1ère Année M1-ELT – Département de Génie Electrique – F.T. – Université A.

Mira – Béjaïa – 2014/2015 –

SOLUTION DES TRAVAUX DIRIGES

UEF 21 (CEM)
EXO.1
1. Expression
xpression de la résistance d’un conducteur filiforme :

   J
 Loi d’Ohm : J   E  E   E  J (1)
 L
  dV J S
 Loi d’induction spatiale : dV   E  dl  E   I
dl
E
0v v
E  E (2) 0(V)
L L v(V)
  I
 Densité de courant : I  J S  J  (3) Portion d’un conducteur
S
L
 ( (2) et (3) on arrive à : v  
En combinant les relations (1), i
S

La différence de potentiel
el entre deux points d’un conducteur est proportionnelle au courant qui le traverse.
La constante de proportionnalité est la résistance R de ce conducteur.
L 1
v  RiR   avec 
S 
où : [m ] : résistivité électrique,

 [(m) 1 ] : Conductivité électrique,

l[m] : longueur du fil,

S[m2] : section du fil.
Pour le cuivre ( = 5,7 107 [Ω/m]-1, 0=410-7[H/m]) :

2. Résistance en fonction de l’épaisseur de peau électromagnétique :

L’épaisseur de peau électromagnétique est donnée par :  

2

1 
  f

L’épaisseur de peau diminue avec la racine carrée de la fréquence, avec la conductivité

conducti vité et la perméabilité.

1 l
La section totale du conducteur est : S   r  R  RDC 
2
 r2

 
S   r 2 r      2r    et R 
2 1 l
 S

1 l 1 l
Soit d=2r, le diamètre de la section,, la résistance devient : R  
  2 r      d   

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 Pour  > d  R  RDC

1 l
 Pour  << d  R 
  d

Pour f  0  R : En théorie, il n’y a pas de courant qui circule dans les conducteurs pour les
fréquences entrainement élevées. En pratique, c’est un courant qui circule sur la surface de séparation entre
la conducteur et l’air ; c’est le cas des fibres optiques.

EXO.2 :
1. Expression de la capacité d’un condensateur :

+ + z
V
+q d
Diélectrique ()
E
-q

 dE  
Loi de Gauss : divE   sur une seule direction :  E  d (1)
 dz  
dq q q
Densité de charge volumique :    avec   Sdz  Sd    (2)
d  Sd
q
(1) et (2) on arrive à : E 
S
V V q d S
or E  donc   V  q  q V
d d S S d
Les charges électriques transférées entre deux points sont proportionnelles à la différence de potentiel de ces
points. Le coefficient de proportionnalité est la capacité C du système.
S
q  CV C  [F ]
d
C : Constante de proportionnalité = capacité du condensateur.
Unité de capacité : Farad (F) ou de façon plus pratique : Microfarad ( 1F  10 6 F ) ou Nanofarad (

1F  10 9 F ) Picofarad ( 1 pF  10 12 F ).

 N'importe quelle paire de fils est un condensateur, il faut donc prendre des précautions lorsque l'on réalise
des circuits électroniques (capacité parasite).

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 Le diélectrique peut être : de l'air, du papier ciré, du polystyrène, du mica, du verre, de la céramique,...

2. Relations entre courant et tension du condensateur :

 Régime quelconque :
dq(t ) dv(t )
i (t )  or q ( t )  C v ( t ) donc i (t )  C
dt dt
t
1 1
dv 
C
i (t ) dt  v (t ) 
Ct 
i (t ) dt
0

 En régime continu : fréquence=0 ou v(t)=constante :

dv(t )
i (t )  C  i (t )  0
dt

 Régime harmonique (sinusoïdal et en notation complexe)

I I
I  jCV  V   j
jC C

 A hautes fréquences (f>>) : V  0

 A basses fréquences (f<<): I  0

3. Expressions de la puissance et de l’énergie stockée.

dv(t ) dv(t )
La puissance instantanée est : p ( t )  v ( t ) i( t ) or i (t )  C donc p(t )  C v (t )
dt dt
t

L'énergie stockée dans le condensateur entre les temps t0 et t vaut : WC   p(t )dt
t0

t t t
dv 1
WC  C v 
t0
dt
dt  WC  C  v(t ) dv  WC  C v 2 (t )
t0
2 t0

1
Si à t = t0, W(t0) = 0, il vient : WC (t )  C v 2 (t ) [ Joule]
2

EXO.3 :
1. Expression de l’inductance d’une bobine :
La bobine est un enroulement de fil pouvant être de plusieurs couches et caractérisée par le matériau sur
lequel le fil est enroulé :
 Air, matériau magnétique (TV, radio, filtres).
 Matériau ferromagnétique (filtre, source de tension, transformateur).

S Ligne de flux  (t)

i(t) S

i(t)
v(t)

v(t)

 (t)

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 
  dl  N I
NI
Loi d’Ampère : H  H 
l
C

NI
Relation magnétique : B   H  B
l
S
Flux magnétique créé par les N spires :   NB S    N 2 I
l
Le flux magnétique créé par une bobine est proportionnel au courant qui l’a traverse et le coefficient de
proportionnalité est l’inductance L de cette bobine.
N2 S
N   L i ( Weber [Wb])  L   (Henry [H])
l

2. Relations entre tension et courant de la bobine :

 Régimes quelconque
d (t )
Loi d’induction de Faraday : v(t )  or ( t )  L i ( t )
dt
di(t )
On exprime ainsi, la tension en fonction du courant : v(t )  L
dt
t
1
Le courant en fonction de la tension est : i(t ) 
Ltv(t )dt
0

 En régime continu : fréquence =0 ou i(t)=constante

di(t )
v (t )  L  v (t )  0
dt

 Régime harmonique (sinusoïdal et en notation complexe)

V V
V  jLI  I   j
jL L

- A hautes fréquences (f>>) : I  0

- A basses fréquences (f<<) ou en continu (i(t)=cte): V  0
3. Expressions de la puissance et de l’énergie stockée.
di(t ) di (t )
La puissance instantanée est : p ( t )  v ( t ) i( t ) or v(t )  L donc p(t )  L i (t )
dt dt
t

L'énergie stockée dans la bobine entre les temps t0 et t vaut : WL   p(t )dt
t0

t t t
di (t ) 1 2

WL  L i (t )
t0
dt
dt  
WL  L i (t ) di
t0
 WL 
2
L i (t )
t0

Li (t ) Joules
1 2
Si à t = t0, W(t0) = 0, il vient : WL (t ) 
2

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EXO.4 :
1. Comparaison entres les différents composants R, L et C et leurs rôles.

Résistances Condensateurs Bobines

V=RI Q=CV =LI
Liaison tension-courant Liaison charges-tension Liaison flux-courant
I=V/R dV/dt=I/C dI/dt=V/L
Elle freine l’intensité du courant Freine la variation de la tension Freine la variation du courant
Limitation du courant électrique Stabilisation de la tension Lissage du courant

2. Expliciter les dualités entre L et C.

Condensateur Bobine
dq d
i V 
dt dt
q  CV   LI
dv di
iC vL
dt dt
I  jC V V  jL I
1 2 1 2
WC (t )  C v (t ) [Joules] WL (t )  L i (t ) [Joules]
2 2

Si on remplace v par i et L par C, on constate que ces équations sont identiques. En fait, de façon générale,
on a les quantités duales suivantes :
CONDENSATEUR BOBINE
Capacité Inductance
Charge électrique Flux magnétique
Tension Courant
Circuit ouvert (DC) Circuit fermé (DC)
Circuit fermé (AC-HF) Circuit ouvert (AC-HF)
Série Parallèle
Parallèle Série

EXO. 5 : C L
La figure ci-contre montre comment il faut brancher un
condensateur et une bobine pour faire cohabiter sans +
perturbation une source continue avec une sourceV(t) Z E
alternative de haute fréquence. –

 Contribution de la source continue (tension constante ou

C L
fréquence nulle) :
dV C +
IC  C  jCVC  I C  0 : Circuit ouvert
dt V(t) Z E
–

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dI L
VL  L  jLI L  V L  0 : Circuit fermé
dt
 Contribution de la source alternative HF (tension
constante ou fréquence nulle) : C L
IC
VC   VC  0 : Circuit fermé +
jC
V(t) Z E
V –
I L  L  I L  0 : Circuit ouvert
jL

EXO.6
1. Exprimer en dB le rapport entre les tensions U1 = 15 V et U2 = 30 mV et celui de leur rapport inverse.
U   15 
 20 log  1   20 log    20 log 0.5   20  0.3  6 dB
U1
U 2 dB  2
U  30 
U 
  20 log    20 log 2  20  0.3  6 dB
U2 30
 20 log  2
U1 dB  U1   15 

2. Un filtre produit une atténuation de 46 dB. Quelle est sa tension de sortie lorsque l’entrée est alimentée à
100 mV ?
US U 
 20 log  S   46 dB ; Signe moins (–) c’est parce qu’il s’agit d’une atténuation. Si c’est
U e dB  Ue 
c’était une amplification on mettra un signe plus (+).
U  46 U
log  S     2.3  S  e  2.3  U S  U e e  2.3  100e  2.3  0.5 mV
 Ue  20 Ue

EXO. 7 :
La tension fournie par un variateur à un moteur est carrée à 10kHz. Lors de la commutation, la
tension passe de 0 à 600 V en 60 ns. Quelle est la fréquence équivalente à ces sauts de tension ?

td=tm Téq=1/féq
tm td=tm

1 1
Téq  3t m  f éq  
Téq 3t m

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EXO. 8 :
1. Schéma équivalent :

1 2
1 2 C12
C12

V1 C1 C2 R2 V2
C2
C1
V1 V2 R2
V1 R2 V2

2. Expression du rapport des tensions :

1 R2
R2
jC 2  R2 V2 Z2 1  jR2 C 2
Z2     
1 1  jR2 C 2 V1 1 R2 1
R2  Z2  
jC 2  jC 12  1  jR2 C 2  jC 12 
V2 R2 R2 jR2 C12 
  
V1 1  jR C  1  jR C   jR C  1  jR 2 C 12  jR2 C 2 
R2  2 2 2 12 2 2

jC 12 jC 12

V2 jR2 C12 

V1 1  jR 2 ( C 12  C 2 )

V2
a. Domaine des basses fréquences f<< (f0): f  ( f  0 )   0  V2  0
V1
Conclusion : Pas de perturbation en basse fréquence
V2 C12 1
b. Domaine des hautes fréquences f>> (f0): f  ( f   )   
V1 C 12  C 2 C
1 2
C 12
C2
Conclusion : Pour avoir V2  , il faut que  C12  donc il faut éloigner les câbles
C 12

EXO.9
Soit un coup de foudre dont la tension maximale au point d’impact est de 300kV. On considère le point
d’impact comme origine des abscisses. La tension décroît exponentiellement en fonction de la distance x par

la fonction suivante : V ( x )  300 e

0.022 x
kV
1. Expression du champ électrique :
dV ( x ) 300 0.022 x
E( x )   gradV ( x )    e  E( x )  6.6 e 0.022 x kV / m
dx 45.5

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2. Une personne se promène à 100m du point d’impact de la foudre en faisant des enjambées de
100cm. Calculer la différence de potentiel auquel est soumis le promeneur.
 x  160 m  300 e 0.022160  8.88 kV  x  160 m
   V  8.88  8.72  160V
 x  160 ,8 m  300 e
0.022160 ,8
 8.72 kV x  0.8 m

La vie de la personne est en danger car elle est soumise à une ddp de 160V surtout en temps humide.
3. Si cette personne se promène à la même distance du point d’impact (x=100m) mais en faisant des
enjambées de 20cm. Calculer à nouveau la différence de potentiel auquel est soumis le promeneur.
 x  160 m  300 e 0.022160  8.88 kV  x  160 m
   V  8.88  8.84  40 V
 x  160 ,2 m  300 e
0.022160 ,8
 8.84 kV x  0.2 m

La vie de la personne n’est pas en danger car elle est soumise à une ddp de 40V même si en temps
humide.
4. Que remarquer-vous et que préconisez-vous (conseil à donner) à toute personne se trouvant dans
cette situation?
Il faut impérativement rester les pieds groupés au sol ou se mettre sur un seul pied en attendant que
l’orage passe.

EXO.10
1. Schémas équivalent :

2. Tension induite dans le blindage :

V2  jLI 2  jMI1

3. Le rapport du courant du blindage sur celui de l’âme.

Considérant la maille formée par le blindage et le plan de masse : V2  R2 I 2  R3 I 1  I 2 

Avec V2  jL2I 2  jMI1  R2  R3 I 2  jL2I 2  R3 I1  jMI1  R2  R3  jL2 I 2  R3  jM I 1

M
1 j
I2 R3  jM I R3 R3
  2 
I 1 R2  R3  jL2 I 1 R2  R3 L2
1 j
R2  R3
4. Déduire l’expression de ce rapport dans les domaines de basses fréquences et des hautes
fréquences.
c. Domaine des basses fréquences :

8 Pr. B. MAOUCHE
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I2 R3
f  ( f  0)  
I1 R2  R3

Or la résistance R3 de la masse est presque nulle R3  0  , on en déduit que : I 2  0 et I 3  I1

d. Domaine des hautes fréquences :
I2 M
f  ( f  )  
I 1 L2

Or dans un câble blindé la mutuelle en la blindage et l’âme est égale à l’inductance propre au
blindage : M  L2 , on en déduit que : I 2  I 1  I 3  0
Conclure :
Le blindage intervient dans le domaine des hautes fréquences.

9 Pr. B. MAOUCHE