TRANSISTORES

TRANSISTORES Y OTROS DISPOSITIVOS
FACULTAD DE INGENIERÍA
CORRIENTES DE UN TRANSISTOR
De acuerdo con la figura siguiente, puesto que el emisor es la fuente
de electrones, es la corriente más grande. La mayor parte del flujo de
electrones del emisor llega al colector, por lo que la corriente del
colector es prácticamente igual a la corriente del emisor, la corriente de
la base es muy pequeña.
RELACIÓN DE CORRIENTES
La IE = IC + IB Ley de las corrientes de Kirchhoff

Puesto que la corriente de la base es muy pequeña entonces la
corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente del
emisor:
IC ≈ IE
Y la corriente de base es mucho menor que la corriente de colector:
IB ‹‹ IC
PARÁMETROS
ALFA CONTINUA DE UN TRANSISTOR: Se define por
α= IC/IE
El alfa continua de un transistor es menor a 1
BETA CONTINUA DE UN TRANSISTOR: Se define por
β= IC/IB
La beta continua también se conoce como ganancia de corriente
porque una corriente de base pequeña controla una corriente de
colector mucho más grande.
Ejercicio 3.1
a) Un transistor tiene una corriente de colector de 10 mA y una
corriente de base de 40 μA. ¿Cuál es la ganancia de corriente del
transistor?
b) Un transistor tiene una ganancia de corriente de 175. Si la
corriente de base es de 0.1 mA, ¿Cuál es la corriente de colector?
c) Un transistor tiene una corriente de colector de 2 mA, Si la
ganancia es de 135, ¿Cuál es la corriente de la base?
 Solución:
 A) Ic = 10 mA
 Ib = 40 μA
 β=?
β=Ic/Ib=10E-3/40E-6=250
 B) β=175
 Ib=0.1mA
 Ic=?
 Ic=(β)(Ib)=(175)(0.1mA)=17.5mA
 C) Ic=2mA
 β=135
 Ib=?
 Ib=Ic/β=2mA/135=0.0148mA=14.8μA
LA CONEXIÓN EN EMISOR COMÚN
En la figura siguiente el lado común o tierra de cada una de las fuentes

de tensión está conectada al emisor. Por ello se denomina conexión en
emisor común (EC). El circuito tiene dos mallas: la malla de la
izquierda es la malla de la base y la de la derecha es la malla de
colector.
De la figura anterior podemos encontrar que:
VCE=VC
VCB=VC-VB
Utilizando la segunda aproximación y para polarizar el diodo de silicio

ideal el VBE = 0.7V
La corriente de la base se encuentra expresada por:

IB = (VBB – VBE)/RB
Ejercicio 3.2
Utilizando la segunda aproximación, para en siguiente circuito
encontrar:
a) La corriente de base
b) La tensión en la resistencia de base
c) La corriente de colector si β = 200
 Solución:
 A)
 Ib=(Vbb-Vbe)/Rb=(2V-0.7V)/100KΩ=1.3V/100KΩ=0.013mA=13μA
 B)
 Vb=Vbb-Vbe=2V-0.7V=1.3V
 C)
 β=Ic/Ib
 Ic=(β)(Ib)=(200)(13μA)=2600μA=2.6mA
POTENCIA Y TENSIÓN DE COLECTOR, estas se encuentran
calculadas por:
VCE = VCC – (IC)(RC)
PC = (VCE)(IC)
Ejercicio 3.3
El transistor de la siguiente figura tiene una β = 300. Calcular:
IB, IC, VCE, y PC
 Solución:
 La corriente de base será:
 Ib=(Vbb-Vbe)/Rb=(10V-0.7V)/1MΩ=9.3V/1MΩ=9.3μA
 La corriente de colector será:

 Ic=(β)(Ib)=(300)(9.3μA)=2790μA=2.79mA
 La tensión de colector a emisor será:

 Vce=Vcc-(Ic)(Rc)=10V-(2.79mA)(2KΩ)=4.42V
 La disipación de potencia de colector será:

 Pc=(Vce)(Ic)=(4.42V)(2.79mA)=12.33mW
Ejercicio 3.4
Encontrar la ganancia de corriente del transistor 2N4424 de la
siguiente figura, considerando en VCE = 5.45V
 Solución:
 De: β=Ic/Ib
 Ib=(Vbb-Vbe)/Rb
 Ib=(10V-0.7V)/330KΩ=9.3V/330KΩ=0.02818mA=28.18μA
 Si: Vce=5.45V
 Entonces la tensión en la resistencia Rc será:
VRc=10V-5.45V=4.55V
 Ic=VRc/Rc=4.55V/470Ω=9.68mA

 β=Ic/Ib=9.68mA/0.02818mA=343.506
Ejercicio 3.5
Para el siguiente circuito, encontrar por la primera aproximación (transistor
ideal) y la segunda aproximación:
a) La tensión de colector a emisor
b) La corriente de emisor
Considerando los siguientes datos:

Vb=15V
Rb= 470Ω
Vcc=15 V
Rc=R1=3.6kΩ
Re=R2=0
Vee=0
β=100
 Solución:
 A) Primera aproximación (transistor ideal)
 Vbe=0
 Por la ley de Ohm tenemos:
 V=RI
 Ib=Vb/Rb=15V/470Ω=0.03191mA=31.91μA
 De: β=Ic/Ib
 Ic=(β)(Ib)=(100)(0.03191mA)=3.19mA
 Vce=Vcc-(Ic)(Rc)=15V-(3.19mA)(3.6kΩ)
 Vce=3.51V
 B) Por la Ley de Kirchhoff tenemos:

 Ie=Ic+Ib=3.19mA+0.03191mA
 Ie=3.22mA
 A) Utilizando la segunda aproximación tenemos:
 Vbe=0.7V
 Ib=(Vb-Vbe)/Rb=(15V-0.7V)/470Ω=0.0304mA=30.4μA
 De: β=Ic/Ib
 Ic=(β)(Ib)=(100)(0.0304mA)=3.0425mA
 Vce=4.0468V
 B) Por la ley de Kirchhoff tenemos:

 Ie=Ic+Ib=3.0425mA+0.0304mA
 Ie=3.0729 mA
 Conclusión:
 Se obtiene mayor voltaje de Vce por la segunda aproximación, es decir:
 4.0468V-3.51V=0.536V Mayor voltaje por la segunda aproximación
Ejercicio 3.6
Considerando una tensión de 1V, entre la base y el emisor, encontrar la
tensión de colector a emisor y la corriente de emisor para el siguiente circuito:

Vb=15V
Rb=470kΩ
β=75
Vcc=15V
Rc=R1=3.6kΩ
Vbe=1V
Re=R2=0
Vee=0
 Solución:
De Ib=(Vb-Vbe)/Rb=(15V-1V)/470kΩ=0.0297mA=29.7μA
 De β=Ic/Ib
 Ic=(β)(Ib)=(75)(0.0297mA)=2.234mA
 Vce=6.957V
 De la ley de Kirchhoff tenemos:

 Ie=Ic+Ib=2.234mA+0.0297mA
 Ie=2.263mA
Ejercicio 3.7
Para el siguiente transistor que se encuentra conectado a dos fuentes
de voltaje con valores diferentes, encontrar la tensión de colector a
emisor y la potencia de colector por la segunda aproximación:

Vb=20V
Rb=560kΩ
β=100
Vcc=15V
Rc=R1=3.6kΩ
Re=R2=0
Vee=0
 Solución:
 Vbe=0.7V
De Ib=(Vb-Vbe)/Rb=(20V-0.7V)/560kΩ=0.03446mA=34.46μA
 De β=Ic/Ib
 Ic=(β)(Ib)=(100)(0.03446mA)=3.446mA
 Vce=2.594V
 Para la potencia de colector tenemos:

 Pc=(Vce)(Ic)=(2.594V)(3.446mA)
 Pc=8.94mW

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La IE = IC + IB Ley de las corrientes de Kirchhoff

Y la corriente de base es mucho menor que la corriente de colector:

En la figura siguiente el lado común o tierra de cada una de las fuentes

Utilizando la segunda aproximación y para polarizar el diodo de silicio

La corriente de la base se encuentra expresada por:

VCE = VCC – (IC)(RC)

 La corriente de colector será:

 La tensión de colector a emisor será:

 La disipación de potencia de colector será:

Considerando los siguientes datos:

 B) Por la Ley de Kirchhoff tenemos:

 B) Por la ley de Kirchhoff tenemos:

Considerando los siguientes datos:

 De la ley de Kirchhoff tenemos:

Considerando los siguientes datos:

 Para la potencia de colector tenemos:

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