Electronique de Puissance

Power Electronics

- Chap.1: Les composants de l’Electronique de

Puissance

Afef BENNANI-BEN ABDELGHANI

afef.bennani@gmail.com - www.lse-qehna.tn
Afef BEN ABDELGHANI Janvier 2020 Electronique de Puissance, IIA2 1
 Introduction

Electronique de Puissance: Conversion statique de l’énergie électrique

Courant, Tension, Energie // Valeur, forme

Un système de puissance= Un convertisseur de Puissance

= Un ConVertisseur Statique =CVS

Historiquement, la conversion de forme des courant de tension se faisaient à l’aide

de machines ‘tournantes’
Alors que depuis qq dizaines d’années, c’est grace à des composants à
semiconducteurs. D’où l’appellation ‘Statique’

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 Rôle de l’E.P.

Adapter les sources d’Energie Electrique aux cactéristiques des différentes charges
charges
Sources Commutation
Découpage Filtrage

Convertisseurs de Puissance

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 L’Energie Electrique

IEA: International Energy Agency

OCDE: Organisation de Coopération et de Développement

Économiques: Elle compte, aujourd’hui, 36 pays membres à
travers le monde, en majorité des pays développés mais aussi
des pays émergents comme le Mexique, le Chili et la Turquie

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 L’Energie Electrique, en TN

• But: 20% de renouvelable en 2030

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 Exemple d’utilisation de l’E.P.

• Shéma conventionnel de
conversion de puissance:
• 1 Source : thermique/nucléaire/hydraulique AC
• 1 seul type de ‘consommation’: AC

Energies renouv.  Production

de l’Energie Electrique
• Pour connecter au réseau électrique
• Pour alimenter les zones isolées, non connectées
• Dans les systèmes à Energies
Renouvelables :
•Difféerentes sources  AC/DC
http://www.irena.org/ •Différentes charges  AC/DC
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 Electronique de Puissance:
Quelques définitions
Convertisseurs de Puissance : une famille de systèmes électriques:
• Qui convertissent l’énergie électrique (tension/courant/fréquence) d’une
valeur à une autre et/ou d’une forme à une autre
• en utilisant des interrupteurs de puissance formés par des semi-conducteurs
… on les appelle des ‘switchs’
Ces interrupteurs de puissance “switches” présentent deux états seulement pour
leur fonctionnent en E.P.:
• État passant, ON.
• État bloqué, ouvert, OFF
•  Contrairement aux autres types de composants électriques qui
fonctionnent dans un mode linéaire
Le process de commutation d’un état à un autre s’appelle découpage ou modulation
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 Electronique de Puissance:
Quelques définitions

• Electronique de Puissance VS Electronique

La Puissance est très importante pour la conception/la compréhension des systèmes de conversion statique

P= <v(t).i(t)>

• Electronique de Puissance VS Electrotechnique

Ni V(t) ni i(t) ne sont sinusoïdaux V(t) et i(t) are sinusoïdaux

P= <v(t).i(t)> = ???? P= <v(t).i(t)> = V.I. cosϕ, cos ϕ est le facteur de puissance

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 Electronique de Puissance:
Quelques définitions

• Electronique de Puissance VS Electrotechnique

V(t) pas sinusoidal, Période: T V(t) sinusoidale, , Période: T

Valeur moyenne: <v(t)> = Valeur moyenne: <v(t)> = =0

RMS: VRMS = ( ) RMS: VRMS = ( ) =

P= <v(t).i(t)> = . . P= <v(t).i(t)> = 0,5,Vmax.Imax. cosϕ, cos ϕ: facteur de puissance

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 Familles de convertisseurs de
puissance

AC, V1, f1 Convertisseur AC/DC :

redresseur, (RECTIFIER)

Convertisseur AC/AC : Convertisseur DC/DC :

DC link converter DC, Vdc1 DC, Vdc2
Gradateur, (Matrix hacheur, (CHOPPER)
Converter)

Convertisseu DC/AC :
AC, V2, f2 onduleur, (INVERTER)

Les familles de convertisseurs de puissance selon

(*): en italique, les appellations en anglais la nature de la conversion
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 Quelques Dates Importante
• Maintenant: E.P. est utilisée et est appliquée PARTOUT
• Matériaux semi-conducteur: Silicium (Silicone en anglais, Si). Carbure de Silicium
(Silicon Carbide ), GaN Grand Gap, Technologie à large bande: les projets de
recherche: http://www.leti-cea.fr/cea-tech/leti/Pages/recherche-appliquee/solutions-
technologiques/electronique-de-puissance.aspx
• Avant 1950: premiers redresseurs pour la traction électrique. Les lignes de
transmissions en AC et les moteurs en DC  1ères diodes base la vapeur de Hg
• 1956: 1ère diode à base de Si 1970: Thyristor à base de Si
• 1990: GTO (Gate Turn Off Thyristor) pour P>1MW, V>2kV
• 1985: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): remplacer les transistors de
puissance (1948) pour des tensions de qq kV
• 1997: IGCT (Integrated gate-commutated thyristor), V>6kV
• depuis 2000: SiC, GaN, diamond: tensions très élevées, températures élevées
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 Plan du cours

• Les composants d’électronique de puissance: Diodes, IGBT, Mosfets,

Thyristor, IGCT

• Les redresseurs monophasés à base de Diodes et de Thyristors

• Les redresseurs triphasés à base de diodes et de Thyristors

• Les Principle topologies de convertisseurs DC-DC

• Les onduleurs PWM AC-DC monophasés et triphasés

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 Quelques références Biblio

Power Electronics Basics: Operating Principles, Design, Formulas, and

Applications
Yuriy Rozanov, Sergey E. Ryvkin, Evgeny Chaplygin, Pavel Voronin
CRC Press , Published April 23, 2015

Power electronics handbook

Fraidoon MAZDA
1990 Elsevier

Controlof Power Elecronic Converters and Systems

Frede Blaabjerg
2018 Elsevier

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 Les composants de puissance

• Les Sources en Génie Electrique:

• En Fonctionnement Statique : une source de tension v(t)= E, ∀ i
une source de courant: i(t)= I, ∀ v
• En Fonctionnement Dynamique : Une source de courant/tension ne subit pas de discontinuités
durant les ‘instants de commutation’

• Les interrupteurs de puissance (Switches): ik

vk

• Si K est ON : ik≠0 and Vk =0 : L’interrupteur est modélisé par une résistance nulle
• Si K est OFF: ik=0 and Vk ≠0 : L’interrupteur est modélisé par une résistance infinie

• Question: Caluler Pk. Discuter.

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 Les composants de puissance

ik Caractéristique statique:
Direct(forward)
courbe Ik=f(Vk)
ON
OFF vk
ik ik

Inverse (reverse) Direct(forward)

vk vk

Reverse (reverse)
Bi-directionnel en Bi-directionnel en
courant courant et en Tension
Interrupteur 2
segments Exemples de Caractéristiques
statiques
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 Les composants de puissance

Amorçage: Commutation de l’état OFF vers l’état ON

Blocage: Commutation de l’état ON vers l’état OFF

ik

Commutation Blocage Commutation

Naturelle Forcée
Amorçage

vk

Commutation Blocage
Commutation
Forcée
Naturelle
Amorçage

• Question: Comparer les pertes de puissance subies par les switches lors d’une commutation naturelle
et celles lors d’une commutation forcée. Conclure
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 La cellule de commutation

• Les circuits de l’électronique de puissance, les interrupteurs de puissance sont souvent ( mais pas
toujours!) utilisés autour d’une topologie (ou structure) qui s’appelle: Cellule de commutation
Ik1

Vk1 K1
I
V= Vk1+Vk2 V
I= Ik1-Ik2
Vk2 K2
Ik2

• K1 et K2 doivent respecter ces contraintes :

• Ne pas court-circuiter la source de tension V
• Ne pas ouvrir la source de courant I
• K1 et K2 doivent commuter de manière complémentaire

• K1 et K2 forment la cellule de commutation

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 Le filtrage

• Les interrupteurs de puissance et les cellules de commutation assurent le découpage des

tensions/courants

• Pour que les convertisseurs de puissance aient en sortie les formes d’ondes correspondant ‘aux
attentes’, il faut filtrer les formes d’ondes qui ont subie le découpage.

• Les filtres: inductances ou condensateurs (On minimise l’utilisation des Résistances pour
optimiser les rendements)

• Condensateur: source instantanée de tension • Inductance: source instantanée de courant

V1 V2 I2
V1 V2 I1 I1 I2

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 Diode (1/4)

• Diode: une junction PN • A: Anode

• K: Cathode
iD

• Fonctionnement et conditions de commutation: Idm

– Condition d’amorçage: SI Vk devient > 0 (Strictement) ALORS la diode s’amorce 1

– Condition de blocage: SI ik devient =0 ALORS la diode se bloque -Vrm

Vdo
• Quadrant 1: Polarisation en Direct, Vdo ≅ 0 en E.P. vD
3
• Quadrant 3: Polarisation en inverse ik

• Id m (Maximum forward Current) et Vrm (Maximum Reverse

voltage) : données fournies par le constructeur et doivent être En E.P. vk
respectées

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 Diode (2/4)

• Très important:
Pour le Quadrant 1: polarisation en Direct, Vdo ≅ 0 en P.E. ET sauf indication contraire on peut
supposer que Rdo ≅ 0 .
– Rdo: Resistance équivalente à l’état ON.
– Rdo and Vdo données par le constructeur
– Les pertes par conductions:
PDcond=Vdo.Idm+Rdo.IdRMS2
– Idm: valeur moyenne du courant de la diode
– IdRMS: valeur efficace RMS du courant de la diode

• Les pertes par conduction: nulles en théorie mais non nulles en réalités  doivent être
considérées pour un design correct des convertisseurs de puissance

• Toutes ces données correspondent au fonctionnement ‘statique’ de la diode car en relation avec
la caractéristique statique de la diode. Vdo, Rdo, Idm, IdRMS …

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 Diode (3/4)
ON ON
OFF OFF
État de la Diode : temps

Tension et courant:
temps

• Fonctionnement en dynamique: ZOOM

En réalité, la caractéristique
ON dynamique de la Diode est plus
OFF compliquée…..
courant
Temps :microsecondes, nanosecondes….
Tension Caractéristiques dynamiques: On Time, Off time

• Pertes par commutation: doivent être calculées et considérées aussi pour un bon design
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 Thyristor (1/4)
A
ik A

• Thyristor  3 junctions PN • A: Anode

VAK • K: Cathode
G • G: Gachette
G
K
K
• Fonctionnement et conditions de commutation:
– Condition d’amorçage: SI [(VAK devient > 0 ET (ordre d’amorçage sur G) ] ALORS le thyristor s’amorce

– Condition de blocage: SI ik devient=0 ALORS le thyrisor se bloque

• L’ordre d’amorçage sur la Gâchette:

- Ordre d’amorçage = courant IG positif
- Obtenu par un circuit externe. Circuit de commande réalisé à partir de composants logiques
et/ou analogiques
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 Thyristor (2/4)

Vrrm: Tension maximale inverse i

Vdrm: Tension maximale directe ik

Idrm: Courant maximal direct A
Idrm
amorcé
v

Vrrm Vdrm

vk

bloqué, polarisé en Inverse bloqué, polarisé en Direct

N.B. Le GTO: Gate Turn Off Thyristor: Thyrisor blocable en conduction.

Actuellement obsolète

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 Thyristor (2/4)

• L’ordre de Gachette:
- Commande l’amorçage du thyristor
- Est défini par un angle d’amorçage ‘α’ : le retard angulaire entre
- θ0 : quand VAK devient >0, i.e. l’instant où le thyrisor devient amorçable’
- θ0 + α : l’instant où le signal de commande est envoyé

VAK:
Temps (t, s; us; s …)
Thyristor s’amorce θ (rad)

Ordre de Temps (t, s; us; s …)

commande: θ (rad)
α= (2π/T).t α= (2π/T).t
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 Thyristor (4/4)

• N.B:
-Sauf indication contraire, le signal de commande est 2π-périodique
-Une fois le thyristor est ON, même si IG s’annule, le thyristor restera à l’état ON et ne se bloque pas
-Si le thyristor est bloqué en inverse (i.e. VAK <0), un ordre de gâchette n’a aucun effet sur lui

- Contraintes technologiques: Pour avoir un vrai blocage, le thyristor doit resté à l’état bloqué en
inverse pendant un temps minimal appelé tq
 tq: Après ce temps, une tension Vak >0 ne provoque pas l’amorçage. Il faut également un
signale de gâchette pour avoir cet amorçage. Ce paramètre définit la fréquence maximale du thyristor
 tq est une donnée constructeur

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 Transistor Bipolaire (1/4)

• C Collecteur
• Transistor/ BJT (Bipolar Junction Transistor):
 2 junctions PN et 3 pins • E: Emetteur
• B: Base

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 Transistor Bipolaire (2/4)

• Fonctionnement en Electronique:
– Mode linéaire: iC= β.iB . Le transistor est un amplificateur de courant.
– Mode non linéaire. Le transistor est un Switch avec 2 états: ON and OFF.
– Le mode de fonctionnement dépend l’alimentation di transistor, et du circuit autour

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 Transistor Bipolaire (3/4)

• Fonctionnement et conditions d’amorçage pour l’Electronique de Puissance

– UN mode: Non linéaire. Le transistor a 2 états: ON et OFF
– La commutation d’un état à un autre dépend de iB, i
– La partie ‘puissance’ et la partie ‘commande’ sont dépendantes
A
B

v
iC

i, log
ON I max
OFF VCE
Aire de séurité
V, log
V max

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 Transistor Bipolaire (4/4)

• Inconvénients du transistor de puissance:

– Il est contrôlable en courant. Or il est toujours plus simple d’avoir une source de tension que celle de courant
– Il a ‘d’importantes’ pertes par commutation.  il n’est pas conseillé pour les applications avec de grandes fdec
– Les pertes de la partie commande ne sont pas négligeables
– La partie contrôle et compliqué car dépend de la partie puissance

• 0-1700V, 0-20 A, temps de commutations sont grands!

(https://www.st.com/resource/en/datasheet/bu931t.pdf)

• Aire de sécurité: relativement petite

• Transistor de puissance: quasiment obsolète actuellement. Remplacé par les

MOSFETs et les IGBTs
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 MOSFET (1/2)

• MOSFET: (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),

appelé aussi MOS de Puissance

• D: Drain
• S: Source
• G: Gate

• Fonctionnement et conditions d’amorçage pour l’Electronique de Puissance:

– Contrôlé par une source de tension sur le Gate
– Si VGS =0, le MOSFET est OFF,
– Si VGS>VGS_min le MOSFET est ON. Le MOSFET se comporte comme une résistance RDS_on
– La partie ‘contrôle’ est isolé de la partie the ‘puissance’

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 MOSFET (1/2)
• Avantages /Inconvénients: i
– Contrôlé par une tension sur le Gate 
– Las parties ‘Commande’ et ‘Puissance’ sont indépendantes  A
B
– RDS_on 
– Aire de sécurité: meilleure que le Transistor bipolaire  v

• Utilisé pour les applications hautes fréquences car il présente

de faibles pertes par commutations
i, log

• Relativement limités en Tension utilisé en petite et moyenne I max

Puissance Aire de séurité
V, log
• Utilisé bp pour les convertisseurs DC/DC V max

• Pas utilisé pour les applications avec de grandes valeurs de

courant à cause de Rds_on et donc les pertes par conduction
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 IGBT (1/2)

• IGBT: (Insulated Gate Oxide Bipolar Transistor)

• C: Collecteur
• E: Emetteur
• G: Gate, Base

• Avantages de …..

Afef BEN ABDELGHANI Janvier 2020 Electronique de Puissance, IIA2 32

 IGBT (1/2)
i, log
• Avantages : i
– Contrôlé avec une tension au niveau de la base  I max
– La partie commande et celle puissance sont isolées  A
Aire de séurité
B
– Faibles perts par conduction  V, log
– Faible On time et Off time  Faibles pertes par commutation  v V max

• IGBTs disponibles sur le marché : jusqu’à 6kV en rech., 1.7kV/20kHz/100s A pour l’industrie
• Utilisé pour les moyennes et fortes tensions /puissances

• MCT (Mos-Controlled Thyristor)

• GTO: Gate Turn Off Thyristor

• Plus récemment IGCT: Insulated

Gate Controlled Thyristor by ABB

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 ‘Switchs’ et Réversibilité

• Aucune Réversibilité: • Deux réversibilités:

i Composants: 2 thyristors en
i Composant: Diode
tête bêche,
TRIAC

v
v

• Une réversibilité en Tension: • Une réversibilité en Courant:

i
i Composants:
Composants: transistor, MOSFET//
Thyristor IGBT+Diode en tête
v bêche
v

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