Tema 10 - Electrónica de Potencia
Tema 10 - Electrónica de Potencia
Tema 10 - Electrónica de Potencia
Potencia
SUBTEMAS:
Descripción.
Modos de funcionamiento.
Características en conmutación.
Aplicaciones y ventajas.
CI Driver - MOSFET
Electrónica de potencia
EL IGBT
El transistor Bipolar de Puerta Aislada.
Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET
La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensión y no por corriente
Electrónica de potencia
EL IGBT
Funcionamiento del IGBT
Electrónica de potencia
EL IGBT
Tabla de funcionamiento
Electrónica de potencia
EL IGBT
• Tensión de ruptura V máx.
• Corriente máxima I máx.
• Tensión colector-emisor en saturación
250 V 600 V
300 V 900 V
1200 V
(Poco usuales)
Electrónica de potencia
EL IGBT
Tabla de comparación del IGBT
Electrónica de potencia
IR2110
IR2110 es un CI controlador MOSFET e IGBT de Imagen aquí
alto voltaje. Puede controlar interruptores tanto del
lado bajo como del lado alto en circuitos de medio
puente y de puente bajo.
Son controladores de MOSFET e IGBT de
potencia de alta velocidad y alta tensión con
canales de salida independientes referenciados en
el lado alto y bajo.
Electrónica de potencia
IR2110
PIN DE CONEXIÓN
1. LO Pin de salida para un controlador de puerta lateral baja
2. COM Ruta de retorno para configuración del lado bajo
3. VCC Pin de la fuente de alimentación para el lado bajo
4. VS: Ruta de retorno de punto flotante para transmisión lateral
alta
5. NC
6. VB Suministro flotante para transmisión lateral alta
7. HO Señal de salida para MOSFET de lado alto
8. NC
9. VDD Fuente de alimentación + 5V
10. HIN Entrada de señal PWM para el lado alto
11. SD Pin de apagado para apagar el sistema automáticamente
12. LIN Entrada de señal PWM para el lado bajo
13. VSS Tierra de la fuente de alimentación
Electrónica de potencia
IR2110
Instalación típica.
Electrónica de potencia
EL tiristor IGCT
El tiristor integrado de puerta conmutada (IGCT) es una evolución del tiristor y al igual que el tiristor en su
control del interruptor de encendido, consiste en una placa de compuerta y un tiristor conmutado por
compuerta, además consta de un diodo anti paralelo que se integra en el reverso conduciendo IGCT. Es que
se integra en el reverso conduciendo
IGCT. Es un semiconductor avanzado para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia por encima de
100kW.
Actividad Virtual
Electrónica de potencia
Actividad Virtual
Implementar un circuito de potencia para un motor empleando el IGBT y su driver controlador.
Gracias