INVERSOR CON NMOS DE CARGA

DIAGRAMA

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib

VDD

VDD

.dc V2 0 5 0.01

M2
CMOSN_TT
VO

V3
3V

V1
5V

M1
CMOSN_TT
V2
5V

BARRIDO EN DC
V(vo)

2.2V

2.0V

1.8V

1.6V

1.4V

1.2V

1.0V

0.8V

0.6V

0.4V
0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

GRAFICA DE LA DERIVADA
d(V(vo))

0m
-80m
-160m
-240m
-320m
-400m

-480m
-560m
-640m
-720m
-800m
-880m
0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

PUNTO DE MAYOR GANANCIA

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

TRANSCONDUCTANCIAS
--- BSIM3
Name:
Model:
Id:
Vgs:
Vds:
Vbs:
Vth:
Vdsat:
Gm:
Gds:
Gmb
Cbd:
Cbs:
Cgsov:
Cgdov:
Cgbov:
dQgdVgb:
dQgdVdb:
dQgdVsb:
dQddVgb:
dQddVdb:
dQddVsb:
dQbdVgb:
dQbdVdb:
dQbdVsb:

MOSFETS --m2
cmosn_tt
3.93e-05
1.39e+00
3.39e+00
-1.61e+00
1.09e+00
2.66e-01
2.83e-04
9.39e-07
4.78e-05
0.00e+00
0.00e+00
2.30e-15
2.30e-15
1.43e-15
3.72e-14
-2.27e-15
-2.88e-14
-1.59e-14
2.28e-15
1.60e-14
-5.41e-15
6.00e-18
-5.54e-15

m1
cmosn_tt
3.93e-05
1.01e+00
1.61e+00
0.00e+00
6.93e-01
2.51e-01
2.79e-04
1.25e-06
9.45e-05
0.00e+00
0.00e+00
2.30e-15
2.30e-15
1.43e-15
3.84e-14
-2.28e-15
-2.95e-14
-1.59e-14
2.29e-15
1.87e-14
-6.56e-15
8.09e-18
-1.02e-14

GANANCIA EN PEQUEA SEAL

gmM 2+ g

mbM 2

2.79 e4
=0.8434
2.83 e4+ 4.78 e5
g 1
v= mM

RANGO DE EXCURSION
V(vo)

2.2V

2.0V

1.8V

1.6V

1.4V

1.2V

1.0V

0.8V

0.6V

0.4V
0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

Se tiene un rango de excursin de 1.73 V, donde

no se alcanza ninguno de los dos rieles.

CANTIDAD DE
CORRIENT QUE
PASA POR EL
INVERSOR.

V(vo)

2.4V

Id(M2)

Id(M1)

990A

2.2V

900A

2.0V

810A

1.8V

720A

1.6V

630A

1.4V

540A

1.2V

450A

1.0V

360A

0.8V

270A

0.6V

180A

0.4V

90A

0.2V
0.0V

0A
0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

Donde La lnea roja representa la corriente que pasa a travs

del inversor.

TRANSITORIO.

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
VDD

;dc V2 0 5 0.01

VDD

.tran 5u

M2
V3

CMOSN_TT
V1
5V

3V

C1
1pF
M1
CMOSN_TT

V2
PULSE(0 5 0 1n 1n 0.5u 1u)

V(n003)

5.0V

V(n002)

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.5V

2.0V

1.5V

1.0V

0.5V

0.0V
0.0s

0.5s

1.0s

1.5s

2.0s

TRANSICIONES
tphl = 438.57868ps
tplh = 1.6984066ns

2.5s

3.0s

3.5s

4.0s

4.5s

A.C.

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
VDD

;dc V2 0 5 0.01

VDD

;tran 5u
.ac dec 100 1 1G

M2
V3

CMOSN_TT
V1
5V

3V

C1
1pF
M1
CMOSN_TT

V2
1.0147059V
AC 0.01V

V(n002)/V(n003)

0dB

V(n003)

-4dB

-8dB

-12dB

-16dB

-20dB

-24dB

-28dB

-32dB

-36dB

-40dB
1Hz

10Hz

100Hz

1KHz

10KHz

ANCHO DE BANDA = 50.68MHz

100KHz

1MHz

10MHz

100MHz

1GHz

INVERSOR CON CARGA PMOS SATURADA

VDD

DIAGRAMA

VDD

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
.dc v2 0 5 0.01

M2

VO

CMOSP_TT
V1
5V
M1
V2
5V

CMOSN_TT

BARRIDO EN DC (CURVA CARACTERISTICA)

V(vo)

4.8V
4.5V
4.2V
3.9V
3.6V
3.3V
3.0V
2.7V
2.4V
2.1V
1.8V
1.5V
1.2V
0.9V
0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

GRAFICA DE LA DERIVADA
d(V(vo))

0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
-1.1
-1.2
-1.3
0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

PUNTO DE MAYOR GANANCIA

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

TRANSCONDUCTANCIAS
--- BSIM3 MOSFETS --Name:
m2
m1
Model:
cmosp_tt
cmosn_tt
Id:
1.21e-04
1.21e-04
Vgs:
0.00e+00
1.25e+00
Vds:
1.52e+00
3.48e+00
Vbs:
1.52e+00
0.00e+00
Vth:
-9.28e-01
6.91e-01
Vdsat:
-5.01e-01
4.13e-01
Gm:
3.69e-04
4.01e-04
Gds:
4.95e-06
1.63e-06
Gmb
1.12e-04
1.34e-04
Cbd:
0.00e+00
0.00e+00
Cbs:
0.00e+00
0.00e+00
Cgsov:
8.54e-15
2.30e-15
Cgdov:
8.54e-15
2.30e-15
Cgbov:
1.39e-15
1.43e-15
dQgdVgb:
9.74e-14
3.84e-14
dQgdVdb: -8.55e-15
-2.28e-15
dQgdVsb: -8.25e-14
-2.98e-14
dQddVgb: -4.24e-14
-1.59e-14
dQddVdb:
8.55e-15
2.29e-15
dQddVsb:
4.44e-14
1.87e-14
dQbdVgb: -1.25e-14
-6.54e-15
dQbdVdb: -6.64e-18
8.82e-18
dQbdVsb: -1.48e-14
-9.90e-15

GANANCIA EN PEQUEA SEAL

v =

4
gmM 1
4.01 e
=
=1.06768
1
1
1
1
4
gmM 2 + +
3.69 e +
+
ro 1 ro 2
613496 202020
A

RANGO DE EXCURSION

V(vo)

4.8V
4.5V
4.2V
3.9V
3.6V
3.3V
3.0V
2.7V
2.4V
2.1V
1.8V
1.5V
1.2V
0.9V
0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

Se tiene un rango de excursin de 3.4495159V,

donde no se alcanza ninguno de los dos rieles.

CANTIDAD DE CORRIENTE QUE PASA POR EL

INVERSOR.

V(vo)

4.8V

Id(M2)

Id(M1)

2.4mA

4.5V

2.2mA

4.2V

2.0mA

3.9V

1.8mA

3.6V

1.6mA

3.3V

1.4mA

3.0V

1.2mA

2.7V

1.0mA

2.4V

0.8mA

2.1V

0.6mA

1.8V

0.4mA

1.5V

0.2mA

1.2V

0.0mA

0.9V
0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

-0.2mA
5.0V

Donde La lnea roja representa la corriente que pasa a travs

del inversor.

VDD

TRANSITORIO

VDD

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
;dc v2 0 5 0.01
.tran 5u

M2

VO

CMOSP_TT

C1
M1
V2

CMOSN_TT

PULSE(0 5 0 1n 1n 0.5u 1u)

1pF

V1
5V

V(n001)

5.0V

V(vo)

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.5V

2.0V

1.5V

1.0V

0.5V

0.0V
0.0s

0.5s

1.0s

1.5s

2.0s

TRANSICIONES
tphl = 722.16582ps
tplh = 1.32ns

2.5s

3.0s

3.5s

4.0s

4.5s

VDD

A. C.

VDD

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
;dc v2 0 5 0.01
;tran 5u

M2

.ac dec 100 1 1G

VO

CMOSP_TT

C1
M1
V2
1.2473583v
AC 0.01V

CMOSN_TT

1pF

V1
5V

V(n001)

4dB

V(vo)/V(n001)

0dB
-4dB
-8dB
-12dB
-16dB

-20dB
-24dB
-28dB
-32dB
-36dB
-40dB
1Hz

10Hz

100Hz

1KHz

10KHz

100KHz

1MHz

ANCHO DE BANDA = 56.767316MHz

10MHz

100MHz

1GHz

INVERSOR CON FUENTE DE CORRIENTE DE

CARGA

VDD

DIANGRAMA

VDD

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
.dc V2 0 5 0.01

M2
CMOSP_TT
VO

V3

V1

3V
5V
M1
V2

5V

CMOSN_TT

BARRIDO EN DC (CURVA CARACTERISTICA)

V(vo)

5.5V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V

2.5V
2.0V
1.5V
1.0V
0.5V
0.0V
0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

GRAFICA DE LA DERIVADA
d(V(vo))

0
-4
-8
-12
-16
-20
-24
-28
-32
-36
-40
-44
-48
0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

PUNTO DE MAYOR GANANCIA 1.7255364V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

TRANSCONDUCTANCIAS
--- BSIM3
Name:
Model:
Id:
Vgs:
Vds:
Vbs:
Vth:
Vdsat:
Gm:
Gds:
Gmb
Cbd:
Cbs:
Cgsov:
Cgdov:
Cgbov:
dQgdVgb:
dQgdVdb:
dQgdVsb:
dQddVgb:
dQddVdb:
dQddVsb:
dQbdVgb:
dQbdVdb:
dQbdVsb:

MOSFETS --m2
cmosp_tt
3.63e-04
7.61e-01
2.76e+00
2.76e+00
-9.28e-01
-8.58e-01
5.91e-04
7.58e-06
1.75e-04
0.00e+00
0.00e+00
8.54e-15
8.54e-15
1.39e-15
9.73e-14
-8.54e-15
-8.38e-14
-4.24e-14
8.54e-15
4.44e-14
-1.25e-14
-2.08e-18
-1.35e-14

m1
cmosn_tt
3.63e-04
1.73e+00
2.24e+00
0.00e+00
6.92e-01
6.83e-01
6.14e-04
6.09e-06
1.92e-04
0.00e+00
0.00e+00
2.30e-15
2.30e-15
1.43e-15
3.83e-14
-2.28e-15
-3.04e-14
-1.59e-14
2.29e-15
1.87e-14
-6.50e-15
7.04e-18
-9.28e-15

GANANCIA EN PEQUEA SEAL

ro1|ro 2 )=6.14e-04 e4 ((7.58 e6)(6.09 e6))=44.9
v=gmM 1
A

RANGO DE EXCURSION
(V(vo))

5.5V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V

2.5V
2.0V
1.5V
1.0V
0.5V
0.0V
0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

Se tiene un rango de excursin de 4.8249537V,

donde no se alcanza el riel inferior, pero si, el
superior.

CORRIENTE
V(vo)

5.5V

Id(M1)

Id(M2)

400A

5.0V

360A

4.5V

320A

4.0V

280A

3.5V

240A

3.0V

200A

2.5V

160A

2.0V

120A

1.5V

80A

1.0V

40A

0.5V

0A

0.0V
0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

-40A
5.0V

Donde La lnea roja representa la corriente que pasa a travs

del inversor.

VDD

TRANSITORIO.

VDD

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
;dc V2 0 5 0.01
.tran 5u

M2
CMOSP_TT
VO

V3

V1

3V
C1
M1
V2

CMOSN_TT

PULSE(0 5 0 1n 1n 0.5u 1u)

1pF

5V

V(vo)

5.5V

V(n002)

5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V

2.5V
2.0V
1.5V
1.0V
0.5V
0.0V
0.0s

0.5s

1.0s

1.5s

2.0s

2.5s

3.0s

TIEMPOS DE PROPAGACION
Tphl= 21.996616ps
Tplh= 317.64706ps

3.5s

4.0s

4.5s

VDD

A.C.

VDD

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
;dc V2 0 5 0.01
;tran 5u

M2

VO

V3

.ac dec 100 1 1G

CMOSP_TT
V1

3V
C1
M1
V2
1.7255364V
AC 0.01V

CMOSN_TT

1pF

5V

V(vo)/V(n002)

35dB

V(n002)

28dB
21dB
14dB
7dB
0dB

-7dB
-14dB
-21dB
-28dB
-35dB
-42dB
1Hz

10Hz

100Hz

1KHz

10KHz

ANCHO DE BANDA: 176.1577MHz

100KHz

1MHz

10MHz

100MHz

1GHz

PUSH PULL

VDD

DIAGRAMA

VDD

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
.dc V2 0 5 0.01

M3
VO

cMOSP_TT
V1

V2
5V
5V

M1
CMOSN_TT

BARRIDO EN DC
V(vo)

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.5V

2.0V

1.5V

1.0V

0.5V

0.0V
0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

GRAFICA DE LA DERIVADA
d(V(vo))

0
-4
-8
-12
-16
-20

-24
-28
-32
-36
-40
-44
0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

PUNTO DE MAYOR GANANCIA 2.3552631V

4.0V

4.5V

5.0V

TRANSCONDUCTANCIAS
--- BSIM3
Name:
Model:
Id:
Vgs:
Vds:
Vbs:
Vth:
Vdsat:
Gm:
Gds:
Gmb
Cbd:
Cbs:
Cgsov:
Cgdov:
Cgbov:
dQgdVgb:
dQgdVdb:
dQgdVsb:
dQddVgb:
dQddVdb:
dQddVsb:
dQbdVgb:
dQbdVdb:
dQbdVsb:

MOSFETS --m3
cmosp_tt
8.15e-04
1.55e-01
2.80e+00
2.80e+00
-9.28e-01
-1.32e+00
7.96e-04
1.87e-05
2.31e-04
0.00e+00
0.00e+00
8.54e-15
8.54e-15
1.39e-15
9.72e-14
-8.55e-15
-8.56e-14
-4.24e-14
8.55e-15
4.44e-14
-1.24e-14
-6.25e-18
-1.17e-14

m1
cmosn_tt
8.15e-04
2.36e+00
2.20e+00
0.00e+00
6.92e-01
9.87e-01
8.04e-04
1.73e-05
2.33e-04
0.00e+00
0.00e+00
2.30e-15
2.30e-15
1.43e-15
3.83e-14
-2.29e-15
-3.12e-14
-1.59e-14
2.30e-15
1.87e-14
-6.47e-15
1.31e-18
-8.45e-15

GANANCIA EN PEQUEA SEAL

8.04 e
1
1
( 4+ 7.96 e ) ( 1.73 e5) ( 1.87 e5) =44.4444
v=( gm 1 + gm2 ) ( r o1 r o 2 )=
A
4

RANGO DE EXCURSION
V(vo)

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.5V

2.0V

1.5V

1.0V

0.5V

0.0V
0.0V

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

Se tiene un rango de
excursin de donde se
alcanzan los dos rieles.

CANTIDAD DE CORRIENT QUE PASA POR EL

INVERSOR.
V(vo)

5.0V

Id(M1)

Id(M3)

880A
800A

4.5V

720A

4.0V

640A

3.5V

560A
3.0V
480A
2.5V
400A
2.0V
320A
1.5V

240A

1.0V

160A

0.5V

0.0V
0.0V

80A
0A
0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

Donde La lnea roja representa la corriente que pasa a travs

del inversor.

VDD

TRANSITORIO.

VDD

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
;dc V2 0 5 0.01
.tran 5u

M3
VO

cMOSP_TT

V2

C1

PULSE(0 5 0 1n 1n 0.5u 1u)

M1
CMOSN_TT

1pF

V1
5V

V(vo)

5.5V

V(n001)

5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
1.5V
1.0V
0.5V
0.0V
-0.5V
0.0s

0.5s

1.0s

1.5s

2.0s

TRANSICIONES
tphl = 78.172589ps.
tplh = 127.58037ps

2.5s

3.0s

3.5s

4.0s

4.5s

VDD

A.C.

VDD

.lib ami_c5n_corner_bsim3.lib
;dc V2 0 5 0.01
;tran 5u
.ac dec 100 1 1G

M3
VO

cMOSP_TT

V2
2.3552631V
AC 0.01V

C1
M1
CMOSN_TT

1pF

V1
5V

V(n001)

35dB

V(vo)/V(n001)

28dB
21dB
14dB
7dB
0dB

-7dB
-14dB
-21dB
-28dB
-35dB
-42dB
1Hz

10Hz

100Hz

1KHz

10KHz

100KHz

1MHz

ANCHO DE BANDA = 5.8951085MHz

10MHz

100MHz

1GHz

Tplh=71.096483ns
Tphl= 900.1692ps
Ancho de banda= 1.8293427MHz