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    Série 4

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    MEed E-tan
    Le document contient deux exercices portant sur les propriétés physiques du germanium et du silicium. L'exercice 1 concerne le calcul de la concentration d'atomes et de la résistivité du germanium en fonction du dopage au phosphore ou au bore. L'exercice 2 traite du calcul des propriétés électriques du silicium intrinsèque et extrinsèque dopé à l'arsenic.

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    Université Badji Mokhtar

    Département de Physique
    Master I : Physique des semi-conducteurs et composants
    Propriétés physiques des semi-conducteurs

    Série 4

    Exercice 1
    On donne pour le germanium :
    la masse volumique : μGe=5.43 g/cm3 ;
    la masse atomique : MGe=72.6 g ;
    la mobilité des électrons à 300 K : μn=3800 cm2/Vs ;
    la mobilité des trous à 300 K : μp=1800 cm2/Vs.
    1 – Déterminer la concentration d’atomes de germanium.
    2 – Sachant qu’à 300 K, tous les atomes de phosphore et de bore peuvent être ionisés,
    calculer la résistivité lorsqu’on ajoute à raison :
    a) d’un atome de phosphore pour 105 atomes de germanium ;
    b) d’un atome de bore pour 105 atomes de germanium.
    Que peut on en conclure?
    3 – Quelle doit etre la concentration des atomes de bore pour que la résistivité soit égale à celle
    de a)?

    Exercice 2
    Dans un cristal de silicium intrinsèque, les électrons et les trous ont respectivement les
    mobilités : μn=1400 cm2/Vs et μp=500 cm2/Vs à 300 K.
    1 – Calculer pour le silicium intrinsèque:
    a) Sa concentration en porteurs ;
    b) sa conductivité électrique.
    On dope le cristal de silicium en lui injectant 1017 atomes/cm3 d’arsenic.
    2 – Calculer la concentration des porteurs majoritaires et celle des porteurs minoritaires.
    3 – Sachant que le temps entre deux collisions est ι=5.10-13 s, determiner la mobilité des
    électrons.
    4 – Calculer la conductivité électrique du silicium extrinsèque.
    5 – Comparer les résultats obtenus en 1b) et 4).
    Que peut on en conclure?
    6 – Calculer :
    a) la valeur moyenne de la vitesse thermique des électrons ;
    b) le module de la vitesse de déplacement des électrons dans un barreau de silicium de
    50 cm de long, soumis à une tension de 5 V.
    Que peut on en conclure?
    7 – Trouver le libre parcours moyen des électrons.
    On donne : Eg=1.12 eV, mo=9.11 10-31 kg, m *e 1.05 m o , m *t 0.61 m o ,
    K=1.38 10-23 JK-1=8.62 10-5 eVK-1, h=6.62 10-34 Js

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