SEGUNDA FASE

ANÁLISIS EN PEQUEÑA SEÑAL

DE AMPLIFICADORES CON
TRANSISTORES JFET
 Estructura de los transistores de efecto de campo de
unión, JFET (canal N)

P+

N- Canal
Fuente Drenador (D)
(S)
P+

Puerta (G)
D
D G
G
Otros símbolos

G D G D JFET (canal P) S
JFET (canal N) S
canal N canal P S Símbolo
Símbolo S
ATE-UO Trans 82
 Principio de funcionamiento de los transistores de
efecto de campo de unión, JFET (I)

P+

N-
Fuente Drenador (D)
(S)
P+

Puerta (G)
Zona de transición en zona muy dopada estrecha
Zona de transición en zona poco dopada ancha
ATE-UO Trans 83
 Principio de funcionamiento de los transistores de
efecto de campo de unión, JFET (II)

P+
(D)
N-
(S)

P+ VV1 2

(G) V1 < V2

Según aumenta la tensión drenador-fuente, aumenta la resistencia del

canal, ya que aumenta la zona de transición, que es una zona de pocos
portadores.
ATE-UO Trans 84
 Principio de funcionamiento de los transistores de
efecto de campo de unión, JFET (III)

ID
Evolución si la resistencia no cambiara
D con la tensión.
G +
VDS
- ID
S

VDS
Evolución real en un JFET (la V1 V2
resistencia cambia con la tensión
aplicada).

ATE-UO Trans 85
 Principio de funcionamiento de los JFET (IV)

P+
(D)
- VPO +
(S)
VDS
N-
P+
(G) VDS=VPO > V2

Si se aumenta más la tensión drenador-fuente, la zona de transición llega a dejar

una parte del canal con muy pocos portadores. La corriente de drenador no cesa
(si cesara no se formaría el perfil de zona de transición que provoca esta
situación). La tensión VDS a la que se produce la contracción total del canal
recibe el nombre de tensión de contracción (“pinch-of”), VPO.
ATE-UO Trans 86
 Principio de funcionamiento de los JFET (V)

P+
LZTC (D)
N- LC
(S)
VDS

P+
(G) VDS=V3 > VPO

Si se aumenta la tensión drenador-fuente por encima de V PO, va aumentando la

parte del canal que ha quedado con muy pocos portadores, L ZTC (longitud de la
zona de transición en el canal). Sin embargo, el aumento de L ZTC al aumentar VDS
es pequeño comparado con la longitud del canal, L C.

ATE-UO Trans 87
 Principio de funcionamiento de los JFET (VI)

P+
- VPO LZTC
+ L’ ZTC (D)

(S)
VDS
N-
P+
(G) VDS=V4 > V3

Si L’ZTC << LC (hipótesis de canal largo) y admitimos que el perfil de portadores en

la parte no contraída del canal no ha cambiado, tenemos que admitir que la
tensión en dicha parte es VPO.
Luego la corriente que circula es la necesaria para dar la misma caída de tensión
sobre el mismo perfil de canal misma corriente que cuando aplicábamos V PO
corriente constante por el canal cuando VDS>VPO.
ATE-UO Trans 88
Resumen del principio de funcionamiento de los JFET
cuando VGS = 0

VDS=0 Comportamiento
resistivo Comportamiento como
ID
VDS=V1 fuente de corriente

VDS=V2

VDS=VPO VDS

V1 V2 VPO V3 V4
VDS=V3

VDS=V4

ATE-UO Trans 89
 ¿Qué pasa si VGS 0?
P+
•Con VGS=0, la contracción
(D)
VPO + ocurre cuando VDS = VDSPO
(S)
- =VPO.
N- P+ VDS=VPO

(G) •El canal es siempre más

estrecho, al estar
polarizado más
N- inversamente mayor
P +

(D) resistencia
VPO + +
(S)
UA •La contracción se
- produce cuando:
P+ VDS
(G) + VDS=VDSPO=VPO + VGS
UB VGS Es decir:
- -
VDSPO = UA = VPO - UB
Cuando VGS < 0, la corriente que circula es menor y la contracción se produce a
una VDS menor.
ATE-UO Trans 90
 Curvas características de un JFET (canal N)

Referencias ID •Curvas de salida

normalizadas
D ID [mA]
+
G VGS = 0V
VDS 4
+
-
VGS VGS = -0,5V
S
- 2
VGS = -1V
•Curvas de entrada: VGS = -1,5V
VGS = -2V VDS [V]
No tienen interés (unión
0 2 4 6
polarizada inversamente)

Contracción del canal

Contracción producida cuando:

Muy importante VDSPO=VPO + VGS
ATE-UO Trans 91
 La tensión VPO
P+
Cortocircuitamos el
(D)
drenador y la fuente y
(S) N-
aplicamos tensión entre
puerta y fuente.
P+
(G) +
UB1 VGS
-
Cuando la tensión VGS
alcanza un valor negativo
P+ suficientemente grande, la
(D)
zona de transición invade
N-
totalmente el canal. Este
(S)
valor es el de contracción
P+
del canal, VPO.
(G) +
VGS = -VPO
UB1< UB2 -

ATE-UO Trans 92
 Análisis gráfico de un JFET en fuente común
ID [mA]
ID
VGS = 0V
2,5K 4

VGS = -0,5V
D
+ 2 VGS = -1V
G
VDS 10V
+ VGS = -1,5V
-
VGS S
VGS = -2V
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS = -2,5V
VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V Muy
Comportamiento resistivo importante

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 93
 Cálculo de las corrientes en la zona de fuente de
corriente (canal contraído)
Partimos de conocer el valor de la corriente de drenador cuando V GS =
0 y el canal está contraído, ID0PO.
ID [mA]
ID0PO VGS = 0V
4
IDPO VGS = -0,5V
También se conoce la
tensión de contracción del 2 VGS = -1V
canal, VPO
VGS = -1,5V
VGS = -2V
Ecuación ya conocida: 0 4 8 12 VDS [V]
VDSPO = VPO + VGS VGS = -VPO
Ecuación no demostrada:
Muy importante
IDPO  ID0PO·(1 + VGS/VPO) 2
ATE-UO Trans 94
 Comparación entre transistores bipolares y JFET (I)
IC ID

R Muy importante R
IB C (N) D
B (P) IG 0 G (P)
N V2
+ V2 +
V1
VBE E (N) VGS
- S
V1 -

•En ambos casos, las tensiones de entrada (V BE y VGS) determinan las

corrientes de salida (IC e ID).
•En zona de comportamiento como fuente de corriente, es útil relacionar
corrientes de salida y entrada (transistor bipolar) o corriente de salida con
tensión de entrada (JFET).
• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho más pequeña
en el caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar polarizada inversamente
la unión puerta-canal).
ATE-UO Trans 95
 Comparación entre transistores bipolares y JFET (II)

Corriente de electrones en
todo el dispositivo (transistor
N-
P + unipolar)

(S) (D)
+
P+ UA
(G) + VDS Muy
UB VGS
- - importante

•El JFET es más rápido al ser un dispositivo unipolar (conducción no

determinada por la concentración de minoritarios).

•El JFET puede usarse como resistencia controlada por tensión, ya que tiene
una zona de trabajo con característica resistiva.

•Para conseguir un comportamiento tipo “cortocircuito” hay que colocar

muchas celdas en paralelo. ATE-UO Trans 96
 Estructura real de un JFET de canal N
SiO2
S G D

N+ N+ Contactos metálicos
P+
N-
P+ Canal N

G
Uso de un JFET de canal P -ID
R
Hay que invertir los sentidos reales de
tensiones y corrientes para operar en los I 0 D
G G (N) V2
mismas zonas de trabajo.
+ P
V1
VGS
S
-
ATE-UO Trans 97
 Los transistores de efecto de campo de unión metal-
semiconductor MESFET
Contacto rectificador (Schottky)
ID VGS > 0
S G D
GaAs
VGS = 0
N+ N- N+ Contactos
óhmicos
GaAs aislante VGS<0

VDS
G G G G

Pequeña Tensión GS Polarización Polarización inversa

polarización nula inversa GS, zona GS, zona f. de
directa GS resistiva corriente
ATE-UO Trans 98
 Los transistores de efecto de campo de metal-óxido-
semiconductor, MOSFET
Estructura
Contactos Nombre
Metal metálicos Metal
SiO2 S G D
S G D Óxido

N+ N+
Semiconductor
P -

+
D
Substrato Símbolo
Símbolo D G
MOSFET de S
Substrato
G enriquecimiento de
S MOSFET de enriquecimiento canal P
(acumulación) de canal N ATE-UO Trans 99
 Principios de operación de los MOSFET (I)

G Zona de transición
S ++ ++ D
(con carga espacial)
- - - -
+ + + +
N+ N+
V1
P -

Substrato
Se empieza a formar una capa de
G electrones (minoritarios del
S +++
++ +++
++ D substrato)

N+ -- -- -- -- N+
- -
V2 > V1
P- - -
+

Substrato ATE-UO Trans 100

 Principios de operación de los MOSFET (II)

G Esta capa de minoritarios es

S ++++ ++++
D llamada “capa de inversión”

- - - -
N+ - - - - N+
P- V3 = V TH > V2
+

Substrato Esta capa es una zona de

transición (no tiene casi
portadores de carga)

Cuando la concentración de los electrones en la capa formada es igual a la

concentración de los huecos de la zona del substrato alejada de la puerta,
diremos que empieza la inversión. Se ha creado artificialmente una zona N tan
dopada como la zona P del substrato. La tensión a la que esto ocurre es
llamada “tensión umbral” (“threshold voltage”), VTH.

ATE-UO Trans 101

 Principios de operación de los MOSFET (III)

Situación con tensión G

mayor que la de umbral S +++++ +++++
D

N+ - - - - - - N+
- - - -
P- V4 > V TH
VDS ID P
Substrato

G •Conectamos la fuente al
S +++++ +++++
D substrato.
VGS •Conectamos una fuente de tensión
N+ - - - - - - N+ entre los terminales fuente y
- - - -
P- drenador.
¿Cómo es la corriente de
Substrato drenador?
ATE-UO Trans 102
 VDS 0 ID 0
Principios de operación de los
MOSFET (IV)
G •Existe un canal entre drenador y
S +++++ +++++
D fuente constituido por la capa de
VGS inversión que se ha formado.
N+ - - - - - - N+
- - - -
•Con tensiones VDS pequeñas (<<VGS),
P-
el canal es uniforme.
VDS =VDS1 >0
Substrato
ID

•El canal se empieza a contraer según

G
aumenta la tensión VDS. S +++++ +++++
D
•La situación es semejante a la que VGS
N+ - - - - - N+
se da en un JFET. - - - - -
P-

ATE-UO Trans 103 Substrato

 VDS2=VDSPO >VDS1
Principios de operación de
ID
los MOSFET (V)
G
S +++++ +++++
D •El canal formado se contrae
VGS totalmente cuando VDS = VDSPO.
- - -
N+ ------- N+
P-
VDS3 >VDSPO
Substrato ID

G
S +++++ +++++
D
•Cuando VDS > VDSPO, el MOSFET se
VGS
comporta como una fuente de - - -
N+ ------- N+
corriente (como en el caso de los P-
JFET).
Substrato
ATE-UO Trans 104
 Principios de operación de los MOSFET (VI)
VDS2 > VDS1
VDS1
ID0 ID0

G G
S D S D

N+ N+ N+ N+
P- P-

Substrato Substrato

Si VGS = 0, la corriente de drenador es prácticamente nula. En general, si

VGS <VTH, no hay casi canal formado y, por tanto, no hay casi corriente de
drenador.

ATE-UO Trans 105

 Curvas características de un MOSFET de
enriquecimiento de canal N
Referencias •Curvas de salida
ID
normalizadas D
+ ID [mA]
G VDS VGS = 4,5V
4
+ S -
VGS VGS = 4V
- 2
VGS = 3,5V
VGS = 3V
•Curvas de entrada: VGS = 2,5V VDS [V]
No tienen interés (puerta 0 2 4 6
aislada del canal) VGS < VTH = 2V

Muy importante

ATE-UO Trans 106

 Análisis gráfico de un MOSFET en fuente común
ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
2,5K 4

VGS = 4V
D +
2 VGS = 3,5V
G
VDS
S - 10V VGS = 3V
+
VGS VGS = 2,5V
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V Muy
Comportamiento resistivo importante

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 107
 Cálculo de las corrientes en la zona de fuente de
corriente (canal contraído) y de la tensión umbral
Ecuaciones no demostradas:

IDPO  (VGS - VTH)2·Z· n·Cox/2LC

VTH  2· F + ( rs·xox/ rox)·(4·q·NA· F/( rs· 0))1/2

Z = longitud en el eje perpendicular a la representación.

Cox = Capacidad del óxido por unidad de área de la puerta.

 rs,  rox y  0 = permitividades relativas del semiconductor y del óxido y

permitividad absoluta.

xox = grosor del óxido debajo de la puerta.

 F =VT·ln(NA/ni)

ATE-UO Trans 108

 Los MOSFET de deplexión (I)
G
S D •Existe canal sin necesidad de aplicar tensión
a la puerta. Se podrá establecer circulación de
N+ N- N+ corriente entre drenador y fuente sin
P- necesidad de colocar tensión positiva en la
puerta.
+
Substrato

+ •Modo ACUMULACIÓN:
G
S +++ +++ D Al colocar tensión positiva en la
VGS=V1 puerta con relación al canal, se
- - - - - - refuerza el canal con más
N+ N- N+
electrones procedentes del
P- V1 substrato. El canal podrá
Substrato + - conducir más.

ATE-UO Trans 109

 Los MOSFET de deplexión (II)

G +
S --- --- D
VGS=-V1
+ + + + + + V1
N+ N- N+
P-

Substrato + -

•Operación en modo DEPLEXIÓN:

Se debilita el canal al colocar tensión negativa en la puerta con relación al
substrato. El canal podrá conducir menos corriente.

ATE-UO Trans 110

 Los MOSFET de deplexión (III)
•Cuando se aplica tensión entre drenador y fuente se empieza a contraer el
canal, como ocurre en los otros tipos de FET ya estudiados. Esto ocurre en
ambos modos de operación.

VDS
VDS
ID ID

G G
S +++ +++ D S --- --- D
- - - - + + + + + + V1
N+ N- N+ N+ N- + + N+
P- - - P-
V1
Substrato + Substrato +

Modo acumulación Modo deplexión

ATE-UO Trans 111

 Comparación entre las curvas características de los
MOSFET de enriquecimiento y de deplexión
ID [mA] Enriquecimiento
VGS = 4,5V
4
Muy importante
VGS = 4V
2 VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V
ID [mA] Deplexión
0 2 4 6 VDS [V]
VGS = 1V VGS < VTH = 2V
4

VGS = 0,5V Modo acumulación

2
VGS = 0V
VGS = -0,5V Modo deplexión
VGS = -1V
0 2 4 6 VDS [V]
VGS < -1,5V ATE-UO Trans 112
 Comparación entre los símbolos de los MOSFET de
enriquecimiento y de deplexión con ambos tipos de canal

D D
Canal N
G G
S S
Tipo enriquecimiento Tipo deplexión

D D
Canal P
G G
S S
Tipo deplexión
Tipo enriquecimiento

ATE-UO Trans 113

Comparación de los circuitos de polarización para trabajar
en zona resistiva o en zona de fuente de corriente con
MOSFET de ambos tipos de canal

ID
-ID
R R
D D +
+
VDS G VDS
G V2
S - V2 + S -
+
VGS V1 VGS
V1 -
-

Canal N Canal P
Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y corrientes para
operar en los mismas zonas de trabajo.
ATE-UO Trans 114
 Comparación entre transistores JFET y MOSFET
ID ID

R R
D
IG 0 D
IG =0
G V2 G
S V2
+ +
V1 VGS V1 VGS
S -
-
JFET, canal N MOSFET, canal N

• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar estáticamente en un

MOSFET es cero. Por tanto, la corriente IG es más pequeña aún que en el
caso del JFET (que es casi cero, al estar polarizada inversamente la unión
puerta-canal).
• La tensiones V1 y V2 comparten terminales del mismo signo en el caso del
MOSFET. Esto facilita el control.
Muy importante
ATE-UO Trans 115
 Precauciones en el uso de transistores MOSFET

S G D D

N+ N+
G
P -
S
+

Substrato
•El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos.

•El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad estática de los dedos.
A veces se integran diodos zener de protección.

•Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los MOSFET de

enriquecimiento.
ATE-UO Trans 116
 6

POLARIZACIÓN DEL FET

Recordar las siguientes relaciones:

IG  0 A
ID  IS
2
 Vgs Esto es para los JFETS y los MOSFETS de
I D  I DSS 1  
 Vp de tipo decremental
I D  K Vgs  Vt  MOSFET de tipo incremental
2
CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA

Con los datos calcular:

a) Vgsq, Idq
Id b) Vds
D c) Vd, Vg y Vs
+ Idss=10mA
Vds Vp=-8V
+
Vgs -  2  Vgs  0
S
- - Vgs  2V
+
 Método matemático

a )como I G  0 A  Vgr  0V por lo tanto es un

corto finalmente Vgs  Vgg  Vgs  2V
2
 Vgs   2
b) I DQ  I DSS 1    10mA1  2
 Vp   8 
I DQ  5.625 mA
c )Vdd  I D RD  Vds  0
Vds  16  5.625mA( 2 K )  Vds  4.75V
d )Vds  Vd  Vs
Vd  Vds  Vd  4.75V
e)Vgs  Vg  Vs  Vg  2V
 METODO GRAFICO
Como es un JFET canal N entonces Id es + y Vgs es -

* Pto del I DSS  10mA

* Pto del Vp  -8V
* Pto cuando Vp/2, reemplazado
de la ec. de SHOCKEY
I DSS
y tenemos  2.5
4
I DSS
* Pto cuando I D  , entonces
2
Vgs  0,3 Vp.  -2.4V
Luego la ecuacion de red queda
Vgs  -Vgg  2 V
 Del gráfico obtenemos la sgte informacíon aprox :
a) I DQ  5.6mA Y Vgs  Vgg  -2V
c)Vds  Vdd - I D RD  16  5.6mA(2k )
Vds  4.8
Vds  Vd  Vs  Vd  4.8V
Vgs  Vg  Vs  Vg  2V  Vs  0V

POR LOS DOS MÉTODOS SE PRESENTAN RESPUESTAS MUY ACERTADAS

ENTRE ENTONCES AMBOS MÉTODOS SON VALIDOS
COFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN

Calcular:
a) Vgsq, Idq
b) Vds
c) Vs, Vg, Vd
a) Como I G  0 A  Vrg  0V  es un corto
- Vgs - IS RS  0 y como I D  IS
I DSS
Vgs   IS R S Si I D 
2
 I 
Vgs   - DSS ( RS )  4V
 2 
* Si I D  8mA  Vgs  -8mA(1K)  Vgs  -8V
* Si I D  0mA  Vgs  0V

Id(mA) 1Pto I DSS  8mA

2 Pto Vp  6v
Vp
3Pto con Vp 
a 8 2
red I DSS
ID 
4
I DS
Idq 4 Pto con ID 
2
Vp  0.3Vp
-6 -3
Vp/2
-4
 Luego la recta definida por
Vgs   I S RS  I S  I D
Entonces la intercepcion de la curva Vgsq  2.6V
del dispositivo y la recta definida por I DQ  2.6mA
la red, tenemos el punto q

b)Vds  Vdd  I D ( RS  RD )
Vds  20  2.6mA(1k  3,3k )
Vds  8.82V
c)Vs  I S RS  (2.6)(1k )  Vs  2.6V
Vg  0V
Vds  Vd  Vs  Vd  Vds  Vs  2.6  8.82
Vd  11 .42V
CONFIGURACIÓN DE ENTRADA COMÚN

Con I DSS  12mA  Vp  6V

Encontrar :
a ) Puntos de operación Q
Id Vgsq, Idq
b)Vds
D
G Vd  12  3.8mA(1.5 K )
Vd  6.3V
S
Si Vg  I S RS  I D ( RS )
Vs  3.8(680)
Vs  2.58
Is
Vds  Vd  vs
Vds  6.3  2.58
Vds  3.72V
 De la red
Vgs   I D (680)
Con I D  0, Vgs  0;
Con I D  6, Vgs  4.08;
12
Con I D  12; Vgs  8.16.

dispsitivo

-6
POLARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE

DETERMINAR
= Vdd a) Pto de operación

Idq, Vgsq y Vds.

D
G Idss=8mA
Vp=-4V

S
 Reemplazando valores
R2Vdd
Vg 
R1  R2
270k 16V 
Vg   Vg  1.82V
2.1M  0.27 M
Vgs  Vg  Vrs
Vgs  Vg  I D RS
Vgs  1.82  I D 1.5k  ecuación de red
Id(mA)

8 del gráfico obtenemos :

I DQ  2.4mA  Vgsq  1.8V
4
Q 2

-4
Vd  Vdd  I D RD
Vd  16  (2.4mA)(2.4k )
Vd  10.24V
Vs  I G RS  I D RS
Vs  3.6V
Vds  Vd  Vs
Vds  10.24  3.6
Vds  6.64V DE OTRO MODO:
Vdd  I D  RD  RS   Vds Ec. De salida
Vds  16  2.4 2.4  1.5 k
Vds  6.64
 FET DEL CANAL -P
JFET tipo P

Rd Id Idss
+
Vds
+
Vgs -
- Pto Q
Rs Is
Vp
-Vgs
 MOSFET canal P tipo decremental
-Vdd
Id

R1 Rd
Idss
+
Vds
+Vgs - Pto Q
Vg/Rs
R2 -
Rs -Vgs
Vg Vp
 MOSFET canal P tipo Incremental

-Vdd
Id
Rd

Rg +
Vds
Vdd/Rd
+ -
Vgs
- Pto Q
Vgs
Is
Vd Vgsth 0
 DISEÑO
Dado los valores del pto Q (Idq=2.5mA)
20V ^ Vd=12V calcular los valores necesarios

Rd Idq Rd y Rs
Vdd  Vd 20  12
Vd I DQ   RD 
G + RD 2.5mA
+ S RD  3.2 K
- Idss=6mA
Vp=-3V
Rs Is Con los datos obtenidos procedemos a aplic
La curva de transferencia y obtener Vgsq
Id(mA)
6
entonces del gráfico  1V
Vgs  Vg  Vs Vg  0  Vs   I D RS
Vgs   I D RS Idq

RS  
Vgs

  1V 
Vgsq
Idq 2.5mA -3
RS  0.4 K Vgsq=-1V
a la configuración de polarización mediante divisor de voltaje, calcular el val
Rs si Vd=12V y Vgsq=-2V

16V 16
Vg  47 k Vg  5.44
 91  47  k
1.8K Id
Vdd  Vd 16  12
91k Rd ID    I D  2.22mA
Vd Rd 1.8k
Vgs  Vg  Vs  Vg  I D RS
+
47k
Vgs  2  5.44  2.22( mA) RS
-
Rs RS  3.35 K
Para la sgte configuración se especifican los niveles de Vds e Id=Id encendid

Determine el nivel de Vdd y de Rd , Además Vgs=Vgs on

Vdd Vgs  6V
I D ENCENDIDO  4mA
Rd
10M Vgs (th)  3V
D
G 1
Vds  Vdd
S 2

si I D  I D ENCENDIDO  4mA  I DQ
Vgs  Vds  6v
Vdd  Vds  I DQ RD  0
1
Vds  Vdd Vdd  Vds 12  6
2 RD    1.5 K
Vdd  2Vds  2(6) I DQ 4mA
Vdd  12V
 MOSFET de tipo decremental canal n
Configuración TIPO H Para el MOSFET de tipo decremental
18V
De canal n, determine:

110M
1.8k Idss= 6 mA a) Ptos de operación
Id(mA)
Vp= - 3V
b) Vds
Vgs
10M 750

Idss 6
Para la curva de transferencia :
2
 Vgs 
I DS  I DSS 1   13.1mA
 Vp 
Vp I Vp
Con Vp   I D  DS
2 4 -3 -1 Vgs
Vp  1.5V  I D  1.5mA
Vgsq
I
Con I D  DSS  Vp  0.3Vp
2
I D  3mA  Vp  0.9V
Con Vgs  1V  I D  10.67mA
 10M
Vg  18V  Vg  1.5V
110  10 M
Vgs  Vg  I D RS  Vgs  1.5  I D (750).
Con I D  0  Vgs  1.5V
1.5
Con Vgs  0V  I D   I D  2mA
750
Del gráfico I DQ  3.1mA , Vgsq  0.8V
Vds  Vdd  I D ( RD  RS )
Vds  18V  3.1mA(1.8 K  750)
Vds  10.1V Vcodo  Vgs  Vp
10.1  2.2  ZONA LINEAL Vcodo  0.8  3
Vcodo  2.2V
 Configuración autopolarización
20V a) Idq, Vgsq
b) Vd

Idss= 8 mA Id 6.2K Id(mA)

Vp= - 8V

Vi
Idss 8
1M
2.4
Is 13.1mA

Vp
Vgs   I D RS Ec. de la entrada
-8 -1 Vgs
Si Vgs  0  I D  0
Vp 4 del grafico : Vgsq
Vgs   ID   4.67mA
2 2.4 K I DQ  1.7mA
6
Vgs   6  I D   2.5mA Vgsq  4.3V
2.4 K
Vdd  I D RD  Vd
Vd  20  1.7 mA(6.2 K )
Vd  9.46V

Vcodo  Vgs  Vp  4.3  8  3.7  Vcodo

20  1.7(6.2 K  2.4 K )  Vds
Vds  5.38V
5.38  3.7  Q en ZONA LINEAL
 MOSFET de tipo Incremental canal n
POLARIZACIÓN POR RETROALIMENTACIÓN
12V
I D ENCENDIDO  6mA
2K
Vgs ENCENDIDO   8V
10M
Vgs(Th)  3V

Recordar par los niveles de Vgs mayores que

Vgs(Th) ,la corriente de drenaje esta definida por

I D  K Vgs  Vgs (Th) 

2
(Curva )
I D ENCENDIDO
K
Vgs  Vgs (Th)  2
6mA A 3
K  0. 24 x10 A / V 2

 8  3 2 V 2
 Id (mA) Para los dos puntos de la curva

6
Con Vgs  6  I D  2,16mA
Q
2,75 Con Vgs  10  I D  11,76mA
Vdd
Vgs
3 6,4 8 10 12

Para la recta de polarización de la red : Vgs  Vdd  IdRd

Con I D  0  Vgs  12  Vdd

12
Con Vgs  0  I D   6mA
2K
De la grafica tenemos el pto Q aprox :
I DQ  2.75mA
Vgsq  6.4V
POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE

DETERMINE Id, Vgsq, Vds

Id R2Vdd 18M (40V )

22M 3K Vg    18V
R1  R2 22 M  18M
D
La recta esta dada por : Vgs  Vg - IdRs
Vgs S 18V
Con Vgs  0  I D   21.95mA
18M 0.82K 0.82K
Con I D  0  Vgs  Vg  18V
3mA 3 A
K  0.12 x10
I D ENCENDIDO  3mA (10  5) 2
V2
I D  0.12 x10 3 Vgs  5
2
Vgs ENCENDIDO   10V ENTONCES

Vgs (Th)  5V
 Id (mA)
De la grafica se obtiene el pto Q :
I DQ  6.7 mA
Vgsq  12.5V
21,95

Q Para la salida se obtiene :

Vds  Vdd  I D  RS  RD 
6,7

12,5 18 Vds  40  6.7 mA 3  082 K

20 Vgs

Vds  14.4V
Análisis a pequeña señal para
FET
Los amplificadores con transistores de efecto de campo
proporcionan una ganancia de voltaje excelente con la
característica adicional de una alta impedancia de entrada.
Además son considerados como configuraciones de bajo
consumo de potencia con un adecuado rango de frecuencia y
un tamaño y peso mínimos.

Todos los dispositivos JFET como los MOSFET de tipo

decremental pueden emplearse para diseñar amplificadores
que cuenten con ganancias similares de voltaje sin embargo el
circuito MOSFET decremental tiene una impedancia de
entrada mucho mayor que la de una configuración JFET similar.
Gracias a las características de impedancia de entrada alta de los FET’s
el modelo equivalente de AC para de alguna forma más simple que el
utilizado por los BJT’s. mientras que el BJT cuenta con factor de
amplificación β(beta), el FET cuenta con un factor de
transconductancia gm.

El FET puede emplearse como un amplificador lineal o como un

dispositivo digital en circuitos lógicos. De hecho el MOSFET
incremental es muy popular en los circuitos digitales, especialmente
en los circuitos CMOS que requieren un consumo de potencia muy
bajo. Los dispositivos FET también se utilizan ampliamente en
aplicaciones de alta frecuencia y en aplicaciones de circuitos de
interfaz para computadoras.

La AV en los FET´s con frecuencia menor que la obtenida para un BJT,

pero la Zi es mucho mayor que los del BJT, en cambio la Z 0 de salida
son equivalente para ambos. La Ai será una cantidad indeterminada
debido a que la corriente de entrada en los FET’s es 0μA.
 Modelo de pequeña señal para el FET
Recuerde que en DC, el voltaje de compuerta-fuente contra el nivel de la corriente de
drenaje mediante la ecuación de SHOCKLEY.

2
 VGS 
I D  I DSS 1  
 VP 
El cambio en la corriente del drenador que se ocasiona por el cambio en el voltaje
compuerta-fuente puede determinarse mediante el uso del factor de
transconductancia gm de la siguiente forma:

I D  gmV
gm=transconductancia
 DETERMINACION GRAFICA DE gm
ID(mA)
I D
Curva obtenida mediante gm  Pendiente en el

 VGS 
2 IDSS VGS punto Q
I D  I DSS 1  
 V 
 p 
Pto Q=(-2.5 ; 3)

I D 1.8
Q 4 gm  
∆ID
2
VGS 1
∆VGS
gm  1.8ms
VGS
Vp 3 2
 DEFINICION MATEMATICA DE gm
I D dI D d   VGS  d  VGS 
gm  |PtoQ    I DSS 1    2 I DSS 1  
VGS dVGS dVGS   VP  dVGS  VP 
 VGS  1 
gm  2 I DSS 1    
 VP   VP 
I  VGS 
gm  2 DSS 1  
VP  VP 
Donde |Vp| denota solo la magnitud parar asegurar un valor positivo de gm
Cuando VGS=0 gm alcanza su valor maximo gm0, entonces:

2 I DSS  0 2 I DSS
gm  1     gm0
VP  VP  VP
  VGS 
Por lo tanto gm  gm0 1  
 VP 
En las hojas de especificaciones proporcionan gm como Yfs donde
Y parámetro de admitancia.
f parámetro de transferencia directa (forward)
s revela que la terminal de la fuente es la referencia del modelo

gm  YFS Para el JFET varia desde 1000 hasta 5000µs o de 1-5 ms

Grafica de gm en función de VGS

 VGS 
gm(s) gm  gm0 1  
 VP 
gm0
Si VGS=0 gm=gm0
Si VGS=VP gm=O

VGS(V)
Vp
  VGS 
Debido a que el factor 1   es < 1 para cualquier Vgs ≠ 0, la magnitud
 VP  Vgs
de gm disminuirá a medida que Vgs se aproxime a Vp y que el cociente se
Vp
incremente en magnitud.

IMPACTO DE ID SOBRE gm
2
 VGS 
Ec. de SHOCKLEY: I D I DSS 1  
 VP 
2
I D  VGS  V ID
 1   1  GS 
I DSS  VP  VP I DSS

ID
Entonces gm  gm0
I DSS
Se puede graficar gm(s) en función de ID(mA) con los siguientes datos:

I DSS
a) Si ID = IDSS gm  gm0  gm  gm0
I DSS

I DSS
b) Si ID = IDSS/2 gm  gm0 2  gm  0.707 gm
0
I DSS

I DSS
b) Si ID = IDSS/4 gm  gm0 4  gm  0.5 gm
0
I DSS
 Ejemplo :
Con IDSS=8mA y Vp=-4V. Graficar gm Vs. ID
2 I DSS 2 * 82
gm0    4mS
VP 4

Con IDSS=4; gm=2.83ms

Con IDSS=2; gm=2ms

gm(ms)

gm0=

ID(mA)
IMPEDANCIA DE ENTRADA Zi DEL FET
En forma de ecuación: Z i  
Para un JFET se tomó un valor típico de 109Ω (1000MΩ), mientras
que a los MOSFET’s se tomó un valor típico de 10 12Ω a 1015Ω

IMPEDANCIA DE SALIDA Z0 DEL FET

Es de magnitud similar a la del BJT.
En las hojas de especificaciones se representa como YθS.

En forma de ecuación: ID(mA)

VGS=0V
1 Q ∆ID
Z 0  rd  ∆Vds
VGS=-1V
yS
VGS=-2V

Vds
rd  Con VGS constante VGS=-3V
I d Pto.Q
Vds
CIRCUITO EQUIVALENTE DE AC PARA EL FET

G D

gm VGS rd
S S

CIRCUITO DE POLARIZACIÓN PARA EL JFET

POLARIZACIÓN FIJA VDD
Datos:
Asumiendo que el Pto Q:
RD VDD=20v
RD=2k Vgs  2V
Pto. Q
RG=1M I DQ  5.625mA
Ci VG=2V
Vi
Z0 IDSS=10mA YS  40 s
RG VP=-8V

Zi VG
 Del análisis DC
2 I DSS 2 *10
gm0    2.5mS
VP 8
 VGS    2
gm  gm0 1    2.51    1.88mS
 VP   8
1 1
rd    25k
yS 40S
Análisis AC
Z i  RG  1

Vi G Z 0  rd // RD
D V0
+
Si rd ≥10RD Z0=RD
Zi RG RD Z0 25≥10(2) Ξ 1
- Z0 =2k ó Z0 =25k//2k= 1.85k
 V0
AV  V0   gmVgs  rd // RD 
Vi

Como Vgs = Vi

V0  gmVi  rd // RD 

V0
AV    gm rd // RD 
Vi

Reemplazando valores AV    1.88mS   1.85k 

ó AV   gmRD    1.88   2  � AV  3.76 �AV  3.48

 Autopolarización

Vi G D
V0 +
RG
Zi RD
Z0
-

Z i  RG
Z 0  rd // RD ; si rd ≥ 10RD→ Z 0  rd // RD

AV   gm  rd // RD  �G AV   gmRD
Vi G D
+ Z i  RG
gm VGS ID V0
Zi RD Z0 V0 Z0 
RG S Vi V  0V
i
RS I0 - Vi
ID +
S
gm VGS RD
S V0
Con Vi =0V→VRG=0V (cortocircuito) RG
RS I0
gmVgs  I D  I ;Vgs   gmVgs  RD  G -
V0
Z0  V0   I D RD
Vgs    I D  I   RS  I0
Y como ID=-I0
Por lo tanto en 1: gmVgs=ID+I0
I D  I  gm  I D  I   RS  V0  I 0 RD
I D  I 0   gmI D RS  gmI 0 RS V0
I 0  1  gmRS    I D  1  gmRS   Z 0  RD Sin considerar rd
I0
I0  I D
 Considerando el efecto de rd
V0 I D RD
Vi G D Z0  
I’ + Vi Vi  0V
I0
+
ID
Zi RG S - RD V0
Z0

RS I0+ID I0 -
S
Vr d
I D  I 0  gmVgs  I �
I�

rd
 gmVgs  Vr d  V0  0 Vr d  Vgs  V0
Vgs  V0
I 0  gmVgs   I0
rd
Vgs V0
I 0  gmVgs    I0
rd rd
 � 1 � I D RD
I 0  Vgs �gm  �  ID
� rd � rd
� 1� I D RD
I0   � gm  �  I 0  I D  RS   ID
� rd � rd
� 1� I D RD
I0  �
gm  �  0 S D S
I R  I R   ID
� rd � rd
� 1� � 1� I D RD
I0  �
gm  �  0 S �
I R  gm  �  D S
I R   ID
� rd � � rd � rd
I 0 RD I D RS I D RD
 I 0  gm  I 0 RS    gm  I D RS     ID
rd rd rd
I 0 RD I R I R
 I 0  gm  I 0 RS    gm  I D RS   D S  D D  I D
rd rd rd
� RS � � RS RD �
I0 �
1  gmRS  � I D �
gmRS    1�
� rd � � rd rd �
 � RS RD �
gmRS 
ID �   1�
� rd rd �
I0 
� RS �
1  gmRS  �
�
� rd �

� RS RD � R
 I D RD �gmRS    1� 1  gmRS  S
V0 � rd rd � rd
Z0   � Z0  RD
Vi � RS RD � RS RD
ID � gmRS    1� 1  gmR S  
� rd rd � rd rd
� RS �
�1  gmRS  �
� rd �
Si rd ≥10RD, entonces
RS R
1  gmRS   D Z 0  RD
rd rd
Para ganancia de voltaje

V0 V0   I D RD
AV  ;
Vi VRS   I D RS

Vi  Vgs  VRS  0 Vgs  Vi  VRS  Vi  I D RS  Vgs

V0  VRS
I'
rd
V0  VRS
I D  gmVgs  I '  gmVgs 
rd
Sustituyendo tenemos

 
I D  gm Vi  I D RS 
  I D RD    I D RS 
rd
RD R
I D  mgVi  gmI D RS  I D  ID S
rd rd
 R R 
I D 1  gmRS  D  S   gmVi
 rd rd 
gmVi
ID 
R  RS
1  gmRS  D
rd
gmVi RD
V0   I D RD  
R  RS
1  gmRS  D
rd

V0 gmRD gmRD
 ; Si rd ≥ 10(RD+RS) AV  
Vi R  RS
1  gmRS  D 1  gmRS
rd
3) Divisor de voltaje

RD V0
R1

Z0

R2 RS
Vi Zi RS

Z i  R1 // R2
Z 0  rd // RD V 0V
i

r  10 RD  Z 0  RD
Si d
 Con desvío

Vi G V0
+

R1 R2
S RD
Z0
Zi

Z i  R1 // R2

Z 0  rd // RD V 0V ; Si rd  10 RD  Z 0  RD
i
 V0
AV 
Vi

Vi  Vgs  V0   gmVgs  rd // RD 

 gmVgs rd // RD 
AV 
Vgs
 AV   gmVgs rd // RD 

Si rd  10 RD  AV   gmRD
Sin Desvío
Vi G D + V0

R1 R2 S RD
Zi
Z0
RS

Z i  R1 // R2
El circuito es de forma similar al anterior con el efecto de rd
RS
1  gmRS 
rd
Z0  RD
RS RD
1  gmRS  
rd rd
 RS RD
Si rd  10 RD ; entonces 1  gmRS 
rd

rd

Z 0  RD

gmRD
AV  
RS  RD
1  gmRS 
rd

gmRD
Si rd  10 RD  RS  ; entonces AV  
1  gmRS
Fuente – Seguidor (Drenaje Común)
 Z i  RG
Vi G S + V0
+ Vgs -

Z0 al hacer Vi=0V se
RG RS
obtiene el siguiente Zi D
circuito. Z0

+
S + V0 V0  Vgs
gmVgs I0 LCK en el nodo S
Vgs rd RS Z0
I 0  gmVgs  I rd  I RS
- -
V0 V0
I 0  gmVgs  
rd RS
 1 1 
I 0  V0     gmVgs;Vgs  V0
 rd RS 
1 1 
I 0  V0    gm
 rd RS 

V V 0 1 La cual tiene el formato que la

Z0  0   ; resistencia total de 3 resistencias
I0 1 1  1 1  1 en paralelo
V 0    gm 1
r
 d R S  rd RS
gm

1 1
Z 0  rd // RS // ;Si rd ≥ 10RS Z 0  RS //
gm gm
 V0
AV 
Vi
V0  gmVgs rd // RS 
Vgs  Vi  V0
V0  gmVi  V0  rd // RS   gmVi  rd // RS   gmV0  rd // RS 
V0  1  gm rd // RS    gmVi  rd // RS 

V0 gm rd // RS 
AV  
Vi 1  gm rd // RS 

gmRS
Si no hay rd ó rd ≥ 10RS AV 
1  gmRS
Compuerta Común

Impedancia de entrada Zi
V
Z 
I
; Vgs  Vi  V 
I   gmVgs  Ird

I   Ird  gmVgs

V   I RD
I   gmVgs
rd
 V  I RD
I    gm  V 
rd rd

 RD  1 
I 1    V   gm
 rd   rd 

 RD 
1  r 
V  d  rd  RD

Zi    Zi 
I  1 1  gmrd
 gm  r 
 d 
  RD 
1  r 
V  d  rd  RD
Zi    Zi 
I  1 1  gmrd
 gm  r 
 d 

1 1
Si rd ≥ 10RS Z i   Z i  RS //
gm gm

V0
Impedancia de salida Z0   Z 0  RD // rd
I0 Vi  0V

Si rd ≥ 10RS Z 0  RD
 V0
GANANCIA DE VOLTAJE AV 
Vi
- - + + Vi  Vgs
rd V0  I D RD
Vi V0
+ -S D + Vrd  V0  Vi
gm VGS
Zi RS RD V0  Vi
Z0
- G - I rd 
rd
I rd  gmVgs  I D  0
V  V  V V
I D    0 i   gmVsg  i 0  gmVi
 rd  rd
V  V  VR VR
V0   i 0  gmVi  RD  i D  gmVi  0 D
 rd  rd rd
 R  R 
V0  1  D   Vi  D  gmRD 
 rd   rd 
RD
gmRD 
V0 rd
AV   Si rd ≥10RD Av=gmRD
Vi R
1 D
rd
 MODELO AC PARA MOSFET´s DEL TIPO
DECREMENTAL
El hecho e que la ecuación de Schockley sea también aplicable a los
MOSFET’s de tipo decremental da por resultado una misma ecuación
para gm. De hecho el modelo equivalente de Ac para los MOSFET’s
decremental es EXACTAMENTE el mismo que el utilizado para los FET’s.

La única diferencia que presentan los MOSFET´s decremental es que VGS

que puede ser positivo para los dispositivos de canal “n” y negativo para
los de canal “p”. El resultado de esto es que gm puede ser mayor que
gm0.

El rango de rd es muy similar al que se encuentra para los JFET’s

G
+
gm VGS
- S
Configuración DIVISOR DE VOLTAJE
Datos:
Del análisis DC: VBSQ=0.35V
IDSS=6mA
18V IDQ=7.6mA
VP=-3V
YOS=10μS
2 I DSS 2 * 6
gm0    4mS
VP 3
1.8K
110M

 VBSQ 
gm  gm0 1  
Z0  V P 

 0.35 
gm  4mS 1    4.47 mS
10M 150Ω  3 
Zi

1 1
rd    100k
yOS 10S
Análisis AC:

G D
V0
+ +
110M 10M 4.47*10-3 Vgs 100K
Zi 1.8K
Vi
- - -
S

Z i  110  // 10
Z i  9.17

Z 0  100k // 1.8k Porque rd ≥ 10RD

Z 0  1.77k  1.8k  RD  Z 0 100k ≥ 10(1.8k) Ξ 1

AV   gmRD
AV  4.47mS 1.8k 
AV  8.05
 MOSFET`S DE TIPO INCREMENTAL
CANAL P
G

gm VGS

CANAL N 1
gm   fs ; rd
yos

Del análisis DC: D 

I  k Vgs  Vgs th  2 Como: gm 
I D
Vgs

gm 
d
dVgs
   
k Vgs  Vgs th  2k Vgs  Vgs th 1  0
2

gm  2k Vgs Q  Vgs th 
 1) Configuración de Retroalimentación en Drenaje

VDD Vi
Impedancia de entrada: Zi 
Ii
RD RF
Ii
C2 Ii
V0 Vi V0
+ D
G +
RF
Z0 Zi gm VGS R D Z0
C1
Vi S -

Zi V0
I i  gmVgs  ; Vgs  Vi
rd // RD

V0
I i  gmVi  V0   rd // RD  I i  gmVi 
rd // RD
 Vi  V0 Vi   rd // RD  I i  gmVi 
Ii  
RF RF
I i RF  Vi   rd // RD  I i   rd // RD  gmVi
I i  RF   rd // RD    Vi 1  gm rd // RD  

RF   rd // RD 
 Zi 
1  gm rd // RD 

RF
Zi 
Por lo general RF >> rd//RD 1 gm rd // RD 

RF
Si rd >> 10RD Zi 
1  gmRD
Impedancia de Salida

V0 Vgs  0V  gmVgs  0 A
Z0 
I 0 V 0V
i

RF

rd
Vi=Vp=0V RD Z0 Z 0  RF // rd // RD

Como: RF >> rd//RD Z 0  rd // RD

Y si rd>>10RD Z 0  RD
Ganancia de Voltaje

V0
AV  ?
Vi

V0 Vi  V0
I i  gmVgs  ; Vgs  Vi e Ii 
rd // RD RF

Vi  V0 V0
 gmVi 
RF rd // RD
Vi V0 V0  1   1 1 
  gmVi  Vi   gm  V0   
RF RF rd // RD R
 F  r
 d // RD RF 
 1
 gm
V0 RF
AV  
Vi 1 1

rd // RD RF

 gm
Como: gm >> 1/RF AV 
1  1  1
rd RF RD

AV   gm RF // rd // RD 

Por lo general RF >> rd//RD y rd >> 10RD

AV   gmRD
2) Configuración de Divisor de Voltaje

R1
V0

Vi G V0
C1 Z0
+
Zi gm rd Z
R1 R2 RD
R2 VGS S 0

Zi
RS CS

Z i  R1 // R2 V0
AV    gm(rd // RD ) ; si rd
Z 0  rd // RD ; si rd >>10β Vi >>10β
Z 0  RD AV   gmRD
 DISEÑO DE REDES DE AMPLIFICADOR FET
• Diseñe la red de polarización fija para que tenga ganancia AC de 10. Es decir
determine el valor de RD
VDD=30V
Debido a Vgs  0V  gm  gm0
IDSS=10mA que: 2 I DSS 2 *10
Vp=-4V RD gm0    5mS
Vp 4
yOS=20μS
0.1μF
AV   gm0  RD // rd  1 1
Vi rd  
10M  10 yos 20 S
 RD // rd
 5mS rd  50k
 RD // rd  2k

50k  RD  50kRD  100k  2kRD

 2k RD  2.08k
50k  RD 48kRD  100k
VDSQ  VDD  I DRD  30  10mA 2k 
Z i  10

Z 0  rd // RD  2k // 50k
Z 0  1.92k  RD  2k
 EJERCICICIOS
• LOS SIGUIENTES EJERCIOS SON
AMPLIFICADORES EN MULTIETAPA
LOS CUALES TIENEN LOS TRES
TIPOS DE TRANSISTORES VISTO EN
CLASE
EJEMPLO 20V

Datos:
Q1: IDSS=10mA ; Vp=-4V
8.6M
Q2: IDSS=4mA ; Vp=-5V
Vi Q1 ID Q3: β=50 ; VBC=0.7V

Zi

Q2 ID RE
150k
1k Z0

Calcule:
a)Puntos de Operación,
b)Expresión literal para AV, Zi, Z0
c)Evalúe del literal b
Análisis DC:

Se obtiene: Q3: IBQ=92.4μA

Q1: Vgs1=-1.44V
Q2: Vgs2=0V

Q1
Análisis AC:
G D

R1 gm Vgs1
Vi 8.6M
ZMi Q1
S B C
+ IBQ
R3 hie hfe
ZM0 VB
150k
E
- V0
AV1 RE 1k

AV2
 2I  Vgs 
gm  DSS 1  
Vp  V p 
10mA   1.44 
gm1  2 1   3.2mv
4  4 
4mA  0 
gm2  2 1    1.6mv
5   5
26mV 26mV
hie    0.279k
I BQ 92.4A

En Q2: Vgs2=0 ; Vs2=0

Vgs2=0 ; gmVgs=0 Abierto
VB
AV 1  1
Vi
Z M 0  R2

Z M 0  2
 EJEMPLO

+Vcc

R1 R4
Datos:
8M 2k
Q1: IDSS=10mA ; Vp=-4V
B 2
V01 Q2: k=0.3mA/V2 ; VTH=1V ; Vgsq=8V
2 Q3: β=50 ; VBC=0.7V ; Ibq=10μA
R2 2
Vi 2M Z0
Zi V01
A Q3 AV 1 
Vi
Vg1=0 V02 ; Zi ; Z0
1 R5 V02
150M R3 Vs1=0 1k AV 1 
1 Vi
1
Vgs1=0
 B G2 D2

R1 R2 gmVgs2
Vi
8M 2M S2 V01
b3 C3
A Ib3 R4
R3
150M Vgs1 gmVgs1 hie hfeIb3 2k
e3 V02
R5 1k Z0

26mV 26mV
hie    2.6k
I bq 10 A

 Vgs 
gm1  gm0 1    gm0  2
I DSS

gm2  2k Vgs  VT 
 V p  Vp
10mA  0 
gm1  2 1    5mv gm2  2 0.3  8  1  4.2mv
 4  4
 Ii B
+
R2 Vgs2 gmVgs2
Vi R1 I2 2M -
I1 8M
A b3 C3 V01
Ib3
I3 R3 +
150M hie hfeIb3 R4
2k
V01 V01 VA
AV 1    VA e3
Vi VA Vi V02
- R5 1k
LCK nodo A
I 2  gm2Vgs 2  I 3  I b 3
Vi  VA V VA
 gm2 Vi  VA   A 
R2 R3 hie   h fe  1 R5
Vi VA 1 1 
  gm2Vi  gm2VA  VA   
R2 R2 R
 3 hie   h fe  1 R5

RRb3
 1  1 1 1 
Vi   gm2   VA     gm
R
 2  R
 3 RRb3 R2 
 1
 gm2 Evaluando
VA R2
 VA
Vi 1

1

1
 gm2  0.994
R3 RRb 3 R2 Vi

1 V 01   h fe I b3  R4 
 gm2
AV1 
h fe R4

R2 
VA  I b3 RRb3 
RRb3 1 1 1
  gm2  V 01  h fe I b3  R4   h fe  R4 
R3 R2 RRb3  
Evaluando
VA 
I b3 RRb3  RRb3
Evaluando
AV1    1.853 0.994
V 01
 1.853
AV1  1.853 VA
 1 V 02  I e3 R 5   h fe  1 I b3 R5

AV2 
 h fe  1 R5 R2
 gm2

VA  I b3 RRb3 
RRb3 1

1

1
 gm V 02 h fe  1 I b3 R5  h fe  1 R5
R3 R2 RRb3  
Evaluando
VA I b3 RRb3  RRb3

AV2   0.951 0.994 Evaluando

V 02
 0.951
AV2  0.945 VA
 Vi
Impedancia de Entrada: Z i 
Zi

LCK nodo B
I i  I1  I 2
Vi Vi  VA
Ii  
R1 R2
Vi Vi VA Vi Vi V A Vi
Ii      R
R1 R2 R2 R1 R2 2
Vi

Vi Vi Vi AVA
Ii   
R1 R2 R2
1 1 AVA 
I i  Vi    
 R1 R2 R2 
V 1 1
 i  
R1  R2   12 M  0.994 2 M
AVA
Ii 1 1
R2
1
8M

Z i  7.8125  
Impedancia de Salida:

V' V 0 CA
Z0  0 ó Z0 
Z0 ' I cc

V01 V0CA
 AV 1  V0CA    1.853Vi
Vi VA

VA  0.994Vi 0.994Vi
I cc  h fe I 'b3 ; I ´b3  
hie  R5  h fe  1 hie  R5  h fe  1

Z0 
  1.853Vi 
1.853
0.994Vi h fe
 h fe
RRb3
 0.994
RRb3
Evaluando

Z 0  1.999k