Les Condensateurs

Rf.
: E1925
Date de publication :
10 fvrier 2007
Condensateurs
Cet article est issu de : lectronique - Automatique | lectronique
par Alain BEAUGER, Jean-Marie HAUSSONNE,

Jean-Claude NIEPCE
Rsum Les condensateurs, composants passifs, sont utiliss dans tous les domaines
de llectronique. Leurs performances lectriques dpendent de la nature du dilectrique
et de la structure lectrode-isolant-lectrode, ce qui permet de les classer en trois grandes
familles : condensateurs cramiques, lectrochimiques et film plastique. Le choix du
type de condensateur dpend de lapplication vise : il seffectue en tenant compte de la
valeur de la capacit recherche et du comportement du dilectrique en fonction des
conditions dutilisation. Les technologies de mise en uvre et de report, ainsi que les
contraintes de fiabilit et de cot sont galement considrer.
Abstract Capacitors, passive components, are used in every domain of electronics.

Their electric performances depend on the nature of the dielectric and on the
electrode-insulator-electrode structure, which allows for classifying them into three large
families: ceramic, electrochemical and plastic film capacitors. the choice of the type of
capacitor depends on the desired application; it must take into account the value of the
desired capacity and the behavior of the dielectric according to the conditions of use.
Implementation and sticking technologies as well as reliability and cost constraints are
also to be considered.
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Condensateurs
par
Alain BEAUGER
Docteur en chimie-physique
Ingnieur en R&D TPC AVX Corporation
Jean-Marie HAUSSONNE
Ingnieur ENSCI de Svres, Docteur s-Sciences
Professeur lUniversit de Caen Basse-Nomandie, DRRT Rgion Bretagne
et
Jean-Claude NIEPCE
Parution : fvrier 2007 - Ce document a ete delivre pour le compte de 7200092269 - cerist // 193.194.76.5
Agrg de Physique, Docteur s-Sciences

Professeur lUniversit de Bourgogne
tiwekacontentpdf_e1925
1.
1.1
1.2
Gnralits.................................................................................................
Caractristiques physiques.........................................................................
Principales familles de condensateurs ......................................................
2.
2.1
2.2
5
6
2.3
2.4
2.5
2.6
Condensateurs cramiques...................................................................
Technologie ..................................................................................................
Miniaturisation et baisse des cots des condensateurs cramiques
multicouches ................................................................................................
Proprits lectriques..................................................................................
Applications .................................................................................................
volution ......................................................................................................
Fonctions passives intgres......................................................................
8
11
12
12
13
3.
3.1
3.2
3.3
3.4
Condensateurs lectrochimiques ........................................................

Technologie ..................................................................................................
Applications .................................................................................................
volution ......................................................................................................
13
13
16
17
17
4.
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
Condensateurs films ...............................................................................

Technologie ..................................................................................................
Applications .................................................................................................
volution ......................................................................................................
Condensateurs utiliss en lectronique de puissance .............................
17
17
19
20
20
20
5.
5.1
5.2
Tendances...................................................................................................
volution du secteur des condensateurs...................................................
Supercondensateurs ...................................................................................
20
20
21
Pour en savoir plus ...........................................................................................
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Doc. E 1 925
es condensateurs appartiennent la famille des composants passifs, et ils

sont utiliss dans tous les domaines de llectronique : tlcommunications,
informatique, automobile, spatial, grand public, etc. De faon trs basique, ils
permettent demmagasiner transitoirement une charge lectrique entre deux
lectrodes qui sont spares par un matriau isolant appel dilectrique. Leurs
performances lectriques dpendent de la nature du dilectrique et de la structure lectrode-isolant-lectrode. Ces considrations permettent de les classer en
trois grandes familles :
condensateurs cramiques ;
condensateurs lectrochimiques ;
condensateurs film plastique.
Toute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copie

est strictement interdite. Editions T.I.
E 1 925 1
CONDENSATEURS ______________________________________________________________________________________________________________________
Le choix du type de condensateur dpend de lapplication vise : il seffectue

non seulement en tenant compte de la valeur de la capacit recherche mais
aussi du comportement du dilectrique en fonction de la temprature, de la
frquence, de lamplitude du signal traiter, de la tension de polarisation, des
contraintes climatiques, etc. Enfin, les technologies de mise en uvre et de
report, ainsi que les contraintes de fiabilit et de cot sont considrer.
Lvolution technologique des condensateurs est lie actuellement une
double sollicitation de miniaturisation et de baisse des cots. Aujourdhui, cette
tendance a impos, dans les domaines des tlcommunications et des applications dites grand public, lemploi exclusif des techniques de report en surface
des composants sur circuits imprims. Ainsi, les condensateurs destins aux
circuits lectroniques de grande diffusion, qui ne peuvent pas suivre cette
volution pour des raisons conomiques ou techniques, ont disparu ou sont
condamns disparatre.
Ce dossier est une mise jour du dossier du mme nom, crit par Alain LAGRANGE.
1. Gnralits
1.1 Caractristiques physiques
Le condensateur est gnralement soumis une tension alternative de frquence f ou de pulsation = 2f. Il se caractrise par six
grandeurs physiques qui dfinissent ses domaines dapplication.
Capacit
La capacit C dun condensateur est gale au rapport de la charge
lectrique Q emmagasine la tension V applique entre ses
armatures :
C = Q/V
Figure 1 Coupe transversale dun condensateur disque
C est mesure en farads (F), Q en coulombs (C) et V en volts (V).

Dans le cas simplifi dun condensateur plan, dont les armatures
en regard sont planes, de surface S et quidistantes de e, lexpression de la capacit C est :
C = S/e = 0rS/e
avec
permittivit du dilectrique,
permittivit du vide
(= (36)1 109 = 8,854 1012 F m1),
permittivit relative (2 20 000) du dilectrique

ou constante dilectrique du matriau (Elle est
note k dans la littrature anglo-saxonne).
Dans la suite du texte, pour des raisons de simplification et

comme il est souvent dusage, nous dsignerons par la permittivit relative du dilectrique.
Une coupe transversale dun condensateur plan, sous forme de
disque, est fournie dans la figure 1.
Pertes
Les pertes du condensateur regroupent les pertes dnergie lectrique de toutes origines qui se produisent en cours dutilisation du
condensateur. Elles proviennent dune part de la rsistance des
armatures et des connexions, et dautre part du dilectrique luimme et de sa rsistance disolement : ce sont des pertes ohmiques
lies la rsistance lectrique du matriau dilectrique et celles
E 1 925 2
associes lnergie perdue lors du mouvement des charges lectriques ou des diples de toutes sortes inclus dans le matriau dilectrique lui-mme. En effet, les charges et les diples prsentent
une certaine inertie par rapport la sollicitation lectrique, qui
dpend de la frquence, et leur entranement par le champ lectrique engendre une perte dnergie. Les pertes dpendent de la
frquence, de la temprature et de la tension de fonctionnement.
Sur la figure 2, la zone 1 correspond leffet du dilectrique, et la
zone 2 leffet des armatures et des connexions.
Tangente de langle de pertes (tan )
Le condensateur est, le plus souvent, soumis une tension lectrique sinusodale que lon peut exprimer en fonction du temps par :
V = V0 cost
La relation Q = CV devient Q = CV0 cost.
On peut alors exprimer lintensit du courant lectrique qui traverse le condensateur comme :
I = dQ/dt
en consquence :
I = CV0 sint

_____________________________________________________________________________________________________________________ CONDENSATEURS
Condensateur idal
En se rfrant au schma de la figure 2, les pertes peuvent tre

considres comme la somme dune contribution sous tension
continue UDC et dune contribution sous tension alternative UAC :
tan = pertes DC + pertes AC
Rp
Rs
Ls
tan = (Rs + Rp)/(L 1/C)
Condensateur rel
Cx
Cette expression se simplifie, soit dans le domaine des basses frquences, soit dans celui des hautes frquences :
Ri
Zone 1
Zone 2
basses frquences : tan ~ 1/RpC

hautes frquences : tan ~ RsC
Cx : capacit pure
Rp : rsistance parallle
Rp = f( ,UAC)
aux charges lies
R i : rsistance d'isolement R i = f(T C) et R i = f(UDC)

due aux charges libres
Rs : rsistance srie
Ls : inductance
Rsistance disolement
La rsistance disolement dun condensateur trouve son origine
dans limperfection de son isolant, qui prsente une certaine conductivit lectrique (lectronique, ionique ...). Elle dpend de la temprature, de la tension continue applique et du temps coul aprs
la mise sous tension. Suivant la nature du dilectrique, la valeur de
la rsistance disolement est comprise entre 1 et 104 G.
Zone 1 : effet du dilectrique

Zone 2 : effet des armatures et des connexions
Figure 2 Schma quivalent un condensateur rel
Lorsque le condensateur est idal , le courant est donc en quadrature avance avec la tension applique : il est dphas de /2 par
rapport la tension.
Dans le cas dun condensateur rel, ce courant est perturb par

lexistence des pertes ; en consquence, le courant induit par lapplication dune tension sinusodale est dphas dun angle (/2 - ) par
rapport au vecteur tension. Langle est appel angle de pertes et
caractrise limperfection du condensateur par rapport au condensateur dit idal . Concrtement, on donne le plus souvent la valeur de
tan que lon exprime en pour-cent ou, pour des matriaux et des
composants trs performants, en pour mille.
Ces caractristiques sont plus commodment exprimes en notation complexe. On applique alors la loi dOhm un rcepteur caractris par son impdance complexe Z , soumis une tension
alternative : V = Z I . Limpdance complexe peut scrire :
Z = R + jX
avec
rsistance du condensateur,
ractance.
Considrant la capacit C du condensateur et son inductance L,

on peut exprimer la ractance comme :
1
X = L -------C
Dans le cas du condensateur rel, dont le circuit quivalent
(figure 2) consiste en une rsistance R place en parallle avec une
capacit C, langle de perte peut tre exprim par :
X
1
tan = ---- = ------------R
RC
En haute frquence, on utilise la notion de facteur de qualit Q qui
reprsente le rapport de lnergie stocke lnergie dissipe. Dans
ce cas :
Q = 1/tan
Frquence de rsonance
La frquence de rsonance f0 dun condensateur correspond la
frquence laquelle la ractance capacitive (zone 1 de la figure 2)
est gale la ractance inductive (zone 2 de la figure 2). Elle est
gnralement considre comme la frquence suprieure dutilisation du condensateur. cette frquence, le condensateur na plus de
ractance et se comporte comme une rsistance pure. Au-del de f0,
le condensateur se comporte comme un composant inductif. Suivant la nature du dilectrique et la valeur de linductance du condensateur, la frquence de rsonance varie de quelques kilohertz
quelques dizaines de mgahertz, dans les cas les plus courants.
Rigidit dilectrique
Elle traduit laptitude dun isolant rsister au phnomne de claquage qui correspond la formation dun arc entre les armatures,
lintrieur du dilectrique. Les principaux mcanismes sont essentiellement dorigine intrinsque ou thermique, via des ionisations
locales. La rigidit dilectrique est dfinie comme le gradient de tension de claquage exprim comme une tension par unit de longueur
(cest--dire homogne un champ lectrique) ; elle est comprise
entre 1 et 100 V/m pour les dilectriques usuels. La tension de fonctionnement est limite environ la moiti de la valeur de la rigidit
dilectrique.
1.2 Principales familles de condensateurs

Comme cela a dj t dit ci-dessus, on distingue trois principales
familles de condensateurs suivant la nature de leur isolant et la
valeur de la permittivit associe : cramique, film plastique et lectrochimique ( oxyde daluminium ou de tantale). Les performances
dtailles de chaque dilectrique sont indiques dans le tableau 1,
et les gammes de capacit couvertes par les diffrentes familles de
condensateurs dans le tableau 2.
Les trs basses valeurs de capacit (1 1 000 pF) sont quasiment
couvertes par les seuls condensateurs cramiques. La gamme intermdiaire (1 nF 1 F) est assure par la cramique et par le film. Les
valeurs les plus leves (> 10 F) correspondent aux condensateurs
lectrochimiques et en partie aux condensateurs cramiques.

E 1 925 3
CONDENSATEURS ______________________________________________________________________________________________________________________
(0)
Tableau 1 Performances des dilectriques des principales familles de condensateurs
Type de
condensateur
Nature de
lisolant
Permittivit
relative
Tangente de
langle de
pertes (1 kHz)
paisseur
minimale du
dilectrique
(en 104)
(m)
C/C entre
55 C et
Tmax de fonctionnement
Tmax
Gamme de
tension
(%)
(C)
(V)
de 63 2 000
Films
Polypropylne
2,2
< 10
+23
85
Polystyrne
2,5
< 10
+11
85
de 63 500
Polycarbonate
2,8
< 10
2+2
125
de 63 400
PEN
3,0
60
1,2
3+3
125
de 50 250
PPS
3,1
< 10
+21
150
de 50 250
Polyester
3,2
50
0,9
4+4
125
de 63 630
Cramiques
Type I
Paralectrique
de 10 100
< 10
< 0,3
125
de 5 200
Type II
BaTiO3
de 3 000
4 000
250
+ 15 15
125
de 5 250
BaTiO3
10 000
250
+ 22 56
85
de 5 100
lectrochimiques
Type aluminium
liquide
Al2O3
8,5
5 000
1,4 nm/V
+ 12 12
125
de 6 600
Type aluminium
solide
Al2O3
8,5
1 000
1,4 nm/V
+ 12 12
175
de 6 40
Type tantale
glifi
Ta2O5
27
400
1,4 nm/V
< + 10 10 175 [avec rduction de la

charge (derating)]
de 6 500
Type tantale
solide
Ta2O5
27
400
1,4 nm/V
< + 10 10 125 (avec derating)
de 6 50
(0)
Tableau 2 Gamme de capacit couverte par les diffrentes familles commerciales de condensateurs (1)
Cramique
Gamme
de capacit
type I
1 pF
10 pF
100 pF
1 nF
type II
Film
polypropylne
PPS
polyester
Tantale
polycarbonate
PEN
polystyrne
glifi
Aluminium
solide
liquide
10 nF
100 nF
1 F
10 F
100 F
1 000 F
10 000 F
100 000 F
1 mF
(1) indique les gammes couvertes.
E 1 925 4
solide

_____________________________________________________________________________________________________________________ CONDENSATEURS
Les principales fonctions assures par les condensateurs sont

indiques dans le tableau 3 et dfinies ci-aprs :
Accord : le condensateur est utilis dans les circuits oscillants,
les filtres ou encore les circuits constante de temps. Il ncessite de
trs faibles pertes ainsi quune grande stabilit en fonction de la
temprature, du temps et de la tension continue applique. Les
cramiques de type I ainsi que les films polystyrne, polypropylne,
polycarbonate et PPS (polysulfure de phnylne) rpondent ces
exigences ;
Dcouplage : rduction ou limination dune composante
alternative parasite dans un domaine de frquence leve. Le condensateur doit prsenter une faible impdance aux frquences dutilisation et par suite une capacit leve (par exemple, quelques
microfarads). Toutes les familles de condensateurs peuvent tre utilises lexception des cramiques de type I ( 2) ;
Liaison : le condensateur assure la liaison entre 2 points ports
des potentiels continus diffrents. Il bloque la composante continue et transmet la composante alternative. Le condensateur doit
pouvoir supporter une forte tension continue et avoir une rsistance
disolement leve ;
Filtrage : il permet de rduire ou dliminer une composante
alternative parasite de la tension continue. Le condensateur doit
prsenter une valeur leve de capacit ainsi que de faibles valeurs
de rsistance et dinductance ;
Compensation de temprature : le condensateur doit prsenter un coefficient de temprature ngatif afin de compenser la
drive positive dun composant (inductance ferrite par exemple),
mais aussi dfini et stable dans le temps. Les cramiques de classe I
ainsi que le film (polystyrne) rpondent ces exigences ;
Stockage dnergie : le condensateur dlivre une puissance
trs leve dans un temps trs court ou, au contraire, une tension
continue durant un temps trs long (supercapacits) ;
Mmoires (RC) : le condensateur stocke une information sous
forme dune charge lectrique. ce titre, il doit possder une rsistance disolement leve et restituer, dans un temps trs court, la
charge emmagasine.
2. Condensateurs cramiques
Une dfinition possible du condensateur cramique pourrait
tre : condensateur pour lequel le dilectrique est un matriau
cramique fritt.
On appelle cramique un matriau inorganique, non mtallique,

qui a t mis en uvre selon une technologie particulire, appele
technologie cramique : le matriau est au dpart sous forme de
poudres fines, microniques ou submicroniques, que lon rassemble
en un objet. On lui fait ensuite subir un cycle thermique haute temprature (la cuisson ou le frittage), lobjet est alors dit fritt , et sa
microstructure a volu pendant ce cycle ; celle-ci tend vers un
ensemble compact de grains spars par des joints de grains. Le
matriau acquiert ainsi ses proprits dfinitives (quelles soient
mcaniques ou lectriques). Les matriaux pour condensateurs
cramiques sont gnralement des oxydes de structure cristalline
dite de type provskite et base de titanates de baryum, strontium,
calcium, plomb, etc.
On distingue trois classes de dilectriques.
Dilectriques de type I
La permittivit varie linairement ou, au moins, de manire
monotone avec la temprature, et ne prsente aucun effet non
linaire en fonction du champ lectrique et de la frquence. En
outre, le matriau est stable dans le temps, et lon ne peut noter
quune volution ngligeable de la capacit et de la tangente de
langle de pertes en fonction de celui-ci. Les matriaux sont le plus
gnralement des dilectriques dits linaires, ou bien des matriaux
non linaires dans leur phase paralectrique. Ces caractristiques
sont atteintes par la mise en uvre de nombreuses compositions
qui permettent de couvrir une large gamme de permittivits (typiquement comprises entre 10 et 500) et de coefficients de temprature. Ces derniers peuvent tre positifs, ngatifs ou nuls. Dans ce
dernier cas, les matriaux sont dits NPO (Ngatif Positif 0). Les
pertes sont trs faibles, tan < 0,1 % 1 MHz.
Parmi les nombreuses compositions qui ont t dveloppes
pour couvrir une large gamme de valeurs de constantes dilectriques et de coefficients de temprature, celles dont la constante
dilectrique est trs faible sont essentiellement base de MgTiO3
ou de TiO2 avec des adjonctions de BaO, La2O3 ou Nd2O5. Lintroduction de phases de structure provskite, telles que CaTiO3, SrTiO3
ou BaTiO3, permet datteindre des permittivits plus leves tout en
jouant sur le coefficient de temprature. On peut galement utiliser
des matriaux du type de ceux mis en uvre pour raliser des
rsonateurs micro-ondes, comme CaZrO3.
(0)
Tableau 3 Fonctions assures par chaque famille de condensateur (1)

Film
Cramique
Aluminium
Tantale
Fonction
polyester polystyrne
Accord
Dcouplage
Liaison
Filtrage
Compensation de
temprature
polycarbonate
PEN
Stockage nergie
Mmoire (RC)
polypropylne
PPS
type I
type II
(1) indique les fonctions assures.

E 1 925 5
CONDENSATEURS ______________________________________________________________________________________________________________________
Dilectriques de type II
Ce sont des matriaux dilectriques non linaires. Ce qualificatif
traduit le fait quil ny a plus, comme dans le cas prcdent, proportionnalit entre le champ lectrique appliqu et la polarisation du
matriau. Ces matriaux sont ferrolectriques : ils prsentent dune
part une polarisation lectrique spontane P, dpendante de la temprature, qui peut tre inverse suite lapplication dun champ lectrique suffisamment lev. En consquence, ils sont caractriss par
des constantes dilectriques leves (comprises entre 2 000 et
20 000). Ils sont galement trs sensibles au champ lectrique appliqu ainsi qu la frquence et, aussi, aux contraintes environnementales (temprature et pression). Dautre part, ils sont caractriss par
la prsence de domaines ferrolectriques au sein desquels lorientation de la polarisation est constante. Ces domaines peuvent voluer
au cours du temps sous linfluence du champ terrestre et, corrlativement, la constante dilectrique diminue. Cependant ces variations
sont inversables par chauffage de la cramique jusqu une temprature suprieure celle de la transition ferro-paralectrique.
La valeur de la constante dilectrique est trs leve, tendant

thoriquement vers linfini la temprature de transition ferroparalectrique, que lon confond en gnral avec la temprature de
Curie Tc. Le matriau le plus universellement utilis est le titanate de
baryum BaTiO3. Sa temprature de Curie est proche de 125 C, cest-dire trop leve pour permettre une exploitation pratique de la
forte valeur de la constante dilectrique. Ainsi, dans un premier
temps, on ramne cette temprature au voisinage de la temprature
ambiante, en ralisant des substitutions cationiques au sein de la
maille cristalline provskite. Classiquement, on substitue partiellement des ions Ca2+ ou Sr2+ aux ions Ba2+ et(ou) des ions Zr4+ ou
Sn4+ aux ions Ti4+. Ces substitutions, faciles raliser par la technologie cramique, modifient la temprature de Curie et donc permettent lobtention de constantes dilectriques leves au voisinage de
la temprature ambiante. Elles induisent galement un
largissement du pic de Curie, ce qui revient dire quelles amliorent la stabilit de la valeur de la constante dilectrique en fonction de la temprature.
Cependant, cette dmarche ne permet pas datteindre les fortes

stabilits en temprature ncessaires beaucoup dapplications.
Pour cela, on ralise un matriau cramique non homogne, compos soit de grains de compositions distinctes soit de grains dont la
partie centrale et la priphrie sont de compositions diffrentes ; les
proprits
dilectriques
de
ces
diffrents
matriaux
sadditionnent chaque temprature. Globalement, en appliquant les lois des mlanges , on arrive une constante dilectrique trs stable dans un large intervalle (figure 8 et tableau 5).
Pour ce faire, on substitue des cations de la phase BaTiO3 provskite par des donneurs : on remplace ces cations par dautres de
rayons voisins mais de charge lectrique plus leve. Classiquement, on change certains ions Ti4+ par des ions Nb5+, ou des ions
Ba2+ par des ions Nd3+. On aboutit ainsi une microstructure dite
core-shell (cur-coquille), o le cur des grains est compos de
titanate de baryum pratiquement pur. Les dopants se concentrent prfrentiellement lextrieur, prs des joints de grains.
Dautres substitutions peuvent tre effectues en ajoutant par
exemple des ions accepteurs. On obtient alors une provskite complexe, telle que le Ba(Co0.33Nb0.67)O3, lextrieur des grains qui
est caractrise par une transition de phase diffuse dans les basses
tempratures.
La ralisation dune microstructure core-shell permet aussi
lobtention de caractristiques dilectriques stables en temprature
pour certaines compositions dilectriques qui sont destines tre
frittes des tempratures sensiblement plus basses que celles
voques jusqu maintenant. Labaissement de la temprature de
frittage est obtenue par ladjonction une poudre du matriau dilectrique (qui peut tre du titanate de baryum) dune fritte de verre
contenant, par exemple, des oxydes de bismuth ou de plomb.
Durant le frittage, une raction intervient entre les cations formateurs du verre et du dilectrique qui a pour consquence une modification de la composition au niveau des zones de croissance des
E 1 925 6
grains. La phase vitreuse de constante dilectrique faible disparat.

Aprs frittage, la cramique est forme de grains dont le cur est,
de mme que dans le cas prcdent, compos de titanate de
baryum pur, lextrieur des grains pouvant tre form de provskites complexes, telles que Ba(Bi0.5Nb0.5)O3.
Dilectriques de type III
Encore appels dilectriques couche darrt aux joints de grains,
ces matriaux sont des dilectriques de type I ou II dont le cur de
chaque grain est rendu semi-conducteur. En dautres termes, la
rgion isolante se trouve localise la surface du grain sur une
paisseur trs faible de lordre de quelques micromtres. La permittivit apparente du matriau peut atteindre 100 000, mais avec une
tension de fonctionnement limite 25 V. Ce type de matriau nest
utilis que pour les condensateurs monocouches.
2.1 Technologie
Les aspects dlaboration des compositions dilectriques sous la
forme de poudres ne sont pas traits ici. On peut dire simplement
que ces poudres peuvent tre labores par le fabriquant de condensateurs lui-mme mais, aujourdhui, elles sont frquemment
fournies par des entreprises spcialises de la chimie.
2.1.1 laboration des condensateurs monocouches

Un condensateur monocouche (figure 1) est constitu dun disque cramique mtallis sur chacune de ses deux faces planes en
regard.
Les matires premires sont sous forme de poudres. Elles sont
soigneusement choisies en fonction de leur composition et de leur
aptitude conduire une barbotine comportement rhologique
matris. Les poudres sont en gnral rebroyes par voie humide
afin de les rendre encore plus homognes et plus ractives durant
lopration de frittage. Lopration de granulation consiste incorporer un liant organique dans la poudre facilitant sa mise en forme
durant la phase de pressage. Gnralement, les formes gomtriques retenues sont des disques ou des petits tubes creux. Le
matriau mis en forme subit un traitement thermique haute temprature (1 100 1 400 C) appel frittage qui assure la densification
de la cramique et permet dobtenir les proprits lectriques
dsires.
Des lectrodes mtalliques sont dposes sur chacune des faces
du condensateur par une technique de srigraphie dencre base
dargent, procd le plus conomique pour ce type de condensateurs. Les contacts lectriques avec les circuits extrieurs sont assurs par lintermdiaire de connexions soudes sur chacune des
faces du disque. Si ncessaire, le condensateur est protg des
agressions atmosphriques par une rsine poxy.
2.1.2 laboration des condensateurs multicouches

2.1.2.1 Raison dtre du condensateur multicouche
Les condensateurs monocouches sont de construction simple et
peu onreuse. Ils prsentent cependant deux inconvnients
majeurs :
la valeur de capacit est limite, car lpaisseur du disque
cramique ne peut tre infrieure environ 0,15 mm pour des raisons de solidit mcanique ;
le condensateur monocouche nest pas adapt la technologie
de report en surface des composants qui sest gnralise tous les
secteurs dapplication.
Une structure beaucoup plus complexe permet alors de remdier
aux deux inconvnients prcdents : le condensateur multicouche.

_____________________________________________________________________________________________________________________ CONDENSATEURS
Figure 4 Diffrentes tapes de fabrication des condensateurs

cramiques multicouches par la technologie dite du coulage
en bande
2.1.2.2 Technologie de fabrication
Figure 3 Condensateur cramique multicouche (CCM)
Cette structure est reprsente dans la figure 3. De principe, un condensateur multicouche est constitu par un assemblage de condensateurs lmentaires monts en parallle. Lpaisseur de la couche
de dilectrique des condensateurs lmentaires peut tre trs faible
par rapport celle dun condensateur monocouche. Elle est couramment de lordre de 10 m quelques dizaines de micromtres, mais
peut descendre quelques micromtres seulement. La valeur de la
capacit est donne par lexpression suivante :
C = NS/e
avec
S/e
capacit dun des condensateurs lmentaires,
N
S
e
nombre de condensateurs lmentaires,

surface des lectrodes,
paisseur du condensateur lmentaire,
permittivit du dilectrique.
Le principe de ralisation dun condensateur multicouche consiste tout dabord laborer une barbotine. Cette dernire est constitue de la poudre dilectrique en suspension dans un solvant
organique ou, de plus en plus, pour des raisons environnementales,
dans de leau additionne dun systme de liants et de dispersants.
Selon lun des procds trs couramment mis en uvre (figure 4),
cette barbotine est coule sur un tapis droulant, par exemple, en
acier inoxydable poli ; le schage est opr sur le tapis, et permet
dobtenir une bande souple dpaisseur rgulire comprise entre 20
et 70 m, suivant les applications.
La bande coule sche est dcoupe en feuilles sur lesquelles
sont srigraphies les lectrodes internes laide dencres charges
en pigments mtalliques (tableau 4). Pendant longtemps, ceux-ci
ont t essentiellement des mtaux prcieux, et principalement des
alliages Pd-Ag. Toutefois, depuis la fin des annes 1980, et cela pour
des raisons de cot des mtaux prcieux, des efforts importants ont
t raliss pour quune partie significative des condensateurs
cramiques multicouches soit ralise avec des lectrodes internes
en mtaux non nobles, cuivre ou nickel ( 2.2.3).
(0)
Tableau 4 Caractristiques des mtaux utiliss comme lectrodes internes

Nature du mtal
Temprature de fusion
(C)
Temprature de frittage maximale

(C)
Prix/kg (juillet 2005)

()
Platine
1 770
1 450
32 540
Palladium
1 550
1 400
6 870
Argent
960
900
265
Nickel
1 450
1 350
15,3
Cuivre
1 080
950
3,5

E 1 925 7
CONDENSATEURS ______________________________________________________________________________________________________________________
Par la suite, les feuilles mtallises sont empiles puis comprimes chaud ( 70 C) de faon obtenir une bonne cohsion du
bloc ainsi constitu. Les blocs sont ensuite dcoups en condensateurs individuels, laide dune machine automatique munie dune
lame tranchante chauffe. Les condensateurs sont alors fritts des
tempratures allant de 800 C 1 400 C, en fonction de la nature du
matriau dilectrique. Dans le cas des lectrodes internes en
mtaux prcieux, le frittage est opr sous atmosphre oxydante
afin dobtenir une cramique de haute densit et datteindre les proprits lectriques et dilectriques souhaites.
Les contacts lectriques entre les lectrodes internes et les circuits extrieurs sont assurs par lintermdiaire de terminaisons
soudables (figure 3) reliant les lectrodes de mme parit. Les terminaisons sont appliques au condensateur sous forme dune encre
contenant des pigments mtalliques par un procd de tremp .
Lencre est sche puis traite thermiquement (700 900 C) pour
assurer une bonne adhrence mcanique entre la cramique et la
mtallisation par lintermdiaire dun verre contenu dans lencre. Le
condensateur ainsi ralis, appel chip, est prt tre report directement sur les circuits imprims.
Si lutilisation le ncessite, des connexions peuvent tre soudes sur
les terminaisons et le condensateur protg par un enrobage poxy.
2.1.2.3 Mise en place dune barrire de nickel
La consommation de condensateurs multicouches de petits formats devenant de plus en plus importante, il a t de plus en plus difficile dassurer une soudabilit correcte sur les circuits avec des
terminaisons classiques en alliages Ag-Pd ou Ag-Pd-Pt. Le dveloppement dune nouvelle technique dtamage sur une terminaison
adapte a donc t ncessaire. Un dpt dtain (ou dtain-plomb)
sur une sous-couche de nickel permet de supprimer lessentiel des
problmes de soudabilit rencontrs auparavant. Ces dpts sont
raliss de manire lectrochimique et sont communment appels
barrire de nickel . Cette barrire de nickel assure galement, do
son nom, un rle important : elle protge les lectrodes internes
dune perte dargent par diffusion de celui-ci dans la terminaison.
2.2 Miniaturisation et baisse des cots

des condensateurs cramiques
multicouches
33%
60%
7%
Main d'uvre
Dilectrique
lectrodes internes et terminaisons en argent-palladium
Figure 5 Proportions des diffrentes contributions aux prix
de revient des condensateurs cramiques multicouches
La rduction du nombre dlectrodes internes, en prservant la

valeur de la capacit, impose la relation :
N11S1/e1 = N22S2/e2
avec N2 < N1.
En considrant que la surface S nest pas ici le paramtre
pertinent, il vient :
2/e2 > 1/e1
En ce qui concerne la miniaturisation des condensateurs
cramiques multicouches, il faut chercher rduire, simultanment,
le volume du composant, que nous assimilerons au volume utile
V = NSe du condensateur (au-del de la rduction de V, il y aura galement rduction de la masse du composant), ainsi que la surface de
report que lon peut assimiler la surface S des lectrodes.
Rduire le volume V, impose de chercher accrotre le quotient C/V
que lon dsigne comme la capacit volumique du condensateur.
C/V = NS/e / NSe
do :
Comme cela a dj t dit, les condensateurs sont entrans dans

une volution qui semble inexorable de baisse des cots et de
miniaturisation.
Accrotre C/V impose donc daccrotre /e2 donc, nouveau, de

chercher accrotre tout en rduisant e.
Rduire la surface S, capacit constante, conduit comme dans le
cas prcdent la relation :
2.2.1 Quelles sont les solutions envisageables par

les fabricants ?
En ce qui concerne le prix de revient des condensateurs
cramiques multicouches, la contribution majoritaire revient aux
mtaux prcieux pour des proportions variant de 30 60 %
(figure 5). Cest donc sur le poste mtaux prcieux quil a fallu et
quil faut encore faire porter les efforts. Comment rduire cet impact
des mtaux prcieux ? Plusieurs possibilits sont envisageables :
abaisser les tempratures de frittage des dilectriques pour
rduire les concentrations en palladium des alliages Ag-Pd ( 2.2.2) ;
remplacer les mtaux prcieux, trs onreux, par des mtaux
non nobles ( 2.2.3) ;
diminuer les quantits de mtaux prcieux en rduisant, pour
une mme valeur de la capacit, le nombre dlectrodes internes.
Pour ce faire, il convient donc de raliser des condensateurs avec
des paisseurs de couches de dilectrique plus faibles et ayant des
constantes dilectriques plus leves.
Concernant ce dernier point, revenons sur lexpression de la capacit dun condensateur :
C = NS/e
E 1 925 8
C/V = /e2
N11S1/e1 = N22S2/e2
avec encore, bien videmment, N2 < N1.
De plus, on veut que S2 < S1, ce qui impose :
2/e2 > 1/e1
et donc encore daccrotre tout en rduisant e.
Pour rduire la fois les cots, le nombre dlectrodes internes, le
volume et la surface de report des condensateurs cramiques multicouches, il convient donc de raliser des condensateurs avec des
paisseurs de couches de dilectriques plus faibles et ayant des
constantes dilectriques plus leves. Ainsi, lutilisation de poudres
de dilectriques grains submicroniques apparat tre une solution
pour progresser vers ce double objectif ( 2.2.4).
2.2.2 Diminution des tempratures de frittage

Le choix des mtaux utiliss en tant qulectrodes internes repose
essentiellement sur la nature du dilectrique employ et sur ses
conditions de frittage. Le platine est le meilleur choix technique, car

_____________________________________________________________________________________________________________________ CONDENSATEURS
sa temprature de fusion est leve et il est pratiquement inerte vis-vis dune atmosphre oxydante et de la nature du dilectrique.
Cependant, son emploi est limit certaines applications de haute
fiabilit (spatial par exemple) du fait de son prix prohibitif
(tableau 5). On utilise essentiellement des alliages Pd-Ag, dont la
teneur en Ag est dautant plus leve que la temprature de frittage
de la cramique est plus basse (figure 6), et qui, par ailleurs, autorisent des frittages sous air.
Une approche, pour limiter les cots de fabrication, peut donc

consister rduire les tempratures de frittage. Pour ce faire, deux
dmarches sont utilises :
introduire dans la composition dilectrique un adjuvant de
frittage ;
raliser la mme composition dilectrique, mais avec des
grains de poudres beaucoup plus fins.
La premire solution est relativement simple et est assez

largement utilise. Toutefois, elle prsente linconvnient de
modifier la composition de la cramique dilectrique et, donc, de
faire courir le risque daffecter certaines performances du matriau
dilectrique (tenue au claquage, pertes ...). Voici quelques exemples
de ralisations :
compositions base de titanate de baryum :
classe de temprature X7R : dans un cas, on diminue la temprature de frittage laide de Bi2O3 (ou autres composs du bismuth). Les tempratures de frittage sont alors voisines de 1 100 C
et les cramiques sont compatibles avec des lectrodes 70 %
dargent. Dans lautre cas, on enrobe des grains de BaTiO3 (0,2 )
par un fondant adapt (frittage 950 C)
classe de temprature Z5U : laddition de composs fluors
(fluorure de lithium ou combinaison dun fluorure mtallique avec
Li2O) permet de fritter les cramiques base de BaTiO3 950 C.
De plus, le systme peut tre compatible avec des alliages mtalliques 90 % dargent pour la srigraphie des lectrodes internes.
cas des provskites base de plomb : ce sont des compositions dites basses tempratures (entre 850 et 1 200 C) qui permettent, pour certaines, lutilisation dlectrodes internes riches en
argent (70 80 %). Les compositions sont trs complexes et
ncessitent des mlanges de diffrentes structures provskites
comme : Pb(Mg1/3Nb2/3)O3, Ba(Zn1/3Nb2/3)O3, Pb(Zn1/3Nb2/3)O3,
PbTiO3 ..., afin dobtenir la classe de temprature dsire.
Nota : X7R et Z5U sont des normes classiques qui fournissent, de manire codifie, les
caractristiques du comportement du dilectrique en fonction de la temprature mais qui
seraient impossibles dfinir brivement (Voir louvrage : BaTiO3, Matriau de base pour
les condensateurs cramiques , J.C. Nipce et J.M. Haussonne, ditions Septima, Paris,
1994, Tome I, p 20-21).
Dans la seconde solution, on diminue les dimensions des grains

de la poudre prcurseur. Pour un mme matriau, la temprature de
frittage peut alors baisser significativement. On peut obtenir, par
exemple, des abaissements des tempratures de frittage de lordre
de 200 C, en rduisant les tailles des grains des poudres de quelques m quelques centaines de nm. Il faut, toutefois, bien faire
attention disposer de poudres prsentant une grande homognit de taille de grain et obtenir une bonne dispersion (cest-dire une disparition des agglomrats) lors de la mise en uvre.
2.2.3 Remplacement des mtaux prcieux par

des mtaux non nobles : nature
des lectrodes internes, adaptation
du dilectrique et impact sur la technologie
Comme cela a dj t dit plus haut, le choix des mtaux utiliss
en tant qulectrodes internes dpend, dune part, de la nature du
dilectrique utilis et, dautre part, des conditions de ralisation du
10
20
Palladium (% atomique)
30
40
50
60
70
80
90
100
1555 C
1500
L
1400
Tmperature (C)
Exemple : la figure 6 montrant quun dilectrique qui fritte

1 350 C ncessite un alliage contenant 70 % de Pd, alors quun dilectrique frittant 1 150 C ne ncessite quun alliage contenant 30 % de
Pd, donc moins onreux.
1600
1300
1200
1100
(Ag, Pd)
1000
961,93 C
900
0
10
20
30
40
50
60
70
Palladium (% massique)
80
90
100
Figure 6 Diagramme argent-palladium (daprs Karakaya et

Thompson, 1988)
condensateur. Lutilisation des mtaux prcieux, Pt ou alliages AgPd, autorise le co-frittage lair du dilectrique et des lectrodes.
partir du moment o lon souhaite remplacer les mtaux nobles, difficilement oxydables, par des mtaux non nobles, plus facilement
oxydables, on est oblig de repenser la technologie dlaboration
des condensateurs.
Deux voies ont t explores :
conserver les conditions de frittage habituelles du dilectrique
considr mais supprimer le co-frittage mtal/cramique. La technologie dite des lectrodes injectes a t mise au point. On ralise tout dabord des condensateurs cramiques multicouches
(CCM) fritts dans lesquels lemplacement des lectrodes internes a
t mnag. Pour cela, on labore les pavs crus de manire similaire aux pavs crus classiques mais en srigraphiant des lectrodes
internes avec une encre ne contenant que des substances organiques, qui seront dtruites lors du dliantage et du frittage. Puis, on
injecte dans les espaces vides un alliage mtallique bas point de
fusion. Cette technologie na pas connu, notre connaissance, de
dveloppement industriel significatif ;
maintenir le co-frittage mtal/cramique, mais repenser le dilectrique et ses conditions de co-frittage avec le mtal oxydable. En
effet, si le co-frittage est effectu sous air, les deux mtaux non
nobles retenus, Ni ou Cu, soxydent et ne remplissent alors plus leur
rle de conducteur. Il faut donc que latmosphre des fours de cofrittage soit rendue suffisamment pauvre en oxygne. Or, le dilectrique de composition classique est un matriau oxyde contenant
des lments de transition, qui sont susceptibles de prendre des
tats doxydation infrieurs celui existant normalement. Dans ces
conditions de co-frittage, il perd de loxygne avec, en consquence,
la cration de lacunes doxygne qui entranent une semi-conduction de type n. Il faut donc repenser la composition du matriau dilectrique pour quil conserve des proprits disolation lectrique
respectant les normes tout en acceptant un frittage dans une atmosphre rductrice .
Datant de 1963, les rsultats des premires publications envisageaient la ralisation de condensateurs multicouches armatures
composes de mtaux non nobles. Il a fallu attendre 1994 pour quil
soit fait tat de compositions dilectriques caractrises par des
proprits de stabilit sous champs lectriques comparables celles des compositions traditionnelles. Le principe consistait substituer des cations de la provskite par des couples de cations

E 1 925 9
CONDENSATEURS ______________________________________________________________________________________________________________________
donneurs et accepteurs qui formaient des complexes stables non

oxydables, mme en atmosphre doxygne pur. La prsence de
donneurs rduisait le nombre de lacunes doxygne lors du frittage
en atmosphre rductrice, et semblait avoir un effet de barrires qui
soppose llectromigration de ces dernires. Les derniers dveloppements font tat de substitutions par des dopants tels que Y3+,
Dy3+ ou Ho3+, ions de taille intermdiaire entre celles des ions Ba2+
et Ti4+ et susceptibles de se substituer aux deux. Introduits dans ces
deux types de sites en quantits convenables, ils se compensent
lectriquement et donnent ainsi naissance aux couples donneur/
accepteur voqus plus haut.
7000
6000
5000
4000
r 3000
2000
Le cot des condensateurs, par lutilisation du nickel comme

matriau darmatures, peut tre ainsi rduit dun facteur deux
cinq, en fonction du format du condensateur et du nombre de couches dilectriques, par rapport celui des mmes condensateurs
raliss avec des armatures en mtaux nobles. On estime que,
aujourdhui, plus de 80 % des condensateurs de type II sont produits
avec des armatures de nickel.
Lutilisation du nickel se heurte deux limitations : dune part, la
valeur de sa rsistivit rend difficile son utilisation pour la
ralisation de condensateurs destins des applications en trs
hautes frquences et, dautre part, ses proprits magntiques sont
incompatibles avec lutilisation des condensateurs dans certaines
applications. Cette dernire remarque concerne essentiellement les
condensateurs de type I. Le cuivre rpond ces deux limitations,
mais sa faible temprature de fusion impose que les tempratures
de frittage soient beaucoup plus faibles, infrieures 1 000 C. Des
publications rcentes font tat davances dans ce domaine, en particulier par lintroduction de lithium dans la composition du
dilectrique ; toutefois les solutions envisages ne sont pas encore
applicables industriellement.
2.2.4 Utilisation de poudres de dilectriques

grains nanomtriques
lissue du 2.2.1 nous avons conclu que, pour miniaturiser les

CCM et rduire les cots de production en diminuant le nombre
dlectrodes internes en alliages de mtaux prcieux, il faut :
rechercher des dilectriques avec des permittivits plus
leves ;
rduire lpaisseur e des couches dilectriques.
Laugmentation de la permittivit est un problme de matriau,
alors que la rduction de lpaisseur e est, quant elle, un problme
de technologie. Toutefois, lutilisation de poudres grains nanomtriques a permis de satisfaire simultanment aux exigences de cette
double contrainte. Nous allons voir comment.
1000
0
0,1 0,2 0,3 0,5
1,0
2 3
10
20 30 50
100
Taille des grains (m)

Figure 7 Constante dilectrique relative r 25 C de BaTiO3,
ltat de cramiques polycristallines, en fonction du diamtre moyen
des grains dans la cramique [1], [2]
et permettent doprer basses tempratures. Ces procds ont t

qualifis de chimie douce . La dtermination des mcanismes
ractionnels a permis le contrle des processus de germination et
de croissance, qui est indispensable pour une matrise des distributions granulomtriques. Le milieu liquide est soit organique soit, ce
qui est le plus souvent le cas, aqueux, avec des conditions de
synthse qui sont hydrothermales ou supercritiques .
Au cours des vingt dernires annes, les paisseurs des couches
dilectriques sont passes de quelques dizaines de micromtres
quelques micromtres ; soit un nouveau gain dun facteur cent sur
les capacits volumiques. Ainsi, certains fabricants de condensateurs font tat de prototypes forms de plusieurs centaines de couches dilectriques dont lpaisseur est infrieure un micromtre.
Corrlativement, cela impose dutiliser des poudres mtalliques
elles aussi de granulomtrie parfaitement contrle et dont les
grains ne viennent pas dtriorer la couche dilectrique lors du processus de construction de la structure multicouche.
Accroissement de la constante dilectrique
En passant de la technologie disque la technologie multicouche

et en utilisant des poudres prcurseurs traditionnelles, lpaisseur
minimale des couches dilectriques tait passe de quelques diximes de millimtres quelques dizaines de micromtres. Les capacits volumiques avaient ainsi pu tre multiplies par plus de cent.
Pour atteindre des paisseurs encore plus fines, les chimistes ont
mis au point de nouveaux procds dlaboration des poudres, car
il a fallu utiliser des poudres de plus en plus fines ; pour raliser des
condensateurs disques, des grains de quelques micromtres plusieurs dizaines de micromtres taient tout fait acceptables, alors
que pour la gnration de multicouches actuels, des grains de 100
500 nm dans la cramique finale sont devenus une ncessit.
En ce qui concerne la constante dilectrique, la comprhension

du phnomne est moins intuitive et non encore totalement claircie et cela bien que la dpendance de la constante dilectrique avec
les dimensions des grains de ce matriau ait t mise en vidence
depuis longtemps. Par exemple, dans le cas de cramiques de
BaTiO3, lorsque les dimensions des grains diminuent, la courbe
= f(T) caractristique de ce matriau tend saplatir de plus en
plus ; la constante dilectrique au voisinage de la temprature
ambiante augmente, alors quelle diminue au cours de la transition
de phase ferrolectrique-paralectrique au voisinage de 120 C. Toutefois, cette volution nest pas monotone (figure 7) ; un maximum
de la constante dilectrique la temprature ambiante est obtenu
pour des dimensions de grains de lordre de 0,7 0,8 m, alors que
la valeur de y est environ cinq fois suprieure sa valeur pour des
grains largement micromtriques. Afin de minimiser les pertes dilectriques, tout en optimisant les valeurs de permittivit, on privilgie actuellement des dimensions de grains qui sont de lordre de
quelques centaines de nanomtres, dans les cramiques dilectriques base de BaTiO3 ou autres provskites.
Pour cela, il a fallu repenser les modes de prparation des

poudres ; alors que les poudres taient labores par des processus
voie sche , cest--dire par des ractions haute temprature
entre des oxydes prcurseurs solides, on sest orient vers des prparations en milieu humide, plus mme de permettre un bon contrle des distributions granulomtriques. En effet, les mthodes de
synthse en milieu liquide sapparentent aux synthses organiques
Les derniers dveloppements associent les trois dmarches

voques ci-dessus. Par exemple, en utilisant des poudres nanomtriques de compositions base de BaTiO3-BaZrO3 avec des additions de dopants tels que Mn, Ho, Y ou Dy, on ralise des
condensateurs armatures de nickel, dont les couches dilectriques
sont trs peu paisses et dont la constante dilectrique est rendue
leve par la petite taille des grains. De nombreuses recherches sont
Rduction des paisseurs e des couches dilectriques
E 1 925 10

_____________________________________________________________________________________________________________________ CONDENSATEURS
Figure 9 Variation relative de la capacit en fonction

de la frquence pour divers dilectriques
(entre 1987 et 2001) les prix moyens des CCM ont t diviss par dix.
Cela a t obtenu grce des efforts de productivit cest indniable, mais aussi grce tous ces efforts technologiques ; cest le cas
des CCM lectrodes internes en nickel ou en cuivre et cest galement le cas des dilectriques grains trs fins.
Figure 8 Variation relative de la capacit en fonction

de la temprature pour divers dilectriques
2.3 Proprits lectriques

Les proprits des condensateurs cramiques (monocouche et
multicouche) sont directement lies celles des dilectriques, qui
sont classs suivant leur coefficient de temprature. titre indicatif,
il est indiqu dans le tableau 5 les principales caractristiques des
dilectriques les plus utiliss et dans la figure 8 leur comportement
en fonction de la temprature.
associes ces objectifs industriels : elles doivent prendre en

compte des paramtres jusqu maintenant considrs comme
secondaires, comme :
la rpartition spatiale fine des dopants dans les grains
nanomtriques ;
les proprits structurales fines des grains nanomtriques
dans les zones proches de leur surface (la contribution en volume de
cette zone par rapport au volume total devenant non ngligeable
maintenant) ;
les proprits de la surface des grains ;
la prsence potentielle de porosits intragranulaires qui entranent, aprs frittage, une densit moindre de la cramique.
La classification EIA (Electronic Industries Association) est insuffisante pour caractriser compltement un condensateur, dautres
caractristiques doivent tre connues :
variation en fonction de la frquence ;
variation en fonction de la tension (continue ou alternative) ;
variation en fonction du temps ;
variation de la rsistance disolement en fonction de la
temprature ;
tenue en tension.
On cherche galement modliser la microstructure des condensateurs, en prenant en compte dans un modle trois dimensions le
cur des grains, la priphrie des grains, les joints de grains et les
interfaces cramique/armatures. On vise en particulier tablir une
corrlation avec les proprits lectriques du composant et les phnomnes de dgradation.
2.3.1 Comportement en frquence

La tenue en frquence du condensateur cramique est dtermine principalement par les proprits de son dilectrique, mais galement par la structure du condensateur. Les condensateurs de
type II, dont le dilectrique est de nature ferrolectrique, sont sensibles la frquence. Ce phnomne est li la difficult quont les
parois des domaines ferrolectriques suivre les oscillations du
champ lectrique, ce qui conduit une dcroissance de la permittivit et donc de la capacit avec la frquence. Une augmentation des
pertes dilectriques accompagne cette dcroissance de la permittivit. Les variations typiques de la capacit pour diffrentes classes
de cramiques sont indiques dans la figure 9.
2.2.5 Progrs raliss en termes de baisse

des cots et de miniaturisation
Les succs en termes de miniaturisation en lectronique ont t
spectaculaires et sont connus de tous. Mme si tout le mrite ne
peut videmment en tre attribu aux CCM, ceux-ci y ont permis de
multiplier les capacits volumiques par mille en trente ans.
En ce qui concerne les rductions de prix ralises, pour donner
un ordre de grandeur, on peut dire quen une quinzaine dannes
(0)
Tableau 5 Caractristiques des dilectriques NPO, X7R, Z5U

Dilectrique
(Classification EIA)
Type de
condensateur
Gamme de temprature
dutilisation
(C)
Variation maximale de la
capacit dans la gamme
NPO
de 55 + 125
30 106/C
< 10 1 MHz
10 100
X7R
II
de 55 + 125
15 %
< 200 1 kHz
2 000 4 000
Z5U
II
de + 10 + 85
+ 22 56 %
< 300 1 kHz
5 000 10 000
tan
(en 104)

Permittivit
relative
E 1 925 11
CONDENSATEURS ______________________________________________________________________________________________________________________
En consquence les condensateurs de type II sont gnralement

utiliss pour des frquences infrieures 10 MHz et ceux de type I
peuvent tre utiliss des frquences trs leves (> 1 GHz).
2.3.2 Variation en fonction de la tension

Si linfluence de la tension (alternative ou continue) est ngligeable pour les condensateurs de type I, il nen est pas de mme pour
ceux de type II. Une fois encore, la nature ferrolectrique de ces
matriaux conduit observer des phnomnes lis des modifications des mcanismes de polarisation. Linfluence dun champ de
polarisation continu est indique dans la figure 10.
2.3.4 Variation de la rsistance disolement
2.3.3 Variation avec le temps

Seuls, les condensateurs de type II sont sensibles au temps. Le
phnomne est d une rorganisation continue et naturelle des
domaines ferrolectriques qui, sous linfluence du champ magntique terrestre, a comme consquence une dcroissance de la capacit du condensateur. Ce vieillissement naturel peut sexprimer par
la relation suivante :
t = K lgt
avec
valeur initiale de la permittivit,
permittivit au temps t,
facteur prexponentiel exprim en pour-cent par

dcade de temps.
La rsistance disolement caractrise la manire dont le condensateur charg maintient sa charge. Elle dpend intrinsquement de la
temprature, de la tension et du temps coul aprs mise sous tension, mais aussi de la structure du condensateur (paisseur du dilectrique, nombre de couches, surface des lectrodes, etc.) et donc
de sa capacit. La rsistance disolement Ri est souvent donne sous
la forme du produit RiC, exprim en secondes, qui est, a priori, indpendant de la valeur de la capacit du condensateur considr.
2.4 Applications
Le vieillissement est dautant plus prononc que la valeur de la

permittivit est leve (figure 11).
Figure 11 Variation relative de la capacit en fonction du temps

pour divers dilectriques
Exemple : le dilectrique Z5U perd 5 % de sa valeur entre 6 min et

1 h, puis 5 % entre 1 h et 10 h, et ainsi de suite. Pratiquement, ce
vieillissement devient ngligeable au-del de 1 000 h. Cet effet de
vieillissement peut tre annul ; le condensateur est rgnr : en
chauffant le matriau au-del de sa temprature de Curie, il revient
son tat initial.
Les applications des condensateurs cramiques dpendent fondamentalement de la nature des dilectriques utiliss :
condensateurs de type I : compte tenu de leur trs bonne stabilit en fonction de la tension, de la temprature, de la frquence et
du temps, ils sont utiliss comme condensateurs daccord de circuits oscillants, comme rsonateurs et comme condensateurs
grande puissance ractive ;
condensateurs de type II : de par leur constante dilectrique
trs leve, les dilectriques de type II sont largement utiliss dans
les lments miniaturiss, les condensateurs de dcouplage, de
couplage ou de filtrage.
2.5 volution
BX = 2C1
X7R
Lvolution technologique des condensateurs cramiques est

directement lie celle des circuits lectroniques : diminution de
lencombrement, du poids, gnralisation des techniques de report
en surface des composants et, bien entendu, rduction des prix.
Cette volution est illustre, titre dexemple, dans le cas dun systme de communication mobile (figure 12).
Dans ce contexte, lavenir est rsolument orient vers lutilisation
croissante des condensateurs multicouches, au dtriment des condensateurs monocouches mal adapts lvolution prcite, sauf
dans le cas particulier des applications haute tension. Actuellement,
la production des condensateurs monocouches ne reprsente plus
que quelques pour-cent de la production des condensateurs
cramiques multicouches et ne concerne que les plaquettes hyperfrquence et les condensateurs haute tension.
Les principales orientations sont les suivantes :
Figure 10 Variation relative de la capacit en fonction du champ

lectrique de polarisation pour divers dilectriques
E 1 925 12
limination totale ou partielle des mtaux prcieux constitutifs

des lectrodes internes et des terminaisons au profit de mtaux
communs , tels que le nickel ou le cuivre, dans le but de rduire
le cot du condensateur ;

_____________________________________________________________________________________________________________________ CONDENSATEURS
Figure 12 Diminution du volume et de la masse des systmes

de communication mobiles
miniaturisation du condensateur par laugmentation de la

permittivit et la rduction de lpaisseur de la couche dilectrique.
En production industrielle, certaines couches dilectriques sont
aujourdhui de quelques micromtres seulement, voire infrieures
au micromtre. Les formats les plus petits actuellement commercialiss (02-01) approchent la limite de manipulation des machines de
report.
Nota : (02-01) correspond, dans la nomenclature anglo-saxonne, aux dimensions, en
pouces, dfinissant la surface de report du condensateur multicouche soit environ
0,5 mm 0,25 mm.
2.6 Fonctions passives intgres
Les technologies actuelles des composants passifs (condensateurs, rsistances, inductances) atteindront bientt des butes, et le
seul moyen efficace de poursuivre la baisse des cots sera dintgrer plusieurs composants dans un chip cramique reportable
plat. On passe ainsi de la notion de composant discret celle de
fonction circuit Asic passif , appel Aspic.
Exemple : la ralisation dune fonction (filtre) intgre des condensateurs enterrs dans la cramique (technologie multicouche) et des
rsistances srigraphies sur la surface de la cramique (figure 13).
Il est vident que cette notion dintgration est dautant plus intressante, dun point de vue conomique, que le nombre de composants est important. Les principaux avantages de cette nouvelle
technologie, appele multicomposants, sont rsums ci-aprs :
rduction de la surface dimplantation (jusqu 5 10 fois par
rapport la surface occupe par les composants discrets). Actuellement environ 70 % de la surface des circuits imprims est occupe
par les composants passifs discrets ;
rduction des longueurs de connexions permettant de rduire
les inductances parasites ;
fiabilit amliore par la rduction du nombre de connexions
lorigine de nombreux dfauts ;
garantie de la fonction vendue par test direct du chip
cramique ;
simplicit (rduction des stocks, des contrles et du nombre de
reports sur circuit) ;
possibilit de reporter des composants actifs sur le chip
cramique.
Toutefois, linconvnient de cette approche est bien videmment
la standardisation, qui semble impossible actuellement de par la
multiplicit des fonctions requises par les utilisateurs. Il ne sagit,
pour linstant, a priori, que de fabrications spcifiques. Les applica-
Figure 13 Coupe dun multicomposant et circuit quivalent
tions demandes sont : les filtres IEM ( Impulsion ElectroMagntique), les condensateurs de traverse, les composants liminant les
surtensions (varistances), les fusibles en technologie couche mince.
3. Condensateurs
lectrochimiques
3.1 Technologie
Un condensateur lectrolytique ou lectrochimique est constitu
par les trois lments suivants :
une anode mtallique (armature positive) en aluminium ou en
tantale ;
une couche dilectrique : loxyde daluminium ou loxyde de
tantale ;
une armature ngative compose de llectrolyte conducteur
lui-mme et de la cathode, celle-ci ne servant que de liaison entre
llectrolyte et le circuit extrieur.
Le condensateur ainsi form est polaris : le potentiel de lanode
doit toujours tre positif par rapport celui de la cathode. Le dilectrique est fabriqu in situ par oxydation anodique du mtal. Sa faible
paisseur (0,9 1,7 nm/V danodisation) et sa rigidit dilectrique
trs leve (800 V/m) confrent au condensateur lectrochimique
une capacit volumique importante.
3.1.1 Condensateur lectrolytique laluminium

3.1.1.1 Condensateur laluminium lectrolyte liquide
Dans cette technologie, le condensateur (figure 14) comporte un
isolant (oxyde daluminium) et deux lectrodes suivantes :
lanode constitue dune feuille daluminium trs pur
(99,99 %), dont la surface active a t augmente par gravure
lectrochimique ;
la cathode comprenant un complexe de papiers absorbants
imbibs dlectrolyte et dune feuille daluminium.

E 1 925 13
CONDENSATEURS ______________________________________________________________________________________________________________________
La postformation consiste faire subir au condensateur un traitement sous tension et temprature. Cette tape permet de restaurer
le dilectrique Al2O3 la surface de la feuille daluminium grave,
qui aurait t ventuellement endommag durant les oprations de
fabrication.
Linnovation technologique dans ce type de condensateur vise, en
premier lieu, une augmentation de la capacit volumique. Celle-ci
est proportionnelle la surface active de la feuille daluminium grave. Le taux de gravure des feuilles est actuellement compris entre
10 et 100.
Lautre effort de dveloppement concerne la formulation de nouveaux lectrolytes permettant, dune part, lutilisation des condensateurs haute temprature (125 C) et, dautre part, dobtenir une
plus faible rsistance srie.
3.1.1.2 Condensateur laluminium lectrolyte solide
Par rapport au cas prcdent, llectrolyte constitutif de ce condensateur est un lectrolyte solide. Les condensateurs actuellement commercialiss utilisent le dioxyde de manganse. La technologie de
fabrication de ce type de condensateur est indique dans le tableau 7.
Figure 14 Condensateur lectrolytique laluminium lectrolyte

liquide
(0)
La technologie dlaboration du condensateur est indique dans

le tableau 6.
Tableau 7 Principe dlaboration du condensateur

laluminium lectrolyte solide
(0)
Tableau 6 Principe dlaboration du condensateur

laluminium lectrolyte liquide
Gravage dune feuille daluminium
Formation du dilectrique par oxydation de la feuille grave
Bobinage sec et dcoupe des constituants suivants :

feuille daluminium grave et anodise
feuille de papier
aluminium non grav (cathode)
Manganisation
Roxydation de la couche dalumine
Dpt des connexions
Graphitage
Schage
Argenture
Imprgnation par llectrolyte
Soudure des connexions
Mise en botier aluminium
Tremp dans une rsine liquide
Encapsulation et sertissage
Postformation
La premire tape consiste bobiner ensemble une feuille daluminium denviron 100 m dpaisseur, qui est grave lectrochimiquement et anodise (formation du dilectrique Al2O3), un
intercalaire de papier qui sert de sparateur et permet labsorption
de llectrolyte liquide, une feuille daluminium non grave agissant
comme cathode. La formation de la couche doxyde (Al2O3) se fait
par lectrolyse : pour cela, on applique une tension lgrement
suprieure la tension nominale du condensateur. Son paisseur
dpend de la valeur de cette tension et du temps dapplication.
Le bobin est imprgn sous vide par un lectrolyte, le plus souvent organique, et il est ensuite plac dans un botier cylindrique en
aluminium. Des connexions ont t auparavant soudes aux deux
lectrodes (anode et cathode) par une technique ultrasonique, et la
cathode est relie au botier en aluminium.
E 1 925 14
Lanode est constitue dune feuille daluminium grave et plie

sous forme daccordon . Les anodes sont soudes sur une barrette
et successivement oxydes et imprgnes avant dtre enrobes. La
particularit de ce type de composant (figure 15) est sa bonne tenue
haute temprature (150 C, voire 170 C) ; cet atout est d la stabilit
thermodynamique des lments constitutifs du composant.
Figure 15 Condensateur lectrolytique laluminium lectrolyte

solide

_____________________________________________________________________________________________________________________ CONDENSATEURS
Figure 17 Condensateur lectrolytique au tantale lectrolyte solide

(0)
Tableau 8 Principe dlaboration

du condensateur au tantale lectrolyte solide
Compression poudre de tantale et insertion dun fil conducteur
Frittage de lanode (1 500 C sous vide)
Figure 16 Condensateur lectrolytique au tantale lectrolyte glifi
Formation de Ta2O5 par traitement lectrochimique
Les efforts de dveloppement portent sur lutilisation dlectrolytes solides hautement conducteurs (conductivit 10 100 fois
suprieure celle du dioxyde de manganse) : lintrt qui en
rsulte tant la faible valeur de rsistance srie quivalente pour le
condensateur.
Manganisation
Graphitage
3.1.2 Condensateur lectrolytique au tantale
Reformation de Ta2O5
Ce type de condensateur est utilis pour les applications

ncessitant de fortes valeurs de capacit. La nature du dilectrique
est loxyde de tantale T2O5. Deux technologies sont utilises : la premire emploie une feuille de tantale comme anode et un lectrolyte
glifi, la seconde un bloc de poudre de tantale press et fritt constituant une anode poreuse et un lectrolyte solide. La premire technologie (la moins utilise) est trs semblable celle des
condensateurs lectrolytiques laluminium. La feuille de tantale
peut tre lisse, car la valeur de la permittivit de loxyde de tantale
est plus leve que celle de loxyde daluminium ou grave. Les condensateurs ayant une feuille lisse admettent un courant alternatif
plus important, tandis que ceux dont la feuille danode est grave
offrent une plus grande capacit volumique.
Tremp dans une solution de graphite
Tremp dans une solution dargent
Encapsulation du condensateur
3.1.2.2 Condensateur au tantale lectrolyte solide

3.1.2.1 Condensateur au tantale lectrolyte glifi
Lanode est obtenue par pressage de la poudre de tantale en prsence dun liant organique. Lopration de frittage, qui lui succde,
est ralise une temprature de lordre de 1 500 C et sous une
pression denviron 1,3 104 Pa (pour viter loxydation du tantale,
lenceinte des fours est en effet maintenue sous un vide dynamique
par un systme de pompage primaire et secondaire). La formation
de loxyde est ralise sous des conditions similaires celles des
condensateurs laluminium, cest--dire lectrolyse une tension
deux trois fois suprieure la tension nominale.
Aprs anodisation, lensemble (figure 16) est imprgn par un
liquide base dacide sulfurique ou par un gel constitu dun
mlange de silice et dacide sulfurique. Le botier externe est mtallique, base dargent pour une raison dtanchit dune part, et de
compatibilit avec llectrolyte acide dautre part. Dans les applications trs critiques (spatial par exemple), le botier peut tre en tantale. Ce type de condensateur est relativement peu utilis compte
tenu de son prix lev.
Dans ce type de condensateur, llectrolyte solide est le dioxyde

de manganse recouvert dune couche de graphite collodal et de
laque dargent comme collecteur de courant (figure 17). Lensemble
anode/lectrolyte/laque dargent est soit recouvert de rsine poxy,
soit surmoul. La technologie de fabrication est indique dans le
tableau 8.
La poudre de tantale est presse sous forme dun cylindre, en
mme temps quun fil de connexion en tantale insr dans cette
anode. La poudre est fritte, ce qui assure la tenue mcanique de
lanode. La formation du dilectrique (Ta2O5) la surface de lanode
est obtenue par oxydation du tantale, en plaant lanode dans un
bain acide et en la soumettant une tension quatre fois suprieure
la tension nominale du condensateur.
Afin de raliser la cathode, lanode est trempe dans une solution
de nitrate de manganse qui pntre dans lanode poreuse et se
dpose sur le dilectrique. Un traitement thermique dcompose le
nitrate et produit loxyde de manganse, qui joue le rle dlectro-

E 1 925 15
CONDENSATEURS ______________________________________________________________________________________________________________________
lyte. Lanode est ensuite trempe dans une solution de graphite,

sche, puis trempe dans une solution dargent et nouveau
sche. Ces deux dpts de graphite et dargent sont ncessaires
pour obtenir une faible rsistance de contact et permettent dassurer le contact entre lanode et une connexion extrieure. Le condensateur est ensuite protg par une rsine poxy.
L encore, lvolution technologique de ce produit concerne
laccroissement de sa capacit par unit de volume. Celle-ci implique un travail important sur la granulomtrie de la poudre de tantale. De plus, comme dans le cas des condensateurs lectrolytiques
laluminium lectrolyte solide, la recherche sur les lectrolytes
hautement conducteurs constitue un des axes privilgis.
sateur lectrochimique laluminium lectrolyte solide prsente la

meilleure tenue en tension inverse dune manire permanente, car le
dilectrique reste inerte : aucun phnomne de destruction conscutif la polarisation de llectrolyte na lieu. Le condensateur au tantale
ne supporte quune tension inverse trs faible, en raison dune faible
stabilit thermodynamique de loxyde de tantale.
3.2.3 Courant admissible

Le courant admissible est le courant maximal qui est autoris par
le condensateur considr. Il est dautant plus lev que la rsistance srie quivalente du condensateur est faible. titre dexemple, il est indiqu dans le tableau 9 le courant admissible pour un
condensateur de 68 F.
3.2.4 Dure de vie
Les principales caractristiques apparaissent dans le tableau 9.
Comme indiqu dans le tableau 9, le condensateur lectrochimique laluminium lectrolyte solide offre de bonnes proprits :
en particulier le dilectrique (oxyde daluminium) a la facult de conserver son caractre amorphe. Cette particularit explique la supriorit de laluminium sur le tantale au niveau de la tenue aux forts
courants traversants. Dans le cas du condensateur tantale, le dilectrique (oxyde de tantale) peut devenir cristallin en prsence dun
champ lectrique conduisant au phnomne de court-circuit. Cette
transformation induit galement une rduction de la tension de
fonctionnement haute temprature.
3.2.1 Variation en fonction de la frquence

Le comportement en frquence dpend principalement de limpdance Z et de la rsistance srie quivalente. De faon gnrale, on
peut dire que les condensateurs lectrochimiques lectrolyte
solide se comportent mieux en frquence que ceux lectrolyte
liquide : pour les premiers, le domaine dutilisation, toutes choses
gales par ailleurs, stend jusquau mgahertz, alors que les
seconds sont limits des frquences voisines de 500 kHz.
3.2.2 Variation en fonction de la tension
3.2.5 Courant de fuite
Le condensateur lectrochimique est caractris, dune part, par sa

tension nominale de fonctionnement permanent Un et, dautre part,
par une tension de pointe Up, tension maximale instantane rptitive pouvant tre applique par intermittence. La moins bonne
tenue en tension de pointe des condensateurs lectrochimiques
lectrolytique liquide (ou glifi) est due la dgradation de llectrolyte qui est conscutive la polarisation lectrochimique. Le conden-
Comme indiqu (tableau 9), les condensateurs lectrochimiques

lectrolyte liquide prsentent les courants de fuite les plus faibles.
Cette caractristique est due la rgnration permanente du dilectrique au contact de llectrolyte liquide. Ajoutons que la couche
de dilectrique est moins endommage pendant le procd de fabrication dans le cas des condensateurs lectrolyte liquide.
(0)
Tableau 9 Comparaison des caractristiques des condensateurs lectrochimiques

Aluminium
liquide
Tension nominale Un ............................. (V) de 4 450
Tension de pointe
Tension inverse continue 85 C
Aluminium
solide
Tantale non solide
Tantale solide
Niobium
de 4 50
de 6,3 150
de 4 50
de 4 16
1,3Un
de 1,1 1,15Un
1,3Un
1,15Un
1,3Un
Niveau
1,5 V
0,3Un
0,05Un
Dure
Brve
Continue
Courant efficace (68 F/6,3 V)

traversant 100 Hz/85 C .....................(mA)
90
120
50
60
Rduction de tension 125 C
1/3Un
1/3Un
5 000
Dure de vie 85 C ................................ (h)

Mcanisme de destruction
Courant de fuite maximal ..................... (A)
mesur aprs
10 000
10 000
10 000
vaporation de
llectrolyte
Inconnu
Cristallisation par effet

de champ
Cristallisation par
effet de champ
0,002CnUn
1 min
0,1CnUn
15 s
0,001CnUn
1 min
0,01CnUn
1 min
de 0,1 2 200
de 3,3 15 000
de 0,1 1 500
Gamme de capacit (Cn)........................ (F) de 0,2 22 000
E 1 925 16
Brve

de 0,47 1 000
_____________________________________________________________________________________________________________________ CONDENSATEURS
3.3 Applications
Les principales applications pour les condensateurs lectrochimiques laluminium sont les fonctions de filtrage, de liaison, de
dcouplage, mais aussi de stockage dnergie. Dans le cas de filtrage haute frquence (> 500 kHz), on devra utiliser un type de condensateur dont la valeur de capacit reste significative (> 10 F) et
dont la valeur de rsistance srie quivalente est faible. Une des
possibilits consiste utiliser plusieurs condensateurs lectrolytiques lectrolyte liquide en parallle de faon, dune part, accrotre la capacit et, dautre part, baisser la rsistance srie
quivalente. Une alternative est dutiliser un condensateur laluminium lectrolyte solide, pour lequel la dcroissance de la capacit
en fonction de la frquence est relativement faible et la valeur de la
rsistance srie quivalente est significativement plus basse. Dans
le cas des alimentations dcoupage haute frquence, on prfre
de la mme faon les condensateurs laluminium ou tantale lectrolyte solide, par rapport leurs homologues lectrolyte liquide.
Les condensateurs lectrochimiques lectrolyte liquide ou glifi
sont frquemment utiliss pour des applications haute tension
(jusqu 500 V). Un des atouts majeurs du condensateur lectrochimique lectrolyte solide est sa rsistance aux hautes tempratures, ncessairement indispensable dans le secteur automobile.
3.4 volution
La tendance actuelle, ainsi que celle des annes venir, est de

substituer les composants piquer par des composants montage
en surface. Les condensateurs lectrochimiques doivent suivre cette
volution inluctable. Pour cela, le condensateur lectrochimique
doit tre apte rsister aux conditions de report : celles-ci imposent
au condensateur une tenue aux hautes tempratures, soit 230
260 C suivant les modes de report. Seuls, les condensateurs lectrolyte solide sont alors susceptibles de convenir.
Lvolution des lectrolytes solides des condensateurs lectrolytiques concerne donc lamlioration de leur conductivit et de leur
stabilit en temprature. Lutilisation de complexes de transfert de
charge (type sels de 7,7,8,8 ttracyanoquinodimthane) ou bien de
polymres conducteurs dops (type polypyrrole, polythiophne)
permettrait datteindre 100 1 cm1, soit 1 000 fois plus que la
conductivit de loxyde de manganse actuellement utilis.
Figure 18 Condensateur film mtallis
films comportent chacun, respectivement, une marge droite ou

une marge gauche (figure 18). Ltablissement des contacts lectriques avec le circuit extrieur est assur par une mtallisation.
Cette technique, appele shoopage, consiste dposer sur les deux
faces du condensateur bobin un mtal en fusion.
Pour des exigences particulires de tenue fort courant, le bobinage comporte en plus deux feuilles daluminium. Appeles armatures, elles sont paisses denviron 5 m et assurent une bonne
dissipation thermique. La prise de contact lectrique vers le circuit
extrieur est assure par lintermdiaire de ces armatures
(figure 19).
Les condensateurs bobins film mtallis prsentent un encombrement deux trois fois plus faible que ceux comportant des armatures. En outre, les films ont lavantage dtre autocicatrisables (selfhealing) : en cas de dfaut dans lisolant conduisant un claquage,
lnergie dgage par la dcharge est gnralement suffisante pour
vaporiser la mtallisation autour du dfaut et, par suite, pour lisoler
lectriquement. Le condensateur a perdu un peu de sa capacit,
mais a retrouv son isolement et continue dassurer sa fonction. Le
bobinage gnralement cylindrique est souvent aplati avant dtre
dispos dans un botier. Par contre, les condensateurs comportant
des armatures supportent des courants plus levs ; ils sont
particulirement stables et prsentent une bonne tenue en rgime
impulsionnel.
4. Condensateurs films
4.1 Technologie
Gnralement, les condensateurs films sont classs suivant la
nature du dilectrique qui est utilis, mais ils peuvent ltre aussi
selon la technique de mtallisation du film ou la structure du
condensateur, comme indiqu au tableau 10. Les deux principales
techniques de construction du condensateur sont :
un bobinage du film dilectrique et des lectrodes (si le film
nest pas pralablement mtallis) ;
la technique dempilement, cette seconde mthode tant
beaucoup plus rcente.
4.1.1 Condensateur bobin

Les condensateurs bobins sont gnralement raliss par
lenroulement de deux films dilectriques mtalliss ; dpos sous
vide, le mtal a une paisseur comprise entre 10 et 30 nm. Les deux
Figure 19 Condensateur armatures dbordantes

E 1 925 17
CONDENSATEURS ______________________________________________________________________________________________________________________
(0)
Tableau 10 Trois types de classification des condensateurs films

Nature du dilectrique
Polyester, polypropylne, polystyrne, PPS, PET, PEN (1)
Structure du condensateur
Bobin ou empil
Nature de llectrode
lectrode sous forme dune armature mtallique (5 7 m)

Film directement mtallis par dpt sous vide ( 20 nm dpaisseur)
(1) PPS polysulfure de phnylne ; PET polytrphtalate dthylne ; PEN polythylne naphtalate
(0)
Tableau 11 Procd de fabrication

dun condensateur film empil
Mtallisation sous vide du film dilectrique
Dcoupe du film
4.1.2.1 Condensateur empil habill

Dans cette version technologique, le condensateur est muni de
connexions, dispos dans un botier plastique et protg de lenvironnement extrieur (humidit, brouillard salin, etc.) par une rsine
poxy rendant le botier tanche (figure 22). Une version moins
coteuse que la mise en botier consiste tremper directement le
pav dans une rsine poxy.
Bobinage du film mtallis
Cerclage
Shoopage aluminium et Cu-Zn et/ou Sn-Ag et/ou Sn-Pb

des surfaces latrales
Traitement thermique de stabilisation mcanique
4.1.2.2 Condensateur empil nu (chip film)

Lvolution irrversible de lutilisation de la technologie de report
en surface pour lensemble des composants passifs et actifs conduit
concevoir un condensateur film sans aucune protection ni botier
ni enrobage poxy, qui est directement reportable sur le circuit
imprim (figure 23). Les problmes majeurs rsoudre sont lis
aux contraintes climatiques et thermiques, notamment celles qui
sont exerces sur le film durant lopration de soudure. Les principales caractristiques des dilectriques utiliss pour la technologie
chip film sont indiques dans le tableau 12. La technologie de fabrication des condensateurs chip film est identique celle des condensateurs traditionnels du type empil.
Dcoupe en condensateurs lmentaires
4.1.2 Condensateur film empil

Sa technologie de fabrication a permis de progresser fortement
dans le domaine de la compacit et de la rduction des cots de
fabrication car elle est parfaitement adapte une production de
masse (tableau 11). Ce type de condensateur est constitu dun
empilage de condensateurs lmentaires monts en parallle
(figure 20).
Deux films isolants, mtalliss sous vide (couche daluminium de
20 30 nm dpaisseur) avec une marge respectivement droite ou
gauche, sont bobins sur une roue denviron 80 cm de diamtre.
Le nombre de tours de film dpos sur la roue dpend bien videmment de la valeur de la capacit recherche. Les 2 films bobins forment un condensateur mre . Plusieurs condensateurs mres
peuvent tre bobins sur la roue et spars par des intercalaires,
lensemble tant maintenu mcaniquement laide dun cerclage
(figure 21). Les prises de contact vers lextrieur sont assures par
shoopage dune premire couche daluminium, qui assure la liaison
lectrique avec les lectrodes internes du film empil, et dune
deuxime couche dalliage dtain, qui permet la soudabilit des fils
de connexion. Un traitement thermique une temprature infrieure celle de la temprature de fusion de lalliage permet de stabiliser mcaniquement les segments.
Dans le cas du condensateur empil nu, le shoopage dalliage
dtain est remplac par une argenture. Chaque condensateur
mre (ou segment) est dcercl et dcoup en condensateurs
lmentaires, dont le nombre dpend de la valeur de capacit.
titre dexemple, une roue peut comporter 16 segments ; chaque segment peut de son ct porter plusieurs centaines de condensateurs
lmentaires de 100 nF.
E 1 925 18
Figure 20 Condensateur film empil

_____________________________________________________________________________________________________________________ CONDENSATEURS
Figure 22 Condensateur empil habill
Figure 21 Opration de bobinage dun condensateur film empil
Les caractristiques lectriques des condensateurs films sont

directement lies celles des dilectriques utiliss (tableau 1) :
polystyrne : ce film est lun des premiers utiliss pour lapplication condensateur. Son excellente stabilit en temprature et en
vieillissement permet son emploi dans les circuits daccord. Par contre, sa temprature de fonctionnement est limite (85 C) ;
polyester : cet autre film est lun des plus utiliss actuellement,
compte tenu du trs bon compromis cot/performances, notamment pour la technologie film mtallis, dans la gamme de capacit
de 1 000 pF 10 F ;
polypropylne : ce support est particulirement bien adapt
la technologie film mtallis, et plus particulirement destin aux
applications de puissance. Ces proprits sont :
faible angle de pertes,
faible absorption dhumidit,
autocicatrisation (aprs claquage),
film rugueux (imprgnation),
bonne tension de claquage,
bonne tenue, trs relative pour un polymre, en temprature ;
les films utiliss pour le montage en surface sont le PET
(polythylne trphtalate), le PEN (polythylne naphtalate) et le
PPS (polysulfure de phnylne). Des traitements thermiques complexes ont permis lutilisation du PET, du PEN et du PPS, avec des
soudures sans plomb, en ayant toutefois, une meilleure stabilit
thermique avec le PEN et le PPS ;
PPS : il est limit aux applications spcifiques qui ncessitent
une temprature de fonctionnement leve (150 C) ou des frquences de fonctionnement leves ;
Figure 23 Condensateur empil nu (chip film)
PEN : ce support est utilis dans la technologie chip film qui

ncessite une excellente tenue aux contraintes thermiques (250 C)
et mcaniques durant lopration de soudure sur le circuit imprim ;
PET : ce matriau permet galement davoir une trs bonne
tenue aux contraintes thermiques (245 C) et mcaniques durant
lopration de soudure sur circuit imprim.
(0)
Tableau 12 Caractristiques des films dilectriques utiliss dans la technologie empil nu (chip)
PPS
PEN
PET
Permittivit relative
paisseur minimale.......................................... (m)
3,1
1,2
3
1,2
3,2
1,2
Temprature de fusion ...................................... (C)

Temprature maximale de fonctionnement .... (C)
285
150
266
125
244
125
PPS polysulfure de phnylne ; PEN polythylne naphtalate ; PET polythylne trphtalate

E 1 925 19
CONDENSATEURS ______________________________________________________________________________________________________________________
4.3 Applications
Les condensateurs base de polyester sont utiliss pour les applications o les tensions alternatives et de polarisation sont de faible
amplitude et pour des frquences de fonctionnement jusqu quelques mgahertz. Plus particulirement, les condensateurs polyester
ont une plus forte capacit volumique.
Les condensateurs base de polystyrne ou de polypropylne
sont utiliss pour les applications haute frquence et tension leve compte tenu, respectivement, de leurs faibles pertes dilectriques et de leur bonne tenue au claquage (tableau 1). Les
condensateurs base de PPS ou PEN (polythylne naphtalate),
grce leur point de fusion lev, sont particulirement recommands en version chip film. Le dilectrique PPS est bien adapt pour les
applications en haute frquence.
4.4 volution
Lvolution la plus importante des condensateurs films concerne
actuellement le dveloppement de modles dencombrement rduit
et surtout reportables en surface. Cette volution ncessite des films
mtalliss dpaisseur trs fine (< 1 m) et qui supportent les tempratures de soudure actuellement utilises. Il faut cependant ne pas
sous-estimer les difficults technologiques de leur mise au point et
le prix du film, qui peuvent tre un frein un emploi gnralis de
ces nouveaux produits.
Les dveloppements actuels sont lis, entre autres, la rduction

du volume et du poids des condensateurs, tout en conservant les
performances lectriques. Le tableau 13 permet de comparer les
performances de diffrents matriaux. titre dexemple, les condensateurs de filtrage et de commutation quipant les TGV Atlantique correspondent un poids de 3 tonnes par rame. Une rduction
de ce poids denviron 40 % est un objectif raliste. Cependant certains types de dilectriques peuvent prtendre de telles applications. On constate que le SrTiO3, mais cest aussi le cas de BaTiO3,
prsente une permittivit trs leve par rapport celle des autres
matriaux. Grce cette proprit, on ralise des condensateurs
cramiques, avec ces matriaux comme dilectriques, qui prsentent de fortes capacits sous de faibles volumes. Ceci est trs intressant pour la miniaturisation des circuits.
5. Tendances
5.1 volution du secteur
des condensateurs
4.5 Condensateurs utiliss

en lectronique de puissance
La technologie de fabrication est semblable celle des condensateurs bobins et dpend galement des conditions de fonctionnement nonces prcdemment. Linconvnient est la prsence dune
lame dair entre les enroulements. En consquence, le gradient de
tension admissible est limit, afin dviter le phnomne de claquage. Comme remde pour les applications qui ncessitent une
tenue aux hautes tensions, on introduit un liquide dimprgnation
(huile de colza titre dexemple) entre les enroulements du condensateur durant ou aprs lopration de bobinage. Lnergie volumique du condensateur peut alors tre augmente dun facteur deux.
Une application particulire des condensateurs film concerne le

secteur de llectronique de puissance et plus particulirement les
fonctions suivantes :
filtrage ;
commutation ;
stockage dnergie et dcharge ;
protection des semi-conducteurs ;
mise en forme de signaux impulsionnels associant condensateurs et inductances.
Actuellement le dilectrique le plus utilis est le polypropylne,
au dtriment du papier qui tend disparatre. Les condensateurs
doivent prsenter des valeurs minimales de rsistance srie, pertes
dilectriques et inductance compte tenu des conditions de fonctionnement (courants non sinusodaux, rsidus harmoniques, forte
variation du courant en fonction du temps, tension continue de
polarisation leve, etc.). Les tensions mises en jeu sont comprises
entre 20 et 50 kV pour les produits standards, et peuvent atteindre
100 voire 150 kV pour certaines applications. Toutefois, les courants
mis en jeu ne dpassent jamais 1 ampre ; aussi les puissances
ractives ne dpassent pas 100 kVA et les nergies volumiques sont
de lordre de 800 J/L soit 800 kJ/m3.
Le secteur industriel des condensateurs est caractris, dun point

de vue conomique, par une rosion continuelle des prix et, selon la
technique, par une volution acclre de la demande de condensateurs compatibles avec le report en surface. Consquence de ces
deux tendances : la croissance la plus importante concerne les chips
cramiques multicouches, qui rpondent aux exigences du march.
Limportance prise par cette technologie ne peut qutre renforce
dans les prochaines annes par sa bonne adquation lvolution
des composants passifs (R, L, C ) vers lintgration.
A contrario, les condensateurs mica trop volumineux et coteux
ne sont plus gure employs.
Les condensateurs cramiques monocouches traditionnels avec
connexions reprsentent encore un march dans le domaine grand
public grce leur prix attractif, mais ils se trouvent dans une phase
de dcroissance. Cependant sur des marchs de niche, tels que la
haute tension, les condensateurs monocouches peuvent encore se
dvelopper.
Les condensateurs films souffrent de lvolution du march
orient vers la technique de report en surface. Si plusieurs constructeurs commercialisent des chips films, ceux-ci ne concernent que
des marchs de niche correspondant des applications o les
cramiques multicouches ne sont plus comptitives en termes de
prix (forte capacit, haute tension par exemple).
(0)
Tableau 13 Comparaison des caractristiques des diffrents condensateurs de puissance

Capacit
(F)
Un
(V)
Densit nergie
(J/dm3)
Champ maximal
(V/m)
< 100
de 10 10 000
600
500
Cramique (SrTiO3)
< 100
de 10 10 000
100
10
1 800
Aluminium
de 1 106
de 10 500
250
800
Film (PPS-PET)
E 1 925 20

_____________________________________________________________________________________________________________________ CONDENSATEURS
Le march des condensateurs au tantale est en forte croissance

pour les modles CMS (composants pour montage en surface) utiliss dans les tlcommunications mobiles et linformatique portable. Cette technologie est cependant handicape par le prix de la
poudre de tantale, principale matire premire de ce type de condensateur. Les efforts damlioration portent sur la rduction de la
quantit de poudre utilise performance constante et galement
sur le remplacement du tantale par le niobium.
Le march des condensateurs laluminium est en faible croissance pour les tensions nominales infrieures 63 V et de capacit
infrieure 100 F, car en comptition avec les condensateurs chips
tantale et dans une moindre mesure avec les condensateurs
cramiques multicouches pour les plus faibles valeurs de capacit
utilises dans les alimentations dcoupage.
Enfin, le march des condensateurs au papier utiliss dans les applications de puissance tend disparatre au profit des condensateurs
films mtalliss et des condensateurs lectrolytiques laluminium.
Figure 24 Structure dun supercondensateur
Nous terminerons cette analyse de tendance en dtaillant au paragraphe suivant les perspectives davenir des supercondensateurs
caractriss par des capacits volumiques particulirement leves.
(jusqu 4,2 Wh/kg) (tableau 14). La capacit massique est de lordre

de 70 F/g. Les valeurs typiques de capacit commercialises sont de
lordre de 10 F sous une tension de 2,5 V.
5.2 Supercondensateurs
5.2.1.2 Technologie base sur les ractions faradiques
La supercapacit rsulte de la mise en jeu de ractions lectrochimiques faradiques linterface lectrode/lectrolyte. Le matriau
dlectrode est constitu soit par un oxyde de mtal de transition
non stchiomtrique (matriau dinsertion), soit par un polymre
conducteur de type polypyrrole, polythiophne, polyaniline ...
Llectrolyte peut tre de lacide sulfurique dans le premier cas, ou
bien un sel dissous dans un solvant aqueux ou organique dans le
second cas, sel ayant la particularit de jouer le rle de dopant du
polymre conducteur employ. Cette technologie est, actuellement,
en cours de dveloppement. Le comportement capacitif est li au
blocage inhrent la pntration des ions dans la raction interfaciale lectrolyte/matriau dlectrode. Dans ce cas, la capacit dveloppe peut atteindre 200 F/g avec des tensions de 2 V dans le cas
dlectrolytes organiques aprotiques.
5.2.1 Technologie
Les supercondensateurs sont des dispositifs de stockage dnergie. Aussi bien dans leur principe que dans leurs caractristiques, ils
se positionnent entre les accumulateurs lectrochimiques et les condensateurs. De par leur conception, ils sont constitus de deux lectrodes et dun lectrolyte.
On peut classer les supercondensateurs en deux groupes, suivant

leur principe de fonctionnement :
stockage de lnergie sous forme lectrostatique ;
stockage de lnergie sous forme lectrochimique.
5.2.1.1 Technologie au charbon actif
Actuellement commercialiss sous le nom de gold capacitors, ces
supercondensateurs fonctionnent selon un principe de type lectrostatique. Llectricit est stocke dans la double couche lectrochimique existant linterface lectrode/lectrolyte. La figure 24
montre la structure de ce supercondensateur : llectrode est constitue par un matriau en charbon actif de trs grande surface spcifique (> 1 000 m2/g). Llectrolyte imprgnant le sparateur entre les
deux lectrodes est un lectrolyte conduction ionique, soit
aqueux, soit organique. Llectrolyte aqueux permet dobtenir une
forte puissance (10 kW/kg), due une plus grande conductivit au
dtriment dune plus faible densit dnergie (1,1 Wh/kg). Llectrolyte organique permet dobtenir une plus forte densit dnergie
5.2.2 Proprits lectriques

Les paramtres lectriques significatifs des supercondensateurs
sont, essentiellement, la densit dnergie massique (Wh/kg) et surtout la puissance massique (W/kg) qui traduit laptitude de la supercapacit dlivrer une importante quantit dnergie pendant des
temps brefs (0,1 ms 1 s). Le tableau 14 indique les caractristiques
des divers types de supercondensateurs. Outre les paramtres nergie et puissance dj discuts, on remarque que les meilleures performances sont obtenues pour des lectrodes de type polymre
conducteur associes un lectrolyte organique.
(0)
Tableau 14 Comparaison des caractristiques des supercondensateurs

lectrode :
Charbon actif
lectrolyte :
Acide sulfurique
Charbon actif
Matriau dinsertion
Polymre conducteur
lectrolyte organique
lectrolyte organique
Acide sulfurique
nergie massique ..................(Wh/kg) de 0,2 1,1
de 2 4,2
de 2,7 5,5
11
Puissance massique .............. (kW/kg) de 1 10
de 0,1 1
de 10 100
100
Tension........................................... (V) de 0,8 1,2
de 2 2,5
de 0,8 1,2
2,5

E 1 925 21
CONDENSATEURS ______________________________________________________________________________________________________________________
5.2.3 Applications
Les supercondensateurs peuvent tre utiliss en remplacement ou
en complment des accumulateurs lectrochimiques. La caractristique essentielle qui est exploite dans les applications est la puissance
massique. On trouvera donc ces supercondensateurs dans les systmes qui ncessitent une importante nergie dlivre en un temps bref.
Les domaines dapplications militaires sont, titre dexemple non
limitatif, le canon lectromagntique et les radars. Le secteur des tlcommunications porte un intrt ces composants dans les
mmoires de sauvegarde en remplacement des batteries. Les supercondensateurs prsentent galement un intrt en complment des
batteries dans la radiotlphonie, o lon doit disposer dnergie
durant des temps trs courts (1 ms), excluant lutilisation de batteries

forte impdance ; de mme, ils pourraient tre exploits comme sauvegarde de mmoire en informatique. Le secteur automobile, et en
particulier le vhicule lectrique, utilisera les supercondensateurs : en
effet, pour acclrer et franchir une cte, il faut disposer dune grande
quantit dnergie dans un temps trs bref : dans ce cadre, les batteries au lithium dune puissance denviron 150 W/kg ne suffisent pas,
alors que le supercondensateur issu de llectrochimie pourrait
dlivrer une puissance massique trs leve : 10 kW/kg.
Le tableau 15 permet dvaluer la progression des supercondensateurs dans des secteurs trs divers. Le march estim dici
10 ans serait de lordre de 500 millions 1 milliard de dollars.
(0)
Tableau 15 March disponible en 2000 pour les supercondensateurs double couche de carbone (EDLC)
dans le domaine de la traction
Transport routier :
marchandises et passagers
Chariots lvateurs
E 1 925 22
Vhicules produits
March potentiel :
nombre de cellules
Pntration du march
(%)
227 000
4 300 000
1 100 000
4 400 000

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Cet article est issu de : lectronique - Automatique | lectronique

par Alain BEAUGER, Jean-Marie HAUSSONNE,

Abstract Capacitors, passive components, are used in every domain of electronics.

Pour toute question :

Document tlcharg le : 25/12/2015

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Agrg de Physique, Docteur s-Sciences

Condensateurs lectrochimiques ........................................................

Condensateurs films ...............................................................................

Pour en savoir plus ...........................................................................................

es condensateurs appartiennent la famille des composants passifs, et ils

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Le choix du type de condensateur dpend de lapplication vise : il seffectue

Figure 1 Coupe transversale dun condensateur disque

C est mesure en farads (F), Q en coulombs (C) et V en volts (V).

permittivit relative (2 20 000) du dilectrique

Dans la suite du texte, pour des raisons de simplification et

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En se rfrant au schma de la figure 2, les pertes peuvent tre

tan = (Rs + Rp)/(L 1/C)

basses frquences : tan ~ 1/RpC

R i : rsistance d'isolement R i = f(T C) et R i = f(UDC)

Zone 1 : effet du dilectrique

Dans le cas dun condensateur rel, ce courant est perturb par

Considrant la capacit C du condensateur et son inductance L,

1.2 Principales familles de condensateurs

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Tableau 1 Performances des dilectriques des principales familles de condensateurs

< + 10 10 175 [avec rduction de la

< + 10 10 125 (avec derating)

(1) indique les gammes couvertes.

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Les principales fonctions assures par les condensateurs sont

On appelle cramique un matriau inorganique, non mtallique,

Tableau 3 Fonctions assures par chaque famille de condensateur (1)

(1) indique les fonctions assures.

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La valeur de la constante dilectrique est trs leve, tendant

Cependant, cette dmarche ne permet pas datteindre les fortes

grains. La phase vitreuse de constante dilectrique faible disparat.

2.1.1 laboration des condensateurs monocouches

2.1.2 laboration des condensateurs multicouches

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Figure 4 Diffrentes tapes de fabrication des condensateurs

2.1.2.2 Technologie de fabrication