PREGUNTA 1

Considerar una unión pn de Si, donde las concentraciones de dopantes en la región n y

la región p son ND=1016 átomos/cm-3 y NA= 1017 átomos/cm-3, respectivamente; determinar
a) la magnitud de la diferencia entre el nivel de Fermi en cada región de la unión respecto
al nivel de Fermi intrínseco;
región p

0.407
Eip - EFp = Respuesta eV
región n

0.349
Ein - EFn = Respuesta eV
b) Calcular el potencial de contacto para dicha unión. Asumir una temperatura de 300 K,
un valor de ni de 1,5 × 1010 electrones/cm3 y un “band gap” de 1,1 eV.
0.756
Vbi = Respuesta V
c) ¿en qué lado de la unión la región de agotamiento debe ser más ancha? Explica tu
respuesta

zona n
Respuesta
d) Dibujar una gráfica de variación del potencial a lo largo de la unión, considerando la
zona p como potencial cero e indicando en el gráfico el valor de potencial obtenido en el
apartado b y los límites de la región de agotamiento.

PREGUNTA 2
Una unión pn de Si abrupta que se encuentra dopada con NA=1,0 x 1016 cm- 3 en el
lado p y ND=1,0 x 1018 cm-3en el lado n se encuentra polarizado de forma directa
midiéndose con un potencial de 0,6 V. Determinar el exceso en la concentración de
portadores minoritarios en el lado p a una distancia desde el borde de la región de
agotamiento de 130 μm y 580 μm. Considerar que una T=300 K y que el tiempo de
vida media tanto de electrones como de huecos de 1 μs, ni es 1,5 ´ 1010 cm- 3 y la
movilidad de electrones y huecos es 1300 cm2/V·s y 400 cm2/V·s respectivamente.

2.75E13
a) δnp (130 μm) = Respuesta cm-3
1.18E10
b) δnp (580 μm) = Respuesta cm-3
c) ¿a qué distancia, en micrómetros, se encontraría el borde de la región de
agotamiento en la zona p respecto a la unión metalúrgica, si la magnitud del campo
eléctrico máximo de la unión es 1,0 × 105 V/cm? Considerar que la constante
dieléctrica de Si es 11,7 y la permitividad en el vacío es 8,85 × 10 -12 F/m;

0.65
xp = Respuesta μm
d) ¿cuál es el significado físico del área debajo de la curva que representa el campo
eléctrico en equilibrio frente a la posición?
PREGUNTA 3
Una unión p+n de Si con un nivel de dopaje en la región n de ND= 1015 cm-3 a una
temperatura de T=300 K se observa que cuando es sometida a un potencial en
polarización inversa de 320 V se produce un aumento muy grande de la corriente en
sentido reverso, indicando que se ha alcanzado el límite de ruptura del diodo.
Calcular en estas condiciones,
a) la anchura de la región de agotamiento a este valor de potencial, en micrometros,

20.4
xn=Respuesta μm
b) la magnitud del campo eléctrico máximo en la región de agotamiento a este valor
de potencial, en V/cm;

3.15E5
Emax =Respuesta V/cm
c) ¿qué valor se esperaría del campo eléctrico si el nivel de dopaje en la
región n fuera mayor?. Razonar

mayor
Respuesta

d) ¿Cuál es el mecanismo de ruptura más probable en estas condiciones?. Razonar

Avalancha
Respuesta

e) ¿Cómo sería el valor del potencial de ruptura si aumentara la temperatura?.

mayor
Respuesta

Explicar de forma razonada. Considerar que la constante dieléctrica de Si es 11,7 y la

permitividad en el vacío es 8,85 × 10 -12 F/m.
PREGUNTA 4
Una unión pn de Si a T= 300 K que se encuentra dopada de manera compensada en la
zona p como NA - ND =5,0 × 1016 cm-3, mientras en la zona n como ND – NA=1,0 × 1014 cm- 3,
determinar a) el potencial de contacto de la unión;

0.5574
Vbi=Respuesta V
b) las anchuras en micrómetros de las regiones p y n cuando no se encuentra
sometida a polarización externa;

0.0532
xp = Respuesta μm
2.66
xn = Respuesta μm
c) el potencial que sería necesario aplicar a la unión para que la anchura de la
región n fuera de 0,30 μm. Considerar que el número de portadores intrínseco, ni es
igual a 1,5 ×1010 cm-3 y que la constante dieléctrica de Si es 11,7 mientras que la
permitividad en el vacío es 8,85 × 10 -12 F/m.

70.4
VR = Respuesta V

PREGUNTA 5
Considerar una unión pn con el perfil de dopaje mostrado en la siguiente figura que
se encuentra a una temperatura de 300 K.

a) Calcular el potencial que será necesario aplicar en polarización inversa para la

región espacial de carga se extienda por completo en la región p;

193
VR= Respuesta V
b) determinar la anchura de la región espacial de carga en la región n+ cuando se
aplique el potencial en reverso calculado en el apartado a en micrometros;

0.5
xn=Respuesta μm
c) Calcular en magnitud el campo eléctrico máximo para ese potencial aplicado.
Suponer que el potencial de contacto de la unión es despreciable frente al potencial
en reverso. Considerar la constante dieléctrica de Si como 11,7 y la permitividad en el
vacío es 8,85 × 10-12 F/m.

7.65E4
Emax = Respuesta V/cm
PREGUNTA 6
Una unión pn de Si con un área transversal de 10-4 cm2 presenta los siguientes
parámetros a una temperatura de 300 K,

Región n Región p
ND=1017 cm-3 NA=5,0 ×1015 cm-3
τp0=10-7s τn0=10-7s
μn=850 cm2/V·s μn=1250 cm2/V·s
μp=320 cm2/V·s μp=420 cm2/V·s

Determinar a) Ei-EF en el lado p y EF-Ei en el lado n de la unión en eV;

0.329
Ei-EF (lado p) =Respuesta eV

0.407
EF-Ei (lado n) =Respuesta eV

b) la corriente de saturación reversa Is en A

4.426E-15
Is =Respuesta A
y c) la corriente de polarización directa en microamperios cuando la unión está
sometida a una polarización directa de 0,5 V;

1.07
I= Respuesta μA
d) Determinar la proporción entre la corriente de los huecos y la corriente total en el
borde de la región espacial de carga xn. Considerar un valor de ni de 1,5 × 1010 cm-3 y la
permitividad relativa del Si de 11.8, siendo e0= 8,85 × 10-12F/m.

0.0741
Ip/I = Respuesta
PREGUNTA 7
Una determinada unión pn de Si presenta un nivel de dopaje en la
zona n de ND=1016 átomos/cm3 y en la zona p de NA= 1017 átomos/cm3;
a) Determinar en cuál lado la región agotamiento la penetrará menos;

region p

b) Calcular la profundidad de penetración en nm en ambos lados;

Región p

29.8
Xp =Respuesta nm
Región n

298
Xn =Respuesta nm
c) calcular la anchura total en nm de la región de agotamiento;

327.8
W=Respuesta nm
d) la magnitud del campo eléctrico máximo en V/cm en la región de
agotamiento. Asumir una temperatura de 300 K, un valor de ni de 1,5 ×
1010 electrones/cm3 y la permitividad relativa del Si de 11.8.

4.57E4
E = Respuesta V/cm

PREGUNTA 8
a) Determinar la concentración de átomos dadores en la región n de una
unión pn para producir un potencial de contacto de 0,6 V considerando que en la
región p dicha unión tiene 1014 aceptores por cm3 y que la concentración de
portadores intrínseca es 1012 por cm3;

1.15E20
ND=Respuesta cm-3
b) Si sobre esta unión se aplica un potencial en polarización directa de 0,2 V
determinar la concentración de huecos en el límite xn de la región de agotamiento de
la zona n, suponiendo ionización completa de impurezas;

1.96E7
pn(xn)=Respuesta cm-3
c) determinar la concentración de electrones en el límite de la región de agotamiento
de la zona p, -xp, suponiendo ionización completa de todas las impurezas;

2.26E13
np(-xp)=Respuesta cm-3
d) realizar una representación de la variación de la concentración de los portadores
en las proximidades de la región de agotamiento.
PREGUNTA 9
Las resistividades de las dos regiones de una unión pn de Ge son 1,5 Ω-cm en el
lado p y 1 Ω-cm en el lado n. Considerando que la T=300 K y ni 2,5 × 1013 portadores por
cm3, mientras que los valores de movilidad de huecos y electrones son 1800 cm 2/V·s y
3800 cm2/V·s respectivamente, calcular
a) la altura de la barrera de potencial en eV de la unión. Suponer que todas las
impurezas se encuentran ionizadas.;

0.226
Ep (barrera) =Respuesta eV
b) Si la vida media de huecos y electrones son iguales, y son t0= tn0= tp0=10-7 s,
determinar la densidad corriente reversa de saturación ideal en mA/cm2;

2.66
Js = =Respuesta mA/cm2
c) la corriente del diodo ideal cuando la unión, en A/cm2 se encuentra sometida a una
polarización directa de 0,5 V;

6.44E5
J = =Respuesta A/cm2
d) Explicar que ocurriría con la corriente en caso de aplicar una polarización inversa,
y que portadores son los responsables de la misma, y qué fenómeno es el que la
causa.

Mayoritarios
Respuesta

PREGUNTA 10
Una determinada unión pn de Si que se encuentra a temperatura ambiente presenta
una resistividad de 1 Ω·cm en ambos lados de la unión. Considerando que la
movilidad de los electrones en Si a temperatura ambiente es 1400 cm 2/V·s; (μn/μp) =
3.1, ni es 1,5 x 1010 cm-3, εr(Si) =11.9 y que se está aplicando un potencial de +0,3 V.
Determinar
a) la anchura de la región espacial de carga en μm.

0.386
W = Respuesta μm
b) Calcular la capacidad de la unión pn en nF considerando que la sección transversal
del diodo es 0,1 cm2. Asumir ionización completa de las impurezas.

2.73
C = Respuesta Nf
PREGUNTA 11
Para una unión pn de Si a 300 K dónde no se aplica polarización externa y cuyas
concentraciones de impurezas son NA=2,0 × 1017 cm-3, ND=2,0 × 1016 cm-3 calcular a) el
potencial de contacto, las anchuras de las regiones p y n, la anchura total de la unión
todas en micrómetros y el modulo del campo eléctrico máximo en V/cm;

0.772
Vbi=Respuesta V
0.3085
xn= Respuesta μm
0.0154
xp= Respuesta μm
0.3239
W= Respuesta μm
4.77E4
Emax=Respuesta V/cm
b) Realizar los mismos cálculos para una unión pn de GaAs a 300 K, cuya
concentración de impurezas es NA=5,0 × 1015 cm-3, ND=5,0 × 1016 cm-3. Datos: ni (Si)= 1,5 ×
1010 cm-3; ni (GaAs)= 1,8 × 106 cm-3; e0= 8,85 × 10-12 F/m; e(Si)=11.7 ; e(GaAs)=13.1.

1.186
Vbi=Respuesta V
0.0559
xn= Respuesta μm
0.0559
xp= Respuesta μm
0.6149
W= Respuesta μm
3.86E4
Emax=Respuesta V/cm
PREGUNTA 12
Considerar una unión pn de Si donde el nivel de dopantes aceptores es mucho mayor
que el de dadores (NA<<ND). La resistividad en el lado ρ es de 3,5 Ω·cm y el potencial
interno de contacto de 0,35 V. Se aplica una corriente en polarización inversa de 5 V a
la unión. Si asumimos una sección transversal circular para la unión donde su
diámetro es 1000 μm. Calcular
a) anchura de la región de agotamiento de la unión en μm

1.4104
W=Respuesta μm
b) La magnitud del campo eléctrico máximo en V/cm

7.58E4
Emax=Respuesta V/cm
c) la capacidad eléctrica en pF de la unión asumiendo que la permitividad relativa de
Si es 12 y la movilidad de los huecos 500 cm2/V·s. Asumir que ionización completa de
las impurezas,

59.16
Cj= Respuesta pF
d) ¿Cuándo una unión pn esta sometida a una polarización inversa qué tipo de
portadores son los responsables de la corriente y en base a que fuerza se
desplazan?.

Mayoritarios
Respuesta

Campo Eléctrico
Respuesta
PREGUNTA 13
Considerar una unión pn de Si a T=300 K donde el nivel de dopaje en la región n es
de ND=1,0 x 1016 cm-3. Asumiendo que la concentración intrínseca de portadores es
1,5 x 1010 cm-3 a esta temperatura y que se está aplicando un potencial en
polarización directa de 0,6 V, calcular la concentración de los portadores
minoritarios en el borde de la región de agotamiento de la zona n. Asumir ionización
completa de las impurezas.

2.59E14
pn = Respuesta cm-3
b) Determinar la densidad de corriente ideal de difusión en A/cm2 de los huecos en el
borde de la región espacial de la zona n, considerando que Dp =10 cm2/s y el tiempo de
vida media, τp0 es 10-7 s.

0.414
Jp(xn) = Respuesta A/cm2
c) Si la región p se encuentra dopada con un nivel de concentración de aceptores
de NA=3,0 x 1015 cm-3, determinar la densidad de corriente de difusión de los
electrones en A/cm2 en el borde la región espacial de carga de esta región
considerando que su coeficiente de difusión es Dn=25 cm2/s, y el tiempo de vida
media, τn0 es 10-7 s.

2.18
J (-xp) = Respuesta A/cm2
2.594
J=Respuesta A/cm2
d) Al aplicar una polarización inversa en la unión, que tipo de corriente se debe
esperar tanto en signo como magnitud comparada la corriente calculada en el
apartado anterior.

pequeña y negativa
Respuesta

PREGUNTA 14
Considerar una unión p+n de Si a una T=300 K con un nivel de dopaje de NA=1018cm-
3
y ND=1016cm-3, donde el coeficiente de difusión de los huecos en la región n, Dp es 10
cm2/s y su tiempo de vida media, τp es de 10-7s. Si el área del dispositivo es de 10-4 cm2,
a) determinar la corriente de saturación reversa en A

-3.6E-15
Is=Respuesta A
b) la corriente directa en mA bajo una polarización de 0,7 V.

1.97
I (V=0,7 V) = Respuesta mA
c) Explicar si la corriente de saturación reversa depende de la temperatura

Si
Respuesta
d) ¿En una unión dopada de manera asimétrica qué lado es el que contribuye a la
corriente reversa en el diodo, el más o menos dopado? Razona tus respuestas.

Lado menos dopado

Respuesta