Benemérita Universidad Autónoma de Puebla

Facultad de ciencias de la electrónica

Dispositivos Electrónicos
NRC - 25196

Práctica 3
Curva VI del BJT en EC

Alumno Matricula
Eric Ariel Rivera Rosales 202277671
Bryan Cruz Méndez 202273091
López Castillo Juan Antonio 202129458

Maestro - José Mauro Huerta Rivera

Fecha de realización – 7/10/2024
Fecha de entrega – 19/10/2024
Índice
Resumen 2
Introducción 2
Objetivo 2
Marco teórico 2
Materiales y equipo 2
Procedimiento experimental. 3
Tabla de datos 3
Análisis de resultados experimentales 3
Conclusiones 3
Referencias 3

Resumen
En esta práctica se construyó un circuito con un transistor BJT de tipo NPN (2N2222A) en
configuración de emisor común para analizar sus características V-I. Se utilizó una resistencia de
1.5 kΩ en el colector y una resistencia de 56 kΩ en la base, con una fuente de voltaje variable y
diferentes valores de Vbb (1, 3 y 5 volts). Se midieron la corriente de colector (Ic) y el voltaje
colector-emisor (Vce) en función de la variación de Vcc, generando las curvas características que
permiten evaluar la ganancia del transistor en cada configuración. Los resultados muestran cómo
el comportamiento del transistor se ajusta a las expectativas teóricas y confirman la relación
entre la corriente de base y la ganancia de corriente.

Introducción
El transistor de unión bipolar (BJT) es uno de los componentes electrónicos más utilizados en la
industria para amplificación y conmutación. La configuración de emisor común es una de las
más comunes para aplicaciones de amplificación debido a su capacidad para proporcionar una
ganancia significativa de corriente. En esta práctica, se estudia el comportamiento de un
transistor NPN (2N2222A) configurado en emisor común para observar sus curvas
características de corriente-voltaje (V-I). Se utiliza una resistencia en el colector para limitar la
corriente y otra en la base para controlar la polarización del transistor. El análisis de estas curvas
permite una mejor comprensión de cómo varía la corriente de colector (Ic) con respecto al
voltaje colector-emisor (Vce) y cómo se relaciona con la corriente de base (Ib), evaluando así la
ganancia del dispositivo.
Objetivo
El objetivo de esta práctica es analizar las características de operación de un transistor BJT NPN
(2N2222A) configurado en emisor común, mediante la medición de las curvas V-I en diferentes
condiciones de polarización. Se busca observar la relación entre el voltaje colector-emisor (Vce), la
corriente de colector (Ic) y la ganancia de corriente del transistor para diferentes valores de voltaje de
base (Vbb). Los resultados obtenidos permitirán entender mejor el comportamiento del transistor como
amplificador y verificar la teoría asociada a su funcionamiento.

Marco teórico
Transistores
Un transistor es un dispositivo semiconductor que actúa como un interruptor o amplificador de
señales eléctricas. Estos se fabrican principalmente con materiales semiconductores como silicio
o germanio, dependiendo del material con el que este conformado este tendrá valores diferentes.

Estos tienen un tamaño reducido, una gran eficiencia eléctrica, son confiables y pueden operar a
altas frecuencias.

Al combinar varias capas de materiales con diferentes propiedades, los transistores pueden
regular el paso de corriente eléctrica entre sus terminales.

En esta práctica veremos en específico los transistores BJT (Transistor Bipolar de Unión)

Estos están compuestos por tres capas de material semiconductor de tipo N (negativo) y P
(positivo), organizadas como NPN o PNP.

1. NPN: La corriente fluye del colector al emisor cuando una corriente pequeña entra en la
base.
2. PNP: La corriente fluye del emisor al colector cuando se aplica una pequeña corriente en
la base.

Figura 1, Simbología de transistor NPN y PNP

Estos transistores están dispuestos en las siguientes tres partes o terminales:

● Emisor (E):

Está fuertemente dopado para inyectar una gran cantidad de portadores de carga, Es la terminal
desde donde sale la corriente.

● Base (B):

Es una capa delgada entre el emisor y el colector, y está ligeramente dopada.

Aquí ocurre el control del transistor; una pequeña corriente aplicada a la base controla el flujo de
una corriente mayor entre el colector y el emisor.

● Colector (C):

Está moderadamente dopado y más grande que el emisor.

Es el terminal donde entra la corriente en el transistor.

Figura 2, Simbología de transistor NPN con V y I

Las fórmulas para calcular los valores mostrados son las siguientes.

Relación entre corrientes

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵

Ganancia de corriente de un transistor

𝐼𝐶
β= 𝐼𝐵

Tensión entre base y emisor (VBE)

En la región activa directa, la tensión entre la base y el emisor está aproximadamente entre 0.6 V
y 0.7 V para un transistor de silicio y 0.2 V a 0.3 V

Este actúa en corte si se le administra el voltaje correspondiente

𝑉𝐵𝐸(𝑆𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑜) = 0. 7 𝑉

𝑉𝐵𝐸(𝐺𝑒𝑟𝑚𝑎𝑛𝑖𝑜) = 0. 3 𝑉

Relación de tensiones (VCE)

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸

Potencia disipada en el transistor

𝑃 = 𝐼𝐶 * 𝑉𝐶𝐸

Funciones principales de los transistores:

1. Amplificación: Los transistores pueden amplificar una señal débil. Esto significa que una
pequeña señal en la base (o puerta en los FET) puede controlar una señal más grande que
fluye entre el colector y el emisor (o drenador y fuente en los FET). Son utilizados en
radios, televisores y otros dispositivos para aumentar la potencia de las señales eléctricas.
2. Conmutación: Los transistores también se utilizan como interruptores electrónicos.
Pueden encender y apagar corrientes en los circuitos de manera rápida y precisa. Esto es
esencial en dispositivos digitales como computadoras, donde los transistores actúan como
interruptores en los circuitos lógicos.

Materiales y equipo
- Transistor 2n2222a
- 2 Fuentes
- 2 Multímetros
- Una resistencia de 1.5K Ω
- Una resistencia de 56K Ω

Procedimiento experimental.
Para esta práctica se conectó el circuito de la siguiente manera
 Figura 3, Diagrama Amplificador con transistor

Donde

RB = 56kΩ

RC = 1.5kΩ

VBE = 0.7v

Y el resto de los valores tales como VCE, VCC, VBB, IB, IE e IC van a ir variando dependiendo de los
datos solicitados.

Figura 4, Amplificador con transistor

Se va a establecer el voltaje VBB en 1v para medir y anotar los valores de IB y VBE una vez ya
que estos no se ven afectados por el cambio de VCC.
Este proceso se va repetir pero variando el voltaje VBB a 2v y a 3v y midiendo los valores de VCE
y IC cada vez que VCC incremente de uno a uno voltios, en un transcurso de 0 a 20 v
Al final deberíamos obtener 3 tablas diferentes por cada cambio de VBB donde cada tabla tendrá
distintos valores para VCE e IC y uno para IB e VBE por cada cambio de VCC.
Tabla de datos
Tabla 1
Resultados de Medición de Voltaje y Corriente en Diferentes Condiciones

VBB 1V VBB 3V VBB 5V

VBC 0.5129 VBC 0.5547 VBC 0.5707

IB 0.006 mA IB 0.04 mA IB 0.094 mA

VCC VCE IC VCE IC VCE IC

0 0 0 0 0 0 0

1 176.5 mV 0.615 mA 27.3 mV 0.98 mA 16 mV 0.96 mA

2 233 mV 1.26 mA 43.9 mV 1.97 mA 27.3 mV 1.94 mA

3 1.23 V 1.42 mA 58.8 mV 2.89 mA 35.8 mV 3.03 mA

4 2.15 V 1.56 mA 67.2 mV 3.85 mA 42.1 mV 4.81 mA

5 3.10 V 1.59 mA 79.4 mV 4.90 mA 48.7 mV 5.93 mA

6 4.05 V 1.61 mA 87.8 mV 5.92 mA 54.8 mV 6.81 mA

7 5.11 V 1.63 mA 102.3 mV 6.88 mA 59.8 mV 7.84 mA

8 6.20 V 1.67 mA 115.5 mV 7.855 mA 63.7 mV 8.82 mA

9 7.12 V 1.70 mA 128.7 mV 8.82 mA 69.9 mV 9.87 mA

10 8.23 V 1.74 mA 164.6 mV 9.83 mA 74.1 mV 10.99 mA

11 9.17 V 1.78 mA 613 mV 10.56 mA 78.3 mV 11.95 mA

12 10.11 V 1.80 mA 1.41 V 10.67 mA 83.5 mV 12.99 mA

13 11.13 V 1.84 mA 2.45 V 10.75 mA 87.6 mV 13.95 mA

14 12.17 V 1.85 mA 5.87 V 10.92 mA 91.55 mV 14.86 mA

15 13.35 V 1.86 mA 6.83 V 10.944 96.1 mV 15.98 mA

mA
 16 14.42 V 1.88 mA 7.79 V 10.98 mA 106 mV 17.06 mA

17 15.41 V 1.89 mA 8.62 V 11.01 mA 119 mV 18.04 mA

18 16.32 V 1.90 mA 9.42 V 11.06 mA 136 mV 19.01 mA

19 17.28 V 1.90 mA 10.46 V 11.12 mA 154 mV 20.1 mA

20 18.24 V 1.91 mA 10.69 V 11.16 mA 168 mV 22.06 mA

Procesamiento de datos experimentales

Gracias a los datos proporcionados, se pueden generar las siguientes gráficas que ilustran el
comportamiento del transistor 2N2222 bajo diferentes configuraciones de polarización de la base
Vbb. Estas gráficas permiten visualizar la relación entre el voltaje de colector Vcc, el voltaje entre
colector y emisor Vce y la corriente de colector Ic.

Figura 5, Relación entre VCC y VCE con información de las tres mediciones
Figura 6, Relación entre VCC y VCE para VBB=1V

Figura 7, Relación entre VCC y VCE para VBB=3V

 Figura 8, Relación entre VCC y VCE para VBB=5V

Análisis de resultados experimentales

El transistor 2N2222 es un dispositivo NPN comúnmente utilizado en amplificación y
conmutación. Los datos muestran la relación entre el voltaje colector-emisor (VCE) y la
corriente de colector (IC) en tres conjuntos diferentes. En el primer conjunto, VCE varía de 0 a
0.168 V y IC aumenta hasta 22.06 mA, indicando que el transistor está en la región activa, donde
puede amplificar la corriente. El segundo conjunto presenta un comportamiento similar, con un
rango de VCE de 0 a 10.69 V y un IC máximo de 11.16 mA, también en la región activa, aunque
con un incremento menor en la corriente. En el tercer conjunto, a medida que VCE alcanza 18.24
V, IC se estabiliza en 1.91 mA, sugiriendo que el transistor podría estar en corte o saturación.

Este análisis destaca la versatilidad del 2N2222, que opera eficientemente en la región activa
para amplificación, mientras que en otras condiciones puede comportarse en corte o saturación.
Para optimizar su uso en aplicaciones electrónicas, se recomienda realizar pruebas adicionales
bajo diferentes condiciones y utilizar simulaciones de circuitos para validar los datos
experimentales.

Conclusiones
A través de las mediciones realizadas en el circuito BJT en configuración de emisor común, se
observó que las curvas características V-I del transistor 2N2222A se comportaron según lo
esperado, mostrando una clara relación entre el voltaje colector-emisor (Vce) y la corriente de
colector (Ic) para diferentes valores de voltaje de base (Vbb). La ganancia de corriente se
mantuvo consistente con las predicciones teóricas, validando el uso de esta configuración para
aplicaciones de amplificación. Los resultados obtenidos destacan la importancia de la
polarización adecuada del transistor para garantizar un rendimiento óptimo en circuitos de
amplificación.

Referencias
Erick, R. (2021, April 1). Transistores NPN y Transistores PNP. Transistores.

https://transistores.info/transistores-npn-y-transistores-pnp/#google_vignette