Practica Nro. 3 Gabriela Millan, Areli Rodriguez

República Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Poder Popular para la Educación

Universidad Nacional Experimental
Para Las Telecomunicaciones E Informática (UNETI)
Trayecto: II Unidad Curricular: Electrónica. Sección S4.
DATOS DE UN TRANSISTOR Y CURVAS

CARACTERÍSTICAS DEL COLECTOR DE LA
CONEXIÓN EN EMISOR COMÚN.
(Practica de Laboratorio 3)
Profesor: Integrante:
Lic. Juan Hernández Gabriela Sarait Millán Brito
C.I.: V-21.013.326
Areli Nancy Rodríguez Castillo
C.I.: V-9.411.511
Caracas, Mayo 2024

AUTOEVALUACIÓN
1. Los valores nominales máximos son valores límites de las condiciones de

operación y de ambientales que no se deben rebasar.
2. El símbolo VCEO representa el voltaje de colector a emisor, si el base está

abierto.
3. Las tres características de temperatura que se deben considerar al utilizar un

transistor son:
 TC, temperatura caso;

 TA, temperatura ambiente; y
 TJ, temperatura unión.
4. La corriente de corte del colector ICB0 se especifica para determinado VCB

cuando el emisor está abierto.
5. La relación de transferencia de corriente directa estática de un transistor con la

configuración de CE se simboliza por hfe o beta (B) y representa ganancia de
corriente de un transistor.
6. La Beta (B) de un transistor es la medida de la capacidad de la base para

controlar la corriente del colector.
7. La ganancia en corriente de un transistor con la configuración CE se puede

obtener mediante la familia de colector promedio características.
8. En la gráfica de la figura 03-2, para un VCE mayor a -1V e IB = 0.1 mA, IC es

de hecho independiente de VCE.
9. En la figura 03-2, cuando VCE= - 4 V e IB = -0,5 mA, IC = 40 mA.

10. En el circuito de prueba de la figura 03-3 el propósito de R1 es mantener IB
constante según varia VCE mediante el ajuste de VCC.
PROCEDIMIENTO
MATERIALES
1. Fuente de alimentación: dos fuentes de voltaje de cd bajo.

2. Equipo: dos amperímetros de rango multiple o multímetros; graficador de curvas.
3. Resistores: 470 Ω a medio vatio (½ W).
4. Semiconductores: 2N3904 con conector o equivalente.
5. Otros: potenciómetros de 2500 Ω a 2 W; dos interruptores de un polo un tiro
Figura 03-3. Circuito de prueba para determinar las características de VCE en

función depara la configuración de emisor aterrizado de un transistor NPN.
IB Ic (mA)
(uA) Vce ()V
0 2,5 5 7,5 10 12,5 15 17,5 20
10 0,02 1,44 1,49 1,54 1,59 1,63 1,68 1,73 1,78
20 0,02 2,88 2,88 2,97 3,07 3,17 3,26 3,45 3,55
30 0,03 4,94 5,1 5,26 5,43 5,59 5,75 5,91 6,08
40 0,04 6,16 6,36 6,57 6,77 6,97 7,18 7,38 7,58
50 0,05 8,9 7,73 7,97 8,22 8,47 8,71 8,96 9,21
60 0,06 00,1 00,1 00,1 00,1 00,1 00,1 00,1 00,1
PREGUNTAS
1. Con las curvas características promedio del colector y los datos de la tabla
03-1 calcule el valor de β entre IB= 20 μA y 40 μA, si VCE = 20 V. Muestre todos
los cálculos.
Para calcular el valor de β (ganancia de corriente) entre IB = 20 μA y 40 μA, podemos

utilizar los datos de la tabla y las curvas características promedio del colector para
encontrar los valores correspondientes de IC (corriente del colector) para cada valor de
IB en VCE = 20 V. Luego, podemos usar la fórmula de β = IC/IB para calcular la
ganancia de corriente.
De la tabla, podemos ver que los valores correspondientes de IC para IB = 20 μA y

VCE=20 V y para IB = 40 μA y VCE = 20 V son:
 Para IB=20 μA y VCE=20V , IC=3 , 45 mA (de la fila correspondiente en latabla).

 Para IB=40 μA y VCE=20 V , IC =7 ,38 mA (de la fila correspondiente en latabla).
Por lo tanto, la ganancia de corriente β entre IB=20 μA y 40 μA con VCE=20 V es:

β=IC / IB=(7 ,38 mA −3 , 45 mA )/( 40 μA−20 μA)=196
Por lo tanto, el valor de β es 196 entre IB=20 μA y 40 μA con VCE=20 V .
2. Calcule la disipación del colector del 2N3904mediante la tabla 03-1 para

Los siguientes valores de:
IB y VCE ; IB VCE ; A 60 μA 10 V 10 V ; 30 μA 60 μA 30 V 25 V ; Muestre uno de

sus cálculos.
Para calcular la disipación del colector del 2N3904 para los valores de IB y VCE dados,
podemos utilizar la tabla de datos proporcionada, que incluye los valores de IC
(corriente del colector) para diferentes valores de IB y VCE. La disipación del colector
se puede calcular utilizando la fórmula:
Pc=IC∗VCE
 Pc es la potencia disipada en el colector
 IC es la corriente del colector
 VCE es el voltaje colector-emisor.
 Para los valores de IB=30 μA y VCE=10 V , podemos ver en la tabla que el valor
correspondiente de IC es 5 , 26 mA . Por lo tanto, la disipación del colector es:
Pc=IC∗VCE=5 , 26 mA∗10 V =0,0526 W =52 ,6 mW
 Para los valores de IB=60 μA y VCE=30 V , podemos ver en la tabla que el valor
correspondiente de IC es 16 , 5 mA . Por lo tanto, la disipación del colector es:
Pc=IC∗VCE=16 , 5 mA∗30V =0,495 W =495 mW
De manera similar, para los valores restantes de IB y VCE, podemos encontrar los
valores correspondientes de IC en la tabla y calcular la disipación del colector
utilizando.
3. En el circuito de la figura 03-3, que efecto producirá la inversión de la

polaridad deVBB ?
La inversión de la polaridad de VBB en un circuito de transistor puede tener diferentes

efectos dependiendo de cómo esté diseñado el circuito. Sin embargo, en general, la
inversión de la polaridad de VBB puede causar algunos de los siguientes efectos:
 Inversión en la polaridad del voltaje VBE: La polaridad del voltaje VBE (voltaje
base-emisor) también se invertirá. Si el transistor está polarizado de manera
correcta, la inversión de VBE puede hacer que el transistor se apague y no
conduzca corriente. Si el transistor ya está en la región activa de conducción, la
inversión de VBE puede hacer que la corriente a través del transistor aumente
significativamente.
 Cambio en el punto de operación: La inversión de la polaridad de VBB puede

cambiar el punto de operación del transistor. El punto de operación es el punto
en elque el transistor se encuentra en la región activa de conducción, y el valor
de IC (corriente del colector) y VCE (voltaje colector-emisor) están en los valores
deseados. La inversión de VBB puede cambiar el punto de operación, lo que
puede afectar la ganancia de corriente, la impedancia de entrada y otros
parámetros del circuito.
 Daño al transistor: Si la inversión de la polaridad de VBB hace que la corriente

a través del transistor aumente significativamente, esto puede dañar el transistor
o incluso causar su destrucción. En general, la inversión de la polaridad de VBB
en un circuito de transistor debe evitarse, ya que puede tener efectos no
deseados en el funcionamiento del circuito y puede dañar el transistor.
4. Que observa al comparar las curvas características de VCE respecto de

ICobtenidas de forma experimental con las que publica el fabricante para el
2N3904. Explique alguna discrepancia.
Al comparar las curvas características de VCE respecto de IC obtenidas

experimentalmente con las que publica el fabricante para el 2N3904, podemos
observar si el comportamiento del transistor en nuestro circuito es consistente con las
especificaciones del fabricante.
Si las curvas características obtenidas experimentalmente se ajustan

estrechamente a las curvas características publicadas por el fabricante, esto sugiere
que el transistor está funcionando correctamente y que el circuito está diseñado
adecuadamente. Sin embargo, si hay una gran diferencia entre las curvas
características obtenidas experimentalmente y las publicadas por el fabricante, esto
puede indicar que hay problemas en el circuito o que el transistor no está funcionando
correctamente.
Además, al comparar las curvas características, podemos obtener información

sobre la ganancia de corriente (β), la impedancia de entrada y la impedancia de salida
del transistor en nuestro circuito. Si la ganancia de corriente medida experimentalmente
es diferente a la ganancia de corriente publicada por el fabricante, esto puede indicar
que el transistor está operando en una región diferente a la especificada por el
fabricante.
En general, la comparación de las curvas características experimentales con las

curvas características publicadas por el fabricante es una forma útil de verificar el
correcto funcionamiento del transistor en nuestro circuito y de obtener información
detallada sobre su comportamiento en diferentes condiciones de operación.

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DATOS DE UN TRANSISTOR Y CURVAS

Caracas, Mayo 2024

1. Los valores nominales máximos son valores límites de las condiciones de

2. El símbolo VCEO representa el voltaje de colector a emisor, si el base está

3. Las tres características de temperatura que se deben considerar al utilizar un

 TC, temperatura caso;

4. La corriente de corte del colector ICB0 se especifica para determinado VCB

5. La relación de transferencia de corriente directa estática de un transistor con la

6. La Beta (B) de un transistor es la medida de la capacidad de la base para

7. La ganancia en corriente de un transistor con la configuración CE se puede

8. En la gráfica de la figura 03-2, para un VCE mayor a -1V e IB = 0.1 mA, IC es

9. En la figura 03-2, cuando VCE= - 4 V e IB = -0,5 mA, IC = 40 mA.

1. Fuente de alimentación: dos fuentes de voltaje de cd bajo.

Figura 03-3. Circuito de prueba para determinar las características de VCE en

Para calcular el valor de β (ganancia de corriente) entre IB = 20 μA y 40 μA, podemos

De la tabla, podemos ver que los valores correspondientes de IC para IB = 20 μA y

 Para IB=20 μA y VCE=20V , IC=3 , 45 mA (de la fila correspondiente en latabla).

Por lo tanto, la ganancia de corriente β entre IB=20 μA y 40 μA con VCE=20 V es:

Por lo tanto, el valor de β es 196 entre IB=20 μA y 40 μA con VCE=20 V .

2. Calcule la disipación del colector del 2N3904mediante la tabla 03-1 para

IB y VCE ; IB VCE ; A 60 μA 10 V 10 V ; 30 μA 60 μA 30 V 25 V ; Muestre uno de

3. En el circuito de la figura 03-3, que efecto producirá la inversión de la

La inversión de la polaridad de VBB en un circuito de transistor puede tener diferentes

 Cambio en el punto de operación: La inversión de la polaridad de VBB puede

 Daño al transistor: Si la inversión de la polaridad de VBB hace que la corriente

4. Que observa al comparar las curvas características de VCE respecto de

Al comparar las curvas características de VCE respecto de IC obtenidas

Si las curvas características obtenidas experimentalmente se ajustan

Además, al comparar las curvas características, podemos obtener información

En general, la comparación de las curvas características experimentales con las

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