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Optimisation des paramètres photovoltaïques du CIGS a l'aide du simulateur

AMPS-1D Afrique SCIENCE 13(2) (2017) 274-283

Article · January 2017

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Oyedele SAMPSON Oladapo Boko Aka

Université Nangui Abrogoua Université Nangui Abrogoua
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Bernabé Marí Soucase

Universitat Politècnica de València
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 Afrique SCIENCE 13(2) (2017) 274 - 283 274
ISSN 1813-548X, http://www.afriquescience.info

Optimisation des paramètres photovoltaïques du CIGS a l’aide du simulateur

AMPS-1D
Sampson Oladapo OYEDELE 1, 2 *, Boko AKA 1 et Bernabé MARÍ SOUCASE 2
1
Université Nangui Abrogoua, UFR des Sciences Fondamentales et Appliquées (SFA),
02 BP 801 Abidjan 02, Côte d’Ivoire
2
Universitat Politècnica de València, Departament de Física Applicada-IDF, Camí de Vera, s/n,
46022 València, Spain
_________________
* Correspondance, courriel : oyesamson2000@gmail.com

Résumé
Le Silicium Indium de Gallium et Cuivre (CIGS) dans sa structure chalcopyrite possède des propriétés
électriques et électroniques intéressantes. Notre étude a porté sur la concentration de dopage des différentes
couches constituant le CIGS et les effets des contacts avant et arrière sur les performances photovoltaïques
de la cellule solaire. Nous avons fait la simulation de la variation de la concentration de dopage des différentes
couches constituant le CIGS à l’aide d’AMPS-1D. Les effets du dopage des différentes couches constituant la
cellule solaire à base de CIGS sur les paramètres photovoltaïques tel que le rendement (η) la tension de circuit
ouvert (Vco) et la densité de court-circuit(Jsc) ont été étudiés. L’augmentation de la concentration de dopage des
couches a un effet sur les performances des cellules solaires. Le plus grand rendement a été obtenu lorsqu’on
a augmenté la concentration de dopage de la couche absorbeur. L’augmentation des conditions aux limites du
contact avant diminue le rendement des cellules photovoltaïques tandis que l’augmentation des conditions
aux limites du contact arrière l’augmente.
Mots-clés : simulation numérique, cellule solaire CIGS, AMPS-1D, dopage, rendement.

Abstract
Optimization of photovoltaic parameters solar cell based on CIGS with AMPS-1D
Copper indium gallium (di) selenide (CIGS) in its chalcopyrite structure has electrical and electronic properties.
Our study focused on the doping of the various layers constituting the CIGS and the effects of the front and
back contacts on the photovoltaic performance of the solar cell. We simulated the variation of the doping
concentration of the various layers constituting the CIGS using AMPS-1D. The effects of the doping of the
various layers of the CIGS solar cell on the photovoltaic parameters such as the efficiency (η) open circuit
voltage (Vco) and the court circuit density (Jsc) have been analyzed. The increase in the doping of the layers has
an effect on the performance of the solar cells. The greatest efficiency was obtained when the doping of the
absorbed layer is height. The increase in the boundary conditions of the front contact decreases the efficiency
of the photovoltaic cells while the increase in boundary conditions of the back contact increases.
Keywords : numerical simulation, CIGS solar cell, AMPS-1D, doping, efficiency.

Sampson Oladapo OYEDELE et al.

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1. Introduction
Les effets nuisibles des énergies fossiles sur notre environnement (émanation de CO2, réchauffement de la
planète, etc.) ont suscité une plus grande prise de conscience entrainant la conférence de PARIS [1]. Cette
conférence a pris des mesures audacieuses entres autres supprimer d’ici au 31 Décembre 2020 toutes les
subventions directes ou indirectes aux énergies fossiles pour les rediriger vers la recherche et le
développement de technologies verte et d’énergies renouvelables dont l’énergie photovoltaïque. Dans le
domaine de la conversion photovoltaïque diverses filières et technologies se partagent le marché. La filière
des couches minces dont fait partie le polycristallin CIGS (le silicium d’Indium de Gallium et de Cuivre) occupe
une place de choix. Le rendement à l’échelle du laboratoire du CIGS est de 22,3 % [2] représentant l’un des
rendements les plus élevés des piles solaires. Le CIGS dans sa structure chalcopyrite possède des propriétés
électroniques et électriques intéressantes. Il a une bande interdite directe et un coefficient d’absorption élevé.
Cependant la complexité de sa structure due à la présence d’une hétérojonction rend la compréhension des
phénomènes plus difficiles que dans le silicium d’où la nécessité d’entreprendre des études fondamentales.
Plusieurs mesures expérimentales ont été effectuées pour obtenir des informations sur le fonctionnement
interne des cellules. Mais l’interprétation de ces mesures est souvent différente en raison du manque de
modèle précis [3]. La modélisation numérique apparait donc comme une nécessité pour la description réelle
de ces dispositifs et l’utilisation de simulateur outre l’avantage qu’elle permet d’éviter de fabriquer plusieurs
prototypes permet de calculer aussi les paramètres internes tels que les taux de recombinaison et les taux
de dopage. Dans ce travail, nous utiliserons le simulateur numérique AMPS-1D [4] pour étudier les effets du
dopage des différentes couches de la cellule solaire à base de CIGS et aussi pour étudier les effets des contacts
avant et arrière sur les cellules solaires.

2. Méthodologie
2-1. Structure de la cellule et paramètre de simulation
La structure de base d'une cellule solaire à couche mince CIGS (Cu (In, Ga) Se2) est constituée de plusieurs
couches représentée sur la Figure 1. Le substrat le plus commun est un verre de silicate sodocalcique. Ce
dernier est recouvert sur un côté de molybdène (Mo) servant de contact arrière métallique. L'hétérojonction
est formée entre les semi-conducteurs CIGS et ZnO, avec une double couche d'interface constituée de CdS et
de i-ZnO et le diagramme de bande d’énergie est donné à la Figure 2. Le CIGS a un dopage de type p
provenant de défauts intrinsèques, alors que le ZnO est de type n grâce à l'incorporation d'aluminium (Al). Ce
dopage asymétrique est à l'origine de la région de charge d'espace qui s'étend davantage dans le CIGS que
dans le ZnO. La couche de CIGS sert d'absorbeur avec une énergie de bande interdite allant de 1,02 eV pour
le CuInSe2(CIS) à 1,65 eV pour le CuGaSe2(CGS).

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Figure 1 : Structure de couche d'une cellule solaire à couche mince Cu (In, Ga) Se2

Figure 2 : Diagramme de bande d'énergie d'une cellule solaire CIGS

Les contacts avant et arrière constituent les électrodes positives (+) et négatives (-) chargée de collecter le
courant. Les paramètres des matériaux en ZnO, CdS et CIGS utilisés dans la simulation de la cellule solaire
représentés dans les Tableaux 1a ,1b et 1c sont issus de la littérature et des études expérimentales [5, 6].
L’utilisation d’AMPS-1D nécessite les paramètres d’illumination des cellules. Les coefficients d’absorption du
CIGS, CdS et ZnO ont été tirés respectivement des références [7 - 9] :

Tableau 1a : Propriété Générale de la cellule

Unités Avant Arrière
Condition limite ɸb (EC-EF) eV Varie Varie
Vitesse de recombinaison en
cm.s-1 107 107
surface des électrons Se
Vitesse de recombinaison du trou
cm.s-1 107 107
en surface Sh
Coefficient de réflectivité Rf 0.05 0.8

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Tableau 1b : Paramètres des matériaux en ZnO, CdS et CIGS utilisés dans la simulation de la cellule solaire
Paramètres Unités p-CIGS n-CdS n-ZnO
Energie de gap (EG) [eV] Varie de 1.06 à 1.7 2.42 3.3
Affinité électronique (CHI) [eV] Varie de 3.47 à 4.60 4.4 4.2
Épaisseur (W) [nm] 2500 50 150
Permittivité (EPS) 13.6 10 9
Mobilité des électrons (MUN) [cm2 /Vs] 100 100 100
Mobilité de trou (MUP) [cm2 /Vs] 25 25 25
Densité effective des états dans la bande de
[cm-3] 1.2 × 1018 1.2 × 1018 2.2 × 1018
conduction (NC)
Densité effective des états dans la bande de
[cm-3] 1.8 × 1019 1.8 × 1019 1.8 × 1019
valence (NV)
Densité effective de l'accepteur(NA) [cm-3] 2.0 × 1017 0 0
Densité effective du donneur (ND) [cm-3] 0 2.1 × 1017 2.0 × 1019

Tableau 1c : Paramètres de la densité de défauts des matériaux en ZnO, CdS et CIGS

Unités ZnO CdS CIGS
NDG, NAG (cm-3) D : 1017 A : 1018 D : 1014
EA, ED (eV) Milieu du gap Milieu du gap Milieu du gap
WG (eV) 0.1 0.1 0.1
σn (cm2) 10-12 10-17 2 × 10-16
σp (cm2) 10-15 10-13 2 × 10-15

2-2. Principe de la simulation

Les paramètres de la simulation sont introduits dans AMPS-1D qui est un logiciel de simulation numérique des
cellules solaire (Analysis of Microelectronic and Photonic Structures-One Dimensional AMPS-1D) et il a une
réputation internationale dans la recherche photovoltaïque. Il a été développé par le groupe du Professeur
Stephen Fonash de l’université de Pennsylvanie [4]. Il a été conçu pour être un outil informatique très général
et polyvalent de simulation pour l’analyse de microélectroniques et structures photoniques. Son principe de
base est de résoudre l’équation de poisson et les équations de continuité soumis à des conditions aux limites
associées des électrons libres et des trous à l’aide de Newton-Raphson. Il est mis gracieusement à la
disposition des chercheurs sur demande aux auteurs. AMPS-1D diffère des autres logiciels d’analyse tel que
SCAPS car il possède en plus d’autres caractéristiques. AMPS est le seul programme disponible qui incorpore
toute la physique suivante [4] :
 Un traitement du contact qui permet à l’émission thermomique et la recombinaison d’avoir lieu aux
contacts du dispositif ;
 Un modèle très généralisé d’état de la bande interdite d’intervalle qui s’adapte à n’importe quelle
densité de distribution des états dans la couche ou à l’interface et traite les deux recombinaisons :
bande à bande et Shockley-Read-Hall (SRH) ;
 La statistique complète de Fermi-Dirac et pas seulement celle de Boltzmann ;
 La mobilité des porteurs qui peut varier avec la position, les affinités des électrons et des trous qui
peuvent varier avec la position, La capacité de calculer les caractéristiques du dispositif sous tension
directe et inverse aussi bien qu’avec ou sans illumination ;

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 La capacité d’analyser des structures du dispositif fabriqué en utilisant des matériaux à un cristal
seul, poly-cristallin, ou amorphes ou tous les trois à la fois ;
 La possibilité d’étudier les cellules multicouches (facilité donc de simuler les cellules tandem).

Le panneau d’action d’AMPS-1D est représenté ci-dessous (Figure 3) :

Figure 3 : Panneau d’action d’AMPS-1D

3. Résultats et discussion
Les propriétés des semi-conducteurs sont en grande partie régies par la quantité de porteurs de charge qu'ils
contiennent. Ces porteurs sont les électrons ou les trous. Le dopage d'un matériau consiste à introduire des
impuretés. Il existe deux types de dopage :
 le dopage de type N, qui consiste à produire un excès d'électrons, qui sont négativement chargés ;
 le dopage de type P, qui consiste à produire un déficit d'électrons, par conséquent un excès de trous,
reconnus comme positivement chargés ;
 Le dopage provoque la naissance de nouveaux niveaux accepteurs et donneurs d'électrons dans la
structure de bande du matériau dopé. Ces niveaux apparaissent dans le gap, entre la bande de
conduction et la bande de valence.

Dopage N Dopage P

Le CIGS est du type p et ce dopage est dû à la présence de défaut cristallin générant des états accepteurs.

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3-1. Effet de la variation du dopage des couches ZnO, CdS et CIGS sur le rendement
Afin d'étudier l'effet de la concentration de dopage des couches, nous calculons les paramètres
photovoltaïques pour des valeurs de concentrations de dopages comprise entre 1015 et 1019 cm-3, d’une couche
tout en maintenant constante les concentrations de dopages des autres couches. La Figure 4 montre l'effet
de la concentration en dopage des différentes couches (ZnO, CdS, CIGS) sur le rendement (η) de la cellule
solaire à base CIGS.

Figure 4 : Effet de la variation des concentrations de différentes couches sur le rendement

En variant la couche de concentration de dopage de la couche ZnO de 1016 à1020 cm-3, le rendement augmente
de 21 % à 21,9 % soit une augmentation de 4 %. Lorsque la concentration de dopage de la couche CdS varie
de 1016cm-3 à 1018 cm-3, le rendement est pratiquement constant et lorsque la concentration de dopage varie
de 1018 cm-3 à 1020 cm-3, le rendement augmente de 19,4 % à 21 % soit une augmentation de 3 %. En variant
la concentration de dopage de la couche CIGS de 1016 à 1019 cm-3, le rendement augmente de 19,1 % à 20,4 %
soit une augmentation de 7 %.

3-2. Effet de la variation du dopage des couches ZnO, CdS et CIGS sur la tension de circuit ouvert

La Figure 5 montre les effets de la variation de concentration des différentes couches (ZnO, CdS, CIGS, etc.)
sur la tension de circuit ouvert (Voc) de la cellule solaire.

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Figure 5 : Effet de la variation des concentrations de différentes couches sur la tension de circuit ouvert Voc
Lorsque la concentration de dopage de la couche ZnO varie de 1016 à 1019 cm-3, la tension Voc reste pratiquement
constant et la tension Voc passe de 0,66 V à 0,69 V pour une concentration de dopage de CdS varient de 1016 cm-3
à 1019 cm-3. Lorsque la concentration du dopage de la couche CIGS varie de 1016 cm-3 à 1019 cm-3, la tension de
circuit ouvert (Voc) varie très faiblement. La variation du dopage des couches a peu d’effet sur la tension de circuit
ouvert (Voc).

3-3. Effet de la variation du dopage des couches ZnO, CdS et CIGS sur la densité de courant
La Figure 6 montre les effets de la variation de concentration des différentes couches sur la densité de court-
circuit (Jsc).

Figure 6 : Effet de la variation des concentrations de différentes couches sur la densité de court-circuit

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Pour les concentrations de dopage allant de 1015cm-3 à 1018 cm-3 de la couche ZnO, la densité de courant est
pratiquement constante et pour une variation allant de 1018 à 1020 cm-3, la densité augmente de 36,6 mA / cm2
à 37,8 mA / cm2 soit une augmentation de 4 %. Pour une augmentation de dopage de la couche CdS allant de
1015 à 1019 cm-3, la densité de courant décroît de 36,68 mA / cm2 à 36,46 mA / cm2 soit une baisse de 3 %. La
densité de courant décroît de 36,69 mA / cm2 à 36,3 mA / cm2 soit une baisse de 1 % pour une augmentation
de dopage de la couche CIGS allant de 1016 à 1019 cm-3.

3-4. Effet des couches avant et arrière sur les paramètres photovoltaïques
Une caractéristique d’AMPS-1D est de faire varier les conditions aux limites données par EC-EF.

3-4-1. Effet des couches avant

Dans la simulation, l’analyse est faite en variant les conditions aux limites du contact avant de 0 𝑒𝑉 à 0,7
𝑒𝑉 en maintenant constant les conditions aux limites du contact arrière à 1,5 𝑒𝑉. La Figure 7 nous montre
les effets du contact avant sur les paramètres photovoltaïques.

Figure 7 : Effet du contact avant sur les paramètres photovoltaïques

Lorsque les conditions aux limites varient de 0 𝑒𝑉 à 0,7𝑒𝑉, le rendement augmente de 20 % à 21 % soit
une augmentation de 5 %. La tension de circuit ouvert Voc augmente de 0 V à 0,7 V soit une augmentation de
70 % pour une variation de condition aux limites varient de 0 à 0,7𝑒𝑉. Lorsque les conditions aux limites
varient de 0 à 5𝑒𝑉 , la densité de courant de court-circuit decroit de 32,3 mA / cm2 à 31,7 mA / cm2 soit une
baisse de 2 %.

3-4-2. Effet des couches arrière

Dans la simulation, l’analyse est faite en variant les conditions aux limites du contact avant de 0 𝑒𝑉 à
1,5 𝑒𝑉 et en maintenant constant les conditions aux limites du contact avant à 1,2 𝑒𝑉. La Figure 8 laisse
entrevoir les effets du contact avant sur les paramètres photovoltaïques.

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Figure 8 : Effet du contact arrière sur les paramètres photovoltaïques

Lorsque les conditions aux limites varient de 0 𝑒𝑉 à 1,2 𝑒𝑉, le rendement augmente de 15 % à 25 % soit
une augmentation de 67 % et de 1,2 𝑒𝑉 à 1,5 𝑒𝑉, le rendement demeure pratiquement constant. La tension
de circuit ouvert Voc augmente de 0,65 V à 1,1 V soit une augmentation de 69 % pour une variation de condition
aux limites varient de 0 à 1,2 𝑒𝑉. La tension demeure pratiquement constante pour une variation des
conditions aux limites allant de 1,1 V à 1,5 V. Le contact arrière a donc des effets sur les performances
photovoltaïques de la cellule solaire.

4. Conclusion
Une optimisation des paramètres d’une cellule solaire est nécessaire pour obtenir un bon rendement. Dans
ce travail, nous avons effectué une simulation numérique d’une cellule solaire en couches minces et a
hétérojonction à base de ZnO / CdS / CIGS / Mo en utilisant le simulateur AMPS-1D. La simulation numérique
nous a permis d’étudier les sensibilités des paramètres photovoltaïques de la cellule solaire aux dopages des
couches ZnO et CdS de type n et CIGS de type p. Le plus grand rendement est obtenu lorsqu’on augmente le
dopage de la couche absorbeur CIGS et cela est dû au fait que l’augmentation du dopage de la couche
absorbeur améliore la collection des porteurs photogénérés conduisant ainsi à l’augmentation du rendement
électrique. La simulation a montré que l’augmentation des conditions limites du contact arrière augmente le
rendement de la cellule solaire.

Sampson Oladapo OYEDELE et al.

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Références
[1] - Résolution sur la conférence de Paris sur le climat (COP 21)
www.jugendparlament.lu/files/2015/07/Résolution_COP21.pdf, Fichier PDF
[2] - http://www.PV-magazine.com (accessed 15.05 16 at 11h36 A.M.)
[3] - M. BENOSMAN, « Modélisation des cellules solaires en couches minces de type Cu (In, Ga) (S, Se) 2 en
vue de minimisation des pertes affectant les performances photovoltaïques » soutenue le 10 Juin
2009 à l’Université Abou Bakr Belkaid-Tlemcen, Algérie
[4] - AMPS-1D, Manual for windows 95 / NT, The Electronic Materials and Processing Research Laboratory
at the Pennsylvania State University, University Park, PA 16802
[5] - M. MOSTEFAOUI, H. MAZARI, S. KHELIFI, A. BOURAIOU, R. DABOU, Simulation of High Efficiency CIGS
solar cells with SCAPS-1D software, Energy Procedia, 74 (2015) 736 - 744
[6] - J. SONG, S. S. LI, C. H. HUANG, O. D. CRISALLE and T. J. ANDERSON, Device modeling and simulation of
the performance of Cu (In1-x,Gax) Se2 solar cells, Solid State Electronics, 48 (2004) 73 - 79
[7] - P. D. PAULSON, R. W. BIRKMIRE, W. N. SHAFARMAN, Optical characterization of CuIn1-xGaxSe2 alloy thin
films by spectroscopic ellipsometry, J. Appl. Phys.,94 (2003) 879 - 888
[8] - S. ADACHI, Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors". Ed. Springer, (1999) 502 - 506 p.
[9] - S. ADACHI, Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors. Ed. Springer. (1999) 426 - 428 p.

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