Practica 1 U4 Electrónica Analógica

TECNOLÓGICONACIONALDEMÉXICO
INSTITUTO TECNOLÓGICO DE TIJUANA
SEMESTRE:
Agosto - Diciembre 2022
CARRERA:
Ing. Biomédica
MATERIA:
Electrónica analógica
Práctica 10: Darlington
NOMBRE Y NÚMERO DE CONTROL DEL ALUMNO:

Aceves Gutierrez Jennifer Sheccid 20212710
Negrete Orozco Aldo Damian 20212510
Vega Rodriguez Victor Manuel 20212000
Vargas Rodriguez Angel Jovan 19212443
NOMBRE DEL MAESTRO (A):

Daniel Escobedo Mitre
Lunes 05 de diciembre del 2022

Índice
1. Introducción 3
2. Material Y Equipo 3
3. Fundamento teórico 4
4. Desarrollo 6
5. Resultado 8
6. Conclusiones 9
7. Bibliografía 10
1. Introducción
El transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores

bipolares en un único dispositivo (a veces llamado par Darlington). Una conexión
Darlington consiste en dos transistores conectados en cascada cuya ganancia de
corriente total es el producto de las ganancias de corriente individuales.
Como la ganancia de corriente es mucho mayor, una conexión Darlington puede tener
una impedancia de entrada muy alta y puede producir corrientes de salida muy
grandes. Las conexiones Darlington se usan con reguladores de tensión y
amplificadores de potencia, en la Figura 1 se muestra su diagrama.
En este documento se construyó un circuito que muestra el funcionamiento del

transistor darlington cuando es polarizado correctamente.
2. Material Y Equipo
- Multisim.
- Proteus.
3. Fundamento teórico
Transistor Darlington
Frecuentemente llamado amplificador compuesto. Es una conexión muy popular de dos
transistores de unión bipolar para funcionar como un solo transistor “superbeta”. La
principal característica de la conexión Darlington es que el transistor compuesto actúa
como una sola unidad con una ganancia de corriente que es el producto de las
ganancias de corriente de dos transistores separados. Como se muestra en la Figura 1,
el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores
bipolares en un tándem.
Figura 1. Imagen de transistor usado para Darlington.
La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados) fue

inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell Sidney Darlington. La idea de poner
dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por él, pero no la idea de poner un
número arbitrario de transistores que originaría la idea moderna de circuito integrado.
Concepto
Se llama transistor Darlington a la combinación de dos transistores bipolares en un
tándem (al que a menudo se lo refiere como par Darlington) en un único dispositivo. La
configuración fue inventada por un ingeniero de los Laboratorios Bell llamado Sidney
Darlington, de ahí su nombre.
Figura 2. Diagrama de transistor Darlington.
La finalidad de esta configuración es proporcionar un dispositivo que sea capaz de

proporcionar una gran ganancia de corriente (el parámetro del transistor). Al
conseguirse comercialmente pares Darlington dentro de una misma cápsula se
requiere menos espacio que si emplearemos dos transistores normales en la misma
configuración. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los
transistores individuales, lo que permite obtener valores muy altos, superiores a 1000.
Como tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un transistor
único puede convertirse fácilmente en inestable.
Funcionamiento
Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran
ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos
transistores normales en la misma configuración. La ganancia total del Darlington es el
producto de la ganancia de los transistores individuales.
Un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. También tiene
un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí
que pueda convertirse fácilmente en inestable. La tensión base-emisor también es
mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio
es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par darlington se halla multiplicando las
de los transistores individuales. La intensidad del colector se halla multiplicando la
intensidad de la base por la beta total.
4. Desarrollo
4.1. Armar un circuito que demuestre el funcionamiento de transistor Darlington:

A continuación se muestra la Figura 3 que representa el circuito armado en la práctica
10:
Figura 3. Circuito con transistores Darlington.
4.2. Realizar los cálculos correspondientes para obtener Rc.

𝑉𝑐𝑐 15 𝑉
Vce(2)= 2.5
= 2.5
= 6𝑉 Ie(2) = 1.5 mA Ie(2) = Ic
𝑉𝑐𝑐 15 𝑉
Ve(2) = 10
= 10
= 1. 5 𝑉 Ic = 1.5 mA
𝑉𝑟𝑒(2) 1.5 𝑉
Re(2)= 𝐼𝑒(2)
= 1.5 𝑚𝐴
= 1000 Ω
− 𝑉𝑐𝑐 + 𝑉𝑟𝑐 + 𝑉𝑐𝑒(2) + 𝑉𝑟𝑒(2) = 0

− 𝑉𝑐𝑐 + 𝐼𝑐𝑅𝑐 + 𝑉𝑐𝑒(2) + 𝑉𝑟𝑒(2) = 0
𝑉𝑐𝑐−𝑉𝑐𝑒(2)−𝑉𝑟𝑒(2) 15 𝑉 − 6𝑉 −1.5 𝑉
𝑅𝑐 = 𝐼𝑐
= 1.5 𝑚𝐴
= 5𝑘Ω
𝑉𝑟𝑐 = 𝐼𝑐𝑅𝑐 = 1. 5 𝑚𝐴 * 5𝑘Ω = 6𝑉

𝑉𝑏𝑒 = 0. 7 𝑉
𝑉𝑐𝑒(2) = 6 𝑉
4.3. Obtener los valores de Ib1, Ib2, Ic1, Ic2.
𝐼𝑏(2) = 9. 936 µ𝐴 𝐼𝑐(2) = 𝐼𝑒(2) − 𝐼𝑏(2) = 1. 5 𝑚𝐴 * 9. 936 µ𝐴
𝐼𝑒(1) = 𝐼𝑒(2) 𝐼𝑐(2) = 1. 491 𝑚𝐴
𝐼𝑒(1) = 9. 936 µ𝐴 𝐼𝑐(1) = 𝐼𝑐 − 𝐼𝑐(2) = 1. 5 𝑚𝐴 − 1. 491 𝑚𝐴
𝐼𝑐(1) = 9. 871 µ𝐴
𝐼𝑏(1) = 𝐼𝑒(1) − 𝐼𝑐(1) = 9. 936 µ𝐴 − 9. 871 µ𝐴 = 65. 8 𝑛𝐴
𝐼𝑒(2) 1.5 𝑚𝐴
β2 = 𝐼𝑏(2)
−1= 9.936 µ𝐴
− 1 = 150
𝐼𝑒(1) 9.936 µ𝐴
β1 = 𝐼𝑏(1)
−1= 65.8 𝑛𝐴
− 1 = 150
δβ = (1 + β1)(1 + β2) = 22801
4.4. Calcular la corriente 𝐼𝑏𝑞.

𝐼𝑐 1.5 𝑚𝐴
𝐼𝑇ℎ = δβ
= 22801
= 65. 78 𝑛𝐴 = 𝐼𝑏𝑞
𝑅𝑇ℎ = 𝐼𝑏𝑞(1. 1δβ + 1)(𝑅𝑒) + 𝑉𝑏𝑒
𝑉𝑇ℎ = 65. 78 𝑛𝐴 (1. 1(22801) + 1)(1000) + 1. 5 = 3. 149 𝑉

𝑉𝑡ℎ−𝑉𝑏𝑒
𝑅𝑇ℎ = 𝐼𝑏𝑞
− (1 + δβ)(𝑅𝑒)
3.149−1.5
𝑅𝑇ℎ = 65.78 𝑛𝐴
− (1 + 22801)(1000) = 4255329. 27Ω
𝑉𝑐𝑐−𝑅𝑡ℎ 15−4255329.27
𝑅1 = 𝑉𝑡ℎ
= 3.149
= 1564453. 77Ω
𝑅𝑡ℎ 4255329.27
𝑅2 = 𝑅𝑡ℎ = 4255329.27 = 2474014. 83 Ω
1− 𝑅1
1− 1564453.7757
5. Resultado
A continuación se presenta la Tabla 1 la cual recopila la información obtenida por parte

de los cálculos matemáticos.
Elementos Valor Elementos Valor
Rc 5000 Ω Ic 9. 871 µ𝐴
R1 1564453. 77Ω Ie 9.936 A
R2 2474014. 83 Ω Ib 65. 8 𝑛𝐴
Vth 3. 149 𝑉 Ith 65. 78 𝑛𝐴
Re 1000 Ω Vce 6𝑉
Tabla 1. Resultados obtenidos.
6. Conclusiones
Aceves Gutierrez Jennifer Sheccid 20212710
En conclusión, el par de Darlington tiene un papel muy importante en la mayoría de las
aplicaciones. Esto se debe gracias a que proporciona una alta ganancia de corriente
contando con un nivel bajo de corrientes en la base. Esto provoca algunas limitaciones
donde no son recomendados, aunque estos mismos se utilizan en operaciones donde
no se necesita una respuesta de alta frecuencia y se necesiten niveles de corriente con
alta ganancia. Esto se pudo observar durante la práctica a la hora de mantener la
conmutación, esta se reflejó de manera muy lenta. Dando un efecto dominó y
afectando al voltaje de base/emisor (duplicando a comparación de un transistor simple).
Negrete Orozco Aldo Damian 20212510
En esta práctica se elaboró un circuito con transistor darlington, se hicieron cálculos de
corrientes para hacer comparaciones entre la salida de corriente del primer transistor y
la salida del segundo transistor y así confirmar que efectivamente el transistor
darlington presenta una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de
corriente de dos transistores separados.
Vargas Rodriguez Angel Jovan 19212443
El circuito del transistor darlington que se utilizó en esta práctica nos permitió ver el
funcionamiento de este componente, se hicieron los cálculos correspondientes para los
análisis de mallas para verificar que el principio de funcionamiento de este transistor se
cumpliera, lo cual se comprobó ya que el transistor darlington tiene una ganancia de
corriente alta debido a la conexión de sus dos transistores en cascada duplicando el
voltaje base emisor.
Vega Rodriguez Victor Manuel 20212000
Inicialmente se realizó una previa investigación teórica para tener las base y el
entendimiento del transistor darlington, posteriormente se planteó el circuito de la
práctica al cual se le realizaron los cálculos matemáticos correspondientes para
determinar las corrientes y generar un contraste entre las salidas de ambos
transistores, de esta manera se puede finalizar afirmando que la conmutación de este
dispositivo es muy lenta.
7. Bibliografía
[1] SUEN, C. (1968). Characteristics of the Darlington composite transistor.

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS, 24(4), 373-380.
[2] Pandey, A., Chakraborty, S., Saw, S. K., & Nath, V. (2015, April). A darlington pair
transistor based operational amplifier. In 2015 Global Conference on Communication
Technologies (GCCT) (pp. 273-276). IEEE.

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NOMBRE DEL MAESTRO (A):

Lunes 05 de diciembre del 2022

El transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores

En este documento se construyó un circuito que muestra el funcionamiento del

Figura 1. Imagen de transistor usado para Darlington.

La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados) fue

La finalidad de esta configuración es proporcionar un dispositivo que sea capaz de

4.1. Armar un circuito que demuestre el funcionamiento de transistor Darlington:

Figura 3. Circuito con transistores Darlington.

4.2. Realizar los cálculos correspondientes para obtener Rc.

− 𝑉𝑐𝑐 + 𝑉𝑟𝑐 + 𝑉𝑐𝑒(2) + 𝑉𝑟𝑒(2) = 0

𝑉𝑟𝑐 = 𝐼𝑐𝑅𝑐 = 1. 5 𝑚𝐴 * 5𝑘Ω = 6𝑉

δβ = (1 + β1)(1 + β2) = 22801

4.4. Calcular la corriente 𝐼𝑏𝑞.

𝑅𝑇ℎ = 𝐼𝑏𝑞(1. 1δβ + 1)(𝑅𝑒) + 𝑉𝑏𝑒

𝑉𝑇ℎ = 65. 78 𝑛𝐴 (1. 1(22801) + 1)(1000) + 1. 5 = 3. 149 𝑉

A continuación se presenta la Tabla 1 la cual recopila la información obtenida por parte

Elementos Valor Elementos Valor

R1 1564453. 77Ω Ie 9.936 A

Vth 3. 149 𝑉 Ith 65. 78 𝑛𝐴

[1] SUEN, C. (1968). Characteristics of the Darlington composite transistor.

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