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    Guia de Laboratorio No. 07 - Transistor BJT

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    Este documento presenta una guía de laboratorio para identificar los parámetros de transistores BJT a través de varios circuitos de prueba. Se describen los procedimientos para medir las características de los transistores y diligenciar tablas con los resultados obtenidos.

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    FUNDACIÓN CENTRO COLOMBIANO DE ESTUDIOS PROFESIONALES

    PROGRAMA DE TECNOLOGÍA EN ELECTRÓNICA INDUSTRIAL


    PROGRAMA DE TECNOLOGÍA EN GESTIÓN DE AUTOMATISMOS MECATRÓNICOS

    LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANÁLOGA (EIN09230109)


    Guía de laboratorio No. 07 – Transistores BJT
    Antes de iniciar la práctica o adquirir cualquier elemento, por favor lea completamente la guía.

    1. OBJETIVO

    • Identificar los parámetros del transistor BJT

    2. PRÁCTICA

    Como primera recomendación, por favor descargar los datasheet de cada elemento y otros que
    usted considere.

    1. Identifique el tipo de transistor (NPN o PNP) utilizando el Tester. Mida las resistencias y las
    tensiones de unión en la escala de diodo: Base – Emisor, Base – Colector y Colector – emisor.
    Diligencie la tabla 1.
    2. Implemente el circuito de la figura 1 con el transistor 2N3904. Mida las resistencias, no las
    estime.

    Figura 1. Circuito de prueba del transistor BJT NPN

    3. Gire el cursor del potenciómetro R3 hasta conseguir 0V en VBG


    4. Gire lentamente el cursor del potenciómetro hasta conseguir la mínima tensión en R2. Proceda
    a medir VB’. Continue girando el curso y diligencie la tabla 2.
    5. Proceda a medir los valores de tensión y corriente, para diligenciar la tabla 3.
    6. Implemente el circuito de la figura 2 con el transistor 2N2222A. Mida las resistencias, no las
    estime.

    Figura 2. Circuito de prueba para curvas de tensión VCE vs IC


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    Guía de laboratorio No. 07 – Transistores BJT

    7. Gire el cursor del potenciómetro R3 hasta conseguir un valor de IB (Tensión en 1KΩ). Luego
    gire el cursor de R1 en diferentes posiciones (10) y proceda a medir IC. Diligencie la tabla 4.
    8. Gire nuevamente el cursor del potenciómetro R3 hasta conseguir otro valor de IB (Tensión en
    1KΩ). Luego gire el cursor de R1 en diferentes posiciones (10) y proceda a medir IC. Diligencie
    la tabla 4.
    9. Implemente el circuito de la figura 3 con el transistor BC337. Mida las resistencias, no las
    estime.

    Figura 3. Circuito de prueba de amplificación de corriente en transistor BJT

    10. Gire el cursor del potenciómetro R3, verifique que los dos diodos Led cambien de intensidad
    luminosa, si no ocurre esto, verifique la polaridad de los leds y el transistor.
    11. Gire el cursor del potenciómetro R3 al extremo en donde hay menos luminosidad en los dos
    leds. Mida IB e IC (Calcule teóricamente estos valores, ley de Ohm). Diligencie tabla 5.
    12. Gire el cursor del potenciómetro R3 al extremo en donde hay mayor luminosidad en los dos
    leds. Mida IB e IC (Calcule teóricamente estos valores, ley de Ohm). Diligencie tabla 5.

    3. REALIZAR O RESPONDER EN EL INFORME

    a) Consultar los parámetros característicos de los siguientes transistores: 2N3904, TIP34,


    2N3055, anotar los datos técnicos y dibujar los encapsulados
    b) ¿Qué efecto produce en IC un aumento en la tensión de VBE?
    c) ¿Qué efecto produce en IC un aumento en la tensión de VCE?
    d) ¿Cuál es la ganancia de corriente β del transistor, según los valores de la tabla 2?

    4. CONSULTA TEÓRICA PARA LA PRÓXIMA PRÁCTICA

    • En el próximo laboratorio se trabajará diseño de circuitos de polarización con transistores, por lo


    cual, realice el diseño de un circuito de polarización con realimentación en el emisor y otro con

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    Guía de laboratorio No. 07 – Transistores BJT
    divisor de voltaje que opere en un punto de trabajo ICQ y VCEQ determinados por Usted. Utilizar
    los transistores utilizados en la práctica o reemplazarlos por MPSA06 o 2N2222 y mida su β con el
    Tester.
    • Explique los conceptos de saturación y corte en un transistor BJT

    5. PRESENTACIÓN E INFORME DE LA PRÁCTICA

    Todos los ítems anteriores, hacen parte del informe, el cual deberá ser entregado en digital – PDF,
    en el campus virtual. Para la presentación del informe, utilice el formato IEEE provisto por el
    Docente. Los informes deben tener todas las secciones del formato IEEE (Resumen, abstract,
    keywords, introducción, preguntas a responder en el informe, consulta teórica para la próxima
    práctica, conclusiones de la práctica realizada, referencias).

    Recomendaciones
    • Las Keywords deben ser extraídas del documento de taxonomía de 2017 del IEEE, facilitado
    por el Docente.
    • Para cada circuito debe tomar una foto, etiquetar los elementos y realizar una breve
    descripción de su funcionamiento.
    • Las imágenes, fotos, circuitos y otros, serán denominados figuras en el informe y debidamente
    enumeradas.
    • Las fotos insertadas en el documento deben estar derechas y nítidas.
    • En la plantilla IEEE las tablas no tienen ciertos bordes, por lo cual, debe activar, ver cuadrícula
    en el menú de las tablas, para guiarse.
    • Unidades de las medidas y gráficas deben ser explícitas y correctamente escritas.
    • Realice la redacción del informe de manera coherente, que sus ideas y párrafos se conecte de
    manera óptima.
    • Los conocimientos previos y la consulta teórica pueden ser evaluados en un quiz u otro.

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