TXRF Edwin
TXRF Edwin
TXRF Edwin
RAYOS-X
REFLEXIÓN
TOTAL
1
FLUORESCENCIA DE RAYOS-X
• RESEÑA HISTORICA
• FUNDAMENTOS
• INSTRUMENTACIÓN
• EJECUCIÓN ANALÍTICA
• EVALUACIÓN RESULTADOS
• APLICACIONES
2
RESEÑA HISTORICA
5
FUNDAMENTOS
6
INSTRUMENTACION
N2 LIQUIDO
RAYOS-X
ALTO CONVERSOR
ANALOGICO MCA
VOLTAJE TIMER
DIGITAL
DISPLAY
PC
IMPRESORA
7
XRF - CONVENCIONAL
DETECTOR
HAZ PRIMARIO
TUBO DE
RAYOS-X RADIACIÓN
FLUORESCENTE
MUESTRA 8
TUBO DE RAYOS - X
1
A
Rayos-X
e-
9
DETECTOR N2 LIQUIDO
CAPA DE Au
AMPLIFICADOR
PRINCIPAL ALTO VOLTAJE
p i n
e-
BARRA DE Cu
4-11 mm
FET
CRISTAL
DE Si (Li)
huecos
CAPA VACIO
EXTERNA
20 nm
100 nm CONTACTO VENTANA
DE Au DE Be
~ 4 mm RAYOS - X
10
PREAMPLIFICADOR AMPLIFICADOR
11
EL ESPECTRO DE LÍNEAS
NIV /NV 4d
Kα (K-LIII )
NII /NIV 4p
NI 4s
≥ ∫×vdv
⇔∋∈
E N E R G I A (eV)
MV
MIV 3d
MIII
MII 3p
M1 3s
Kβ (K-LMIII )
β 5 β 2 β 4
LIII
LII 2p
LI 2s
α 2 α 1 β 3 β 1
12
K 1s
MODULO DE REFLEXION TOTAL
PREAMPLIFICADOR
SOPORTE
REFLECTOR
METALICO
CADENA DE
ESPECTROSCOPIA
DETECTOR
Si (Li)
DEWAR CON
N2 LIQUIDO
13
ESPECTRO DE TXRF DE UN DISCO DE CUARZO “LIMPIO”
Si - Kα
Tubo - Mo
Ar - Kα
14
DOS ARREGLOS DISTINTOS DE TXRF
DETECTOR
HAZ PRIMARIO
HAZ FLUORESECENTE
DETECTOR
SOPORTE DE MUESTRA HAZ RT SOPORTE DE MUESTRA
15
ESPECTRO DE TXRF DE UNA SOLUCIÓN PATRÓN CON 10 µ g/g DE ELEMENTO
Se Sr
Ga
(EI)
Cu α
Fe
Cr
≥ ∫×vdv
⇔∋∈
Ti
Ca
β
Cl
Si
16
EXCITACIÓN DE LA MUESTRA
∼ 8 mm
Radiación Incidente
Soporte Superficial
∼ 5µ m
de Cuarzo
Radiación Fluorescente
17
FORMAS DE INTERACCION ENTRE LOS RAYOS-X Y LA MUESTRA
θ AIRE
SUBSTRATO SUBSTRATO
18
DIAGRAMA DE PREPARACION DE MUESTRAS
FRAGMENTACION FRAGMENTACION
& ALICUOTADO (STANDARD INT.)
STANDARIZACION INTERNA
20
ETAPAS ANÁLITICAS CON SI
W (2-10µ L)
Si (Li)
SEGUNDO REFLECTOR
PRIMER REFLECTOR
FILTRO
HAZ REFLEJADO
RADIACION FLUORESCENTE
SLIT
TUBO DE
RAYOS-X
DETECTOR DE Si (Li)
22
MATERIALES ANALIZADOS POR TXRF
SUELOS
Barro, Sedimento,
Lodo de Alcantarillado.
23
EJECUCIÓN ANALÍTICA
( II * CSI )
C=
( KI/SI * ISI )
Donde:
V (EI)
MUESTRA: LAGSALV 10 µ L
Ca EI:Estándar Interno 10 ppm V
Si
Mo
S Ar
Fe
K
Sr
25
BENEFICIOS Y LIMITACIONES DE TXRF
APLICADOS AL ANALISIS ELEMENTAL
BENEFICIOS INCONVENIENTES O
LIMITACIONES
• CapacidadMicroanalítica única • Imposibilidad de análisis no destructivo
• Gran variedad de muestras y • Limitación para líquidos no volátiles
aplicaciones
• Determinación simultánea
multielemental
• Bajos límites de detección • Excepto para elementos deZ bajos
• Cuantificación simple por • Limitación por contenidos altos de
estandarización interna matriz
• Efectos de matriz o memoria “nulos”
• Rango dinámico amplio
• Análisis de superficies y capa fina no • Restricción a superficies totalmente
destructivos planas o muestras pulidas
• Operaciones automatizadas simples
• Bajos costos de operación y
mantenimiento
26
VENTAJAS Y PREREQUISITOS
NECESARIOS PARA TXRF
VEN TAJAS P R E R E Q U IS IT O S
• C apac id ad para m icro aná lisis • M anipu lac ión µdeg o µ
l
• G ran varied ad de m uestras • D escom po sic ión de m ue stra s
• B ajos lim ite s de detecc ión • S eparac ión de m a triz
• trabajo s en “salas b lanc as “
• C ualificac ión confiab le • H om ogen e iz ac ión cu id adosa
• A ná lisis en superfic ie s p lan ascapa
y en • contro l fino y e xa cto de l án gu lo
fin a
• O perac ión sim p le • E stab iliza c ión y au tom atiz ac ión de l
equ ipam iento
27
1000
LIMITES DE DETECCION Ni
RELATIVOS Mg F
K Zn Ge
Pt Ta Mo Zn
Cl
10 Pd Sn Nd
As Cd Rh Sr La
Si Se Ti
1 Ag Na W Al K
Hg U P Li
V Cu Ga As Pt Sn V Fe
Sm S P
Cl Ag In U Sb Br
Au Hf Pd Cd Sn Sb Yb Bi Au Ni Si Te
Mo K Hf Ta Ca Pb Ti
Ir Lu W Ba Ca La Ba B
0.1 Pt Au Hg Pb Bi
Rb Sr Y
Co Cu Fe Mo Na
Mn Eu Ni Ti Cu Se As Be Li
V Co Zn Ga Ge Cr
Al Cr Mn
Cr Mn Fe
In
∗ 50 µ
Zn Ba Gd Mn Nd Pt
L Espécimen: TXRF y ET-AAS ET-AAS
0.001 Au Dy Ga Pb
Co Er Nb
Eu
Bi Cs La Hf Ir Re
Ce Ho In Lu Pr
0.0001 ICP-MS
28
FUENTE ANULAR PARA ANALISIS POR XRF
POR EXITACION CON RADIOISOTOPOS
ESPECIMEN
FUENTE
RADIOISOTOPICA PROTECTOR
DETECTOR
29
PRODUCCIÓN DE RAYOS-X:
• Tubo cilíndrico metal-vidrio, sellado al vacío.
• Cátodo de W, ánodo de Cr, Cu, Mo, ó W.
• Aplicación de alta corriente.
• Emisión de e- del cátodo caliente
• Aceleración de los e- por HV en dirección del
ánodo.
• El bombardeo de e- de alta energía sobre la tarjeta
metálica, produce rayos-X.
• Salida de los rayos-X a través de la ventana de Be.30