Diseño de un conjunto de experimentos para evidenciar y analizar la variación de los

parámetros de un dispositivo BJT

Nathalie Cabrera Chavarro 20151134983

Andy Duvan Losada Pacheco 20151135429
Angel David García Cabrera 20151137871

Electrónica analógica 2
JULIAN ADOLFO RAMIREZ GUTIERREZ

Facultad de Ingeniería
Ingeniería Electrónica
Universidad Surcolombiana
Neiva-Huila
2016
 Objetivos
1. Diseñar un conjunto de experimentos para evidenciar y analizar la variación de los
parámetros de un dispositivo BJT
2. Diferenciar las características de los distintos tipos de polarización del transistor.
3. Identificar el efecto de la variación de parámetros en el punto de operación.

Resumen-el objetivo fundamental de este laboratorio fue conseguir evidenciar y analizar

la variación de parámetros de un dispositivo BJT, para conseguir esto se diseñaron
experimentos los cuales constaban de circuitos con diferentes polarizaciones como lo
fueron polarización fija, polarización de emisor; se variaron algunos parámetros como lo
fue VCC(voltaje de alimentación), resistencia de base y temperatura del transistor, a su vez
se realizaron mediciones de voltaje colector-emisor, voltaje base-emisor, y corriente de
colector, emisor, y base. Por ultimo algunos resultados fueron graficados para observar
los cambios con mayor claridad.

Introducción

A continuación se observará en el presente informe los experimentos realizados con

circuitos previamente diseñados de un transistor BJT para evidenciar y analizar la variación
de sus parámetros el Beta y las corrientes de base y colector (Ib Ic) y su relación con la
temperatura y el cambio de los valores de tensión de las fuentes Vcc o Vb al igual que el
cambio del valor de las resistencias, durante el desarrollo de este trabajo se manejaran 2
polarizaciones del transistor BJT 2N2222:
 Polarización de tensión de base constante
 Polarización de corriente de base

Para evidenciar el efecto de la temperatura en la variación de los parámetros Beta y

corrientes, se utilizó un cautín (es una herramienta eléctrica muy sencilla que se usa para
derretir distintos metales)) colocándolo sobre el transistor y midiendo al mismo tiempo
tanto las corrientes (Ic e Ib) como la temperatura del dispositivo. Además para observar la
relación de la resistencia de base con el valor de la corriente de colector (IC) se cambió el
valor de las resistencias al igual que el valor de los voltajes (Voltaje base y Vcc) Al avance
de este archivo se explicará el procedimiento hecho durante la práctica para conseguir las
medidas de las variaciones de los parámetros (Corriente de base, corriente de colector,
Beta) y su relación con la temperatura, los voltajes y las resistencias.

Marco teórico

El circuito está formado por un transistor

NPN, dos resistencias: una en la base
RB (podría ser variable) y otra en el
colector RC, y una batería o fuente de
alimentación Vcc.
Este circuito recibe el nombre de
circuito de polarización fija o
Corriente de base y determina el
Figura 1
punto Q de reposo del transistor para unos valores dados de Vcc, RB y RC. Es
el circuito más sencillo, pero también es el más variante con las variaciones de la
temperatura.
Recta de carga
Del circuito de la figura 1 es fácil obtener la relación que existe entre la corriente de
colector Ic y la tensión colector-emisor VCE del transistor, aplicando la ley de Kirchoff
resulta:
Vcc = VCE + IC . RC Ecuación 1.1

La ecuación 1.1 es conocida como la ecuación de la recta de carga. En ella Vcc y RC

son constantes, y VCE e IC son las variables. La intersección entre esta recta de carga
con la curva característica de salida del transistor determina el punto de reposo Q. Para
trazar la recta en el plano de la figura 2 es suficiente con establecer los puntos de corte con
los ejes de coordenadas.

Cuando la corriente de colector es cero IC = 0, la tensión colector-emisor es igual al

potencial del generador VCE = Vcc:

IC= 0; VCE= Vcc

Por otro lado, cuando la tensión colector-emisor es igual a cero VCE = 0, la corriente de
colector vale el potencial del generador entre la resistencia de colector IC = Vcc/RC:

Figura 2

VCE = 0; IC = Vcc/RC
En la figura 2 se muestra el circuito de polarización corriente de base y la recta de carga
estática con el punto de reposo Q que representa la intersección de esta recta con la curva
IB correspondiente.

El valor de la corriente de base IB se puede calcular aplicando la ley de Kirchoff al circuito

de entrada o de base, así tenemos:

Vcc = VBE + IB * RB Ecuación 1.2

Sabemos que el transistor entre base-emisor se comporta como un diodo, así que la tensión
base-emisor para el silicio suele ser de 0,7 V, es decir:

VBE = 0,7 V

Entonces para un dado valor constante de la fuente de alimentación Vcc tenemos que la
corriente de base solo depende de RB así que:

𝑽𝒄𝒄 – 𝟎, 𝟕𝑽
𝑰𝑩 =
𝑹𝑩

Sabemos también que existe una relación entre las tres corrientes del transistor:

IC = β.IB ecuación 1.3

De la 2ª ley de Kirchoff:

IE = IC + IB = (β+1).IB

La ganancia de corriente del transistor para continua se conoce como β o hFE, y no tiene
unidades ya que relaciona:
𝐈𝐂
𝐈𝐁

POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

BJT

La selección del punto de trabajo de un transistor se realiza a través de

diferentes circuitos de polarización que fijen sus tensiones y corrientes.

La polarización con una fuente sin resistencia de emisor es poco recomendable

por carecer de estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva
térmica que autodestruye el transistor.
 La polarización con una fuente es mucho más estable aunque el que más se
utiliza con componentes discretos es el circuito de auto polarización.

La polarización de colector-base asegura que el transistor nunca entra en

saturación al mantener su tensión colector-base positiva.

A continuación se muestran esquemas de polarización y algunas formulas para

poder implementar estos circuitos.

La polarización con dos fuentes (con resistencia de

emisor)[1]

Beta afectado por la

temperatura
El beta es la relación entre la corriente de base y la de colector, el cual nos
revela la amplificación de una corriente con respecto a otra. Al variar la
temperatura en las entradas de un transistor van a excitar los electrones que
hay en las capas del transistor, haciendo que se muevan de un lado de la unión
a otro, formando un flujo de corriente en los dopajes de las entradas ante el
cambio de posición de cargas. Al variar las corrientes tanto de base como
colector, cambiará la magnitud de la relación de las mimas, y por
consiguiente variará el Beta.

Procedimiento
 Para el Primer experimento realizamos variaciones de V1 en el circuito.1 (transistor
2N2222A con beta 277) y medimos la corriente de base (IB) y colector (IC), los
resultados se muestran en la tabla.1
 R3 5KΩ

Q1
R1 V1
5V
1MΩ
2N2222A
V2
2V
R2
2.2kΩ

Circuito.1

.
V1 IB(µA) IC(µA)
0V 3,9 0,8
1V 3,6 52,5
2V 3,5 124,6
3V 3,2 213,5
4V 4,0 283,5
5V 4,0 346
6V 2,8 406
7V 2,7 450
8V 2,7 490
9V 2,6 544
10V 2,5 580
Tabla.1
A continuación se muestra el punto de operación para cada variación de Vcc.
CON VCC=1V

Cálculos para determinar VCEQ

−2 + 1000𝐼𝐵 + 0.7 + 2.2𝐼𝐸 = 0
1000𝐼𝐵 + 2.2𝐼𝐸 = 2 − 0.7
 1000𝐼𝐵 + 2.2(𝐼𝐵(𝛽 + 1)) = 1.3
1000𝐼𝐵 + 552.2𝐼𝐵 = 1.3
1552.2𝐼𝐵 = 1.3
1.3
𝐼𝐵 = = 837.52𝑛𝐴
1552.2

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
𝐼𝐶 = (250) ∗ 837.52𝑛𝐴 = 209.38µ𝐴

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑅𝐶
𝑉𝐶 = 1 − (209.38µ𝐴) ∗ (5𝐾) = −𝟎. 𝟎𝟒𝑽

𝑉𝐸 = 𝐼𝐸𝑅𝐸
209.38µA
VE = ∗ 2.2𝐾 = 𝟎. 𝟒𝟔𝑽
𝛼

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝐶𝐸 = −0.04 − 0.46 = −𝟎. 𝟓𝑽
El transistor esta en corte.

CON VCC=2V

Cálculos para determinar VCEQ

𝑉𝐶 = 2 − (209.38µ𝐴) ∗ (5𝐾) = 𝟎. 𝟗𝟓𝑽

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 0.95 − 0.46 = 𝟎. 𝟒𝟗𝑽
Transistor en la región activa

Con VCC= 3V
 𝑉𝐶 = 3 − (209.38µ𝐴) ∗ (5𝐾) = 𝟏. 𝟗𝟓𝑽

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 1.95 − 0.46 = 𝟏. 𝟒𝟗𝑽
Transistor en la región activa

Con VCC=4V

 Para el segundo experimento Cambiamos la polarización por una polarización fija

sin resistencia en el emisor, circuito.2, el transistor utilizado fue el 2n2222a con un
beta de 277. Se realizaron cambios de R1 y de VCC, y se realizaron mediciones de
VCE,VBE,VC,VE,IC,IE,IB. Tabla.2 y tabla.3
 circuto.2
VCE VBE VC VB VE IE IC IB
VCC=10V 6,89V 0,62V 6,89V 0,62V 0V 2,51mA 2,51mA 9,03µA
VCC=5V 3.59V 0,6V 3.59V 0.6V 0V 1.142mA 1.112mA 4.27µA
Tabla.2

Para el primer caso con VCC=10V la recta de carga es:

Recta de carga con VCC=5V

  Luego se cambió R1 por 4,7MΩ y se realizaron las mismas mediciones.
VCE VBE VC VB VE IE IC IB
VCC=10V 9.4v 0.58 V 9.4v 0.58 V 0V 0,498mA 0.496mA 1.9µA
VCC=5V 4.70v 0.55 v 4.70V 0.55v 0V 0.226mA 0.225mA 0.94µA
Tabla.3

Para VCC=10V la recta de carga es:

Para VCC=5V la recta de carga es:

 Para el tercer experimento tomando el circuito anterior se aumentó la temperatura
del transistor, se midieron las corriente de colector y base, y por último se calculó
hfe(beta), y se graficó hfe en función de la temperatura. Tabla.4
T °C IC (mA) IB (mA) Hfe
30 2,54 0,00914 277,9
31 2,54 0,00914 277,9
32 2,54 0,00914 277,9
33 2,58 0,00914 282,26
34 2,61 0,00914 285,56
35 2,63 0,00914 287,75
36 2,66 0,00914 291
37 2,69 0,00915 294
38 2,72 0,00915 297,26
39 2,74 0,00915 299,4
40 2,77 0,00915 302,8
41 2,79 0,00915 305
42 2,8 0,00915 306
43 2,85 0,00915 311,4
44 2,86 0,00916 312,22
47 2,88 0,00916 314,41
48 2,9 0,00916 317
49 2,91 0,00916 318
51 2,92 0,00916 318,78
53 2,93 0,00916 319,87
57 2,95 0,00916 322,05
58 2,97 0,00917 323,88
59 2,99 0,00917 326,06
 60 3 0,00917 327,15
61 3,02 0,00917 329,33
62 3,05 0,00917 332,61
63 3,09 0,00917 336,97
64 3,1 0,00917 338,06
65 3,12 0,00917 340,24
69 3,13 0,00918 340,96
71 3,14 0,00918 342,05
72 3,18 0,00918 346,41
75 3,19 0,00918 347,49
76 3,2 0,00918 348,58
78 3,22 0,00918 350,76
79 3,23 0,00918 351,85
80 3,24 0,00918 352,94
82 3,26 0,00918 355,12
84 3,27 0,00919 355,82
85 3,3 0,00919 359,09
86 3,35 0,00919 364,53
87 3,36 0,00919 365,61
88 3,38 0,00919 367,79
91 3,39 0,00919 368,88
93 3,43 0,00919 373,23
96 3,46 0,0092 376,09
98 3,46 0,0092 376,09
99 3,47 0,0092 377,17
101 3,47 0,0092 377,17
102 3,47 0,00922 376,36
106 3,48 0,0092 378,26
107 3,49 0,0092 379,35
110 3,5 0,0092 380,43
112 3,51 0,00922 380,69
124 3,51 0,00922 380,69

Tabla.4
 IB en función de T°C

0.0095

0.0094

0.0093

0.0092

0.0091

0.009
38

93
30
32
34
36

40
42
44
48
51
57
59
61
63
65
71
75
78
80
84
86
88

98
101
106
110
124
T °C IB (mA)

IC en función de T°C
4
3.8
3.6
3.4
3.2
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
30
32
34
36
38
40
42
44
48
51
57
59
61
63
65
71
75
78
80
84
86
88
93
98
101
106
110
124

T °C IC (mA)
 Hfe en función de T°C
390
382
374
366
358
350
342
334
326
318
310
302
294
286
278
270
40

48
30
32
34
36
38

42
44

51
57
59
61
63
65
71
75
78
80
84
86
88
93
98
101
106
110
124
T °C Hfe

Análisis de resultados
Lo que conseguimos mostrar con en el experimento 1 fue que el transistor trabaja
de forma diferente cuando el voltaje de alimentación VCC es muy pequeño, el cual
observamos que para VCC=1 v el voltaje colector-emisor (VCE) es negativo por lo
tanto el transistor esta corte, pero para VCC=2 v el voltaje colector-emisor supero
0,3v entonces el transistor está trabajando en la región lineal, además esto se pudo
observar mejor al localizar el punto Q en la recta de carga.
Para el segundo experimento notamos que la resistencia de la base tiene influencia
en la corriente de base y esta tiene gran influencia en la corriente de colector,
asimismo de la localización del punto Q en la recta de carga; en donde al aumentar
le resistencia de base, el punto Q se acerca más a la región de corte del transistor,
además se observó que al tener variaciones de VCC para esta polarización se ve
afectado VCEQ .
En el último experimento observamos la dependencia que tiene la corriente de
colector y la corriente de base, con respecto a la temperatura.
La corriente de colector es muy dependiente de la temperatura hasta los 98°C, por
encima de esta temperatura la dependencia de IC disminuye.
Pero la corriente de base tiene poca dependencia de la temperatura hasta los 100°C
después de esta temperatura la corriente de base presenta variaciones poco lineales.
Por último se determinó la dependencia que presenta el beta con respecto a la
temperatura con la relación IC/IB, de esto pudimos determinar que es proporcional
a la temperatura del transistor.

Conclusiones
 En este laboratorio se consiguió observar y analizar la variación de los parámetros
tales como VCE, recta de carga, beta y localización del Punto Q.
 EL VCE es influenciado por el vcc,y la recta igualmente depende de Vcc.
 Observamos la influencia que tiene RB (resistencia de la base) en la corriente de
base y observamos que esta al hacer mas grande hace que el punto Q se mueva a la
región de corte.
 Pudimos concluir que el parámetro es beta (hfe) es muy dependiente de la
temperatura del transistor
 El beta de un transistor es proporcional a la temperatura.
 El transistor posee muchos parámetros los cuales son sensibles a pequeñas
variaciones.
 Es importante seleccionar un Vcc adecuado para evitar que el transistor este en la
región de corte o saturación
 La polarización más sensible a variaciones es la de polarización fija sin resistencia
en el emisor.

Bibliografía

1. Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky. “Electrónica: Teoría de Circuitos y

Dispositivos Electrónicos,” Decima Edición, Editorial PEARSON.
2. C. J. Savant, Martin S. Roden, Gordon Carpenter. “Diseño Electrónico Circuitos y
Sistemas”
3. A. Gustavo, Ruiz. Robredo “Electrónica Básica Para Ingenieros” (Universidad de
Cantabria.) 2001
4. http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/polarizacion-transistor.pdf