El Transistor MOSFET

Introducción.

• Los problemas que vienen presentando los transistores bipolares o

BJT, como son la corriente que soportan y la dependencia de la
temperatura a la que se ven sometidos, unas veces por su
emplazamiento, otras por un mal trazado y la mas evidente, el efecto
llamado de avalancha. Estas evidencias, han llevado a que se
sustituyan por otros transistores más avanzados, hasta la llegada de
los MOSFET.
VENTAJAS
• Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a que
ocupen un lugar importante dentro de la industria, desplazando a los
viejos BJT a otros fines. Los MOSFET de potencia son muy populares
para aplicaciones de baja tensión, baja potencia y conmutación
resistiva en altas frecuencias, como fuentes de alimentación
conmutadas, motores sin escobillas y aplicaciones como robótica,
CNC y electrodomésticos.
• La mayoría de sistemas como lámparas, motores, drivers de estado
sólido, electrodomésticos, etc. utilizan dispositivos de control, los
cuales controlan el flujo de energía que se transfiere a la carga. Estos
dispositivos logran alta eficiencia variando su ciclo de trabajo para
regular la tensión de salida. Para realizar la parte de conmutación,
existen varios dispositivos semiconductores, a continuación se
muestra una tabla con algunos de ellos.
La siguiente es una tabla comparativa de las diversas capacidades
entre potencia y velocidad de conmutación de los tipos de
dispositivos.
Los transistores MOSFET.

• Vamos a estudiar un transistor cuyo funcionamiento no se basa en

uniones PN, como el transistor bipolar, ya que en éste, el movimiento
de carga se produce exclusivamente por la existencia de campos
eléctricos en el interior del dispositivo. Este tipo de transistores se
conocen como, efecto de campo JFET (del inglés, Juntion Field Effect
Transistor).
• El transistor MOSFET, como veremos, está basado en la estructura
MOS. En los MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión
entre el electrodo de la Puerta y el substrato induce un canal
conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor, gracias al
efecto de campo. El término enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la
cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al
canal, que también es conocida como la zona de inversión.
La estructura MOS.

• La estructura MOS esta compuesta de dos terminales y tres capas: Un

Substrato de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera
una capa de Oxido de Silicio (SiO2) que, posee características
dieléctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de
entrada. Por último, sobre esta capa, se coloca una capa de Metal
(Aluminio o polisilicio), que posee características conductoras. En la
parte inferior se coloca un contacto óhmico, en contacto con la
capsula, como se ve en la figura.
La estructura MOS, actúa como un condensador de placas
paralelas en el que G y B son las placas y el óxido, el aislante.
De este modo, cuando VGB=0, la carga acumulada es cero y la
distribución de portadores es aleatoria y se corresponde al
estado de equilibrio en el semiconductor.
• Cuando VGB>0, aparece un campo eléctrico entre los terminales de
Puerta y substrato. La región semiconductora p responde creando una
región de empobrecimiento de cargas libres p+ (zona de deplexión), al
igual que ocurriera en la región P de una unión PN cuando estaba
polarizada negativamente. Esta región de iones negativos, se
incrementa con VGB.
• Al llegar a la región de VGB, los iones presentes en la zona
semiconductora de empobrecimiento, no pueden compensar el
campo eléctrico y se provoca la acumulación de cargas negativas
libres (e-) atraídos por el terminal positivo. Se dice entonces que la
estructura ha pasado de estar en inversión débil a inversión fuerte.
• El proceso de inversión se identifica con el cambio de polaridad del
substrato, debajo de la región de Puerta. En inversión fuerte, se forma
así un CANAL de e- libres, en las proximidades del terminal de Puerta
(Gate) y de huecos p+ en el extremo de la Puerta.
• La intensidad de Puerta IG, es cero puesto que, en continua se
comporta como un condensador (GB). Por lo tanto, podemos decir
que, la impedancia desde la Puerta al substrato es prácticamente
infinita e IG=0 siempre en estática. Básicamente, la estructura MOS
permite crear una densidad de portadores libres suficiente para
sustentar una corriente eléctrica.
MOSFET de enriquecimiento de CANAL
N.
• Bajo el terminal de Puerta existe una capa de óxido (SiO2) que impide
prácticamente el paso de corriente a su través; por lo que, el control de
puerta se establece en forma de tensión. La calidad y estabilidad con que es
posible fabricar estas finas capas de óxido es la principal causa del éxito
alcanzado con este transistor, siendo actualmente el dispositivo más utilizado.
• Además, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT, lo que permite
una mayor densidad de integración. Comencemos con la estructura básica del
MOSFET, seguido de sus símbolos.
• Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que el substrato
semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interfase
Oxido-Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente
dopado (n+).
Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de puerta de un MOSFET de tipo N,
se crea un campo eléctrico bajo la capa de óxido que incide perpendicularmente
sobre la superficie del semiconductor P. Este campo, atrae a los electrones hacia la
superficie, bajo la capa de óxido, repeliendo los huecos hacia el sustrato. Si el campo
eléctrico es muy intenso se logra crear en dicha superficie una región muy rica en
electrones, denominada canal N, que permite el paso de corriente de la Fuente al
Drenador. Cuanto mayor sea la tensión de Puerta (Gate) mayor será el campo
eléctrico y, por tanto, la carga en el canal. Una vez creado el canal, la corriente se
origina, aplicando una tensión positiva en el Drenador (Drain) respecto a la tensión
de la Fuente (Source).
• En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya que los
portadores son huecos (cargas de valor positivas, el módulo de la carga
del electrón). En este caso, para que exista conducción el campo
eléctrico perpendicular a la superficie debe tener sentido opuesto al del
MOSFET tipo N, por lo que la tensión aplicada ha de ser negativa. Ahora,
los huecos son atraídos hacia la superficie bajo la capa de óxido, y los
electrones repelidos hacia el sustrato. Si la superficie es muy rica en
huecos se forma el canal P. Cuanto más negativa sea la tensión de puerta
mayor puede ser la corriente (más huecos en el canal P), corriente que
se establece al aplicar al terminal de Drenador una tensión negativa
respecto al terminal de Fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la
de un MOSFET tipo N.
• Si con tensión de Puerta nula no existe canal, el transistor
se denomina de acumulación; y de vaciamiento en caso
contrario. Mientras que la tensión de Puerta a partir de la
cual se produce canal, se conoce como tensión umbral, VT.
El terminal de sustrato sirve para controlar la tensión
umbral del transistor, y normalmente su tensión es la
misma que la de la Fuente.
• El transistor MOS es simétrico: los terminales de Fuente y Drenador
son intercambiables entre sí. En el MOSFET tipo N el terminal de
mayor tensión actúa de Drenador (recoge los electrones), siendo el de
menor tensión en el tipo P (recoge los huecos). A modo de resumen,
la figura anterior, muestra el funcionamiento de un transistor MOS
tipo N de enriquecimiento.
El símbolo más utilizado para su representación a nivel de circuito
se muestra en la figura siguiente. La flecha en el terminal de Fuente
(Gate) nos informa sobre el sentido de la corriente.
• En la estructura MOS de la siguiente figura, aparecen diversas fuentes
de tensión polarizando los distintos terminales: VGS, VDS. Los
terminales de substrato (B) y Fuente (S) se han conectado a GND. De
este modo, VSB=0 (tensión Surtidor-sustrato=0) , se dice que no existe
efecto substrato.
Según los valores que tome la tensión V GS, se
pueden considerar tres casos:
• 1) VGS=0. Esta condición implica que VGS=0, puesto que VSB=0. En estas
condiciones, no existe efecto campo y no se crea el canal de e-, debajo
de la Puerta. Las dos estructuras PN se encuentran cortadas (B al
terminal más negativo) y aisladas. IDS=0 aproximadamente, pues se
alimenta de las intensidades inversas de saturación.
• 2) La tensión VGS>0, se crea la zona de empobrecimiento o deplexión en
el canal. Se genera una carga eléctrica negativa e- en el canal, debido a
los iones negativos de la red cristalina (similar al de una unión PN
polarizada en la región inversa), dando lugar a la situación de inversión
débil anteriormente citada. La aplicación de un campo eléctrico lateral
VDS>0, no puede generar corriente eléctrica IDS.
• 3) La tensión VGS>>0, da lugar a la inversión del canal y genera una
población de e- libres, debajo del oxido de Puerta y p+ al fondo del
substrato. Se forma el CANAL N o canal de electrones, entre el
Drenador y la Fuente (tipo n+) que, modifica las característica
eléctricas originales del sustrato. Estos electrones, son cargas libres,
de modo que, en presencia de un campo eléctrico lateral, podrían
verse acelerados hacia Drenador o Surtidor. Sin embargo, existe un
valor mínimo de VGS para que el número de electrones, sea suficiente
para alimentar esa corriente, es VT, denominada TENSIÓN UMBRAL
(en algunos tratados se denomina VTH).
Por lo tanto, se pueden diferenciar dos zonas
de operación para valores de VGS positivos:
• - Si VGS< VT la intensidad IDS=0 (en realidad sólo es aproximadamente
cero) y decimos que el transistor opera en inversión débil. En ella, las
corrientes son muy pequeñas y su utilización se enmarca en contextos
de muy bajo consumo de potencia. Se considerará que la corriente es
siempre cero. De otro lado;

- Si VGS>=VT, entonces IDS es distinto de cero, si VDS es no nulo. Se dice

que el transistor opera en inversión fuerte.
• Cuanto mayor sea el valor de VGS, mayor será la concentración de
cargas libres en el canal y por tanto, será superior la corriente IDS.
Regiones de operación.

• Cuando ya existe canal inducido y VDS va aumentando, el canal se

contrae en el lado del Drenador, ya que la diferencia de potencial
Puerta-canal es en ese punto, más baja y la zona de transición más
ancha. Es decir, siempre que exista canal estaremos en región óhmica
y el dispositivo presentará baja resistencia.
• La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres
regiones de operación diferentes, dependiendo de las tensiones en
sus terminales. Para un transistor MOSFET N de enriquecimiento se
tienen las siguientes regiones: región de corte, región óhmica y
región de saturación.
Región de corte.

• El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas

condiciones el transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un
circuito abierto, entre los terminales del Drenador-Surtidor. De
acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región, el
dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción entre Drenador
y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto.
Región óhmica.
• Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de
RDS(on) viene dado por la expresión:

VDS(on) = ID(on) x RDS(on)

• En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una
corriente de Drenaje (ID) específica y el voltaje Puerta-Surtidor.
• Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0'1 A; entonces,
Así mismo, el transistor estará en la región óhmica, cuando VGS >
Vt y VDS < ( VGS – Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el
Drenador y Surtidor. El valor de esta resistencia varía
dependiendo del valor que tenga la tensión entre la Puerta y el
Surtidor (VGS).
Región de Saturación.

• El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la

tensión entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo
denominado tensión de saturación (Vds sat) Drenador-Surtidor; este
valor viene determinado en las hojas características proporcionadas
por el fabricante. En esta zona, el MOSFET mantiene constante su
corriente de Drenador (ID), independientemente del valor de tensión
que haya entre el Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el
transistor equivale a un generador de corriente continua de valor ID.
• Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS – Vt ).
• O sea, estaremos en la región de saturación cuando el canal se interrumpe o
estrangula, lo que sucede cuando:

VDS ≥ VGS - VT → Región de saturación

• Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal de

conducción, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del
Drenador y desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se
interrumpe, es debido al campo eléctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
• En la figura anterior, la parte casi vertical corresponde a la zona
óhmica, y la parte casi horizontal corresponde a la zona activa. El
MOSFET de enriquecimiento, puede funcionar en cualquiera de ellas.
En otras palabras, puede actuar como una resistencia o como una
fuente de corriente. El uso principal está en la zona óhmica.
Región de Ruptura.

• Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus

propiedades semiconductoras y se puede llegar a romper el
componente físico. La palabra ruptura hace referencia a que se rompe
la unión semiconductora de la parte del terminal del drenador.
• Los transistores unipolares están limitados en tres magnitudes
eléctricas:
En tensión: no se puede superar el valor máximo de tensión entre la puerta y
el surtidor. Este valor se denomina BVgs.
Tampoco se puede superar un valor máximo de tensión entre el drenador y
el surtidor denominado BVds.
-En corriente: no se puede superar un valor de corriente por el drenador,
conocido como Idmax.
-En potencia: este límite viene marcado por Pdmax, y es la máxima poten
cia que puede disipar el componente.
Resumiendo:

• Máxima Tensión Puerta-Fuente. La delgada capa de dióxido de silicio en el MOSFET

funciona como aislante, el cual, impide el paso de corriente de Puerta, tanto para
tensiones de Puerta negativas como positivas. Muchos MOSFET están protegidos con
diodos zener internos, en paralelo con la Puerta y la Fuente. La tensión del zener, es
menor que la tensión Puerta-Fuente que soporta el MOSFET VGS(Max).
• Zona Óhmica. El MOSFET es un dispositivo de conmutación, por lo que evitaremos, en lo
posible, polarizarlo en la zona activa. La tensión de entrada típica tomará un valor bajo o
alto. La tensión baja es 0 V, y la tensión alta es VGS(on), especificado en hojas de
características.
• Drenador-Fuente en resistencia. Cuando un MOSFET de enriquecimiento se polariza en la
zona activa, es equivalente a una resistencia de RDS(on), especificada en hojas de
características. En la curva característica existe un punto Qtest en la zona óhmica. En este
punto, ID(on) y VDS(on) están determinados, con los cuales se calcula RDS(on).
 APLICACIONES
• El FET más comúnmente utilizado es el MOSFET. La tecnología CMOS
es la base de los modernos circuitos integrados digitales. Esta usa una
disposición donde el MOSFET de canal-p (generalmente "modo de
enriquecimiento") y el de canal-n están conectados en serie de
manera que cuando uno está encendido, el otro está apagado.
• En los FET, los electrones pueden fluir en cualquier dirección a través
del canal cuando se operan en el modo lineal. La convención de
nomenclatura del terminal de drenaje y el terminal de fuente es algo
arbitraria, ya que los dispositivos están típicamente (pero no siempre)
construidos simétricamente desde la fuente al desagüe. Esto hace
que los FET sean adecuados para conmutar señales analógicas entre
trayectos (multiplexación). En este concepto se basan los
tablero de mezcla de estado sólido usados en la producción musical.
• Un uso común de los FET es como amplificadores. Debido a su gran
resistencia de entrada y baja resistencia de salida, es efectivo como
un buffer en la configuración de drenaje común (seguidor de fuente).
Son muy comunes además en amplificadores de audio.