Taller Transistores
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Estimado estudiante, por favor consultar los siguientes cuestionamientos y responder correctamente.
1. ¿Qué es un transistor?
Los transistores son componentes esenciales en la electrónica moderna, ya que permiten amplificar señales
débiles, controlar el flujo de corriente y realizar múltiples funciones en los circuitos electrónicos. Se utilizan en
una amplia variedad de dispositivos electrónicos, como computadoras, teléfonos móviles, radios, televisores,
entre otros.
Existen diferentes tipos de transistores, como los transistores bipolares o los transistores de efecto de campo
(FET). Los transistores pueden tener diferentes configuraciones, como el transistor de unión bipolar (BJT) o el
transistor de efecto de campo de unión (JFET).
Los transistores se representan en los diagramas de circuitos mediante símbolos específicos. A continuación, se
describen los símbolos más comunes utilizados para representar los transistores:
1. Transistor bipolar (BJT, por sus siglas en inglés Bipolar Junction Transistor):
- NPN: Se representa mediante una flecha que indica la dirección de la corriente convencional, con una línea
recta que conecta la base y el emisor y otra línea curva que conecta la base y el colector.
- PNP: Similar al NPN, pero tiene una flecha opuesta a la del NPN.
2. Transistor de efecto de campo (FET, por sus siglas en inglés Field Effect Transistor):
- JFET (transistor de unión de efecto de campo): Se representa mediante una línea recta que representa el
canal entre el drenador y la fuente, con una línea que cruza el canal y se conecta a la compuerta.
- MOSFET (transistor de óxido metálico semiconductor): Tiene símbolos para los tipos de canal n y p. Para
el canal n, se representa como un diodo hacia abajo conectado a dos líneas paralelas para el drenador y la fuente,
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con una línea perpendicular que se conecta a la compuerta. Para el canal p, es similar pero con el diodo hacia
arriba.
Estos símbolos básicos de transistores pueden tener variaciones según las características específicas de cada
dispositivo, como el número de terminales o la disposición interna de las capas y regiones semiconductores. Es
importante tener en cuenta que los símbolos pueden variar ligeramente dependiendo de los estándares de diseño
o los diagramas de circuitos específicos.
Las terminales de los transistores se denominan de manera diferente según el tipo de transistor. A continuación
se describen las terminales comunes para los transistores bipolares y de efecto de campo (FET):
Es importante tener en cuenta que los transistores pueden tener terminales adicionales según su diseño y
configuración específica. Por ejemplo, algunos transistores bipolares pueden tener una terminal de colector
secundario o una terminal de emisor de conexión central (ECS). Además, los FET también pueden tener
terminales adicionales, como la fuente de drenaje drenaje (DSD) y la fuente de compuerta de drenaje (DGS).
Estas terminales adicionales se utilizan para funciones especiales en ciertos tipos de transistores.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados
por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las
otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal.
Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región
de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP; y
tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN.
El diodo emisor es un material semiconductor que emite el paso de la corriente en un solo sentido en el
transistor, cuando se conecta en el sentido que permite el paso de la corriente se dice que está polarizado
directamente y La corriente fluye desde el emisor hacia la base en un transistor NPN y desde la base hacia el
emisor en un transistor PNP.. El colector es la región más grande del transistor porque puede disipar el calor
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producido en la unión base-colector y tiene una concentración más baja de portadores de carga que la del emisor
y la corriente fluye desde la base hacia el colector en un transistor NPN y desde el colector hacia la base en un
transistor PNP.
La barrera de potencial en las zonas de deplexión se genera por dipolos que hacen un campo eléctrico entre los
iones positivos y negativos y al entrar los electrones libres en la zona de deplexión, el campo eléctrico trata de
devolverlos a la zona n, y la intensidad del campo eléctrico aumenta con cada electrón que cruza hasta llegar al
equilibrio, todo esto para permitir el control del flujo de corriente y el funcionamiento del transistor.
Para saber el comportamiento, depende de varios factores, como en qué estado está y el tipo, ya que tiene una
variedad de funcionamiento, por tanto varía mucho el comportamiento, pero por lo general, tienden a ser de
buena calidad.
Es más conocido como “BETA” y se refiere a la relación entre la corriente de colector y la corriente base, esta
permite que una pequeña señal de entrada en la base del transistor se amplifique en la corriente de salida del
colector. La ganancia de corriente se puede hallar de la siguiente manera: beta = Ic / Ib, donde Ic significa la
corriente de colector y Ib es la corriente de base.
Consiste en un usar un transistor bipolar en una configuración como emisor común. El terminal del emisor se
conecta a la señal de entrada, el terminar de base se conecta a la señal de control y el terminal del colector a la
carga o circuito de salida. Se usa usualmente en amplificadores de señales.
Se entiende a un estado en donde el transistor no funciona correctamente y permitir que fluya una corriente
inversa excesiva, lo que puede dañar el dispositivo. Esto ocurre cuando se aplica una tensión inversa que supera
los valores especificados en el transistor.
La zona de corte es útil para no dejar pasar la corriente, mientras que la zona de saturación deja pasar toda la
corriente. Estos estados son esenciales en la operación de transistores en aplicaciones como conmutación y
amplificación.
Las más comunes son aproximación de pequeña señal el cual se usa para analizar transistores cuando se aplican
señales pequeñas alrededor del punto de operación y es útil para diseñar amplificadores; y la otra más común
es aproximación de gran señal el cual se usa cuando se aplican señales grandes el cual lleva al transistor a operar
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fuera de su punto de operación lineal, se usa para aplicaciones de conmutación. Estas aproximaciones logran
simplificar el análisis y el diseño de circuitos con transistores dependiendo el tipo de señal y aplicación.
La recta de carga representa la relación entre el voltaje y la corriente en el colector de un transistor en la región
activa. Es la resistencia equivalente vista en el colector, determinada por la resistencia de colector (Rc) y
cualquier otra resistencia o fuente de voltaje conectada al colector. La pendiente de la recta de carga determina
el punto de operación del transistor. Modificando Rc o las fuentes conectadas se puede variar la polarización
del transistor.
La polarización de emisor consiste en aplicar un voltaje positivo entre el emisor y la base, lo cual asegura que
la unión base-emisor esté adelantada o polarizada directamente. Esto permite establecer una corriente de emisor
independiente de la temperatura, mejorando la estabilidad del punto de operación. Además, reduce la resistencia
de entrada vista entre base y emisor.
El punto de trabajo de un transistor se refiere a los valores de voltaje y corriente en el colector y base para una
polarización dada. Viene determinado por el voltaje y resistencias externas, y define el régimen de operación
del transistor (corte, activa o saturación). Un adecuado punto de trabajo maximiza la excursión de la señal de
salida sin recortes y minimiza la disipación de potencia.
Referencias
- Bismarks J.L. (2020, August 5). Una introducción fácil a los transistores, que incluye:
Definición, Partes, Símbolo, Fabricación, Funcionamiento y Tipos del Transistor.
Electrónica Online; Electrónica Online. https://electronicaonline.net/componentes-
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