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    TRANSISTORES BJT(Bipolar junction Transistor)

    DEFINICION: Los transistores BJT son dispositivos electrónicos compuestos por 3 cristales
    semiconductores, por lo tanto, estos dispositivos constan de 3 terminales (Base, Colector y
    Emisor los cuales dependiendo de cómo se encuentren polarizados tienen diversas
    aplicaciones ya sean como conmutadores electrónicos o como amplificadores.

    FORMA DE POLARIZAR UN TRANSISTOR BJT:

    a. INTENSIDADES DE CORRIENTE:
    DONDE :
    IC: Intensidad de corriente del colector (mA)
    IB: Intensidad de corriente de la base (uA)
    IE: Intensidad de corriente del emisor (mA)

    IE>IC>>IB
    Siempre se va a cumplir la siguiente relación: IE=IB+IC (valido para transistores NPN y
    PNP).
    b. TENSIONES:

    COMPROBACIONES:

    VCE=VC-VE….(.1 )
    VCB=VC-VB….(2)
    VBE=VB-VE……(3)

    VCE=VCB+VBE ……(4)
    VC-VE=VC-VB+VB-VE ELIMINANDO VB QUEDA VC-VE = VC-VE
    VEC=VEB+VBC …….(5)
    VE-VC=VE-VB+VB-VC ELIMINANDO VB QUEDA VE-VC=VE-VC

    FORMULAS APLICADAS AL TRANSISTOR BJT COMO AMPLIFICADOR (zona Activa):

     IC/IB = β ……(6)
    DONDE β SE LLAMA GANANCIA DE CORRIENTE DEL TRANSISTOR BJT
     IC/IE =α……..(7)
    DONDE α GANANCIA DE CORRIENTE EN BASE COMUN
     IE/IB= β+1 ……(8)

    RELACIONES ENTRE α Y β:

    β = α/(1- α) …….(9)

    α = β/ (β+1) ….(10)
    CURVA CARACTERISTICA DEL TRANSISTOR BJT:

    SI IB=0 ENTONCES EL TRANSISTOR NO FUNCIONA (ESTO ES VALIDO PARA TRANSISTOR NPN ó


    PNP)

    OBSERVACION: El transistor BJT es un dispositivo electrónico controlado por la intensidad de


    corriente de la base.

    RECTA DE CARGA Y PUNTO DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR BJT:

    Revisar los siguientes enlaces:

    https://www.youtube.com/watch?v=dIV5l9cx_ck

    https://www.youtube.com/watch?v=7Q79fhvoRSs

    OBSERVACION: si el transistor está fabricado con silicio entonces VBE=0.6V.

    Si el transistor está fabricado con Germanio entonces VBE=0.2V 23/08/2021


    EJERCICIOS DE APLICACIÓN:

    1. Dado el circuito de la figura: Calcular VE,IB,IC ,IE , VC y VCE. Considerar β=100.

    Solución:

    En la malla de base :

    Suma de tensiones debido a elementos activos=suma de tensiones debido a elementos pasivos

    VB-VBE=IE(R2) ENTONCES DESPEJANDO: IE=(VB-VBE)/R2

    Por lo tanto IE=(5.6-0.6)/3.3k luego IE=1.51mA

    Por teoría sabemos que:

    IE/IB = β+1 despejando IB=IE/( β+1) luego: IB= 1.51mA/101 por lo tanto IB=14.95uA

    Por teoría sabemos que:

    IC/IB = β despejando IC= βIB luego: IC=100*14.95uA por lo tanto IC=1.49mA.

    Calculo de las tensiones solicitadas:


    Tensión del colector: de la figura podemos deducir:

    VC=VCC-IC*R1 REEMPLAZANDO DATOS :

    VC=20v-(1.49mA*4.7K) luego: VC=12.99V

    VE=IE*R2 REEMPLAZANDO DATOS;

    VE=1.51bbbbbmA*3.3K luego: VE=4.98V

    Calculo de VCE:

    Sabemos que VCE = VC-VE luego VCE= 12.99V-4.98V entonces VCE=8.01V

    2. Dado el circuito de la figura : calcular VE,IE,IB,IC, VC también dibujar la recta de carga


    indicando el punto de operación Q

    Solución:
    En la malla de base:

    10V-VEB-VB=IE*R1 Por lo tanto despejando obtenemos: IE=(10v-VEB-VB)/R1

    Reemplazando datos: IE= (10v-0.6v-8.2v)/560 Luego : IE=2.14mA.

    Sabemos que IE/IB= β+1 Despejando obtenemos: IB=IE/( β+1) reemplazando datos:

    IB= 2.14mA/101 por lo tanto IB=21.21uA

    IC= β*IB reemplazando datos : IC=100*21.21uA por lo tanto IC=2.12mA

    Calculo de la tensión de emisor VE:

    De la figura : VE=10V-IE*R1 Reemplazando datos obtenemos : VE=10v-(2.14mA*560)

    Por lo tanto VE= 8.8V

    Calculo de la tensión del colector:

    VC=IC*R2 Reemplazando datos obtenemos VC=2.12mA*2.8K

    Por lo tanto: VC=5.93V

    Calculo de VEC:

    VEC= VE-VC Reemplazando datos: VEC= 8.8V-5.93V

    Por lo tanto: VEC=2.86V

    RECTA DE CARGA Y PUNTO DE OPERACIÓN:


    ICsat=10V/(R1+R2) Reemplazando datos: ICsat= 10V/(0.56K+2.8K)

    Por lo tanto obtenemos ICsat=2.97mA

    VEC corte=10V pues IC=IE=0

    Entonces el punto de operación Q será (2.86V,2.12mA)

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