1.

Definir las bandas de valencia de los materiales aislantes,

semiconductores y conductores.
Antes de pasar a definir las bandas de valencia de cada uno de los materiales,
hablaremos brevemente de las bandas de energía.
Bandas de energía.
Banda de valencia: Está ocupada por los electrones de valencia de los átomos, es
decir, aquellos electrones que se encuentran en la última capa o nivel energético de
los átomos. Los electrones de valencia son los que forman los enlaces entre los
átomos, pero no intervienen en la conducción eléctrica.
Banda de conducción: Está ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos que
se han desligado de sus átomos y pueden moverse fácilmente. Estos electrones son los
responsables de conducir la corriente eléctrica.
En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la corriente eléctrica
debe haber poca o ninguna separación entre la Banda de conducción y la Banda de
valencia (que pueden llegar a solaparse), de manera que los electrones puedan saltar
entre las bandas. Cuando la separación entre bandas sea mayor, el material se
comportará como un aislante. En ocasiones, la separación entre bandas permite el
salto entre las mismas de solo algunos electrones. En estos casos, el material se
comportará como un semiconductor. Para que el salto de electrones entre bandas en
este caso se produzca deben darse alguna o varias de las siguientes situaciones: que el
material se encuentre a altas presiones, a una temperatura elevada o se le añadan
impurezas (que aportan más electrones).
1.1 Aislantes:
Un aislante eléctrico, es un material que impide el paso de la electricidad. Esto
es posible ya que el material en cuestión no conduce la electricidad (rechaza el
flujo de la corriente). En un aislante eléctrico, las cargas tienen dificultades para
movilizarse; en los conductores eléctricos, en cambio, dichas cargas se
desplazan con gran facilidad.
Bandas de valencia de los aislantes:
Los electrones de valencia están ligados fuertemente a sus respectivos núcleos
atómicos. Están compuestos de sustancias de
electrones, o partículas de energía que están
comprimidos en conjunto mediante un
proceso químico. Es casi imposible conseguir
que el voltaje eléctrico pueda pasar a través
de estos materiales.
Las bandas de valencia y conducción de un
aislante están muy bien separadas lo cual
casi impide que los electrones se muevan
con libertad y facilidad. Estos cuentan con
más de 4 electrones de valencia en su última banda de valencia.
 1.2 Semiconductores:
Para los semiconductores la
banda de valencia y la de
conducción tienen un pequeño
espacio que también es muy
estrecho y esta pequeña
separación hace que sea
relativamente fácil moverse
pero no con una gran libertad
así que no les hace imposible el
movimiento. Todos los
semiconductores tienen
alrededor de 4 electrones de
valencia.

1.3 Conductores
Un conductor es el que te permite que la
electricidad o el calor pase de un lado a
otro. Es cualquier cuerpo u objeto que sea
capaz de intercambiar electrones pueden
ser líquidos u objetos metálicos.
Bandas de valencia de los conductores:
Los conductores son todos aquellos que
poseen menos de 4 electrones en su
última capa de valencia. Los elementos
capaces de conducir electricidad, cuando
son sometidos a una diferencia de
potencial eléctrico, más comunes son los
metálicos.
2. Analizar las características de los semiconductores
intrínsecos y describir de la tabla periódica qué materiales
son de este tipo.
Semiconductores Intrínsecos:
Lo semiconductores intrínsecos son aquellos materiales que presentan una
conductividad nula a bajas temperaturas, pero que pueden ser débilmente
conductores a temperatura ambiente.
Cuando el semiconductor se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones
pueden absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia.3 Las energías requeridas, a
temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
3. Analizar las características de los semiconductores
extrínsecos y describir de la tabla periódica qué
materiales son de este tipo.

Semiconductores extrínsecos:
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje
de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se
denomina extrínseco, y se dice que está dopado.
A continuación veremos las diferencias de los semiconductores tipo N y los
semiconductores tipo P.

Un semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado

añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número
de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más débilmente
vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también
conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.

El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores

en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese
el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una
valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace
covalente con cada uno de los átomos de silicio
adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia,
tales como los del grupo 15 de la tabla periódica —p. ej.,
fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb) —, se incorpora
a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio,
entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un
electrón no enlazado. Este electrón extra da como
resultado la formación de "electrones libres", el número de
electrones en el material supera ampliamente el número
de huecos, en ese caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios.
A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra
que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el
semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material
dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero.

Un semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,

añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número
de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados
de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como
material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son
conocidos como huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de
huecos. En el caso del silicio, un átomo tetravalente
(típicamente del grupo 14 de la tabla periódica) se le une
un átomo con tres electrones de valencia, tales como los
del grupo 13 de la tabla periódica (ej. Aluminio, Galio,
Boro, Indio), y se incorpora a la red cristalina en el lugar
de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá tres
enlaces covalentes y un hueco producido que se
encontrará en condición de aceptar un electrón libre.

Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando

cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del
átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado
como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son
añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así,
los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los
portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que
contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se
produce de manera natural.
4. Analizar la estructura interna del diodo semiconductor, así
mismo su función característica y funcionamiento.

El diodo consiste fundamentalmente en la unión de dos piezas de cristal

semiconductor compuestas por átomos de silicio puro, procesadas cada una de una
forma diferente, de forma que una sea de tipo P (con carga positiva) y otra tipo N (con
carga negativa). Para lograr
esto, a las piezas se les añade
algunas moléculas de otro
elemento semiconductor,
denominadas impurezas. Este
proceso se denomina dopado.
Al final del proceso se obtiene
una pieza de cristal de silicio
positiva (P) con faltante de
electrones en su estructura
atómica (lo que produce la
aparición de “huecos”) y otra
pieza negativa (N) con exceso de electrones.

Para finalizar el diodo, se añaden unos contactos a los extremos de la unión P-N que
facilitarán la conexión al circuito donde vaya a ser utilizado. Por último se les introduce
en un encapsulado de cristal o resina sintética para proteger la unión. Sin embargo,
este proceso de construcción del diodo es utilizado solo en la teoría, ya que
industrialmente se fabrican de una sola pieza formada por dos regiones con cargas
opuestas. De esta forma se evita tener que unirlos posteriormente.

Ecuación del diodo:

El modelo matemático más empleado en el estudio del diodo es el de Shockley (en
honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del
diodo en la mayoría de las aplicaciones. La ecuación que liga la intensidad de corriente
y la diferencia de potencial es:

---Contante de Boltzmann:
𝑘 = 1.38064852 𝑥 10−23 𝐽/𝐾
Principio de operación de un diodo:
El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el
semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones). Cuando una
tensión positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N
son empujados al lado P y los electrones fluyen a través del material P más allá de los
límites del semiconductor.

De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensión negativa
al lado del material N y los huecos fluyen a través del material N.

En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al
lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son
empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y
en consecuencia no hay corriente. El diodo se puede hacer trabajar de 2 maneras
diferentes:

Polarización directa
Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo),
o sea del ánodo al cátodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha
facilidad comportándose prácticamente como un corto circuito.

Polarización inversa
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la
flecha del diodo), o sea del cátodo al ánodo. En este caso la corriente no atraviesa el
diodo, y se comporta prácticamente como un circuito abierto.

Nota: El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo ideal, esto quiere decir
que el diodo se toma como un elemento perfecto (como se hace en casi todos los
casos), tanto en polarización directa como en polarización inversa.
5. Describa y analice todos los tipos de diodos
semiconductores y analice su funcionamiento
Diodo detector o de baja señal:
Los diodos detectores también denominados diodos de señal o de contacto puntual,
están hechos de germanio y se caracterizan por poseer una unión PN muy diminuta.
Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con señales pequeñas. Se emplea por
ejemplo, en receptores de radio para separar la componente de alta frecuencia
(portadora) de la componente de baja frecuencia (información audible). Esta
operación se denomina detección.

Diodo rectificador:
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo
conducen en polarización directa (arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no
conducen. Estas características son las que permite a este tipo de diodo rectificar una
señal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso
que pueden soportar.
Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el sistema
americano, la referencia consta del prefijo “1N” seguido del número de serie, por
ejemplo: 1N4004. La “N” significa que se trata de un semiconductor, el “1” indica el
número de uniones PN y el “4004” las características o especificaciones exactas del
dispositivo. En el sistema europeo o continental se emplea el prefijo de dos letras, por
ejemplo: BY254. En este caso, la “B” indica el material (silicio) y la “Y” el tipo
(rectificador). Sin embargo muchos fabricantes emplean sus propias referencias, por
ejemplo: ECG581.
Diodo Zéner:
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener
un voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados
inversamente, y por ello se emplean como elementos de control, se les encuentra con
capacidad de ½ watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios.
El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje
permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.
Los diodos zener se identifican por una referencia, como por ejemplo: 1N3828 ó
BZX85, y se especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y la potencia
máxima que pueden absorber en forma segura sin destruirse (PZ)

Diodo Varactor:
El diodo varactor también conocido como diodo varicap o diodo de sintonía. Es un
dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actúan como
condensadores variables controlados por voltaje. Esta característica los hace muy
útiles como elementos de sintonía en receptores de radio y televisión. Son también
muy empleados en osciladores, multiplicadores, amplificadores, generadores de FM y
otros circuitos de alta frecuencia. Una variante de los mismos son los diodos SNAP,
empleados en aplicaciones de UHF y microondas.
Diodo emisor de luz (LED)
Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje. Cuando esto
sucede, ocurre una recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP; si este
se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, ámbar, amarilla, verde
o azul dependiendo de su composición.

Los LED’s se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la caída de
voltaje directa (VF), el máximo voltaje inverso (VR), la máxima corriente directa (IF) y la
intensidad luminosa. Típicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LED’s con
valores de IF desde menos de 20 mA hasta más de 100 mA e intensidades desde
menos de 0.5 mcd (milicandelas) hasta más de 4000 mcd. Entre mayor sea la corriente
aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El valor de VF depende del color, siendo
mínimo para LED’s rojos y máximo para LED’s azules.
Los LED’s deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para limitar la
corriente a través de este a un valor seguro, inferior a la IF máxima.
También deben protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso
superior a 5V causa generalmente su destrucción inmediata del LED.

Diodo Laser:
Los diodos láser, también conocidos como láseres de inyección o ILD’s. Son LED’s que
emiten una luz monocromática, generalmente roja o infrarroja, fuertemente
concentrada, enfocada, coherente y potente. Son muy utilizados en computadoras y
sistemas de audio y video para leer discos compactos (CD’s) que contienen datos,
música, películas, etc., así como en sistemas de comunicaciones para enviar
información a través de cables de fibra óptica. También se emplean en marcadores
luminosos, lectores de códigos de barras y otras muchas aplicaciones.
Diodo estabilizador:
Está formado por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una caída de
tensión correspondiente a su tensión umbral.
Trabajan en polarización directa y estabilizan tensiones de bajo valores similares a lo
que hacen los diodos Zéner.

Diodo Túnel:
Los diodos túnel, también conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por poseer
una zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una región de
resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje.
Esta última propiedad los hace muy útiles como detectores, amplificadores,
osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones de alta frecuencia.

Diodo PIN:
Su nombre deriva de su formación P(material P), I(zona intrínseca)y N(material N)
Los diodos PIN se emplean principalmente como resistencias variables por voltaje y
los diodos Gunn e IMPATT como osciladores. También se disponen de diodos
TRAPATT, BARITT, ILSA, etc.
Son dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias muy elevadas, donde la
capacidad de respuesta de los diodos comunes está limitada por su tiempo de tránsito,
es decir el tiempo que tardan los portadores de carga en atravesar la unión PN. Los
más conocidos son los diodos Gunn, PIN e IMPATT.
Diodo SCHOTTKY:
Los diodos Schottky también llamados diodos de recuperación rápida o de portadores
calientes, están hechos de silicio y se caracterizan por poseer una caída de voltaje
directa muy pequeña, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy rápidos. Se emplean en
fuentes de potencia, sistemas digitales y equipos de alta frecuencia.
Una variante son los diodos back o de retroceso, los cuales tienen un voltaje de
conducción prácticamente igual a cero, pero también un voltaje inverso de ruptura
muy bajo, lo cual lo limita su uso a aplicaciones muy especiales.

Fotodiodo:
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente
inversa puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que
pasa por la ventana e incide sobre la unión PN. A mayor cantidad de luz incidente,
mayor es la corriente inversa producida por que se genera un mayor número de
portadores minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en
fotografía, sistemas de iluminación, contadores de objetos, sistemas de seguridad,
receptores de comunicaciones ópticas y otras aplicaciones.
Fuentes:

http://electronica2n189.blogspot.pe/2013/02/aislantes-elaislante-es-el-
material-que.html

https://es.wikipedia.org/wiki/Teor%C3%ADa_de_bandas

https://definicion.de/aislante-electrico/

file:///C:/Users/user/Downloads/03_Semiconductores.pdf

https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor#Semiconductores_intr%C3%AD
nsecos

https://es.wikipedia.org/wiki/Ecuaci%C3%B3n_de_Shockley

https://es.wikipedia.org/wiki/Constante_de_Boltzmann

https://unicrom.com/diodo-semiconductor/

https://sites.google.com/site/electronica4bys/tipos-de-diodos
 “Año del Diálogo y la Reconciliación Nacional”

“Universidad Nacional Mayor de San Marcos”

(Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA)

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA Y

ELECTRICA

EAP: Ingeniería Electrónica

“Trabajo”

Curso: “Circuitos Electrónicos I”

Tema: “Diodos semiconductores”

Profesora: Utrilla Salazar, Darío

Alumno: Periche Jacinto, Alejandro……16190137