Van Der Pauw

PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATÓLICA DEL PERÚ
ESCUELA DE POSGRADO
Implementación de un sistema de medición

de resistividad eléctrica en pelı́culas delgadas
semiconductoras por el método de Van der
Pauw
Tesis para optar el grado de Magister en Fı́sica
AUTOR
Luis Angel Conde Mendoza
ASESOR
Roland Weingärtner
JURADO
Dr. Amaru Töfflinger
MSc. Andrés Guerra
LIMA-PERÚ
2017
A mis padres
I
Agradecimientos
Deseo agradecer al Consejo Nacional de Ciencia, Tecnologı́a e Innovación

(Concytec) por el financiamiento en estos dos años y a la doctora Marı́a
Elena López por su confianza y su apoyo de permitirme participar en este
programa de maestrı́a.
Al MSc. Andres Guerra y al Dr. Amaru Toefflinger por su asesoria y
consejos durante el desarrollo del proyecto.
Al profesor Francisco Rumiche y Vanessa Estrada de la maerstrı́a de cien-
cia de los materiales por el préstamo de sus equipos y accesorios.
A mis compañeros de laboratorio Carlos, Jorge, Luis, y Paul por su ayuda
en la obtención de muestras y por los años que compartimos en la maestrı́a.
II
Resumen
La resistividad eléctrica es una propiedad fı́sica intrı́nseca e independiente

del tamaño o forma de un material, que nos da información acerca de cómo se
comporta el material al paso de la corriente eléctrica. Por el valor de la resis-
tividad de un material, se le puede clasificar como conductor, semiconductor
o aislante.[1]
En la presente tesis se realiza el estudio de la resistividad eléctrica en
los semiconductores, los métodos de medición de resistividad, los factores de
corrección que se deben tener en cuenta para una medición más precisa y los
detalles de la implementación de un sistema de medición de resistividad por
el método de Van der Pauw.
El método de Van der Pauw se puede utilizar para medir la resistividad de
materiales en forma de pelı́culas delgadas sin importar la forma del material,
consiste en hacer fluir una corriente constante por dos puntos en la periferia
y se mide el voltaje en otros dos puntos. Con los datos obtenidos se resuelve
la ecuación de Van der Pauw y se obtiene la resistividad.
Finalmente, se presentan las resultadas de las medidas de resistividad para
muestras cuadradas de silicio de alto dopaje, y además se hace un estudio
de los resultados obtenidos cuando la medición se hace en contactos sobre el
área superficial de la muestra, incumpliendo la condición de usar contactos
en la periferia, y los efectos que esto conlleva.
III
Abstract
The electrical resistivity is an intrinsic property independent of the size

or shape of a material, which gives us information about how the material
behaves at the rate of electric current. For the value of the resistivity of a
material, it can be classified as conductor, semiconductor or insulation.[1]
In this thesis will be done the study of the electrical resistivity in the
semiconductors, the methods of measurement of resistivity, the correction
factors that are very important for a more accurate measurement and the
details of the implementation of a measurement system of resistivity by the
Van der Pauw method.
The Van der Pauw method can be used to measure the resistivity of
materials in the form of thin films regardless of the shape of the material.
It consists of flowing a constant current through two points at the periphery
and measuring the voltage at two other points. With the data obtained the
Van der Pauw equation is solved and the resistivity is obtained.
Finally, we present the results of the resistivity measurements for square
samples of high doping silicon, and also a study of the results obtained when
the measurement is made in contacts on the surface area of the sample, failing
to use contacts in the periphery, and the effects that this entails.
IV
Índice general
Dedicatoria I
Agradecimientos II
Resumen III
Abstract IV
1. Introducción 1
2. Marco Teórico 2
2.1. Resistividad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.2. Materiales semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.2.1. Semiconductor intrı́nseco . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.2.2. Semiconductor extrı́nseco . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.2.3. Resistividad en un semiconductor . . . . . . . . . . . . 10
2.2.4. Unión metal-semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.3. Métodos de medición de la resistividad . . . . . . . . . . . . . 16
2.3.1. Método de los cuatro puntos . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.3.2. Factores de corrección . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.3.2.1. Factor de corrección G . . . . . . . . . . . . . 20
2.3.2.2. Factor de corrección C . . . . . . . . . . . . . 21
2.3.2.3. Factor de corrección K . . . . . . . . . . . . . 23
2.3.3. Método de Van der Pauw . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3. Detalles experimentales 31
3.1. Método experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.2. Implementación del sistema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.2.1. Sistema 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.2.1.1. Equipamiento y accesorios . . . . . . . . . . . 35
3.2.1.2. Diagrama de bloques . . . . . . . . . . . . . . 36
3.2.1.3. Circuito conmutador . . . . . . . . . . . . . . 37
V
3.2.1.4. Panel de control . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.2.2. Sistema 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.2.2.1. Equipamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.2.2.2. Diagrama de bloques . . . . . . . . . . . . . . 42
3.2.2.3. Circuito conmutador . . . . . . . . . . . . . . 43
3.2.2.4. Panel de control . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.2.3. Prueba de medición . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.3. Preparación de la muestra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3.3.1. Corte y limpieza de las muestras . . . . . . . . . . . . 47
3.3.2. Deposición de contactos . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.3.3. Tratamiento térmico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
4. Resultados y discusión 50
4.1. Caracterización de contactos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
4.1.1. Silicio tipo-p de bajo dopaje . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.1.2. Silicio tipo-n de bajo dopaje . . . . . . . . . . . . . . . 54
4.2. Medidas de resistividad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
4.2.1.1. En los vertices . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
4.2.1.2. En los lados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
4.2.2.1. En los vertices . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
4.3. Efectos de las medidas sobre la superficie de la muestra . . . . 59
VI
Índice de figuras
2.1. Barra conductora de longitud L y sección transversal con área

A = W ∗ t sometida a un potencial eléctrico externo. . . . . . 2
2.2. Clasificación de algunos elementos y compuestos por su resis-
tividad (conductividad). Extraido de [1]. . . . . . . . . . . . . 4
2.3. Estructura tridimensional del silicio. . . . . . . . . . . . . . . 5
2.4. Representación bidimensional del silicio intrı́nseco. (a) a baja
temperatura. (b) a temperatura ambiente .Extraı́do de [1]. . . 6
2.5. Semiconductor intrı́nseco. (a) Diagrama de bandas (b) Densi-
dad de estados (c) Función de distribución de Fermi (d) Con-
centración de portadores. Gráfico extraido de [1] . . . . . . . . 7
2.6. Concentración de portadores intrı́nsecos para el silicio y el ar-
seniuro de galio en función de la temperatura. Gráfico extraido
de [2]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.7. Representación bidimensional de un semiconductor (a) tipo-n
y (b) tipo-p. Gráfico extraı́do de [1] . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.8. Semiconductor tipo-n. (a) Diagrama de bandas (b) Densidad
de estados (c) Función de distribución de Fermi (d) Concen-
tración de portadores. Gráfico extraido de [1] . . . . . . . . . . 9
2.9. Semiconductor tipo-p. (a) Diagrama de bandas (b) Densidad
de estados (c) Función de distribución de Fermi (d) Concen-
tración de portadores. Gráfico extraido de [1] . . . . . . . . . . 9
2.10. Potencial eléctrico externo aplicado a una barra semiconductora. 10
2.11. Diagrama de bandas de un semiconductor instrı́nseco sometido
a un potencial eléctrico externo. . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.12. Movilidad de los electrones y huecos vs la concentración. Gráfi-
co extraido de [2] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.13. Concentración de impurezas en silicio tipo-p y tipo-n vs la
resistividad a temperatura ambiente. Gráfico extraido de [2]. . 12
2.14. Unión metal-semiconductor. (a) Antes del contacto (b) Des-
pués del contacto. Gráfico extraido de [2]. . . . . . . . . . . . 14
VII
2.15. (a) Dispositivo con dos uniones metal-semiconductor. (b) Cir-
cuito equivalente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.16. Electrones fluyendo a través de la unión por tunelaje. . . . . . 15
2.17. Método de los cuatro puntos en un volumen semi-infinito. . . . 16
2.18. Dispersión de la corriente dentro de un volumen semi-infinito. 17
2.19. Dispersión de la corriente dentro de una superficie semi-infinita
de espesor t. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.20. Factor de corrección G(t/s). Lı́nea azul: ecuación 2.44. Lı́nea
roja: ecuación 2.46. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.21. Muestras finitas para el método de los cuatro puntos: (a) rec-
tangular (b) circular. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.22. Factor de corrección C(d/s) para una muestra circular y cua-
drada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.23. Factor de corrección K(t/s) para un arreglo cuadrado dentro
de una muestra de lados a y d, y de espesor t. . . . . . . . . . 24
2.24. Gráfica del factor de corrección k(s/d) para una muestra cua-
drada (a/d = 1,0). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.25. Primera configuración de van der Pauw. . . . . . . . . . . . . 26
2.26. Segunda configuración de van der Pauw. . . . . . . . . . . . . 27
2.27. Resistencias caracterı́sticas de van der Pauw . . . . . . . . . . 28
2.28. Factor de corrección f de Van der Pauw. . . . . . . . . . . . . 30
2.29. (a) Forma de trébol. (b) Forma cuadrada con los contactos
en los vértices. (c) Forma cuadrada con los contactos en los
lados. (d) Forma cuadrada con los contactos internos. Gráficos
extraı́dos de [13]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3.1. Primeras cuatro configuracines para obterner la resistencia ca-

racterı́stica RA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
3.2. Segundas cuatro Configuraciones para obterner la resistencia
caracterı́stica RB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.3. Función g(x). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
3.4. Diagrama de bloques para las mediciones de corriente-voltaje
del sistema 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.5. Diagrama de bloques para el método de Van der Pauw del
sistema 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.6. Tarjetas (a) Keythley 7055 y (b) Keithley 7059, instaladas
dentro del scanner Keithley 705 con sus respectivos arreglos
para las permutaciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.7. Conexiones internas de las tarjetas en el Scanner 705, cuando
el canal 1 esta cerrado en ambas tarjetas se obtiene la primera
configuración R21,34 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
VIII
3.8. Panel de control para las mediciones de corriente-voltaje de
ocho combinaciones con el sistema 1. . . . . . . . . . . . . . . 39
3.9. Panel de control para las mediciones de Van der Pauw con el
sistema 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.10. Sistema 1 para mediciones de corriente-voltaje y de resistivi-
dad por el método de Van der Pauw. . . . . . . . . . . . . . . 40
3.11. Keithley 2450 (a) Frontal (b) Posterior. . . . . . . . . . . . . . 42
3.12. Diagrama de bloques para el sistema 2. . . . . . . . . . . . . . 42
3.13. Conexiones y canales de la tarjeta Keithley 7708. . . . . . . . 43
3.14. Parte posterior del sistema 2 mostrando las conexiones. . . . . 43
3.15. Panel de control para las mediciones de corriente-voltaje de
ocho combinaciones con el sistema 2. . . . . . . . . . . . . . . 44
3.16. Panel de control para las mediciones de Van der Pauw con el
sistema 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.17. Sistema 2 para mediciones de corriente-voltaje y de resistivi-
dad por el método de Van der Pauw. . . . . . . . . . . . . . . 45
3.18. Método de Van der Pauw en una lamina circular de oro. . . . 46
3.19. Muestra de silicio y la máscara en el recipiente ultrasónico. . . 47
3.20. Muestra adherida en la máscara. . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3.21. Evaporadora Balzers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.22. Deposición de los contactos de aluminio. . . . . . . . . . . . . 48
3.23. Muestra con los contactos depositados. . . . . . . . . . . . . . 49
3.24. Tratamiento térmico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
4.1. Mediciones de 8-IV para el primer caso de la configuración

aspa para el silicio tipo-p de bajo dopaje. . . . . . . . . . . . . 51
4.2. Mediciones de 8-IV para el segundo caso de la configuración
aspa para el silicio tipo-p de bajo dopaje. . . . . . . . . . . . . 51
4.3. Mediciones de 8-IV para el tercer caso de la configuración aspa
para el silicio tipo-p de bajo dopaje. . . . . . . . . . . . . . . . 52
cruz para el silicio tipo-p de bajo dopaje. . . . . . . . . . . . . 52
cruz para el silicio tipo-p de bajo dopaje. . . . . . . . . . . . . 53
4.6. Mediciones de 8-IV para el tercer caso de la configuración cruz
para el silicio tipo-p de bajo dopaje. . . . . . . . . . . . . . . . 53
aspa para el silicio tipo-n de bajo dopaje. . . . . . . . . . . . . 54
IX
4.9. Mediciones de 8-IV para el tercer caso de la configuración aspa
para el silicio tipo-n de bajo dopaje. . . . . . . . . . . . . . . . 55
4.10. Mediciones de 8-IV para el cuarto caso de la configuración
4.11. Mediciones de 8-IV para el quinto caso de la configuración
4.12. Contactos ubicados en los vértices de la muestra. . . . . . . . 57
4.13. Contactos ubicados en los lados de la muestra. . . . . . . . . . 58
4.14. Contactos ubicados en los vértices de la muestra. . . . . . . . 58
4.15. Configuraciones en (a) aspa y (b) cruz. . . . . . . . . . . . . . 59
4.16. Muestra semiconductora tipo-p de bajo dopaje. . . . . . . . . 60
4.17. Muestra semiconductora tipo-p de bajo dopaje. . . . . . . . . 61
4.18. Factor de corrección k obtenido para un semiconductor tipo-p
de bajo dopaje. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
4.19. Muestra semiconductora tipo-n de bajo dopaje. . . . . . . . . 63
4.20. Factor de corrección k obtenido para el semiconductor tipo-n
de bajo dopaje. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
4.21. Muestra con los contactos en configuración de aspa. . . . . . . 65
X
Índice de tablas
2.1. Factor de corrección C(d/s) para diferentes geometrı́as de mues-

tras. Datos extraı́dos de [11]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.2. Factor de corrección k(d/s) para diferentes tamaños de mues-
tras. Datos extraidos de [3]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.1. Lista de equipos y accesorios para el sistema 1. . . . . . . . . . 35

3.2. Lista de equipos y accesorios para el sistema 2. . . . . . . . . . 41
3.3. Resultados de medición de la medición de resistiviad de la
lámina de oro. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
4.1. Resultados de medidas de resistividad para un silicio de bajo

dopaje tipo-p en los vértices. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
dopaje tipo-p en los lados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
dopaje tipo-n en los vértices. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
4.4. Resultados de resistencias caracterı́sticas para un silicio tipo-p
de bajo dopaje de 8mm2 en configuración de aspa . . . . . . . 60
4.5. Resultados de resistencias caracterı́sticas para un silicio tipo-p
de bajo dopaje de 8mm2 en configuración de cruz . . . . . . . 61
4.6. Resultados de resistencias caracterı́sticas para un silicio tipo-n
de bajo dopaje de 18mm2 en configuración de aspa. . . . . . . 63
XI
Capı́tulo 1
Introducción
Desde 1947 con la invención del transistor en los laboratorios Bell, los
semiconductores han sido de gran interés para el desarrollo de componentes
y dispositivos electrónicos, que han dado paso a la tecnologı́a actual y a la
industria electrónica.
Los semiconductores tienen la propiedad de ser conductores o aislantes
dependiendo de su temperatura o de la cantidad de impurezas que contenga el
semiconductor. Inicialmente se utilizó germanio en los laboratorios Bell para
la fabricación de transistores. En la actualidad el material semiconductor más
usado es el silicio por ser más tolerante al calor que el germanio y por ser uno
de los materiales más abundantes en el planeta. Al silicio se le encuentra como
material fundamental en la fabricación de diodos, LEDs, circuitos integrados,
celdas solares, transistores, microprocesadores, etc.
Para el diseño y posterior construcción de un dispositivo o componente
electrónico se requiere una medida precisa de sus propiedades electrónicas,
una propiedad importante a medir es la conductividad (resistividad) del ma-
terial.
El objetivo de esta tesis es la implementación de un sistema para la medi-
ción de la resistividad de materiales semiconductores y comprobar los efectos
debido a la ubicación de los contactos en el área superficial de la muestra
durante la medición de la resistividad.
En el capı́tulo dos revisaremos la teorı́a de resistividad, materiales semi-
conductores y los métodos de medición de resistividad. Luego, en el capı́tulo
tres describiremos los detalles de la implementación del sistema de medición
de resistividad por el método de Van der Pauw. Finalmente, en el capı́tulo
cuatro se presentan los resultados experimentales de las medidas de resistivi-
dad en pelı́culas delgadas semiconductoras y de las medidas cuando se varı́an
la ubicación de los contactos en el área superficial de la muestra.
1
Capı́tulo 2
Marco Teórico
En este capı́tulo se hace primero una revisión de los conceptos clásicos de

resistividad, resistencia y resistencia superficial. Estas caracterı́sticas eléctri-
cas permiten clasificar los materiales. En la segunda parte se presenta una
introducción de los materiales semiconductores y de sus propiedades. En la
tercera parte se hace una revisión de los métodos para medir la resistividad
y de los factores de corrección.
2.1. Resistividad
La resistividad eléctrica de un material es una propiedad fı́sica intrı́nseca
e independiente de su tamaño o forma, que nos da información acerca de
cómo se comporta el material al paso de la corriente eléctrica. Se le repre-
senta por la letra griega rho (ρ) y su unidad es ohm.centı́metro (Ω − cm).
Figura 2.1: Barra conductora de longitud L y sección transversal con área

A = W ∗ t sometida a un potencial eléctrico externo.
2
Por ejemplo, si se le somete a un potencial eléctrico externo V a una barra
conductora de longitud L y de área transversal A como en la figura (2.1), se
producira un campo eléctrico interno E dentro de la barra que es igual al
producto de la resistividad de la barra por la densidad de corriente eléctrica
E = ρj (2.1)
También, el campo eléctrico E es igual al potencial eléctrico aplicado
entre la longitud de la barra
V
E= (2.2)
L
Al igualar las ecuaciones (2.1) y (2.2)
V
ρ= (2.3)
jL
y como la densidad de corriente j es igual a la corriente eléctrica I entre el
área transversal A de la barra
I
j= (2.4)
A
Reemplazando (2.4) en (2.3) se encuentra la ecuación para calcular la
resistividad eléctrica de una barra, que está en función de sus dimensiones,
del potencial eléctrico y de la corriente eléctrica aplicada
AV
ρ= (2.5)
LI
A la inversa de la resistividad se le conoce como conductividad, se le repre-
senta por la letra griega sigma (σ) y su unidad es en Siemens por centı́metro
(S/cm).
1
σ= (2.6)
ρ
Se define una nueva cantidad R que es igual a la relación del voltaje y de
la corriente aplicada, esta relación es conocida como la ”ley de ohm”.
AR
ρ= (2.7)
L
Despejando R
L
R=ρ (2.8)
A
3
Por lo tanto, la resistencia eléctrica R de la barra es directamente pro-
porcional a sus dimensiones.
También se puede definir otra nueva cantidad denominada resistencia
superficial Rs , tomando t como el espesor de la barra,
ρ
Rs = (2.9)
t
La resistencia superficial es una cantidad muy usada en la electrónica
planar donde el espesor es muy pequeño comparado con su longitud. La
resistencia superficial tiene unidades de ohmios por cuadrado[4].
Dependiendo de la resistividad (conductividad), los materiales se pueden
clasificar como aislantes, semiconductores y conductores como se les repre-
senta en la figura 2.2
Figura 2.2: Clasificación de algunos elementos y compuestos por su resistivi-

dad (conductividad). Extraido de [1].
Como se puede ver en la figura 2.2 los materiales aislantes tienen una alta
resistividad (baja conductividad). En el caso de los materiales semiconducto-
res, estos poseen un rango de valores de resistividad entre 108 y 10−3 Ω − cm
Esto es debido a que las propiedades eléctricas dependen de impurezas y de-
fectos, ası́ como también de la temperatura en que se encuentre el material.
4
2.2. Materiales semiconductores
Los materiales semiconductores son elementos como el silicio y el germa-
nio, que se encuentran en el grupo 14 de la tabla periódica, y otros compuestos
como el arseniuro de galio (GaAs).
2.2.1. Semiconductor intrı́nseco

Un semiconductor cristalino intrı́nseco, es un semiconductor con muy
baja densidad de impurezas. La figura 2.3 muestra la estructura de forma de
diamante de la celda unitaria de silicio con sus cuatro enlaces covalentes.
Figura 2.3: Estructura tridimensional del silicio.
La estructura de un sólido de silicio también se puede representar de

forma bidimensional como en la figura 2.4(a) con todos los enlaces del silicio
ocupados a temperaturas muy bajas, mientras que a temperaturas más altas
los electrones pueden ganar energı́a térmica y se pueden liberar de sus enlaces
como en la figura 2.4(b). Al estado vacante que deja el electrón se le denomina
hueco, que a diferencia del electrón tiene una carga positiva y una masa
efectiva un poco mayor, entonces, la conducción de un semiconductor se
debe a la movilidad de los electrones denominados portadores de carga.
Por la gran cantidad de átomos que forman un semiconductor (1023
átomos/cm3 ) y de las interacciones entre todos ellos, los niveles energéticos
más altos de todos los átomos del semiconductor se superponen para formar
dos bandas de energı́a. La banda de energı́a donde se encuentran todos los
electrones de valencia a T > 0◦ K se denomina ”banda de valencia cuando
2
los electrones son excitados por energia térmica pasan a ocupar la ”banda
de conducción”. La banda de valencia y la banda de conducción se encuen-
tran separados por un gap de energı́a denominada ”banda prohibida”donde
5
no existen niveles energéticos permitidos como se le representa en la figura
2.5(a)
(a) (b)
Figura 2.4: Representación bidimensional del silicio intrı́nseco. (a) a baja

temperatura. (b) a temperatura ambiente .Extraı́do de [1].
En la figura 2.5(a) se representa la energı́a, E, de los niveles electrónicos.

EC es el nivel energético más bajo de la banda de conducción, EV es el nivel
energético más alto de la banda de valencia, la diferencia de estos niveles es
igual a la energı́a de la banda prohibida Eg . En el caso del silicio la energı́a
de la banda prohibida es igual a 1.11 eV y del germanio es de 0.66 eV, la
energı́a de la banda prohibida representa la anergı́a mı́nima que necesita un
electrón para pasar de la banda de valencia a la banda de conducción.
En la figura 2.5(b) se representa la densidad de estados N (E), que es la
cantidad de estados permitidos en un intervalo de energı́a.
La probabilidad de encontrar un electrón a una energı́a E y a una tem-
peratura T está sujeta a la distribución de Fermi:
1
F (E) = (2.10)
1+ e(E−EF )/kT
EF es el nivel de Fermi, que es el nivel energético donde la probabilidad de
ocupación de un electrón es del 50 % a 0◦ K, k es la constante de Boltzmann
y T es la temperatura en Kelvin.
En la figura 2.5(c) se representa la función distribución de Fermi a una
temperatura T > 0◦ K.En un semiconductor intrı́nseco el nivel de Fermi se
encuentra casi a la mitad de la banda prohibida.
En la figura 2.5(d) se muestra la concentración de portadores en una
unidad de volumen, la concentración de portadores a una temperatura dada
es la misma en un semiconductor intrı́nseco.
6
20 CHAPTER 1. PHYSICS AND PROPERTIES OF SEMICONDUCTORS-A REVIEW
Hence the Fermi level Eiof an intrinsic semiconductor generally lies very close to,
but not exactly at, the middle of the bandgap. The intrinsic carrier density ni can be
obtained from Eq. 21 or 23:
(
ni = N,exp - -
kT
EC-Ei
= N,exp(- ) 'G)" = f l e x (- 2s)
kT
(a) (b) (c) (d)

Figure 9 shows the temperature dependence of ni for Si and GaAs. As expected, the
Figura 2.5:
larger Semiconductor
the bandgap intrı́nseco.
is, the smaller (a)carrier
the intrinsic Diagrama de be.30
density will bandas (b) Densi-
dad de Itestados (c)that
also follows Función de distribución
for nondegenerate de Fermi
semiconductors, (d) Concentración
the product of the majority de
and minority
portadores. carrierextraido
Gráfico concentrations is fixed to be
de [1]
A temperatura ambiente la densidad de portadores intrı́nsecos del silicio

es igual a 9,65x109 cm−3 como se ve en la figura 2.6.
1 -I""
11000 500 200 100 27 0 -20

\ ' i ' i
0
1 OOO/T (K-I)
Fig. 9 Intrinsic carrier concentrations of Si and GaAs as a function of reciprocal temperature.

Figura 2.6:
(After Concentración
Refs. 22 and 29.) de portadores intrı́nsecos para el silicio y el arse-
niuro de galio en función de la temperatura. Gráfico extraido de [2].
7
2.2.2. Semiconductor extrı́nseco
Si a un semiconductor intrı́nseco se le agregan impurezas (dopado), por
ejemplo, se le agrega un átomo de arseniuro o un de fósforo a una estructura
de átomos de silicio como en la figura 2.7(a), el átomo de arseniuro tiene
5 electrones de valencia, entonces habrı́a un electrón extra en la estructura
cuando el arseniuro se enlaza con los otros átomos de silicio, a este tipo de
semiconductor con exceso de electrones se le denomina semiconductor tipo-n.
Cuando se agrega un átomo de boro o de aluminio, elementos del grupo 13,
con 3 átomos de valencia como en la figura 2.7(b) a la estructura de átomos
de silicio hay un una deficiencia de un electrón cuando el átomo de boro se
enlaza a la estructura se tendrı́a un hueco, a este tipo de semiconductor con
exceso de huecos se le denomina tipo-p.
(a) (b)
Figura 2.7: Representación bidimensional de un semiconductor (a) tipo-n y

(b) tipo-p. Gráfico extraı́do de [1]
En la figura 2.8(a) se muestra el diagrama de bandas para un semiconduc-

tor tipo-n con una mayor cantidad de electrones en la banda de conducción
y con pocos huecos en la banda de valencia a diferencia de un semiconduc-
tor intrı́nseco donde son de iguales cantidades. Adicionalmente, el efecto del
dopaje tipo-n es el de correr el nivel de Fermi más cerca de la banda de
conducción.
Se agregan estados permitidos dentro de la banda prohibida, muy cerca
a la banda de conducción, producido por las impurezas que aportan más
electrones como en la figura 2.8(b).
La distribución de Fermi también se desplaza más cerca a la banda de
conducción, aumentando la probabilidad de encontrar electrones con una
8
energı́a mayor de la banda de conducción como en la figura 2.8(c).
La concentración de portadores por unidad de volumén aumenta en la
banda de conducción por los electrones de las impurezas como en la figura
2.8(d).
(a) (b) (c) (d)
Figura 2.8: Semiconductor tipo-n. (a) Diagrama de bandas (b) Densidad de

estados (c) Función de distribución de Fermi (d) Concentración de portado-
res. Gráfico extraido de [1]
(a) (b) (c) (d)
Figura 2.9: Semiconductor tipo-p. (a) Diagrama de bandas (b) Densidad de

estados (c) Función de distribución de Fermi (d) Concentración de portado-
res. Gráfico extraido de [1]
9
Para el caso de un semiconductor tipo-p, es muy similar al tipo-n, con
la diferencia de que por la mayor concentración de huecos en la banda de
valencia (figura 2.9(a)) y los nuevos estados permitidos (figura 2.9(b)), el
nivel de Fermi se desplaza más cerca a la banda de valencia como se muestra
en la figura 2.9(c) y la concentración de portadores por unidad de volumén
aumenta en la banda de valencia por los huecos como en la figura 2.9(d).
2.2.3. Resistividad en un semiconductor
Figura 2.10: Potencial eléctrico externo aplicado a una barra semiconductora.
Cuando a una barra semiconductora se le aplica un potencial eléctrico

como en la figura 2.10, se produce un campo eléctrico interno en el semicon-
ductor que hace a los electrones y huecos adquirir una velocidad de deriva,
y puedan moverse (con respecto al valor de su carga eléctrica) a favor o en
contra del campo eléctrico. La velocidad de deriva es el promedio de las ve-
locidades en que se mueven los portadores en una unidad de volumén, y se
define como:
qEτc
v̄ = − (2.11)
m
Donde q es la carga eléctrica del portador, E es el campo eléctrico produ-
cido, m es la masa efectiva del portador, que es la masa del portador dentro
de una red periódica a diferencia de su masa cuando se encuentra libre, y
τc es el tiempo medio entre colisiones de los portadores con las imperfeccio-
nes del semiconductor. Se define un factor de proporcionalidad denominado
movilidad del portador µ = qτc /m, entonces
v̄ = −µE (2.12)
10
1.5 CARRIER-TRANSPORT PHENOMENA 29
= vth rm
,m (53)
where v1h is the thermal velocity given by
= 3k T . (54)
v m*
1h
For multiple scattering mechanisms, the efective mean ree time is derived rom
the individual mean ree times of scattering events by
1 1 +-
1 + ...
- = - (55)
rm 'ml 'mz
It can be seen that Eqs. 51 and 55 are equivalent.

Figure 15 shows the measured mobilities ofSi and GaAs versus impurity concen
trations at room temperature. As the impurity concentration increases (at room tem
Figura 2.11: Diagrama de bandas de un semiconductor instrı́nseco sometido
peraturea most shallow impurities are ionized) the mobility decreases, as predicted by
un potencial eléctrico externo.
Eq. 50. Also or larger m*, µ decreases; thus or a given impurity concentration the
electron mobilities
La figura 2.11ormuestra
these elsemiconductors
diagrama de bandas aredelarger than the hole
un semiconductor mobilities
intrı́nse-
(Appendixes F and
co cuando se leGaplica
list the
un efective masses)externo
potencial eléctrico . V . La banda de valencia
Figure
y la 16 shows
banda the temperature
de conducción efect
sufren una on mobility
inclinación igual aor
qV ,n-type
el campoandeléctri-
p-type silicon
samples. For lower impurity concentrations the mobility is limited by phonon
co hace que los electrones se muevan hacia la izquierda y los huecos hacia la scat
derecha mientras que colisionan con las imperfecciones del semiconductor.
tering and La
it decreases
figura 2.12with temperature
muestra as predicted
la movilidad by Eq.µ49.y The
de los electrones de losmeasured
huecos slopes,
however,µp are diferent de rom -3/2 because de of other scattering
n
en función la concentración impurezas mechanisms.
a temperatura ambiente,For these
entonces, la movilidad es máxima cuando el semiconductor tiene una baja
concentración de impurezas.
104
Si
"e µn
103
.� (a)
,� .
µp . .
,
10�
014 1015 1016 1017 1018 1019
Impurity concentration ( cm-3)
Figura 2.12: Movilidad de los electrones y huecos vs la concentración. Gráfico

extraido de [2] µn
GAs _
(b)
�f
102
11 -.
1014 101s 1016 1011 1018 1019
Impurity concentration (cm-3)
Fig.15 Drift mobility of(a) Si (After Ref. 40.) and (b) GaAs at 300 K vs. impurity concen
tration (ater Ref. 11 ).
La densidad de corriente de electrones Jn , es igual al producto de: la carga
del electrón, la concentración de impurezas, la movilidad de los electrones y
del campo eléctrico,
Jn = qnµn E (2.13)
Como en los semiconductores hay dos tipos de concentraciones (electrones
y huecos), la densidad de corriente es igual a
J = Jn + Jp = qnµn E + qpµp E (2.14)
J = (qnµn + qpµp ) E (2.15)

La cantidad entre paréntesis es la conductividad del semiconductor, que
es la relación del campo eléctrico y de la densidad de corriente
σ = q (nµn + pµp ) (2.16)
Figura 2.13: Concentración de impurezas en silicio tipo-p y tipo-n vs la re-

sistividad a temperatura ambiente. Gráfico extraido de [2].
12
E
c0
.-
."c
.-
d
Como la resistividad es la inversa de la conductividad
1
ρ= (2.17)
q (nµn + pµp )
Debido a la gran diferencia de los órdenes de magnitud de la concentración
de impurezas en un semiconductor extrı́nseco, la resistividad del silicio tipo-n
será
1
ρ= (2.18)
qnµn
y para el silicio tipo-p
1
ρ= (2.19)
qnµp
La figura 2.13 muestra la resistividad del silicio a temperatura ambiente
en función de la concentración de impurezas (dopaje)
2.2.4. Unión metal-semiconductor

Una parte fundamental en la fabricación de dispositivos semiconducto-
res es la metalización, que consiste en depositar contactos metálicos en el
semiconductor para la conexión con otros componentes o dispositivos.
Los métodos más utilizados de deposición son los siguientes[5]:
Evaporación térmica
Pulverización catódica
Deposición quı́mica en fase vapor
En la figura 2.14(a) se muestra el diagrama de bandas de un metal y un

semiconductor tipo-n antes del contacto. La función de trabajo del metal
qφm y del semiconductor qφs se define como la diferencia de energı́a entre el
nivel de vacı́o y del nivel de Fermi, la afinidad electrónica del semiconductor
qχ es la diferencia de energı́a entre el nivel de vacio y del nivel más bajo de
la banda de conducción.
Después del contacto en la figura 2.14(b) se forma una barrera, con una
altura igual a
qφBn = qφm − qχ (2.20)
13
(a)
(b)
Figura 2.14: Unión metal-semiconductor. (a) Antes del contacto (b) Después
del contacto. Gráfico extraido de [2].
Debido a esta barrera, la unión metal-semiconductor se comporta como

un diodo, dejando el paso de la corriente en un sentido y oponiendose al paso
de la corriente por el sentido inverso. Para un dispositivo con dos uniones
como en la figura 2.15(a), un circuito equivalente serı́a con dos diodos[6] y
la resistencia del semiconductor en serie entre los diodos como en la figura
2.15(b), la resistencia total serı́a
RT = RC + RS + RC (2.21)
14
(a) (b)
Figura 2.15: (a) Dispositivo con dos uniones metal-semiconductor. (b) Cir-
cuito equivalente.
Entonces, para una medida más precisa de la resistividad del semicon-

ductor se debe reducir al mı́nimo la resistencia RC para que no influya a la
medida de resistividad. Hay diferentes métodos para reducir los efectos de la
barrera de la unión metal-semiconductor, por ejemplo, si se reduce el ancho
de la deplexión de la unión metal-semiconductor con un semiconductor de
alto dopaje, los electrones pueden fluir a través de la barrera por un efecto
cuántico denominado tunelaje, que se produce cuando se tiene una barre-
ra de la escala de 5nm y los electrones pueden traspasar la barrera por su
comportamiento ondulatorio como en la figura 2.16.
Figura 2.16: Electrones fluyendo a través de la unión por tunelaje.
15
2.3. Métodos de medición de la resistividad
2.3.1. Método de los cuatro puntos
El primer método para medir la resistividad de los semiconductores fue
propuesto por L. Valdes [8] en el año 1951 y fue utilizado para medir la
resistividad del germanio en la fabricación de transistores.
Este método es conocido como “el método de los cuatro puntos”, y consis-
te en tener cuatro puntas conductoras colineales 1, 2, 3 y 4 separados a unas
distancias s1 , s2 y s3 respectivamente, se asume un volumen semi-infinito ho-
mogéneo e isotrópico como en la figura 2.17. Se hace ingresar una corriente
constante por la punta 1 y se le extrae por la punta 4, mientras se mide la
diferencia de voltaje entre las puntas 2 y 3.
Figura 2.17: Método de los cuatro puntos en un volumen semi-infinito.
Para hallar la resistividad se debe considerar la forma en que se dispersa

la corriente, por ser un volumen semi-infinito la dispersión de la corriente
será en forma de una semi-esfera de radio r como en la figura 2.18
La densidad de la corriente que ingresa por la punta 1 a una distancia r
será
I
j= (2.22)
2πr2
16
Figura 2.18: Dispersión de la corriente dentro de un volumen semi-infinito.
El campo eléctrico:
E = ρj (2.23)
entonces, el campo eléctrico a una distancia r del punto 1 será:
ρI
Er = (2.24)
2πr2
Por la relación del potencial y del campo eléctrico
dV
Er = − (2.25)
dr
Igualando 2.25 y 2.24
dV ρI
− = (2.26)
dr 2πr2
Reordenando e integrando
Z V r
ρI dr
Z
dV = − (2.27)
0 2π 0 r2
Entonces, el potencial eléctrico desde el punto 1 a una distancia r será
Iρ
Vr = (2.28)
2πr
17
El potencial eléctrico en el punto 2, cuando la corriente ingresa por el
punto 1 y sale por el punto 4
I14 ρ I14 ρ
V2 = − (2.29)
2πs1 2π(s2 + s3 )

I14 ρ 1 1
V2 = − (2.30)
2π s1 s2 + s3
y el potencial en el punto 3

I14 ρ 1 1
V3 = − (2.31)
2π s1 + s2 s3
la diferencia de potencial del punto 2 y del punto 3

I14 ρ 1 1 1 1
V23 = V2 − V3 = − − + (2.32)
2π s1 s2 + s3 s1 + s2 s3
La resistividad será
2π V
ρ= (2.33)
1
− 1
− 1
+ 1 I
s1 s2 +s3 s1 +s2 s3
Si s1 = s2 = s3 = s
V
ρ = 2πs (2.34)
I
Se encuentra la ecuación de la resistividad de una muestra ideal de volu-
men semi-infinito con las cuatro puntas igualmente espaciadas.
Para el caso de una superficie delgada se le puede considerar a la forma
de la dispersión de la corriente como el de un cilindro de una altura igual al
espesor de la superficie semi-infinita como en la figura 2.19.
Figura 2.19: Dispersión de la corriente dentro de una superficie semi-infinita

de espesor t.
18
La densidad de corriente será
I
j= (2.35)
2πrt
y el campo eléctrico
ρI
E= (2.36)
2πrt
por la relación del potencial y del campo eléctrico
Z VB Z rB
ρI dr
dV = − (2.37)
VA 2πt rA r
la diferencia de voltaje en los puntos B y A

ρI rA
VBA = ln (2.38)
2πt rB
La diferencia de potencial eléctrico en los puntos 2 y 3 cuando cuando
la corriente ingresa por el punto 1 y sale por el punto 4 en una superficie
semi-infinita de espesor t

ρI14 s1 + s2 ρI14 s3
V23 = ln − ln (2.39)
2πt s1 2πt s2 + s3

ρI14 (s1 + s2 )(s2 + s3 )
V23 = ln (2.40)
2πt s1 s3
Si s1 = s2 = s3 = s
πt V
ρ= (2.41)
ln 2 I
Entonces la resistivad en una superfie semi-infinita no depende de la dis-
tancias de las puntas cuando están igualmente espaciadas.
19
2.3.2. Factores de corrección
Como las muestras reales no son semi-infinitas, es posible introducir los
efectos de una muestra real, expresando la resistividad como[9]:
V
ρ=F (2.42)
I
Donde F es un factor de corrección, que a su vez es el producto de otros
factores de corrección que dependen del espesor, dimensiones, posición de las
puntas y forma de la muestra.
2.3.2.1. Factor de corrección G

La ecuación (2.42) se le puede expresar como
πt V
ρ= G(t/s) (2.43)
ln 2 I
Donde G(t/s) es un factor de corrección que depende del espesor y de la
distancia de las puntas en una superficie semi-infinita
Valdes [8] obtuvo el factor de corrección G(t/s) por medio del método de
las imágenes. Albers y Berkowitz [10] en el año 1985 obtuvieron la siguiente
fórmula:
ln 2
G(t/s) = n o (2.44)
sinh(t/s)
ln sinh(t/2s)
En la figura 2.20 (lı́nea azul) se grafica la ecuación (2.44), donde se puede

observar que cuando la proporción del espesor y de la separación de las puntas
es muy pequeña (t/s < 0,1) el factor de corrección es igual a 1 y se obtiene la
ecuación de la resistividad (2.42) para una superficie semi-infinita. Cuando
t/s es mayor que 4, el factor de corrección se puede aproximar a (lı́nea roja):
V
ρ = 2πs (2.45)
I
Si se reemplaza la ecuación (2.46) en (2.43) se obtiene la ecuación de
resistividad para un volumen semi-infinito[9]
2s ln 2
G(t/s) ≈ (2.46)
t
Por lo tanto, cuando la relación de la separación de las puntas y del
espesor en una muestra es muy pequeña se le puede considerar como una
20
superficie semi-infinita y cuando es muy grande se le puede considerar como
un volumen semi-infinito, a pesar de que son muestras no infinitas.
Figura 2.20: Factor de corrección G(t/s). Lı́nea azul: ecuación 2.44. Lı́nea
roja: ecuación 2.46.
2.3.2.2. Factor de corrección C

En 1957, Smits [11] calculó el factor de corrección C para muestras fi-
nitas de formas circulares y rectangulares, para usarlo en obleas y circuitos
integrados por el método de las imágenes.
(a) (b)
Figura 2.21: Muestras finitas para el método de los cuatro puntos: (a) rec-
tangular (b) circular.
21
Se puede plantear una nueva ecuación donde se incluye el factor de co-
rrección C(d/s) que depende del tamaño de los lados y de la separación de
las puntas como en la figura 2.21.
V
ρ = t G(t/s) C(d/s) (2.47)
I
Si las muestras son delgadas, el factor de corrección G(t/s) se reduce a 1
V
ρ = t C(d/s) (2.48)
I
La tabla 2.1 muestra los resultados obtenidos por Smits, para una muestra
circular y muestras rectangulares de diferentes proporciones de lados. Como
se puede observar cuando d/s ≈ 0 (que es un caso ideal) el factor de corrección
es igual a π/ ln 2 (4.5324) en la ecuación (2.41) para la resistividad de una
superficie semi-infinita.
C(d/s)
d/s cı́rculo a/d = 1 a/d = 2 a/d = 3 a/d ≥ 4
0.000 4.5324 4.5324 4.5324 4.5325 4.5324
0.025 4.5076 4.5120 4.5129 4.5129 4.5129
0.050 4.4364 4.4516 4.4553 4.4553 4.4553
0.067 4.3646 4.3882 4.3947 4.3947 4.3947
0.100 4.1716 4.2209 4.2357 4.2357 4.2357
0.133 3.9273 4.0095 4.0361 4.0362 4.0362
0.200 3.3625 3.5098 3.5749 3.5750 3.5750
0.250 2.9289 3.1137 3.2246 3.2248 3.2248
0.333 2.2662 2.4575 2.7000 2.7005 2.7005
0.400 2.3532 2.3541 2.3541
0.500 1.9454 1.9475 1.9475
0.571 1.7196 1.7238 1.7238
0.667 1.4788 1.4893 1.4893
0.800 1.2467 1.2248
1.000 0.9988 0.9994
Tabla 2.1: Factor de corrección C(d/s) para diferentes geometrı́as de mues-

tras. Datos extraı́dos de [11].
La figura 2.22 muestra el factor de corrección C(d/s) para una muestra

circular y una cuadrada (a/d=1).
22
4.75
4.50 Circulo
Cuadrado
4.25
4.00
3.75
C(d/s)
3.50
3.25
3.00
2.75
2.50
2.25
2.00
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30
d/s
Figura 2.22: Factor de corrección C(d/s) para una muestra circular y cua-
drada.
2.3.2.3. Factor de corrección K

En 1970 Green y Gunn[3] encontraron el factor de corrección k como una
extensión del factor de corrección C(d/s) para arreglos simétricos rectangu-
lares de las puntas dentro de una muestra rectangular como en la figura 2.23.
la ecuación (2.48) quedarı́a
V
ρ = tK(d/s) (2.49)
I
23
Figura 2.23: Factor de corrección K(t/s) para un arreglo cuadrado dentro de
una muestra de lados a y d, y de espesor t.
La tabla muestra los factores de corrección, como se puede observar cuan-

do las puntas estan en el borde (d/s=1.0) y cuando la muestra es un cuadrado
(a/d=1.0) el factor de corrección se aproxima a π/ ln 2
πt V
ρ= (2.50)
ln 2 I
La ecuación (2.50) se reduce a la ecuación (2.41) para una superficie semi-
infinita ideal.
k(d/s)
d/s a/d=1.0 a/d=1.2 a/d=1.5 a/d=2.0 a/d=4.0
1.00 4.5324 2.8667 2.0936 1.7822 1.7076
1.25 4.5477 3.3358 2.7101 2.4454 2.3810
1.50 4.6508 3.7832 3.3044 3.0939 3.0418
1.75 4.8526 4.2321 3.8710 3.7070 3.6658
2.00 5.1168 4.6701 4.3988 4.2716 4.2391
2.50 5.7028 5.4677 5.3127 5.2358 5.2157
3.00 6.2516 6.1273 6.0373 5.9896 5.9779
4.00 7.0969 7.0662 7.0350 7.0156 7.0102
5.00 7.6504 7.6495 7.6392 7.6306 7.6281
7.00 8.2581 8.2694 8.2696 8.2680 8.2673
10.0 8.6434 8.6528 8.6551 8.6550 8.6549
ı́nf 9.0647 9.0647 9.0647 9.0647 9.0647
Tabla 2.2: Factor de corrección k(d/s) para diferentes tamaños de muestras.

Datos extraidos de [3].
24
9
7
K(s/d)
4
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
s/d
Figura 2.24: Gráfica del factor de corrección k(s/d) para una muestra cua-
drada (a/d = 1,0).
2.3.3. Método de Van der Pauw

Este método fue desarrollado por Van der Pauw[12] [13] en el año 1958
para muestras delgadas de forma arbitraria, se deben cumplir las siguientes
condiciones:
1. Los contactos deben estar a la periferia de la muestra.
2. Los contactos deben ser lo suficientemente pequeños.
3. Las muestre debe ser lo suficientemente delgada.
4. La muestra no tiene agujeros aislados.
Primeramente, se considera una superficie semi-infinita de espesor t con

las puntas en el borde, como de la figura 2.25
25
Figura 2.25: Primera configuración de van der Pauw.
La forma de dispersión de la corriene será de un semi-cilindro de altura

t, la densidad de corriente cuando ingresa por la punta 1 a una distancia r,
es
I
j= (2.51)
πrt
el campo eléctrico E = ρj
ρI
E= (2.52)
πrt
Por la relación del potencial y del campo eléctrico
dV
E=− (2.53)
dr
Integrando
B
ρI dr
Z
VBA =− (2.54)
πt A r
Entonces, la diferencia de potencial de dos puntos B y A

ρI rA
VBA = ln (2.55)
πt rB
La diferencia de potencial de los puntos 4 y 3 cuando la corriente ingresa
por el punto 1 y sale por el punto 2 como en la figura 2.25

ρI12 a+b ρI12 b
V43 = ln − ln (2.56)
πt a+b+c πt b+c

ρI12 (a + b)(b + c)
V43 = ln (2.57)
πt b(a + b + c)
26
Se define una cantidad denominada resistencia caracterı́stica R12,43 , cuan-
do la corriente ingresa por el punto 1 y sale por el punto 2, y se mide el voltaje
del punto 4 con respecto al punto 3

V43 ρ (a + b)(b + c)
R12,43 = = ln (2.58)
I12 πt b(a + b + c)
y despejando
πt b(a + b + c)
e− ρ R12,43 = (2.59)
(a + b)(b + c)
Para una segunda configuración donde la corriente ingresa por el punto
2 y sale por el punto 3 cuando se mide la diferencia de voltaje en los puntos
1 y 2 como de la figura 2.26.
Figura 2.26: Segunda configuración de van der Pauw.
la diferencia de potencial del punto 1 y 4

ρI23 (a + b)(b + c)
V14 = ln (2.60)
πt ac
Se define otra resistencia caracterı́stica R23,14 , cuando la corriente ingresa
por el punto 2 y sale por el punto 3, y se mide el voltaje del punto 1 con
respecto al punto 4

V14 ρ (a + b)(b + c)
R23,14 = = ln (2.61)
I23 πt ac
y despejando
πt ac
e− ρ R23,14 = (2.62)
(a + b)(b + c)
27
como
b(a + b + c) ac
1= + (2.63)
(a + b)(b + c) (a + b)(b + c)
entonces la suma de las ecuaciones 2.59 y 2.62 es igual a 1
πt πt
e− ρ R12,43 + e− ρ R23,14 = 1 (2.64)
y finalmente se encuentra la ecuación de van der Pauw.
Van der Pauw demostró que esta ecuación se puede extender para mues-
tras delgadas de forma arbitraria como de la figura 2.27
Cuando R12,43 = R23,14 = R
πt
ρ= R (2.65)
ln 2
se encuentra la ecuación (2.41) que es para una superficie ideal semi-infinita
V43 V14
(a) R12,43 = I12 (b) R23,14 = I23
Figura 2.27: Resistencias caracterı́sticas de van der Pauw
Con el fin de introducir efectos de inhomogeneidades a diferencia de la

ecuación (2.65), se introduce un factor de correción f que esta en función de
las resistencias caracterı́sticas

πt R12,43 + R23,14 R12,43
ρ= f (2.66)
ln 2 2 R23,14
si hacemos un cambio de variable
x1 = πtR12,43 (2.67)
x2 = πtR23,14 (2.68)
28
entonces
x1 + x2
ρ= f (2.69)
2 ln 2
también
1
x1 = ((x1 + x2 ) + (x1 − x2 )) (2.70)
2
1
((x1 + x2 ) − (x1 − x2 ))
x2 = (2.71)
2
reemplazando (2.70) y (2.71) en la ecuación (2.64)
1 1
e− 2ρ ((x1 +x2 )+(x1 −x2 )) + e− 2ρ ((x1 +x2 )−(x1 −x2 )) = 1 (2.72)
(x1 +x2 ) x1 −x2 x1 −x2

e− 2ρ e− 2ρ +e 2ρ =1 (2.73)
ya que, 2 cosh(x) = ex + e−x

−
(x1 +x2 ) x1 − x2
e 2ρ 2 cosh =1 (2.74)
2ρ
incluyendo una variable f = x2ρ1 +x ln 2
2

− lnf 2 x1 − x2 ln 2
e 2 cosh =1 (2.75)
x1 + x2 f
despejando
eln 2/f

x1 − x2 f
= cosh−1 (2.76)
x1 + x2 ln 2 2
reemplazando las resistencias caracterı́sticas, se encuentra la expresión ma-
temática para el factor de corrección f de Van der Pauw
eln 2/f

R12,43 − R23,14 f
= cosh−1 (2.77)
R12,43 + R23,14 ln 2 2
Van der Pauw recomienda que para tener mediciones con un menor error,
se deben usar muestras de forma simétrica, la forma de trébol como de la fi-
gura 2.29(a) es la más recomendada por minimizar los errores producidos por
el tamaño del contacto, como la forma de trébol es muy dificil de producir,
la forma cuadrada con los contactos en los vértices es la más aceptable como
en la figura 2.29(b). Van der Pauw no recomienda usar contactos centrados
29
en los lados o que se encuentren en el área superficial de la muestra como en
la figura 2.29(c) y 2.29(d) respectivamente.
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
f
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1 10 100 1000
R12,43/R23,14
Figura 2.28: Factor de corrección f de Van der Pauw.
(a) (b) (c) (d)
Figura 2.29: (a) Forma de trébol. (b) Forma cuadrada con los contactos en
los vértices. (c) Forma cuadrada con los contactos en los lados. (d) Forma
cuadrada con los contactos internos. Gráficos extraı́dos de [13].
30
Capı́tulo 3
Detalles experimentales
En esta sección se hace una descripción de todos los detalles de la imple-

mentación del sistema,
3.1. Método experimental

Para obtener el valor de la resistividad de una muestra se debe resolver
la ecuación (2.64)
πt πt
e− ρ R12,43 + e− ρ R23,14 = 1 (3.1)
Si se desea eliminar los efectos de las resistencias de los contactos y te-
ner una seguridad de la homogeneidad en las medidas, se deben hacer ocho
mediciones[14][15]. Con el promedio de las primera cuatro mediciones se ob-
tiene la resistencia caracterı́stica RA
R21,34 + R12,43 + R43,12 + R34,21
RA = (3.2)
4
y con el promedio de las otras cuatro mediciones se obtiene la resistencia
caracterı́stica RB
R32,41 + R23,14 + R41,32 + R14,23
RB = (3.3)
4
la ecuación de Van der Pauw quedarı́a
πt πt
e − ρ RA + e − ρ RB = 1 (3.4)
31
V34 V12
(a) R21,34 = I21 (b) R12,43 = I43
V43 V34
(c) R43,12 = I12 (d) R34,21 = I21
Figura 3.1: Primeras cuatro configuracines para obterner la resistencia ca-

racterı́stica RA .
Para una buena medición se debe comprobar que:
R21,34 = R12,43 (3.5)
R43,12 = R34,21 (3.6)
R32,41 = R23,14 (3.7)
R23,14 = R23,14 (3.8)

o al menos estas igualdades deben ser de valores muy proximos.
32
V41 V14
(a) R32,41 = I32 (b) R23,14 = I23
V14 V14
(c) R23,14 = I23 (d) R23,14 = I23
Figura 3.2: Segundas cuatro Configuraciones para obterner la resistencia ca-

racterı́stica RB .
Como la resistividad es igual a la resistencia superficial por el espesor
ρ = Rs t (3.9)
se puede reemplazar en la ecuación de Van der Pauw
πt πt
e − Rs R A + e − Rs R B = 1 (3.10)
e igualando a cero
πt πt
e − Rs R A + e − Rs R B − 1 = 0 (3.11)
33
Al hacer un cambio de variable Rs = x, se puede plantear una función
g(x)
πt πt
g(x) = e− x RA + e− x RB − 1 (3.12)
que cuando g(x) = 0 se encontrará el valor de x que es igual a la resistencia
superficial Rs
Por ejemplo, en la figura 3.3, se muestra la función G(x) con RA = RB =
6500, donde el cı́rculo rojo indica el punto a determinar donde G(x) = 0.
Figura 3.3: Función g(x).
Para encontrar el valor de x cuando G(x) es igual a 0 se usó el método de

la bisección. Por ejemplo, para una primera iteración se toman dos puntos
a0 y b0 , y se promedia para obtener un punto m0 . Como G(a0 ).G(m0 ) > 0 y
G(m0 ).G(b0 ) < 0, para la segunda iteración se hace un cambio de variables
a1 = m0 y b1 = b0 , y se hace el mismo procedimiento anterior. Luego de
n interaciones el punto mn será aproximadamente igual al punto x cuando
G(x) = 0.
34
3.2. Implementación del sistema
Se implementaron dos sistemas para la medición de corriente-voltaje y de
Van der Pauw.
3.2.1. Sistema 1
3.2.1.1. Equipamiento y accesorios
Caracterı́sticas Detalles
- Corriente máxima: 100 mA
Fuente de corriente Fuente en el método
- Corriente mı́nima: 1 nA
Keithley 220 de van der Pauw.
- Voltaje máximo: 105 V
Fuente de voltaje - Voltaje máximo: 101 V Fuente para las medidas
Keithley 230 - Corriente máxima: 100 mA de corriente-voltaje.
- Rangos: 10 mA, 100 mA,
Multı́metro digital 1 A, 3 A
En modo amperı́metro.
Keithley 2000 - Resolución: 10 nA, 100 nA,
1 uA, 10 uA
Multı́metro digital - Rangos: 100 mV, 1 V, 10 V,
En modo voltı́metro.
HP 34401A 100V, 1000 V
- Canales por tarjeta: 10 en
Scanner Conmutador programable
modo de 2-polos, 20 en modo
Keithley 705 en modo de 4-polos.
de 1-polo.
Tarjeta Accesorio con borneras
- Canales: 10
Keithley 7055 para el scanner 705.
Tarjeta Accesorio con borneras
- Canales: 10
Keithley 7059 para el scanner 705.
- Controlador GPIB de alto
rendimiento. Para comunicación de los
NI GPIB-USB
- Razones de transferencia de equipos con la PC.
hasta 1.8 MB/s.
Tabla 3.1: Lista de equipos y accesorios para el sistema 1.
35
3.2.1.2. Diagrama de bloques
Para el sistema de medición de corriente-voltaje se usa la fuente de voltaje
Keithley 230, con el multı́metro Keithley 2000 en serie para medir la corriente
y el multı́metro HP 34401A en paralelo para que mida el voltaje, luego la
salida de la fuente se conecta a dos entradas de la tarjeta del scanner Keithley
705, y las cuatro salidas del scanner se conectan a la muestra.
Figura 3.4: Diagrama de bloques para las mediciones de corriente-voltaje del

sistema 1.
Para el sistema de medición de resistividad se usa la fuente de corriente

Keithley 220 con el multı́metro Keithley 2000 en serie para medir la corriente
y van conectados a la primera tarjeta dentro del scanner Keithley 705. El
multı́metro HP 34401A se conecta a la segunda tarjeta para que mida el
voltaje. Finalmente, el scanner permuta las cuatro conexiones que van a la
muestra.
Figura 3.5: Diagrama de bloques para el método de Van der Pauw del sistema
1.
36
3.2.1.3. Circuito conmutador
El circuito conmutador está compuesta por las tarjetas Keithley 7055 y
Keithley 7059 que están instaladas dentro del scanner Keithley 705 como en
la figura 3.6 en modo de 4-polos. Cada tarjeta tiene 10 canales, por ejemplo,
para obtener la primera configuración R21,34 se cierra el canal 1 en ambas
tarjetas como en la figura 3.7
(a)
(b)
Figura 3.6: Tarjetas (a) Keythley 7055 y (b) Keithley 7059, instaladas dentro
del scanner Keithley 705 con sus respectivos arreglos para las permutaciones.
37
Figura 3.7: Conexiones internas de las tarjetas en el Scanner 705, cuando el
canal 1 esta cerrado en ambas tarjetas se obtiene la primera configuración
R21,34 .
38
3.2.1.4. Panel de control
Figura 3.8: Panel de control para las mediciones de corriente-voltaje de ocho

combinaciones con el sistema 1.
Figura 3.9: Panel de control para las mediciones de Van der Pauw con el
sistema 1.
39
Figura 3.10: Sistema 1 para mediciones de corriente-voltaje y de resistividad
por el método de Van der Pauw.
40
3.2.2. Sistema 2
3.2.2.1. Equipamiento
Caracterı́sticas Detalles
Fuente de voltaje:
- Rango: 20mV, 200mV, 2V,
20V, 200V.
- Resolución: 500nV, 5uV,
50uV, 500uV, 5mV.
Se usa como fuente de corriente,
SMU Fuente de corriente:
fuente de voltaje, amperı́metro y
Keithley 2450 - Rango: 10nA, 100nA, 1uA,
voltı́metro.
10uA, 100uA, 1mA, 10mA,
100mA, 1A.
- Resolución: 500fA, 5pA,
50pA, 500pA, 5nA, 50nA,
500nA, 5uA, 50uA.
Multı́metro - Conectividad: LAN, RS232. Controlador para la tarjeta
Keithley 2701 - Número de slots: 2 Keithley 2701.
Tarjeta - Tarjeta matriz 6x8, 2-polos. Conmutador para las diferentes
Keithley 7709 - Conector tipo-D de 50 pines. configuraciones.
- Microscopio digital de 2MP.
Microscopio Para posicionar las puntas
- Cuenta con luz blanca y
DinoLite correctamente en los contactos.
ultravioleta.
- 4 microprosicionadores XYZ.
Estación de - 4 puntas de prueba de
pruebas tungsteno.
- Base de platino.
Tabla 3.2: Lista de equipos y accesorios para el sistema 2.
41
3.2.2.2. Diagrama de bloques
En este segundo sistema de medición se usa el SMU Keithley 2450 como
fuente y como instrumento de medida. El Keithley 2450 cuenta con dos bornes
FORCE y dos bornes SENSE que se usan como fuente y como sensor de
medida respectivamente en la parte frontal y posterior como se muestra en
la figura 3.11.
(a) (b)
Figura 3.11: Keithley 2450 (a) Frontal (b) Posterior.
Para el sistema de medición de corriente-voltaje solo se usan los bornes

FORCE como fuente de voltaje y como amperı́metro, para el sistema de Van
der Pauw se usa los bornes FORCE como fuente de corriente y los bornes
SENSE como voltı́metro, todas las salidas del Keithley 2450 y del multı́metro
2701 van conectadas a una caja de conexiones, donde el multı́metro decide a
que punto de la muestra va cada salida del Keithley 2450 como en la figura
3.12.
Figura 3.12: Diagrama de bloques para el sistema 2.
42
3.2.2.3. Circuito conmutador
El multı́metro Keithley 2701 cuenta con dos slots para insertar tarjetas,
en este sistema se usó la tarjeta Keithley 7709 que actúa como conmutador,
La tarjeta 7709 es una tajeta matriz con seis filas y ocho columnas de 48
canales y una salida DB de 50 PINES, los bornes FORCE del Keithley 2450
se conectan a la primera fila de la tarjeta y los bornes SENSE se conectan
a la segunda fila. Las columnas de la tarjeta van conectadas a los cuatro
puntos de la muestra como en la figura 3.13, también se indica a que PIN del
conector DB va cada conexión.
Por ejemplo, para obtener la primera configuración R21,34 se cierra el canal
1 y el canal 10 como en la figura 3.13.
Figura 3.13: Conexiones y canales de la tarjeta Keithley 7708.
Figura 3.14: Parte posterior del sistema 2 mostrando las conexiones.
43
3.2.2.4. Panel de control
Figura 3.15: Panel de control para las mediciones de corriente-voltaje de ocho

combinaciones con el sistema 2.
Figura 3.16: Panel de control para las mediciones de Van der Pauw con el
sistema 2.
44
Figura 3.17: Sistema 2 para mediciones de corriente-voltaje y de resistividad
por el método de Van der Pauw.
Observación: Todos los programas de medición de los sistemas 1 y 2, de

corriente-voltaje y de resistividad, se encuentran adjuntos al CD incluyendo
su código fuente.
45
3.2.3. Prueba de medición
Para unas pruebas de medición se uso una lamina de aleación de oro con
un poco de platino de 0.1 mm de grosor, se utilizó el segundo sistema de van
der Pauw, por que el SMU 2450 puede generar corrientes de hasta de 1A,
que es necesaria para materiales de muy baja resistividad.
Figura 3.18: Método de Van der Pauw en una lamina circular de oro.
Para la obtención de los datos se hacen cinco medidas, en cada medida,

se hacen 50 medidas por permutación en medio segundo. El resultado es el
siguiente:
Corriente 1A RA (Ω) RB (Ω) Rs (Ω) f ρ (Ω − cm)

Medida 1 1.24E-04 5.90E-05 3.97E-04 9.54E-01 4.00E-06
Medida 2 1.23E-04 5.80E-05 3.91E-04 9.53E-01 4.00E-06
Medida 3 1.20E-04 5.80E-05 3.87E-04 9.53E-01 4.00E-06
Medida 4 1.21E-04 5.80E-05 3.89E-04 9.55E-01 4.00E-06
Medida 5 1.23E-04 6.00E-05 3.96E-04 9.57E-01 4.00E-06
Promedio 1.22E-04 5.86E-05 3.92E-04 9.55E-01 4.00E-06
Tabla 3.3: Resultados de medición de la medición de resistiviad de la lámina

de oro.
La resistividad del oro con un poco platino es de 4.00E-06 Ω − cm.
46
3.3. Preparación de la muestra
3.3.1. Corte y limpieza de las muestras
La muestra es cortada, de una oblea de silicio, con unas dimensiones que
puedan encajar en los agujeros extremos de la máscara para que los contactos
puedan ser depositados en los vértices de la muestra. La muestra y la máscara
deben ser limpiadas en un recipiente ultrasónico con alcohol isopropı́lico por
10 minutos como se le muestra en la figura 3.19
Figura 3.19: Muestra de silicio y la máscara en el recipiente ultrasónico.
Cuidadosamente se debe retirar la muestra del recipiente ultrasónico y

debe ser secada con hisopos, luego se le debe adherir a la máscara, con los
agujeros de los extremos de la máscara en los vértices de la muestra como en
la figura 3.20.
Figura 3.20: Muestra adherida en la máscara.
47
3.3.2. Deposición de contactos
Para la deposición de contactos se uso una evaporadora Balzers (figura
3.21). Primeramente, se colocan el material a depositar dentro de un crisol
de tungsteno, que para nuestro caso son pepitas cilı́ndricas de aluminio de
99.9 % de pureza, y la máscara con la muestra en la parte superior dentro de
la cámara del Balzers (figura 3.21).
Figura 3.21: Evaporadora Balzers.
La cámara del Balzers debe estar a muy baja presión (alrededor de 3 ×

10 mbar) para empezar la deposición, luego en el crisol se hace fluir una
−5
corriente de 3 a 15 Amperios que hace al aluminio fundirse y luego se vaporize

hasta llegar a la máscara con la muestra como en la figura 3.22.
Figura 3.22: Deposición de los contactos de aluminio.
48
El resultado de la deposición de contactos es el siguiente:
Figura 3.23: Muestra con los contactos depositados.
3.3.3. Tratamiento térmico

Para disminuir las capas de oxido entre la unión metal-semiconductor
se le debe someter a la muestra a un tratamiento térmico de 500◦ C por 15
minutos a una presión de 4 × 10−1 mbar dentro de un tubo de cuarzo con
un flujo continuo de nitrógeno para evitar la contaminación con el agua y el
oxigeno del ambiente como en la figura 3.24.
Figura 3.24: Tratamiento térmico
49
Capı́tulo 4
Resultados y discusión
En esta sección se presentan los resultados obtenidos, primero las curvas

de corriente-voltaje, luego las medidas de resistividad cumpliendo las con-
diciones de Van der Pauw y finalmente se presentan los efectos cuando se
hacen medidas de resistividad dentro de la muestra en diferentes distancias
y configuraciones.
4.1. Caracterización de contactos

Para la caracterización de los contactos se hicierón medidas de corriente-
voltaje, haciendo variar el voltaje de -5V a 5V y midiendo la corriente en las
configuraciones de los puntos que en más adelante se le harán las medidas de
resistividad.
El objetivo de esta medición es obtener curvas de corriente-voltaje lineales
para tener seguridad de que los contactos sean del tipo-óhmico y luego poder
proceder con las medidas de resistividad.
50
4.1.1. Silicio tipo-p de bajo dopaje
7x10-5
6x10-5
5x10-5
4x10-5
3x10-5
Corriente (A)
2x10-5
1x10-5
0
-1x10-5
-2x10-5 IV21: m-1 = (2.41E+5 ± 1.34E+1) Ω
-5 IV12: m-1 = (2.41E+5 ± 1.33E+1) Ω
-3x10
IV43: m-1 = (2.52E+5 ± 8.68E+0) Ω
-4x10-5 IV34: m-1 = (2.52E+5 ± 1.50E+1) Ω
IV32: m-1 = (2.45E+5 ± 1.62E+1) Ω
-5x10-5 IV23: m-1 = (2.45E+5 ± 1.22E+1) Ω
-6x10-5 IV41: m-1 = (2.43E+5 ± 9.34E+0) Ω
IV14: m-1 = (2.43E+5 ± 9.55E+0) Ω
-7x10-5
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Voltaje (V)
Figura 4.1: Mediciones de 8-IV para el primer caso de la configuración aspa

para el silicio tipo-p de bajo dopaje.
7x10-5
6x10-5
5x10-5
4x10-5
3x10-5
Corriente (A)
2x10-5
1x10-5
0
-1x10-5
-2x10-5 IV21: m-1 = (1.35E+5 ± 2.29E+1) Ω
-5 IV12: m-1 = (1.35E+5 ± 2.11E+1) Ω
-3x10
IV43: m-1 = (1.29E+5 ± 4.43E+1) Ω
-4x10-5 IV34: m-1 = (1.29E+5 ± 3.34E+1) Ω
IV32: m-1 = (1.31E+5 ± 2.03E+1) Ω
-5x10-5 IV23: m-1 = (1.31E+5 ± 1.95E+1) Ω
IV41: m-1 = (1.30E+5 ± 5.10E+1) Ω
-6x10-5
IV14: m-1 = (1.30E+5 ± 4.02E+1) Ω
-7x10-5
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Voltaje (V)
Figura 4.2: Mediciones de 8-IV para el segundo caso de la configuración aspa

51
7x10-5
6x10-5
5x10-5
4x10-5
3x10-5
Corriente (A)
2x10-5
1x10-5
0
-1x10-5
-2x10-5 IV21: m-1 = (8.24E+4 ± 6.72E+0) Ω
IV12: m-1 = (8.24E+4 ± 5.43E+0) Ω
-3x10-5 IV43: m-1 = (8.27E+4 ± 4.07E+0) Ω
-4x10-5 IV34: m-1 = (8.27E+4 ± 4.23E+1) Ω
IV32: m-1 = (8.09E+4 ± 2.90E+1) Ω
-5x10-5 IV23: m-1 = (8.09E+4 ± 2.89E+1) Ω
IV41: m-1 = (8.26E+4 ± 3.92E+1) Ω
-6x10-5
IV14: m-1 = (8.26E+4 ± 3.84E+1) Ω
-7x10-5
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Voltaje (V)
Figura 4.3: Mediciones de 8-IV para el tercer caso de la configuración aspa

8x10-5
7x10-5
6x10-5
5x10-5
4x10-5
3x10-5
Corriente (A)
2x10-5
1x10-5
0
-1x10-5
-2x10-5 IV21: m-1 = (1.40E+5 ± 4.39E+0) Ω
-3x10-5 IV12: m-1 = (1.40E+5 ± 3.48E+0) Ω
IV43: m-1 = (1.37E+5 ± 2.59E+1) Ω
-4x10-5
IV34: m-1 = (1.37E+5 ± 2.57E+1) Ω
-5x10-5 IV32: m-1 = (1.38E+5 ± 1.91E+1) Ω
-6x10-5 IV23: m-1 = (1.38E+5 ± 1.96E+1) Ω
IV41: m-1 = (1.35E+5 ± 1.54E+1) Ω
-7x10-5 IV14: m-1 = (1.35E+5 ± 1.22E+1) Ω
-8x10-5
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Voltaje (V)
Figura 4.4: Mediciones de 8-IV para el primer caso de la configuración cruz

52
8x10-5
7x10-5
6x10-5
5x10-5
4x10-5
3x10-5
Corriente (A)
2x10-5
1x10-5
0
-1x10-5
-2x10-5 IV21: m-1 = (9.92E+4 ± 1.30E+1) Ω
-3x10-5 IV12: m-1 = (9.92E+4 ± 7.41E+0) Ω
IV43: m-1 = (9.47E+4 ± 2.02E+1) Ω
-4x10-5
IV34: m-1 = (9.47E+4 ± 2.68E+1) Ω
-5x10-5 IV32: m-1 = (9.38E+4 ± 2.34E+1) Ω
-6x10-5 IV23: m-1 = (9.38E+4 ± 1.90E+1) Ω
IV41: m-1 = (9.84E+4 ± 1.65E+1) Ω
-7x10-5 IV14: m-1 = (9.84E+4 ± 1.27E+1) Ω
-8x10-5
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Voltaje (V)
Figura 4.5: Mediciones de 8-IV para el segundo caso de la configuración cruz

8x10-5
7x10-5
6x10-5
5x10-5
4x10-5
3x10-5
Corriente (A)
2x10-5
1x10-5
0
-1x10-5
-2x10-5 IV21: m-1 = (7.19E+4 ± 5.87E+1) Ω
-3x10-5 IV12: m-1 = (7.23E+4 ± 5.26E+1) Ω
IV43: m-1 = (7.15E+4 ± 7.79E+1) Ω
-4x10-5
IV34: m-1 = (7.16E+4 ± 8.99E+1) Ω
-5x10-5 IV32: m-1 = (6.84E+4 ± 7.36E+1) Ω
-6x10-5 IV23: m-1 = (6.84E+4 ± 7.25E+1) Ω
IV41: m-1 = (7.48E+4 ± 6.16E+1) Ω
-7x10-5 IV14: m-1 = (7.49E+4 ± 8.42E+1) Ω
-8x10-5
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Voltaje (V)
Figura 4.6: Mediciones de 8-IV para el tercer caso de la configuración cruz

53
4.1.2. Silicio tipo-n de bajo dopaje
9x10-5
8x10-5
7x10-5
6x10-5
5x10-5
4x10-5
3x10-5
Corriente (A)
2x10-5
1x10-5
0
-1x10-5
-2x10-5
IV21: m-1 = (5.45E+5 ± 5.28E+3) Ω
-3x10-5
IV12: m-1 = (5.43E+5 ± 5.42E+3) Ω
-4x10-5 IV43: m-1 = (9.22E+5 ± 1.71E+4) Ω
-5x10-5 IV34: m-1 = (9.22E+5 ± 1.69E+4) Ω
-6x10-5 IV32: m-1 = (7.86E+5 ± 1.72E+4) Ω
IV23: m-1 = (7.86E+5 ± 1.74E+4) Ω
-7x10-5
IV41: m-1 = (6.71E+5 ± 1.73E+3) Ω
-8x10-5 IV14: m-1 = (6.72E+5 ± 1.60E+3) Ω
-9x10-5
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Voltaje (V)
Figura 4.7: Mediciones de 8-IV para el primer caso de la configuración aspa

para el silicio tipo-n de bajo dopaje.
9x10-5
8x10-5
7x10-5
6x10-5
5x10-5
4x10-5
3x10-5
Corriente (A)
2x10-5
1x10-5
0
-1x10-5
-2x10-5
IV21: m-1 = (2.28E+5 ± 2.79E+2) Ω
-3x10-5
IV12: m-1 = (2.28E+5 ± 2.72E+2) Ω
-4x10-5 IV43: m-1 = (2.33E+5 ± 3.54E+2) Ω
-5x10-5 IV34: m-1 = (2.33E+5 ± 3.49E+2) Ω
-6x10-5 IV32: m-1 = (1.81E+5 ± 2.93E+2) Ω
IV23: m-1 = (1.81E+5 ± 2.87E+2) Ω
-7x10-5
IV41: m-1 = (2.76E+5 ± 3.76E+2) Ω
-8x10-5 IV14: m-1 = (2.76E+5 ± 4.36E+2) Ω
-9x10-5
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Voltaje (V)
Figura 4.8: Mediciones de 8-IV para el segundo caso de la configuración aspa

54
9x10-5
8x10-5
7x10-5
6x10-5
5x10-5
4x10-5
3x10-5
Corriente (A)
2x10-5
1x10-5
0
-1x10-5
-2x10-5
IV21: m-1 = (1.35E+5 ± 4.01E+2) Ω
-3x10-5
IV12: m-1 = (1.35E+5 ± 4.06E+2) Ω
-4x10-5 IV43: m-1 = (1.42E+5 ± 4.47E+2) Ω
-5x10-5 IV34: m-1 = (1.42E+5 ± 4.55E+2) Ω
-6x10-5 IV32: m-1 = (1.24E+5 ± 4.42E+2) Ω
IV23: m-1 = (1.24E+5 ± 4.39E+2) Ω
-7x10-5
IV41: m-1 = (1.44E+5 ± 3.84E+2) Ω
-8x10-5 IV14: m-1 = (1.44E+5 ± 3.82E+2) Ω
-9x10-5
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Voltaje (V)
Figura 4.9: Mediciones de 8-IV para el tercer caso de la configuración aspa

9x10-5
8x10-5
7x10-5
6x10-5
5x10-5
4x10-5
3x10-5
Corriente (A)
2x10-5
1x10-5
0
-1x10-5
-2x10-5
IV21: m-1 = (8.56E+4 ± 3.96E+2) Ω
-3x10-5
IV12: m-1 = (8.55E+4 ± 3.91E+2) Ω
-4x10-5 IV43: m-1 = (9.93E+4 ± 1.91E+2) Ω
-5x10-5 IV34: m-1 = (9.93E+4 ± 1.91E+2) Ω
-6x10-5 IV32: m-1 = (8.48E+4 ± 2.24E+2) Ω
IV23: m-1 = (8.47E+4 ± 2.26E+2) Ω
-7x10-5
IV41: m-1 = (9.52E+4 ± 2.61E+2) Ω
-8x10-5 IV14: m-1 = (9.56E+4 ± 2.48E+2) Ω
-9x10-5
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Voltaje (V)
Figura 4.10: Mediciones de 8-IV para el cuarto caso de la configuración aspa

55
9x10-5
8x10-5
7x10-5
6x10-5
5x10-5
4x10-5
3x10-5
Corriente (A)
2x10-5
1x10-5
0
-1x10-5
-2x10-5
IV21: m-1 = (6.62E+4 ± 1.76E+2) Ω
-3x10-5
IV12: m-1 = (6.60E+4 ± 1.73E+2) Ω
-4x10-5 IV43: m-1 = (6.19E+4 ± 1.59E+2) Ω
-5x10-5 IV34: m-1 = (6.19E+4 ± 1.65E+2) Ω
-6x10-5 IV32: m-1 = (5.97E+4 ± 2.00E+2) Ω
IV23: m-1 = (5.96E+4 ± 2.03E+2) Ω
-7x10-5
IV41: m-1 = (6.17E+4 ± 1.11E+2) Ω
-8x10-5 IV14: m-1 = (6.16E+4 ± 1.23E+2) Ω
-9x10-5
-5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5
Voltaje (V)
Figura 4.11: Mediciones de 8-IV para el quinto caso de la configuración aspa

Con todas las curvas I-V obtenidas de los contactos se comprueba que son
del tipo ohmico, por su carácter lineal, después de haber hecho un tratamiento
térmico.
También se puede observar que mientras los contactos esten más cerca
,la pendiente aumenta, como la resistencia se obtiene de la inversa de la
pendiente de la curva I-V, y la resistencia depende de las dimensiones, cuando
los contactos esten más cerca la resistencia disminuye.
56
4.2. Medidas de resistividad
Las medidas de resistividad se proceden cumpliendo las condiciones de
Van der Pauw, haciendo las mediciones de resistividad en los contactos que
se encuentran en la periferia de la muestra. Para obtener los datos se harán
50 mediciones de cada configuración en 0.5 segundos.

La muestra de silicio tipo-p es de 400µm de espesor y de lado de 7 mm.
4.2.1.1. En los vertices
Corriente RA (Ω) RB (Ω) f Rs (Ω) ρ (Ω − cm)

1 µA 20094.6559 17517.4171 0.9984 85099.0746 3403.9630
5 µA 20067.6245 17501.7672 0.9984 85001.7163 3400.0687
Tabla 4.1: Resultados de medidas de resistividad para un silicio de bajo

dopaje tipo-p en los vértices.
Figura 4.12: Contactos ubicados en los vértices de la muestra.
4.2.1.2. En los lados
Corriente RA (Ω) RB (Ω) f Rs (Ω) ρ (Ω − cm)

1 µA 19221.2189 17432.5225 0.9992 82994.9374 3319.7975
2 µA 19204.9765 17405.9803 0.9992 82898.3131 3315.9325
5 µA 19205.0180 17400.6085 0.9988 82885.4626 3315.4185

dopaje tipo-p en los lados.
57
Figura 4.13: Contactos ubicados en los lados de la muestra.
Como se puede observar al medir la resistividad en los vértices, que es lo

que recomienda Van der Pauw, y medir en los lados, lo cual no es recomen-
dado, las medidas de resistividad son diferentes.

La muestra de silicio tipo-n de 625µm de espesor y de 18 mm de lado.
4.2.2.1. En los vertices
Corriente RA (Ω) RB (Ω) f Rs ρ

1 µA 16567.5757 16168.2279 0.9999 74182.9620 4636.4351
2 µA 16482.9854 16291.0548 1.0000 74269.0160 4641.8135
5 µA 16412.0497 16577.4932 1.0000 74756.7980 4672.2999
10 µA 16304.4152 16917.3568 0.9999 75278.2659 4704.8916

dopaje tipo-n en los vértices.
Figura 4.14: Contactos ubicados en los vértices de la muestra.
Como se pueden ver en los resultados, la resistividad no es constante

cuando la corriente aplicada aumenta, esto se debe a que a mayor corriente
la muestra se puede calentar, y por ser un semiconductor se vuelve menos re-
sistivo, tambien la resistividad disminuye debido a la inyección de portadores
mayoritarios y/o minoritatios en la muestra[7].
58
4.3. Efectos de las medidas sobre la superficie
de la muestra
En esta sección se harán medidas de resistividad con los contactos sobre
la superficie de la muestra, incumpliendo la condición de Van der Pauw, que
siempre las medidas se deben hacer con los contactos en los vértices de una
muestra cuadrada. Entonces, a partir de la ecuación (2.66)
π R A + R B RA
ρ=t f ( RB ) (4.1)
ln 2 2
se agrega el factor de corrección k(s/d)
R A + R B RA
ρ = t k( ds ) f ( RB ) (4.2)
2
El factor de corrección k depende de la proporción de la distancia entre
los contactos y de la longitud del lado de la muestra.
Entonces para obtener k
2ρ
k( ds ) = RA
(4.3)
t (RA + RB ) f ( R B
)
donde ρ es la resistividad medida en los vértices.
Por lo tanto, para el caso de la medida de resistividad con los contactos en
los vértices, la proporción serı́a s/d = 1 como en la figura 4.15(a) y en el caso
de la medida de resistividad con los contactos centrados
√ en los lados como en
la figura 4.15(b), la proporción cambiarı́a a s/d = 2/2 que es una distancia
menor que cuando los contactos están en los vértices y por tanto una menor
medida de resistencias caracterı́sticas como se encontró en la sección 4.2.1.
(a) (b)
Figura 4.15: Configuraciones en (a) aspa y (b) cruz.
59
Además, se debe tener en cuenta el efecto del ángulo de la posición de los
contactos, cuando se toma de referencia dos ejes en el centro de la muestra
como en la figura 4.15.
Figura 4.16: Muestra semiconductora tipo-p de bajo dopaje.
Corriente RA (Ω) RB (Ω) f k s/d Configuración

1 µA
20094.6559 17517.4171 0.9984 4.5325
1.0000
5 uA
20067.6245 17501.7672 0.9984 4.5324
1 uA
18575.7171 17000.5937 0.9993 4.7873
0.6383
5 uA
18578.3821 17003.2600 0.9993 4.7811
1 uA
13464.6195 12674.4054 0.9997 6.5133
0.3165
5 uA
13544.0835 12743.4326 0.9997 6.4692
Tabla 4.4: Resultados de resistencias caracterı́sticas para un silicio tipo-p de

bajo dopaje de 8mm2 en configuración de aspa
60
Figura 4.17: Muestra semiconductora tipo-p de bajo dopaje.

1µA
19221.2189 17432.5225 0.9992 4.5323
0.6643
2µA
19204.9765 17405.9803 0.9992 4.5324
5µA
19205.0180 17400.6085 0.9988 4.5341
1µA
15845.3326 14981.5115 0.9997 5.3861
0.4516
2µA
15844.6231 14958.3234 0.9997 5.3840
5µA
15858.3546 14980.7887 0.9996 5.3775
1µA
11191.3420 11069.0962 1.0000 7.4568
0.2239
2µA
11194.4299 11070.0135 1.0000 7.4468
5µA
11196.2476 11071.9387 1.0000 7.4444
Tabla 4.5: Resultados de resistencias caracterı́sticas para un silicio tipo-p de

bajo dopaje de 8mm2 en configuración de cruz
61
Se comparan los resultados obtenidos del factor de corrección k con los
resultados teóricos obtenidos por Green y Gunn [3]
9.0
Green-Gunn
8.5 Aspa
Cruz
8.0
7.5
7.0
k
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
s/d
Figura 4.18: Factor de corrección k obtenido para un semiconductor tipo-p

de bajo dopaje.
Como se puede observar, los resultados son muy cercanos a los resultados
de Green-Gunn, pero aproximadamente el resultado es el mismo para la
configuración aspa con los contactos en los vértices (s/d=1) y es cercano
cuando los contactos estan en los lados (s/d=0.6) en la configuración cruz.
62
Figura 4.19: Muestra semiconductora tipo-n de bajo dopaje.

1µA 16567.5757 16168.2279 0.9999 4.5325
2µA 16482.9854 16291.0548 1.0000 4.5322
1.0000
5uA 16412.0497 16577.4932 1.0000 4.5322
10µA 16304.4152 16917.3568 0.9999 4.5324
1µA 17080.1060 14001.3321 0.9966 4.7898
2µA 16931.9102 13940.9724 0.9967 4.8270
0.6955
5µA 16932.7887 13958.3050 0.9968 4.8557
10µA 16921.9188 13977.5030 0.9968 4.8879
1µA 16538.0559 12295.2754 0.9924 5.1848
2µA 16484.8602 12220.0095 0.9923 5.2149
0.5415
5µA 16419.9550 12243.1953 0.9926 5.2552
10µA 16496.6081 12291.0388 0.9925 5.2692
1µA 13509.8339 11327.0784 0.9973 5.9897
2µA 13511.8930 11340.8426 0.9973 5.9926
0.3554
5µA 13663.4445 11439.9663 0.9973 5.9722
10µA 13734.6044 11472.7306 0.9972 5.9895
1µA 10468.5208 7426.1967 0.9899 8.3758
2µA 10496.1393 7445.9045 0.9899 8.3634
0.1676
5µA 10515.3206 7452.6797 0.9898 8.4066
10µA 10489.9761 7432.6127 0.9898 8.4869
Tabla 4.6: Resultados de resistencias caracterı́sticas para un silicio tipo-n de

bajo dopaje de 18mm2 en configuración de aspa.
63
Se comparan los resultados obtenidos del factor de corrección k con los
resultados teóricos obtenidos por Green y Gunn [3]
9.0
Green-Gunn
8.5 Aspa
8.0
7.5
7.0
k
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
s/d
Figura 4.20: Factor de corrección k obtenido para el semiconductor tipo-n de

bajo dopaje.
Como se puede observar, los resultados son algo irregulares con respecto a
los resultados de Green y Gunn, debido a la falta de simetria en la ubicación
de los contactos en la muestra, figura 4.19. Pero en los dos gráficos 4.18
y 4.20, coinciden que en los extremos (s/d=1) el factor de corrección es
aproximadamente π/ ln 2.
64
Conclusiones
Para hallar correctamente la resistividad ρ, usando la ecuación de Van

der Pauw:
RA + RB
ρ = t k(s=d) f(RA /RB ) (4.4)
2
los contactos se deben ubicar en los vértices de la muestra de forma cuadrada
como en la figura 4.21.
Figura 4.21: Muestra con los contactos en configuración de aspa.
Mientras que si se usa la misma ecuación (4.4) para hallar la resistividad

con los contactos dentro del área superficial de la muestra (s < d), se está
tomando en cuenta el factor de corrección k(s=d) , que corresponde al factor
de corrección de cuando los contactos se encuentran en los vértices, entonces
se estarı́a encontrando un valor de resistividad incorrecto ρ1
RA1 + RB1
ρ1 = t k(s=d) f(RA1 /RB1 ) (4.5)
2
ρ1 es menor a ρ porque la resistencias caracterı́sticas que se miden sobre
el área superficial RA1 y RB1 son menores que las resistencias caracterı́sticas
de los vértices RA y RB por encontrarse a una menor distancia, como se
demostró en las ecuaciones (2.28) y (2.38) que la caida de potencial depende
de la distancia en que se mida.
65
Según los datos obtenidos en esta tesis, para obtener el valor correcto de
la resistividad ρ cuando se miden las resistencias caracterı́sticas RA1 y RB1
dentro del área superficial de la muestra se debe usar el factor de corrección
k(s<d) en la ecuación de Van der Pauw:
RA1 + RB1
ρ = t k(s<d) f(RA1 /RB1 ) (4.6)
2
A partir de la ecuación (4.5) también se puede hallar el valor correcto
de la resistividad ρ si es que se le divide a la ecuación (4.5) por el factor de
corrección k(s=d) y se le multiplica por el factor de corrección correcto k(s<d)
como se muestra en la ecuación (4.7)
k(s<d)
ρ = ρ1 (4.7)
k(s=d)
Por otro lado, los sistemas de control presentados y descritos en esta tesis
fueron para caracterizar propiedades eléctricas de muestras cuadradas de
obleas de silicio. Se puede ampliar su uso para caracterizar pelı́culas delgadas
anisotrópicas producidas por pulverización catódica, sensores electrónicos,
celdas solares, transistores por efecto de campo, etc.
Finalmente, en su trabajo[12][13] Van der Pauw extendió su método para
obtener el factor Hall de muestras en forma de pelı́cula delgada utilizando
un campo magnético externo. Consideramos que este trabajo sienta las bases
para ampliar la linea de investigación en caracterización de pelı́culas delgadas
semiconductoras en el grupo de ciencia de los materiales de la sección fı́sica.
66
Bibliografı́a
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Wiley & Sons, 2008.
[2] Simon M Sze and Kwok K Ng. Physics of semiconductor devices. John
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electrónica fı́sica y microelectrónica. Addison-Wesley Iberoamericana,
1996.
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de medidas de efecto Hall basado en la técnica de Van der Pauw. PhD
thesis, Universidad Nacional de Colombia-Sede Manizales, 2006.
[15] Melo Quintero, Jhon Jaither, et al. Diseño y construcción de un siste-

ma de medidas de efecto hall DC y AC= Design and construction of a
measurement system of hall effect DC and AC. PhD thesis, Universidad
Nacional de Colombia-Sede Manizales, 2011.
68

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PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATÓLICA DEL PERÚ

Implementación de un sistema de medición

Tesis para optar el grado de Magister en Fı́sica

Deseo agradecer al Consejo Nacional de Ciencia, Tecnologı́a e Innovación

La resistividad eléctrica es una propiedad fı́sica intrı́nseca e independiente

The electrical resistivity is an intrinsic property independent of the size

2.1. Barra conductora de longitud L y sección transversal con área

3.1. Primeras cuatro configuracines para obterner la resistencia ca-

4.1. Mediciones de 8-IV para el primer caso de la configuración

2.1. Factor de corrección C(d/s) para diferentes geometrı́as de mues-

3.1. Lista de equipos y accesorios para el sistema 1. . . . . . . . . . 35

4.1. Resultados de medidas de resistividad para un silicio de bajo

En este capı́tulo se hace primero una revisión de los conceptos clásicos de

Figura 2.1: Barra conductora de longitud L y sección transversal con área

Figura 2.2: Clasificación de algunos elementos y compuestos por su resistivi-

2.2.1. Semiconductor intrı́nseco

Figura 2.3: Estructura tridimensional del silicio.

La estructura de un sólido de silicio también se puede representar de

Figura 2.4: Representación bidimensional del silicio intrı́nseco. (a) a baja

En la figura 2.5(a) se representa la energı́a, E, de los niveles electrónicos.

(a) (b) (c) (d)

A temperatura ambiente la densidad de portadores intrı́nsecos del silicio

11000 500 200 100 27 0 -20

Fig. 9 Intrinsic carrier concentrations of Si and GaAs as a function of reciprocal temperature.

Figura 2.7: Representación bidimensional de un semiconductor (a) tipo-n y

En la figura 2.8(a) se muestra el diagrama de bandas para un semiconduc-

(a) (b) (c) (d)

Figura 2.8: Semiconductor tipo-n. (a) Diagrama de bandas (b) Densidad de

(a) (b) (c) (d)

Figura 2.9: Semiconductor tipo-p. (a) Diagrama de bandas (b) Densidad de

2.2.3. Resistividad en un semiconductor

Figura 2.10: Potencial eléctrico externo aplicado a una barra semiconductora.

Cuando a una barra semiconductora se le aplica un potencial eléctrico

It can be seen that Eqs. 51 and 55 are equivalent.

Figura 2.12: Movilidad de los electrones y huecos vs la concentración. Gráfico

J = Jn + Jp = qnµn E + qpµp E (2.14)

J = (qnµn + qpµp ) E (2.15)

σ = q (nµn + pµp ) (2.16)

Figura 2.13: Concentración de impurezas en silicio tipo-p y tipo-n vs la re-

2.2.4. Unión metal-semiconductor

Deposición quı́mica en fase vapor

En la figura 2.14(a) se muestra el diagrama de bandas de un metal y un

qφBn = qφm − qχ (2.20)

Debido a esta barrera, la unión metal-semiconductor se comporta como

Entonces, para una medida más precisa de la resistividad del semicon-

Figura 2.16: Electrones fluyendo a través de la unión por tunelaje.

Figura 2.17: Método de los cuatro puntos en un volumen semi-infinito.

Para hallar la resistividad se debe considerar la forma en que se dispersa

Figura 2.19: Dispersión de la corriente dentro de una superficie semi-infinita

2.3.2.1. Factor de corrección G

En la figura 2.20 (lı́nea azul) se grafica la ecuación (2.44), donde se puede

2.3.2.2. Factor de corrección C

Tabla 2.1: Factor de corrección C(d/s) para diferentes geometrı́as de mues-

La figura 2.22 muestra el factor de corrección C(d/s) para una muestra

2.3.2.3. Factor de corrección K

La tabla muestra los factores de corrección, como se puede observar cuan-

Tabla 2.2: Factor de corrección k(d/s) para diferentes tamaños de muestras.

2.3.3. Método de Van der Pauw

1. Los contactos deben estar a la periferia de la muestra.