Universidad De Concepción

Facultad de Ciencias Fı́sicas y Matemáticas

DEPARTAMENTO DE GEOFÍSICA

REPRESENTACIÓN DEL MÉTODO SEV MEDIANTE

UNA ESTRUCTURA TRIDIMENSIONAL DISCRETIZADA

DELMARES ARQUIMEDES CHINJUNDA CARDOSO

Tesis para optar al grado de

GEOFÍSICO

Profesores guı́a:
Dr. JAIME ARTURO BELMONTE-POOL VILLANUEVA

VÍCTOR VILLAGRAN

5 de diciembre de 2021
Agradecimientos
Primeramente agradecer a Dios todo poderoso por el don de la vida, y por toda la gracia que ha derra-
mado sobre mi.

Vivimos un año 2020 que todos lo recordaremos para siempre, un año en el que varios han perdido a
sus seres queridos, y que todos los hemos pasado muy mal por la pandemia del COVID-19. Sin embargo,
hemos superado todo y se logró dar continuidad a este proyecto.

A mis familiares que siempre me han apoyado aun no estando cerca, pero sus mensajes siempre fueron
una gran motivación, además ustedes siempre han sido mi gran motivación en los momentos más difı́ci-
les, y por ustedes me he dedicado en lograr mis metas.

A todos los amigos y amigas y compatriotas del programa de Becas de Estudio que han venido a Chile con
el mismo propósito, no solo los agradezco como también los felicito porque hemos sido unos verdaderos
guerreros. Algunos lograron y otros no, porque realmente no era simple la batalla.No fue fácil abandonar
la familia para tener una vida tan lejos en un paı́s con un idioma y cultura distinta. Gracias por el gran
apoyo y su compañı́a en todos estos años, hemos formado una linda familia.

A todos los profesores del DGEO, en especial a mis profesores guı́a Arturo Belmonte y Victor Villagran.
Muchas gracias por toda la disposición y dedicación en sacar adelante el proyecto a pesar de todos los
inconvenientes que se presentaron en el camino, los agradezco también por toda la paciencia, el aporte
y todos sus concejos.

A todos los amigos, compañeros, conocidos, que directa o indirectamente me han apoyado en todo este
proceso, muchas gracias.

”Delmares Cardoso”

2
Resumen
El artefacto que motiva esta tesis se enfoca en discretizar el medio mediante bloques resistivos. Estos
bloques permitirán realizar estudios de SEV (Sondeo Eléctrico Vertical) en arreglo de Schlumberger, pa-
ra dos condiciones distintas. La técnica resistiva consiste en ingresar una corriente eléctrica a uno de los
bloques a través de un par de electrodos de inyección y medir la diferencia de potencial en los electrodos
de voltaje. Con los valores obtenidos se calcula la resistividad aparente para cada nivel prospectado.

Los bloques resistivos cumplen con el objetivo planteado, ya que al analizar los datos de resistividades
nos encontramos con perfiles que presentan la misma tendencia que las curvas teóricas, permitiendo ası́
seguir el análisis de técnicas resistivas en laboratorio.

Esta tesis apunta también a satisfacer la necesidad de establecer una actividad experimental que per-
mita al docente exponer, en una sala de clases, un problema en una fase intermedia entre los textos y
la literatura pertinente y las mediciones de campo.

El análisis de datos SEV se llevaron a cabo mediante rutinas en Matlab.

3
Índice general

1. Introducción 8
1.1. Prospección Geofı́sica de Resistividad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.2. Objetivos Principal y Secundarios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

2. Marco Teórico 12
2.1. Ecuaciones de Maxwell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.2. Distribución de la Corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.3. La Resistividad Aparente ρa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.4. Sondeo Eléctrico Vertical (SEV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.5. Dispositivos de electrodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.5.1. Arreglo tipo Wenner . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.5.2. Arreglo tipo Schlumberger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.5.3. Arreglo tipo dipolo-dipolo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

3. Metodologı́a 26
3.1. Equipos Utilizados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.2. Desarrollo Modelo Conceptual . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

4. Análisis y Resultados 37

5. Discusión 50
5.1. Ventajas del los Bloques Resistivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
5.2. Desventajas del los Bloques Resistivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

6. Conclusiones 52

7. Anexos I 53
7.0.1. Bloques 1D y 2D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
7.0.2. La tarjeta PCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

4
Índice de figuras

2.1. Fuente puntual de corriente en la superficie de un medio homogéneo. (Telford, et al.1990) 14

2.2. Dos electrodos de corriente y dos de potencial en la superficie de un suelo homogéneo e
isótropo de resistividad ρ. (Telford, et al.1990) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3. Sección vertical de lineas equipotenciales y flujo de corriente para dos fuentes puntuales
en una superficie homogénea.(Telford, et al., 1990) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.4. Determinación de la densidad de corriente en una tierra uniforme bajo dos electrodos en
superficie.(Telford, et al., 1990) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.5. Densidad de corriente versus profundidad (lı́nea continua) y espaciado de electrodos (lı́nea
discontinua) .(Telford, et al., 1990) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.6. Fracción de corriente fluyendo bajo una profundidad z1 para un electrodo de espacia-
miento L.(Telford, et al., 1990) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.7. Curvas teóricas para perfil de resistividad aparente de un medio con dos capas. . . . . . . 20
2.8. Arreglo electródico tipo Wenner. (Telford, et al.1990) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.9. Arreglo electródico tipo Shlumberger. (Telford, et al.1990) . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.10. Arreglo electródico tipo dipolo-dipolo. (Telford, et al.1990) . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

3.1. Multı́metro UT61E utilizado como voltı́metro para medición de los voltajes. . . . . . . . 27
3.2. Multı́metro FLUKE utilizado como amperı́metro para medición de corrientes. . . . . . . 27
3.3. Fuente de alimentación de laboratorio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.4. Un cilindro uniforme de longitud l y área de la sección transversal A. . . . . . . . . . . . 28
3.5. Aplicación del SEV sobre un cilindro. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.6. Análisis del factor geométrico F vs apertura de electrodos. . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.7. Análisis de la resistencia R vs apertura de electrodos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3.8. Distribución del campo eléctrico sobre un medio real. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3.9. Caso simétrico con M N equidistantes al punto medio de AB. . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.10. Representación del factor geométrico para un caso simétrico. . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.11. Caso homogéneo discreto en una dimensión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
3.12. Caso homogéneo discreto en dos dimensiones realizado en el software Falstad. . . . . . . . 33
3.13. Análisis de la resistencia R1kΩ vs apertura de electrodos, con datos del software Falstad
para un medio homogéneo discreto en dos dimensiones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.14. Análisis de la resistencia R10kΩ vs apertura de electrodos, con datos del software Falstad
para un medio homogéneo discreto en dos dimensiones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
3.15. Análisis de la resistencia vs apertura de electrodos, con datos del software Falstad para
un medio de dos capas discreto en dos dimensiones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

5
3.16. Análisis de la resistencia vs apertura de electrodos con datos del software Falstad, para
un medio de dos capas discreto en dos dimensiones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.17. Bloque resistivo discreto en una dimensión. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

4.1. Configuración de bloques para un medio de dos capas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

4.2. Esquema de configuración de bloques para un medio de dos capas. . . . . . . . . . . . . . 38
4.3. Perfil de Resistividad para medio homogéneo y de dos capas. . . . . . . . . . . . . . . . . 40
4.4. Configuración de bloques para un medio de dos capas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
4.5. Esquema de configuración de bloques para un medio de dos capas. . . . . . . . . . . . . . 41
4.6. Perfil de resistividad de dos capas, con bloque superior de 1.8kΩ y bloque inferior con
corto-circuito. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.7. Perfil de resistividad de dos capas, con bloque superior con corto-circuito y bloque inferior
de 1.8kΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.8. Bloque resistivo con resistencias de 1kΩ y 47kΩ en paralelo . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.9. Perfil de resistividad de dos capas, con bloque superior de 1.8kΩ y bloque inferior con
corto-circuito. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
4.10. Perfil de resistividad para medio de dos capas, con bloque superior con corto-circuito y
bloque inferior de 1.8kΩ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.11. Perfil de resistividad para medio de dos capas con bloque resistivo de 33kΩ y 1.8kΩ. . . . 48
4.12. Perfil de resistividad para medio de dos capas con bloque resistivo de 1.8kΩ y 33kΩ. . . . 49

7.1. Unidad elemental para los bloques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

7.2. Fabricación de un bloque 1D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
7.3. Esquema de un bloque resistivo 2D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
7.4. Tarjeta PCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
7.5. Estructura interna de la tarjeta PCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
7.6. Unidad elemental para los bloques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
7.7. Bloques Resisitivos conectados por PCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

6
Índice de cuadros

2.1. Cuadro con las ventajas y desventajas de los arreglos de resistividad (Jiracek, 1981) . . . 25

4.1. Datos SEV1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

4.2. Datos SEV2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
4.3. Datos SEV3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
4.4. Datos SEV4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

7
Capı́tulo 1

Introducción

Para cualquier desarrollo tecnológico en geofı́sica necesitamos tener un enfoque integrado, en el que
utilicemos estudios de casos teóricos, de laboratorio y reales en un modo interactivo. La prospección
geofı́sica es una de las técnicas más importantes para resolver diversos problemas asociados a definir
las condiciones fı́sicas y mecánicas de las estructuras geológicas del subsuelo. Mediante la aplicación de
métodos geofı́sicos es posible determinar la estratificación de suelos y rocas, midiendo los cambios de
caracterı́sticas fı́sicas de los materiales.

Los métodos eléctricos se han usado en múltiples áreas de prospección. Actualmente se usan mucho para
localización de aguas subterráneas (Kearey, 2002). La minerı́a también los usa principalmente en la forma
de Polarización Inducida (Telford, 1990). Antes del método magnetotelúrico y del audiomagnetotelúrico
se usaban los métodos eléctricos para geotermia (Orellana, 1982). También se usan intensivamente en
arqueologı́a o arqueometrı́a (Kearey, 2002).

Todas las técnicas geofı́sicas intentan distinguir o reconocer las formaciones geológicas que se encuentran
en profundidad mediante algún parámetro fı́sico, por ejemplo, en sı́smica por la velocidad de transmisión
de las ondas o en prospección eléctrica por la resistividad. Luego, es fundamental el uso de modelos de
laboratorio para la comprensión e interpretación de lo que ocurre en el campo, ası́ como poder descubrir
nuevas técnicas de medición.

Rajesh Rekapalli et. all 2013, han hecho un estudio para comprender las respuestas caracterı́sticas de las
muestras geológicas naturales como granito negro, mármol verde y láminas de grafito, y además tener
conocimiento de sus propiedades fı́sicas a través de imágenes de resistividad tomadas por un modelo de
laboratorio.

El experimento implicó el sistema de medición IRIS SYSCAL Pro-96, que utiliza 48 electrodos con una
separación entre electrodos de 2cm en un estanque de laboratorio, y se presentaron imágenes de sección
transversal 2D utilizando la matriz Wenner, Wenner-Schlumberger y dipolo-dipolo sobre las hojas re-
sistivas (granito, mármol) y conductoras (grafito). En general el modelo ha funcionado muy bien, pero
los arreglos de Schlumberger proporcionaron medidas más precisas en los parámetros de destino, y el
autor concluye que el uso combinado de ambas matrices es preferible en la búsqueda de objetivos de
alta resistencia por debajo de los de baja resistencia sobre la carga.

8
También hay estudios similares que han sido realizados por profesores de la Facultad de Ciencias Fı́sicas
y Matemáticas de la Universidad de Concepción (UDEC). Se han realizado varios experimentos para
la medición de resistividades en modelos de escala reducida (por ejemplo un medio con arcilla), pero
los resultados no han sido muy satisfactorios ya que se han deparado siempre con alguna limitación.
El profesor Dr. Arturo Belmonte, en el año 2017 estuvo trabajando en la creación de un Simulador
Geoléctrico, un proyecto enfocado en discretizar el medio mediante cubos resistivos. La idea era que el
cubo resistivo se convirtiera en un nodo elemental que representara las caracterı́sticas geo-eléctricas del
medio en 3 dimensiones. Mediante una interface para PC (Personal Computer), el usuario podrı́a ası́
cargar un método SEV clásico o bien crear uno propio. Una unidad externa, compuesta de un micro-
controlador, un convertidor ADC, multiplexores y relés, servirı́an para inyectar las corrientes de prueba
y medir los correspondientes potenciales, de acuerdo al método seleccionado. El PC host recibirı́a ası́
los datos para construir los perfiles de resistividades.

Se esperaban buenos resultados para posteriormente trasladar esta experiencia a la sala de clases y ası́
aplicarla en cursos de la malla curricular del departamento de Geofı́sica, pero el modelo no se pudo
concluir.

De esa forma surge la idea de esta tesis con el objetivo de dar continuidad al proyecto mencionado
anteriormente.

Esta tesis ha sido desarrollada para la creación de una estructura tridimensional discretizada, con la
finalidad de realizar varias pruebas para estudios del método Sondeo Eléctrico Vertical (SEV), hacien-
do con que la misma estructura pueda simular un medio de una o mas capas. Para tal, se hace una
simulación de la estructura del terreno en el laboratorio reduciendo las dimensiones de la estructura de
manera apropiada, tratando ası́ de mantener el mismo contraste de resistividad que en el campo y de
reproducir la misma respuesta de campo.

9
1.1. Prospección Geofı́sica de Resistividad
La exploración del subsuelo a partir de las mediciones de resistividad eléctrica (Métodos Geoeléctricos),
constituye una técnica bien conocida durante los últimos años. Se trata de una metodologı́a habitual-
mente empleada en ingenierı́a geológica, minerı́a, geofı́sica, etc..

Es posible determinar una resistividad efectiva o aparente del subsuelo. La técnica de resistividad es
superior, al menos teóricamente, a todos los demás métodos eléctricos, porque los resultados cuanti-
tativos se obtienen utilizando una fuente controlada de dimensiones especı́ficas. Prácticamente, como
en otros métodos geofı́sicos, las potencialidades máximas de resistividad nunca se realizan. El principal
inconveniente es su alta sensibilidad a variaciones menores de conductividad cerca de la superficie, o sea
, el nivel de ruido es alto.

A grandes rasgos, los métodos geoeléctricos consisten en introducir corriente en el terreno y medir el
voltaje producido en ciertos puntos determinados de la superficie. A partir del valor de la corriente
inducida y del voltaje medido, se puede obtener la resistividad del material o zonas del subsuelo. Cada
tipo de material o estructura presenta un rango de resistividad caracterı́stico, cuyo valor sirve de base
para la interpretación de resultados.

Una de las principales ventajas del método geoeléctrico es que no es invasivo, es decir, no altera las
caracterı́sticas hidráulicas naturales del medio poroso en estudio, se aplica para mapear la estructura
resistiva del subsuelo (Kirsch, 2009). La resistividad eléctrica es una propiedad que se relaciona con la
composición y arreglo de los componentes del suelo, el contenido de agua y de sales y la temperatura
(Rhoades et al., 1989).

Existen infinidad de configuraciones de campo diferentes a la hora de proponer métodos eléctricos. La

diferencia entre las distintas configuraciones reside en el tipo de transmisor y receptor de corriente uti-
lizados en el campo, y en cómo se sitúen en el campo estos transmisores o receptores. La aplicación de
los métodos geoléctricos exige el conocimiento previo de las propiedades electromagnéticas de rocas y
minerales que las constituyen y que se expresan por medio de tres magnitudes fı́sicas: resistividad eléctri-
ca ρ, constante dieléctrica  y permeabilidad magnética µ. Luego, es necesario entender el formulismo
matemático de estas magnitudes en el campo, y de esa manera poder aplicarlos en nuestro estudio.

10
1.2. Objetivos Principal y Secundarios
El objetivo principal consiste en la construcción y ensamble de circuitos eléctricos, denominados Arre-
glos Resistivos discretizados para emulación a pequeña escala de técnicas geoeléctricas.

Además, se tienen los siguientes objetivos secundarios:

Armado de dos experimentos para la aplicación de sondeo eléctrico vertical en arreglo de Schlum-
berger

Realizar un modelo que pueda ser utilizado para docencia en el departamento de Geofı́sica (DGEO).

Confeccionar, analizar e interpretar Sondeos Eléctricos Verticales.

Apoyar la selección de metodologı́as para mediciones de campo.

Realizar simulaciones modificando directamente el medio.

Contribuir con el desarrollo de las técnicas eléctricas.

11
Capı́tulo 2

Marco Teórico

2.1. Ecuaciones de Maxwell

Para medir la resistividad eléctrica del suelo se le aplican campos eléctricos por medio de la inyección
de corrientes. El comportamiento de estos campos obedecen las leyes de Maxwell (Orellana, 1982):

∂B
∇×E = (2.1)
∂t

∂D
∇×H =J − (2.2)
∂t
donde E representa la intensidad del campo eléctrico [V /m], B el vector de inducción magnética [W b/m2 ],
H la intensidad del campo magnético [A/m], J la densidad de corriente eléctrica [A/m2 ] y D el vector
de desplazamiento eléctrico [C/m2 ], y como el campo no varı́a con el tiempo, es decir, es estacionario,
entonces:

∇×E =0 (2.3)

∇×H =0 (2.4)

Suponiendo un medio homogéneo y que se tiene una fuente puntual en superficie, la ecuación 2.3 indica
que el campo E es conservativo por lo que deriva de un potencial U escalar:

E = −∇U (2.5)

y de la ley de Ohm en forma diferencial para medios isótropos:

12
 J = σE (2.6)

la cual expresa que la densidad de corriente J en un punto tiene la misma dirección y sentido que el
campo E en ese punto y es proporcional al mismo en un factor σ que corresponde a la conductividad
del subsuelo, el inverso de la resistividad ρ.

Además, como en ningún punto del semiespacio conductor puede haber aparición ni desaparición de
cargas, salvo salvo en los electrodos A y B, se satisface que:

∇·J =0 (2.7)

que combinada con la ecuación 2.4 se tiene la ecuación diferencial fundamental en la prospección eléctrica:

∇ · J = ∇ · (σE) = 0 (2.8)

Al desarrollar la ecuación anterior se tiene:

∇ · (σE) = σ∇ · E + E · ∇σ − σ∇ · ∇U + E · ∇σ = −σ∇2 U + E · ∇σ = 0 (2.9)

Dentro de cada zona de conductividad uniforme ∇σ = 0, y por lo tanto:

∇2 U = 0 (2.10)

que implica que el potencial es armónico. Esta ecuación es valida para todo punto del medio homogéneo,
excepto en los electrodos y en las superficies de discontinuidad de la resistividad en los lımites del medio.

Si consideramos que hay dos regiones de distinta conductividad separadas por una interfaz, se deben
cumplir dos condiciones de borde:

1 1
Ex1 = Ex2 y Ez1 = Ez2 (2.11)
ρ1 ρ2
con Ex1 la componente del campo tangencial a la interface en el medio 1 y Ez2 la componente normal en
el medio 2. La discontinuidad de las componentes normales del campo eléctrico resulta de la continuidad
de la componente normal de la densidad de corriente. La continuidad de la componente tangencial del
campo eléctrico a través de la interface entre los dos medios implica la continuidad del potencial

13
 V1=V2 (2.12)

Suponiendo ahora un electrodo puntual C1 colocado en la superficie de un medio homogéneo e isótro-

po (un semiespacio infinito) en el cual se inyecta una corriente de intensidad I (figura 2.1). El otro
semiespacio, de resistividad infinita, representar a la atmósfera. Considérese también que el electrodo
C2 que cierra el circuito se encuentra lo suficientemente alejado como para despreciar su influencia. La
conductividad del aire sobre el medio es nula. A partir de la simetrıa del sistema, el potencial es función

Figura 2.1: Fuente puntual de corriente en la superficie de un medio homogéneo. (Telford, et al.1990)

únicamente de la distancia r respecto del electrodo. Ası, la ecuación de Laplace en coordenadas esféricas
se simplifica a

d2 V
 
2 2 dV
∇V = + =0 (2.13)
dr2 r dr

cuya solución es

A
V =− +B (2.14)
r
donde A y B son constantes de integración. Si r → ∞, V = 0, entonces B = 0.

La corriente circula radialmente hacia afuera en todas las direcciones del medio a partir del electrodo
puntual, la corriente total que atraviesa una superficie hemisférica está dada por:

14
 4πr2
 
2 dV 4πA
I = 4πr J = − =− (2.15)
ρ dr ρ
de donde A = −Iρ/4π y, por consiguiente

 
Iρ 1 V
V = → ρ = 4πr (2.16)
4π r I
Las superficies equipotenciales, ortogonales a las lıneas de flujo de corriente, son superficies hemisféricas
correspondientes a r = constante (figura 2.1).

Ahora bien, si la distancia entre los electrodos es finita (figura 2.2), el potencial en cualquier punto
cercano a la superficie está afectado por los dos electrodos de corriente. Al igual que antes, el potencial
debido a C1 en P1 es V1 = −A1 /r1 , con A1 = −Iρ/2π.

Figura 2.2: Dos electrodos de corriente y dos de potencial en la superficie de un suelo homogéneo e
isótropo de resistividad ρ. (Telford, et al.1990)

Las corrientes que se son inyectadas por los dos electrodos, son iguales pero de signo opuesto.Luego, el
potencial debido a C2 en P1 es V2 = −A2 /r2 , con A2 = Iρ/2π = −A1 .

Por lo tanto, el potencial total en P1 es V1 + V2 = (Iρ/2π)(1/r1 − 1/r2 ).

Además, cuando se introduce un segundo electrodo de potencial en P2 , es posible hacer cálculos similares
para obtener el potencial en dicho punto. La diferencia de potencial entre P1 y P2 será entonces:

   
Iρ 1 1 1 1
∆V = − − − (2.17)
2π r1 r2 r3 r4
Esta expresión corresponde a los dispositivos de cuatro electrodos utilizados en prospección eléctrica.
Con frecuencia, los electrodos de corriente se denominan A y B; los de potencial, M y N; r1 se escribe
AM ; r2 , BM ; r3 , AN ; y r4 , BN . La distancia entre los electrodos de corriente es AB y la distancia
entre los de potencial es M N .

15
2.2. Distribución de la Corriente
Conforme lo estipulado por Telford et all.(1990), en la figura 2.3 podemos apreciar que a medida que se
incrementa el espaciamiento entre los electrodos, incrementa la penetración de la corriente.

Consideremos el flujo de corriente en un medio homogéneo entre dos electrodos puntuales A y BB como
se muestra en la figura 2.4. La densidad de corriente horizontal para un punto P está dada por:

        
1 ∂U I ∂ 1 1 I x x−L
Jx = − = − − = − (2.18)
ρ ∂x 2π ∂x r1 r2 2π r13 r23

Si el punto P está en la mitad del plano vertical entre los electrodos A y B tenemos que r1 = r2 = r y
que:

I L
Jx = (2.19)
2π (z + (L2 /4))3/2
2

Figura 2.3: Sección vertical de lineas equipotenciales y flujo de corriente para dos fuentes puntuales en
una superficie homogénea.(Telford, et al., 1990)

16
Figura 2.4: Determinación de la densidad de corriente en una tierra uniforme bajo dos electrodos en
superficie.(Telford, et al., 1990)

La figura 2.5 muestra la variación en la densidad de corriente con la profundidad a través de este
plano cuando la separación de los electrodos se mantiene constante.
√ En el caso en que el espaciamiento
electródico es variado se encuentra un máximo para Jx en L = 2z.

Figura 2.5: Densidad de corriente versus profundidad (lı́nea continua) y espaciado de electrodos (lı́nea
discontinua) .(Telford, et al., 1990)

17
Podemos calcular la fracción de corriente que fluye a través de una franja de este plano vertical entre
las profundidades z1 y z2 , se tiene:

I L
δIx = Jx dx dydz = dydz (2.20)
2π ((L/2) + y 2 + z 2 )3/2
2

donde:

r2 = (L/2)2 + y 2 + z 2

la fracción de corriente total a través de la sección dy dz es:

Z z1 Z ∞  
Ix L dy 2 −1 2z2 −1 2z1
= dz 2 2 2 3/2
= tan − tan (2.21)
I 2π z2 −∞ ((L/2) + y + z ) π L L

cuando z2 → ∞ se tiene:

Ix 2 2z1
= 1 − tan−1 (2.22)
I π L
En la figura 2.6 se puede apreciar el espaciamiento electródico necesario para forzar una fracción de
corriente a penetrar bajo una profundidad z1 , cuando L = 2z1 , la cual fluye a la mitad de la corriente
bajo el tope de la capa.

18
Figura 2.6: Fracción de corriente fluyendo bajo una profundidad z1 para un electrodo de espaciamiento
L.(Telford, et al., 1990)

Debido a que las variaciones de potencial, medidas en la superficie, son proporcionales al flujo de corriente
por debajo, es deseable introducir tanta corriente en el suelo como sea posible. Para una buena pene-
tración debemos utilizar un espaciado lo suficientemente grande como para que la corriente suficiente
alcance la profundidad objetivo.

2.3. La Resistividad Aparente ρa

Es extremadamente raro encontrar suelos homogéneos en la naturaleza. Debido a los efectos de inhomo-
geneidad, anisotropı́a y topografıa del suelo, no es posible medir directamente la resistividad del medio
como si tuviera las condiciones ideales, por lo que usualmente se calcula una Resistividad Aparente
(ρa ), la cual se grafica en función de la distancia de los electrodos para perfilar las capas subsuperficiales
del suelo.

En la practica, se mide la diferencia de potencial entre P1 y P2 provocada por la inyección de una

corriente eléctrica en el subsuelo. A partir de los valores de I y ∆V , la resistividad del subsuelo puede
ser calculada a través de la siguiente ecuación:

   −1
∆V 1 1 1 1 ∆V
ρa = 2π − − − =F (2.23)
I r1 r2 r3 r4 I

19
donde ∆V en volts (V ), I en ampers (A), la distancia en metros (m) y ρa en ohms-metros (Ω · m)
y F factor que depende del arreglo electródico. Este resultado es independiente de la posición de los
electrodos y no se ve afectado cuando se intercambian los electrodos de potencial y corriente.
La relación entre la resistividad aparente y la resistividad “real” es muy compleja, por lo que se requieren
procesos de inversión de los valores de resistividad aparente medidos.

No obstante, queda claro que cuando la separación AB es pequeña, ρa tiende a ρ1 , la resistividad

verdadera de la primera capa y cuando AB es grande, ρa tiende a ρn , la resistividad verdadera de la
última capa. La forma de las curvas ya provee información sobre la cantidad de estratos en cuestión,
pues cada cambio importante de pendiente o los máximos y mı́nimos, implican distintos estratos. Para
un modelo de subsuelo de dos capas geoeléctricas tendremos una de este tipo o forma de curva:

Figura 2.7: Curvas teóricas para perfil de resistividad aparente de un medio con dos capas.

2.4. Sondeo Eléctrico Vertical (SEV)

Se trata de un método de investigación vertical, para encontrar las resistividades por debajo del punto
del sondeo inyectando corriente al subsuelo mediante electrodos, midiendo la diferencia de potencial.
Aumentando la distancia entre los electrodos la profundidad de investigación se modifica, obteniendo
resistividades aparentes a diferentes profundidades (Orellana, 1982). Dependiendo de la distancia entre
los electrodos de potencial y el tipo de arreglo se utilizará el factor geométrico correspondiente,el modelo
ideal para realizar SEV es aquel que se compone de dos o más capas horizontales o estratos lateralmente
homogéneos.

El método consiste en elegir un centro de sondeo, el cual será el punto de investigación, a partir de
éste se colocarán los electrodos a una distancia determinada dependiendo del tipo de arreglo, una vez
realizada la medición se procede a mover los electrodos aumentando la distancia entre los mismos,
también dependiendo del tipo de arreglo.

2.5. Dispositivos de electrodos

Se llaman dispositivo de electrodos al conjunto de electrodos como el representado en la figura 2.2.
En general, estos dispositivos están formados por cuatro electrodos en la cual dos de ellos, A y B, la

20
corriente entra y sale, mientras que los otros dos, M y N , se mide la diferencia de potencial creada
por dicha corriente. A y B están unidos a una fuente de corriente eléctrica, mientras que M y N están
unidos a un instrumento que mide la diferencia de potencial entre ellos.

En la practica existen diferentes configuraciones convencionales para el arreglo electródico en superficie,

todo depende del resultado que pretende obtener el ejecutor. Para cualquier dispositivo,si se conocen
las distancias entre los electrodos y se mide la intensidad I que pasa por A y B, ası́ como la diferencia
de potencial ∆V entre M y N es posible calcular la resistividad aparente mediante la ecuación:

∆V
ρa = F (2.24)
I
Donde F depende únicamente de la geometrıa del dispositivo, y si el medio es homogéneo, la ecuación
anterior dará su resistividad verdadera.

En el caso en que los cuatro electrodos están dispuestos de cualquier manera sobre una superficie plana,
se tendrá, de acuerdo con la ecuación siguiente:

 
ρI 1 1 1 1
∆V = − − + (2.25)
2π AM BM AN BN

luego,

 −1
1 1 1 1 ∆V
ρa = 2π − − + (2.26)
AM BM AN BN I

donde la resistividad ρ pasa a ser la resistividad aparente ρa , y en este caso el coeficiente K del dispositivo
es:

 −1
1 1 1 1
F = 2π − − + (2.27)
AM BM AN BN

El arreglo electródico depende de los objetivos que desea resolver el ejecutor, ya sean horizontales o
verticales. Los dispositivos simétricos resolverán mejor objetivos horizontales, mientras que dispositi-
vos dipolares resolverán mejor los objetivos verticales. A continuación se describen los dispositivos de
electrodos mas utilizados.

21
2.5.1. Arreglo tipo Wenner
Es un dispositivo en el cual las distancias entre los electrodos son iguales (figura 2.3) AM = M N =
N B = a, luego la ecuación para la resistividad será:

2πa∆U
ρa = (2.28)
I
Usando el arreglo de Wenner para la exploración en profundidad, los electrodos se espacian sobre un
centro fijo incrementando el espaciamiento en pasos de a. Por otra parte, para la exploración lateral, el
espaciamiento es constante y los cuatro electrodos son desplazados a lo largo de la lı́nea.

Figura 2.8: Arreglo electródico tipo Wenner. (Telford, et al.1990)

22
2.5.2. Arreglo tipo Schlumberger
En este arreglo, los electrodos de corriente están mucho más separados que los electrodos de potencial.
De las Figuras 2.2 y 2.5, se obtiene que:

r1 = (L − x) − l
r2 = (L + x) + l
r3 = (L − x) + l
r4 = (L + x) − l

Reemplazando estos valores en la ecuación 2.18, se tiene:

   −1
2π∆V 1 1 1 1
ρa = − − − (2.29)
I (L − x) − l (L + x) + l (L − x) + l (L + x) − l
Si la distancia entre los electrodos de potencial y corriente es considerablemente más grande que la
distancia entre los dos electrodos de potencial (por un factor de 10 o más), entonces (L − x) ≥ 3l, con
lo que tenemos como primera aproximación:

π (L2 − x2 )2
 
∆V
ρa ≈
2l L2 + x2 I
Este arreglo es usado a menudo simétricamente, para esto x = 0, en tal caso:

πL2
 
∆V
ρa ≈
2l I
AB MN
donde: L2 = 2
yl= 2
.

Figura 2.9: Arreglo electródico tipo Shlumberger. (Telford, et al.1990)

23
2.5.3. Arreglo tipo dipolo-dipolo
En este dispositivo, los electrodos de potencial están poco espaciados y alejados de los electrodos de
corriente que también están muy juntos (figura 2.5). El factor geométrico del dispositivo es:

F = πn(n + 1)(n + 2)a

para valores grandes de n se toma F = πn3 a

Figura 2.10: Arreglo electródico tipo dipolo-dipolo. (Telford, et al.1990)

Es de extrema importancia saber sobre varios factores a la hora de elegir el método que se desea
implementar, teniendo en cuenta el resultado que se desea obtener ası́ como el área en estudio.

24
 Arreglo
Ventajas Desventajas
Electródico
1. Requiere mover constantemente
los cuatro electrodos
1. Alta caı́da de voltaje para una corriente dada
Wenner 2. Más susceptible a irregularidades
2. Fórmula de resistividad aparente muy simple de la resistividad superficial

3. Acoplamiento entre cables

1. Requiere mover sólo dos electrodos

2. Menos susceptible a irregularidades de

1. Baja caı́da de voltaje para una
la resistividad superficial
corriente dada
3. Mayor alcance en profundidad que Wenner
Schlumberger 2. Acoplamiento entre cables
4. Schlumberger inverso permite una operación
3. Schlumberger inverso más
más segura
susceptible al ruido telúrico
5. Schlumberger inverso reduce la necesidad de
cables de corriente más pesado y costoso
1. Muy sensible a variaciones de 1. Baja caı́da de voltaje para
resistividad lateral una corriente dada

Dipolo-Dipolo 2. Lı́neas más cortas para llegar a una 2. Muy susceptible a irregularidades
profundidad dada de la resistividad superficial

3. Acoplamiento entre cables reducido 3. Pseudosecciones complicadas

Cuadro 2.1: Cuadro con las ventajas y desventajas de los arreglos de resistividad (Jiracek, 1981)

25
Capı́tulo 3

Metodologı́a

Los pasos del procedimiento a seguir durante la toma de datos de esta tesis se enumeran como sigue:

Revisión de la teorı́a de los métodos de prospección a utilizar, como también estudiar sobre la
correcta toma de datos sobre la estructura.

Conectar los distintos módulos de la estructura teniendo en cuenta el numero de capas que la
misma debe tener, ası́ como definir la distribución de las resistividades o configuración a utilizar
(mayor arriba y menor abajo, o vice versa).

Configuración de los equipos para la inyección de corrientes y toma de datos.

Inyección de corriente a la estructura y colecta de datos según los electrodos dispuestos en el

arreglo (Schlumberger).

Procesamiento de datos.

Generación de los perfiles de resistividad.

Interpretación de los datos obtenidos.

3.1. Equipos Utilizados

Multı́metro UT61E (figura 3.1).

Multı́metro FLUKE 89 IV (figura 3.2).

Fuente de Poder DC Triple 195 watts-GW Instek GPC-3030D (figura 3.3).

26
Figura 3.1: Multı́metro UT61E utilizado como voltı́metro para medición de los voltajes.

Figura 3.2: Multı́metro FLUKE utilizado como amperı́metro para medición de corrientes.

Figura 3.3: Fuente de alimentación de laboratorio.

27
3.2. Desarrollo Modelo Conceptual
La configuración de laboratorio de modelos fı́sicos se ha establecido para realizar estudios de modelos a
escala sobre objetivos de dimensiones y resistividades finitas.

El gran objetivo de esta tesis consiste en la creación de una estructura tridimensional resistiva que sea
capaz de simular el campo en laboratorio para estudios de resistividades.

Para tal, es necesario conocer la gran motivación de este trabajo además de los indicios que se tenı́a en
un principio de que era posible realizar el estudio.

Partimos entendiendo la relación entre la resistencia y resistividad.

Figura 3.4: Un cilindro uniforme de longitud l y área de la sección transversal A.

Como ya lo hemos definido, la resistividad es una propiedad intrı́nseca asociada a un tipo de material,
mientras que la resistencia eléctrica es una relación macroscópica que representa el grado de oposición
a una corriente eléctrica la cual depende de la resistividad del material, además del volumen o la geo-
metrı́a a través del cual se mueve la corriente eléctrica desde un potencial eléctrico inferior a uno superior.

Para una geometrı́a regular como es es caso de cilindro de la figura 3.1, la resistencia eléctrica se define
como:
l
R=ρ (3.1)
A
que es la resistividad por la longitud, dividida por el área transversal A.

Esto significa que para un cilindro dado, cuanto mayor sea la longitud, mayor será la oposición al flujo
de electrones y cuanto mayor es la sección transversal A, menor es la oposición al flujo de electrones.

Si definimos el factor geométrico como:

l
F = (3.2)
A
R
podemos expresar estas dos relaciones: R = ρ · F y ρ = F
.

28
 Figura 3.5: Aplicación del SEV sobre un cilindro.

Si aplicamos el método SEV sobre un cilindro regular como el de la figura 3.2 como primer acercamiento
a analizar como se expresa el factor geométrico y las mediciones de las resistencias. A y B son los extre-
mos en donde conectamos la fuente de poder, los puntos MN determinan una sección o parte del cilindro
en donde la medición del voltaje nos proporcionará información de la resistencia eléctrica equivalente
vista entre estos dos puntos.

Mediante la ley de Ohm

V =I ·R
podemos determinar:
VM N
RM N =
I
Al aplicar el método SEV tendremos sub-cilindros de área A, constante, y de longitud AB y en la medida
que aumentamos la distancia AB el factor geométrico aumentará en la misma proporción, obteniendo
para este caso un factor geométrico lineal, como lo muestra la figura 3.3.

Figura 3.6: Análisis del factor geométrico F vs apertura de electrodos.

29
Por otra parte, si el cilindro está lleno de un material homogéneo la resistividad es constante, y por lo
tanto las mediciones de los voltajes MN producirán resistencias de tal modo que el cociente entre R y F
sea constante, como muestra la figura 4.3.

Figura 3.7: Análisis de la resistencia R vs apertura de electrodos.

En un caso real, tendremos que el campo eléctrico se establece en un medio seminfinito, en forma de
esferas equipotenciales simétricamente respecto al punto medio de A y B.

Figura 3.8: Distribución del campo eléctrico sobre un medio real.

La solución de las ecuaciones de Maxwell para este caso, establecen que para dos puntos MN situados
en el eje AB, determinan un factor geométrico que se describe en la ecuación 2.27.

Si aplicamos el método SEV en detalle, considerando un caso en que se mueve A y B en forma simétrica
respecto al centro como es el caso de la figura 3.6.

30
 Figura 3.9: Caso simétrico con M N equidistantes al punto medio de AB.

Vamos a tener que el factor geométrico se puede expresar en forma más simplificada:
1 1
F · 2π = −
X Y
donde los valores de X e Y están relacionados a las distancias de los puntos M y N relativos a los puntos
A y B (X + Y = AB).

Si lo analizamos gráficamente se observa que el factor geométrico es de una forma parabólica,

Figura 3.10: Representación del factor geométrico para un caso simétrico.

diferente del caso del cilindro que se tenia como resultado una relación lineal.

Este análisis de los factores geométricos es importante porque nos permite saber el comportamiento de
las resistencias, ya que para un caso homogéneo las mismas deberı́an tener la misma forma.

31
Para que se puede llevar a cabo este estudio en laboratorio, se debe tener en consideración las condi-
ciones de borde, o sea, debe existir un volumen suficiente para que se pueda establecer un campo eléctrico.

Ahora el desafı́o que nos convoca en esta tesis es proponer una representación del medio real y la técnica
del SEV para condiciones controladas de Laboratorio.

Dos metodologı́as conocidas para resolver este problema consisten en:

Primero llevar el problema original a una escala reducida, simplemente llevando el material a un
espacio acotado como un estanque.
Fluido como medio
pero tales metodologı́as presentan problemas prácticos como corrosión con nodos/estacas, y limitación
en representar más de una interface.

Es por esto que surge la motivación en crear una nueva forma de representación a través de una red
eléctrica construida por resistencias con la principal caracterı́stica que es discreta. Como inspiración,
nos motivó el hecho que fácilmente se pudiera jugar con los valores de resistencias.
Partimos analizando el caso discreto en una dimensión, simulando un medio lineal con un conjunto de
resistencias del mismo valor conectadas en serie.

Figura 3.11: Caso homogéneo discreto en una dimensión

en que si aplicamos un voltaje (por ejemplo 10[v]), en A y B se tendrá una corriente que es igual que para
todas las resistencias de 1[A]. Además todos los voltajes también serán iguales ya que las resistencias
tienen el mismo valor (consideremos para este caso 1Ω).

Si seguimos la metodologı́a del método SEV, se tienen los siguientes datos:

VM2 N = 2v..........R2 = 2v/1A = 2Ω
VM3 N = 2v..........R3 = 4v/1A = 4Ω
VM4 N = 2v..........R4 = 6v/1A = 6Ω
VM5 N = 2v..........R5 = 8v/1A = 8Ω
donde se puede observar que al ampliar las distancias AB, las resistencias equivalentes son proporciona-
les, llegando al mismo resultado que el del cilindro mostrado en la figura 3.4. Esta primera análisis, nos
dice que en una dimensión es totalmente aplicable el método SEV.

Consideremos ahora un caso homogéneo discreto en dos dimensiones, construido con resistencias iguales
de 1kΩ.

32
 Figura 3.12: Caso homogéneo discreto en dos dimensiones realizado en el software Falstad.

Se aplica una fuente de poder en los extremos de 5v,y medimos todos los voltajes para construcción del
SEV, se obtiene un resultado similar al de un medio real.

Figura 3.13: Análisis de la resistencia R1kΩ vs apertura de electrodos, con datos del software Falstad
para un medio homogéneo discreto en dos dimensiones.

Si hacemos el mismo ejercicio aplicando el método sobre resistencias de 10kΩ y manteniendo el voltaje
de entrada. Se obtiene el mismo resultado en la tendencia de la curva, cambiando solamente la pendiente
de la misma, y la magnitud de las corrientes.

33
Figura 3.14: Análisis de la resistencia R10kΩ vs apertura de electrodos, con datos del software Falstad
para un medio homogéneo discreto en dos dimensiones.

Veamos ahora como responde este arreglo a ciertos cambios.

Si realizamos el mismo ejercicio con el caso que se presenta en la figura 3.9, pero teniendo en la primera
fila resistencias de 1kΩ y en las demás filas resistencias de 10kΩ, formando ası́ un medio de dos capas.

Figura 3.15: Análisis de la resistencia vs apertura de electrodos, con datos del software Falstad para un
medio de dos capas discreto en dos dimensiones.

34
A diferencia del caso anterior, se aprecian cambios observables. Se modula bastante la curva en función
de los cambios que hay en las capas además del cambio en la pendiente y la magnitud de las resistencias.

Por otra parte, si invertimos las capas del experimento anterior, esto es, se coloca solo en la última fila
resistencias de 1kΩ y las demás filas permanecen con resistencias de 10kΩ.

Para este caso es más notorio el cambio en la curva, ya que se generan algunas deflexiones en ciertos
puntos que son totalmente observables en relación al caso homogéneo, como se puede apreciar en la
figura 3.13.

Figura 3.16: Análisis de la resistencia vs apertura de electrodos con datos del software Falstad, para un
medio de dos capas discreto en dos dimensiones.

Los resultados que presentó el modelo realizado por el software han sido bastante interesantes y además
es muy sencillo realizar cambios entre capas para generar distintas condiciones. Sin embargo, no se pudo
seguir utilizando el software porque el mismo presenta una limitación al momento de armar el modelo
3D. Intentamos buscar programas similares pero no encontramos alguno que fuera capaz de realizar lo
deseado.

Es ası́ que se ha decidido seguir con la idea inicial, que era la construcción de los bloques resistivos.En
la primera fase nos dedicamos en la creación de la primera linea de cubos, lo que fue crucial para el
desarrollo de todo el trabajo.

Siguiendo el mismo concepto de lo presentado en la figura 3.8, se construye el primer bloque resistivo
en una dimensión.

35
 Figura 3.17: Bloque resistivo discreto en una dimensión.

Posteriormente se conecta una fuente de poder sobre los extremos del bloque, y se realizan las mediciones
haciendo un análisis de sensibilidad en las corrientes,obteniendo un resultado positivo para poder seguir
con la construcción de los demás bloques.

Analizando los valores de las corrientes medidas sobre el bloque, al ser colocado un cable puente en
las resistencias al interior de los cubos (en la diagonal), nos dimos cuenta de su poca influencia en la
magnitud de las corrientes, y por eso era irrelevante colocarlas en el modelo final.

En el Anexo I se puede encontrar más detalles sobre el proceso de confección de los bloques resistivos.

36
Capı́tulo 4

Análisis y Resultados

El estudio realizado consistió en el análisis de los resultados obtenidos en las pruebas realizadas sobre
la estructura tridimensional resistiva. Las pruebas consistieron en la a ejecución de varios SEVs para
distintas configuraciones de la estructura, cuales fueron denominados SEV1, SEV2, SEV3 y SEV4.

Se utilizó el dispositivo schlumberger, con distancia máxima entre electrodos de corriente, en metros
de, 0.14, 0.21, 0.28, 0.35 0.42 y 0.49, de acuerdo con las posibilidades de apertura de la lı́nea, dadas las
condiciones del bloque.

Los datos de corriente y voltaje recopilados de los SEVs, además de la resistividad aparente ha sido
calculada por la Ecuación 2.23, por el software Matlab.

Análisis SEV1: Para este SEV se tiene la configuración con cuatro bloques resistivos conectados entre
si por una tarjeta PCB, y además se analiza un bloque solo (B 1kΩ) como medio homogéneo.

Figura 4.1: Configuración de bloques para un medio de dos capas

37
Se presenta a continuación un esquema en donde se ilustra con más detalle la configuración de la
estructura resistiva, y los instrumentos utilizados.

Figura 4.2: Esquema de configuración de bloques para un medio de dos capas.

donde 1,2,3 y 4 son los bloques resistivos.

El SEV se aplica sobre la linea c (linea azul) del bloque superior (B 1k). Con la fuente de poder se
inyectan 15[v] sobre el bloque y con un multı́metro usado como amperı́metro, conectado en serie, se
mide la corriente. Además se conecta un voltı́metro para medir los voltajes en el centro del bloque.

Posteriormente se efectúa la toma de datos que se presenta en el cuadro 4.1.

38
 SEV1 AB/2 [m] 0.14 0.21 0.28 0.35 0.42 0.49
Homogéneo (1kΩ) I [A] 0.22 0.19 0.17 0.16 0.14 0.12
V [v] 4.81 2.53 1.79 1.47 1.28 1.05
ρa [Ω m] 0 4.18 8.82 14.92 22.91 32.93

AB/2 [m] 0.14 0.21 0.28 0.35 0.42 0.49

ρ1 >ρ2 I [A] 0.13 0.13 0.12 0.11 0.11 0.08
V [v] 4.58 2.11 1.26 0.87 0.69 0.5
ρa [Ω m] 0 5.35 8.91 12.24 16.40 21.49

AB/2 [m] 0.14 0.21 0.28 0.35 0.42 0.49

ρ2 >ρ1 I [A] 0.23 0.21 0.20 0.18 0.17 0.14
V [v] 4.66 2.26 1.46 1.11 0.91 0.71
ρa [Ω m] 0 3.42 6.34 9.66 13.72 19.10
Cuadro 4.1: Datos SEV1

39
Como en todos los SEVs, el eje vertical corresponde a la resistividad aparente. El eje horizontal la dis-
tancia entre el centro del arreglo y el electrodo de corriente A o B dado que el arreglo de Schlumberger
es simétrico, o sea, estos se encuentran a la misma distancia del centro.

En la figura 4.3, se tiene el resultado del SEV1 con la configuración de bloques resistivos que muestra
la figura 4.1.

Figura 4.3: Perfil de Resistividad para medio homogéneo y de dos capas.

Para el modelo homogéneo (rojo), el perfil de resistividad indica un aumento en la resistividad aparente a
medida que se van abriendo los electrodos de corriente. Como mencionado anteriormente, la resistividad
aparente depende de un factor geométrico, que es lo fundamental para la forma del perfil de resistividad
para este caso.

Los perfiles de resistividad para los modelos de dos capas son poco interpretables, ya que no se observan
grandes variaciones en las curvas.

El resultado está muy lejos de lo esperado y de las curvas teóricas que muestra la figura 2.7.
Como forma de seguir mejorando los resultados, se genera un corto-circuito sobre el bloque de 1kΩ
con idea de que su resistencia se haga menor, buscando generar mayor contraste entre capas.

40
El bloque al ser intervenido con el corto-circuito, no tiene un valor de resistencia exacto pero se sabe
que es inferior a 1kΩ que era su valor original. Para este caso, solo se aplica el corto-circuito sobre las
lineas horizontales del bloque (lineas verdes) como muestra la figura 4.5.

Análisis SEV2: A diferencia del SEV1, se tiene una configuración de dos capas pero con solo dos
bloques resistivos.

Figura 4.4: Configuración de bloques para un medio de dos capas.

y se puede apreciar con más detalles en el esquema de la figura 4.5.

Figura 4.5: Esquema de configuración de bloques para un medio de dos capas.

41
donde 1 es bloque resistivo de 1.8kΩ, y 2 es el bloque resistivo con corto circuito sobre las lineas verdes.
Las lineas verdes del bloque no poseen resistencia, o sea, las mismas fueron anuladas con el corto-circuito
y por lo tanto solo quedan las resistencias de las lineas negras del bloque.

SEV2
ρ1 >ρ2 ρ2 >ρ1
AB/2 [m] I [A] V [v] ρa [Ω m] AB/2 [m] I [A] V [v ] ρa [Ω m]
0.14 0.15 3.16 16.58 0.14 0.298 3.133 8.67
0.21 0.15 1.07 13.56 0.21 0.2671 0.88 6.33
0.28 0.15 0.41 9.44 0.28 0.2953 0.3 3.51
0.35 0.14 0.18 6.64 0.35 0.2964 0.09 1.65
0.42 0.14 0.08 4.31 0.42 0.2916 0.03 0.80
0.49 0.12 0.04 3.39 0.49 0.2592 0.01 0.41
Cuadro 4.2: Datos SEV2

Como ya hemos dicho anteriormente, el SEV se aplica siempre sobre el bloque superior, que para este
caso es el bloque de 1.8kΩ.

El resultado que se obtiene al realzar el corto-circuito en uno de los bloques, es mas interesante e
interpretable.

42
Figura 4.6: Perfil de resistividad de dos capas, con bloque superior de 1.8kΩ y bloque inferior con
corto-circuito.

Para el caso opuesto (ρ1 < ρ2 ) donde se aplica directamente el SEV sobre el bloque con el corto-circuito,
se invierte el esquema de la figura 4.4. Se obtuvo un resultado con una curva muy similar a la del caso
anterior, con la misma tendencia, pero con distinta magnitud.Un resultado con poco sentido ya que se
ha cambiado la configuración.

43
Figura 4.7: Perfil de resistividad de dos capas, con bloque superior con corto-circuito y bloque inferior
de 1.8kΩ.

Análisis SEV3: Una vez realizadas las pruebas, seguimos mejorando el experimento ya que los resul-
tados no eran muy convincentes.

Se tiene una configuración de bloques resistivos al igual que en el caso anterior (SEV2), con un bloque
de 1.8kΩ y otro bloque con el corto-circuito.

Se realiza otro corto-circuito sobre un bloque originalmente de 1kΩ, pero a diferencia de lo anterior que
lo realizamos con un alambre conductor, se realiza con resistencias eléctricas. Esto es, que se colocaron
resistencias de 47kΩ en paralelo a las resistencias de 1kΩ como lo muestra la figura 4.7, en ambas caras
del bloque.

44
 Figura 4.8: Bloque resistivo con resistencias de 1kΩ y 47kΩ en paralelo

Cuando se tiene dos resistencias en paralelo, su resistencia equivalente tendrá un valor inferior al de la
resistencia de menor valor, como muestra la formula:
 −1  
1 1 1 1
Req = + = + ≈ 0.97 × 10−4 kΩ
R1 R2 1 47

Con esto se obtiene un bloque menos resistivo que el original. El valor que se obtiene es una aproxima-
ción, ya que el corto-circuito no fue aplicado a todas las resistencias del bloque.

Los datos de corriente y voltaje recopilados del SEV3 están ordenados en el cuadro 4.3:

45
 SEV3
ρ1 >ρ2 ρ2 >ρ1
AB/2 [m] I [A] V [v] ρa [Ω m] AB/2 [m] I [A] V [v ] ρa [Ω m]
0.14 0.15 3.15 16.80 0.14 3.21 3.63 0.93
0.21 0.14 1.09 14.15 0.21 2.82 2 1.36
0.28 0.14 0.46 10.95 0.28 2.38 1.36 1.97
0.35 0.14 0.23 8.81 0.35 2.08 1.06 2.77
0.42 0.14 0.14 7.85 0.42 1.81 0.87 3.76
0.49 0.12 0.09 7.87 0.49 1.55 0.71 4.88
Cuadro 4.3: Datos SEV3

Para este experimento se obtiene un resultado esperado, o sea, los perfiles de resistividad coinciden con
la tendencia de las curvas teóricas (figura 2.7(b)).

Figura 4.9: Perfil de resistividad de dos capas, con bloque superior de 1.8kΩ y bloque inferior con
corto-circuito.

En seguida se invierten los bloques y se aplica el SEV sobre el bloque con el corto-circuito, para obtener
el resultado para la otra condición (ρ1 < ρ2 ).

46
Figura 4.10: Perfil de resistividad para medio de dos capas, con bloque superior con corto-circuito y
bloque inferior de 1.8kΩ .

47
Análisis SEV4: Siguiendo la misma lı́nea del SEV2 y SEV3, se construyó un bloque con resistencias
de 33kΩ con la idea de generar aún mas el contraste de resistencia entre los bloques, y poder analizar
con más detalle lo que ocurre si se tiene un bloque mucho más resistivo. De esta forma se tiene una
configuración con un bloque de 1.8kΩ y otro de 33kΩ.

SEV4
ρ1 >ρ2 ρ2 >ρ1
AB/2 [m] I [A] V [v] ρa [Ω m] AB/2 [m] I [A] V [v] ρa [Ω m ]
0.14 0.009 2.96 268.81 0.14 0.12 3.58 23.52
0.21 0.008 0.91 200.81 0.21 0.10 1.82 35.07
0.28 0.008 0.36 148.11 0.28 0.08 1.29 53.08
0.35 0.008 0.19 128.94 0.35 0.07 1.05 78.77
0.42 0.008 0.14 137.38 0.42 0.06 0.90 111.06
0.49 0.007 0.11 164.97 0.49 0.05 0.78 150.14
Cuadro 4.4: Datos SEV4

Lo que se aprecia es que la curva sigue teniendo la misma tendencia, cambiando solo la magnitud.

Figura 4.11: Perfil de resistividad para medio de dos capas con bloque resistivo de 33kΩ y 1.8kΩ.

48
En la figura 4.11 se puede apreciar un cambio en la tendencia de la curva en los últimos tres puntos.
Tal cambio es producto de un test que se realizó sobre el bloque, como forma de verificar la sensibilidad
y cambios en los resultados si se anula alguna resistencia. Este test consistió en desconectar la ultima
resistencia eléctrica de la linea en donde se aplica el SEV (del lado B).

Con este pequeño cambio, se pude apreciar una alteración en la curva producto de un aumento en la
resistividad aparente.

Si analizamos el caso en donde se invierten los bloques, también se tiene la misma tendencia en la curva
como es el caso del SEV3, y de la curva teórica (figura 2.7 (a)), pero con cambio en la magnitud ya que
los valores de los bloques resistivos son distintos.

Figura 4.12: Perfil de resistividad para medio de dos capas con bloque resistivo de 1.8kΩ y 33kΩ.

49
Capı́tulo 5

Discusión

El desarrollo de la presente tesis ha permitido realizar una serie de aportaciones innovadoras que se han
enfocado al desarrollo de nuevas aplicaciones de las técnicas al uso.

Del SEV1 al SEV4 se han visto mejoras significativas en los resultados. En un principio el modelo no
ha funcionado como esperado ya que era poca la diferencia de resistencia de un bloque y otro, lo que a
su vez causa que exista poca diferencia entre las magnitudes de las resistividades aparentes. Es por esto
que observamos perfiles de resistividades sin grandes cambios en la figura 4.3.

Sin embargo, para el caso homogéneo, se tiene un perfil en el cual la resistividad aparente aumenta a
medida que se van espaciando los electrodos de corriente, un resultado que va de acuerdo a lo planteado
en la figura 3.7.

Es importante mencionar que se produjo un error en la medición de los datos del SEV1. Tal error estuvo
en la separación de los electrodos M y N, lo que resultó un valor cero para el primer punto de resistividad
aparente como se observa en el cuadro1.

Los cambios realizados sobre uno de los bloques resistivos han proporcionado buenos resultados, ya
que para el SEV2 con el primer corto-circuito se ha logrado generar un mayor contraste de resistividad
entre bloques. Sin embargo, el corto-circuito funcionó para una sola condición (ρ1 > ρ2 ), esto es, cuando
se tenia el bloque con mayor resistencia como capa inferior, y el de mayor resistencia como capa superior.

Cuando se invierte la condición (ρ1 < ρ2 ), teniendo el bloque con mayor resistencia como capa superior,
el resultado obtenido para el perfil de resistividad es similar al del caso anterior. Un problema que se
estima que es producto del corto-circuito ya que al aplicar el SEV directamente sobre este bloque, gran
parte de la corriente circula sobre el, sin dejar pasar a la segunda capa que vendrı́a siendo el bloque de
1.8kΩ. Por lo tanto se descarta la opción del corto-circuito con el alambre conductor.

Cuando se realiza el segundo corto-circuito, colocando una resistencia de 47kΩ en paralelo a otra de
1kΩ, el resultado mejora considerablemente ya que para ambas condiciones se logra tener un resultado
esperado y con la misma tendencia que las curvas teóricas como lo muestra la figura 2.7.

Pero para seguir teniendo una mejor respuesta, se realiza la última prueba (SEV4), en el cual se construye

50
desde cero un bloque resistivo de 33kΩ con la idea de poder verificar si al cambiar la magnitud de las
resistencias, cambiarı́an los resultados de los perfiles de resistividad, ya que en este caso se generó un
mayo contraste entre los bloques resistivos al tener uno de 1.8kΩ y otro de 33kΩ.
El resultado obtenido ha sido muy similar al anterior (SEV3).Los perfiles de resistividad han mostrado
la misma tendencia que las curvas teóricas, cambiando solamente las magnitudes de la resistividad, como
era de esperar.

Además, en un esquema similar al de la figura 4.5, se desconecta una de las resistencias del bloque de
33kΩ en la fila c (en la que se realiza el SEV) de la columna 16 . Lo que provoca un cambio en el perfil
de resistividad de la figura 4.11. Al desconectar la resistencia, parte de la corriente que circula sobre la
zona se pierde causando ası́ un aumento en la resistividad.

5.1. Ventajas del los Bloques Resistivos

Logran simular el medio en el laboratorio.

Uso de las técnicas de campo en el laboratorio permitiendo estudios más detallados y mejoras de
las técnicas geo-eléctricas.

Permite el trabajo con condiciones controladas y con medios o capas a elección.

Pueden ser usados para docencia en el ramo de prospección geofı́sica.

Manejo sencillo y requiere de poco tiempo para la toma de datos.

5.2. Desventajas del los Bloques Resistivos

Demanda tiempo su confección.

Una estructura débil que se puede deformar con facilidad, lo que dificulta su transporte si necesario.

Poca cantidad de datos, lo que puede dificultar la interpretación.

Se esperaba poder analizar los resultados en el software IP2WIN, sin embargo ha sido descartada la idea
por la poca cantidad de datos. Al tener solo seis puntos, no se logra obtener mucha información en este
software, además que los perfiles de resistividad no se aprecian mucho.

51
Capı́tulo 6

Conclusiones

En este trabajo se ha aplicado con éxito la configuración Schlumberger para la interpretación de medi-
ciones de resistividad sobre los bloques resistivos.

Con base en los resultados obtenidos mediante varı́as simulaciones y cambios en el experimento, es po-
sible concluir que se logra la hipótesis planteada ya que los bloques resistivos son capaces de simular
el medio en el laboratorio, y/o entregar una respuesta similar a modelos de campo (o de gran escala).
Además, se obtuvo una correcta adquisición, procesamiento y análisis de datos.

Este trabajo también aporta a la necesidad de establecer una actividad experimental que permita al
docente exponer, en una sala de clases, un problema en una fase intermedia entre los textos y la literatura
pertinente y las mediciones de campo. En el área de la geofı́sica, por distintos motivos, esto ha estado
ausente, incidiendo en agregar complejidad ante la falta de experiencias que en el laboratorio se pueden
hacer más claras, precisas y repetibles.

52
Capı́tulo 7

Anexos I

7.0.1. Bloques 1D y 2D
Los bloques son el componente mas importante para el desarrollo de esta tesis, ya que estos forman la
estructura tridimensional que simula el campo en el laboratorio lo cual es el principal objetivo. Para la
fabricación de los bloques se utiliza un alambre conductor de cobre, se le da la forma de un cuadrado y
se sueldan entre si de manera que formen un cubo.

Figura 7.1: Unidad elemental para los bloques

Una vez fabricado el cubo, se suelda una resistencia eléctrica a cada lado de este y posteriormente se
unen estos cubos entre si formando un bloque 1D. Los bloques 1D son compuestos por 15 cubos (15x2x2
nodos) y miden aproximadamente 1 metro de largo.

Figura 7.2: Fabricación de un bloque 1D

53
Para los bloques 2D se unen tres de los bloques 1D con el mismo alambre de cobre, formando el bloque
2D. Se fabricaron bloques con resistencias de 1kΩ y 1.8kΩ.

Figura 7.3: Esquema de un bloque resistivo 2D

7.0.2. La tarjeta PCB

Se dice Printed Circuit Board (PCB) o placa de circuito impreso, es un soporte fı́sico en donde se ins-
talan componentes electrónicos y eléctricos y se interconectan entre ellos.

Para esta tesis,se utilizó la tarjeta PCB para la conexión de los bloques resistivos. La PCB simplifica el
trabajo al momento de realizar distintas pruebas, pues en caso de no tenerla tendrı́amos una estructura
fija y con apenas una única configuración, luego la ventaja de este diseño es que se pueden intercambiar
bloques de diferentes valores resistivos para que se pueden generar más condiciones.

54
Figura 7.4: Tarjeta PCB

55
Figura 7.5: Estructura interna de la tarjeta PCB

56
Figura 7.6: Unidad elemental para los bloques

57
Figura 7.7: Bloques Resisitivos conectados por PCB

58
Bibliografı́a

[1] Kearey, P., Brooks, M. and Hill, I. (2002) An Introduction to Geophysical Exploration (Third Edi-
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logy. Kirsch, Reinhard (Ed.)

[3] Jiracek G.R. (1981), Resistivity methods in exploration for hydrothermal resources, Universityof
Utah Research Institute, Earth Science Laboratory Report ESL-59, Salt Lake City, pp. 23-40.

[4] Manuela Gasulla Forner, Obtención de imágenes de la distribución de impedancia eléctrica del sub-
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[5] Milton B. Dobrin, Carl H. Savit (), Introduction To Geophysical prospecting 4th Edition, Interna-
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59