Semiconductores

Aislantes
Un aislante es un material que no conduce corriente eléctrica en condiciones normales. La mayoría de los buenos aislantes
son materiales compuestos, es decir, no formados por sólo un elemento. Los electrones de valencia están estrechamente
enlazados a los átomos; por consiguiente, en un aislante hay muy pocos electrones libres. Algunos ejemplos de aislantes son
el hule, el plástico, el vidrio, la mica y el cuarzo.
Conductores
Un conductor es un material que conduce corriente eléctrica fácilmente. La mayoría de los metales son buenos conductores.
Los mejores conductores son materiales de sólo un elemento, tales como cobre, plata, oro y aluminio, que están
caracterizados por átomos con sólo un electrón de valencia muy flojamente enlazada al átomo. Estos electrones de valencia
flojamente enlazados se convierten en electrones libres. Por consiguiente, en un material conductor, los electrones libres son
electrones de valencia.
Semiconductores
Un semiconductor es un material a medio camino entre los conductores y los aislantes, en lo que a su capacidad de conducir
corriente eléctrica respecta. Un semiconductor en estado puro (intrínseco) no es ni buen conductor ni buen aislante. Los
semiconductores más comunes de sólo un elemento son el silicio, el germanio y el carbón. Los semiconductores compuestos,
tales como el arseniuro de galio y el fosfuro de indio, también son de uso común. Los semiconductores de un solo elemento
están caracterizados por átomos con cuatro electrones de valencia.
 Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un buen
conductor y la de un aislante.
 Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la construcción de dispositivos electrónicos son Ge, Si y
GaAs.

Bandas de energía
Recuerde que la capa de valencia de un átomo representa una banda de niveles de energía y que los electrones de valencia
están confinados a dicha banda. Cuando un electrón adquiere suficiente energía adicional puede abandonar la capa de
valencia, convertirse en un electrón libre y existir en lo que se conoce como banda de conducción.
La diferencia de energía entre la banda de valencia y la banda de conducción se llama banda prohibida. Ésta es la cantidad de
energía que un electrón de valencia debe tener para saltar de la banda de valencia a la de conducción. Una vez en la banda de
conducción, el electrón es libre de moverse por todo el material y no queda enlazado a ningún átomo dado.
La figura 1-5 muestra diagramas de energía de aislantes, semiconductores y conductores: la parte (a) muestra que los
aislantes tienen una banda prohibida muy ancha. Los electrones de valencia no saltan a la banda de conducción excepto en
condiciones de ruptura en las que se aplican voltajes extremadamente altos a través del material. La parte (b) ilustra cómo los
semiconductores tienen una banda prohibida mucho más angosta, la cual permite que algunos átomos de valencia salten a la
banda de conducción y se conviertan en electrones libres. En contraste, como la parte (c) lo muestra, las bandas de energía en
conductores se traslapan. En un material conductor metálico siempre existe un mayor número de electrones de valencia que
electrones libres.
Comparación de un átomo semiconductor con un átomo conductor

El silicio es un semiconductor y el cobre es un conductor. La figura 1-6 muestra diagramas del átomo de silicio y del átomo de
cobre. Observe que la parte central del átomo de silicio tiene una carga neta de 4 (14 protones 10 electrones) y la parte
central del átomo de cobre tiene una carga neta de 1 (29 protones 28 electrones). La parte central incluye todo, excepto los
electrones de valencia.
SEMICONDUCTORES TIPO N Y TIPO P
Los materiales semiconductores en su estado intrínseco no conducen bien la corriente y su valor es limitado. Esto se debe al
número limitado de electrones libres presentes en la banda de conducción y huecos presentes en la banda de valencia. El
silicio intrínseco (o germanio) se debe modificar incrementando el número de electrones libres o huecos para aumentar su
conductividad y hacerlo útil en dispositivos electrónicos. Esto se hace añadiendo impurezas al material intrínseco. Dos tipos de
materiales semiconductores extrínsecos (impuros), el tipo n y el tipo p, son los bloques de construcción fundamentales en la
mayoría de los tipos de dispositivos electrónicos.
Dopado
La conductividad del silicio y el germanio se incrementa drásticamente mediante la adición controlada de impurezas al
material semiconductor intrínseco (puro). Este proceso, llamado dopado, incrementa el número de portadores de corriente
(electrones o huecos). Los dos portadores de impurezas son el tipo n y el tipo p.
Semiconductor tipo N
Para incrementar el número de electrones de banda de conducción en silicio intrínseco se agregan átomos de impureza
pentavalente. Estos son átomos son cinco electrones de valencia tales como arsénico (As), fósforo (P), bismuto (Bi) y
antimonio (Sb).
Portadores mayoritarios y minoritarios Como la mayoría de los portadores de corriente son electrones, el silicio (o el
germanio) dopado con átomos pentavalentes es un semiconductor tipo n (n expresa la carga negativa de un electrón). Los
electrones se conocen como portadores mayoritarios en material tipo n. Aunque la mayoría de los portadores de corriente en
un material tipo n son electrones, también existen algunos huecos que se crean cuando térmicamente se generan pares
electrón-hueco (estos huecos no se producen por la adición de átomos de impureza pentavalentes). Los huecos en un material
tipo n reciben el nombre de portadores minoritarios.
Semiconductor tipo P
Para incrementar el número de huecos en silicio intrínseco, se agregan átomos de impureza trivalentes: átomos con tres
electrones de valencia tales como boro (B), indio (In) y galio (Ga). Como muestra la figura 1-16, cada átomo trivalente (boro,
en este caso) forma enlaces covalentes con cuatro átomos de silicio adyacentes. Se utilizan los tres electrones de valencia del
átomo de boro en los enlaces covalentes y, como son necesarios cuatro electrones, resulta un hueco cuando se agrega cada
átomo trivalente. Como el átomo trivalente puede tomar un electrón, a menudo se hace referencia a él como átomo aceptor.
El número de huecos se controla cuidadosamente con el número de átomos de impureza trivalente agregados al silicio. Un
hueco creado mediante este proceso de dopado no está acompañado por un electrón de conducción (libre).
EL DIODO
Si se toma un bloque de silicio y se dopa una parte de él con una impureza trivalente y la otra con una impureza pentavalente,
se forma un límite llamado unión pn entre las partes tipo p y tipo n resultantes y se crea un diodo básico. Un diodo es un
dispositivo que conduce corriente en sólo una dirección. La unión pn es la característica que permite funcionar a diodos,
ciertos transistores y otros dispositivos.
 LINK DEL MAPA CONCELTUAL: lo cree en una paguina electrónica utilizando la información de los libros proporcionados
por el profesor.
https://lucid.app/lucidspark/c18b5260-0afe-4951-b57e-6bf060b073a4/edit?invitationId=inv_2d745bdf-8992-4b05-a42f-
67e8c965502f}

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