LE BRUIT

DANS LES

COMPOSANTS ELECTRONIQUES

Richard HERMEL LAPP

Ecole de microélectronique IN2P3 Porquerolles 2013

 Sommaire

 Introduction
 Sources physiques du bruit
 Représentation du bruit dans les circuits
 Facteur de bruit
 La modélisation du bruit dans les composants
 Mesures du bruit
 Simulations

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 Introduction

 On traitera uniquement les bruits électroniques dus à des

fluctuations d’origine physique :
 Bruit thermique : éléments dissipatifs : résistances

 Shot noise (bruit de grenaille) : jonctions

 Bruit « en 1/f » (flicker noise) : défauts, technologie

 Ce bruit est un phénomène aléatoire, on ne s’intéressera

qu’à ses propriétés statistiques : valeur moyenne, variance,
corrélations.
 On peut représenter le bruit électronique par une
puissance, une tension, un courant. La valeur moyenne du
courant et de la tension est toujours nulle.

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 Quelques définitions
 Bruit blanc
 Si on connaît la valeur du bruit à un instant t, il est impossible de prévoir
quelle sera sa valeur à t+∆t, aussi petit que soit ∆t.
(La fonction d’autocorrélation est un dirac)
 Conséquence :
Le spectre en fréquence du bruit blanc s’étend jusqu’à l’infini
(en pratique, jusqu’à ≈ 1THz à la température ambiante)
 Bruit gaussien
 La répartition des amplitudes instantanées suit une loi de probabilité normale
centrée (gaussienne)
 Densité spectrale
 C’est le spectre en fréquence du bruit. On parle de densité spectrale car on
mesure l’énergie contenue dans une petite bande de fréquence ∆f. Elle
s’exprime en W.Hz-1 pour la puissance, en V.Hz-1/2 pour la tension et en A.Hz-1/2
pour le courant.
 La densité spectrale d’un bruit blanc est constante.
 Bruit RMS
 C’est l’intégrale de la densité spectrale sur la bande passante du circuit étudié

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 Sommaire
 Introduction
 Sources physiques du bruit
 Bruit thermique
 Shot noise

 Bruit en 1/f

 Représentation du bruit dans les circuits

 Facteur de bruit
 La modélisation du bruit dans les composants
 Mesures du bruit
 Simulations

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 Bruit thermique
 Il est dû au mouvement aléatoire des porteurs de
charge libres causé par l’agitation thermique. On
l’observe uniquement dans les dispositifs résistifs.

 Ex : résistance, zone neutre des semiconducteurs

(rbb’ des bipolaires),…

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 Bruit thermique dans une résistance :
bruit Johnson
Agitation thermique
⇓
Mouvement aléatoire des porteurs de charge
⇓
Tension et courants aléatoires dans la résistance
⇓
Puissance de bruit disponible dans la résistance dans une
bande de fréquence ∆f :
−1
= kT ∆f ,
P k = 1.38 10 JK
−23

Attention ! Cette « puissance » ne peut pas être utilisée comme

générateur dans un système à l’équilibre thermique !
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 Bruit thermique dans une résistance :
démonstration de Nyquist

R 1 étape :
ère
R RC = R 1
 2 résistances R sont connectées à une ligne
idéale de résistance caractéristique R et de
L longueur L.
 Les résistances échangent de l’énergie par
RC = R 2 l’intermédiaire de la ligne

2ème étape :
 Les résistances sont remplacées instantanément par des courts-circuits parfaits.
 L’énergie est conservée et se retrouve sous forme d’ondes stationnaires qui se réfléchissent
indéfiniment sur les courts-circuits.
 Les fréquences propres sont données par : L = n λ/2 = n c/2f
 La ligne est un oscillateur harmonique, chaque mode porte une énergie kT
 Dans une bande de fréquence ∆f, il y a ∆n modes avec ∆n = (2L/c) ∆f qui transportent une
énergie ∆E= (2L/c) kT∆f, soit (L/c)kT ∆f pour une résistance.
 L’énergie fournie par une résistance est dissipée dans l’autre au bout de la ligne au bout du
temps τ = L/c, d’où la puissance disponible dans une résistance :

∆E
=
P = kT ∆f C’est un bruit blanc
τ
Richard Hermel LAPP Ecole de microélectronique
Physical IN2P3 Porquerolles
Review vol 32 Juin
July2013
1928 p 110-113 8
 Shot noise
 On l’observe dans les dispositifs parcourus
par un courant de valeur moyenne non nulle
et lorsque ce courant est produit par le
passage de porteurs de charge à des instants
aléatoires.
 Ex : jonction PN, faisceau lumineux,…

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 Bruit dans une jonction PN
 Le passage du courant à travers la barrière de potentiel d’une jonction
PN est dû aux électrons et aux trous qui traversent la zone de charge
d’espace.
 Les porteurs sont injectés à des instants aléatoires, la traversée est très
rapide, mais le nombre moyen de porteurs qui traversent par unité de
temps est constant, c’est le courant continu. On peut représenter le
courant par une succession d’impulsions arrivant au hasard.
 Ce type de phénomène suit une loi de probabilité de Poisson. La
variance est égale à la valeur moyenne. Les fluctuations de puissance
sont proportionnelles au courant continu :

=i 2 2eI DC ∆f , e = 1.6 10 C
−19

C’est aussi un bruit blanc

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 Bruit en 1/f

 Il est dû à des défauts :

 Impuretés
 Défauts dans un réseau cristallin
 Interface isolant / semi-conducteur

 Le bruit en 1/f diminue lorsqu’on améliore

la qualité de fabrication des composants

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 Bruit en 1/f : expressions
 A chaque défaut est associée une constante de temps
caractéristique : c’est l’inverse de la fréquence à laquelle
un porteur est capturé puis relâché par ce piège.
 Hypothèse :
 Les constantes de temps des pièges sont uniformément réparties
 Conséquence : K
 La densité spectrale de puissance du bruit vaut : S P ( f ) =
f
 Dans une bande de fréquences comprise entre f1 et f2 , la valeur
RMS est :
K  f2 
f2
= ∫= Problème en DC (f1à 0) ?
2
V df K Log  
f1 f
 f1 
K dépend très fortement de la technologie et est généralement
déterminée expérimentalement

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 Sommaire
 Introduction
 Sources physiques du bruit
 Représentation du bruit dans les circuits
 Schémas équivalents
 Influence des éléments réactifs
 Composition des sources, corrélations
 Bruit ramené en entrée
 Bruit en courant (parallèle), bruit en tension (série)
 Ordres de grandeur
 Facteur de bruit
 La modélisation du bruit dans les composants
 Mesures du bruit
 Simulations

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 Représentation du bruit par des sources

R
R ≡ ou R
i2
V2
Résistance Résistance
bruyante Résistance non-bruyante
non-bruyante + source de courant
+ source de tension

La puissance disponible dans une résistance est la puissance maximale qu’elle

peut fournir à une charge. Pour cela, il faut que la charge soit adaptée,
c’est à dire égale à la résistance de source.
D’où les valeurs des sources :

4
=
V 4 RkT ∆f
2 =
i kT ∆f
2

R
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 Influence des éléments réactifs
Le courant qui traverse un condensateur ne provient pas d’un mouvement de
porteurs de charges, il n’y a pas de bruit thermique ni de shot noise généré dans un
condensateur. Mais la densité spectrale est modifiée par les éléments réactifs :

4 R kT df
dVC =
2
R C
R C
VC
2 1 + R 2C 2ω 2
V2 En intégrant sur tout le spectre :

2 R kT ∞ dω 2 kT ∞ du kT
∫0= π C ∫0 1 + u 2
=
2
VC
π 1+ R C ω
2 2 2
C

Bien que le bruit soit généré dans la résistance, sa valeur RMS ne dépend pas de la valeur de
la résistance mais seulement de celle de la capacité.
V2
kT C1 C2 C3
=
2
VC
C C1 > C2 > C3
f
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 Composition des sources, corrélation
 Corrélation des sources de bruit
 Pas de corrélation si les sources sont indépendantes
Ex : 2 résistances différentes, courants de base et de collecteur
dans un transistor bipolaire
 Corrélation si origine physique commune
Ex : Courants de collecteur et d’émetteur d’un transistor bipolaire
 Composition des sources : Ex : sources de tension
(V1 + V2 ) = V1 + V2 + 2V1V2 = V1 + V2 + 2V1V2
2 2 2 2 2

(V1 + V2 ) = V1 + V2
2 2 2
2V1V2 = 0 si les sources ne sont pas corrélées, et

Seules les densités spectrales et les valeurs RMS

ont un sens pour le bruit aléatoire

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 Bruit ramené en entrée
RG
2
VG = 4 RG kT
2 2
en
2 in Vn

Bruit de la résistance Sources de bruit de Amplificateur

du générateur l’amplificateur non bruyant
ramenées en entrée

Les sources en2 et in2 représentent les sources de bruit internes de l’amplificateur.
Le bruit peut alors être traité comme du signal à condition de considérer les valeurs
RMS et non les amplitudes :

V= 4 RG kT + en + RG in
2 2 2 2
n

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 Pourquoi 2 sources ?
 en2 représente le bruit en tension, on l’appelle
aussi bruit série.
 in2 représente le bruit en courant, on l’appelle
aussi bruit parallèle.
 Si on voulait représenter tout le bruit par une
seule source ramenée en entrée, elle vaudrait :

Vn = en + RG in
2 2 2 2
eq

valeur qui dépend de la résistance du générateur. On évite

cette difficulté en séparant en 2 sources.

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 Ordres de grandeur

Courant de bruit élevé à

cause du courant de base
de l’étage d’entrée
LT1028
bipolaire VFOA

AD8002 : CFOA Amplificateurs

AD745
opérationnels Entrées FET
commerciaux

Courant de bruit
très faible (fA/Hz-1/2)
Courant de bruit élevé
sur l’entrée « – » (émetteur)
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 Sommaire
 Introduction
 Sources physiques du bruit
 Influence des éléments réactifs
 Représentation du bruit dans les circuits
 Facteur de bruit
 Quadripôles en cascade
 Atténuateurs

 La modélisation du bruit dans les composants

 Mesures du bruit
 Simulations

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 Facteur de bruit
Le facteur de bruit est une mesure de la dégradation du rapport signal à bruit dans
un système.

RG
+

VG = 4 RG kT
2
2 in
2
Vin
2 G (puissance)
en
-

( ) S Se
S
  =
en + RG in
2 2 2
 B  e 4kTRG
F=
B e
F= 1+
( ) S S
  =
GSe 4kTRG
( )
B s
 B  s G 4kTRG + en + RG in
2 2 2

La puissance de bruit ramenée

en entrée dû à l’amplificateur seul vaut :
( F − 1) kT =( F − 1) BG
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 Facteur de bruit : amplificateurs en cascade

1 2 3
F1, G1 F2, G2
B1, S1 B2, S2 B3, S3

B1 = BG = kT : densité spectrale de puissance de bruit de la résistance du générateur

B2 = (BG + (F1 – 1) BG)G1 = F1G1BG
B3 = (B2 +(F2 – 1) BG)G2 = (F1G1BG + (F2 – 1) BG)G2 = (F1G1 + (F2 – 1)) G2BG

( BS )1 S1  F1G1 + ( F2 − 1)  G2 BG F2 − 1
F= = = F1 +
( B )3
S
BG G1G2 S1 G1
Si le 1er étage a un grand gain et un bruit faible, le 2ème étage
ne contribue pas de façon significative au bruit total
F2 − 1 F3 − 1 Fn − 1
Généralisation à n étages : F= F1 + + + ⋅⋅⋅ +
Formule de Friis G1 G1G2 G1G2 ⋅⋅⋅ Gn −1
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 Facteur de bruit : atténuateurs

1 2
Atténuation A
B1, S1 B2, S2

B1 = BG = kT
B2 = B1 : un atténuateur est passif et n’a pas de sources internes de bruit
S2 = S1 / A

( BS )1 S1 BG Le facteur de bruit d’un atténuateur

=
Fatt = = A
( BS )2 BG AS1 est égal à son atténuation

On trouve souvent le facteur de bruit exprimé en anglais : F = Noise factor (linéaire)

en décibels : FdB = 10 log10 F NF = Noise figure = 10 log10 F (dB)

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 Sommaire
 Introduction
 Sources physiques du bruit
 Influence des éléments réactifs
 Représentation du bruit dans les circuits
 Facteur de bruit
 La modélisation du bruit dans les composants
 Transistors bipolaires
 Transistors MOS

 Mesures du bruit
 Simulations

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 Bruit dans les transistors bipolaires
C B E
3 sources de bruit principales dans le
transistor bipolaire :
rbb’ N++ - Le bruit thermique de la résistance
P
SiO
SiO
22 N++
trous  SiO
SiO22 d’accès à la base : rbb’
E CB
N- - Le shot noise du courant de base
N++ électrons
- Le shot noise du courant collecteur
Substrat P
ib
rbb’ gm2 vb’e2 ρ
4kTrbb’ vb’e Vs2
rb’e 2qIb 2qIC

Les résistances rb’e et ρ ne sont pas bruyantes : ce sont des résistances dynamiques

   rb ' e 
2
 2 
VS = +  + ( )  ρ
2 2 2
 C2 qI 4 kTrbb '   2 qI r // r g m 
+
B bb ' b 'e
   bb ' b ' e 
r r  
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 Bruit dans les transistors MOS

2 sources principales de bruit dans

Grille
Si-poly un transistor MOS :
 Le canal d’un transistor MOS se
comporte comme une résistance.
N+
Oxyde de grille
N+
Il génère donc du bruit thermique.
SiO2 On représente ce bruit par un courant
Substrat P
entre drain et source
 Le bruit en 1/f : on le représente par

VDS une source de tension en série avec la grille

VGS

8
iD = kTg m
N+ N+ 2

VSB 3
K
P
= α
2
vG
Canal Zone désertée f

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 Sommaire
 Introduction
 Sources physiques du bruit
 Influence des éléments réactifs
 Représentation du bruit dans les circuits
 Facteur de bruit
 La modélisation du bruit dans les composants
 Mesures du bruit
 Résolution
 Mesure RMS

 Mesure des densités spectrales

 Simulations

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 Résolution, bruit de l’appareil de mesure
L’appareil de mesure donne la puissance de bruit ramenée à son entrée
Attention ! Les tensions et les courants doivent s’ajouter ou se retrancher quadratiquement

Appareil de mesure B0 : Bruit du dispositif à tester

1 R0
B1=Bm
Bm : Bruit de l’appareil de mesure
Si Bm>B0, il est impossible de
mesurer correctement B0
Dispositif Appareil de mesure Il faut ajouter un ampli
2 à
B2=Bm + B0
qui « masque » le bruit de
Tester : B0
l’appareil de mesure

Appareil de mesure Dispositif Appareil de mesure

3a Ba, Ga 3b
R0 à Ba, Ga
GaBa+Bm
Tester : B0 B3=Ga(Ba + B0)+Bm
Ampli bas bruit
et Mesure de Ba
grand gain

B0= (B3 –B1)/Ga-Ba

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 Mesure du bruit RMS

 Bruit supposé Gaussien

 Appareil de mesure : Oscilloscope ou ADC
 Mesure : Histogramme + fit avec une gaussienne : σ = bruit RMS
 Précaution essentielle : Mesurer aussi le signal !

©Christophe de La Taille

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 Mesure des densités spectrales
 Appareil de mesure : Analyseur de spectre
FI
Mélangeur
Mesure de la
puissance
∆f
Filtre Ampli FI
Oscillateur Local passe-bande
balayage en fréquence

 On balaye en fréquence la bande à

analyser à l’aide de l’oscillateur local
 La fréquence intermédiaire FI est
fixe
 La largeur de bande ∆f est ajustable
 L’analyseur donne la puissance dans
la bande ∆f pour chaque fréquence
Exemple : Bruit des
 L’analyseur de spectre est un appareil bruyant préamplis
(en≈20nVHz-1/2 ⇔ F≈27dB) des photodiodes VIRGO
 On utilise un ampli bas bruit : 40dB, 1nVHz-1/2

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 Une mesure de bruit… qui en a fait !
Découverte du CMB (A. Penzias et R. Wilson 1965)
http://articles.adsabs.harvard.edu/full/1965ApJ...142..419P

 Antenne : cornet 37 m², gain 43.3 dB / 1.2°

 Récepteur : Maser à rubis :
• Refroidi à l’hélium à 4.2 K
• T=3.5 K, F=0.05 dB @ 4.17 GHz
 Mesure à ≈ 4 GHz :
Comparaison antenne / charge de référence :
6.7 K au zénith dont :
• 2.3 K ± 0.3K : absorption atmosphérique
• 0.8 ± 0.4K : pertes ohmiques
• Lobes secondaires : < 0.1K
récepteur  Résultat : 3.5 K ± 1.0 K en excès
Isotrope, non polarisé et Indépendant
de la saison (07/64→ 04/65)
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 Sommaire
 Introduction
 Sources physiques du bruit
 Influence des éléments réactifs
 Représentation du bruit dans les circuits
 Facteur de bruit
 La modélisation du bruit dans les composants
 Mesures du bruit
 Simulations
 Principes
 Exemple

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 Simulations : principes
Simulation ARTIST
« transient noise »
RMS calculé = 6.4µV

 La simulation « transient noise »

Simulation ARTIST
est utile pour les systèmes non linéaires
« AC noise »
ou échantillonnés
kT/C = 6.4µV  C’est une simulation longue :
15s CPU contre 90ms pour AC pour un simple RC !

4RkT=129nV/Hz1/2

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 Simulations : exemple : émetteur commun

Schéma
Fonction de transfert

Bruit transitoire
RMS=1.2mV

Densité spectrale de bruit

Liste des sources Intégrale de la DSP=RMS=1.2mV
contribuant au bruit

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 Questions ?


 …

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