Transistores de Efecto de Campo Fet 2015i

TRANSITORES?
TRANSISTORES DE
EFECTO DE CAMPO
FET: FIELD-EFFECT TRANSITOR
INGENIERA ELECTROMECNICA
UPTC
2015
TRANSISTOR:
CARACTERSTICA
Conduccin
BJT
FET
Bipolar: el nivel de
conduccin es una
funcin de dos
portadores de carga,
electrones y huecos.
Dispositivo unipolar.
TRANSISTOR:
CARACTERSTICA
Impedancia de entrada
Ganancias de voltaje de
ca tpicas para
amplificadores
Estabilidad a la
temperatura
Caractersticas de
construccin
Sensibles a
electroesttica
BJT
FET
Baja [1K]
Alta [1M]
Mayor
Menor
Menor
Mayor
Mas grandes
Menor tamao
No
Si
( ESD
Electrostatic Sensitive Devices
http://www.seguridadaerea.gob.es/media/3785423/modulo05_cap12.pdf
TRANSISTOR:
CARACTERSTICA
Terminales
BJT
FET
Base B
Colector C
Emisor E
Compuerta G (gate)
Drenaje D (drain)
Fuente S(source)
TRANSISTOR:
CARACTERSTICA
Control
Rango operacin de frecuencia
BJT
FET
Por corriente
Por voltaje
KHz
MHz
JFET canal n y canal p
MOSFET:
Decremental: canal n y canal p
Casificacin
Npn
Pnp
Incremental: canal n y canal p

CMOS
VMOS
MESFET
FET
JFET:
junction FET
Canal n
Canal p
MOSFET
Decremental,
empobrecimiento o
Deplection DMOSFET
Incremental,
enriquecimiento o
Enhancement EMOSFET
MESFET
VMOS
CMOS
Canal n
Canal n
Canal n
Canal n
Canal p
Canal p
Canal p
Canal p
1. TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO DE UNIN JFET
CANAL N
CANAL P
JFET CANAL N:
VGS ID
Condiciones de operacin:
a) VGS=0, VDS0
b) VGS<0, VDS0
c) VGS>0, VDS0
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

DE UNIN JFET CANAL N
a) VGS=0, VDS0

a) VGS=0, VDS0

b) VGS<0, VDS0

c) VGS>0, VDS0
IG puede ser 0
ID=0
X
X
NO ES UNICA CONDICIN
DE POLARIZACIN CORRECTA!!!
JFET CANAL N:
VGS > 0
NO PERMITIDO!
VGS = -Vp = -VGSoff
Vp V pinch- off
CONTROL DE CORRIENTE ID
JFET CANAL N
La ecuacin de Shockley:
HOJA DE ESPECIFICACIONES
JFET CANAL N
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N5457-D.PDF
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N5457-D.PDF
CIRCUITOS JFET
CANAL N:
REDES EN DC:
- POLARIZACIN FIJA
- AUTOPOLARIZACIN
- DIVISOR DE TENSIN
- REDES COMBINADAS
CONFIGURACIN DE POLARIZACIN
FIJA
JFET CANAL N
CONFIGURACIN DE
AUTOPOLARIZACIN
JFET CANAL N
CONFIGURACIN DIVISOR DE VOLTAJE

JFET CANAL N
REDES
COMBINADAS:
JFET CANAL P:
VGS ID
a) VGS = 0, VDS 0
b) VGS > 0, VDS 0
c) VGS < 0, VDS 0
TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO DE UNIN JFET CANAL P
a) VGS = 0, VDS 0
b) VGS > 0, VDS 0
VDS
TRANSISTOR DE EFECTO DE
CAMPO DE UNIN JFET CANAL
VGS < 0
NO PERMITIDO!
CIRCUITO JFET CANAL P:
FET
JFET:
junction FET
Canal n
Canal p
MOSFET
Decremental,
empobrecimiento o
Deplection DMOSFET
Incremental,
enriquecimiento o
Enhancement EMOSFET
MESFET
VMOS
CMOS
Canal n
Canal n
Canal n
Canal n
Canal p
Canal p
Canal p
Canal p
TRANSISTOR MOSFET:
SEMICONDUCTOR DE OXIDO METLICO
METALOXIDESEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
DE EMPOBRECIMIENTO
TRANSISTOR MOSFET:
SEMICONDUCTOR DE OXIDO METLICO
METALOXIDESEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
DE ENRIQUECIMIENTO:
MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO CANAL N
Decremental
Empobrecimiento
Deplection D-MOSFET
POLARIZACIN D-MOSFET
CANAL N :
VGS ID
a) VGS = 0, VDS 0
b) VGS < 0, VDS 0
c) VGS > 0, VDS 0
CANAL N :
VGS ID
a) VGS = 0, VDS 0
CANAL N :
VGS ID
b) VGS < 0, VDS 0
CANAL N :
VGS ID
c) VGS > 0, VDS 0
D-MOSFET CANAL N
La ecuacin de Shockley:
MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO CANAL P
Decremental
Empobrecimiento
Deplection D-MOSFET
D-MOSFET CANAL N
CIRCUITOS D-MOSFET
CANAL N:
ID puede ser IDss

REDES EN DC:
- POLARIZACIN FIJA
- AUTOPOLARIZACIN
- DIVISOR DE TENSIN
- REDES COMBINADAS
REDES:
MOSFET DE
ENRIQUECIMIENTO CANAL N
Incremental
Enriquecimiento
Enhancement E-MOSFET
POLARIZACIN E-MOSFET
CANAL N :
VGS ID
a) VGS = 0, VDS 0
b) VGS > 0, VDS 0
c) VGS < 0, VDS 0
CANAL N :
VGS ID
a) VGS = 0, VDS 0
ID=0
CANAL N :
VGS ID
b) VGS > 0, VDS 0
CANAL N :
VGS ID
c) VGS < 0, VDS 0
NO ES UNICA CONDICIN
DE POLARIZACIN CORRECTA!!!
D-MOSFET CANAL N
NO APLICA la ecuacin de Shockley
Ahora se considera la relacin:
VT voltaje umbral
D-MOSFET CANAL N
NO APLICA la ecuacin de Shockley
Ahora se considera la relacin:
VT voltaje umbral
CIRCUITOS D-MOSFET
CANAL N:
REDES EN DC:
- POR REALIMENTACIN
- DIVISOR DE VOLTAJE
CONFIGURACIN DE REALIMENTACIN
E-MOSFET CANAL N
CONFIGURACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE

E-MOSFET CANAL N
MOSFET DE
ENRIQUECIMIENTO CANAL N
Incremental
Enriquecimiento
Enhancement E-MOSFET
CANAL P :
VGS ID
a) VGS = 0, VDS 0
b) VGS < 0, VDS 0
c) VGS > 0, VDS 0
CANAL P :
VGS ID
a) VGS = 0, VDS 0
b) VGS < 0, VDS 0
REFERENCIAS:
Boylestad (2009). Electrnica: teora de circuitos y dispositivos
Electrnicos. 10 edicin.
Cap. 6. Transistores de efecto de campo. 10 edicin.
Cap. 7. Polarizacin de los FET
Malvino (2000). Principios de Electrnica. 6 edicin.
Cap. 13. JFET
Cap. 14 MOSFET

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Rango operacin de frecuencia

Incremental: canal n y canal p

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

VGS = -Vp = -VGSoff

CONFIGURACIN DIVISOR DE VOLTAJE

CIRCUITO JFET CANAL P:

ID puede ser IDss

CONFIGURACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE

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