2N2222A Transistor NPN de propósito general.

IC: 600
mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V,
fT: 300 MHz, encapsulado TO-92.
2N2907A Transistor PNP de propósito general. IC: 600
mA, PD: 1.8 W, VCEO: 60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5
V, fT: 200 MHz, encapsulado TO-18.
2N3053 Transistor NPN de propósito general. IC: 700
mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5
V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-39.
2N3055 Transistor NPN de potencia. IC: 15 A, PD: 115
W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 2.5
MHz, encapsulado TO-3.
2N3904 Transistor NPN de propósito general. IC: 200
mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6 V,
fT 300 MHz, encapsulado TO-92
2N3906 Transistor PNP de propósito general. IC: 200
mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V,
fT 250 MHz, encapsulado TO-92.
2N4401 Transistor NPN de propósito general. IC: 500
mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 6
V, fT: 250 MHz
2N4403 Transistor PNP de propósito general. IC: 600
mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V,
FT : 200 MHz
2N5109 Transistor NPN de propósito general. IC: 700
mA, PD: 5 W, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT:
100 MHz, encapsulado TO-39.
2N5401 Transistor PNP de alto voltaje. IC: 600 mA, PD:
625 mW, VCEO: 150 V, VCBO: 160 V, VEBO: 5 V, fT:
100 a 300 MHz, TO-92.
2N5551 Transistor NPN de alto voltaje. IC: 600 mA, PD:
625 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, fT:
100 MHz, TO-92.
2SA1015 Transistor PNP para audio y osciladores. IC: 150
mA, PD: 400 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V,
fT: 80 MHz, encapsulado TO-92.
2SA1943 Transistor de alta potencia PNP para
amplificación general o de audio de alta
fidelidad. IC: 17 A, PD: 150 W, VCEO: 250 V, VCBO:
250 V, VEBO: 5 V, fT: 30 MHz, encapsulado TO-
264 (TO-3PL).
2SA733 Transistor PNP de propósito general, baja
frecuencia. IC: 100 mA, PD: 250 mW, VCEO: 50 V,
VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado
TO-92.
2SC5200 Transistor de alta potencia NPN para
amplificación general o de audio de alta
fidelidad. IC: 17 A, PD: 150 W, VCEO: 250 V, VCBO:
 250 V, VEBO: 5 V, fT: 30 MHz, encapsulado TO-
264 (TO-3PL).
2SD882 Transistor NPN de media potencia. IC: 3 A, PTOT:
12.5 W, VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V, fT: 100
MHz.
A92 Transistor PNP de alto voltaje. IC: 200 mA, PD:
625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V, fT:
50 MHz, TO-92.
BC327 Transistor PNP de propósito general. IC: 800
mA, PD: 625 mW, VCEO: 45 V, VCES:
50V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92

BC337 Transistor NPN de propósito general. IC: 800

mA, PD: 625 mW, VCEO: 45 V, VCBO:
50V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92.

BC546C Transistor NPN de propósito general. IC: 100

mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 65 V, VCBO: 80 V,
VEBO: 6 V, FT : 300 MHz. TO-92

BC547B Transistor NPN de propósito general. IC: 100

mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V,
VEBO: 6 V, FT : 300 MHz. TO-92.

BC548B Transistor NPN de propósito general. IC: 100

mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V,
VEBO: 6 V, FT : 300 MHz

BC549B Transistor NPN de bajo ruido. IC: 100 mA,

PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO:
5 V, FT : 300 MHz

BC549C Transistor NPN de bajo ruido. IC: 100 mA,

PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO:
6 V, FT : 300 MHz

BC550C Transistor NPN de bajo ruido. IC: 100 mA,

PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO:
5 V, FT : 300 MHz

BC556B Transistor PNP de propósito general. IC: 100

mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 65 V, VCBO: 80 V,
VEBO: 5 V, FT : 150 MHz. TO-92

BC557B Transistor PNP de propósito general. IC: 100

mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V,
 VEBO: 5 V, FT : 150 MHz

BC558B Transistor PNP de propósito general. IC: 100

mA, PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V,
VEBO: 5 V, FT : 150 MHz.

BC559B Transistor PNP de bajo ruido. IC: 100 mA,

PTOT: 500 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO:
5 V, FT : 150 MHz

BCP53 Transistor PNP de propósito general. IC: 1A,

PD: 1.35 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5
V, fT: 145 MHz, encapsulado SMD SOT-223

BCP56 Transistor NPN de propósito general. IC: 1A,

PD: 1.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V,
fT: 130 MHz, encapsulado SMD SOT-223.

BD135 Transistor NPN de media potencia. IC: 1.5 A,

PTOT: 12.5 W, VCEO: 45 V, VCBO: 45 V, VEBO: 5
V.

BD139 Transistor NPN de media potencia. IC: 1.5 A,

PTOT: 12.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5
V.

BD140 Transistor PNP de media potencia. IC: 1.5 A,

PTOT: 12.5 W, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5
V.

KSA992 Transistor PNP de bajo ruido, alta ganancia y

alto voltaje para amplificación de audio. IC: 50
mA, PD: 500 mW, VCEO: 120 V, VCBO: 120
V, VEBO: 5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92

KSC1815 Transistor NPN para audio y osciladores. IC:

150 mA, PD: 400 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60
V, VEBO: 5 V, fT: 80 MHz, encapsulado TO-92.

KSC945 Transistor NPN para amplificación de audio y

osciladores de alta frecuencia. IC: 150 mA, PD:
250 mW, VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V,
fT: 300 MHz, encapsulado TO-92

LTR-4206E Fototransistor (Receptor), diámetro de 3mm,

tipo NPN, luz infrarroja, filtro contra luz visible,
900 nm, 30 V, 100 mW.
MJ2955 Transistor PNP de potencia. IC: 15 A, PD: 115
W, VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, fT: 2.5
MHz, encapsulado TO-3

MJE3055T Transistor NPN de propósito general de

potencia. IC: 10 A, PD: 75 W, VCEO: 60 V,
VCBO: 70 V, VEBO: 5 V, fT: 2 MHz, encapsulado
TO-220

MJE340 Transistor NPN de media potencia y alto

voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V,
VCBO: 300 V, VEBO: 5 V

MJE350 Transistor PNP de media potencia y alto

voltaje. IC: 0.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 300 V,
VCBO: 300 V, VEBO: 5 V.

MMBT2222AL Versión SMD del 2N2222 / PN2222.

Transistor NPN de propósito general. IC: 600
mA, PD: 225 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 75
V, VEBO: 6 V, fT: 300 MHz, encapsulado SMD
SOT-23

MPSA06 Transistor NPN de propósito general. IC: 500

mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80
V, VEBO: 4 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-92.

MPSA18 Transistor NPN de bajo ruido, alta ganancia. IC:

100 mA, PD: 625 mW, VCEO: 45 V, VCBO: 45
V, VEBO: 6.5 V, fT: 100 MHz, encapsulado TO-
92

MPSA42 Transistor NPN de alto voltaje. IC: 500 mA, PD:

625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V,
fT: 50 MHz, TO-92

NTE10 Transistor NPN de alta frecuencia y bajo ruido

para aplicaciones UHF. IC: 70 mA, PD: 500
mW, VCEO: 12 V, VCBO: 20 V, VEBO: 3 V, fT: 5
GHz, encapsulado TO-92

NTE102 Transistor de germanio PNP para conmutación,

IC: 150 mA, PD: 150 mW, VCBO: 25 V, VCES: 24
V, VEBO: 12 V, encapsulado TO-5

NTE102A Transistor de germanio PNP para

 amplificación, IC: 1 A, PD: 650 mW, VCBO: 32
V, VEBO: 10 V, encapsulado TO-1.

NTE103 Transistor de germanio NPN para

conmutación, IC: 150 mA, PD: 150 mW, VCBO:
25 V, VCES: 24 V, VEBO: 12 V, encapsulado TO-
5.

NTE103A Transistor de germanio NPN para

amplificación, IC: 1 A, PD: 650 mW, VCBO: 32
V, VEBO: 10 V, encapsulado TO-1.

NTE123AP Transistor NPN de propósito general. IC: 600

mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60 V,
VEBO: 6 V, fT: 250 MHz, encapsulado TO-92.

NTE159
Transistor PNP de propósito general. IC: 800
mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V,
VEBO: 5 V, encapsulado TO-92.

NTE229 Transistor NPN de alta frecuencia para

amplificación IF, osciladores VHF, mezcladores,
y sintonizadores FM. IC: 50 mA, PD: 425 mW,
VCEO: 30 V, VCBO: 30 V, VEBO: 3 V, fT: 500
MHz, encapsulado TO-92.

NTE2328 Transistor de alta potencia NPN para

amplificación general o de audio de alta
fidelidad. IC: 15 A, PD: 150 W, VCEO: 200 V,
VCBO: 200 V, VEBO: 5 V, fT: 25 MHz,
encapsulado TO-3PBL.
NTE2329 Transistor de alta potencia PNP para
amplificación general o de audio de alta
fidelidad. IC: 15 A, PD: 150 W, VCEO: 200 V,
VCBO: 200 V, VEBO: 5 V, fT: 25 MHz,
encapsulado TO-3PBL.
NTE287 Transistor NPN de alto voltaje. IC: 500 mA, PD:
625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 6 V,
fT: 50 MHz, TO-92.
NTE288 Transistor PNP de alto voltaje. IC: 500 mA, PD:
625 mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V,
fT: 50 MHz, TO-92.
NTE31 Transistor NPN de alto voltaje para la
amplificación de audio y barrido vertical en
video. IC: 1 A, PTOT: 900 mW, VCEO: 160 V,
 VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, Giant
TO-92 .
NTE32 Transistor PNP de alto voltaje para la
amplificación de audio y barrido vertical en
video. IC: 1 A, PTOT: 900 mW, VCEO: 160 V,
VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 50 MHz, Giant TO-
92 .
NTE36 Transistor de alta potencia NPN para
amplificación de audio o conmutación de alta
corriente. IC: 12 A, PD: 100 W, VCEO: 140 V,
VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 15 MHz,
encapsulado TO-3P.
NTE37 Transistor de alta potencia PNP para
amplificación de audio o conmutación de alta
corriente. IC: 12 A, PD: 100 W, VCEO: 140 V,
VCBO: 160 V, VEBO: 6 V, fT: 15 MHz,
encapsulado TO-3P.
NTE373 Transistor NPN de media potencia para
amplificación de audio y driver.
IC: 1.5 A, PTOT: 20 W, VCEO: 160 V, VCBO: 180
V, VEBO: 5 V, fT: 140 MHz. Encapsulado TO-
126.
NTE374 Transistor PNP de media potencia para
amplificación de audio y driver. IC: 1.5 A,
PTOT: 20 W, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO:
5 V, fT: 140 MHz. Encapsulado TO-126.
NTE378 Transistor PNP de propósito general. IC: 10 A,
PTOT: 50 W, VCEO: 80 V, VEBO: 5 V.
Transistor NPN de alto voltaje para la
amplificación de audio. IC: 1 A, PTOT: 900 mW,
VCEO: 100 V, VCBO: 120 V, VEBO: 5 V, fT: 140
NTE382 MHz, Giant TO-92
NTE383 Transistor PNP de alto voltaje para la
amplificación de audio. IC: 1 A, PTOT: 900 mW,
VCEO: 100 V, VCBO: 120 V, VEBO: 5 V, fT: 140
MHz, Giant TO-92.
NTE392 Transistor de alta potencia NPN para
amplificación general o suicheo. IC: 25 A, PD:
125 W, VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V,
fT: 3 MHz, encapsulado TO-3PN.
NTE395 Transistor PNP de banda ancha, fT: 2.3 GHz,
IC: 50 mA, PD: 225 mW, VCEO: 25 V, VCBO: 30
V, VEBO: 3 V, encapsulado TO-72.
NTE399 Transistor NPN de alto voltaje para la
amplificación de video. IC: 100 mA, PTOT: 900
mW, VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 6 V, fT:
50 MHz, Giant TO-92.
NTE58 Transistor de alta potencia NPN para
amplificación de audio y de propósito general.
IC: 17 A, PD: 200 W, VCEO: 200 V, VCBO: 200
V, VEBO: 6 V, fT: 20 MHz, encapsulado MT-200.
NTE59 Transistor de alta potencia PNP para
amplificación de audio y de propósito general.
IC: 17 A, PD: 200 W, VCEO: 200 V, VCBO: 200
V, VEBO: 6 V, fT: 20 MHz, encapsulado MT-200.
PN2222 Transistor NPN de propósito general. IC: 600
mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V, VCBO: 60
V, VEBO: 5 V, fT: 300 MHz, encapsulado TO-92
PN2907 (2N2907) Transistor PNP de propósito general. IC: 600
mA, PD: 625 mW, VCEO: 40 V, VCBO: 60
V, VEBO: 5 V, fT: 200 MHz, encapsulado TO-92.
S8050 Transistor NPN de audio. IC: 500 mA, PD: 625
mW, VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT:
150 MHz, encapsulado TO-92.
S8550 Transistor PNP de audio. IC: 500 mA, PD: 625
mW, VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V, fT:
150 MHz, encapsulado TO-92.
S9012 Transistor PNP de audio, buena linealidad. IC:
500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 25 V, VCBO: 40
V, VEBO: 5 V, fT: 150 MHz, encapsulado TO-92.
S9013 Transistor NPN de audio y propósito general,
excelente linealidad. IC: 500 mA, PD: 625
mW, VCEO: 20 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V,
encapsulado TO-92.
S9015 Transistor PNP de alta ganancia y buena
linealidad. IC: 100 mA, PD: 450 mW, VCEO: 45
V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, fT: 150 MHz,
encapsulado TO-92.
S9018 Transistor NPN de alta frecuencia para
amplificación AM/FM e IF y oscilador local de
sintonizadores FM/VHF. IC: 50 mA, PD: 310
mW, VCEO: 18 V, VCBO: 25 V, VEBO: 4 V, fT:
600 MHz, encapsulado TO-92.
SS9014 Transistor NPN de alta ganancia y buena
linealidad, bajo ruido. IC: 100 mA, PD: 450
mW, VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V, fT:
270 MHz, encapsulado TO-92.
TIP31A Transistor NPN, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO:
60 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V.
TIP31C Transistor NPN, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 100
V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V.
TIP32A Transistor PNP, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 60 V,
VCBO: 60 V, VEBO: 5 V.
TIP32C Transistor PNP, IC: 3 A, PTOT: 40 W, VCEO: 100
 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V.
TIP41C Transistor NPN de potencia. IC: 6A, PTOT: 65W,
VCEO: 100V, VCBO: 100V, VEBO: 5V.
TIP42C Transistor PNP de potencia. IC 6 A, PTOT 65 W,
VCEO 100 V, VCBO 100 V, VEBO 5 V
ZTX651 Transistor NPN de propósito general de media
potencia. IC: 2 A, PTOT: 1.5 W, VCEO: 60 V,
VCBO: 80 V, VEBO: 7 V, FT : 175 MHz.
ZTX751 Transistor PNP de propósito general de media
potencia. IC: 2 A, PTOT: 1.5 W, VCEO: 60 V,
VCBO: 80 V, VEBO: 7 V, FT : 140 MHz.
MPSA13 Transistor Darlington NPN de propósito
general. IC: 500 mA, PD: 625 mW, VCEO: 30 V,
VCBO: 30 V, VEBO: 10 V, fT: 125
MHz, encapsulado TO-92.

NTE253 Transistor Darlington NPN de propósito

general. IC: 4 A, PTOT: 40 W, VCEO: 80 V, VCBO:
80 V, VEBO: 5 V.
NTE263 Transistor Darlington NPN para amplificación
de propósito general y conmutación de baja
velocidad. IC: 10 A, PTOT: 65 W, VCEO: 100 V,
VCBO: 100 V, VEBO: 5 V.
NTE264 Transistor Darlington PNP para amplificación
de propósito general y conmutación de baja
velocidad. IC: 10 A, PTOT: 65 W, VCEO: 100 V,
VCBO: 100 V, VEBO: 5 V.
TIP102 Transistor Darlington NPN de propósito
general, media potencia. IC: 8 A, PTOT: 80 W,
VCEO: 100 V, VCBO: 100 V, VEBO: 5 V.

TIP120 Transistor Darlington NPN de propósito

general. IC: 5 A, PTOT: 65 W, VCEO: 60 V, VCBO:
60 V, VEBO: 5 V. TO-220AB.
TIP122 Transistor Darlington NPN de propósito
general. IC: 5A, PTOT: 65W, VCEO: 100V, VCBO:
100V, VEBO: 5V.
TIP127 Transistor Darlington PNP de propósito
general. IC 5 A, PTOT 65 W, VCEO 100 V,
VCBO 100 V, VEBO 5 V. Encapsulado TO-220.
2N6756 Transistor MOSFET de potencia, canal N,
BVDSS 100 V, RDS 0.18 Ω, ID 14 A, PW 75 W
2N7000 Transistor MOSFET de baja potencia, canal N,
VDS 60 V, RDS 1.8 Ω, ID 200 mA, PW 400 mW.
4007UB Arreglo de 2 pares de transistores MOSFET
complementarios + 1 inversor de MOSFET's.
Alimentación 3 V a 18 V. Tecnología CMOS.
BSS138L Transistor MOSFET, canal N, modo de
enriquecimiento, alta velocidad tON 20 ns y
tOFF 20 ns, VDS 50 V, RDS 3.5 Ω, ID 200 mA,
PW 225 mW, diodo damper.
BSS138P Transistor MOSFET, canal N, modo de
enriquecimiento, muy alta velocidad tON 2 ns
y tOFF 9 ns, VDS 60 V, RDS 1 Ω, ID 360 mA, PW
350 mW, diodo damper
FDC6420C Par de transistores MOSFET complementarios
(N y P) de baja potencia, VDS 20 V, RDS 66 mΩ
típica (N) 145 mΩ típica (P), ID 3 A (N) 2.2 A
(P), PW 900 mW. Encapsulado SMD/SMT SSOT-
6.
FQP27P06 Transistor MOSFET de potencia, canal P,
VDSS 60 V, RDS 0.07 Ω, ID 27 A, PW 120 W, ton
18 ns, t off 30 ns.
IRF520 Transistor MOSFET de potencia, canal N,
VDS 100 V, RDS 0.27 Ω, ID 9.2 A, PW 60 W

IRF540N MOSFET de potencia canal N. VDSS 100 V, ID

33 A, PW 130 W, RDS(on) 44 mΩ, tON 11 ns y t
OFF 39 ns, diodo damper.
IRF640 MOSFET de potencia canal N. VDSS 200 V,
RDS(on) 0.15 Ω, ID 18 A, PW 150 W.
IRF730 Transistor MOSFET de potencia, canal N,
VDS 400 V, RDS 1 Ω, ID 5.5 A, PW 74 W.