.

Tema 4: El transistor MOSFET. (2004). Hispavila. https://hispavila.com/wp-

Tema 6: El transistor Unipolar MOSFEt. (s. f.).

Transistores de efecto de campo (FETs). (2018). OpenCourseWare.

Transistores MOSFET. (s. f.). Universidad de Sonora.

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