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    Fase 2 Adriana Barajas

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    karen castillo
    Este documento presenta las especificaciones para diseñar un amplificador de baja señal con un transistor JFET. La señal de entrada es de 300mV a 1KHz. Cinco estudiantes trabajarán juntos para fundamentar teóricamente el circuito, calcular los parámetros del diseño como las resistencias RD, RS y RG, y simular el circuito para medir valores como la ganancia, la tensión VGS y la corriente ID. El objetivo es amplificar señales débiles usando un JFET polarizado en configuración de auto polarización.

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    Este documento presenta las especificaciones para diseñar un amplificador de baja señal con un transistor JFET. La señal de entrada es de 300mV a 1KHz. Cinco estudiantes trabajarán juntos para fundamentar teóricamente el circuito, calcular los parámetros del diseño como las resistencias RD, RS y RG, y simular el circuito para medir valores como la ganancia, la tensión VGS y la corriente ID. El objetivo es amplificar señales débiles usando un JFET polarizado en configuración de auto polarización.

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    Este documento presenta las especificaciones para diseñar un amplificador de baja señal con un transistor JFET. La señal de entrada es de 300mV a 1KHz. Cinco estudiantes trabajarán juntos para fundamentar teóricamente el circuito, calcular los parámetros del diseño como las resistencias RD, RS y RG, y simular el circuito para medir valores como la ganancia, la tensión VGS y la corriente ID. El objetivo es amplificar señales débiles usando un JFET polarizado en configuración de auto polarización.

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    UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD

    Curso

    ELECTRONICA ANALOGA

    Tutor:

    PABLO ANDRES GUERRA GONZALEZ

    Grupo: 243006_17

    Realizado por:

    Luz Adriana Barajas Cod. 1018407938

    ECBTI- INGENIERIA ELECTRONICA

    Bogotá, Colombia

    2019
    Fase 2 - Presentar solución al problema del amplificador de baja
    señal con JFET

    Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y
    comercializa instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es
    presentar trabajando en equipo con cuatro compañeros, una solución
    llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual permite restaurar
    señales débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de
    información las especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:

    Señal de entrada: 300mV a 1Khz.

    Referencia del JFET: J201

    ID= 327uA, VD= 4.6V, VGS (off)= -1.5V, VCC= 20V.

    De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 1mA a 100mA… para este
    diseño se trabajara IDSS=3mA.

    Actividades a desarrollar

    Individuales:

    1. Fundamentación Teórica.
    (Primera Semana)

    -
    - Figura No. 1. Diagrama Esquemático del Amplificador
    - Fuente Autor.
    -
    1.1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos
    para la Unidad 2, Cada estudiante debe describir con sus
    propias palabras la teoría de funcionamiento del circuito
    anterior.

    Argumentación.

    Este circuito corresponde a un amplificador de una señal débil, el transistor JFET


    J201 se encuentra polarizado y está en configuración auto polarización ya que
    solo se cuenta con la fuente de alimentación de 20 Voltios. La señal es conectada
    a través del Gate y cuando el Jfet entra en Región Activa se presenta la
    amplificación.

    (Segunda Semana).

    Dadas Las Fórmulas:

    RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

    RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

    ID= 327uA, VD= 4.6V, VGS (off)= -1.5V, VCC= 20V

    IDSS=3mA

    1.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado


    realizando los siguientes cálculos.
    -Estudiante 1:

    a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.

    R D=( V CC−V D ) /I D

    R D= (20 V −4,6 V ) /327 μA

    R D= (20 V −4,6 V ) /327 μA

    R D=47,094801 MΩ

    -Estudiante 2:

    b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.


    -Estudiante 3:

    c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el


    valor de RG debe ser alto?

    -Estudiante 4:

    d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de


    acople.

    -Estudiante 5:

    e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.

    2. Solución.
    (Tercera semana)

    2.1 Presentar la simulación del amplificador de baja señal con


    JFET propuesto en la que se evidencie el correcto
    funcionamiento y las siguientes mediciones.
    Realice los siguientes cálculos para hacer la simulación:

    RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

    RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

    ID= 327uA, VD= 4.6V, VGS (off)= -1.5V, VCC= 20V

    IDSS=3mA

    R D=( V CC−V D ) /I D

    R D= (20 V −4,6 V ) /327 μA

    R D= (20 V −4,6 V ) /327 μA


    R D=47,094801 kΩ

    R S=VGS OFF / I DSS

    R S=−1,5 V /3 mA

    R S=500 Ω

    VGS=−I D∗R S

    VGS=−327 μA∗500 Ω

    VGS=−163,5 mV

    Gm=I D /VGS

    Gm=327 μA /−163,5 mV

    Gm=−2 mS

    AV =−Gm∗RD

    AV =94,189

    RG =1 MΩ

    - Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.


    - Valor de VGS.
    - Valor de VDS.
    - Valor de VGD.
    - Valor de la corriente ID.

    BIBLIOGRAFIA

    Datasheet J201, consultado en URL:


    https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/53142/FAIRCHILD
    /J201.html

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