Université Hassan II de Casablanca

Faculté des Sciences et Techniques

Département de Génie Electrique

Electronique de puissance
LST GEII - 2015/2014

Y. SAYOUTI
 Plan
• Chap1: Généralités
• Chap2: Composants de l’EP
• Chap3: Redresseurs
• Chap4: Hacheurs
• Chap5: Onduleurs
• Chap6: Gradateurs

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 2

 Chapitre 1

Généralités sur l’électronique de

puissance
 Généralités sur l’électronique de
puissance
L’électronique de puissance a pour objet de modifier la présentation de l’énergie
électrique par des moyens statiques dans le but d’utiliser cette énergie avec le
rendement maximum.
Cette nouvelle technique aussi appelée électronique des courants forts se situe
entre électronique générale et l'électrotechnique classique.
La gamme de puissance des montages de l’électronique de puissance va de
quelques watts (variateur de vitesse de moteur de ventilateur électrique
présent dans les ordinateurs domestiques) à plusieurs gigawatts (liaisons à
courant continu à très haute tension pour l’interconnexion de réseaux
électriques).
Les moyens statiques dont il est question dans la définition sont, d'une part, les
composants électroniques non commandés (diodes), ou commandés
(thyristors, transistors, Triacs, GTO,...) et d'autre part, les éléments statiques de
l'électrotechnique classique (inductances, condensateurs, transformateurs, ...)

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 4

 Généralités sur l’électronique de
puissance
En quoi l'électronique de puissance diffère-t-elle d'électronique générale ?

Dans un équipement de l'électronique générale, l'élément actif travaille en

modulation. La performance que le concepteur recherche est le coefficient de
l'amplification ou gain; rapport entre les niveaux des signaux de sortie et
d'entrée.

Vi Ampli Vo

Améliorer le gain
Source Puissance
d’énergie

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 Généralités sur l’électronique de
puissance
En quoi l'électronique de puissance diffère-t-elle d'électronique générale ?

Dans un équipement de l'électronique de puissance, l'élément actif travaille

en commutation (fonctionnement par tous ou rien). La performance
recherchée dans l'élaboration du convertisseur est le rendement.
Puissance

Convertisseur
Pei Peo
de puissance

Améliorer le rendement

Circuit de
comande
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 Généralités sur l’électronique de
puissance
Nécessité de la conversion d’énergie
Les différents réseaux électriques industriels alimentent de nombreux
actionneurs. Cette énergie apparaît sous deux formes :
• alternative (tensions ou courants sinusoïdaux à valeur moyenne nulle)
• continue.
Suivant le type d’actionneur, il est nécessaire d’adapter la forme de l’énergie
fournie par le réseau.

Source Action sur la valeur moyenne Récepteur

continue Hacheur continue

Redresseur Onduleur

Source Récepteur
Alternative Action sur la valeur efficace Alternatif
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 Généralités sur l’électronique de
puissance
Mode de conversion alternatif- continu (AC-DC)
Redresseurs à diodes

Uo

Ui Um
~
fi Uo

Io
Ils imposent une tension de sortie fixe.

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 8

 Généralités sur l’électronique de
puissance
Mode de conversion alternatif- continu (AC-DC)
Redresseurs à thyristor

Ils sont composés de thyristors

Uo

Ui Um
~
fi Uo
Io
- Um

Ils permettent de varier la tension de sortie de Um - à Um.

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 Généralités sur l’électronique de
puissance
Mode de conversion alternatif- continu (AC-DC)
Redresseurs Mixtes

Ils sont composés de diodes et thyristors

Uo

Ui Um
~
fi Uo

Io
Ils permettent de varier la tension de sortie de 0 à Um.

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 10

 Généralités sur l’électronique de
puissance
Mode de conversion alternatif- continu (AC-DC)
Onduleurs non autonomes:

ces montages sont composés uniquement de thyristors et pour pouvoir

fonctionner en onduleur, il faut que la tension de sortie soit négative et la
charge soit capable de fournir de l'énergie et en mesure d'absorber le
courant de sortie positif. Uo

Um
Ui
~
fi Uo
Io
- Um

Ils permettent de varier la tension de sortie de Um - à Um.

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 Généralités sur l’électronique de
puissance
Mode de conversion continu- continu : Hacheur

En faisant varier le signal de commande de façon continue, il est possible de

faire varier la valeur moyenne de la tension de sortie soit :
• de 0 à la tension d'entrée Ei (hacheur série),
• de Ei à une autre tension supérieure Ei (hacheur parallèle).
Ces montages sont équivalent à un transformateur de tension en alternatif.

Ei Hacheur Eo

Circuit de Commande

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 Généralités sur l’électronique de
puissance
Mode de conversion continu- alternatif: Onduleur autonome.

Ces montages permettent de produire une tension de sortie dont la forme

d'onde et la fréquence sont tout à fait indépendante du réseau.

Mode de conversion alternatif- alternatif.

On distingue deux types de conversion:

• Gradateur: ces montages permettent la variation de la valeur efficace de la
tension de sortie dont la fréquence est celle du réseau.
• Cycloconvertisseur: ces montages permettent d'avoir une tension de sortie
dont la forme d'onde et la fréquence sont différends des celles du réseau.

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 Chapitre 2

Composants actifs
 Composants actifs
Le principe des convertisseurs consiste à faire commuter des courants entre
mailles adjacentes, ce qui nécessite l'emploi de composants permettant de
réaliser la fonction interrupteur.

Idéalement:
- l'interrupteur fermé aura une tension pratiquement nulle à ses bornes alors
que le courant sera fixé par le reste du dispositif.
- l'interrupteur ouvert aura une tension imposée par l'extérieur à ses bornes,
mais ne sera traversé par aucun courant.

On distinguera les actions (blocage ou amorçage) commandées (grâce à un

signal électrique extérieur) des actions spontanées (suite à l'annulation ou au
changement de signe d'une tension ou d'un courant par exemple).

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 15

 Composants actifs
- Diode -
C’est un composant unidirectionnel qui n’est pas commandable, ni à la
fermeture, ni à l’ouverture.
Elle n’est pas réversible en tension et ne supporte qu’une tension anode-
cathode négative (VAK < 0) à l’état bloqué.
Elle n’est pas réversible en courant et ne supporte qu’un courant dans le sens
anode-cathode positif à l’état passant (IAK > 0).

La diode permet de réaliser des montages redresseurs en monophasé ou en

triphasé. La tension continue obtenue en sortie du redresseur possède une
valeur moyenne constante.
En électronique de puissance, on emploie que le modèle le plus simple de la
diode, celle-ci est un interrupteur qui se ferme si VAK > 0 et qui est ouvert
sinon.

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 16

 Composants actifs
- Diode -
Critères de choix d’une diode
Avant tout dimensionnement en vue de choisir les composants, l’étude du
fonctionnement de la structure de conversion d’énergie permet de tracer les
chronogrammes de VAK et IFav .
Ce sont les valeurs extrêmes de ces grandeurs qui sont prises en considération :
— la tension inverse de VAK à l’état bloqué ;
— la valeur moyenne de I FAV à l’état passant ;
— éventuellement le courant maximum répétitif (sans durée prolongée) IFSM.
Par sécurité, on applique une marge de sécurité pour le dimensionnement de
ces grandeurs, de 1,2 à 2.

C’est avec ces valeurs que le choix du composant est réalisé.

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 17

 Composants actifs
- Diode -
Caractéristiques statiques d’une diode

La diode est l’interrupteur électronique non commandé réalisant les

fonctions suivantes :
• Fermé dans un sens (direct),
• Ouvert dans l’autre (inverse).

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 18

 Composants actifs -
Diode

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 19

 Composants actifs
- Diode -
Caractéristiques dynamiques d’une diode
Dans la majorité des applications, les diodes sont utilisées en redressement ou
en commutation ; Elles sont alternativement rendues conductrices ou
bloquées. Il est donc important de connaître le comportement d’une diode lors
de l’établissement du courant et du blocage.
Commutation à l’établissement

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 Composants actifs
- Diode -
Pertes d’énergie en commutation à la fermeture.
! " = #! $
#!$ % #!
! " = t
"&'
L’énergie dissipée dans la diode au cours de la transition est :
-./
1
(! ) = * ! +! ," = #!$ 3 #! 4! "&'
0 2
Si la fermeture est idéale
-./
(!5 ) =* ! +! ," = #!$ 4! "&' = #! 4! "&'
0
Les pertes d’énergie supplémentaire s’exprime donc par :
1
6(! 7 = (! 7 %(!5 7 = #!$ % #! 4! "&'
2
La puissance supplémentaire développée dans le composant se calcule par :
1
8! 97: = ; × #!$ % #! 4! "&'
Y. SAYOUTI
2
Electronique de puissance GET2 21
 Composants actifs
- Diode -
Commutation au blocage
Lorsqu’on applique brusquement une tension inverse aux bornes d’une diode
en commutation, on constate qu’elle ne se bloque pas instantanément.

Il s’écoule en effet un certains temps avant qu’elle ne retrouve son pouvoir de

blocage, c’est le temps de recouvrement inverse trr.

charges emmagasinées dans la diode durant la

conduction

Pendant la commutation, une partie de

ces charges s’évacue par recombinaison
spontanée de ce cristal. L’autre partie,
appelée charge recouvrée QR est évacuée
par le courant inverse circulant dans la
Y.diode.
SAYOUTI Electronique de puissance GET2 22
 Composants actifs
- Diode -
Les pertes par commutation entraînées par ce recouvrement sont
proportionnelles à la fréquence de commutation et peuvent s’exprimer, en
première approximation, par :

!"##$%&%'"( = )* × +,, × -)
Avec +,, = +. / +,

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 23

 Composants actifs
- Diode -

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 24

 Composants actifs
- Thyristor -
Le thyristor (SCR—silicon controlled rectifier) est un composant commandé à la
fermeture, mais pas à l’ouverture.

Critères de choix d’un thyristor

Les critères principaux de choix d’un thyristor sont :
• I0 : le courant direct moyen à l’état passant
• IT (RMS) :le courant efficace à l’état passant
• VRM: la tension inverse de crête répétitive
• VDRM : la tension directe de crête répétitive à l’état bloqué
• Les temps d’amorçage et de désamorçage

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 Composants actifs
- Thyristor -
Caractéristique statique

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 Composants actifs
- Thyristor -
Caractéristique statique des thyristors
Un thyristor possède deux états stables :

• Etat bloqué : Un thyristor est bloqué dans deux situations :

- Il est polarisé sous tension négative VAK<0; il peut supporter une tension
inverse VRRM ou VRROM en régime répétitif ou VRSM en régime non répétitif.
- Il est polarisé en direct VAk> 0 mais l’intensité du courant de gâchette iG est
insuffisante pour avoir le courant anodique en-dessous du courant de
maintien ITh.

• Etat passant : On l’obtient si le thyristor, initialement polarisé en direct

(VAK>0), reçoit une impulsion de courant iG suffisante.

Le thyristor peut s’amorçer par une croissance très rapide de la tension

directe VAk
Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 27
 Composants actifs
- Thyristor -
Caractéristique dynamique des thyristors
Amorçage
tON = td + tr + tp
tON : temps d’établissement
Td: : temps de retard à l’enclenchement
Tr: temps de croissance
Tp: temps de peak

Blocage
Identique à une diode de puissance

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 28

 Composants actifs
- Thyristor -

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 29

 Composants actifs
- GTO -
Seuls les thyristors GTO (gate turn off) peuvent être bloqués par une
impulsion négative sur la gâchette alors qu’ils sont passants.

Pour le thyristor, le blocage se fait par suppression du courant dans le circuit

principal (extinction naturelle),
ou par mise sous tension inverse ( extinction forcée) à l’aide d’un circuit de
blocage.

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 30

 Composants actifs
- GTR -
Le GTR est un transistor à jonction bipolaire qui peut supporter des
tensions et des courants forts,
Il est aussi appelé BJT de puissance ( transistor bipolaire de puissance).
C’est un composant complètement commandé à l’amorçage et au blocage.

En électronique de puissance en fait fonctionner le transistor en

commutation,

• Amorçage : VCE > 0 ET IB > 0 (amorçage commandé)

• Blocage : IB = 0 OU VCE << 0 (blocage commandé)
Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 31
 Composants actifs
- GTR -
Caractéristique statique:

Le transistor fonctionne en deux Zones:

(1) Zone de saturation
(2) Zone de blocage
Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 32
 Composants actifs
- GTR -
Caractéristique dynamique:
→ Amorçage
L’amorçage est caractérisé :
• Un temps de retard td «delay
time» entre l’instant
d’application de iB et le
passage de iC à 10% de sa
valeur finale,
• Un temps de montée r t « rise
time » entre l’instant de
passage de B i entre 10% et
90% de sa valeur finale.

Le constructeur indique le temps

de fermeture ton = td + tr
Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 33
 Composants actifs
- GTR -
→ Blocage
Le blocage est caractérisée :
- Un temps d’évacuation de la
charge stockée ts« storage time »
entre la
suppression de iB et le passage
de c i à 90% de sa valeur initiale,
- Un temps de descente tf « fall
time » entre l’instant de passage
de iB
entre 90% et 10% de sa valeur
initiale.
Le constructeur indique le temps
d’ouverture toff = ts + tf .
Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 34
 Composants actifs
- Power MOSFET -
Le transistor à effet de champ à grille isolé (MOS) est un composant
totalement commandé à la fermeture et à l’ouverture. C’est le composant le
plus rapide à se fermer et à s’ouvrir. Il est classiquement utilisé jusqu’à 300
kHz, voire 1MHz.

C’est un composant très facile à commander. Il est rendu passant grâce à une
tension VGS positive (de l’ordre de 7 V à 10 V). La grille est isolée du reste du
transistor, ce qui procure une impédance grille-source très élevée. La grille
n’absorbe donc aucun courant en régime permanent. Cela n’est pas vrai lors
des commutations.
Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 35
 Composants actifs
- Power MOSFET -
La jonction drain-source est alors assimilable à une résistance très faible : RDSon
de quelques mΩ. On le bloque en annulant VGS, RDS devient alors très élevée.

Les MOS les plus courants supportent des tensions allant jusqu’à 500 V. On
trouve des MOS pouvant supporter jusqu’à 1400 V.

Le MOS n’est intéressant pour les tensions élevées que dans le cas des
convertisseurs de faible puissance (< 2kW) ou lorsque la rapidité est
indispensable.

Le grand avantage du transistor MOS est qu’il se commande seulement avec

une tension. En régime permanent, aucun courant n’est nécessaire pour le
maintenir saturé.

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 36

 Composants actifs
- Power MOSFET -
Caractéristique statique:

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 37

 Composants actifs
- Power MOSFET -
On remarque deux zones sur ce réseau :
• une zone à faible tension VDS et fort courant ID dans laquelle le MOS se
comporte comme une résistance RDS on.
• une zone à tension VDS plus élevée dans laquelle le courant drain ID est
quasiment indépendant de la tension VDS . Cette zone est la zone de
fonctionnement en amplification (fonctionnement linéaire).

Le paramètre RDSon est extrêmement important pour les applications de

commutation de puissance puisqu'il détermine les pertes à l'état passant.

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 38

 Composants actifs
- Power MOSFET -
Caractéristique dynamique:
→ Amorçage
à la fermeture (ou turn on) :
ton = td(on) + tr.
td(on) : temps de retard à la fermeture. S'il
est néanmoins bien inférieur à celui des
bipolaires, sa valeur n'est pas négligeable.
Il est mesuré entre les 10% de la tension
VGS et les 90% de VDS.

tr : temps de croissance du courant ID (ou

de descente de la tension drain-source
sur charge résistive). Il est mesuré entre les
90% et les 10% de la tension VDS

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 39

 Composants actifs
- Power MOSFET -
Caractéristique dynamique:
→ Blocage
à l'ouverture ( ou turn off) :
toff = td(off) + tf
td(off) : temps de retard à l'ouverture.
Il est mesuré entre les 90% de la tension
VGS et les 10% de la tension VDS

tf : temps de descente du courant drain ID.

Il est mesuré entre les 10% et les 90% de la
tension VDS (sur charge résistive).

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 40

 Composants actifs
- IGBT-
L’IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est l’association des deux
transistors MOSFET et le BJT.
Cette combinaison permet d’avoir les avantage de l’un et de l’autre:
Le BJT
- une faible tension de déchet à l’état passant
- le pouvoir de commuter de forts courants,
- mais il nécessite une puissance de commande non négligeable et sa
fréquence de travail est relativement basse.
Le MOS,
- connu pour ses fréquences de travail plus élevées
- une puissance de commande presque nulle,
- limité par sa tension de déchet qui est importante pour des dispositifs
mettant en jeu des hautes tensions (quelques centaines de Volts).

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 41

 Composants actifs
- IGBT-

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 42

 Composants actifs
- IGBT-
Caractéristique dynamique et statique

Elles sont similaire à un MOSFET

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 43

 Composants actifs
- Pertes-
Pertes statiques

Les pertes statiques valent :

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 44
 Composants actifs
- Pertes-
Pertes dynamiques

Les énergies dissipées pendant les commutations valent :

Les pertes dynamiques valent :

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 45
 Composants actifs
- comparaison-

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 46

 Composants actifs
- Applications-

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 47

 Protection des composants
Protection contre les surintensités
Cette protection est assurée par un fusible ultra rapide (UR) dont la
contrainte thermique (I².t ) est plus faible que celle du composant, si bien
qu’il « fond » avant le composant.

Protection contre les surtensions

Les surtensions peuvent être atténuées en insérant un circuit RC-série en
parallèle avec le commutateur ou un élément non linéaire supplémentaire,
la diode transil : placée en parallèle avec l’élément ou en tête de
l’installation, elle dissipe l’énergie de la surtension.

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 48

 Protection des composants
Protection contre les dv/dt et di/dt
Les semi-conducteurs sont très sensibles aux variations brutales de tension
et de courant qui apparaissent lors des commutations.

Contre les variations de courant, on utilise une inductance, qui retarde

l’établissement du courant, tandis que le condensateur bypasse la
variation de tension très rapide.

Pour amortir les oscillations induites par le circuit LC, les circuits d’aide à la
commutation (CALC ou snubber) ou adoucisseurs sont insérés.

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 49

 Protection des composants
Aire de sécurité en direct
Un composant de puissance ne peut pas faire passer un courant infini, ni
supporter des tensions infinies. On définit une aire de sécurité en direct (Safe
Operating Area SOA) qui correspond aux performances maximum du
composant.
Elle se découpe en 3 parties :
1. Limitation du courant maximum par la section des connexions de sortie;
2. limitation par la puissance maximum que peut dissiper le composant
IAK x VAK < Pmax ;
3. limitation par l’avalanche (tension inverse maximum).

Ces trois paramètres sont essentiels pour le choix d’un composant de

puissance.

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 50

 Protection des composants
SOA

Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 51

Refroidissement des semi-conducteurs
L'évacuation des pertes dans les semi-conducteurs est un point délicat car
celles-ci sont concentrées dans la puce de silicium. Dans la majorité des cas,
un radiateur est nécessaire pour évacuer vers l'extérieur ces pertes, radiateur
à ailettes ou bien par circulation d'un fluide en fortes puissances.

Le contrôle de la
température des jonctions
des semi-conducteurs est
primordial pour garantir le
bon fonctionnement de
l’ensemble.

En particulier, il faut assurer :

- une température de jonction maximale de 125°C ou 150°C pour le silicium,
- des variations de températures d’amplitude réduite pour minimiser les contraintes
mécaniques.
Y. SAYOUTI Electronique de puissance GET2 52
Refroidissement des semi-conducteurs
Résistance thermique
Le semi-conducteur est caractérisé par sa résistance thermique entre la puce
de silicium et son boîtier qui sera fixé au radiateur.
Cette résistance thermique dépend essentiellement de la surface de la puce et
de la présence ou non d'un isolant électrique.
Le calcul de la résistance thermique s'effectue, en régime établi, de façon
classique en utilisant le modèle électrique équivalent basé sur les résistances
thermiques.

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