El Transistor BJT 1.2

UNIVERSIDAD DE LAS
FUERZAS ARMADAS
“ESPE” INNOVACIÓN PARA LA EXCELENCIA
CARRERA: Tecnología en Mecánica

Aeronáutica
INTEGRANTES: Vanesa Zaquinaula,

Mateo Guayasamín, Ricardo Moreira
NIVEL: 2do Semestre
1. TEMA: EL TRANSISTOR BJT
FECHA: 08/07/2024
“Si quieres cambiar al mundo, cámbiate

a ti mismo”
Mahatma Gandhi
OBJETIVO GENERAL
Investigar, experimentar y documentar exhaustivamente el comportamiento y las
características operativas de los transistores BJT en circuitos electrónicos
implementados en un protoboard, junto con el uso del multímetro para realizar las
mediciones precisas de corriente y voltaje, centrándonos en la comprensión teórica y
práctica de las configuraciones básicas que son emisor común, base común y colector
común, comprobando el impacto de diferentes configuraciones de circuito y parámetros
de diseño.
OBJETIVOS ESPECÍFICOS
 Explorar cómo las diferencias en la fabricación y las condiciones de uso influyen
en el rendimiento y eficiencia de los transistores bipolares de unión (BJT)
cuando se utilizan para amplificar señales y conmutar en circuitos electrónicos.
 Medir las resistencias de las junturas base-emisor y base-colector del transistor
BJT para caracterizar su comportamiento eléctrico y optimizar el diseño del
circuito, con el uso de herramientas indispensables como el multímetro o
protoboard.
 Aplicar diferentes niveles de voltaje colector-emisor al transistor BJT y medir la
corriente de colector correspondiente utilizando el multímetro, para poder
identificar las diferencias y su respuesta en cambios de tensión.
EL TRANSISTOR BJT
El transistor BJT también conocido como Transistor de Unión Bipolar (BJT) fue un
invento de William Shockley junto a John Bardeen.
El transistor revolucione la electrónica como la conocíamos y a su vez el concepto de
circuitos eléctricos a circuitos integrados (CI), Hoy en día, su uso está decreciendo
porque innovadora tecnología CMOS tuvo lugar en el diseño de los circuitos digitales.
Según (J.L, 2021) El transistor Bipolar es un dispositivo controlado por corriente. La
corriente fluye de Emisor a Colector o de Colector a Emisor dependiendo del tipo de
conexión. Esta corriente principal está controlada por una corriente muy pequeña en el
terminal Base.
Tenemos que saber que el término “Bipolar” se debe al hecho de que este tipo de
transistores contienen dos tipos de materiales semiconductor, uno de tipo positivo
(TIPO P) y el otro negativo (TIPO N) por lo que fluye la corriente.
TERMINALES
El BJT tiene tres terminales. Estos se conocen como Colector, Emisor y la Base
EMISOR
Esta es la parte del transistor que emite los electrones o huecos hacia las otras dos
partes. La base siempre estará en polarización inversa con respecto al emisor, para logar
emitir un gran número de portadores mayoritarios.
COLECTOR
Este recoge los portadores de carga emitidos, ósea ya sea electrones o huecos, por eso
su nombre de Colector.
La unión colector-base siempre estará en polarización inversa tanto en los transistores
PNP como en los NPN. Su fin será eliminar los portadores de carga de la unión
colector-base.
BASE
Esta es la parte intermedia entre el colector y el emisor y formar dos uniones PN entre
ellos. La base es la parte menos dopada del transistor bipolar.
SÍMBOLO DE LOS TRANSISTORES BJT

Primero, veamos el símbolo de los transistores bipolares de unión para poder
reconocerlos en un circuito. El siguiente diagrama muestra los símbolos de los dos tipos
de transistores.
El símbolo de la izquierda representa un transistor PNP, mientras que el de la derecha
representa un transistor NPN. Como se mencionó, ambos tipos de transistores tienen
tres terminales: Emisor, Colector y Base.
CARACTERÍSTICAS
Los transistores bipolares de unión (BJT) son dispositivos semiconductores comunes en
electrónica. Se dividen en dos tipos: NPN y PNP, cada uno con tres terminales: Emisor
(E), Base (B) y Colector (C). La corriente en el colector es controlada por la corriente en
la base.
Principales Características:
 Ganancia de Corriente (β): Relación entre la corriente del colector y la
corriente de la base.
 Modos de Operación:
 Corte (transistor apagado, sin corriente en el colector).
 Saturación (transistor completamente encendido, corriente máxima).
 Activo (transistor parcialmente encendido, corriente controlada).
 Regiones de Operación:
 Corte (V_BE menor al umbral).
 Activa (V_BE adecuado para conducción parcial).
 Saturación (V_BE suficiente para encender completamente el transistor).
 Parámetros Eléctricos:
 Voltajes de ruptura (máximos voltajes sin dañar el transistor).
 Corriente máxima (máxima corriente que puede manejar el transistor).
 Aplicaciones: Amplificadores, conmutadores, osciladores, y en circuitos
digitales y analógicos.
 Temperatura y Disipación de Potencia: Importante para evitar daños por
sobrecalentamiento.
RESULTADOS OBTENIDOS
1. ¿La corriente de colector depende de la corriente de base, voltaje
colector emisor o del valor de la fuente VCC?
La corriente de colector en un transistor bipolar depende principalmente de
la corriente de base (Ib), la ganancia de corriente β (proporcionada por el
fabricante) y las resistencias conectadas al colector y emisor. Esta región,
conocida como la región activa, es crucial cuando se utiliza el transistor
como amplificador
2. ¿Cuándo el valor del voltaje base emisor es alrededor de 07V, en qué
zona está operando la juntura base emisor?
Cuando el voltaje entre la base y el emisor de un transistor BJT es
aproximadamente 0.7V, eso significa que la juntura entre la base y el emisor
está en la zona donde permite que la corriente fluya fácilmente a través de
ella. Es como si la puerta estuviera abierta lo suficiente para que los
electrones puedan pasar de la base al emisor (o viceversa, dependiendo del
tipo de transistor), permitiendo así que el transistor conduzca de manera
eficiente según el diseño del circuito.
3. ¿El valor de la resistencia RB, qué corriente controla?
La resistencia RB (resistencia de base) en un transistor BJT (Bipolar
Junction Transistor) controla la corriente de base (IB) que fluye hacia la base
del transistor. Esta corriente de base es crucial porque determina la cantidad
de corriente que puede fluir a través del transistor desde el colector hacia el
emisor (IC), permitiendo así que el transistor amplifique la corriente o
controle la conmutación en el circuito.
ANEXOS
ANEXO 1 ANEXO 2 ANEXO 3

2N3904 2N3906
DIRECTA 745 717
RBE
INVERSA ∞ ∞
DIRECTA 739 710
∞
RBC
INVERSA ∞
DIRECTA ∞ ∞
∞
RCE
INVERSA ∞
Tabla 2. hFE del transistor.

2N3904 2N3906
hFE
274 232
Tabla 3.
VCC= 9V
Ic
RB VBE VCE IB
584m 0.01mA
1M V 28mV 9mA
0.03mA
220K 784mV 8mV 326mA
Tabla 1. Resistencia óhmica de las junturas del transistor.
CONCLUSIONES
1. Para poder identificar cada entrada de los transistores BJT como son el
emisor, base y colector, se usó el multímetro con la finalidad de diferenciar
cada uno, ya que por concepto sabemos que el emisor tiene mayor voltaje
que el colector, por lo que se uso de manera eficiente en la construcción del
circuito.
2. Durante el proceso de mediciones de nuestro circuito analizamos el valor del

uso del multímetro, ya que este es una herramienta que nos ayudó a detectar
problemas en las conexiones debido a transistores defectuosos, mal
acoplamiento de las resistencias de acuerdo al circuito a realizar, y a su vez
conexiones sueltas.
3. Mediante el uso y estudio de los transistores BJT, pudimos instruirnos que

estos generan calor significativo, sobre todo si se usa en aplicaciones con
voltajes altos o aplicaciones de alta corriente, por lo que se dedujo que es
necesario la implementación de disipadores de calor, para poder evitar el
sobrecalentamiento y el daño de los mismos.
RECOMENDACIONES
1. Asegurarse de que los transistores, resistencias y capacitores que uses tengan
las especificaciones correctas para el circuito. Si se usa componentes con
valores incorrectos, el amplificador podría no funcionar bien o dar resultados
inesperados.
2. Conectar la fuente de alimentación al circuito solo después de revisar que

todas las conexiones estén bien hechas. Esto ayudará a evitar cortocircuitos y
protegerá los componentes de posibles daños.
3. Verificar regularmente las mediciones de voltaje, intensidad en diferentes

partes del circuito en caso de hacer modificaciones o ajustes para poder
identificar problemas temprano y asegurarse que el circuito implementado
este funcionando correctamente.
REFERENCIAS
 Polaridad. (s.f.). Cuáles son las características de un transistor. Recuperado el 7
de julio de 2024, de https://polaridad.es/transistor-bjt-caracteristicas/#:~:text=Cu
%C3%A1les%20son%20las%20caracter%C3%ADsticas%20de%20un
%20transistor%201,conmutaci%C3%B3n%20...%204%204.%20Tensi
%C3%B3n%20de%20saturaci%C3%B3n%20
 Electrónica Online. (s.f.). Transistor de unión bipolar. Recuperado el 8 de julio
de 2024, de https://electronicaonline.net/componentes-electronicos/transistor/
transistor-de-union-bipolar/
 HWlibre. (s.f.). BJT: Todo sobre transistor bipolar. Recuperado el 5 de julio de
2024, de https://www.hwlibre.com/bjt-todo-sobre-transistor-bipolar/

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“Si quieres cambiar al mundo, cámbiate

SÍMBOLO DE LOS TRANSISTORES BJT

ANEXO 1 ANEXO 2 ANEXO 3

Tabla 2. hFE del transistor.

Tabla 1. Resistencia óhmica de las junturas del transistor.

2. Durante el proceso de mediciones de nuestro circuito analizamos el valor del

3. Mediante el uso y estudio de los transistores BJT, pudimos instruirnos que

2. Conectar la fuente de alimentación al circuito solo después de revisar que

3. Verificar regularmente las mediciones de voltaje, intensidad en diferentes

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