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    Lab 5

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    Ronny Rodrigo Rivera Caballero
    Este informe describe los resultados de un experimento de laboratorio para polarizar dos transistores BJT (2N2222 y 2N3643) usando un divisor de voltaje. Se midieron las corrientes y voltajes de polarización y se compararon con los valores esperados. Se encontró que las mediciones estaban dentro del rango esperado a

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    Este informe describe los resultados de un experimento de laboratorio para polarizar dos transistores BJT (2N2222 y 2N3643) usando un divisor de voltaje. Se midieron las corrientes y voltajes de polarización y se compararon con los valores esperados. Se encontró que las mediciones estaban dentro del rango esperado a

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    Informe Laboratorio 5 Electronica I

    Electrónica I (Universidad Privada del Valle)

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    UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE


    FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA Evaluación
    INGENIERÍA AERONÁUTICA
    CAMPUS TIQUIPAYA

    ELECTRÓNICA I
    Informe de Práctica de Laboratorio N° 5

    POLARIZACIÓN DEL
    TRANSISTOR BJT
    GRUPO “B”
    Estudiante: Nicolas Ignacio Toro Moscoso
    Carrera: IAE
    Docente: Ing. Elias Chavez

    Cochabamba 16 de octubre del 2022


    Gestión II-2022

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    LABORATORIO 5
    POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT
    ASIGNATURA: Electrónica I
    TEMA Transistor de unión bipolar
    SUBTITULO Polarización de emisor común.

    Elemento de Transitor 2N2222, 2N3643


    estudio Resistencia 3K, 18K

    Instrumentos de Breadboard
    medición Multímetro digital
    virtuales. Fuente de poder

    1. Marco teórico
    La polarización de un transistor: consiste en fijar el punto de trabajo Q en ausencia de señal de entrada, el
    cual puede estar en la zona activa, saturación o corte.

    La polarización de un transistor tiene que cumplir las siguientes dos condiciones:

     El voltaje de entrada debe exceder el voltaje de corte para que el transistor este encendido
     El transitor BJT debe estar en la región activa para que pueda funcionar como un amplificador.

    Con el sistema de polarización elegido, también se pretende que dicho punto de funcionamiento Q sea estable
    con la temperatura, es decir, que no varíen los parámetros fundamentales de la polarización. Pues debido al
    aumento de temperatura aumenta la intensidad inversa de fuga de la unión de base, y con ella, la IC y la
    IE; lo que produce, a su vez, más aumento de temperatura. Y así se crea un círculo vicioso que puede llevar al
    transistor fuera del punto de funcionamiento establecido, produciendo una señal amplificada deforme a la
    salida.

    Desde luego, el desplazamiento del punto de trabajo Q ha de controlarse si queremos que funcione el
    transistor a pesar de variaciones de temperatura. Para asegurar una mínima variación del punto de trabajo lo
    que se hace es introducir una realimentación negativa desde la salida a la entrada, es decir, se utiliza parte de
    la señal de salida, normalmente en el colector, para re-introducirla en la entrada, normalmente la base, de
    modo que "frene" la tendencia a amplificar, la ganancia, del transistor.

    Con esto podemos evitar que el transistor sufra una avalancha con la subida de temperatura, pero
    lamentablemente, por el propio concepto de realimentación negativa (recordamos que la intensidad de
    colector está desfasada 180º respecto de la intensidad de base), se reducirá el nivel de amplificación con el

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    que el transistor va a operar, es decir: el circuito limitará la ganancia del transistor a un valor que permita
    mejorar la estabilidad del propio circuito. Cuanta más realimentación negativa, menos amplificará el circuito,
    pero mayor será la estabilidad; también lograr mejorar el Ancho de Banda.

    2. Resultados de Laboratorio
    Parte 1.
    Fotografía de la medición del del transistor 2N2222

    Fotografía del circuito armado con el transistor 2N2222

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    Fotografía mostrando la medición de las corrientes de polarización.

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    Fotografía mostrando la medición los voltajes de polarización.

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    Tabla 1.
    Voltaje de thevenin =

    Resistencia de thevenin

    Valor medido Valor esperado %Error


    219 35-300 En rango
    11,3mA
    0,04mA
    10,09mA
    7,43 V
    1,36 V
    2V 1.99 V
    8,76 V 8,93

    Insertar fotografía de los cálculos realizados para calcular el valor esperado y el error de la
    tabla 1
    Realizadas en tablas
    Fotografía de la medición del del transistor 2N3643

    Fotografía del circuito armado con el transistor 2N3643

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    Fotografía mostrando la medición de las corrientes de polarización.

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    Fotografía mostrando la medición los voltajes de polarización.

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    Tabla 2.

    Valor medido Valor esperado %Error


    150 100-300 En rango
    10,81 mA
    0,06 mA
    9,70 mA
    7,80 V
    1,29 V
    1,96 V 2
    9,07 V 9,36 V

    Insertar fotografía de los cálculos realizados para calcular el valor esperado y el error de la
    tabla 2

    3. Cuestionario
    1. En un cierto transistor NPN polarizado con divisor de voltaje, VB es de 2.95 V. El voltaje de DC en el emisor es
    aproximadamente.
    (a) 2.25 V (b) 2.95 V (c) 3.65 V (d) 0.7 V
    2. La polarización con divisor de voltaje
    (a) no puede ser independiente de
    (b) puede ser esencialmente independiente de

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    (c) No es ampliamente utilizada


    (d) requiere menos componentes que todos los demás métodos
    3. La polarización del emisor es
    (a) esencialmente independiente de β (b) muy dependiente de β
    (c) proporciona un punto de polarización estable (d) respuestas a) y c)

    4. Conclusiones y recomendaciones
    Como conclusión podremos ver que las medidas no siempre van de mano de lo teórico ya que, al medir
    corriente no cumple la ley de corrientes de Kirchhoff debido al instrumento de medida.

    El valor de beta nunca será el mismo en todos los transistores ya que este varía de acuerdo a la temperatura
    que existe en el transistor, pero debemos tener cuidado que este dentro del rango del beta de fabricación.

    5. Bibliografía
     Recuperado 16 de octubre de
    2022,de http://www.itlalaguna.edu.mx/2014/Oferta+Educativa/Ingenierias/Sistemas/Plan+1997-
    2004/Ecabas/ecabaspdf/TRANSISTORES.pdf

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    UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE


    EXAMEN PREVIO
    Fecha: / /
    Estudiante:
    Carrera: Asignatura: Grupo:
    Docente: Laboratorio:
    Practica N0: Título de la Practica:
    Firma Estudiante: Firma Docente:

    Usando la plataforma Thinkecad, y PROTEUS, armar el circuito (B) y (C), sobre todo la conexión de los instrumentos:

    Circuito armado en Thinkercad

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    Circuito armado en Proteus

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