Davydov - Théorie Du Solide - Mir

A. C.
flABblflOB
TEOPHfl TBEPJtOrO TEJ1A
II3flA TEJIiCTBO «HAV'KA»

MOCKBA
A. DAVYDOV
THÉORIE DU SOLIDE
ÉDITIONS MIR • MOSCOU

Traduit du russe
par MARC PIERRE
Ha <fipatuty8CK0M siauxe
<£) rjiaBH&H pegaicuiifl $H3HK0-MaTeMaTuiiecK0K

jiHTepaTypu naâTeJibCTBa «Hayica», 1976
<g) Traduction française Editions Mir 1980
AVANT-PROPOS
Le livre soumis à l ’attention du lecteur est une version complétée

du cours de théorie du solide constitué par l ’auteur et enseigné de
1969 à 1971 aux étudiants de la faculté de physique de l’université
de Kiev.
La théorie du solide est l’une des divisions les plus importantes
de la physique théorique. Elle apparut il y a environ cent ans et
connut son plus grand développement après la mise en place de la
mécanique quantique (1930 à 1950) et l ’utilisation (après 1950) de
l’appareil mathématique de la théorie des champs, élaboré dans le
cadre de l ’électrodynamique quantique.
Ce livre expose les principaux modèles théoriques d’excitations
élémentaires collectives — phonons, excitons, plasmons, magnons,
apparaissant dans les solides et se manifestant dans différents phé
nomènes qui mettent en évidence les interactions des excitations
élémentaires entre elles et avec les photons. L’exposé des principaux
chapitres est fondé sur l ’appareil mathématique actuellement utilisé
en théorie quantique du solide — fonctions de Green, fonctions de
corrélation, méthode de la matrice densité et autres. Pour lire ce
livre, il n’est pas nécessaire de connaître ces méthodes, qui seront
progressivement introduites. Les connaissances minimales requises
sont habituellement enseignées à l ’université dans les cours de mathé
matiques et de physique théorique.
Ce livre familiarise le lecteur avec les principales méthodes utili
sées en théorie du solide, pour décrire les phénomènes physiques.
Il ne prétend pas exposer les méthodes expérimentales et les résul
tats des recherches expérimentales. Les résultats expérimentaux sont
seulement introduits pour illustrer la théorie et ne prétendent pas
être complets.
Dans ce livre on accorde la plus grande attention à l ’exposé
des phénomènes collectifs se manifestant dans les solides qui pré
sentent une symétrie translationnelle. La théorie des centres d’im
pureté est une partie importante de la physique du solide. Ces der
niers temps, son développement a fait l ’objet d’un grand nombre de
travaux dont les résultats ont été largement diffusés dans un grand
6 AVANT-PROPOS
nombre de revues et de monographies. C’est pourquoi ces questions

n’ont pas été abordées dans le livre.
L’auteur espère que, après avoir étudié ce livre, le lecteur sera
en état de comprendre n’importe quel travail original de recherche
expérimentale ou théorique dans le domaine du solide.
Ce livre a été écrit pour les étudiants des facultés de physique
et des établissements de hautes études. Il peut servir de manuel de
référence pour les enseignants et les chercheurs.
En première lecture, on pourra laisser de côté les paragraphes
marqués d’un astérisque. Cependant ceux-ci seront utiles pour ceux
qui désirent contribuer par eux-mêmes au développement de la
théorie du solide. Enfin dans un livre d’une telle importance, on a
dû représenter des grandeurs physiques différentes par une même
lettre. Mais toutes les désignations nécessaires ainsi que toutes les
opérations mathématiques qu’il n’était pas nécessaire d’exposer in
extenso sont précisées dans le texte pour chaque cas concret.
L’auteur exprime sa vive gratitude à ses amis et à ses collègues
V. Agranovitch, A. Loubtchenko, E. Rashba, A. Sérikov, E. Miasni-
kov, B. Nitsovitch, E. Pétrov, A. Eremko, Y. Gaididey et V. Lok-
tev, qui ont pris part au développement des théories introduites dans
ce livre, ainsi qu’à E. Kaner, qui a relu le manuscrit du chapitre six
en faisant d’importantes remarques.
L’auteur exprime sa reconnaissance aux lecteurs qui voudront
bien lui communiquer les principales insuffisances de ce livre.
CHAPITRE PREMIER
SYMÉTRIE ET ÉTATS STATIONNAIRES

DES CRISTAUX
§ 1. L’approximation adiabatique
Parmi les différents états de la matière, les états gazeux et cristal
lin ont fait l’objet d’études théoriques particulièrement approfon
dies. Dans les verres, les matériaux amorphes, les noyaux atomiques
sont distribués au hasard ; ces composés présentent de nombreuses
analogies avec les liquides. C’est pourquoi le terme de solide est ré
servé d’habitude aux états dont la structure cristalline est bien dé
finie. Ceux-ci se présentent soit sous la forme de monocristaux, soit
sous la forme d’agrégats polycristallins constitués d’un grand nombre
de petits monocristaux.
Comme les corps solides sont constitués d’un nombre énorme de
particules (électrons et noyaux des atomes), la description d’un tel
système nécessite une approximation quantomécanique. L’approxi
mation fondamentale utilisée en théorie du solide est l’approxima
tion adiabatique. Cette approximation repose sur la grande diffé
rence entre les masses de l’électron m et des noyaux M : le rapport
m!M ~ 10“3. Dans l ’opérateur d’énergie du cristal, l ’énergie ciné
tique des noyaux représente une faible perturbation. A l ’approxi
mation d’ordre zéro, on convient de décrire le mouvement des élec
trons dans le champ des noyaux rigidement fixés dans l’espace.
Soit R une distribution quelconque des noyaux dans l’espace.
Dans l’approximation adiabatique d’ordre zéro, l’énergie des élec
trons C/v est une fonction de R . La lettre v représente l’ensemble des
nombres quantiques définissant l’état de mouvement des électrons
pour R fixé. Soit v0 l ’indice correspondant à l’état électronique
d’énergie la plus faible. UVo (R) définit alors l ’opérateur énergie
potentielle pour le mouvement des noyaux dans l’état électronique
fondamental.
La distribution spatiale R 0 des noyaux correspond au minimum
de Uvo (R ). Elle caractérise la position d’équilibre des noyaux.
Ceux-ci effectuent autour de cette position d’équilibre un mouvement
oscillatoire. Au voisinage de R 0 la fonction £/Vo (Æ) est symbolique
ment représentée par la série
Vo(R ) = t/Vo(R0) + i - [ d' UJ°>R) ]„ (R - Ro)2+ • .. (1.1)

8 SYMÉTRIE ET ETATS STATIONNAIRES DES CRISTAUX [CH. I
Lorsque les électrons passent dans un état excité vlt les positions
d’équilibre des noyaux changent, si bien que la fonction UV} (R)
a en général un minimum pour /?, ^ R 0. Au voisinage des nouvelles
positions d’équilibre cette fonction est alors représentée par la série
Un (R) = Uvt ( / ? i ) + 4 [ ], ( * - * ,) * + . .. (1.2)

La variation des positions d’équilibre
AR — — Ro (1.3)
et la variation du module d’élasticité
n r w v,(*> i r w v ,(fl) 1 (1.4)
L dR* J l I. OR* Jo
qui déterminent la fréquence de vibration des noyaux autour de leurs
positions d’équilibre expriment le lien entre l’excitation électroni
que et les vibrations des noyaux à l ’approximation adiabatique
d ’ordre zéro.
Aux approximations supérieures de la théorie adiabatique, il
faut tenir compte de la corrélation entre l ’excitation électronique
et les vibrations des noyaux, donc de l ’opérateur énergie cinétique
des noyaux. L’existence d’une telle corrélation conduit à deux types
de processus non adiabatiques — le transfert partiel ou total de l’éner
gie d’excitation électronique en énergie de vibration des noyaux, ou
au contraire la transformation de l’énergie thermique de vibration
des noyaux en excitations électroniques.
Tant que la probabilité de ces processus non adiabatiques est
faible, l’approximation adiabatique reste valable. Ces conditions
sont généralement réalisées à basse température, lorsque l ’on étudie
les premiers états électroniques excités (non dégénérés) du cristal.
Au début, nous ne considérerons que les configurations d’équi
libre des noyaux du cristal sans excitation électronique. Dans certains
cristaux une partie (ou la totalité) des électrons sont solidement
attachés aux noyaux. Dans le cas de l’état électronique fondamental
on peut parler d’une configuration d’équilibre d’ions ou d ’atomes.
Dans les cristaux moléculaires l ’unité structurale est la molécule.
Le mouvement des noyaux atomiques de la molécule peut être con
sidéré comme une excitation interne à la molécule.
§ 2. Le réseau cristallin direct

Les travaux de Laue (1912) et de Bragg (1913) ont incontestable
ment établi que chaque monocristal présentait une structure spatiale
périodique, formée par la juxtaposition de groupes identiques d’ato
mes, d’ions et d’électrons ou de molécules.
$ 2] LE RÉSEAU CRISTALLIN DIRECT 9
Pour étudier théoriquement les propriétés volumiques du cristal,

il convient d'utiliser un modèle monocristallin de dimensions infi
nies, pour annuler l'effet de la surface. La principale propriété de
tels monocristaux est leur structure périodique ou symétrie transla
tionnelle.
La plus petite partie du cristal permettant de reconstituer le
cristal entier s'appelle maille élémentaire. La maille élémentaire est
électriquement neutre. Elle peut contenir plusieurs molécules, ato
mes ou ions.
En raison de la symétrie translationnelle, à chaque point d'une
maille, on peut faire correspondre un point équivalent d'une autre
Fig. 1. Différents choix de vecteurs de translation élémentaire.
maille élémentaire. Les positions de tous les points équivalents d'un

cristal sont données par les vecteurs du réseau
n = S V*i (2-l>
i-1
(ni est un nombre entier, égal à 0, ± 1 , ± 2 , . . .). Ces vecteurs sont
des combinaisons linéaires de trois vecteurs non coplanaires al9 a2, a3,
appelés vecteurs de translation élémentaire. L’ensemble de tous les
vecteurs du réseau forme le réseau direct ou réseau de Bravais. Les
extrémités des vecteurs du réseau déterminent la position des nœuds
du réseau. Le parallélépipède construit sur les vecteurs alT a2, a3
est appelé maille cristalline primitive.
A un réseau direct donné il correspond plusieurs choix de vecteurs
de translation élémentaire. La figure 1 montre, sur l'exemple d’un
réseau bidimensionnel, différents choix de vecteurs de translation,
élémentaire. Cependant cette non-unicité n’est pas essentielle si
l ’on exige que les vecteurs fondamentaux choisis permettent de dé
terminer la position de tous les nœuds du réseau direct.
10 SYMÉTRIE ET ÉTATS STATIONNAIRES DES CRISTAUX [CH. I
Le choix de la maille élémentaire du cristal n'est pas non plus

univoque. Dans le cas le plus simple, on prend une maille primitive
comme maille élémentaire. Parfois (voir plus bas) il est plus commode
de choisir une maille élémentaire de forme plus complexe. S’il y a
a atomes (molécules, ions) dans la maille élémentaire, on doit pré
ciser en plus de la nature des éléments constitutifs du cristal les a
vecteurs de base pa définissant leurs positions dans la maille *). En
indiquant l ’ensemble des vecteurs de base pa et la nature des atomes
on définit la base du réseau de Bravais. La base et les vecteurs du ré
seau déterminent complètement la position de tous les atomes du
cristal.
Par une translation d’un vecteur quelconque n du réseau, un point
du réseau se transforme en un point équivalent. Cette propriété cons
titue la symétrie de translation. A cette translation, on fait corres
pondre un opérateur de translation Tn. L’ensemble de tous les opé
rateurs de translation forme le groupe des translations. Ce groupe
vérifie les propriétés suivantes :
1) l’application successive de deux translations est aussi une
translation; 2) il y a un élément neutre r o; 3) à chaque translation
Tn on peut faire correspondre la translation opposée T 4) les
•opérateurs de translation vérifient l’associativité, c’est-à-dire
(TnTV) Tn- = Tn {TU'T n~). Le résultat de deux translations suc
cessives reste le même par commutation des deux translations, c’est
pourquoi le groupe des translations est commutatif ou abélien.
A part la symétrie de translation, le réseau direct présente des
éléments de symétrie d’orientation, constituant un ensemble d’opé
rations transformant un vecteur du réseau n en un autre vecteur du
réseau n' de même origine. Ces opérations sont: 1) l ’inversion /,
2) les rotations C6 et C4 de 60° et 90° et leurs multiples entiers,
3) les réflexions m dans un miroir (plan). Associées à l ’opération iden
tité £, ces opérations constituent le groupe de symétrie ponctuel du
réseau de Bravais. Il y a 14 groupes ponctuels. Il leur correspond 14
Téseaux cristallins que Bravais introduisit en 1848, à partir de con
sidérations géométriques. Ces réseaux sont groupés en sept syngonies
ou systèmes (Tableau 1). Le groupe de symétrie d’une syngonie est
•caractérisé par les éléments de symétrie d’un parallélépipède d’arê
tes a, b, c et d’angles a (entre a et &), p (entre b et c) et y (entre c
et a).
On distingue: 1) le réseau simple dont les nœuds sont situés aux
sommets du parallélépipède; 2) le réseau à bases centrées dont les
nœuds sont situés aux sommets du parallélépipède et au centre des
deux faces opposées ; 3) le réseau à corps centré dont les nœuds sont
aux sommets et au centre du parallélépipède et 4) le réseau b faces
*) Dans les cristaux moléculaires comportant des molécules anisotropes,

:il faut donner leurs orientations dans la maille.
LE RÉSEAU CRISTALLIN DIRECT il
Tableau 1
Syngonies des réseaux de Bravais et groupes de symétrie ponctuels
des cristaux
Symbole du groupe
ponctuel E lém ents de
P a ra llélé p i Type de sym étrie du
Syngonie pède de base réseau groupe ponc
selon interna tuel sauf
Schtinflics tional T id en tité
Triclinique a=£b=£=c simple CX= E 1 aucun

a=5=P=r=V S2 r ï
Monoclini a=pb^= c r simple, I C* 2 2

que a = p = 90° | à bases > Cs m m
Y^=90° l centrées J 2/m 2, m , î
C2h
Orthorhom- a=£b^=c simple,

bique a = p= à bases mm 2, m
= V= 90° centrées, C2o
d2 222 2
à faces
centrées, E>2h mmm 2, m, î
centré
Rhomboé- a —b = c simple ^3 3 3
drique ou « = P= £*3i 3 3
trigonale C$0 3m 3, m
D, 222 _3, 2
Dzd 3m 3, m, 2
Quadratique a = b^=c r simple, 1 S4 4 4

ou «=P=Y = \ centré / C4 4 4
tétragonale = 90° c<h 4/m 4, m, î
Dtd 42m 4, 2, m
C 40 4 mm 4, m
Dx 422 4, 2
Dih 4/m 2/m 4, 2, m, î
2/m
Hexagonale a = 6=£ c simple c. 6 G

a =120° Csh 6 6
p = Y= 90° 6/m 6, m, î
D^h 62m 6, 2, m
6mm 6, m
De 622 6, 2
Deh 6/m 2/m 6, 2, m, T
2/m
Suite
Sym bole du groupe

ponctuel E lém ents de
P a ra llé lé p i Type de sy m étrie du
Syngonie pède de base réseau groupe ponc
selon in te rn a tuel sauf
Schûnflies tional P id e n tité
Cubique a = b= c r simple, 'v T 23 3, 2

a = f> = y = 1 centré, 1 Th m3 3, 2, m, 1
= *J0° | à faces cen -f 43m 4, 3, m
l trées J 8* 43 3, 2, 4
oh mZm 3, 4, 2, m
î
Remarque. Le symbole Cn ou simplement n représente un axe de

symétrie d’ordre n, c ’est-à-dire une rotation d’angle 360/n. Le symbole
n représente une rotation de 360/n degrés suivie d’une inversion des trois
coordonnées. C1 = E est l ’élément identité. L’opération 2 correspond à
une réflexion dans un plan perpendiculaire à l ’axe. On la représente par
la lettre m. Ainsi m = 2.
centrées dont les nœuds sont aux sommets et au centre de toutes

les faces du parallélépipède.
Les syngonies triclinique, trigonale (rhomboédrique) et hexago
nale ne présentent qu’un réseau de Bravais simple ; le système mono
clinique deux ; la syngonie orthorhombique quatre ; quadratique —
deux et cubique — trois.
Souvent, la symétrie de la maille primitive ne reproduit pas
complètement la symétrie du réseau de Bravais. Ceci est illustré
par la figure 2, où l ’on a représenté deux réseaux plans — hexagonal
et quadratique. Pour le réseau quadratique, on peut choisir une
maille primitive reproduisant la symétrie du réseau, mais dans le
cas du réseau hexagonal, la maille primitive ne présente pas la
symétrie de la structure hexagonale.
Par contre, on peut très bien construire une maille élémentaire
du cristal possédant tous les éléments de symétrie du réseau de Bra
vais. Cette maille élémentaire est appelée maille symétrique ou maille
élémentaire de Wigner-Seitz. C’est un volume de cristal limité par
les plans médiateurs des segments reliant un nœud du réseau à tous
ses proches voisins et perpendiculaires à ces segments.
Sur la figure 3 on a représenté la maille de Wigner-Seitz et la
maille primitive d’un réseau hexagonal à deux dimensions. On
constate sans peine que les volumes de toutes les mailles primitives
et de la maille de Wigner-Seitz sont les mêmes.
§ 2] LE RÉSEAU CRISTALLIN DIRECT 13
En cristallographie, on utilise souvent une autre définition de

la maille élémentaire, qui reproduit mieux les propriétés de symé
trie du cristal. Cette maille élémentaire est le plus petit volume
pouvant être construit sur les vecteurs de translation élémentaire
du réseau, et dont la symétrie est
celle du groupe ponctuel du réseau.
Cette maille « élémentaire » sera
appelée cristallographique. Par
exemple, considérons les cristaux du
système cubique. Il leur correspond
trois réseaux de Bravais : 1) cubique
simple ; 2) cubique centré ; 3) cubi
que à faces centrées.
Dans le réseau cubique simple,
les atomes sont situés aux sommets
du cube. Chaque atome a six proches
voisins. Un seul élément connu —
le polonium — possède cette struc o
ture (dans un certain intervalle de a)
température). Les vecteurs du réseau
sont définis par l ’égalité
n = “f” ^yay "f" flz&zi (2.2)
où rii est un nombre entier ; ax, a v et
a2 sont des vecteurs de translation
élémentaire perpendiculaires entre
eux, de même longueur | a* | =
= | a„ | = | a2 | = a. Dans ce cas
la maille élémentaire coïncide avec
la maille cristallographique, avec la
maille primitive et la maille de
Wigner-Seitz. Elle a pour volume
v = a3 et contient un seul atome. Fig. 2. Différents choix de mailles
Soit un réseau cubique à deux primitives pour des réseaux plans
atomes, de type CsCl, CuZn. La hexagonal (a) et quadratique (b).
position des ions dans ce réseau est
définie par le vecteur du réseau i 1 et les vecteurs de base
Pa = 0* P s = ”2" (Jlx“l“aÿ *l*ar)t
caractérisant la position des ions A et B .

Dans le réseau cubique centré la maille élémentaire cristallo
graphique a aussi une forme cubique d’arête a et contient deux ato
mes identiques — un au sommet du cube et l ’autre au centre. Le
volume affecté à chaque atome est v = V2 a3. La position des atomes
14 SYMÉTRIE ET ÉTATS STATIONNAIRES DES CRISTAUX [CH. T
dans ce réseau est donnée par les vecteurs

n + p«, (2.3)
où a = 1, 2; le vecteur n est donné par l'expression (2.2) et les vec
teurs de base sont
pi = 0, P2 = -7r(a* + ai, + a2). (2.4)
Le réseau cubique centré peut être considéré soit comme un réseau
cubique de Bravais de base (2.4), soit comme deux réseaux cubiques
simples imbriqués l'un dans l'autre. Cha
que atome de ce réseau est entouré de
huit voisins.
La maille primitive de ce réseau ne
contient qu’un atome. C’est un parallélé
pipède construit sur les vecteurs de trans
lations élémentaires suivants
al = 4 -( —a*+ aï + a*)•
a2= 4■ (a:c—“»+**)»
a3= -^-(ax + a»—aï)- (2.5)
Fig. 3. Maille de Wigner- La position de tous les atomes dans le
Seitz (a) et maille primitive
réseau cubique centré est définie par les
(b) d’une structure hexago
nale plane. vecteurs du réseau
n = + n2a2 + n3a3, t2.6)
où rc, sont des nombres entiers. Si ^ + n2 + n3 est un nombre pair,
l’expression (2.6) donne la position des sommets des cubes, si c’est
un nombre impair, l’expression définit la position du centre des
cubes. Le volume de la maille primitive est v = V2 a3. La maille
élémentaire de Wigner-Seitz (maille symétrique) de ce réseau est un
polyèdre complexe (octaèdre tronqué), limité par des faces hexago
nales et carrées (fig. 4).
Dans le réseau cubique à faces centrées la maille élémentaire
cristallographique a la forme d’un cube d’arête a et contient quatre
atomes identiques. Les atomes du réseau sont situés aux sommets du
cube et au centre des faces. Le volume affecté à chaque atome est
v = V4a3. La position des atomes de ce réseau est définie par les
vecteurs
n + p<x»
où a = 1, 2, 3, 4; le vecteur du réseau n est défini par l ’expression
(2.2); les vecteurs de base sont
1 , , v 1 1
§ 3] LE RÉSEAU CRISTALLIN RÉCIPROQUE 15-
Le réseau cubique à faces centrées peut être considéré soit comme un

réseau de Bravais de base (2.7), soit comme quatre réseaux cubiques
simples imbriqués les uns dans les autres. Chaque atome de ce ré-
Fig. 4. Maille de Wigner-Seitz du ré- Fig. 5. Maille de Wigner-Seitz du ré

seau cubique centré. seau cubique à faces centrées.
seau est entouré de 12 voisins. La maille primitive de ce réseau est

un parallélépipède construit sur les vecteurs de translation élé
mentaire :
ai = 4*(ay + ai)’ a2= ”!-(* * + *-•)> a3= 4*(a* + a!/)- (2.8)
La position des atomes dans le réseau est déterminée par les vecteurs
du réseau :
Il — ^ 1 ^ 1 “1“ ^ 2 ^ 2 ^3^3- (2.9)
Le volume de la maille primitive est v = V4 a3. La maille élémen
taire symétrique est un polyèdre complexe (rhombododécaèdre) repré
senté sur la figure 5. Les atomes de Ca, Cu, Pb et autres forment un
réseau à faces centrées.
§ 3. Le réseau cristallin réciproque

En théorie du solide, en plus du concept de réseau direct (dans
l’espace ordinaire), on utilise largement la notion de réseau récipro
que, dans l’espace tridimensionnel abstrait des vecteurs d ’onde k.
Par la suite cet espace sera appelé espace k. Les vecteurs d ’onde ont
la dimension inverse d’une longueur. Le réseau réciproque du cristal
dans l’espace k est formé d’un ensemble infini de points dont la
position est définie par les vecteurs du réseau réciproque
3
(3.1)
où gi est un nombre entier 0, ± 1 , ± 2 , . . et bt les vecteurs élé*

mentaires du réseau réciproque, liés aux vecteurs ai de translation
élémentaire du réseau direct par les égalités
bx= —jp [ a ^ ] , 1^2= — [a3a1], b3= [ a xa2l; (3.2)
v = a! Ia2a3] est le volume de la maille élémentaire du réseau direct.
Il résulte directement des rela
tions (3.2)
ajbj = 2jiô ii. (3.3)
Les vecteurs élémentaires bz
du réseau réciproque permettent
de construire la maille parallélé
pipédique de base du réseau réci
proque. Son volume est
(3.4)
Cette maille parallélépipédique,
comme la maille primitive du ré
seau direct, ne reflète pas tou
jours les propriétés de symétrie du
Fig. 6. Zone de Brillouin du réseau réseau. C’est pourquoi on choisit
cubique simple* plutôt une maille polyédrique,
dont les faces sont médiatrices des
segments joignant le point k = 0 aux nœuds voisins du réseau réci
proque. Cette maille est appelée première zone de Brillouin ou, plus
simplement, zone de Brillouin.
Construisons par exemple les zones de Brillouin de quelques ré
seaux réciproques.
A. R é s e a u c u b i q u e s i m p l e . ax, a„, a2 (| ax | =
= | ay | = | a2 | = a) sont les vecteurs de translation élémentaire
du réseau direct. Le réseau réciproque est caractérisé par les vecteurs
élémentaires
2n * 2n • 2ji
bx= l î - a
La zone de Brillouin se présente donc sous la forme d’un cube d’arête
2nla représenté sur la figure 6.
B. Réseau cubique à faces c e n t r é e s . Substi
tuant (2.8) dans (3.2) nous trouvons
bl = *J5~(a y a x + a r)» ^2 = “^5"(az ay 4 * ax)i
5 4] FONCTIONS PROPRES DE L’OPERATEUR DE TRANSLATION 17
En comparant les expressions trouvées avec (2.5), on s'aperçoit

qu’elles correspondent, à un facteur 4ji/a2 près, aux vecteurs de
translation élémentaire du réseau cubique centré. Par conséquent
la zone de Brillouin du réseau cubique à faces centrées a la même
allure que la maille de Wigner-Seitz du réseau cubique centré (voir
fig. 4). C’est un octaèdre tronqué dont les faces carrées correspondent
aux plans kx, ky, kz = ±Ji/a, et dont les faces hexagonales corres
pondent aux plans kx, kyj kz = zfc3n/2a.
C. R é s e a u cubique centré. Substituant (2.5) dans
(3.2) on trouve
b1= ^ - ( a I + aï ), b, = -§r(«* + **)f b ,= - g - ( a v + ax). (3.7)
La zone de Brillouin du réseau cubique centré a la même allure que

la maille de Wigner-Seitz du réseau cubique à faces centrées (voir
fig. 5).
D. R é s e a u h e x a g o n a l . Les deux vecteurs ax et a»
de translation élémentaire ont la même longueur et forment entre
eux un angle de 120°. Le troisième vecteur a3, de longueur arbitraire,
est perpendiculaire aux deux premiers. La zone de Brillouin a la
forme d’un prisme hexagonal.
E. R é s e a u d e t y p e d i a m a n t . Les vecteurs de trans
lation élémentaire sont dirigés suivant les diagonales des faces du
cube, c’est-à-dire
al = 4 ‘ (a* + a!')’ a2 = 4 '( a‘' + ai)’ a3 = - 5 " ^ + a*)-

La zone de Brillouin est un octaèdre tronqué, c’est-à-dire qu’elle
coïncide avec la zone de Brillouin du réseau cubique à faces centrées.
Le silicium fait partie du même système cristallin. Celui-ci peut être
représenté par un réseau cubique à faces centrées contenant deux
atomes.
§ 4. Valeurs propres et fonctions propres
de l’opérateur de translation
Seul un cristal parfait de dimensions infinies peut posséder une
véritable symétrie de translation. Les cristaux réels sont finis.
L’existence de surfaces délimitant le cristal détruit la symétrie de
translation. Lorsque la dimension du cristal est assez grande devant
la longueur moyenne des vecteurs de translation élémentaire (10~8 à
10“7 cm), on peut négliger l’influence de la surface lorsqu’on étudie
les propriétés volumiques du cristal. Il est alors commode d’intro
duire des conditions aux limites spéciales à la surface du cristal
permettant de conserver artificiellement la symétrie de translation.
2 -0 5 3 '.
Ces conditions aux limites cycliques, généralement appelées con

ditions de Born-Von Karman, sont définies comme suit : soit un pa
rallélépipède d’arêtes N xal9 N 2a 2, N 3a3, où N l7 N 2, N 3 sont des
grands nombres, al7 a 2, a3 sont les vecteurs de translation élémen
taire. Supposons que le cristal entier soit formé par l’empilement
Qoçipact infini de tels blocs cristallins identiques. L’édifice ainsi
copt£&ruit est tel que si l’on translate l’un des points d’un bloc d’un
vecteur N 1ax, N 2a2, W3a3, on retrouve le point correspondant du
bloc adjacent. Mathématiquement les conditions de Born-Von Kar
man sont- définies par les égalités
T’iViaj = 7,jV2a2= ^JV3Q3= T0 (4.1)
entre l ’opérateur de translation d’un .vecteur nul et les opérateurs
T».*, (i = 1, 2, 3).
Le bloc cristallin de base contient N = N XN 2N 3 mailles élé
mentaires. Si le volume de la maille élémentaire est v, le volume du
bloc de base est V = vN. La position des mailles élémentaires est
définie par les vecteurs du réseau n prenant N valeurs. Il y a par con
séquent N opérateurs de translation Tn constituant un groupe de
translation de dimension N . Ce groupe est abélien, c’est pourquoi
toutes ses représentations irréductibles sont unidimensionnelles. Par
conséquent les valeurs propres des opérateurs de translation sont
non dégénérées.
Pour définir les fonctions propres ip (r) et les valeurs propres tn
de l’opératéur de translation Tn il faut résoudre l’équation
Tny (r) = (r). (4.2)
L’opérateur de translation Tn transforme r en r + n. Les fonctions
propresop (r) se transforment (voir [51, § 18) conformément à l’égalité
T’n^P (r) = *p (r — n). L’équation (4.2) devient
ip (r — n) = t n\p (r). (4.3)
En utilisant la condition de normalisation de la fonction ip (r) dans
le volume V et l’égalité
j l t ( r — n )|2d3r = j liH O pdV ,
V V
exprimant la symétrie translationnelle du cristal, on obtient, compte

tenu de (4.3)
I tn I2 = 1
ou encore
tV = exp (—ikn), (4.4)
où k est un vecteur réel quelconque de dimension inverse d’une lon
gueur. Ainsi les valeurs propres (4.4) et les fonctions propres \pk (r)
FONCTIONS PROPRES DE L’OPÉRATEUR DE TRANSLATION 19
de l’opérateur de translation sont caractérisées par le vecteur réel k,

c’est-à-dire
Tn'pk (r) = exp (—ikn) \jpk (r). (4.5)
Pour définir le domaine de variation de k considérons les vecteurs
k' = k + g, (4.6)
où g est un vecteur quelconque du réseau réciproque du cristal.
De la définition des vecteurs n (2.1) et g (3.1), il ressort immédiate
ment exp (—ng) = 1. Ainsi les vecteurs k' (4.6) et k sont équiva
lents vis-à-vis de la valeur propre exp (—ikn) de l’opérateur dé
translation. Par conséquent, deux vecteurs k non équivalents ne
peuvent se situer que dans l’une des mailles élémentaires du réseau
réciproque. En général, on prend pour maille élémentaire la première
zone de Brillouin (le centre de "la zone coïncide avec k = 0). Nous
avons préféré ce choix pour deux raisons: d’une part, comme nous
le verrons plus bas, parce que nous pouvons introduire la notion de
quasi-impulsion p = ftk; d’autre part parce que la première zone
de Brillouin reflète clairement les propriétés de symétrie du cristal.
Ainsi, les valeurs propres et les fonctions propres de l’opérateur
de translation sont classées selon la valeur d’un vecteur d’onde k
situé dans la première zone de Brillouin de l ’espace k. Les vecteurs
d’onde de ce type sont appelés vecteurs a réduits ».
Pour obtenir une expression des valeurs possibles prises par le
vecteur réduit k, on remarquera que, conformément à (4.1), les va
leurs propres des opérateurs de translation doivent satisfaire aux
égalités suivantes :
exp (—ikajiVj) = exp (—tkaJV2) = exP (—Asa*^) = 1. (4.7)
En utilisant ensuite (3.3) on voit que ces équations sont vérifiées
lorsque
(4.8)
i-i
où b/ sont les vecteurs élémentaires du réseau réciproque, x t sont
des nombres entiers 0, ± 1 , ± 2 , . . . dont les valeurs absolues doivent
être telles que toutes les valeurs de k se situent à l’intérieur de la
première zone de Brillouin ou d’un parallélépipède primitif équiva
lent, soit
—n < k a { ji, l = 1, 2, 3. (4.9)
Lorsque ces conditions sont réalisées, l’équation (4.8) définit N
valeurs différentes du vecteur d’onde réduit k. Chacune de ces valeurs
correspond à une représentation irréductible du groupe de transla
tions.
La distance Akj entre deux valeurs voisines de k le long des di

rections des vecteurs élémentaires b; du réseau réciproque est égale à
Ak t = b tIN u (4.10)
conformément à (4.8). Plus N t est grand, plus Ak* est petit. De
cette expression (4.10) il résulte que le volume de l'espace k affecté
à chaque valeur de k est égal à
Akx [Ak2 Ak3] = (2n)z/Nv,
par conséque \ dans le volume unité de l ’espace k il y a Nv/(2n)2
vecteurs d’onde différents. Lorsque N est grand, la somme sur tous
les vecteurs k de la première zone de Brillouin peut donc être réduite
en intégrale de la manière suivante :
(4-11)
k
l ’intégration étant effectuée dans le volume de la première zone de
Brillouin.
Dans un réseau cubique simple la première zone de Brillouin a la
forme d’un cube. Les valeurs des vecteurs d’onde réduits sont données
par l’expression
où sont des nombres entiers vérifiant les inégalités

— Vi C-i -W, , i = s, y, z.
Expliquons maintenant le sens physique du vecteur d’onde ré
duit k utilisé pour caractériser les états stationnaires excités du
cristal. Puisque k est défini dans la première zone de Brillouin (le
centre de zone coïncide avec k = 0), à chaque valeur absolue de k
on peut faire correspondre une longueur d’onde K de l’état excité par
l ’égalité
|k | = (4.12)
Le centre de zone correspond donc à A = oo et les limites de la zone
à X = 2a, où a est la distance entre les atomes voisins équivalents
par translation dans la direction k. Dans les états avec % = 2a,
les atomes sont en opposition de phase : les valeurs de \ inférieures à
2a n’ont pas de sens dans une structure discrète du réseau. C’est
pourquoi pour les vecteurs k' = k + g, situés en dehors de la pre
mière zone de Brillouin, on ne peut utiliser l’équation (4.12).
Le vecteur d’onde réduit k caractérise les valeurs propres de
l’opérateur de translation Tn d’un vecteur du réseau. Il est intéres
sant de le comparer au vecteur k définissant les valeurs propres de
§ 4] FONCTIONS PROPRES DE L’OPÉRATEUR DE TRANSLATION 21
l’opérateur de translation dans l’espace libre. Contrairement au

cristal, l ’espace libre esi invariant par rapport à un déplacement
d’un vecteur a quelconque et, en particulier, d’un vecteur infiniment
petit ôa. L’opérateur de translation infiniment petite T s’exprime
en fonction de l’opérateur impulsion. En effet,
(r) = (1 - ôaV) * (r) = ( 1 - i ) * (r).
L’opérateur déplacement d’un vecteur fini a = ^ ôa * est formé

t
par l’application successive de déplacements infiniment petits
7 . = lim []*«.. = exp(-iap/Æ ). (413)
taj-0 i
Dans les états opp (r) dont la valeur p de l ’impulsion est bien définie
on a l’égalité
T’a^pp (r) = exp (—iak) p = ftk.(4.14)
Par conséquent, la valeur propre de l’opérateur de translation dans
l’espace libre peut être exprimée sous la forme d’un vecteur d’onde k
relié à l ’impulsion.
Par analogie, au vecteur d’onde réduit k du cristal, on fait cor
respondre le vecteur
p = fik (4.15)
appelé quasi-impulsion. Il diffère de l’impulsion habituelle par un
certain nombre de propriétés.
1) La quasi-impulsion prend des valeurs discrètes dans un cristal
de dimensions finies, et on ne peut pas lui faire correspondre d’opé
rateur impulsion différentiel ;
2) en raison de l’équivalence des vecteurs k et k' = k + g, la
quasi-impulsion dans le cristal est définie à un vecteur kg près
P' = P + kg , (4.16)
où g est un vecteur quelconque du réseau réciproque ;
3) la loi de conservation des quasi-impulsions dans le cristal doit
être écrite de la manière suivante:
oubievAg. <4 1 7 >

La grandeur kg dans (4.16) est parfois considérée comme l’impulsion
transmise au réseau entier.
Pour toute une série de phénomènes se manifestant dans le cristal,
seuls interviennent les états de quasi-impulsions | p; i < a i g i.
Dans ce cas la loi de conservation se réduit à Ap = 0 ;
4) dans l’espace libre, l ’égalité A = 2nh!\ p | est valable pour

des valeurs de p aussi élevées que l’on veut. Dans le cristal, cette
égalité n’a de sens que si A > 2a.
§ 5. Propriétés générales des états stationnaires

d’un cristal basées sur sa symétrie
Les états stationnaires d’un cristal ont une énergie déterminée
et sont décrits par les fonctions propres de l’opérateur de Hamilton H.
En raison de la symétrie de translation, l’opérateur If commute avec
l ’opérateur de translation Tn, c’est-à-dire
I.H , Tn\ = 0. (5.1)
Les fonctions propres de l’opérateur H doivent donc être aussi
fonctions propres de l ’opérateur de translation. Elles seront par
conséquent classées suivant les représentations irréductibles du
groupe de translations. Ces fonctions dépendent du vecteur d’onde
réduit k et vérifient les équations
TnVka 7=exp ( — ikn) ^ka, #Vka = Ea (k) t|)'ka, (5.2)
où par la lettre a on désigne l’ensemble de tous les autres nombres
quantiques caractérisant l’énergie de l’état stationnaire. L’indice
supérieur / de la fonction i(rka numérote les états de même énergie
Ea (k) (états dégénérés).
Les états correspondant à une valeur de k donnée sont spatiale
ment homogènes. N’importe quel état spatialement hétérogène
(incohérent) dans un cristal est décrit par une superposition d’états
à k différents. Il n’est donc pas stationnaire.
Pour a donné, l’énergie Ea (k) prend N valeurs quasi discrètes,
et l’ensemble de ces valeurs est appelé bande énergétique. Lorsque N
tend vers l’infini, la fonction Ea (k) prend des valeurs continues.
L’ensemble des différentes bandes énergétiques Ea (k) pour diffé
rents a est appelé structure en bandes du cristal. Sachant que deux
vecteurs k et k + g qui diffèrent l’un de l’autre d’un vecteur du
réseau réciproque (3.1) sont équivalents, on doit avoir
Ea (k) = Ea (k + g).
Cette égalité permet d’étendre la fonction Ea (k) définie pour
les valeurs de k situées dans la première zone de Brillouin à tout
l’espace k. La fonction Ea (k) ainsi formée devient alors périodique,
de périodes égales aux vecteurs de base b* (î = 1, 2, 3) du réseau
réciproque.
Les nombres quantiques a dans (5.2) sont déterminés par la
symétrie du cristal. L’ensemble de tous les éléments de symétrie
transformant une direction du cristal en son équivalente constitue
§ 5] PROPRIÉTÉS DES ÉTATS STATIONNAIRES D’UN CRISTAL 23
le groupe des directions appelé groupe ponctuel du cristal. Générale

ment ce groupe diffère du groupe ponctuel du réseau direct (réseau
de Bravais), et sa symétrie lui est inférieure. En d’autres termes,
chaque élément de symétrie du groupe ponctuel du cristal est obli
gatoirement contenu dans le groupe ponctuel du réseau direct du
même cristal. Mais l’inverse peut ne pas avoir lieu.
Il y a 32 groupes ponctuels, ce qui permet de classer les cristaux
en 32 classes cristallines (voir Tableau 1). Ces classes sont divisées
en syngonies. Par exemple la syngonie triclinique contient deux
classes Cx, S 2; la syngonie monoclinique trois C2, Cs, C2/l; la syn
gonie cubique cinq. L’ensemble de toutes ces classes et leur distribu
tion suivant les syngonies peuvent être trouvés dans les livres de
Kitaïgorodski [Il et Lioubarsky [21.
L’ensemble des éléments de symétrie d’un cristal transformant
chaque point en un point équivalent constitue le groupe d'espace du
cristal. Le groupe de translations est un sous-groupe du groupe d’espa
ce. Pour les cristaux tridimensionnels il y a 230 groupes d’espace
différents; pour les cristaux bidimensionnels 17 et pour les cristaux
unidimensionnels 2. La première classification complète de tous les
groupes d’espace a été réalisée par E. Fedorov (1895) et peu après par
A. Schônflies.
Parmi les 230 groupes spatiaux, 73 sont simples. Dans les groupes
d’espace simples, tous les éléments de symétrie du groupe ponctuel
associé des directions du cristal sont à la fois éléments de symétrie
du groupe d’espace. Par conséquent ces opérations de symétrie trans
forment non seulement les directions, mais aussi les points en leurs
équivalents. Le groupe ponctuel est ainsi un sous-groupe du groupe
d’espace.
Dans les 157 groupes restants, le groupe ponctuel du cristal n’est
pas sous-groupe du groupe d’espace. Le diamant, le silicium, l’étain,
le bismuth, le germanium, l’anthracène, le naphtalène et d’autres
ont des groupes spatiaux de ce type. Ces groupes d’espace contiennent
des éléments de symétrie spéciaux appelés axes hélicoïdaux essentiels
et miroirs avec glissement ou plans de glissement essentiels *).
Les axes hélicoïdaux et les plans de glissement sont des rotations
et des réflexions associées à des translations d’une fraction de période
le long de la direction de l’axe ou parallèlement au plan de glisse
ment. Par exemple l’axe hélicoïdal d’ordre deux est constitué d’une
rotation de 180° suivie d’une translation d’une demi-période le long
de l’axe de rotation. Sur la figure 7 on a représenté un axe hélicoïdal
d’ordre deux (a) et un plan de glissement (b) pour différentes struc
tures.
*) Les axes hélicoïdaux et les plaus de glissement sont appelés essentiels
s’ils représentent de nouveaux éléments de symétrie du réseau de Bravais. Dans
le réseau cubique simple il y a des plans de glissement. Cependant ces plans ne
représentent pas de nouveaux éléments de symétrie.
Les mailles élémentaires de cristaux monoatomiques dont les

éléments de symétrie constituent un groupe d’espace simple com
portent un seul atome. Les cristaux monoatomiques dont le groupe
d’espace contient des axes hélicoïdaux ou des plans de glissement
ont deux atomes ou plus par maille élémentaire. Par exemple la
maille élémentaire du cristal de germanium possède quatre atomes
et le groupe d’espace un axe hélicoïdal d’ordre quatre. Les mailles
ô m i i i
b)
i
Fig. 7. Axe hélicoïdal d'ordre deux (a) et plan de glissement (6).

Les croix indiquent la queue des flèches, et les cercles la pointe.
élémentaires du diamant, du silicium, de l’étain, du bismuth ont

deux atomes; les cristaux moléculaires d’anthracène et de naphtalène
ont deux molécules par maille élémentaire.
Si le groupe ponctuel R du cristal a Z éléments de symétrie
(E , i?2, /?3, . . ., R t), chaque élément du groupe d’espace G du cristal
peut être écrit comme un produit d’un opérateur de translation Tn
par un élément « de rotation a a (i = 2, . . ., Z), où a* sont des
opérateurs de translation d’une fraction de période du réseau pour
les axes hélicoïdaux et les plans de glissement essentiels. Pour les
rotations et les réflexions simples a< coïncide avec l ’élément unité
E du groupe. Dans les groupes d’espace simples, tous les a/ coïnci
dent avec E et les éléments « de rotation » le sont avec les éléments
du groupe ponctuel R .
En utilisant le sous-groupe des translations on peut former le
groupe-facteur GIT du groupe d’espace G par rapport au sous-groupe
des translations T. Le groupe-facteur représente un groupe dont
l ’« élément » unité est le sous-groupe des translations lui-même,
chacun des autres « éléments » étant constitué par l’ensemble des
produits d’un élément de rotation donné a iR t du groupe d’espace
par tous les éléments Tn du sous-groupe des translations. Ainsi le
groupe-facteur GIT est formé par les éléments
Tj Ta2R 2J . . ., Tc&iRi.
Il est important de remarquer que ce groupe-facteur GIT est iso
morphe au groupe ponctuel R du cristal, c’est-à-dire que l ’on peut
établir une correspondance biunivoque entre les éléments de ces
groupes. Par suite de l’isomorphisme n’importe quelle représentation

du groupe R est aussi représentation du groupe-facteur GIT.
Les fonctions pour k = 0 ne changent pas par translation.
Par contre, l ’action des éléments « de rotation » aiR[, qui sont les
opérations de symétrie du groupe d’espace du cristal, sur les fonctions
tpop les transforme en combinaisons linéaires de fonctions tpop de
même énergie E$
* iR l'fop = S A ,; (0 t = 1, 2,
Les coefficients de cette transformation A f*f (i) forment une matrice.
Cette matrice est représentation irréductible du groupe-facteur GIT-
Le rang de cette matrice définit le degré de dégénérescence de l’état
énergétique correspondant du cristal. Ainsi, en utilisant les repré
sentations irréductibles du groupe-facteur GIT (ou du groupe ponctuel
R de symétrie du cristal, caractérisant la symétrie des directions et
isomorphe à GIT) on peut classer les fonctions des états stationnaires
du cristal.
Les représentations irréductibles auxquelles se rapportent les
fonctions rj?0p caractérisent leurs propriétés de symétrie. Elles dé
terminent les règles de sélection entre les états stationnaires du
cristal, lorsqu’il est soumis à l’action d’une excitation extérieure.
Il est essentiel que les fonctions d’onde associées à des repré
sentations irréductibles différentes soient orthogonales entre elles.
Dans les processus d’absorption et d’émission de lumière de grande
longueur d’onde (par rapport à la constante du réseau), les états de
vecteur d’onde k petit jouent le rôle principal. Pour ces processus,
la région centrale k « 0 de la première zone de Brillouin est donc
prépondérante.
Pour d’autres phénomènes, au contraire, il convient d’étudier
des états à k 0. On peut aussi dans ce cas classer les états station
naires suivant la symétrie des directions cristallographiques. Soit
un cristal dont le groupe spatial est simple. Le groupe de symétrie
ponctuel y est un sous-groupe du groupe d’espace, et tous les éléments
de symétrie laissent l ’opérateur d’énergie du cristal invariant.
Tous les éléments de symétrie du groupe ponctuel du cristal
transforment chaque vecteur d’onde k de la première zone de Bril
louin en un certain nombre de vecteurs d’onde. L’ensemble de tous
ces vecteurs d’onde constitue Y étoile k ou Y étoile de la représentation k.
Lorsque l’extrémité du vecteur k ne correspond pas à un point sin
gulier de la zone de Brillouin (axe de symétrie, plan de symétrie ou
frontière de zone), le nombre des vecteurs de l’étoile est égal au
nombre d’éléments du groupe de symétrie ponctuelle. Une telle
étoile est dite non dégénérée. Si l’extrémité du vecteur coïncide avec
un point singulier de la zone, deux ou plusieurs vecteurs de l’étoile
sont confondus. Dans ce cas l ’étoile est dite dégénérée. En particulier.
pour tous les cristaux le centre de la zone de Brillouin correspond à

une étoile dégénérée dont le vecteur d’onde k est nul. Le centre de
zone est un point singulier habituellement noté T.
A titre d’exemple représentons les points singuliers de la zone
de Brillouin sur un réseau quadratique plan. La zone de Brillouin
est un carré représenté sur la figure 8. Le groupe de symétrie ponctuel
de cette zone a huit éléments de symétrie: E (l’identité); C4. C;, C\
axes de symétrie d’ordre quatre (avec des rotations de 90°, 180° et
270e) et quatre miroirs (ou plans de réflexion) ax, ayj a d et a*'.
Les deux premiers sont respective
ment perpendiculaires aux axes kx
et A* les deux autres contiennent
l’axe d’ordre quatre et les diagona
les du carré.
Les quatre vecteurs d’onde cor
respondant aux sommets du carré
___ sont équivalents, puisqu’ils diffèrent
d’un vecteur du réseau réciproque.
C’est pourquoi le point M, comme le
centre de zone I \ est associé à une
étoile dégénérée constituée d’un seul
vecteur. Au point X situé sur l ’axe
de symétrie à la limite de la zone de
Fig. 8. Points singuliers de la zone Brillouin correspond une étoile dégé
de Brillouin du réseau quadratique nérée de deux vecteurs. Les points A
plan. et Z, situés sur les axes de symétrie,
mais qui ne se confondent pas avec
X et .1/, et les points Z situés à la limite de la zone et qui ne se confon
dent pas avec X et M sont associés à une étoile dégénérée de quatre vec
teurs. Les autres points, situés à l’intérieur de la zone de Brillouin
ne possèdent aucune singularité, il leur correspond des étoiles non
dégénérées constituées de huit vecteurs.
Soit un vecteur d’onde k d’une étoile non dégénérée. Le nombre
de vecteurs de l’étoile est égal au nombre l des éléments de symétrie
du groupe ponctuel du cristal. Les énergies des états pour tous les
vecteurs de l’étoile, a étant fixé, sont toutes égales:
Ea (M - Ea (ko) = . . . = Ea (k,). (5.3)
Il leur correspond les fonctions
VkiOt» tykïa, • • • i ^k;a (5-4)
qui s’échangent sous l’action des opérations de symétrie du groupe
ponctuel. Toutes sont relatives à la même représentation irréductible
de ce groupe. La dimension de la représentation du groupe d’espace
est dans ce cas l fois plus grande que la dimension de la représentation
correspondante du groupe ponctuel.
Lorsque le vecteur kx appartient à une étoile dégénérée de m

vecteurs kx, k2, . . km, les éléments de symétrie du groupe ponc
tuel peuvent être divisés en deux catégories : 1) les éléments de symé
trie laissant k xinvariant (toutes les rotations autour de la direction de
kx et les réflexions dans les plans contenant k^ ; 2) les éléments de
symétrie échangeant deux vecteurs de rétoile. Les éléments de symé
trie de la première catégorie forment un sous-groupe du groupe ponc
tuel entier du cristal. On l'appelle groupe du vecteur d'onde. On peut
alors classer les fonctions d’onde relatives à une même énergie sui
vant les représentations irréductibles (A , 5 , . . .) du groupe du vec
teur d’onde kx. A chaque représentation correspondent une valeur
de l’énergie et m.fonctions différant par leur vecteur d’onde k* (ap
partenant à l’étoile) :
Vki-4. ÿkU ........ ijJkmA—énergie EA (k j ;

VkiB. Vk-B, • • •. énergie E B (k j ;
l’indice i numérote la fonction de chaque représentation irréductible

(A, fi, . . .) du groupe ponctuel du vecteur d’onde.
Considérons par exemple le point A de la zone de Brillouin de
la figure 8. Il lui correspond une étoile de quatre vecteurs. Le groupe
de ces vecteurs ou groupe des points A de la zone contient deux élé
ments de symétrie E, ov et possède deux représentations unidimension
nelles irréductibles indiquées dans le Tableau 2. L’une est totale
ment symétrique, l’autre change de signe par l’opération a,r Dans
ce cas, à une énergie donnée correspondent seulement quatre fonc
tions associées à l’une de ces deux représentations, par exemple
'tkiAî? ^^ 3^3? U'kiAf
Les points 2 et Z présentent une situation analogue et leurs repré
sentations irréductibles sont indiquées dans le Tableau 2.
Au point X correspond une étoile dégénérée de deux vecteurs
d’onde. Le groupe de ces vecteurs d’onde (groupe du point X) con
tient quatre éléments de symétrie et quatre représentations irréduc
tibles unidimensionnelles (Tableau 2). C’est pourquoi à une valeur
de l’énergie correspondent deux fonctions associées chacune à l ’une
des quatre représentations irréductibles du groupe des points X .
Au point T correspond une étoile dégénérée d’un vecteur k = 0.
Ici le groupe du vecteur d’onde coïncide avec le groupe ponctuel
complet du cristal. La classification des états doit donc être effectuée
suivant les représentations irréductibles de ce groupe. En particulier,
pour un réseau quadratique (voir fig. 8) il y a cinq représentations
irréductibles pour le groupe ponctuel du point T. L’une d’entre elles
est bidimensionnelle. Au point M la situation est analogue.
Tableau 2
Représentations irréductibles des points singuliers de la zone de Brillouin
pour le réseau quadratique représenté sur la figure 8
A E V E Z E
% ad a*
Ai 1 1 Z» 1 1 Z i 1 1
A, 1 —1 V
^2 1 —1 z % 1 —1
C4,
X E q °* r Af E C4 CJ % °d-
°d
Ti M l 1 1 1 1 1
*i 1 1 1 1
r. M 3 1 1 1 —1 -1
x s 1 1 —1 —1
rs M , 1 1 —1 1 —1
x 3 1 —1 1 —1
r« 1 1 —1 —1 1
X* 1 —1 —1 1 M *
r» 2 —2 0 0 0
Ainsi les représentations irréductibles du groupe d’espace sont

caractérisées: 1) par un ensemble de vecteurs d’onde constituant
une étoile, 2) par les représentations irréductibles du groupe du
vecteur d’onde, habituellement dénommées petites représentations.
La dimension des représentations du groupe d’espace est le produit
du nombre de vecteurs de l ’étoile par la dimension de la représen
tation irréductible du groupe du vecteur d’onde.
Lorsque l ’on étudie la variation de l’énergie des états stationnai
res en fonction du vecteur d’onde, on remarque une importante
propriété — de part et d’autre de la limite de zone, Ea (k) a la même
valeur. En d’autres termes, la fonction Ea (k) passe par un maximum
ou un minimum à la limite de la zone de Brillouin.
Pour des cristaux dont le groupe d’espace contient des axes héli
coïdaux ou des plans de glissement essentiels (ou les deux à la fois),
en certains points ou lignes à la surface de la zone de Brillouin, les
représentations irréductibles sont toutes bidimensionnelles. En
ces points de la zone, on doit donc observer la fusion des bandes —
les énergies Ea (k) correspondant aux différentes fonctions ipka
pour les vecteurs k situés en ces points singuliers de la zone devien
nent égales. Par exemple la structure bidimensionnelle représentée
sur la figure 9,a présente un plan de glissement perpendiculaire à
l ’axe y. La fusion des bandes est alors réalisée le long du côté
k x = Ji/a de la zone de Brillouin (voir fig. 9,6).
La démonstration de cette fusion fait intervenir la symétrie du

hamiltonien par rapport à l ’inversion du temps. L'inversion du temps
signifie le changement de signe du temps (t devient —J). Lorsque
le cristal ne se trouve pas dans un champ magnétique extérieur,
l’opérateur de Hamilton est invariant non seulement vis-à-vis des
opérateurs de symétrie spatiale du cristal, mais aussi vis-à-vis de
l’inversion du temps.
Par inversion du temps le vecteur d’onde k devient —k. Par
suite de l ’invariance de l ’opérateur de Hamilton vis-à-vis de l’in-
b)
Fig. 9. Structure bidimensionnelle comportant un plan de glissement perpen
diculaire à Taxe y (a) et sa zone de Brillouin (6).
version du temps on obtient donc pour les excitations indépendan

tes du spin
Ea (k) = Ea ( - k ) . (5.5)
Cela signifie que la bande énergétique de ces excitations présente
dans l ’espace k un centre d’inversion. L’égalité (5.5) doit être vérifiée
même pour des cristaux dont le groupe d’espace ne contient pas l’élé
ment inversion.
Si l’excitation dépend du spin (excitation monoélectronique
dans un cristal par exemple), par inversion du temps, le vecteur
d’onde est inversé en même temps que le spin de l’électron. Dans
ce cas l’égalité (5.5) doit être remplacée par
£ a t (k) = £ a ; ( - k ) , (5.6)
la flèche près de l ’indice a symbolisant l ’état de spin.
Dans un cristal optiquement actif (qui fait tourner le plan de
polarisation de la lumière), la lumière se propage transversalement
le long de l’axe optique avec deux fréquences (k) et (k) cor
respondant aux deux polarisations circulaires droite et gauche. Par
inversion du signe du temps, le signe de la polarisation circulaire
change. Les deux fréquences sont donc liées par la relation

G)^ (k) = G)J- ( — k).
Pour des ondes longitudinales g/ (k) = g/ (—k).
La symétrie du hamiltonien dans l’inversion du temps peut con
duire à une dégénérescence supplémentaire des bandes énergétiques
du cristal. Cette question a été abordée pour la première fois par
Wigner en 1932 (voir [3, 41).
Dans les chapitres suivants, nous étudierons plus en détail les
propriétés des états excités de différents types et quelques-unes de
leurs manifestations.
CHAPITRE II
PHONONS DANS LES CRISTAUX COVALENTS

ET MOLÉCULAIRES
Selon le caractère des forces reliant les atomes (ou les ions), les
solides sont divisés en cristaux moléculaires, covalents, ioniques et
métalliques. Entre chaque type, il n’y a pas de frontière nette. Cette
division est cependant utile dans la mesure où elle reflète les types
de force prépondérants agissant entre les unités structurales de base.
Dans les cristaux covalents et moléculaires, les unités structura
les de base sont des atomes bu des molécules neutres, liés par des
forces de faible rayon d’action — covalentes ou de Van der Waals.
L’énergie des liaisons covalentes diminue exponentiellement avec
la distance. L’énergie des liaisons de Van der Waals est inversement
proportionnelle à la sixième puissance de la distance.
Dans les cristaux ioniques, le rôle fondamental est joué par les
interactions coulombiennes à grande distance entre les ions consti
tuant le cristal. Dans ces cristaux le mouvement des ions s’accom
pagne de l’apparition d’un champ électromagnétique interne. C’est
pourquoi la théorie du mouvement vibratoire des ions dans un cris
tal ionique (voir chap. III) est plus complexe que la théorie du mou
vement des atomes dans les cristaux covalents et moléculaires.
Dans ce chapitre on considère le mouvement des atomes dans les
cristaux covalents et moléculaires. De nombreux diélectriques se
rattachent à ces types de cristaux — le diamant, les gaz rares solides
(Ar, Kr, He, . . .), les cristaux de nombreux composés organiques
(CH4, C6H6, C10H8, . . .), des semi-conducteurs (Ge, Si, GaAs, GaSb
et autres).
§ 6. Phonons dans un cristal unidimensionnel contenant

un atonie par maille élémentaire
Considérons d’abord le cas simple d’un cristal unidimensionnel
composé d’atomes identiques, de masse m, dont la position d’équilibre
est donnée par le vecteur du réseau
n = naa n — 1 , 2 , . . . , N. (6 . 1)
32 PHONONS DANS LES CRISTAUX COVALENTS ET MOLECULAIRES [CH. H
Supposons que les déplacements transversaux et longitudinaux des

atomes soient indépendants. Soit £n l'un de ces déplacements con
cernant l'atome occupant le nœud n. Pour exprimer l'énergie poten
tielle U en fonction du déplacement des atomes neutres, on con
viendra de ne tenir compte que des interactions entre atomes voisins
(le cas général sera étudié plus loin):
^ = 4 - v S a - - i n - ) 2. (6.2)
n
L'énergie cinétique est fonction de la vitesse du déplacement £n *
* = - r ro2 & - (M
n
Introduisons les conditions cycliques
In = In+Na- (6.4)
Pour un réseau unidimensionnel (6.1) la zone de Brillouin est limitée
par
—ji ka < n.
A l ’intérieur de cette zone, le vecteur d'onde k parcourt N valeurs
non équivalentes
k = - |£ a , |i = 0, ± 1 , (6.5)
A la place des déplacements atomiques £n* utilisons un système
de coordonnées généralisées plus commode Ak. Ce système caracté
rise le mouvement collectif des atomes pour une valeur déterminée
de k. On pose donc
| n = JV-1/22 ^ k exp(£kn). (6.6)
k
Les nouvelles variables doivent vérifier la condition
Ak = A U (6.7)
pour que £n soit réel. La sommation (6.6)est effectuée sur toutes
les valeurs possibles (6.5) du vecteur d’onde.
A partir de (6.1) et de (6.5) on peut montrer deux égalités im
portantes :
4 " 2 exp[t(k — k,)n] = 6kk., 4 - S exP ll'( n “ n') kl (6-8)
n le
Ces relations (6.8) permettent de trouver la transformation inverse
de (6.6)
= N ~il2 S In exp (—ikn). (6.8a)
5 6] PHONONS DANS UN CRISTAL A TIN ATOME PAR MAILLE 33
Partant de (6.6) exprimons les énergies potentielle et cinétique

du cristal en fonction des nouvelles coordonnées collectives et de
leurs dérivées par rapport au temps:
£7 = T ro S Q2(k^ kA- k* (6-9)

k k
dans cette expression
mQz (k) = mQ2 ( - k) = 4y sin2 .(6.10)
La fonction de Lagrange classique prend la forme
L = K —U = -^-m 2 Q*(k)ii«d-k]> (6.11)
k
Cette expression permet de calculer les impulsions généralisées
correspondant aux coordonnées généralisées A k :
Pk = - ^ - = ro i_ k. (6.12)
ôAk
Si l’on introduit l ’impulsion pa = m |n liée au déplacement en

utilisant (6.8a) et (6.12) on obtient
Pk = N ~i,z 2 Pa exp (ikn). (6.13)
n
Les égalités (6.12) et (6.9) permettent d’écrire l ’énergie classique E
en fonction des coordonnées généralisées A* et des impulsions géné
ralisées P u :
£= = P*P~r ••roÛ, (k )^ M -k ]. (6-14)

k
Pour passer à la mécanique quantique, il suffit d’exprimer les
grandeurs £n et pn sous forme opératorielle. Ces opérateurs vérifient
la relation de commutation
tin» Pn*] = (6.15)
Les coordonnées généralisées (6.8) et les impulsions généralisées
(6.13) deviennent maintenant des opérateurs liés par la relation de
commutation
[i4k, Pk.] = ic». (6.16)
L’énergie (6.14) donne l’opérateur énergie
= + m£22 (k) ÂuÂ-*} . (6.17)

k
On se propose de simplifier cette expression en introduisant de

nouveaux opérateurs bk, bt* définis par
4 = ] / = — ^ (fe î-b -k ). (6.18)

D’après les relations (6.16), les nouveaux opérateurs bk et b i t doi
vent vérifier les relations de commutation
[bk, bk»] = ôkt k», (bu, bk*] = 0. (6.19)
Les opérateurs vérifiant (6.19) sont appelés opérateurs de Bose.
Substituant (6.18) dans (6.17) on exprime l’opérateur énergie
en fonction des nouveaux opérateurs
JÎ = yQ(k) [b£bk + bkbi].
2 (6 . 20)
k
Effectuant la transformation correspondante dans (6 . 6 ) on obtient
la valeur de l'opérateur déplacement de l'atome n
ln = 2 2mNQ (k) ®Xp (ikn) + b~ ^ ’ (6-21)

k
Expliquons le sens physique des nouveaux opérateurs bk et bk.
Ces opérateurs agissent dans l’espace des fonctions (voir [5])
| . . . , Vk , . . . )
dépendant du nombre de remplissage vk ( = 0 , 1 , 2 , . . .) des états

de vecteur d'onde b. Posons
|v k) = | 0 , 0 , . . vk, . . ., 0 )
et exprimons l'action des opérateurs 6k, bk sur les fonctions | vk >
sous la forme
bi|vit) = y Vk -f 11vk + 1>, bk|vk>= 1/Vk|vk—1). (6.22)
Ces expressions sont choisies de telle sorte que les opérateurs 6k et
bk vérifient les relations de commutation (6.19). On suppose que les
fonctions | vk ) sont normées par la condition
( vk | vk.) = ôkt k'. (6.23)
D'après (6.22) on constate que l'opérateur bk augmente le nombre
de remplissage vk d'une unité dans l'état déterminé par la fonction
| vk ), alors que l ’opérateur bk le diminue d’une unité. En utilisant
(6 .22 ) on trouve les égalités
bkbk | vk ) = vk | vk ), 6k6k | vk ) = (vk + 1) | vk ). (6.24)
Cette expression (6.24) indique que les fonctions | vk ) sont fonctions
propres de l ’opérateur 6k6k, la valeur propre correspondante est vk.
§ 6] PHONONS DANS UN CRISTAL A UN ATOME PAR MAILLE 35
L’opérateur énergie (6.20) peut être transformé en utilisant les

relations de commutation (6.19) :
i7 = 2 ^ (k )(« 6 k + 4 -)- (6.25)

k
L’état fondamental du cristal est décrit par la fonction | 0). Dans
cet état l’énergie
E 0 = <0 |f f | 0 ) = - i - 2 *Q (k) (6.26)
est minimale.
Dans la représentation d’Heisenberg [51, l ’évolution des opérateurs
bk au cours du temps est définie par les équations
ihbk (t) = (6* (t). H), bk (0) = bk.
Remplaçant dans cette équation H par son expression (6.25), puis
utilisant le commutateur (6.19) on a
bk (t) = bk exp (—iQ (k) t).
Conformément à (6.24) et (6.25) l’énergie du cristal dans l’état
| vk ) est
£vk = ( vk | H \ vk > = E 0 + vkhQ (k). (6.27)
La valeur moyenne (dans ce même état) de l’opérateur déplacement
de l’atome n (calculée à partir de l’expression (6 . 21 )) ( vk | | vk >
est nulle. Par ailleurs la valeur moyenne du carré du déplacement
est indépendante de la position de l’atome dans la chaîne
(vk|!s|v k) = 1^ ^ + 2 * [2mNQ(A:')]"1. (6.28)

k'(*0)
Le deuxième terme représente la contribution des « vibrations de
zéro » (lorsque tous les vk = 0 ).
La valeur k = 0 correspond à un déplacement du cristal en entier :
Q (0) = 0. Ainsi pour k = 0 les atomes ne vibrent pas, c’est pour
quoi la sommation dans (6.28) est effectuée sur toutes les valeurs
non milles de k. Dans cette somme les valeurs absolues de k sont
égales ou supérieures à 2 n/JVa, c’est-à-dire £2 ^
Les états stationnaires excités sont donc répartis dans tout le
cristal. Ils sont déterminés par un vecteur d’onde k (une quasi-im
pulsion Hk et une énergie HQ (k)). Ces états excités sont appelés
phonons. D’après (6.10) les états de vecteurs d’onde k et —k ont
la même énergie.
3*
Les nombres vk figurant dans les fonctions | vk ) indiquent le

nombre de phonons dans un état donné. Le calcul de la fonction
|vk ) d’un état avec vk phonons
nfffA) peut être effectué par applications
successives de l’opérateur 6k sur
la fonction de l’état vide | 0 ) :
\
\ /
\ Sur la figure 10 on a représen-
2i/jÿm té les variations de la fréquence
des pbonons en fonction du vec
teur d’onde :
Q (k) = Q (—k) =
= 2 I sin - Ç - . (6.29)
Si Ton connaît la fréquence des
phonons en fonction de k, on peut
Fig. 10. Dispersion des phonons acous-
ticlues* calculer la vitesse de phase Fph et
la vitesse de groupe Vg des exci
tations élémentaires correspondantes
Pour des excitations de grande longueur d ’onde, ka = ^-<Çi 1,

(6.29) et (6.30) se simplifient
(6.30a)
Les excitations de grande longueur d'onde peuvent être considérées

comnn des ondes élastiques se propageant dans le milieu. La vitesse
deAces ondes (vitesse du son) est déterminée en mécanique par l’ex
pression Fac = V Ë Ip, où E est le module de Young et p la densité.
Ici p = mla et le module de Young qui est le rapport de la force
y (?n^— £n-i) à la déformation relativecorrespondante (£„ — tn-i)/a
estl égal à E = ya. Ainsi Vac = j / " - a. Les excitations élémen
taires de grande longueur d’onde (feu «C 1 ) correspondent bien aux
ondes acoustiques dans un milieu élastique. C’est pourquoi ces exci
tations sont appelées phonons acoustiques.
§ 6] PHONONS DANS UN CRISTAL A UN ATOME PAR MAILLE 37
Lorsque le vecteur d’onde s’approche de la limite de la zone de

Brillouin (Ara - * n ou X -+• 2a), la vitesse de phase FPh tend vers
—■ , et la vitesse de groupe tend vers zéro.
Au début c!e ce paragraphe, nous avons supposé que les interac
tions se limitaient aux atomes voisins. Mais si l’on désire s’abstraire
de cette condition, au lieu d’écrire l’énergie potentielle sous la forme
(6 .2 ) (dans l’approximation harmonique), il faut exprimer cette
grandeur de la manière suivante :
T S ' * G -” *->>*■ (631)

n, I
Lorsqu’on passe aux coordonnées généralisées, on retrouve les expres
sions (6.9), mais le carré de la fréquence sera défini par la formule
m&Qt) = 4 2 Y i s i n * - ^ , l = Za; Z= l, (6.32)
‘I
Dans la somme (6.32) on peut se limiter aux premiers termes. Par
exemple pour une interaction de Van der Waals y\ = | 1 |“6,
la contribution du deuxième terme de la somme (6.32) ne représente
pour Z = 2a que 0,016 fois la contribution du premier.
Etudions comment varient les résultats obtenus lorsque l ’on
substitue aux conditions cycliques (6.4) de nouvelles conditions aux
limites dans lesquelles l ’atome initial et l ’atome final sont fixes.
Afin de ne pas modifier le nombre de degrés de liberté du cristal, il
convient d’utiliser une chaîne de N + 2 atomes dont la position
est donnée par les vecteurs du réseau
n = na, n = 0, 1, . . N + 1. (6.33)
Les expressions suivantes représentent les conditions aux limites
Êo=* £<JV+l)a = 0» (6.34)

l’énergie cinétique et l ’énergie potentielle
* = -f 2 &«
n
U = - |- 2 (ln -5 n -a )2 = V 2 ( S “ L L - J - (6-35)
n n
La transformation canonique
in = l Z - ^ Y " 2 Al sin On) (6.36)

38 PHONONS DANS LES CRISTAUX COVALENTS ET MOLECULAIRES [CIL II
permet de passer des déplacements £n aux coordonnées généralisées

A i£. Dans cette expression le vecteur 1 prend les N valeurs suivantes:
jiua À
(N+ 1) «* ’ I1 - •ï N . (6.37)
Les éléments matriciels sin (ln) de la matrice de transformation
(6.36) vérifient la condition d’unitarité
jÿrpj- 2 sinj(nl). sin (ni') = Ôu.. (6.38)
n
Cette expression permet d’obtenir la transformation inverse de (6.36) :
4 = ] / — r 2 ^ siQ(n1)- (6-39)
n
En utilisant (6.36) exprimons les énergies cinétique et potentielle
en fonction des nouvelles variables:
£ 7 = 4 - 3 Q2(*MÎ, (6-40)
Q2(/) = 4 “-sin 2-Tp. (6.41)

Substituons (6.37) dans (6.41) :
Q2 (p )= -g -s in 2 1 £ t r , ^ = 1, 2 ......... N .
Ces fréquences sont doublement dégénérées, puisque S22 (p) =

= Q2 (N + 1 — p). Il convient de remarquer que les expressions
(6.41) et (6.10) coïncident lorsque N ^ 1.
L’impulsion généralisée associée à la coordonnée généralisée
^4iest Pi = dK/dAi = mA\. Par conséquent la fonction de Hamilton
classique est
£ = - f 2 [— (6. 42)
Pour passer à l’opérateur quantique de Hamilton, il convient

d ’effectuer la transformation
-d W < »> + «}.

4 -ftm Q (l)(6 ,-6 f),
où interviennent les opérateurs bî de création et bi d’annihilation

de phonons de type 1.
i 7] PHONONS DANS UN CRISTAL A DEUX ATOMES PAR MAILLE 39
Substituant (6.43) dans (6.36) et dans (6.42) on obtient l ’opé

rateur déplacement des atomes
s»= i T ^ r S V i i l ô r (&i+6i+) sin (nl) iQM)
et l’opérateur énergie
H = Ç tXi (1) [&,+&,+ VJ. (6.45)
L’état de fonction d’onde | vi ) comprenant vi phonons a pour énergie

£ = £ 0 + v ,Æ Q (l), £ 0 = t 2 Æ Q (1)*
Dans cet état le carré du déplacement de l’atome n est
<-iUiv>- (.1)+T S iw p ] •
Les états excités | vi) se présentent sous la forme d’ondes station
naires dans le cristal. Pour \i donné (ji = 1, 2, . . ., N), définissant
le vecteur 1, ces ondes stationnaires ont \i — 1 nœuds.
Chacun des termes de (6.36) correspondant à une valeur déter
minée de 1 n’est pas fonction propre de l ’opérateur translation, mais
représente des superpositions de deux états de quasi-impulsions
h\ et —hl.
§ 7. Phonons dans un cristal unidimensionnel
à deux atomes par maille élémentaire
Soit une chaîne cristalline linéaire comprenant deux atomes neu
tres de masses ml et m2 par maille élémentaire (fig. 11). La position
Fig. 11. Réseau unidimensionnel comprenant deux atomes par maille élémen
taire.
des mailles élémentaires est donnée par le vecteur du réseau n = rca.

Le déplacement des atomes par rapport à leur position d’équilibre
0 et a/2 dans la maille n sera noté par les lettres î et En# 2- L’énergie
cinétique de déplacement des atomes s’écrit simplement
& = ~2~2 â£n, a* a = 1 , 2 . (7.1)

n, a
40 PHONONS DANS LES CRISTAUX COVALENTS ET MOLÉCULAIRES [CH. H
Dans rapproximation harmonique, si Ton ne tient compte que des

interactions entre atomes voisins, l'énergie potentielle se présente
sous la forme quadratique suivante :
ü = \ 2 l2 tè». *- L . 2)2+ (In. 1- in-a, 2)2+ (In. 2~ ln+a. l)2l,

(7.2)
où 7 est un coefficient caractérisant la force d ’interaction. Nous choi
sirons comme conditions aux limites
Ên, a —5n+Nat a» a —1» 2, (7*3)
où N est le nombre de mailles élémentaires du cristal.
La relation
in, a = (maN )~il2 S ea (k) A* exp (ikn) (7.4)
le
permet de transformer les déplacements £„, a on coordonnées géné
ralisées collectives ea (k ) ^ k. ea (k) = ea (—k) représente des cons
tantes réelles de la fonction qui seront définies plus bas; k est le
vecteur d’onde réduit, qui parcourt N valeurs (6.5) dans la première
zone de Brillouin. Comme les déplacements <* sont réels, les coor
données généralisées (dépendant du temps) doivent vérifier la con
dition
Ak = A*k- (7.5)
Si l ’on porte (7.4) dans (7.1) et (7.2), compte tenu de (6 .8 ) et (7.5),
on transforme les énergies potentielle et cinétique
* = 4 2 « .( k ) « .( k )^ -f c . (7.6)
k.a
U= \ 2 7>«e(k)ea(k)eB(k 'y M _ k, (7.7)
k, a . P
£>u (]s) = Aylm1, D& (k) = 4y/m2,

(7.8)
Da (k) = D u ( —k) = D \i (k) ---- ^ |L = - (1 +exp (ika))
sont les éléments matriciels de la matrice des forces ou matrice dynamique

Les expressions (7.6) et (7.7) permettent de construire la fonction
de Lagrange L = K — U. Les équations de Lagrange
dL
=0, q = eaAÏ,
dq
§7] PHONONS DANS UN CRISTAL A DEUX ATOMES PAR MAILLE 41
deviennent
ea (k) A k + % Da(t (k) ep (k) Ak = 0.
&
Substituons
4 = - 2 2 (k )4 (7 .9 )
dans ce système différentiel. Nous obtenons un système linéaire homo
gène par rapport aux fonctions inconnues ea (k) :
G2 (k) ea (k) - 2 0«e (k) (k) = 0. (7.10)
P
Ce système (7.10) a une solution non nulle si son déterminant
|Z)a P ( k ) - Q 2 (k) Ôa# 3 | = 0.
Remplaçons Z?a p (k) par son expression explicite (7.8). Nous obtenons
deux solutions fonctions de k
O W k )- 2 y [ f + < - * ) • / <711>
où s = l t 2 ; \i = + m2) est la masse réduite des deux
atomes.
Les deux fonctions Qs (k) définissent les fréquences des deux
branches vibratoires. Lorsque k a < l , ces fonctions deviennent
4y
12 1»»!+m,
- (7-12)
La fonction Qx (k) (7.12) coïncide avec la fonction caractérisant ies

fréquences d’ondes acoustiques d’un cristal unidimensionnel à un
atome de masse + mt par maille élémentaire. Cette fonction
(k) sera appelée branche acoustique. La fonction £22 (k) correspond
à une vibration, dont la fréquence ne tend pas vers zéro lorsque k se
rapproche du centre de la zone de Brillouin. C’est la branche optique
des vibrations.
Lorsque mx ^ m2, si k se rapproche de la limite de la zone de
Brillouin {nia), les fonctions (7.12) deviennent
M -ir H /ü E ’ <713>
L’aspect général de la dépendance S2e en fonction de kà est représenté
sur la figure 12 .
Utilisons (7.9) et portons la valeur trouvée pour £2f dans l’équa

tion (7.10) :
Q* (k) eaa (k) - 2 Da„ (k) (k) = 0.(7.14)
P
La résolution de ces équations donne les fonctions eas qui, pour diffé
rentes valeurs de s, sont orthogonales. Ces fonctions ne sont déter
minées qu’à une constante multi
plicative près. Il convient de les nor
maliser
S e«.(k)< W (k) = ôJt,'. (7.15)
a
Si l’on porte les valeurs (7.8) de la
matrice dynamique dans (7.14) on
trouve pour ka «Cl
eit (k) ____________4y__________
‘**(k) *
(7.16)
Le rapport des amplitudes de dépla
cement (7.4) est
Fig. 12. Dispersion des branches /Jni\ __ ela (k) Y m [ ^
vibratoires acoustique et optique.
' ^n2 's *î*(k) Y™**
Ainsi pour la branche acoustique (£m/£n2)ac « 1, c’est-à-dire
les atomes d’une même maille oscillent dans le même sens, tandis
que pour la branche optique, ils oscillent en sens inverse avec des
amplitudes inversement proportionnelles à leur masse puisque
(£111/^112)0 = La maille élémentaire des cristaux ioniques
contient des ions de charges contraires. C’est pourquoi les vibrations
optiques donnent naissance à une variation importante du moment
dipolaire électrique de la maille. Elles définissent le comportement
optique du cristal dans ce domaine de fréquences et, par là, justifient
l ’appellation de cette branche de vibrations.
Exprimons les énergies cinétique et potentielle en fonction des
deux solutions (7.14)
K — ~Y S (k) (k) •‘‘W i-k . «•>
k . |a f s, «'
U = -y 2 (k) «a* (k) «pj» (k) ...

k. a , 5, t'
Compte tenu de (7.15) et (7.14) ces expressions deviennent
(7.17)
k, 5 k. 5
§ 8] PHONONS DANS UN CRISTAL TRIDIMENSIONNEL 43
A la coordonnée généralisée A k, on fait correspondre l'impulsion

généralisée
p ___ düi \
r ks = —: ~ A-k. s-
Par conséquent la fonction classique de Hamilton est

(7.18)
k, s
Pour passer à l’opérateur quantique de Hamilton, il convient de
remplacer les coordonnées et les impulsions généralisées conjuguées
par les opérateurs
Aks —r Â ks= j / r go flr) (^kj + ^-k. s)i

209 lk) (7.19)
Pka ~+Pks = i\/h Q , (k)/2 (6^ - 6 - k. ,).
Les opérateurs coordonnées et impulsions généralisées vérifient la
relation de commutation L4kj» Pis' 1 = iftôkk'ô«' si les opérateurs
de création bks et d’annihilation &kj des phonons satisfont aux rela
tions de commutation
[&k*7 &k's'] = ôkk'ôjj'» [6|C57 &k'a'] = 0. (7.20)
Substituant (7.19) dans la fonction de Hamilton (7.18) et dans
l’expression (7.4) on trouve l’opérateur de Hamilton
H = S ftQ. (k) (É>ÎA. + ‘/.J (7.21)
5. k
et l’opérateur déplacement des noyaux
Sâ- 2 «*• + ") « P («“ >. (7.22)
§ 8 . Phonons dans un cristal tridimensionnel

Considérons d’abord simplement des cristaux monoatomiques.
Soient m la masse des atomes et rQa (a = 1, 2, 3) les trois composan
tes du déplacement des atomes par rapport aux nœuds de la maille
donnée par le vecteur du réseau n. L’énergie cinétique est fonction
de la vitesse du déplacement :
* = a = l,2,3. (8 . 1)
n, a
Dans un cristal tridimensionnel le nombre de voisins entourant un
atome donné croît proportionnellement au carré de la distance. C’est
44 PHONONS DANS LES CRISTAUX COVALENTS ET MOLÉCULAIRES [CH. II
pourquoi on ne peut pas limiter le calcul aux interactions entre

proches voisins. Il convient donc d’écrire l’énergie potentielle dans
l’approximation harmonique sous la forme
U = ~y 2 ' V a 3 (n -n » )rnarmp, (8.2)
na, mp
où les composantes du tenseur Va$ vérifient les relations
F aP( n - m ) = y Pa( m - n ) , 2 ât> (n - m) = 0. (8.3)
n
La deuxième relation peut être trouvée comme suit : la résultante
de toutes les forces (provenant de l ’interaction des autres atomes du
cristal) agissant sur un atome donné est nulle si elle est déterminée
par la translation du cristal en entier. En effet,
Fmd=— ^ r - = — 2 F «p(n—m )rna.
Lorsque le cristal se déplace, tous les rDa sont égaux

r„« = i>« et Fmli= — 2 v afi(n—m )va.
n, a
Comme les va sont quelconques, il est nécessaire d’annuler le
coefficient de chaque va.
Introduisons les conditions aux limites cycliques, et supposons
que le cristal contient N mailles élémentaires. On se propose de
modifier (8 . 1 ) et (8 .2 ) en utilisant la transformation canonique
rna= — 2 «a (k) exp (tkn), a = l , 2, 3, (8.4)

YN m "
où A* = A l* sont les coordonnées collectives, ea (k) = ea (—k) des
constantes réelles définies plus bas. Les égalités
-L 2 ex p ti( k —k,) n] = ôitk-, -L 2 exp[t(n —n ')k j = ô (8.5)
n k
où la sommation recouvre les N vecteurs du réseau n et les N vecteurs
d’onde de la première zone de Brillouin, garantissent l ’unitarité
de la transformation (8.4). Après transformation on obtient
* = 4 2 (k) e« ( ~ k> (8*6>

k, a
U = - 2 ^«P(k) e « ( k ) a p ( k ) ^ _ k, (8.7)
k, a, P
OÙ
D*fi (k) - DU (k) = DS, ( - k) = - LVat (n) exp (ikn) (8 .8 )
2
n
sont les éléments de la matrice dynamique.
Introduisons la fonction de Lagrange L = K — U. Les équations
de Lagrange
4 t { ^ ) — W = 0 avec ? = **(kM k
deviennent
e« (k) Ak + V1Z)Œ0 (k) e„ (k) Ak = 0.
0
En substituant
A k = —£22 (k) A k (8.9)
ces équations différentielles donnent un système de trois équations
algébriques pour ea (k) :
£2* (k) ea (k) - S £ «P (k) «p (k) = 0 . (8 . 10)
0
La solution de ces équations devant être non triviale on aboutit à

l’équation de dispersion
Il Q2 (k) ôap—Dafi (k) || = 0 (8 . 11)
qui détermine les fréquences Q2 (k) pour chaque valeur de k.
L’équation (8.11) a trois racines Q* (k) {s = 1 , 2, 3). Ces racines
déterminent trois vecteurs eW (k) de composantes e(a (k). Ces vec
teurs sont orthogonaux, et comme ils ne sont définis par l ’équation
(8 . 10) qu’à une constante près, on pourra poser
S « ë ) (k )4 ° (k ) = ÔJ .. (8 . 12)
a
Lorsque k ->-0, les éléments de matrice Z)aP (k), conformément
à (8.3) et (8 .8 ), tendent vers zéro. C’est pourquoi les valeurs limites
des trois fréquences Q, (k) tendent elles aussi vers zéro lorsque
k ->0. Ces solutions correspondent aux trois branches de vibrations
acoustiques.
Dans les cristaux cubiques l’un des vecteurs e<4> (k) est parallèle
à la direction du vecteur k. La vibration correspondante est dite
longitudinale. Les deux autres vecteurs e<*> (k), perpendiculaires
entrejeux et au vecteur k, définissent les branches de vibrations trans
versales. Dans un cristal isotrope les fréquences (k) sont indé
pendantes de la direction de k. Les branches transversales ont donc
la même fréquence Qt (k) pour chaque valeur de k. La fréquence de
46 PHONONS DANS LES CRISTAUX COVALENTS ET MOLECULAIRES [CH. II
l ’onde longitudinale Q t (k) est habituellement plus élevée. Dans les

cristaux anisotropes les trois solutions (k) sont orthogonales, ce
pendant pour certaines directions déterminées dans le cristal l ’une
d’entre elles coïncide avec k.
Conformément à trois solutions du système d’équations (8.10)
les composantes du déplacement des atomes dans le cristal (8.4)
seront déterminées pour chaque k par trois variables collectives
A ks à l ’aide de l ’expression
'•„« = —— - 2 4 5)(kMiu exp(tkn), 5 = 1 , 2, 3. (8.13)
Les relations (8.10) et (8.12) permettent d'exprimer les énergies ciné

tique et potentielle sous la forme
K= = — iQt (k) A ju, (8.14)
k, s
U = — Y l Qî (k) w. ,. (8.15)
k, a
Les impulsions généralisées, conjuguées des coordonnées géné

ralisées A kt, sont définies par l ’égalité
d(K—U) = À
—k. s-
Si l’on remplace dans (8.14) les vitesses par leur expression en fonc
tion des impulsions, on retrouve la fonction classique de Hamilton
E = K + U = 4 - 3 l ^ - k.,+ £2î(k ).4 k. ^ _ k. 1]. (8.16)
k. j
Pour passer à l ’opérateur quantique de Hamilton, il convient de

remplacer les coordonnées et les impulsions généralisées par les
opérateurs :
Aks Ans = + ^ -k. *)»

-- ----- (8.17)
P * -+Pus = i y (k) k . ,),
où les opérateurs bt9 et bka représentent les opérateurs de création

et d’annihilation des phonons dans l’état | vk4> et caractérisent le
nombre de phonons de chaque branche vibratoire. Ces opérateurs vé
rifient les relations de commutation des opérateurs de Bose.
Si l’on introduit cette transformation (8.17) dans (8.13) et (8.16)
on obtient l’opérateur de Hamilton et les vecteurs déplacement des
atomes
H= 2 SQ ,(k)[ôÊ A «+i/ 2 ]t
___ , (8.18>
=V 2^ v 2 ^ = = t ^ + ^ . 3]exp («kn).
De la même manière, on peut déterminer la forme opératorielle d'au

tres grandeurs physiques, si l'on en connaît l’expression en fonction
des coordonnées A k5 et des impulsions Pks généralisées.
Les résultats obtenus peuvent être généralisés aux cristaux con
tenant a atomes par maille élémentaire. Le spectre phononique de
ces cristaux est composé de 3a branches de fréquences
Q9 (k), s = 1, 2, . . ., 3a.
Trois branches ont une fréquence qui tend vers zéro lorsque le vecteur
d'onde tend vers zéro. Ce sont les branches acoustiques. Les autres
branches (il y en a 3 (a — 1)) sont les branches optiques. L’opérateur
de Hamilton des phonons est
H = 2 n£it (k) (btA . + 1/ 2 ) (8.19)
k, s
et l'opérateur déplacement des atomes dans la maille élémentaire
é 2 p = = fo« + b-*. •) exP (^ n ), (8.20)
OÙ
2 2 eaï (k) eap (k') = ôjj.ôkk».

/«I a=i
Les vibrations des atomes du cristal se manifestent dans de
nombreux phénomènes. En particulier, en absorption et émission
de lumière infrarouge, dans la diffusion inélastique de la lumière
visible et infrarouge (effet Raman) ; dans la diffusion inélastique des
neutrons; lorsque l ’on étudie l ’absorption par résonance de quanta-
gamma par les noyaux atomiques (effet Môssbauer) et d’autres phé
nomènes. Aux différents phénomènes participent des branches de
vibration différentes. Ainsi l ’absorption et l ’émission de la lumière
est liée à la création ou l’annihilation d’un phonon d’une vibration
transversale, qui modifie le moment dipolaire électrique du cristal ;
l’effet Raman correspond aux phonons d’une vibration transversale,
qui modifie la polarisabilité du cristal ; la diffusion des neutrons est
liée aux phonons longitudinaux modifiant localement la densité
du cristal.
48 PHONONS DANS LES CRISTAUX COVALENTS ET MOLECULAIRES [CH. I l
§ 9. Interactions entre phonons

Dans les paragraphes précédents nous avons étudié des excitations
élémentaires du cristal — les phonons provenant de la vibration des
atomes; l’énergie potentielle correspondante (8 .2 ) ne contenait que
des termes quadratiques par rapport au déplacement des atomes.
Dans cette approximation appelée harmonique l ’hamiltonien du
cristal est
H = 2 « û . (k ) + t) , (9 .1 )
k, «
où le produit est l ’opérateur nombre de phonons de la branche
s, de vecteur d’onde k, dans l’état | vkj>.
Cet opérateur &kS6ki commute avec l ’opérateur de Hamilton
(9.1), c’est pourquoi les nombres de phonons dans chaque état repré
sentent des intégrales du mouvement. Par conséquent, dans l’appro
ximation harmonique les phonons sont indépendants et n’entrent
pas en interaction.
Cette représentation simple disparaît si l ’on tient compte dans
le développement de l ’énergie potentielle en fonction des déplace
ments atomiques des termes cubiques et d’ordre supérieur, c’est-à-
dire si l’on ajoute à (8 .2 ) les termes
W= £ j 2 â3v (m — n» 1 n) rnarmprlY“t~ • • • (9-2)

Les termes (9.2) sont appelés corrections anharmoniques.
Si, conformément à (8.18), on remplace dans (9.2) les opérateurs
déplacement rna par les opérateurs
“ P ( * “)* M
OÙ
<Plü==Ùk* + &-k.a> (9.4)

on obtient Yopérateur de perturbation anharmonique
w = S V » 't (q , k , k ') <p_,. tÇk, 9 iu ', (9 .5 )
OÙ
V„.t (q, k , k ') =
= 12 V d fe 2 V<*y <“ . *>e« ( - 9 ) 4 ° (k) 4 ° (k')expU (k n + k ' 1)],
(9-6)
q = g + k + k'. (9.7)
5 9] INTERACTIONS ENTRE PHONONS
Le vecteur g est nul ou égal à un vecteur du réseau réciproque choisi

de telle sorte que le vecteur d’onde q reste dans la première zone de
Brillouin. Les termes de (9.5) correspondant à des valeurs de q
pour g # 0 dans (9.7) sont responsables de processus appelés « pro
cessus de rejet » (ou processus Umklapp).
Il y a seulement quatre types d’éléments matriciels pour l’opé
rateur (9.5) (calculés par rapport aux fonctions du nombre de rem
plissage). Ce sont
V,?t (qkk') Y vqtvk,vkv ( v .q, i - l , vto— 1, vkV —
— 1 I &-q. t&kAi'j' | v-q , (9-8)
y n '« (9 . b* b ') Y (Vqt + 1) Vic,V|tv X
X <V_q, 1 + 1 , Viu— 1, Vk^ — 1 | 6 t.q A A '« * | VqtV|t,Vkv ) (9.9)
et leurs conjugués hermitiques.

Les éléments matriciels (9.8) correspondent à l’annihilation de
trois phonons. Les éléments matriciels hermitiques conjugués de
Fig. 13. Fusion de deux phonons (o) et désintégration d’un phonon en deux (b).
(9.8) correspondent, eux, à la création de trois phonons. Tous ces

processus sont interdits selon la loi de conservation de l ’énergie.
Les éléments matriciels (9.9) correspondent à la fusion de deux
phonons en un seul. Ces processus peuvent être représentés graphi
quement (fig. 13, a). Les éléments matriciels hermitiques conjugués
de (9.9) k correspondent à la désintégration d’un phonon en deux
autres. Ce processus est représenté sur la figure 13, b. La fusion et
la désintégration correspondant aux éléments matriciels (9 .9 ) ne sont
possibles qu’en accord avec la loi de conservation de l’énergie
Q , (q ) = Q , (k ) + Q ,» ( k '). (9 .1 0 )
Si, lorsque cette condition est satisfaite, q = k + k', la loi de con
servation des quasi-impulsions est vérifiée. Pour un processus de rejet
q = k + k ' + g,
où g est un vecteur du réseau réciproque, la quasi-impulsion ne se
conserve pas.
4 -0 5 3 4
On pourrait montrer de même que les termes de la quatrième puis

sance dans (9.2) par rapport au déplacement conduiraient à des
processus d'échange de quatre phonons : deux phonons diffusant l'un
sur l’autre, un phonon se désintégrant en trois, ou trois phonons se
combinant en un seul.
La figure 14 illustre la fusion de deux phonons et k«s en un
phonon qs \ lorsque la loi de conservation de la quasi-impulsion n'est
Fig. 14. Illustration du phénomène de rejet consécutif à la fusion] de deux

phonons.
pas vérifiée (processus de rejet). Les fréquences £2# (k) et £2,* (k)
sont représentées en trait plein. La courbe £2, (k) en pointillé est
déplacée au point A correspondant à la valeur kj du vecteur d'onde.
Le point B correspond à l ’intersection de la courbe pointillée avec
la courbe £2^. Il détermine la valeur k 2 et les fréquences £2, (k2)„
£2s* (q) qui vérifient la loi de conservation de l’énergie
(q) = (kj) + £2, (k2)
pour q = k! + k 2 — où r a ost un vecteur du réseau réci
proque.
On s'aperçoit que lorsque k x + k 2 < ^ a, le processus de rejet
est impossible et la fusion de deux phonons en un seul vérifie la
loi de conservation des quasi-impulsions.
Les opérateurs de perturbation anharmonique conditionnent les
phénomènes de dilatation thermique des cristaux et l'établissement
de l ’état d’équilibre thermodynamique des phonons. Ils sont res
ponsables de la conductivité thermique finie des solides. R. Peierls
16] découvrit que la conductivité thermique finie des cristaux iso
lants était due aux processus de rejet.
Le chauffage d’une région du cristal provoque l ’excitation d’un
certain nombre de phonons. Ceux-ci se propagent dans le cristal à
la vitesse du son et transportent l’énergie thermique. Le flux de
§ 10] CAPACITÉ CALORIFIQUE PHONONIQUE D’UN SOLIDE 51
chaleur / est dirigé vers la région des basses températures T . Il est

égal à
/ = — x grad T. (9.11)
Le coefficient x est la conductivité thermique et la grandeur inverse
1/x est la résistivité thermique.
S’il n’y a pas d’interaction entre les phonons, ou bien lorsque
chaque interaction entre phonons vérifie la loi de conservation de
l’impulsion (pas de processus de rejet), l’impulsion de tous les pho
nons se conserve. Dans ce cas les phonons transportent de l’énergie
(pour un cristal de dimensions infinies) même en l’absence de gradient
de température. Il n’y a donc pas de résistivité thermique. Par consé
quent la résistivité thermique est due à la non-conservation de l ’im
pulsion, c’est-à-dire aux processus de rejet. Or ces processus ne sont
possibles que lorsque l ’énergie hQ des phonons devient supérieure à
une énergie critique E 0. A basse température le nombre moyen de
phonons d’énergie supérieure à E 0 est proportionnel à exp (—E J kT ).
Par conséquent à basse température la résistivité thermique est
proportionnelle à exp (—E J k T ) et la conductivité thermique à
~ exp (E JkT).
Cette dépendance en température fut découverte par Berman et
coll. [7] pour des cristaux de diamant (E0 ~ 0/2,6), d’hélium solide
(E0 ~ 0/2,3) *).
§ 10. Capacité calorifique phononique d’un solide

Dans chaque état quantique ks du cristal on peut exciter un
nombre quelconque de phonons vk,. Par conséquent les phonons cons
tituent un « gaz * de quasi-particules vérifiant la statistique de Bose.
En raison des interactions phononiques, dues à l’anharmonicité, le
nombre de phonons du cristal ne se conserve pas. Pour un cristal
dont la température est déterminée, les phonons se répartissent sui
vant les différents états jusqu’à obtention de l’état d’équilibre.
Pour calculer l’énergie moyenne des phonons à l’état d’équilibre
thermodynamique il convient de rappeler quelques notions de physi
que statistique. L’état d’un système à l’équilibre thermodynamique
est décrit non pas par une fonction d’onde, mais par un opérateur
statistique, la matrice densité [51. La matrice densité d’un système à
température et pression constantes est
(D*—H —pJV
p = exp 0
( 10. 1)
où 0 est la température exprimée en unités énergétiques (tempéra

ture absolue multipliée par la constante de Boltzmann) ; N l ’opéra-
*) 0 est la température de Debye du cristal en unités énergétiques (voir
§ 10).
52 PHONONS DANS LES CRISTAUX COVALENTS ET MOLÉCULAIRES [CH. U
teur du nombre de particules ; H l ’opérateur de Hamilton du systè

me; p le potentiel chimique relatif à une particule; O le potentiel
thermodynamique exprimé en fonction des variables \i et 6 .
La matrice Jdensité (10.1) décrit des systèmes qui peuvent échan
ger de l’énergie et des particules avec le milieu environnant, c’est-à-
dire des systèmes dont la température et la pression P sont mainte
nues constantes (<ensemble grand canonique). Le potentiel thermody
namique O est déterminé par la condition de normalisation de la
matrice densité
1 = Tr p = y. (s | p | s). (10.2)
9
Il est égal à
<D= - 0 ln Tr {exp }. (10.3)
La sommation (10.2) est effectuée sur un ensemble complet d’états

| s). Le résultat dépend de l’énergie et du nombre de particules du
système. Le potentiel chimique est défini par
(10.4)
> -(£ •)*
où N est le nombre total de particules du système.
La matrice densité (10.1) permet de calculer la valeur moyenne de
n ’importe quelle grandeur physique A dont on connaît l ’opérateur
A , puisque
]4 = T r{pi}. (10.5)
En particulier le nombre moyen de particules du système est
N = Tr{ptf). (10.6)
Si le nombre de particules du système se conserve, la condition
(10 .6 ) détermine implicitement le potentiel chimique en fonction
des variables N et 6 . Si le nombre de particules du système ne se
conserve pas, le système évolue vers un état d’équilibre déterminé
par le minimum du potentiel thermodynamique par rapport à la
variation duTnombre de particules
(10.7)
Ainsi, à l’état d’équilibre, le potentiel chimique d’un système

dont le nombre de particules varie (par exemple un système de pho
nons) est nul. L’énergie libre F coïncide avec le potentiel thermo
dynamique O, puisque dans le cas général
F = O + pW. ( 10. 8)
Par conséquent, lorsque \i = 0 , (10.3) et (10.8) donnent

F = — 0 ln Tr |exp ( — ^ -) } . (10.9)
Si l’on connaît l’énergie libre (10.9), on peut calculer la valeur

moyenne de l’énergie
B = r - o - ï k = - & - k r (-§ -)• <10-10>

Supposons que Tétât des particules du système soit caractérisé
par le nombre quantique s, l ’opérateur énergie H et le nombre de
particules N étant
H = y \ H s, N = ^ N ,
S S
Dans ce cas le potentiel thermodynamique (10.3) peut être écrit sous

la forme
< D = 2 <1)»» <D, = — 6 ln Tr {exp }. (10.11)
S
Dans la représentation des nombres de remplissage des états s

pour les bosons, les fonctions d’onde | v, ) sont fonctions propres des
opérateurs H , et N „ c’est-à-dire
Ht | v ,) = E , | v,>, N , | v,) = v, | va).
C’est pourquoi
T r { « p ü % ^ } = | e ip ^ Ü — ^ = ( l - e s p J t j S t ) - * .
V*
Portons cette expression dans (10.11). Nous trouvons le potentiel
thermodynamique de l ’état s:
<D, = 0 ln ( 1 - exp . (10 . 12)
Le nombre moyen de particules dans cet état est
(io.i3)
appliquons les relations trouvées aux phonons du cristal. Leurs

états sont caractérisés par le vecteur d’onde k et l’indication de la
branche vibrationnelle a. Si l ’on évalue l’énergie par rapport à l’état
fondamental E 0, les opérateurs énergie et nombre de phonons sont
H = 2 hQa (k)bfcAa + w, N= S 6£a6Ua, (10.14)
54 PHONONS DANS LES CRISTAUX COVALENTS ET MOLÉCULAIRES [CH. II
où w est l’opérateur de correction anharmonique. Cet opérateur in

troduit une petite correction dans l’énergie des phonons; c’est
pourtant lui qui réalise l’état d’équilibre thermodynamique et qui
est responsable de la non-conservation du nombre de phonons. Nous
en tiendrons compte seulement en posant p, = 0 , ce qui permet d’ap
pliquer aux phonons les formules de physique statistique relatives
à l’état d’équilibre.
A partir des expressions (10.9) et (10.13) où l ’on posera p = 0
on obtient pour le nombre moyen de phonons dans l’état | ):
v*«= (exp 1 )-1 (10.15)
et pour l ’énergie libre du cristal
F = 0 = 2 Oka = © 2 ln [ l —exp ( — fi<D° (k) ) ] . (10.16)
k,>a fc ; a
Il est particulièrement facile de calculer l’énergie libre des cristaux

isotropes dans la limite des hautes ou des basses températures.
A. B a s s e s t e m p é r a t u r e s . Supposons que la tempé
rature soit suffisamment basse pour que seuls soient excités les
phonons des branches acoustiques dont l’énergie est proportionnelle
au vecteur d’onde
tXia (k) = àVak, a*max « 0,1, (10.17)
où Va est la vitesse du son dans la branche correspondante. L’ordre
de grandeur de Va ~ 10* cm/s. Si a « 10~8 cm, ftQmai = ÆF0 A:max «
» 10~ls erg. Les conditions posées plus haut se réalisent donc si la
température du cristal est inférieure à 10 K.
Lorsque le cristal contient un grand nombre N de mailles élé
mentaires, la sommation sur tous les vecteurs d’onde peut être con
vertie en intégrale. Conformément à (4.11) et (10.17) on obtient
, ma:
No Q*dQ
1/3
2 ••• (2ji)3 ra •
Par suite (10.16) prend la forme
o
où 3V~3= 2 ; la limite supérieure de l ’intégrale peut être éten-
a
due à l ’infini, car les grandes fréquences ne contribuent presque pas
à l’intégrale. Si on introduit la nouvelle variable x = â£2/ 8 , inté-
grant par parties, on trouve

p== vNn*e*
2Q(hV)Z '
L'énergie totale des phonons à la température 6 est
E= -0 2
d m*Ne*
a e \(*>-
w / io (»v)*
et la capacité calorifique de l’unité de volume du cristal
c ’ = 4 r 4 f = ae3’ (10.19)
2 j i *x
où a s ---- =—, x est la constante de Boltzmann.
5(»V)«
B. H a u t e s t e m p é r a t u r e s . Si, pour tous les phonons,
l’inégalité Mia (k) < 0 est satisfaite, l ’équation (10.16) peut être
remplacée par l’expression approchée
F = Q ü ln (fiQa (k)/©).
k, a
L’énergie totale est alors égale à

E = 3 (Na - 1) 0 « 3AT<t0,
où a est le nombre d’atomes dans la maille élémentaire du cristal.
La capacité calorifique de l’unité de volume est
C. T e m p é r a t u r e s m o y e n n e s . Aux températures
moyennes, si l’on veut calculer l’énergie libre des phonons à partir
de la formule (10.16), il faut connaître avec précision la dépendance
£2a (k) en fonction de a et de k. Le calcul approché de (10.16) est fondé
sur les simplifications suivantes : a) lors du calcul de la contribution
dans F de tous les phonons optiques on suppose que leur fréquence ne
dépend pas de k (imodèle d'Einstein), c’est-à-dire Qa (k) = £2a0, alors
Fopt = 0 ^ 2 ln [ 1 _ exP ( — ^ .)],
2
a
où la sommation est effectuée sur toutes les 3 a — 3 branches optiques

de vibration du cristal (iV mailles élémentaires contenant chacune
o atomes) ; b) lors du calcul de la contribution dans l'énergie libre
des phonons acoustiques, on utilise le modèle de Debye. Dans cette
approximation les énergies des trois branches acoustiques sont
égales à
Vk si k<£QmlxfV,
0 si A: > Qmax/V,
où V = -|- ( - ^ - 4 - - ^ - ) 1 est la vitesse moyenne des phonons acous

tiques et &max est définie à partir de la condition [que leur
nombre total calculé à l ’aide de l ’intégrale
3vN vNQ 3
mu
2n*K* 2n*V*
soit égal à 3N . On en tire
Q m a* = V (— ( 10. 20)
On calcule l'énergie libre des phonons acoustiques en utilisant l ’ex-

pression (10.18) dans laquelle V est exprimé en fonctionne £2max à
l ’aide de l’équation (10 .20 ), et la limite supérieure d’intégration ra
menée à Qmax *
^max
Introduisons la variable x = M2 /6 et la température de Oebye QD =

= Æ£2max ; intégrant par parties on obtient l'expression* finale
Fae = vNQ [3 ln (1 - e~l) - D (|)], g= 63 6 / ,
où
Î^=T
0
est la fonction de Debye, dont les valeurs limites sont :
f ‘ -ie+A-p. s<1’
i>l-
L’énergie totale des phonons acoustiques du cristal est
E = ZvNQD (g)
et la capacité calorifique de l ’unité de volume du^cristal
c.»3x(2> (0+ e-2g® -)f 1 = 6 3 /0 .
Pour des températures élevées et pour des températures basses on

obtient
(3 * (1 -JL ?+ ...), | « 1 ,
!»»•
Le modèle de Debye est simple, parce que tout le spectre de pho
nons acoustiques peut être exprimé en fonction d’un seul paramètre :
la température de Debye d D = xT D. Dans le Tableau 3 figurent
quelques valeurs de la température de Debye TD.
Tableau 3
Températures de Debye pour quelques cristaux
Cristal Pb KBr NaCl C, diamant
Td , K 90 180 280 2000

CHAPITRE III
PHONONS DANS LES CRISTAUX IONIQUES
§ 11. Théorie macroscopique des branches optiques

de vibration
La plupart des diélectriques sont des cristaux ioniques. Dans ces
cristaux l ’énergie coulombienne joue un rôle primordial dans l'in
teraction des ions aux grandes distances. Aux très faibles distances,
la répulsion liée à l'interaction d'échange des nuages électroniques
des ions augmente exponentiellement. La somme des charges électri
ques de chaque maille élémentaire est nulle. Le déplacement d'un
ion de sa position d'équilibre fait apparaître les forces électriques
ot élastiques de rappel le ramenant à sa position initiale (minimum
de l'énergie potentielle).
Lors d’une vibration acoustique de grande longueur d’onde, les
ions d'une même maille élémentaire se déplacent de manière identi
que, et la neutralité électrique n'est pas détruite. Dans ces vibra
tions, seules les forces élastiques interviennent. C'est pourquoi les
vibrations acoustiques dans les cristaux ioniques ne diffèrent pas
sensiblement des vibrations acoustiques des atomes dans les cristaux
•covalents. Mais les vibrations optiques, qui sont liées au déplacement
relatif des charges ioniques, présentent toute une série de particu
larités.
Considérons pour simplifier des cristaux de la syngonie cubique,
•dont la maille élémentaire contient deux ions (NaCl, CsCl, ZnS, etc.).
Etudions seulement les excitations élémentaires de grande longueur
d ’onde (ka 1). Pour des excitations de ce type les cristaux cubi
ques sont isotropes. On peut donc les considérer comme un milieu
•continu et utiliser une description macroscopique du système. Cette
théorie macroscopique des vibrations optiques de grande longueur
d ’onde dans les cristaux ioniques fut découverte par Kun Huang [8 ].
Les vibrations optiques de grande longueur d'onde dans des cris
taux à deux ions par maille élémentaire correspondent aux déplace
ments R+ — R_ du sous-réseau des ions positifs par rapport à celui
des ions négatifs. Un tel mouvement relatif est caractérisé par la
masse réduite m = m++ 77t_.. Si v est le volume delamaille!élémentaire,
*
p = m/v représente la densité de masse réduite. Introduisons ensuite
§ li] THÉORIE MACROSCOPIQUE DES BRANCHES OPTIQUES 59
le vecteur déplacement
l = (R+- R _ ) / p . (11.1)
La densité d'énergie cinétique du mouvement relatif des ions est
*=4 i 2, ( n . 2)
et la densité d’énergie potentielle des forces élastiques est
Uél = ±& 1*. (11.3)
Dans les cristaux ioniques en plus des forcesélastiques F =
= —£2*1 , proportionnelles au déplacement, les forces électriques
d’interaction entre ions à grande distance jouent un rôle important.
Le déplacement des ions à partir de la position d’équilibre crée une
polarisation électrique, qui fait apparaître un champ. Ce champ
agit en retour sur les ions. La polarisation spécifique P répond d’une
part au déplacement des ions, d’autre part à la polarisation interne
des ions (déplacement des électrons par rapport aux noyaux) soumis
à l’action du champ électrique. C’est pourquoi on peut écrire sous
une forme générale
P = Yi A + V«E, (11.4)
où v12 et y 22 sont des paramètres que nous exprimerons plus bas direc
tement en fonction de grandeurs mesurables. La densité d'énergie
potentielle liée à la polarisation est déterminée par l'expression
c
V P= - \ P d E = - (y m IE + ^ -Y jjE 2) . (11.5)
0
En additionnant (11.3) et (11.5) nous obtenons la densité d'énergie

potentielle totale
ü = j O T - 2 y » E | - y 22E2). [(11 .6 )
A partir de (11.2) et (11.6) on trouve les équations du mouvement
ï = -S22! + Yi ,E. (11.7)
La partie de la polarisation spécifique liée seulement à la pola
risation interne des ions est égale à
Poo = Y22E. (11.8)
Par ailleurs, cette même grandeur est définie par la formule
P . = -^ = ± E (11.9)
en fonction de la permittivité du cristal pour des fréquences infé
rieures aux fréquences des vibrations propres des électrons dans les
60 PHONONS DANS LES CRISTAUX IONIQUES [CH. m
ions ( ~ 1016 s"1) mais supérieures aux fréquences de vibration des

ions (~ 1 0 13 s"1). Si l’on compare (11.8) et (11.9) on obtient
y zz= ^ -. (H.iO)
Pour déterminer le second paramètre v12 intervenant dans (11.4)
et (11 .6 ), il convient de remarquer que dans un champ statique E0,
les ions se déplacent de £ 0 = y12E 0/Q2 (d’après (11.7)). La polarisa
tion spécifique dans le champ statique est, conformément à (11.4),
ï\> = + Vsa) E 0.
Cette même grandeur peut être exprimée en fonction la permitti
vité e 0 dans un champ statique
Par conséquent, compte tenu de (11.10),

Vu = & V (e0 —e«)/4ji. (11.H)
Etudions à présent les vibrations propres optiques de grande lon
gueur d’onde (en l ’absence de forces extérieures), en fonction du
vecteur d’onde k (ka <C 1). Dans un milieu isotrope il y a deux types
de vibrations: les vibrations longitudinales | t || k et transversales
Xt _L k. Négligeons l ’effet des interactions retardées, liées à la pré
sence du champ électrique transversal E<. Alorsjpour les vibrations
transversales E t = 0 et l’équation du mouvement
ï i + Q * l « - 0 , st Qt = S2. (11 . 12)
Ainsi la fréquence Qt des vibrations transversales propres des ions
(si l ’on ne tient pas compte des interactions retardées) n ’est déter
minée que par des forces d’interaction élastiques.
Pour les vibrations longitudinales des ions, les vecteurs %i, P|
et E | sont parallèles. Les équations (11.4) et (11.7) deviennent
Pj = ?l*li + V22E/, (11.13)
iz + Q & - Y i 2E, = 0. (11.14)
Comme la densité moyenne des charges électriques du cristal est
nulle, on a div (E + 4nP) = 0. Pour les composantes longitudinales
il découle de cette égalité
E, + 4jiP, = 0. (11.15)
(11.13) et (11.15) permettent d’éliminer de (11.14) le champ longi
tudinal E | et d’obtenir l’équation des vibrations longitudinales
propres des ions
I l + Qfli = 0 , |i = |{#>exp (—iSitt), (11.16)
§ ü] THEORIE MACROSCOPIQUE DES BRANCHES OPTIQUES 61
OÙ
Q? = Q ?
Ço_ Q?
1+4JCYÎ2 800
est le carré de la fréquence des vibrations longitudinales.

Les fréquences des vibrations propres transversales et longitu
dinales de grande longueur d'onde sont donc liées par la relation
simple
. (H.17)
On indique dans le Tableau 4 les valeurs de £2t, e0 et e„ pour
quelques cristaux ioniques.
Tableau 4
Fréquences des vibrations transversales des ions
dans les cristaux
C ristal Qv 1013 8-1 eo e»
NaCl 3,09 5,62 2,25

KC1 2,67 4,68 2,13
T1C1 1,61 31,9 5,10
ZnS 5,71 8,3 5,07
Etudions maintenant les vibrations forcées des ions du cristal

soumis à un champ électrique extérieur transversal (t) =
= (0) exp (—i(ùt) de fréquence donnée <û. L’équation (11.7)
devient
ï + Q2S = Vu E . (t).
Posons 1 = lo exp (—ûof). La solution est
= "Qîzrjî" E«* (*)•
En substituant cette valeur dans (11.4) on obtient la polarisation spé
cifique du cristal soumis à un champ extérieur E» (t) de fréquence o
P« « = (■Q Î-S Î+ V a ) B . (O- (11-18)

Par ailleurs, on sait que la polarisabilité est liée à la permittivité
e (co) par la relation
P « W - - £t F *-E .(«). (11.19)
Comparant (11.18) et (11.19), nous obtenons compte tenu de (11.10),
62 PHONONS DANS LES CRISTAUX IONIQUES [CH. III
(11.11) et (11.17)
(eo—Coo) QJ Coo(Qf—co2)
c (œ) = eoo4 Q2—G)2 Qf—co2
( 11. 20)
Cette expression montre que la fréquence propre de vibration

longitudinale est un zéro de la permittivité et la fréquence de vibra
tion transversale un pôle de la permittivité.
La figure 15 illustre la variation de la permittivité en fonction
de la fréquence. En vertu des équations de Maxwell la permittivité
caractérise la propagation d'une onde électromagnétique de fré
quence donnée à travers le cristal. Dans un cristal une onde plane de
fréquence co doit être de la forme
E* (r, t) = E 0 exp [i (kr — co*)h (11.21)
où le vecteur d’onde k s’exprime en fonction de la fréquence à l’aide
de l’égalité
k2 = -^pe (co). (11.22)
Posons k = kg + ik. et introduisons l ’indice de réfractio n ^ (co)
Fig. 15. Variation de la permittivité e, des carrés de l ’indice de réfraction n2

et du coefficient d’absorption x2 en fonction de la fréquence.
et le coefficient d’absorption x (w) en utilisant la relation

(k 1 + ik 2)2 = — - ( n + Î X ) 2 .
Compte tenu de (11.12) on a
n2 — x2 = e (©), me = 0.
THÉORIE MACROSCOPIQUE DES POLARITONS 63
Par conséquent, lorsque e (co)> 0 et x = 0, n (g>) = Y e (œ), et

l’onde plane (11.21) se propage avec un vecteur d’onde réel
fc1 = -— / e ( t ù ) , *2 = 0.
Si e (<o) < 0, n = 0, x = Y —e (a>) l’onde plane (11.21) possède ua

vecteur d’onde imaginaire
*1 = 0, *2= -j-V — e(cù) ,

c’est-à-dire dans le domaine de fréquences co, où e (co) est négatif,
l’amplitude de l ’onde électromagnétique décroît exponentiellement
au fur et à mesure de sa propagation.
§ 12. Théorie macroscopique des polaritons

Lorsque nous avons étudié, dans le paragraphe précédent, les
plionons optiques transversaux, nous n’avons tenu compte que des
interactions coulombiennes statiques entre les ions. En outre, les
vibrations optiques transversales des ions donnent naissance à une
onde électromagnétique transversale qui assure le transport des
interactions retardées entre les mouvements ioniques. Les interac
tions entre les quanta (photons) du champ électromagnétique libre et
les phonons des vibrations optiques transversales deviennent parti
culièrement importantes lorsque l’énergie et le vecteur d’onde des
deux types de particules sont voisins. Dans ce cas, les états station
naires du cristal correspondent à un « mélange » de phonons et de
photons. Ces nouvelles excitations élémentaires furent appelées
polaritons [91.
La théorie macroscopique des polaritons dans les milieux isotropes
repose sur l ’existence, dans le deuxième membre des équations (11.7)
et (11.4) pour les vibrations transversales des ions, d’un champ électri
que transversal
%t + == VisEf» (12 . 1)
Pt = Yi2 (12 .2 )
Ces équations doivent être complétées par les équations de Maxwell
rot H = —•(È, + 4nPt), rot E, = ——H, (12.3>
div H = 0. div (E, + 4nPt) = 0, (12.4>
reliant les champs transversaux H et E* à la polarisabilité transver
sale. Pour des champs transversaux, les équations (12.4) sont automa
tiquement vérifiées. Cherchons la solution du système (12.1) à (12.4)
64 PHONONS DANS LES CRISTAUX IONIQUES [c h . m
sous la forme
Ex Px
Exo P*o
On obtient le système
(2 Î - » " ) | , - T „ £ t - 0 , J ï,,
Px = y i& + y * E x, kHy = -y (Ex + 4nPx).

Ce système n’admet de solutions non nulles que si
- ^ - = 4* +
Substituant à y22*V12 et Qi leurs expressions (11.10), (11.11) et (11.17)

on a en définitive
Clkl £oo(Ûf—ü>*)
<ûa Qa—<ûa (12.5)
Le deuxième membre de cette égalité coïncide avec la permittivité

e (co) du cristal (11.20) en l'absence d'interactions retardées.
L’équation (12.5) permet d'exprimer la valeur du vecteur d’onde
k en fonction de la fréquence réelle donnée o, et donc de définir la
propagation dans le cristal d'une onde électromagnétique de fré
quence donnée. Par ailleurs, on peut résoudre l’équation (12.5)
par rapport à la fréquence co et définir la fréquence des nouvelles exci
tations élémentaires, les polaritons, en fonction du vecteur d'onde
réel k. L'équation (12.5) est du quatrième degré en o)
eooû)4 — (o2 (eoo£2? + lâcr) + kz<rQ\ = 0. (12.6)
Compte tenu de (11.7), les solutions de (12.6) peuvent s'écrire sous
la forme
2eoooi,2 = Q(C0 + c m ± V (Q?eo + c2*2)2—4 ( 1 2 . 7 )
Lorsque k est petit, les deux solutions (12.7) deviennent
( 12. 8)
©J (k) = e2&*/e0.
VU
Lorsque k est grand ( t > S ' r ^ ) , mais restant dans les limites
d ’tine description macroscopique (ka < 1),
c»fc* (12.9)
<<>: (DÎ = Q?.
8oo
§ 12] THÉORIE MACROSCOPIQUE DES POLARITONS 65
Il y a donc deux branches d'excitations élémentaires (polari-

tons) : une première branche dont les fréquences sont comprises
entre 0 ^ Ox (k) < Qt et une deuxième branche de fréquences com
prises entre
Qi 'C w2 (k) < oo.
Pour des grandes valeurs de à;, la première branche coïncide avec
l’excitation de phonons transversaux, et la deuxième est liée à la
Fig. 16. Variation des fréquences (Dj et co2 des deux branches de polaritons en
fonction du vecteur d’onde k (à droite). Variation des carrés de l ’indice de ré
fraction n2 et du coefficient d’absorption x2 en fonction de la fréquence co (à
gauche).
présence de photons dans le milieu de permittivité e». Cependant

au voisinage des valeurs k = j/’eÿV c, les polaritons se présentent
sous la forme d’un « mélange » complexe de photons et de phonons.
Sur la partie droite de la figure 16, on a représenté les deux bran
ches de fréquences des polaritons, sur la partie gauche, la variation
de l’indice de réfraction n et du coefficient d’absorption en fonction
de la fréquence co de l’onde électromagnétique associée à ces excita
tions. Les excitations polaritoniques ne sont rien d’autre que des
ondes électromagnétiques stationnaires dans le cristal. L’énergie
de ces ondes renferme naturellement l’énergie de polarisation des
vibrations cristallines.
Dans la région de transparence du cristal, les polaritons (dans
la limite des grandes longueurs d’onde) coïncident avec les photons
dans le cristal, puisqu’ils se distinguent des photons libres de même
fréquence seulement par une longueur d’onde plus petite (de n fois).
La première branche polaritonique décrit des photons de fréquence
inférieure à Q*, la deuxième des photons de fréquence supérieure
à Q/.
•5-0534
Plus haut, nous n’avons pas tenu compte de la dispersion des

phonons transversaux. Par la suite il faut avoir en vue que : 1) la
formule (11 .20 ) n’est valable qu’en dehors de la bande d’absorption
(ci) =,£ Qt). C’est pourquoi les branches polaritoniques trouvées cor
respondent aux ondes électromagnétiques du cristal dans la région
de transparence. Si on tient compte de la durée de vie finie des pho
nons transversaux, les états polaritoniques présenteront eux aussi
une durée de vie finie ; 2 ) la permittivité macroscopique est définie
seulement pour des cristaux de dimensions suffisamment importan
tes par rapport à la longueur d’onde du rayonnement électromagné
tique. C’est pourquoi on ne peut parler d’états polaritoniques que
dans le cas de cristaux dont les dimensions sont supérieures à la
longueur d’onde du rayonnement; et enfin 3) dans les paragraphes
précédents on a supposé que le champ électromagnétique était situé
dans le cristal et ne le quittait pas. Ceci n ’est valable que pour les
cristaux limités par des parois parfaitement réfléchissantes, ou dont
la dimension est infinie. Les cristaux de dimensions finies émettent
un champ électromagnétique. Ceci réduit encore la durée de vie des
polaritons.
§ 13*. Théorie quantique des polaritons
Les polaritons sont des excitations élémentaires du cristal ioni
que, constituées par l ’association d’un champ électromagnétique
transversal et du déplacement relatif des ions. Ce déplacement des
ions par rapport à la position d’équilibre donne naissance à une
polarisation. Par ailleurs une polarisation apparaît aussi, les ions
étant fixes, lors du déplacement du nuage électronique par rapport
au noyau. Cette polarisation électronique du cristal est caractérisée
par la permittivité e» (dans le domaine de fréquences des vibrations
ioniques). On tient compte de la polarisation électronique lorsque
l ’on assimile la propagation de l’onde électromagnétique dans le
cristal à la propagation d’une onde dans un milieu continu de permit
tivité e«,. Contrairement à la vitesse de la lumière dans le vide c, la
vitesse de propagation dans le milieu est égale à c lY Coo-
On se propose de quantifier ce champ. Considérons la densité
de la fonction de Lagrange
= -gjj- (e<x>E2— H2), (13.1)
où E et H représentent les intensités des champs électrique et magné

tique. Ceux-ci peuvent être exprimés en fonction du potentiel vecteur
A à l ’aide des égalités
E = ——
c
Â,’ H = rot A,* div A = 0. (13.2)
§ 13] THÉORIE QUANTIQUE DES POLARITONS 67
Sachant que
dXj
d\
— rot rot A
et en résolvant les équations de Lagrange on obtient la première équa
tion de Maxwell
—c 4§-
dt
= rotH . (13.3)
Les trois autres équations de Maxwell résultent automatiquement des
égalités (13.2)
—
c dt
= —rot E, div H = div E = 0.
Les relations (13.3) et (13.2) nous permettent de trouver l’équation

du mouvement pour le potentiel vecteur
A— C Çoo- V2A = 0. (13.4)

Conformément à (13.1) l’impulsion généralisée B conjuguée du
potentiel vecteur A est définie par l’expression
b =^ =- & l <,3 -5>

La fonction de Hamilton exprimée en fonction du potentiel vecteur
et de l’impulsion généralisée prend la forme
^ = i H (e~E2+H2)d3r==î ( ^ B2+-4-<rotA>2) d3r- <i3-6>

Supposons que le cristal de la syngonie cubique ait la forme d’un
cube d’arête L. Si la constante du réseau est a, son volume sera
V = L3a3. Les conditions cycliques aux limites s’appliquent tant
au déplacement des ions qu’au champ électromagnétique enfermé
dans le cristal. On peut donc utiliser la transformation de Fourier
A (r, t) = 2 eP(Q) AQp (0 ^ p = A-Q. p- (13*7)

V Q. P
fe(r, 0 = - 4 r S ep(Q)2?Qp(0e-«*, BQp = B t q. p, (13.8)

V Q. P
où les composantes du vecteur d’onde Q parcourent une série infinie

de valeurs discrètes
2 jiv /
Qi , Z= 1,2, 3; V| = 0, ± 1, ± , . . . , (13.9)
ep (Q) sont les vecteurs unitaires de polarisation des ondes véri

fiant les conditions *)
Qep (Q) = 0 , ep (Q) e p (Q) = ôp3, p, (J = 1, 2 . (13.10)
Le potentiel vecteur (13.7) vérifie l’équation (13.4) lorsque les

<4qp (0 oscillent harmoniquement dans le temps
Aqp (t) = Aqp (0) « -‘“Q*, <o^ = — Q*.(13.11)
Pour passer à la description quantique du système, il convient de

remplacer A qp et B qp par des opérateurs vérifiant les relations de
commutation
lAjp W* ^Q'P* WJ = ÉfcÔqq^ ^ .
Dans la représentation des nombres de remplissage les opérateurs
i Qp et 5 qp doivent être exprimés en fonction des opérateurs de
Bose de création oqp et d’annihilation uqp des excitations élé
mentaires du champ électromagnétique (photons)
avec
f^Qp» ^ Q i P i ) — ^Q i.Q ^P.Pi» fa Qp* a Q i * p J — 0 -
En effectuant les transformations (13.12) dans (13.7) et (13.8)
on obtient l’opérateur potentiel vecteur et son conjugué impulsion
généralisée
-— ^ e p C O J ^ ^ P + û t Q . P),
Q. P Q
(13.13)
B ( r , « ) - * 2 ] / - ^ g l e p(Q)e-*Q'(a^p- a _ Q, p).
Q. P
*) Les vecteurs réels ep ( Œ sont définis de manière non univoque par les
conditions (13.10). On peut utiliser une autre paire de vecteurs unitaires dans
le plan perpendiculaire à Q. A la place des vecteurs réels ep (Q) caractérisant
la polarisation linéaire des photons, on peut utiliser les vecteurs complexes
e+ ( Q ) = ~ [ e x (Q)+<et (Q)] et c_(Q) = - — [ex (Q )-te,(Q )]
caractérisant les polarisations circulaires droite et gauche.

S 13] THÉORIE QUANTIQUE DES POLARITONS 69
En passant dans (13.6) aux opérateurs (13.13), en intégrant sur le

volume du cristal et en tenant compte de l ’égalité
lQep (Q)l IQePl (Q)l = Q2ôppt,
nous obtenons l ’hamiltonien du champ électromagnétique dans le
cristal
Sf = 2 («Qp^Qp+t) • (*3.14)
Q .P
L’opérateur champ électrique
E (r,t) = i S Y e P ( 0 ) e ‘Q r (°Q p - a - Q . P) ( 1 3 .1 5 )
Q. P
est tiré de (13.2) lors du passage aux opérateurs (13.13).

Dans un milieu isotrope, les ondes électromagnétiques sont trans
versales et n’entrent en interaction qu’avec la polarisation trans
versale du cristal. Soit P le vecteur de la polarisation spécifique ré
pondant au seul déplacement des ions par rapport aux positions
d’équilibre. L’énergie d’interaction (rapportée à l’unité de volume)
du champ de polarisation transversale avec le champ électrique d’in
tensité E est
C/int = - P E . (13.16)
Si l’on néglige la dispersion en fréquence Qt des vibrations optiques
transversales, la densité des énergies cinétique et potentielle du
champ de polarisation du cristal est
K = -~ pP2, C 7 « -|P Q?P2* (13.17)
Les paramètres p et Qt interveiutnt dans (13.17) seront définis par
la suite.
La fonction de Lagrange (rapportée à l ’unité de volume) pour
le champ de polarisation en interaction avec le champ électromagné
tique est, compte tenu de (13.17) et (13.16)
2 p = i- p ( I * - Q ? P 2) + PE. (13.18)
Cette expression permet de trouver les équations de Lagrange pour
le champ de polarisation
ft(P+£2ÎP) = E. (13.19)
Ainsi, en l’absence de champ E, les vibrations propres du vecteur
polarisation vérifient l’équation
P+Q ?P = 0.
La grandeur est donc la fréquence propre des vibrations trans-

versales de la polarisation. Conformément à (13.19) dans un champ
statique E = E 0 un déplacement des ions donne naissance à une
polarisation
P 0 = Eo/pQ?.
Par ailleurs, si e0est la permittivité du cristal dans un champ cons
tant, on sait que la polarisation spécifique P 0 est donnée aussi par
l ’expression
—Coq En.
An *a° m
En comparant ces deux expressions nous trouvons
An
p- a?(e.-e„) * (13.20)
La fonction de Lagrange (par unité de volume) du champ électro

magnétique et de la polarisation transversale est égale à la somme de
(13.1) et de (13.18), c’est-à-dire
X = 4 r [ - £ - À * - (rotjA)*] (P2- ^ 1*) “ 7 pÀ- (13-21)

Les impulsions conjuguées B et II respectivement du potentiel vec
teur A et de la polarisation P sont définies d’après les règles générales
B= ^ - = 4 ^ i - A - | p, n = — =pp. (13.22)
aa **-c ap
Par conséquent la fonction de Hamilton [(rapportée à l’unité de
volume) est
S p k i - ^ = -ST 'À2 + (rot!A)5} + Y 5 'P 2 +S2ÎP2). (13.23)
Pour simplifier le passage à la description quantique, il faut rempla

cer dans cette expression les vitesses généralisées par les impulsions
généralisées à l ’aide de (13.22). En intégrant sur le volume du cristal
on obtient alors la fonction complète de Hamilton
W = w f + w p + Win u (13.24)
où
( r o t A )a
(13.25)
w'P= - ÿ - 2 fn » + P 2Q*p “i’ (13.26)
Ancv
w (13.27)
int:
€oo 2 B (n) Pn
§ 13] THÉORIE QUANTIQUE DES POLARITONS 71
où v représente le volume de la maille élémentaire ; Pn, Dn sont les

valeurs de la polarisation spécifique et de l'impulsion conjuguée
de la n-ième maille élémentaire du cristal.
L’expression (13.25) coïncide avec (13.6). Nous avons montré
plus haut qu’en remplaçant A et B par les opérateurs (13.13), nous
obtenions l’opérateur de Hamilton (13.14).
La fonction de Hamilton du champ de polarisation (13.26) devient
l’opérateur de Hamilton
S f, = 2 (&wA« +1/2) (13.28)
k. a
lorsque Pn et ü n sont remplacés par les opérateurs
Pn = ]/2 P 7 5 7 2 e a (k)e«“ (&k«+ft+t , Œ

), (13 29)
k. a
nn = Î y ea (k) (« .-& _ * , a).(13.30)

k/a
Dans (13.28) à (13.30) la sommation s’étend à toutes les N valeurs
du vecteur d’onde k de la première zone de Brillouin et à deux valeurs
de a caractérisant les . deux polarisations possibles des vibrations
transversales des ions.
Enfin, si l’on remplace dans (13.27) les grandeurs B et P par
leurs opérateurs (13.13) et (13.29), on obtient l’opérateur d’interac
tion du champ de polarisation et du champ électromagnétique :
hDk (a—k, a —û£a) (Ùka“H&-k. a)» (13.31)

k, a
où
—®oo)
(e0
D k = -0 £ k = Q. (13.32)
VeoEoo
L’égalité (13.31) montre que des pilotons de vecteur d’onde Q situé
en dehors de la première zone de Brillouin n ’entrent pas en interac
tion avec les vibrations optiques transversales (phonons) des ions du
cristal.
Si l’on exclut les termes correspondant à l’énergie de zéro et aux
vecteurs d’onde Q qui ne sont pas situés dans la première zone de
Brillouin, l’opérateur de Hamilton du système de phonons et de
photons transversaux s’écrit
(13.33)
k. a
72 PHONONS DANS LES CRISTAUX IONIQUES [CH. n i
OÙ
ka = Æ-Cûk (flka^ka “t" k, a#—k, a) (Ùka^ka“l” Ùt.kt a&—k, a) —
— D k [(aJa — û-k. a) (&ka + &-k. a) + (^ -k t a — <*ka) (&-k. a + ^ka)]*
(13.34)
Dans les cristaux isotropes co* et Z)k ne dépendent pas de l'indice de
polarisation a qui sera omis par la suite pour simplifier l'écriture.
Pour diagonaliser l ’opérateur (13.34) il convient d’effectuer la
transformation canonique donnant de nouveaux opérateurs de Bose
Pu = iVia k + i Wf c — *W>- k, H= 1 , 2 t ( 1 3 . 35 )
u^t et vî sont les quatre fonctions réelles paires de k choisies de
telle sorte que l ’on puisse écrire l ’opérateur (13.34) sous la forme
2
Sfv. - S (k) Pîfti + E 0 (13.36)
11-1
et que les opérateurs p^ vérifient les relations de commutation de

Bose
[Pu» P îil= (13.37)
Substituant (13.35) dans (13.37), compte tenu de la commutation
des opérateurs phononiques et photoniques, on obtient le système
2
(uiiHVii = (13.38)
Les valeurs de dans (13.36) correspondant à tous les k de la pre

mière zone de Brillouin représentent l ’énergie de nouvelles excita
tions élémentaires: les polaritons. Pour calculer il convient
d’exprimer le commutateur [pu, 3£*\ de deux manières: a) substi
tuons dans le commutateur la valeur (13.36), alors
(Pi»*!^ iJ = Pii> (13.39)
b) portons d ns le commutateur les valeurs (13.34) et (13.35), alors
4 “ IR*» — K i® * + D * K z + » « )] ak +
+ K A — D k K l — l>ul)] &k + K i © k — D * (U|i2 + um2)I a - k +

+ K A —D*. K i —fni)l 6 -k- (13.40)
Comparant les expressions (13.39) et (13.40), compte tenu de (13.35)
on obtient le système
(©ii—©*) Ujii®=Dk (um 4-1,i»î)i («V+ ©k) ^hj a Ek (Um+Piiî),
(©!»— —u»i)> (© |i+ ûi) V|i| = D i (Ujii- P|u). (13.41)
§ 14] THEORIE DES INTERACTIONS PHONONS-LUMIÊRE 73
Il en résulte les égalités

Û>H—û)k û l — (Ou
yU2 '
permettant d’éliminer 1;,^ et v^2. On obtient donc le système homo
gène de deux équations
((ùh~-(D)é) (û)|i -f" Qj) (2QiD*iLVi«= 0 ,
(13.42)
2<ùkZ?ktyii —{—(û)ji -j" (ûk) — - Q/] Uji2 —0.
La résolution de ce système conduit à l’équation
c* k * i , û?cf k*
<0
• - “ s [ “ î + ^Coo
e - ] J +i • e
Eoo J( « . 4 3 )
définissant les deux branches des nouvelles excitations élémentaires

<ù‘ (k) = — (Q?e0 + <** ± Y (eoQ* + c2k2)2—4£2*c2k 2eoo) . (13.44)
Ces valeurs correspondent exactement aux solutions (12.7) obtenues
dans la théorie classique.
On peut résoudre l’équation (13.43) par rapport à c2k2 pour une
fréquence fixée co. Nous obtenons ainsi la permittivité du cristal
c*k* e o o (Q î-û > * ) ,40
— = Qt-tû» (13‘40>
caractérisant la réponse du cristal à une stimulation extérieure.
L’expression (13.45) est aussi valable pour des fréquences polarito-
niques co comprises dans la « fente » (Q* ^ e> &/)• Dans cette
région k est imaginaire pur. Il détermine la décroissance de l’ampli
tude de l’onde plane de fréquence (o se propageant dans le cristal.
Compte tenu de (11.17) la permittivité (13.45) devient
, . C*k* û î( C o — Coo)
8 (®) ——Qi—co» ^ ^ (13.46)
§ 14. Théorie élémentaire des interactions

phonons-lumière
L’interaction des photons avec les phonons dans un cristal se
manifeste dans les phénomènes d’absorption, d’émission et de diffu
sion de la lumière. Nous avons montré dans les paragraphes précé
dents que pour un cristal à a atomes par maille élémentaire, il y avait
3a branches de vibrations de fréquences Qa (k) (a = 1, 2, . . ., 3a).
L’opérateur de Hamilton de ces vibrations est
= 2 W (&î«Aa + y ) . (14.1)
k. a
L’opérateur du vecteur déplacement de l’atome de masse de la

maille élémentaire n de la branche a est de la forme
C(n1? = S | ^ ^ 3 ^ er(k )t6 w a+ fe+

- k. « ] e ^ , (14.2)
p = 1 , 2 , .. a.
Les vecteurs unitaires eâ) (A) caractérisant la direction des vibra
tions vérifient les relations
4 “) ( k ) e r ) (k) = Ôa'«. (14.3)
Supposons que a désigne les branches vibratoires pour lesquelles

le moment électrique de la maille élémentaire varie. L’opérateur
de ce moment est défini par l’expression
d<“>(n) = 2 2n n w AW{k)(b*a + b t k - a)eika'

0=t k
(14.4)
où ep est la charge électrique de l’atome P;
d<“>(k) = 2 - ^ 4 0 ,(k). (14.5)
Dans les opérations de symétrie du cristal, les composantes de

ce vecteur (14.5) se transforment comme les coordonnées x, y, z.
Cet opérateur est donc différent de zéro pour les branches de vibra
tions relatives aux mêmes représentations irréductibles du groupe
ponctuel d’un cristal que les coordonnées x, y, z. Par exemple, pour
les groupes ponctuels C2h (Tableau 5) et D« (Tableau 6 ) le moment
Tableau 5 Tableau 6
Représentations irréductibles Représentations irréductibles
du groupe du groupe D 2
D2 E Ci ci
Ai 1 1 1 1 X2 , P 1 , 2»
Bi 1 1 — 1 — 1 xy, z
B. 1 — 1 1 — 1 xz, y
Ba 1 — 1 — 1 1 yz, x
dipolaire est différent de zéro seulement pour les vibrations de repré

sentations irréductibles respectives A u, B u et Bu J92, B3.
L'opérateur d'interaction des phonons de la branche a avec le
champ électromagnétique caractérise l’absorption et l'émission des
phonons. Dans l'approximation dipolaire, il s’écrit
cînt = — 5 <&0>E (n), (14.6)
n
où E (n) est l’opérateur champ électrique au nœud n. On peut l’ex
primer en fonction des opérateurs de création et d'annihilation des
photons (voir (13.15))
E (n) = i ] / ^ ^ eP ( Q ) V ^ Q K p "« -Q , p) * ‘Q n. (14.7)

Q. P
où ep (Q) est le vecteur unitaire de polarisation du photon de vecteur
d’onde Q; e la permittivité du cristal conditionnée par tous les autres
états excités ne participant pas aux interactions photon-phonon
étudiées.
La fréquence g)q répond habituellement à une région de trans
parence du cristal. Les opérateurs a$p et a<jp sont les opérateurs de
création et d'annihilation des photons dans le cristal, c'est-à-dire
des polaritons (relatifs aux excitations électroniques des ions) de
fréquence ü)q et de vecteur d’onde Q. Par la suite dans ce paragraphe,
ces polaritons seront appelés photons dans le cristal ou simplement
pilotons, pour ne pas les confondre avec les polaritons infrarouges
correspondant aux vibrations optiques des ions du cristal, considé
rées au § 14.1. Substituant (14.5) et (14.7) dans (14.6) on obtient
l’opérateur d’interaction des photons et des phonons
—« S ] / (eP (Q) d(a) (Q)) (b*-Q, a&Qa) (aQp- a i Q, p).

Q. P
(14.8)
Les termes de (14.8) proportionnels aux opérateurs bqa ûqp et &QaûQP
sont responsables de la transformation d'un photon en phonon et
réciproquement. Convenons de représenter les opérateurs ûqp, bqa
respectivement par une ligne ondulée et pointillée, dirigée vers le
point nodal et les opérateurs oqp, bqa par les mêmes lignes sortant
du point nodal. Le processus d'échange de photons et de phonons peut
être représenté par deux graphiques (fig. 17, a). Conformément à
(14.8), ces processus sont possibles lorsque:
1 ) les vecteurs d’onde du photon et du phonon coïncident (loi
de conservation de l ’impulsion) ;
2) le vecteur de polarisation du photon ep (Q) n’est pas perpen
diculaire au moment dipolaire de la vibration da (Q) ;
3) la loi de conservation de l ’énergie est vérifiée

Acoq = HQq.
En première approximation, la probabilité d’un tel échange dans
l ’unité de temps est exprimée par la formule générale de mécanique
quantique (loi d’or de Fermi 151)
■ S H - ? - 2 1</1^ ,nt 1 ,2 6 < * '- •E *>' (14-9)

/
où Ef et Ei sont les énergies de l’état final et de l’état initial du
système. La sommation s’étend à tous les états finals / satisfaisant
Fig. 17. Représentation graphique des échanges photon-phonon (a) et du proces

sus de diffusion Raman (6).
aux conditions requises. Soit p ( Ef ) le nombre d’états compris dans

l ’intervalle d’énergie unité et dans l’unité de volume. Si, dans (14.9),
on remplace la sommation par l’intégration sur E f, on obtient
T T - i r l </l tfint I*>Pi> (*/). E* - Ef (14*9a)

En particulier, lorsque le système passe de l ’état | i) = | / 2q p , v q œ )
à l’état | / ) = | «Qp — 1 , vna + 1 >, émettant un phonon de fré
quence <û (dans l’unité d’angle solide axée sur la direction des im-
û)91
pulsions), on obtient p (Ef) = ^ 2ro)â * conséquent, la proba
bilité de cette transition dans l’unité de temps est
4 r — s é r I e» « > d<“ (Q) f " » ('’« + * ) .

où VQa et tzqp sont les nombres de phonons et de photons dans l ’état
initial et v la vitesse du phonon.
Cette expression ne décrit l’absorption de la lumière par le
cristal que dans le cas où par suite de l’interaction avec tous les
autres degrés de liberté vibrationnels du cristal, l’énergie de la
vibration optique se répartit entre tous ces degrés de liberté pendant

un temps de beaucoup inférieur au temps nécessaire pour le proces
sus inverse de transformation du phonon optique en photon.
14.1. Diffusion de la lumière sur des polaritons correspondant
aux vibrations optiques des ions. Le déplacement des ions hors de
leur position d’équilibre peut modifier la polarisabilité de la maille
élémentaire du cristal. Pour la branche de vibration a, cette varia
tion est égale à
Aaij (n) = S Bik <(P) £i°° 0“. P)- (14.10)
P. i
Comme la polarisabilité a u est un tenseur symétrique d’ordre deux,
(14.10) est différent de zéro seulement pour les branches vibratoires
correspondant aux représentations irréductibles selon lesquelles se
transforment les coordonnées cartésiennes x, y, z et en particulier
pour les branches vibratoires totalement symétriques. Pour des
cristaux de groupe ponctuel et Z)2, la polarisabilité doit varier
pour des vibrations de représentations irréductibles A g, Bg et A ^
Z?!, Z?2># 3 (voir Tableaux 5 et 6 ). Ces vibrations sont appelées actives
dans le spectre Raman, parce qu’elles apparaissent en diffusion
Raman. Dans les cristaux présentant un centre de symétrie, les
vibrations actives dans le spectre Raman sont inactives en infra
rouge et réciproquement. Dans les cristaux qui n’ont pas de centre
de symétrie, il peut y avoir des vibrations actives tant en Raman
qu’en infrarouge.
Dans un champ électrique la polarisabilité (14.10) fait apparaître
un moment électrique supplémentaire
APj (n) = ü Aa0 (n) £ ,(n ).
j
C’est pourquoi l’interaction des vibrations modifiant la polarisa
bilité du cristal avec le champ électrique des photons dans le cristal
est donnée par l’expression quadratique par rapport à ce champ
- S El (n) APj (n) = - V, E, (n) A< $ % (n). (14.11)
I. n n,l.j
En remplaçant dans cette expression les intensités de champ électri
que par les opérateurs (14.7) et les déplacements définis dans (14.10)
par les opérateurs (14.2) nous obtenons l’opérateur d’interaction du
champ électromagnétique et de la branche vibratoire a dans la re
présentation des nombres de remplissage. Cette interaction déter
mine la diffusion Raman des photons dans le milieu (ou des polari
tons de fréquence <oq) :
= 2 âpp' (Q» Qf) (fr-k , a*l- &lca) (®Qp —
P. P'
Q. Q'
— ® -Q . p) (® Q'p' — (14.12)
OÙ
J W (Q. Q') = 2 / — Bl >- * («) ep' (0 ) w (Q') «2? (k).

L I, a
k = Q—Q'.
On étudie habituellement la diffusion Raman lorsque a)n, coq* »
» Qa (k). Dans ces conditions les termes de l ’opérateur (14.12) vé
rifiant la loi de conservation de l ’énergie ne contiendront que les
produits des opérateurs
Ôq - Q ', aÛQ'p'flQp» a Q 'p 'a QP6 Q '- Q . a -
Ces produits représentent les processus de diffusion de photons avec
émission d’un phonon (composante Stokes) et de diffusion de photons
avec absorption d’un phonon (composante anti-Stokes). Ces processus
se laissent illustrer par le graphique de la figure 17, b.
Le premier processus correspondant à l’opérateur
âpp' (Qi Q ) &Q-Q\ aÆQ'p'ÆQp (14.13)
peut être considéré comme la désintégration d’un photon dans le
cristal en un phonon et un photon de lumière diffusée.
Nous avons montré dans les paragraphes 12, 13 que, dans les
cristaux ioniques, les vibrations transversales des ions étaient
continuellement liées à un champ électromagnétique de même fré
quence. C’est pourquoi les excitations élémentaires de vecteur d’onde
donné ne sont pas véritablement des phonons, mais des polaritons.
Dans les études d’absorption et de réflexion de la lumière par les
cristaux dans le domaine des fréquences infrarouges correspondant
aux vibrations des ions on observe une bande d’absorption à la fré
quence Qt ; les polaritons ne se manifestent que dans le fait qu’il
y a réflexion totale de la lumière pour les fréquences correspondant
à la « fente » du spectre polaritonique. Toutefois les limites de cette
« fente » sont déterminées par les fréquences Q* et Q t caractérisant
les vibrations ioniques transversales et longitudinales en l’absence
d’interactions retardées. Le pôle de la permittivité du cristal, carac
térisant la position de la bande d’absorption résonante et la courbe
de dispersion de l ’indice de réfraction se situe également aux fré
quences (o = Q*.
Lorsqu’une onde lumineuse de fréquence co correspondant à la
fréquence d’absorption de l ’infrarouge ((o = Qt) tombe sur le cristal,
elle donne naissance à l’intérieur du cristal à une onde spatialement
inhomogène (amortie^, ne correspondant à aucune valeur bien dé
finie du vecteur d’onde.
Lors de la diffusion Raman de la lumière, la variation de fré
quence des photons est liée au transfert d’une partie de leur énergie
aux excitations élémentaires. Dans les cristaux ioniques, ces exci-
§ U] THÉORIE DES INTERACTIONS PHONONS-LUMIÊRE 79
tâtions sont des polaritons. La désintégration du photon incident

donne alors naissance à un polariton et à un photon diffusé. Si o>Qr
®Qv Q* Qi soHt les fréquences et les vecteurs d’onde des photons inci
dent et diffusé, Q (k) et k sont la fréquence et le vecteur d’onde du
polariton, alors les égalités
cûq = o)q1 + Q (k), (14.14)
Q = Q, + k (14.15)
représentent pour la diffusion R aman les lois de conservation de
l’énergie et de l ’impulsion. Soit 0 l’angle de diffusion. Il résulte de
(14.15)
k2 = Q2 + QJ - 2QQj cos 0, (14.16)
où
Q = ra(û)Q) - ^ , Qi = n (<dq,) —j *-.
n (<ù) est l’indice de réfraction pour des photons de fréquence <o.
Pour une diffusion sous de petits angles, (14.16) devient
k 2 = (Q - Q!)2 + 02QQ1.
Comme ©q ^ Q , on peut poser | Q—Qi | = £2 | (■ fjjL J> QQi «
G*
» Q 2 = w2 ^(i)q) on obtient l ’égalité
reliant, pour chaque angle de diffusion, le vecteur k et la fréquence £L

Les polaritons ne diffèrent sensiblement des phonons et des pho
tons de même fréquence que pour dos vecteurs d’onde k « k 0 =
s i £2tn (Qt). La branche inférieure des polaritons pour k «C kQ
coïncide avec les photons, et pour k A:0, avec les phonons des
vibrations transversales (si l ’on ne tient pas compte des interac
tions retardées). Lorsque coq Q*, l’inégalité Q » k 0 est
satisfaite. Habituellement, dans les expériences de diffusion Raman,
on observe les photons diffusés sous un angle de 90°. Dans ce cas,
d’après (14.15) k = Y 2Q ^ k 0, c’est-à-dire dans le processus de
diffusion interviennent des polaritons de fréquence Q*, pratiquement
indiscernables des phonons.
Pour de petits angles de diffusion (<10°), k se rapproche de k Qy
et la diffusion fait intervenir des polaritons de fréquence inférieure
à Q f Au fur et à mesure que l’angle de diffusion diminue, la valeur
de k et la fréquence des polaritons diminuent. Lorsque k <C k 0, les
polaritons coïncident pratiquement avec des photons de grande Ion-
80 PHONONS DANS LES CRISTAUX IONIQUES [CH. UI
gueur d'onde. On peut alors considérer la diffusion Raman comme

une diffusion de photons de grandes fréquences sur des photons de
fréquences petites. Une telle diffusion est liée à la non-linéarité des
interactions (14.11) par rapport au champ.
Cette diffusion sur des polaritons de fréquence infrarouge ne
peut être observée que pour les cristaux ne possédant pas de centre
d'inversion. Les branches actives simultanément en infrarouge et
h w ,eV
y h w L0
0,080
0,046 ÙWjo
- f w T ' w - 6,18'
0,042
* 0,0 6 '
0,038
/
*0
i __ i___:___!___ i___ i___i___1_

0 0,4 0,8
Ticq, eV
Fig. 18. Branches polaritoniques du cristal de GaP.

Les croix indiquent les fréquences expérim entales mesurées par H enry e t H opfield [10] en
diffusion Ram an sous de petits angles.
en Raman prennent part au processus de diffusion. Si la vibration

est active dans le spectre infrarouge, elle est caractérisée par une
variation du moment dipolaire électrique de la maille élémentaire
du cristal. Dans ce cas seulement le couplage avec le champ est suf
fisant pour que le polariton formé diffère sensiblement d'un phonon
dans un certain domaine de valeurs du vecteur d’onde. C’est pour
quoi lorsque cette vibration est active à la fois en infrarouge et en
Raman, on peut observer un effet polaritonique pour de faibles angles
de diffusion.
Quelques branches de vibration de cristaux piézoélectriques
présentent cette activité simultanée en Raman et en infrarouge.
Les premières observations de diffusion Raman sur des polaritons
ont été obtenues dans les travaux de Henry et Hopfield [10] en 1965.
Les cristaux (GaP) étudiés, soumis à un rayonnement laser (X =
= 6328 À), sont cubiques et n’ont pas de centre d’inversion. Ils
présentent deux ions dans chaque maille élémentaire et une branche
de phonons optiques transversaux. On mesure la fréquence de la
lumière diffusée en fonction de l’angle de diffusion (de 5 à 0°). Ceci
correspond à la variation d’énergie du polariton lorsque son vecteur
§ 14] THÉORIE DES INTERACTIONS PHONONS-LUMIÊRE 81
d’onde diminue. La figure 18 illustre les résultats obtenus. La courbe

continue correspond au spectre théorique des polaritons sans amortis
sement. Les croix indiquent la perte d’énergie des photons diffusés
sous différents angles (à l’intérieur du cristal).
Des résultats analogues ont été obtenus pour des cristaux de
ZnO [111 et pour des cristaux de quartz a [121. Ce dernier cristal pos
sède 9 ions dans la maille élémentaire et 8 branches optiques trans
versales (doublement dégénérées) de phonons actives à la fois en
infrarouge et en Raman. Ils découvrirent que les polaritons associés
aux phonons de fréquence 1072 cm-1 présentaient une variation de
fréquence de 1072 cm”1 à 820 cm”1 pour une diminution de l ’angle
de diffusion de 90° à 0°. Le Tableau 7 montre les fréquences des
polaritons obtenues dans ce travail, pour différents angles de diffu
sion à l’intérieur du cristal. Sterin et coll. [13 à 151 ont étudié les
spectres de diffusion Raman sur des polaritons dans les cristaux de
LiNb03 et Ba2NaNb50 15.
La probabilité de diffusion Raman sous l’angle 0 dans une se
conde peut être calculée d’après la formule
^ = - x 2 l < / W i>l2 6 ( £ / - £ ‘>, (14-1?)

1, P
où l’opérateur M est défini par l’expression (14.12):
| i) = 10QlP„ Ota, I qp),
I / ) = I I qiPi* Ika» Oqp).
E f = h (c o q , -{ -Q ( k ) ) , E i = h (û Q .
La sommation dans (14.17) s’étend aux deux polarisations p et à

tous les états finis du photon diffusé (sous un angle 0 par rapport à
la direction du photon incident). Si l’on remplace dans (14.17) la
somme par l ’intégrale sur les vecteurs d’onde du photon diffusé,
compte tenu de (14.12), on obtient
= J l D™,,(Q, Q ,) P 6 ( £ ,- E ,) Ç : * ?,.
Tableau 7
Fréquences des polaritons dans le quartz a mesurées en diffusion Raman
Angle de Fréquence. Angle de Fréquence, U Angle de Fréquence,
diffusion, c m -i diffusion, c m -i d iffu sio n , c m -i
degrés degrés I degrés
90 1072 3,6 978 90 450

9,6 1042 3,0 966 4,8 443
7,2 1031 2,4 940 2,4 430
6,0 1034 1,8 928 1,2 407
4,8 1004 1,2 909
82 PHONONS DANS LES CRISTAUX IONIQUES [CH. IH
Pour calculer cette intégrale il convient d’utiliser l ’égalité

à ( E , - E t) 2 6«?i-9Î)
Q.-Qj
où Q* sont les racines de l ’équation Ey — = 0 pour un angle 0
fixé.
On étudie habituellement la diffusion R aman pour des fréquen
ces et des vecteurs d’onde réels. Alors, d’après (14.14) et (14.15),
Q (k) et k pour les polaritons sont des grandeurs réelles. Cependant,
dans les cristaux réels, les polaritons de vecteurs d’onde k réels pré
sentent toujours un amortissement. La permittivité liée à ces pola
ritons est
•<•>---+5 r £ r à - <14-18)
Par exemple, en étudiant la réflexion infrarouge du cristal LiNbOj
on a trouvé
e„ — Eoo = 2,55, Qt — 628 cm-1 et T = 34 cm-1. (14.19)
Dans les travaux [16, 17], pour déterminer les lois de dispersion
des polaritons, on propose d’utiliser l’équation
- ^ - = Ree(o>), (14.20)
où 8 (o>) est défini par (14.18). Pour.construire la courbe de disper
sion correspondante, on a utilisé les valeurs (14.19) des paramètres.
Cette courbe présentait la particularité de « retomber » sur de faibles
valeurs de k à partir de k 0 = 2200 cm“l. Plus T est grand, plus faible
est la valeur k 0. Les valeurs expérimentales obtenues dans [18)
pour l’énergie des polaritons par diffusion des photons sous de petits
angles concordent avec la courbe de dispersion des polaritons obtenue
en résolvant l’équation (13.46) sans tenir compte de l ’amortissement
des polaritons T = 0.
Il n’y a aucun argument théorique pour justifier l ’emploi de
l ’équation (14.20) ou de l ’équation
- ^ - = -|-{ R e e((ù )+ V r[Ree (©)]2 + [Im e (©))*)
proposée dans [18]. Pour un polariton amorti, chaque niveau d’énergie
£2 (k) pour k fixe réel, déterminé par l ’équation (13.46), devient
quasi stationnaire. Ce niveau est alors caractérisé par une durée
de vie déterminée ou une largeur T. *
La théorie de la diffusion Raman de la lumière sur des polaritons
amortis a été développée par Burstein, Ushioda, Pinzuk [19], Benson
et Mills [16], Agranovitch et Ginsburg [20]. Dans ces travaux mal-
S 14] THÉORIE DES INTERACTIONS PHONONS-LUMIÉRE 83
heureusement, lors du calcul de la densité d'états finals (ou de la

grandeur qui lui est équivalente), on n'a pas tenu compte de la
vitesse de groupe des polaritons. C’est pourquoi les expressions obte
nues ont un domaine d'application limité (voir plus bas).
Un calcul rigoureux des effets d'amortissement compte tenu de
la vitesse de groupe des polaritons a été réalisé par Strizhevskii et
collaborateurs [21 à 26] sur la base de la théorie phénoménologique
et microscopique. Les auteurs de ces travaux ont montré que, pour
une vibration phononique isolée de fréquence <0/ — iT/2, la position
du maximum d'intensité diffusée correspondait à la courbe de dis
persion des polaritons en l'absence d'amortissement. L'influence
de l'amortissement se fait sentir sur l'élargissement du maximum.
La section efficace des photons diffusés (intégrée sur la fréquence,
dans l'unité d'angle solide dirigé suivant l'angle de diffusion 6) ne
dépend pas de l’amortissement. On peut la représenter approxima
tivement par le produit de deux facteurs
a (0) = j a (0. o>) d(ù = ct0 (9) M (6), (14.21)
où
a0(e) = J £ M [ 4 + J L r ] J , (14.22)
c y Ep L 1—Çp J
p
e (œ) -= e« + -— -5-. I = <*>/<*>/,
1 — SP
M (0) = [ 1 — -fc c o sib ]"1. (14.23)
Dans ces expressions e (co) représente la permittivité dans le domaine

de fréquences polaritoniques (sans tenir compte de l'amortissement) ;
Soo la limite, pour de grandes fréquences de e (<o) ; F la force d’oscil
lateur de la vibration phononique ; l'indice p signifie que la grandeur
correspondante est choisie pour la valeur de la fréquence <o = <op (6)
correspondant au centre de la raie de diffusion ; up et u8 sont les vites
ses de groupe des polaritons et des phonons ; t|?p est l’angle entre les
vecteurs d'onde du polariton kp et du phonon ka; A est un paramètre
lié à la déformation du nuage électronique [25]. La fréquence cop (8)
est racine de l'équation
c2 | k| — ka | — are (<d) = 0 ;
k; est le vecteur d'onde du rayonnement excitateur.
Les résultats obtenus dans [16 à 20] répondent à une approxima
tion selon laquelle i;p ->0 et A/ = 1. La nécessité d'introduire le
facteur M , qui tient compte de la vitesse de groupe des polaritons,
est mentionnée aussi dans le travail de Klimontovitch et Emélianov
[27].
Dans certains cristaux, il existe une valeur \f0 (correspondant à

un angle de diffusion 0O) vérifiant
u9 = up cosipo, M oo.
Au voisinage de l’angle de diffusion critique, l’expression approchée

(14.21) perd son sens. Pour obtenir dans ce cas la valeur exacte de
o (0), il convient d’intégrer avec plus de précision le contour de
mm diffusion. Cette intégration est
effectuée dans [26, 28].
La figure 19 met en évidence
le rôle joué par la vitesse de groupe
des polaritons. La courbe pleine
1 correspond au calcul de Stri-
zhevskii et Jashkir [26] de la sec
tion efficace de diffusion d’un
rayonnement de longueur d’onde
Kt = 4880 Â sur la branche pola-
ritonique supérieure du cristal de
L iI03. La courbe en pointillé 2
correspond à la valeur obtenue
théoriquement lorsque vp = 0.
Les points sur la courbe 3 corres
pondent aux valeurs expérimenta
les de la section de diffusion.
§ 15. Détermination du spectre

Fig. 19. Section efficace de diffusion des vibrations de réseau en
Raman d’une lumière de longueur utilisant la diffusion des neutrons
d’onde X = 4880 Â dans le cristal de
L iI0 3. Ces derniers temps, la diffu
L a courbe I correspond aux calculs de S tri-
sion des neutrons lents (d’éner
zhevskli e t de ses collaborateurs [26]. La cour
gie inférieure à 0,025 eV) a été
be en pointillé 2 correspond aux calculs lors
que l ’on ne tie n t pas compte de la vitesse de
souvent utilisée pour étudier les
groupe des polaritons. Les points situés sur
lalcourbe 3 sont des valeurs expérim entales.
vibrations des atomes dans les
solides. La longueur d’onde de ces
neutrons est inférieure à 2 -ÎO”8 cm ; elle est comparable aux distances
interatomiques dans le solide ( ~ 1 0 “8 cm). Dans le processus de dif
fusion on observe donc des effets interférentiels répondant aux accords
de phase entre les diffusions des neutrons sur différents noyaux. Les
interférences sont particulièrement importantes dans des cristaux
de noyaux mono-isotopiques, n’ayant pas de spin.
Si le cristal contient des noyaux d’autres isotopes, ou des noyaux
â spin différent de zéro, une partie de la diffusion sera incohérente
(incohérence isotopique ou incohérence de spin).
§ 15] DÉTERMINATION DU SPECTRE DES VIBRATIONS DE RÉSEAU 85
Dans ce paragraphe nous développons les bases théoriques de la

diffusion cohérente sur des cristaux mono-isotopiques à un noyau
par maille élémentaire. Une théorie plus complète est développée
dans les articles [29, 30] et la monographie [31].
L’opérateur d’interaction d’un neutron lent de masse p, avec un
cristal constitué d’atomes d’un seul isotope de spin nul est
V (r)= -^ 2 ô (r-R „ ), (15.1)
n
où A est l’amplitude de diffusion du neutron lent sur le noyau ;
Rn = n + | n
est le rayon vecteur définissant la position du noyau au voisinage
du nœud n du réseau;
S* = S (<ï> [ b ^ + b ^ - ^ ] (15.2)
q
est l’opérateur déplacement du noyau d’atome par rapport au nœud n
du réseau.
La diffusion cohérente des neutrons sur le cristal peut être soit
élastique, soit inélastique. Désignons les états initial et final du
neutron par les ondes planes
<pa (r)**elk«r. ç 6(r) —e05* , (15.3)
normalisées pour un neutron dans l ’unité de volume. Lorsque la dif
fusion est élastique, l’énergie du neutron ne change pas, c’est-à-dire
- | - ( 4 - k 2 ) = 0. (15.4)
Lorsque la diffusion est inélastique, un ou plusieurs phonons appa

raissent ou disparaissent. C’est pourquoi l ’énergie du neutron varie
conformément à la loi de conservation de l ’énergie. Par exemple, si
le neutron absorbe un phonon, on doit avoir
-£ - ( k & - k î) - /iQ .( q ) . k6 = ka + q, (15.5)
et s’il y a émission d ’un phonon
-g -(k * -k $ ) = fcQ.(q), k6- k a- q . (15.5a)
Les états initial | a >et final | b >du système constitué en première
approximation d’un neutron et du cristal peuvent être représentés
par
| a>= <Pa (r) n | v,q), I b) = q>6 (r) [J | v*), (15.6)
•. q «. q
86. PHONONS DANS LES CRISTAUX IONIQUES [CH. m
où |v aq> est la fonction d’onde de l ’état vibratoire contenant v*,

phonons de vecteur d’onde q sur la branche s.
Dans l ’approximation de Born, la probabilité de transition entre
ces deux états, par unité de temps, est définie par l ’opérateur de
perturbation (loi d’or de Fermi)
-% 2-= l(b\V\a)\* dp, (15.7)
où dp = ^ ^ 5 est la densité du nombre d’états finaux par unité

d ’angle solide de diffusion du neutron. Le trait au-dessus de l ’élé
ment matriciel indique que l’on a pris la valeur moyenne sur tous
les états initiaux possibles des vibrations de réseau. En divisant
dwbv/dt par la densité de flux des particules incidentes fika/p, on
obtient la section efficace différentielle de diffusion dans l ’unité
d ’angle solide.
Lorsque là diffusion est élastique, l’état vibratoire du réseau ne
change pas, si bien que l’élément matriciel de (15.7) devient
(b I ÿ |û > = V e *Qn<( Da | | (Da>, (15.8)
r n
OÙ
® a = r i l v .q>, Q = k0 —k6. (15.9)
». q
Si l ’on utilise l ’égalité (voir compléments mathématiques dans
[32])
(v, Iea6*+p6*+ 1V,) = exp [ —ap ( + V, ) j ,
résultant de l ’identité opératorielle
exp {abt = exp ( — ^-ap) exp (pi>a) exp (abt).
on peut, après substitution de (15.2) et (15.9), transformer l ’élé
ment matriciel de (15.8) :
| (<J>a | e1Q6n | <Da) p = exp ( - 2 W ) , (15.10)
ou
W = !> + 2NMQS
r (q\
q (15.11)
-1
v,q = [ e x P ~T t ~ 1 ]
Compte tenu de (15.10) nous obtenons
2nh*A „ -2 W
{b \V \a ) |* = 2 «iQn (15.12)
§ 15] DÉTERMINATION DU SPECTRE DES VIBRATIONS DE RESEAU 87
Lorsque N -+• oo, on a l’égalité

|^ |2 = ô (kb- k a + g), (15.13)
n
où g est un vecteur du réseau réciproque défini par (3.1).
Substituant (15.12) dans (15.7), compte tenu de (15.13), nous
obtenons l ’expression finale
| A |* e - ^ ô (kb - k a + g). (15.14)
Le multiplicateur exp (—2W) est appelé facteur de Debye-Waller.
Il dépend de la température et de la composition du cristal. Il est
responsable de l ’affaiblissement de la diffusion cohérente élastique
pour tous les angles de diffusion 0 0. La grandeur W augmente
lorsque l’angle de diffusion, l’énergie du neutron ou la température
du cristal augmentent. Au voisinage de la température de Debye
(voir § 10), W ~ (A/A/, où M est la masse du noyau diffusant. Par
conséquent, pour les atomes lourds, exp (—2 W) ~ 1 et le déplace
ment du noyau hors de sa position d’équilibre n’influence pratique-
ment pas l ’intensité de la diffusion cohérente.
La fonction (15.14) a des maximums étroits pour des directions
des vecteurs d’onde satisfaisant aux conditions de Bragg
k * - k a = g, |k 6 | = |k c |. (15.15)
Les conditions de Bragg sont toujours remplies pour une diffu
sion en avant (g = 0). Comme on entend par diffusion une déviation
des neutrons par rapport à leur direction initiale on doit exclure le
cas g = 0. Pour des cristaux de dimension finie, il convient de rem
placer dans (15.14) les fonctions delta par des fonctions dont la lar
geur au voisinage du maximum est finie. L’ordre de grandeur de
cette largeur est donné par (ftaL)“2, où L est la dimension linéaire
moyenne du cristal.
On peut écrire aussi la condition de Bragg (15.15) sous la forme
s in -|-= 4 ’[’f*| ou 2 ds i n = (15.16^

où 6 est l ’angle de diffusion, d = 2ji/| g | est la distance entre plans
de Bragg. Seules les valeurs de | g | vérifiant les inégalités
| g | < 2 | k | ou X < 2d
contribuent à la diffusion. Les neutrons dont la longueur d’onde
dépasse le double de la distance interréticulaire traversent le cristal
sans être diffusés. On utilise cette propriété pour confectionner des
filtres éliminant dans le faisceau de neutrons le domaine spectral
des faibles longueurs d’onde. On emploie pour cela des cristaux lamel
laires absorbant faiblement les neutrons et donnant lieu à une diffti-
sion cohérente: l’oxyde de béryllium (d = 4,4 À) et le graphite

(d = 6,7 À).
Lors de la diffusion inélastique d’un neutron avec absorption d’un
phonon, en plus de la loi de conservation de l’énergie (15.5) on a la
loi de conservation des impulsions
kfe — ka = g + q. (15.17)
Si, à partir d’une diffusion cohérente multiphononique, on arrive
à sélectionner expérimentalement la diffusion sur un phonon, en
mesurant l’énergie diffusée pour différents angles de diffusion, on
peut définir la courbe de dispersion Q, (q) (à l’aide des relations
(15.5) et (15.5a)).
En utilisant (15.17), ainsi que la condition de périodicité des
fréquences phononiques £2# (q) = £2a (q + g), on peut transformel
(15.5) de la manière suivante:
(k2 -k * ) = . ^ Q ,( k 6 - k a). (15.18)
Pour un vecteur initial donné ka, pour chaque branche vibratoire s,
l'équation (15.18) définit dans l ’espace k une surface S t appelée
surface de diffusion [33]. Lors de la diffusion de neutrons avec émis
sion d’un phonon, l’équation (15.18) devient
(k * -k 2 )= -^ -Q .(k tt- k 6). (15.19)
Cette équation n’a pas de solution si | ka | est inférieur à une valeur
critique kla D’après (15.17) kx doit vérifier Tinégalité
I k i I < « I g o I.
où g 0 est le plus petit vecteur du réseau réciproque. La probabilité

de diffusion d’un neutron avec émission ou absorption d’un phonon
est proportionnelle à
Qj (ç) I Q*b â) e«i(<l) 12*
La courbe de répartition des neutrons en fonction de l’énergie pré
sente, par diffusion cohérente inélastique dans une direction donnée,
trois maximums correspondant à la fréquence des phonons des trois
branches de vibration.
Lorsque le réseau cristallin contient des noyaux isotopiques ou
présentant un spin, ces noyaux étant disposés de manière désordonnée,
la diffusion se produit en partie indépendamment sur chaque noyau
(diffusion incohérente). Dans ce cas la loi de conservation des im
pulsions n’est pas vérifiée. L’énergie du neutron est indépendante
de l ’angle de diffusion. Parmi les éléments simples, le vanadium et
l ’hydrogène [34] présentent pratiquement une diffusion totalement
§ 15] DÉTERMINATION DU SPECTRE DES VIBRATIONS DE RÉSEAU 89
incohérente. Parmi les éléments métalliques, l'aluminium [35]

donne une diffusion presque entièrement cohérente.
Si le moment magnétique du nuage électronique de l'atome n'est
pas nul, l'interaction entre le moment magnétique du neutron et
le moment magnétique de l'atome donne naissance à une diffusion
complémentaire, appelée diffusion magnétique. L'étude de la diffu
sion magnétique des neutrons donne de pertinentes informations sur
la structure magnétique de la matière.
CHAPITRE IV
ONDES DE PLASMA ET ONDES DE SPIN
§ 16. Ondes de plasma dans les solides

Dans les chapitres précédents, nous avons étudié les excitations
élémentaires des solides dues au mouvement collectif d'atomes neu
tres, de molécules ou d’ions lourds. Les « phonons » sont les quanta
relatifs à ces excitations élémentaires. Considérons maintenant les
excitations élémentaires apparaissant dans les solides par suite
du mouvement collectif des électrons par rapport aux ions lourds.
Ces excitations élémentaires sont causées par les interactions coulom
biennes entre les électrons et les ions positifs. Il leur correspond
des ondes longitudinales appelées ondes de plasma. Les quanta des
ondes de plasma sont appelés plasmons.
Dans les solides dont les électrons sont faiblement liés aux ions
(métaux et semi-conducteurs), les vibrations de plasma ne présen
tent pas une fréquence très grande. Dans l’état fondamental, les
électrons compensent totalement la charge positive des ions, et la
maille élémentaire du cristal est neutre. Soit v 0 le nombre moyen
d ’électrons dans cet état neutre, par unité de volume du cristal.
Une variation du nombre v d’électrons par rapport à la valeur moyen
ne v 0 détruit la neutralité et donne naissance à des forces électri
ques qui tendent à rétablir l’équilibre. La densité électronique pré
sente ainsi des oscillations par rapport à sa valeur moyenne v0.
La théorie la plus simple des oscillations de plasma dans les soli
des est due à Bohm et Pines [36 à 38]. Dans ces travaux et dans toute
une série de travaux postérieurs, les ions positifs du solide sont
remplacés par une charge positive répartie de manière homogène.
La densité de charge positive est égale à la densité de charge électro
nique. Ce modèle porte le nom de « gelée ». Les électrons de valence
•et les électrons de conduction constituent un gaz électronique. Les
vibrations longitudinales résultent d’une succession de compressions
et de détentes de ce gaz électronique (par rapport à sa densité moyen
ne). La densité d’électrons dans le solide est de l’ordre de 1023 cm"3,
tandis que dans un plasma gazeux usuel elle est habituellement plus
faible (~ 1 0 12 cm"3). Pour une densité d’électrons importante,
l’énergie cinétique des électrons correspondant au « mouvement de
zéro » est sensiblement supérieure à l ’énergie d’agitation thermique.
Cette dernière sera donc négligée.
§ 16] ONDES DE PLASMA DANS LES SOLIDES 91
Considérons des oscillations de plasma de grande longueur d'onde

dans un cristal isotrope. Pour des oscillations de grande longueur
d'onde, les électrons peuvent être assimilés à un milieu continu.
La variation de la densité d'électrons par rapport à la valeur moyenne
v0 est
v (r, t) — v 0 = v 0 div R (r, t), (16.1)
où R (r, t) est le vecteur de déplacement infiniment petit par rap
port à la position d'équilibre du gaz électronique. Si e est l'unité
de charge positive, la variation de la densité de charge est
ôp = p (r, t) — p 0 = —ev0 div R (r, t). (16.2)
Cette variation de densité électronique détruit la neutralité électri
que. Le potentiel électrostatique <p (r, t) qui en résulte vérifie l'équa
tion de Poisson
V2cp (rt t) = —4nôp s 4nev0 div R (r, t). (16.3)
L'énergie potentielle liée au déplacement des électrons sera consti
tuée de deux termes: le premier correspond à l'énergie potentielle
élastique, le deuxième à l'énergie électrostatique
U = -Y j lY (div R)2+ôp<p] d i, (16.4)
7 est le module d'élasticité du gaz électronique lorsque l'on ne tient
pas compte des charges. Etudions seulement les déplacements longi
tudinaux, c’est-à-dire posons rot R = 0. Si m est la masse de l’élec
tron, l'énergie cinétique du déplacement des électrons est
K j R*(r, t)dx. (16.5)
Supposons que le cristal ait la forme d’uncube d'arête L et de
volume V = L3. Introduisons pour plus de commodité les conditions
aux limites cycliques. Les fonctions d'onde
;'M r)= -p = -e x p (ik rj, (16.6)
où les composantes kx parcourent les valeurs —■— (lx = 0 , ± l f . . .)

et constituent alors un système de fonctions orthonormées complet.
Développons les déplacements R (r, t) suivant ce système de fonc
tions *)
R (r, t) * -y=- 2 A* (t) e (k) exp (/lcr) . (16.7)
*) Pour décrire les mouvements collectifs de grande longueur d'onde, dans

(16.7) et dans les sommes suivantes, il convient de ne conserver que les termes
correspondant à une valeur de k inférieure à une valeur critique kc définie plus
loin.
92 ONDES DE PLASMA ET ONDES DE SPIN [CH. IV
ici e (k) est le vecteur unitaire de polarisation longitudinale, qui

vérifie les conditions
e2 (k) = 1, e (k) = e (—k), k || e (k).
Comme le déplacement est un vecteur réel on écrira :
A* = -<4-k-
De (16.7) il résulte
div R = 2 (ke (k)) A* exp (ikr). (16.8)
* k
Développons le potentiel suivant le système de fonctions ortho
normé (16.6) :
<P (r, t) = -4 = - 2 <Pk (*) exp (ikr). (16.9)
^ k
L'équation (16.3), compte tenu de (16.8), donne

<Po= 0, <pk= — ^ - ( k e ( k ) M k, k=*0. (16.10)
Compte tenu de (16.7) à (16.10) l’énergie potentielle (16.4) devient
V = 4- 2 <k2V+ 4**2v.t } (16.11)

k
L ’énergie cinétique (16.5), après substitution de (16.7), devient
^ = -T 1 S ^ - k - (16.12)
k
(16.11) et (16.12) permettent de trouver l’équation

mv<^lk -f (yk2 + éne^vj] A* = 0.
Posons = —a)2 (k) A)l. On obtient la loi de dispersion des oscil
lations de plasma dans le domaine des faibles vecteurs d’onde k:
<û2(k) = (02- f ^ - k S (16.13)
où cop = éjieô!m est le carré de la fréquence de plasma.
Lorsque e 0, les effets électrostatiques disparaissent et co (&) «
» k Y y/mv0 = û)ac (k). La dépendance trouvée coïncide avec la
loi de dispersion de la fréquence des ondes acoustiques se propageant
dans un gaz à la vitesse V y/mv0. La valeur \ y/mx0 ~ 5 -106 cm/s,
kmSLX « 108 cm-1, donc (ûac » 5 -1013 s”1. Pour évaluer l'ordre de
grandeur de la fréquence de plasma, remarquons que v0 « 1023 cm-3,
m = 9-10"28 g, et e = 5-10"10 unités CGS. On obtient alors

cop = 4n^ v° « 2 -1018 s"1 ou fi(op « 12 eV.
Par conséquent cop » coaCi et la dispersion des ondes de plasma est
très faible. La variation relative de co (k) dans les limites de la pre
mière zone de Brillouin est inférieure à ÎO-3.
Pour trouver l'impulsion généralisée conjuguée de la coordonnée
généralisée A k, on applique la loi générale
n d ( K — U) :
P)l«- . = mv0A - k.
dA k
La fonction classique de Hamilton des oscillations de plasma s'ex

prime donc en fonction des coordonnées et des impulsions généralisées:
%(P, A) = - ^ - 2 PkP - k + m v0 2 (ùiAkA_k. (16.14)
° k k
Le passage à l’opérateur de Hamilton H dans la représentation du

nombre de remplissage des plasmons correspond à la transformation
des grandeurs de (16.14) par les opérateurs associés
A k -* -Â » * = l/r -=-2— (a k 4 -a iic ),
V l2mv0<D|c ' l T *>' (16.15)
m i Ÿ Acùkv 0m ./2 (a i— a _ k) ,
où ak et ak sont les opérateurs de Bose de création et d'annihilation

des plasmons de vecteur d’onde k. On obtient ainsi
H «« 2 à©* (ajak) + 1 /2 ). (16.16)
Les états stationnaires du cristal sont représentés par des fonc

tions du nombre de remplissage des plasmons nk. L'état du vide est
caractérisé par la fonction | 0). Dans cet état l'énergie de zéro des
plasmons est (‘0 | H | 0) = - 2 Le carré de l’amplitude des
k
oscillations de zéro est donné par l'expression
( O l i M - n l t y - j j i j - — *5,. (16.17)
Par conséquent on peut écrire les opérateurs (16.f 5) sous la forme

Ak = x0k (ak + a+k), P*= — nyncûkXok (ak —a t k).
Etudions les limites de validité de la description macroscopique
donnée plus haut. On se propose de chercher à quelles conditions on
peut assimiler les électrons du cristal à un milieu continu. Si l’on
suppose que l’électron est une particule ponctuelle, la densité d’élec

trons et le vecteur densité de courant au point r sont
P(r) = S ô ( r —rf), j(r) = S v jô (r—rt), (16.18)
l l
où r/, V/ sont le rayon vecteur et la vitesse du Z-ième électron; la
sommation recouvre tous les électrons du cristal (son volume sera
pris pour unité).
Contentons-nous de calculer les interactions électrostatiques.
L’énergie potentielle d’interaction du Z-ième électron avec tous les
autres électrons et l’ensemble des charges positives (réparties de
manière homogène) est
r,, = |r«—r ,|. J* » i. (16.19)
Posons e2/ r ^ = 2 ck exP ( ^ o ) - Compte tenu de (16.6), sachant

k
que V = 1 nous obtenons
p o u , k # 0 ;
•‘ - • ‘ J # -
(16.19) devient
U (ri)= 2 , 't£ - ° * P l t k ( n - r ,) ] . (16.20)
i. k
Le signe prime placé à côté de la somme indique que l ’on a omis les
termes / = Z et k = 0.
L’énergie cinétique des électrons est
* = — 2v?. (16.21)
l
Les expressions (16.20) et (16.21) permettent de trouver l ’équa
tion du mouvement de chaque électron
msi = —i4jie2 2 ^j-ëxp (ikr/j). (16.22)
J. k
Pour obtenir l’équation déterminant la variation de la densité d’élec

trons, il convient d’introduire la transformation de Fourier pré
liminaire
P (r) = 2 Pk exp (tkr), j (r) = 2 h exp (ikr).
A partir de (16.6) et (16.18) on trouve alors

pk= 2 exp ( —tkri), p0= v0,
L
(16.23>
jk = 2 v j e x p ( —ikr,).
{
Appliquons à (16.23) l’équation de continuité p + div j = 0 :
Pk = — 2 1(kv0 exp ( — ikr/)t
(
Pk = — 2 tkvi)2*+ i (kvf)] exp ( — ikrj).
i
Remplaçons dans la dernière égalité vj par sa valeur (16.22). Compte
tenu de (16.23)
Pk= 2 ^-P qPk-q— 2 (kvi)* « P ( — ikri)- (16.24)
q i
Dans la première somme du second membre, séparons le terme corres
pondant à q = k. Le restant de la somme peut être négligé, car il
contient un grand nombre de petits termes de signes variables. Ce
faisant, on ne tient pas compte des liaisons possibles entre les varia
tions des composantes de Fourier de la densité correspondant à
différentes longueurs d’onde (pk et pk')- Cette approximation est
appelée approximation des phases désordonnées. Dans cette approxi
mation l’équation (16.24) devient
Pk+«>ppk= — 2 (kv02 exP ( — ikr0- (16.25)
l
Le second membre de (16.25) dépend de la vitesse des électrons même
au zéro absolu. Ces mouvements ont tendance à désorganiser les
oscillations collectives de plasma. Plus k est petit, plus leur action
est faible. Pour trouver les valeurs de k telles que l’on puisse négliger
le second membre (dans (16.25)) il convient de remplacer \ t par sa
valeur maximale u0 = — 771
(3:nrv0)1/3, où v0 est la densité d’électrons.
On obtient alors
2 (kv/)2exp ( — ikti) ?k2Pk.
I
Par conséquent, lorsque l’on a
Vi/3 *2
k2< k * = - ^ - « 6 — , aB= - ^ r « 5 ,3 - 1 0 - 9 cm, (16.26)
l’équation (16.25) se réduit à l’équation des oscillations de plasma
collectives pk + o)Jpk = 0.
Lorsque l'inégalité (16.26) est remplie, la vitesse de phase des

plasmons (op/fc est supérieure à la vitesse maximale des électrons.
C’est pourquoi l’énergie des plasmons ne peut être transférée au
mouvement des électrons pris séparément. La relaxation des plasmons
dans les solides est due aux interactions avec les vibrations de ré
seau, avec les impuretés et les autres hétérogénéités du réseau.
La valeur kc définie par (16.26) correspond à la limite supérieure
des vecteurs d’onde des plasmons *). Les vecteurs d’onde des plas
mons occupent donc un volume égal à 4jifc?/3 situé à la partie centrale
de la première zone de Brillouin. Comme à chaque vecteur d’onde
il correspond un volume égal à (2ji)3/F, il y a fc?W6ji2 plasmons dans
le cristal.
Les excitations élémentaires de vecteur d’onde k2 > k? ne pré
sentent pas de caractère collectif. Pour de telles excitations, le gaz
électronique doit être considéré comme un système constitué de
quasi-particules séparées, dont le potentiel d’interaction est
^écran (r,) = 2 S exP (lk r^)*

fl*») k>k«
L ’interaction entre les électrons distants de r dont on n’a pas tenu

compte dans le calcul des oscillations de plasma est donc
Utcran (r) = 2 -^ « x p (16.27)
k>kc
En passant dans (16.27) de la sommation sur k à l’intégration dans

l ’espace k, on obtient
£ W > = - |r J =
k>ke
=^ r \ dk ~ T " exP ( “ V ) . (16.27a)

*c
L'interaction entre les électrons est surtout notable aux faibles dis
tances r < fcê1. L’expression exp (—fccr) est (appelée potentiel de
Coulomb masqué de la charge e. La valeur
IJt_-(Dp _ 2jw*v0
r ~ L vl - Ef '
*) Dans la monographie de Bontch-Brouévitch et Tiablikov [39] on trou

vera une discussion plus détaillée de cette question (valeur limite supérieure
des vecteurs d’onde pour^laquelle on peut encore observer des ondes de plasma)*
où E f = 4* mvl est l’énergie de Fermi, correspond au carré du

rayon d’écran
XtF =
Pour calculer hpp, nous avons supposé que la densité d’électrons
v0 dans le métal était grande et que les électrons remplissaient tous
les états d’énergie E < E F (dégénérescence). La grandeur XTF est
appelée rayon d’écran de Thomas-Fermi.
Dans les semi-conducteurs, v0 est faible et il n’y a pas de dégéné
rescence. La distribution des électrons suivant les états énergétiques
est conforme à la loi de Boltzmann. Dans ce cas aussi les interactions
entre les électrons sont masquées par l’effet d’écran. De ce fait les
interactions coulombiennes e2/e<>r dans le semi-conducteur (de per
mittivité e0) seront remplacées par le potentiel masqué
où XD est le rayon d’écran de Debye. Pour le déterminer, calculons

le potentiel créé par une petite charge d’essai ôp dans le semi-conduc
teur.
La charge Ôp provoque un déplacement des électrons de leurs
positions d’équilibre, ce qui à son tour fait apparaître une charge
induite complémentaire p. La charge totale p + ôp crée le potentiel
9 (r) satisfaisant à l’équation de Poisson
v 2<p ( r ) = - — (p + ôp).
B0
La densité de charge induite p est déterminée en retour par le poten
tiel (p (r). A l’état d’équilibre thermodynamique (à la température
T) la charge induite est donnée par l’expression
P W = gvo [exp ( ~ —l ] » ~ , e q x^k T .
Par conséquent l’équation de Poisson devient
(V2—ko) q>(r) = fip»
E0
OÙ
XJ>= e.JcTI4nv0ert
est le carré du rayou d’écran de Debye. La solution de cette équation
est
Ir —r> |
Xp ) 6 ( 0 d V .
exp
<P(r)=J
eoIr—r>I
Dans un semi-conducteur à la température T, les interactions
coulombiennes doivent donc être remplacées par les interactions mas-
98 ONDES DE PLASMA ET ONDES DE SPIN [CH. rv
quées
tf é c r a n ( r ) = £ e x p (-^ ). (16.27b)
Le carré du rayon d’écran de Debye XD est proportionnel à l’énergie
d’agitation thermique moyenne des ions. Il est inversement propor
tionnel à la densité v0 des porteurs de charge, qui est une fonction
croissante de la température.
16.1. Excitation des ondes de plasma. Comme T énergie des plas-
mons est élevée, ces particules ne peuvent être excitées thermique
ment. Pour exciter des plasmons, on utilise des électrons rapides
(quelques kilovolts) traversant de minces lames (~ 100 Â). Lorsque
ces électrons rapides traversent des lames minces de béryllium, ma
gnésium, aluminium, ils perdent des énergies égales à ft(Dp, 2hcop, . . .
correspondant au nombre de plasmons excités. La fréquence de
plasma observée correspond bien à la fréquence calculée en tenant
compte seulement des électrons de valence (deux dans Be et Mg,
trois dans Al). Dans quelques métaux et non-métaux (C, Si, Ge, . . .)
les électrons n’excitent qu’un seul plasmon à la fois. Dans le car
bone, le silicium et le germanium, la fréquence de plasma est dé
terminée aussi par les électrons de valence (au nombre de quatre par
atome). Mais dans des métaux comme Cu, Ag, Au et d’autres mé
taux de transition les électrons de valence ne sont pas seuls à assurer
l’oscillation de plasma. Dans le Tableau 8 figure la valeur des
énergies de quelques plasmons.
Tableau 8
Energies des plasmons
E lém ent Be B C Si Ge Al Mç Cu Ag ZnS MgO

>
«C
19 19 17 16 15 10 20 23 17 25
o
3
22
a.
Des oscillations de plasma apparaissent aussi lors de l’interaction

d’une onde électromagnétique avec un solide. On sait que cette
interaction est caractérisée par la permittivité. Calculons de manière
élémentaire cette permittivité pour l ’onde électromagnétique trans
versale
Ex = E5c0> exp li (kz — coi)]'
tombant perpendiculairement à la lame métallique plane. Si l’épais
seur de la lame est faible par rapport à la longueur d’onde, à l’in
térieur de la lame exp (ikz) « 1. Les forces électrostatiques ne par
ticipent pas aux oscillations transversales des électrons, c'est pour
quoi, si l’on ne tient pas compte des forces élastiques faibles dans
S 16] ONDES DE PLASMA DANS LES SOUDES 99
le gaz électronique, on peut poser que les électrons sont presque libres.
Dans cette approximation les oscillations forcées sont déterminées
par l’équation
mx = —eEv (16.28)
sa solution est x = eEÎnuù2. Par conséquent, dans un cristal soumis
à l’action d’un champ électromagnétique on voit apparaître une
polarisation électrique spécifique
liée au déplacement des électrons et
proportionnelle au champ
P * = - e v 0x ----- (16.29)
Par ailleurs,
P. « j» -1 E
4ji x* (16.30) 0 f wP eu
Comparant (16.29) et (16.30) nous
obtenons -/
e± (œ) = 1 — (Ojj/ ü)2. (16.31)
Le graphe de cette fonction est re Fig. 20. Permittivité des ondes
présenté sur la figure 20. La relation électromagnétiques transversales
(16.30) montre que la fréquence de due aux électrons de conduction,
plasma est un zéro de la permitti en fonction de la fréquence.
vité pour une onde électromagnéti
que transversale. Si l’on tient compte des relations existant entre
la permittivité, l’indice de réfraction n et le coefficient d’absorp
tion x
e± (<*>) = [n (ü)) + ix (<o)]2,
nous obtenons
n (m) = 0, x = ^ 0 pour co < <d;i;
n (m) =£ 0, x (œ) = 0 pour co > cop.
Comme le coefficient de réflexion de l’onde électromagnétique sur
la lame est donné par l ’expression R = ’ Pour w ^ (ùp
on doit observer une réflexion totale. Ceci explique le haut pouvoir
réflecteur de la plupart des métaux dans les régions spectrales visible
et proche infrarouge. Si l’on augmente la fréquence, lorsque co
passe par cop, une augmentation brutale de la transparence de la
lame fait suite à la réflexion totale. On utilise parfois cette augmen
tation brutale de la transparence pour déterminer la fréquence de
plasma. Comme la valeur de cop est grande, ces rechepahesê^tiques
doivent être menées dans l ’ultraviolet lointain.
La durée du libre parcours des électrons est limitée par les inte
ractions avec les phonons, les défauts du réseau et les impuretés. Soit
t l’intervalle de temps moyen séparant deux chocs successifs. Dans
ce cas il convient de modifier l’équation (16.28) de sorte que
m ( x + - ^ x ^ = eEx.
Lorsque copx " > l f l’expression (16.31) devient
(16.32)
8^ ( (ù) = 1—
Dans les métaux purs à basse température la valeur de t est environ
10~9 s. La condition copx 1 exprimant la faiblesse de la diffusion
est pleinement réalisée.
Les oscillations de plasma sont aussi possibles dans les semi-
conducteurs. Le carré de la fréquence de plasma pour des semi-
conducteurs possédant une bande de conduction isotrope est donné
par l’expression
4jrc*n0
|(0P2 m*e0 •
où m* est la masse effective des porteurs de charge ; n0 leur densité.
Comme n0 est petit, l ’énergie des oscillations de plasma est relative
ment faible (de l’ordre de 0,01 eV). Pour étudier ces oscillations on
utilise la diffusion inélastique d’un rayonnement laser infrarouge.
Pour des fréquences <ù telles que cdp < (o < Eg/h, les semi-conduc
teurs sont relativement transparents. Les quanta de ce rayonnement
traversant le cristal et excitant des plasmons perdent une énergie
ogale à h (o> — e/) = fi(op. En mesurant la fréquence <o' on peut dé
terminer (ùp.
En introduisant dans le semi-conducteur des impuretés (dopage)
on peut augmenter sensiblement la densité des porteurs de charge n 0.
Cependant l’introduction des impuretés, si elle permet d’augmenter
la valeur cop, diminue le temps x jusqu’à 10”u -10”12 s. C’est pour
quoi la condition cd0x 1 exprimant le faible amortissement des
oscillations est satisfaite seulement pour des semi-conducteurs dont
la masse effective électronique est très faible. Par exemple, dans
ImSb la masse effective électronique est m* « 0,01 m.
En plus des modes oscillatoires de basse fréquence du plasma,
•correspondant aux électrons de conduction, on peut avoir dans les
semi-conducteurs des modes de plasma de haute fréquence, auxquels
participent tous les électrons de valence des atomes.
Pour calculer la permittivité d’une onde longitudinale, prenons
une feuille mince du composé solide, plaçons-la entre les armatures
d ’un condensateur plan soumis à une tension alternative. Le champ
E z est Ez = E£0) exp (—icot). Le champ interne dans le solide sera
£ int = Ez — 4nP 2, où Pz est le moment dipolaire spécifique dû

au déplacement des électrons. Le mouvement des électrons soumis
à ce champ est déterminé par l'équation
mz = - e E zint,
par conséquent,
m(0ï *£!nt»
et
2
Pz = — e v 0z -.
An ( © p — O 2)
Par ailleurs, Pz = gH £ z. La permittivité scalaire longitudinale

An
est donc donnée par l’expression
0>p
«Il (©) = ! + (16.33)
<ùp— Ci)2 J
sa variation est représentée sur la
figure 21. Ce schéma représente la 1
réponse linéaire du système à un
champ électrique extérieur alternatif
longitudinal. De (16.33) il découle J' 00
que la fréquence de plasma est un wp A ,
pôle de la permittivité scalaire lon
gitudinale.
Conformément à la théorie géné
rale 15, 401, tout milieu dispersif
est absorbant. L’absorption d’éner
gie est définie par la partie ima Fig. 21. Permittivité des ondes
ginaire de la permittivité. La formu électromagnétiques longitudinales
duc aux électrons de conduction,
le (16.33) définit la permittivité en fonction de la fréquence.
seulement au voisinage de œp. Pour
ces fréquences Cjj (co) est réelle. Pour déterminer la partie imaginaire
de la permittivité, utilisons les relations de Kramers-Kronig
Ree(<o) = t- | ^ (fc + 1 .(16.34)
où la lettre <fPsignifie que l’on calcule l’intégrale en prenant sa partie

principale. (16.33) devient facilement
w*6 (:—<ûp)
Reçu(©) = 3* ^ Ci)*
dz-\-1. (16.35)
Comparant (16.34) et (16.35), on trouve la partie imaginaire de la

permittivité scalaire longitudinale
a) Im 6|| (©) = (ù2p6 (<o — (op). (16.36)
Ceci montre que le champ électrique alternatif longitudinal est for
tement absorbé par le solide lorsque sa fréquence coïncide avec la
fréquence de plasma. En intégrant les deux membres de (16.36) par
rapport à la fréquence nous obtenons la règle de sommes importante
oo
j o) Im en (co) dco = - y Jicoj. (16.37)
0
La mesure des pertes énergétiques d'électrons rapides (quelques
keV) transmis ou réfléchis constitue une preuve remarquable de
l'existence possible de plasmons dans les solides. Un champ électro
nique longitudinal (coulombien) est un bon moyen pour exciter des
plasmons. On a montré que les électrons rapides transmettent leur
énergie essentiellement aux plasmons, lorsque l ’impulsion transmise
est inférieure à hkc. La théorie des pertes énergétiques d’électrons
dans les solides est développée dans [41].
§ 17. Ondes de spin dans les ferromagnétiques. Magnons

Certains atomes, ions ou molécules (0 2, NO) possèdent à l’état
fondamental un moment magnétique différent de zéro. Dans un cris
tal placé dans des conditions déterminées (basses températures),
ces moments magnétiques s’ordonnent pour constituer un système
très sensible à l’action d’un champ magnétique extérieur. En géné
ral, on divise ces composés en quatre catégories.
A. Les ferromagnétiques. Ce sont des solides dont les moments
magnétiques des ions sont parallèles entre eux à des températures
inférieures à la température de Curie. Dans de tels cristaux apparais
sent donc des régions {domaines) présentant une aimantation sponta
née importante. Le fer, le cobalt, le nickel, le dysprosium, dont les
atomes possèdent quatre, trois ou deux états électroniques vides
dans leur sous-couche interne 3d, sont des corps ferromagnétiques.
Pour des températures supérieures à la température de Curie, un
ferromagnétique se comporte comme un paramagnétique. Les tem
pératures de Curie du fer, cobalt, nickel sont respectivement égales
à 1043, 1393 et 631 K. Le passage à l’état paramagnétique est une
transformation de phase de second ordre.
B. Les antiferromagnétiques. Les oxydes et les sels des métaux
de transition: FeO, CoO, CoF2, NiS04, RbMnF3, etc., sont antiferro
magnétiques. On peut considérer cette structure comme un ensemble
§ 1?1 ONDES DE SPIN DANS LES FERROMAGNÉTIQUES 103
de deux ou plusieurs sous-réseaux ferromagnétiques, imbriqués de

telle sorte que leur moment magnétique résultant soit nul pour des
températures inférieures à la température de Néel. Le Tableau 9
indique les températures de Néel de quelques antiferromagnétiques.
Tableau 9
Température de Néel pour quelques antiferromagnétiques
C ristal C0 SO4 NISO4 RbMnF3 FeO CoO NIO
Température de
N&l, K 12 37 8 2 ,5 188 290 [5 2 0
En l'absence de champ magnétique extérieur, la somme des

moments magnétiques des sous-réseaux ferromagnétiques est nulle.
Cependant, dès qu'un champ magnétique extérieur atteint une
valeur critique, une aimantation résultante apparaît. Cette aiman
tation croît linéairement avec le champ jusqu'à une nouvelle valeur
critique, au-delà de laquelle on observe une saturation. Au-dessus de
la température de Néel, le composé antiferromagnétique se comporte
comme un paramagnétique.
C. Les ferrimagnétiques (ferrites). Les sels complexes de métaux
de transition (MnO-Fe20 3; FeO-Fe20 3; CoO-Fe20 3, etc.) consti
tuent des ferrimagnétiques. Pour des températures inférieures à
la température de Curie qui, pour les composés cités, est respective
ment égale à 593, 863 et 793 K, les ferrites sont constitués de plu
sieurs sous-réseaux magnétiques dont les moments ne se compensent
pas complètement. Sous l'action d'un champ magnétique extérieur,
au-dessus d'une certaine valeur critique, une aimantation résultante
apparaît. Cette aimantation croît linéairement avec le champ jus
qu'à une seconde valeur critique au-delà de laquelle la saturation
apparaît.
D. Cristaux magnétiques ordonnés en spirale (hélimagnétiques).
Toute une série de cristaux (terres rares, Mn02, MnAu2, etc.) pré
sentent une distribution hélicoïdale des spins. En raison de la grande
diversité de répartition des spins, il est difficile d’en donner une
description générale.
Les moments magnétiques des atomes sont essentiellement liés
à leurs spins. L’ordre magnétique des ferro, antiferro et ferrimagné
tiques à basse température résulte de la corrélation entre les posi
tions et les directions des moments magnétiques. Celle-ci est défi
nie par ce que l ’on appelle les interactions d'échange. L'interaction
d’échange représente la variation de l ’énergie d’un système en fonction
de la symétrie spatiale de sa fonction d’onde. Elle dépend aussi,

par conséquent, de la valeur du spin total. Pour illustrer cette dé
pendance du spin total, on peut utiliser le modèle simple d'interac
tion entre deux atomes d’hydrogène: si leurs spins sont parallèles,
ils se repoussent, s'ils sont opposés, ils s’attirent.
L’ordre de grandeur de l’énergie d’échange est donné par e2/a,
où e est la charge de l ’électron et a la constante du réseau. Si a ~
~ 5 -10~8 cm, e2/a ~ 10”12 erg. Dans les ferromagnétiques, la dis
position ordonnée des spins est détruite à la température de Curie.
L’énergie d’échange est donc du même ordre de grandeur que l’éner
gie d’agitation thermique de l ’atome à la température de Curie
(à 1000 K, cette énergie est égale à ~1,4-10"13 erg).
L’interaction directe des moments magnétiques (interaction
dipolaire magnétique) dépend aussi de l’orientation des spins des
atomes. L’interaction des spins électroniques est appelée interaction
dipolaire spin-spin, et l ’interaction du moment magnétique de spin
de l’atome avec le moment magnétique orbital est appelée interaction
dipolaire spin-orbite. Ces deux types d’interaction sont proportionnels
au produit des moments magnétiques et inversement proportionnels
au cube de leur distance. Dans un cristal, cette interaction est de
l’ordre de 10~16 à 10”17 erg pour des atomes voisins. Les interactions
spin-spin et spin-orbite sont donc sensiblement plus faibles que les
interactions d’échange.
L’interaction d’échange joue le rôle fondamental dans l ’orienta
tion relative des spins, mais ne définit absolument pas la direction
du spin total par rapport aux axes cristallographiques du cristal.
Cette dégénérescence en fonction des directions est partiellement
levée par les interactions spin-orbite intraatomiques. Le mouvement
orbital des électrons, lié aux directions cristallographiques, donne
naissance à un champ magnétique effectif — le champ d'anisotropie
(~ 1 0 3 à 104 Oe). C’est pourquoi des directions d'aimantation facile
apparaissent dans le cristal; ces directions correspondent à une
orientation préférentielle de la résultante des spins électroniques.
L’énergie d’interaction du moment magnétique de spin avec le
champ d’anisotropie est du même ordre de grandeur que l’énergie
d ’interaction dipolaire spin-spin, soit 10“lfl à 10‘17 erg.
Dans l ’état fondamental, le cristal présente une répartition or
donnée des spins. Une faible perturbation de cette répartition se
propage dans le cristal sous la forme d’une onde de spin. Dans ce
qui suit, nous ne considérerons que les bases de la théorie des ondes
de spin. Un exposé plus détaillé peut être trouvé dans les monogra
phies de Akhiezer, Bariakhtar et Péletminski [42] et dans les articles
143, 441.
Pour décrire les excitations de faible énergie dans les cristaux
magnétiques ordonnés, il convient d’utiliser non pas l ’hamiltonien
total comprenant comme énergie potentielle seulement l ’énergie
S 17] ONDES DE SPIN DANS LES FERROMAGNETIQUES 105
d'interaction coulombienne des électrons et des noyaux, mais un

hamiltonien phénoménologique — Yhamiltonien d'Heisenberg, dans
lequel ne figurent explicitement que les interactions résponsables de
l'orientation des spins.
Si l’on néglige les interactions spin-spin par rapport à l ’interac
tion d’échange, on peut écrire l’hamiltonien d’Heisenberg (du spin)
du cristal, soumis à un faible champ magnétique extérieur homogène
B = {0, 0, S}, sous la forme
H = — \10 2 Bs„— ^ 2 7(n — m) snsm, (17.1)
n n, m;
où p0 = ehl(2 me) est le magnéton de Bohr; / (n) = / (—n); sn est
l’opérateur vectoriel du spin (en unités h = 1) vérifiant les relations
de commutation
[Sn, Sm] = ÎÔn, msn» ••• (17.2)
/ (n — m) sont les intégrales d’échange des atomes n et m, homogè
nes à une énergie. Dans (17.1) nous avons gardé le faible champ magné
tique B, de manière à faire apparaître l’axe d’aimantation z du
cristal. Ceci afin de ne pas alourdir l ’opérateur (17.1) par l’intro
duction du terme d’interaction des spins avec le champ d’anisotropie-
(d’origine électrostatique) du cristal. Cette interaction, faible par
rapport à l’interaction d’échange, définit néanmoins la direction
d’aimantation du cristal.
Les intégrales d’échange / (n — m) sont proportionnelles à
y -j n^ m ^ , où y représente les intégrales de recouvrement des fonc
tions d’onde des atomes n et m. Ces intégrales décroissent exponen
tiellement avec la distance interatomique, c’est pourquoi dans
(17.1) on peut se limiter aux interactions entre plus proches voisins.
L’hamiltonien (17.1) commute avec les opérateurs du carré du
moment de spin et de sa projection sur le champ magnétique (direc
tion de Oz)
S»=Œn -î.l2, st (17.3)
Le carré de l’opérateur de spin si de chaque atome a une seule
valeur propre s (s + 1), où s prend les valeurs demi-entières 161
1/2, 1, 3/2, . . . Les opérateurs de spin agissent dans l ’espace des
fonctions de spin | s, sz), où sz prend 2s + 1 valeurs ± s, ± (s — 1),...
Aux opérateurs sx, sy, sz, substituons les nouveaux opérateurs *)
s*, s = iSy, s = Sjç—
“ iSyj (17.4)
•) Ne pas confondre l’opérateur vectoriel de spin s figurant dans (17.1)
avec l’opérateur s défini par (17.4).
vérifiant les relations de commutation

[s * ,s )= 2 s z, [s*, s+]=s+y [s% s] = s. (17.5)
Les opérateurs et s ont pour éléments matriciels non nuis
<s, sz + 1 I sz) = (sf sz \ s \ s J s2+ 1) =
“ /( « - « * ) (*+*« + !). (17.6)
L ’opérateur s+ augmente la valeur de la projection du spin sur l’axe
2 d’une unité, et inversement pour l’opérateur 5. Les opérateurs de
spin relatifs à deux atomes différents commutent entre eux.
Utilisant l’identité
s n S m — Sn Sîn ( 5n$m Sn $m), (1 7 - 7 )
on peut transformer l’opérateur (17.1) en

H = E 0 + Ht + H Zy (17.8)
où
E 0= - p 'B N s — ^ N sL (0), (17.9)
/T1= (n5 + Z,(0)) 2 («— *£)— J 2 7(n — m) sasi„ (17.10)

n n,m
H ,= - - ^ ' / ( n - r o H s - ^ M s - ^ ) , (17.11)
n, m
{n). (17.12)
n
Pour des ferromagnétiques, tous les / (n) sont positifs. Le mini
mum de l’énergie (Em[n = E 0) correspond à un état où tous les
spins sont parallèles au champ. Les états excités correspondent à un
retournement d’un ou de plusieurs spins dans la direction opposée.
17.1. Représentation des opérateurs de spin par des opérateurs
diexcitation spinorielle. Le carré de l’opérateur de spin de chaque
atome possède une seule valeur propre $ (s + 1). Les trois opérateurs
i*, sf, s sont donc liés par la relation
£2 = + i . ( ? ; + « ; ♦ ) = « (S+ i ) , (i7.i3)
et il convient de les remplacer par deux nouveaux opérateurs indé
pendants. Il est commode de prendre les opérateurs de création
Pn et d’annihilation pn d’excitation du spin de l’atome n du cristal.
Par excitation spinorielle d’un atome, nous entendrons la diminution
d ’une unité de la projection du spin sur la direction du champ (l’axez).
§ 17] ONDES DE SPIN DANS LES FERROMAGNETIQUES 107
Si le spin des atomes est 1/2, le passage aux opérateurs p+ et u,

compte tenu de (17.13), est réalisé par les égalités
= SÎ, p£ = Sn, 5n = 4 ----------------------- (17.14)
Les opérateurs p.n, p j vérifient les relations de commutation des
opérateurs de Fermi
M-nfAn“4“ H-nfln = 1» = (M-n)2= 0 (17.15)
s’ils concernent le même atome, et les relations de commutation des
opérateurs de Bose
Inn. Hml = [Un, Hml = 0 , n m, (17.16)
s’ils concernent deux atomes différents. Ils agissent sur des fonctions
| N n) caractérisées par les nombres entiers N n. Pour chaque atome,
ces nombres ne prennent que deux valeurs 0 ou 1. L’action des opé
rateurs fin sur la fonction | N n) est définie par les égalités
lin I Nn) = Nn | 1 - N n), pj | N n) =](1 - Na) I N n 4- 1).
(17.17)
Des opérateurs vérifiant à la fois les relations de commutation
(17.15) et (17.16) sont appelés opérateurs de Pauli. Leur utilisation
est malaisée dans les calculs pratiques. Quand on calcule les pre
miers états excités du cristal, c’est-à-dire lorsque le nombre de spins
renversés est faible, de sorte que (|ij (in) < 1, les relations de
commutation (17.15) peuvent être remplacées par les relations ap
prochées
UnHÎ —HÎm, = l — 2nîH n« 1. (^n, |lm] = 0; (17.18)
on peut donc considérer que les opérateurs vérifient les relations
de commutation de Bose, à condition que la valeur propre des opé
rateurs pî|xn soit 0 ou 1.
Il est très facile de passer des opérateurs de spin aux opérateurs
d’annihilation et de création d’excitations spinorielles : la trans
formation utilisée est appelée transformation de Holstein-Primakov.
Pour un atome de spin s:
= y2s — SÎ = V 2s —(lîfln fin, Sn = S—I^Hn- (17.19)
Si les opérateurs \in vérifient les relations de commutation de
Bose (17.18), les opérateurs de spin vérifient les relations de commu
tation (17.5)
Pour un spin atomique fixé, les nouveaux opérateurs pn• 4Un
agissent dans l’espace des fonctions de nombres entiers N n parcourant
2s + 1 valeurs seulement: 0, 1, 2, . . ., 2s. Contrairement aux opé
rateurs de Bose, qui agissent dans l’espace des fonctions de nombres
d’occupation quelconques, ces nouveaux opérateurs correspondent à
un nombre d'occupation limité. La présence de la condition N n ^ 2s

crée toute une série de complications. Cependant, à basse tempéra
ture, lorsque les états excités sont proches de l'état fondamental, il
y a peu de spins renversés:!
| <nSyn).<s (17.20)
et les difficultés résultant de la condition N n ^ 2s peuvent être
négligées.
Dans les expressions (17.19), les radicaux peuvent être développés
en série infinie de raison :
2s
$n == V 2s --- jj -PnPnPn4“ • • • )• (17.21)
Si l’inégalité (17.20) est vérifiée, il convient de ne garder de (17.21)
que le premier terme. Les égalités (17.19) deviennent alors
Sn = n£V 2s. sS = h„ V 2 s, s* = ( s —HÎHn)- (17.22)
Si nous utilisons ces expressions approchées, l’opérateur d’Heisen-
berg (17.8) se simplifie :
H = H 0 + H lnu
avec
H0 = E0+ ln B + L ( 0 ) ] 5 n îH n - s S ' /( n - m ) n S n m, (17.23)
n n.m
^lnt & 2~ 2 ^ (n — m) PnPnPmPm • (1 / .24)
n, m
17.2. Spectre énergétique d’un ferromagnétique isotrope pour
de faibles excitations. Lorsque le nombre d’excitations élémentaires
est faible ((pipn) 1), on peut considérer l ’opérateur Hini comme
une perturbation. A l’approximation d’ordre zéro, le spectre éner
gétique des excitations élémentaires spinorielles est déterminé par
l ’opérateur
A// = H — = [pB -h L (0)1 2 PnPn— 5 ^li *H(n — m) (in|ini* (17.25)
n n, m
Pour diagonaliser l ’opérateur (17.25), on doit effectuer une trans
formation canonique exprimant à partir des opérateurs p£ et p„
les opérateurs p£ de création et p* d’annihilation d’une excitation
élémentaire spinorielle, ou magnon, de quasi-impulsion fik. Pour
un cristal comprenant N mailles élémentaires, cette transformation
s’écrit
Un = - 4
'
= - 2 P* exP (ikH)-
le
(17.26)
§ 17] ONDES DE SPIN DANS LES FERROMAGNÉTIQUES 109
Substituant (17.26) dans (17.25), nous obtenons

AH = S E (k) ntjik, (17.27)
où
£(k) = n5 + c(k), (17.28)
e(k) = L(0) —L (k), L(k) = s / (n) exp (tkn). (17.29)
n( É0)
Les intégrales I (n) décroissent exponentiellement (/ (n) ~
~ exp ( — n , aB = 5*10"® cm) lorsque la distance | n |
augmente. Dans la somme (17.29) on peut donc se limiter aux atomes
les plus proches. Si v est le nombre de plus proches voisins (6 pour le
réseau cubique simple, 8 pour le réseau cubique centré et 12 pour le
réseau cubique à faces centrées) pour un cristal cubique de constante
a, on a
L (k) = six cos ka. (17.30)
Par conséquent, dans le domaine où ka ^ 1, la loi de dispersion
de l’énergie des magnons est
e(*) = L ( 0 ) - L ( k ) = - g £ f (17.31)
où m* = h2l(xsla2) est la masse effective du magnon. Pour évaluer
cette grandeur, on peut poser v = 6, s = 1/2, a = 10“8 cm, / =
= xT c, x est la constante de Boltzmann et Tc la température de
Curie :
m* « 104me/7Tc,
où me est la masse de l’électron.
Il y a une certaine analogie entre les ondes de spin et les vibra
tions des atomes dans les solides. Les magnons, comme les phonons,
contribuent à la chaleur spécifique du solide. Dans les cristaux de
métaux ferromagnétiques purs, il y a un ion dans chaque maille
élémentaire. C’est pourquoi dans ces cristaux il n’y a qu’une seule
branche d’ondes de spin. L’énergie des magnons tend vers zéro lors
que les vecteurs d’onde se rapprochent du centre de la zone de Bril
louin. Cette branche s’appelle branche acoustique de magnons.
Dans les alliages ferromagnétiques (Fe — Cr, Fe — Ni, Fe —
Ni — Al, etc.) la maille élémentaire contient plusieurs ions magné
tiques. Il leur correspond un nombre égal de branches d’ondes de
spin. L’une d’entre elles est acoustique. La fréquence des autres
tend vers une valeur finie lorsque la longueur d’onde augmente. Ces
branches sont appelées branches optiques de magnons.
17.3. Interaction des magnons avec les vibrations du réseau.
En réalité, l’opérateur (17.25) définit le spectre énergétique des
excitations spinorielles à l'approximation zéro tant que les ions

ferromagnétiques sont supposés rigidement fixés aux nœuds du
réseau. Lorsque ces ions s'écartent de leur position d'équilibre, il
faut tenir compte de la variation des intégrales d'échange / (n — m)
en fonction de leurs déplacements J*n et | m.
Pour de faibles déplacements, il convient de remplacer dans
l’expression (17.25) / (n — m) par le développement
I ( n - m) “h %m)Dnm-J- • ,
où
n _ / àï (n —ni) \
nm V /O
Passant aux opérateurs de déplacement £n et on obtient l ’opé
rateur d'interaction des excitations spinorielles et des vibrations de
réseau
H vib. sp. — — S 2 ( in — %m) Dnm|iJ[Ini.
n, m
Passant dans cette expression aux opérateurs de création et d'an

nihilation des magnons et des phonons à l'aide des transformations
(17.26) et de l ’expression
fn - 2 e <*> ^ + '*-*>'e*P(ikn)>
k
nous obtenons l ’opérateur d'interaction dans lequel prennent part
deux magnons et un phonon :
^ v ib . sp. = — S — ^ W ] (^q “1" ^-q) M’ilAk-q+g»
k. q. g
D (k) = s 2 2 m/VQ(k) (Dnn,e W ) « p [£'k (m— n)].

m
Cet opérateur décrit les processus d ’émission et d’absorption d’un

phonon par un magnon. On peut considérer le processus d’émission
d’un phonon comme le rayonnement Cerenkov d ’une onde acoustique
par un magnon. Les conditions nécessaires à l’émission d’un tel
rayonnement sont réalisées lorsque la vitesse du magnon est supé
rieure à la vitesse du son cac. Si le magnon est assimilé à une quasi-
particule de masse effective donnée par (17.31), l'émission d ’un pho
non sera possible lorsque Kk > m*cac.
17.4. Interaction entre magnons. Les magnons correspondent
aux valeurs propres de l ’hamiltonien (17.23). Celui-ci a été obtenu
à partir de l ’hamiltonien (17.1) au prix de deux approximations:
a) dans le développement en série infini (17.21), on ne tient compte
ONDES DE SPIN DANS LES FERROMAGNÉTIQUES lit
que du premier terme; b) on néglige l ’opérateur (17.24). Si Ton

renonce à ces approximations, les magnons cessent d’être indépen
dants. Ils entrent en interaction. Il convient de séparer cette inte
raction en deux termes: a) l ’interaction dynamique représentée par
l’opérateur (17.24); b) l’interaction cinématique conditionnée par
les termes suivants du développement (17.21).
Considérons tout d’abord l ’opérateur d ’interaction dynamique.
Effectuant dans (17.24) la transformation canonique (17.2G) nous
trouvons
# Int -----2 ^ 7 2 L <k ' ” k ) ( 1 7 -3 2 >
où L (k) est défini par l’expression (17.29); la sommation dans
(17.32) s’étend à tous les vecteurs k, k', q, q' vérifiant la relation
k - k' + q - q' = g, (17.33)
où g est un vecteur quelconque du réseau réciproque. L’opérateur
(17.32) , du quatrième ordre par rapport aux opérateurs de magnons,
décrit les processus de diffusion des magnons les uns sur les autres.
Pour obtenir l’opérateur d’interaction cinématique des magnons,
il convient de substituer, dans (17.10), la valeur (17.21). Si l’on
ne conserve que les opérateurs d’ordre quatre, nous obtenons à côté
de (17.23) et (17.24)
/ / i n t ==“£" 2 ^ — n i) (fl " Mmfl «n(Am “4"fAn(An|AnH’in)-
n, m
Après la transformation (17.26) cet opérateur devient
//,"t = ~ m r 2 L (k) (17.34)

La sommation s’étend à toutes les valeurs k, klt q, q1 des vecteurs
d’onde de la première zone de Brillouin vérifiant la condition
k + kx = q + qx + g.
17.5. Chaleur spécifique d’un gaz de magnons. En raison des
interactions magnon — magnon et des interactions magnons —
phonons des vibrations du réseau, le nombre de magnons varie jusqu’à
réalisation de l’état d’équilibre thermodynamique. Plus haut nous
avons montré que, pour de faibles densités, les magnons se compor
taient comme des bosons. Leur dispersion est donnée par l ’expres
sion (17.31). Comme le nombre de magnons ne se conserve pas, le
potentiel chimique de ces particules est nul. Le nombre moyen de
magnons de vecteur d’onde k et d’énergie E (k) à la température 6
est donné par la formule
(Nk) ( ^ p k) = (exp - 1 ) ■*, e = x7’(17.35)
identique à la formule déterminant le nombre moyen de phonons.
En l’absence de champ magnétique extérieur, E (k) = e (k) =

= ft2k2/2m*. L’énergie moyenne des magnons dans un cristal com
prenant un seul ion par maille élémentaire est
<£) = £„ + 2 c (k)<tf*>. (17.36)
k
Dans l’expression (17.36), on peut passer de la sommation à l’inté
gration sur k, sachant que le cristal contient N mailles élémentaires
5e volume v:
IFS-F ■ » * ( 2m«9)5' 2 f* x 'd x (17.37)
W — ôT - /iTC*m *n3 J exp ( —x 2) — 1 •
o
ou
hkn
(17.37a)
y 2m*e
A basse température, quand x 0 1, la limite supérieure d’inté-
oo
C x*dx
gration peut être étendue à l ’infini. Sachant que \ =
_ o
= ? £ î ç ( | . ) , où £ ( y ) est la fonction dzêta de Riemann, égale
&~1,341, on obtient
(E) = E 0 + A V e il2, x0» l , (17.38)
OÙ
, 3 m* \ 3/2
4 /2 jta* j
Par conséquent, la chaleur spécifique d’un gaz de magnons à basse
température vérifie la loi
r «3/2
— a m ag" i zmas — 2
La chaleur spécifique d’un gaz de phonons à basse température est
proportionnelle au cube de la température (10.19). Cette propriété
permet de retrouver la chaleur spécifique du gaz de magnons à partir
5e la chaleur spécifique totale du solide. Si
Cq= Æph©3-p IZniaff ® ^
la grandeur
e- 3/2c 0 =aphe3/2 +amae
sera une fonction linéaire de O3/2. La pente de la droite ainsi cons
truite définit aph et l ’ordonnée à l ’origine la grandeur amag, per
mettant de calculer la masse effective du magnon. La présence de
§ 18] ONDES DE SPIN DANS LES ANTIFERROMAGNÊTIQUES 113
magnons dans un cristal diminue le moment magnétique M 0 =

= \iosN à l’état fondamental. La valeur moyenne du moment magné
tique le long de l’axe z du cristal est déterminée p~r l’expression
(M z) = ii0 5 <«*.>, (17.39)

n —i
où p0 est le magnéton de Bohr. Remplaçons le nombre moyen de

magnons par sa valeur (17.35) et passons de la sommation à l’inté
gration sur k :
(M Z) = M 0(1 - 5 ) ,
où O$
5
IIn
*0
i>(2m*0)3/2 P x *d x o V
l 2n*sfi* 3 «**—i 2n*s t
0
æ 2,612.
ï(i)
Par conséquent, à basse température, le moment magnétique du
cristal diminue lorsque la température augmente en G3/2 (loi de
Bloch).
§ 18. Ondes de spin dans les antiferromagnétiques
La théorie des ondes de spin dans les antiferromagnétiques fait
l’objet des travaux de Bogolioubov et Tiablikov [45]. Dans ce qui
suit, nous considérerons seulement les bases de la théorie ; pour un
exposé plus complet, se référer à la monographie [46].
Le cristal cubique RbMnF3, dont la température de Néel est
82,5 K, est un exemple d’antiferromagnétique constitué de deux
sous-réseaux. Le champ d’anisotropie de ce cristal est dirigé le long
de l ’axe d’ordre trois. Sa valeur ( ~ 4 Oe) reste faible comparative
ment au «champ» résultant de l’interaction d’échange ( ~ 8 ,9 -106 Oe).
Le modèle d’antiferromagnétique étudié est un cristal consti
tué de deux sous-réseaux A et B imbriqués l ’un dans l’autre. On sup
pose que chaque ion du sous-réseau A est entouré de proches voisins
B et réciproquement. Les moments magnétiques PqS et les spins s
des ions A et B sont identiques. A l’état fondamental, en l’absence
de champ magnétique extérieur, chaque sous-réseau est aimanté à
saturation, et les résultantes des moments magnétiques de chaque
sous-réseau sont opposées. Par conséquent, dans l’état fondamental
l' ' : *10>, ‘ 9® ,0 > = -^ s jb ) ( 18. 1)

8 -0 5 3 4
L’opérateur de Hamilton du solide antiferromagnétique est

représenté par
H= ~ t 2 (18.2)
a, 3 n. ni n, a
où a et p correspondent aux deux sous-réseaux A et B ; n et m sont
des vecteurs du réseau ; B est le champ magnétique dans le cristal,
sa direction correspond à la direction d’aimantation des sous-réseaux ;
& >jï ë + t
Les intégrales d’échange I a 3 (n — m) vérifient les inégalités
J AA — ^BB 3> 0, IAB < 0. (18.3)
Pour de faibles excitations rentrant dans le cadre de l’approxi
mation (17.22), il convient de passer à la représentation par les
nombres d’occupation dans l’opérateur (18.2). On utilise pour cela les
égalités
iS - Y 2 - .A i, ; > = y r s s„, (184)
= s— s £ = — s + BZBn.
Dans ces conditions l’Iiamiltonien (18.2) devient
# = £„ + //! + H 2, (18.5)
où
E0= sN [ l aa (0)— y ^ ab (0) j . (18.6)
£ap00 = s ^ âp(n)exp(ikn), a, P = .4, B, (18.7)
n(qt0)
H l = y : (G+AîtAa + G.B*Bn) -
n
— AA (n — m) (^n^m + fin ^ m ) ----jj"S ^ A B (n — m) X
n. m
x (A ffin + AnBm) ] , (18.8)
G± = L aa (0 ) ± fx0B - L ab (0). (18.9)
L’opérateur H« contient les opérateurs de Bose de degré plus élevé.
Exprimons l’hamiltonien (18.8) en fonction des opérateurs de
Bose j4k et Z?k, de manière à mettre en évidence l’aspect collectif
des excitations. Utilisons les transformations canoniques
2 b- = y t 2 » * “ "• ( « - ‘ O)
% 18) ONDES DE SPIN DANS LES ANTIFERROMAGNÊTIQUES 115
où k sont des vecteurs d’onde de la première zone de Brillouin. Les

opérateurs -4 k et 2?k vérifient les relations de commutation
[4k, Ai.] = [Sk, Bt.) = ôk. k- (18.11)
Nous obtenons finalement
k
OÙ
Uk = a (k) A*kAk + p (k) B l kB . k + y (k) (-4££lu + A kB_k), (18.12)
a (k) = a ( - k) = L aa (0) - L aa (k) + n05 + y (0),
P(k) = P (-k ) = L aa ( 0 ) - Laa (k) —Ho^ + T (0), (18.13)
y00 = y ( —k) = —t L ab
Pour diagonaliser l’hamiltonien (18.12), il faut substituer aux
opérateurs de Bose 4 k, Bk les opérateurs de création et d’annihila
tion des excitations élémentaires, définis par la transformation
canonique
px (k) = 4 k ch cp+ /?* k sh cp, p2 (k) = -4k sh cp+ ch cp. (18.14)
La transformation (18.14) est unitaire quel que soit cp. Par consé
quent, les nouveaux opérateurs vérifient les lois de commutation de
Bose :
Ifii (k), nP (k')] = ôkirfn-, lut (k), pi. (k')] = 0. (18.15)
Nous choisirons la valeur de cp de manière à diagonaliser l’hamil
tonien (ltS.12), qui deviendra
O
Hk = 5 e, (k) p? (k) fl, (k) + c0 (k). (18.16)

/- 1
Il en découle
[u j (k), //kl = (k) (k) = cx (k) (4 k ch cp+ B t k sh cp). (18.17)
Par ailleurs, en utilisant (18.14) et (18.12) nous obtenons
[p! (k), / / kl = 4 k (a ch cp — y sh cp) + B l k (y ch cp — p sh cp).
Comparons cette expression avec (18.17). Nous obtenons un systè
me de deux équations
(c, (k) — a (k)) ch <p + Y (k) sh 9 = 0 ,
Y ch 9 — (ej (k) + P (k)) sh 9 = 0 .
Ce système admet une solution non nulle pour des valeurs de l’éner
gie égales à
ei (k) = 4 - 1« (k )-P (k) ± V(P (ML+aik})2—4Y2 001 • (18.19)
8*
L’expression (18.13) donne

x (10 - p (k) (18.19a)
Dans un antiferrom ignétiqnp, est notablement inférieur aux
intégrales d’échange. Des deux solutions (18.19) nous conserverons
donc celle qui présente le signe 4- devant le radical.
Un calcul analogue de l ’expression [|i2 (k), H*] conduit à
e, (k) = -i- IP (k) - « (k) + /( P ( k ) + a ( k ) ) 2 - 4 ?Mk)]. (18 .20 )
En l’absence de champ magnétique B, les deux solutions (18.19) et
(18.20) coïncident:
Cl (k) = c, (k) = V a 2 (k) — V2 (k).
Pour de faibles vecteurs d’onde (ka < 1 ) , dans un cristal iso
trope, conformément à (18.13) et (18.7), nous pouvons utiliser les
expressions approchées
v(k) = v (0) — iMk2, -r [ a (k ) + V(k)) = y(0) + ln k * ,: (18.21)
OÙ
Zu = T 2 n I/A A (n)> 0, il î = - - S ,n2/«3.(n) > ° - (18‘22>
Substituons (18.21) dans (18.19). Nous obtenons l’énergie des ma

gnons antiferromagnétiques de grande longueur d’onde
Ci. 2 (k) = ± + k V"Y (0)[£u+ *«], ka < 1. (18.23)
Par conséquent, l’énergie des magnons de grande longueur d’onde
dans les cristaux antiferromagnétiques est proportionnelle au vecteur
d’onde, comme pour des phonons acoustiques. C’est pourquoi, à
basse température, la chaleur spécifique d’un gaz de magnons est
aussi proportionnelle au cube de la température.
Calculons à présent l’angle . Nous obtenons
2y(k) 2 ch <psh tp
th 2ç > 0. (18.24)
a(k)+P(k) sh*q>-|-ch* <p
A partir de (18.24) on peut aussi écrire
/(a (k )+ P (k ))* -4 v M lO = ' . . 1 , ,
.... / . . a(k)+15(h) çh»«p+sh*ip;
qui, compte tenu de (18.19), devient
(-.’l .?.L) . i( .;) -y . — - u ’(kH -g(fc) — CM t fl8.25)
2t(k)—Ia(k)—B(k)l Ÿ
Lorsque È = 0, a (k) = p (k), les égalités (18.24) et (18.25) se sim

plifient
- - ^ - = c h 2 9 + sh2(p, 2 c h 9 —sh(p = - ^ - - (18.25a)
Calculons l’énergie c0 de l’état vide figurant clans l’expression
(18.16). Pour cela il faut substituer dans (18.16) les opérateurs de
création et d’annihilation par leur expression (18.14), puis comparer
le résultat obtenu à (18.12). Pour B = 0 nous obtenons alors c0 =
= —2 c (k) sh2 <p. Substituons cette valeur de c0 dans (18.16). Nous
obtenons l’expression finale de l’opérateur énergie des excitations
élémentaires de vecteur d’onde donné k:
f f k = c(k) y ( n t i n - s h2 9).
/-I
La transformation canonique inverse de (18.14) est
Ak = m (k) ch cp—p.: (k) sh <p,
(18.26)
B l k = \xï(k) ch <p— (k) sh cp.
Ces expressions permettent d’exprimer la valeur moyenne des gran
deurs physiques relatives à chaque sous-réseau. Calculons par exem
ple la variation de la valeur moyenne du moment magnétique du
sous-réseau A en fonction de la température. Compte tenu de (18.4)
N N
MA(0) = fio 2 < ^ ) = A /o ( l— ^ 2 < 4 U n > ). (18.27)

n—1 n—1
Substituons les transformations (18.10) et (18.26) :
2 Mn^n)—2 = S f ("2”^”Cf1! C^)M-lC^))) X

n k k
X (ch29 + sh29) —-i-J .

Dans le calcul, nous avons utilisé l ’égalité (n*u,) =(lÇ|* 2)>
Lorsque B = 0, nous pouvons utiliser l’expression (18.25a)
2 M^ k > = 2 [ ( t + (k) ^ (t)>) t H e t - t ] • (1828)

k k
Ici (\i+ (k) p, (k)) représente le nombre moyen de magnons de vecteur
d’onde k. À la température 6 il est égal à
<rf(k) |x1(k ))= [‘e x p - î |^ - - l ] ~ 1= ^ k. (18.29)
Si l’on divise (18.28) par le nombre total de mailles élémentaires
du cristal, on obtient la probabilité d'inversion d’un spin pour un
sous-réseau donné. Par exemple pour le sous-réseau des spins dirigés

vers le haut
le k
Il est intéressant de remarquer que, même au zéro absolu, lorsque
le nombre moyen de magnons N k est nul, ir© ( f ) ^ 0 *) :
«(t)
wo (t) 2N 2 ( e(k)
k
Pour B = 0 et ka «C 1, conformément à (18.23) et (18.21)
o ÜEL~ , / Y (0) 1 (18.30)
e(k) ~ ' + * ’
donc
T(0) 1 V __!_ (18.30a)
«’o (t) iu + Ii2 N I |k |
Passant de la sommation à l’intégration sur k, nous obtenons

m ax
a3 p
l kdk pour un réseau tridimensionnel,
i
N y Ik l pour un réseau bidimensionnel,
k
dk_
k pour un réseau unidimensionnel.
Pour un réseau unidimensionnel, w0 ( f ) diverge logarithmique

ment, il ne peut donc pas y avoir d'état magnétiquement ordonné
pour le sous-réseau. Lorsque la température augmente, le désordre
augmente. A basse température on ne peut observer d'états anti-
ferromagnétiques que pour des cristaux bi- ou tridimensionnels.
* Selon (18.27) et (18.28), l ’aimantation des sous-réseaux diminue
lorsque la température augmente:
Sr2 « C O M * » -!® "

k
*) Ceci entraîne une réduction de l'aimantation de chaque sous-réseau

(Note du Traducteur).
Substituons les expressions (18.29) et (18.30) :

c h
T m ax
5
(18.31)
où v est le volume de la maille élémentaire,
= - ^ p - = VT (°) (*n + /«) • *max » (2nVv)t/3

c^max est du même ordre de grandeur que la température de Néel
0 V exprimée en unités énergétiques. A basse température, lorsque
0 V 9. la limite supérieure de l’intégrale (18.31) peut être éten
due à l’infini. Compte tenu de l'égalité
oo
0
nous obtenons alors
(18.32)
18.1*. Ondes de spin dans les métaux non ferromagnétiques.

En raison de leur spin et de leur moment magnétique, les électrons
de conduction des métaux constituent un système de Fermi. Placé
dans un champ magnétique constant, ce système présente des exci
tations collectives liées au retournement des spins.
Dans l’état fondamental, à basse température, la somme des
spins électroniques est nulle, puisque les états de plus faible énergie
sont occupés par des électrons de spins opposés. Dans un champ magné
tique constant H0, les niveaux correspondant aux différentes orien
tations des spins se déplacent (effet Zeeman). La grandeur de ce dé
placement est p //0, où \i = geI2mc est le moment magnétique dipo
laire de l’électron de conduction, g est le rapport gyromagnétique
voisin de 2. Pour le cristal de potassium, sa valeur est g = 1,9997.
Soit un électron placé dans un champ magnétique constant 7/0.
Toute variation de la direction du spin provoque une variation de
l’énergie égale à \iH0. Pour les métaux alcalins, seuls les électrons
situés à la surface de Fermi prennent part au processus. Les autres,
à l’intérieur de la sphère de Fermi, mettent en jeu des énergies trop
importantes: tout retournement de leur spin nécessite le transfert de
l’électron vers un niveau énergétique vide situé en dehors de la
sphère de Fermi.
Dans ces cristaux, les excitations élémentaires correspondent à
des rotations du spin des électrons situés à la surface de Fermi. En
raison des interactions électron-électron, cetté excitation présente un
caractère collectif, c’est-à-dire correspond à une superposition cohé

rente des rotations spinorielles. Elle est caractérisée par un vecteur
d’onde k. Chaque excitation de fréquence cos (k) caractérisée par
un k donné est appelée onde de spin paramagnétique.
La théorie de ces ondes de spin a d’abord été développée par
Siline en 1958 [47, 48], puis par Platzman et Wolf [49]. Expérimen
talement, les ondes de spin furent découvertes par Shultz et Danifer
[50] dans les cristaux de Na et K soumis à un champ magnétique de
3250 Oe, à la température de 1,4 K.
Le caractère de ces ondes de'spin dépend notablement de l’orien
tation relative du vecteur d’onde et du champ magnétique. Pour un
cristal isotrope, dans l’approximation des grandes longueurs d’onde
(k2vj? < fiofi;), la dispersion des ondes de spin est représentée par
l’expression (on suppose que k et H 0 ont meme direction) [48]
o),(k) = Q0(l + 5 0) ( l + - ^ - + ...), (18.33)
où HQ0 = geHJ\2mc (1 + B 0)] est l’énergie nécessaire pour retour
ner le spin d’un électron soumis au champ H 0 et au champ d ’échange
des autres électrons. B 0 est un paramètre caractérisant le champ d’é
change. Pour le cristal de potassium B 0 « —0,28, pour le cristal
de sodium B 0 « —0,21. uF est la vitesse des électrons à la surface
de Fermi.
Les ondes de spin existent tant que la condition cd3t ^ 1 est
remplie, t représente le temps entre deux collisions successives, au
cours du mouvement orbital des électrons. Lorsque cosx est petit,
le mouvement des électrons est diffusionnel. Lorsque co5t est grand,
les ondes de spin apparaissent. Ceci n ’est possible que pour des cris
taux de haute pureté et pour des températures très basses. Pour le
sodium pur à 30 K cdst = 3.
Pour observer les ondes de spin se propageant dans une feuille
métallique d’épaisseur L, on étudie habituellement l’absorption d’un
faible champ électromagnétique de haute fréquence, polarisé cir-
culairement, dirigé suivant une direction perpendiculaire au plan
de la feuille (axe z). Un champ magnétique constant extérieur H0
est dirigé perpendiculairement à la feuille métallique. Le champ
polarisé circulairement
Hf ((o, k) = Hx (ü>, k) + iHv (co, k)
correspond à une onde électromagnétique de fréquence co et de vecteur
d’onde k. Ce champ induit dans le cristal une aimantation circulaire
ihT+ (co, k) = A/x + iMy = x+ (<*>, k) Hf (co, k)
proportionnelle au champ H j. La fonction
* + (® » k )= 0 )— < ü . ( k ) - H ( l / F + l / T ) <1 8 - 3 4 )
caractérise la réponse du cristal au champ variable. Pour k = 0r

la fonction x+ (a), 0 ) présente une résonance (o = <o4(0 ) et une lar
geur (MT + 1 / t ) , o ù T est le temps de relaxation des spins.
Dans une feuille d’épaisseur finie L, le vecteur d’onde prend
les valeurs discrètes kn = nitlL fonctions de l’épaisseur L du cristal.
Les excitations avec ces vecteurs d’onde kn correspondent aux diffé
rentes fréquences (ù8 (kn). Au voisinage de ces fréquences, la suscep
tibilité x+ (ta, kn) a un maximum d’une largeur égale à (MT + 1 / t ).
Dans les expériences de Shultz et Danifer [501 portant sur un
cristal de sodium d’épaisseur L = 0,0236 cm, soumis à un champ
H0 = 3250 Oe à la température de 1,4 K, on trouve t = 3,95 -10“10 s
et T « 2,0*10 7 s. La valeur de t diminue lorsque la température
augmente, par conséquent l’intensité de la résonance diminue et
sa largeur augmente. Dans Na à 11 K, on n’observe pratiquement
plus de résonance pour n =5^ 0 .
CHAPITRE V
ÉTATS MONOÉLECTRONIQUES DANS UN CRISTAL
§ 19. Electron dans un champ périodique

Soit un électron dans un cristal dont les ions sont fixés aux nœuds
du réseau. Il entre en interaction avec tous les autres électrons et
les charges positives ioniques. On peut représenter cette interaction
par un certain champ moyen W (r) périodique en r, qui ne dépend
que des coordonnées de cet électron,
W (r) = W (r + n). (19.1)
A ce champ il convient d’ajouter les interactions WT dépendant des
coordonnées de tous les autres électrons. Dans la plupart des cas,
ces interactions supplémentaires sont faibles, et, à l’approximation
zéro, on peut se contenter du mouvement de l’électron considéré dans
le champ W (r). Les états stationnaires de l’électron de masse m
dans ce champ sont appelés états monoélectroniques. Ils sont définis
par l’équation de Schrôdinger
h ^ + ^ < r) - £ “ (k> ] ^ “ (r) = 0’ P” ^V . (19.2)

En réalité, les états monoélectroniques définis par (19.2) sont
seulement quasi stationnaires. Les interactions W r, l’interaction
avec d’autres degrés de liberté du cristal (mouvement des ions) et
les défauts de la structure cristalline conduisent à des processus de
relaxation. Dans les cristaux très purs, à très basse température, la
durée de vie des états monoélectroniques est relativement grande,
c’est pourquoi on peut négliger la relaxation.
Les fonctions propres de l’équation (19.2) sont aussi fonctions
propres de l’opérateur de translation. L’un des nombres quantiques
caractérisant l’état sera donc le vecteur d’onde k, les autres étant
rassemblés sous l ’indice a.
L’équation (19.2) est un cas particulier de l’équation (5.2), défi
nissant d’une manière générale tous les états stationnaires des cris-
leux. L’énergie Ea (k) vérifie la condition de périodicité
Ea (k) = Ea (k + g).
$ 19] ÉLECTRON DANS UN CHAMP PÉRIODIQUE 123
Dans un cristal à N mailles élémentaires, a étant fixé, l'énergie

Ea (k) prend N valeurs quasi discrètes formant la bande énergétique
des états monoélectroniques. Si le cristal n’est pas soumis à un
champ magnétique extérieur, et si l’on néglige l’effet du spin, les
états monoélectroniques vérifient
Ea (k) = Ea ( - k )
à cause de l’invariance de (19.2) par rapport au changement de signe
du temps (voir § 5).
La classification des états monoélectroniques, par laquelle chaque
bande énergétique a est constituée de N sous-niveaux caractérisés
par des valeurs différentes du vecteur d’onde réduit k appartenant
à la première zone de Brillouin n’est pas la seule possible. Dans
certains cas il est plus commode de prendre les valeurs de k non pas
dans la première zone de Brillouin, mais dans tout l’espace k:
Pespace k étendu. Une transition de la bande Ea (k) à la bande E R (k)
dans la première zone de Brillouin correspond alors dans l’espace k
étendu à une transition entre deux zones de Brillouin. Au § 20 ce
type de transition sera étudié dans un cas simple. L’énergie E (k)
ainsi définie dans l’espace k étendu présente, aux frontières de zone
de Brillouin, des discontinuités.
Cette représentation dans l’espace k étendu est commode pour
décrire les états monoélectroniques des métaux dont la maille élé
mentaire contient de nombreux atomes (donc beaucoup d’électrons):
a-manganèse, y-laiton, etc. Dans ce cas, si l’on voulait décrire les
états dans la représentation habituelle par bandes, la surface de
Fermi serait située au niveau de la troisième ou la quatrième bande.
La solution de (19.2) peut être représentée par des « ondes planes
modulées »
♦i«* (0 = uka (r) exp (ikr), (19.3)
où zzica (r) = uka (r + n) est une fonction périodique, V est le

volume du cristal. Les fonctions i|)ka sont appelées fonctions de Bloch.
Substituant (19.3) dans (19.2), on constate que les « amplitudes »
uka (r) des fonctions de Bloch vérifient l’équation de Schrôdinger
[ (^ k>i + w « ~ E * (k) ] “ta (0 = 0. (19.4)

Les effets liés au spin de l’électron dans le cas du mouvement non
relativiste dans le champ W (r) apparaissent sous la forme d’un
opérateur supplémentaire (opérateur d’interaction spin-orbite [51)
H V o (r, sz) = [a grad W (r)] p.

424 ÉTATS MONOÊLECTRONIQUES DANS UN CRISTAL [CH. V
Cette expression contient l’opérateur de spin s = ~ ha, où
0je = ( 1 o ) ’ “' “ C _ ô ) ’ "‘ “ ( Ô - l )

sont les matrices de Pauli, agissant sur la variable de spin sz. Ainsi»
compte tenu du spin de l’électron, l’équation (19.2) doit être modifiée
[ - ^ r P 2+ ^ ( r) + ^ SP.o (r , (19.5>
L’invariance par rapport au changement de signe du temps se traduit
par Eaf (k) = Ea± (—k). La fonction de Bloch dans l ’équation
(19.5) dépend aussi de la variable de spin sz, de sorte que
^ k .a . 5,(r, s2) = -4=r-Wk.a,5 (r, s2) exp (ikr).

- y v 2
Le nombre quantique sz représente ici les deux états de spin possibles
de l’électron. Compte tenu du spin, l’équation (19.4) devient l’équa
tion de Pauli
{ + W\(r) 1° g™d W (r)] (p + Ak) - Ea,z (k)} x
x uk| a. 3g= 0. (19.6>

W (r) et uka étant périodiques, lors de la résolution des équations
(19.4) et (19.G), on peut se limiter à une seule maille élémentaire et
introduire des conditions de périodicité à sa surface. En première
approximation, on peut négliger l’interaction spin-orbite. Dans ce
qui suit, limitons-nous à cette approximation.
La fonction uka (r), périodique en r de période n, peut être dé
veloppée en série complète de fonctions orthonormées, définies dans
le volume v de la maille élémentaire:
<P« (0 = - y = - exp (tgr), ■— j exp (i (g—g') r] tPr = (19.7>
où g est un vecteur du réseau réciproque. Alors
Uka (r) = -4=- 2 A (g) exP (‘g1)* (19-8>
Substituant (19.8) dans (19.4), nous obtenons un système d’équations

algébriques par rapport a l ’amplitude Ana (g):
f - £ r (k + g ) 2- (*)] (g)= - S <g I W I g'> ^ a ( g ') , (19.9)

r
•§ *9] ÉLECTRON DANS UN CHAMP PÉRIODIQUE 125
OÙ
(g I w I g') = 4 - 5 exP I* (g' - g)*]W W <Pr. (19.10)
Si la variation du potentiel W (r) est assez faible, dans le second
membre de (19.9), on ne conservera que les termes correspondant à
deux valeurs g et g' voisines. En résolvant le système (19.9), on
peut définir la valeur moyenne de l ’énergie, de la vitesse et d’autres
grandeurs relatives à l’électron. Par exemple l’énergie dans l’état
| ka) est
Ea (k) S (Ifc* | H I W = 2 -£-.(k + g)2 | A ka (g) I2+
g
+ S ^ a ( g ) < g | ^ | g ') 4 ka(g'), (19.11)
g. g'
la vitesse moyenne est
2 (k + g) I ^ « ( g ) I2* (19-12>
g
L’amplitude A*a varie peu avec le vecteur d’onde k. Si l’on néglige
cette variation, comparant (19.11) et (19.12) nous obtenons
Vka = - ~ Vk£“ 00- (19-13)

Supposons que l’énergie (19.11), pour une valeur donnée de a,
ait un extrémum pour k = k0. Si k0 =£ 0, cette même valeur est
atteinte pour tous les autres points k 0*de la zone de Brillouin formant
avec k0 l’étoile de la représentation k (voir § 5). Posons q = k — k0.
Pour des q petits, (19.11) peut être remplacée par l’expression ap
prochée
h%
(19.14)
£ «(k0+ q) = £ « (k 0) + 2 2m5ji,
ü. v
où
« / à*Ea (k) \ * ,
mvji
+ 4 - 2 [ ( * - dqa (19-15)
La gran’deur — figurant dans (19.14) est le tenseur inverse de

mv|i
la masse effective de l’électron' dans la bandé énergétique considérée,
deuxième terme de (£$..15).représente la variation effective de la
de l’électron librt place- dans un potentiel périodique.
126 ÉTATS MONOÉLECTRONIQUES DANS UN CRISTAL [CH. V
Le tenseur inverse de la masse effective est symétrique et, à cha

que point extrémal, il peut être rapporté à ses axes principaux. Soit
un système de coordonnées x, y, z dirigé suivant ces axes. (19.14)
devient
£ « 0 0 — £ a (k0) = 2 - ^ > mv s mvv, v = x, y, z. (19.16)
v
Les valeurs de q pour lesquelles Ea (q) — Ea (k0) = E = const
constituent dans l'espace k des surfaces isoénergétiques d'ordre deux
qVai + qy/dy + q\Ia\ = 1 de demi-axes
a* = 2m*E/fr. (19.17)
Lorsque mj m* =5^= m * > 0, cette surface est un ellipsoïde quel
conque. Pour m i = niy < mj, la surface isoénergétique est un
Fig. 22. Surfaces isoénergétiques dans l’espace k.

a) m*
x = m*[/ < m*
z > 0; b) m*
7 > 0, m*2/ > 0, m*
z < 0; c) m*
x < 0, m*y < 0, m*z > Q,
ellipsoïde de révolution allongé le long de z. Pour m i = m\J > mj,

c’est un ellipsoïde de révolution aplati. Si l’une des masses
est négative (par exemple, m i > 0 , mj > 0 , m? < 0 ), la surface
isoénergétique forme un hyperboloïde à une seule nappe. Si deux
masses m* sont négatives (par exemple m i < 0 , mj < 0 , m? > 0 )t
l'hyperboloïde présente deux nappes distinctes. La figure 22 illustre
les différentes possibilités pour k 0 = 0 .
L'hamiltonien de l'équation (19.2)
H = — ë r V 2+ ^ ( r ) (19.18)
$ 19] ÉLECTRON DANS UN CHAMP PÉRIODIQUE 127
admet donc, lorsque k est petit (k0 = 0), les valeurs propres (19.14)
et les fonctions propres (19.3). L’hamiltonien effectif
3
tfer,= - - - S - k - - ë - + £ (°)* (1919>

v-1 v v
où E (0) est la valeur de l’énergie pour k = 0 et le tenseur
nt\
inverse de la masse effective rapporté aux axes principaux, admet
trait les mêmes valeurs propres que (19.18), mais aurait pour fonc
tions propres <pk = exp (tkr). Pour étudier les états électro-
Vv
niques excités de grande longueur d’onde (d’un électron soumis à
un potentiel périodique), il suffit de remplacer dans l’hamiltonien
de la particule libre la masse réelle par le tenseur de masse effective.
Si, en plus du champ électrique W (r), l’électron est soumis à un
champ extérieur faiblement variable U (r), l’étude des états excités
de grande longueur d’onde peut être simplifiée par la transformation
~ S r **■+w M +'u (')■-■«*«— -t S g r * v w + e (0),
(19.20)
où l ’action du champ périodique W (r) est incluse dans la masse
effective de l’électron. Une telle transformation est appelée méthode
de la masse effective. Les bases rigoureuses de cette méthode ont été
données par Pekar (voir, par exemple, [511, § 4).
Pour calculer la variation des valeurs moyennes au cours du
temps, il convient d’utiliser la représentation d’Heisenberg pour les
équations du mouvement
ih ± .( L ) = {[Lt H et,]).
Utilisons l’hamiltonien (19.20) exprimé dans le modèle de la masse-
effective. Nous obtenons la vitesse moyenne de l’électron
~dt (xv) —((xv> /A-ff]>— m. (19.21)
Dans des états d’impulsion donnée ^ = pv-

La variation de l’impulsion moyenne est définie par l’équation
(19.22)
En particulier, pour des états d’impulsion bien déterminée (pv) =

= p v, l’équation (19.22) devient
(19.23)
Si U (r) = —e<p, où <p est le potentiel scalaire co rresp o n d a n t à un

champ électrique E , l’équation (19.23) devient
Il ne faut pas oublier que les équations (19.21) à (19.24) sont

valables seulement lorsque l ’on utilise l’hamiltonien effectif (19.19)
avec une valeur constante de la masse effective mj, c’est-à-dire pour
des régions de l ’espace k, où Ea8i (k) admet un extrémum. Dans les
régions extrémales absolues, les valeurs principales du tenseur in
verse de masse effective ont un signe déterminé (négatif au voisinage
d ’un maximum, positif au voisinage d’un minimum).
En réalité, le mouvement d’un électron dans un cristal est décrit
par un paquet d’ondes, c’est-à-dire par une superposition d’ondes
planes dont les vecteurs d’onde sont voisins d’une valeur donnée k0.
La vitesse moyenne de l’électron dans cet état est la vitesse de groupe
du paquet *) (voir [5], § 3):
1 ( dEa (k)
V (ko) = x teradk E« (k)]w-k. = Xh \( ) . jfl9.24a)
av./ k-k, 1
Comme la vitesse de groupe est définie par le gradient d’énergie
dans l’espace k, elle est toujours dirigée normalement à la surface
isoénergétique. Si la surface isoénergétique est ellipsoïdale, la direc
tion de la vitesse v (k0) coïncide avec celle de la quasi-impulsion
Æk0, mais seulement pour les trois directions principales (voir for
mule (19.21)). Dans les autres cas, v (k0) et ftk0 ne sont pas coli
néaires. D’une manière générale, v (k0) est une fonction périodique
composée de k0.
19.1. Etats localisés de l'électron dans un cristal. Dans un cristal
idéal, l ’hamiltonien de l’équation (19.2) est périodique H 0 (r) =
= H0 (r + nL Les états stationnaires sont des fonctions de Bloch:
♦c* (r) = exp ('kr) uŒk (r),
où V = Nv représente le volume du cristal, constitué de N mailles

élémentaires. Les fonctions \pak (r) correspondant à un état d’énergie
ca (k) et de quasi-impulsion Ak parcourant N valeurs discrètes sont
3
-- *) Si k= 2 ei&i, où eie/=6^, la différentiation vectorielle doit être
i*i
comprise de la manière suivante:
5 19] ELECTRON DANS UN CHAMP PERIODIQUE 129
complètement délocalisées, de sorte que
I !(>ak(r) |2= | ifaicOr+n) |2,

où n est un vecteur du réseau réciproque. Les fonctions de Bloch sont
normalisées par les conditions
( (r) iJJaïc (r) d3r = ô kk»ôaa* ,

- - j “ a k (r ) “ a 'k (r) <Pr = ôa a .
V
Supposons à présent qu’en un point r 0 du réseau, il y ait une
perturbation locale de la périodicité (atome d’un autre type, lacune,
etc.)» caractérisée par une énergie potentielle locale w (r — r 0).
L’équation de Schrodinger définissant les états stationnaires de ce
ûct
[H0+ w (t - t0) - E ) V ( t) = 0. (19.25)
Développons cette solution générale en série de fonctions de Bloch

relatives à une bande énergétique donnée ea (k):
* « ( r ) - 2 <k% * * ( r ) . ( 1 9 -2 6 )
Nous obtenons un système de N équations algébriques définissant
l’énergie du cristal imparfait correspondant à l’énergie es (k) du
cristal idéal
(£■—ea (k)] a*,— 2 u4“>
kak =»0, (19.27)
OÙ
“4“k= J 1&. (r) w (f—To) 1>ak (r) d*r.
Si l’énergie potentielle w (r — r 0) diffère de zéro seulement dans un

petit volume i/0, nous pouvons utiliser le théorème de la moyenne et
écrire
u4*)k « $2kt (O ifcxk (rj) (19.28)
OU
“W)*® j m (r—r0) cPr,

r' étant un point quelconque du volume u„. Pour simplifier les cal
culs ultérieurs, posons r'0 = 0.
Substituons (19.28) dans (19.27). Compte tenu de (19.26), nous
trouvons
«k = u w tè k (0) Y« (0) [ E - t a (k)]"1. (19.29)
9 -0 5 3 4
Utilisons ce résultat ainsi que la relation (19.28) pour transformer

l ’expression (19.27):
1 _ b______ 1
w0v0 V V [ £ _ Ca(k)] »
(19.30)
k
où
I “ a it C°) I *
V
L’équation (19.30) définit de nouveaux niveaux énergétiques. Lors

que k parcourt les N valeurs (19.30) se présente sous la forme d’une
équation algébrique de rang N . Elle admet par conséquent N racines.
Soient c0, c,, e2, . . ., les énergies discrètes, classées par

ordre croissant, de la structure de bandes. La fonction
2 i * - c« (k>r‘ ( ,9-3 l>

k
est représentée en traits forts sur la figure 23. Les racines de l ’équa
tion (19.30) sont définies par l’intersection de ces courbes avec les
droites horizontales d’ordonnée (wQvQ)-1. Pour (w0v0) < 0, tous les
niveaux E t hormis le niveau le plus bas E 0 ne changent pratiquement
S 19] ÉLECTRON DANS UN CHAMP PÉRIODIQUE 131
pas: chacun d’eux est disposé entre deux niveaux non perturbés
proches
0*i) ^ -®l+l ^ (^l+l)-
Le niveau E 0 se dissocie de la bande. Au contraire, pour 0 > 0f
c’est le niveau supérieur qui est exclu de la bande.
Pour obtenir les caractéristiques analytiques du niveau ainsi
isolé, considérons simplement un cristal unidimensionnel avec N
nœuds distants de a. Le vecteur d’onde k parcourt alors N valeurs
2x1 jy
absolues: k t = l = 0, ± 1 , . . -g. Supposons en outre que
ca (k i) = e0 + M (1 — cos k ,<z), M > 0, (19.32)
où c0 est le bas de la bande de conduction, M la largeur de la bande
de conduction. Pour ces valeurs la fonction (19.31) devient
<D(E) = - ± r 2 [A (E) + cos ka)~\ (19.33)
k
OÙ
A(E) = (E — c0— M )/M .
Dans (19.33), passons de la sommation sur k à l ’intégration
( 2 = ^ i ) r J • • • dx) 1
k 0
<19M>
0
si | A {E) | > 1. Substituons (19.34) dans l ’équation (19.30):
f19-35»
Par conséquent, si w0 < 0, le niveau inférieur s’écarte d’autant plus
de la bande que la largeur M est grande et que le rapport ^ est
grand. Pour w0 > 0, c’est le niveau supérieur qui s’écarte de manière
identique de la bande.
Calculons à présent la fonction d’onde du niveau dissocié. Subs
tituons (19.29) dans (19.26). Compte tenu de la forme des fonctions
de Bloch, nous poserons uak (r) « ua (0), ce qui donne
k
9*
Passons de la sommation sur k à l ’intégration. Pour z > 0 nous ob

tenons
2it exp dx
r<z\ = J L v exp (ikz) _ i r ( ‘ 7 1)
J— N A A (£0)+ cos ka 2ji J A ( £ 0)-|-COS x
= [A* (E0) — l]-1 ( ] / A* (£ 0) - 1 - M ( £ 0) |)I/0- (19.36)

Tant que | 4 (2?0)| > 1, la fonction 3£ (z) conservera l ’allure de
la figure 24. Ici | A (E0) | est pris égal à 2. Par conséquent, dans
l’état d’énergie E 0, l ’électron est
# localisé au voisinage du défaut.
Ces états sont appelés localisés.
§ 20. Méthodes approchées de

calcul d’états monoélectroniques
Même lorsque nous connais
sons la forme de la fonction W (r),
le calcul théorique des lois de
dispersion Ea (k) et des fonctions
d’onde uka des états monoélec
troniques dans les solides se heur
te à de grosses difficultés mathé
matiques. On ne peut surmonter
Fig. 24. Graphe de la fonction 3 £(z). ces difficultés que dans les cas les
plus simples, par des méthodes
d’approximation. Nous étudierons les deux méthodes le plus souvent
employées: la méthode des électrons quasi libres et des liaisons
fortes, et la méthode faisant intervenir le calcul du tenseur inverse
de masse effective de l’électron au voisinage des extréma de la
fonction Ea (k).
20.1. Calcul de la masse effective de l’électron. Dans certains
cas, au voisinage des extréma de la fonction Ea (k), on peut calculer
le tenseur inverse de la masse effective par la méthode des perturba
tions. Supposons pour simplifier que l’extrémum étudié se trouve
au voisinage de la valeur k 0 = 0. Ecrivons l’équation de Schrodinger
(19.4) sous la forme
Æ + ^ < r) - ' c« (k) ] Uk“ = “ i r P Uk«’ <2(U >

OÙ
e«(k) = £ , ( k ) - - ^ - . (20.2)
Pour les faibles valeurs de k, le second membre de (20.1) peut
être considéré comme une faible perturbation. Supposons que l’on
§ 20] M E T H O D E S D E C A L C U L D ’E T A T S M O N O Ê L E C T R O N IQ U E S 133
puisse résoudre (20.1) sans second membre dans une maille élémen
taire :
[■ST ^ (r)-ej?’J u<*>= 0. (20.3)
Si le niveau c'a n’est pas dégénéré, les solutions de (20.1) au pre
mier ordre d’approximation de la méthode des perturbations est
V # ’ <«#’ l h l « O (20.4)
Uka —wà#>—— 2
ea' ea )
«(O)_«(O
jx, a'
La sommation est effectuée sur les valeurs p, = x, y, z et sur tous
les états a ' (^=a) de l’équation (20.3). Pour tous les cristaux centro-
symétriques, les éléments matriciels diagonaux (wJ?* | p^ | u'a)
sont nuis. Conservant les termes quadratiques en k, on trouve pour
la bande d’énergie a
* ^ .co, , J » * , h* («tf1 I îv I < V ) <«$’ | pu | O A*vAV
W —ea + m + mt Zl e“”—eÿ>
v, n, a'
(20.5)
Comparant (20.5) à (19.14) on trouve pour le tenseur inverse de la
masse effective
m * v , « 0) I Pv I «gP> <uÿ> | | u “ » )
, 2
0yu + m Zl e<»»_e<o)
a'
On constate que les états d’énergies ejji < ta contribuent positi
vement à la somme, et les états ej? > eS* négativement. C’est
pourquoi le tenseur inverse de la masse effective peut être tant posi
tif que négatif. L’influence de l ’état a ' sur la masse effective de
l’électron dans l’état a est d’autant plus grande que la différence
| eS* — ta* | est petite.
Si le niveau ej?1 est dégénéré, pour calculer les fonctions d’onde
Ea et izka, il convient d’utiliser la théorie des perturbations pour
des états dégénérés.
Pour illustrer ce calcul du tenseur inverse de la masse effective
de l’électron, considérons par exemple un cristal uniaxe. Soit z
l’axe de symétrie (dont l ’ordre est au moins égal à 3). L’énergie de
l’état fondamental, décrit par la fonction d’onde symétrique | s),
sera choisie comme origine des énergies. Soit e(0> l ’énergie d’un état
doublement dégénéré de fonctions d’onde | x) et I y), se transfor
mant dans les opérations de symétrie du cristal comme les coordon
nées x et y. Soit t?' l’énergie de l’état de fonction d’onde | z).
Nous supposerons que les autres états ont une énergie nettement supé
rieure. L’énergie de l ’électron dans la bande correspondant à l’état
134 ETATS MONOELECTRONIQUES DANS UN CRISTAL [CH. V
| s) est, conformément à (20.5), égale à
W - ï r — s & r I* 1b |» « ,
OÙ
■4 = <s |p*l*> = <s|p»|ÿ>. 5 = <S|P i |2>-
Le tenseur inverse de la masse électronique effective de cette bande
est donc donné par
m __ m A MP m A I B I1
m* mj c • m* ex *
20.2. Approximation des électrons presque libres. Supposons que

le potentiel périodique figurant dans l'équation de Schrôdinger des
états monoélectroniques ait une amplitude faible. Utilisons la
méthode des perturbations. A l'approximation d’ordre zéro, l’ha
miltonien est H 0 = — V2. Ses valeurs propres sont e (k) = .
Quel que soit k, elles sont dégénérées, puisque à une valeur c (k)
correspondent toutes les fonctions cpk = eikr dont le vecteur
d’onde k est tel que | k | = k. Les éléments matriciels de l ’opéra
teur de perturbation W (r) correspondent à deux états différant
d’un vecteur du réseau réciproque. En réalité *)
je x p [ i( k '- k ) r ] W '( r ) d * r = { ™8' + *
où g est un vecteur du réseau réciproque. La condition k' = k + g

pour | k' | = | k | est équivalente à la condition
kg = lT g2
pour tous les vecteurs k situés aux bords de la zone de Brillouin.
*) D é m o n s t r a t i o n . Si W (r) = W (n + r), alors
j exp (/kr) W (r) d3r = ^ \ exp [ik (n + p)] W (n + p) <Pç>=

V n *v
= 2 exP (»kn) j exp (ikp) W (p) (fp =
N j exp (ikp) W (p) d3p, k = g.

§ ^0] MÉTHODES DE CALCUL D’ÉTATS MONOÉLECTRONIQUES 135
Dans un cristal unidimensionnel, les états sont doublement dégé

nérés. Les éléments matriciels non nuis sont
0/2
Wt t._k = W U , k ^ W g = i j W (x )s x V ( i * ^ ) d x
-fl/2
pour k = ^ S = ~ ^ n = ±1» ± 2 , . . . C’est pourquoi, pour chaque

valeur de î , on doit chercher les solutions de l’équation
h* à*
[ 2m dx2 ■W (x) — E J ip (x) = 0
sous la forme
9 = acPft + &<P-k.
9k = -A=- exp (ikx).
y a
Nous obtenons alors le système de deux équations
[ £ - e ( f c ) ] a + Wy> = 0, c ( f c ) = ^ ,
Wga + [E— e(fc)]6 = 0.

Ce système admet deux solutions
E1= e(k) — Y j Wg |2 pour la fonction 9i (x ) = |/^-^-sin kx.
( 20. 6)
_____ /-"2"
E« = c(k) + Y \ W g |2 pour la fonction \|>2 (£) = ]/ ^cosfct.
Ainsi, aux frontières de la zone de Brillouin apparaît une discon
tinuité spectrale égale à 2 Y I Wg |2. Les énergies (20.6) sont définies
pour toutes les valeurs des vecteurs d’onde k (voir le schéma dans
l’espace knélargi de la figure 25, a). En utilisant la propriété de pé
riodicité de l’énergie et la propriété d’équivalence des vecteurs d’onde
différant d’un vecteur d’onde g du réseau réciproque, on peut trans
former l’énergie E (k) en une fonction multiforme Ea (k) de vecteurs
d’onde réduits k (fig. 25, b). Dans ce cas, les états énergétiques se
divisent en bandes quasi continues. Les états situés à la frontière
de la zone de Brillouin correspondent à des ondes stationnaires. Si
l’on s’éloigne de la frontière de la zone, le rôle des perturbations de
vient négligeable.
Dans un cristal tridimensionnel, pour tous les points de la fron
tière de la zone de Brillouin correspondant aux principales direc
tions, le spectre énergétique présente des discontinuités.
Pour la majorité des métaux composés d’atomes à couches inter
nes complètes et à couches externes ns et np incomplètes, les états s
et p participent à la conduction. Dans ce cas, la surface de Fermi
diffère peu de la surface de Fermi calculée dans le modèle des électrons
presque libres.
Les calculs plus complets de la structure de bandes de ces métaux,

dans Tapproximation des électrons presque libres, font l ’objet
de la méthode du pseudo-potentiel de Heine et autres (voir [58]). Dans
cette méthode, l’interaction de l’électron de conduction avec le
Fig. 25. Energie des états monoélectroniques en fonction du vecteur d onde,

a) R eprésentation dans l ’espace k élargi, b) énergie en fonction du xecteur d ’onde réduit.
reste de l’atome est décrite par un pseudo-potentiel effectif. Le

pseudo-potentiel est choisi de manière à ce que ses fonctions propres
et son énergie soient voisines des fonctions et des énergies de l ’élec
tron de valence de l ’atome.
20.3. L’approximation des liaisons fortes. Dans les métaux nobles
et les métaux de transition, dans les terres rares et les actinides, les
électrons des couches internes incomplètes d et / participent à la
conduction. Dans ce cas le modèle des électrons presque libres ne
convient absolument pas. Pour étudier la structure en bandes de ces
métaux on peut utiliser différentes approximations. Nous considé
rerons ici la méthode la plus simple, Y approximation des liaisons
fortes.
Supposons que l’énergie potentielle d’interaction de l ’électron
avec l ’ion occupant le nœud n soit représentée par la fonction
W (r — n). Supposons que l’on connaisse la solution de l ’équation
de Schrôdinger
[ — £ - V * + ^ ( r —n)—ea ]<pa (r—n) = 0, (20.7)
où n sont les vecteurs du réseau.
§ 20] METHODES DE CALCUL D’ETATS MONOELECTRONIQUES 137
La liaison forte correspond au cas où, en première approxima

tion, on peut négliger le recouvrement des fonctions d’onde de l’équa
tion (20.7) relatives à des nœuds différents du réseau. L’approxima
tion des liaisons fortes peut décrire l’état fondamental et les premiers
états excités (20.7). L’expression mathématique de cette approxima
tion est
j <pS(r—n)<pp(r—n'JcPræ O pour n ^ n ' . (20.8)
En raison de l’invariance par translation, les fonctions cpa (r) véri
fient la relation:
<Pa (r) = cpa (r + n). (20.9)
Dans un cristal comprenant un ion par maille élémentaire, l ’énergie
potentielle de l’électron est
W (r) _ W (r + m) = S w (r + n). (20.10)
n
L’hamiltonien du cristal est donc
H ----- - Ê - v ’ + ^ W - <2011>
Si ea est un niveau d’énergie non dégénéré de l ’équation (20.7), il
correspond en première approximation à la fonction d’onde cpa (r)
N fonctions d’onde de Bloch
W = -4 = - S e'kn <P« (r —n). (20.12}

* n
chacune d’elles étant caractérisée par un vecteur d’onde situé dans
la première zone de Brillouin (N est le nombre de mailles élémen
taires du cristal). L’énergie correspondant à (20.12) sera
Ea (k) = ('flta | H I Ijjua) = ea — S »n, (20.13}
n
où
ù>„= — f cp*(r + n)[17 (r) — w (r)] <p(r) d3r,
„ (20.14)-
W (r) — u;(r)=a 2 W(T—m)-
m=£0
Chaque niveau « atomique » ea non dégénéré dans le cristal
devient une bande énergétique quasi continue. Les éléments matri
ciels (20.14) s’amortissent rapidement lorsque | n | augmente. C’est
pourquoi dans la somme (20.13) on peut se contenter des ions les
plus proches du point n = 0. La forme explicite des fonctions Ea (k)
dépend des fonctions d’onde en dehors de la carcasse des atomes et
de la distance entre les atomes les plus proches. La largeur des bandes
d’énergie permises est faible lorsque l'état correspondant a est

représenté par une fonction d'onde très localisée.
Le calcul de (20.13) dans un cristal cubique simple de constante
a = | ai | (i = z, y, z) donne, lorsque l’on ne tient compte que
des plus proches voisins
£ a (k )= e a — w0— 2wa [cos (kax) + cos (kay) + cos (ka2)]f (20.15)
où
wo = “ \ <P* W [W (r) — w (r)l <P(r) d3ri
J (20.16)
wa = — \ <p*(r + a)[FT(r) —w ( r ) ] y ( r ) 0. La largeur des bandes éner
gétiques quasi continues (20.15) est
égale à 12 | wa |. Pour des états de
grande longueur d'onde, c’est-à-dire
lorsque i a < l , l’expression (20.15)
peut être remplacée par l ’expression
approchée
Ea( k) = ca — w0 — 6wa + Wacrkr.
(20.17)
La niasse effective de l’électron dans
la région du centre de zone est donc
représentée par l’expression
771
<2018)
Le signe de la masse effective de
l ’électron au centre de la zone de
Brillouin est donné par le signe
de wa.
Fig. 26. Surfaces isoénergétiaues Dans la région centrale de la
dnns un réseau cubique simple. zone de Brillouin, les surfaces iso
a) Surface isoénergétique dans r espace énergétiques de l ’électron ont une
k. d) sections des surfaces isoénergétiques forme sphérique. Cependant, lors
par le plan fc = 0.
que | k | augmente, ces sphères se
déforment selon la formule (20.15).
L’une de ces surfaces isoénergétiques est représentée sur la figure 26, a.
L’intersection de plusieurs surfaces isoénergétiques avec le plan
k z = 0 est représentée sur la figure 26, 6. Aux frontières de la zone
<le Brillouin, définies par k t = ± n /a , les dérivées
dEa (k) 2a w a sin (kja,) 0.
dkj
§ 21] DEUXIÈME QUANTIFICATION D’UN SYSTÈME D’ELECTRONS 139
La surface isoénergétique coupe donc les faces de la première zone

de Brillouin suivant un angle droit.
Au voisinage des huit sommets de la zone de Brillouin, c'est-à-
dire pour
k = ‘5î-(±a3e± a y ± a z) — q, q a « l,
(les signes plus et moins sont à prendre dans un ordre quelconque),

l’énergie de l’électron est
(q )= e a ^ + %w a [COS (<Ia *) + cos (<Iay)+ cos ( ^ r ) ] «
« ea — w0+ 6wa— u ^ a ^ 2. (20.19)
Donc, au voisinage des sommets de la zone de Brillouin, la surface
isoénergétique est aussi sphérique. La masse effective de l ’électron
est m* (où m* est la masse effective de l’électron au centre k = 0).
Si le niveau d’énergie ea de l’équation (20.7) est Z fois dégénéré
(il lui correspond Z fonctions d’onde <pa/ (/ = 1 , 2 , . . . , Z)), la solu
tion de l’équation de Schrodinger correspondant à l ’opérateur (20.11)
doit être cherchée en première approximation sous la forme
O = AyÇka/ (r), (20.20)

où
<{W (r) = - 4 = - 2 «lkn<Pa/ (r—n). (20.21)
^ n
Les coefficients inconnus A f dans (20.20) sont détorminés par le
système d’ordre Z
i
S [(kaf I H | k a /') — ô//’2?a 00] = 0-
Ce système admet une solution non triviale pour certaines valeurs

de l’énergie Eax (k) (v = 1, 2, . . Z), a et k étant fixés. Donc à
chaque niveau Zfois dégénéré du cristal, il correspond Zbandes éner
gétiques quasi continues dont certaines peuvent se recouvrir totale
ment ou partiellement.
§ 21. Deuxième quantification d’un système d’électrons

Nous avons montré au § 19 que les états monoélectroniques du
cristal sont caractérisés par les fonctions d’onde i|)kaaj (r, sz) et les
énergies EaSz (k) solutions de l’équation (19.5), où k est le vecteur
d ’onde réduit, sz le spin et a les autres nombres quantiques caracté
risant l’état monoélectronique du cristal. Par la suite, pour simpli-
140 ÉTATS MONOÉLECTRONIQUES DANS UN CRISTAL [CH. Y
fier l'ensemble des nombres quantiques k, a , sz sera désigné par une

seule lettre X. A l'énergie monoélectronique correspondra donc
la fonction d'onde tp*.
Le champ moyen W (r) de l'équation (19.5) représente l'interac
tion d’un électron donné avec tous les autres électrons et les noyaux
du cristal. C’est pourquoi Ex et ne caractérisent pas véritable
ment des états électroniques, mais des états de quasi-particules, que
nous appellerons traditionnellement électrons. Ces quasi-particules
sont des fermions et présentent, comme les électrons, un spin 1/2.
Il convient cependant de ne pas oublier que la quasi-particule-élec
tron reflète les caractéristiques de tout le cristal et ne coïncide pas
avec l’électron libre. Si nous négligeons l ’interaction résiduelle Wr
(§ 19), les quasi-particules-électrons n’interagissent pas, autrement
dit les états sont indépendants.
Les fonctions opx constituent un système complet de fonctions
orthonormées par les conditions:
2 (r. sz) N*' (r, Si) d3r = 6Xv- (21.1)

SZ
Dans l’approximation monoélectronique, l’hamiltonien des N élec

trons du cristal est
H = y H ( T h S;l), (21.2)
où H (rh s2i) est l ’hamiltonien de l’équation (19.5) relative à l ’élec

tron i.
Les états de mouvement des N électrons du cristal sont décrits
par des fonctions d’onde dépendant de AN coordonnées (trois coor
données d’espace et une de spin pour chaque quasi-particule). Cette
fonction doit être antisymétrique par rapport à la permutation d’une
paire quelconque de quasi-particules-fermions. On peut construire
cette fonction en antisymétrisant les produits des N fonctions ip*.
caractérisant chacune les états de mouvement d’une quasi-particule.
Cependant, en raison de l’identité des électrons, une telle description
apparaît excessivement détaillée.
On utilise en général une autre représentation par les nombres
d'occupation des fermions ([51, § 86). En vertu du principe de Pauli,
chaque état monoélectronique ip>. (compte tenu du spin) contient
au maximum un électron. On peut donc décrire complètement l’état
des N électrons du système en précisant simplement quels sont les
états monoélectroniques occupés.
Dans la représentation des nombres d’occupation, toutes les
grandeurs physiques s’expriment en fonction des opérateurs de créa
tion a i et d’annihilation a>. des particules dans l’état ipx. L’état
§ 21] DEUXIÈME QUANTIFICATION D’UN SYSTÈME D'ÉLECTRONS 141
normalisé vide sera noté | 0). Il est donné par la condition

,ax | 0) = 0 pour tous les À. (21,3)
L’état du système à N électrons, dans lequel un électron occupe cha
cun des états a19 X2, . . est décrit par la fonction
aîjŒjtj • • • I 0). (21.4)
Cette fonction doit être antisymétrique par rapport à l’échange de
deux électrons quelconques. Pour cela il faut et il suffit que
{a*, «£•} = ôu», {œx* ai*) = 0,(21.5)
où
{a, b} = àb + ba.
L’opérateur du nombre d’électrons dans l’état ip*, a la forme
Nx = atax. (21.6)
Dans l’état fondamental (température absolue nulle), les élec
trons occupent N états monoélectroniques tpx, dont l’énergie Ex
vérifie Ex EF. Tous les états d’énergie Ex > Ep sont vides.
L’énergie limite EP s’appelle énergie de Fermi. Numérotons les états
d ’énergie Ex croissante par l’index Xt (Ex ^ E F). L’énergie de
l’état fondamental est
£o = J U v (21.7)
La fonction d'onde correspondante est
| <p0> = aJâjt ( . . . axN 10 ). (21.8)
Les états excités du système correspondent à la transition d’un

électron d ’un état occupé Xt vers un état vide Xj. Au cours de cette
transition le système absorbe l’énergie
E (kj) - E (X,) > 0. (21.9)
L’état final est décrit par la fonction
I <Po>- (21.10)
Dans un système à N électrons, les opérateurs du nombre de
particules (21.5) vérifient l’égalité
N ^ a ta x . (21.11)
Pour passer de la représentation habituelle dans l'espace des coor

données des électrons à la représentation par les nombres d'occupa-
142 ÉTATS MONOELECTRONIQUES DANS UN CRISTAL [CH. V
tion, on fait intervenir les fonctions opératorielles

* (0 = S (I). 5 -r . (21.12)
X
où ypx (?) est le système orthonormé des fonctions monoélectroniques

(21.1), a* sont les opérateurs de Fermi vérifiant les relations de com
mutation (21.6). Tout opérateur s’exprimant dans la représentation
en coordonnées sous la forme d’une somme d’opérateurs de chaque
électron
<D
deviendra* dans la représentation en nombres d’occupation,

<t>i = \ * (?) r f g - 2 (21.13)
x
où
F& = J Ÿî (?) F (?) *X- (5) <*?• (21.14)
Ici et dans ce qui suit le signe j . . . d? représente l’intégration sur

les coordonnées d’espace de l ’électron et la sommation sur les varia
bles de spin. Dans un cas particulier l ’hamiltonien monoélectro
nique (21.2) devient
H ^ E y a ta ^ . (21.15)
X
Les opérateurs s’exprimant dans la représentation en coordonnées

sous la forme d’une somme d’opérateurs biélectroniques
(21-16)
i. 3
deviennent dans la représentation en nombres d’occupation

K = j © v* ( r ) f «« (i, v ) y a ') v © d t d \’ =
= 2 a >-a £,F' $ ^ i (21.17)

où
n W ' = J (I) K (5') P (6, V) (!') (5) dV. (21.18)
Les opérateurs du type (21.16) peuvent représenter les interac
tions entre paires d’électrons. On peut donc utiliser la représenta
tion par les nombres d’occupation pour les électrons d’un cristal.
Supposons que dans la représentation en coordonnées l’opérateur
§ 21] DEUXIÈME QUANTIFICATION D’UN SYSTÈME D’ÉLECTRONS 143
d’énergie du système d’électrons soit donné par la somme

N
H = 2 h &) + t 2 w r (h . Si)- (21.19)

i=l i. J
Soient Ex et (|) les valeurs et fonctions propres de l’opéra
teur H (|). Dans la représentation par les nombres d’occupation,
l’opérateur (21.19) devient
H = 2 £*«£«>•+T 2 (21 -20)

X
OÙ
w u , x i x ' = î ^ ( i ) ^ 1( l i ) ^ r ( i , i i ) ^ î (51) V ( 6 ) ^ 1 ^ * (21.21)
Si l’opérateur d’interactions résiduelles Wri dans la représenta
tion en coordonnées, ne dépend que des coordonnées spatiales de
l’électron, l’élément matriciel (21.21) ne diffère de zéro que si les
spins des états X et X', Xx et X' ou K et a|, Xt et X' sont identiques.
21.1. Représentation par trous. Les états faiblement excités
d’un système constitué de N quasi-particules-électrons diffèrent
peu de l’état fondamental O 0. Ainsi, au cours de l ’excitation, quel
ques niveaux seulement d’énergie inférieure à EF se vident et un
nombre égal de niveaux d’énergie supérieure à Ep se peuplent. Tous
les autres états des quasi-particules restent inchangés. C’est pour
quoi, à la place des fonctions complexes (21.4) faisant intervenir
tous les N électrons du système, il convient d’utiliser une repré
sentation plus simple. En effet, pour déterminer complètement les
états excités du système (on suppose que les particules de ce système
n’entrent pas en interaction), il suffit de préciser la nature des états
peuplés d’énergie E ^ > E F et celle des états vides d’énergie EF.
Ces états libérés X sont appelés trous. On peut considérer la transition
d’un état occupé X à un état libre X' comme la création d’une paire
de quasi-particules: un électron dans l ’état X' et une quasi-particule-
trou dans l’état X. Dans cette représentation l’état fondamental
est l’état vide (sans quasi-particule) d’énergie zéro 80 = V
X(<F)
(sommation sur tous les états E E F). C’est cette énergie qui sert
d’origine pour l’énergie d’excitation. Les états excités peuvent
aussi correspondre à la création de quelques paires trous-particules.
Le retour à l’état fondamental correspond à l’« annihilation » de la
paire électron-trou.
Cette description des états excités d’un système de fermions s’ap
pelle représentation par trous. Dans une telle description nous n’avons
à nous référer à l’électron que lorsqu’il vient occuper un nivean
énergétique vide à l’état fondamental et libère un niveau énergé

tique précédemment occupé (apparition d’un trou). Par rapport à
l’électron considéré, le trou est une antiparticule. L’annihilation
électron-trou correspond au retour de l’électron à l ’état antérieur.
Pour décrire la création et l’annihilation de paires électron-trou,
qui sont des quasi-particules, introduisons, avec les opérateurs de
création et d’annihilation des électrons a i et a*. pour les états
E k > Ef , les nouveaux opérateurs pj et Px (pour Ex ^ E F) corres
pondant à la création et l’annihilation du trou dans l'état X.
L’indice X caractérise l ’état k, a, sz. L’annihilation d’un électron
dans cet état équivaut à la création d’un trou dans l ’état —k, a, —sz.
Cet état sera noté simplement —X. Ainsi les opérateurs de création
et d’annihilation des trous sont reliés aux opérateurs correspondants
des électrons par
Pî = a_x, P>. = atx si E ^ E p . (21.22)
L'état vide dans la représentation par trous est défini par les con-
ditions
ax<D0 — 0 si ^ EF Pji®o — 0 si E \ Ep
qui indiquent qu’il n’y a pas d’électrons d’énergie E* > Ep et de

trous d’énergie E * ^ EF.
Une excitation élémentaire correspond à l ’apparition d’une par
ticule dans un état d’énergie supérieure à l’énergie de Fermi, et à
l’apparition d’un trou dans un état d’énergie inférieure à l’énergie
de Fermi. Dans ce cas
s ! 2 Pîpx»
c'est-à-dire que le nombre d’électrons est toujours égal au nombre

de trous.
Les énergies des particules sont comptées positivement au-dessus
du niveau de Fermi
ex*= Ex—E F^ Q (énergie de l ’électron). (21.23)
et les énergies des trous positivement en dessous du niveau de Fermi
e ^ = EP—E \ ^ 0 (énergie du trou). (21.24)
Ainsi l’énergie d’excitation du cristal sera définie par l’hamiltonien
A ff= # - £ „ = S 2 el°PlPx. (21.25)

u>F) M^F)
§ 22] C L A S S IF IC A T IO N D E S S O L ID E S 145
§ 22. Classification des solides d’après le spectre énergétique

des états monoélectroniques
La fonction Ea8t (k), caractérisant l’énergie des états monoélectro
niques, est une fonction quasi continue du vecteur d’onde k prenant
N valeurs dans la première zone de Brillouin (a et sz sont fixés).
L’ensemble de toutes les valeurs de EaSi (k) pour tous les k constitue
la bande des énergies permises. Ces bandes peuvent être séparées
par des régions interdites. Elles peuvent aussi se recouvrir partielle
ment, mais elles conservent leur individualité lorsqu’elles se rap
portent à des représentations irréductibles différentes du groupe fac
teur du cristal.
Au zéro absolu, les électrons du cristal occupent les états mono
électroniques d’énergie la plus basse. Leur distribution répond au
principe de Pauli. L'énergie de Fermi a été définie au § 21 : au zéro
absolu, tous les états d’énergie inférieure sont occupés et tous les
états d’énergie supérieure sont vides. La surface isoénergétique cor
respondante est appelée surface de Fermi.
De nombreuses propriétés du cristal (optiques, électriques, etc.)
sont déterminées par la structure des bandes énergétiques et la
position du niveau de Fermi. Supposons que le niveau de Fermi E F
soit situé à l’intérieur d’une bande des énergies permises, ou à la
limite supérieure d’une bande partiellement recouverte par une
bande d’énergie supérieure. Il y a dans ce cas des niveaux vides d’é
nergie tout proche de E F. En particulier, il suffira d’appliquer un
faible champ électrique pour que les électrons du cristal transitent
vers des états correspondant à la propagation d’un paquet d’ondes
porteur de charge négative. Les solides possédant ce spectre énergé
tique sont appelés métaux (fig. 27).
Seuls les électrons dont l’énergie est voisine de EF participent à
la conduction métallique. Pour modifier les états des électrons des
bandes internes entièrement occupées, il faut appliquer une énergie
sensiblement plus importante, parce que les états d’énergie voisine
sont tous occupés. Seuls les électrons des bandes partiellement rem
plies participent à la conduction. Ces bandes s’appellent bandes de
conduction. La bande remplie la plus proche de la bande de conduc
tion est appelée bande de valence.
Tous les solides contenant un nombre impair d’électrons dans
la maille élémentaire sont des métaux. En réalité, les niveaux éner
gétiques des électrons sont dégénérés par rapport aux deux projec
tions du spin, et, de tous les états de la bande de conduction, seule
ment la moitié est occupée par un nombre impair d’électrons. Tous
les métaux alcalins, le cuivre, l’argent, l’or et l’aluminium sont de
ce type. Par exemple, dans la maille élémentaire d’un cristal de
lithium il y a trois électrons. Ils remplissent une bande et demie —
deux électrons de spins inverses remplissent la bande (1s) et le
10—0534
troisième occupe la moitié de la deuxième bande (2s). Les atomes à

nombre pair d’électrons peuvent aussi constituer des métaux, à
condition que l ’énergie de Fermi coïncide avec une région de recouvre
ment des bandes énergétiques.
Bandes de conduction
Les alcalino-terreux, l’étain,
le plomb, l ’arsenic, l’antimoi
ne, le bismuth, etc., sont de ce
type.
a) Supposons que l ’énergie de
Fermi coïncide avec la limite
supérieure d’une bande énergé
tique, la bande vide d’énergie
Bandes de valence supérieure étant séparée de la
première par un certain inter
valle énergétique. Au zéro ab
Bandes de conduction
solu, un tel solide sera un dié
lectrique. Dans ce cas, pour
modifier l’état des électrons,
m r il faut leur fournir une énergie
c) d)
au moins égale à la largeur de
la bande interdite. Cette bande
d’énergies interdites, séparant
Bandes de valence
la bande pleine de la bande
vide, a une largeur qui dépend
Bande d e conduction
de la nature du cristal. Par
exemple pour le diamant, elle
vaut 6 à 7 eV, pour le sulfure
de cadmium 2,5 eV, le silicium
1,11 eV, le germanium 0,72 eV,
Bande de valence
l’étain gris 0,1 eV. Tous ces
corps, à l’état pur au zéro ab
□ - niveaux accepteurs solu, sont des isolants. Le dia
x - n ivea u x • donneurs mant reste un bon isolant à la
• - é lectro n s température ordinaire, parce
O - tro u s
que l’énergie d’agitation ther
Fig. 27. Schémas des niveaux énergéti mique ne suffit pas à faire pas
ques des solides. ser des électrons de la bande de
a) D iélectrique, b) m étal possédant un électron valence à la bande de conduc
de valence p ar atom e, c) sem i-conducteur de
type p , d) semi-conducteur de type n , e) semi- tion.
m étal. Pour le germanium et le si
licium, les bandes pleine et vide
sont assez proches l’une de l’autre. Dans ce cas, à la température ordi
naire, un certain[nombre d’électrons passe de la bande pleine à la bande
vide. Des électrons apparaissent dans la bande de conduction et
des trous dans la bande de valence. Dans ce cas les électrons des
deux bandes participent à la conduction.
§ 22] CLASSIFICATION DES SOLIDES 147
Lorsque les places libérées dans la bande de valence sont peu

nombreuses, au lieu de traiter le mouvement de tous les électrons
de cette bande, on se contente d'étudier le mouvement des trous.
Ainsi, la conduction dans des cristaux très purs de germanium ou
de silicium est due au mouvement des électrons dans la bande de
conduction presque vide (conduction électronique) et au mouve
ment des trous dans la bande de valence presque pleine (conduction
par trous). La conduction du germanium et du silicium augmente
avec la température puisqu’un nombre de plus en plus grand d’élec
trons vient occuper la bande vide et libère la bande pleine.
Les solides dont la conduction, nulle au zéro absolu, augmente
de manière significative avec la température sont appelés semi-con
ducteurs. Dans les semi-conducteurs purs, la conduction est due au
peuplement thermique de la bande vide, elle concerne à la fois les
électrons et les trous.
Les semi-conducteurs contenant des impuretés ont une grande
importance pratique. Une faible quantité d’atomes étrangers peut
influencer la conduction de deux manières: soit en plaçant des
électrons dans la bande de conduction, soit en enlevant des électrons
à la bande de valence, et en y formant des trous. Par exemple, si
on introduit dans un cristal de silicium un petit nombre d’atomes
d’arsenic, ces atomes, à la température ordinaire, ont tendance à
perdre un électron. Ce dernier vient se loger dans la bande de con
duction du silicium. Plus la concentration en atomes d’arsenic est
grande, plus la température est élevée, plus il y a d’électrons dans la
bande de conduction. Les atomes d’impuretés susceptibles de donner
leurs électrons à la bande de conduction du cristal sont appelés
donneurs. Les semi-conducteurs contenant ces impuretés sont appelés
semi-conducteurs de type n (conduction électronique) (voir fig. 27).
La présence d’atomes de bore dans un cristal de silicium peut
conduire à la capture, dans la bande de valence, d’un certain nombre
d’électrons. Cette opération nécessite aussi une certaine énergie.
Les atomes enlevant des électrons aux bandes pleines du cristal
sont appelés accepteurs. Les semi-conducteurs de ce type sont appelés
semi-conducteurs de type p. Dans ces cristaux la conduction est assurée
par les trous (voir fig. 27).
Dans les solides, les centres donneurs et accepteurs ne sont pas
nécessairement des atomes étrangers. Ils peuvent correspondre à
d’autres hétérogénéités du réseau, par exemple à des atomes en
excès ou des atomes manquants dans le réseau du cristal. Les lacunes
ou les atomes interstitiels jouent le rôle d’une impureté. Naturelle
ment, dans des semi-conducteurs à impuretés, le nombre de trous dans
la bande de valence n’est pas égal au nombre d’électrons de la bande
de conduction.
Les cristaux intermédiaires entre les métaux et les semi-conduc
teurs présentent d’intéressantes propriétés. On les appelle semi-mé-
10*
•148 É T A T S M O N O Ê L E C T R O N IQ U E S D A N S U N C R IS T A L [CH. V
taux. Dans les semi-métaux les bandes de valence et de conduction

se recouvrent partiellement (voir fig. 27). C’est pourquoi, même
au zéro absolu, une partie des électrons de la bande de valence passe
dans la bande de conduction (en formant des trous). En fin de compte
les semi-métaux ont des trous dans la bande de valence et un nombre
égal d’électrons dans la bande de conduction. Contrairement aux
métaux, la conduction des semi-métaux augmente avec la tempéra
ture, parce que le nombre d’électrons dans la bande de conduction et
le nombre de trous dans la bande de valence augmentent. Dans les
métaux, le nombre des électrons de la bande de conduction est indé
pendant de la température; et, lorsque la température augmente,
l ’énergie des électrons de conduction diminue en raison de l’inte
raction croissante avec les phonons.
Bien que les semi-métaux aient le même nombre d’électrons et
de trous, leur rôle dans la conduction n’est pas nécessairement le
même en raison de leurs différentes mobilités.
Les atomes de bismuth et d’antimoine forment des semi-métaux.
Ils ont cinq électrons sur l’orbitale externe et forment des cristaux
à réseaux cubiques légèrement distendus dans une direction parallèle
à la diagonale du cube, c’est-à-dire à l’axe d’ordre trois. De tels
cristaux présentent une grande anisotropie. Le cristal pur de bismuth
est un semi-métal. Il a 106 fois moins d’électrons que le cuivre mais
sa résistance dans certaines directions n’est que 100 fois plus faible,
en raison de la très grande mobilité des électrons et des trous dans ces
directions. Dans le bismuth et dans les alliages riches en bismuth,
la mobilité des électrons (dans des directions cristallographiques
déterminées) est sensiblement plus grande que celle des trous. C’est
pourquoi ces alliages sont de type n. Dans l ’antimoine et dans des
alliages riches en antimoine la mobilité des trous est plus grande, et
ces alliages sont de type p.
Le bismuth et l'antimoine sont miscibles en toutes proportions.
Dans les alliages bismuth-antimoine, les propriétés semi-métalliques
n ’apparaissent que lorsque la proportion d’antimoine est inférieure
à 5 % ou supérieure à 40 %. Dans les autres proportions, l’alliage
est semi-conducteur puisque, pour des températures inférieures à
220 °C, une bande interdite apparaît entre la bande de valence et la
bande de conduction.
Pour certains semi-conducteurs (CdS, ZnS, CdSe, ZnO, etc.),
contrairement à la structure habituelle en bandes, les énergies extré-
males ne correspondent pas à des points singuliers de la première zone
de Brillouin. Dans le type de structure prévue par Rashba et Sheka
152], l’extrémum est obtenu sur une circonférence, et les surfaces iso
énergétiques, pour de faibles valeurs de l’énergie, ont la forme d’un
tore. Une telle surface isoénergétique a été mise en évidence par
toute une série d’expériences 153, 541. La loi de dispersion au voisi-
§ 23] S U R F A C E S IS O Ê N E R G E T IQ U E S 149
nage du centre de zone est caractérisée par deux branches

fit h2kz
= 2 ^ 7 T + 1^17 •
Pour de faibles énergies e_ correspond à un tore de section droite
elliptique.
§ 23. Surfaces isoénergétiques
Dans les métaux et les semi-conducteurs, les porteurs de charge —
électrons dans la bande de conduction et trous dans la bande de
valence,— sont des quasi-particules. Leurs propriétés diffèrent
considérablement de celles des particules libres. Les propriétés dyna
miques d’une quasi-particule sont déterminées par la relation fonc
tionnelle entre son énergie et son vecteur d’onde (quasi-impulsion).
Cette dépendance est appelée loi de dispersion.
Pour toutes les particules libres, la loi de dispersion standard
est E (k) = °ù m est la masse de la particule. Au contraire,
l’énergie d’une quasi-particule Eaa^ (k) dans un cristal est une
fonction périodique composée du vecteur d’onde. Dans l ’espace des
k la dépendance Eas (k) peut être représentée par des figures géomé
triques : les surfaces isoénergétiques, reliant les points de l’espace k
correspondant à une même valeur de l’énergie.
Pour une particule libre, les surfaces isoénergétiques sont tou
jours sphériques. Les surfaces isoénergétiques de l’électron dans la
bande de conduction ou du trou dans la bande de valence ont une
forme très compliquée. Le calcul théorique de ces surfaces ne peut
être réalisé qu’au prix d’approximations très grossières. Comme
nous l’avons montré au § 20, même pour un réseau cubique simple,
ces surfaces sont sphériques seulement au voisinage du centre de la
zone de Brillouin et de ses huit sommets.
Lifshitz, Kaganov et coll. [551 ont apporté une contribution im
portante à l’étude des surfaces isoénergétiques des électrons dans les
métaux. La monographie de Harrison [561 est consacrée à l’étude
théorique du spectre énergétique des électrons dans les métaux.
La structure des surfaces isoénergétiques dans la bande de valence
dépend de l ’énergie et des éléments de symétrie du cristal. Au voisi
nage des valeurs extrémales de Eas^ (k) dans la zone de Brillouin
(pour des valeurs de k0 telles que EaSz (k0) soit maximum ou mini
mum), les surfaces isoénergétiques dans l’espace k sont fermées. Si
l’on se rapproche infiniment de k0, elles deviennent des ellipsoïdes.
Dans ce cas les valeurs principales de la masse effective sont positi
ves si en ce point l ’énergie est minimale et négatives si l’énergie
est maximale. Une surface isoénergétique fermée au voisinage d’un
minimum délimite une région de l ’espace k, où l’énergie est infé-
150 É T A T S M O N O Ê L E C T R O N IQ U E S D A N S U N C R IS T A L [CH. V
rieure à sa valeur à la surface. Par conséquent, la vitesse de groupe

de l’électron vq = y gradk E (k), normale à la surface isoénergéti
que, est dirigée vers l ’extérieur de cette surface. Au voisinage d’un
maximum, une surface isoénergétique fermée délimite une région où
à)
H
*y
Fig. 28. Exemples simples de surfaces isoénergétiques,

a) Fermée, b) ouverte dans la direction ky , c) ouverte dans les directions kx, kyt k^
l ’énergie est supérieure à sa valeur à la surface, et la vitesse vq est
dirigée vers l’intérieur.
Au fur et à mesure que l’on s’éloigne du minimum ou du maxi
mum, les surfaces isoénergétiques, tout en restant fermées, se dé
forment. Comme la fonction Eat ,z (k) est périodique, de période
égale à la période du réseau réciproque, ces surfaces isoénergétiques
§ 24| DENSITÉ D’ÉTATS DANS L’ÉCHELLE ÉNERGÉTIQUE 151
se répètent de maille en maille dans tout l'espace k. Entre les sur

faces fermées simples que nous venons d'évoquer viennent alors
s’intercaler des surfaces plus complexes se recoupant sur elles-mêmes
et ouvertes lorsqu’elles se prolongent sans discontinuité dans tout
l’espace k. Ces surfaces ouvertes peuvent être aussi mono ou plurilo-
bées. Les cas les plus simples de surfaces isoénergétiques fermées et
ouvertes sont représentés sur la figure 28. Les surfaces ouvertes peu
vent avoir une structure très complexe, on les appelle monstres.
§ 24. Densité d'états électroniques

dans l'échelle énergétique
Lorsque l’on s’intéresse aux excitations de faible énergie, il con
vient d’étudier la région de l’espace k au voisinage immédiat de la
surface de Fermi. Le remplissage des états à l’intérieur de la surface
de Fermi dépend de la densité d’états quantiques p (£) rapportée
à l’unité d’énergie.
Les états électroniques sont distribués de manière homogène dans
l’espace k et de manière inhomogène dans l ’échelle énergétique. Si
l’on note pour simplifier la multiplicité de dégénérescence d’un ni
veau k par la lettre g *), dans un volume V du cristal, le volume de
0.3
l’espace k affecté à un état sera (voir § 4). Le nombre d’états dN
dont l'énergie est comprise entre e et e -H de sera donné par
e+cte
Sachant que
1 cPk = -— . , , où dS est l’élément de surface
|gradketk)|
isoénergétique, nous obtenons l ’expression finale de la densité d’états
dans l’échelle énergétique
, . d it gV P dS /0 / . .
p (C) — de — 8n* J | gradke (k) | * @4.1)
L’intégration s’étend à toute la surface isoénergétique dans les limi
tes de la zone de Brillouin, que cette surface soit fermée ou non.
En particulier, dans l ’approximation d’une masse effective iso
trope c (k) = h2k2/2m*. Par conséquent, | gradk c (k) | = h 2 |k |lm*t
= 4jiA^ et
o ^ = s ^ r L = S ^ < - 2m'>v ’ y ‘- <24-2>

*) Dans les métaux alcalins Li, Na, K , . . . , un seul électrôn s de la maille
élémentaire participe à la bande de conduction, c'est pourcmoi g = 2. Pour
les bandes p et d les valeurs de g sont respectivement égales a 6 et 10.
Si la surface isoénergétique est ellipsoïdale, il suffit de remplacer

dans (24.2) (m*)3/2 par l/mjmjm?.
Dans l’approximation des liaisons fortes (voir § 20.3), pour un
réseau cubique simple la loi de dispersion est
c (k) = (3 — cos kax—cos kay — cos ka2), (24.3)
où L est la largeur de la bande (l’origine des énergies correspond à
l’énergie au point k = 0). Au voisinage du centre de zone, l’énergie
des électrons est
h*k» 6Æ2
c (k) = 2m* m a2L » ak<£ 1,
(24.4)
et la densité d’états est donnée par la formule (24.2). Au voisinage
Fig. 29. Densité d'états monoélectro Fig. 30. Structure énergétique de la

niques. bande supérieure d'un métal uni
a) Approxim ation des liaisons fortes, b) ap valent (a) et d'un diélectrique (6) dans
proxim ation des électrons quasi libres. l'approximation des électrons quasi
libres.
des sommets du cube formant la première zone de Brillouin, l’ex

pression (24.3) donne approximativement
e(q) = | ^ - + £ » m f = — m*, qa«=kad=Jt< 1, (24.5)
et, au voisinage du haut de la bande, la densité dvétats est

gV / 2m * \ 3/ 2
§ 25] S T A T IS T IQ U E D E S E L E C T R O N S D A N S L E S S O L ID E S 153-
Sur la figure 29 on a représenté, dans l'approximation des liaisons

fortes, la variation de la densité d’états p (e) en fonction de l’énergie.
Dans l ’approximation des électrons quasi libres, la densité d’états
est parabolique (24.2), sauf au voisinage des sommets de la zone do
Brillouin où elle s’annule.
Si les bandes énergétiques se recouvrent, la densité d’états totale
est la somme des contributions apportées par chaque bande.
Sur la figure 30 on a représenté la structure de bandes d’énergie
supérieure d’un métal univalent et d’un diélectrique dans l’appro
ximation des électrons quasi libres. Dans un métal univalent, la
moitié de la bande de conduction est remplie et la surface de Fermi
est sphérique. Dans l’état fondamental, la bande de conduction du
diélectrique est vide et la bande de valence est complète. Les états
excités correspondent à la transition d’un électron de la bande de
valence à la bande de conduction.
Dans la représentation par trous (voir § 21.1), on compte toutes
les grandeurs physiques à partir de l’état fondamental « vide *
(sans particules). Au voisinage du haut de la bande de valence, l’élec
tron porte une charge négative et a une masse effective négative
(24.5). Il lui correspond un trou (de charge positive) de masse effec
tive positive m* = —m* = 6h2/a2L. L’énergie du trou ct est
évaluée à partir du bord supérieur de la bande de valence
ct (q) = L —e(q) = fi2q2/2m?. (24.7>
Plus le trou se rapproche du bord supérieur de la bande de valence,
plus son vecteur d’onde q et son énergie diminuent. L’« immersion »
du trou correspond à l’augmentation de son énergie.
§ 25. Statistique des électrons dans les solides

Dans l’état O 0 de plus basse énergie, les N électrons de la bande-
de conduction remplissent tous les niveaux d’énergie inférieure ou
égale à l’énergie de Fermi eF évaluée à partir du bas de la bande.
Tous les niveaux d’énergie supérieure à eF sont vides. Un tel état
du système d’électrons est dit complètement dégénéré. Si le système
des N électrons est en équilibre thermique à la température 0 (expri
mée en unités énergétiques), la distribution des électrons selon les
énergies de la bande de conduction suit la fonction de distribution de
Fermi
[f (c (k)) = ( l + e sp e-(k^ ~ >t)~ t . (25.1)
Cette fonction définit le nombre moyen d’électrons dans l’état k,
dont l’énergie, comptée à partir du bas de la bande de conduction,
est égale à c (k). Dans l ’expression (25.1) figure une grandeur p
homogène à une énergie, p s’appelle potentiel chimique, il est aussi
compté à partir du bas de la bande. Il est déterminé par la condition

de normalisation de la distribution (25.1) sur le nombre total d’élec-
trons
ATe= 2 ( l + e x p 6^ ^ ) " 1. (25.2)
k
Lorsque 8 -* 0 (dégénérescence totale), la fonction (25.1) est
égale à l ’unité pour toutes les valeurs de l’énergie e (k) < p. et
nulle pour e f(k) > p. Le potentiel chimique d’un gaz électronique
au zéro absolu coïncide avec l’énergie de Fermi. Pour des tempéra
tures différentes de zéro, le potentiel chimique est défini par l ’expres
sion (25.2). C’est une fonction implicite du nombre d’électrons N e
et de la température 8. Si on veut obtenir une forme explicite du
potentiel chimique, il faut passer de la sommation à l’intégration
dans (25.2)
oo
t f . = J /( e ) P ( e ) * . (25.3)
0
où p (e) est la densité d’états dans l’échelle énergétique (§ 24). Sup
posant la masse effective isotrope, p (e) est donné par l ’expression
(24.2) et
(25.4)
où
(25.5)
0 «P ( ï - | - ) + 1
Lorsque la dégénérescence est totale (8 ->-0)
n/e
F (n/© )= j V x d x = - | ( - £ ) 3/\
o
par conséquent,
g V 2 V / m*tP \3 /2 ft* (6n*Ne \2f3 ,n, c.
ou P = e' = 2 ^ r ( - É F ^ ) • f25*6)
L’énergie de Fermi est d’autant plus élevée que la densité d’élec
trons est plus élevée, et que la masse effective est plus petite. Dans
les métaux, l ’énergie de Fermi des électrons de conduction est ~ 3 à
5 eV. Cette énergie est tellement supérieure à l'énergie d’agitation
thermique moyenne à des températures égales ou inférieures à la
température ordinaire (0 « 0,03 eV) que la fonction de distribution
(25.1) ne^ dépend pratiquement pas de la température 0 e*..
§ 25] STATISTIQUE DES ELECTRONS DANS LES SOLIDES 155
De tels états du système d’électrons sont appelés dégénérés. La tem

pérature 0 O= cF est la température de dégénérescence.
Dans les semi-conducteurs l’énergie de Fermi vraie, définie
comme l’énergie maximale possible pour les électrons au zéro absolu,
coïncide avec le haut de la bande de valence. Au zéro absolu la
bande de conduction ne contient pas d’électrons. A la température
ordinaire, la densité d’électrons dans la bande de conduction est
habituellement de 1011 à 1015 cm"3. Si ce nombre d’électrons ne dimi
nuait pas avec la température, l’énergie de Fermi du système serait
de 10”10 à 10“7 eV (comptée à partir du bas de la bande de conduction)
et la température de dégénérescence de 10”6 à 10“4 K. Par consé
quent, à la température ordinaire, les électrons de la bande de con
duction sont loin de la dégénérescence.
Dans les semi-métaux et dans les semi-conducteurs fortement
dopés la densité d’électrons varie avec la concentration en impuretés
de 1018 à 1021 cm-3. Si N J V « 1019 cm”3, l’énergie de Fermi est
~0,03 eV. Cette grandeur est comparable à l’énergie d’agitation
thermique moyenne à la température ordinaire. Dans ce cas, l’état
du système d’électrons est intermédiaire entre la dégénérescence et
la non-dégénérescence. Pour 0 < 10 eF on obtient à partir de (25.4)
l’expression approchée
Compte tenu de (25.6), on peut exprimer à partir de là le potentiel

chimique en fonction de l’énergie de Fermi
(25.7)
25.1. Potentiel chimique des semi-métaux et des semi-conducteurs.
Variation du potentiel chimique avec la température. Dans les mé
taux, le gaz électronique est dégénéré même à la température ordi
naire. Dans ces conditions 0 <C cF, le potentiel chimique (25.6)
coïncide pratiquement avec l’énergie de Fermi ; par conséquent, il
ne dépend pas de 0. Dans les semi-métaux et les semi-conducteurs,
à la température ordinaire la dégénérescence est détruite et le poten
tiel chimique dépend notablement de la température. En l ’absence
de dégénérescence, un certain nombre d’états d’énergie supérieure à
l’énergie de Fermi sont partiellement peuplés. Dans ce cas, pour des
états tels que c >
/(e )— (exp e—H
e f (25.8)
156 É T A T S M O N O Ê L E C T R O N IQ U E S D A N S U N C R IS T A L [CH. V
Donc, en l'absence de dégénérescence, la fonction de distribution

(25.8) coïncide avec la fonction de distribution de Maxwell-Boltz
mann
H—e (25.9)
/ (c) = exp 0
Substituons l’expression (25.9) dans (25.3). Nous obtenons
H .- * * * , (25.10)
S’il n’y a pas dégénérescence, le potentiel chimique des électrons
(compté à partir du bas de la bande de conduction) s’exprime à partir
de (25.10)
(25.11)
De simples considérations qualitatives permettent de comprendre
pourquoi en l’absence de dégénérescence le potentiel chimique est
Fig. 31. Distribution des électrons suivant les états énergétiques.
négatif. D’après (25.1), lorsque 0 = ^ 0 , le potentiel chimique est

égal à la valeur de e satisfaisant à / (e) = -g-. En l’absence de dégé
nérescence, 0 ^ tF et / (e) 1 quel que soit e > 0. Prolongeons
formellement la courbe / (e) dans la région des énergies négatives
\
(fig. 31). La valeur / (c) = y est atteinte pour une valeur négative
de c et donc pour celle du potentiel chimique p.
Si l ’on désigne par cg la différence d’énergie entre le bas de la
bande de conduction et le haut de la bande de valence (gap), l’énergie
des trous et, comptée à partir du bas de la bande de conduction, est
négative]
e<(k )= —e, —eft, (25.12)
où m? > 0 est la masse effective du trou. La fonction de distribu
tion des trous suivant les états énergétiques de la bande de valence
§ 25] S T A T IS T IQ U E D E S E L E C T R O N S D A N S L E S S O U D E S 157
correspondant à des k différents est

^ ft (e* (k)) =s 1 — / (Cj(k)) = ( 1 + exp . (25.13)
En l’absence de dégénérescence
/ <(e,(k)) = exp ( - £ ± | ± £ l ) < 1 . (25.14)
La densité d’états des trous dans la bande de valence s’exprime
de la même manière que la densité d’états (24.2) des électrons dans
la bande de conduction
<25-i5)
Le nombre total de trous dans la bande de valence est donc
( pt (th) f( c t <V)dth = At exv ( - - ^ h

o (25.16)
/ mf 0 \ 3/2
A‘ = S ‘v ( - m r ) ■
Dans les semi-conducteurs intrinsèques (purs) l’électroneutralité
est traduite par l’égalité entre le nombre des électrons de la bande
de conduction et le nombre des trous de la bande de valence. Egalant
les expressions (25.10) et (25.16), nous obtenons le potentiel chimi
que des électrons et des trous dans un semi-conducteur pur:
Le deuxième terme de l’expression (25.17) est beaucoup plus petit

que le premier (on suppose que la température n’est pas trop élevée),
ce qui permet de poser
|i « 2 Cg* (25.18)
Le potentiel chimique des électrons de conduction et des trous
de la bande de valence d’un semi-conducteur pur est presque au
milieu de la bande interdite séparant les deux bandes.
Dans certains livres de théorie du solide (par exemple dans [57,
58]), l’énergie correspondant au potentiel chimique est appelée niveau
de Fermi. Cette dénomination nous paraît absolument inadéquate.
On entend habituellement (voir § 22) par niveau de Fermi le niveau
monoélectronique réel où s’arrête le remplissage des états électroni
ques au zéro absolu. Dans un semi-conducteur pur, le niveau de
Fermi coïncide avec le haut de la bande de valence. Le potentiel
chimique ne correspond pas à un niveau réel. C’est seulement un
paramètre des distributions de Fermi (25.1) et (25.14). Dans un

système métallique, il coïncide avec le niveau de Fermi seulement
au zéro absolu. Pour des températures élevées il est négatif (25.11),
c’est-à-dire qu’il est situé dans une région d’énergie interdite aux
électrons. Dans les semi-conducteurs purs, le potentiel chimique,
pour des températures peu élevées, reste situé au voisinage du centre
de la bande interdite.
L’appellation malheureuse ci-dessus mentionnée conduit parfois
à une interprétation erronée. Ainsi, dans le livre [571 (chap. 12,
§ 4, page 323) il est dit à propos du niveau de Fermi identifié au
potentiel chimique : « C’est un niveau étalon à partir duquel les
électrons et les trous sont excités. » En réalité pour une énergie égale
au potentiel chimique il n’y a ni trou, ni électron. Les transitions
quantiques dans les semi-conducteurs ont lieu entre des états mono
électroniques réels constituant les bandes de valence et de conduc
tion.
Substituant (25.7) dans (25.10) et (25.16) on trouve le nombre
d’électrons et de trous dans les bandes correspondantes
. / ffif/n* v 3/2 « /0 / c- v
N .= N i = v y g'g t (-£ ? ± .) e 3/2e x p (2519)
Définissons la position du potentiel chimique dans un semi-con

ducteur, contenant dans la bande interdite les niveaux d’énergie
discrets d’une impureté. Supposons que les atomes de l’impureté
soient donneurs, et que leurs niveaux ed -C eg soient proches du
bas de la bande de conduction. Dans un tel semi-conducteur, les
électrons de la bande de conduction peuvent avoir deux origines:
ils proviennent soit des niveaux donneurs, soit de la bande de valence.
Pour conserver l’électroneutralité du cristal, il convient d’éga
liser le nombre d’électrons N e de la bande de conduction au nombre
de trous N t de la bande de valence augmenté du nombre n d d’atomes
d’impureté ionisés une seule fois:
N , = N t + n d. (25.20)
Si N d* est le nombre d’électrons fixés sur les atomes d’impureté
au zéro absolu, conformément à (25.1), à la température 6 , ces im
puretés ne contiendront plus que
N<d"
N d = N<d» f ( - e d)
,+ „ P (-« + £ )
électrons. Ainsi le nombre d’électrons ayant passé dans la bande de

conduction sera
nd = N d- N (d» = N$> [ 1 + exp .(25.21)

§ 25] STATISTIQUE DES ÉLECTRONS DANS LES SOLIDES 159
Substituant (25.10), (25.16) et (25.21) dans (25.20) nous obtenons

une équation transcendante définissant le potentiel chimique
Ae exp = .4, exp ( — 3 ** ) + iVÿ’ + .(25.22)
Lorsque la température du cristal est trop faible pour assurer le
transfert des électrons de la bande de valence à la bande de con
duction,
exp(— ÿ - ) < l ,
l’égalité (25.22) se simplifie:
Aee x p = N $' (exp *i £ 11 + l ) S
cette équation est quadratique en exp ; sa résolution donne
* ----- <- + e i n ■ !■ (]/' 1 1 ). (25.23)

Pour des températures basses, le deuxième terme dans le radical
devient grand par rapport à l’unité et on obtient
<25-24>
Par conséquent, pour © = 0, le potentiel chimique se trouve au
milieu de l’intervalle séparant les niveaux donneurs du bas de la
bande de conduction. Lorsque la température augmente, le potentiel
chimique commence par augmenter, puis le radical devient infé-
rieur à l ’unité et le potentiel chimique diminue. Au cours de cette
variation, tant que l ’inégalité
(25.25)
gV
est satisfaite, on peut développer la racine carrée (25.23) en série.
Au premier ordre nous obtenons
P (25.26)
Prenons le logarithme de l ’inégalité (25.25). Compte tenu de (25.26)r
cette inégalité se simplifie:
P < — cd- (25.27)
Le potentiel chimique est donc situé plus bas que les niveaux donneurs
si bien que tous les atomes donneurs sont ionisés.
Si la température continue à croître, les transitions'électroniques
entre la bande de valence et la bande de conduction prennent une
160 E T A T S M O N O Ê L E C T R O N IQ U E S D A N S U N C R IS T A L [CH. V
place de plus en plus importante. Pour définir le potentiel chimique,

on doit utiliser l'équation (25.22). Si le nombre des transitions élec
troniques de la bande de valence à la bande de conduction dépasse
sensiblement le nombre des niveaux d’impuretés, le rôle des impure
tés diminue et le potentiel chimique tend vers la valeur qu’il aurait
dans un semi-conducteur pur (25.18). Sur la figure 32 on a repré-
Fig. 32. Variation du potentiel chimique en fonction de la température pour

un semi-conducteur de type n.
senté la variation qualitative du potentiel chimique p d’un semi-

conducteur de type n avec l’augmentation de la température.
De manière analogue, on peut trouver la position du potentiel
chimique d’un semi-conducteur de type p. Si le semi-conducteur
contient N™ niveaux accepteurs d’énergie — tg + ca (ea ^ e^),
à basse température (la conduction est ici assurée par les trous de la
bande de valence) le potentiel chimique est
_ Cff+-*-Co + e i n - y ^ ^ ( - | * L ) 3/2. (25.28)
Par conséquent, pour 0 = 0, le potentiel chimique est au milieu
de l’intervalle séparant les niveaux accepteurs du haut de la bande
de valence. Lorsque la température augmente, le rôle des transitions
de la bande de valence à la bande de conduction augmente. Les ni
veaux accepteurs sont d’autant moins efficaces qu’ils sont pratique
ment tous remplis. Enfin, lorsque tous les niveaux accepteurs sont
peuplés, les transitions de la bande de valence à la bande de con
duction prédominent, ce processus contribue pratiquement seul à
l ’augmentation de la conduction. Dans ce cas le potentiel chimique
du semi-conducteur de type p (25.28) coïncide avec le potentiel chi
mique (25.18) d’un semi-conducteur pur.
CHAPITRE VI
MOUVEMENT D’UN ÉLECTRON

DANS UN CRISTAL PLACÉ
DANS UN CHAMP MAGNÉTIQUE
§ 26. Vecteurs propres et valeurs propres

pour des particules chargées dans un champ magnétique
Un électron animé d’une vitesse v dans l’espace libre est, dans
un champ magnétique B, soumis à la force de Lorentz
F=-f[vB], (26.1)
où e est la charge électrique positive unitaire ; c est la vitesse de la
lumière. La force F est perpendiculaire à la vitesse de l'électron.
Elle ne fait donc pas varier son énergie. L'électron décrit une spirale,
et la projection de sa vitesse sur la direction du champ v | reste cons
tante. La projection de sa trajectoire sur un plan perpendiculaire
au champ est un cercle dont le rayon
\ivLc
(26.2)
|B|
est appelé rayon de Larmor (p, est la masse de l ’électron).
La période de rotation de l'électron autour de la direction du
champ est T = 2tcR / v± = 2np.c!e | B | et la fréquence cyclique
2ji g |B|
B— r ~ ~ ^ r (26.3)
est appelée fréquence de Larmor ou fréquence cyclotron.
Landau [59] fut le premier à développer la théorie quantique du
mouvement de l’électron dans un champ magnétique. Il convient
d’utiliser le potentiel vecteur A défini par B = rot A. Supposons
que B soit dirigé le long de l'axe z ; nous pouvons écrire
A = ( — L y B , ± x B , 0) , 5 = |B |. (26.4)
L'hamiltonien de l ’électron dans le champ magnétique s’exprime
en fonction de l’impulsion p de l’électron et du potentiel vecteur A
(26.5)
11—0534
162 MOUVEMENT D’UN ELECTRON DANS UN CHAMP MAGNETIQUE [CH. VI
Comme la projection du mouvement de l’électron sur la direction

du champ est libre (non quantifiée), on peut se limiter au problème
bidimensionnel du mouvement de l ’électron dans le plan xy perpen
diculaire au champ. Dans ce cas, en exprimant l’intensité du champ
B en fonction de la fréquence cyclotron o)B à l’aide de (26.3), l ’hamil
tonien décrivant le mouvement de l ’électron dans le plan xy sera
conformément à (26.4) et (26.5)
H j. = [ (i>x— x W ®b ) " 4- ( P u + - y ) ~] • (26-6)

D’après Johnson et Lippmann [60], introduisonsl’opérateur
ainsi que son homologue hermitien conjugué n +. Ces deux opérateurs

vérifient la relation de commutation
[n, n*] = 1. (26.8)
Lorsque l’on substitue ces opérateurs dans l’hamiltonien (26.6),
celui-ci prend une forme identique à l ’opérateur énergie d’un oscil
lateur harmonique simple :
H x =h<ùB (26.9)
dont les valeurs propres
E ± =h(ûB ( v + 4 - ) (26.10)
sont fonctions du nombre quantique v = 0, 1, 2, . . .
La projection du moment cinétique de l’électron sur l’axe z
L z = xpy — ypx (26.11)
commute avec l’hamiltonien (26.6). Ses valeurs propres sont égales à
hm, où m = 0, ±1» • • • est le nombre quantique magnétique.
Les états stationnaires du mouvement de l’électron dans le plan
perpendiculaire au champ sont caractérisés par des fonctions d’onde
| v, m ). Celles-ci dépendent de deux nombres quantiques v et m,
elles sont à la fois fonctions propres des deux opérateurs (26.9)
et (26.11)
\_HX — h(ùB (v + y ) ] K m) = 0, (Lz— hm) |v, m) = 0.
Etablissons les différentes relations de commutation
[ffx , n] = — fttoflîi, [H±, n*] = h<ùBn+,
(26 . 12)
[Lz% ii] = —fin, [Lz, n+]^=/wï\
§ 26] VECTEURS ET VALEURS PROPRES POUR DES PARTICULES 163
On peut alors définir l’action des opérateurs Jt et ji* sur les fonctions
|v , m)
n+|v, m) = l/v + l|v + l, m + 1),
(26.13)
j i | v , m) = Y v |v —1, m — 1).
Ces opérateurs augmentent (ou diminuent) simultanément d’une

unité les deux nombres quantiques.
Introduisons les opérateurs agissant seulement sur le nombre
quantique magnétique des fonctions ( v, m )
X+\\, m) = Y v —m|v, m + 1),
(26.14)
£_|v, m) = V"v—m + l|v , m —1).
On constate que, v étant fixé, le nombre quantique m ne peut prendre
que les valeurs v, v — 1, . . ., —1, —2, . . . Les opérateurs ainsi
définis vérifient la relation de commutation
[X+: XJ\ = l.
Les opérateurs X_n+ et X+n augmentent et diminuent d’une
unité le nombre quantique v :
£_n+|v, m) = V (v-f-1) (v—m)|v + l, m),
(26.15)
X+n\v, m) = ]/ v (v—m + l) |v —1, m).
En utilisant les opérateurs n* et £_ on peut obtenir les fonctions
d’onde de tous les états stationnaires | v, m ) à partir de l ’état vide
| 0, 0 ) par la relation :
[v, ™> = - ~ ------- X l~ m(n+)v|0, 0). (26.16)
y v ! (v—m) !
Dans l’énergie (26.10) nous n’avons pas tenu compte du spin de
l’électron. Si l ’on néglige les interactions spin-orbite faibles, on
peut écrire l’opérateur d’interaction du spin électronique avec le
champ magnétique extérieur sous la forme
(26.17)
où a. = est une matrice de spin de Pauli. Les valeurs
propres de 1’opérateur (26.17) correspondant aux deux états de spin
de l’électron sont Chacun des niveaux (26.10) se scinde ainsi
en deux, et l’énergie de l’électron est donnée par la formule de
Landau
£v. ( k z) = ( V+ ± ) t uoB SZB + , (26.18)
où $z = 1/2, —1/2. Le troisième terme de (26.18) représente l’énergie
du mouvement de l’électron dans la direction du champ.
il*
§ 27. Masse effective cyclotron

de Télectron de conduction
Une description quantique du mouvement de l’électron dans la
bande de conduction n’est véritablement nécessaire que si le champ
électromagnétique varie rapidement avec le temps. Dans de nom
breux cas, on peut se contenter d’une description quasi classique.
Ces conditions sont réaliséees pour un champ magnétique extérieur
lentement variable dans l’espace et dans le temps ou encore si le
champ est constant et homogène dans le cristal. Dans ce dernier cas
il faut que son intensité reste petite vis-à-vis du champ inter- ou
intra-atomique (108 à 10® Oe) et que les dimensions de la trajectoire
de l ’électron soient grandes par rapport aux distances interatomiques.
L’électron est alors considéré comme une quasi-particule caractérisée
par une loi de dispersion E (k) bien déterminée.
Soit donc un électron en mouvement dans un cristal soumis à
un champ magnétique extérieur constant et homogène d’induction
B = rot A. Soient ni^r1 (v = 1, 2, 3) les trois valeurs principales
du tenseur inverse de la masse effective de l’électron. L’hamiltonien
de l’électron dans le cristal est
<27-»
v=l
- d
où e > 0, p v = — ' A partir de l’expression (27.1), on trouve
les relations d’Heisenberg pour les opérateurs suivants:
■'v = J3 T = T T (27-2)
p = - i- [ p , H ) = — (27.3)
Les égalités opératorielles (27.2) et (27.3) sont du même type

que les expressions donnant la valeur moyenne des grandeurs corres
pondantes dans l’espace libre. Par conséquent, dans le cristal,
comme dans l’espace libre, la force de Lorentz F = [vB] reste per
pendiculaire à la vitesse de l’électron et n’en modifie pas l’énergie.
Pour chaque bande énergétique a, la vitesse de l’électron dans
l ’état stationnaire est déterminée selon (19.13) par la loi de disper
sion Ea (k) :
v =-j[- gradk E a (k). (27.4)
La vitesse de l’électron dans l’espace k est donc toujours normale à
la surface isoénergétique. Conformément à (27.3), la variation de
§ 27] MASSE EFFECTIVE CYCLOTRON DE L*ÊLECTRON 165
la quasi-impulsion p = ftk est perpendiculaire à la fois à la direction

de l’induction magnétique B et à la vitesse v. L’extrémité du vecteur
k se déplace donc dans l’espace k suivant une courbe située à la
surface isoénergétique E (k) = const, et dans un plan perpendiculaire
à B.
La composante du vecteur k parallèle au champ magnétique B
ne varie pas. Soient kj. et vj. les composantes du vecteur d’onde k
et de la vitesse, perpendiculaires au champ B. Les équations (27.3)
et (27.4) deviennent
^ ------TCTlViBl, (27.5)
où ôç est la plus courte distance dans l ’espace k séparant au point k
deux orbites d’énergies E et E + 6E.
Dans la plupart des phénomènes physiques relatifs aux métaux,
les électrons dont l’énergie est voisine de l’énergie de Fermi jouent
Fig. 33. Trajectoires du mouvement de l ’électron dans l ’espace k, formées par

l'intersection d'un plan perpendiculaire au champ magnétique et de la surface
de Fermi.
le plus grand rôle. L’équation (27.5) montre que l’électron dont l’é
nergie égale l’énergie de Fermi se déplace dans l’espace k suivant
une orbite formée par l ’intersection de la surface de Fermi et du plan
perpendiculaire au champ magnétique (fig. 33). Pour un électron
situé au voisinage d’un extrémum de la bande de conduction, cette
trajectoire est généralement une courbe fermée périodiquement par
courue par l’électron. Lorsque la surface de Fermi est ouverte, dans
certaines directions du champ, le mouvement de l’électron est apé
riodique
Plaçons-nous dans le cas d’une trajectoire fermée. La période de
rotation de l’électron sur cette orbite plane kx, k v (kz étant constant)
est
dk,
T= (27.6)
Substituant les valeurs (27.5) obtenues pour k± et v±, on a

T_ ch* c
1 eB J 6B
(27.7)
1 dS
§ dk± 6q — 6E repré
sente la variation de section de l'orbite lorsque l'on passe de la surface
isoénergétique E à la surface E + ÔE.
(27.7) permet de déterminer la fréquence cyclotron
2n
2neB
âS (27.8)
dE
Comparant cette expression avec (26.3), on peut exprimer la fré
quence cyclotron dans le cristal par la formule
o>« e D
(27.9)
imS Ie ’
ou
«» dS
' 2n dE
(27.10)
représente une certaine masse effective dépendant de la géométrie
de la surface de Fermi. La masse (27.10) est appelée masse effective
cyclotron. Elle dépend de la forme de la surface isoénergétique et
de la valeur kz définissant la position du plan de l’orbite. Pour l’étude
du mouvement de l’électron dans un champ magnétique il est plus
commode d’utiliser la masse effective cyclotron m% que le tenseur
inverse de la masse effective qui, dans le cas général, dépend des
différentes composantes de k.
La masse effective cyclotron a le même signe que dStdE. Si à
l ’intérieur de la surface isoénergétique E (k) = E 0, l’énergie est
inférieure à E 0, dSIdE est positive ainsi que m% et inversement.
Si m% > 0, la quasi-particule-électron se propage comme un
électron libre, et si m% < 0, la quasi-particule se propage comme
une charge positive.
En plus de la masse cyclotron (27.10), il importe de définir le
déplacement moyen de l ’électron le long de la direction du champ B
au cours d’une période cyclotron. Ce déplacement, dirigé selon z,
est défini par l’intégrale
(uz) = z ^ u z d t $
§ 27] MASSE EFFECTIVE CYCLOTRON DE L ’ELECTRON 167
prise sur la période cyclotron. Compte tenu des équations du mouve

ment de Télectron dans le champ magnétique,
d € r,
"dt ?x = ~ BvV'
on peut écrire
<“*>— <2711>
[ôe 6e
En utilisant les égalités u2= - r — et v„=-z— , où c est l ’énergie
0p2 [vPy
de l ’électron, on peut transformer (27.11) en
ci 6S(kt) (27.11a)
eB 6pz
Ici
S (kz) = § p v dp*
représente la surface de l ’orbite électronique dans l ’espace k (située

dans le plan kz = const).
L’électron, lorsqu’il se déplace le long d’une orbite ouverte (pré
sentant un mouvement infini), a une période de rotation infinie.
C’est pourquoi la notion de masse cyclotron effective, définie comme
la fréquence de rotation de l’électron sur son orbite, perd son sens.
Cependant le long d’orbites ouvertes, l ’électron se propage d’une
région de grande énergie à une région de faible énergie.
Comparons le mouvement de l’électron dans l ’espace direct au
mouvement dans l ’espace réciproque. Selon (27.5), la projection de
la vitesse v± sur le plan perpendiculaire au champ magnétique (dans
l’espace direct) est perpendiculaire à la vitesse kjL dans l’espace k.
Son module peut être obtenu en multipliant k ± par le facteur hc/eB.
La projection sur le plan xy de la trajectoire dans l’espace direct
peut être simplement obtenue à partir de la projection sur xy de la
trajectoire dans l’espace k par une homothétie de rapport ch/eB, sui
vie d’une rotation de j i /2 dans le plan xy *).
Sur des surfaces isoénergétiques ouvertes, la trajectoire des
électrons peut être soit ouverte, soit fermée, selon la direction du
*) Dans l'aluminium, la valeur de k à la surface de Fermi est 1,75 -lû8 cm’ 1.

Pour un champ de 103 Oe, l'ordre de grandeur du rapport d'homothétie est chUBæ
« 0,66 •10“10 cm-1. Par conséquent, pour l'aluminium soumis à un champ de
^ÎO3 Oe, les électrons de la surface de Fermi se déplacent sur une orbite de
rayon ~ 1,2 -10"* cm, considérablement plus grand que la constante du réseau.
champ magnétique et la valeur de kz. Dans le cas d’une trajectoire

ouverte (dans un métal de dimensions infinies), l’électron s’éloigne
à l ’infini dans le plan perpendiculaire au champ. D’habitude les
dimensions des échantillons métalliques étudiés sont assez grandes
par rapport à la constante du réseau, pour que l ’on puisse considérer
le mouvement de l’électron comme infini.
Pour des surfaces isoénergétiques périodiques ouvertes, on peut
aussi définir, pour certaines directions du champ magnétique, un
déplacement moyen de l ’électron par période. Supposons par exemple
que la surface isoénergétique dans l ’espace k ait la forme d’un cylin
dre ondulé d’axe parallèle à kx. Si le champ magnétique B est paral
lèle à z, les mouvements de l ’électron le long de ky dans l ’espace k
et le long de x dans l’espace direct sont périodiques. Si, pour une
période, la valeur de kx varie de l = § dkx, le déplacement moyen
de l’électron le long de y, pour une période, sera
(Uy) = § V y d t = — — £ dP x = ----- Î - -
et ne dépend pas de z.
27.1. Lien entre la masse cyclotron et le tenseur inverse de la
masse effective de l’électron. La masse effective cyclotron de chaque
bande a est définie par la loi de dispersion de l ’électron Ea (k). Les
surfaces isoénergétiques, situées près du centre (ou de tout autre
extrémum) de la zone de Brillouin, peuvent être calculées à partir
des composantes du tenseur inverse de la masse effective. Dans
ftly
ce cas on peut exprimer la masse cyclotron à partir de ce tenseur.
Soit le cas le plus simple, lorsque la loi de dispersion est définie
par l ’expression
* w = -3 ^ « + * » + -s!r« -
où m f et m f sont les masses effectives positives longitudinale et
transversale de l ’électron.
Supposons que le champ magnétique forme avec l ’axe des z
un angle 0 dans un plan perpendiculaire à l ’axe des y. Les composan
tes du potentiel vecteur correspondant au champ homogène B sont
B x = Bz = 0, By = B (x cos Q + z sin 0).(27.12)
L’hamiltonien (27.1) devient
H =3*2mj" {** + \ P« (xCon0 + Z3in0) ] 2} 4 2m»■P?- (27.13)

§ 27] M A S S E E F F E C T IV E C Y C LO T R O N D E L ’É L E C T R O N 169
En utilisant (27.2) et (27.3), on trouve les équations opératorielles

du mouvement
Py = 0,
Px= — eBcC
^ ! 9 [ p y 4 " ( * c o s 0 + z s io 0 )], (27.14)
P z= — eBc„ ? 9 [îy + - f— (* c o s 9 + z s i n 9 ) ] ,
x = p jm * , z = pz/m f. (27.15)
Difiérentions (27.14) par rapport à t. Compte tenu de (27.15), nous
obtenons
- e*£* f' px C O S 0 ,, pz s i n 0 '
Px = | COS 0 ,
c*m* l- - r 11 •»«• -
- e*B* f p x cos 0 , Px s in 0
Pz — J s in 0 .
c*m* l- m? ' «f
Cherchons les solutions de ces équations sous la forme
î>JPxo = PJPio = exp (iwt),
nous obtenons alors un système d’équations homogène
- COS2 0 )1p*----
cosî D~------Px sin 0 cos 0 = 0,
[2 «~
e*B2 ^ t 0 Ô2B*
e*£* \
J* p * sin 0 co ?0 — (
c*mf* )Pz = 0.
Ce système admet une solution non nulle si

e *£ * i cos* 0 s in * 0
(O2 c* \ m** mfmf
On en conclut que la masse effective cyclotron est donnée par l’ex
pression
3 « *£ * / cos* 0 , s in * 0 \
® * := “ 3 ” { - ^ « - + - ^ 5 - )• (27.16)
Comparant (27.16) et (27.9) nous trouvons la relation liant la masse

cyclotron aux masses effectives de l’électron
/ 1 \ 2 cos*0 . sin* 9
\ ) m** ‘m*mf (27.17)
Ainsi, lorsque le champ magnétique est parallèle à z, la trajectoire

de l’électron est située dans le plan xy et la masse cyclotron coïncide
170 MOUVEMENT D’UN ÉLECTRON DANS UN CHAMP MAGNÉTIQUE [CH. VI
avec la masse effective transverse nif. Si le champ B est dirigé

parallèlement îx , la trajectoire est située dans le plan yz et la masse
cyclotron m% est égale à Y mtmT-
Dans le cas étudié, la masse cyclotron ne dépend que de l'orien
tation du champ magnétique (angle 0) par rapport à la surface iso
énergétique, et non de la position de la section kz. Cette propriété
est valable chaque fois que la surface isoénergétique est ellipsoïdale :
la fréquence cyclotron est identique pour toutes les sections parallèles.
§ 28. Méthodes expérimentales mettant en évidence

^ le mouvement cyclique des électrons
£7 dans un champ magnétique
Nous avons étudié ci-dessus le mouvement des électrons sur une

orbite fermée, sans tenir compte de leur interaction avec les phonons
et avec les irrégularités du réseau cristallin (impuretés, lacunes, etc.).
Le caractère cyclique du mouvement électronique apparaît dès
que la période de rotation des électrons est inférieure à la durée
séparant deux chocs successifs de l'électron avec une impureté
ou un phonon. Autrement dit, le mouvement cyclique de l’électron
apparaît dès que le libre parcours moyen de cette particule entre
deux chocs est nettement supérieur au diamètre de sa trajectoire
fermée. Ces conditions sont réalisées à très basse température, pour
des monocristaux très purs et pour des champs d'intensité assez
grande. Si on augmente le champ magnétique, on peut diminuer les
dimensions de l'orbite, ainsi que la période de rotation. Il convient
cependant de ne pas dépasser certaines limites, lorsque les dimensions
de l'orbite deviennent comparables à la constante du réseau, ou
lorsque l ’intensité du champ risque de modifier la forme des surfaces
isoénergétiques, c’est-à-dire les lois de dispersion E (k).
Ces conditions sont réalisées pour toute une série de cristaux
très purs, à des températures de quelques degrés absolus, dans un
champ magnétique de ~ 104 Oe.
28.1. Résonance cyclotron dans les semi-conducteurs et les mé
taux. Pour mesurer la fréquence cyclotron des électrons dans un
cristal soumis à un champ magnétique extérieur homogène et cons
tant, il convient d’étudier l ’absorption et la réflexion d’une onde
électromagnétique de fréquence appropriée de polarisation circu
laire, se propageant dans la même direction que le champ magnétique.
Lorsque la fréquence de l’onde coïncide avec la fréquence cyclotron,
on assiste à une augmentation brutale de l ’absorption et de la ré
flexion de l ’onde sur la surface du cristal. Cette résonance fut pré
vue indépendamment par Dorfman [61] et Dingle [62].
Si le temps de relaxation du mouvement cyclotron 1/y (pro
portionnel au temps moyen entre deux chocs électron-phonon ou
§ 28] METHODES METTANT EN EVIDENCE LE MOUVEMENT 171
inhomogénéités du réseau) est sensiblement supérieur à la période

2ji/cob, la courbe d’absorption de l’onde électromagnétique en fonc
tion de la fréquence o présentera un maximum au voisinage de la
fréquence mB avec une largeur y.
Les semi-conducteurs très purs, à basse température se prêtent
assez bien à une étude de résonance cyclotron. Dans la bande de
conduction, il y a en effet assez peu d’électrons (ou de trous dans la
bande de valence), et la surface isoénergétique occupée par les
électrons de plus grande énergie a une forme ellipsoïdale (car elle
est située au voisinage du centre ou d’un autre minimum de la zone
de Brillouin). Comme nous l ’avons montré au § 27.1, la fréquence
cyclotron o)B, dans ce cas, conserve la même valeur pour toutes les
sections de la surface isoénergétique perpendiculaires au champ B.
En mesurant coB pour les différentes orientations du champ magnéti
que, on peut obtenir des indications sur la valeur des demi-axes de
l’ellipsoïde d’énergie et sur son orientation dans le cristal. L’applica
tion aux métaux de la méthode précédente se heurte à toute une
série de difficultés. 1. La densité d’électrons N dans la bande de
conduction est grande. En raison des oscillations de plasma (voir
§16), les ondes électromagnétiques de fréquence <o inférieure à la
fréquence de plasma œp (œp = 4ne2N/\i — si N = 1022 à 1023 cm”3,
ü)p = 1015 à 1016 s"1) sont presque totalement réfléchies à la surface
du métal. Si l ’on prenait la masse cyclotron égale à la masse de
l’électron libre, pour que la fréquence cyclotron wB soit supérieure
à la fréquence de plasma (op il faudrait utiliser des champs magné
tiques d’intensité 107 à 108œrsteds. 2. Les ondes électromagnétiques
de haute fréquence, à cause de l’effet de peau, ne pénètrent pratique
ment pas dans le métal. Par exemple, pour des ondes radio de fré
quence co « 1010 à 1012 s”1, la profondeur de pénétration est 10”6 à
10“6 cm. 3. En raison de la grande densité d’électrons dans la bande
de conduction, la surface de Fermi correspond à des énergies assez
importantes, et, même pour des cristaux cubiques simples, la forme
de la surface de Fermi diffère notablement de la forme ellipsoïdale.
Ainsi, à des sections différentes, perpendiculaires au champ B, cor
respondent des fréquences cyclotron différentes (voir § 27.1).
En 1956, des physiciens soviétiques de Kharkov [63] proposèrent
une nouvelle méthode pour observer la fréquence cyclotron dans les
métaux. Au lieu d’utiliser, comme pour les semi-conducteurs, un
champ magnétique et une onde électromagnétique se propageant
dans la même direction (soit perpendiculaire à la surface de l’échan
tillon), le champ magnétique est orienté parallèlement à la surface
de l’échantillon (fig. 34). L’axe de la trajectoire (hélicoïdale) des
électrons est alors dans le plan de l’échantillon. Pour un champ de
103 à 104 Oe et un rayon de l’orbite égal à 10“3 cm, la fréquence cyclo
tron est située dans le domaine des ondes centimétriques. Pour une
profondeur de pénétration de 10”6 cm, l’électron, pendant la majeure
partie de son parcours, ne subit pas l ’influence de l ’onde électro

magnétique. Cependant, si la période de l ’onde radio est égale à
la période de rotation de l ’électron ou multiple de celle-ci, chaque
fois que l’électron passera dans la couche superficielle soumise au
rayonnement, il sera accéléré (on ralenti selon le cas). Cette accélé
ration est analogue à l’accélération d’une particule chargée à l ’inté
rieur du dé d’un cyclotron. Pour cette raison, l’interaction résonante
Onde électromagnétique
Fig. 34. Résonance cyclotron dans une feuille métallique.
de ces électrons avec une onde radio dont le champ électrique est
parallèle aux branches de la spirale est appelée résonance cyclotron.
Comme la surface de Fermi des électrons de conduction des mé
taux est complexe (puisqu’elle diffère de l’ellipsoïde), la fréquence
de rotation des électrons coB (à:2) dépend de la projection kz du vecteur
d’onde sur la direction du champ B, c’est-à-dire de la position du
plan de section de la surface isoénergétique. Parmi toutes les fré
quences (ùb (kz) possibles, celles qui correspondent à un plus grand
peuplement en électrons présenteront une résonance notable (absorp
tion intense des ondes radio). Ces fréquences correspondent aux
maxima et aux minima de la fonction coB (kz) (et de mB (A:2)), puisque
à ces fréquences la période de rotation des électrons varie peu avec kz.
Habituellement on utilise une fréquence co fixe et on fait varier
le champ B. La résonance se produit lorsque
neB
co ^ (28.1)
où mB est la masse effective cyclotron correspondant au maximum
ou au minimum de la fonction mB (kz) ; n est un nombre entier
prenant les valeurs 1, 2, . . . Dans les métaux à la résonance cyclo
tron, l’absorption des ondes radio présente plusieurs pics (corres
pondant à différents n), contrairement à ce que l’on observe habi
tuellement dans les phénomènes de résonance usuels.
L’échantillon ayant la forme d’une feuille mince, la résonance
cyclotron ne peut être observée si l ’épaisseur de la feuille est infé-
§ 29] QUANTIFICATION DU MOUVEMENT D’UN ELECTRON 173
rieure au diamètre de l'orbite. Dans ce cas les électrons, en se ré

fléchissant à la surface du cristal, détruisent le synchronisme du
processus. Si on diminue l'intensité du champ magnétique, les
dimensions de l’orbite électronique augmentent. Lorsque le dia
mètre orbital est égal à l'épaisseur du feuillet monocristallin, la
résonance disparaît. La valeur limite du champ magnétique ainsi
obtenue permet de calculer les dimensions de la section correspon
dante de la surface de Fermi. Si l ’on répète cette opération pour
d’autres orientations de la surface du feuillet par rapport aux axes
cristallographiques, on peut obtenir des informations sur la forme
de la surface de Fermi.
L’effet des dimensions de l’échantillon sur la résonance cyclotron
fut découvert par Kaner [64]. Les premières découvertes expérimen
tales concernant cet effet ont été réalisées par Khaïkin [65] sur une
feuille d’étain.
Pour décrire la résonance cyclotron, nous avons, jusqu’à présent,
utilisé une description classique des phénomènes. L’étude quantique
du mouvement de l’électron dans un cristal soumis à un champ magné
tique permet de prévoir des résonances multiples sur des fréquences
discrètes £2n , remplissant la condition <d t > cF /A cû, où io ~ £2n ,
t est le temps de libre parcours moyen de l’électron. La théorie de
ce phénomène, appelé résonance cyclotron quantique, a été développée
par Lifshitz [66].
§ 29. Quantification du mouvement d’un électron

de conduction soumis à un champ magnétique
Nous avons montré au § 26 que le mouvement libre de l’électron
dans le plan perpendiculaire au champ magnétique était quantifié
de la même manière qu’un oscillateur harmonique, dont la fré
quence serait la fréquence de Larmor coB = eBImc. Dans certaines
conditions, on doit aussi observer cette quantification pour les
électrons de conduction dont l’énergie est voisine de l’énergie de
Fermi, dans un cristal soumis à l ’action d’un champ magnétique cons
tant et homogène.
Pour voir apparaître le caractère quantique du mouvement des
électrons du cristal il faut 1) que les trajectoires constituées par la
section de la surface de Fermi et du plan perpendiculaire au champ
soient des orbites fermées, 2) que la durée d’une révolution électro
nique autour de sa trajectoire soit notablement supérieure au temps
de relaxation, 3) enfin que la différence d’énergie entre deux niveaux
discrets soit supérieure à l’énergie d’agitation thermique. Ces deux
dernières conditions sont satisfaites à basse température, pour un
cristal très pur soumis à l’action d’un champ magnétique intense
(voir plus bas).
Déterminons l’énergie et les fonctions d’onde du mouvement

quantique de l’électron dans le cas le plus simple, où la surface de
Fermi est un ellipsoïde de révolution, caractérisé par les masses ef
fectives transversale m* et longi
tudinale mf. Le champ magnéti
que est dirigé le long de l ’axe de
symétrie de l’ellipsoïde (axe z)
(fig. 35). Le potentiel vecteur A
possède une composante non nulle
A y=xB. L’hamiltonien de l’élec
tron de conduction est dans ce
champ
P\
+ 2m?
(29.1)
Pour un mouvement perpendicu
laire au champ, la fréquence cyclo
tron, conformément à (27.16), est
définie par la masse m?
* > * -7 sr- f29-1»
Utilisant les deux dernières relations (29.1) et (29.1a), on trouve
les équations d’Heisenberg pour les opérateurs
x = p x/m*, z = pz/m*, y = (pu + m^(ùBx)/mJ, (29.2)
pÿ = pz = 0, P x = — (Pu + coB. (29.3)

Les relations (29.3) montrent que les projections des impulsions p a
et pz sont des intégrales de mouvement. C’est pourquoi, dans l’état
stationnaire
Pu = £*!/. Pz = hkz. (29.4)
Différentions (29.2) par rapport au temps. Compte tenu de (29.3)
et de (29.4), nous obtenons
x + © i ( x — x hy) = 0, (29.5)
OÙ
xh]f s — hkylmZ(ùB. (29.6)
L’équation (29.5) coïncide avec l ’équation d’un oscillateur harmo
nique effectuant des oscillations autour d’une position d’équilibre
définie par (29.6), qui est fonction de la projection du vecteur d’onde
§ 29] QUANTIFICATION DU MOUVEMENT D’UN ÉLECTRON 175
ky. L’énergie du mouvement de l ’électron dans le plan kx, ky est donc

déterminée par la fréquence cyclique coB et le nombre^quantique v
à valeurs entières
£ v = ÆcûB( v - f - y ) , v = 0, 1, . . . (29.7)
La formule (29.7) rappelle par sa forme les niveaux équidistants
(26.18) de l ’électron libre dans un champ magnétique constant.
Cependant, la fréquence cyclique g)b de l’électron de conduction
dépend, dans le cas général, de e et de kz, et les niveaux (29.7)
ne sont pas équidistants.
Le mouvement le long de trajectoires ouvertes n’est pas quantifié
dans l ’approximation quasi classique. Zilberman [671 a étudié en
détail le cas d’une trajectoire dans l’espace k, perpendiculaire au
champ magnétique B, ouverte et périodique (par exemple pour un
métal dont la surface de Fermi a la forme d’un cylindre ondulé).
Dans le spectre continu apparaissent alors des bandes équidistantes
ou quasi équidistantes, dont la largeur est de l’ordre de e4, où e =
= aiyhcleB, a étant la constante du réseau. Pour B « 104 Oe,
e « 10“2.
A chaque niveau E v correspondent plusieurs fonctions d’onde
oscillatoires
9».*,, (*—x hy), (29.8)
dépendant du nombre quantique k y (par l’intermédiaire de (29.6)).
Le niveau d’énergie est donc dégénéré et la multiplicité de cette
dégénérescence est donnée par le nombre des valeurs possibles de
ky, pour lesquelles la position d’équilibre x ^ est située à l’inté
rieur du métal. Si l’échantillon métallique est parallélépipédique,
d’arêtes Lx, L y, Lzy les valeurs possibles de xky sont incluses dans
l’intervalle
0 ^ x hy ^ Lx.
Conformément à (29.6), les valeurs possibles de ky sont donc compri
ses dans l’intervalle
0 ^ ky ^ Lxïïif (oB/fi.
Puisque deux valeurs consécutives de ky sont distantes de 2jc!Lyy
le nombre total de valeurs de ky (c’est-à-dire le degré de dégénéres
cence du niveau (29.7)) est
LxLym*(ùB LJjytB
N (v, ky) 2nh 2nch
(29.9)
La formule de la dégénérescence (29.9) se fonde sur l’hypothèse
que le métal et le champ magnétique sont homogènes; cette hypo^
thèse implique que tous les points xhy autour desquels tourne l’élec-
tron sont équivalents. Dans un cristal hétérogène, cette dégénérescence

est partiellement ou totalement levée. D'ailleurs la périodicité du
réseau suffit à lever partiellement la dégénérescence [67] : les niveaux
énergétiques (29.7) sont en effet un peu diffus.
Calculons, dans le cas le plus général, le degré de dégénérescence.
Celui-ci est égal au nombre d’états kx, ky qui, en l ’absence de champ
magnétique, sont inclus entre deux orbites quantiques du plan
(kx, ky). En réalité, lors d’une transition entre les deux surfaces
isoénergétiques d’énergies E et E + AE, la surface de leur section
avec le plan perpendiculaire à B varie de
AS = 2nmB AEIH\ (29.10)
conformément à (27.10). Pour une transition entre deux états quanti
ques, AE = h(ùB = heB/cm%. Pour retrouver le degré de dégénéres
cence (29.9), il suffit alors de diviser l’expression obtenue pour AS
par la surface (27i)2/LxL y relative à un état quantique dans l’espace k
libre.
Ainsi, les états stationnaires de l’électron de conduction dans un
champ magnétique constant B sont caractérisés par l’énergie
(v + 4 -) + - g j^ (29.11)
et les fonctions d’onde

K. hu (X, y, z) = <pv( «— (29.12)
Si kz est inclus dans l’intervalle kZJ kz + dkz, le nombre total
d ’états possibles (29.12) dans l ’unité de volume du cristal est
N (v, kyj kz) dkz = Bp dkz, (29.13)
où
___ e
P _ 4n*ch (29.14)
représente la densité d’états.
Compte tenu de (29.10) et (29.7), la surface de l’orbite de nombre
quantique v dans le plan (&*, ky) est quantifiée et vaut:
s h (v) = 2neB (v+ -|-)/A c.

Pour passer dans l’espace direct, il convient d’utiliser le rapport
d’homothétie utilisé au § 27 Multiplions donc S * (v) par nous
trouvons la surface de l ’orbite quantique dans l’espace direct
S xy (y) = c2nh (v + l/2)/<rS. (29.15)
5 30] EFFET DE HAAS-VAN ALPHEN 177
Cette expression permet de calculer le flux magnétique O traversant

l’orbite quantique
<D ss B S xy (v) = <p0 (v + 1/2),
OÙ
<p0 = 2 n h e /e
représente l ’unité universelle de flux magnétique dans le cristal

(iquantum de flux). Cette grandeur ne dépend que des constantes
universelles c, e, h. Elle est égale à 4,1 -10"7 Oe-cm2.
§ 30. Effet de Haas-Van Alphen

Comme nous l ’avons indiqué plus haut, pour un électron de
conduction placé dans un champ magnétique, un certain nombre de
conditions sont nécessaires pour observer un effet quantique: 1) la
période de révolution de l’électron sur son orbite doit être bien su
périeure au temps de relaxation ; 2) l’énergie cyclotron doit être
supérieure à l’énergie moyenne d’agitation thermique et notable
ment inférieure à l’énergie de Fermi. Les métaux remplissant ces
conditions présentent certaines caractéristiques, qui n’existent pas
pour les diélectriques et les semi-conducteurs. En particulier, leur
moment magnétique est une fonction oscillatoire du champ magné
tique (effet de Haas-Van Alphen). Les caractéristiques fondamentales
de ces oscillations sont dues aux particularités de la surface de Fermi.
Leur étude constitue un puissant moyen d’investigation de la sur
face de Fermi et de la distribution des vitesses des électrons sur cette
surface.
Utilisant les résultats du paragraphe précédent, il est facile
d’obtenir une interprétation qualitative de l’effet de Haas-Van Al
phen. Soit un cristal au zéro absolu. Tous les états d’énergie infé
rieure à l’énergie de Fermi sont occupés par les électrons. Les autres
états, dont l’énergie est supérieure, sont vacants.
La densité électronique (la masse effective étant /n*, l’énergie e,
le champ magnétique B) dans l ’unité de volume du cristal est, con
formément à (29.13):
Vo r
N(e) = pB 2 J à ( e - E V' h2)d k z (30.1)
v -0
où v0 1. Si la surface de Fermi est un ellipsoïde de révolution, le

champ magnétique étant dirigé le long de l’axe de symétrie,
^v. (v+ 4 ) + (30.2)

(ûb = eBIcmj. (30.2a)
1 2 -0 5 3 4
178 M O U V E M E N T D ’U N É L E C T R O N D A N S U N C H A M P M A G N É T IQ U E [CH . VI
Calculons l ’intégrale (30.1) *) contenant des fonctions delta:

Vf)
N (e) = pB y 2m t/& 2 V c — H<ùb (v + V^. (30.3)
v**0
Ici v0 est le plus grand nombre entier pour lequel l’expression sous
le radical reste positive.
Soit
e = h(ùB (v0 + 1/2 + g), K U (30.4)
l ’expression (30.3) devient
v=0
(«w>
Sachant que v0 ^ 1, la somme dans (30.5) peut être transformée
en intégrale
Vo-l
dv
2 ■Y V0—v+5 = 2 j / v 0+ | .
v«0 Y vo— v + Ç
Substituant cette valeur dans (30.5), puis utilisant l’égalité (30.4),

nous obtenons l’expression finale de la densité quantique d’électrons
d’énergie e
JV(e) = iV0(c)[l 1______ -1 (30.6)
2 / v 0(Ç(e)
Ç(e)-*/,) J’
OU
haB v°’ (30.6a)

_ 2pB 2pB
fl*UB Y m* (2c —h(ùB) «
ô(e) YZmfc. (30.6b)
Il s’ensuit de (30.6) qu’une déviation relative par rapport à une
variation monotone de la densité électronique, accompagnant les
variations de B et de c, est donnée par
1 (30.7)
(O 2 v S l t ( e ) - 1/,]
On constate que cette grandeur varie par saut des valeurs très faibles
[2 y \\h(ùB ]-1 « 0 pour c ^ (v0 + 1/2) h(ùB jusqu’à l’infini lors-
*) Pour calculer
uler cette intégrale, il faut utiliser l’égalité ô [(p (*)] =
_ V ô (x — x t)
Z >. où i | sont les racines de cp (x) = 0.
d(p
* dx x^xi
§ 30] EFFET DE HAAS-VAN ALPHEN 179
qu’on a
(vy + 1/2) h<ùB = e. (30.8)
Lorsque le champ varie de AZ?, la densité relative oscille avec
une période donnée par la relation
(v0 + 1/2) <oB = (v0 — 1/2) (ob+ab-
C’est-à-dire, compte tenu de (30.2a),
B B_
AB (30.9)
v0 + V* vo
L’amplitude des oscillations de la densité électronique (30.7)
tend vers l ’infini (lorsque (30.8) est vérifiée), parce que nous n’avons
pas tenu compte de l ’agitation thermique et de la valeur finie du
libre parcours moyen des électrons du cristal. Compte tenu de la
température finie du cristal et du temps de libre parcours moyen x,
la fonction £ (*) — 1/2 dans (30.7) doit être remplacée par une
autre expression dont la valeur minimale, obtenue lorsque (30.8)
est vérifiée, n’est pas nulle, mais égale à
(kT + Æ/x)/ficoB.
Dans ces conditions la valeur maximale de l’amplitude des oscilla*
tions quantiques de la densité électronique est
r N (c) — N q (c) H _ 1 h(ùB _ /QO 10*
L ÎVÔW Jm ax~ 2 V v0 (kT + hlx) ~ 2 / e (k t '+hiï) " { *
Etudions comment varie l’énergie lorsque le champ B passe par
les valeurs critiques. Supposons que l’énergie du niveau v0 (^1 )
coïncide avec l’énergie de Fermi dans le champ D’après (29.13),
le nombre d’états occupés dans l’unité de volume du cristal, dans
l ’intervalle àkz autour du point kz = 0, est
n0 = (v0V 1)P B 06kz. (30.11)
Cette valeur de n0 permet d’exprimer l’énergie de ces électrons sous
la forme
c (B0) = h S (v + ‘/a) <ùBopB06kz = An], (30.12)
V «0
avec
A = eh/{2pm*c6kz). (30.12a)
Lorsque le champ magnétique B passe par la valeur 5 0, les
électrons de nombre quantique v0 transitent vers d’autres états de
la surface de Fermi tels que kz ^ 0. Les autres électrons de nombres
quantiques v ^ v0 — 1 restent dans l ’état kz = 0, et leur nombre,
dans la couche d’épaisseur 6 est égal à
n — Vop56/r2. (30.13)
12*
Leur énergie est A n2. Quant aux n — n 0 électrons, qui étaient pré
cédemment dans l’état v0, ils ont à présent une énergie égale à l’éner
gie de Fermi eF. Par conséquent, l’énergie de tous les électrons par
unité de volume du cristal, compris dans la couche ô&2, dans le
champ magnétique B est
e (B) = A n2 + (n — n0) eF.
Sachant que v0 1, on peut exprimer l’énergie de Fermi en fonction
de A et de n 0. En effet
cF = h(ùBê (v0 + 1/2) « h(ùB{i (v0 + 1) = 2An0.
Donc
c (B) = A [n2 — 2 (n — n 0) /i0l.
Ainsi, lorsque le champ magnétique varie de AB — B — B 0J l’éner
gie des électrons de la couche bkz (au voisinage du point kz = 0)
varie de
c (B) — e(Z?o) = eh (n — n0)2/(2pm*cbk:). (30.14)
D'après (30.11) et (30.13), lorsque le champ magnétique augmente
de la valeur B 0 à la valeur 2?, le nombre d’états occupés dans la cou
che d’épaisseur ôà:2 varie de
n — n 0 = p IvqB —
— (v0 + 1) B 0] bkz ; B > B 0.
Par conséquent, la différence
n — n 0 varie « en dents de scie »
(fig. 36). Egale à zéro pour
B = B 0, elle varie brutalement
jusqu’à —pS06A:2 pour des va
leurs de B à peine supérieures
à 2?„- Ensuite elle augmente li
Fig. 36. Variation du nombre d états néairement avec le champ. Elle
quantiques occupés dans la couche k2 = 0 s’annule lorsque B atteint la
d’épaisseur bk2. valeur B 0 (1 + l/v 0), puis à
nouveau chute brutalement jus
qu’aux valeurs négatives pour des valeurs de B juste supérieures à
g o (i l/v 0). Cela tient à ce que tous les niveaux v0 — 1 se libèrent,
alors que tous les autres niveaux de nombres quantiques inférieurs
ou égaux à v0 — 2 restent occupés. Comme l’énergie (30.14) dépend
du champ magnétique, on peut définir une aimantation par unité
de volume bM du cristal correspondant à la couche bkz pour kz = 0 :
dE (*2= 0)
bM (fc2= 0) = dB
S 30] EFFET DE HAAS-VAN ALPHEN 181
Compte tenu de l ’égalité v0= - ^ ^ - = cm^cFl(ehB) et de (30.13),

nous obtenons
ÔM (kz = 0) = — (n — n0) t^ B .
Les autres couches correspondant à kz 0 contribuent elles aussi
à l’aimantation :
ÔA/ (kx) = - e (k2) (n - n 0)/B, (30.15)
avec
e (kz) = eF — ft2A£/2m*.
Lorsque le champ magnétique varie, la différence n — n0 varie
en dents de scie, avec la période AB æ B J v 0 et l'amplitude pBôk2.
Par suite 6M (kz) est aussi une fonction périodique de 1IB de période
eh/(mtcc(k2)) et d'amplitude et(kz) ôkz/(4n2hc). L’expression (30.15)
peut donc s’écrire
et (kz) 6kz
ÔM (k2) = 8n*hc
où cp varie dans l’intervalle —ji < <p < ji. Par conséquent, l’aiman
tation ÔM (k2) peut être développée en série de Fourier
ÔM (ft2) = a^ôA^sin (pcp),

avec
= —e c (kz)l(An*hcp).
Pour obtenir l’aimantation totale, il faut tenir compte de toutes
les couches:
e 2jim*pcc (kz)
M= dk2.
JâVÎc S JT î c sin 7Kb
Si m*ceF/ehB 1, l’expression sous le signe d’intégration oscille

rapidement. Seules les valeurs voisines de kz = 0 apportent une
contribution importante. Si l’on fait cette approximation, on obtient
M = y \/B , (30.16)
où
oo
2ji
y H~3/2sin ( 7Kb (30.16a)
n«=i
L’expression (30.16) montre que la susceptibilité magnétique
dM y
x dB 2ÿB
peut atteindre des valeurs voisines de l’unité et même supérieures

pour de faibles valeurs du champ magnétique. Ces valeurs de la
susceptibilité peuvent conduire à l’apparition de domaines magné
tiques constitués de phases magnétiques d ’inductions magnétiques
différentes [68, 69].
Lifshitz et Kossévitch [70] ont obtenu une expression théorique
de l’aimantation pour des températures différentes de zéro et pour
un spectre d’énergie électronique arbitraire. Lorsque la température
augmente, l'amplitude des oscillations diminue. Chaque terme de
la somme (30.16a) contient en effet le facteur
exp (—2ji2Qcnttii/(ehB)).
La diffusion des électrons sur les impuretés et les autres inhomogé
néités du réseau diminue encore l’amplitude des oscillations. Si x
est la durée moyenne séparant deux chocs successifs, on peut intro
duire dans la somme (30.16a) le facteur exponentiel [71]
exp (—2jtcm*/(erB)).
D’autres caractéristiques physiques du métal, par exemple la
résistance (effet Shubnikov-de Haas (voir § 32)), présentent aussi
une variation non monotone (oscillatoire) en fonction du champ
magnétique. Cette variation est liée à la quantification de l'énergie
électronique.
L’étude de ces effets oscillatoires permet de définir les sections
extrêmes de la surface de Fermi par des plans perpendiculaires au
champ. Connaissant comment varie la période d ’oscillation en
fonction de la direction du champ, on peut rétablir la forme de la
surface de Fermi des électrons de conduction [72, 73]. C’est ainsi
que l’on a trouvé la surface de Fermi de l’aluminium [74], du zinc
et du plomb [75] et de toute une série d’autres métaux.
Expérimentalement, pour étudier l’effet de Haas-Van Alphen
on est obligé d’utiliser des champs magnétiques pulsés très intenses.
A cause de l ’effet de peau, le champ magnétique dans le conducteur
n ’est pas homogène. La quantification de l’énergie dans ces condi
tions a été étudiée dans [76].
30.1. Rupture magnétique. Dans le paragraphe précédent, nous
avons étudié l’effet de Haas-Van Alphen pour des orbites électroni
ques quantifiés situées dans un plan de l’espace k perpendiculaire
à la direction du champ. Dans l’approximation quasi classique,
l’électron ne se déplace pas sur toutes les trajectoires classiques,
mais seulement sur celles qui correspondent à une énergie de mouve
ment transversal égale à (v + y ) à<oB.
Dans certains métaux, les trajectoires classiques autorisées en
certaines régions de l’espace k peuvent être proches l’une de l’autre.
3 30] EFFET DE HAAS-VAN ALPHEN 183
si bien que. pour des champs magnétiques intenses, un électron peut

transiter d’une orbite à l’autre. Ce phénomène, d’abord étudié par
Cohen et Falicov [771, Blount [781 pour des valeurs limites maximale
et minimale du champ magnétique, fut par la suite étudié par Slutski
[791 et Reitz [801 pour des valeurs quelconques du champ. Le trans
fert d’un électron d’une orbite à l’autre est appelé rupture magnétique.
Cette rupture n’est possible que si A2 eFftcofl, où A est la distance
énergétique entre les deux orbites. Dans les travaux [781 et [801,
on montre que la probabilité de transition entre les deux orbites est
proportionnelle à exp (—A2/ftcoB eF).
De faibles distances énergétiques entre les orbites classiques
doivent leur apparition à la levée de la dégénérescence de spin ou
aléatoire par une faible interaction spin-orbite.
Pour illustrer ce phénomène, considérons, comme dans [781,
le cas le plus simple d’un électron situé dans un champ périodique
unidimensionnel \V0 cos (qx) faible et soumis à un champ magnétique
homogène B parallèle à z. Le potentiel vecteur a la forme A =
= (0, xB %0) et l’hamiltonien est donné par
H = ~ è r (p * + \ B ) * + w o t° s (?*)+-2^-(p5+pî).
où q < kF est le vecteur d’onde correspondant à l’énergie de Fermi.
Lorsque le champ magnétique est faible, on peut négliger B en
première approximation. Alors, pour W 0 petit et | kx |max < ?»
la section de la surface isoénergétique sphérique par le plan kz = 0
est presque circulaire. Pour | kx |max > y ?, l’action de W Qse mani
festera avant tout au voisinage des points du plan (&x, fty), où | kx | =
= -t« ? (v<>îr 20.2). En ces points, les deux bandes énergétiques sont
séparées par une bande interdite ~ 2 W 0. De ce fait, dans un champ
magnétique faible, la structure des orbites classiques dans l’espace k
doit avoir la forme indiquée sur la figure 37, a. La première bande
énergétique correspond aux orbites 2 (une orbite centrale fermée
et deux orbites ouvertes). La deuxième bande énergétique corres
pond aux orbites fermées 2. Pour un champ magnétique fort, un
électron de l’orbite 1 peut passer sur l’orbite 2. Le mouvement de
l ’électron s’effectue alors le long des deux trajectoires circulaires
représentées en trait plein et en pointillé sur la figure 37, b.
Ainsi, lorsque le champ magnétique augmente notablement et
que se manifeste une rupture magnétique, les anciennes périodes de
l’effet de Haas-Van Alphen font place à de nouvelles périodes d’os
cillation. Par exemple, dans le modèle considéré plus haut, dès
que se produit la rupture magnétique les périodes correspondant
aux orbites 2 disparaissent et les périodes correspondant aux grands
cercles font leur apparition. Le diamètre de ces orbites est supérieur
184 MOUVEMENT D’UN ÉLECTRON DANS UN CHAMP MAGNÉTIQUE [CH VI
aux dimensions linéaires de la première zone de Brillouin, dans la

direction kx.
La présence d'une rupture magnétique fut observée pour la
première fois lors de l’étude de l’effet de Haas-Van Alphen dans un
monocristal de manganèse [81]. Lorsque le champ magnétique, appli
qué parallèlement à l’axe c du réseau serré hexagonal, devient intense,
1 1
« Q oQ oQ oQ »
à) 4 e e+f
Fig. 37. Mouvement de l'électron dans un champ magnétique faible (a) et dan9
un champ magnétique fort (rupture magnétique) (b).
les deuxième et troisième bandes énergétiques sont assez proches

pour permettre des transitions. Des orbites fermées se constituent
alors en remplacement des orbites ouvertes 2, et leur surface est
supérieure à la section de la première zone de Brillouin.
30.2. Transitions semi-métal — semi-conducteur et semi-conduc
teur — semi-métal dans un champ magnétique intense. Dans les
paragraphes précédents, nous avonsétudié l ’action d’un champ magné
tique sur les états monoélectroniques d’un électron de conduction
dans un métal. Nous avons supposé que la largeur de la fente énergé
tique (« gap ») (eg = i?é0> — Ê (tQ>> 0) entre les bords des bandes
de valence et de conduction et l’énergie de Fermi ep ne variaient pas
sous l ’action du champ magnétique. Ceci reste valable tant que
l ’énergie d’interaction du moment magnétique avec le champ magné
tique B (de l ’ordre de 10“8 eV parœrsted) est notablement plus petite
que l ’énergie de Fermi eF et l’énergie e*:
(30.17)
Cette condition pourrait ne pas avoir lieu dans les métaux seulement
pour les champs les plus intenses pratiquement inaccessibles (108 à
S 30] E F F E T D E H A A S -V A N A L P H E N 185*
10® Oe). Ce n’est pas le cas des semi-métaux. Comme nous l’avons-
montré au § 22, pour les semi-métaux, même au zéro absolu, la bande
de valence et la bande de conduction se recouvrent un peu (eg =
= Ee0) — El0) < 0). Par conséquent, même au zéro absolu, une
partie des électrons de la bande de valence passent dans la bande de
conduction en libérant des états dans la bande de valence (trous)»
Ces électrons assurent les propriétés métalliques de ces cristaux.
L’interaction du moment magnétique de l’électron avec le
champ conduit à un réarrangement du spectre énergétique des élec
trons. Pour une certaine valeur du champ magnétique, le recouvre
ment des bandes de conduction et de valence peut disparaître, et
le semi-métal se transforme en un diélectrique. B. Davydov et
I. Pomérantchouk [82] ont les premiers envisagé la possibilité
d’une transition semi-métal — diélectrique dans un cristal soumis
à un champ magnétique très intense.
Etudions cet effet dans un semi-métal dont les lois de dispersion
pour les électrons et les trous en l’absence de champ magnétique sont
du type quadratique
2Mk) = £ i#, + — , Et (k) = £ r - — -, (30.18)-
OÙ
A ^ £ i 0,- £ i 0,< 0 , (30.19>
m* et m* sont les masses effectives des électrons et des trous quir
dans ce modèle, coïncident avec les masses effectives cyclotron cor
respondantes.
Chacun des niveaux énergétiques (30.18) est doublement dégénéré
par rapport au spin. Dans un champ magnétique dirigé le long de*
l’axe z, cette dégénérescence est levée, et les lois de dispersion (30.18)
prennent la forme (voir § 29)
thB thB . h*k*
Ee (k) = Ei0i + (v + V2) cm* 2\ic 1 2m* »
(30.20>
thB thB tflk*
Et (k) = Æ r - ( v + i/2) cm* 2m* »
(30.21)
2HC
où \i est la masse de l’électron libre.

Les expressions (30.20) et (30.21) permettent de trouver les dé
placements que subissent les bords de la bande de valence et de la
bande de conduction sous l’action d’un champ magnétique appliqué i
thB r 1 1 '1
*86 MOUVEMENT D’UN ÉLECTRON DANS UN CHAMP MAGNÉTIQUE [CH. VI
P ar conséquent, la largeur de la fente énergétique entre les deux

iandes est
A, (B) ^ E T (B ) - E \ » (B) = eg+ -— - ( - ± 1

m* (30.22)
Sachant que cg < 0 en l'absence de champ magnétique dans un

êmi-métal, on trouve la condition de transition semi-métal —
•diélectrique
(30.23)
Cette inégalité est vérifiée lorsque le champ magnétique B est assez

-élevé, à condition que
1 (30.24)
m t*
Les formules (30.17) à (30.22) obtenues dans ce paragraphe restent

valables pour un semi-conducteur, en l’absence de champ magnéti
que, c’est-à-dire lorsque
tg = E ' » - E ? '> 0
Pour que ce semi-conducteur se transforme en métal sous l ’action
d ’un champ magnétique intense, il faut que la condition
A ,(S > -< .+ -^ ( -£ -+ ^ r - f ) < 0 (30.25)
soit remplie ; ceci n’est possible que si l’intensité du champ magné

tique est telle que
<3 0 - 2 8 >
Cette transition semi-conducteur — métal a été observée pour

des alliages Bi — Sb, dont la concentration en antimoine est com
prise entre 8,8 et 15,8 % [83, 84]. A la température de l’hélium li
quide, il faut utiliser un champ magnétique intense, dirigé le long
de l ’axe trigonal. Dans [85] on montre que, à la température de l’hé
lium liquide, lorsqu’on augmente le champ magnétique, le recouvre
ment des bandes dans un monocristal d’antimoine diminue. Pour
-350 kOe, une bande interdite apparaît, et l’antimoine devient di
électrique. Inversement, pour les monocristaux de bismuth, lorsque
le champ magnétique augmente, le recouvrement des bandes augmen
te quelle que soit la direction du champ. C’est pourquoi la transition
vers l’état semi-conducteur est impossible pour le bismuth pur [861.
* 31] ONDES ELECTROMAGNETIQUES DE BASSE FREQUENCE 187
§ 31. Ondes électromagnétiques de basse fréquence

dans les métaux
En 1960, Konstantinov et Pérel [87] montrèrent que des ondes
électromagnétiques polarisées circulairement pouvaient se propager
dans des métaux alcalins purs placés, à la température de l'hélium
liquide, dans un champ magnétique fort, perpendiculaire à la surface
du cristal. Ces ondes furent appelées hélicons. En 1961 Bowers,
Legendy et Rose [88] découvrirent expérimentalement les hélicons
dans le sodium.
La propagation des hélicons dans les métaux dépend fortement
de la topologie de la surface de Fermi. Pour expliquer les particulari
tés de cette propagation, le plus simple est d’étudier les métaux
présentant une surface de Fermi sphérique. C’est le cas des métaux
alcalins Na, K, Rb.
En champ magnétique nul, le tenseur de permittivité des métaux
alcalins est diagonal
(û*
e*y = —8IX= 0, ex* = ejw = e« = 1 ûTjwipT/Tj" » f31-1)
où iùp = A nn^lm * est le carré de la fréquence de plasma; n 0, m*
la densité et la masse effective électroniques; t la durée moyenne
séparant deux chocs successifs des électrons avec les phonons, les
défauts du réseau, les impuretés ou avec d’autres électrons.
Les ondes longitudinales — plasmons sont définies par l’équation
<D2
1 _ ___ —B.___ = 0
ü > (ü )+ i/T )
On voit que lorsque <dt 1, dans l’approximation des grandes

longueurs d’onde, les plasmons ne présentent pas de dispersion:
<û = (Dp.
Par contre les deux ondes transversales vérifient l’équation de
dispersion
k,=-£(‘ -;n â w )- (3i-2>

Il s’ensuit que lorsque tox » 1 et w < cop le vecteur d’onde des
ondes transversales est purement imaginaire, et ce type d’onde est
totalement réfléchi par le métal.
Si le métal est placé dans un champ magnétique constant H 0,
apparaît une nouvelle caractéristique importante du mouvement
des électrons : la fréquence cyclotron
(oe = eHJm*c. (31.3)
Lorsque l ’inégalité
(31.4)
188 M O U V E M E N T D ’U N É L E C T R O N D A N S U N C H A M P M A G N É T IQ U E [CH . V I
est vérifiée, entre deux chocs successifs, l ’électron effectue un grand

nombre de tours de spirale autour de la direction du champ magné
tique. Cette rotation régulière modifie la réponse du métal à une
perturbation électromagnétique de basse fréquence (o < (oc).
Si l’axe z est dirigé le long du champ magnétique, la composante
e rs (û*) 1 0) (ü) + f / t)
de la permittivité diélectrique ne dépend pas du champ magnétique.

Par rapport à une onde polarisée circulairement et dont le vecteur
d ’onde est dirigé parallèlement au champ magnétique dans l’appro
ximation des grandes longueurs d’onde (k » 0) la permittivité aux
basses fréquences (o) C o)p) est
e± (©) == t xx + iexu = 1 co((o qr ae+i/x) ’ (31.5)

Lorsque <o <oc1 cette expression se simplifie
e± ( o ) ~ o > ( ± S - * # - (31>6)
Dans ce cas la permittivité e+ (co) est positive et détermine la
propagation dans le cristal d’ondes électromagnétiques. Soit une
onde électromagnétique extérieure de fréquence ©, polarisée circulai
rement, de même direction que le champ magnétique, donc per
pendiculaire à la surface du cristal. Conformément aux équations
de Maxwell, cette onde donne naissance dans le solide à un champ
alternatif
B ( .) - E , H + ,E V«.) = ] . (31.7)
Le comportement de ce champ dans le cristal est déterminé par les
singularités de la permittivité e+ (o>). Pour une fréquence <o réelle
fixe, les pôles de l’expression sous le signe d’intégration (31.7) dans
le plan k complexe sont les zéros du dénominateur. Ils sont définis
par l’équation de dispersion
le* = (o2e+ ((o, ki)/c2. (31.8)
Chaque valeur k t apporte une contribution au champ (31.7)
sous la forme d’une onde normale
Ei (z, t) = ai exp [i (k xz — ©01» (31.9)
où ai sont les résidus du pôle k t. Si la partie réelle est nettement plus
grande que la partie imaginaire, l ’onde E t (.z, t) pénètre dans le cristal
à de grandes profondeurs.
D’après (31.6), dans l’approximation des grandes longueurs d’on
de, lorsque co <C o)c, la permittivité e+ (co, k) ne dépend pas de k .
§ 31] ONDES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DE BASSE FRÉQUENCE 189
L’équation (31.8) définit donc de manière univoque la valeur du

vecteur d’onde complexe de l'onde circulaire: Vhélicon, créée dans
le cristal
c* 8+ (® / — c*(©c —» — </*) •
Par conséquent, pour <ûct 1 et ü) -C coc
R e t.œ ^ j/ (31.10)
■“‘. " " s S r / i - P 110®)

La vitesse de phase de l’hélicon
(31.ii)
ne dépend pas de la masse effective de l’électron. Pour une fréquence
de (o = 107 s-1 et coc = 1011 s”1 et la valeur habituelle œp « 1016 s"1,
la vitesse de phase de l’hélicon est
i>ph = 104 à 105 cm/s. (31.12)
Cette valeur est comparable à la vitesse du son dans le métal et
notablement inférieure à la vitesse des électrons uF = 108 cm/s à
la surface de Fermi. Comme la vitesse du son est indépendante de
/ / 0, et la vitesse de phase des hélicons proportionnelle à Y H 0, il
existe un certain champ H 0 pour lequel elles coïncident. On doit
observer dans ce cas une interaction résonante intense entre les hé
licons et les phonons. La théorie de cette interaction a été établie
par Skobov et Kaner 1891 et par d’autres auteurs.
Le champ des hélicons est avant tout magnétique puisque
| H J E y | = c/uph « 107 » 1.
Les hélicons peuvent se propager dans les métaux et dans les semi-
conducteurs dopés dans une direction confondue, ou formant un petit
angle avec la direction du champ magnétique constant.
La fréquence des hélicons peut se rapprocher de la fréquence cyclo
tron du côté des basses fréquences. Nous avons étudié plus haut des
hélicons de très basse fréquence (o> «C <oc). Lorsque a) s’approche de
ü)c, il faut tenir compte de la dépendance en k de la permittivité.
Cette dépendance peut être obtenue simplement par le raisonnement
suivant. Supposons que tous les électrons se déplacent dans le métal
à la vitesse v. La fréquence effective des ondès interagissant avec
les électrons subit un déplacement Doppler égal à kv. La permittivité
(31.6) devient alors
/ i\ (31.13)
e+(e>, k) — û>[co—©c+kv+i/tl -
190 MOUVEMENT D’UN ÉLECTRON DANS UN CHAMP MAGNÉTIQUE [CH. V I
L’expression obtenue doit être moyennée sur les vitesses des élec
trons. Cependant, pour une discussion qualitative on peut utiliser
simplement l’expression (31.13), en prenant, pour les métaux, une
vitesse v de l’ordre de la vitesse de Fermi vF.
Pour kvF/(ùc > 1, la permittivité (31.13) présente une singularité
pour une certaine catégorie d’électrons vérifiant la condition
(Dc — o) = kuF cos A, (31.14)
où A est l ’angle entre le vecteur d’onde et le champ extérieur cons
tant. Lorsque cette condition (31.14) est vérifiée, la partie imagi
naire de e+ (œ, k) devient très grande, si bien que les hélicons sont
fortement amortis. Cet amortissement est appelé amortissement
cyclotron.
Lorsque la vitesse de l’électron forme un certain angle par rap
port au champ magnétique, on voit apparaître un effet qualitative
ment nouveau : Y amortissement magnétique de Landau, dû aux élec
trons se propageant en phase avec l’onde, c’est-à-dire lorsque k2vz =
= (o. Dans le cas général d’un angle quelconque entre k et B, l’amor
tissement des hélicons a été étudié par Kaner et Skobov [901, qui
ont obtenu, lorsque coc » — » kvF, le rapport
^ f = (2o.,z|coSA r + ^ s i n M .
Le deuxième terme de cette formule représente l’amortissement
magnétique de Landau.
Si la conduction métallique est assurée par des charges des deux
signes: des électrons de masse m*, de concentration nx et des trous
de masse m? et de concentration h2, la permittivité est donnée par
l ’expression
« * (< •)» --£ -( . - 3 ^ + < H -C ÎW , )• <31-,5 >

Cette grandeur caractérise la réponse du cristal à une onde polarisée
circulairement, se propageant le long du champ magnétique H0
constant.
Lorsque
co < <ori et g) Cj , (ùCt ^ > 1 et (ori t 2 » 1, (31.16)
l ’expression (31.15) se simplifie
^ /_ \ _ 4jie2 (n2— n,) . <ù + i / x / ^ . wpt \ /o*47V
e+ « — (ùHi— +—z— • {ô 1 >
Dans les métaux qui présentent une concentration identique en
électrons et en trous (le tungstène, le bismuth et l’antimoine), les
contributions au premier terme de (31.15) se compensent et les hé-
§ 31] ONDES ÉLECTROMAGNÉTIQUES DE BASSE FRÉQUENCE 19f
licons ne sont pas excités. Des ondes basse fréquence d’un autre
type se propagent alors dans le cristal. Elles sont caractérisées p ar
le vecteur d’onde
k2 = «Xtt-H/T) ( j | _ + ^ î _ ) « 4nre0co (<o + i/x) .(31.18>
Ces ondes sontappelées ondes d'Alphen. Lorsque « t 1, le carré*

de leur vitesse de phase est donné par
( i L ) 2 » - — H} . (31.19>
\ k J 4nn0(mï + mî) v r
Les conditions d’obtention des ondes d’Alphen : ûjt» 1 sont beau

coup plus dures que celles qui permettent l’excitation des hélicons:
g) ct » 1» car (o < cûc. Les ondes d’Alphen ont été observées par
Williams [911 dans des échantillons de bismuth pur.
En 1965, Walsh et Platzman [921 découvrirent dans le potassiun*
un nouveau type d’ondes se propageant transversalement par rapport
au champ magnétique constant. Les fréquences de ces ondes sont
voisines de la valeur = wo)c (n = 1, 2, . . .), c’est pourquoi elles*
furent appelées ondes cyclotron *). Les ondes cyclotron se propagent
avec une vitesse très supérieure à la vitesse du son, comparable à
la vitesse des particules. C’est pourquoi, contrairement aux hélicons,
ces ondes interagissent faiblement avec les phonons.
Dans les métaux du deuxième groupe (cadmium, etc.) possédant
un réseau hexagonal et une concentration identique en électrons et
en trous, il ne peut y avoir formation d’hélicons. Cependant dans
ces cristaux le long des champs magnétiques constants dirigés sui
vant l’axe hexagonal peuvent se propager des ondes électromagnéti
ques circulaires de basse fréquence appelées dopplérons.
Elles représentent un phénomène de résonance cyclotron résul
tant du déplacement de fréquence Doppler entre différents groupes
d’électrons de vitesses voisines, situes tous à la surface de Fermi.
Une telle situation est réalisée dans le cadmium et pour quelques
autres métaux présentant une surface de Fermi anisotrope en forme
de lentille et des concentrations égales en électrons et en trous.
La loi de dispersion des dopplérons reflète l’égalité entre la
fréquence cyclotron et le déplacement de fréquence Doppler de
l ’onde incidente, dans un système de coordonnées lié au déplace
ment d’un groupe d’électrons présentant des propriétés caractéristi
ques. Les dopplérons ne peuvent se propager que dans les métaux,
parce que leur excitation nécessite une densité électronique élevée-
et les conditions de dégénérescence de Fermi. Ils apparaissent seule-
*) Les ondes cyclotron furent prévues par Kaner et Skobov dans leurs-
travaux théoriques [931.
ment dans un certain domaine de valeurs du champ magnétique cons

ta n t
^min ^ U o ^ Hn
Dans ce cas, seules les fréquences
•donnent naissance à des dopplérons. Ici fi est un coefficient inverse

ment proportionnel à la densité électronique, pour les électrons de
vitesse correspondante. Une étude détaillée des dopplérons dans le
•cadmium est réalisée par Fisher et coll. 194].
§ 32. Effets galvanomagnétiques dans les cristaux

Soit un électron de conduction placé dans un champ électrique
d'intensité E et dans un champ magnétique B constants. La réponse
macroscopique linéaire du cristal aux champs électrique et magné
tique appliqués est caractérisée par l'apparition d’un courant dû
au déplacement des électrons et des trous. Dans le cas général, la
densité de courant J est
J i = h o lJ(B)EJt (32.1)
1
où Ci* (B) est le tenseur de conductivité de rang deux, fonction de la
grandeur et de la direction du champ magnétique B.
Expérimentalement on mesure d’habitude le champ électrique
créé par un courant parcourant le cristal dans une direction déter
minée. Il est alors plus commode d’écrire (32.1) sous la forme
S Pm ( B ) / , . (32.2)
■7—1
Les propriétés du cristal seront alors caractérisées par le tenseur de
résistivité (B).
Le tenseur de résistivité est le tenseur inverse du tenseur de
conductivité. Si l’on connaît les composantes du tenseur de conduc
tivité O/y, les composantes du tenseur de résistivité seront données
par les expressions
1 1
Pu = -Q I^îî0:» — (T230r32] i Pl2 = ~ Q ~ ICT33°12— <7x3°3*]» (32.3)
OÙ
D= (32.4)
§ 32] EPPETS GALVANOMAGNfiTIQUES DANS LES CRISTAUX 193
est le déterminant construit sur les composantes du tenseur de con

ductivité. Les autres composantes du tenseur de résistivité peuvent
être obtenues par permutation circulaire des indices 1 ; 2; 3 dans
(32.3).
La résistance du cristal soumis à un champ magnétique extérieur
constant et homogène est appelée magnétorésistance. Dans l'étude
de la magnétorésistance on distingue deux effets: a) la variation
continue de la résistance lorsque le champ magnétique varie; b) la
variation oscillatoire de la résistance. Le premier effet peut être
interprété sur une base quasi classique par le mouvement en spirale
des électrons dans des champs électrique et magnétique croisés.
Pour expliquer le deuxième effet, il faut faire appel aux caractéristi
ques quantiques du mouvement.
En étudiant le premier effet, on a découvert les régularités sui
vantes :
A) Dans les champs magnétiques faibles ( tcob 1) l’électron,
entre deux chocs successifs (temps de relaxation t), parcourt une
faible partie de son orbite fermée. Dans ce cas: a) la résistivité
augmente proportionnellement au carré du champ magnétique;
b) un champ électrique proportionnel au champ magnétique apparaît :
le champ de Hall.
B) Dans les champs magnétiques intenses ( tcob ^ > 1), les élec
trons peuvent effectuer de nombreux tours de spirale entre deux chocs
successifs. Dans ce cas, lorsque le champ magnétique augmente, la
résistivité croît d’un facteur d’un million au moins, ou bien, ampli
fiée des centaines de fois, elle atteint une valeur limite. Ces deux
possibilités peuvent être observées dans un même monocristal pour
des directions différentes.
32.1. Magnétorésistance dans les champs magnétiques faibles
et moyens. Le tenseur de conductivité caractérise la réponse linéai
re d’un cristal, situé dans un champ magnétique, à un champ élec
trique extérieur appliqué. La dépendance régulière du tenseur de
conductivité en fonction du champ magnétique (qui est une moyenne
des oscillations quantiques de faible amplitude) peut être étudiée
par une théorie quasi classique.
L’électron du cristal, animé d’une vitesse v, soumis à des champs
extérieurs homogènes électrique E et magnétique B, subit l’action
de la force de Lorentz
F = - e { E + |[ v B ] } . (32.5)
Les états de spin de l’électron ne modifient en rien le mouvement de
l’électron, car l'interaction de son moment magnétique avec le
champ magnétique homogène ne donne aucune contribution à (32.5).
Le mouvement résultant de la force de Lorentz est interrompu
(de temps en temps par les chocs. “La. düréo moyenne t entre deux
1 3 -0 5 3 4
chocs est déterminée par la présence d'inhomogénéités chimiques ou

physiques dans le cristal, les interactions (fonctions de la tempéra
ture) avec les phonons et les interactions résiduelles entre quasi-
particules — les électrons, qui ne contribuent pas au champ moyen
du cristal. Dans les champs magnétiques faibles et moyens, le temps
t entre deux chocs (temps de relaxation ou temps de libre parcours
moyen) est beaucoup plus petit que la période de rotation de l’élec
tron sur son orbite fermée, c’est-à-dire
T(ùb < 1 ,
ainsi le rôle des processus de relaxation est extrêmement important.
Il convient de décrire le mouvement des électrons et des trous par
des méthodes statistiques faisant appel à l’équation de Boltzmann.
Cette équation définit la fonction de distribution par unité de volume
du cristal des électrons et des trous sur tous les états possibles.
Dans des conditions stationnaires, pour un cristal homogène placé
dans des champs électrique et magnétique homogènes et constants,
la fonction de distribution / (k) ne dépend que du vecteur d’onde k
de l’électron. Dans Vapproximation du temps de relaxation (approxi
mation x) l’équation de Boltzmann pour une fonction de distribution
/ (k) spatialement homogène est
4 - F gradjc/ ( k ) = - l [/ (k) - f0 (k)], (32.6)
où /o (k) est la fonction de distribution à l’état d ’équilibre.
Pour les électrons de conduction des métaux, à basse tempérâture>
cette fonction est représentée par la fonction de distribution de Fermi-
Dirac (25.1)
/o (k) = [exp ( C(k)é~ eF- ) + 1 (32.7)
où cF est l’énergie de Fermi, 0 est la température exprimée en unités
énergétiques.
Pour les électrons de conduction et les trous dans un semi-conduc
teur (§ 25)
<50 C{|£)
/o (k) = Nc ( j e“ p (f) de) " ‘ exp ( - ), (32.8)
0
où N e est la densité électronique (ou des trous) dans la bande de
conduction (ou la bande de valence) ; c (k) l ’énergie des électrons
(des trous) comptée à partir du bas de la bande de conduction (ou,
selon le cas, du haut de la bande de valence).
Si l ’on connaît la fonction de distribution / (k), la densité de
courant dans le cristal est donnée par l ’expression
(32.9)
S 32] EFFETS GALVANOMAGNÊTIQUES DANS LES CRISTAUX 195
où Vit est la vitesse de l’électron, le facteur 2 tient compte des deux

états de spin possibles ; /j = / — / 0. En écrivant (32.9) nous avons
tenu compte de l’égalité i Vn/0 (k) <Pk = 0. Sachant que
J
T gradk f o = T â f f e gradkC <k>= 'Vk S h

Téquation (32.6) devient
F ï‘ ( - w ) = T / - + T F 8 rad^ - <32-10>
Nous nous intéressons seulement à la réponse linéaire du cristal
au champ électrique extérieur faible. Il convient donc, dans l’expres
sion de la force F du second membre de l’équation (32.10), de ne
garder que le terme relatif au champ magnétique. Par ailleurs comme
Ivk B1 Vk = 0, nous obtenons l’équation de Boltzmann linéarisée
par rapport au champ électrique extérieur
<E*>> ( — <3211>
Calculons d’abord le tenseur de conductivité du cristal en l’ab
sence de champ magnétique. Pour B = 0, l’équation (32.11) donne
fi (k) = (Evw) ( — g M . ) .(32.12)

Substituons (32.12) dans (32.9), nous trouvons la densité de courant
en l’absence de champ magnétique
<3 2 - , 3 >
Comparant cette expression à la loi d’Ohm

3
Ji = ^ OijEj ou J = aE, (32.14)
j=î
nous obtenons l’expression générale du tenseur de conductivité du
cristal sans champ magnétique :
s& r )* * - <3215>
où ( v X v ) est un tenseur symétrique constitué par le produit de
deux vecteurs (produit dyadique) et ayant donc pour composantes
( v X v ) xy = vxv„, . . .
Dans les métaux, à basse température ( — d t\k )) = ® (c (*) —

— ejr). Par conséquent, en intégrant (32.15) sur les surfaces iso-
13*
193 MOUVEMENT D'UN ÉLECTRON DANS UN CHAMP MAGNÉTIQUE [CH. VI
énergétiques et l'énergie, nous obtenons
(32.16,
Dans (32.16) l ’intégration s’étend à la surface de Fermi. Le

tenseur de conductivité du métal dépend donc seulement des proprié
tés des électrons à la surface de Fermi. La grande conductivité
du métal est due à la grande mobilité des électrons. Dans un métal
isotrope ^Y | c x = i | y | fi et le tenseur (32.16) devient
| vk| d
un scalaire
CTmé‘ = ~ï2jE5/T § IVk ITk dS. (32.16a)
Dans les semi-conducteurs, la fonction de distribution à l’état

d’équilibre est définie par l ’expression (32.8). Sachant que
/ _^2.) = -/s. y à l’aide de (32.12) et de (32.9), nous obtenons le
\ dC / v
tenseur de conductivité d’un semi* conducteur de type n :
00
<jsc = - ^ - ( j e-e/ep (c) de)"1j e~'t* ( v x v ) t (c) p (e) de. (32.17)

0
Exprimons le tenseur de conductivité en fonction du tenseur de
mobilité ue des porteurs de charge et de leur densité N e
<j8C = eN,ua,
le tenseur de mobilité sera défini alors par la formule
OO OO
ue = [ j e~e/e p (e) d e |-1 j e~e/0 (v x v) t (e) p (e) de. (32.18)
o o
Dans un semi-conducteur isotrope e = —y —et le tenseur de mobilité
devient un scalaire
{ j e-e/ep (e) d e } 1 j ee-e/eT (e) p (e) de. (32.18a)

0
Dans un cristal isotrope p (e) ~ V t ; si l’on pose t (e) = t on peut
calculer l’intégrale (32.18a)
m*
CJsc (32.18b)
m* * Psc — eWeT *
§ 32] effets g a l v a n o m a g n ê t iq u e s d a n s l e s c r is t a u x 197
Dans un champ magnétique B, nous chercherons la solution de l’é

quation (32.H) sous la forme
/ia, _ « ( v kA) ( - - g ! - ) , (32.19)
avec vk = hk/m*. A est un vecteur qui sera défini ultérieurement.

Sachant que
y g r a d k /,- m. A ( / e° ) , (32.20)
de (32.11) on tire l’équation

e - a : : c [b a ], (32.21)
d’où
A - ï ( E + „ " |B E |) , (32.22)
avec
V = (1 + (û% T2) - 1 . (32.22a)
En comparant (32.19) et (32.12) on voit que , en présence de
champ magnétique, la loi d’Ohm devient
J = <xA, (32.23)
où a est le tenseur de conductivité en l’absence de champ magnétique
(32.15). Le vecteur A est défini par l’expression (32.22). Pour trouver
le tenseur de conductivité a (B) du cristal placé dans un champ magné
tique, il convient d’écrire (32.23) sous la forme
J = a (B) E. (32.24)
Inversons l'égalité (32.23)
A = pJ.
p = i/o est le tenseur de résistivité du cristal en champ magnétique
nul. Substituons A dans (32.21). Nous obtenons le champ électrique
E d’un cristal placé dans un champ magnétique
E= p J-^ [B p J]. (32.25)
Le deuxième terme de cette expression définit un champ électri
que perpendiculaire au courant, appelé champ de Hall. Il change de
signe lorsque le champ magnétique change de signe. La chaleur
dissipée par effet Joule dans le cristal par le passage du courant
Q = JE, conformément à (32.25), dépend seulement du tenseur de
résistivité en l’absence de champ magnétique. Dans un cristal iso-
198 M O U V E M E N T D ’U N E L E C T R O N D A N S U N C H A M P M A G N E T IQ U E [CH . V I
trope, la résistivité p devient scalaire, et le champ de Hall devient

^Hall = R [BJ], (32.26)
où
R= — Sb (32-27)
représente le coefficient de Hall. Remplaçons dans (32.27) la valeur
(32.18b) obtenue pour la résistivité d’un semi-conducteur. Nous
obtenons le coefficient de Hall d’un semi-conducteur dont la con
ductivité est assurée par N c électrons
<32-27*>
Lorsque la conductivité est assurée par les trous, le coefficient de
Hall devient
La mesure du coefficient de Hall permet de déterminer directement

le signe et la densité des porteurs de charge.
Pour déterminer le tenseur de conductivité sous champ magnéti
que, substituons (32.22) dans (32.23) :
J = <ty ( £ + t£ -IB E ]). (32.28)
En transformant cette expression
•^ =
> w (B )£ „
2
j
nous trouvons le tenseur de conductivité ctierché. Dans des cristaux
isotropes, le tenseur de conductivité a du cristal en champ nul est
un scalaire. Par conséquent, sous champ magnétique (32.28) donne
directement la forme explicite du tenseur de conductivité:
ex n H
1 m*c B z *
ex
cr (B) = oy m*c Bz 1 ~m*e Bx* (32.29)
ex ex
m*c m*c Bx 1
où y = (1 + x2(oi*)~l.
(32.29) et les formules (32.3) permettent d’exprimer le tenseur
de résistivité sous champ magnétique dans le cas particulier où le
champ magnétique est dirigé le long de l’axe z (Bx = B y = 0) :
P RBZ ° \
P (») = - R B Z P (32.30)
°
0 0 PI
3 32] EFFETS GALVANOMAGNÊTIQUES DANS LES CRISTAUX 199
où p = I/o est la résistivité du cristal isotrope en champ magnétique

nul, R = —exp/m*c est le coefficient de Hall.
32.2. Magnétorésistance dans des champs magnétiques Intenses.
Si t est le temps de relaxation, lorsque la condition
To) B » 1 (32.31)
est vérifiée, l'électron (ou le trou), dans le cas d’une orbite fermée,
effectue de nombreuses révolutions avant d’entrer en collision. On
peut donc, à l’approximation zéro, ne pas tenir compte de ces chocs
et les faire figurer aux approximations suivantes. Cette méthode
est basée sur un développement en fonction des puissances inverses
du champ magnétique.
Considérons simplement un cristal cubique, de surface de Fermi
sphérique, dont la masse effective cyclotron coïncide avec la masse
effective de l’électron m*.
Supposons que les champs électrique E et magnétique B soient
respectivement dirigés le long des axes x et z. Les équations du mou
vement des électrons en l’absence de relaxation sont
m * x = —e ^ E + ^ -y B ^ , m*y = e xB 1 m*z = 0.
Leurs solutions peuvent être écrites sous la forme
• • E
x = C1cos(ùBt, y — — -g- —CjsincojjJ,
z=
C2j (32.32)
où = eBlm*c est la fréquence cyclotron; Cx et C2 sont des cons
tantes d’intégration. D’après (32.32), dans le plan xy l’électron
effectue un mouvement circulaire de fréquence coB autour d’un point,
qui se déplace le long de l’axe y avec une vitesse constante'égale à
Pour calculer la densité du courant apparaissant dans le cristal,
nous utiliserons la méthode développée par Pippard [951. L’action
du champ électrique E constant se traduit par une impulsion —eEôt
dirigée le long de l’axe x. Cette impulsion communique à l’électron
à l’instant t une vitesse de dérive égale à vx (t) = —eEôt/m*. Si la
densité des porteurs de charge est —eNe, un courant apparaît le long
de l’axe x :
à J x (t) = Aàt, A = N ^ E /m * . (32.33)
Les électrons soumis au champ magnétique effectuent un mouvement
circulaire de fréquence cyclique (d b . Par conséquent à l ’instant /0,
la densité de courant (32.33) devient
ÔJx (£q — t) = A cos (£q — £), ÔJy {1^ — i) — A sin o)B (/q—£),
le signe m — * est relatif aux électrons, et le signe « + » aux trous.
200 MOUVEMENT D’UN ÉLECTRON DANS UN CHAMP MAGNÉTIQUE [CH VI
Si Ton tient compte des processus de relaxation, ces expressions

deviennent
<0—*
6Jx (t0— t) = Ae T cos cùb (t0—t), 61y (t0— t) =
to-t
= —Ae x sina>B(*o—t), (32.34)
où t est le temps de relaxation effectif. Pour obtenir la densité du
courant dû aux champs constants E et B, il faut additionner les
contributions (32.34) de tous les instants dans l’intervalle —oo <
< t ^ t0. Ainsi
J X= A \ e T cos (dB (t0—t)d t = ayEx, (32.35)

—OO
OÙ
Y= (l+û>iT*)-‘, (32.36)
a = éHNJm* (32.37)
est la conductivité des électrons en l ’absence de champ magnétique.
De cette manière nous obtenons
/ y ——
f—
cojj ■xayEx = —
f—
w x. (32.33)
Introduisons le tenseur de conductivité atj
3
J i — S ai)Ej>
j—î
pour les électrons, nous obtenons à partir de (32.35) et (32.38)
/ Y cdbty 0\
o,y = cr| —coBxv Y 0 |. (32.39)
\ 0 0 1/
En inversant (32.39), nous obtenons le tenseur de conductivité du

cristal, coïncidant avec (32.30). Pour les trous, le tenseur de con
ductivité sera
( Vi — (<ûbxy)j 0\
(<0bTY)i Ti °). (32.39a)
0 0 1/
où at = e2N tTt/ntt est la conductivité par trous en l’absence de
champ magnétique.
Si les deux types de porteurs de charge participent à la conduc
tivité, le tenseur de conductivité sera la somme de (32.29) et (32.29a).
§ 32] EFFETS GALVANOMAGNÊTIQUES DANS LES CRISTAUX 20t
En particulier, lorsque les trous diffèrent des électrons seulement

par le nombre de particules (m* = m*) (x = xf), dans le cas de-
trajectoires fermées, la valeur asymptotique des composantes du-
tenseur de conductivité devient
(32.40>
avec F = ± L - { N e- N t).
D’après les expressions (32.40) et (32.36) on voit que les éléments
diagonaux du tenseur de conductivité, sauf aZ2, tendent vers zéro-
comme B ~2 et les éléments non diagonaux le sont comme B~l lorsque-
N e =5»é=N t. En inversant le tenseur (32.40) par les formules (32.3)
nous obtenons les composantes non nulles de la magnétorésistance
p ( i + T * œ ] ,) p w i i + r ^ y
Pll“ l + p ^ F * ’ Pla l + p*o)^F> (32.41)
avec p = (a + (Jf)"1 est la résistivité du cristal sans champ magné

tique. Lorsque (oBx 1 les valeurs limites de (32.41) diffèrent nota
blement selon que F est égal ou différent de zéro. Ces valeurs sont
indiquées sur le tableau 10. Lorsque N e ^ N t (F 0) et que le
champ augmente, la composante p1A augmente jusqu’à saturation.
Par contre, si N e = N t, la résistivité augmente comme le carré
du champ.
Habituellement, ce sont les métaux à nombre pair d’électrons
dans la maille élémentaire qui présentent des électrons et des trous
en nombre égal. La conductivité est alors due au recouvrement des
bandes de valence et de conduction. Le nombre d’électrons passés
dans la bande de conduction est égal au nombre de trous créés dans
la bande de valence. K, Na, Al, In présentent une surface de Fermi
fermée avec des nombres d’électrons et de trous inégaux.
La théorie simplifiée présentée plus haut (approximation xr
surface de Fermi sphérique) ne prétend même pas donner la varia
tion qualitative de la résistance en fonction du champ magnétique.
Cette dépendance ne peut être déterminée que dans des cas précis,
parce qu’elle dépend de la forme de la surface de Fermi et des détails
des phénomènes de relaxation des électrons et des trous.
La première théorie de la magnétorésistance des cristaux possé
dant une masse effective anisotrope fut développée dans [94, 951
sans tenir compte de l’anisotropie du temps de relaxation. Dans
[96], cette théorie a été développée pour des cristaux de masse ef
fective et de temps de relaxation anisotropes, soumis à un champ
magnétique faible ou intense. Une théorie générale valable dans un

large intervalle de champs magnétiques (théorie de la diffusion ani
sotrope) futjdéveloppée par Samoïlovitch et coll. [96, 97]. Une jus
Tableau 10
tification expérimentale de cette théorie
est donnée dans les travaux de Baranski
Valeurs limites de la et coll. [98 à 100]. Une généralisation de
magnétorésistance la théorie de la diffusion anisotrope au
cas d'un champ magnétique quantifié
F - 0 F 0 dans le germanium de type n fut déve
loppée dans les travaux de Baranski,
Samoïlovitch et autres [101, 102].
P li p ;( i + t * « 4 ) t V ( p F* )
Jusqu’à présent nous n’avons traité
que de surfaces de Fermi fermées, mais
Pl2 0 x - u>b / F de nombreux métaux ont une surface de
Fermi ouverte. Dans ce cas, pour certai
nes directions du champ magnétique la
trajectoire des porteurs de charge est ouverte (et fermée pour les
autres directions). Dans ces métaux (fer, cuivre, étain, or, argent,
cadmium, platine, plomb et autres) la magnétorésistance est forte
ment anisotrope. Si N c ^ iV*, pour les directions du champ magné
tique correspondant à des trajectoires fermées, la résistance augmente
jusqu’à saturation avec l’augmentation du champ. Pour des direc
tions du champ correspondant à des trajectoires ouvertes, la résis
tance augmente comme le carré du champ. Une théorie de la magné
torésistance des métaux possédant une surface de Fermi de type
« cylindre gaufré » fut développée par Lifchitz et Pestchanski [103].
§ 33. Phénomènes de résonance magnétoacoustique

L’amortissement d’une onde sonore au sein d’un métal est dû
•essentiellement au transfert de son énergie aux électrons de conduc
tion. Le rôle des mécanismes d’absorption non électroniques, en
particulier phononiques, diminue considérablement lorsque la tem
pérature diminue et lorsque l’amortissement électronique augmente.
En vertu du principe de Pauli, seuls les électrons d’énergies voisi
nes de l’énergie de la surface de Fermi (voir plus bas) entrent en
interaction avec les ondes sonores. Cette interaction est déterminée
par deux mécanismes. Premièrement l’électron est soumis à la force
de Lorentz —e + y [vB] J due aux champ électrique E et magné
tique B liés au déplacement des ions au passage de l’onde sonore.
Deuxièmement, il y a une force —grad U (r, t) correspondant au
potentiel de déformation U (r, t) du cristal soumis à l’onde sonore
(voir § 34).
En raison de la conductibilité élevée du métal, la charge électri
que moyenne dans un volume supérieur à la maille élémentaire est
$ 33] P H É N O M È N E S D E R É S O N A N C E M A G N ÉT O A C O U S T IQ U E 203
nulle. C'est pourquoi le champ, électrique créé par le son dans le

métal ne peut être que transversal : div E = 0. Seules les ondes
sonores transversales peuvent donc agir sur les électrons par l'inter
médiaire du champ électrique.
L’opérateur énergie d’interaction de l’électron avec le potentiel
de déformation (voir § 34) peut être développé suivant l’amplitude de
l’onde sonore. A l’approximation linéaire on peut écrire
U (r , 0 = 5 âPSaP. a , P = X, y, Z, (33.1)
a. 3
où a a 0 est le tenseur du potentiel de déformation,
est le tenseur symétrique de déformation, u est le vecteur du dépla

cement des ions à partir de leur position d’équilibre.
La vitesse des ondes sonores dans le métal ( ~ 1 0 5 cm/s) est sen
siblement inférieure à la vitesse des électrons ( ~ 108 cm/s) à la sur
face de Fermi, c’est pourquoi dans (33.1) on peut négliger les inter
actions liées au mouvement retardé des électrons par rapport aux
vibrations de réseau (effet Stewart-Tolman). Lorsque la vitesse du
son est petite, l’opérateur (33.1) est quasi stationnaire par rapport
aux électrons rapides. L’opérateur (33.1) est exprimé dans un système
de coordonnées lié au réseau déformé par les vibrations acoustiques.
Dans un tel système de coordonnées, la périodicité du cristal se
conserve localement et on peut utiliser la notion de quasi-impulsion.
Etudions d’abord l’amortissement des ondes acoustiques de
grande longueur d’onde dans un métal, en l’absence de champ magné
tique extérieur. Dans ce cas, pour décrire les états électroniques, on
peut utiliser une description quasi classique, dans laquelle les élec
trons sont décrits par la fonction de distribution
/ (e; r, t) = f 0 + A (e; r, /), (33.2)
où / o est la fonction de distribution à l’état d’équilibre, tenant compte
de la partie adiabat ique de l’interaction électron-phonon. Le deuxiè
me terme f l décrit la partie non adiabatique des interactions. C’est
ce terme qui est à l ’origine de l’amortissement des ondes sonores.
Dans un système de coordonnées lié au réseau déformé et se pro
pageant à la vitesse v par rapport au système du laboratoire, l’équa
tion cinétique définissant la fonction (33.2) peut être écrite sous la
forme suivante :
‘5i‘ +{/}coii = 0, (33.3)
où est la dérivée totale par rapport au temps; {/}con est un
terme incluant les collisions des électrons avec les particules diffu-
204 MOUVEMENT D’UN ÉLECTRON DANS UN CHAMP MAGNÉTIQUE [CH. v r
santés, il caractérise la déviation par rapport à la distribution d’é

quilibre / 0; bien entendu {/0}con = 0. En première approximation la
dérivée ^ peut être exprimée en fonction de l ’hamiltonien en l’ab
sence d’interaction avec l’onde sonore:
<3 3 ' 4 >
où v est la vitesse des électrons.

Substituant (33.4) dans (33.3) nous obtenons une équation ciné
tique linéarisée (en négligeant les faibles variations de potentiel
chimique dues à la partie adiabatique des interactions) :
------- £ ■ * . . <33-5>
La variation de l’énergie électronique dans l’unité de temps est

donc
£ = - « ,£ + 2 <33.6>
Le coefficient d’absorption x du son peut être défini par l ’expres

sion
x = r < -5 r ) ( 2 <c* » '1 (33-7>

avec
2 C . > - p ( ( 4 r ) 2) r
Ceci représente la moyenne par rapport au temps du double de la
densité d’énergie de l’onde sonore ; p est la masse spécifique du'métal ;
S l’entropie du système électronique;
est la moyenne sur une période de l’onde sonore de l ’énergie trans

mise dans l’unité de temps de l’onde sonore au système électronique.
dS \
< T -fi y s'exprime en fonction'de la
distribution électronique / par l'intégrale
< r - § > - - -ST J * * < 4 » '>“ / ■+ '- »*" '- Al> =

■ = - - ( 3 3 . 8 )
: $ 33] PHÉNOMÈNES DE RÉSONANCE MAGNÊTOACOUSTIQUE 205
Compte tenu des égalités
= —{/i}coll » (fi) = 0*
I n T = T = ln T = ^ + / 0( i - / o ) »
l’expression (33.8) donne
<3 3 -9 >
ai
Si nous utilisons l’égalité f 0 (1 — / 0) = — T nous obtenons
l’expression finale du coefficient d’absorption du son par les élec
trons du métal
*- [«P<(-t-rxr j**f\ ' tacf'/ <33-io)

Habituellement l’influence du champ électrique sur l’amortisse
ment des ondes acoustiques de grande longueur d’onde est moins
importante que l’influence du potentiel de déformation. On peut
donc se limiter seulement au mécanisme d’absorption électronique
du son dû à la déformation du réseau; on posera
P 3-» )
a, 3
Supposons que le champ créé par l’onde sonore u (r, t) soit repré
senté par une onde plane monochromatique
u (r, t) = a exp [i (qr — ©01» (33.121
a est l’amplitude de l’onde sonore. Alors
— = © 2 aaMau = —1\ et l’équation ciné
tique (33.5), compte tenu de (33.13), devient
+ = ( —-fj-)® 2 ffaW a«*«Pf*(V —«01- (33.14)
a, S
' Ainsi dans l’approximation t nous obtenons -
:/ r /» - .( . :<33 -15)
206 MOUVEMENT D’UN ELECTRON DANS UN CHAMP MAGNETIQUE [CH. VT
OÙ
Tû>
a __ <*. P______ (33.16)
1 — i (co—qv)x
Substituant (33.15) dans (33.10) et passant à l’intégration dans l ’es-

pace k sur la surface isoénergétique 2 (dont l'énergie a été définie
au § 32), nous obtenons dans la limite des basses températures
df
(c’est-à-dire lorsque — -— = 6 (e — eF))
* ( Y OafiqaOfi)1
x = (4ji3pa2)“1^ ^ g. P_______ (33.17)
1-f-T* (û)~ qv)a
L’intégration dans (33.17) s’étend à la surface de Fermi.
Etudions plus en détail la formule (33.17). Dans le domaine des
basses fréquences, la longueur d’onde sonore est beaucoup plus grande
que le libre parcours moyen Z = ut, c’est-à-dire pour
qvx < 1 (33.18)
on a aussi l ’inégalité cdt = sqx 1, c’est-à-dire la vitesse du son s
est sensiblement plus petite que la vitesse des électrons u. Dans ce
cas on peut négliger, dans la formule (33.17), la dispersion spatiale
et temporelle, alors
x = (4jispa2)'* $ x( 2 )2 « ( -^T) 2 Ntp * fX- • <33-19>

a. p
où l’on a posé craP = aôaP; 5 — vitesse du son; N — concentration
spécifique des électrons.
Dans de nombreux métaux a « cF et NcF ~ ps2. Dans ces
conditions, pour les grandes longueurs d’onde, l’absorption du son
par les électrons de conduction est proportionnelle à la gran
deur ü)2T.
Pour des températures tiès basses, x peut être suffisamment élevé
pour que
qvx 3> 1. (33.20)
Par exemple, pour des températures voisines de la température de
l’hélium liquide, dans le gallium pur, le libre parcours moyen ut
atteint quelques centimètres. L’inégalité (33.20) est vérifiée pour
des fréquences de l ’onde sonore supérieures à 100 kHz. On peut
alors avoir aussi
(üt «= sgr < 1 (comme 5 C u). (33.21)
Lorsque ces conditions sont réalisées, dans le dénominateur de l ’ex
pression sous le signe d’intégration (33.17), nous pouvons négliger o>.
$ 33] PHÉNOMÈNES DE RÉSONANCE MAGNÉTOACOUSTIQUE 207
Alors sachant que 6 (x) = tT

lim
ool + ^ nous trouvons
qO *kl (ÙS
x = 4n3paa ^ -T" ( S a «W«a») 2 6 (*1V) « 2 -« T F *
jipy£ (3322>
a, P
Donc, lorsque les inégalités (33.20) et (33.21) sont vérifiées, le coef
ficient d’absorption n’a pas un caractère collisionnel, puisqu’il ne*
dépend pas du temps de relaxation x. Par conséquent il est indé
pendant de la température.
Ces conditions peuvent être réalisées pour des températures plus
élevées, lorsque wx 1, à condition que les électrons de la surface
de Fermi vérifient l’égalité
qv = ce. (33.23)
Sachant que pour l’onde sonore co = qs, où s est la vitesse du son,
l’égalité (33.23) devient
s = v cos d, (33.23a)
où O est l’angle entre la direction de propagation du son et la vitesse*
de l’électron. Seuls les électrons de la surface de Fermi, se propa
geant en phase avec l ’ondé sonore, peuvent absorber le son (méca
nisme d’amortissement de Landau). Comme cette égalité-
(33.23a) ne peut être satisfaite que pour « n/2. La condition
d’absorption d’un phonon (33.23) peut donc être écrite sous la forme
d’une égalité approchée
qv « 0. (33.24).
La vitesse des électrons de la surface de Fermi est, dans l’espace k,
perpendiculaire à cette surface. Les ondes sonores les plus fortement
absorbées se propagent donc perpendiculairement aux sections extré
males de la surface de Fermi. En étudiant l’absorption du son dans
des directions différentes on peut donc définir les orientations des
sections extrémales de la surface de Fermi. On peut obtenir des
informations beaucoup plus précises sur la forme et les dimensions
de la surface de Fermi en étudiant l ’absorption du son pour des
métaux placés dans un champ magnétique. La théorie de ce phéno
mène sera étudiée dans les sections suivantes.
33.1. Absorption du son dans un métal placé dans un champ magné
tique. Supposons que le vecteur d’onde q de Fonde acoustique mono
chromatique de fréquence œ soit perpendiculaire au champ magné
tique extérieur B. Soient l ’axe x dirigé le long de q et l’axe z dirigé*
le long du champ magnétique. Pour simplifier, nous poserons oaf> =
= Ceci simplifie considérablement le calcul. La généralisation
no demande pas cependant de travail excessif.
L’équation cinétique (33.5) devient maintenant

dh , _ «A (33.25)
dt 1 Y dr t - ” E' l
où S2b = eB/mc est la fréquence cyclotron,
(33.26)
ici
(33.26a)
f t* » ]
appelé champ d’induction est dû au passage du système de coordon
nées du laboratoire dans un système en mouvement avec l’onde
sonore.
Les phénomènes magnétoacoustiques les plus intéressants se
produisent dans des champ magnétiques assez intenses, lorsque les
inégalités
1 /t £2b, (33.27a)
(o < Qb, (33.27b)
£2b < qv (33.27c)
sont satisfaites. L’inégalité (33.27a) traduit le fait que l’électron
effectue de nombreuses rotations autour de la ligne de force du champ
magnétique entre deux collisions successives. L’inégalité (33.27b)
permet de considérer le champ de l’onde sur la trajectoire de l’élec
tron comme stationnaire, puisque la fréquence de rotation cyclotron
est très supérieure à la fréquence du son. L’inégalité (33.27c) montre
la grande inhomogénéité du champ de l’onde sonore par rapport au
rayon caractéristique de l’orbite électronique R « v/ÇiB.
Dans l’intervalle de champs magnétiques considéré l’énergie des
interactions électriques inductives, correspondant au champ d’in
duction (33.26a) est bien inférieure aux interactions correspondant
au potentiel de déformation. En effet, si a « cF (voir § 34), on a
|f [ - S - » J r o s h - s^ L» % • « * • t33-28»
On peut donc se limiter aux interactions avec le potentiel de défor
mation. Dans ce cas, dans l'approximation t des ondes sonores (33.12),
l ’équation (33.25) devient
[•7 _ *©— /1 + Qa -fj- = — 75 ?- ©<*1* <*P (» (?*—*>*)], (33.29)

avec
vx = u± cos (p. ,
§ 33] PHÉNOMÈNES DE RESONANCE MAGNETOACOTJSTIQUE 209
Pour écrire l ’équation (33.29) nous avons posé

fi = — ^ - .4 (<P) exp [i (iqx— cùt)]. (33.29a)
Substituant (33.29a) dans (33.29) nous obtenons
a t~\ _ cooqa
A Ü B [ l - e x p ( 2jiY)] X
<p
X j d<Pi©xp [^(qji —qO -f-gj-fsinq»! — sin 9 ) ] , (33.30)
OÙ
7 = (y ~ (33.31)
Compte tenu des (33.27), on peut écrire | y | 1. L’expression
(33.30) peut donc être développée suivant les puissances de y. En
ne conservant que le premier terme, nous obtenons
A (9 ) = J 0 (|) exp ( - iÇ sin 9 ), (33.32)
-------i(ù
X
où g = qv±/QB, / 0 (£) est la fonction de Bessel.
Substituons (33.29a) avec la valeur (33.32) dans la formule (33.10)
définissant le coefficient d'absorption du son; nous obtenons
x = 4«»p™+U»)
Sachant que l ’inéquation (33.27c) est vérifiée, nous pouvons utiliser
la forme asymptotique de la fonction de Bessel pour de grandes valeurs
de l’argument
/ : < ! ) « - s - a + s i n 2 i), 6 > i.
Alors
x= [l + ir ] d Q sin C - ^ - sinQ ) ] ' <33*33)

0
où x 0 est l’absorption (33.22) sans champ magnétique ; 0 est l’angle

entre le vecteur vitesse de l’électron et la direction du champ magné
tique.
Dans l ’intégrale de la formule (33.33), valable pour les grandes
valeurs de qv±/QB, la contribution la plus importante.est due aux
valeurs de l’angle 0 voisines de ji/2. Au voisinage de cet angle, on
peut développer sin 0 , en se limitant aux termes du deuxième ordre,
puis intégrer jusqu’à l’infini. Nous obtenons alors l ’expression
1 4 -0 5 3 4
210 MOUVEMENT D’UN ELECTRON DANS UN CHAMP MAGNETIQUE [CH. V I
finale
x= [* VïtqDÔ s,a ( ^ 0 _ T )] ’ (33.34)

où
D0 = 2ult max^B-
Cette formule (33.34) montre que lorsque le champ magnétique
augmente, à une absorption croissant de manière monotone vient
se superposer une composante oscillatoire.
Bommel, sur un cristal d'étain, observa d'abord une dépendance
non monotone du coefficient d’absorption du son lorsque le champ
Fig. 38. Trajectoire des électrons dans l'espace k (a) et dans l'espace direct (&)•
Le cham p m agnétique B est perpendiculaire au p lan de la feuille.
magnétique (perpendiculaire à la direction de propagation de l'onde

sonore) augmentait [104]. Puis Morse et coll. [1051 découvrirent ce
phénomène dans le cuivre. Pippard [106] donna une interprétation
physique correcte et une théorie qualitative de cet effet. La dépen
dance oscillatoire du coefficient d'absorption du son en fonction du
champ magnétique est appelée résonance géométrique ou résonance de
Pippard. Une théorie de ce phénomène fut aussi développée par
Gourévitch [107] et d’autres chercheurs.
Les considérations suivantes permettent de comprendre la nature
qualitative du phénomène de résonance géométrique. Soit pour sim
plifier une surface de Fermi en forme d’ellipsoïde dont les axes prin
cipaux coïncident avec le système de coordonnées x y y, z. La trajec
toire de l’électron dans l’espace k est représentée pour kz = 0 sur la
figure 38, a. La dimension et la forme de cette trajectoire ne dé
pendent pas du champ magnétique. Sur la figure 38, b on a repré
senté la trajectoire de l'électron dans le plan xy de l ’espace direct.
§ 33] PHÉNOMÈNES DE RÉSONANCE MAGNÊTOACOUSTIQUE 211
Par rapport à la trajectoire dans l’espace k, elle subit une rotation

de n/2, et ses dimensions linéaires sont multipliées par ch/eB. Par
conséquent, lorsque l ’intensité du champ magnétique augmente, la
trajectoire dans l’espace direct est rétrécie.
Puisque le long de la trajectoire de l’électron on peut disposer
un grand nombre de longueurs d’onde du son (qD0 3 > 1), les élec
trons n’interagissent efficacement avec l ’onde sonore que durant
une faible fraction d’une période ; cette interaction a lieu lorsque la
vitesse de l’électron est perpendiculaire au vecteur d’onde q du son
et que les axes kx se propagent le long du front d’onde. Dans le plan
kxk y représenté sur la figure 38, les intéractions ont lieu aux points
a et b. Si la distance entre ces deux points est Z = (fcÿ)max — (&y)min»
dans le plan xy de l’espace direct, cette distance devient L = cnl/eB.
Supposons que le champ magnétique B ait une valeur telle que
la distance entre les points a et b du plan xy corresponde à un nombre
impair de demi-ondes du champ effectif d’interaction. En ces points,
les vitesses des électrons vQ et v& seront parallèles à ce champ et
l ’absorption du son sera maximale. Au contraire, si la valeur du
champ magnétique est telle que la distance Zcontient un nombre pair
de demi-ondes, l’absorption du son sera minimale. On comprend ainsi
que lorsque le champ magnétique augmente de manière monotone,
le coefficient d’absorption du son puisse osciller. Les valeurs maxi
males seront obtenues lorsque
n = 0 , d, (33.35)
Dans le cas d’une onde acoustique longitudinale, le coefficient
d’absorption du son sera maximal lorsque B vérifiera l’égalité
1 2ju?
B chlq n '
n = 1, 2 , . . . (33.35a)
Ainsi, pour des trajectoires électroniques fermées, le coefficient
d’absorption du son est une fonction harmonique oscillatoire de
1/B, avec une période égale à 2nelchlq, où Z est la distance entre les
points de la trajectoire dans l ’espace k où la vitesse des électrons est
perpendiculaire au vecteur d’onde de l’onde sonore.
Comme la valeur de Zdépend de kz (les électrons de différentes
orbites présentent des Z différents), les oscillations du coefficient
d’absorption se produiront avec plusieurs périodes (ceci est reflété
par l’intégration sur 0 dans (33.33)). Lorsque l’on tient compte des
contributions de toutes les trajectoires, l’absorption maximale sera
obtenue pour des valeurs de Z telles que la densité d’états soit maxi
male. C’est le cas des trajectoires correspondant aux valeurs extré-
males de Z.
La position des maxima et des minima d’absorption dépend
donc de la nature de l’extrémum de Z. Un maximum de résonance a
14*
lieu pour
4 - = - 7 ^ r ( » + T ± T)- c » -36)
dans lequel le signe « + * correspond à Zmax et le signe « — * à Zmln.
Pour un minimum d’absorption, il faut remplacer dans (33.36) le
signe précédant 1/4.
De cette manière, par l’étude de la résonance géométrique de
l ’absorption du son, on peut expérimentalement définir les diamè
tres extrêmes de la surface de Fermi dans la direction [qB] de l’espace
k. En étudiant l ’anisotropie de ces diamètres pour une direction
donnée du vecteur d’onde q du son, en faisant tourner (B _L q) le
champ magnétique B par rapport aux axes du cristal on peut définir
l’« ombre » de la surface de Fermi pour chaque direction du vecteur q.
Connaissant ces projections pour différentes directions de q on peut
en principe restituer la forme de la surface de Fermi. En particulier,
dans le cas simple d’une surface fermée convexe présentant un centre
de symétrie, l’observation des oscillations du coefficient d’absorp
tion pour une seule direction du champ magnétique suffit pour resti
tuer complètement la forme et les dimensions de la surface de Fermi.
Lorsque la fréquence des vibrations acoustiques o est assez
élevée, de telle sorte que <o > £2B, la distribution spatiale du champ
sonore dans le métal ne peut plus être considérée comme stationnaire.
La phase de l’onde varie notablement au cours d’une rotation de
l ’électron sur son orbite. Ceci conduit à des oscillations de la ré
sonance cyclotron acoustique. Ses maxima seront observés pour
les fréquences
co = n£2B, n = 1, 2, 3, . . ., (33.37)
si les fréquences sonores, en présence d’un champ magnétique, sont
telles que
1/ t < QB < co < qv. (33.38)
Comme la vitesse du son et la vitesse des électrons sont très diffé
rentes, entre les maxima de résonance cyclotron acoustique on obser
vera un grand nombre d’oscillations de résonance géométrique. La
résonance cyclotron acoustique doit donc apparaître comme une
modulation des courbes de résonance géométrique. La théorie de la
résonance cyclotron acoustique fut obtenue dans [1081. Une descrip
tion expérimentale des premières observations de cette résonance dans
le gallium peut être trouvée dans [1091.
On peut observer aussi une résonance géométrique pour des
surfaces de Fermi ouvertes. Cette résonance présente cependant un
certain nombre de singularités que l ’on peut facilement comprendre
sur un modèle simple. Supposons que la surface de Fermi soit ouverte
dans la direction kx (fig. 39, à) dans l’espace k, et le champ magné
tique dirigé le long de kz. Les vitesses des électrons, dues au champ
S 33] PHÉNOMÈNES DE RÉSONANCE MAGNBTOACOUSTIQUE 213
magnétique, sont perpendiculaires à la surface de Fermi dans l'espace

k. Si le vecteur d’onde de l’onde sonore est dirigé le long de kx (c’est-à-
dire dans la direction d’ouverture de la surface de Fermi), seuls
a) V
Fig. 39. Mouvement de l ’électron dans l ’espace k (<z) et dans l’espace direct (6).
Le cham p m agnétique B est perpendiculaire au plan de la feuille.
les électrons des points a et 6 de l’orbite, dont les vitesses sont pres
que perpendiculaires à kx, interagiront efficacement avec l’onde
sonore.
Dans ce cas les oscillations de résonance géométrique seront dé
crites par la formule
x = x 0£2bT (1 + sin qD), (33.39)
où x 0 représente l ’absorption en l ’absence de champ magnétique,
D = “J2T t ^= (^ y )m a x — (^ y )m in -
Par conséquent, les maxima d’absorption seront obtenus pour

hclleB = (n + 1/4)2ji/ç, (33.40)
où q est le vecteur d’onde du son.
Comme l ne dépend pas de k2, l’égalité (33.40) est vérifiée pour
toutes les sections de la surface de Fermi perpendiculaires au champ
magnétique, et pas seulement pour les sections extrêmes comme dans
le cas d’une surface de Fermi fermée dans l’espace k. Dans (33.39),
devant le terme oscillant, il n’y a pas de petit facteur Y 2!nqD com
me dans (33.34). Les oscillations de l’absorption du son, pour des di
rections du vecteur d’onde parallèles à l’axe d’ouverture de la sur
face de Fermi, sont notablement amplifiées, et on les appelle souvent
résonance géométrique géante.
214 MOUVEMENT D'UN ELECTRON DANS UN CHAMP MAGNETIQUE [CH. VI
33.2. Résonance magnétoacoustique. La résonance géométrique

décrite dans la section précédente doit être observée lorsque la pro
pagation des ondes sonores est perpendiculaire au champ magnéti
que. Il n’y a donc pas dans ce cas de dérive de l’électron dans la di
rection de propagation de l’onde. Si le vecteur d’onde du son n’est
pas perpendiculaire au champ magnétique, dans l’absorption du son
apparaît un phénomène nouveau appelé résonance magnétoacoustique.
Pour expliquer qualitativement le phénomène, nous prendrons
d’abord une trajectoire électronique fermée. Supposons que le vec
teur d’onde de l’électron forme avec le champ magnétique B un
angle 0 (le champ magnétique est dirigé suivant l’axe s).
Dans l’espace direct, l’électron accomplit un mouvement spiralé
autour des lignes de force du champ magnétique. Nous avons vu
(33.24) que seuls les électrons dont la vitesse v est presque perpendi
culaire au vecteur d’onde q du son l’absorbent de façon efficace. Sup
posons qu’il existe un point quelconque de la trajectoire où cette
condition soit réalisée (vJLq). Cette situation va se répéter pério
diquement à chaque période de rotation 2 ji/Qb de l’électron autour
du champ. Or pour une période, la dérive de l’électron est égale à
o__
-g-*z;2 cos 0. Il y aura résonance avec absorption de l’onde sonore.
Chaque fois que cette distance sera égale à un nombre entier de lon
gueurs d’onde des vibrations acoustiques 2n/qy c’est-à-dire si
vz cos 6 _ n
n = 1, 2, 3, . . . (33.41)
Qjb ~~ 9 ’
il y a résonance dans l’absorption du son.
Cette résonance magnétoacoustique présente beaucoup d’analo
gies avec le phénomène de résonance cyclotron dans les métaux,
mais au lieu de faire intervenir la périodicité temporelle de l’onde,
c’est sa périodicité spatiale qui est en jeu. On peut dire que la ré
sonance (33.41) représente la résonance cyclotron sur une fréquence
déplacée par effet Doppler. En effet, la résonance (33.41) peut être
traduite par la formule
q ( v > = ziS2B, (33.41a)
où ( v ) est la vitesse moyenne de l’électron. Comme < v > est di
rigé le long du champ magnétique (axe z), (33.41a) coïncide avec
(33.41).
La résonance magnétoacoustique est possible lorsque la projec
tion de la vitesse de l’électron < v > , moyennée sur une période
2ji/Qb, sur le vecteur d’onde q est différente de zéro et lorsque le
libre parcours moyen de l’électron est nettement supérieur à son
déplacement moyen 2 n ( v z ) /£2B.
Pour des orbites électroniques fermées, dans l’espace k, la va
leur vq diffère de zéro seulement dans le cas où le vecteur d’onde du
S 33] PHÉNOMÈNES DE RÉSONANCE MAGNÊTOACOUSTIQUE 215
son n'est pas perpendiculaire à B. Pour des orbites électroniques ou

vertes, on peut observer la résonance même lorsque q est perpendicu
laire à B, pourvu que q soit perpendiculaire à l’axe de l’orbite ouver
te dans l’espace k (dans notre cas l’axe kx). Dans ce cas, le mouve
ment de l’électron le long de l’axe y est infini dans l’espace direct,
puisque ( vy ) ^ 0. Le rôle de la période cyclotron (de Larmor)
est joué par le temps T mis par l’électron pour traverser une
période gx de la zone de Brillouin dans la direction d’« ouverture »,
c’est-à-dire
T
(33.42)
Intégrons l’équation du mouvement de l’électron dans le champ

magnétique
h
entre 0 et T; compte tenu de (33.42) nous obtenons
T
hgx = - î f j vydt = --c 5 (va)T. (33.43)
0
Dans le cas d’une orbite ouverte, la résonance magnétoacoustique a

lieu lorsque la distance
( v y > T = hcgJeB
contient un nombre entier de longuers d’onde :
hcgJeB = n 2nlq, n = 1, 2, 3, ...(33.44)
Il est remarquable que, dans la résonance magnétoacoustique sur
des orbites ouvertes, cette condition soit satisfaite simultanément
pour toutes les orbites ouvertes. En effet la valeur moyenne sur une
période T du déplacement électronique dans la direction y est défi
nie seulement par une période du réseau réciproque. Par conséquent
la moyenne prise sur l’ensemble de toutes les orbites ouvertes n’amor
tit pas la résonance. Dans les conditions de résonance (33.44) les
ondes sonores perpendiculaires au champ magnétique et à l’axe d’ou
verture de la surface de Fermi sont intensément amorties.
Les premières résonances magnétoacoustiques sur des orbites ou
vertes furent découvertes expérimentalement sur l’étain et théori
quement expliquées dans [1111. Une théorie quantitative fut déve
loppée par Kaner et coll. [1101. Selon cette théorie, le coefficient
d’absorption du son est décrit par une formule du type
X“ X°Y[ } ^ i + y t sin*\qeHgx/2eB) ] » (33.45)

dans laquelle y = et $ est un paramètre numérique sans di

mension proportionnel aux contributions relatives des orbites ou
vertes par rapport aux orbites fermées (la contribution des orbites
fermées est donnée par le premier terme de l’expression).
Contrairement à la résonance géométrique sur des orbites fermées
décrite au paragraphe précédent, la résonance sur des orbites ouver
tes est caractérisée par des raies étroites dont la largeur relative par
rapport au champ magnétique est égale à
AB 1
B ^ q < v y) x '
Entre les pics d’absorption sont situées des régions de faible affai
blissement. En outre, contrairement aux oscillations de Pippard
(voir (33.36)), la « phase » initiale des maxima de résonance est nulle
(33.44). Lorsque le libre parcours moyen des électrons augmente,
l’intensité des raies augmente dans les maxima et leur largeur dimi
nue.
Dans les premières expériences [111] sur l’étain, à la tempéra
ture de 4,2 K dans des champs magnétiques atteignant 4 kOe, on
observa des dizaines de pics d’absorption étroits. La fréquence de
l’onde sonore, se propageant le long de l’axe du cristal [101 ], était
220 MHz. Les maxima d’absorption étaient beaucoup plus étroits
que les minima étalés et présentaient une répartition périodique en
fonction de l’inverse du champ magnétique. Conformément à la rela
tion (33.44) la « phase » de ces oscillations est nulle, et l’amplitude
croît proportionnellement au champ magnétique. Les périodes d’os
cillations sont mesurées pour plusieurs orientations du vecteur q.
par rapport aux axes de la surface de Fermi ouverte de l’étain. Ces
mesures ont permis de trouver la direction d’« ouverture » de la sur
face de Fermi ainsi que la valeur de la période du réseau réciproque.
Cette période, égale à gx = 15,0 X 10“20 g-cm/s, était en accord avec
la dimension de la zone de Brillouin obtenue par d’autres méthodes.
La résonance magnétoacoustique fut découverte aussi sur des or
bites ouvertes dans beaucoup d’autres métaux (cadmium, zinc, cui
vre, argent, plomb, thallium, magnésium, rhénium). Cette méthode
est actuellement largement utilisée pour déterminer directement les
surfaces de Fermi ouvertes, la vitesse des électrons, leur masse ef
fective et leur libre parcours.
Dans le domaine des hautes fréquences (<ot ^ 1) chaque maxi
mum de résonance se dédouble. La distance entre les composantes du
doublet (pour &T <§; 1) est donnée par la condition
qhcgJeB = 2nn ± < ùT. (33.46)
La grandeur de la séparation permet de calculer directement la pé
riode du mouvement de l’électron sur l’orbite ouverte dans l’espa
ce k.
§ 33] PHÉNOMÈNES DE RESONANCE MAGNETOACOUSTIQUE 217
L'amplitude de résonance magnétoacoustique est très anisotro

pe. Elle varie considérablement dès que le vecteur q s'écarte du plan
perpendiculaire à B. Dans les métaux à surface de Fermi fermée la
résonance magnétoacoustique n’a pas lieu lorsque le vecteur q
est orthogonal au champ magnétique (q ( v >= 0). Lorsque q J_ B
la contribution des orbites ouvertes à l’absorption diminue bruta
lement à mesure que le champ B s’écarte de la direction normale à
la direction d’« ouverture ». Si l’angle d’inclinaison 0 ^ (Am)"1,,
la partie oscillatoire de l’absorption est (Am0) " 2 fois plus faible quo
pour 0 = 0. Les oscillations résonantes cessent lorsque 0 est tel
que la ligne qv = 0 est située sur une orbite fermée de l’espace k.
Dans le cas des trajectoires fermées, la période des oscillations de
résonance dépend de A,. La moyenne prise sur toutes les valeurs de
kz diminue la hauteur et élargit les courbes de résonance. C’est pour
quoi on peut observer des raies d’absorption fines et une dépendan
ce angulaire notable de la résonance magnétoacoustique seulement
pour des métaux comportant une surface de Fermi ouverte.
33.3. Oscillations géantes du coefficient d’absorption du son dans
les champs magnétiques intenses. Dans les champs magnétiques
intenses, l’énergie de l’électron de conduction du métal est quantifiée
(voir (29.11))
ca = hQB (v + V2) + frkl/2m *, (33.47)
Q b = eBIcmi, a = {v, AJ, v = 0, 1, 2, ... (33.47a)
Le degré de dégénérescence de l’état a dans l’unité de volume sur
l’intervalle ÔA2 est, conformément à (29.13),
5P (33.48)
A basse température, lorsque
6
la quantification (33.47) peut donner lieu à des oscillations quanti

ques géantes lors de l’absorption du son [1121.
Etudions les principales propriétés de ce phénomène. En pre
mière approximation de la théorie quantique des transitions, pour
une transition d’un électron de l’état a d’énergie (33.47) à l’état
b = { v \ AJ d’énergie
e 6 = HQb (v' + V2) + fi2 (A;)2/2m*, (33.49)
on peut définir la probabilité d’émission d’un phonon co, q par unité
de temps à l’aide de l’expression
=^ |F 06|*ô(e6- e 0 - M . (33.50)
La transition inverse dans laquelle un phonon est absorbé sera dé

finie par la probabilité
W ti = iL 1 1 (e6 —ca -M û>). (33.51)
Connaissant (33.50) et (33.51), on peut trouver l'énergie libérée

'dans le cristal par unité de temps et par unité de volume par l'ab
sorption de l'onde sonore
•# = 2j«i>2 l ^ | 2/.(e « )H -/.(e » )lX
a, b
X [6 ( c6 —e«— ft©) —ô(c6 —ea + fia)], (33.52)
-où
fo (e) = [exp l ]"1
-est la fonction de distribution des électrons à l’état d’équilibre, d’éner
gie e à la température © (exprimée en unités énergétiques); \i est
le potentiel chimique. Le facteur /„ (ca) [1 — / 0 (e&)] tient comp
te du principe de Pauli, selon lequel la transition est possible seu
lement lorsque l’état ea est occupé et l’état e* libre. En échangeant
les indices a et &dans la deuxième fonction delta de la somme (33.52)
mous obtenons
Q = 2«® 2 |Ffc, | 2 [ /0 (ett) —/„ (e6)J Ô(e6 - e a -fc o ). (33.53)
a, b
Les éléments de matrice sont différents de zéro pour des tran

sitions vérifiant
v' = v et k't = kz + qz. (33.54)
Dans ces conditions, et lorsque qz kz
e6 — c0 — ka> fa h (kqzkz/m* — co). (33.55)
O n peut écrire aussi
/o(e6) - /o ( e „ ) « - /iû > (-g^) = - | | . c h 2 ^ ü -. (33.56)
Compte tenu des relations (33.54) à (33.56), en passant de la som
mation à l’intégration sur kz et en utilisant l’expression du degré
•de dégénérescence (33.48) on a
<? = “ W S Î l^ ! 2 ( - ^ ) a ô(M I?l/m '-(û )d A I. (33.57)
V
Pour QB ;§>(D nous obtenons l’égalité approchée

(i/o \ ___ 1_ h2 ea p ___ 1 chg »OB(v+1/ , ) - i i
\ dt ta 20 Cû 20 20 Cû 0
5 33] PHÉNOMÈNES DE RESONANCE MAGNÊTOACOUSTIQUE 219
Substituons cette valeur dans (33.57). Intégrons sur kz. Nous trou
vons
^ = G i | 2. 2 ch2 (v+Vt) —M»
20
V
Ce résultat montre que les maxima d’absorption du son sont obtenus

pour
-1 . = eh (v - f 1
Ainsi, l’énergie Ç, en fonction de 1/Æ, présente des maxima aigus
régulièrement distribués avec une périodicité égale à
A (1/5) = eJUcm* ji.
Ces maxima sont séparés par de larges zones où l’absorption du son
est très faible. Dans une théorie plus détaillée, Kaner et Skobov
(89] tiennent compte de l’amortissement des électrons. Celui-ci
abaisse et élargit les maxima.
Les oscillations géantes furent découvertes pour toute une série
de substances (voir par exemple [113]). Si la surface de Fermi est
ouverte, pour des valeurs et des directions données du champ magné
tique le coefficient d’absorption du son tombe brutalement. Pour
des valeurs intermédiaires, il dépend peu du champ magnétique.
On étudie la théorie de ces phénomènes dans [114].
33.4. Interaction résonante du son avec les hélicons. Dans les
sections précédentes de ce paragraphe, nous avons étudié l’interac
tion des ondes acoustiques avec les électrons de conduction sans te
nir compte du champ électromagnétique accompagnant dans le mé
tal l’onde acoustique. Etudions à présent l’interaction des vibra
tions acoustiques avec des hélicons faiblement amortis. Cette inter
action est due aux électrons de conduction du métal.
Dans la plupart des cas, l’interaction entre les ondes acoustiques
et les ondes électromagnétiques est faible, parce que leurs vitesses
diffèrent notablement. C’est seulement lorsque les vitesses de ces
ondes coïncident que leur interaction devient importante et prend
un caractère résonant. Ces conditions sont réalisées avec les hélicons.
En effet, la vitesse de phase des hélicons est bien plus petite que la
vitesse des électrons à la surface de Fermi. Elle dépend de la fré
quence et de la grandeur de l’intensité du champ magnétique
iùBc
vH= c y (ûQB/cDp= 4rtJVe* •
220 MOUVEMENT D’UN ELECTRON DANS UN CHAMP MAGNETIQUE [CH. V I
où top= j / r est la fréquence de plasma (de Langmuir), N

est le nombre d’électrons de conduction par unité de volume du cris
tal, e, m* sont leurs charge et masse effective, c est la vitesse de la
lumière.
La dispersion co (k) des hélicons est quadratique, et celle de l’on
de sonore linéaire. S’il n’y a pas d’interaction entre les hélicons et
le son, ces courbes de dispersions se coupent. Pour un son transver
sal, se propageant avec la vitesse st dans la même direction que le
champ magnétique, cette intersection correspond à des valeurs de
U et de B vérifiant l’égalité
cdQb = (st(op/c)2. (33.59)
A cause des interactions entre les ondes acoustiques et les hélicons,
on voit apparaître un nouveau type d’onde, que l’on peut représenter
par une superposition linéaire des deux ondes. Le « mélange »
est particulièrement important au vosinage de la résonance. La
théorie de ce phénomène a été développée par Kaner et Skobov [89].
Nous étudierons ici le cas le plus simple, lorsque l’onde sonore
se propage dans un métal alcalin le long de la direction de B. Dans
ces métaux la surface de Fermi est sphérique, et la loi de dispersion
des électrons de conduction est isotrope et quadratique
e (k) = h2k 2/2m*, (33.60)
où m* est la masse effective de l’électron.
Nous avons montré au § 31 que dans un champ magnétique in
tense où
1 /t, co, qv < Qb,
des hélicons pouvaient apparaître dans le métal.

D’après (33.28), lorsque l’inégalité qv -C ÇiD est satisfaite, les
interactions électron-réseau sont principalement des interactions in
ductives. Si a est le tenseur de conduction transversale, le courant
transversal (dans le plan xy) d’électrons du métal sera
i = i( E + i[ f 8 ]). (33.61)
où les composantes du tenseur de conduction sont
~ ~ N e* ~ ~ Ne 1 /00
— — °yx— (33.62)
Le champ magnétique B agit sur l’onde sonore, et la force de cet
te interaction est donnée par le courant (33.61) à l’aide de l’expres
sion
1
S 33] PHÉNOMÈNES DE RÉSONANCE MAGNÊTOACOUSTIQUE 221
L'interaction du champ électromagnétique alternatif avec l'onde

sonore est donc définie par le système d’équations
0*U
dt* - s î - £ r = - è - H Bl’ div E = div H = 0 -
(33.63)
ro tH = ^ j, rot E = - l ^ . t
où E et H représentent les intensités des champs électrique et magné
tique alternatifs, B est le champ constant appliqué, p la densité
massique du cristal.
Supposons que toutes les variables E, H, u dans (33.63) dé
pendent des coordonnées et du temps par une fonction de type
oxp [i (qz — co/)l. (33.63) devient
(ç*sf— <û2)u=»-£-[jB],
(33.64)
?2c2E = i4ncùj, j = â | E — -y- [ u B ] |.
Pour résoudre ce système d'équations, introduisons les grandeurs
E = Ex — j = j x — ijyi u = ux iuy
•correspondant à une onde polarisée circulairement. Eliminons E et
«u du système obtenu. On trouve alors une équation définissant le
courant j:
(* « v y| j (33.65)
\A 4 /'1
ju ù g (û1) •
= f1® x x - w*üjj
® yx Net (\ i 1jj )/
TÛ (33.66)
L'équation homogène (33.65) admet une solution non nulle lors
que
[ « ._ ,« (33.67)
où vh = cj/^coQfl/coJ est la vitesse des hélicons.
L'égalité (33.67) détermine la relation de dispersion des ondes so
nore et hélicon couplées.
Le second membre de (33.67) est dû aux interactions inductives
entre les hélicons et l’onde sonore. Si la densité du cristal était in
finiment grande (p -*oo), cette interaction disparaîtrait, et l’équa
tion de dispersion (33.67) se séparerait en deux équations indépen
dantes définissant respectivement la dispersion des ondes sonores et
des hélicons.
Pour que les interactions hélicon-onde sonore soient maximales,
il faut non seulement que l'on se place au voisinage de la résonance
222 MOUVEMENT D’UN ÉLECTRON DANS UN CHAMP MAGNÉTIQUE [CH. V I
vh = sh mais aussi que l’inéquation qv<^QBl caractérisant le

champ magnétique minimal créant les hélicons soit satisfaite. Cette
inéquation peut être écrite sous la forme
(d /Q b ^ stfvh. (33.68)
Pour desfmétaux avec N « IG22 cm"3, st « 105 cm/s, v h æ 108 cm/s
les conditions précédentes sont vérifiées pour des fréquences co/2n «
æ 100 MHz et des champs B = 50 à 100 kOe.
A une fréquence co donnée, en supposant que les grandeurs sans
dimensions
r = (xQB)-*, Ô * -£ 2/4np s? (33.69)
Vh
restent petites, on peut résoudre l’équation (33.67) sous la forme
ql * = (tT ) :2 [ 1 + T <A + iT">± T V ( Â + Ï Ï T + 4 6 i ] . (33.70)

La liaison des hélicons avec l’onde sonore est donc caractérisée par
la grandeur*relative des paramètres r* et ô2. Lorsque les temps de
relaxation* sont petits, on a
4Ô2 < T2. (33.71)
La liaison hélicons-onde sonore est faible, et l’expression (33.70) de
vient
( | - ) 2(1 + A+ i r )’ 7 * « ( - ) 2 ( l - x ^ r ) P our A > 0’

(33.72)
( îr ) 2 !1— Â T ît)’ +^+ pourA < 0 .

Au contraire lorsque les^temps de relaxation sont importants, la
liaison hélicon-onde sonore_est forte
4ô2 » T2. (33.73)
Dans ce cas, au voisinage de la résonance (A2 < 4ô2), on ne peut sé
parer les hélicons des ondes sonores, et la loi de dispersion du mélan
ge des deux types d’ondes est
Les deux ondes ont le même amortissement.

Dans le cas de la liaison forte (33.73), loin de la résonance (A2
^ > 4ô2), les solutions (33.70) ont la même forme que dans le cas de
liaison faible. Par conséquent, on peut dire que la grandeur 6 (33.69).
S 33] PHÉNOMÈNES DE RÉSONANCE MAGNÉTOACOUSTIQUE 223-
joue le rôle d’une largeur effective caractérisant le domaine d’inter

action résonante hélicon-onde sonore.
Dans le cas considéré ci-dessus, le son se propage dans la direc
tion du champ magnétique, et les hélicons entrent en interaction
seulement avec l’onde sonore transversale. Lorsque la direction de
propagation du son forme un certain angle avec le champ magnéti
que, il peut y avoir des interactions entre les hélicons et l’onde sono
re longitudinale. Cependant dans ce cas visiblement on ne peut
avoir de liaison forte.
CHAPITRE VII
INTERACTION ÉLECTRON-PHONON
§ 34. Méthode du potentiel de déformation

dans les cristaux covalents
Dans les chapitres cinq et six nous avons étudié les états électroni
ques d’un réseau parfait constitué d’atomes (d’ions) rigidement fi
xés aux nœuds. A la limite cette approximation revient à affecter
aux atomes (ou aux ions) une masse infiniment grande. Le déplace
ment des atomes à partir de leur position d’équilibre détruit consi
dérablement la périodicité du
champ cristallin. Cette déforma
tion s’accompagne d’une modifi
cation locale de l’état électroni
que. Inversement, une modifica
tion locale de l’état électronique
provoque une variation locale des
forces interatomiqueset, par suite,
une déformation locale du réseau
et l’excitation de vibrations ato
miques : les phonons. La présence
de ces phénomènes permet de dire
Fig. 40. Variation de l’énergie des élec qu’il existe une interaction entre
trons 25 et 2p des atomes de carbone
lorsque la distance interatomique les électrons et les phonons. Cette
augmente. interaction électron-phonon appa
raît même au zéro absolu. Lorsque
la température augmente, cette interaction joue un rôle croissant.
L’interaction électron-phonon correspond à une série de phéno
mènes spécifiques dans le cristal : 1) le mouvement des électrons
s’accompagne toujours du mouvement d’un champ de déformation
(effet de polaron) ; 2 ) les électrons, absorbant ou émettant des pho
nons, transitent d’un état à un autre; 3) dans des cas particuliers
l’interaction des électrons avec les phonons fait apparaître le phé
nomène de supraconductivité et d’autres modifications de l’état du
solide.
Dans les cristaux covalents (non ioniques), en particulier dans
les semi-conducteurs du type germanium et silicium, l’interaction
électron-phonon peut être décrite par un potentiel de contrainte
{de déformation), introduit par Bardeen et Shockley [H 51. Le poten-
§ 34] POTENTIEL DE DEFORMATION DANS LES CRISTAUX 225
tiel de contrainte caractérise la variation des états énergétiques des

électrons lorsque la distance interatomique varie. La figure 40 re
présente la variation de l’état énergétique des électrons atomiques
2s et 2 p lorsque la distance entre atomes de carbone varie de manière
homogène (dans le diamant).
Parmi les excitations élémentaires d’un cristal, les excitations de
grande longueur d’onde jouent un rôle prépondérant. Pour de telles
excitations, le cristal peut être considéré comme un milieu continu.
Rappelons comment on décrit les déformations d’un milieu continu
([1161, 2 e partie, § 1). Supposons que le déplacement faible d’un point
d’une position r à une position r soit représenté par un champ de
vecteurs-déplacement u (r) :
r = r + u (r). (34.1)
Le champ de vecteurs-déplacement u (r) fait varier la distance entre
deux points voisins. La variation du carré de cette distance est
3 3 3
2 (£T )2 = 2 (à*t+ 2
i-1 i- i /-1
où
est le tenseur de déformation réel symétrique. Ce tenseur peut être

rapporté à ses axes principaux. Les variations d’une petite longueur
le long des axes principaux sont données par
ôxv = (14* 5w) v = 1 , 2, 3, (34.3)
où
6- - £ < « •«
sont les valeurs principales du tenseur de déformation. La variation de
volume due à la déformation (34.1) est égale à
ô ^ = (1 + lu ) (1 + U (1 + Êss) ÔF * (1 + 2 S~) ÔF.
V
La variation relative du volume s’exprime en fonction du tenseur de

déformation
p = àVi v V = 2 S w = Tr l. (34.5)
V
La définition (34.4) permet d’écrire l’égalité

Tr | = div a (r), (34.6)
1S-0534
226 INTERACTION ÊLECTRON-FHONON [c h . v n
c'est pourquoi la variation relative du volume peut être exprimée

directement en fonction des vecteurs-déplacement u (r).
Dans les cristaux cubiques, les surfaces isoénergétiques, au voi
sinage du centre de la zone de Brillouin dans l'espace k, ont une for
me sphérique. Dans l'approximation de la masse effective, la loi de
dispersion prend la forme simple
E (k) = fc2k2 (2m*)-1 (34.7)
pour un cristal parfait.
Supposons qu'à la suite d'une déformation élastique, il se forme
dans le cristal une région de densité élevée, donc de polarisabilité éle
vée. L’électron de conduction est attiré vers cette région à grande po
larisabilité. Vis-à-vis de l’électron de conduction cette région repré
sente donc un puits de potentiel qui, en raison de l'inertie du dé
placement atomique, ne réussit pas à suivre le mouvement électro
nique.
L’attraction liée à la présence de ce puits tend à abaisser l’éner
gie de l’électron. En toute rigueur, cet abaissement n ’est pas déter
miné seulement par la déformation au point même où se trouve l’élec
tron, mais par la déformation de toute la région environnante. Ce
pendant pour des déformations qui varient peu sur plusieurs mailles
élémentaires, on peut dire que l’abaissement d’énergie de l’électron
(variation de la loi de dispersion) en un point du cristal est défini
par la déformation en ce même point.
Dans une faible déformation caractérisée par le tenseur de défor
mation £, la loi de dispersion devient
E (k. 5 (r)) = E (k) - or Tr l (r), (34.8)
où a est un certain paramètre faiblement dépendant de k pour les
faibles k. On peut évaluer sa grandeur, à condition de supposer que
la loi de dispersion (34.7) conserve la même forme jusqu’à l’énergie de
Fermi
„ _ h » t 3n*N \ 2 /3
tjF ~ 2 ^ V F ; •
Lorsque le volume varie, cette énergie varie de

6E f = - ± E f ^ - = Tr t
Par conséquent le paramètre a est défini par l’égalité
°-T
Pour certains cristaux les surfaces isoénergétiques, dans l'ap
proximation de la masse effective, sont des surfaces d'ordre deux
(34.9)
V. I»
Dans ces cristaux, la variation de E (k ) lors d'une déformation n'est

pas seulement déterminée par la variation relative de volume p =
= Trg, mais aussi par le tenseur de déformation de cisaillement
Tr l, (34.10)
caractérisant les variations de forme, le volume restant inchangé.
Dans le cas général la variation de E (k ) lors d’une faible déforma
tion peut être écrite sous la forme
E( k, g - £ ( k ) = _ a T r i + p S (r)(m^)-*, (34.11)
V, M
>
où a et p sont deux paramètres.
Si la déformation est non homogène, le tenseur de déformation
Êvn (r) dépend de la coordonnée r. On suppose que l'expression
(34.11) reste valable pour des déformations hétérogènes faiblement
variables. Dans l'approximation adiabatique elle vient s'ajouter à
l'énergie potentielle (19.1) des électrons du réseau. Ce terme supplé
mentaire est appelé potentiel de contrainte
w d (r) - - o Tr 1 (r)+ P S fcvVlvu W W 1. (34.12)
v, H
Dans les cristaux isotropes cette expression se simplifie:
W d (r) = —a Tr E (r) = —a div u (r). (34.13)
Le potentiel de contrainte (34.13) définit, dans la représentation opé-
ratorielle des coordonnées, l'opérateur énergie d'interaction des élec
trons avec les vibrations acoustiques de grande longueur d’onde.
Au paragraphe 8 nous avons représenté l’opérateur du vecteur-
déplacement u (r) de l'atome à partir du nœud n sous la forme
"(n ) = s / -2MNÜ.(qï e»(q) + » -« . «)e<qn> (34.14)

«. q
dans la représentation du nombre de remplissage des phonons. Ici
Q# (<l) = Qcê est la fréquence ; cs la vitesse des phonons acoustiques de
la branche s pour des grandes longueurs d’onde; ea (q)=ea (—q) le
vecteur unitaire de polarisation de ces phonons ; M la somme des mas
ses des atomes contenus dans la maille élémentaire; N le nombre-
de mailles élémentaires du cristal.
Substituant (34.14) dans (34.13) nous trouvons l'opérateur du
potentiel de contrainte dans la représentation du nombre de remplis
sage des phonons acoustiques
ÏFd( r ) - - ^ = - 2 F a W ib ia -b U .J e * * ', (34.15)
^ q
15*
228 INTERACTION BLECTRON-PHONON [CH. vn
OÙ
F .(q )------ « - / - Ê S t - f34'16»

Si les vibrations du réseau sont divisées en vibrations longitudinales
et vibrations transversales (voir § 8), l’indice a représente la branche
longitudinale desr vibrations acoustiques. Les deux branches trans
versales ne contribuent pas à (34.15).
Cherchons maintenant à transformer l’opérateur (34.15) dans
la représentation du nombre de remplissage des états monoélectro
niques dans la zone de conduction. Ces états sont caractérisés par
l’énergie et les fonctions d’onde
« ? (* » )• (34.17)
Comme au § 21 f introduisons les fonctions opératorielles
Ÿ (r) — S M > k (r).
l£
où’ a* et a£ sont les opérateurs de Fermi de création et d’annihila
tion d’un électron dans les états (34.17). L’opérateur d’interaction
des électrons avec les phonons acoustiques longitudinaux (34.15)
devient
J7I n t S j Y 7 r ) ^ ^ ( ^ ) ¥ ( ^ ) d » ^ -
= - ^ 2 F a (q)a£.HKIk (&qa- & i ^ (34.18)
Dans l’expression obtenue on a négligé l’opérateur

S & (q-J- g) fllc+q+gûk (^qo- &-q, o)t (34.19)
k. q. gt+o)
où g est un vecteur non nul du réseau réciproque. L’opérateur (34.19)
décrit les processus de < rejet », contrairement à l’opérateur (34.18)
qui décrit les processus de diffusion normale *). Lors d’un processus
de rejet, l’électron peut diffuser avec de grands angles, même sur des
phonons de grande longueur d’onde. Cette diffusion est réalisée aussi
bien sur des phonons longitudinaux que sur des phonons transver
saux, même lorsqu’ils existent à l’état pur. La diffusion avec rejet
n’est pas en principe différente de la diffusion normale. Elle ap
paraît lorsque le vecteur d’onde de l’électron est égal ou supérieur à
la distance minimale séparant deux surfaces de Fermi voisines dans
*) Les processus de rejet sont liés à la structure périodique discrète du

réseau cristallin.
l'espace k élargi. C'est pourquoi lorsque la température est suffisam

ment basse et seuls les phonons de grande longueur d'onde sont ex
cités, les processus de diffusion avec rejet ne jouent aucun rôle
(ils sont « gelés»). Mais lorsque la température augmente, les pro
cessus de rejet contribuent notablement à la résistivité (voir aussi
§ 9). Plus bas nous étudions seulement la diffusion normale.
Chaque terme de l'opérateur (34.18) caractérise les processus
d'émission et d'absorption d'un phonon par l'électron. On peut leur
Fig. 41. Diagrammes de Feynman illustrant les processus d’absorption et d’émis

sion de phonons par un électron.
faire correspondre les diagrammes de Feynman représentés sur la fi

gure 41. Les flèches rectilignes dirigées vers le point nodal correspon
dent aux opérateurs d'annihilation, celles qui sortent des points no-
daux correspondent aux opérateurs de création d’états électroniques.
Les flèches ondulées sont relatives aux opérateurs phononiques.
34.1. Phonons virtuels accompagnant l'électron dans un cristal
covalent. Les excitations monoélectroniques interagissant avec des
phonons longitudinaux sont décrites par l'opérateur
H = H 0 + Hini, (34.20)
où
2 ^ (k) aiat + 2 * G (q) [ & & , + - ] . (34.21)
k q
^ L -2 M q ) (34. 22)
Si l’on ne tient pas compte de l’interaction (34.22) un état compre

nant un électron de vecteur d’onde k et vq phonons acoustiques de
vecteurs d’onde q sera défini par la fonction
| k, vq> - a î - p l = ( 6 ; ) v««|0>. (34.23)
Cet état correspond à l’énergie

Sk. vq ™ E (k) + (vq + y ) tSi (q). (34.24)
230 INTERACTION ELECTRON-PHONON [c h . y n
où
£ (k) = - ^ ’ û(q)=«.lql- (34.25)
Etudions les modifications de l’état (34.23) lorsque l’on introduit

l’interaction (34.22), considérée comme une faible perturbation.
En première approximation de la théorie des perturbations, les états
stationnaires sans phonons réels (à la température du zéro absolu),
compte tenu de l’interaction (34.22), sont caractérisés par la fonc
tion
Y k0 - 1 k ; 0 > - 2 ô (E 7 q ) I k iî *«> <k iî U I * i » t I k ? °> . (3 4 -2 6 )

*». A
où
D (k. q) s E ( k - q ) + fi£2 (q)—E (k) = ^ - [ q (q + Q )-2 k q ],
(34.27)
Q s2 m * e aq/R | q |,
(kiî k; 0>« - i a k_q. (34.27a)
Lorsque la masse effective de l’électron m* coïncide avec la mas

se de l’électron libre, et si ca 5 «ÎO* cm/s, Q = 106 cm-1. Pour
tout les | k | inférieurs à 1/î Q, l’expression D (k, q) est différente de
zéro. Par conséquent, lorsque Fa (q) est petit et k <g.Q, l’utilisa
tion de la première approximation (34.26) est justifiée. Dans ce cas
on pose
D (k, q) « D (0, q) = ft*q (q -f Q) /2m*. (34.28)
Calculons le nombre moyen de phonons dans l’état (34.26). Il
est défini par l’expression
(VMÔFwIS&q&qlYko).
q
En introduisant dans cette expression les valeurs (34.27a) et (34.28)
on obtient (pour 2k <.Q )
, V ^ l(k —q ; l q |f f m t |k ; 0 ) |* 2 (m * )* o * ^ r, (/ .
<Vm>“ 2 ---------&(orqj-------- “ T f c f c r S n q K q + w *•
(34.29)
5 34] POTENTIEL DE DEFORMATION DANS LES CRISTAUX 231
Pour calculer la somme sur q passons de la sommation à l’intégra

tion conformément à la règle
*/•
"Jÿ" 2 • • * = 2Ü* j • • -92 v=
q 0
a est la constante du réseau. Sachant que
0
on trouve l’expression finale *) (pour 2k <c Ç)
< ^ > “ (•=?- (* ■ + £ ) ■- ( ■ # • + * ) " ] • f34-30»

Pour donner une évaluation quantitative du nombre moyen de
phonons virtuels accompagnant l'électron lent, posons
o î« 5* 1011 erg, m* =■ 1 0 ^ g , -y-‘ = 5 g/cm3ê
On obtient alors ( v > » 0,04. Cette valeur montre combien la liai

son entre électrons lents et phonons acoustiques longitudinaux est
faible. Ceci justifie T utilisation du premier ordre de la théorie des
perturbations. Par conséquent, l'interaction des électrons avec les
phonons du cristal ne modifie pas la structure en bandes du spectre
électronique et conduit à un faible déplacement des limites des bandes
et à une variation faible de la masse effective de l'électron [117, 118]
(voir § 34.2).
Chaque terme de la somme (34.29) est constitué d'un produit de
deux éléments matriciels
( 0 ; k | H int | k — q; 1° > < l q; k — q | H lnt | k ; 0>;
*) Dans le calcul de (34.29), si, au lieu d’utiliser l’expression approchée

(34.28), on se sert de (34.27), on obtient pour 2k < Q
(Q—2k) (-5-+Ç +2*)
+ 2* lu Q*—4ft*
■}
232 INTERACTION ÊLECTRON-PHONON [CH. ATI
on peut lui faire correspondre le graphe de Feynman de la figure 42.

Sur ce graphe un électron situé au point a émet un phonon et le réab
sorbe au point b.
Dans les cristaux covalents le mouvement lent d'un électron dans
la bande de conduction s'accompagne donc du déplacement d'une dé
formation cristalline locale. Dans le langage de la théorie des pertur
bations, on peut décrire cette déformation comme une émission sui
vie d'une réabsorption par l’électron'de phonons virtuels représentées
q
k-g
Fig. 42. Diagramme de Feynman montrant rémission et l’absorption d’un pho
non virtuel par un électron*
sur la figure 42. Cette descrition démonstrative reflète seulement

une méthode de calcul, et non un processus réel d'émission et d'ab
sorption de phonons. En effet l'électron lent ne possède pas suffisam
ment d'énergie pour émettre un phonon réel d'énergie ££2q.
34.2. Renormalisation du spectre des électrons lents et émission
de phonons. L'interaction électrons-phonons considérée au paragraphe
précédent modifie la loi de dispersion électronique. Pour un électron
de faible énergie | k | <^C Ç, cette modification conduit à un simple
déplacement de la bande énergétique E (k) par rapport à sa position
en l'absence d'interaction avec les phonons et à une augmentation
de la masse effective de l’électron. Dans ce cas l’état du cristal carac
térisé par une énergie et un vecteur d'onde déterminés est une com
binaison complexe d’états monoélectroniques et de phonons virtuels
(déformations du réseau). Cet état est parfois appelé « électron habil
lé ». L'énergie de cet état contient aussi l'énergie de déformation du
réseau, et le vecteur d'onde, qui se conserve, est une combinaison des
vecteurs d’onde de l’électron et des phonons virtuels. Le vecteur d'on
de de chaque électron « nu » n'est pas une intégrale du mouvement.
Pour illustrer ce qui vient d’être dit, il suffit de calculer l'éner
gie de l'électron «habillé» à l'approximation d'ordre deux de la
théorie des perturbations. Sachant que, conformément à (34.18), les
seuls éléments matriciels non nuis de l’opérateur 17,nt doivent re
lier les états |k ; 0) et | k — q; la), l’énergie de l’électron à
l’ordre deux de la théorie des perturbations est
%(k) = * S £ - 2 l<k-«i; U I R m Ik; (34.31)
q
où D (k, q) est [donné par l’expression (34.27).
Transformons cette expression en utilisant (34.27a) et le dévelop

pement
1 _ 2m» /, 2kii , \
D ( k, q) - h'q (q+Q ) V ^ q + ( q + Q ? ^ * *9 ) •
où Q = 2m* c jh j p est le cosinus de l’angle entre les vecteurs k et
q. Passons de la sommation sur q à l’intégration conformément à a
règle
On obtient (34.31) sous la forme

(34.32)
OÙ
(34.33)
0
Çm
h V w - 3 1U Ï & ï + 1» ( * + * ) ] . (34.34)
0
n y / am* \2 uQ
X = qm t t — , TT»
Ainsi l’interaction électron-phonon abaisse le bord inférieur de la
bande de conduction d’une valeur égale à (34.33), et la masse effective
de l’électron augmente :
m* (1 - (34.35)
Le résultat obtenu est valable seulement au voisinage du bord
inférieur de la bande de conduction. Pour toutes les valeurs de k vé
rifiant l’inégalité
|k !> -•< ?, (34.36)
la formule (34.35) est fausse même lorsque les électrons et les phonons
sont faiblement liés, puisqu'il existe des valeurs de q annulant la
grandeur D (k, q). La théorie des perturbations (34.26) est inappli
cable à la description des processus d’interaction de l’électron avec
les phonons, l’inégalité (34.36) étant vérifiée, parce que les états à
l’approximation zéro sont dégénérés. Cette dégénérescence est liée
à la possibilité d’émettre ou d’absorber des phonons réels. Ainsi les
états | k ; 0) et | k — q ; lq) ont la même énergie pour toutes
les valeurs de q annulant u (k, q). Au bout d’un certain temps, le
système, qui se trouvait à l’instant initial dans l’état |k ; O)*
234 INTERACTION ÊLECTRON-PHONON [CH. v n
passe dans l’état | k — q; l q), c’est-à-dire l’électron émet un

phonon 1« d’énergie Qq. Un système initialement dans l’état |k ;
vq) : un électron et vq phonons, peut soit émettre soit absorber des
phonons. La probabilité (par seconde) de tels processus est détermi
née en première approximation par la formule bien connue en théo
rie quantique des transitions (règle d'or de Fermi [5], § 93)
W= ^ ~ I(fin I H iDi I init>pô(g„n- g lnlt). (34.37)
Appliquons cette formule au cas d’un électron émettant ou absor

bant un phonon. Dans l’approximation d’une masse effective iso
trope, nous obtenons respectivement
X l ( k - q ; V, + 11 H lnt I k; vq>pô{D(k, q)}, (34.38)
* i ï = X l<k + q; vq—1 1Hmt | k; vq>|*Ô{D_(k, q)}, (34.39)
où ô (Z)} est la fonction delta de Dirac,
D (k, q) = 1 S r ( ? 2- 2 k q + g0 , D_(k, q) = - £ r (g * + 2kq-ç<?).

(34.40)
Remplaçons l’opérateur d’interaction par son expression (34.18) :
|(k —q; vq + l | tf lnt | k; vq)p = - g l l i (Vq + 1),
|( k + q ; vq— 1 1H lBt | k; vq)P = vq.
Au zéro absolu vq = 0. La formule (34.38) représente alors, pour

un électron, la probabilité d’émettre spontanément en une seconde un
phonon de vecteur d’onde q. La probabilité totale en une seconde
'd’émission spontanée d’un phonon de vecteur d’onde quelconque est
«*” = qI q )}.
q q
Dans cette expression, passons de la sommation à l'intégration.
Utilisons par ailleurs la règle de calcul suivante:
jF (x )ô { (x) = 0. On obtient
1 Çm
-1 0
J j ~ (A Ç + lft2 ) pour 2*><?,
(34.42)
0 pour 2k < Q .
L’expression (34.42) montre que la vitesse minimale de l’élec
tron (c’est-à-dire la vitesse à partir de laquelle l’électron est apte
à émettre des phonons) est égale à la vitesse du son dans le cristal
Mmln hQ_
Umln m* 2m* Ca9 (34.43)
puisque D (k, q) s’annule seulement pour k ^ fcjnin- Cette condition
coïncide avec la condition déterminant le seuil du rayonnement
Cerenkov d’un cristal traversé par des électrons rapides. (34.43) mon
tre que la valeur de seuil de l’énergie de l’électron est égale à
p _^**mln
^min 2m* ~~ 2 m C°*
Pour ca = 5-10* cm/s, m* « 10“27 g, Emiü « 1,2-10“16 erg «
« 10“4 eV.
Comme la probabilité de transition spontanée (34.42) à partir de
l’état | k ; 0) (pour 2k ^ Q) est différente de zéro, cet état n’est
pas stationnaire. Sa durée de vie T*, c’est-à-dire le temps néces
saire pour émettre un phonon, est liée à wjf* par la relation simple
Tx = h tw ^
L’énergie de Tétât | k ; 0) pour 2k ^ Q est définie avec une im
précision
AE = h /T *= hw Ç \
On peut formellement inclure cette imprécision Jans l’expression de
l’énergie E (k) = en ajoutant un terme imaginaire -hw*.
Quelle que soit sa vitesse, l’électron peut absorber des phonons
réels. L’absorption et l’émission de phonons modifie le mouvement
de l’électron : la variation du vecteur d’onde k le long de sa direction
initiale conduit à une variation du flux d’électrons, et donc de la
résistance au passage d’un courant. Par conséquent, pour calculer la
résistivité d’un métal ou d’un semi-conducteur il convient de dé
finir la vitesse de variation de la valeur moyenne du vecteur k le
long de sa direction initiale
i s " J = " 2 w M S ?+ ). (34.44)
q
où \i est le cosinus de l’angle entre k et q. Ici ^ représente la fré

quence des collisions entre l’électron et les phonons. Le paramètre
t* s’appelle temps de relaxation de Vimpulsion ou temps de transport
intercollisionnel.
Dans les métaux (et même dans certains semi-conducteurs) l’éner
gie des électrons est nettement supérieure à l’énergie des phonons
Jkoq. C’est pourquoi on peut poser
D (k, q) « D_ (k, q) « - 5 ^ - (g2 + 2Ag p). (34.45)
Dans cette approximation on tient compte seulement des interactions
élastiques entre électrons et phonons. Pour des températures sensi
blement supérieures à la température de Debye, le produit vqfio)q
est égal à l’énergie thermique 9 du qWme mode de vibration phono
nique. Compte tenu de l’approximation (34.45)
« m h 6 h S r t o 2+ SAgp)].
Substituons ces valeurs dans (34.44) :
i — m S sr S u -t-s r V + ^ n » ]-
q
Passons de la sommation sur q à l’intégration :
+1 9m
i — s S fe t î * ^ « [ ^ ( 9 = + ^ ) ] ^ = - ^ - .
-1 0
(34.46)
où v est le volume de la maille élémentaire.
Pour des températures élevées, la résistance dépend de l’énergie
de l’électron et est une fonction linéaire de la température.
Pour des basses températures
wR « + wR*, = K + Vz) qà [ - ^ - (q2+ 2kqp) ] , (34.47)
OÙ
vq = [exp(-2|£-) — l ] \ ©,==gc0.
Substituant (34.47) dans (34.44) on obtient
è - -iS W h f ' J « [-£r(9>+2fcm)]=

q
0
Ainsi à basse température la résistance augmente comme la cinquiè

me puissance de la température.
34.3. Interaction de l'électron avec la déformation du réseau dans
le cas des liaisons fortes. Les résultats obtenus dans les sections pré
cédentes de ce paragraphe étaient basés sur l’utilisation de la théo
rie des perturbations. On peut se demander cependant s’il n’existe
pas des cristaux dont les modules d’élasticité sont petits et la masse
effective électronique grande, présentant une forte interaction entre
électron de conduction et vibrations acoustiques longitudinales. Cet
te interaction conduirait à une déformation locale du réseau suffi
sante pour constituer un puits de potentiel profond : le mouvement
de l ’électron deviendrait stationnaire et présenterait des niveaux
d’énergie discrets. Dans ce cas la translation de l’électron dans le
cristal s’accompagnerait du déplacement d ’une déformation locale
(d’un grand nombre de phonons vitruels) et la masse de l’électron
relative à cette translation serait sensiblement augmentée.
Pour étudier cette question, utilisons la méthode variationnelle
et l ’approximation adiabatique. Pour que cette approximation soit
valable, il faut que l’énergie cinétique des atomes du réseau soit
très inférieure à l ’énergie cinétique du mouvement électronique. Dans
ce cas le mouvement des atomes peut être considéré comme classique
(le mouvement des électrons est quantique). Pour simplifier étudions
l ’état électronique de plus basse énergie, en négligeant la translation
à travers le cristal. Le cristal optiquement isotrope sera assimilé
à un milieu continu.
L’interaction de l ’électron avec les vibrations acoustiques longi
tudinales est caractérisée par l’énergie potentielle (potentiel de con
trainte (34.13))
w (r) = —op (r), (34.49)
où p (r) est la variation relative de volume (34.5), r est la coordonnée
de l’électron. Négligeons l ’énergie cinétique du réseau. A l ’ordre zé
ro de la théorie adiabatique des perturbations, on peut écrire l ’éner
gie du système (électron + réseau) sous la forme intégrale
P } = j [ - ^ r W - ( n | ) * ( r ) p ( r J + l p ^ W ] d3r, (34.50)
où m* est la masse effective de l ’électron, (1la constante d’élasticité,
est la fonction d’onde réelle des électrons vérifiant la condition
t|> (r )
de normalisation
ji|>2(r)<2#r = 1. (34.51)
Le premier terme de (34.50) caractérise l ’énergie cinétique de l ’élec
tron, le deuxième son interaction avec la déformation du réseau et
le troisième l’énergie de déformation élastique.
238 INTERACTION ÊLECTRON-PHONON [c h . v n
Pour une déformation p (r) fixée, la condition de minimum de

la fonction (34.50) par rapport à yp (r) compte tenu de la condition
supplémentaire (34.51) conduit à l'équation
[- V* - op (r) - £ (p) ] * (r) = 0.
Soit (r) la solution de cette équation correspondant à l'état de
plus basse énergie, pour p fixé. En portant cette fonction dans (34.50)r
nous obtenons l'énergie potentielle adiabatique
£ {P }= j (V^0)2- o * * (r) p (r )+ lp p 2 (r)] d?r.
La condition de minimum de cette fonction détermine la déformation
p ( r)*
Pour trouver le minimum absolu de (34.50) on peut varier d'abord
p (r), puis ensuite ^ (r). Si l’on fait varier p on obtient le résultat
P (r)= f^ (r). (34.52)
Substituant (34.52) dans (34.50) nous obtenons une intégrale qui ne
dépend que de (r) :
*<♦>= Î t - ^ ^ W ) 2— (34.53)
Pour minimiser cette expression il convient d ’utiliser la fonction
d ’essai
♦ M = ( J U ^ Î ^ w c p f —.n (-y -)2] , (34.54)
vérifiant la condition de normalisation (34.51). Ici p est un paramè
tre de variation positif sans dimension, a la constante du réseau. Subs
tituant (34.54) dans (34.53) nous trouvons
Ici le premier terme définit l'énergie cinétique due à la localisation

et le deuxième l ’énergie potentielle du système.
Pour les valeurs p! = 0 et p2 = 2jt/i2Pa/m*a2, la fonction E (p)
atteint respectivement les valeurs extrémales Ex = 0 et E 2 =
= 2ji3A6p2/m*a4. Lorsque p > 1,5 p2, la fonction E (p) devient né
gative (fig. 43). La théorie simplifiée développée plus haut n ’esl
valable que lorsque p < 1 . Lorsque p augmente, le rayon de locali
sation de la déformation diminue. La méthode de la masse électroni
que effective n’est plus applicable; la déformation du réseau n ’est
plus une fonction faiblement variable des coordonnées; l ’énergie po
tentielle (34.49) caractérisant l'interaction de l ’électron et de la dé
formation varie [1191.
S 34] POTENTIEL DE DEFORMATION DANS LES CRISTAUX 239
Tant que le rayon de localisation de la déformation est nette

ment supérieur à la constante du réseau, la densité du cristal et sa
polarisabilité augmentent. Mais lorsque ce rayon de la déformation
et le rayon de localisation de l'état électronique deviennent com
parables à la constante du réseau, leur diminution n'entraîne qu'un
accroissement de l ’énergie. Pour la courbe pointillée 1 de la figure
43, l ’énergie E (|m) augmente à partir de valeurs négatives. L'état
localisé sera donc énergétiquement plus favorable que l'état délo
calisé (p = 0). Par contre si E (p) augmente à partir de valeurs po-
Fig. 43. Energie adiabatique de l ’électron dans un cristal homopolaire en fonc

tion du paramètre de localisation.
sitives comme sur la courbe pointillée 2 de la figure 43, l’état lo

calisé sera métastable. Dans ces deux cas cependant les états loca
lisés sont séparés de l ’état délocalisé par une haute barrière de poten
tiel.
Enfin, pour certains paramètres du cristal, la courbe E (p) peut
ne pas présenter de minimum lorsque p augmente (courbe pointillée
3 de la figure 43). Dans ce cas l ’état stable sera l’état dans lequel
l’électron est délocalisé (p = 0). Dans la section suivante du pa
ragraphe 34 nous étudierons qualitativement les conditions de loca
lisation de l ’électron sans tenir compte de l’approximation adiaba
tique et sans assimiler le cristal à un milieu continu.
Ici nous avons considéré seulement l’état de plus basse énergie
en supposant que l ’électron et la déformation locale associée ne
se déplaçaient pas dans le cristal. En réalité l ’électron se déplace
avec la déformation, par conséquent la masse effective relative à ce
mouvement est très grande.
Dans la section suivante nous discutons cette question plus en
détail.
240 INTERACTION ÊLECTRON-PHONON [CH. V II
34.4 *. Masse effective d'un électron interagissant fortement avec

une déformation du réseau. Dans la section 34.3 nous avons consi
déré le cas d'un électron fortement lié à la déformation du réseau dans
l'approximation adiabatique et en supposant le milieu continu.
Nous avons montré que, dans certaines conditions, l'électron pouvait
former avec une déformation locale profonde de faible rayon un état
stable. L'étude que nous avons faite présente toute une série d'in
suffisances : 1) on ne peut considérer les états d'un électron de faible
rayon dans un modèle continu du cristal ; 2) nous avons supposé
que l'approximation adiabatique était valable ; 3) nous n'avons pas
tenu compte du mouvement de translation de l'électron accompa
gné de sa déformation qu'implique la symétrie translationnelle du
cristal.
Pour définir la masse effective de cet électron, il suffit d'étudier
la variation de l’énergie de l'électron en fonction de l ’impulsion ré
sultante de l'électron « habillé ». Dans ce qui suit, conformément à
l ’article de Toyozawa [120] nous essaierons de nous abstraire des li
mitations imposées plus haut. Naturellement les résultats seront
obtenus aux prix d’autres simplifications. Soit un cristal cubique.
Pour décrire les états monoélectroniques nous utiliserons l'approxi
mation des électrons fortement liés (voir § 20.3). Dans ce cas l'opé
rateur énergie des électrons (que l’on évalue à partir de l’énergie
ea — u>0)i compte tenu des interactions entre atomes voisins s'écrit :
&e\ = S Æn+m^nt (34.56)
n, m
w0 et wa sont les éléments matriciels (20.16); le signe « ~ » au-des
sus de la somme montre que la sommation sur m est effectuée sur les
nœuds du réseau voisins de n.
Procédons dans (34.56) à la transformation canonique
= 2 exp (34.57)
' k
nous nous apercevons que les états électroniques de vecteurs d'onde
k présentent une énergie égale à
£ 0(k )= -i£ 7 a 2 *lkm = — 2wa (cos kyfl + cos kyd + cos k2a) (34.58)
m
qui est plus grande que l ’énergie ea — w0.
Pour un cristal cubique simple, lorsque ka est petit (34.58)
devient
(k) = —6u7« + | ^ r + • • -t
où m* est la masse effective de l ’électron de la bande de conduction.
Cette masse est reliée au paramètre wa par la relation
wa = h2/(2m*aT). (34.58a)
§ 34] P O T E N T IE L D E D É F O R M A T IO N D A N S L E S C R IS T A U X 241
L’opérateur énergie des vibrations acoustiques longitudinales

du réseau est de la forme
■^Ph = S I 9 I frq&q» (34.59)
q
où ca est la vitesse de l ’onde sonore interagissant avec l’électron.
Enfin l’opérateur énergie d’interaction de l ’électron avec la branche
acoustique longitudinale peut s’écrire (voir (34.18))
(q) (*>, - b U ) a ' a 0e***, (3 4 .6 0 )
' n.q
où
Fa (q ) — to = _ Fl (q ), (3 4 .6 1 )
M étant la masse de l’atome, o un paramètre caractérisant la gran
deur de l ’interaction.
Cherchons, par une méthode variationnelle, l’état d ’énergie la
plus basse correspondant à l’opérateur énergie totale
H = He\ + H ph + Hint (34.62)
défini pour chaque valeur du vecteur d’onde k. Utilisons pour cela
une fonction d’essai du type*)
1 = T f 2 eikaS* (“) fln I °), (34.63)

' n
où| 0) est l’état sans électron ni phonon

(n) = e x p [ S PJ (q, n) 6q- h . c . ] (34.64)
v
Pk(q, n) = fit (q) e-1’»", S jl (n) = ,S£(n). (34.65)
La fonction / k (q) reste à définir à partir de la condition de minimum
de la fonction
_________ / (M = Wk I H | * k>. (34.66)
*) C e tte fo n c tio n ( 3 4 .6 3 ) e s t la p lu s s im p le . On p o u r r a it p re n d re u n e fo n c
t io n d 'e s s a i p lu s g é n é r a le
|> k )= — -*2 0») 2 (“ ) «s+m I 0>.(34.63a)

' n m
où <Dk ( m ) e s t u n e fo n c tio n à d é f in ir , v é r if ia n t la c o n d itio n ^ | <Dk ( m ) |2 = 1
m
e t c a r a c té r is a n t la r é p a r t it io n é le c tr o n iq u e a u to u r d u nœ ud n. L ' a p p r o x i m a tio n
u t ilis é e k ( m ) = ô0 m est v a la b le s e u le m e n t pour des é ta ts é le c tr o n iq u e s de
f a ib le ra y o n . M a lh e u r e u s e m e n t o n n 'a p a s e n c o re ré u s s i à f a ir e le c a lc u l a v e c
la fo n c tio n (3 4 .6 3 a ).
16—0534
L’opérateur S k (n) caractérise la déformation du réseau autour

du nœud n, c’est-à-dire le déplacement de la position d ’équilibre au
tour de laquelle s’effectuent les oscillations des coordonnées norma
les. On s’en aperçoit facilement si l’on remarque que
s i 1 (n) fcqSk (n) = feq — pk (q, n ),
5 ï1(n)6;5k(n) = 6 5 -P J (q .n ).
Si nous utilisons l’identité (voir compléments mathématiques

D — formule (D.12))
0 | exp (abj —a*6,) exp (y*bq — y6J) | 0) =
= exp [a * v — | (| a |2+ | y |2) ] ,
ainsi que les expressions (34.67) et (34.65) nous obtenons la fonction

(34.66) sous la forme suivante :
J {/k} = — wa 2 exp [tkm — £k (m)l +

m
+ 2 h I fl I c« IA (q) l2+ ( f l ) [/* ( f l) - /s (fl)]- (34.68)

q ^ i q
Dans cette expression 2 représente la sommation sur tous les véc

ut
teurs m reliant un nœud quelconque à ses plus proches voisins. En
particulier pour un réseau cubique simple
m = {± a, 0, 0}, {0, ± fl* 0} {0, 0, ± a}. (34.68a)
La fonction inconnue Ç* (m) est définie par l’expression
C k ( m ) - 2 2 sin2 ( i q m ) | / k (q)|2, (34.69)

q
pour des cristaux centrosymétriques.
Minimisons la fonction (34.68) par rapport à / k (q). Nous obte
nons
/k (q) = Fa (q) [V N S (k, q)]"1, (34.70)
OÙ
S (k, q) = hca | q | + 2wa f ^ ^ s i n 2 [ (k — §■q) m] . (34.71)
§ 34] P O T E N T IE L D E D É F O R M A T IO N D A N S L E S C R IS T A U X 243
Substituons la valeur (34.70) dans (34.69) et (34.68) :
s* (m)= ~ r S ('/(ak(qq))'sin2 ( t H - <34-72)

q
E ( k )= — wa J ] [1 + ^(m )]esp{tkm — Çk (m)}— S '5 '
m q
(34.73)
Dans le cas limite des liaisons électron-phonon faibles on peut
poser dans (34.71) Ç* (m) « 0. alors
H0 (k, q) « flca | q | — E 0 (k) + £ 0 (k — q), (34.74)
où
E0 (k) = — wa ^ exp (ikm) (34.75)
m
est l’énergie de l ’électron de conduction libre (voir (34.58)).
Substituant la valeur (34.74) et (m) = 0 dans (34.73) nous
obtenons l’énergie de l’électron en interaction avec les phonons
E (k) = £° (k) —— 2 E„ ( k - q ) - £ 0(<(k) + /Jca I q | • (34-/6)
Cette expression est exactement la même que celle que nous avons
déjà obtenue (34.31) au deuxième ordre de la théorie des perturba
tions.
Dans le cas limite d’une liaison hypothétique très forte £* (m)^>
1 S» (k, q) « hca | q | et l’énergie de l’électron, conformément
à (34.73), est égale à
Eco (k) = 1 XI 1fq(q)l2_ O2 (34.77)
;V -^-J Soo (k, q) 2Mc* '
q
Dans le cas d’une liaison de type intermédiaire, les fonctions
£k (m) sont définies par le système d’équations (34.72) dont le nom
bre est égal au nombre des plus proches voisins figurant dans la som
me sur m. Pour une valeur de k fixée, dans un réseau cubique simple,
tous les £k (m) sont identiques et (34.72) se réduit à une seule équa
tion transcendante. Considérons cette équation lorsque k = 0.
Posons £0 (m) = £. Si l’on décrit la branche acoustique longitudi
nale dans l’approximation de Debye sin (qm) « qm, (34.71) de
vient
S (0, q) « hca | q | + waa2q2e2<. (34.78)
Substituant cette valeur dans (34.72), on obtient pour k = U
y 1 yi g*qa I (q)12
(34.79)
^ “ [^ a lq l+ U ’a o V ^ l*
16*
244 IN T E R A C T IO N Ê L E C T R O N -P H O N O N [CH. VII
Passons de la sommation sur q à l'intégration par la transformation
q 0
où q = q0%, et q0 est le vecteur d’onde maximal du phonon dans le
modèle de Debye. (34.79) et (34.73) deviennent
î
(34.80)
- ^ .,1 + 0 - * + ^ ] ^ . (34.81)
_ a2 m*o2
8 12tpaMc% ’ (34.82)
p = est la constante d ’élasticité du réseau; o le paramètre du

potentiel de contrainte ;
y = hcaq0 ( - ^ - ) ~ l (34.83)
représente le rapport de l ’énergie maximale des phonons à l’énergie
des électrons libres de même vecteur d’onde. Toyozawa [120] a
appelé ce rapport paramètre de non-adiabaticité puisque la valeur y =
= 0 correspond à l ’approximation adiabatique d’ordre zéro.
En résolvant l’équation (34.80) on peut exprimer Ç en fonction
du paramètre g caractérisant la force de liaison et du paramètre de
non-adiabaticité y. Puis, substituant la valeur trouvée pour £ dans
l ’équation (34.81) on définit l ’énergie de l ’électron en fonction des
mêmes paramètres. La solution analytique de ce problème est fort
complexe, c’est pourquoi Toyozawa [120] a proposé de représenter
paramétriquement g et E en fonction de Ç. Cette dépendance est illus
trée par la figure 44,a dans le cas où k = 0 et y ^ 1. Ces courbes
permettent de construire la dépendance de l ’énergie de l ’électron en
fonction du paramètre de liaison g (fig. 44,6).
On voit que, lorsque y <£ 1, entre gx et g2, à chaque valeur de g
correspondent trois valeurs de la fonction £. C’est pourquoi la cour
be représentant E en fonction de g présente une boucle au point
d ’intersection g = gc. Les états stables d ’énergie inférieure sont
représentés par des traits gras.
Le nombre moyen de phonons virtuels entourant l’électron dans
l ’état (34.63) est défini par l ’expression
(fl) = (if* | 2 I = 2 I fk (fl) |2- (34.84)
q q
§ 34] P O T E N T IE L D E D E F O R M A T IO N D A N S L E S C R IS T A U X 245
Comparant cette expression avec (34.69), on constate que le nombre

de phonons virtuels est proportionnel à £. Lorsque le paramètre de
liaison g est inférieur à ge, la solution d’énergie minimale correspond
aux faibles valeurs de £. Lorsque g est supérieur à gc les états d’éner
gie minimale correspondent] aux valeurs de £ supérieures à £<. =
3 Ay. Le passage des faibles aux grandes valeurs de £ s’effectue par
Fig. 44. Energie des électrons et nombre de phonons virtuels en fonction du para
mètre g de liaison des électrons avec les phonons acoustiques longitudinaux.
saut (pour y 1). Cette discontinuité traduit le changement de ca

ractère du mouvement de l’électron lorsqu’il se trouve soumis à des
forces de faible rayon d ’action dues au potentiel local de déforma
tion.
Représentons approximativement l’énergie potentielle d ’inte
raction de l ’électron avec le potentiel de déformation par un puits
de potentiel sphérique de rayon r 0 et de profondeur U0. Ce n’est que
pour 2 m * U (jx/2)2 (voir [51, § 36) que le mouvement de
l’électron dans ce volume restreint est stationnaire et son énergie
est négative. Si k ^ 0 à ce mouvement vient se superposer un mou
vement translatoire de quasi-impulsion ftk. Pour 2m*U(f\h ~ z <
< (ji/2 )2 il n’y a pas d’états liés dans le puits de potentiel, et lors
que k 0 l ’électron effectue un mouvement de translation.
En se basant sur les calculs de Toyozawa [120] on peut donc tirer
les conclusions suivantes. Si la valeur de g est inférieure à glr il y
a un seul mouvement électronique possible avec une faible valeur de
£, c’est-à-dire avec un petit nombre de phonons virtuels accompa
gnant l’électron dans son mouvement. Ce cas correspond à la courbe
3 de la figure 43.
Si la valeur de g est comprise dans l ’intervalle gi < g < £ Ct
en plus de l ’état stable avec £ faible (délocalisé), il y a un état mé-
tastable d’énergie supérieure et qui présente une valeur de £ élevée.
Cet état est « localisé ». Ce cas est représenté par la courbe 2 de la

figure 43.
Enfin, si g est compris dans l’intervalle gc <Zg l’état de
moindre énergie correspond aux grandes valeurs de £, c’est-à-dire à
la « localisation » de l ’électron. L’autre état délocalisé correspondant
à une faible valeur de £ est métastable. Les états à g > g2 ne sont
visiblement pas réalisés.
Lorsque le paramètre de non-adiabaticité y augmente, une gran
de déformation locale se trouve entravée par l’énergie cinétique de
mouvement des atomes. Puis pour des valeurs de y > 1. la courbe
Fig. 45. Variation du nombre de phonons virtuels en fonction du paramètre g

de liaison électron-phonon pour deux valeurs du paramètre de non-adiabaticité.
£ en fonction de 1ig devient monotone (fig. 45). Par conséquent la

structure discrète des états électroniques disparaît. Il n ’y a pas dans
ce cas de limite nette entre les états « localisés » et « délocalisés ».
La représentation graphique de 1ig en fonction de £ (fig. 45)
rappelle les isothermes de l’équation de Van der Waals, déterminant
la pression d’un gaz réel en fonction de son volume. On peut formel
lement faire correspondre à la température le paramètre de non-adia
baticité y, à la pression i / g et au volume £.
Lorsque £k 1 le nombre de phonons virtuels accompagnant
l ’électron est petit et, conformément à (34.73), la masse effective de
l ’électron interagissant avec les phonons diffère peu de la masse ef
fective m* de l’électron de conduction.
§ 34] POTENTIEL DE DÉFORMATION DANS LES CRISTAUX 247
Lorsque Çk 1 le nombre de phonons viituels accompagnant

l'électron est grand. Lorsque cette condition est réalisée, d’après
(3 4 .7 1 ) Z (k , q ) « t'Ca I q I et £k dépend peu de k . (3 4 .7 3 ) donne
alors
E ( k ) ~ E ( 0 ) = - ir0Çe-C T («<km- l ) « (34.85)

m
OÙ
M* = m*.
Pour g > gc, la valeur de £ ^ \!y. C’est pourquoi, lorsque y = 0,1

et g > gc la masse M* est plus de mille fois supérieure à la masse de
l’électron de conduction libre. Dans ce cas l’électron est pratique
ment immobile, il est « autolocalisé ».
Conformément à (34.83) pour obtenir de grandes valeurs de
g, il faut une faible largeur de bande énergétique de l’électron libre
(une grande valeur de m*),une faible valeur de la constante d ’élas
ticité p du cristal et un grand paramètre a (ce paramètre caractérise
la liaison de l’électron et de la déformation du réseau). Evidemment
ces conditions sont souvent réalisées pour les trous et rarement pour
les électrons.
Parfois les états libres et localisés de l ’électron (du trou) coexis
tent. L’un est stable, l’autre métastable; ils peuvent échanger leur
rôle lorsque les paramètres du cristal varient. L’étude de ces possi
bilités est très importante pour expliquer les propriétés optiques des
cristaux, et aussi d’autres propriétés liées aux variations du mouve
ment des électrons (ou des trous).
34.5. Electron localisé au voisinage d’un défaut dans un cristal
covalent. Les cristaux réels renferment habituellement des impure
tés atomiques et des défauts du réseau cristallin. Ces défauts d’un
cristal covalent peuvent constituer des centres de localisation de
l’électron. Etudions comment une déformation du réseau, condition
née par l’interaction des électrons avec les vibrations acoustiques
longitudinales, agit sur la localisation.
L’état d’un électron localisé au voisinage d ’un défaut d’un cris
tal covalent a été étudié par Deigen [1211 en tenant compte de son
interaction avec les vibrations acoustiques longitudinales. Nous
développons ici une théorie plus simple, fondée sur l ’approximation
adiabatique et sur le modèle continu du cristal.
Supposons que le cristal présente un défaut localisé, agissant
fortement sur l ’électron. Cette interaction sera décrite par l’énergie
potentielle U (r). L’énergie du système: cristal et électron dans
l’état de fonction d'onde (r) et entrant en interaction avec la
déformation relative p (r), est donnée par l’intégrale
E & ' P } = J [^ -.(^ 'l> (r))2- a p ( r ) ^ ( r ) +
+ T PP2 (r) + U (r) ^ (r) ] <Pr. (34.86)

Cette énergie dépend des fonctions yp (r) et p (r). Le minimum ab
solu de cette énergie (34.86) détermine l ’état stationnaire de l ’élec
tron yp (r) et la déformation p (r) correspondante.
Fig. 46. Energie de localisation d’un électron au voisinage d’un défaut dans un
cristal covalent.
Dans un état à yp (r) fixé, la variation de (34.86) par rapport à une

variation de p (r) donne
P(0 = y ^ 2(r). (34.87)
La substitution de (34.87) dans (34.86) transforme E {>|3, p} en
une fonction de (r) seulement:
= Î J V M + t f ( r ) l* t t ] * r - (34.88)
Supposons, pour fixer les idées, que l’énergie potentielle a une
forme coulombienne
U (r ) = ~ , (34.89)
où Ze est la charge effective du centre local, e est la permittivité
du cristal. Dans ce cas on trouve facilement le minimum de la fonc
tion (34.88) par une méthode variationnelle directe. Pour simplifier.
§ 35] INTERACTION DANS LES CRISTAUX IONIQUES 249
nous supposerons que la fonction d’essai
^ ( r ) = ( ^ ) 3/2 exp [ - n ( i^ .) 2] (34.90)

dépend seulement d’un paramètre p. (34.88) devient
£ (p ) = Lp2 - . 4 p 3 -Z ? p , (34.91)
où
r 3n//2 i - °2 d_ ^ V2 (34.92)
On a représenté les variations de la fonction (34.91) en unités B~iAL
en fonction de \ = 2Lp/2? sur la figure 46. La courbe correspondant
à i4 = 0 ne tient pas compte de la déformation locale du cristal due
à l’interaction de l’électron avec les vibrations acoustiques. La deu
xième courbe correspond à la valeur A = L2/4S.
Naturellement les calculs que nous venons d ’effectuer sont va
lables seulement lorsque p ^ 0,1 (ce qui correspond à 0,2 L/B)~
Cette condition indique la limite de validité du modèle continu et
de l’expression (34.89).
§ 35. Interaction électron-phonon

dans les cristaux ioniques
Lorsque nous avons étudié les vibrations acoustiques des cristaux
ioniques (chap. III) nous avons remarqué que ces vibrations ne
diffèrent pas de celles que Ton observe pour un cristal covalent. Donc
dans les cristaux ioniques, l’interaction des électrons avec les vi
brations acoustiques est décrite également par le potentiel de dé
formation. Cette interaction est donnée par l’opérateur (34.18) dans
lequel n’interviennent que les phonons longitudinaux.
L’interaction des électrons avec les phonons optiques est au con
traire très différente pour les cristaux ioniques et pour les cristaux
covalents. En effet, les vibrations optiques dans les cristaux ioni
ques sont liées à un déplacement relatif des charges électriques du
cristal, c’est-à-dire à la polarisabilité. L’interaction de l ’électron
avec les vibrations optiques transversales joue un rôle surtout lors
des transitions quantiques de l ’électron. L’interaction avec les vi
brations optiques longitudinales des cristaux ioniques apparaît
aussi dès que l’on étudie les états stationnaires de l’électron. C'est
ce dernier type d’interaction que nous allons étudier dans ce paragra
phe.
Les électrons entrent en interaction avec les phonons optiques
longitudinaux par l’intermédiaire du champ électrique de polari
sation qu’ils créent. Cette interaction se manifeste à de grandes dis
tances.
Dans ce paragraphe nous décrirons les interactions quasi classi

ques des électrons avec le déplacement statique (polarisatoire) des
ions à partir de leur position d’équilibre. Supposons que le mouve
ment de l ’électron reste localisé à un petit domaine du cristal (dans
quels cas cette supposition sera valable, nous le verrons plus bas).
Le champ coulombien moyen créé par l ’électron induit une polari
sation locale du cristal. A son tour le champ électrique de polarisa
tion agit fortement sur l’électron.
Les interactions non inertielles de l'électron (c’est-à-dire non
liées au mouvement de l’électron) avec les ions du cristal sont com
prises dans la définition du champ cristallin périodique moyen carac
térisant les états monoélectroniques de la quasi-particule-électron.
C’est pourquoi lorsque l’on veut étudier l’action de la polarisation
locale du cristal il convient de ne tenir compte que de la partie iner-
tielle de l’interaction qui n’arrive pas à suivre le mouvement rapi
de de l’électron *).
La partie inertielle de la polarisation est déterminée par le dé
placement des ions de leurs positions d'équilibre augmenté de la
partie de leur polarisation ionique interne liée au déplacement
des ions.
Le moment dipolaire de l’unité de volume du cristal isotrope
P (r), dû à la polarisation inertielle, est défini par la différence
P (r) = P0 (r) - Pco(r),
où
p gp—1 D
a? 4jie0
et
gpQ-- 1
P o e - D
4îI£oo
sont respectivement les moments dipolaires spécifiques statique et
de haute fréquence; e0 est la permittivité statique; e« est la permit
tivité dans un domaine de fréquence supérieure à la fréquence vibra
toire des ions, mais inférieure à la fréquence vibratoire des électrons
appartenant aux ions. Ainsi
P (r) = D (r)/4ns, (35.1)
où
J _ = J ____l_ (35.2)
g Eoo E0
*) Il faut noter cependant l ’absence de définition générale de l'interaction

électron-phonon. Il convient de définir dans chaque cas quelle partie de l'inter
action vraie doit être incluse dans la définition de la quasi-particule corres
pondante: électron, trou ou phonon.
§ 35 ] IN T E R A C T IO N D A N S L E S C R IS T A U X IO N IQ U E S 251
est un paramètre important caractérisant T interaction des électrons

avec les vibrations ioniques longitudinales de grande longueur d’on
de. Dans le tableau 11 sont indiquées des valeurs possibles de 1/e
ainsi que les valeurs e0, ew et m*im correspondantes (ce rapport re
présente le rapport de la masse effective de l’électron à la masse de
l’électron libre).
La polarisation inertielle (35.1) crée un champ électrique scalai
re dans le cristal. L’énergie de l ’électron dans ce champ est
e 0.(35.3)
L’énergie potentielle de la polarisation inertielle du cristal est

U = -L j D (r) P (r) d3r = 2jtÊ j P* (r) cPr. (35.4)
Si la polarisation inertielle est localisée, l’énergie potentielle (35.3)
se présente sous la forme d’un « puits ». Dans un puits suffisamment
profond, l’électron peut être autolocalisé. Son énergie est discrète et
son champ moyen contribue à la polarisation du réseau. Cet état
autolocalisé de l’électron est appelé « polaron ». L’idée de l’auto-
localisation de l’électron dans un cristal ionique fut d’abord expri
mée par Landau [122], puis intensivement élaborée par Pekar [123],
Tiablikov [124, 125] et d’autres [126 à 128].
Tableau 11
Permittivité et masse effective des électrons dans les cristaux ioniques
Cu20 Na l KCl NaCl PbS KBr Kl NaBr PbCl
eo 9 6 ,6 4,78 5,8 17,9 4,81 5,2 6,39 5,2

Eoo 4 2,91 2,17 2,3 2,51 2,36 2,65 2,6 2,18
1/E 0,139 0,192 0,25 0,257 0,3 0 ,2 2 0,19 0,23 0,26
m */m 1,81 3,25 1,85 2,78 0,46 1,87 2,11 2,96 1,78
Pour que l’état polaronique soit stable, il est nécessaire que

l’énergie de liaison de l’électron dans le puits de potentiel soit su
périeure à l’énergie d’agitation thermique moyenne des ions du cris
tal. Dans certains cas le puits de potentiel ainsi formé n’est pas as
sez profond pour constituer des états stationnaires, toutefois dans ce
cas également l’électron lent se déplace dans le cristal accompagné
d’un champ de polarisation.
Un modèle grossier permettant d’évaluer le rayon du polaron et
l’énergie de liaison de l’électron a été proposé par Frôhlich. D’après
ce modèle, un électron dans l’état lié Is se trouve avec une égale pro-
habilité à l’intérieur d’une sphère de rayon r0. L’énergie potentielle

de l’électron de charge e, placé dans un milieu de permittivité e est
égale à —e2/er0. Son énergie cinétique (dans l’approximation de la
masse effective) est frk2/2nt*. Sachant que k = l/r 0, l’énergie tota
le est
E (r0) = tr!(2m*rl) — e2/er0.
La valeur de r0 donnant à E 0 sa valeur minimale est égale à r0 =
= frelm*e2. Il lui correspond l’énergie
E0 = —ro*eV(2»2ea). (35.5)
35.1. Théorie adiabatique des interactions entre électrons et pho
nons optiques. En utilisant le principe variationnel, Pekar [1231
développa une théorie bien plus complète des interactions fortes
des électrons dans un diélectrique ionique isotrope. Le cristal est
considéré comme un milieu continu, caractérisé par le vecteur po
larisation P (r). On ne tient pas compte de l’énergie cinétique des
ions (approximation adiabatique).
D’après Pekar [1231, il convient d’écrire l’énergie de l’électron
comme une somme de trois termes
% P } = j ' r ( r ) ( - 2^ V ^ ( r ) * +
+ 2ne j P2 (r) cPr — j P (r) D (r) d3r, (35.6)

OÙ
D ( r ) - e j N»(ra)|* (35-7)
est le vecteur induction électrique créé au point r. Les deux premiers
termes de (35.6) déterminent l’énergie de l’électron et du champ de
polarisation, le dernier représente leur interaction.
L’expression (35.6) doit être considérée comme une fonction des
fonctions i|? (r) et P (r). Dans l’état fondamental, cette expression
doit avoir le minimum absolu par rapport à des variations indépen
dantes de (r) et P (r), pourvu que soit vérifiée la condition de nor
malisation
(35.8)
Annulant la variation de (35.6) par rapport à P (r), if étant fixé,
nous obtenons une relation entre P (r) et D (r)
P (r) = D (r)/4jie, (35.9)
où D (r) peut être exprimé en fonction de if (r) à l’aide de (35.7).
Substituant (35.9) dans (35.6) nous obtenons une fonction qui ne dé-
S 35] INTERACTION DANS LES CRISTAUX IONIQUES 253
pend que de (r)

J M5(r)> = j | V ip|2ePr j D2(r)dV. (35.10)
L’expression (35.10) définit l’énergie du cristal dans lequel la
polarisation correspond à un état électronique décrit par la fonction
(r). En particulier, pour un électron de la bande de conduction
(dans l’approximation de la masse effective),
ik r#
Dans cet état la polarisation hétérogène du cristal est absente et

J (ift) = ft*k2/2m* ^ 0. Par conséquent, l’électron n’a pas avanta
ge, du point de vue énergétique, à rester dans la zone de conduction.
Il occupera un état (r) et son mouvement se limitera à une région
déterminée du cristal. Pour trouver cet état il convient de rechercher
le minimum de la fonction (35.10).
Pour cela, Pekar [123] a utilisé une méthode variationnelle di
recte, en approximant i|> (r) par des fonctions contenant toute une
série de paramètres. Dans le cas le plus simple, on peut utiliser une
fonction ne dépendant que d’un seul paramètre. Choisissons par
exemple la fonction suivante :
1+ Wr0 (35.11)
*o =
satisfaisant à la condition de normalisation. Substituons (35.11)
dans (35.10) et (35.7). La condition de minimum donne
r0 = 2h2e/m*e2. (35.12)
La valeur de la fonction (35.10) correspondant à l’expression (35.11)
pour yp (r) est
/ (i|>o) = —0,054 £ am*/me2, (35.13)
où Ea= » 27,2 eV est l’unité d’énergie atomique. L’expres
sion (35.13) détermine l’énergie totale du cristal. Sa valeur absolue
correspond à l’énergie thermique de « dissociation » du polaron, soit
l’énergie nécessaire pour faire transiter l’électron vers le bord infé
rieur de la bande de conduction et dépolariser le cristal.
La liaison de l’électron avec le champ de polarisation longitudinal
est considérée comme forte lorsque
| J (if0) | = 0t054 Eam*/me © « 0,025 eV.
Utilisant les valeurs de e indiquées par le tableau H , nous ontenons
pour les cristaux de Nal et Cu20 des valeurs respectives de J {^0}
égales à 0,2 et 0,05 eV.
A l’aide de (35.9) et (35.7), on peut calculer la polarisation du

cristal dans l’état (35.11) :
(3514>
Substituant cette valeur dans (35.3) nous trouvons le puits de poten
tiel sphérique dans lequel est placé l’électron :
** <r>“ “ I f ( - V ) (-5 T + ° .76 + 0 . 5 2 - + • • • ) ] -
— ( 0 ,2 8 — ■ £■) p o u r r < r a;
er0 ' - ro '
(35.15)
—— pour r > r 0.
Calculons l’énergie du niveau fondamental ls du polaron dans

le puits de potentiel fixe (35.15). Substituons (35.14) et (35.11)
dans (35.6) :
Eu = - 0 , m H - E a. (35.16)
Cette valeur (35.16) est égale à l’énergie nécessaire pour faire passer
« rapidement» l'électron de l’état polaronique à la bande de conduc
tion. Dans cette opération, la polarisation conserve sa valeur anté
rieure (celle qu’elle avait dans l’état (35.11)). Après la transition de
l’électron, la polarisation disparaît et une énergie
/ (%) - Eu = 0,109 ^ Ea (35.17)
me
est émise.
Si le puits (35.15) est assez profond, il peut y avoir d’autres ni
veaux d’énergie électroniques discrets. Ils pourraient apparaître
lors d’une transition optique à partir du niveau 1$ i|j0. En effetr
à cause de la grande masse des ions, les transitions optiques se pro
duisent sans changement de position des ions (principe de Franck-
Condon). Les transitions dipolaires à partir de l’état ls fondamental
ne sont possibles que vers un état p. Cherchons l’énergie et la fonction
d’onde de l’état p le plus bas correspondant à une valeur fixe de la
polarisation (35.14) égale à celle de l’état ls. Ces grandeurs peuvent
être trouvées par une méthode variationnelle directe, en utilisant la
fonction (35.6) dans laquelle P est remplacé par son expression (35.14).
La fonction d’essai simple choisie sera
* p ( r . # ) = ( f ) 3^ - / l c o s * «p ( - • £ ) . (35.18)
où r0 coïncide avec (35.12) ; £ est un paramètre variationnel. La fonc

tion (35.18) est normée à l’unité et orthogonale à la fonction de l’état
fondamental (35.11).
Substituant (35.18) dans la fonction (35.6)
£p{Ç, Po} = £ j I V % fd > r + 4 n î { PS (r) d3r — j P0Dp d3r,

où Dp (r) est défini par l’expression (35.7) avec yp = ypp, nous voyons
que l’énergie a un minimum pour £0 = 1,02. L’énergie a alors la
valeur
E p = E {Ç0, P0}= - 0,093 Ea. (35.19)
m ca
La fréquence de la lumière absorbée lors de la transition optique

yp0 est déterminée par l’égalité
Tiw= £ „ - £ 0 « 0,05- ^ r Ea. (35.20)
me*
Les états polaroniques de Pékar étudiés plus haut peuvent être

considérés comme des états liés d’un électron et de la polarisation
locale du cristal. Ces états peuvent présenter une ou plusieurs éner
gies discrètes internes. Ces états discrets apparaissent seulement pour
de grandes valeurs ( > 4 — 5) du paramètre sans dimension a =
= 4 -} /" 2^Tq caractérisant la liaison entre l’électron et les phonons
(voir § 36). Ces états liés, ou polarons, peuvent se déplacer dans le
cristal comme un tout. La masse efffective associée à ce déplacement
est la masse du polaron.
La masse effective du polaron, lors dç^son mouvement de transla
tion dans le cristal, a été calculée par Landau et Pekar [1291 pour
une faible vitesse v du polaron
v < Qr0.
r0 est ici donné par l’expression (35.12), £2 est la fréquence de vibra
tion des ions. •
Pour calculer la masse effective du polaron, il faut déterminer
l’énergie du cristal en fonction de la vitesse v du polaron à ir près.
Pour un mouvement de translation du polaron, en plus de l’énergie
potentielle de polarisation, il faut tenir compte de son énergie ci
nétique. Si le mouvement est dirigé le long de l’axe des x avec une
vitesse v constante, la fonction d’onde yp, la polarisation P et l’in
duction D seront fonctions de £ = {x — vt, y, z}. Pour des vites
ses v faibles, (35.9) devient
1 /rw t\ a **D \
où p est un paramètre supplémentaire de la théorie. Comme l'appli

cation de l’opérateur jj à des fonctions de | est équivalente à l’appli-
cation de l’opérateur i; —, on peut écrire
P ( i ) = - ^ ( D a ) - P ^ 2^ ^ ) . (35.21)
Remplaçant la valeur (35.9) par (35.21) l’expression (35.10) donne
un résultat plus général
(35.22)
L’énergie du cristal pour une valeur fixée de la fonction ijj deviendra
£ .- /.W ) + ^ 5 ( ^ ) J <Pr, (35.23)
Le troisième terme de (35.22) peut être considéré comme une per

turbation. Par conséquent, en première approximation, on peut
substituer dans l’expression (35.23) la fonction normalisée (35.11)
et minimiser la fonction (35.22) pour v = 0. On obtient alors
£„ = /{i|>0}+-^-Afi;2, (35.24)
où J {i|)0} représente l’énergie totale du cristal (35.13) lorsque le
polaron est immobile;
i ^5 -25»
est la masse effective du polaron. Si, dans cette expression, on rempla

ce par sa valeur (35.11), nous obtenons
M = 5 ,8 1 0 -3 ( — - ) 34 £ - æ 9-103 (?£) - |- g . (35.26)
Selon Pekar [123], dans le cristal de NaCl p = £2“2. Enutilisant les

valeurs m*/m et e du tableau 11, et Q » 4,9 -1013 Hz, l’expression
(35.26) donne pour la masse effective du polaron une valeur pres
que 140 fois plus grande que la masse effective de l’électron m*.
Dans les travaux de Bogolioubov [130] la masse effective du po
laron a été calculée sur une base théorique quantique (voir § 37).
35.2. Théorie adiabatique des interactions des électrons avec les
phonons optiques et acoustiques. Lorsque l ’on étudie le mouvement
d’un électron dans un cristal ionique, on accorde habituellement la
plus grande attention aux interactions avec le champ électrique de
polarisation créé par les phonons optiques de grande longueur d'onde.

Mais dans tous les cristaux ioniques, à côté des branches optiques,
il y a toujours des branches acoustiques. Certes, leur interaction avec
les électrons est plus faible, mais elle présente une action à courte
distance pouvant conduire à des effets qualitativement nouveaux.
L'action conjuguée des vibrations optiques et acoustiques sur le
mouvement de l’électron fut étudiée par Toyozawa [1311 dans l'ap
proximation adiabatique, pour un modèle continu et isotrope du cris
tal ionique. Si l’on néglige donc (conformément à l’approximation
adiabatique d'ordre zéro) l'énergie cinétique des ions, on peut écrire
l’énergie du système en interaction sous la forme
£ {* , P, p>= j [ — (V if (r))2—cri|j2(r) p (r) +
4- ^ PP2 (r) + 2nêP* (r) - P (r) D (r) ] d?r. (35.27)

Les trois premiers termes de cette expression ont le même sens que dans
l’expression (34.50) et les deux derniers ont le même sens que dans
l’expression (35.6).
Utilisons le rapport (35.2) et
où cp (r) est le potentiel scalaire créé par la polarisation. On peut

transformer (35.27) de la manière suivante:
E W>, <P. P>= j [-^ ï- (V if (r))2—<rp (r) if2 (r) +
+ Y PP2 ( O ( V < P (r))2—e<p (r) if2 (r) ] d3r. (35.28)

L’expression (35.28) est une fonction des fonctions tp (r), (p (r),
p (r). Dans F état fondamental elle doit présenter un minimum ab
solu pour des variations indépendantes des trois fonctions, la condi
tion
devant être vérifiée.

Minimisons (35.28) par rapport à la fonction d’onde électronique
tp (r). Nous obtenons le potentiel adiabatique E {p, (p) de l’état
électronique fondamental en fonction de p (r) et cp (r). Les ex tréma
de ce potentiel peuvent être trouvés aussi bien en minimisant d’abord
(35.28) par rapport à p (r) et (p (r), et ensuite par rapport à tp (r).
Egalant à zéro les variations de l’expression (35.28) lorsque,
pour \p (r) fixé, p (r) et cp (r) varient, nous trouvons
P(r) = - j ' f 2(r), V2<P= Ç f tf2(r). (35.29)
17—0 5 3 4
258 INTERACTION ÊLECTRON-PHONON [CH. VU
Après substitution de (35.29) dans (35.28) nous obtenons E {t|? (r)}

ne dépendant que de (r).
Pour minimiser la fonction E (ip (r)} il convient d’utiliser la
fonction d’onde d’essai la plus simple
'M r) = ( iH p - ) 3/2 « p [ - « ( - ) 2] .
La fonction E {o(j (r)} ne dépendra plus que du paramètre varia
tionnel p. Elle contiendra trois termes
E {t|> (r)} = E (p) = Lp2- Ap3- fîp, (35.30)
où
f _ 3nh-
A (35.31)
^ ~ 2m* a »
définissent respectivement les contributions de l’énergie cinétique
de l’électron et de la déformation du réseau, caractérisée par la
variation relative du volume (pour la branche acoustique) et la po

larisation du réseau (pour la branche optique).
La figure 47 représente les valeurs de E en unités BZ!AL en fonc
tion de \ = 2L\i/B pour . 4 = 0 (sans interactions avec la branche
acoustique) et A = Lrl^B. Lorsque p augmente, le rayon de l’état
électronique diminue. Le modèle continu considéré ici est valable
tant que p < 0 ,1 , c’est-à-dire tant que E < 0,2 L!B. Les courbes
pointillées (fig. 47) indiquent une dépendance possible de E (E)
lorsque £ > 0,2 L!B.
§ 36] THEORIE QUANTIQUE DE L’INTERACTION 259
Ainsi, lorsque Ton tient compte des interactions de l'électron avec

la branche acoustique, la polarisabilité du cristal varie peu. Celle-
ci, qui fait intervenir des forces de grand rayon d’action, donne nais
sance à un état localisé F de rayon relativement grand. Cependant,
dans quelques cristaux, l’interaction des électrons avec les phonons
acoustiques fait apparaître un état S x plus stable, de faible rayon
(courbe pointillée 1 sur la figure 47), ou bien un état S 2 métastable
(courbe pointillée 2). Dans les deux cas, les états S sont séparés de
l’état F par une barrière de potentiel. Certains cristaux ne présentent
pas d’état stable de faible rayon (courbe pointillée 3).
L’importance des interactions électroniques avec les branches
acoustiques, mise en évidence par la formation d’états S de faible
rayon, fut soulignée d’abord par Toyozawa (« autopiégeage d’élec
tron ») [120].
Dans cette section, en plus du modèle cristallin continu, nous
avons utilisé l’approximation adiabatique. Les résultats qualitatifs
obtenus sont donc valables tant que les paramètres de non-adiabati-
cité restent petits :y a = hx:J(hcfJ2m*) pour les vibrations acousti
ques et y0 = hQJ(hq~J2m*) pour les vibrations optiques.
Sumi et Toyozawa, sans utiliser le modèle continu ni l’approxi
mation adiabatique, mirent en œuvre une théorie [132], basée sur la
méthode des intégrales de Feynman, qui rend compte simultanément
des interactions électroniques avec les vibrations de la brandie acous
tique et de la branche optique. Lorsque l’on augmente la force des
interactions, la variation brutale des états polaroniques, passant
d’un état presque libre (F) à un état (S) de type autopiégé (self
trapped) fait bien appel à des forces de faible rayon (potentiel de
déformation des vibrations acoustiques) et non pas à des interactions
à grande distance (champ de polarisation électrique des vibrations
optiques). Cette variation brutale doit être observée lorsque le rap
port de l’énergie moyenne des phonons à la largeur énergétique de
la bande électronique (dans le réseau fixe) est petit (y ^.'L ors
que y ^ 1, les états presque libres F ne diffèrent pratiquement pas
des états S autopiégés.
§ 36. Théorie quantique de l’interaction des électrons

avec les phonons dans les cristaux ioniques
Dans le paragraphe précédent, pour étudier l’interaction des’élec-
trons avec les vibrations des ions, nous avons représenté la polari
sation dans un formalisme d’électrodynamique classique. Pour pas
ser à une description quantique, il faut trouver l’hamiltonien du
système des phonons optiques longitudinaux en interaction avec
l’électron. Cherchons d’abord une forme explicite de la fonction de
Hamilton qK, relative aux coordonnées généralisées et à leurs im
pulsions conjuguées; pu;3 nous passerons aux opérateurs quantiques.
17*
Soit P (r) le vecteur polarisation spécifique du cristal. Sa varia

tion au cours du temps est définie par la fréquence Q (pour plus de
simplicité, nous ne tenons pas compte de la dispersion des vibrations
optiques). La polarisation P (r) crée une densité de charges électri
ques liées pi (r) = — div P (r). Dans ces conditions l’énergie po
tentielle de l’électron situé au point r, en interaction avec le champ
de ces charges, est définie par l’expression *)
= —e î <P(Te) 11|>(re) |2d?re, e > 0, (36.1)
*'
où le potentiel «p (r) est défini par l'équation de Poisson
y 2<p (r) = — 4np[ = 4ji div P (r),
ou
ytp (r) = 4nP(r). (36.2)
La fonction de Hamilton peut être représentée par une somme de
trois termes
= Cê + ^ p h + ^ ln t, (36.3)
où 3(\nt est défini par (36.1),
M e = — m*?e (36.4)
est l’énergie cinétique de l’électron de masse effective m*,
^ Ph = i-H j [P2 (r) + Q2P 2 (r)] cPr (36.4a)
est l’énergie des vibrations longitudinales de la polarisation du cris
tal. La valeur du paramètre
p = 4îie/Q2 (36.5)
peut être trouvée en comparant l’énergie potentielle de polarisation
(36.4a) avec l’expression (35.4).
*) On montre facilement que (36.1) est équivalent à l ’expression

— J P (r) D (r) <Pr, où D (r) = V J - J j*T*- ®st le vecteur induction
électrique créé par l ’électron situé au point re. En effet, compte tenu de
(36.2), nous avons
— j P (r) D (r) <J*r
Sachant que V* ;— -— 4nô(r — re) nous obtenons

I r—r„
j P (r) D (r) d*r = e j <p(r,) | * (re) 1» <Pre.
§ 36] THÉORIE QUANTIQUE DE L’INTERACTION 261
Les impulsions pe et H (r) conjuguées des «coordonnées» gé

néralisées re et P (r) sont définies par les expressions
Pe = — = ü (r) = — — = fxP(r).
dre aP (r)
En remplaçant ces valeurs dans les expressions (36.4) et (36.4a)
nous obtenons les fonctions classiques^de Hamilton
= T ! [ t T n 2 (r) + ^ p (r)] d3r-

2 2 (36.6)
Pour passer des fonctions classiques (36.6) aux hamiltoniens quan
tiques, il convient de remplacer les coordonnées et les impulsions
généralisées par les opérateurs correspondants vérifiant les relations
de commutation
Pej] = tà6ij, [Pt (r), Ûi (r')) = ih6ljà(T— T’). (36.7)
Dans la représentation du nombre de remplissage des phonons
acoustiques longitudinaux de vecteur d'onde q, nous pouvons expri
mer les opérateurs P (r) et II (r) en fonction des opérateurs de Bose
bq (création d’un phonon) et bq (annihilation d’un phonon) :
P(r) = l S / 5 î ï i e",,(i''' + ,’î ,>

q __ (36.7a)
q
Les opérateurs de Bose vérifient les relations de commutation
= Ôqqt.
En passant dans (36.6) aux opérateurs et en utilisant (36.7a) nous
obtenons l’hamiltonien des vibrations cristallines dans la représenta
tion du nombre de remplissage
= S ftQ (&;&, + 1/2). (36.8)
q
Pour passer des fonctions classiques $êe et à leur correspon
dant opératoriel dans la représentation du nombre de remplissage,
il convient d’utiliser les fonctions opératorielles électroniques (voir
§ 21)
%(re) = - J r 2 a* eXP
* k
où ak sont des opérateurs satisfaisant aux relations d’anticommuta
tion de Fermi
= 0, {&ic, û j# } = - f û k 'û k = ô k k '*
En utilisant les règles opéralorielles permettant de passer de la re

présentation des coordonnées à la représentation des nombres de rem
plissage (§ 21 ) nous obtenons l’opérateur des états électroniques
J V (re ) 2^ - ^ ^ d3r« = S - ^ - a^ - (36-9)

k
Compte tenu des égalités (36.2), (36.5) et (36.6) nous trouvons
- e ( p = - e | / ^ 2 r à i (bq- b ! q)e«'e, e > 0 . (36.10)

q
Dans (36.10), passons de la représentation des coordonnées à la re
présentation par les nombres de remplissage des états électroniques.
Nous trouvons finalement
//,nt = - J Y (r.) «p (r.) * (r.) <Prt =

= - 7 = - S Flon(q)aî+qak (bq + b !q), (36.11)
1 k.q
OÙ
^ 1on(q) = î| 1, ® = -e (36.12)
Prenons pour unité d’énergie l’énergie des phonons AS2, et comme

unité des vecteurs d’onde des phonons et des électrons la grandeur
Q0 = Y^2m*Q/h. L’hamiltonien complet H = He+ Hph + Hmt
peut être alors transcrit dans un système sans dimension
m = 2 Ê2fli ag + S K fen + T ) +
l n
+ - i7 r S i ' /' 5P r â « i + v i < N - 4V ’ (m » )
OÙ
*= s = v Q l' a = - T ^ ï S â ' (36-14)

a est le paramètre sans dimension de Frôhlich, caractérisant la liai
son de l’électron avec les phonons optiques longitudinaux de grande
longueur d’onde dans les cristaux ioniques. Dans le tableau 12 fi
gurent les valeurs de a pour quelques cristaux ioniques.
§ 36] THÉORIE QUANTIQUE DE LTNTENACTION 263
Tableau 12
Valeurs du paramètre de liaison des électrons avec les phonons
optiques longitudinaux dans les cristaux ioniques
ApBr N al NaCI KCl Kl RbCl
m */m 1,78 3,25 2,78 1,85 2,11 1,78

a 2,12 8,G4 9,19 8,01 8,85 8,51
36.1. Déplacement du bord de la bande de conduction des cristaux

ioniques et variation de la masse effective de l ’électron. L'interaction
d’un électron avec les vibrations optiques longitudinales d’un cristal
ionique, comme d’ailleurs l’interaction avec les phonons acoustiques
d’un cristal covalent (voir § 34.2) conduit à la renormalisation de
son spectre. Jusqu’à présent, toutes les théories générales d’une telle
renormalisation font intervenir la théorie des perturbations (voir
cependant §§ 37 et 38). Nous étudierons donc cet effet par la méthode
des perturbations appliquée aux cristaux de constante d’interaction
faible (36.14). En outre, ces cristaux ne devront pas présenter d’états
liés d’énergie interne discrète du type polaron (§ 35).
A l’approximation zéro, un état comprenant un électron et vq
phonons est décrit par la fonction | k; vq ). Son énergie, si l’on ex-
d u t l’énergie de zéro des oscillations ioniques est - /i^2k52— h ÆQvq.
A l’ordre un de la théorie des perturbations, la fonction |k ; 0)
soumise à la perturbation (36.11) devient
Ÿko = |k ; 0 > + Z | k —q; l q)(k — q; l q|t f ,nt|k ; 0 )Z)-‘ (k, q),
q
(36.15)
où
D (k, q) = E ( k - q ) - E ( k ) + hQ = £ i (<? + Q l- 2 k q ) 1 (36.16)
Ç0 = ] / ^ ! £ , ( k - q ; l q| / / llU|k ; 0> = — (36.17)

L’énergie de l’état (36.15) est définie par l’expression
= 2 M ^ in tlk ; 0>|*. (36.18)
q(*0)
Pour de faibles valeurs de k (k Q0) nous pouvons écrire
___ 1_________ 2m* fA 2kqp 4<?2k y 1 gg.g
D ( k, q)” //2 (q2+ Ç?)L1 ^ q* + Ç S ^ (q 2+ Ç Î )2 ^ 1'
où p est le cosinus de l'angle formé par k et q.
Substituons (36.17) et (36.19) dans (36.18) et passons de la som

mation à l’intégration. Nous obtenons
* (k )
«*k* «*m» f r_j__ 4k*q»
2m* J Lq*+Ç>î 3 (q2+ <?ï)8
0
Remplaçons F par sa valeur (36.12) et posons qm = oo :
%<k>= S * ( ■1 — r ) - 1 (36 •20)

où a est le paramètre sans dimension (36.14). L’expression (36.20)
montre que l’interaction de l’électron avec les phonons optiques lon
gitudinaux abaisse le bord de la bande de aAQ, et la masse effective
de l’électron augmente
m *-*m */ ( l — . (36.21)
Naturellement les formules trouvées restent valables tant que la
liaison électrons-phonons est faible, c’est-à-dire tant que a < 1 .
L’augmentation de la masse électronique est due à la présence
d’une polarisation cristalline locale accompagnant l’électron dans
son mouvement. Dans le langage de la théorie des perturbations,
ceci doit être considéré comme une émission et une absorption de
phonons virtuels. Le nombre moyen de phonons virtuels accompa
gnant l’électron lent (k Q0) dans l’état (36.15) est
(V) = (l| 3k0 f S b*bq | 'p k o )-
q
Substituant (36.15) et utilisant l’approximation
1 2m*
D(k, q)~/* 2 (q* + Ç$)2 ’
après passage de la sommation à l’intégration nous obtenons
(V )» — *• (36.22)
36.2. Méthode de la liaison intermédiaire dans la théorie des inter
actions électrons-phonons. Le paramètre sans dimension (36.14),
caractérisant la force des interactions électrons-phonons, est de
l’ordre de 3 à 6 pour des cristaux ioniques typiques. On ne peut donc
étudier cette interaction ni par la théorie des perturbations, valable
pour a ^ 1 , ni par la méthode des liaisons fortes, valable pour
a > 6 et utilisant l’approximation adiabatique.
Lee, Low et Pines [133] ont développé une méthode variation
nelle applicable au cas d’une liaison intermédiaire a ^ 6 et n’uti
lisant pas l’approximation adiabatique. Cette étude concerne le
mouvement lent d’un électron entouré d’un nuage de phonons vir-
§ 36] THÉORIE QUANTIQUE DE L’INTERACTION 265-
tuels de la branche de vibration optique d’un cristal ionique. Le-

diélectrique est considéré comme un milieu continu oscillant possé
dant une seule branche de fréquence longitudinale Q (q) = Q. L’ac
tion du potentiel cristallin périodique est exprimée par la masse-
effective m* de l’électron.
Dans les approximations mentionnées, l’opérateur énergie de
l’électron dans la représentation des coordonnées est
Hei = 2m* P2'

L’opérateur énergie vibratoire du réseau (sans tenir compte de l’éner
gie de zéro) est
H ph= ^ h Q b ;b q.
q
L’opérateur d’interaction électron-phonon s’écrit, conformément
à (36.11):
q
où
p/ \ g i /~
1 r -
L’opérateur impulsion résultante
P = p+ ^nqb*bq
q
commute avec l’opérateur énergie du système
H = H« + H ph + H inl. (36.23)
Transformons l’opérateur énergie en utilisant la transformation
canonique définie par l’opérateur unitaire
<S= exp ( - f [ P —
q
Nous obtenons un nouvel opérateur de Hamilton
<fif = S+HS= ± ( p _ 2 hqb+bq) 2 + 2 teib;bq + 2 F (q) (bq + b*q),
q q q
qui ne contient pas les coordonnées de l’électron.
Puis utilisons une deuxième transformation canonique définie
par l’opérateur unitaire
tf = exp[V /(q)
266 IN T E R A C T IO N Ê L E C T R O N -P H O N G N [c h . v n
Les fonctions inconnues / (q) seront choisies de manière à minimiser

l ’expression
£ { / < q ) } - < 0 |£ ' * < s w |0 > - 2- ^ p ! + 2 2 f ( < i » ( q ) +
+ 2- S = (2q /! (D ‘l )2+ Sq / 2« l)(*“ - ^ + l ^ ) . (36-24)
correspondant, à l’énergie de l’état | 0 ) sans phonons, caractérisée

par une valeur déterminée du moment résultant P.
La condition
àE{f(q)) _ n
ô/(q)
donne la forme des fonctions / (q). Remplaçons ces fonctions par
leur expression dans (36.24). Après quelques transformations pré
sentées dans [1331 on obtient, lorsque P 2 < 2m*hQ :
E (P) = - ahQ + (36.25)
exprimant l’énergie la plus basse correspondant à une faible im
pulsion résultante. Ici
= a) (36.26)
est la masse effective de l’électron entouré d’un nuage de phonons
virtuels ; a = 4 ^ } / ^ est Ie paramètre sans dimension représen
tant la liaison des électrons avec les phonons. Naturellement, lorsque
a<C6 , les expressions (36.25) et (36.26) coïncident avec les ex
pressions correspondantes (36.20) et (36.21) obtenues par la théorie
des perturbations. Le nombre de phonons virtuels entourant l’élec
tron dans l’état (sans phonons réels) d’impulsion totale P est
_______ P*_______
2M*hQ (l+ - £ -)
§ 37*. Théorie adiabatique des perturbations tenant

compte de la symétrie translationnelle
Lorsque le couplage est fort (a > 1) on ne peut étudier l’interac
tion électrons-phonons par la méthode des perturbations. Cependant,
comme le rapport de la masse électronique à la masse ionique est
petit, on peut utiliser l’approximation adiabatique. La petite per
turbation ne sera plus l’énergie d’interaction électron-phonon,
mais l’énergie cinétique du mouvement des ions du cristal. Cette
approximation fut introduite dans la théorie des molécules par
§ 37] THÉORIE ADIABATIQUE DES PERTURBATIONS 267
Born et- Oppenheimer [1341 (voir aussi [5], § 129). Dans le cas des
cristaux, à cause de la symétrie translationnelle, la théorie adiaba
tique doit subir une transformation significative. Cette modifica
tion a été réalisée par Bogolioubov [130] et Tiablikov [135]. Dans
ce qui suit nous développons les principaux résultats de leurs travaux
dans le cas de l’interaction des électrons avec le champ de pola
risation des phonons optiques longitudinaux dans les cristaux
ioniques.
Dans la représentation par les coordonnées, l’hamiltonien de
l’électron dans l’approximation de la masse effective m* est
L’hamiltonien des phonons dans la représentation par les nombres

de remplissage est
fip h = S ( bibk + 4 - ) , Q k = S 2 -k . (3 7 .2 )
k
La sommation recouvre toutes les valeurs des vecteurs d’onde dans

la première zone de Brillouin. L’hamiltonien d’interaction des
électrons et des phonons
tf,n t= -« p (r)= — e 2 ^ ^ ^ k + f c i k ) - ^ ^ (37.3)

k
dépend des coordonnées r de l’électron et des opérateurs de Bose

6k, 6£ vérifiant les relations de commutation
[bki bî] = 6kii [&ki 6j] = 0.
Si p = — ih — est l’opérateur impulsion de l’électron, l’opéra

teur impulsion résultante du système sera
P = p + h ^ k b t b k. (37.4)
Selon Bogolioubov [1301, il convient d’introduire un petit para

mètre | par l’égalité
fiQlt = Ê^k» (37.5)
qui, par la suite, va rendre compte de la petitesse de la fréquence
de vibration des phonons. Passons ensuite des opérateurs de Bose
aux opérateurs de coordonnées complexes
<?Ê= Çk (37.6)
/ 2
et aux impulsions canoniquement conjuguées

Pk = — = — 6k), [Çk, Pi] = iôki.
Substituons ces expressions dans (37.2) à (37.4). Nous obtenons

Thamiltonien du cristal
H = He H H mt =
k k k
(37.7)
OÙ
-rin ^ T p - <37-7,)
L’opérateur impulsion résultante (34.7) devientalors
p = p -i* (37.8)
k k
L’opérateur (37.7) est invariant par rapport au groupe des trans

formations
r r + a, Qk -+Qk exp (—ika), (37.9)
correspondant a l’invariance translationnelle lors d’un déplacement
d’un vecteur réel a quelconque.
Par la suite, il est plus commode de passer des variables r, . . .
• • •> Ç k , ••• aux nouvelles variables n, p, ..., gk, . . . , par les égalités
r = n + p, Çk = (^k + Êtfk) e“lkn, gk = g*k. (37.10)
Parmi ces grandeurs, seul le vecteur n subit une translation lorsqu’on
lui applique un élément du groupe de transformations (37.9). Mais
il y a trois nouvelles variables en trop. Il faut donc ajouter trois
conditions supplémentaires:
2ki> frk = 0. (37.11)
k
Les fonctions auxiliaires wk = a l k, vk = y*k figurant dans (37.10)

et (37.11) vérifient les conditions d’orthogonalité
kjkiUkvl = ôij. (3/.12)
k
Ces fonctions seront définies plus bas. Compte tenu de (37.10) les
conditions supplémentaires (37.11) deviennent
S k(Ç kelk“ — uk)i;J = 0 . (37.13)
k
§ 37] THÉORIE ADIABATIQUE DES PERTURBATIONS 269
Il résulte de (37.13) que le vecteur n figurant dans (37.10) dépend

seulement des anciennes coordonnées Qk, et est indépendant de r.
Nous obtenons donc, sachant que dqk!dv = 0,
dr " " dp *
(37.14)
Les dérivées par rapport à Qk sont déterminées par une expression
plus complexe
d àq| d . dn d
dQ k “ 2 j "
(37.15)
Pour calculer les dérivées dn/dQk entrant dans cette expression,

dérivons (37.13) par rapport à Qk :
kvteikB + i 2 I k'fÇi exP (iln) = 0.

k
1
Compte tenu de (37.10) et des conditions d’orthogonalité (37.12)

cette égalité conduit à
Résolvons cette équation par approximations successives:

- = ivie** {k - 1 2 1 (lk) v*qi + . . . } . (37.16)
A Q
L’opérateur impulsion totale P s’exprime par la dérivée —ift— .
On s’aperçoit alors, en comparant l’expression (37.8) avec l’égalité
<37.10), que
-* -k — < * ■ * - '2
k
Compte tenu de (37.10), (37.13) et (37.16) on peut écrire

- ^ = ^ 1 + . .., (37.17)
OÙ
Pk = Pk— S (kl) Uij0|. (37.18)
Substituant les expressions (37.16), (37.17) dans (37.15) nous trouvons
—i = «*“ [?L + W ( 4 - k t ) ] | .. ., (37.19)

dQk
OÙ
Î = £P. (37.19a)
(37.10), (37.14) et (37.19) permettent d’expliciter l’opérateur énergie
(37.7) en fonction des nouvelles variables. A un ordre de grandeur
en £2 près
H = H0+ \H X+ 2,(37.20)
# 0 = —- s S r - J r + E (^k«ke,kp+ -i-e k|uk|2) , (37.21a)
k
H y - S 9k (A eikP + ckuk), (37.21b)
k
â = 4 ' S c' ' { f ‘,?-k + [P ‘=+ ^k (— w ) ] [p -k —Wk (— k l ) ] } .
k
(37.21c)
L’opérateur (37.20) ne contient que des variables « internes » p, . . .
..., Çk,... et ne contient pas la variable n correspondant au mouvement
de translation. Dans l’expression (37.20) entrent aussi des fonctions
complexes uk et inconnues pour le moment. L’équation d’onde
(H0 + \H X + l 2H z - E ) y p = 0 (37.22)
peut être résolue par la méthode des perturbations. Dans ce but il
convient de poser
+ i'ti + E = E0 + + \ 2E«. (37.23)
Nous obtenons alors le système d’équations
(H0 - E 0) yp0 = 0, (37.24a)
(H q — E 0) = (Ex — Hx) i|)0, (37.24b)
(H0 - E 0) = (E2 - H») +o + (Ex - Hx) (37.24c)
Comme l’opérateur H 0 n’agit que sur la variable p, nous chercherons
la solution de l’équation (37.24a) sous la forme
<Pov = <Pv (p) (• • •» Tki • • •)»
où O 0 (. .. , fk, . . . ) est une fonction inconnue, qui sera définie plus
loin. Les fonctions cpv (p) vérifient l’équation
lHo — -Ev) *Pv (p) = 0» (Çv (p) I <Pv (p)) = 1- (37.25)
Soient E°0 et <p0 (p) l’énergie et la fonction d’onde de l’état discret
non dégénéré fondamental (37.25). Dans ce cas on peut poser que
la fonction q>0 est réelle. Cela étant, l’égalité
j <Po (p) [tfo — ÆJ1 'h (p. .... ?k, •••) <pp = 0
§ 37] THEORIE ADIABATIQUE DES PERTURBATIONS 271
est identiquement vérifiée. Compte tenu de cette égalité il découle

de (37.24b)
j <Po (p) l^ i — # il <Po (P) P = 0.
Choisissons à présent les fonctions uk, figurant dans l’opérateur
de telle sorte que l’égalité
j <p0 (P) H iV o (P) d*P = 0
soit satisfaite. Substituant dans cette égalité la valeur (37.21 b)r
nous nous apercevons que celle-ci est satisfaite lorsque = 0 et
ui = - A kJ no (k)/ek, (37.26>
où
Jvo (k) - J «Pv(P) e ik p <Po (P) «Pp. (37.27)
A partir de l’équation (37.24b) nous obtenons la fonction d’onde
à l’approximation d’ordre un
^ l ? » * )* * » * )* . (37-28>
VÔ
où ^ est une fonction arbitraire des coordonnées ...» Ç& ...
L’équation (37.24c) admet des solutions lorsque
( (<Po I E n — H 2 | CPo ) — (<Po \ I ^ i) ) O 0 = 0.
Substituant a ifl sa valeur (37.28) nous obtenons l’équation d’ordre
deux
(<<Pol#2l<Po>+ 2 ^ o |//l' ^ (pg^ / , ' (po)- £ 2) <D0(. ■ gfc, . . . ) = 0
v=?0 V
(37.29)
déterminant les fonctions O 0 (..., q ...). Compte tenu de (37.26)
et de (37.21b) nous trouvons
((Pl I I Vo) = 2 Çk^k^vo 0 0 -
k
Substituant cette valeur et (37.21c) dans l’équation (37.19) nous
trouvons
[4r 2 Ck7kÇ-k — 2 ^kl?k(7l +
k k, I
+ 4 " 2 ek [P k + Î«>k ( T k ^ ) ] [ p - k — iyk ( 4 " k * ) ] — •£ 2 } (I)0 = 0 ’
k
(37.30)
272 IN T E R A C T IO N Ê L E C T R O N -P H O N O N [CH. v n
OÙ
B kl = A kAx 2 Jov£ - E o l) • (37.31)
v=£0 V
Les grandeurs complexes vk, figurant dans l'équation (37.30),
■sont pour le moment indéfinies. Choisissons-les de telle sorte que
les termes du premier ordre par rapport aux impulsions pk disparais
sent. Pour cela il convient de poser dans (37.30)
Pk = Jlk-f-Æk-
La condition annulant les coefficients des Ji| est alors
ek [ô'_k — ivk ( 4 " )]~ 2 (kl) c*[®-i— ( - kî ) J = 0,

‘ (37.32)
OÙ
ai: = ak— vk 2 (kl) U|fli.
I
L’opérateur peut être quelconque. Choisissons-le tel que = 0.
(37.32) devient alors :
Ck»k ( 4 " k * ) —“ k s p*(k,) cii,i ( x k ^ ) = 0 *
Cette équation est vérifiée si

ckl;lc(4 - k l) = A ( k V ) u k, (37.33)
où V est le vecteur vitesse s’exprimant en fonction du vecteur im
pulsion totale par l’équation
I = A2 2 k (kV) | uk| 2 ekl, (37.34)
k
obtenue à partir de (37.33), en multipliant chaque membre par
kjul et en utilisant les relations d’orthogonalité (37.12). La fonction
•Ut est définie par l’équation (37.26).
A partir de l’équation (37.34) nous pouvons écrire
(VI) = ft2 2 (kV)2|«k| 2 ckl. (37.35)
k
Après ces transformations, l’équation (37.30) devient
^2 = “^“(VI) + 4 ~ 2 ek(?kî-k + 3l-kJlk) — 2 ^kl?k?l» (37.36)

k k. 1
OÙ
Jik = jik— vt 2 (kl) U|ji|* (37.36a)
Considérons à présent le cas particulier d’une solution radiale-

ment symétrique. Dans ce cas (37.35) peut s’écrire sous la forme
I= (37.37)
où
r = T S r W 2= T 2 (37.38)
k k k k
Conformément à (37.37) le vecteur V définit la vitesse de déplace
ment de l’électron « habillé ». Dans ces conditions l’opérateur
(37.36) devient
H s = 2^ï - + T S Ck + *k*-k) —
k
— 2 (^-k. îî-kÇi + Ckift-kJM)» (37.39)
k, 1
où
~ fc llfl
t?k» «il = iàk, b Ch = "2jg r “kW_i. (37.40)
Od se propose de transformer l'opérateur (37.39) de manière à lui
donner la forme diagonale
Â '. - t f / ’ + E *(!*)«& . (37.41)
Pour cela il convient de définir les opérateurs de Bose et créant

et annihilant respectivement de nouveaux phonons, à partir des
opérateurs correspondants des anciens phonons:
= 2 ^ W ?k ( — k) ^k)»
^ k
(37.42)
£5 = - y j S (■
~ k) 7k — *<Pn (k) ük).
Comme nous avons les conditions d’orthogonalité

v: (k) XÎ (k) = ÔUV1 s 9v (k) X? (I) = Ôk.,
k
(37.43)
2 Xu (k) <Pv(k) = 0, 2<Pv(k)<pî(l) = 0,
k v
les nouveaux opérateurs vérifient les relations de commutation
K l= 6jiv» [Çjii £vl= 0-
18-0534
274 INTERACTION ÊLECTRON-PHONON [CH. VII
Utilisant (37.41) et (37.42), calculons le commutateur
ff2] = Sut» = (k) 9k + »'<Pu( - k) ik). (37.44)
Par ailleurs, si l’on substitue dans le commutateur les opérateurs

(37.42) et (37.36), nous obtenons
[&i. H2\ = ~ 2 {[ekf r S (“ ) C*">] «'*-* +

~' k m
(k) “ ^k, mÇ ( —m) J g*}. (37.45)
Comparons (37.44) et (37.45). Nous trouvons le système homogène

2£,iXn (k) = ek<Pu (k) — Sm ^k. m<Pki ( — m),
(37.46)
2£n<Pu (k) = ^tXu ( k) — 31 ^kmXu (m)-
Vu que ce système admet une solution non nulle, nous trouvons

Téquation permettant de calculer l’énergie | 2 % ^ des nouveaux
phonons.
La transformation inverse de (37.42) est
9k = 2 Ï*P*(k) Cv+ ç î ( - k ) RJ,

t J (37.47)
^k — [Xv (k) £v Xv ( k) £v]«
Y V
Substituons ces valeurs dans (37.39) et comparons à (37.41). Compte
tenu de (37.46) nous obtenons
^ ’ = i + Î S ( ck — 5 - k . k — y ^ - |W k l2) .
k
Au deuxième ordre de la théorie des perturbations, les nouveaux
phonons et l’électron « habillé » n’interagissent pas. Cette interaction
n’apparaît qu’au troisième ordre. L’énergie de l’électron « habillé *
dépend de l’impulsion totale
P = 1*1.
A l’approximation d’ordre deux, cette énergie est égale à
E (P) = E0+**£«•> = E0+ 4- S2 (ck- 5 -k . k - - g r K I 2) + ,
(37.48)
où E 0 est la valeur propre de l’énergie électronique à l’approxima

tion zéro et
Mtîf = M*l~* (37.49)
est la masse effective de Vélectron « h a b i l l é qui, en accord avec
(37.38) et (37.27), est exprimée en fonction des fonctions d’onde
et des fréquences de phonons à l’approximation zéro.
Cherchons à présent une forme explicite de l’équation définissant
les fonctions <p0 et l’énergie E 0 à l’approximation zéro. Dans (37.25)
substituons (37.21a) et (37.26):
“^ 0 + s [ î <P.*(P) & & » ] * .

k
Au lieu de résoudre l’équation intégrodifférentielle non linéaire

précédente, utilisons le principe variationnel. Il convient donc
d’annuler la variation de la fonction
- Stt- î <<•■>«“'"-'■Vi <pm «ppi.

k k
compte tenu de la condition
Sachant que exp(—fkr) puis passant de la

sommation sur k à l ’intégration dans la fonction J {<p0}, nous la
transformons, compte tenu de (37.7a), en
' < * > - • & ! ( w ) * d’<‘- I f I - W - m ' *•>**■ <37-51>

Si l’équation (37.50) admet plus d’un niveau d’énergie discret
non dégénéré, la théorie développée ci-dessus peut être appliquée
à chaque solution de l’équation (37.50).
18*
276 INTERACTION ELECTRON-PHONON [CH. v n
§ 38*. Méthode des transformations canoniques

dans la théorie des interactions électrons-phonons
L’interaction des électrons avec les phonons optiques longitu
dinaux dans les cristaux ioniques est rarement faible. C’est pourquoi,
pour étudier cette interaction, il est intéressant de développer des
méthodes autres que la méthode des perturbations. L’une de ces
méthodes est la méthode des transformations canoniques, dévelop
pée dans de nombreux travaux (voir par exemple [124, 136 à 1381).
La méthode des transformations canoniques est commode pour
étudier les états stationnaires d’un système de particules en interac
tion. Appliquée à l’interaction électron-phonon, cette méthode
ne peut être utilisée qu’à basse température et pour des énergies
électroniques faibles : dans ces conditions il ne peut en effet y avoir
ni création ni annihilation de phonons réels. Au voisinage du seuil
d’excitation des phonons optiques apparaissent des singularités qui
ne peuvent être décrites par la transformation canonique.
L’interaction des phonons avec les électrons de la bande de con
duction (dont la masse effective isotrope est m*) est décrite par
l’hamiltonien *)
H = H 0 + fflnt, (38.1)
où
# 0 = 2 ® (k) (fax + 2 £ W q . (38.2)
* q
2 F (k , q K +qM & q-*iq), (38.3)
v It.q
où
'<*• <3 f u >
pour les interactions des électrons avec les ondes acoustiques longi
tudinales (voir § 34) ; a est un paramètre définissant le potentiel
de déformation (34.13) ; M la masse des atomes constituant la maille
élémentaire du cristal ; cac la vitesse des ondes sonores longitudina
les;
P (k, q )= — jjj- ( ^ § ~ ) . e > 0 , (38.4a)
pour les interactions de l’électron avec les vibrations optiques
longitudinales dans les cristaux ioniques (voir § 36) ; e est un para
mètre défini par l’expression (35.2) ; v le volume de la maille élé
mentaire; Q la fréquence des phonons optiques;
û) (k) = kV2m * (38.5)
*) Ici et dans la suite de ce paragraphe nous utilisons un système d’unités
dans lequel h = 1.
$ 38] MÉTHODE DES TRANSFORMATIONS CANONIQUES 277
la dispersion des électrons de conduction au voisinage du centre

de la zone de Brillouin dans l'approximation de la masse effective.
Plus bas, nous étudierons seulement les interactions des électrons
avec les vibrations optiques longitudinales dans les cristaux ioniques
et nous négligerons la dispersion des phonons optiques en posant
£2q = £2.
L’opérateur énergie (38.1) commute avec l’opérateur impulsion
totale
P = S ka£<zk + 2 q&fo (38.6)
k q
et avec l’opérateur du nombre total d’électrons

N e = 2 at a*- (38.6a)
k
Par conséquent, le nombre d’électrons et l’impulsion totale sont
des intégrales de mouvement et on peut utiliser leur valeur pour
caractériser les valeurs propres et les vecteurs propres de l’hamiltonien
(38.1) . Le nombre de phonons ne se conserve pas. Dans ce qui suit
nous considérerons seulement les états comportant un seul électron
dans la bande de conduction.
Le vecteur d’état | 0 ) décrit un système sans particules. Appelons
état vide l’état d’un système sans phonons, d’énergie nulle avec
un seul électron au bas de la bande de conduction. Il est caractérisé
par le vecteur d’état d)0 = a* | 0 ), défini par l’égalité
a* | <D0 > = bq | (D0 ) = 0
pour q, k =£ 0 quelconques.
Si l’on ne tient pas compte des interactions, les états excités
du cristal sont caractérisés par les vecteurs d’état
û+ ( n ,ln j • • . r v» (&î)nq K f " . . . | 0 >
pour k, q, qj, ... quelconques et les nombres entiers nq, nqi, ... Si
max <ü (k) — min © (k) > £2, (38.6b)
de nombreux états sont dégénérés. Par exemple les vecteurs d’états
ai | 0 > et | 0 ) correspondent à la même énergie si l’on a
©k = û)k + q + £2.
A cause de cette dégénérescence, on ne peut pas utiliser la théorie

des perturbations pour étudier les états énergétiques de l’hamiltonien
(38.1) . Dans ce qui suit, nous développons la méthode des trans
formations canoniques, proposée par l’auteur et Pestriakov M37,
1381. Cette méthode permet d’obtenir les valeurs de basse énergie
d’un système d’excitations élémentaires à une particule, pour n’im
porte quelle valeur du paramètre d’interaction F de (38.3).
278 INTERACTION ÊLECTRON-PHONON [CH. vn
L’interaction (38.3) lève la dégénérescence. Dans le cristal

apparaissent de nouvelles excitations élémentaires, constituées
par une^superposition complexe d’états monoélectroniques et pho
noniques antérieurs. On peut considérer par exemple que l’électron
est entouré d’un nuage de phonons virtuels et qu’il se déplace dans
le cristal accompagné d’une polarisation locale. La dispersion des
nouvelles excitations élémentaires à une particule — des « électrons
habillés », est telle que l’inégalité.
E (k) — E (k,) < Q
soit satisfaite quelles que soient les valeurs de k et de kt situées
dans la première zone de Brillouin. Pour l’énergie d’excitation
E (k) — min E (k) > Q, les états du système ne sont pas des états
stationnaires à une particule: ils peuvent se désintégrer en états
à une particule plus simples *).
Les nouvelles excitations élémentaires à une particule (non
dissociables) peuvent être obtenues en diagonalisant l’opérateur
(38.1) par sa transformation canonique
a k= *>, pq = *># (38.7)
engendrée par l’opérateur antihermitien
5 (fl, b) = 2 ® (k? ?) (&k+q&kbq — ûkak+qbq)» (38.8)
k. q
Les fonctions réelles O (k, q) figurant dans (38.8) sont inconnues.
Choisissons-les de telle sorte que l’hamiltonien, une fois exprimé
en^ fonction des nouveaux opérateurs a k et pjj ne contienne pas de
termes linéaires par rapport aux nouveaux opérateurs phononiques
Pq-
Pour transformer l’hamiltonien (38.1) en utilisant les nouveaux
opérateurs, introduisons d’abord l’opérateur auxiliaire
H (a, p) = »H (a, 6) e~*a>bK
A l’aide de (38.7) nous obtenons
H (a, p) = 2 <o (k) a ta k + 2 QqPSPq +

k q
+ ’2 ^ 9) (a k+qttkPq —aîttk+qPq)* (38.9)

* k. q
*) Lorsque Ton considère les interactions avec les phonons acoustiques, les
énergies limites des excitations élémentaires monoélectroniques correspondent
aux énergies E (k) telles que la vitesse de l'électron soit comparable à la vitesse
du son dans le cristal.
§ 38] MÉTHODE DES TRANSFORMATIONS CANONIQUES 279
L’hamiltonien initial (38.1) s’exprime alors en fonction des nouveaux

opérateurs a*, pq par la transformation unitaire
H (a, P) = *-*«■ » H (a, P) », (38.10)
où
S (a » P) = S fl) ( a k + q a k P q — ® k a k + q P q )« (3 8 .1 1 )
k.q
Nous nous intéressons seulement aux valeurs propres de (38.10)
correspondant à des excitations monoélectroniques et monophono
niques. C’est pourquoi nous omettrons dans (38.10) les termes con
tenant des produits de quatre opérateurs a* ou plus, décrivant l’in
teraction résiduelle entre les nouvelles excitations élémentaires
définies par des fonctions propres du type a& | 0 ) et a £ .qpq | 0 ),
etc. A cette approximation près,
H (ay P) = 2 E (k) Ctk<*k+ 2 QqPqPq 4 “
k q
+ 2 (<D(k. q)ak+qŒkPq{[©(k+q) — ©(k) —Ql<D(k, q) +
k.q
+ ^ q)- - [ Z ? ( k + q ) - JP(k)ld>(k, q)} + h .c .), (38.12)
où
£ (k ) = co(k)-2Z)(k) + 22(k-q, q )[c û (k -q )-a > (k )+ Q ],
’ (38.13)
d (k) 2 ^ (^ —9* q ) ® ( k - q , q).(38.14)
* q
Qq = Q {l + 2 [O* (k—q, ’q) —O* (k, q)]o£ajj}»Q . (38.14a)
Egalant à zéro le facteur précédant les opérateurs linéaires en

P, dans (38.12) nous obtenons l’équation
{e>(k + q )-© (k )-Q ](ï> (k , q) +
+ Y = - i ?(k, q) = <l>(k, q)[Z)(k + q )-Z ?(k )l, (38.15)
d’où l’on tire en première approximation

(D, (k, q) = -±=r- F (k, q) [® (k)+ Q - © (k + q)]"1. (38.16)
Les équations (38.13) à (38.15) définissent la fonction O (k, q)

et les énergies des nouvelles excitations élémentaires du système.
Remplaçons dans (38.13) la fonction $ (k, q) par l’expression appro-
280 INTERACTION ÊLECTRON-PHONON [CH. VH
chée (38.16), compte tenu de (38.14) nous obtenons alors:

E (k) = o) (k) - D (k). (38.17)
Compte tenu de (38.17), l'équation (38.15) devient
(D(k, q) = - ± r - F (k, q) [E (k) - E (k + q) + Or*. (38.18)
Substituons (38.18) dans (38.14). Nous obtenons une équation de
dispersion non linéaire définissant l'énergie des nouvelles excita
tions élémentaires:
£ (k )-® (k )--J = -2 * * (k -q , q ) [ £ ( k ) - £ ( k - q ) - £ ]-‘.
2
" (38.19)
Utilisant (38.7), il est facile d’établir le lien entre les états
propres de l’hamiltonien complet (38.1) et l’hamiltonien f f 0 (38.2)
a î | 0> « [ l - i - 2 <I)2 ( k - q , q ) ] a î | 0 ) -
- 2 < D ( k - q , q)aÊ_q65|0>, (38.20)

k
P 5 |0 > - 6 Î |0 > . (3 8 .2 1 )
La relation (38.20) montre que la nouvelle excitation élémentaire

créée par l’opérateur a£ peut être assimilée à un électron se propageant
avec une implulsion k, entouré de phonons virtuels. C’est pourquoi
l’état a i ( 0 > sera appelé électron « habillé ».
Les états a i | 0 ) et pj| 0 > sont à une particule. Leurs énergies
sont respectivement E (k) et Q, leurs impulsions k et q. L’hamilto
nien correspondant est
= S E (k) a£ak + £2 2
1 (38.22)
k q
On l’obtient par une diagonalisation partielle de l’hamiltonien
complet (38.1).
L’équation (38.19) montre que, même pour une grande disper
sion électronique :
max o (k) — min ca (k) > Q,
et pour une grande force de liaison F (q), les énergies E (k) des
nouvelles excitations élémentaires à une particule vérifient l’iné
galité
max E (k) — min E (k) < Q. (38.23)
C’est pourquoi les fonctions (38.18) définissant la transformation
canonique (38.7) restent toujours bornées quelles que soient les
§ 38] MÉTHODE DES TRANSFORMATIONS CANONIQUES 281
valeurs de k et de q. Mais si Ton utilise la transformation canonique

(38.10) avec les fonctions 0 1 (k, q) (38.16) contenant au dénominateur
une énergie électronique non renormalisée (o (k), nous obtenons
pour certaines valeurs de k et de q l’égalité
o (k) — co (k + q) — Q = 0,
et la transformation canonique perd son sens. La transformation
canonique de Frôhlich [139] permettant d’obtenir l’hamiltonien
fondamental de la théorie de la supraconductivité (voir § 39) pré
sente la même insuffisance.
En première approximation, l’équation de dispersion (38.19)
devient
£ i(k )-< o (k) = - ^ S * * ( k - q . q ) ( ^ ( k ) - û ) ( k - q ) - Q r ‘,
q (38.24>
qui est identique à l’équation de dispersion apparaissant à l’appro
ximation monophononique dans la méthode des fonctions de Green
[140, 1411. Dans ce cas cependant, à cause de la condition (38.6b),
l’inégalité (38.23) pour la fonction El (k) n’est pas toujours vérifiée.
Pour des états électroniques localisés, il n’y a pas de dispersion,
c’est-à-dire co (k) = o)0. Par conséquent, F (k, q) = F (q) et les
expressions (38.16), (38.14) et (38.17) sont remplacées respective
ment par
<D(k, q)«F (q)/Q /ff, 0 = -^ 2 P (q ),
q
£=*> o - w
F 2 (q)- 2
q
Dans ce cas la transformation canonique (38.10), où
H = G)o 2 a ka k H" £2 2 PqPq 2 ^ (fl) [a k+qŒkPq “h 0&kttk+qPk]
k q ^ k ,q
et
s (o t, P) = r =" 2 ^ ( f l) [a k + q t t k P q — a k O & k + q P q li (3 8 .2 5 )
” k. q
permet une représentation exacte de l’opérateur de Hamilton sous
une forme diagonale
# ( « , p) « = [ ® 0— ^ 2 **(q)] S « î “ » + Û 2 PSP«- (38-26>
q k q
Dans [142, 143], on utilise une transformation canonique avec un

opérateur antihermitien du type (38.25). Cependant cette trans
formation n’est valable que lorsque <o (k) = (o0.
On peut trouver la solution de l'équation intégrale non linéaire

(38.19) par une méthode d’approximations successives:
E (k) = lim E n (k), n-+ oo,
où
E n ( k ) - © (k) = 4 - 2 F2 ( k - q , q ) (k -q )-Q ]-‘
q
pour E q(k) = ce (k).
Sur la figure 48 on a représenté la solution (obtenue dans [30])
-de l’équation non linéaire (38.19) dans le cas unidimensionnel,
lorsque F (k, q) = Q et o) (Zc) =
= <o0 — L cos ka. La valeur
L/Q est choisie égale à 2,5.
L’interaction avec les phonons
abaisse le bas de la zone de
0 , 6 Q environ et diminue l’éten
due de la dispersion de 5Q à
0,97£2.
§ 39. Supraconductivité
L’état supraconducteur de
quelques métaux fut découvert
en 1911 par Kamerlingh On-
nes. La nature de ce phénomène
remarquable resta longtemps
inexpliquée. C’est seulement
en 1950 que Frôhliçh en pro
posa une interprétation basée
sur l’interaction électron-pho-
non. La théorie microscopique
Fig. 48. Variation de l’énergie des états de la supraconductivité fut
électroniques à une particule lors de l’in établie dans les années cin
teraction avec les phonons optiques. quante par Bardeen, Cooper et
<d (k) » tto — L C08 ka, L/Q = 2,5. Schrieffer [145 à 147], et par
Bogolioubov [148, 1491. La
supraconductivité est un remarquable exemple de manifestation
d’effets quantiques à l’échelle macroscopique [1501.
La propriété la plus surprenante des supraconducteurs consiste
dans ce que leur résistance au passage du courant électrique est nulle :
par exemple dans un solénoïde d’étain pur refroidi à une tempéra
ture voisine du zéro absolu, le courant se maintient pendant plusieurs
années sans diminution sensible. Les dernières mesures de File
-et Mills [151] montrèrent que le courant pouvait circuler dans un
solénoïde supraconducteur pendant 106 ans environ.
S 39] SUPRACONDUCTIVITÉ 283
La température critique Tc de transition à l'état supraconducteur

(pour des métaux et alliages) est comprise dans l’intervalle 0,1
à 21 K (voir tableau 13). La température critique la plus élevée
(20,4 K) a été obtenue dans des composés Nb3Al — Nb3Ge.
Tableau 13
Quelques paramètres de métaux supraconducteurs
M étal Tc . K A. K
*D- K
Cd 0,56 164 0,9

Al 1,2 375 2,4
Sn 3,75 195 6,0
Pb 7,22 96 15,9
Tc - tem p ératu re c ritiq u e, Tq — tem p é ra tu re de Debye,

A — largeur de la fente énergétique (en degrés de K elvin).
En 1933, Meissner et Ochsenfeld [1521 découvrirent que les

supraconducteurs massifs étaient des diamagnétiques idéaux. Le
chaipp magnétique y pénètre sur une faible profondeur, et il est
expulsé de la masse restante du supraconducteur. Au zéro absolu,
la profondeur de pénétration du champ magnétique dans Al, Sn,
Pb est égale respectivement à 160, 340, 370 À. Lorsque la tempéra
ture augmente, la profondeur de pénétration du champ magnétique
augmente conformément à la loi
L (T ) = L (0) V l - ( T I T C)*.
Le phénomène d’expulsion du champ magnétique par le supra
conducteur porte le nom d'effet Meissner. Cet effet n’existe que pour
les champs magnétiques de faible intensité. Si le métal est dans
l’état supraconducteur à la température 7\ il y a toujours un champ
critique Bc (7*) au-dessus duquel le métal revient à l’état normal.
Si l’on abaisse à nouveau la valeur du champ magnétique en des
sous de la valeur critique, le métal redevient supraconducteur.
La courbe définissant la variation du champ critique en fonction
de la température est donnée par la loi empirique (fig. 49)
B 0 (T) = Bc (0) [1 - T/Tcl
Pour développer les théories microscopiques il fallut créer des
modèles phénoménologiques à deux fluides. Ces modèles — prin
cipalement le modèle de Gorter et Casimir [153] et le modèle de
Ginsburg et Landau [154], ont joué un rôle primordial en construisant
les bases de nos conceptions actuelles de la supraconductivité.
284 INTERACTION ÊLECTRON-PHONON [CH. VU
Il est à présent bien établi que Tétât normal du métal diffère

de l’état supraconducteur par le caractère du spectre énergétique
électronique au voisinage de la surface de Fermi. Etudions d’abord
l’état normal à basse température. Une excitation électronique
correspond à une transition d’un état initial occupé k ( < kF) situé
au-dessous de la surface de Fermi
à un état final vide kj ( > Ap)
Etat situé au-dessus de la surface de
normal Fermi. L’énergie nécessaire à la
création de cette paire électron-
trou est, dans le cas d’une surface
de Fermi sphérique, égale à
Ek, kl =ft 2 (k* - k2)/2m *. Comme
k et sont voisins de la surface
de Fermi, Ekki ^ 0.
La propriété la plus caracté
Fig. 49. nagranrrae ©phase de Tétât ristique d’un métal à l’état supra
supraconducteur dans le plan B — T. conducteur est que l’énergie d’ex
citation d’une paire électron-trou
est toujours supérieure à une certaine grandeur 2A, appelée énergie
de couplage *). Autrement dit, le spectre énergétique des excita
tions de faible énergie possède une fente. Par exemple, pour les
métaux Hg, Pb, V, Nb, la valeur de 2A est égale à l’énergie d’agi
tation thermique pour des températures égales à 18 K, 29 K, 18 K
et 30 K.
La valeur de l’énergie de couplage est mesurée directement
à partir de l’expérience ; en étudiant la variation exponentielle
de la chaleur spécifique ~ exp (—A/0), l’absorption du rayonne
ment électromagnétique (seules les fréquences h(ù >> 2 A sont ab
sorbées), en étudiant l’affaiblissement exponentiel des ondes sono
res, etc.
Cooper fut, semble-t-il, le premier à montrer l’existence probable
d’une fente énergétique dans le spectre d’excitations élémentaires
[145]. Il montra que l’état fondamental du cristal, correspondant
à des états monoélectroniques remplis jusqu’au niveau de Fermi,
devient instable dès qu’une faible attraction s’exerce entre les
électrons. Cette attraction peut conduire à la formation de paires
{effet Cooper). Pour séparer les électrons de cette paire, il faut four
nir une énergie du même ordre de grandeur que la fente énergétique.
Les électrons de la paire sont assez loin l’un de l’autre (~ .1 0 “4 cm),
*) On connaît cependant des exemples où la supraconductivité n est pas

liée à la présence d'une fente dans le spectre des excitations élémentaires [155
à 157]. Le phénomène est dû alors aux inhomogénéités du cristal: surface, im
puretés magnétiques et autres [158]. Dans le cas le plus simple on parle de
« supraconductivité de surface ».
$ 39] SUPRACONDUCTIVITE 285
c'est pourquoi, dans le volume occupé par une paire donnée on

peut trouver les centres de masse de 106 autres paires.
Dans un gaz électronique habituel, les seules interactions élec
troniques sont les répulsions coulombiennes. Dans un métal, les
électrons entrent en interaction avec les charges ioniques positives
qui masquent la répulsion coulombienne entre les électrons. Dans
certaines conditions, le déplacement des ions de leurs positions
d'équilibre peut faire apparaître entre les électrons un nuage de charge
positive. Ce nuage crée une attraction entre les électrons, dont
la valeur dépend de la fréquence d'oscillation des ions. Comme cette
fréquence dépend de la masse des ions, deux isotopes métalliques
différents doivent avoir des températures de transitions dans l’état
supraconducteur différentes. Cet effet isotopique fut découvert ex
périmentalement [159, 160]. Cette découverte confirma l’hypothèse
de Frôhlich [144], selon laquelle les vibrations de réseau contribuent
principalement aux interactions électron-électron.
Dans ce qui suit, nous considérons seulement les idées de base
de la théorie de la supraconductivité, pour des courants faibles, en
l'absence de champ magnétique. Pour une documentation plus
complète nous recommandons les livres [161 à 165].
39.1. Interaction effective entre électrons, liée aux phonons du
métal. Frôhlich [144] a montré que l'interaction des électrons avec
les phonons pouvait conduire à une interaction effective entre éleo
trons. Nous développons dans ce qui suit les bases de sa théorie.
Dans un réseau idéal, le mouvement de l'électron dans la bande
de conduction est défini par la fonction de Bloch (voir § 19)
<Ho= — e«'(T)X<,. (39.1)
Cette fonction représente une onde plane modulée par la fonction
Uk (r) vérifiant la condition de périodicité h* (r) = (r + n),
où n est un vecteur du réseau, k le vecteur d’onde ; Xo est la fonction
de spin. Sa forme explicite ainsi que celle de (r) n’a pas d’impor
tance pour la suite.
La fonction d’onde électronique de tout le métal, contenant
N électrons dans le volume F, est un produit antisymétrisé de N
fonctions q>k. a. L'état fondamental correspond au remplissage des
états situés, dans l’espace k, à l’intérieur de la surface de Fermi.
Supposons que cette surface est loin des limites de zone et qu’elle
est isotrope : on la suppose sphérique de rayon k 0. Une excitation
fait passer un électron de l’état | k | < k 0 à l’état | k | > k0.
Si ek est l’énergie d’un état électronique de quasi-impulsion
fik, dans la représentation de deuxième quantification, l’hamiltonien
du système électroniaue (à une constante près) sera
Hq = S ^k^ko^lca» (39.2)
k, a
où û£a et aie sont les opérateurs de Fermi de création et d’annihila

tion des quasi-particules.
Pour déterminer l’opérateur d’interaction avec les phonons
du métal, nous supposerons que, pour un déplacement du n-ième
ion positif du réseau, l’énergie d’interaction de l’électron avec le
réseau (r — n) varie de la grandeur (r — n). Par con-
n n
séquent, en deuxième quantification, l’opérateur d’interaction
électron-phonon sera
fftnt = j V* (r) 2 fn [V„tr (r - n)] W (r) éPr =
n
= - j r ( r ) > ( r - n ) (Vnln) Y (r) d'r. (39.3)
n
Y est un opérateur que l’on peut exprimer à partir de l’opérateur
de Fermi a et la fonction de Bloch (39.1) :
V= 2 a*<*‘krM r)Xc. (39.4)
* k,<x
L’opérateur du déplacement des ions |n est donné par (7.22). Par
conséquent
(v.C .)= i 2 V - m K (39-5)
q
où bqj bq sont des opérateurs de Bose ; s est la vitesse de l’onde sonore
longitudinale, correspondant au vecteur d’onde q, puisque seules
les ondes longitudinales contribuent à (39.5). Peur ces ondes nous
avons (ù (q) = sq.
Substituons (39.4) et (39.5) dans (39.3); sachant que la somme
2 exp(iQn) est égale à N si Q = 0, et nulle si Q ^ O , nous obtenons
n
l’expression finale des opérateurs d’interaction électron-phonon
dans la représentation des nombres d’occupation
#.nt = 2 # q a = - ^ f c ,P Î « + h .c ., (39.6)
q,<T '
OÙ
Pqa= S ûk-q,o^ka (39.7)
k
représente la somme des produits d’opérateurs de Fermi;
fi
§ 39] SUPRACONDUCTIVITÉ 287
est une grandeur petite caractérisant l’interaction électron-pbonon.

L’intégration est étendue à une maille élémentaire. Les lettres
« h.c. » dans (39.G) et dans les expressions suivantes représentent
les termes hermitiques conjugués des précédents.
L’opérateur d’interaction (39.6) ne dépend pas de l’état de spin
de l’électron, ainsi par la suite nous omettrons l’indice de spin
a dans toutes les expressions.
Pour obtenir l’opérateur d’interaction sous la forme (39.6),
nous avons dû faire plusieurs hypothèses : les ions du réseau oscillent
comme un tout ; D (q) ne dépend que de q et non du vecteur k ;
les vibrations des ions se séparent en vibrations transversales et
longitudinales pour toutes les valeurs de q. Pour cette raison, dans
l’expression (39.6), on ne tient compte que des phonons longitudinaux.
Lorsqu’on ne fait pas ces simplifications, le calcul est beaucoup
plus complexe. Ce calcul serait justifié si l’on voulait obtenir un
résultat quantitatif.
Les états énergétiques des électrons et des phonons sont modifiés
par l’interaction. Nous nous intéresserons seulement au comporte
ment des électrons. Pour rendre compte des modifications dans
le spectre de phonons, on se contentera d’une valeur expérimentale
$ de . la vitesse du son.
Le système électronique en interaction ^vec les phonons est
décrit par l’opérateur de Hamilton
H 9= H 0+ H lDx,
H q= 2 Ck^k^k + ^ S Qqéq&q- (39.8)
k q
Hint est défini par la formule (39.6).
D’après Frôhlich [144], pour évaluer le rôle des interactions
électron-phonon, il convient de transformer l’opérateur H' (39.8)
de manière à éliminer la plus grande partie de l’opérateur d’interac
tion. On pose alors
H = e-*sff'e*s = H ' + HH' , S] — J-[[JT, 5], S ] + . . . (39.9>
L’opérateur de transformation 5, qui contient l’interaction
faible, est choisi sous la forme
S = S * = y i S q, S q = yqbq + y+b+, (39.10)
q
avec
Vk =S(k, q)ûîak-q- (39.11)
Les fonctions d> (k, q) traduisent le caractère des interactions élec

tron-phonon. Leur forme explicite sera définie plus loin.
Substituons (39.8) et (39.10) dans (39.9). Compte tenu de (39.6),
rassemblons sous le même signe de sommation les termes du même
ordre de petitesse
■Æ= 2 1^ 0’ *^q] + ^q} +

q
+*
[ ( t ^ ’
2 5 < i]+ --* (39-12)
q
On peut alors calculer facilement l’opérateur (39.12) en précisant
au préalable quelques règles de commutation. Les opérateurs de
Fermi ak, ak, qui commutent avec les opérateurs de Bose 6q, véri
fient aussi
[a£ai, ûmûn] = ôimûk^n — 6knamûi. (39.13)
En utilisant (39.11) et (39.13) nous pouvons calculer au préalable
les commutateurs
[ûkûk, vq] = 0 (k , q)3k0k-q —^<D(k+ q, q)aj+qak,
[û k - q ^ k i T ql = ^ ( k i q ) (û k - q û k - q — û kû k)»
fûkûk-q, Vq] = 0 (k —q, q )a îa k. 2q—^ ( k + q, qj^k+q^k-q,
[bq&qy bq] = —&q.
Les relations trouvées permettent de calculer dans (39.12) les
termes linéaires par rapport à l’énergie d’interaction
i[Ho, Sq] + Hq =
==î (Ck—c k - q + fiQ q ) O (k, q) +
£ 2 J 6 q û q a k _ q -f- h.c. (39.14)
k *
Choisissons les fonctions O (k, q) pour que toutes les expressions
(39.14) s'annulent, soit
<D(k, q ) = — + (39.15)
En utilisant l’expression (39.15) on trouve
~2" S d + f f q= ï ÿ J ï ^(q ï^q ^^k -q + h.C.
Par conséquent,
^ m t= * 2 f ( *2~^ ° ’ ^ ql ^ q) » ^q ] =
q
= — 2 {D (q) [5qûkak-q, Y&qJ— D* (q) (Vt-q^k, Y'' -1+ h.c.}.
* k,q
§ 39] SUPRACONDUCTIVITÉ» 289
En utilisant les expressions (39,11) et (39.15), nous obtenons la

valeur moyenne de cet opérateur dans l’état vide de phonons
1 ^ l^(n)lS4 ak-qtfk-qak^Ûq
(0 phlînt|0 ph) (39.16)
* k\
? q (Ck - Ck-q)
M 2- ( * Qq
M>2
Les transformations de Frôhlich n’ont un sens que si les fonctions

(39.15) sont petites. Dans le cas contraire, la série (39.9) diverge.
Pour élargir le domaine de validité du résultat obtenu, il convient,
comme au § 38, de remplacer dans l’expression (39.15) l’énergie
ck des électrons par l’énergie Ek renormalisée. Cette énergie est
solution de l’équation non linéaire
Ek- c k = ± - 2 \D (q)|2 [ £ k - £ k - q- / Œ qr 1.
q
La sommation (39.16) peut servir au calcul de la partie de / / int
ne comportant pas de valeurs de q pour lesquelles le dénominateur
(39.15) est voisin de zéro. En éliminant de H{?X les termes pour les
quels (39.16) n’a pas de sens, l’hamiltonien des électrons du métal
(au carré du paramétre d’interaction près) dans l’état sans phonon
(basse température) devient
H - 2 j W kak+ w (ek- e t _a)«-(»a,)» +Hini’ (39’1' )

k k .q q M
Le deuxième terme de (39.17) peut être interprété comme l’énergie

d’interaction entre électrons, déterminée par un échange de phonons
virtuels. Chacun des termes de la somme correspond à une interaction
entre deux électrons de quasi-impulsions hk et ftk' — h (k — q).
Cette interaction correspond à une attraction si | ek_q — ek | <
< ft£2q. Comme ek = e_k, le dénominateur de la somme (39.17)
prend la valeur minimale — (/*Qq)2 pour des électrons d’impulsions
opposées k' = k — q = —k. Dans ce cas l’attraction entre les
électrons sera maximale.
A cause du principe de Pauli, l’électron doit passer d’un état
k à un état k' = k — q vide. Au zéro absolu, cet état doit donc
être situé au-delà de la surface de Fermi. Par conséquent, la condition
ek » ek' dans (39.17) ne peut être réalisée que par des électrons
d’énergie voisine de l’énergie de Fermi : ck æ ek* « eF.
39.2 *. La transformation canonique de Bogolioubov dans la
théorie de la supraconductivité. Dans la théorie de la supraconducti
vité, on tient compte seulement des interactions effectives maximales
entre les électrons, dans des états sans phonons réels. On néglige
alors tous les autres termes de l’hamiltonien (39.17). Lorsque l’on
tient compte du spin, les interactions les plus fortes ont lieu entre
19—0534
deux électrons de quasi-impulsions et de spins opposés. En effet

seuls deux électrons de spins opposés peuvent s’approcher l’un de
l’autre. On choisit donc pour hamiltonien du métal (N électrons
dans un volume V)
H = 2 « 00 atoOko— 2 -afl-k. -oflkff, (39.18)

k,a k, k', a
où vkk' est la transformée de Fourier de l’énergie d’interaction de
deux électrons;
; <3919>
p est défini par
N =• \ . . . | 2 ûko^ka | • • • /•
kcr
Le potentiel chimique p a été introduit par l’intermédiaire de (39.19)

dans l’hamiltonien (39.18) afin de ne pas introduire la condition
supplémentaire de constance du nombre de particules
N = y ; at0ak0.
ko
Les termes correspondant aux deux valeurs du spin a contribuent
de la meme manière à l’hamiltonien (39.18). On peut donc écrire
1 ^-i
H = 2 2j e ( k ) û k i / 2û k » / - -------y~ 2 v k k ' 0 k ' i / 2a - k ' t - i / 2a - k , - i / 2< * k i / 2 -
k k. k'
(39.20)
Pour étudier le spectre des valeurs propres de cet opérateur,
nous utilisons la transformation canonique de Bogolioubov pour
les opérateurs de Fermi
flki/2= Wk-dkO4- ^k-^kt,
(39.21)
fl-k ,j-i/2= W k - ^ k i — l^ k ^ k O »
où Ut et Ut sont des fonctions réelles, symétriques par rapport à

la transformation k —►—k et vérifiant la relation
ufc + i7i = l. (39.22)
Cette condition étant satisfaite, les nouveaux opérateurs i4k0 et
>lk, vérifient les relations habituelles de commutation des opérateurs
de Fermi.
Utilisant la transformation (39.21) on peut exprimer l'hamiltonien
(39.20) en fonction des nouveaux opérateurs
OÙ
E0 = 2 2 c (k)i>fc —-y- 2 vkk’Uk'Vk-ukvk (39.23)
k kk'
est une constante indépendante des opérateurs de Fermi et corres

pondant à l’énergie de l’état fondamental;
# ! = 2 le ( k ) ( u l- v i) 2 vkk.uk.i v ] ( ^ o ^ o - M É i ^ i )
k k'
(39.24)
représente la partie diagonale de l ’hamiltonien ;
H i = 2 ( k ) M k tf k -------p " ( u k — *>k) 2 v k k '^ k '^ k 'J ( ^ k 0 ^ k i + *4k l . 4 k0)
k k'
(39.25)
est la partie non diagonale de l’hamiltonien, contenant les produits
de deux opérateurs de Fermi. L’opérateur / / 2 contient les produits
de quatre nouveaux opérateurs de Fermi. On peut le négliger lorsqu’on
étudie les états excités de faible énergie.
Jusqu’à présent les fonctions réelles uk et vk de la transformation
canonique étaient quelconques (la condition (39.22) restant satis
faite). Choisissons-les à présent de manière à annuler l’opérateur
(39.25). Pour cela ces fonctions doivent vérifier l’égalité
2e(k)«ki;k = -i-(t4 —yj) 2 vkk' (39.26)
k'
On s’aperçoit que cette égalité est en môme temps la condition de

minimum de l’énergie de l’état fondamental (39.23), compte tenu
de l’équation supplémentaire (39.22).
Introduisons la notation
Ak = -— ^ wk'l>k'vkk'» (39.27)
k'
les égalités (39.26) et (39.22) nous permettent alors d’exprimer les
inconnues wk et i;k en fonction de e (k) et Ak
g») *(k) ] . (39.28)
V Al+e*(k) V Al + e2(k)
Substituons les expressions obtenues dans (39.26). Nous obtenons
une équation non linéaire définissant la grandeur Ak :
1 vkk'Ak' (39.29)
Ak
ÏK t r V A - + W
19*
La valeur de Ak dépend du spectre énergétique ck des états mono

électroniques, en l’absence d’interactions, par l’intermédiaire du
potentiel chimique p et des fonctions vkk> définies par les forces
d’interaction entre les électrons.
Substituons les valeurs (39.27) et (39.28) dans (39.24). La partie
diagonale de l’hamiltonien devient
H \ = I ê*(k) + AÎ (A t0A*0 + (39.30)
k
Ainsi, compte tenu des interactions, le spectre des excitations élec
troniques élémenlaires est donné par la fonction
E (k )= V e * (k ) + Ai. (39.31)
Pour chaque valeur de la quasi-impulsion fik, il y a deux types
d’excitations élémentaires, définies par les opérateurs de création
Aio et Aki.
La modification du spectre monoélectronique, apportée par
l’interaction, est déterminée par la grandeur Ak, racine de l’équation
(39.29). Etudions maintenant cette équation. Une solution triviale
est Ak = 0, que l’on peut encore écrire wki;k = 0. On propose alors
de choisir t/k et i?k de telle sorte que
Uk = 1, i>k-=0, si e (k) = — fi > 0 ;
(39.32)
= Vk = l, si e(k) = - ^ - —^ < 0 .
Afin de déterminer les propriétés de cette solution considérons la

transformation canonique inverse de (39.21):
4ko = Ukûk 1/2 —l\a -k , -1/2,
4ki = «ka-k, -1/2+tfkOk 1/2- >
Par conséquent, pour des valeurs de (39.32) situées en dehors de
la sphère de Fermi (e (k) > 0) les opérateurs A k0 i/2, A kl =
= a_k _if2. Ils annihilent donc des électrons occupant respective
ment les états (k, 1/2) et (—k, —1/2). A l’intérieur de la sphère
de Fermi (e (k) < 0), ces opérateurs deviennent A k0 = —a I k,- 1/;!,
A kl = Us correspondent donc à la création d’électrons (ou
à l’annihilation de trous) dans les états (—k, —1/2) et (k, 1/2).
Par conséquent la transformation (39.33) est équivalente au passage
à la représentation par trous considérée au § 21.1. Dans les états
correspondant à la solution triviale Ak = 0 de l’équation (39.29),
le spectre des états monoélectroniques est inchangé, puisque E (k) =
= e (k). Dans ce cas le métal reste à l’état normal et présente une
résistance au passage du courant.
Pour les forces d’attraction entre électrons assez importantes,

lorsqu’on a
1 x 1 v kk,
2V |*(k,)| > 1»
k, k,
l’équation (39.29) admet encore une solution non triviale Ak # 0.

A basse température, lorsque pÆk0 < m *A (k0 est le vecteur d’onde
de la surface de Fermi, p est l’impulsion moyenne de l’électron
participant au courant), le métal ne présente aucune résistance.
Calculons A* dans le cas le plus simple. Nous supposerons que
vue, est égal à la valeur constante v lorsque k et kj sont situés dans
l’intervalle k0—q, k0 + q, et égal à zéro lorsque k et k2 sont en
dehors de cet intervalle. Dans ce cas d’après (39.27), dans l’in
tervalle considéré, Ak est constant (Ak — A) et l’équation (39.29)
devient
k0- q < k < k 0 + q. (39.34)
k
Si A est supérieur à la distance entre deux sous-niveaux voisins de

la bande de conduction e (k), la somme (39.34) peut être transformée
en intégrale selon la loi
2 • • • = (2n)-3F j . . . (Pk.
k
Posant \i = /rkj/2m*, nous obtenons

e (k) « h2k0 (k — k0)/m*.
Par suite, dPk — 4nk\dk. L’égalité (39.34) devient
Calculons l’intégrale et résolvons l’équation obtenue par rap

port à A. Nous obtenons
. 2 cxp (—G/v) p _ 2ji2A2
~ m* 1 — e x p ( — G /v) ’ “ m *kQ
(39.35)
Cette expression (39.35) ne peut être obtenue par la méthode des
perturbations, dans laquelle l’interaction entre les électrons jouerait
le rôle du potentiel perturbateur. En effet, l’énergie otenue par la
méthode des perturbations se présente sous la forme d’un développe
ment en fonction des puissances successives de la petite interaction
v, et la grandeur A tend vers zéro comme exp (—G/v) : pour les
petites valeurs de v, cette grandeur ne peut être développée en série.
Pour expliquer le sens physique de la grandeur A, exprimons

l’énergie de l’état fondamental Ê0 en fonction de A. Substituons
(39.27) et (39.28) dans (39.23). Nous trouvons
<r(k) n / < r * ( k ) + A t - e ( k ) ] — 1 A k
k V ** ( k ) - l - A t
Si Ak — 0, E0 = 0 et les fonctions de la transformation canonique
se ramènent à (39.32), c’est-à-dire au cas de la solution triviale
de (39.29). Si Ak ^ 0, E 0 < 0. Donc, lorsque A* 0, la solution
non triviale de (39.29) est énergétiquement plus favorable que la
solution triviale.
Les états excités du système correspondent à la « création »
d’une quasi-particule dont la dépendance E (k) répond à la formule
(39.31). En posant p - fi2kj/2m* cette loi de dispersion devient
iï2 - f /2 m * A ..\2
E (k y = ê ? V (l î - kî)! + | i r ) • (39.36)
Lorsque la différence k2 — k2 est grande, la dépendance de l’énergie
en fonction de la quasi-impulsion est la même que pour une particule
libre de masse m*. Cependant, lorsque | k | se rapproche de | k0 |
(vecteur d’onde limite de la surface de Fermi), l’énergie d’excita
tion ne tend pas vers zéro, mais vers la limite finie
lim E (k) - Ako pour | k | |k0 |.
Par conséquent la grandeur A^ détermine la différence d’énergie
entre l’état fondamental et le premier état excités du système d’é
lectrons. Si Ako =£ 0, le système présente une fente énergétique et
l’état fondamental est plus stable vis-à-vis d’une action extérieure.
Le système électronique ne peut recevoir ou fournir de l’énergie
que par quantités finies déterminées, qui ne sont pas inférieures
à Akü.
Lorsque Ak ^ U, les fonctions (39.28) de la transformation cano
nique sont toutes les deux différentes de zéro. Les nouveaux opéra
teurs de Fermi A + et A correspondant respectivement à la création
et à l’annihilation de nouvelles quasi-particules ne représentent
ni des électrons ni des trous dans l’approximation monoélectronique,
mais une superposition d’états des deux types. Ces excitations élé
mentaires sont des états collectifs d’un système de deux électrons
fortement couplés. La diffusion (le freinage) des électrons nécessite
la dissociation de la paire électronique. Par conséquent cette dif
fusion n’est possible que lorsque l’énergie cinétique des électrons
liée à l’apparition du courant électrique devient supérieure à l’éner
gie de dissociation de la paire. Si p est l’impulsion moyenne de
l'électron dans le courant, la variation d ’énergie c (k) — fi2k2/2m*
§ 39] S U P R A C O N D U C T IV I T £ 295
est en valeur absolue égale à p ~ Comme k ^ k 0,

la supraconductivité sera observée lorsque pfik0/m* < A.
L’état supraconducteur apparaît seulement pour les métaux
dont l’énergie d’interaction électron-phonon est assez grande. Par
ailleurs, plus l’interaction électron-phonon est forte, plus la résistan
ce du métal dans l’état normal est élevée, puisque dans ce cas la
probabilité de diffusion de l’électron avec émission ou absorption
de phonons est grande. Ceci explique qualitativement pourquoi
de bons conducteurs (l’argent, le cuivre, l’or) ne présentent pas
de propriétés supraconductrices. Une interaction électron-phonon
forte, à l’origine d’une résistance élevée dans l’état normal, favorise
la formation de l’état supraconducteur pour lequel la résistance
est nulle.
Nous avons étudié plus haut les aspects principaux d’une micro
théorie de la supraconductivité sans tenir compte des interactions
coulombiennes entre les électrons. Une théorie conséquente de la
supraconductivité des métaux tenant compte de cet effet a été
développée par Bogolioubov [148, 149). Cette théorie est exposée
dans les travaux [165, 1661.
CHAPITRE VIII
ABSORPTION OPTIQUE
DANS LES SEMI-CONDUCTEURS
§ 40. Structure des bords de la bande de valence

et de la bande de conduction de quelques
semi-conducteurs
Nombre de matériaux sont des semi-conducteurs. Les plus uti
lisés actuellement dans les applications techniques sont le germanium
et le silicium. A l’état pur, ces cristaux monoatomiques sont déjà
des semi-conducteurs, puisque le bord inférieur de la bande de con
duction y est séparé du bord supérieur de la bande de valence par
une barrière énergétique relativement faible. Quelques semi-conduc
teurs sont des composés chimiques binaires, par exemple les semi-
conducteurs du type An i Bv sont constitués d’un élément du groupe
trois et d’un élément du groupe cinq de la classification périodique.
La conduction, liée aux électrons et aux trous apparaissant
par suite de transitions d’électrons de la bande de valence à la bande
de conduction, est appelée conductibilité intrinsèque. La plupart
des autres semi-conducteurs sont dopés, c’est-à-dire contiennent
certaines impuretés atomiques. Ils présentent une conductibilité
extrinsèque ou conductibilité d'impureté parce que leur conductibi
lité est fonction de la nature et de la quantité des impuretés.
De nombreuses propriétés (électriques, optiques, etc.) des semi-
conducteurs dépendent de la structure des bords de la bande de
conduction et de la bande de valence. Etudions quelques exemples
de structures bien connues.
L e s i l i c i u m (Si). Le cristal de silicium a une struc
ture de type diamant, de syngonie cubique. L’atome de Si possède
14 électrons répartis dans la configuration (ls)2(2s)2(2p)6(3s)2(3p)2.
Dans le cristal les huit niveaux 3s, 3p se séparent en deux
sous-gioupes contenant chacun quatre niveaux. Les quatre ni
veaux inférieurs sont entièrement occupés par des élections et
constituent la bande de valence. Sur la figure 50 on a représenté
les variations de l ’énergie des électrons des trois branches de la
bande de valence au voisinage de k » 0 pour deux directions du
vecteur d’onde : le long de l’arête 11001 et le long de la diagonale
[1111. A cause des propriétés de symétrie, il y a six directions équi
valentes à [1001 et huit équivalentes à [1111. L’énergie maximale
des électrons de la bande de valence correspond au centre de la zone
§ 40] B O R D S D E L A B A N D E D E V A L E N C E E T D E C O N D U C T IO N 297
de Brillouin (k — 0). La courbure différente des deux branches

supérieures de la bande de valence, tangentes au point k = 0 (l’une
d’entre elles est doublement dégénérée), est due à ce que les trous
dans la bande de valence présentent deux masses effectives dif
férentes: lourde m*i = 0,52 m et légère /r?*2 = 0,16 m, où m est
2 ,5 e V
F ig . 5 0 . S tr u c tu r e e n b a n d e s d ’ u n c r is - F ig . 51. S t r u c t u r e e n b a n d e s d ’ u n c r is
ta l de s ilic iu m p u r. ta l de g e r m a n iu m p u r.
la masse de l ’électron libre. La troisième branche est abaissée de

0,035 eV en raison de l ’interaction spin-orbite.
La bande de conduction du silicium est aussi divisée en trois
branches énergétiques. La propriété remarquable de la bande de
conduction est la présence d’un minimum situé non pas au point
k = 0 mais en un point k0 de l’arête du cube [1001 non loin de la
limite de la zone. Dans le cristal il y a donc six minima équivalents
de la bande de conduction, parfois appelés vallées. Les électrons
excités dans la bande de conduction se répartissent également entre
ces six vallées. Au voisinage de ces minima, les surfaces isoénergéti
ques ont la forme d’ellipsoïdes de révolution, d ’axe parallèle à
l’arête du cube, présentant deux masses effectives : une masse longi
tudinale m* = 0,98 m et une masse transversale m* = 0,19 nu
298 ABSORPTION OPTIQUE DANS LES SEMI-CONDUCTEURS [CH. V III
L e g e r m a n i u m (Ge). Le cristal de germanium a aussi

une structure de type diamant. La structure en bandes du cristal
de germanium est représentée sur la figure 51 pour deux directions
du vecteur d’onde: le long de l’arête [1001 et de la diagonale [1111
du cube. La bande de valence du germanium est analogue à celle
du silicium. Deux branches énergétiques sont tangentes au point
k = 0 . qui correspond à l’énergie maximale des électrons. Ces
tranches sont caractérisées au voisinage de ce point par deux masses
■effectives: lourde m?i = 0,34 m et légère mf* = 0,04 m. De la
même manière, la troisième branche présentant aussi un maximum
au point k = 0, est abaissée de 0,28 eV à cause des interactions
spin-orbite.
La bande de conduction est divisée en trois branches énergé
tiques qui se recouvrent mutuellement. Dans la bande de conduc
tion, il y a huit minima absolus équivalents dans les directions
•des diagonales du cube ([1111, etc.). Ces minima sont situés à la
limite de la zone de Brillouin. Au voisinage des minima (vallées)
les surfaces isoénergétiques sont des ellipsoïdes de révolution de
masses effectives: m* = 1,6 m et m* = 0,082m. Comme les
minima sont situés à la limite de la zone, la première zone de Bril
louin ne contient que la moitié de l’ellipsoïde.
L e s u l f u r e d e c a d m i u m (CdS). Les cristaux de
sulfure de cadmium présentent une syngonie hexagonale. Le groupe
de symétrie est CQ0. Le groupe d’espace du cristal a la symétrie
CJr* La structure en bandes au voisinage du centre de la zone de
Brillouin (point T), proposée par Thomas et Hopfield [167, 1681
•est représentée sur la figure 52. Les états monoélectroniques de la
bande de valence et de la bande de conduction sont classés pour
Tableau 14
C a ra c tè re s des r e p r é s e n ta tio n s ir r é d u c t ib le s du c r is t a l de CdS
c2 3o' 3a"
F. E Ci 2C3 2C3 2C« 2C6
3Ô' 3cT
=. r t 1 1 1 1 1 1 1 1 1
r. 1 1 1 1 1 1 1 —1 —1
rà 1 1 —1 1 1 —1 —1 —1 1
r4 1 1 —1 1 1 —1 —1 1 —1
r, !/< 1% 2 2 __2 -1 -1 1 1 0 0
r8 2 2 2 —1 —1 —1 —1 0 0
r- 2 __2 0 1 —1 3 —3 0 0
r„ 2 __2 0 1 —1 —3 3 0 0
r» 2 __2 0 —2 2 0 0 0 0
$ 40] B O R D S D E L A B A N D E D E V A L E N C E E T D E CO N D U C T IO N 299
k = 0 (au point T) selon les représentations irréductibles du groupe

de symétrie ponctuelle Ceo (tableau 14). L’axe z est dirigé le long
de Taxe hexagonal C. La branche supérieure de la bande de valence
correspond aux électrons 3p de l’ion soufre (S ). Elle est caractérisée
pour k = 0 par deux masses effectives des trous: une masse
effective perpendiculaire à Taxe C, m* = 0.7m et une masse
fn
JT
«j
h £
N
* 'A7 C
0 kx 0 ky 0 k2
F ig . 52. S tr u c tu r e de la bande de v a le n c e et de la bande de c o n d u c tio n d ’un
c r is t a l d e C d S a u v o is in a g e d e k = 0 p o u r d iff é r e n te s d ir e c t io n s d u v e c t e u r d ’ o n d e .
effective parallèle à Taxe C. mfj = 5 m. La branche moyenne de

la bande de valence est due aux états 3s de Lion soufre, et la branche
inférieure aux états 5s. La bande de conduction correspond aux
états 5s de l’ion cadmium.
Au centre de la zone de Brillouin, les niveaux T7 et V9 sont double
ment dégénérés. Cette dégénérescence se conserve lorsqu’on se dé
place du centre le long de fc2, mais elle est levée lorsque l’on se
déplace le long de kx ou ktr puisque seuls les éléments de symétrie
a' et a" se conservent dans ces déplacements.
L’ a r s é n i u r e d e g a l l i u m (GaAs). La structure de
la bande de conduction et de la bande de valence de l’arséniure
de gallium a été proposée dans [1691. La bande de valence est cons
tituée de trois branches avec des maxima en k = 0 pour lesquelles
les masses effectives des trous sont m* == 0,68m, m*2 = 0,12m,
m*n — 0,20m. La bande de conduction a un minimum principal
300 ABSORPTION OPTIQUE DANS LES SEMI-CONDUCTEURS [CH. VIII
pour k = 0, avec une petite masse effective m* = 0,072 m. Il

y a aussi des minima relatifs pour k ¥= 0, avec une masse effective
élevée m* = 1,2 m. Cette propriété très originale de la structure
de la bande de conduction se manifeste dans toute une série de
phénomènes spécifiques. Par exemple, dans un semi-conducteur,
un champ électrique intense transfère un électron de l’état de grande
conductibilité (masse effective faible pour k « 0) à l’état de faible
conductibilité (masse effective grande au voisinage des minima
accessoires). Cette résistance négative des semi-conducteurs peut
être utilisée pour engendrer des microondes dans un champ électrique
constant intense {effet Ilahti).
§ 41. Réponse du cristal à une action extérieure

Pour calculer les valeurs moyennes des grandeurs physiques,
en particulier pour calculer la réponse du cristal à une action ex
térieure, il convient d’utiliser la méthode de la matrice densité.
En effet, en mécanique quantique ([51, §§ 14, 33, 102, 105) la valeur
moyenne statistique de n’importe quelle grandeur physique O,
correspondant à l’opérateur tf), dans un système d’hamiltonien
H est
<(D> = Tr (pÔ), Trp = 1. (41.1)
Dans cette expression p représente un opérateur statistique, la
matrice densité, vérifiant Y équation de Liouville
ih ^ = [ H ,ç > \ = H p - 9H (41.2)
compte tenu de la condition initiale
p (—oo) = p0. (41.2a)
Si | s) est un système orthonormé complet quelconque de fonc
tions, les équations (41.1) et (41.2) peuvent s’écrire sous forme
matricielle
<<D>= I (s | p j Sl><*, | | *>= V (41.3)
S, St S, *|
ih^ r = 2 (41-4)
«8
I p M= l. (41.4a)
L’élément matriciel diagonal p „ définit la probabilité de trouver

1*' système dans l’état | s).
§ 41] RÉPONSE DU CRISTAL A UNE ACTION EXTÉRIEURE 301
Supposons maintenant que l’hamiltonien // ait la forme

H = / / 0 + t f lnt, (41.5)
où //„ est l’hamiltonien du cristal,
H mi = BE0 exp (—ico*) (41.6)

est l ’opérateur énergie d’interaction du cristal avec le champ ex
térieur harmonique en fonction du temps
E (t) = £ 0 exp (—/<»>*). (41.6a)
Pour calculer les oscillations forcées du système sous l’action
de la perturbation extérieure (41.6), il faut éliminer tous les proces
sus d’oscillation transitoires qui sont apparus dans le système
à l ’instant t = — oo, lors de l’établissement de l’interaction. Ceci
peut être réalisé de deux manières.
I. On peut supposer que le cristal, à une température déterminée,
interagit peu avec l’environnement dissipatif. Un système en inter
action avec un milieu dissipatif est appelé système ouvert. Cette
interaction conduit à un amortissement des processus oscillants
transitoires, avec un certain temps phénoménologique de relaxation
t . Formellement, on peut tenir compte de la relaxation en substi
tuant à l’équation de Liouville (41.2) une nouvelle équation carac
térisant les systèmes ouverts
= ( p - p 0), (41.7)
où jpu = p (—oo) est la valeur à l'équilibre = de la matrice

densité au moment de l’établissement des interactions avec le champ
extérieur. Si le système échange avec l’environnement seulement
de l’énergie, la valeur de la matiice densité à l’équilibre est égale
à
p0= exp F -H
e
o
où
F = - B ln T r e x p ( - - ^ )
représente l ’énergie libre du système. La grandeur x caractérise
le temps d’établissement du régime stationnaire, 0 = kT est la
température en unités énergétiques.
II. Iês processus oscillants transitoires peuvent être aussi
éliminés en supposant l’établissement de l’interaction (41.6) très
lent (adiabatique) pour t = — oo. Il convient alors de remplacer
# i n t(41.6) par
Hx (0 - BE{) exp ( - ii*t + qO, (41.8)
où r| est une grandeur réelle petite.
Les deux méthodes sont équivalentes si l’on prend r\ = x"1.
Dans les systèmes réels, la durée séparant rétablissement de
la perturbation extérieure et la mesure n’est pas infinie. Pour éli
miner l ’influence des processus transitoires au moment de la mesure,
il faut que x"1 soit suffisamment grand par rapport à la fréquence
des transitions (la probabilité de transitions par unité de temps)
causées par la perturbation extérieure.
Comme nous nous intéressons seulement aux processus station
naires, nous utiliserons plus bas la deuxième méthode.
Posons
p (t) = p(0) + p(1> (0 + . . .
L’équation (41.2) devient un système d ’équations
i h l Ç - = H0P«»-p<o)/y0, (41.9)
ik lP<«>- p«»tfx+ H oP«> - PO)H0,

(41.10)
L'équation (41.10) est Véquation de Liouville linéarisée.

Soient | s) des fonctions formant un système orthonormé complet
de l’opérateur H 0:
(7/0 — cs) \s) = 0 , <* \s) = ô ,,,. (41.11)
On peut écrire alors
P $ = /„ (O = eA ... (41.12)
En effet, dans l’étude des états monoélectroniques, plutôt que de
formuler le principe de Pauli en antisymétrisant les fonctions d’onde,
on peut simplement choisir comme éléments de la matrice densité
à l’équilibre la fonction de distribution de Fermi f 0 (c8) =
= [exp — l ] t définissant la probabilité de présence de
l ’électron dans l’état [s) d’énergie ea. £ est le potentiel chimique,
fonction de la concentration en particules.
Compte tenu de (41.12), nous obtenons l ’équation (41.10) sous
forme matricielle
ik 4t p"* <*>= I/o (c‘) - f° (e..)l(*) + (c*. - e») PÜÎ (0- (41.13)
Sachant que l’opérateur d’interaction dépend du temps sous la forme
(41.8), il convient de chercher une solution de cette équation sous
§ 42] ABSORPTION INTRINSÈQUE DE PHOTONS 303
la forme
,.(D (0) e.\p [ — i (<o + ir\) t\.
P»1,» (0 = piîi (41.14)
Alors
I/o (e..)-/o («.)!«,
P*!* (*) = ' e ' I ’é I f a - i J k E o e x P [ — * ( « + in) i l (4 1 .1 5 )
A l’approximation linéaire, la valeur moyenne de tout opérateur d>

sera
<a>) = Tr(p0é ) + 2 Ut° E0 exp | - i (o> + /ifl t\. (41.1Ü)
*i. «
Si nous comparons ce résultat avec la définition de susceptibilité
généralisée du cristal x (co) par rapport au champ extérieur (41.lia)
(CD) = (O>0 + x (co) E0 exp [—i (co + ir\) t], (41.17)
nous obtenons l’expression explicite de la susceptibilité généralisée
x (ü > ) = y |/°(^ ) ~ /o(ea)|gA . (4 1 .18>
v ' -iJ e, —cs —ha—ifir) vr
«1,5 1
Utilisons l’identité
U K ) - /o (c.) = /„ (e..) 11 - f 0 (c,)] - /o (c.) 11- f 0 (c,,)],
(41.18) devient
x (to) =-• — 2 /o(p») l1 —/o (c»,)] X
*. S,
Æ, «O.,
&S» | 55|vu
B.m <D5 -
. |5 Î
{
C5j — Cs — / i ü ) — ifiT) ” r ctj— C ü + ^ w + îA î] / *
Enfin, compte tenu de l’identité Im (x + ir\)~l = —jtô (i)

(t| -*-0) nous obtenons
Imx((i))= —n 2 /o(c,)ll — /o(c»,)l x
5 |. *
x {5,iaOM|ô (cSl — c3— hcù) — BSSid)SiS6 (c,, —cs + ftco)}. (41.19)

Cette égalité s’appelle la formule de Kubo-Greenwood [1701.
§ 42. Absorption intrinsèque de photons
dans les semi-conducteurs
L’absorption de lumière par passage d’un électron de la bande
de valence à la bande de conduction est appelée absorption interbande.
Lors de l’absorption d’un photon, une paire de quasi-particules ap
paraît dans le cristal: un électron dans la bande de conduction et
un trou dans la bande de valence. Pour une absorption vraie, il faut

un sous-système dissipatif qui modifie l’état de l’électron et du
trou de telle manière qu’ils ne puissent se recombiner instantané
ment avec émission du photon absorbé. Dans un cristal, ce sous-
système dissipatif est constitué par les phonons dus aux vibrations
de réseau. Ces phonons assurent la relaxation avec un certain temps
effectif t .
Soit une onde monochromatique
E (o) = eE0 exp U (Qr — col)I, (42.1)
où e est le vecteur unitaire de polarisation, Q le vecteur d’onde de
la lumière dans le cristal. L’énergie lumineuse absorbée est dissipée
dans le cristal par effet Joule. Dans un cristal non magnétique iso
trope, de permittivité
e (co) — et + ie« (42.2)
l’énergie dissipée par unité de temps et par unité de volume est (voir
140], § 61)
(42.3)
La permittivité est reliée à la conductivité a du cristal par la relation
__ fa>e2 io)
4 ji 4ji
(42.4)
Dans ces conditions (42.3) devient
i / = 4 - i E i2Reo- (42.5)
Introduisons le coefficient d’absorption vrai de la lumière (homogène
à l’inverse d’un temps)
K (<o) = = 4n Re a (o>) = coe2 (<o). (42.6)
Le module du vecteur d’onde dans le cristal Q est défini par la
relation
| Q| = - £ - ( * -Mx) = V e ((o), (42.7)
où c est la vitesse de la lumière dans le vide;
n = |/ ^ [ / ë f + ë î + e i l , x= \ W ë f + ë f —e j (42.8)
sont respectivement Vindice de réfraction et le facteur rf’absorption,
grandeurs sans dimension. Comme e2 = 2nx, conformément à (42.6)
K (co) = 2/ix(o. (42.9)
ABSORPTION INTRINSÈQUE DE PHOTONS 305
La densité du flux d’énergie (vecteur de Poynting) diminue au

fur et à mesure de la propagation de l’onde lumineuse (42.1) dans
le cristal selon la loi
S(z) = S ( 0) e xp( — (42.10)
\ e Y sl /
Lorsque e. <§C e,, n « Y ej et l’expression (42.10) se simplifie
S (z) — S (0) exp ( — z) . (42.10a)
Dans les études expérimentales, on mesure habituellement la

diminution du flux d’énergie au cours de la propagation de la lumière
dans le cristal. Cette diminution, d’après (42.10), permet de déter
miner le rapport z J Y elf qui, lorsque Y z x « rc, coïncide avec x (œ).
Pour définir l’absorption vraie de lumière, il faut connaître e2 =
= 2nx (42.6), c’est-à-dire déterminer indépendamment la disper
sion de l’indice de réfraction. Cette circonstance, ainsi que la néces
sité de tenir compte des réflexions de la lumière aux frontières du
cristal, rend difficile la comparaison quantitative entre les résultats
théoriques et l’expérience.
Les formules introduites plus haut restent valables dans le cas
des cristaux anisotropes, si les vecteurs e et Q sont dirigés le long
des directions principales du tenseur de permittivité e (co).
Passons au calcul du tenseur de conductivité du cristal. Il faut
calculer, dans l’approximation linéaire, le courant moyen
<j (w)> = a (w) E (w) (42.11)
apparaissant dans un cristal sous l’action du champ électrique de
Tonde lumineuse (42.1). Pour calculer (42.11), utilisons la méthode
de la matrice densité développée au paragraphe précédent. En ne
tenant compte que des termes linéaires en E ((o), nous excluons auto
matiquement les processus de réémission spontanée. Dans les systè
mes réels, cette émission n’apparaît pas à cause des processus de re
laxation. Formellement les processus de relaxation sont aussi par
tiellement pris en compte dans la méthode de l’établissement adia
batique de l’interaction (voir paragraphe précédent) à l’aide du petit
paramètre r| = t”1, où r est le temps de relaxation effectif.
En jauge coulombienne (div A = 0), au champ (42.1) correspond
le potentiel vecteur A = — E. Lors de l’établissement adiabatique
des interactions pour t = —oo, l’opérateur (42.1) peut s’écrire dans
l’approximation linéaire
Ap = i (eB) E0exp [ —t (to + itj) t], (42.12)
20-0534
où les opérateurs
è = ^ eiQrP’ <42-13>
e, m sont la charge et la masse de l’électron. L’opérateur densité de
courant s’exprime aussi en fonction de l’opérateur impulsion
J (42.14)
(ici V est le volume du cristal).
Soit H 0 l’opérateur monoélectronique avec les fonctions propres
de Bloch
| S) = \J>ka (r) = eikru ka (r)
et l’énergie e, = ca (k). L’indice s inclut deux indices: k et a.

k est un vecteur d’onde de la première zone de Brillouin, a numé
rote la bande énergétique.
Les éléments matriciels des opérateurs (42.14) et (42.13) sont
respectivement
j,l5= - r 6klisaaIa(k), (42.15)
OÙ
«a,a (k) = j «Sa, (P) ( Ak~fA ■£■) Uka (p) cPp ;(42.15a)
Ü
B,,, = Ô|S+Q. k,ba,a (k, Q), (42.16)
où
ba,a(k, Q) = — j W k + Q . a W ^ ^ k - i f i - ^ ) uka (p) d3P, (42.16a)
7
V
v est le volume de la maille élémentaire.
Si d est la constante du réseau, dans l’approximation des grandes
longueurs d’onde Qd C 1, et l’élément matriciel (42.16a) peut être
remplacé par l’expression approchée
ba,a(k, Q) « ba.a (k, 0) = ®a,a (k). (42.17)
Dans cette approximation, les transitions quantiques de la bande a
à la bande a x vérifient la condition
kt = k. (42.18)
Si ax a, ces transitions sans variation du vecteur d’onde sont ap
pelées transitions interbandes directes (ou transitions verticales). Pour
des transitions interbandes, les éléments matriciels (42.15a) se sim
§ 42] A B S O R P T IO N IN T R IN S È Q U E D E P H O T O N S 307
plifient davantage, en raison de l'orthogonalité des fonctions //ka :

U*“.(P) ( — ihl $ ) “ k«(p)<Pp- (42.19)
Ainsi donc, dans l’approximation des grandes longueurs d’onde, pour
des transitions interbandes
B*!* = ôk,k<** laa,a(k)-
Etudions la valeur moyenne du courant correspondant à l’absorp
tion de lumière, lors d’une transition interbande directe de la bande
de valence s = (v, k) à la bande de conduction sL= (c, k).
Sachant qu’en champ nul <j)0 = 0, dans notre cas le courant
moyen créé par le champ eE0 exp [—i (w + ni) *1 est, conformément
à (41.IG),
J _ V |/o (g c (k )-/„ ( g g(k))|aCI,(k)(ac*B(k) e)
^ (DiV ^ Ec (k) — E d (k) — h(û — ihr\
k
Cette formule donne le tenseur de conductivité
__ i_ v I/o (Ec (k ))~ /q (E0 (k))] (acp (k) X a* (k))
a ^(d' cùN Ec (k) — E0 (k) — Æco—ihr\
(42.20)
Le produit (a X b) représente le produit dyadique des deux vecteurs a

et b, c’est-à-dire (a X b)*„ = axaJr
En répétant les transformations du paragraphe précédent per
mettant de passer de (41.18) à l’expression (41.19), nous obtenons
lorsque Ec (k) > E0 (k)
Rc a (co) = £ 2 h (E, (k)) U - f 0 (Ee (k))l X
k
X (acü (k) x a* (k)) ô (Ee (k) - E 0 (k) - fio>). (42.21)
Le facteur f 0 (E0 (k)) {1 — f 0 \EC (k)]} représente la probabilité
de trouver, avant la transition, l’état c, k de la bande de conduction
libre, et l’état r, k de la bande de valence occupé par un électron.
Lorsque la température est suffisamment basse, ce facteur est égal à
l’unité. Dans ce cas,
Rea(w) 2 (act> (k) X a£,(k))ô [£c (k) — E c (k)—fi©]. (42.22)
k
Pour déterminer la forme explicite de la variation en fréquence
de la quantité (42.22), on néglige habituellement la dépendance
aco (k) en fonction du vecteur d’onde. Passant alors de la sommation
à l’intégration, on obtient
Re («>) = (0) j à [Ecc (k) - M <Pk, (42.23)
20*
308 A B S O R P T IO N O P T IQ U E D A N S L E S S E M I-C O N D U C T E U R S [CH . V I I I
OU
Ëc0 (k) = h(ùco = E c (k) — E 0 (k), (42.24)
2
(a„ (O)Xa^(O)) (42.25)
représente la force d’oscillateur de la transition quantique interbande.

En utilisant l’égalité (Pk = dS dE (| gradk E (k) I)-1 on peut
remplacer l’intégration dans l’espace k (42.23) par une intégration
sur la surface d’énergie constante S (E) suivie d’une intégration sur
l ’énergie. Alors
J = »■ («.26)
L ’expression (42.23) devient

dS
I grad,. Eco (k)lr jEt cc(k)-i.<o‘
(42.27)
Supposons que les masses de l’électron et du trou soient isotropes,

et que les extréma des bandes soient situés au point k = 0. Nous
avons dans cette approximation
Ec (k) = Ec (0) + /rk 2/2m?,
E0 (k) = Ec (0) - n-kV2mt.
C’est pourquoi
Eco (k) = Eg + h-k-/2ii. (42.28)
ou
E r = Ec (0) - E b (0) > 0
représente la largeur énergétique de la bande interdite,
p= + m*)
est la masse réduite de l’électron et du trou. Compte tenu de (42.28)
l ’expression (42.27) devient
Re (“ ) = J W L /2 p ( A o ,- ^ ) .
Supposons que l’axe des x soit dirigé le long du vecteur aCD.
Le tenseur (42.25) a une seule composante non nulle
Reo0(<o) = axx( o > ) = i i g ^ (42.29)

Dans ce cas, le flux d’énergie (dans la direction z (ou y) de propaga
tion de l’onde lumineuse de fréquence co) varie conformément à la
loi
S (z) = S (0) exp [ — (©)] ,
où c est la vitesse de la lumière dans le vide, n l’indice de réfraction.
Ainsi l’absorption n’est possible que lorsque
h(ù ^ Eg.
Lorsque le minimum de la bande de conduction et le maximum
de la bande de valence ne correspondent pas au même point de la
zone de Brillouin (comme dans le germanium et le silicium), les
transitions directes (verticales) commencent pour des énergies fï(o >
> Eg. Pour calculer la partie réelle du tenseur de conductivité, on
doit alors, comme dans le cas d’une masse anisotrope, utiliser l’ex
pression générale (42.23).
L’expression (42.26) montre que lorsque
| gradk Eco (k) | = | gradk Ec (k) — gradk E0 (k) | = 0
(42.30)
le tenseur de conductivité a des singularités [1711. Les points de
l’espace k pour lesquels cette égalité est satisfaite s’appellent points
critiques ou singularités de Van Houe [1721. Ces points critiques sont
situés au centre de la zone de Brillouin et aux points de haute symé
trie situés à la limite de la zone de Brillouin. Dans ces conditions
gradk Ec (k) = gradk E0 (k) = 0.
Ces points critiques peuvent aussi être localisés sur des axes de symé
trie du troisième ou du quatrième ordre. Dans ce cas ce sont les
composantes du gradient perpendiculaires aux axes de symétrie qui
s’annulent.
En développant Eco (k) au voisinage d’un point quelconque kQ
en série de puissances du vecteur q = k — k0, on peut introduire le
tenseur de la masse effective de l’électron et du trou. Par rapport aux
axes principaux de ce tenseur, ce développement a la forme
Eco (ko + q) = £* + - £ 2 î K 1+ • • • (42.31)
X
(42.28) est un cas particulier de cette expression. On distingue quatre

groupes de points critiques, selon le signe de la masse effective (42.31).
Ces groupes sont notés Ms, où s = 0, 1, 2, 3 est le nombre de masses
effectives négatives dans l’expression (42.31). Pour A/0, le point
critique correspond à un minimum de Eco (k) ; pour à un maxi
mum. Les points M x et A/* sont des points selles pour Ec0 (k).
D’après (24.1), la densité d’états dans l’unité de volume, dans
l’échelle énergétique (sans tenir compte de la dégénérescence, soit
pour g = 1) est
p |S ( t ) |- ( 2 n ) - » § î755^ îrr
La partie réelle du tenseur de conductivité (42.27) peut donc s’ex

primer en fonction de la densité d’états:
Reor0((o)=-^fejifi/7CPp((o) pour fi(o = £ cr(k). (42.32)
Au voisinage des points critiques la densité d’états s’écrit
C0 + Re |/fiü) — Eg pour M 0l
. . C3-+-Re y E* — fico pour M z,
p ((o )« 3 *-------
Cx— Re y Efj — hiù pour M lf
C2— Re Yh(ù — Eg pour A/2.
D’après (42.4) la partie imaginaire de la permittivité (42.2) est
directement reliée à (42.32) par la relation
An n „
e2
£= —CO Re o.
Pour calculer la partie réelle de la permittivité
e1= l + — Imcr
1 1 CO
il faut connaître Im cr. Dans l’expression (42.20), passons de la som
mation à l’intégration. Nous supposerons que la température est
suffisamment basse pour que f 0 [Ec (k)] — f 0 [E0 (k)l « 1, et nous
utiliserons l’identité
Pc f <»(«)<*« ^ f
J X—iq J x
où le symbole 73 indique que l’on prend la partie principale de l’in

tégrale. Nous obtenons
Im (J —(2ji)3 co
42.1. Transitions interbandes indirectes. En plus des transitions
optiques directes (verticales) il peut y avoir dans le cristal des tran
sitions interbandes de la bande de valence (u, k) à la bande de con
duction (c, kx) ne vérifiant pas la règle (42.18), c’est-à-dire lorsque
kx =5^ k. Ces transitions optiques sont appelées indirectes. Elles appa
raissent lorsqu’une troisième quasi-particule est impliquée dans le
processus de transition. Cette troisième quasi-particule, qui peut
être : 1) un phonon du réseau, 2) un ion ou une impureté quelconque,
ou un défaut, 3) un autre électron ou trou, est porteuse d’une quasi-
impulsion fi (k — kj) et de l’énergie correspondante.
A B S O R P T IO N IN T R IN S È Q U E D E PH O T O N S 311
Dans lin cristal parfait sans impuretés et sans porteurs de charge

(électron et trou) les transitions indirectes sont dues aux phonons
ÀQq. Ceux-ci peuvent être absorbés ou émis conformément aux lois
de conservation de la quasi-impulsion et de l’énergie:
ftk = h (kx ± q), Aw = £ ck» — ^ck ± ft£2q.
A basse température, les transitions indirectes ne sont possibles
qu’avec émission de phonons. La fréquence des phonons absorbés
vérifie alors la relation A(o ^ Eg
(Kg. 53).
La probabilité des transi
tions interbandes indirectes est
beaucoup plus faible que celle
des transitions directes. Pour
calculer cette probabilité, on
peut donc utiliser la théorie des
perturbations. Dans la théorie
des perturbations, les transi
tions optiques entre l’état ini
tial | /\ k) et l’état final
| c, kj) interviennent à l’ordre
deux, par l’intermédiaire d’un 0 a
état | c, k). Fig. 53. Schéma des transitions interban
Le facteur d’absorption de des directes ( û>0) et indirectes (©!, co2) à
la lumière pour une transition basse température.
optique interbande indirecte a c — bande de conduction, r —bande de valence.
été calculé dans [1731. Dans
ce travail, on suppose les bandes de valence et de conduction pa
raboliques, leurs extréma correspondant au point k = 0.
Si v est le nombre de photons de fréquence co dans l’unité de
volume et cln (<o) leur vitesse dans le cristal, le facteur d’absorption
est défini par l’expression
*<“ > - — £■37'• <4 2 M >

OU
1 dv 1
v "~dt T 2j wck,:vk.
k. k,
2ji
U;c k l ; r k — — (n yt*i {Sté
J «u> 10 I|2 6 (Et - E,) (42.34)
est la probabilité de transition optique de l’électron (par unité de
temps) de l’état initial | i) de vecteur d’onde k dans la bande de
valence, à l’état final | /> de vecteur d’onde kj dans la bande de con
duction. Les quantités figurant dans (42.34) ont la signification sui
vante : (s | Hx |i> est l’élément matriciel de la transition verticale
312 A B S O R P T IO N O P T IQ U E D A N S L E S S E M I-C O N D U C T E U R S [CH. V III
(Ak = 0) entre l’état initial | i;k> de l’électron dans la bande de va

lence et l’état intermédiaire | ck) dans la bande de conduction. Le
carré du module de cet élément matriciel, moyenné sur les directions
de polarisation du photon, est donné par l’expression [1731
(42.35)
où PDC= (vk\p\ ck) est l ’élément matriciel de l ’opérateur impul

sion; ( / |F |s ) est l ’élément matriciel de transition de l ’électron
dans la bande de conduction entre les états |ck) et (ck^, corres
pondant à l ’absorption d’un phonon d ’énergie AQq et de vecteur
d ’onde q = kx— k ; Ei — hw — est l ’énergie de l ’état initial
2mv
/i2k2
(électron dans la bande de valence et photon); E t = Eg-\----- T est
2mc
l’énergie de l’état intermédiaire Ick) de l ’électron dans la bande
/t2k?
de conduction; Ef = Eg-\----- est l’énergie de l ’état final,
lmc
c’est-à-dire l ’électron dans Tétât (ck^ et le phonon.
Dans [173] le calcul du facteur d’absorption (42.33) est réalisé
dans deux cas:
1) Pour des cristaux dont la bande de valence est dégénérée (du
type Ge, Si), pour des interactions non polaires de l’électron avec
les branches longitudinales et transversales des vibrations de réseau.
On utilise en outre l’approximation dans laquelle le carré du module
de l’élément matriciel d’interaction est simplement proportionnel
au nombre moyen de phonons de fréquence £2q :
| ( / | / | s > | 2= p2[e x p -^ 3 .]- 1 , (42.36)
P est un coefficient de proportionnalité.

2) Pour des cristaux ioniques. Dans ce cas T interaction de l’élec-
tron-phonon avec les branches optiques longitudinales est importante
(polarisation du cristal) et la variation de l’élément matriciel en
fonction du vecteur d’onde est importante.
On propose d’utiliser l’égalité
| ( / | F | S) |2= v2q2 [ e x p - ^ i —l ] - 1 , q = k, — k. (42.37)
Plaçons-nous dans le premier cas. Dans [173], en substituant (42.35)

et (42.36) dans (42.33), on obtient le facteur d’absorption de la tran
sition indirecte sous la forme (pour Qq — Q) :
OÙ
2 (Eg — hw) .
cp =
I l "h ( m j/m j)] (/iw + AQ — Eg) H ■1,
(42.39a)
A = A n e H m U t ) 3/ 2\ ( \ P v c 1) |» (42.39b)
7icù)/i 6 [ 1 + m i l m * Ia
La formule (42.38) est valable aussi pour les transitions indi

rectes des trous, à condition de remplacer dans (42.39) le rapport m*lm*
par le rapport Pour de faibles valeurs de \h (ce + Q) — Eg\
le facteur d'absorption est proportionnel au carré de cette quantité,
i.e.
x ~ [h (<d + Q) — Eç]2 pour | h (co + Q) — Eg | HQ.
Dans le cas des cristaux ioniques, pour calculer (42.33), il faut
utiliser (42.35) et (42.37). Conformément à [1731 nous avons
g [ * (« + f l)- g ,l r 1 1_____ -,
w“ [ e x p (« Q /0 )-l|fiQ ((p -^ )L /^ q -ï y ^ T fïJ ’ v ’ '
où cp est défini par l’expression (42.39a),

it>= (mj — -f m*),
B 4ne* ( \ P oc I-)
Jim 8c /i3ù) ( 2 + m J / m ? ) 3
L'expression (42.40) du coefficient x est presque’ proportionnelle à

[h ((o -f- Q) — EsI.
Dans [174], on étudie la probabilité de transition indirecte dans
le germanium, entre la bande de valence dont le maximum est à
k = 0 et la vallée de la bande de conduction dont le minimum est à
kc = 2ji/Xd (Kd = 0,86 pi). La probabilité de transition par seconde,
pour un photon absorbé de longueur d’onde X Xd, est proportionnel
le à
-■ [*? + (*® - Ee)] (Au- Ee) \

où Eg « 0,7 eV est la largeur énergétique de la bande interdite
(longueur d’onde 1,8p), Xd est la longueur d’onde de la transition
optique directe pour k = 0 (d’énergie 1,45 eV).
Sur la figure 54 on a représenté (en unités arbitraires) la variation
des facteurs d’absorption dans le germanium pour des transitions
directes et indirectes, en fonction de la longueur d’onde, d’après
[174]. Dans [175] on peut trouver les résultats expérimentaux con
cernant les transitions optiques indirectes dans le germanium.
De nombreux travaux de Toyozawa et d’autres chercheurs (voir
par exemple [176 à 1791) sont consacrés à l’étude du rôle joué par
314 A B S O R P T IO N O P T IQ U E D A N S L E S S E M I-C O N D U C T E U R S [CH. V I II
les transitions indirectes (dues aux phonons) dans l’élargissement des

bandes d’absorption intrinsèque au voisinage des transitions directes.
Soit une transition optique interbande indirecte faisant inter
venir un phonon. D’après (42.34) l’énergie du plioton absorbé est
égale à l’énergie du phonon hQq, augmentée de la différence
(42.41)
entre l’énergie de l’état final et celle de l’état initial de Télectron.

Par ailleurs, soit une transition indirecte due à une impureté. Comme
la masse de celle-ci est grande, elle
n’absorbe pratiquement pas d’éner
gie, et l’énergie du photon absorbé
est égale à (42.41). Evidemment, la
probabilité d’un tel processus est
proportionnelle à la concentration
en impureté. Dans [1801 on trouve
une étude des transitions interban
des indirectes dues aux interactions
coulombiennes des électrons avec
les impuretés ionisées.
Les lois de conservation de l’éner
gie et de la quasi-impulsion peuvent
rester valables dans une transition
indirecte résultant de l’absorption
et de l’émission de photons, même
lors d’interactions avec des porteurs
indirccte (6) dans le germanium.
de charge libres dans les bandes. En
effet, dans une transition interbande
indirecte de l’électron, la variation
de quasi-impulsion (et d’énergie) peut être compensée par une varia
tion correspondante de la quasi-impulsion d’un électron libre (ou
d’un trou) de la bande de conduction (ou de valence). L’énergie de
la particule considérée varie, c’est-à-dire la particule « se réchauffe »
ou « se refroidit ». La probabilité d’un tel processus est proportion
nelle à la concentration en quasi-particules dans les bandes.
Les processus d’absorption de photons d’énergie inférieure à la
largeur de bande interdite sont d’un grand intérêt pratique. Ils
s’accompagnent du « refroidissement » d’un électron de la bande de
conduction (ou d’un trou dans la bande de valence), puisqu’ils ne
sont pas masqués par l’absorption intrinsèque à basse température.
Cette possibilité fut signalée pour la première fois par Ryvkin [1811,
et la théorie de ce phénomène fut développée dans [1821.
Evidemment l’absorption d’un photon d’énergie fia) inférieure à
l’énergie de la bande interdite Eg n’est possible que si on peut trou
ver dans le semi-conducteur des électrons libres (ou des trous) d’éner-
gie cinétique égale à Eg — fia). En même temps, la loi de conserva

tion de la quasi-impulsion doit être satisfaite. Si Ton néglige la
très faible quasi-impulsion du photon, la loi de conservation de la
quasi-impulsion devient
ke = ± V 2 m ï ( E g-ho>). (42.42)
L’énergie cinétique nécessaire peut être communiquée aux électrons
par un champ électrique extérieur. Les lois de conservation de l’éner
gie et de la quasi-impulsion (42.42) ne sont vérifiées simultanément
que dans les semi-conducteurs où le maximum de la bande de valence
et le minimum de la bande de conduction sont décalés dans l’espace k
d ’une valeur inférieure à (42.42). Si ces extréma sont fortement déca
lés (comme dans le cas du germanium et du silicium) les électrons de
la bande de conduction ayant une énergie suffisante ont une quasi-
impulsion trop petite pour que soient simultanément vérifiées les
lois de conservation de l’énergie et de la quasi-impulsion (42.42).
Soit un semi-conducteur placé dans un champ magnétique fort,
dont le minimum et le maximum de bandes sont situés au même
point k = 0. On peut alors observer, pour des fréquences to >
des transitions indirectes faisant intervenir un troisième type de quasi-
particule (électron ou trou), qui présente des niveaux discrets (quan
tifiés) (niveaux d’énergie de Landau (voir § 42.2)). Dans ces condi
tions, les règles de sélection Arc = 0 deviennent Arc = 2, 4, . . .
Les maxima accessoires sont séparés du maximum principal par une
énergie égale au double de la fréquence cyclotron des électrons (ou
des trous). La théorie de ces transitions magnétiques dans la région
H(ù > Eg a été développée par Vlassov [183] et dans la région hio < Eg
par Vlassov et Machkévitch [1841.
42.2. Oscillations de magnétoabsorption. A basse température,
si le semi-conducteur est placé dans un champ magnétique suffisam
ment élevé B, on assiste, comme dans un métal (voir § 29), à une
restructuration des états d’énergie dans les bandes de conduction
et de valence. Dans le cas le plus simple, lorsque l’on ne tient pas
compte du spin électronique, dans un semi-conducteur isotrope la
structure en bandes énergétiques quasi continues tridimensionnelles
fait place à une nouvelle structure unidimensionnelle (niveaux de
Landau) dont le vecteur d’onde k est dirigé le long du champ magné
tique (fig. 55).
Pour k2 = 0 l’énergie des niveaux de Landau est déterminée
par le nombre quantique rc = 0, 1, 2, . . . à l’aide de l’égalité
+ i= e , t, (42.43)
où h(on = eBlm*c est la fréquence cyclotron. Dans la bande de
conduction m* est égale à la masse effective de l’électron et dans
la bande de valence, à celle du trou. Comme, habituellement, dans

les semi-conducteurs, la masse effective des électrons est très infé
rieure à la masse effective des
trous, (oiT > <ûb\
L’absorption optique entre les
niveaux de Landau (42.43), lors
que coB x = (Test la du
rée de vie de l’état), présente une
structure discrète, au bord de la
bande d’absorption continue delà
lumière dans le cristal. Ce phéno
mène porte le nom d'oscillations
de magnétoabsorption. Il a été dé
couvert en 1957 par Zwerdling et
Lax [185] dans le germanium ; par
Bursteinet Picus[186] dansl’anti-
moniure d’indium; par Gross,
Zakhartchénia et Pavinski [1871
dans l’oxyde cuivreux.
Le schéma simple représenté
Fig. 55. Modifications dans les bandes
sur la figure 55 se complique nota
de conduction (a) et de valence (6) ré blement dans les semi-conduc
sultant de l'application d'un champ teurs réels en raison de l’aniso-
magnétique. tropie des cristaux, de la dégéné
Les courbes paraboliques pointillées indi rescence des bandes énergétiques
quent les bandes sans cham p. Les courbes ho
rizontales correspondent aux énergies dans un
cham p m agnétique appliqué pour Jfc, » o.
et des interactions coulombiennes
entre les électrons et les trous.
Ce dernier effet est étudié dans
de nombreux travaux [188 à 191], dans le cas idéal de semi-conduc-
teurs non dégénérés simples, et ;tu prix d’une série d’hypothèses
simplificatrices.
§ 43. Excitons de Wannier-Mott

Dans les paragraphes précédents, les propriétés optiques des semi-
conducteurs ont été étudiées dans le cadre du modèle monoélectro
nique. Les interactions entre les électrons et les ions du réseau ont
été partiellement prises en compte en remplaçant les ondes planes
par les fonctions de Bloch, qui tiennent compte du potentiel pério
dique moyen du cristal. Dans cette approximation, au cours du pro
cessus d’absorption, on suppose inchangés les états de tous les autres
électrons. En réalité, lorsqu’un électron transite de la bande de valen
ce à la bande de conduction, les états de tous les autres électrons de
la bande de valence se trouvent modifiés. On peut formellement tenir
compte de ces variations en introduisant une interaction effective
§ 43] EXCITONS DE WANNIER-MOTT 317
entre T électron concerné par la transition et le trou qu’il laisse dans

la bande de valence. Cette interaction exprime que tous les états
électroniques du cristal sont interdépendants.
L’interaction de l’électron et du trou dans le cristal peut donner
naissance à des états particuliers liés et neutres. Ces états de l’élec
tron et du trou sont appelés excitons de Wannier-Mott [192 à 1951.
Dans les diélectriques et dans les semi-conducteurs de permittivité
élevée, les propriétés principales des excitons peuvent être décrites
sur la base d’un modèle simple. L’électron et le trou sont considérés
comme des quasi-particules de charges unitaires opposées, et leur
énergie potentielle d’interaction est —e2/er, où e est la permittivité
du cristal pour de basses fréquences. Les masses effectives de ces qua-
si-particules sont celles de l’électron (mj) du bord inférieur de la
bande de conduction et du trou (m*) du bord supérieur de la bande
de valence.
Dans le cas simple de bandes paraboliques dont les extréma sont
situés au point k = 0, les énergies des électrons de conduction et
des trous sont
Ee(k) = Eg + 2 £ - , E 0(k) = — g p (43.1)
Introduisons l’interaction électron-trou sous la forme

V (r) = —e2/ er, r = | r. - r, |-(43.2)
Nous obtenons, dans le système du centre d’inertie, une équation
caractérisant l’énergie de la paire électron-trou
/ a2 a*
\ 2p 0r2 er ) «Pntm W =
h'-k*
= [ £ „ ( k ) - £ g- 2 ( J *Pn(rrM (43.3)
OU
H m j+ m *
(43.3a)
est la masse réduite de l’électron et du trou. On peut alors repré

senter l’énergie comme la somme de trois termes
Ejl ^ = 2 + 2Æ2e2ft2 +
où Eg est la fente énergétique entre le haut de la bande de valence

et le bas de la bande de conduction; hk est la quasi-impulsion. Le
premier terme de (43.4) correspond à l’énergie cinétique du mou
vement libre de l’électron et du trou. Pour k = 0 le deuxième terme
correspond aux états excités discrets (n = 1, 2, . . .) d’un atome
318 ABSORPTION OPTIQUE DANS LES SEMI-CONDUCTEURS fCH. V III
hydrogénoïde (fig. 56) dont la masse réduite serait p, placé dans un

milieu continu de permittivité e. L’état n = 1 est l’état excité
le plus bas. Comme le vecteur d’onde k parcourt les N valeurs de la
première zone de Brillouin, à cha
E que niveau d’énergie discret, défi
ni par le deuxième terme de (43.4),
correspond une bande énergéti
que. Ces bandes correspondent à
des états du cristal en entier, et il
ne faut pas les confondre avec les
bandes énergétiques des états mo
noélectroniques, déjà étudiées
dans les paragraphes précédents
de ce chapitre.
Le rayon de l’exciton de nom
bre quantique n est donné par la
formule
R n ~ ^ a B, (43.5)
où m est la masse de l’électron
libre, aB
"
= me2 « 0,5 •10“8 cm
le rayon de Bohr de l’atome d’hy
drogène.
Dans le cristal de germanium,
pour p « 0,2m et e«16, le rayon
I'ig. LG. Niveaux énergétiques de du premier état R x « 8 0 ^ est
l ’exciton de Wannier-Mott. nettement supérieur à la constan
te du réseau. Ceci justifie l’utili
sation d’une description macroscopique des interactions électron-trou
à l’aide de la loi de Coulomb—e2/er, où e est la permittivité pour les
basses fréquences. A l’énergie (43.4) correspond la fonction d’onde
|k, nZm) = -^ = -e ikPcpn;m (r), (43.6)
ou p = mj + m*
est la coordonnée du centre de masse de l ’élec-
tron et du trou ;
<Pn«m(r) = y«m(^, <p)/„i(r). (43.6a)
Ici fni (r) est la fonction d’onde radiale de la particule de masse
réduite (43.3a) et de charge effective e lY e, normalisée par la condi-
co
tion ^ fit (r) r2 dr — 1 (voir [51, p. 179); Y lm (O, (p) une fonction
o
sphérique normée.
§ 43] EXCITONS DE WANNIER-MOTT 3lU
Pour un calcul plus précis des états excitoniques on doit tenir

compte du caractère tensoriel de la masse effective de l’électron et
du trou, ainsi que de la permittivité. Evidemment, l’interaction élec
tron-trou ne peut être décrite par un opérateur du type —e2/er que
pour des distances très supérieures à la constante du réseau. Le pro
blème du choix correct du potentiel effectif d’interaction fait l’objet
de nombreux travaux (voir, par exemple, 1196,197]).|En toute rigueur
la valeur e dans —er!tr doit dépendre der. Pour r petit, on devrait
utiliser la permittivité pour des fréquences élevées, et pour r grand,
la valeur de la permittivité statique (voir § 52).
Les efforts des théoriciens portent principalement sur le calcul
des états excitoniques (des excitons de Wannier-Mott) dans le cas
de bandes complexes: dégénérescence, anisotropie, extréma aux
points k 0, etc. (voir par exemple [194, 198]). Un résumé de ces
méthodes de calcul figure dans la monographie de Knox [1991.
L’équation (43.3) ne tient pas compte des états de spin de l’élec
tron et du trou. Comme l’électron et le trou sont dotés d’un spin égal
à V2fi, le spin total de l’exciton peut être soit égal à 0, soit égal à fi.
Dans le premier cas l’exciton est qualifié de singulet (paraexciton),
dans le deuxième l’exciton est triplet (orthoexciton). L’énergie de
l’exciton triplet est inférieure à celle de l’exciton singulet. La diffé
rence d’énergie est égale au double de l’énergie d’interaction d’échan
ge entre l’électron et le trou. Cette énergie a été calculée par Moska-
lenko et Tolpygo [1981 et Elliott [2001. L’interaction d’échange est
par nature une interaction de contact, c’est pourquoi elle est propor
tionnelle au carré du module de la fonction d’onde pour r = 0. Par
conséquent, cette interaction n’est effective que dans l’état s de Tex-
citon, et approximativement proportionnelle au cube du rapport entre
la constante du réseau et le rayon de Bohr de l’exciton.
La première preuve expérimentale de l’existence d’excilons de
Wannier-Mott fut obtenue par Gross et coll. [201 à 2041, qui obser
vèrent un spectre hydrogénoïde au voisinage du front de la bande d'ab
sorption intrinsèque. Pour pouvoir parler de spectre hydrogénoïde,
il faut au moins que trois niveaux d’énergie du cristal vérifient la
formule (43.4), sauf le niveau n = 1.
Dans le spectre de l’oxyde cuivreux à 4 K, on observe deux séries
hydrogénoïdes [205 à 2081
ET?n = 2,173------^
o 4 no 0,0968 v
— eV, n = 02, . . . , c6,
0 154 (“** • O
£ n =2, 306— n* eV, n = 2, 3, 4.
D’après Elliott [195], la présence de deux séries est due aux étals
excitoniques formés par deux branches de la bande de valence et une
bande de conduction. Sur cette base Elliott construisit le schéma de
la structure de bandes de Cu20 au voisinage de k = 0 [2001.
En étudiant les spectres d’un cristal de CdS, Thomas et Hopfield

1168, 209, 2101 construisirent une structure de bandes correspondant
à trois séries excitoniques. Moskalenko et Chmigliouk [211] indiquè
rent la nécessité de tenir compte de l’éclatement des termes excito
niques, dû à la présence de plusieurs ions identiques dans la maille
élémentaire. L’absorption intrinsèque de lumière polarisée par Je
cristal de CdS à 20 K a été étudiée par Brodin et Strachnikova [212].
L’anisotropie du cristal de CdS apparaît dans l’anisotropie des
■états excitoniques. Le spectre d’absorption du cristal de CdS pré
sente trois séries d’états excitoniques correspondant à la bande de
•conduction et aux trois branches de la bande de valence de la figure
52. Ces séries sont notées A , 5 , C. Les plus basses énergies de chaque
'série sont respectivement égales à 2,55, 2,57 et 2,63 eV. Les bandes
de la série A sont observées seulement lorsque le champ électrique
de la lumière incidente est polarisé perpendiculairement à l’axe
d’ordre six c. La première bande de cette série (n = 1) correspond à
une force d’oscillateur de 0,026. Les bandes des séries B et C sont
observées aussi bien lorsque E_L c que lorsque E || c. Les premières
bandes de ces séries ont pour force d’oscillateur pour la série B ,
perpendiculairement à c 0,014, parallèlement à c 0,016, pour la série
C respectivement 0,008 et 0,017.
Les valeurs obtenues plus haut sont relatives aux excitons trans
versaux. Les excitons dont le vecteur d’onde est parallèle à c sont
transversaux. Lorsque le vecteur d’onde est perpendiculaire à c,
il y a des excitons transversaux et longitudinaux. Pour n = 1,
l’énergie des excitons longitudinaux est d’environ 0,001 eV plus éle
vée que l’énergie des excitons transversaux. Les excitons longitu
dinaux n’apparaissent pas dans les interactions avec une lumière,
dont le vecteur d’onde est dirigé parallèlement à l’axe c. Cette tran
sition devient possible si le vecteur d’onde du photon forme un cer
tain angle avec l’axe c.
D'autres cristaux présentent aussi un spectre d’excitons hydrogé
noïde. C’est le cas de l’iodure de plomb P b l2 où quatre raies intenses
du spectre sont distribuées selon la formule
E n = 2 ,5 6 8 --— - eV, n = 2, 3, 4, 5. (43.8)
La raie correspondant à n = 1 est située 0,08 eV plus haut que ne le
prévoit la formule (43.8).
La preuve directe du déplacement des excitons de Wannier-Mott
•dans un cristal fut obtenue par Hopfield et Thomas [213]. Le modèle
excitonique de Wannier-Mott convient lorsqu’il s’agit de décrire
les excitations de basse fréquence correspondant aux niveaux quasi
discrets de cristaux à permittivité élevée. L’énergie de liaison de l’ex-
citon dans l ’état n = 1 (constante de Rydberg) est égale à pe4/2e2ft2.
•Cette valeur est p,/me2 fois plus petite que l’énergie de liaison de
l’électron dans l’atome d’hydrogène (~13 eV). Dans des semi-con

ducteurs typiques comme le germanium (p « 0,2m, e « 16) l’éner
gie de liaison est environ 0,016 eV, valeur inférieure à l’énergie moyen
ne d’agitation thermique à la température ordinaire. C’est pourquoi,
dans ces cristaux, le concept d’exciton n’a plus de sens à la tempé
rature ordinaire.
Pour certains diélectriques, on peut avoir des états excitoniques
à la température ordinaire. Par exemple pour l’oxyde cuivreux, les
valeurs expérimentales des constantes de Rydberg des deux séries
excitoniques sont 0,1 et 0,15 eV. Dans le cristal de sulfure de cad
mium, la constante de Rydberg des trois séries excitoniques est de
l’ordre de 0,03 eV.
D’après (43.4) l’énergie d’excitation minimale nécessaire pour
former un exciton est égale à
Euo = Eg - ue4/2e2Æ2. (43.9)
Par conséquent, lorsque la différence d’énergie entre la bande de
conduction et la bande de valence (Eg) est petite, on peut avoir
Eg - p*4/2e2/r < 0. (43.10)
Dans ce cas, le diélectrique est instable vis-à-vis de la formation
d’excitons, c’est-à-dire, à l’état fondamental, il doit y avoir des
excitons dans le cristal. Cette circonstance fut remarquée dans (214).
Pour étudier cette possibilité, il est nécessaire de tenir compte de
l’interaction des excitons formés et des caractéristiques de leur disso
ciation thermique.
La méthode de la masse effective et de la permittivité macro
scopique utilisée plus haut dans la théorie des excitons n’est possible
que pour des potentiels variant peu avec la distance. Pour un poten
tiel coulombien au voisinage de r = 0, cette condition n’est pas
réalisée. Ainsi, même pour les cristaux qui vérifient bien une pro
gression du type hydrogénoïde (43.7), (43.8), le premier niveau avec
n = 1 fait exception, parce que la fonction d’onde de l’électron dans
l’état 1$ est différente de zéro pour r = 0.
Si les tenseurs de masse effective du trou et de l’électron sont
négatifs (point critique de type voir § 42), on peut considérer
les interactions coulombiennes entre l’électron et le trou comme la
répulsion de deux particules de masses positives. Dans ce cas, il
n’y a pas d’états liés, cependant cette interaction supplémentaire
apparaît dans la variation en fréquence de la permittivité du cristal
au voisinage du front d’absorption interbande [214].
Au voisinage des singularités correspondant aux points selles Mx
et (voir § 42), pour des semi-conducteurs de fente énergétique
étroite, l’équation de Schrôdinger fait intervenir des masses effec
tives de signes différents selon les directions. Dans ce cas, même
pour une symétrie cylindrique, on ne peut résoudre exactement l’équa-
2 1 -0 5 3 4
tion de Schrôdinger. Pour quelques composés du type blende ou ger

manium, | /Tifj | » mL. Dans ce cas l’équation de Schrôdinger
peut être résolue par l’approximation adiabatique [214, 2151.

Si la fonction cp vérifie l’équation
r h* / a* . a* \ ** \ , x
„ + , . + , ■ ) •* <*• >• * > -
— Ei (z) <p<(x, y; z), (43.12)
où la variable z est considérée comme un paramètre, dans l’approxi
mation adiabatique la solution de (43.11) peut être écrite sous la
forme
'Pi (r) = <Pi (x, y; z) <D (z), (43.13)
où la fonction O (z) vérifie l’équation
[ - ■ <43-14>
Pour 2 = 0, l’équation (43.12) se ramène à l’équation d’un atome
d’hydrogène bidimensionnel. Ses états liés ont pour énergie [2141
E t (0) = —2m± [AV (21 - l)2!-1, Z = 1 , 2 , . . .
On obtient les valeurs E t (z) en résolvant l’équation (43.11) par la
théorie des perturbations. Connaissant E x (2), on peut résoudre l’équa
tion (43.14) dans l’approximation quasi classique. Les détails du
calcul sont développés dans [214]. Les états excitoniques correspon
dant aux points singuliers Mx et M 2 apparaissent en absorption sous
la forme de maxima aigus [216 à 218].
Les excitons hydrogénoïdes ne sont pas observés dans les cristaux
de permittivité e faible et avec l’électron de masse effective élevée
(halogénures de métaux alcalins). Dans ce cas le rayon excitonique
est petit, l’approximation de la masse effective n’est pas valable et
on ne peut approximer l’interaction électron-trou par un potentiel
coulombien. Les travaux traitant de ce type d’excitons proposent
différents modèles du potentiel d’interaction correspondant à diffé
rentes distances d’interaction [219 à 221]. La monographie deCardona
[222] fait état des différents résultats obtenus dans les calculs cités
plus haut.
Jusqu’à présent, nous avons étudié des excitons dans des cristaux
dont le maximum de la bande de valence et le minimum de la bande
de conduction correspondaient au même point de l’espace k. Dans
ce cas l’énergie du photon absorbé contribue d ’une part à former l ’ex-
citon et d’autre part lui communique une énergie cinétique A2k2/(m* +
+ m*). Le spectre est alors discret, car l ’absorption répond aux rè-
gles de sélection k = Q, où Q est le vecteur d ’onde de la lumière.

C’est pourquoi, lorsque les phonons ne participent pas à la transi
tion, seul le sous-niveau excitonique Ên (k) avec k = Q « 0 est
actif. Les transitions dans ces états excitoniques sont appelées direc
tes ou verticales, puisque k — ke — k, « 0.
Les transitions directes sont dites autorisées, si les éléments matri
ciels de transition sont différents de zéro pour |kejæ | kt|æ 0. La
probabilité des transitions directes autorisées est proportionnelle
au carré du module du moment dipolaire de transition, construit
sur les fonctions de Bloch (pour k = 0) de l’électron et du trou, et
au carré du module de la fonction d ’onde de l ’exciton au point r = 0,
soit | iJj (0) |2.
Dans le cas de bandes paraboliques (symétrie sphérique) | ^ (0) | ^
0 seulement dans les états s. La probabilité de transition est donc
proportionnelle au cube du rapport de la constante du réseau au
rayon de l ’exciton, c’est-à-dire v/n3R \, où v est le volume de la mail
le élémentaire; B 1 = tfr/pe2 est le rayon de l ’exciton.
Les transitions sont dites dipolaires interdites, si l’élément matri
ciel de transition est proportionnel au carré du vecteur d ’onde de
l’électron. Dans le cas d’une symétrie sphérique, on ne peut exciter
que des excitons dans l’état « p » et la probabilité de leur formation
est proportionnelle à v (n* — 1)/n6a6.
Lorsque le minimum de la bande de conduction et le maximum
de la bande de valence sont situés en des points différents de l ’espace
k (k? et k?), la transition d’énergie la plus faible est indirecte. Hall,
Bardeen, Blatt [223] et Dresselhaus [194] ont montré que ces transi
tions étaient possibles si elles s’accompagnaient de la formation
(ou de l’absorption) d’un pbonon de vecteur d’onde
q = k j—k ? + Q « k?—k®.
Les excitations de ce type sont appelées excitons indirects.
Si B = (ep) exp (iQr) est l’opérateur d ’interaction de l’élec
tron avec le photon, H lnX l’opérateur d’interaction de l’électron avec
les phonons, la probabilité de transition indirecte par unité de temps
est proportionnelle à
(0; vq|B|0/; vq) (0/; vq|#mtlk.
* BK n - E f X
t
X ô(2?kf n— E0 ± fifiq —fccû),
où la somme s'étend à tous les états intermédiaires | 0/> (plusieurs
branches de la bande de valence). Dans quelques cas particuliers,
Elliott [224] a calculé cette expression.
Comme les phonons émis ou absorbés peuvent avoir différents
vecteurs d'onde, les états des électrons et des trous participant à
21*
l ’absorption peuvent avoir des vecteurs d'onde variés. C’est pour

quoi le spectre d'absorption ne présente pas de maxima accusés
[224, 2251.
Les transitions indirectes peuvent aussi avoir lieu lorsque
le minimum de la bande de conduction et le maximum de la bande
de valence correspondent au même point de l'espace k. Dans ce cas
cependant elles accompagnent seulement des transitions directes
plus intenses et contribuent à l'élargissement des raies correspondan
tes.
D’une manière générale l ’intensité des transitions indirectes aug
mente avec la température, comme la probabilité d’émission ou d’ab
sorption des phonons. A basse température on observe seulement les
transitions avec émission de phonons. A part les transitions étudiées
plus haut, concernant un seul phonon, on peut avoir des transitions
avec émission simultanée de deux phonons. Ces transitions ont été
observées dans le cristal de GaP [2251.
43.1. Transfert de l ’énergie d ’excitation électronique par les
excitons. Les excitons libres jouent un rôle important dans de nom
breux phénomènes optiques et photoélectriques dans les cristaux semi-
conducteurs. Ils déterminent les spectres d’absorption et d ’émission
des semi-conducteurs au voisinage du front de la bande d’absorption
intrinsèque.
Lorsque le vecteur d’onde k est bien déterminé, l’état excitonique
s ’étend à tout le cristal de manière homogène. Dans les conditions
expérimentales on excite cependant des états déciits par des paquets
d ’onde dont le vecteur d’onde k est distribué autour d ’une valeur
moyenne k 0 avec une incertitude Ak petite. Ces états excités sont
localisés dans une région du cristal de dimensions linéaires A:r =
= 2n/Ak. Ils se propagent dans le cristal avec la vitesse de groupe
v = 4 - Sradk £:(k). (43.15)

déterminée par la structure de la bande énergétique de l’exciton.
Au cours du déplacement de l ’exciton, l’énergie électronique est
transférée d ’un lieu à un autre du cristal, par exemple vers les centres
à partir desquels s’effectue la luminescence ou vers les centres corres
pondant à la photoconduction, etc.
En vertu des lois de conservation de la quasi-impulsion et de
l ’énergie, la lumière de vecteur d’onde Q et d ’énergie h<ù excite dans
le cristal des transitions sans phonons correspondant à des excitons
de vecteur d’onde k = Q et d’énergie E (Q) = H(ù. Dans la transi
tion inverse, les excitons se recombinent avec émission d ’un photon
de même énergie et de même vecteur d’onde. Ainsi, à basse tempéra
ture, pour des transitions directes sans phonons, les bandes d’absorp
tion et de luminescence coïncident.
§43] EXCITONS DE WANNIER-MOTT 325
Dans le cristal de CdS à 4,2 K, on observe cette coïncidence ré

sonante pour une polarisation de la lumière parallèle à l’axe hexa
gonal c du cristal, pour deux longueurs d’onde X = 4853 Â et X =
= 4857 A. Ces bandes sont dues aux transitions vers les états excito-
niques n = 1 A L et 1 A F correspondant aux bandes de valence com
plexes de CdS [226]. Gross et Razbirin [227] montrent que ces bandes
possèdent une structure fine due à l ’anisotropie du cristal.
Les bandes excitoniques apparaissent dans les spectres optiques
plus complètement lors de transitions optiques faisant intervenir
les phonons. En effet, à basse température, parallèlement à la lumi
nescence sans plionon (k = Q), on peut voir apparaître des photons
dus à la reconversion des excitons de vecteur d’onde k ^ Q en un
photon et un phonon de vecteur d’onde q — k — Q « k. Les pho
nons qui apparaissent sont ceux qui sont les plus fortement couplés
aux excitons. Par exemple dans le cristal de CdS les phonons optiques
longitudinaux émis ont, d’après [228], une énergie d’interaction avec
les excitons de trois ordres de grandeui supérieure à celle de l’in
teraction excitons-phonons acoustiques.
La probabilité d’émission simultanée d’un exciton E (k) et d’un
phonon q « k est proportionnelle au produit du nombre d’excitons
N (q) de vecteur d’onde q par la probabilité w (q) d ’émission d’un
phonon par un exciton. Lorsque la densité d ’excitons est faible, leur
répartition N (q) sur les niveaux E (k) de la bande suit la loi de
Maxwell
A r(k )~ /£ Ô ô e x p (-£ (k )/e ), (43.16)
où 6 est la température en unités énergétiques.
Les études expérimentales sur des cristaux de CdS (dans l ’inter
valle de température de 4 K à 60 K) montrent que la luminescence
avec production de phonons est proportionnelle à
w (k) N (k) ~ [E (k)]3/2 exp ( - E (k) ©). (43.17)
En comparant les expressions (43.16) et (43.17), les auteurs concluent
que la probabilité de formation des phonons à partir d’excitons est
égale à
w (k) ~ E (k) - k2.
Ce résultat confirme les travaux théoriques d ’Anselm et Firsov [229].
En effet, d’après ces calculs, pour des petits vecteurs d’onde, la pro
babilité de formation d’un phonon est proportionnelle à k2. Lorsque
le vecteur d’onde augmente, elle passe par un maximum pour | k | =
= R i1 (Rx est le rayon de l ’exciton), puis diminue.
La luminescence peut aussi correspondre à l’émission de deux
phonons. L’équation de conservation de la quasi-impulsion
k = qi + q*
326 ABSORPTION OPTIQUE DANS LES SEMI-CONDUCTEURS [CH. V IH
peut être vérifiée par de nombreuses combinaisons de qx et q2. On

doit donc s’attendre à ce que la probabilité moyenne w (k) =
= w (qj w (q2) d’émission de deux phonons dépende peu de k pour
les faibles valeurs de k.
On peut grossièrement évaluer la durée de vie (ou le temps de
libre parcours) de l’exciton en mesurant l’élargissement de la raie
de luminescence sans phonons à partir des états excitoniques. Dans
un cristal de CdS, à 4 K, la largeur de la raie de l’état n = 1 A L
est égale à 3 cm ’1 environ ; donc le temps de libre parcours de l ’ex-
citon e s t~ 1 0 “n s. Lorsque la température augmente, la probabilité
de diffusion de l ’exciton sur les phonons augmente, et la durée de
vie de l ’exciton diminue. Lorsque la température atteint 77 K, la
durée de vie de l ’exciton dans CdS est divisée par 5.
43.2. Excitons diamagnétiqnes. On a montré au § 42.2 que, à
basse température, pour un champ magnétique assez intense, les
b andes énergétiques tridimensionnelles quasi continues se transfor-
m ent en niveaux unidimensionnels de Landau. En 1959, Elliott et
Loudon [190] montrèrent que dans un champ magnétique B vérifiant
H *e *c
(43.18)
les électrons des niveaux de Landau de la bande de conduction et les
trous des niveaux de Landau de la bande de valence pouvaient for
mer des états liés, appelés excitons unidimensionnels ou excitons dia-
magnétiques.
La condition (43.18) est vérifiée lorsque la distance énergétique
entre les niveaux de Landau est très supérieure à l ’énèrgie de l’exci-
ton en l ’absence de champ. Pour un cristal de germanium (e « 16,
H = 0,03m) l’inégalité (43.18) est satisfaite pour des champs B >
> 9 kOe.
Les fonctions propres et les valeurs propres des excitons diamagné-
tiques sont définies par l’équation
+ £}<l>(r) = 0. (43.19)
où \i = m?mJ7(m? -f m?) est la masse réduite de l ’électron et du
trou. Représentons l ’équation (43.19) dans un nouveau système de
coordonnées cylindriques p, <p, z d’axe z dirigé dans la direction du
champ magnétique. Le mouvement de la particule de masse réduite p
peut être représenté par la superposition de deux mouvements : d’un
mouvement orbital dont la fréquence est la fréquence cyclotron
eB/(\ic) dans le plan perpendiculaire au champ, et d ’un mouvement
unidimensionnel dans un champ effectif obtenu en moyennant le
champ coulombien e2/(er) sur les fonctions radiales. Dans [220 à 232],
on peut trouver des résolutions de ce problème compte tenu de la con
dition (43.18), au prix de quelques hypothèses complémentaires.
$ 43] EXCITONS DE WANNIER-MOTT 327
Ainsi, dans les champs magnétiques intenses vérifiant la condi

tion (43.18), l’interaction coulombienne de l ’électron et du trou n ’est
effective que dans une seule direction, celle du champ ; elle détermine
la formation d’états liés d’énergie discrète.
D’habitude l ’énergie cinétique du mouvement longitudinal est
très inférieure à la différence d’énergie entre les niveaux de Landau
du système électron-trou. On peut donc séparer le mouvement en
deux : un mouvement rapide dans le plan perpendiculaire au champ,
et un mouvement lent le long du champ.
L’absorption de lumière est due à la formation d’excitons dia-
magnétiques dans l ’état fondamental ou dans des états excités.
N’importe quels niveaux de Landau de la bande de valence et de la
bande de conduction peuvent constituer un exciton diamagnétique.
Seules sont optiquement actives les transitions excitoniques cor
respondant à un électron et à un trou des niveaux de Landau d ’un
même nombre quantique n. Ceci signifie que l’absorption de lumière
est essentiellement liée à la formation d’excitons diamagnétiques
vérifiant les règles de sélection An = 0. La probabilité des transi
tions ne satisfaisant pas à cette règle est extrêmement faible (les
éléments matriciels de transition sont proportionnels au carré du
vecteur d’onde k). Ceci est une conséquence de l ’hypothèse suivant
laquelle à la formation des excitons diamagnétiques ne participent
que deux niveaux de Landau.
Jilitch [232] développa une théorie des excitons diamagnétiques
reflétant la structure de bandes réelle de cristaux du type InSb.
Un effet original dû au mélange de différents niveaux de Landau a
été étudié par Vlassov. Dans [233], cet auteur montre qu’à côté
des transitions Ara = 0 l’effet rend possibles les transitions vers des
états excitoniques An = ± 2 , ± 4 . . . Zakhartchénia, Sejsjan
[234] font une revue des différentes tentatives pour observer les
excitons diamagnétiques. Rashba et Edelman [235] établissent une
théorie des excitons diamagnétiques dans des cristaux antisotropes à
bandes non dégénérées, au voisinage des points singuliers.
Johnson [236] observa la photoexcitation d’excitons diamagné
tiques dans InSb. pour des champs de (2 à 4) -104 Oe à la température
de 20 K. Dans ce composé, on sépara deux paires de maxima d ’absorp
tion de photons de polarisation parallèle au champ. Une paire est
affectée à un exciton formé d’un trou lourd et d’un électron situé
sur un niveau de Landau, de spin 1/2, l ’autre paire correspond à un
exciton constitué d’un trou lourd et d ’un électron placé sur le niveau
de Landau de plus basse énergie de spin —1/2.
43.3. Complexes exciton-impureté. Les excitons de Wannier-Mott
étudiés dans le paragraphe précédent sont des excitations électroni
ques de cristaux idéaux, sans impuretés et sans défauts. Dans les
cristaux réels il y a toujours des impuretés et des défauts qui ont une
grande influence sur les propriétés optiques du cristal.
Généralisant la conception d’exciton de Wannier-Mott, Lam-

pert [237] étudia la constitution de différents complexes, formés
d’un plus grand nombre de particules que la paire électron-trou.
Ces complexes peuvent être de deux types : mobiles, constitués seu
lement de trous et d’électrons, et immobiles, incluant des centres
localisés: défauts et impuretés. Les complexes du deuxième type
correspondent à la localisation de l ’exciton de Wannier-Mott sur
une impureté chargée ou neutre du semi-conducteur. Cette formation
peut être stable, lorsque l’énergie de liaison de l’exciton avec l’im
pureté est supérieure à la liaison électron-trou.
Etudions d’abord la paire électron-trou (exciton) localisée au
voisinage d’une impureté de charge positive. Dans les états liés
de grand rayon que nous allons étudier, l’ion positif peut être con
sidéré comme ponctuel. Supposons pour simplifier que les bandes
énergétiques de l’électron et du trou soient paraboliques, et que leurs
extréma soient situés au point k = 0. Alors dans l’approximation
de la masse effective l’électron et le trou placés à proximité d’un ion
positif de charge unitaire e et de masse infinie, immergés dans un
cristal de permittivité e, seront décrits par l’équation de Schrôdinger
(sans tenir compte de spins)
{H — E) ap (rj, r2) = 0
avec l’hamiltonien
h* h* g* g3 g»
H= 2m* Ax 2mf a 2 8rl er2 erw »
(43.20)
où rx et r2 sont les coordonnées de l’électron et du trou ; r12 = | rx —

— r 2 |. Prenons pour unité d’énergie E 0 et pour unité de longueur a0
définies par
E0 h1 m e*
2 7’ , 2m^ 4e* eV,
(43.21)
K* m
«o me1 8 = 5,3 — 10-» cm,
mï
où e et m sont la charge et la masse de l’électron libre. Dans ces
unités, l’hamiltonien (43.20) devient
B ------i - , (43.22)
où £ = m*lnCt est le rapport des masses effectives de l’électron et
du trou.
L’énergie de liaison du complexe considéré est maximale (0,6026 E0)
pour £ = 0, car dans ce cas le complexe est analogue à l’ion molé
culaire # 2- Lorsque £ augmente, l’énergie de liaison diminue.
Pour déterminer l’énergie du complexe dans l’état fondamental,
pour £ =5É 0, on peut utiliser la méthode variationnelle. Dans les
premiers travaux [238, 239] on trouve un domaine de valeurs de £

respectivement inférieures à 0,05 et à 0,13 pour lesquelles le comple
xe est stable. Des calculs plus complets [240, 241] montrent que la
valeur limite de £ définissant le domaine de stabilité du complexe
est E < 0,2. La fonction variationnelle utilisée par Zinets et Souga-
kov [240] est
Vf (rlf r 2) = A [exp [—a + pr2)l + b exp [—a (r12 -f- Pir2)]] r$,
(43.23)
où a, p, p! et n sont des paramètres variationnels, .4 est le coeffi
cient de normalisation. Les valeurs obtenues pour l’énergie de liai
son et les paramètres variationnels du complexe sont indiquées
dans le tableau 15 pour quelques valeurs de E.
Tableau 15
Energie de liaison E 8 et paramètres variationnels de l'électron
et du trou au voisinage d'un ion positif, d'après [242, 243]
1
a *5; — P Pl b n -E ^ E o
a0
0 ,2 1 ,0 3 0 ,6 8 0 ,9 9 1 ,2 7 1 0 ,5 0
0 ,1 1 ,0 9 1 ,5 2 1 ,7 6 1 ,4 9 2 0 ,5 2
0 ,0 5 1 ,1 4 2 ,3 5 2 ,5 5 1 ,5 0 3 0 ,5 4
0 ,0 2 1 ,1 7 3 ,5 8 3 ,7 2 1 ,3 9 4 ,5 0 ,5 6
L’approximation, par laquelle on suppose l’impureté positive

ponctuelle et une interaction entre particules de type coulombien
(décrite par l’hamiltonien (43.22)), est très grossière. Dans [242,
243], on obtient des corrections de l’énergie de liaison traduisant les
différences pour les faibles distances entre particules entre le poten
tiel réel et le potentiel coulombien.
La probabilité de formation du complexe (électron-trou et ion
positif) a été calculée par Sougakov et coll. [242, 243]. En supposant
que les états du complexe soient décrits par la fonction (43.23) et
les états du cristal sans paire électron-trou par la fonction ijp0, la
probabilité de formation du complexe par unité de temps, en pre
mière approximation, est donnée par la règle d’or de Fermi :
' w Wf° ~ i r I^'ol2 6 W - * » ) . (43.24)

où Ef est l’énergie dépensée pour la formation du complexe;
2süi e
e est le vecteur unitaire caractérisant la polarisation du photon;

p l’opérateur impulsion de l’électron; e, m la charge et la masse de
l’électron; \p (k) les fonctions de Bloch de l’électron et du trou;
G(k, - k ) = 4 - { ¥ , ( * ; r2) exp [ik (re—rt)] d3red3r,
sont les composantes de Fourier de la fonction d’onde du complexe.
Si l’on pose 0J>C (k) | ep | (k) ) « i|je (0) | ep | i|)t (0)>, alors
4r (Isf) !<*• (°)i ePH»*(0)>i2ô (£ /-m .

(43.25)
D’après [190] on peut poser (tye (0) | ep | ip* (0)> » iemEga, où a
est la constante du réseau, Eg est l’énergie de la bande interdite entre
la bande de valence et la bande de conduction. Dans [242] on donne
pour expression de la fonction F (£) figurant dans (43.25)
jp / t \ _ f 4jl4 (/i-h 2) ! T____ 1____ i ^ "Il ^
r \S) — \ a n+3 L (l + p)n+8-r pn+3 J / •
En particulier, dans le cristal de GaAs (m* = 0,071 m; m* =
= 0,68m ; e = 12) F « 60.
La paire électron-trou (exciton) peut aussi former un complexe
avec un ion d’impureté négatif. Dans ce cas toutes les formules trou
vées peuvent être utilisées à condition d’inverser le rôle de l’électron
et du trou. Par exemple le paramètre Ç sera égal à Dans
certains cristaux l’exciton peut se lier à un défaut ou à une impureté
neutre.
D’habitude l’énergie de liaison exciton-impureté est extraordi
nairement petite : de l’ordre de 10“2 à 10“4 eV. Pour un semi-con
ducteur à extréma de bandes d’énergie pour k = 0, lorsque l’énergie
d ’interaction de l’exciton avec l’impureté (neutre ou chargée) est
inférieure à l’énergie de liaison de la paire électron-trou formant l’ex-
citon, la force d’oscillateur (probabilité) de la transition optique
dipolaire autorisée directe a une valeur anormalement élevée par
rapport à celle de l’exciton libre. Cet effet fut remarqué dans [244],
lors de l’étude des cristaux de ZnO, et dans [245] pour les cristaux
de CdS. Les recherches expérimentales les plus complètes sur l’inten
sité anormale de l’absorption du complexe exciton-impureté dans
le CdS font l’objet des travaux de Timoféev et Ialovets [246]. Ils
découvrirent que la force d’oscillateur des complexes impureté-
exciton faiblement liés dans CdS est de trois ordres de grandeur et
plus supérieure à la force d’oscillateur de la transition optique vers
l’état le plus bas de l’exciton libre.
Les premières explications théoriques de ce phénomène intéres
sant ont été données par Rashbaet Gourgénichvili [247]. Ces auteurs
montrent que. lors de la formation du complexe exciton-impureté,
l’environnement immédiat du cristal participe à l’absorption de

lumière. Plus la bande excitonique est large et plus l’énergie de for
mation du complexe se rapproche du bord inférieur de la bande exci
tonique, plus la participation des états excitoniques libres est impor
tante dans le processus d’absorption. Dans [247], on obtient une
expression simple reliant la force d’oscillateur du complexe (Fcom)
à la force d’oscillateur de l’exciton libre (Fex)
r _/ \ 3/2 p
r c om — \ Es ) r e *>
où AE est la largeur de la bande excitonique, Ea est l’énergie de liai

son du complexe. Dans [248, 2491, on trouve des calculs plus détail
lés de la force d’oscillateur de quelques types de complexes dans les
cristaux.
Comme les cristaux semi-conducteurs contiennent d’habitude
des impuretés de types différents, pour des températures suffisam
ment basses (© Ecom), la luminescence fondamentale du cristal
aura pour origine la dissociation du complexe exciton-impureté.
Les états de ce complexe sont situés à plus basse énergie que les autres
états et présentent une force d’oscillateur importante.
Dans [250, 251], on décrit la photoluminescence de complexes
d’impureté dans un cristal de carbure de silicium. Cette lumines-
cencejest due à l’émission de lumière par annihilation des excitons
au contact d’atomes d’azote ionisés (complexe à trois particules)
ou neutres (complexe à quatre particules), occupant dans le cristal
trois sites non équivalents. Les spectres d’absorption correspondant
aux complexes excitoniques dans le carbure de silicium furent d’abord
découverts par Gorban et coll. [252].
On a beaucoup discuté [253 à 257] au sujet de la formation de
complexes à deux excitons (biexciton ou molécule excitonique). L’éner
gie de liaison de deux électrons et de deux trous, comparativement
à l’énergie de dissociation de deux excitons, dépend beaucoup de la
valeur \ = mïlm*. Lorsque ce paramètre est petit, on peut utiliser
l’approximation adiabatique, et le complexe rappelle la molécule
d’hydrogène.
La molécule excitonique, visiblement, fut découverte expéri
mentalement par Haynes [258] dans le silicium; puis par Nikitine
et coll. [259] dans CuCl; Packard et coll. [260] dans le cristal de
ZnO ; A la Guillaume et coll. [261] dans le Ge et le Si. Cependant des
recherches expérimentales et théoriques sont encore nécessaires pour
préciser les conditions de formation des biexcitons dans des semi-
conducteurs de types différents. Lorsque les masses de l’électron
et du trou sont du même ordre de grandeur, l’énergie cinétique du
trou contribue de manière importante à l’énergie totale, et le système
est moins stable. Dans le cas limite où m f = m*, le biexciton res
semble au système étudié par Xylleras et Ore, constitué de deux
positrons [262]. Pour e = 10, l’énergie de liaison d’un biexciton cons

titué d’électrons et de trous de masses égales serait si petite (~10"4 eV)
que le complexe se dissocierait même aux très basses températures.
43.4. Propriétés collectives} des excitons. Les excitons dans
les semi-conducteurs apparaissent comme des formations assez
labiles, de faible énergie (~10"2 eV) et de grand rayon (~10“®cm).
Il n’en reste pas moins qu’à très basse température, ce sont des quasi-
particules. Dans l’état singulet, les excitons ont un spin nul et peu
vent être classés dans la catégorie des bosons. C’est pourquoi Moska-
lenko [253, 263] et d’autres auteurs [264, 265] étudièrent la possi
bilité d’une condensation de Bose des excitons.
Si l’on pouvait considérer le système excitonique comme un gaz
de Bose presque parfait, en raison de la petite masse effective des
excitons (~10"27 à 10"28 g) la condensation de Bose devrait déjà
commencer vers 100 K pour une concentration de 1018 cm"3.
Pour des concentrations 1017 à 1018 cm"3, la distance moyenne
entre excitons est comparable à leur rayon, c’est pourquoi leur inter
action devient importante. Par conséquent le comportement d’un
système d’excitons n’est pas le même que celui d’un gaz de Bose
presque parfait. Cependant, pour une faible densité en excitons, en
dépit des attractions faibles s’exerçant entre eux, Keldych et Kozlov
[266] montrèrent que le système excitonique, pour des températures
assez basses, pouvait présenter une condensation de Bose.
Lorsque l’on étudie un système d’excitons, il ne faut pas oublier
que, par suite de leurs interactions (effet d’écran réciproque), l’éner
gie de liaison des excitons varie. Dans un système d’excitons de grand
rayon, pour des densités élevées à basse température, les attractions
entre excitons peuvent conduire à la formation de gouttes métalli
ques. Keldych et coll. [267] furent les premiers à mentionner ce phé
nomène. La transition du système excitonique vers l’état métallique
fut étudiée par Asnin et Rogatchev [268, 269] dans les cristaux de
germanium. Ces auteurs montrèrent que la condensation des excitons
en gouttes se produit seulement pour des densités excitoniques supé
rieures à 1015 cm"3. Au fur et à mesure que la concentration augmente,
le nombre de gouttes croît rapidement et la phase gazeuse — les
excitons libres — disparaît progressivement.
Keldych [270] étudia les états cohérents du système exciton-
photon en tenant compte que les éléments constitutifs de l’exciton —
les électrons et les trous — étaient des fermions. En particulier le
cas d’une distribution inhomogène des excitons dans le cristal fut
étudié. Moskalenko et coll. [271] montrèrent que, dans certains cas,
la distribution inhomogène des excitons dipolaires actifs et des pho
tons pouvait être à l’origine de la formation de vortex.
CHAPITRE IX
EXCITATIONS COLLECTIVES
DANS LES CRISTAUX MOLÉCULAIRES
§ 44. Excitations collectives d'un cristal formé

de molécules immobiles
Les cristaux moléculaires recouvrent une large classe de solides,
pour lesquels l’énergie de liaison intramoléculaire est très supérieure
à l’énergie d’interaction des molécules. Les molécules de ces cristaux
présentent alors certaines singularités.
Presque tous les composés organiques, sauf les sels des bases orga
niques, les hydro-haloïdes de cations organiques et quelques bases
ioniques forment des cristaux moléculaires. Quelques composés
inorganiques (molécules d’azote, d’oxygène, ainsi que des molécules
composées d’azote et de phosphore) forment aussi des cristaux molé
culaires. Les cristaux constitués d’atomes de gaz rares sont aussi
de type moléculaire.
Dans les cristaux organiques, les distances entre atomes d ’hydro
gène appartenant à des molécules différentes ne sont jamais infé
rieures à 2,2-2,4 Â, tandis que la distance de ces atomes aux atomes
de carbone qui leur sont chimiquement liés est voisine de 1 Â. Les
atomes de carbone de molécules voisines sont distants au minimum
de 3,3 A, à l’intérieur d’une même molécule, cette distance est 1,2 à
1,5 Â [2721.
Dans la majorité des cristaux moléculaires, la liaison entre les
molécules est due aux forces faibles de Van der Waals. C’est pour
quoi la chaleur de sublimation de nombre d’entre eux est comprise
entre 10 à 20 kcal/mole ; elle est donc environ 10 à 20 fois plus petite
que l’énergie de dissociation d’une molécule isolée. Les cristaux molé
culaires sont caractérisés par une faible chaleur latente de fusion et
de vaporisation. La vaporisation libère les molécules complètes.
Presque tous les cristaux moléculaires (excepté 0 2 et NO) sont dia-
magnétiques dans l’état fondamental, c’est-à-dire que la somme de
tous les spins électroniques est nulle.
Dans ce livre nous nous intéresserons aux excitations électroni
ques et électro-vibratoires (vibroniques) du cristal. La théorie doit
expliquer comment varient les états énergétiques des molécules lors
de la formation du cristal et quelles sont les propriétés de ces cris
taux lorsqu’on les soumet à l ’action d’un rayonnement électromagné
tique.
334 EXCITATIONS COLLECTIVES DANS LES CRISTAUX [CH. IX
Dans un cristal, contrairement aux gaz, les molécules sont placées

dans un ordre déterminé. Kitaïgorodski [272] montra, en première
approximation, que la distribution spatiale des molécules était dé
finie par le modèle de Vempilement compact. Dans ce modèle les ato
mes formant les molécules sont assimilés à des sphères de rayon moyen-
né par rapport aux différentes molécules (~1,80 Â pour le carbone;
~1,17 A pour l ’hydrogène; 1,58 Â pour l’azote; 1,52 Â pour l’oxy
gène). L ’empilement de ces atomes sphériques constitue un modèle
# - atomes d’flydrogène
fl] b)
4 atomes de carbone
Fig. 57. Structure des molécules de benzène (a) et de n&phtalène (6).
de molécule dont la surface extérieure est formée par la juxtaposi

tion des atomes sphériques périphériques. La structure du cristal
moléculaire est alors déterminée par la condition d ’empilement com
pact de ces modèles moléculaires volumiques.
Si, en conservant l ’arrangement ordonné des molécules, on pouvait
faire tendre vers zéro les interactions moléculaires, on obtiendrait
le modèle du gaz orienté. Ce modèle est parfois utilisé pour expliquer
grossièrement certaines propriétés spectrales et optiques des cristaux
moléculaires. Toutefois, comme nous le verrons plus loin, la présence
de faibles interactions moléculaires fait apparaître toute une série
de propriétés originales des cristaux réels, les différenciant du modèle
du gaz orienté. Ces singularités sont particulièrement accusées lors
que l ’on étudie les états excités du cristal. On voit alors apparaître
de nouvelles interactions. En particulier les interactions résonan
tes dont l’énergie décroît seulement comme la troisième puissance de
l ’inverse de la distance jouent un rôle important.
Parmi les cristaux moléculaires, une place particulière revient aux
cristaux constitués de molécules anisotropes de benzène, naphtalène,
anthracène et d’autres composés contenant un ou plusieurs noyaux
aromatiques de carbone (fig. 57.) Les excitations électroniques d’éner
gie la plus basse correspondent dans ces molécules à des transitions
§ 44] EXCITATIONS D’UN CRISTAL A MOLECULES IMMOBILES 33S
quantiques des électrons Jt des atomes de carbone dans les noyaux

aromatiques. A la périphérie de ces molécules, des atomes d'hydrogène
sont solidement attachés aux atomes de carbone par des liaisons o.
On peut dire ainsi que les électrons ji sont les électrons « internes >
de la molécule. C'est pourquoi dans le cristal, le recouvrement des
fonctions d'onde correspondant aux électrons j i de deux molécules
voisines est très petit.
Etudions les états excités du cristal correspondant à des excita
tions intramoléculaires (de la molécule isolée) sans tenir compte des
oscillations de la molécule dans le cristal. Nous supposons donc que
les molécules sont solidement fixées dans leur position d'équilibre.
Supposons que chaque maille élémentaire du cristal contienne o
molécules. La position des molécules dans le cristal sera déterminée
par les vecteurs
Rna = n + Pa, a = 1, 2, . . ., a, (44.1)
où le vecteur du réseau n indique la position de la maille élémentaire
et pa la position de la molécule a dans la maille élémentaire. On
suppose en outre que l'indice a caractérise aussi l'orientation de la
molécule. Les molécules possédant le même indice a s'échangent
par des translations du réseau, elles sont équivalentes par translation.
Lorsque l ’on étudie les propriétés volumiques de gros cristaux,
contenant N C^>1) mailles élémentaires, le choix des conditions aux
limites à la surface du cristal ne joue pas un rôle important. Pour
plus de commodité nous choisirons pour conditions aux limites les
conditions cycliques de grande période (voir § 4).
Dans la représentation en coordonnées, l ’opérateur énergie du
cristal contenant des molécules immobiles identiques peut s’écrire
H = 2 1H n + -§- 2 > n m , (44.2)
n n, m
où n = {n, a}, ni = {m, P}; n et m sont des vecteurs du réseau;

le signe prime figurant près du deuxième signe de sommation indi
que que l ’on omet le terme n, a = m, p. L’opérateur (44.2) agit dans
l'espace des fonctions dépendant des coordonnées internes de toutes
les molécules du cristal ; H n est l’opérateur énergie caractérisant les
états internes des molécules occupant la position n, a ; Vnm est
l'opérateur d'interaction des molécules na et mp. Ainsi, contraire
ment à la théorie des excitons de Wannier-Mott, l’étude des états
électroniques des cristaux moléculaires doit être menée directement
dans l’approximation polyélectronique.
La forme exacte de l’opérateur H n est inconnue, c’est pourquoi il
convient d’admettre que ses fonctions propres (pny et ses valeurs pro
pres Bf sont des paramètres de la théorie. Souvent on considère que
les opérateurs ^Tn sont des opérateurs tenant compte des défoi mations
336 EXCITATIONS COLLECTIVES DANS LES CRISTAUX [CIL IX
que subissent les molécules dans le cristal par suite de leurs inter
actions non résonantes avec leurs plus proches voisins. En parti
culier, les opérateurs H n ne doivent pas refléter la symétrie des molé
cules libres, mais la symétrie de site des molécules aux points n
du cristal. Dans ce cas les opérateurs Vnm contiennent la partie res
tante des interactions intermoléculaires, c’est-à-dire la partie de
ces interactions qui ne peut pas rentrer dans H n.
Si l’on néglige le recouvrement des fonctions d’onde cpn/ des
molécules voisines, on peut admettre que sont vérifiées les condi
tions générales d’orthogonalité
<<Pr»/ I <Pme> = Ôfgônm. (44.3)
Supposons que la valeur / = 0 correspond à l ’état fondamental.
Les transitions quantiques entre l ’état fondamental cpn0 et l ’état
excité (pnf de la molécule située au site n sont caractérisées par des
moments multipolaires. Le plus important est le moment électrique
dipolaire de transition défini par les éléments de matrice
dn/ = e <cpn/ | r | <pn0>, (44.4a)
dont la direction, dans le cas de molécules anisotropes, est définie
par l’orientation de la molécule n dans le réseau. Si le moment dipo
laire électrique de transition dn/ est nul (par exemple pour des tran
sitions entre états de même parité spatiale), l ’interaction avec la
lumière peut correspondre au moment dipolaire magnétique de tran
sition de composantes
n£) = e ( v n l\ x - ^ - y - £ r \<pnoy , . . . , (44.4b)
ou aux moments quadrupolaires électriques de transition de com
posantes
Çn5|v> = e (<pn/ | xy | <pn0>, . . . (44.4c)
ou encore à des transitions de multiplicité plus élevée (voir [5],
§ 9b).
Pour analyser les excitations collectives du cristal, il convient
de passer dans la représentation de seconde quantification ([273]
à [276]). Dans cette représentation, tous les opérateurs sont exprimés
en fonction des opérateurs B$f et B nf. L’opérateur Bnf caractérise
la transition de la molécule n de l’état fondamental à l’état excité / ;
l’opérateur B nf caractérise la transition inverse. En particulier l ’opé
rateur énergie (44.2) devient
H = %4 - 2 ( ^ e/ + Df) B„ fBnf - f -
nf/
S ' M{8m (B*f + B nf) (B+mg + Bmg), (44.5)

n , m, /, g
5 44] EXCITATIONS D’UN CRISTAL A MOLECULES IMMOBILES 337
où g 0est l’énergie du cristal dans l ’état fondamental ; Ae> = et — e0

est l’énergie de transition de la molécule dans l’état excité / ;
D j= y {{<Çm|^nml<<P'> —<<Pn<PmlV’nml9m<Pn>} (44.6)
m(4m)
est la variation de l'énergie d'interaction de toutes les autres molé
cules du cristal avec une molécule donnée du cristal, lorsque celle-ci
passe dans l'état excité /;
•Wim = <<P^q>m|^nm|<P*9n), Mnm=* M*nm (44.7)
est l ’élément de matrice correspondant à l ’échange d’excitations entre
les molécules n et m.
L’opérateur BhfBnf définit la probabilité de trouver la molécule n
dans l’état excité /. Puisque chaque molécule ne peut se trouver que
dans un seul état excité à la fois et que le nombre total de molécules
du cristal est aN 1 les opérateurs B nf sont définis dans l'espace des
fonctions satisfaisant aux égalités opératorielles
^ B * ,B nf = 1, ?>B+ntB nl = oN. (44.8)
f n. 1
D’après les conditions d’orthogonalité (44.3), les opérateurs B nf
vérifient les relations de commutation
[Bnf, B mg] = lBn1, 5 ^ ] = O s i / i # m o u / ^ g .
(44.9a)
Pour des opérateurs relatifs à une même paire d’indices on a
B n1B+nf + B+ntB nf = 1, B lf = (££,)* = 0, (44.9b)
c’est-à-dire que les opérateurs Bnf et B nf vérifient les relations de
commutation des opérateurs de Fermi. Par conséquent, ce sont des
opérateurs de Pauli (voir § 17).
Par la suite nous étudierons les états excités du cristal corres
pondant à l ’excitation d'une seule molécule. Dans ces états, la va
leur moyenne de l ’opérateur BnfBnf est égale à (cdV)"1. A cette gran
deur près, les relations de commutation (44.9) deviennent
l^n/t B mg\ = ànmàfg. (44.10)
Donc, si l ’on néglige la petite valeur (aN)~l , les opérateurs B^f
et Bnf vérifient les relations de commutation de Bose. Cette appro
ximation sera utilisée dans la suite de ce livre.
Pratiquement, pour tous les cristaux moléculaires, lors d’une
excitation électronique, on a l’inégalité
L $ ( k ) « A e , + D,, (44.11)
OÙ
Lal (k) = S M ^ ’mpexp (tk (n—m)]. (44.12)
m, m
22—0534
338 EXCITATIONS COLLECTIVES DANS LES CRISTAUX [CH. EX
Dans ce cas, d’après [276J (chap. III, § 3), on peut utiliser l'appro
ximation de Heitler-London (ou du champ moléculaire) dans laquelle
l’opérateur énergie (44.5) prend la forme simplifiée
H = %0+ S (Ae, + Z),) BnfBnl + I ' M igmB+ntBme. (44.13)
n ,/ n, m
t.g
Comme les opérateurs Bnf et B nf caractérisent les états de molé
cules séparées, rigidement fixées en des sites n du réseau, la repré
sentation dans laquelle tous les opérateurs s’expriment en fonction
de Bnf et B nf sera appelée représentation par sites. Maintenant nous
allons étudier, en faisant des approximations diverses, les valeurs
propres de l ’opérateur énergie du cristal donné dans la représenta
tion par sites (44.13).
44.1. Excitons moléculaires dans des cristaux à une molécule par
maille élémentaire. Pour les cristaux à une molécule par maille
élémentaire, les indices n et m se réduisent aux vecteurs n et m du
réseau et l’opérateur (44.13) devient
H = %»+ I (Ae, + Ds) BUBnt + M ^B ^B ^. (44.14)
n. / n ,m
Etudions deux simplifications de l’opérateur (44.14).
A. On se p l a c e d a n s le c a s où un s e u l n i
v e a u i n t r a m o l é c u l a i r e e s t e x c i t é . Supposons
qu’il y ait une ou plusieurs excitations intramoléculaires non dégé
nérées / 0 vérifiant l’inégalité
n« m. (44.15)
Chaque niveau /„ peut être considéré comme indépendant de tous les
autres. L’élément de matrice Mn°m caractérise l’échange d’excitation
résonant (d’énergie Ae/o) entre les molécules n et m.
L’excitation du cristal correspondant à l’excitation intramolé
culaire d’énergie Ac/o est définie par l ’hamiltonien
A //, = H - % 0= S (Ac, + Z>,) BnfBa) + M ’i mB+nfB'mf. (44.16)
n n. m
Dans cette expression et dans les expressions suivantes on ne fait pas
figurer l’indice 0 à côté de la lettre /.
Pour diagonaliser l’opérateur (44.16), il convient de passer des
opérateurs de Bose Bn] vérifiant les relations de commutation
[Z?*/, BSf] = ônin, U?n/, B " f ) = 0 (44.17)
à de nouveaux opérateurs de Bose Bf (k) définis par la transforma
tion unitaire
- Bn, = - y = - 2 B, (k) exp (tkn). (44.18)
§ 44] EXCITATIONS D'UN CRISTAL A MOLECULES IMMOBILES 339
où N est le nombre de mailles élémentaires du cristal ; k est un vec

teur d’onde prenant N valeurs discrètes dans la première zone de
Brillouin. Les opérateurs Bf (k) vérifient les relations de commuta
tion de Bose
[ZMk), Z?;*tk')] = ôik', |[ ^ ( k ) t S ,( k ') ]= 0. (44.19)
Par conséquent les opérateurs B f (k) créent des états caractérisés
par le nombre quantique / et le vecteur d’onde k. Les opérateurs B y (k)
annihilent les mêmes états.
Substituant (44.18) dans (44.16), nous trouvons
AH ~ S [Ae, + Df + L f (k)J B?(k) B, (k), (44.20)
y, k
où
L ,\(k)~ S ^nm!exp)(tk (n— m)]. (44.21)
m(*n)l
L ’opérateur (44.20) est diagonal par rapport aux opérateurs
n l (k) = Bf (k) Bf (k) du nombre d’occupation des états excités k,
/. Ses fonctions propres seront | . . ., N f (k), . . .), où les nombres
quantiques N f (k) = 0, 1, 2, . . . indiquent le nombre d ’excita
tions de type k, /. Ces excitations s’appellent excitons moléculaires ou
excitons de FrenkeL Rappelons que nous n ’étudions que des états
excités du cristal vérifiant N f (k) N. L’énergie correspondante est
Ef (k) = Ae, + Df + Lf (k). (44.22)
Donc à un état excité non dégénéré de la molécule isolée corres
pondent N états excités du cristal différant par les valeurs du vecteur
d’onde k de la première zone de Brillouin. Dans des cristaux de gran
des dimensions (par rapport à la constante du réseau) les niveaux
énergétiques correspondants constituent une bande quasi continue
d’états excités, formée de N sous-niveaux. Chaque excitation, asso
ciée à une valeur déterminée du vecteur d’onde k est une excitation
collective s’étendant à tout le cristal.
En inversant la transformation (44.18), nous obtenons
B; (k) 2 B+n'exp (tkn). (44.23)

V n
Cette e xpression montre que toutes les molécules du cristal jouent un
rôle identique dans le processus d ’excitation. L’excitation «embras
se » le cristal dans son ensemble.
L’énergie des états excitoniques du cristal s’exprime de manière
explicite en fonction du vecteur d’onde par la somme (44.21). Pour
des cristaux centrosymétriques dans le domaine de petites valeurs de k
pour chaque direction définie par le vecteur unitaire s, l’énergie
d'excitation (44.22) dépend du carré de la valeur absolue de k :

E(sk) = E(s) + J ^ , (44.24)
où la grandeur m* (s) s’appelle masse excitonique effective. Dans le
cas général, E (s) et m* (s) dépendent de la direction du vecteur uni
taire s. Ainsi pour k = 0, E (sk) est une fonction non analytique du
vecteur d’onde k. La masse effective de l ’exciton m* (s) peut être
tant positive que négative. Pour une masse effective positive, l ’éner
gie de l ’exciton croît lorsque le module de k augmente, et c’est l’in
verse pour une masse effective négative.
B. Plusieurs niveaux moléculaires pro
c h e s s o n t e x c i t é s . Supposons que la molécule présente o
niveaux excités /, g = 1, 2, . . ., a, et que les éléments matriciels
M fnm correspondants aient une valeur absolue voisine de celle des
éléments matriciels M fnm et Ma m- Nous supposons en outre que tous
les autres états moléculaires excités Z vérifient l ’inégalité
M L,
Dans ce cas la partie de l’opérateur (44.13) relative aux a niveaux
excités s’écrit
A # = S S (A e, + D f) B ï f B n , + 2' 2 M & B isB ^ . (4 4 .2 5 )

n /= ! n, m g—1
La diagonalisation de l ’opérateur (44.25) est réalisée en deux étapes.

Effectuons d’abord la transformation canonique
B+at = - ± T y i B+f {k)exp(ikn). (44.26)
' k
Alors (44.25) devient
AH = y i X<«(k)BUk)Bg (k), (44.27)
k. *./
où
Xt*{k) = (Aef + D})ôfg+L' *(k), (44.28)
V * (k) = 2 Afnm exp [ik (n—m)]. (44.28a)
m
Ensuite, pour diagonaliser l’opérateur (44.27), il convient d ’uti
liser la transformation canonique (voir [5], § 52)
£/(k) = 5 * ,f (kK (k ).
g
(44.29)
§ 44] EXCITATIONS D’UN CRISTAL A MOLECULES IMMOBILES 341
Cette transformation fait intervenir une matrice (ufg (k)) unitaire
w/gU/j = àgi, ^ u*giu,i = àgt. (44.30)
Les nouveaux opérateurs af (k) vérifient les relations de commutation

de Bose
laf (k), a% (k')J = ôi*'ô/g, laf (k), ag (k')l = 0 .
La transformation (44.29) permet de donner à l’opérateur (44.27)
une forme diagonale
AH = 2 B, (k) a? (k) a, (k), (44.31)
k, /
pourvu que Ef (k) et ufg (k) vérifient pour chaque valeur fixe de k
le système homogène
t {X*' (k) - B. (k) ègf) u,f (k) = 0. (44.32)
Ce système admet des solutions non nulles si

det { X** (k) - ~ E (k) 8gf } = 0.
Les a racines E 8 (k) de cette équation du o-ième degré définissent o
bandes excitoniques qui peuvent se recouvrir mutuellement.
En particulier, quand a = 2, il est plus commode de chercher la
matrice unitaire u8f (k) sous la forme
cos q>(k) — sin <p(k)
Ufs (44.33)
sin <p(k) cos 9 (k) )
Le système (44.32) devient alors
(X 11 (k) — E) cos q>— L 12 (k) sin q> = 0,
L-1 (k) sin 9 + ( £ 22 (k) — E) cos 9 = 0.
Les solutions sont
Et ( +
— ( —l)* V [^ 11(k) —^ 22 (k)]2 + 4 |L ,2 (k)|2}, (44.34)
s = 1, 2. A chaque valeur E , (k) correspond une fonction 9 , (k)
définie par
X n (k)—E, (k)
tg < P .(k ) (44.35)
L’expression (44.34) montre que la contribution du deuxième niveau
intramoléculaire excité aux états excitoniques du premier niveau
intramoléculaire Acx ne devient importante que lorsque

(X11 (k) - X 22 (k))2 < | L12 (k) |2.
Lorsque cette inégalité est inversée, le « mélange » des différents
états moléculaires est moindre et Ton peut utiliser Tapproximation
des états excités indépendants.
44.2. Excitons moléculaires dans des cristaux à plusieurs molé
cules par maille élémentaire. Soit un cristal contenant o molécules
identiques par maille élémentaire. Nous supposerons qu’un seul
niveau intramoléculaire / est impliqué dans le processus d’excitation.
L’hamiltonien (44.13) des états excités du cristal est (on néglige
l ’indice f)
2 (Ae + Z))£JœS n a + S ' i M na, m^Sofîmp. (44.36)

n o al n. m a, ^>1
La diagonalisation de cet opérateur sera réalisée aussi en deux
étapes. Il convient d ’abord d’effectuer la transformation canonique
Ba« = 2 Bal(k) exp [ik ( n + Po)] (44.37)
' k
mettant en jeu les nouveaux opérateurs Ba (k) vérifiant les relations
de commutation
lBa (k), B î (k')l = Ôicit-Ôap.
Inversons la transformation (44.37)
B a (k) = — 2 ! S na exp ( - ik (n + pa)]. (44.37a)
* n
Après transformation l’opérateur (44.36) devient
A£T = 2 S #«e (k) BZKk) Bt (k), (44.38)
k a, p
OÙ
X ,» (k) » (Ae + D) ÔaP + L aP;(k). (44.39)
Lap'(k) = S * M oa. mp>xp [ik’(m + pp—pa)] (44.40)
m
sont les éléments matriciels de la matrice d'interactions résonantes
des molécules du cristal.
Dans les cristaux centrosymétriques, les éléments matriciels
LaP (k) sont réels et symétriques par rapport aux indices a et p.
L’opérateur (44.38) prend la forme diagonale
Hex^ A B = I S^(k)^î(k)Ai(k)
d=l k
(44.41)
§ 44] EXCITATIONS D'UN CRISTAL A MOLECULES IMMOBILES 343
par la transformation canonique
B a (k ) = 5 (44.42)
n=i
Pour cela, il faut que les égalités
a a
2 wa ^ 0 u = ô a p, 2 ^ a p -^ a v 5=5
He I a=l
(44.43)
5 X ^ (k) uPll (k) = E+ (k) uw (k)
ji= ij
soient vérifiées. La transformation inverse de (44.42) est
4 / ( k ) = 2 «au(k)5a (k). (44.44)

a=l
Le système de o équations homogènes (44.43) admet une solution
non triviale lorsque le déterminant
det { X ai (k) - E (k) ôa3} = 0. (44.45)
Comme les éléments de matrice £ a$ (k) sont hermitiens, les a ra
cines Ep (k) de l’équation (44.45) sont des fonctions réelles du vecteur
d’onde k. Par conséquent à chaque état moléculaire excité corres
pondent dans le cristal a bandes d’états excités quasi continus.
Chaque bande a N sous-niveaux, qui diffèrent par la valeur du vec
teur d’onde k dans la première zone de Brillouin. Certaines bandes
peuvent se recouvrir.
Les opérateurs (k) et (k) agissent dans l’espace des fonc
tions des nombres d’occupation N^ (k) définissant le nombre d’exci-
tons de la bande \i de vecteur d’onde k et d’énergie E^ (k). Dans
ces conditions l’opérateur A £ (k), agissant sur les fonctions | N^ (k)>
augmente le nombre (k) d’une unité, et l’opérateur A ^ (k) le
diminue d’une unité:
Ai (k) |iV(k)) = |/ N* (k) + 11 ( k ) + 1),
a, (k)i^ (k))= yîM k ji^ :(k)-i).
La fonction d’onde de l’exciton d’énergie (k) et de quasi-
impulsion ftk est
Ÿu (k) = A i (k) I 0>. (44.46)
En utilisant les transformations (44.44) et (44.37a), nous pouvons
exprimer la fonction (44.46) dans la représentation par sites
^ ( ^ = - — 2 exp [ik ( n + p Œ)] ^ ( k ) B*a |0>, (44.47)
' n n
l’état fondamental du cristal étant noté | 0).

Soit doa le moment dipolaire électrique de transition

(I dna I = df) de la molécule na, correspondant à l'excitation
moléculaire Ae/. Dans la représentation par sites il sera décrit par
l’opérateur
dno^îa + d2aZ?na.
Par conséquent l’opérateur du moment dipolaire électrique spécifique
de transition, correspondant à l’excitation moléculaire Ae/, sera
P= y 2 (dna5 îa + d*o5na). (44.48)
na
La valeur du moment dipolaire électrique de transition de l’état
fondamental | 0) à l’état excité (44.47) du cristal est donnée par
l’expression
o
Pu(k)S ( ^ ( k ) | P | 0 ) = - f / ’(k) 2 e -ikp»uw (k)dn«, (44.49)
<Z»1
OÙ
F ( k ) = - l = - 2 exP ( * “>. P (°) = V * . (44.50)
' n
Pour N oof cette fonction devient simplement
F(k) = V N 6 0. k+g, oo,
où g est un vecteur du réseau réciproque.

Pour illustrer ce qui précède, étudions un cristal monoclinique
de type anthracène, naphtalène, etc., présentant un centre de symé
trie et contenant deux molécules identiques par maille élémentaire.
En particulier, dans le cristal d’anthracène le vecteur du réseau est
défini par l’expression
11 = * ^ + b/i2 + cn3, ni = 0, ± 1 , ± 2 , . . .,
i = 1, 2, 3; a, b, c sont les trois vecteurs de base de la maille
primitive, dans laquelle b coïncide avec l’axe monoclinique du
cristal ; ab = bc = 0, ac = cos 125°. Les centres de masse des
molécules du cristal sont déterminés par les vecteurs
n + P«. a = 1, 2, (44.51)
où
( 0 pour a«=sl,
Pa
( -i-(a + b ) pour a = 2.
5 “ ] EXCITATIONS D’UN CRISTAL A MOLECULES IMMOBILES 345
Dans les cristaux de ce type, les éléments matriciels (44.39)

forment une matrice carrée de rang deux
M e + D + I'n(k)* £ 12(10» ^ / / / co\
{ L^Çk), At + D + La (k)}- (44’52>
Lorsque le vecteur d’onde est dirigé perpendiculairement ou parallè
lement au plan de symétrie du cristal, on a l’égalité [276]
^1100 ~ ^22 00-
Dans ce cas, la diagonalisation de la matrice (44.52) est réalisée à
l’aide de la matrice de transformation uaik (k)
“« ■ " t t C - î) (44 W>

indépendante du vecteur k. L’excitation moléculaire Ae; donne
alors naissance dans le cristal à deux bandes d’états excités :
E1 (k) = Ae + D + LX1 (k) + Llz (k),
E 2 (k) = Ae + D + Lu (k) — L12 (k).
Pour k « 0, d’après (44.49), il correspond à chacune de ces bandes
un moment dipolaire de transition spécifique respectivement égal à
P = ^ 1 + ^ 2 p d n l — dn2
(44.55)
1 v V2N ’ 2 u V2N ’
où v est le volume de la maille élémentaire du cristal. Par consé
quent les deux bandes excitoniques, résultant de l’excitation d’un
seul niveau non dégénéré de la molécule libre, présentent non seu
lement des énergies différentes, mais aussi des polarisations diffé
rentes, puisque P2 et P 2 sont perpendiculaires. La polarisation reflète
les propriétés de symétrie du cristal et souligne le caractère collectif
des états excitoniques, liés à l’interaction entre molécules.
Ainsi à un état excité non dégénéré d’une molécule libre il cor
respond dans un cristal contenant deux molécules identiques par
maille élémentaire non pas une, mais deux bandes d’états excités.
Cet éclatement, d’abord étudié par l’auteur [277 à 2811, est habituelle
ment appelé (voir [282 à 2891) « éclatement de Davydov» pour le dis
tinguer d’un autre type d’éclatement étudié par Bethe [2901. Celui-ci
correspond à la levée de dégénérescence, sous l’action des champs
électriques internes du cristal, d’un niveau énergétique atomique ou
moléculaire dégénéré (« éclatement de Bethe »).
Lorsque la maille élémentaire contient o molécules identiques,
l’énergie d’excitation du cristal se distribue dans les a bandes d’états
excités. La distance entre les différentes bandes est proportionnelle
à la force d'oscillateur de la transition intramoléculaire considérée

et dépend de la disposition des molécules dans le cristal.
La preuve directe de l’éclatement des termes moléculaires non
dégénérés accompagnant la formation du cristal a été apportée par
Broudé et Onoprienko [2891. Ces auteurs ont étudié les spectres d’ab
sorption de lumière par des solutions solides de benzène dans le deuté-
robenzène. Pour des concentrations croissantes du soluté, ils obtien
nent une augmentation régulière de l’éclatement résonant. Pour des
concentrations très faibles, les molécules de benzène sont très éloi
gnées les unes des autres, c’est pourquoi il n’y a pas d’interactions
résonantes, et la bande d’absorption correspond à l’excitation élec
tronique des molécules de benzène isolées. Lorsque la concentration
augmente jusqu’à 10-15 %, les interactions résonantes deviennent
notables, et la bande d’absorption éclate en deux composantes dis
tantes de 3 à 4 cm"*1. Pour des concentrations voisines de 50 %,
la distance entre les composantes atteint 20 cm-1. L’éclatement des
bandes d’absorption augmente pratiquement linéairement avec la
concentration, pour atteindre 40 cm"1 pour le benzène pur.
L’« éclatement de Davydov » est la preuve la plus directe de la
collectivisation des excitations électroniques s’étendant à un domai
ne important du cristal. L’étude de cet effet permet d’une part de
préciser la nature des états excités moléculaires (symétrie des fonc
tions d’onde, force d’oscillateur des transitions quantiques, vibra
tions intramoléculaires) et constitue d’autre part un procédé indé
pendant d’étude de la structure des cristaux ainsi que des change
ments qu’elle subit lors du passage à d’autres variétés cristallines
ou lors de déformations mécaniques.
Ce phénomène permet de comprendre le pléochroïsme des cristaux,
quelques aspects singuliers de la luminescence et le mécanisme de
migration d’énergie dans les cristaux moléculaires et les molécules
complexes.
44.3. Bandes énergétiques des excitons moléculaires. Dans les
sections précédentes de ce paragraphe (voir (44.54)), nous avons mon
tré que le calcul des éléments Lfa p (k) de la matrice des interactions
moléculaires résonantes, définis par la somme (44.40), permettait de
trouver les bandes énergétiques du cristal moléculaire. Dans (44.40)
figurent les éléments matriciels Mfnm traduisant l’échange résonant
de l’excitation (44.7) entre les molécules n et m. Ces éléments corres
pondent à l’opérateur énergie d’interaction entre molécules Vnmy
caractérisant les interactions coulombiennes (non retardées) entre
les électrons et les noyaux des deux molécules concernées. Habituel
lement, on développe ce potentiel en série de puissances de l’inverse
de la distance entre les centres de masse des deux molécules. Chaque
terme de la série caractérise les interactions multipolaires d’ordre
correspondant. Si les deux molécules sont neutres, le premier terme
§ 44] EXCITATIONS D’UN CRISTAL A MOLÉCULES IMMOBILES 347
de la série dans l'opérateur d'interaction correspond à une interac

tion dipôle-dipôle. Lorsque le moment dipolaire électrique de transi
tion (44.4a) est différent de zéro, dans le calcul de la somme (44.40)
on peut se limiter aux interactions dipôle-dipôle :
M oa. n£ = "15----- rn, ap — 3 (darn# ap) (dprDt ap)l» (44.56)
Ha. a p
OÙ
rn. ap = n + Pp — Pa
est le rayon vecteur joignant la molécule 0a à la molécule nf5.
Si toutes les molécules de la maille élémentaire sont identiques,
la grandeur dâ ne dépend pas de l’indice a et peut être exprimée
en fonction de la force d’oscillateur F de la transition intramolécu-
laire correspondante :
d£ = e2hF/2m<ù, (44.57)
où ce est la fréquence cyclique de transition, m la masse de l’électron
et e sa charge. L’expression (44.56) montre que les éléments matri
ciels A/oa.np sont réels et symétriques. Dans l’approximation dipo
laire ils sont proportionnels à la force d’oscillateur de la transition
moléculaire et à un facteur géométrique dépendant de la distance
entre molécules et de leur orientation mutuelle.
Les éléments matriciels (44.56) définissent, par l’intermédiaire
de la somme (44.40), la variation de l’énergie des excitons en fonction
du vecteur d’onde, lorsque l’on ne tient compte que d’un seul état
moléculaire excité / correspondant à un moment dipolaire de tran
sition dont le module est donné par (44.57). En réalité l’énergie des
excitons dépend aussi de tous les autres états excités. Comme l’ont
montré Davydov et Miasnikov [291], l’influence des autres états
conduit à une diminution de l’opérateur d’interaction dipôle-dipôle
entre les molécules. On peut tenir compte de cet effet en divisant
cet opérateur par la permittivité du cristal e0 (co), à la fréquence <o
de la transition / étudiée, due à la présence des autres états électro
niques moléculaires. Tout formellement on peut grossièrement tenir
compte de cet effet en remplaçant (44.57) par
e*hF
2mû>eo((D) -
(44.57a)
Dans des cristaux à une molécule par maille élémentaire rn%ap =
= n, da = d et l’élément matriciel (44.56) devient simplement
M on = d2 | n | “5 ( l - 3 cos2 q>), (44.58)
où cp est l’angle entre les vecteurs d et n. La matrice d’interaction
résonante (k) se réduit alors à un seul élément
L(k) = 2 S JW0n COS (kn). (44.59)
n=)fc0
Dans un cristal moléculaire, les molécules sont en contact im

médiat. On peut alors se demander s’il est correct de développer
l’opérateur Vnm en séries de puissances de | r Df a3 I”1, et a fortiori
de ne garder que le premier terme du développement qui ne s’annule
pas. En réalité, il ne faut pas perdre de vue que dans ce développe
ment le critère de petitesse n’est pas le rapport des dimensions des
molécules à leur distance de séparation, mais le rapport de la lon
gueur du moment dipolaire - - d a à la distance intermoléculaire /?.
Dans le tableau 16 figurent les grandeurs correspondantes pour quel-
Tableau 1S
Quelques caractéristiques des transitions intramoléculaires
Fréquence de Force d ’oscil 108.R. 10».da “a
Molécule tra n s itio n , la te u r cm
c m -i e eR
Anthracène 40 000 2,3 9 1,3 0,14

Anthracène 26 000 0,3 9 1,0 0,11
Naphtalène 32000 0,001 7 0,03 0,004
ques transitions dans les composés moléculaires aromatiques. On

voit que le rapport est petit même pour des molécules voisines.
Ceci est caractéristique des cristaux constitués de molécules aroma
tiques, pour lesquels les premiers états excités correspondent aux
électrons] n de la carcasse carbonique de la molécule.
Dans un cristal infini unidimensionnel à une molécule par maille
élémentaire la somme (44.59) est égale à
L (k) = A 2 n~3cos (nka) » A cos (ka), (44.60)

71=1
ou
>1=- S ^ ( 1- 3cos2<p)*
Par conséquent l’énergie de la bande excitonique s’écrit, conformé
ment à (44.22),
E (k) = Ae + D + A cos (ka).
Pour ka 1,
E (k) = Ae + D + h2k 2/2m*,
où la masse effective de l’exciton
mhaiù
m *= — hz/Aa2= t*F (1 — 3 cos* (p)
est positive pour q> < 54°447 et négative pour 54°44\
4 44] EXCITATIONS D’UN CRISTAL A MOLECULES IMMOBILES 349
Les premiers résultats théoriques relatifs au calcul des niveaux

oxcitoniques pour k = 0 dans les cristaux moléculaires complexes
tridimensionnels anisotropes furent obtenus dans les travaux [292
à 295). Dans ces travaux le calcul numérique consiste en une som
mation des interactions résonantes d’une molécule du cristal avec
toutes les autres molécules placées à l’intérieur d’une sphère de
rayon de plus en plus grand. On se limite alors habituellement aux
molécules les plus proches ou celles qui sont situées dans une sphère
dont le rayon ne dépasse pas 20 à 30 À.
Cette approximation n’est valable que pour les états excitoniques
du cristal correspondant à des transitions intramoléculaires dipolai
res interdites. Dans le cas de transitions dipolaires autorisées, cette
approximation ne peut être utilisée. Les sommes correspondant aux
interactions résonantes dipôle-dipôle convergent très mal lorsque
le rayon R augmente, parce que le nombre des termes dans un cristal
tridimensionnel croît comme R 2, tandis que la valeur absolue de
chaque terme diminue comme Æ“3.
C’est ainsi que pour des valeurs de k très petites, mais non nul-
les, la contribution à (44.40) de molécules très éloignées est impor
tante. Pour k = 0 et pour des valeurs de R finies, cette contribu
tion est très petite (dans les cristaux cubiques simples elle est nulle).
Ainsi dans des cristaux de dimensions infinies les fonctions Lap (k)
sont des fonctions non analytiques de k pour k = 0.
La non-analyticité de La« (k) est liée à l’idéalisation mathéma
tique du problème, due au fait que l’on étend la sommation dans
(44.40) à un nombre infini de molécules éloignées. Chacun des termes
de (44.40) est une fonction analytique de k. Les cristaux réels sont
constitués d’un nombre fini de molécules, et la somme d’un nombre
fini de fonctions analytiques est aussi une fonction analytique.
Les premiers calculs de la somme (44.40) pour un nombre fini,
mais suffisamment important de molécules dans les réseaux cubi
ques simples contenant une molécule par maille élémentaire furent
réalisés par Cohen et Keffer [2961. Si on tient compte des interac
tions d’une molécule avec toutes celles qui sont situées à l ’intérieur
de la sphère de rayon i?, on obtient
L r (k) = - ^ L - t J 0 - t ) • (44-61>
On suppose ka •C 1, a est la constante du réseau; s = d/ | d | ;
(x) est la fonction de Bessel sphérique. Sachant que pour kR •c 1
« o . 1 (**>*.
on voit que quel que soit R
lim L r (k) = 0 lorsque k -»-0 (44.62)
Par ailleurs, pour x ^ 1, la fonction ; (x) = — cos- * , c’est pour

quoi pour des valeurs de k petites, mais différentes de 0, pour un
cristal de dimensions infinies
L~ (k ) = ~ tJ • t4 4 *6 3 )
La fonction (44.63) est une fonction non analytique au voisina
ge de k = 0. Lorsque k s’approche de zéro, la fonction L» (k) est
égale à 8/sjid2û”3 lorsque k || s, et éga
le à —4/3jid2a”3 si k J_s.
L’énergie des excitons dans un
cristal à une molécule par maille est
définie par la formule (44.22). Par
àt+n
conséquent, dans le cas de cristaux
cubiques, l’énergie des excitons de
grande longueur d’onde sera
£ „ , k )- ^ L [ ^ L _ 4 . ] x
x ( l — ÿ $ p - ) + t e + D . (44.64)
Fig. 58. Energies des excitons lonD’après cette expression, on peut
gitudinaux et transversaux de gran
avoir dans les cristaux cubiques
de longueur d’onde dans des cristaux
cubiques de dimensions finies et optiquement isotropes deux types
infinies. d’excitons de grande longueur d ’on
de quelle que soit la direction du
vecteur d’onde k : des excitons transversaux pour lesquels d _L k et des
excitons longitudinaux pour lesquels d || k. D’après (44.63), dans un
cristal de dimensions infinies, l ’énergie de ces excitons est respec
tivement égale à (ka 1)
E i = àe + D - ^ g - , E l = Ac + D + - | £ - . (44.65)
Pour des valeurs finies de /?, au point k = 0, les énergies des deux
types d ’excitons coïncident et sont égales à Ae + D (fig. 58).
Lorsque k augmente, l ’énergie des excitons longitudinaux ou trans
versaux se rapproche des énergies (44.65) et ceci d’autant plus vite
que R est grand.
Davydov et Sheka [297] ont calculé l’énergie excitonique pour
trois directions du vecteur d’onde dans le cristal monoclinique d’an-
thracène correspondant au premier état excité de la molécule (<o ~
~ 27 570 cm"1).
Les valeurs de l ’énergie (44.54) obtenues dans [297] sont répré
sentées sur la figure 59, pour trois directions du vecteur d’onde k.
Sur chacune des deux bandes excitoniques (k) on a figuré la
§ 44] EXCITATIONS D’UN CRISTAL A MOLÉCULES IMMOBILES 351
direction du moment dipolaire électrique de transition quantique

correspondant au voisinage de k « 0. La bande excitonique
p = 2 est associé à un moment dipolaire de transition parallèle à
Taxe monoclinique du cristal. Au voisinage de k « 0 l’énergie de cet
te bande peut s’écrire approximativement
E 2 (k) = E 0 + A cos2 9 + M a cos (ka) + M b cos (kb) +
+ M c cos (kc), (44.66)
où <p est l’angle entre les vecteurs k et b, E 0 = 25 240 cm-1, A =
= 220 cm"1, M a = —23,2 cm"1, M c = — 1 cm"1, M b = 15 cm"1.
Comme la direction
du moment dipolaire de
transition dans un cris
tal anisotrope est impo
sée par la symétrie du
cristal, les excitons trans
versaux et longitudinaux
correspondent à des di
rections bien détermi
nées du vecteur d’onde.
En particulier les exci
tons de la bande (44.66)
sont transversaux lors
que le vecteur d’onde est
perpendiculaire à l ’axe
monoclinique b, et lon
gitudinaux, s’il est pa
rallèle à cet axe. C’est
pourquoi les excitons
transversaux on tune mas
se effective positive et
les excitons longitudi
naux une masse effective
négative. Fig. 59. Energie des deux premières bandes exci-
44.4. Excitons danstoniques (déplacées de Ae + D) du cristal
les cristaux de gaz iner d’anthracène.
tes. Les gaz inertes
(néon, orgon, krypton, xénon) cristallisent à basse température et
forment des réseaux cubiques à faces centrées. Chaque maille de
Wigner-Seitz contient un atome. La cohésion du cristal est assurée
par des forces de Van der Waals. Par conséquent, par le type des for
ces interatomiques, ces gaz s’apparentent aux cristaux moléculaires.
Ces cristaux sont des diélectriques possédant une bande interdite
large (10 à 20 eV) entre la bande de valence et la bande de conduction.
Les difficultés liées à la rigueur des conditions expérimentales
(ultraviolet lointain à basse températuie) ont longtemps ralenti les
recherches dans le domaine de la spectroscopie optique des gaz so

lides. C’est seulement depuis peu que des recherches actives furent
entreprises pour étudier les spectres d’absorption [298 à 300] et les
spectres de luminescence [301 à 304] des cristaux de gaz inertes.
Les gaz ineites furent utilisés par Frenkel [305, 306] pour construi
re la première théorie des excitations collectives (sans transport de
charge) dans les solides (théorie des excitons). Il apparut cependant
que les premières idées de Frenkel ne pouvaient être applicables aux
cristaux de gaz inertes qu’avec les plus grandes réserves. Dans des
cristaux moléculaires constitués de composés aromatiques, les pre
mières excitations électroniques (3 à 4 eV) correspondent à des tran
sitions quantiques d ’électrons n bien isolés des molécules. Mais pour
les atomes de gaz inertes, les premières excitations (8,44 eV pour le
xénon, 10,03 eV pour le krypton, 11,61 eV pour l ’argon et 17,7 eV
pour le néon) correspondent à des transitions quantiques faisant in
tervenir les électrons les plus externes. Ces électrons passent respec
tivement dans les états 6p, 5p, 4p et 3p dont le rayon orbital moyen
est beaucoup plus grand que le rayon de l ’état atomique fondamental.
Par conséquent, le recouvrement des orbitales considérées apparte
nant à deux atomes différents est très important. L’approximation de
Heitler-London n’est pratiquement plus valable même pour les états
excités les plus bas. Il faut faire intervenir de grandes corrections
liées à la non-orthogonalité des états [307]. En outre, il existe un
mélange entre le premier état excité neutre et des états délocalisés
de transfert de charge [308].
Les travaux expérimentaux montrent que seuls les premiers
états excités du cristal peuvent être comparés aux excitations élec
troniques de l’atome. L’énergie d’excitation dans le cristal est dé
placée par rapport à l’énergie d’excitation de l ’atome : dans le xé
non, elle est plus petite (la grandeur du déplacement est 0,06 eV),
dans le krypton, l ’argon et le néon elle est plus grande (respective
ment 0,14 eV, 0,5 et 1, 1 eV). Les premières bandes d’excitation dans
le xénon, le krypton et l ’argon sont dédoublées, en raison des inte
ractions spin-orbite. Les grandeurs de l’éclatement E 3/2 — ü?i/2
sont respectivement égales à 1,08; 0,64 et 0.40 eV. Dans le néon la
première bande présente une largeur relativement grande de 0,5 eV.
A côté de chaque composante du doublet, dans la région des courtes
longueurs d ’onde, on a découvert des groupes de raies que l ’on ne
peut comparer directement à des états excités de l ’atome. Ces raies
sont décrites approximativement par une série hydrogénoïde confor
me à la théorie excitonique de Wannier-Mott
E n = Et — G in\ (44.67)
où G = R = 13,6 eV est la constante de Rydberg, p =
est la masse réduite de l ’électron et du trou, e0 est la permit-
§ 45] INTERACTION EXCITON-PHOTON. POLARITONS 353
tivité diélectrique (voisine de 2 pour le Xe, Kr et Ar), Eg est la lar

geur de la bande interdite. Dans le cristal de xénon Eg = 9,28 eV
et les états de nombres quantiques n = 1, 2, 3 correspondent aux
énergies 8,38 ; 9,03 ; 9,23 eV. Les rayons de ces états répondent à la
formule rn = 6,2n2. La masse réduite de l ’électron et du trou est
|x = 0,36m. Le moment total de la quantité de mouvement est égal
à 3/2. Dans les cristaux de krypton, d’argon et de néon l ’énergie Eg
est égale à 11,6 ; 14,2 et 21,9 eV. Dans les cristaux d’argon et de
néon la valeur du paramètre G de la formule (44.67) est égale à 2,4
et 5,24 eV.
Rossler [309] entreprit des calculs numériques d ’états excitoni-
ques dans les cristaux de gaz inertes. Les résultats de ce calcul s’ac
cordent relativement bien avec les données expérimentales concer
nant les premières séries excitoniques. Cependant de nombreuses
raies spectrales n’ont pas encore reçu d’interprétation théorique sa
tisfaisante.
La durée de vie radiative des états excités des cristaux de gaz
inertes est environ de 10"® s. En raison des interactions importantes
avec les vibrations de réseau du cristal, l ’excitationexcitonique se
localise rapidement (~10~13s) en formant des centres d’excitation
quasi atomiques ou quasi moléculaires. Dans ces conditions, au voi
sinage des centres d’excitation du cristal se constituent des microca
vités. La formation de ces microcavités est due au « gonflement >
du nuage électronique du centre atomique excité. Ceci fait appa
raître une répulsion supplémentaire des atomes voisins, c’est-à-dire
une force d’échange liée au recouvrement des nuages électroniques.
La formation de centres quasi atomiques de ce type a été mise
en évidence dans les spectres de luminescence de l ’argon et du néon
cristallisés sous la forme de raies fines isolées dont la fréquence cor
respond extraordinairement bien (à une dizaine de cm-1 près) à la
fréquence d’émission de ces gaz.
Dans les cristaux de gaz inertes plus lourds (xénon et krypton)
la localisation des excitons conduit à la formation de complexes
quasi moléculaires (eximères). La luminescence à partir de ces états
se présente sous la forme de larges maxima de structure simple.
§ 45. Interaction exciton-photon. Polaritons

Dans les paragraphes précédents, nous avons étudié le spectre
des excitations électroniques élémentaires du cristal (des excitons),
en tenant compte seulement des interactions coulombiennes entre
les charges du cristal. Mais il convient d’ajouter les interactions de ces
charges avec le champ électromagnétique transversal qu’elles créent.
Cette interaction retardée est complètement déterminée par les échan
ges de quanta du champ (photons) entre les particules chargées du
cristal.
2 3 -0 5 3 4
Supposons que ce champ électromagnétique transversal, emprison

né dans le volume du cristal, vérifie les mêmes conditions aux limi
tes cycliques que les excitons. Supposons en outre que les excitons
n'interagissent pas avec les vibrations de réseau (phonons). Ces deux
hypothèses sont parfaitement réalistes. Dans ces conditions, comme
nous le verrons par la suite, un exciton de vecteur k donné ne peut
entrer en interaction qu’avec un photon de même vecteur d’onde k
et de même polarisation. On voit alors apparaître dans le système de
nouvelles excitations élémentaires (qui sont des états stationnaires
de même vecteur d’onde k) appelées polaritons.
Lorsque le cristal occupe une région délimitée de l ’espace, et le
champ, comme d ’habitude, un volume infini, l ’exciton de vecteur
d’onde k entre en interaction avec un nombre infini de degrés de
liberté du champ électromagnétique transversal. Dès qu’un exciton
est créé, son énergie se répartit sur ce nombre infini de degrés de
liberté, et l ’état excitonique s’amortit de manière radiative. Si l’on
tient compte des interactions entre l ’exciton et les vibrations de
réseau, on a un amortissement supplémentaire (relaxation). Le rôle
des processus de relaxation dans l ’absorption vraie de la lumière se
ra discuté dans d’autres paragraphes de ce livre.
Comme on l ’a montré au § 44, l ’opérateur caractérisant les états
excitoniques dipolaires du cristal (une molécule par maille) s’écrit
dans la représentation des nombres d ’occupation N j (k)
ffc x = I : E } (k )B ijBk}, (45.1)
k. f
où B if et 2?k/ sont les opérateurs de création et d ’annihilation des
excitons correspondant à une excitation intramoléculaire Aey =
=Æo)/,de quasi-impulsion ftket de moment dipolaire électrique de tran
sition quantique (à partir de l ’état fondamental) d *). La somma
tion dans l ’égalité (45.1) s’étend à toutes les valeurs de k de la premiè
re zone de Brillouin de l ’espace k.
Dans la représentation du nombre d ’occupation des photons
l ’opérateur énergie du champ électromagnétique transversal (sans
tenir compte de l ’énergie de zéro du champ) peut être écrit [5]
oo
H y = 2 hc |k | aîa^ka» a = 1,2, (45.2)
k, a
où c | k | = a) (k) est la fréquence du photon (c est la vitesse de la
lumière); a ja et aâ sont les opérateurs de Bose de création et d’an
nihilation des photons d’énergie Aco (k), d’impulsion Kk et de pola
risation eka . Les vecteurs unitaires eka sont tels que (e^-eko) = 0,
(kejca) = 0 pour a = 1,2. La sommation dans (45.2) s’étend à tout
l ’espace k.
*) La généralisation au cas des cristaux .à plusieurs molécules par maille
élémentaire ne présente pas de difficultés.
L’opérateur du potentiel vecteur A (r) du champ électromagné

tique, normé pour chaque onde de vecteur d’onde k, pour un photon
d’énergie htù (k) dans le volume V du cristal (dans la jauge de Cou
lomb div A = 0) peut être exprimé à l ’aide des opérateurs akŒ
oo _____
A ( r ) = 2 / TJFÏ ek«Yt« exp (ikr), (45.3)
k, a
Vka = V~k. a = flka 4 a-k. a, a = 1, 2. (45.4)
Cherchons la forme de l’opérateur d’interaction du champ élec
tromagnétique avec les molécules du cristal dans l ’approximation
dipolaire, c.-à-d. dans la représentation des nombres d’occupation.
Lorsque l ’on néglige les différences de phase à l ’intérieur d’une mê
me maille élémentaire, cet opérateur s’écrit dans la représentation
des coordonnées
H«. y = — ~ Sn A (“ ) P " Sn A 2 <“ ) . < « .5 >
où pn est l’impulsion résultante des S électrons optiquement actifs
de la molécule neutren ;e et m sont la charge et la masse de l’élec
tron.
Si B if est l ’opérateur de transition d’une molécule n de l ’état
fondamental | 0 ) à l ’état excité | / > (voir § 44), dans la repré
sentation de seconde quantification, l ’opérateur p„ est représenté
par
P»-* 5 ((/ I Pn | 0>BZf + <0 I p„ I /> Bn}). (45.6)
/(*=0)
Soient Hn l’hamiltonien des S électrons optiquement actifs de
la molécule n et dn l’opérateur de leur moment dipolaire électrique
résultant. On a alors les relations de commutation
(d„, H l\ = •—■P», t à , PÏ] = ieSH6xy.

En utilisant ces relations de commutation, on obtient
< /|P n|0> = - i ^ d / , (45.7)
2 «/#<# = ! - S6XV, d/ = e( / | r | 0>. (45.8)

/(# 0)
L’égalité (45.8) représente la règle de sommation des forces d'oscilla
teur Ff des transitions de la molécule
Ff = 2m(6Fîùil^ h , 2 Ff = S. (45.9)
23*
La somme des forces d'oscillateur des transitions moléculaire est

égale au nombre d'électrons optiquement actifs.
Substituant les valeurs (45.6) et (45.7) dans l'opérateur (45.5),
nous trouvons l'opérateur d'interaction des excitons et des photons
dans l'approximation dipolaire :
CD, (A (n)d,) (B*f - B nf) + ^ 2 A2(“ )• (45- 10)

n/ n
Remplaçant le potentiel vecteur (45.3) par sa valeur et transfor
mant les opérateurs /?„; par la transformation canonique
Bnf = — • 2 exp (ikn),
nous obtenons l'expression finale de l'opérateur exciton-photon

dans la représentation des nombres d'occupation des excitons et
des photons
ffe x .,= S aYic«+ 2 (45.11)

lc.a4e' k| *.«./
où
D ( k , a , f ) = - i<0, (e^d,) } / , (45.12)
£2p s 4neïlmv = QJ/S (45.12a)
est le carré de la fréquence de plasma, v le volume de la maille élé
mentaire. Nous n ’avons pas tenu compte des processus de rejet
(Umklapp).
L’expression (45.11) montre que des excitons (k, d/) ne peuvent
entrer en interaction qu’avec des photons (Q, eir„) vérifiant les con
ditions Q = ± k et (d/eka) =/= 0. Les excitons longitudinaux, c’est-
à-dire ceux dont le vecteur d ’onde k est parallèle à d/, n’entrent pas
en interaction avec le champ électromagnétique transversal. Compte
tenu de (45.1), (45.2) et (45.11), l’hamiltonien du système excitons-
photons s’écrit
# = 4 -2 ^ * (4 5 . 13)
k
OÙ
= 2 (k) ( B t f B v + B ik . /Æ-k, f) +
t
“1“ 2 ^ 1^ I ( 1 “1” 2cSfci ) (ûkaû ka "1" Æ-k. afl-k, a)
, /QS
2c|kI 2 (a kaû-k, a 4“ Ækaa -k, a) +
+ 2 ^ 0*» a » / ) fVka 0®îy — -®-k, /) + Y-kf a C®-k. y — ^ky)]- (45.13a)

a,f
L'opérateur (45.13a) prend une forme diagonale
# k = h 2 <■>*(k) & (k) (k) + S0 (k), |i = 1,2,
en utilisant la transformation canonique de Bogolioubov-Tiablikov
-®ky— 2 I6i» (k) (&4“ ( k) U\Cf, J 9
M-
(45.14)
ûka — 2 l£n (k) wka, p. 4" Sj. ( k) ykii, J .
Les fonctions de transformation u et v vérifient les conditions
Ç (^kl, n^kl. m—ykUii^kî, m) = â|i» 14» ^= /» a *
2 (uil* n^kZi, ^k/,,u) = ôut.
Toutes les autres combinaisons du type 2 (^kz.^k/, ^ —Wk/.^kz, n)

i
sont nulles. La forme explicite de ces fonctions est donnée par les
solutions du système
(<*V4 “ C | k | ) l/fca, p.= ip I k | — <ûn) ^ka, ji»
[tUù^ + Ef ( k ) ] I > k y .n = [Æcûh — Ef (k )] ukftll,
[Acù^-Ej (k)] Wky.n= 2 D (ka/) (yka, n + u ka.n)t (45.14a)
a
(®H—C I k I) Uka,n=4- 2 D (ka/) 0*/.*—“ */.*) +

1
QJ
4" 2c Ile I (Wka* 4" yka, |i) •
Le système (45.14a) se réduit à une équation en uka, n* permettant
de définir l ’énergie hiù^ (k) de nouvelles excitations élémentaires —
les polaritons
[(ojt —C*k*—QJ] Wka»ji“ 2 TaP^k3m = 0, (45.15)
ou
m o_ ^ «?*/ (k) (ekad/) (ek3d/>
i ap — OJl 2 j „[ ^ ( o * ( k ) ]
sont des éléments matriciels dépendant de l ’énergie cherchée ft<oM

Dans le cas de cristaux isotropes, en utilisant l ’égalité approchée

h(ùf « Ef (k) et la règle de sommes (45.9) nous trouvons
^ “3 = [ — + 2 (K) ]
Puis, substituant cette expression dans (45.15), nous obtenons l ’équa

tion
<«■*«»
déterminant la fréquence co* (k) des polaritons et l’expression expli

cite de l ’opérateur énergie (45.13) en fonction des opérateurs de créa
tion (k) et d’annihilation (k) des polaritons :
H = S H* = h S ©* (k) l* (k) ^ (k) + «o, (45.17)
k n, k '
OÙ
$0 = ft 2 ®|1 (k) [ S I yka.|i | 2+ S I ykf,\L | 2I
|i. k a T
est l ’énergie de l’état fondamental.

Le système (45.16) a des solutions non nulles lorsque
c * k 2 __ j v i fP Q p F f
“co*” ” 1 - h*iù* — E2A k)
(45.18)
;
Cette égalité est l ’équation de dispersion des polaritons, déterminant
la dépendance de la fréquence de ces excitations élémentaires en fonc
tion du vecteur d’onde réel k.
Si la bande excitonique la plus basse Ex (k) = AQ (k) est isolée
des autres, et si l’on s’intéresse au domaine de fréquences voisines de
£2 (k), on peut dégager dans l ’équation (45.18) le terme résonant le
plus important et le transformer en
iÜEl—e i f* (45.19)
©- —eo-r Qîjk)-.©* »
où
f-Q ,V F t- ÿ r F,
est un paramètre caractérisant l ’importance de l’interaction lumière-
excitons, et
*pFf
^0 = 1 + 2 Qj(k)—û>*
/> 1
est une fonction faiblement dépendante de la fréquence co au voi

sinage de Qi (k).
Si on suppose que e0 est constante, on trouve deux racines posi
tives de l'équation (45.19)
Oi.2( k ) = — U t V a 2- 4Q2(k)c2k2/c0]1/2, (45.20)
OÙ
A = Q2 (k) + (c2k2 + f ) / e 0. (45.21)
Les fonctions colv 2 (k) définissent deux branches de polaritons.
Il leur correspond les fonctions d’onde ££ (k) | 0 ), qui s’écrivent
dans la représentation des coordonnées
Hv(k; r,*) = ~ - e x p [ i ( k r —©n(k))f], I*—1.2.
Par conséquent, ces excitations élémentaires sont distribuées uni
formément dans le volume V du
cristal. Sur la figure 60 (voir aussi
fig. 83) on a représenté les deux
branches polaritoniques au voisina
ge de k = 0 (dans le cas de très
grandes valeurs de /). La fréquence
o)2 (0) = V Q2 (0) + p/Eo est appe
lée fréquence des excitons longitu
dinaux.
Les valeurs de k et de Q à la
résonance (kr = Q) sont définies
par la condition d’intersection des
courbes de dispersion des excitons
libres et des photons dans le cris
tal, c’est-à-dire
ÇlT= cQlV%: (45.22)
Ainsi à la résonance A = A T =
= 2QJ -r C’est pourquoi, à la
résonance, pour une valeur kr du
vecteur d’onde, il y a deux polari Fig. 60. Deux branches polaritoni
tons de fréquences (on tient compte ques cû! (k) et co2 (k) au voisinage
de l’inégalité QrV e0 f2) • de k = 0. Les lignes pointillées in
diquent la dispersion des photons
Qi (Q) « Q r - f l V ï ô , cklY ^ ô ©t des excitons Q (k).
Q2(Q )* Q r + / / V v (45.23)
La transformation inverse de (45.14) dans le cas d’une bande ex-
citonique isolée Ex (k) est
00 = ^kl.H'Skl ^kl.n^kl “1"Uka,|i&ka—^ka.^ka* (45.24)
Par conséquent, les fonctions d’onde ÇJ, (k) | 0 > des polaritons sont
une superposition des états excitonique et photonique de polarisation
a, dont le vecteur champ électrique est parallèle au moment dipolaire
électrique de transition dla La contribution relative des excitons et
des photons dans cette superposition est donnée par les valeurs izklf ^
et
Pour des vecteurs d’ondes voisins de la résonance, le mélange de
l ’exciton et du photon est important. Cette région est d ’autant
plus importante que le paramètre /, caractérisant l ’interaction ex-
citon-photon, est grand. En l ’absence d’interaction / = 0 et (45.20)
donne < ùx (k) = c | k | / Y s0, û)2 (k) = Q (k).
Pour k Q, l ’énergie des polaritons de la première branche
coïncide pratiquement avec l ’énergie des photons (ot (k) =
= c | k | / Y £(>• Dans ce cas ukatl « 1, et les fonctions uklt x,
et t'ka.i sont voisines de zéro. La plus grande contribution à
l’état polaritonique est de nature photonique. Pour k Q, les po
laritons coïncident avec les excitons: (ùx (k) « Q (k), ukltl « 1,
1 « Uka. l « *>ka. 1 « 0.
§ 46. Permittivité du cristal due aux excitons
Pour étudier la propagation des ondes planes monochromatiques,
homogènes (Re k parallèle à Im k) et transversales, dans un diélec
trique ne possédant pas de charges libres, il est commode, au lieu
d ’utiliser le tenseur de permittivité (reliant le vecteur induction
D du champ électromagnétique au champ électrique total E),
d ’employer un tenseur auxiliaire Bj,, le tenseur de permittivité
« transversal a. Ce tenseur relie, par l ’équation D = exE±, le
vecteur induction à la projection transversale du champ Ex du
vecteur champ électrique *).
Les vecteurs D (k) et Ej_ (k) sont situés dans un plan perpendi
culaire au vecteur d’onde k. Par conséquent, e± (k, co) est un ten
seur de rang deux, agissant sur des vecteurs de ce plan. Soit un systè
me de coordonnées xx, x2, x 9f associé à la direction de k, de telle sor
te que x a soit dirigé le long de k et xx et x 2 le long des axes principaux
du tenseur ex . Nous appellerons ce système de coordonnées système
de coordonnées du vecteur d'onde. Dans ce système
/e u 0 0 \
8 ^ , ( 0) = 0 822 0 1 (46.1)
\ 0 0 0/
Le tenseur t x (k, co) définit complètement les propriétés macrosco
piques du cristal relatives à la propagation le long de k d’une onde
*) Le tenseur de permittivité transversal a d'abord été utilisé par Pekar
[310, 311], par Agranovitch et Ginsburg [312].
§ 46] PERMITTIVITÉ DU CRISTAL DUE AUX EXCITONS 361
homogène monochromatique transversale de grande longueur d'onde.

Dans ce qui suit, nous étudions seulement le tenseur 8j_ (k, (o),
c’est pourquoi nous omettons le signe _L.
Soit une onde électromagnétique transversale de longueur d’on
de très supérieure à la constante du réseau a (faz<Cl). Le champ élec
trique de cette onde
E (k, o) = eE0 exp [i (kr — cot) 1 (46.2)
(e est un vecteur unitaire définissant la polarisation et vérifiant la
relation ke = 0) donne naissance dans le cristal à un moment élec
trique spécifique
P (k, <D) = -e(k'4<*)~ 1 E (k, <D). (46.3)
Pour calculer la permittivité, il convient de calculer tout d ’abord

en approximation linéaire la valeur moyenne du moment dipolaire
électrique induit dans le cristal par (46.2).
Nous supposerons que les états moléculaires étudiés sont singu-
lets par rapport au spin, et que le champ (46.2) a été établi à l ’instant
t = —oo de manière adiabatique. En approximation linéaire par
rapport au champ dans la représentation des coordonnées, l ’opéra
teur d’interaction du cristal avec le champ s’écrit
# mt = —-^7 2 (Aoelkr“Pn) exp [i (kn—<of) + y*] , (46.4)

n
où m et e sont la masse et la charge de l ’électron, c la vitesse de la

lumière ; A0 = —iceE0l(ù l’amplitude du potentiel vecteur en jau
ge de Coulomb ; r„ et pn les opérateurs représentant la somme des
coordonnées et des impulsions des électrons dans la molécule n.
L’introduction du petit paramètre positif y dans l’équation (46.4)
assure l ’établissement adiabatique des interactions au moment t =
= —oo. Ce paramètre inclut formellement les processus de relaxa
tion toujours existants dans le système.
Dans ce qui suit nous ne prendrons en considération qu’un seul
état excité de la molécule. Soient | 0 ) et | / ) les fonctions d’on
des de l ’état fondamental et de l’état excité. Alors dans l’approxima
tion des grandes longueurs d’onde ([5], § 95)
e ( f \ e ik* (ep) | 0) = im<ù, (ed) + ie ( / 1(kr) (ep) | 0>+ . . . , (46.5)
où
d = e </ | r | 0 > (46.6)
est le moment dipolaire électrique de la transition intramoléculaire ;
le deuxième élément matriciel dans (46.5) peut être transformé *)

e </ | (kr) (ep) | 0) = — m<ù} 2 kzQzxex+ y 2 kzM zxex,
X, Z X, z
OÙ
Qzx = e < / | zx | 0 > (46.7)
sont les composantes du moment électrique quadrupolaire de transi*
tion,
M 2, = - i e h ( f \ z ± - , - i . | 0 > (46.8)
les composantes du moment dipolaire magnétique de transition.
Dans le développement (46.5), le rapport de chaque terme au ter
me précédent est de l ’ordre de ka «C 1. C’est pourquoi on peut ne te
nir compte que du premier terme non nul.
Ainsi, lorsque d =?*= 0, la transition est dipolaire électrique et
e (/ | e<kr (ep) | 0) « i(ùfm (ed). (46.9)
Si d = 0, il faut tenir compte du deuxième terme de (46.5). Pour une
transition quadrupolaire électrique
e (f | elkr (ep) | 0) æ — imtù, 2 KQzxex, (46.10)

Z, x
et pour une transition dipolaire magnétique

e (f | e** (ep) | 0 >w y 2 k*M Z*fix- (46.11)
Z, X
Etudions d’abord les excitons dipolaires électriques, pour les

quels d =5^ 0. Dans ce cas l’opérateur d’interaction (46.4) dans la re
présentation des nombres d’occupation des excitons devient
H int = wE0 exp (— m t + yt), (46.12)
OÙ
w= - Y N ? L (ed) [B* (k) - B ( - k)]. (46.13)
Conformément à (44.48), l’opérateur du moment dipolaire électri
que spécifique du cristal (une molécule par maille élémentaire,
donc dnct = d) s’écrit dans la représentation des nombres d’occupa-
*) Les sommes figurant dans cette expression doivent être comprises com
me suit:
2 A x = V A u = S A z = A x + A y + A z.
x V z
tion des excitons

P (n )----- ~ 2 e “ “ [B+( - k ) + jB(k)], (46-14>
*>VN t
où v est le volume d’une maille élémentaire.

Dans la méthode utilisée au § 41, la valeur moyenne (46.14)
devient, à l ’instant t après le début de l’interaction (46.12),
(P (n, t)) = Tr {p (t) P (n, 0}, (46.15)

où
P (n, t) = - ± = 2 elk“ ( '“ k’ *) ■+B (k, t)], (46.16)
B (k, t ) = exp - îf i B (k) exp ( — ^ )

ou
iAi £ I kiiI = [5 ( k ,t) ,/r ] . (46.17)
L'opérateur statistique p (t) doit vérifier l'équation de Liouville
** T = ï&‘nt (*),?(*)], (46.18)

^ ^ e x p ^ fip W e x p t-ifi),
f f ini (t) = w (t) E 0 exp ( — i ( ù t + yt), (46.19)
w ( t) = - 2 L Ü L { e A ) [B*(k, * ) - B ( - k , f ) ] .
Supposons que, avant l’interaction, l’opérateur statistique soit égal

à
Po = exp ( —p/ï)/T r {exp ( —P#)}, P = (46.20)
H est l’hamiltonien du système avant le début de l’interaction.
D’après (46.18), à l’instant t , à l’approximation linéaire par rapport
au champ, l’opérateur statistique est
t
p(*) = P o + - i î Iffint(T),p,]«iT. (46.21)
—oo
Substituons les valeurs (46.21) et (46.19) dans (46.15), et permutons
circulairement les opérateurs figurant dans le deuxième membre. En
l ’absence de champ extérieur, on posera que la valeur moyenne du
moment dipolaire électrique spécifique du cristal est nulle, ce qui

nous permettra d’écrire
 = — d exp [i (kn — at) + V*] X

t
x j C(T)(Tr{p0[fî(k ,« ),5 +(k ,T )]} -
- Tr {p0 [B* ( - k, t ) , B ( - k, x)]}) <fx.
où C ( t ) = exp [iw ( t — () + Y (T — 01-

Introduisons sous le signe d’intégration la fonction échelon
pour f > T ,
©(/ — (46.22)
pour t < x.
on peut alors étendre à l’infini la limite supérieure d’intégration.
Sous le signe d’intégration figurent les fonctions de Green retar
dées *)
G (k, t — x) = — i© (t— t) Tr (p0 [B (k, t —t) . B* (k, 0)]},
G* ( - k, t - t) b - i© (t - t) Tr {p0[B* (—k, t — x), B (k, 0)]}. (46.23)
Par conséquent, on peut écrire
(P (k, ©)>= [G (k, w )-G + ( - k , —S)], (46.24)
où
© = (o + iy, (46.25)
+00
G (k, 5) s ((B (k) ; B* (k )» - = i - j «*•»-* G (k, t) dt,

+oo
G* (k, - ©) ^ {(B* (k) ; B (k)»_~. = 1 j G* (k, t) dt (46.26)
—oo
sont les transformées de Fourier des fonctions de Green retardées ou

leurs représentations énergétiques.
En comparant (46.24) et (46.3), on voit que les composantes du
tenseur de permittivité (pour un exciton dipolaire électrique d
associé à un état excité intramoléculaire | / ) ) peuvent s’exprimer
exy (k, ©) = figy— [G (k, © ) - G + ( - k . - 5)]. (46.27)
*) Les fonctions de Green retardées ont été étudiées par Bogolioubov et

Tiablikov [313] (voir aussi [314]).
§ 46] PERM ITTIVITÉ DU CRISTAL DUE AUX EXCITONS 365
L'énergie des états excitoniques est beaucoup plus grande que

l'énergie d'agitation thermique du réseau cristallin. Par suite si
l'opérateur énergie H contient seulement des opérateurs excitoniques
(molécules fixées aux nœuds du réseau), la moyenne, exprimée à
l'aide de l'opérateur statistique p0, peut être prise simplement sur
l'état fondamental | 0 ) sans exciton. Ainsi les fonctions de Green
retardées deviennent
G (k, t) = - *0 (*) < 0 I [B (k, t)9 B+ (k, 0)] I 0 >. (46.28)
Dans ce cas, leurs transfoimées de Fourier vérifient l ’équation
nZ « B (k) ; 5+(k) » 5 =
= < 0 | IB (k). B* (k)] | 0) + « [B (k). H) ; B♦ (k) » - . (46.29)
Cette équation permet de calculer la transformée de Fourier de la
fonction de Green retardée, sans être obligés de calculer au préala
ble la fonction de Green elle-même.
Appliquons l'équation (46.29) au cas d'un hamiltonien excito-
nique du type
(k)]B+ (k) B (k). (46.30)
k
Dans ce cas IB (k). H] = tUùf (k) B (k), [B (k)t 5+ (k)] = 1. C’est

pourquoi il résulte de (46.29)
G (k,o>) = « B (k); J5+ (k) »S = {Mû) + 17 — 0)/ (k)]}*1. (46.31)
On peut obtenir le même résultat en calculant d'abord la
fonction de Green retardée. D’après (46.17) B (k, () = B { k )x
x e x p l— i(o (k)*]. Donc la fonction de Green (46.28) est
G (k, t) = —Î0 (t) exp [— ico (k) t). (46.32)
En calculant
+00
« 5 (k) ; B* (k )» - = i j O (k, t) dt.
nous obtenons la valeur (46.31).

Lorsque le paramètre y est très petit, en utilisant (46.27) et
l’identité
(* + tv)”1 = éP -j— inô (x), y-*- 0 ,
nous obtenons
cxy 0*» û)) =
= 0*1, — — [ a*—©? (k)]-‘—ia , (k) jïô (<o*—(û) (k))>.

Si le paramètre 7 a une valeur finie, on a

n ~\ si 8jiû)/dyfdÿ
= — ho l u * — wj (k)+t 2<0/ (k) y] •
Les valeurs trouvées pour la permittivité sont déterminées par une
seule bande isolée d'états excitoniques. Dans le domaine des fré
quences a) = (ùf (k) on tient compte de la contribution des états
excités d’une autre énergie en remplaçant àxy par le tenseur z%y
qui dépend faiblement de la fréquence au voisinage de a)/ (k). Dans
ce cas
~ 8juo/dfdy
e*y(k, û>) = e£j,— hv (k)_|_j2w/ (k) y\ • (46.33)
L’équation (46.31) montre qu’au voisinage de la résonance <o~
~ û)/ (k)
I G (k, 5 ) | » | < ? +(k, - 5 ) | ;
c’est pourquoi, lorsque l ’on calcule la permittivité, au lieu de (46.19),
on peut utiliser l ’expression
exv (k, 5) = e%y— G (k, 5), © = © + iy. (46.34)

Dans ce cas au lieu de (46.33) on obtient
n ~\ o 4 ji (ùfdPfd1}
(k, ©) = £xV— wùA[tù+iv—eu/ (k)] »
qui, au voisinage de cd~ <û/ (k), coïncide avec (46.33).
La propriété la plus importante de la permittivité, correspondant
à la bande excitonique g>/ (k), est sa dépendance du vecteur d ’onde
k. Cette dépendance est appelée dispersion spatiale.
Pour des excitons quadrupolaires électriques, d ’après (46.10)
l’opérateur (46.19) devient
H int (t) = WQ (t) E0exp (— i(ùt + 7 1),
où
(* )= 2 i** (k * * ) - B ( ~ k » *)] 2 k& * e*'

k r, x
Les composantes de l’opérateur moment dipolaire électrique spé

cifique sont données par
y, kzQzx
Px (n )= 2 «Utn ( - k ) + 5(k)].
k ^
En calculant (de la même manière que (46.15)) la valeur moyenne de

ce moment dipolaire spécifique nous obtenons

(Px (n)) = Tr (p (t) Px (n, t)} =
= “ 'S 2 2 [G (k, «) —G+( — k, — ©)].

r z' y
Comparons cette expression avec (46.3). Nous obtenons l ’expres
sion des composantes du tenseur de permittivité dû*aux excitons
quadrupolaires
(k, 5) = 4 j,—- ~ p 2 k&'QzxQs'v [G (k, <ù) — G*(—k, — ©)].

(46.35)
Pour des cristaux optiquement isotropes, ce tenseur (46.35) se
réduit au scalaire
e<<»(k, a>) = e°— gk2 [G (k, 5 ) - C + ( - k , - 5 ) ) . (46.35a)
A noter que dans le cas d'excitons quadrupolaires, la dispersion
spatiale de la permittivité n’est pas seulement due à la dépendance-
en k de la fonction de Green G (k, co), mais aussi au facteur k2.
Pour des excitons dipolaires magnétiques l ’opérateur d ’interaction
(46.19), conformément à (46.11), devient
H int(t) = w (t) E0exp (i(ùt + y t),
où
»(*>“ 2 T T - 2 IB* (k, *)].
k X, 2
Les composantes du moment électrique dipolaire spécifique sont dans-
ce cas définies par l ’expression
Px (n) = — 7= 2 h M zxe*« [B* ( —k) + B (k)].
* z, k
Calculons le moment spécifique moyen
(Px( “) > = - ■ — 2 [G [ k , S ) - G * ( - k , - £ ) ] .
S», y
Par conséquent, les composantes du tenseur de permittivité cor
respondant aux excitons dipolaires magnétiques s’expriment aussi en
fonction des transformées de Fourier de la fonction de Green retar
dée :
(k, 5) = 4 „ - £ 2 K K M zxM ti1) [G (k, â) - G* ( - k, - S)].
(46.36)
368 EXCITATIONS COLLECTIVES DANS LES CRISTAUX [CH. EX
Lorsque les fonctions | 0 ) et | / ) incluent les fonctions de

spin, dans l'expression (46.36) il faut poser
M zx = e (L y + 2S y)y M xy = e {Lz + 2S2), M yz = e (Lx + 2SX),
où
Lx = u K | 0 ) , Sx = ( / | S x |0 > f ...,
lXJ S x sont les projections des moments résultants orbitaux et de spin
des électrons de la molécule.
46.1. Lien entre la permittivité et la fonction de Green retardée
des photons. La formule (46.34) exprime le tenseur de permittivité
transversale exy (k, co) en fonction des transformées de Fourier des
fonctions de Green retardées excitoniques
G (k, <d) = « 5 (k), S+(k)»~.
Montrons que ce tenseur exy (k, co) peut aussi être exprimé en fonc
tion des transformées de Fourier de la fonction de Green retardée des
photons du cristal. Ces photons sont des quanta du champ électro
magnétique transversal existant dans un cristal excité. Les excita
tions considérées incluent les interactions coulombiennes longitudi
nales entre charges du cristal.
Un champ électromagnétique transversal du cristal est décrit par
l ’opérateur (voir § 45)
H ph = 2 «e I k I aJaflka, a = 1, 2, (46.37)
k, a
où aka, &ka sont les opérateurs de création et d’annihilation de pho

tons d’énergie ch | k | , d’impulsion fck et de vecteur polarisation
eka. Dans ces conditions l ’opérateur potentiel vecteur du champ trans
versal s’exprime en fonction des opérateurs ak(Z
A(r) = 2 / <Ww« exp (ikr), (ke**) = 0, (46.38)

kva
Yka = ûlea + Æ-k, a*
Conformément aux équations macroscopiques de Maxwell le po
tentiel vecteur (pour un champ électromagnétique transversal dans
un milieu de permittivité e (k, co)) peut être exprimé en fonction des
courants étrangers transversaux j (k, co) :
[ - £ e ( k , ©) —ka/ ] A(k, co)------- ^ - j( k , <o), (kA) = 0,

où / est le tenseur unité. Il en résulte

2
Aa(Q , ® ) ~ Q * 2 [ — A - « ( Q . ® ) + / ]L 1/# (Q .“ )- (46-39)

p= i
Si l ’on connaît le lien entre les courants étrangers

Ü (f. 0 = i (Q> ®) exp U (Qr — «*) + v*], (46.40)
établis à l’instant t = —oo, et le potentiel vecteur qu’ils créent

dans le milieu, on peut calculer 1 • t enseur de permittivité transversal
e (Q, é>), co = (o + iy.
En mécanique quantique, l ’opérateur d’interaction de courants
étrangers avec le champ électromagnétique est
Hmt = —— j A (r) | (r, t) d3r.
Substituant dans cette formule l’expression (46.40) et l’opérateur

(46.38), nous obtenons
________2
H lni = - ) / — J ô kQ2 YQ«/a(Q, a )e x p (m t + yt). (46.41)
0=1
Supposons qu’à l ’instant t = —oo, le cristal, caractérisé par l’ha
miltonien H (cet hamiltonien inclut le champ électromagnétique),
est décrit par la matrice densité p0. Dans la représentation par la
matrice densité (représentation d’interaction) dans l’approximation
linéaire par rapport à l ’opérateur (46.41), la variation de la matrice
densité (voir (46.21)) entre l ’instant —oo et l ’instant t est égale à
t
Ap («) = p (<) — p0= - jf j [Hira (t), Pol dx, (46.42)
—oo
avec
p (f) = exp — p (f) exp ( —•— ) ,
S int (*) = exp — H irit (t) exp ( — ^ - ) .
La valeur moyenne de la composante a (dans le système du vecteur

d’onde) de l ’opérateur potentiel vecteur créé par les courants étran
gers (46.40) est à l’instant t
(A* (Q ; r, 0) = Tr{Aa (Q; r, <)-Ap(*)}. (46.43)
2 4 -0 5 3 4
OÙ
À* (Q ; r, vQa (0 exp (îQr),
t) = ] / y * * * -.
V 1Q 1 (46.44)
~ /.x Mt / iUt \ ' '
Vga (t) = exp — yqo exp ( ---- — ).
Substituons la valeur (46.42) dans l’égalité (46.43) :
t
Ma (Q ; r, *)} = -^- j Tr {p0 Mqa (r, t), H int (*)] dx.
—oo
Utilisant les expressions (46.41) et (46.44) nous pouvons transformer

cette égalité
M a (Q î r, *)) = ôkQ-p—- 2 h (Q. exp [i (Qr — <oi) + 7 /] X
P
OO
x j Tr (Pô (Ÿqo(t), YQP(0)0 exp (itox— y*) dx. (46.45)
0
Introduisons la fonction échelon (46.22). L’intégrale de cette expres
sion devient
+ 00
j e ^ x - v x r a0 (Q , X) d x = r a „ (Q , Z), (4 6 .4 6 )
—oo
OÙ
T«p (Q, <) = - «Q W Tr {po [ŸQa (t), YqP(0)]} (46.47)
est la fonction de Green retardée des photons et TaB(Q, (o) sa trans
formée de Fourier, dont la dimension est inverse à une fréquence.
Après substitution de (46.46) dans (46.45) nous obtenons
MQa (r, t)) = Aa (Q, ôî) exp [i (Qr—oit) + y*], (46.48)
où Aa (Q, à) = — p ~ 2 r <*P(Q* ®) H (Q. ®)-

P
Comparons cette égalité avec l ’égalité macroscopique (46.39). On
trouve le lien entre la permittivité et la transformée de Fourier de
la fonction de Green retardée des photons
*&(Q. ® ) = ^ ô « p + l i £ LL{r(Q , « ) C
Rapportée aux axes principaux du tenseur de permittivité cette ex
pression se simplifie
1 c*Q* 2 1Q | c
CHAPITRE X
INTERACTION EXCITON-PHONON
§ 47. Interaction cxciton-phonon

dans les cristaux moléculaires
Dans le chapitre précédent, nous avons étudié les états excités
du cristal en supposant que les molécules étaient rigidement fixées
aux nœuds du réseau. Cette hypothèse était nécessaire pour simpli
fier la première étape dans la théorie des cristaux moléculaires. Nous
allons étudier à présent une théorie approchée qui tient compte du
mouvement des molécules dans le cristal. Pour simplifier, considé
rons un cristal idéal à une molécule par maille élémentaire; nous
ne tiendrons compte que de l’état excitonique le plus bas, correspon
dant à une excitation intramoléculaire isolée. Ce modèle permet,
sans complications supplémentaires, d ’étudier les propriétés fon
damentales des interactions excitons-phonons du réseau.
Rassemblons sous le symbole B l ’ensemble de toutes les coordon
nées spatiales définissant la position et l’orientation des molécules.
Dans l’approximation adiabatique d ’ordre zéro, on peut écrire l ’opé
rateur énergie du cristal sous la forme
H 0 (B) = i/ex (R) + U (B), (47.1)
où U (B) est un opérateur représentant la somme des énergies inter
nes de l’état fondamental de toutes les molécules du cristal et l ’éner
gie potentielle des interactions mutuelles des molécules; Hex (B)
est l’opérateur énergie des excitations intramoléculaires dans le
cristal. Si les centres de gravité des molécules sont faiblement dé
placés par rapport aux nœuds du réseau (sans excitation intramolé
culaire) et si l’orientation des molécules diffère peu de l ’orientation
d’équilibre, on peut attribuer à chaque molécule un vecteur du ré
seau n ou m.
Dans la représentation par sites, l’opérateur d ’excitation du cris
tal, correspondant à une excitation intramoléculaire isolée d ’éner
gie AEj est
B* (i?) = S IA £+Z )n (R)] B+Bn+%' M am (R) B^Bm, (47.2)
n n, m
où la fonction
D0(R )= S Dam(R) (47.2a)
m(*=n)
24*
372 INTERACTION EXCITON-PHONON [CS. X
caractérise la variation, consécutive à l ’excitation de la molécule

n, de Ténergie des interactions de Van der Waals avec les molécules
environnantes.
Plus la valeur de Dn (R) est grande, plus le réseau a tendance à
se déformer autour de la molécule excitée. Par ailleurs, les éléments
matriciels M nm d’interaction résonante conduisent à la « dilution »
de l ’excitation dans le cristal. Lorsque les interactions résonantes
sont plus importantes que la variation d’énergie des interactions de
Van der Waals, et si le réseau cristallin est « rigide », les états exci-
toniques du cristal ne font pas apparaître de déformation locale du
réseau. L’invariance translationnelle du cristal est préservée, la
fonction Dn (R) ne dépend pas de la position n de la molécule exci
tée
D n(R )= s Do*(R). (47.3)
m (* 0 )
Dans le cadre de cette approximation, on considérera deux cas

limites.
A. L i a i s o n e x c i t o n-p h o n o n « f a i b l e » . L’exci
tation du cristal ne s’accompagne pratiquement pas de variations
dans la position d’équilibre des molécules. Les phonons émis et ab
sorbés (vibrations du réseau) sont associés à la même position d ’équi
libre que pour un cristal sans excitons. Les processus à un phonon
jouent le rôle principal.
B. L i a i s o n e x c i t o n-p h o n o n « f o r t e » . L’exci
tation du cristal provoque une déformation de l ’ensemble du réseau.
Le rôle principal est joué par des processus multiphononiques. Evidem
ment dans les cristaux réels, les deux cas peuvent être réalisés. Dans
certains cristaux, on peut passer du cas A au cas B par une augmenta
tion de la température.
Dans des cristaux moléculaires tridimensionnels, l’approxima
tion (47.3) est vérifiée pour des excitations moléculaires dipolaires.
Dans des cristaux unidimensionnels ou bidimensionnels, cette appro
ximation peut ne pas être vérifiée pour des excitations dipolaires
(voir § 51). Il en est de même pour des cristaux tridimensionnels,
pour des excitations de plus haute multiplicité (les interactions ré
sonantes décroissent plus rapidement que R~3). Dans ce paragraphe,
nous étudierons seulement les cas où l ’approximation (47.3) est vé
rifiée.
Dans un cristal ne présentant pas d’excitations intramoléculai-
res, le minimum de l’énergie U(R) correspond à la position d ’équi
libre des molécules (centres de gravité aux nœuds du réseau, orien
tation bien déterminée). Posons pour l ’état d’équilibre R = 0.
Soient Rn ( j = 1, 2, ..., 6) les six déviations de la molécule n par
rapport à la position et à l ’orientation d’équilibre. Les trois premiè-
§ 47] INTERACTION DANS LES CRISTAUX MOLÉCULAIRES 373
res valeurs de y correspondent aux déplacements translationnels, les

trois suivantes aux variations d'orientation.
Le lien entre l'excitation intramoléculaire et les vibrations de la
molécule dans le réseau est concrétisé par la variation des éléments
matriciels M m, (iî) et du déplacement Dn (R) dans (47.2) en fonc
tion du déplacement R de la molécule. Développons ces éléments ma
triciels en fonction des puissances successives de i?, en supposant que
le cristal n’est pas excité. Nous ne conserverons (pour simplifier)
que le premier terme linéaire par rapport au déplacement
H0= H C1L+ U (R) + J5T1A1+ # ( 4 7 . 4 )
où
Sex = S [AE + D (0)] B*Bd+ S ' B*Ba (47.5)
n n,m
est l'opérateur des excitations d'un cristal dont les molécules sont
rigidement fixées,
{ ( * “1 ^ + * “ ! ^ ) M- } #. (47.6)
t f f f t - 2 * ^ - 2 { ( ^ 7 ^ + * - - ^ )A>«} • (47.7)
n, m i= l 0 m 0
Les opérateurs (47.6) et (47.7) définissent les interactions des exci

tations intramoléculaires et des vibrations de réseau. Le signe zéro à
côté des accolades indique que l’on prend les dérivées par rapport
aux déplacements à l’état d’équilibre.
Dans l’approximation des petites oscillations autour de la posi
tion d’équilibre (R = 0) l’opérateur énergie potentielle est
U (R )= U (0) + 4 2 * c Æ J 'W .'W .

n, m
l, l'
Par la suite nous n’écrirons pas la valeur constante U (0). En ajou
tant l’énergie cinétique
T» = T S M # - ) 2
n, l
et en passant de la description classique à la description quantique,
nous trouvons l’hamiltonien des oscillations de la molécule dans le
réseau
s vlb= 2 f c Q»(«i)[6; * v + T ] (47.8)
374 INTERACTION EXCITON-PHONON [CH. X
et l'opérateur déplacement
= y, v zi i Â A k ) c*(q)<ps<»exp (iqn)’ (47*9)

s. q
<Pfq = 6qf -|- 6-q, f» (4/ .10)

où N est le nombre de mailles élémentaires du cristal; 6qs sont
les opérateurs de Bose de création et d’annihilation des phonons de
la branche s ($= 1, 2, 6), de vecteur d’onde q et d’énergie feQ, (q) ;
Ti sont des coefficients ayant le caractère d’une masse, correspondant
aux degrés de liberté translationnels et rotationnels (librationnels)
de la molécule; e[ (q) est la Z-ième composante du vecteur unitaire
de polarisation de la branche vibratoire s. Ces composantes vérifient
la^condition
6
e8(fl) (fll) = ®.«»®qq»«
Introduisons dans (47.(3) et (47.7) la transformation (47.9). Po

sant
Bn= - y w 2 B W exP (fkn), (47.il)
nous obtenons l’opérateur de Hamilton du système de phonons et

d’excitons en interaction mutuelle
f f = H cx + H vih + H\& + JSTift, (47.12)
avec
^ e * - S * ® ( k ) i^ ( k ) f i( k ) , (47.13)
k
h(ù (k) = à E + D (0) + Y.’ (47.14)

m
mît = — 2 F>(k- <I) B* (k+ q)fi (k) <P,„ (47.15)
V S, q. k
2 fc(q)£*(k)S(k)<p„,. (47.16)
V 5. q. k
Les fonctions exprimant le lien entre les excitons et les phonons sont
F, (k, q) = Ft (k + q, — q) =» 2 (A*(s, q, m) M 02}0exp (ikm),
I, my=o
(47.17)
X .(q)=X Î( —q )= 2 {Aj(S, q, m)Z>oœ}o, (47.18)
l, mpO
S »] INTERACTION DANS LES CRISTAUX MOLECULAIRES 375
avec
A ,(S, q, » ) - < ! ( q ) / +
L’interaction exciton-phonon sera faible si

I F 9Çk, q) I > I X . (q ) I , (47.19)
elle sera forte si
I * , (k , q ) K I l s (q) I . (47.20)
Il est facile d’obtenir une forme explicite des fonctions (47.17)
et (47.18) pour un modèle cristallin unidimensionnel [315, 316].
Si le vecteur du réseau est n = na (n = 0, ± 1, ± 2, ...), d est
le moment dipolaire de la transition intramoléculaire et si la disper
sion des vibrations de réseau acoustiques et optiques est donnée par
Qac (q) = v01sin ( y qa) ], Qopt (q) = £20 [ 1 + y 6 cos (qa)] ,
les fonctions cherchées sont
, ) = - f3 i i 2
l^ l
(47.21)
cos £ ( k + y q ) a i j c o s [ y qa/j
r* /i \ o r Ysin 20 V1
f OPt (k l q ) — 3£r im__3cosj q
'S*1 P j / " 1 + y 1 cos (qa)
OU
.£, = -^■ (1 —3cos2$)

est la largeur de la bande excitonique; O l’angle entre d et a; P2 =
= h!2M \0 est la valeur moyenne du carré de l’amplitude de zéro
d’un oscillateur harmonique de masse M et de fréquence v0; y2 =
=3 k!2IQ0 est la valeur moyenne du carré de l’amplitude de libration
de zéro correspondant au moment d’inertie /.
Les fonctions (47.18) sont, dans le cas d’un modèle cristallin uni
dimensionnel]
Xac.fa) = *■—ir "7 cos ( 4 'q®) sm ( - q a ) | ,
CoYcos* ( 4 -qa)
XoPti(q) = - - ; 2 7 .
y l + y cos (qa)
où Ca et C0 sont des coefficients qui dépendent de l’orientation mu

tuelle des molécules et qui sont proportionnels à la différence de
leurs polarisabilités entre l’état fondamental et l’état excité.
Le calcul des fonctions (47.17) et (47.18) dans le cas général d’un
cristal tridimensionnel est très complexe. Dans les cristaux cubiques
simples, en se limitant aux interactions entre plus proches voisins,
on peut utiliser les expressions approchées
3 ________________
I âc(k, q)l « 2-^rLcos[(k+T <ï) a,J v |sin (t**®1) I»

i-11
3
I J’opt (k, q) I « 2 v»5 cos [ ( k + y q ) ai] cos ( y q a i),

l=i
où
a est la constante du réseau, e0 est la permittivité correspondant aux

autres états électroniques.
Dans le domaine de valeurs q et k « 0, ces expressions se simpli
fient encore
3
/'’ac (0. q) « 2 [* “ ( — ) 2] VTqàTi. (47.22)

Z—1
ôpt (0 , q) « 2 [ * - ( - i r ) 2] 2- (47*23)
i-i
La fonction F&c (0, q) est proportionnelle à q pour les faibles valeurs de
q ; elle est égale à zéro au centre et aux frontières de la zone de Bril
louin dans l’espace q. La fonction Fopt (0, q) est maximale au cen
tre, pratiquement constante pour les q petits et égale à zéro aux fron
tières de la zone de Brillouin. C’est pourquoi les excitons moléculai
res interagissent surtout avec les phononsjoptiques au voisinage du
point q « 0.
§ 48. Propriétés optiques d’un système d’excitons

et de phonons en interaction (liaison faible)
Dans le paragraphe précédent nous avons montré que le système
excitons-phonons en interaction faible était décrit par l’hamiltonien
H - H ^ + ffvto+ m X u (48.1)
§ 48] PROPRIÉTÉS D’UN SYSTÈME D’EXCITONS ET DE PHONONS 377
OÙ
= S hiù (k) B+ (k) B (k), (48.1a)
k
■®vlb “■S (O) ^qA|«» (48.1b)

a. q
2 F (k, q)Z?+(k + q )5 (k ) «pqi, (48.1c)
y a, k, q
<Pqj = 9-q, «= bqs 4" q, «•
En l’absence d’interactions /Tint, l’opérateur (48.1) représente
des excitations élémentaires du cristal correspondant à l’excitation
d’un certain nombre d’excitons et de phonons indépendants. L’opé
rateur d’interaction (48.1c) ne modifie pas le nombre total d’exci
tons du système, mais fait apparaître des transitions excitoniques
à l’intérieur d’une même bande énergétique. Ces transitions corres
pondent au passage d’un exciton d’un état k à un autre état k' avec
émission ou absorption de phonons (relaxation transversale).
En plus de l’opérateur (48.1c), qui ne modifie pas le nombre to
tal d’excitons du système, il faudrait aussi étudier les opérateurs cor
respondant à des processus de création'ou d’annihilation des exci
tons. Ces opérateurs sont : a) les opérateurs d’interaction exciton-
photon conduisant à des transformations mutuelles de ces deux types
de particules. Ces processus sont caractérisés par la durée de vie radia-
tive xY~ 1 0 “7 à 10"® s; b) les opérateurs de non-adiabaticité corres
pondant à une transformation non radiative de l’énergie des exci
tons en énergie de vibration du réseau (relaxation longitudinale). La
théorie des transitions non radiatives est peu développée. C’est pour
quoi ces processus sont représentés phénoménologiquement (voir
plus bas) par un certain paramètre (petit) r\ = l/x r , où xr est la
durée de vie de la transition non radiative. Dans des cristaux lumines
cents xY< xT. Dans des cristaux qui n’émettent pas de lumière
XY ^ Xj».
Pour déterminer la permittivité d’un cristal caractérisé par un
hamiltonien H , il faut, d’après (46.27), calculer la fonction de Green
retardée des excitons :
G (k, t)= (([B (k, t);B *(k, 0)])> =
= - Î0 (*) Tr (p0 [B (k, t). B* (k, 0)1}; (48.2)
les opérateurs excitoniques vérifient l’équation
.Ad fi^ 1_0 = [5(k ) t) f f l (48.2a)
L’énergie des excitons est notablement supérieure à l’énergie d’a-

gitation thermique du réseau cristallin. La moyenne, dans (48.2),
peut donc être prise sur les états de phonons sans excitons, c’est-à-di
re que l’on peut utiliser « l ’a p p r o x i m a t i o n d e l a t e m
p é r a t u r e e x c i t o n i q u e n u l l e » 1317]
S(\B (k, t ), B♦ (k, 0)])> « - i 0 (t) < 0 | [ * ( k , *), B*(k, 0)] | 0), (48.3)
où | 0 ) est l’état du cristal sans excitons. Le trait horizontal in
dique que la moyenne est prise sur les états phononiques à la tem
pérature r .
Pour calculer la fonction de Green (48.2), utilisons la méthode
développée par Bogolioubov et Tiablikov [3131.
Dans un système décrit par l’hamiltonien (48.1), les opérateurs
oxcitoniques et phononiques vérifient les équations
= ^ (k) B (k, + _ 1 ^ Ft (k, q) B (k + q, t) (*),
1* q
i-^7a = Q ,(q )6 JlI + T j-F 2 F«(k» - q ) S t ( k - q ,« ) 5 ( k ,« ) . (48.4)
Dérivant (48.2) par rapport à t, compte tenu de l'équation (48.4) et

de l’égalité
^ = ô(f), [B (k, 0), B* (k, 0)1 = 1,
nous obtenons l’équation suivante :
. dC(k. 0 = é ( 0 + ù)(k)G(k> 0 + _ J _ 2 ^ ( k ,q ) (Px + P J , (48.5)
* 3. q
OÙ
P , (t) = ({[B (k + q, t) (1); B* (k, 0)])),
Ps (t) = (([B (k + q, t) b _ (t); 5 +i(k,k0)]))
sont de nouvelles fonctions de Green d’ordre plus élevé. Dérivons
Pl (t) et P 2 (t) par rapport au temps. Si l’on néglige les petits ter
mes en q = 0, compte tenu de (48.4) nous obtenons deux équations
1 - T L = l© (k + q ) - Q . (q )] Px (t) +
+7 7 F [ 2 n (k+q-<h)F>i« - 2 F«(ku q )^ (*)], (48.6)
' q» ki
i [o> (k + q ) + Q , (q )] P t (t) +
+ —7 = [ 3 p«i(k+ q» qi)<M*)+2 F*(ki’ (48.6a)
*»• Q»
OÙ
1(*) — X<[B (k + q + q iî 0 q>?,gt (* )% ,(* )? B+ ( k f 0) J » ,
CD2(t) ^ ( « g ( k + q + qi; *)<p„,, ( 0 b,,, , q (t); S+(k,0)]>), (48.7)
(D3 (0 = «[5 (k + q; 0 S* (kx+ q; 0 B (k,, *), (k, 0)])).
En différentiant les fonctions de Green (48.7) par rapport au temps,
on obtient un nouveau système d’équations, contenant des fonctions
de Green d’ordre supérieur. On peut ainsi de suite obtenir un systè
me d’équations infini.
On se propose de limiter ce développement aux fonctions de Green
Pi (t). Pour cela, lors du calcul de (48.7), il suffit de remplacer
les valeurs moyennes des produits des opérateurs par le produit des
valeurs moyennes se rapportant à un même instant t (soulignées
dans les équations (48.7)), puis de multiplier par la valeur moyenne
des produits des opérateurs restants. Nous obtenons ainsi les ex pres
sions approchées
(£) « ô.,5lÔqlt «q (1 + V,q) G (k, £),
^2 (0 ^ (k, £), (48.8)
® 3(0»ôkk,C (k, *),
où
V* = {exp [PQS(q) h] - 1}-‘, 0 = 1/kT. [(48.8a)
En substituant les expressions (48.8) dans (48.6) nous trouvons
. dP£ 0 = [(0 (k + q)—fl, (q)] Pl (,t) + G (k, t). (48.9)
. [(ù (k+ q)4.Q4 (q)] p , {t) + Ft (k, q) £ „ + 1 ) G (k, t).

(48.10)
Les équations (48.5), (48.9) et (48.10) constituent un système fer
mé définissant la fonction G (k, t). On se propose de transformer ce
système en passant dans la représentation énergétique
+£»
2ixG(k, t) = h j G (k, <o)
—co
+ oo
2nPt (t) = j Pi (a) e~i,ùt d<ù, t = l , 2,\{(48.11)
+ 00
2 n ô (/)= j e~iatd(ù,
<0= (0 + ÎT). (48.11a’)

Le petit paramètre r\ figurant dans (48.11a) représente formellement

les processus de relaxation longitudinale des excitons.
Eliminant P t (co) (i = 1, 2), nous trouvons l’équation
h [(o — (o (k) — M (k, <d)1 G (k, co) = 1, (48.12)
où
M ( k, co) =
— [ S—iü(k+q)—Q, (q) .--- ^---- 1

w—<o(k+q) + Q,(q) J
(48.12a)
est l’opérateur-masse des excitons au deuxième ordre de la théorie
des perturbations.
Séparons la partie réelle et la partie imaginaire
M (k, ©) = A (k, ©) — *7 (k, <ù). (48.13)
Lorsque le paramètre q est petit, on peut utiliser l'identité l/(x +
-f- it]) = zPlx — inô (x). Alors
A (k, o>) =
— &
& y i p /jj n) 12 r ______ 1 + v « _______ i------------- ïfS_________1
Nh* £ I* *' ’ **'* [ 0 —®(k+q)—fi, (q) ‘ « —0) (k+q)+Q, (q) J
». q
(48.14)
caractérise le déplacement de la bande excitonique;
y (k, ® ) ~ 3 § f 2 l*«<k ’ q ) l2{(v«, + l)ô[< û-< o(k + q )- Q .( q )H -

3. q
+ v„ô[ — a (k + q ) + Q,(q))} (48.15)

caractérise l’élargissement des niveaux excitoniques. Cet élargis
sement est dû aux interactions exciton-phonon, qui conduisent à des
transitions entre sous-niveaux excitoniques d’une même bande (re
laxation transversale).
Ainsi, la fonction de Green des excitons, conformément à (48.12)
et (48.13), devien'
hG (k, ©) = {© — © (k) — A (k, ®)ff i [y (k, ©) + tj]}"1. (48.16)
Ici le paramètre q tient compte de la relaxation longitudinale cor
respondant à la reconversion non radiative de toute l’énergie de
l’exciton en chaleur.
Substituant (48.16) dans l’expression (46.27), nous obtenons la
forme explicite des composantes (le long des axes principaux) du
tenseur de la permittivité due à une bande d'états excitoniques
exx (k, a>) = 1 — |û)+ir(ü>, k?J*—©^(k) » (48.17)

ou
T (< ù ,k)^]y(k, co)-J-îjt néz/muf (48.17a)
Æ j* Q*FX, Fx ^p<ùfmcPx/he*t (48.17b)
Fx est la force d’oscillateur de la transition pour la polarisation
parallèle à x ; Q\ est le carré de la fré
quence de plasma ;
(Ofés (k) = <û (k) + A(k, (ù) (48.17c)
est la fréquence excitonique renormalisée
à cause des interactions avec les phonons.
Les fonctions A (k, o>) et y (k, co) ont été
calculées [318] pour un modèle simple de
cristal tridimensionnel. Il est essentiel
que ces deux quantités dépendent de la
température. (Au zéro absolu et pour une
bande excitonique de masse effective po
sitive, la grandeur y (k, ce) n’est différen
te de zéro (au voisinage du point k = 0)
que pour les valeurs de o> supérieures à
co (0), valeurs correspondant au minimum
de la bande excitonique. Les variations
qualitatives de y (0» œ) lorsque la tem Fig. 61. Variation de y
pérature augmente sont représentées sur fonction de la fréquence pour
la figure 61. différentes températures
La partie imaginaire de la permitti Fo < 7*1 < TV
vité détermine l’absorption de lumière
vraie pour k = Q, où Q est le vecteur d’onde de l’onde lumineuse.
Comme Ça<^l, dans l’expression (48.17) on peut poser k « 0. Alors
/A x 2©r (0, Q>) f%
Im eX3C(0, (ù)= [fl>* _ c^é#(0)]*+4®*r*(0f ce) *
En utilisant les valeurs (48.17a) et (48.17b), on obtient pour co~
~ 00/~ û)rés
Im exx (0, o») = - S (<d), (48.18)
où l’expression
!$.(©) „ [o—a (0)—a (0, ù)]»+ n (0, <ù) (48.19)
est appelée fonction de forme des raies d'absorption. Si T (0, co) et
A (0, (ù) ne dépendent pas de la fréquence, la fonction (48.19) est dite
lorentzienne, et on a
j S(ü>)dû> = l. (48.20)
Dans le cas général T (0, (o) = y (0, co) + r|, où r| est l’inverse du
temps de relaxation longitudinale. Les valeurs y (0, co) et A (0, co)
sont données dans l ’approximation monophononique par les expres
sions (48.14) et (48.15). Elles dépendent de la fréquence et de la tem
pérature.
48.1. Transitions indirectes par interactions exciton-photon. La
bande d’absorption étudiée au paragraphe précédent correspondait à
des transitions directes. Dans les transitions directes, le déplace
ment de la fréquence de résonance et l’élargissement de la bande sont
dus à une modification (liée à l’interaction exciton-phonon) de la
loi de dispersion des excitons et à leur durée de vie. L’absorption de
la lumière peut résulter non seulement de transitions directes, mais
aussi de transitions indirectes, lorsque la création d’un exciton s’ac
compagne de l’émission d’un ou plusieurs phonons.
Étudions ces transitions pour des cristaux à une molécule par mail
le élémentaire pour une liaison exciton-phonon faible et en négli
geant les processus à plusieurs phonons. Dans la représentation par
sites, l’opérateur d’interaction des photons avec les molécules du
cristal s’écrit
#int = — — 2 (A (r„) Pn) + 2mc2 ^ A2 (rn), (48,21)
n n
où m, e sont la masse et la charge de l’électron ; c est la vitesse de la
lumière; S le nombre d’électrons actifs par molécule; p„ la résul
tante des impulsions de ces électrons; rn = n 4* Rn est le vecteur
indiquant la position du centre de gravité de la molécule n, Rn le
déplacement translationnel de la molécule par rapport au nœud n ;
A (rn) = § ] / — f eQaÏQa exp (fQr.) (48.22)

Q. a
est l’opérateur potentiel vecteur de l’onde électromagnétique trans

versale dans le volume V du cristal, eQa le vecteur unitaire de pola
risation du photon de vecteur d’onde Q (a = 1 ,2 ) . L’opérateur
7Qa = a (48.23)
s’exprime en fonction des opérateurs de création ûq* et d’annihila
tion aQa des photons. Dans la représentation des nombres d’occupa
tion (Z?£/, B nf) pour une excitation électronique dipolaire autorisée
de fréquence (0/ sur la molécule n, l’opérateur impulsion pn des élec-
trons s’écrit
i n = l 2 . a /d ,(B ït - B n/), (48.24)
où dy est le moment dipolaire de la transition quantique dans l’état

excité / de la molécule.
Si a est la constante du réseau, lorsque aQ 1, on peut écrire
A (rn) = A (n) + i (QRn) A (n) + (48.25)
Dans les cristaux isotropes, le deuxième terme de cette expres
sion (48.25) répond aux transitions indirectes. Ces transitions ont
d’abord été étudiées par Demidenko [319] dans l’approximation de
la masse excitonique effective. Par rapport aux transitions directes
dipolaires autorisées correspondant au premier terme de (48.25),
leur rôle est extrêmement petit, puisque QRn < 10~3.
Mais dans les cristaux moléculaires anisotropes, en plus des dé
placements translationnels des molécules (vibrations acoustiques)
on peut avoir des rotations moléculaires — librations (vibrations
optiques). Comme le moment dipolaire d’une molécule anisotrope
est bien défini par rapport aux axes de cette molécule, en utilisant
seulement le premier terme de (48.25) et l’expression (48.22) on
peut écrire le produit scalaire (d/ A (n)) sous la forme (voir [320])
(d/A (n)) =
= Qa
I l / î w **eU>"[“*■ + sin 5=1
2 (-^7)„*»■+•••] •
(48.26)
où cpna sont les valeurs à l’équilibre des angles entre le moment di
polaire de transition d f de la molécule n et le vecteur de polarisation
eQa du photon ;
Xns = r-jÿ 2 (kq, + Ù-q, s) £iqn (48.27)
* q
est l’opérateur déplacement angulaire de la molécule n par rapport
à la position d’équilibre; et 6qa sont les opérateurs d’annihila
tion et de création de phonons optiques de la branche s;
<48-27o>
(£q« est la valeur moyenne du carré de l’amplitude des librations de
zéro de la molécule de moment d’inertie I s et de fréquence Q, (q) ).
Substituant (48.24), (48.26) et (48.27) dans (48.21) et se limitant
aux termes linéaires par rapport aux opérateurs des phonons et des
photons, on obtient’, après transformation canonique (voir [3201)

Bn1 = -y= r 2 B , (k) exp (ikn),
F ,n t- is n s ,t + i5nvt, (48.28)
OÙ
m °n\= 5 0 ( Q .a ./ ) Y o « ( £ 7 ( Q ) - ^ ( - Q ) ) (48.29)
Q. a, t
est l’opérateur d’interaction des photons et des excitons, décrivant
les transitions directes;
/ 2nd?
B (Q , a, f ) = — i(ùf y -jzy ç y cos<pna, v = V!N, (48.30)
=4- 2 .« ./)T Q aX
Q. a , / s. q
X [ Z t f ( Q - q ) - £ y(q -Q )] (48.31)
est l'opérateur décrivant les processus indirects monophononiques;
^•q (Q» a * /) = l(ù/ j / | <J"P ( dxn ) q ^qi s*n ^na* (48.32)

Un opérateur de ce type (48.31) a été étudié par l'auteur dans l'ap
proximation quasi classique, pour des cristaux unidimensionnels
[321].
Les expressions (48.31) et (48.32) montrent que la probabilité
d’une transition directe est maximale lorsque le vecteur polarisation
du photon eQŒest parallèle au moment dipolaire de transition quan
tique de la molécule (q>na = 0). Au contraire, les transitions indi
rectes ont une probabilité maximale lorsque le vecteur polarisation
du photon est perpendiculaire à d/. Le rapport entre la probabilité
totale de transition indirecte et la probabilité de transition directe
à basse température est proportionnel à c’est-à-dire au carré de
l'amplitude de libration de zéro des molécules anisotropes consti
tuant le cristal. Ce rapport augmente avec la température à peu près
de la même manière que le carré de l'amplitude des oscillations de
rotation de la molécule.
Pour les transitions indirectes, le photon se transforme simulta
nément en une paire de particules, un exciton et un phonon. La tran
sition vérifie les lois de conservation de l’impulsion et de l’énergie
Q = k ± q, coq = (û (k) ± Q, (q), <ùq = cQ.
Dans une transition indirecte, tous les sous-niveaux de la bande
excitonique jouent un rôle actif lors de l’absorption de la lumière.
§ 48] P R O P R IÉ T É S D ’UN S Y S T È M E D’E X C IT O N S E T DE P H O N O N S 385
C’est pourquoi, même à très basse température, la largeur de la bande

d’absorption est comparable à la largeur de la bande excitonique.
Pour une transition directe, l’interaction exciton-phonon ne mo
difie pas les propriétés de polarisation de l’absorption. Cette inter
action apparaît comme une diffusion inélastique des excitons sur
les phonons. Cette diffusion conduit à un déplacement des sous-ni-
veaux excitoniques et à une durée de vie finie des états excitoniques
caractérisés par une valeur déterminée k du vecteur d’onde. Les pro
cessus de diffusion inélastique des excitons sur les phonons apparais
sent aussi pour des transitions indirectes. Mais dans ce cas, la lar
geur de la bande d’absorption est surtout due à l’« ouverture» de la
bande excitonique, et non à la durée de vie des excitons.
Calculons la permittivité d’un modèle cristallin à une molécule
par maille élémentaire, et de forme parallélépipédique de base
a, b, c. Nous ne tiendrons compte que d’un seul état moléculaire
excité, c’est pourquoi nous omettrons l’indice /. Supposons que le
moment dipolaire électrique de transition d soit dirigé parallèlement
à b dans l’état d’équilibre. Si Q est parallèle à c, les composantes du
tenseur de permittivité transversale, au zéro absolu, seront confor
mément à (46.49)
=..(«>. Q) = - ^ L+ - 5= ^ 15 r . (48.33)
où Gaa (Q, <u) est la transformée de Fourier (46.46) de la fonction de
Green des photons transversaux, définie par l’expression
Gaa (Q, t ) = - Î0 (t) (0 I (VQa (*), Y$« (0)J | 0>, (48.34)
0 (t) est la fonction échelon, égale à zéro pour t < 0 et à l’unité
pour f > 0 ,
Yq « (t) = eiRiyQ<xe -iHt
est l’expression de l’opérateur (48.23) dans la représentation d’Hei-
senberg *),
H = 2 ûJQÛQaUQa + 1 2 E (k) B* (k) B (k) + ffint, (48.35)
Q. a a, q k
/Tint est défini par l’expression (48.28). Il ne contient pas de terme
caractérisant la diffusion inélastique des excitons~sur les phonons.
Pour des photons dont le vecteur polarisation est dirigé le long
de l’axe b, l’opérateur Hint se réduit à (48.29) avec
_ ^ _ , / 2jid?
Z?(Q, a) = D0= i<ùf y -.
*) Ici et dans ce qui suit nous utilisons un système d’unités dans lequel
Æ= 1.
2 5 -0 5 3 4
Utilisant les relations (48.34) et (48.33) nous obtenons la composante

de la permittivité
Ebb (Q» <*>) = 1

woa[ü)—£(Q) + *t]] •
correspondant à l’absorption résonante d’énergie E (Q).
Pour des photons de polarisation parallèle à a, l’opérateur d’in
teraction Hlnt devient
iJA= - = 2 ^ (q) Z?oYQ« IB* (Q -q ) - B (q-Q)] (6_q. t + b*,,),
q (48.36)
où l’indice 1 indique la libration autour de l’axe c;
F, ( D - î , (U (-£ £ ■ ),. (48.37,

Les composantes de la transformée de Fourier Gaa (Q» <ü) de la
fonction de Green (48.34) (pour a = a) sont déterminées par une sé
rie infinie de termes. Ces termes peuvent être représentés par les
diagrammes de Feynman suivants:
n / \
Gaa( Q , c o ) = ^ + ^ ^ -+r\A----n A+
s x-
N
u w d .: __dj-vk ■ ■■ n ■+■r\ r\ À---
/ A" zéltw +
où les différentes lignes seront représentées par les expressions:

= G0 (Q, co) __
0VX’ ' ©*— Q*c* + jt)
qui est la transformée de Fourier de la fonction de Green d'un photon

libre.
C = > = G*x (Q, ©) = [© —£(Q ) + ttil"1
qui est la transformée de Fourier de la fonction de Green d’un exci-

ton libre,
--------------—A0 (q, ©) = 2Qq (tù2—Q2 (q) + itir 1
la transformée de Fourier de la fonction de Green d’un phonon libre.
Le nœud 0 correspond à la fonction ^ ^ r ,( q ) D0. Les contributions
§ 49] PERMITTIVITÉ POUR UNE INTERACTION FORTE 387
de toutes les lignes et de tous les nœuds de chaque diagramme doivent

être multipliées et sommées sur toutes les valeurs des vecteurs d'on
de des photons, des excitons et des phonons. Dans l’approximation
des grandes longueurs d’onde seuls les photons de vecteurs d’onde
Q « 0 entrent en jeu. On peut alors négliger la sommation sur
Q [3201
(û2 — Q gca __ i_ v rf(q )|A ,|»
2c I q | iV Z j <d- £ ( Q - q ) - Q ( q ) + i T1 (48.38)
q
En substituant (48.38) dans (48.33), pour a = a, nous trouvons la
composante du tenseur de permittivité du cristal
- ..X , 1 Kl 4nd*o>*r*(q) # /oot»%
eo«(Q »® ) — 1 vN 2 j £ (Q—q)—û ( q ) + iti) • (48-39)
q
correspondant à l’absorption à large bande d’une lumière polarisée
parallèlement à a.
Le rapport des intensités intégrées de l’absorption à bande large
et de l’absorption résonante Im eM (Q, (o)/Im etb (Q, <*)) est égal
à < r ; (q) > .
Pour calculer explicitement les parties réelle est imaginaire de
(48.39), il faut connaître la structure des bandes E (k) et £2 (q). Ces
expressions ont été obtenues dans [3201 pour un modèle cristallin
simple.
§ 49. Pennittivité pour une interaction
exciton-phonon forte
Pour une interaction exciton-phonon «forte» (c’est-à-dire lors
que l’inégalité (47.20) est satisfaite), l’hamiltonien (47.12) prend
la forme
H = 11^ + HZ» + Jïfft. (49.1)
L’opérateur d’interaction Z/Jnti conformément à (47.16), ne dépend
pas des vecteurs d’onde excitoniques, mais dépend seulement du
nombre des excitons
n -S S iS k . (49.2)
k
On peut donc former un nouvel opérateur phononique
ffyit = ffyit + iTt = I « Q . (q) + « A («q) [ & „ + b* '(4 9 .3 )

•.q
où
A(sq) = A* (s, — q) Xs (q) __ (49.4)
(q) Y N *
Par la suite nous étudierons seulement les états du cristal, dans les
quels les valeurs propres de l’opérateur n sont zéro ou un. Par con
séquent n = n2.
Pour réduire l’opérateur Hxib à une forme diagonale, il convient
de passer des opérateurs 6^ et B (k) aux nouveaux opérateurs P^
et A (k) en utilisant la transformation unitaire définie par l’opéra
teur
S = e x p fâ 5 U * (k M (k )|, (49.5)
k
OÙ
ô= = X (A* (sq) p;q- A (sq) p*}. (49.6)
». q
Nous trouvons ainsi
b.q = 5 p „5 += p „ - A * (sq) 2 A* (k) A (k), (49.7)
k
B (k) = SA (k) 5* = exp ( —S) A (k), (49.8)
= (k) A* (k) A (k), (49.9)
k
tfvib = S bQs (q) (p:qpîq — n I A(s, q) |2}, (49.10)

a.q
compte' tenu de ce que n = (k) B (k) = 3] A* (k) A (k) et n = n2 =
k k
= 0, 1. Donc l ’opérateur énergie d ’excitation du cristal devient
H = ÂVib + #int = 3 S (k) A - (k) A (k) + 1 HQ, (q) pîqp«„ (49.11)
k 5. q
OÙ
» (k) = *o> (k) = I I A (s, q) \*Q, (q) (49.12)
a. q
est l’énergie de nouvelles excitations élémentaires du cristal créées
par l’opérateur A+ (k). Cette énergie inclut l’énergie des excitons
h(ù (k) correspondant aux excitations intramoléculaires et l’énergie
de déformation du réseau.
Les opérateurs pjq créent de nouveaux phonons dans le réseau dé
formé. Ils correspondent à des oscillations moléculaires autour de
nouvelles positions d’équilibre. Pour calculer l’expression du dépla
cement des molécules dans ces nouveaux états d’équilibre, il con
vient de remplacer dans l’opérateur déplacement (47.9) les anciens
opérateurs par les opérateurs des nouveaux phonons, en utilisant
l’expression (49.7), et de ne garder que la partie ne contenant pas
Nous obtenons alors
] / j r -}^ M e!,( q ) l\( s ,q ) e - * '' + c.c.]. (49.13)
a. q
PERMITTIVITÉ POUR UNE INTERACTION PORTE 389
D’après (46.27), la permittivité d’un cristal optiquement iso

trope s’exprime en fonction de la transformée de Fourier de la fonc
tion de Green retardée des excitons G (k, co)
e(k, <â) = e0— -G (k , ô>), (49.14)
où
(0 = (D+ ÉTJ,
G (k, û) = j e** {(\B (k, t), 5* (k, 0))» dt.
En utilisant (49.8) et (49.11) nous trouvons
B (k, t) = e~«*A (k, 0) exp (—g (k) */«), (49.15)
ici
a ( 0 = S q I « 2 . ( q ) r 1 [ x î (q) - X. (q) (4 9 .1 6 )
Par conséquent la fonction de Green retardée des excitons est
G (k, t) = — t© (t) exp [ - té (k) tth), (49.17)
où le trait indique que l’on prend la moyenne sur les états vibra
toires à la température T. Compte tenu de (49.16) on peut écrire
(e<*(Oeo(0)] = [] Mtq = exp g (Q, (49.18)
q
où
Mgq = exp [a?q ($) Pîij CLsq (2) P*q] 0Xp [a,q (0) Psq— ŒÎqI(0) Pîq],
(49.18a)
a *q ( 0 = ôTTqT e x ^ ^ (fl) O -
Utilisons l’identité opératorielle (voir (D. 12))
exp (a*&; —a bs) exp (yb8— y*b+s) =
**exp [ay* (vs+ 1 ) + Va*v,— (| a |2+ ] y |2) (v, + 1/2)],
nous obtenons
g <*) = -K* S 1%; fa * e" iQs<q)‘ + - (2v,q + 1)].
*'q (49.19)
Ainsi la transformée de Fourier de la fonction de Green (49.17),
compte tenu de (49.18), est définie par l’intégrale
90
G (k, ô>) = - j - ( exp | i [ « —7 - 1 (k) + /T)] *+ g(t)} dt. (49.20)
0
Le paramètre r\ tient compte formellement des processus de relaxa

tion transversale, c’est-à-dire de la transformation de l’énergie
excitonique en chaleur.
Il est commode de transformer (49.19) de la manière suivante :
g (0 = — go 4- S [a«Ie-i2*(q)<+ (49.21)
*q
ou
a"t— «»QS(q) I (q) I2’ Cjq — ASQ;%)

(49.22)
go = S (a«i + *.q)-
«.q
G (k, (o) = —y e~8°

n, m
où (49.23)
i» . m (2 S
«. q «. q
Ici n et m parcourent toutes les valeurs entières positives de zéro à
l’infini.
Supposons que les excitons entrent en interaction seulement avec
une branche optique de vibration de sorte que £2S (q) « £20. L’inté
grale (49.23) est alors facile à calculer:
«v» [ t * (k)+ (w—m) ûo—<o—<n]
G (k, â) = e~«' 2 (49.24)
n, m n! m! h %(k) + (n—m) Qo—J”+
OÙ
a “ J j *0q» C = Z j C0q.
q q
Substituant (49.24) dans (49.14), nous pouvons calculer la partie
réelle et la partie imaginaire de la permittivité. Dans ce cas, le
spectre d’absorption est constitué de bandes équidistantes. Ces ban
des sont situées à des distances égales à (n — m) £20 de la fréquence
-jp# (Q). Leurs intensités, relativement à cette première bande,
sont égales à ancm/n\ml.
L’excitation de la transition sans participation de phonons cor
respond à l’expression (49.24) dans laquelle n = m = 0, c’est-à-dire
1
§ 49] PERMITTIVITÉ POUR UNE INTERACTION FORTE 391
La fonction de Green (49.25) d'une excitation sans phonons dans un

réseau cristallin déformé est différente de la fonction de Green (46.31)
des excitons dans un cristal rigide parfait. D'abord la fréquence de
résonance (k) (49.12) est déplacée par rapport à o> (k) d'une va
leur égale à — ^ I A (sq)|2 Q* (q) ; ensuite la fonction (49.25) con-
q
tient un facteur exp (— g0), inférieur à l’unité même à très basse tem
pérature. Le rôle de ce facteur augmente lorsque la température va
rie, puisque g0 augmente lorsque la température croît.
A très basse température c « 0, et dans la somme sur m dans
(49.24) on ne conserve que le terme en m = 0. Par conséquent
Gt^ o(k, w) = e~s>2 (49.26)

"! h { [ t ® (k) —nQ0—“ ]2+ t'*}
71=0
le rc-ième terme de cette somme correspond à l’excitation simultanée

d’un exciton et de n-ièmes phonons d’énergie AQ0. Lorsque a < l t
la contribution de chaque terme diminue lorsque n augmente. La
transition sans phonon est alors la plus probable. Si a > 1, la tran
sition la plus probable est la transition correspondant à l’excitation
de a — 1 phonons. Lorsque la température augmente, a augmente et
le rôle des processus multiphononiques devient plus important.
Lorsque l’exciton entre en interaction avec des phonons de diver
ses fréquences, on peut représenter la fonction (49.20) comme la som
me de deux termes
G (k, S) = Gx (k, (o) + G2 (k, (û), (49.27)
où
G ,( k ,« ) = — i
fo
J
exp { i [ © - l t (k) + i n ] t + * (*)}*, (49.28)
tm
GJ(k, â) = — J- J exp {* [ to—- %(k) + ii\j t + £(*)} dt, (49.29)
0
t0 = {max Q, (q)}"1. (49.30)
Pour t > t0 la fonction (49.21) peut être approximée par
*W 2 I X. (q) I2- (49.31)

». q *
Dans l'intervalle de fréquences | <o— (k) |^ - ^ - = max Q, (q)
G{(k, w) est donnée par
(^ (k , (o) = [A©— %(k) + iqA]'1. (49.32)
392 IN T E R A C T IO N E X C IT O N -P H O N O N [CH. X
Cette partie de la transformée de Fourier de la fonction de Green

définit la partie imaginaire de la permittivité (49.14), ce qui cor
respond à la ligne spectrale étroite « sans plionons » de demi-largeur
r) dont le maximum, dans le domaine de fréquences <o = y % (k).
est proportionnel à -jj- exp (— g0). Pour une liaison exciton-phonon
forte, exp (— g0) <g 1, et la contribution de Gl (k, co) à la permit
tivité est petite.
Pour t < J0, la fonction (49.21) peut s’écrire
g (t) « itA + t-B \ (49.33)
où
^ = 2 ^ . (« «
q
* 2= -p - S & « + 1/2) I (q) l2* (49-35>
Substituant la valeur (49.35) dans l'intégrale (49.29), nous obtenons

U
G2(k, <d)= —-£■ j ex p /i^ o ) — g(k) —^ ] — ti\ + t2B2} dt.
o
Si le paramètre B est assez grand, c’est-à-dire s’il satisfait aux iné
galités
B t° max Qs(q) ^ * et B ^ T>f
la limite supérieure d’intégration peut être étendue à l’infini. Nous
obtenons alors (voir [322, 323])
\ 2n B ( s lJl) exp ( ’ 4B») P°Ur

Gz (k, 5) = < (49.36)
([ft (z+ it))]"1 pour > 1,
OÙ
t
(49.37)
H
3
III
1
1
T»®-
Substituant la valeur (49.36) pour ^ < 1 dans(49.14)nous trou
vons les parties réelle e' et imaginaire e'de la permittivité dans le
domaine de fréquences voisin de la résonance
e '(k , (o) = e0 — -|^ -e x p ( —
(49.38)
C*(k, <o) = - ^ - 5 e x p ( — ^ ) , 5 ^ ^ .
§ *9] P E R M IT T IV IT É P O U R U N E IN T E R A C T IO N F O R T E 393
Par conséquent au voisinage de la fréquence de résonance, pour

une valeur fixe de k égale au vecteur d'onde Q de la lumière, la
dépendance en fréquence de la permittivité a la forme d'une « courbe
de Gauss ». Le paramètre B détermine la « largeur » de la courbe.
La fréquence de résonance est déplacée de la valeur A (49.34) par
rapporta la fréquence de résonance — % (k) des excitons n'interagis
sant pas avec les phonons.
Dans les régions éloignées de la résonance ^ ^ 1, et en accord
avec (49.36) et (49.14) nous avons
e' (k, to) = e0 , 8* (k, to) =
Dans ce cas la dépendance de e" en fonction de la fréquence a la
« forme lorentzienne ».
Comme l’hamiltonien (49.1) ne contient pas l’opérateur d'inter
action //lift (48.1c), déterminant les transitions entre des états à
k différents (relaxation transversale), les états k sont indépendants.
C’est pourquoi tous les résultats de ce paragraphe restent valables
pour des états excités localisés (impuretés, etc.), à condition de rem
placer dans les formules (49.12) et les formules suivantes l'énergie
fiü) (k) des sous-niveaux de la bande excitonique par l'énergie Ef
de l’excitation correspondante.
Dans la liaison forte, l’interaction principale est due à l’opéra
teur H\nt. On peut tenir compte de l’opérateur H\int caractérisant
les corrélations entre sous-niveaux excitoniques, par la méthode
des perturbations. Ces calculs ont été effectués dans [276, 3181
en utilisant les fonctions de Green retardées et dans les travaux
de Nitsovitch et Eremko par la méthode des fonctions de Green
et Matsubara [324]. Les résultats du calcul montrent que, compte
tenu de /flnt, la bande d’absorption de la lumière se présente comme
un ensemble de bandes séparées de forme quasi lorentzienne. La
demi-largeur de ces bandes est donnée par la partie imaginaire
de l’opérateur de masse du système exciton-phonon (48.13), et le
maximum de la bande correspond à des valeurs de la fréquence,
solutions des équations
a) — A (Q, (0 + mü0) = co0+ mi20,
où
® o = -S (Q ).
En conclusion de ce paragraphe calculons, à l’aide de la formule
(49.24), la forme du front de la bande d'absorption du côté des grandes
longueurs d’onde. La théorie permettant de déterminer la forme
du front de cette bande loin de la résonance a été développée dans
les travaux [325, 3261 sur la base du modèle d'Einstein du cristal.

On tient compte de toutes les transitions possibles depuis les sous-
niveaux vibratoires de l’état fondamental jusqu’aux sous-niveaux
vibratoires de l’état électronique excité, correspondant à la fréquen
ce de la lumière absorbée co < ( o 0= y %(Q).
Pour étudier le front côté basse fréquence d’absorption, après
substitution de (49.24) dans (49.14), il convient d’écrire la partie
imaginaire de la permittivité sous la forme
e " ( Q , ( o ) = ^ e - ^ 2 : ( - ) ' ,/:!A (Q ,(o ) / p (2 | ^ ) , (49.39)
V
•OÙ
p = m — n, A = t](((o0—pQ0— +
•M 2) = 2 (4 -2) P+“m[m!-(/» + m)!]-1

m=0
•est la fonction de Bessel de première espèce.
L’expression (49.39) montre que ce sont les processus liés à
l’absorption de plusieurs phonons (p 1) qui jouent un rôle dé
terminant dans l’absorption à de grandes longueurs d ’onde
(V > l ) . Sachant que
T = exP ( “ 4 r ) « 2 V ^ = 2 a e .x p ( - ||- ) ,
puis utilisant le développement de la fonction de Bessel
• M * ) * 2HFexp ( _ P l n l f ) ’ P » 1*
ie est la base des logarithmes naturels), nous obtenons de (49.39)
la formule empirique bien connue (formule d’Urbach) [3271
(to) = — V/r2 w(<g >

~ “ ) «"*• exp ( - , (49.40)
OÙ
Vv n _ A . kT , (Oq — CO
tû0— û )> Q 0» a —1+AS20 ln *ûo« *
§ 50. Permittivité liée à l’excitation des états

vibroniques du cristal moléculaire
Dans les paragraphes précédents nous avons étudié les états
excités du cristal moléculaire, correspondant à une excitation intra-
moléculaire simple (en particulier, une excitation électronique).
§ 50] P E R M IT T IV IT É L IÉ E A L ’E X C IT A T IO N 395
Cependant en général les excitations intramoléculaires sont une

combinaison complexe d'excitations électroniques et de vibrations
intramoléculaires. Ces états intramoléculaires sont appelés
excitations vibroniques.
Il convient d'étudier ce que deviennent ces états moléculaires
vibroniques dans le cristal. La théorie des états vibroniques des
cristaux moléculaires fut d’abord mise en œuvre par Davydov
[2781, en supposant que l’excitation vibrationnelle et l’excitation
électronique étaient liées. Les états vibroniques de ce type peuvent
être appelés à une particule, parce qu’ils sont caractérisés par une
valeur donnée du vecteur d’onde Q. On peut trouver les développe
ments ultérieurs de cette théorie dans les travaux de Bingel [328],
etc.
En utilisant la théorie des perturbations, Ray [329] fut le pre
mier à envisager des états vibroniques constitués d’excitations
à deux particules. Ensuite, dans plusieurs articles, Rashba [330,
331] proposa la « théorie dynamique » des états vibroniques, d’après
laquelle il existe deux excitations vibroniques différentes dans le
cristal, définies respectivement comme des états liés et dissociés
d’une paire de quasi-particules correspondant à des excitations
électronique et vibrationnelle. Cette théorie utilisait le concept
de localisation de l’exciton sur une molécule qui bien qu’intuitive-
ment perceptible était mal justifié, et surestimait le rôle de la varia
tion de fréquence des vibrations intramoléculaires due à l’excitation
électronique. Le principal mérite de la théorie de Rashba fut de
montrer l’existence possible de bandes d’absorption quasi continues,
liées à l’apparition simultanée dans le cristal d’excitations à deux
particules: l’exciton libre et la vibration intramoléculaire.
La théorie des spectres vibroniques des cristaux moléculaires,
considérée comme une généralisation de la théorie habituelle des
excitons, a été développée par Serikov et l’auteur [332, 333]. Les
bases de cette théorie seront présentées plus loin. Il convient d’abord
de rappeler quelques particularités des excitations vibroniques des
molécules libres. La théorie de ces excitations est bien connue
et a fait l’objet d’un grand nombre de travaux originaux et de toute
une série d’articles (voir, par exemple, [334, 3351). Pour décrire
les états vibroniques de la molécule libre, nous utiliserons la repré
sentation de seconde quantification, qu’il est facile d’étendre aux
états vibroniques du cristal. Supposons pour simplifier qu’il n’y
ait qu’un seul état excité non dégénéré / = 1 (/ = 0 dans l’état
fondamental). Soit une vibration intramoléculaire non dégénérée,
totalement symétrique et dont la fréquence à l’état électronique
fondamental de la molécule est Q0. Lorsque la molécule passe dans
un état électronique excité non dégénéré, d’après Jahn et Teller
[336], la symétrie de la molécule à l’équilibre ne change pas. On
peut donc limiter notre étude à une seule coordonnée normale (cor-
39CS IN T E R A C T IO N E X C IT O N -P H O N O N [CH. X
respondant à une vibration moléculaire non dégénérée), que l’on

notera q.
Dans l'approximation adiabatique, les énergies des électrons (E0(q)
dans l’état fondamental, E^q) dans l’état excité) sont les opérateurs
d’énergie potentielle de vibration des noyaux atomiques. Dans
des états électroniques différents, les atomes oscillent dans des
puits de potentiel différents. Par conséquent, dans l’approximation
harmonique, lors d’une transition moléculaire de l’état fondamental
à l’état excité, on a :
a) une variation de la fréquence de la vibration intramoléculaire
A£2 = Qj — Q0; (50.1>
b) un déplacement de l’état d’équilibre des noyaux. On suppose
que min E 0 {q) correspond à q = 0, et que min Ex (g) correspond
à =,£ 0. Posons
AE = Ex (q) - E 0 (0). (50.2)
Dans l'approximation de Condon, les états moléculaires excités
peuvent être décrits par les fonctions
| /, p> = (r> 0) <P/(1 (q), 7 = 0,1, fl = 0, 2, .... (50.3)
où (r, 0) représente les états électroniques de la molécule dans
sa configuration d’équilibre correspondant à l’état fondamental
(qr = 0); cp/^ (q) est la fonction du p-ième état vibratoire excité
de la molécule au /-ième état électronique. Les fonctions (50.3)
vérifient les conditions d’orthonormalisation et sont des fonctions
propres réelles de l’opérateur de Hamilton des états moléculaires
excités
Hmoi = « 0 ^ + IA£ + AQ (b+b + 1/2)1 B+B. (50.4)
Les opérateurs de création et d’annihilation des excitations vibra
toires (6+, b) et électroniques (J9+, B) de la molécule agissent dans
l’espace des fonctions (50.3) indépendamment sur les fonctions vi
bratoire et électronique de la manière suivante:
b \ i , fi) = V ÎÂ |/, n — 1), b*\f, JA) == K fi + 1 I /, fi+ 1 ),
- . ---------- ( 0 0 .5 )
£ i / , f i > = y / i / - i , n > , B * \ u fi > = i / i - / i / + i , u ) .
Les fonctions | /, p) peuvent être obtenues à partir de la fonction
| 0, 0) de l’état fondamental de la molécule par applications succes
sives des opérateurs B+ :
| U V) = (*Y (B*)’ | 0, 0>, / = 0, 1. (50.6)
Les valeurs propres de l’opérateur (50.4) sont égales à

(/, fi | H | f, p> = pQ„ + [A£ + AQ (p + 1/2)1 f. (50.7)
L’interaction entre la molécule et l’onde électromagnétique trans

versale
E = E 0 cos (Qr — co/), (E0Q) = 0
peut s’écrire dans la représentation des coordonnées
f f ini = we~iiùt + w+ei<ùt, (50.8)
avec
W= — «IQrP,
r = 2 n. P = s Pi > (50-9)
i i
€y m, rh p/ sont la charge, la masse, la coordonnée et l’impulsion
du i-ème électron de la molécule. Supposons que la molécule soit
caractérisée à l’état excité par le moment dipolaire électrique
d10= e j ifonforfr.
Dans l’approximation des grandes longueurs d’onde, en choisissant
les fonctions (50.3) pour base de la représentation, l’opérateur
(50.9) s’écrit [332, 333]
w = - E 0d10(F * -F )e « ï'., (50.10)
où r 0 est le rayon vecteur du centre de gravité de la molécule,
V = B exp U (6+ — 6)1 exp [p (6+6+ — 66)1 (50.11)
est l’opérateur des excitations vibroniques, fonction de deux para
mètres sans dimension
S= -2*707 et p = | l n Q 0/Q1. (50.11a)

Ces deux paramètres définissent les interactions mutuelles entre
l’excitation électronique et la vibration intramoléculaire. Le para
mètre E est égal au rapport entre le déplacement du centre de gravité
<7t et le double de l’amplitude de vibration de zéro 1 / dela
molécule à l’état fondamental. On peut montrer que E2 est égal au
rapport des intensités intégrées des deux bandes d’absorption molécu
laire correspondant d’une part à la transition vibronique à un quan
tum vibratoire et d’autre part à la transition électronique pure.
L’opérateur du moment dipolaire électrique de transition de
l’état fondamental | 0, 0) à l’état excité | 1, p) s’écrit dans la base
des fonctions (50.3) et dans l’approximation de Condon
(er)10= d10(F+ + F). (50.12)
L ’expression (50.12) montre que, dans l’approximation de Condon,
la polarisation des transitions vibroniques coïncide avec la polari-
sation de la transition électronique pure. Dans le tableau 17 on

a indiqué les valeurs de £20, A£2 et de E2 pour les excitations vibro-
niques de quelques molécules (vibrations totalement symétriques).
Tableau 17
Paramètres d'excitations vibroniques de certaines
molécules
Fréquence de
la tra n s itio n
électronique, Q0. cm-1 AQ. cm -i
cm -i
Benzène 38 089 9S2 — 69 1 .4

Naphtalène 32 020 760 — 58 0 ,4
Anthracène 27 570 1400 0 0 ,9
Pour un cristal à une molécule par maille élémentaire fixée

au nœud du réseau (caractérisée par le rayon vecteur n) l’opérateur
énergie est
= 2 #«. + - 2 ^ n n , (50.13)
n n, m
(représentation par sites). Hn est l’opérateur énergie de la molé

cule du site n, Wnm est l’opérateur énergie d’interaction des molé
cules n et m. Si l’on néglige le recouvrement des fonctions d’onde
de deux molécules voisines, les fonctions d’onde des états oscilla
toires et vibroniques de la molécule n constituent une base ortho
normée
| n ; / , p>. (50.14)
Dans cette base l’opérateur énergie (compté à partir de l’état fon
damental du cristal) devient
H = ^ k {Q0b*nbn+100,0+AQ («&„+1/2)] B+nB„} + 2 ' M amV*nVm,
n n, m
(50.15)
où
h(ùl0 = Ex (ça) — E0r(0) + D, (50.15a)
D est la variation d’énergie d’interaction d’une molécule donnée
du cristal avec toutes les autres, lorsque cette molécule passe à
l’état excité. Dans l’approximation de Condon D ne dépend pas
des oscillations intramolécul aires, £20 est la fréquence de la vibration
intramoléculaire totalement symétrique dans le cristal.
Une vibration intramoléculaire totalement symétrique ne fait
pas varier le moment dipolaire électrique (pas de moment dipolaire
§ 50] P E R M IT T IV IT É L IÉ E A L ’E X C IT A T IO N 399>
électrique de transition), c’est pourquoi les interactions résonantes

sont faibles et les bandes d’excitations collectives qui leur corres
pondent ont une largeur très faible: 1 à 2 cm '1. Par conséquent,
les vibrations intramoléculaires totalement symétriques peuvent
être considérées comme locales: les éléments matriciels de l’inter
action résonante des excitations électroniques
M nm = dîo (| n - m I)-3 ( 1 - 3 cos2»),
» étant l’angle entre les vecteurs d et (n — m), caractérisent bien
l’échange d’excitation entre les molécules n et m.
Les opérateurs bn et Bn sont relatifs à une même molécule n.
Tls commutent entre eux et agissent sur les fonctions (50.14) conformé
ment à la règle (50.5). Les opérateurs relatifs à des molécules dif
férentes commutent. Par la suite, nous étudierons seulement l’état
du cristal correspondant à une seule excitation électronique =
n
= 1, et les opérateurs de Pauli Bn peuvent être réduits à des opéra
teurs de Bose, c’est-à-dire des opérateurs satisfaisant aux relations
de commutation
IBU, 5 i ) = ônm, \Bn, Bm] = 0.
D’après (50.11), les opérateurs d’excitation vibronique V&
s’expriment en fonction des opérateurs bn et Bn par l’égalité
- « e x p [l (6S-6o)] exp [p (« K - W l (50.16>
L’opérateur moment dipolaire électrique de transition spécifique-
du cristal est défini par l’expression Pn = e r jv dans la représen
tation des coordonnées (v est le volume de la maille élémentaire).
Dans la représentation sur la base (50.14) cet opérateur devient
Pn = - d 10(VS + ^n). (50.17)*

L’opérateur d’interaction de l’onde électromagnétique transversale-
E = E 0e’i<exp fi (kr — ©f)], (E„k) = 0,
avec le cristal s’écrit conformément à (50.8) et (50.10)
H lnt = —E0dlo y (PS —ViO-eêxp [i (kn—©*)] (50.18)
n
dans le domaine de fréquences voisines de o)10.
Calculons le moment dipolaire électrique spécifique moyen
apparu à l’instant t dans le cristal sous l’influence de la perturbation
(50.18). En répétant les calculs effectués aux paragraphes 46 et
48, nous obtenons le lien entre la permittivité transversale (pour
<o~ o)10) et la transformée de Fourier de la fonction de Green re-
tardée des vibrons:

e,„(k, ®) = e î , ~ l 5 ^ i î . G ( k , Ù), 5 - w + iti, (50.19)
OÙ
G ( k , «) = Y e~ikaG ( d , to). (50.20)
n
+*>
G(n, ©) = •! j eib,t~ntG (n, /) dt, (50.21)
—oc
G (■ . — V0))t = - i e ( t ) T r { p 0[V„(t), n< 0)|}, (50.22)

Vn (0 = exp ( i- H t) Va exp ( - - H t) .
Lors du calcul de la fonction de Green retardée (50.22), on peut
remplacer la moyenne prise avec la matrice densité par la moyenne
sur l’état moléculaire fondamental sans excitation intramoléculaire
vibrationnelle | 0, 0). En effet, l’énergie des vibrations moléculaires
est très supérieure à l’énergie d’agitation thermique même à la
température ordinaire. On peut alors écrire
G (n, 0 « « r n ; V0))t = -f© (0 <00 | [Vn (f), VI (0)1 | 00). (50.23)
50.1. Spectres vibroniques faisant intervenir une vibration in
tramoléculaire totalement symétrique (cas où | 2<C 1)- Calculons la
permittivité d’un cristal due à une excitation vibronique faisant
intervenir une vibration intramoléculaire totalement symétrique.
On suppose que l’énergie fiQ0 de cette vibration est beaucoup plus
grande que la largeur des bandes excitoniques. Ainsi, la variation
de l’état excitonique à l’intérieur d’une même bande ne peut s’ac
compagner de l’excitation d’une vibration intramoléculaire.
L’excitation vibronique considérée est caractérisée par la largeur
de bande excitonique, le moment dipolaire électrique de transition
électronique d 10 et les valeurs des paramètres ç et p (voir (50.11a))
déterminant la liaison entre excitations électronique et vibration
nelle. Etudions deux cas limites.
C a s A. Les déplacements par rapport aux positions d’équilibre
des noyaux, lors de l’excitation moléculaire, sont petits (£2<^1)
et la fréquence d’oscillation intramoléculaire ne varie pas (fi = 0).
Pour ç2 < 1, dans les opérateurs vibroniques (50.16) on peut
se limiter aux termes linéaires en ç :
Va = Ba fl + e ( « - 6„)1. (50.24)
Dans ce cas la fonction de Green retardée (50.23) prend la forme
d’une somme de deux termes
« Va ; V5», = « £ „ ; &o))t 4- i 2 ((Bnbn ; B+0bî)),. (50.25)
§ 50] PERMITTIVITÉ LIEE A L’EXCITATION 401
D’après (50.19), pour déterminer la permittivité, il faut connaître

la transformée de Fourier de la fonction de Green par rapport à
la coordonnée d’espace n et au temps t
G(Q, < o ) = 2 j exp{ — ï[Q n—«>*] — ri*}«Fn; Vt))t dt. (50.26)
n
Pour calculer les intégrales figurant dans (50.26), il faut connaître

l’expression des opérateurs 6n et Bn en fonction du temps dans
la représentation d’interaction. Pour déterminer cette variation,
il convient de remplacer l’hamiltonien (50.15) par l’hamiltonien
H q= h (Sô^n^n “h <Oio^n<®D) -(- 23 (50.27)
n n, m
Cette substitution est justifiée par le fait que les interactions ré
sonantes entre molécules pour une excitation électronique pure
sont très supérieures aux interactions résonantes entre molécules
pour une excitation vibronique. Le rapport entre ces deux interac
tions est égal à £2.
En utilisant la transformation canonique
Ba = - f R 2 B ^ = V (50.28)
l’opérateur (50.27) prend une forme diagonale

f f 0= K i0 2 bibn+ h S <akB tB k, (50.29)
n k
OÙ
(ûk = (o0+ y 2 •M‘no«iku- (50.30)
n
D’après (50.29), la dépendance temporelle cherchée est

bn (t) = bn exp (—i£20*), 5 k (t) = exp (—icûk0,
soit, conformément à (50.28),
B n (t) = -y = - 2 B k e'P I* - <M)1-
Les fonctions de Green temporelles figurant dans (50.25) deviennent

alors
((Bn\ B0))t — • 2 exp (t (kn — <ùkt]},
k
(50.31)
{{Bnbn] Bobo))t = 2 exp{i(<ùk+ô) 0-
2 6 -0 5 3 4
402 INTERACTION EXCITON-PHONON [CH- X
Substituons les valeurs (50.31) dans (50.25) et (50.26). Nous

obtenons
(50.32)
avec
û o + t t i r 1. (50.33)
k
Substituons (50.32) dans (50.19), puis séparons la partie réelle
e' et la partie imaginaire e" de la permittivité
ie^ _ d „ _ ± ^ [ 7_ ^ a - i r + $ = f lR e f H ] , (50.34)
(50.35)
OÙ
8 R ,F ( S ) - l.S s ^ h g L _ . (50.36)
k
- » I m r (5 ) - 4 - 2 J1 (50.37)
k
La partie imaginaire de la permittivité (50.35) caractérise la dé

pendance en fréquence de l’absorption vraie de la lumière par le
cristal *). Le premier terme de (50.35) correspond à l’absorption
résonante d’un photon de fréquence ©q et de vecteur d’onde Q.
La raie fine ainsi constituée répond à la formation d’un exciton
de fréquence coq et de quasi-impulsion ÆQ. Le deuxième terme de
(50.35) caractérise l’absorption à bande large dans le domaine de
fréquences
Q0 + min ©k ^ ^ + max ©k. (50.38)
Il correspond à la création simultanée dans le cristal de deux quasi-
particules: l’exciton et le phonon correspondant à la \ibration in
terne de la molécule. Cette absorption est appelée à deux particules.
Comme la vibration intramoléculaire est locale, lors de l’absorption
d’un photon la loi de conservation de l’impulsion n’est pas vérifiée.
L’exciton créé possède une quasi-impulsion fik quelconque et une
fréquence © = ©k + £20 satisfaisant à la loi de conservation de
l’énergie.
La distribution d’intensité d’absorption dans la bande large
est caractérisée par la fonction (50.37). On peut trouver facilement
*) Pour une onde électromagnétique de fréquence © (de densité d’énergie
JQ(©)), l'absorption du cristal par unité de volume et par unité de temps est
e*ü>/0 (©).
§ 50] PERMITTIVITÉ U S E A L’EXCITATION 403
cette distribution pour la bande vibronique d'un cristal unidimen

sionnel. Posons
n = an, n = 0, ± 1 , ± 2 , ..., N/2 pour 1.
Dans un cristal unidimensionnel, pour calculer l'énergie des excitons,
on peut utiliser l'approximation des plus proches voisins. Dans
ces conditions l'énergie des excitons est égale à
R©* = h(ùJ0 — L cos ka, k || a.
La largeur de la bande excitonique est égale à 2L. Pour L > 0t
les excitons ont une masse effective positive. La fréquence de ré
sonance pour les petits vecteurs d’onde {Qa<^ 1) est donnée par l'éga
lité
h(ùq = Jiù)10 — L.
Dans l'expression (50.33), posons ka = x et passons de la sommation
à l'intégration
f w = 5 i W Ï j è r . <M -39>
-«
où
I L | A = k (<o — cû10 — £20 4- ir\).
Pour un paramètre tj suffisamment petit, l'intégrale (50.39)
est égale à
1
pour ÿ < —1,
i
\L \ * > ) = pour — l < y < l , (50.40)
Y l- y *
î
y ÿ ïH Ï pour y > 1,
avec
y | L | = h (ù) — cd10 — Q0). (50.40a);
Le rapport de l’intensité intégrée de la bande d’absorption large
(à deux particules) à la bande résonante (à une particule) excitonique
pure est égal à | 2. L’absorption à deux particules ne dépend pas du
signe de la masse effective de l’exciton. D’après (50.40), aux bords
de cette large bande d’absorption, le coefficient d’absorption atteint:
des valeurs très élevées. Ce fait est lié à l’approximation t] -* 0
et AQ = 0. Comme nous le verrons plus loin, le coefficient d'ab
sorption est nul, lorsque AQ 0, pour les valeurs | y | = 1.
C a s B. Le déplacement par rapport aux positions d'équi
libre des noyaux lors de l’excitation moléculaire est petit (£2<^1)
et la fréquence de la vibration intramoléculaire varie (AQ 0)..
26*
404 INTERACTION EXCTTON-PHONON [CH. X
Dans ce cas V opérateur vibronique Vn est

Vn = Bn [1 + l ( « - bn)) exp fp (6J6Î - bnbn) l (50.41)
Introduisons la grandeur z = ff iT o 1, utilisons l'identité *)
exp (P (b*b*—66)1 = exp ( - b*b+) ( l- x * ) 1/2 (6+6+1/2) 6 X p ( — j » ) .
Si l'on étudie seulement les vibrons correspondant à un seul phonon,

(50.41) devient
y» = Bn [1 + ? (6S - 6n)) (1 - x2)‘/2<«X+i/2>. (50.42)
Pour £ petit l'opérateur énergie (50.15) se simplifie
H = y t h {d0biba + [û)10+ AQ (b&n+ 1/2)] B*Ba) + 2
n n, m
(50.43)
où
M%i> = V l - x 2M nm.
D'après (50.19) à (50.21), la permittivité due aux excitations
vibroniques est définie par l’expression
®*b (kt FS» q (50.44)

nu
«Yn-, v t)); = E « - ,QnC ; vt))~ (50.45)
n
est la transformée de Fourier par rapport à la coordonnée d’espace n ;
+ oo
«F„ ; F J»- = 1 J —oo
«F» ; FS», dt (50.46)
est la transformée de Fourier par rapport au temps t.

A l’ordre deux par rapport au déplacement la fonction de
Green retardée des opérateurs vibroniques dans l'approximation
(50.42) s'écrit comme une somme de deux termes
« F „ î F$», = K l - x H ( B a ; fiS», + ^ (l-x 2 )* /* ((5 n6n ; SS&S»,-
Utilisant (50.46), nous obtenons l’expression correspondante pour
la transformée de Fourier par rapport au temps
({Vn ; £ * » - + g* ( 1 - x*)*/' « S n6n ;
(50.47)
•) La démonstration de cette identité figure dans [333].
§ 50] PERMITTIVITÉ LIEE A L’EXCITATION 405
On peut calculer les deux termes de (50.47) en utilisant l’expres

sion (46.29). Compte tenu de (50.43), nous obtenons l’équation sui
vante pour la transformée de Fourier « 5 n ; B£))~:
H ^(ù — û>10— g-AûJ ((Bn ; B$))~— M Æo))~ = ôno-

m
Multiplions les deux membres de cette équation par exp (—iQn).
D’après l’égalité du type (50.45) et d’après
“ q ’ = ®io+ y Aû + y 2 exP {*Q I*»— m]},(50.48)

n
nous trouvons
« B a ; B 5 » q - = [ / * ( © - o>îf )]-*, (50.49)
où < > est la fréquence de l’exciton libre de vecteur d’onde Q;

1
yA£2 1 (Qj — £20) la variation de l’énergie de vibration de zéro
= -J
lorsque la molécule passe dans l’état excité / ; (o = <o + ir\.
Pour définir le deuxième terme de (50.47), trouvons d’abord
le système d’équations permettant de calculer la fonction plus géné
rale
£ m - n , n (<*>) = ((Æ m 6 n î ^ o Ù Î ) ) ~ - ( 5 0 .5 0 )
Pour m = n, cette fonction correspond à une excitation vibro-

nique à un phonon.
En utilisant l’égalité (50.46) et (50.43), on a :
h (cû —Qo —yA Q —<O10) gm_„, „(<*) =
= ômoônO -f- 2 œ, n (©) “1” Aûôœngm—n, n (®)-
Multiplions les deux membres de cette équation par exp {— i [Qn +

+ k (m — n)]} et sommons sur toutes les valeurs de n et n — m
Q , ©) = l + A A Q g0 (S ), (5 0 .5 1 )
où
g (k, Q, ©) = 2 ®XP t — iQn — ik (m —n)] gm-u, n (©), (50.52)
n ( m —n
O( Q , © )= 2
n
e~i<logoa ( 5 ) = - 2
k
s (k » Q» ( 5 0 .5 3 )
la grandeur ©if* est définie par l’expression (50.48).

Compte tenu de (50.53), il résulte de (50.51)
G(Q, 5 ) - « « A : = (50.54)
où la fonction F (co) est donnée par l’expression (50.33) après subs

titution de (ok par coiT>.
La permittivité (50.44) des excitations vibroniques est donc
e*y (Q* S ) = 4 ï - ^ { [ M 5 - 4 ,r + i 2 ( i - * 2r G ( Q , ©)}.

(50.55)
La partie imaginaire du premier terme figurant entre accolades
dans (50.55) détermine l’absorption résonante correspondant à la
formation d’un exciton libre de fréquence ©Ç> dans le cristal. La
partie imaginaire du deuxième terme de l’accolade (50.55) caractéri
se les excitations vibroniques à un pbonon.
Pour un cristal unidimensionnel simple, la fonction F (©) est
définie par les expressions (50.40) avec les valeurs
JI(<B—<Dj)
y \Lx\
(50.56)
©i = © io+ £2+ -j AQ.
Par conséquent, pour des fréquences vérifiant l’inégalité
h | © — ©j| < |L*|, (50.57)
la partie imaginaire de la fonction (50.54) est négative. Elle est
donnée par l’expression
V L* — h* (à — ©i)»
— Im G (Q, ©) — (50.58)
L* +(»AQ)*—»* (©—%)»
D’après cette expression, l ’absorption à large bande (pour des fré
quences vérifiant (50.57)) est symétrique par rapport à la fréquence
©! (50.56) et tend vers zéro aux frontières de l’intervalle (50.57)
(contrairement aux valeurs infinies obtenues pour A£2 = 0). Pour
h | A£2 | > | Lx | la fonction (50.58) a un maximum Lx [L% +
+ (SAQ)*]-1 pour la fréquence ©t. Pour h | AS2 | < | Ls \, au point
© = ©x correspond un minimum, mais il y a deux maxima sy
métriques égaux à (2nHAQ)~1, pour les fréquences © = ©i ±
± y fL l/h * — (AQ)4.
La fonction (50.54) a un pôle pour la fréquence
a 0- ©x—V L lftfl— (AB)* (50.59)
» 50] PERMITTIVITÉ LIÉE A L’EXCITATION 407
situé à gauche du domaine de fréquences (50.57) correspondant

à l’absorption à deux particules. Au voisinage de ce pôle, la fonction
(50.54) peut s’écrire
rrn ~ * 1AQ ■ 1 (50.60)
®<rHîT
Par conséquent, au voisinage de la fréquence (o0
1mr r n ^ _________ ^ I ôQ I________ (50.61)
Le pic d’absoption correspondant au terme (50.61) de la partie

imaginaire de la permittivité (50.55) est lié à la formation d’exci
tations élémentaires électrovibratoires à une particule, que l’on
peut appeler excitons vibroniques. fi
h AÛ
Lorsque — | augmente, la fré-
quence dé l’absorption à une par
ticule tend vers la fréquence corres
pondant à l’absorption vibronique
moléculaire]monophononique, à con
dition de ne pas tenir compte des
interactions résonantes
(D0- ■Cûio-f- AQ+
I M«i<iy
Si A est l’intensité intégrée cor
respondant à l’absorption due aux i • ü _
excitons libres, l’intensité intégrée
de l'absorption à une particule
(excitons vibroniques) est égale à
|4C| >|AX|
P = -AS2 (1 - **) h 1 AQ 1 ■.
p v 7 /L î-(ftA Q )1
L’intensité intégrée de l’absorption J ________

à deux particules (bande large) est w
égale à
/ d.p = AÊ2(l —*2)X
Fig. 62. Forme de la courbe e* (co)
en unités arbitraires pour | 2< 1,
\ / L * — (»A Q )*/' Ï = « + - A Ü , <ûx= 8 + Q„,
La figure 62 représente la dépen ®« = — Ÿ W + lÂQpI
dance e" (Q, co) en fonction de la
fréquence en unités arbitraires. Lorsque |* augmente, le caractère
du spectre d’absorption change. La région correspondant à l’ab
sorption à large bande devient asymétrique. Son intensité intégrée
diminue, et, pour | = 1, il ne reste plus que l’absorption vibronique
à une particule. L’étude du spectre vibronique pour des valeurs

quelconques du paramètre £ sera présentée au paragraphe suivant
pour une vibration moléculaire totalement symétrique.
50.2. Spectres vibroniques pour un déplacement quelconque des
noyaux. Etudions les excitations vibroniques faisant intervenir
une vibration intramoléculaire totalement symétrique, pour AS2 = 0
et £ quelconque. Cette excitation sera décrite par l’opérateur du
type (50.15). Les opérateurs vibroniques (50.16) sont dans ce cas
Vn = Bn exp [£ (6J - bQ) l (50.62)
Utilisons l’identité de Weyl (voir complément B)
exp[£(&î— 6„)] = exp ( —y £2) ex p (£&£)exp( — |6n) (50.63)
et transformons (50.15)
H = Ag)10 2 “1“ hQ0 2 b„ba +
n n
+ S ' M<&BiBnex p II (b+a - b i ) ) exp [l (ba- b a )}, (50.64)
n. xn
OÙ
Mnm = M am exp ( — i 2). (50.64a)
L’opérateur (50.64) commute avec B iB a- Par conséquent,
n
en l’absence de perturbation extérieure, le nombre total d’excitations
électroniques se conserve. Nous étudierons le cas où £20 est supérieur
à la largeur de la bande excitonique. Dans ces conditions, si l’on
ne tient pas compte des vibrations intermoléculaires, en vertu
de la loi de conservation de l’énergie, le nombre total de vibrations
intramoléculaires se conserve. C’est pourquoi, lorsque l’on dé
veloppe l’exponentielle dans (50.64) on peut éliminer les termes
ne contenant pas le nombre total de vibrations intramoléculaires.
D’après l’identité de Weyl la fonction de Green retardée des opéra
teurs vibroniques (50.62) peut être développée en série
({Va ; Vo» , = e-6* « S ne - £6“ ; B + o e'^h =
= e - £*l«B a ; #o», + 12 « B nba ; 5o&o», + (50.65)
D’après (50.19) la permittivité est définie par la transformée
de Fourier G (Q, <o) de la fonction de Green (50.65) par rapport,
à l’espace et au temps. La fonction G (Q, (■>) est représentée aussi
par une série
G(Q, ©) = e-S* (((Ba ; B 9))Q ~ + m ( B Bba; B fà )}q ~ + . . . ) , (50.66)
§ 50] PERMITTIVITE LIEE A L ’EXCITATION 409
OÙ
« s» (bn)p ; B i (&$)P» Q>~ = 2 e -,Qn «*» (bay-, B i (6})p»~, (50.67)
+oo
((*» (6„)p ; m (bS)p))~ = j «fin (bn)p ; 5 Î (60)p))t dt, (50.68)
—00
P = 0, 1, . . .
Il est commode de commencer par le calcul des transformées
de Fourier (50.68) par rapport au temps. Utilisons l'équation
(û « 4 ; #+»« = (0 | U , 5+] | 0> + « U , Hl ; £+»*, (50.69)
valable pour deux opérateurs de Bose quelconques. Pour /? = O
nous obtenons l'équation
(û) — cû10) ( ( B n ; i ? o ) ) ~ = ô no + ({B m i ^ 5 ))^ •
nf m
Multiplions cette équation par exp (— iQn) et sommons sur toutes
les valeurs de n
« Bn ; 5J))q ~ = ( ü - c o (Q
ê))-‘, (50.70)
OÙ
= «>io+ X 2 ' exp (tQn)(50.71)
n
est la fréquence correspondant à la bande excitonique des états
excités de vecteur d’onde Q. On voit ainsi que l’excitation d’une
vibration intramoléculaire réduit d’un facteur égal à exp (— E2)
la largeur de la bande excitonique pure.
Compte tenu de l’identité opératorielle
exp [ — t (6$ —6£)] ba exp (1 (6J—&£)] = bB+ £ (ônv —ô ^)
et de l ’équation (50.69) pour les transformées de Fourier par rapport
au temps de la fonction de Green ((Bmbn ; Bobo))t nous obtenons
le système d’équations
Ü (<■>— ûo— ®io) Snt—u, d (©) = 5nm5n0 “h mn [£n-m, m(û>) —£0n (®)H“
" fS a (<>>) "l" (f0)»(®) — o (w)l}>(50.72)
I»
En effectuant ce calcul, nous avons éliminé tous les termes ne véri
fiant pas la relation de commutation
IH , 5 « & n ]= 0 .
n
Dans ce système
f n - n , a (w) = ((8m in ! B$bo))~. (50.73)
Pour simplifier, nous étudierons un cristal unidimensionnel

n = a zi, m = am, en faisant l'approximation des plus proches
voisins
^nm ------ 2 ^6 n+l + ôm, n-i)* L\ = L exp ( — £2),
où 2| L% | est la largeur de bande énergétique des excitons. La
valeur > 0 correspond à des excitons de masse effective positive.
Cela étant,
©Q1= (t>10—Y L x cos (Qa).
Multiplions les deux membres de l’équation (50.72) par
exp [—iQn — ik (m — n)] et sommons sur toutes les valeurs de n et
m —n:
(©—Q0—®k6))g (k . Q. û) = 1 —jjj {2 [cos Qa—cos ka] g 0 (Q, ©) +
-(- (etffc-Q)» — 1] g, (Q, ^ ) + [<.- U k - Q ) « _ 1 ]g _l ( Q< (50.74)
Nous avons posé
g (k, Q, ©) = 2 e - ,k <m-'»gm -n(Q , 5 ), (50.75)
m-n
gm-n (Q, Ô>) = 2 (©)• (50.76)
n
L’égalité inverse de (50.75) est
g m-„ (Q, â ) = ^ 2 em m ~D)g (k, Q. ©)• (50.77)
k
En particulier
go(Q. ®) = 4 r 2 ? ( k * Q> (ù) = G (Q, ©),
k
g±i(Q. ©) = 4 " 2 e±ik*e (k* Q» «)•

k
Le vecteur d ’onde Q de l ’onde lumineuse vérifie l ’inégalité

Ç « < 1 . C’est pourquoi dans (50.74) on peut poser exp (iQa)<^l.
On peut alors résoudre le système (50.74) :
go (*) = n #) - \ l 2 [F F - F F ] [gx (©) + g-i (®) - 2 g0 (©)] L t ,
g ± i ( â ) = FS> { F T g ±1 (5) + Fi?’g ±1 ( 5 ) -
- (Fg> + F F ) go G>) - F F Igi (S) + g-x (©) - 2g0 (©)]}, (50.78)

$ 50] PERMITTIVITÉ LIEE A L’EXCITATION 411
avec
cos (/ika)________
(50.79)
Ûo— c o io + L ç c o s ka
Eliminons entre les équations (50.78) les fonctions g±1 (ci). Nous
trouvons
So (w) = ((^n^nî ^0&o))qo =
= n 0) (50.80)
i + 4 l ' h laPS'-FH’-iFS*]
Par définition (50.79) les fonctions F™' s’expriment en fonc
tion de FS’:
LiFo‘ = 1 —à [co—Q0— û)10] F S\
( L ÿ F"' = 2n](Z - Q0- to10) [h (5 - Q0- o>10) F£>- 1 ] - L\F2'.
Ces relations permettent de transformer (50.80):
, + 4 ^ w + ( S (i : ! r J w - . i ) • <50-8 i>
OÙ
ÿ l L ç f s f t l â —Q0—<û10J, s = Z,{/ |L 6|,
1
pour p < —1;
/ ÿ * -l
i (50.82)
o(y) = lL l \F$> = pour —
Y i-» ’
i
/ j r z î pour y>l.
Pour un exciton de masse effective positive s = 1 et la fonction

(50.81) se simplifie
S » -(l+ y l* )g (y )
®i (y ) = (2+y)!*-i-S*(i+y)*°(y) (50.83)
Pour £2 - 1 la fonction (50.83) prend la forme simple
(ÿ) = (1 + V + «l)"1» Ê* = !•
Par conséquent, pour g2 = 1, la courbe d’absorption (à un facteur
constant près) est donnée par l ’expression
f50-84»
ce qui correspond à l’excitation d’un exciton vibronique à une
particule de fréquence tù10 + £20 “
Pour \y | < 1 , la partie imaginaire (50.83) est négative:
s (y) = — Irn d»! (y) = (1 _ ÿi) [1(_ ^ (2+ i) ] » + g * ( l + ÿ ) ‘ * (5 0 8 5 >

La fonction (50.85) définit la large zone d ’absorption à deux parti
cules, comprise dans l'intervalle de fréquences
| cd—£20— co1 0 -£-| L i |. (50.86)
Pour £2 > 1 le pôle de la fonction (y) est déplacé vers les
valeurs
y„ = - — [3 £ 4 + 2 | * - 1 + Y (Ç2 — l ) 3 (9 £ 2 — 1 )] < - 1 . ( 5 0 .8 7 )
Dans ce cas
-Im (D 1(y) = (ÿ_ ^ 1+T)1 + 5(y), |* > 1 . (50.88)
La grandeur R dans (50.88) est définie par le résidu de la fonction
(50.83) pour y = y0 et est égale à
R
(i-yo)[l+S»(ÿ.+ / ÿ r r ï)l
ÊMU-y.) /tf+ i+ (i+ V o )(2 -y .)] '
Le pôle de la fonction (50.88) pour y = y0 correspond à l’absorption
résonante à une particule (exciton vibronique) de fréquence
‘û0= û>io+ô + ÿo4’ I '5-

Cette valeur est située à gauche (50.87) de la bande d’absorption
large (deuxième terme de (50.88)) définie dans l ’intervalle (50.86).
7 Tableau 18
Position y 0 de l’exciton vibronique et son intensité relative JB
en fonction du paramètre
1,0 1.10 1.25 1.40 1,73 2.00 2 .4 0 3 ,0 8
yo —1 —l f13 —1,32 —1,50 —2,00 —2,40 —3,00 - 4,00
R 1 0,91 0,84 0,80 0,77 0,75 0,74 0,73
Dans le tableau 18 on a indiqué les valeurs de y 0 et de R en fonction

de ga pour un modèle unidimensionnel du cristal.
§ 50] PERMITTIVITÉ LIÉE A L’EXCITATION 413
Le deuxième terme de (50.88) caractérise l'absorption à bande

large due à la formation simultanée d'un exciton et d'une vibration
intramoléculaire de fréquence Q0. La largeur de cette bande d'ab
sorption est égale à la largeur de la bande excitonique pure 2 | |.
Dans le processus d'absorption à deux particules, l'impulsion du
photon se distribue entre l'exciton et le photon intramoléculaire,
c'est pour cela que tous les sous-niveaux de la bande excitonique
sont excités.
Si l'intensité intégrée totale d'absorption (« résonante » et à
bande large) est prise égale à l'unité, la grandeur R caractérise
l'intensité relative de l ’absorption résonante intégrée, et 1 — R
celle de l'absorption à deux particules.
Lorsque
0,15 < l 2 < 1, (50.89)
le pôle de la fonction (50.83) est situé dans le demi-plan complexe
inférieur de y . Sa position est donnée par l'expression
Vo= —4P (3i4+ 2 H + i f ( l - S 2)3(9|2— 1)). (50.90)
Comme | Re y0 l < l > 1© pôl© complexe correspond aux fréquen
ces d'absorption à large bande.
On sait que les pôles complexes de la transformée de Fourier
de la fonction de Green retardée correspondent à des excitations
élémentaires instables à une particule. La vitesse de désintégration
de ces excitations est déterminée par la partie imaginaire de y0.
Donc, lorsque l'inégalité (50.89) est vérifiée, un maximum apparaît
dans la bande large d'absorption, et ce maximum est dû à la forma
tion d'excitations élémentaires instables à une particule. Ces ex
citons vibroniques instables se désintègrent en un exciton et une
vibration intramoléculaire de fréquence Q0.
Au fur et à mesure que £2 ( ^ 1 ) augmente, la position du maxi
mum se déplace vers la valeur y = —1, sa hauteur augmente et
sa largeur diminue. Lorsque £2 = 1, toute la laige bande d’ab
sorption disparaît et il ne reste qu’une fine raie pour y = —1.
La partie imaginaire de y 0 est alors nulle et les états vibroniques
du cristal deviennent stables.
Pour £2 C 0,15 et AQ = 0, toute l’absorption est concentrée
dans la bande large et correspond à l’excitation de deux particules
(voir § 50.1).
Sur la figure 63 on a représenté les résultats du calcul de la partie
imaginaire de ®l (y) pour des cristaux de masse excitonique effective
positive et pour quelques valeurs de £a. La fonction (y) pour
des cristaux de masse effective négative peut être obtenue à partir
de la figure 63, par une opération de réflexion dans un plan par
rapport à l’axe des ordonnées y = 0. Les zones hachurées corres
pondent aux excitations à deux particules. Les flèches à l ’intérieur
des domaines hachurés déterminent les valeurs de y 0 correspondant

à la formation d’excitons vibroniques instables, se désintégrant
en un exciton et une vibration
intramoléculaire. Les raies fines
placées à gauche des bandes ha
churées correspondent aux états
vibroniques stables.
Passons à l’étude des spectres
vibroniques pour £ quelconque
et une variation de fréquence
AQ =5^= 0. Nous supposerons que
| AQ | Q0, et nous étudierons
seulement les excitations intra-
moléculaires à un phonon. Dans
ces conditions on peut utiliser
l’expression approchée des opé
rateurs vibroniques
V ï = Bn exp |R ( « - 6 b ) J x
X (1 —&)l/2 (b£hn+1/2 (50.91)
où
_ &o—Qt
ûo+Oi *
Dans cette approximation l’opé
rateur énergie du cristal devient
H = % ^ Q tà b a + h [©jo + AQ X
x(b ib a + l/2)]B iB n +
+ n.m
S M%>B+DBnfixp f l( % - « ) ! x
y
Fig. 63. Forme des courbes d’absorp X exp [5(4ii“ 'im )]i (50.92)
tion au voisinage de la fréquence d’une
excitation moléculaire vibronique avec
AQ = 0.
I.a masse effective des excitons est positive.
(50.93)
D’après (50.91) la fonction de Green retardée des opérateurs vibro
niques devient
({Vn; Vo)),=
= e -* V l((Bn; BS)h + (* - **) l 2 « Baba; 5565»,]. (50.94)
Etablissons l’équation des transformées de Fourier « 5 „ ; 5 0» qS
et résolvons-la : _
<(5 b; 5 o ))q û = [© — ol>q ?)]“1, (50 . 95)
OÙ
©(Q
ÏÊ) = û)10 -h — à Q +4- s (50.96)
m
est la fréquence de l’exciton.
Dans un cristal unidimensionnel, dans Tapproximation des
plus proches voisins
0 ^ = 0)^ + ---AQ—LxScosQa, £*$ = 1^1 —x2e~t*L. (50.96a)
Par conséquent, pour AQ 0, la fréquence de résonance des ex
citons est déplacée d'une valeur égale à ~ AQ, et la largeur de la
bande excitonique | 2Lxi | est réduite d’un facteur Y i — ar.
D’après (50.69) et (50.92) les transformées de Fourier de la fonc
tion de Green vibronique
g m —in n (û>) = ( ( ^ m ^ n » ^ O ^ o ))©
vérifient l’équation
h ( co — Q 0 — — co10 ) ^ (eo) = 6 m nÔnO - h
+ 2 n (<*>) + 52ômn IgOU (ü>)—gfi-n. n (©)]} +
"h [gn-m,m (<*>) g0,n (to)J “t“ ômnAQgm-n.n (<ûj

Pour chercher la solution de cette équation, on peut utiliser
la même méthode que pour l’équation (50.72). Pour un cristal uni
dimensionnel simple dans l’approximation des plus proches voisins
\ L ^ \ g 0 (z) s <DX(z, s) = {[<D, ( z ) H - 2x}-\ (50.97)
où
AAQ * ( S - Q 0- 4 - A O -® ,.) Lxl
X ~ 2 \ L xi\' Z~ ILxll • S I L x%\ -
La fonction <t>8 (z) est donnée par l’expression (50.81) dans laquelle
on remplace y par z.
La partie imaginaire de la permittivité du cristal (pour Qa<^Y
est
e*v (©) = ^ ^ 2 ? ( 1 - * ? l2e-V Im *, (©) (50.98)
pour les fréquences voisines de l’excitation vibronique moléculaire
à un phonon.
D’après (50.97), pour £2 = 1
Im g0 (a) = «(((0_ a 1J 1®je6)*+i)*j • (50.99)

où la fréquence cot* est déterminée par l ’expression (50.96a). D’après

(50.99), pour = 1, l’absorption est due à l’excitation d’excitons
vibroniques.
Pour =?£= 1, pour une masse excitonique positive
________ILxt h 1[£»-(!+4») <>(*)!________
go (©) = (2+z-2x) l * - i +1(1 +r?*) 2x-Ç* (!+**)] o (*) (50.100)
Compte tenu de (50.82), on trouve que la partie imaginaire de
(50.100) est différente de zéro dans l’intervalle | z | -^ 1 ; elle y
est négative et égale à
— Im gn (ô>) = ___________ 1**1-* ( 1 - i y / i ^ 5____________
; (1—s2) [(2+z—2x) g*—l]*+[2x (1 + zç*)—g* (1+ ï)*J* •
(50.101)
En plus de l’absorption à bande large définie par l ’expression (50.101)
on peut avoir une absorption résonante dans un domaine de fréquen
es correspondant aux pôles z0 de la fonction (50.100) sur l’axe-
céel z. Pour z < —1, ils sont donnés par l’équation
(1 + z0|2) 2 x - | 2 (1 + z0) 2 - { ( 2 - z0- 2 x ) S2- l } = 0.
Cette équation a deux racines zol. Celles-ci déterminent la fréquence
des bandes d’absorption par l ’expression co10 + 1/2 AQ + Q0 +
+ zoi~ L xt. Ces fréquences correspondent dans le cristal à l’excitation
d ’excitons vibroniques. L’intensité relative de ces bandes est donnée
par les résidus de la fonction (50.101) aux points z = zoi. On peut
trouver une analyse détaillée de ces expressions pour des excitons
de masses effectives positives et négatives dans des cristaux uni
dimensionnels dans les travaux [332, 333].
50.3. Spectres vibroniques faisant intervenir des vibrations in-
tramoléculaires non totalement symétriques. Les excitations vibro
niques faisant intervenir des vibrations intramoléculaires non to
talement symétriques présentent toute une série de singularités.
1. Dans un état vibronique de ce type, la fréquence de vibra
tion intramoléculaire est habituellement inférieure à la fréquence
de vibration dans l’état fondamental, c’est-à-dire AQ = Qt — Q0 <
< 0 . Cependant les oscillations des noyaux atomiques de la molécule
s’effectuent toujours autour de la même position d ’équilibre (£2 = 0).
Ceci résulte de l’effet Jahn-Teller [3361, d ’après lequel lorsqu’une
molécule passe dans un état excité non dégénéré sa symétrie ne doit
pas changer.
2. Dans l ’approximation de Condon, lorsque la fonction d’onde
de l’excitation vibronique prend la forme d ’un produit
Y/H (r, q ) (r, 0) (p^ (g)
et lorsque le moment dipolaire électrique de transition

dm = (r , 0) n|j0 (r , 0) <Pr
est différent de zéro, il ne peut y avoir d'excitations vibroniques
faisant intervenir un nombre impair de phonons vibrationnels *).
Le rapport des intensités des transitions vibroniques et de la tran
sition électronique pure est proportionnel à
/Qlzzûo\n
Vüx + Qo/ » H= 2, 4, . . .
3. A des approximations d ’ordre supérieur (en rejetant donc
l ’approximation de Condon), l’élément matriciel du moment di
polaire électrique peut être développé en série
« 5 Ÿio 9) rôo (r, g) d*r = dflj + gdft + . . . , (50.102)
où le vecteur caractérise l’effet de mélange des fonctions d ’onde
de l’état électronique considéré (r , 0) avec les fonctions d’onde
des autres états électroniques (r, 0) à l’approximation zéro. La
contribution de ces états à l’état f — 1 sera d ’autant plus petite
que la différence d’énergie E8 — E1 sera grande.
La probabilité des transitions à un quantum vibronique sera
proportionnelle à | dJJ/ |2. c’est-à-dire qu’elle ne dépend pas de l ’in
tensité de la transition électronique pure (comme dans le cas d ’une
vibration totalement symétrique) mais de l ’intensité des autres
états électroniques de symétries adéquates. Cette probabilité peut
être différente de zéro (tout en restant faible) même lorsque d j^'= 0.
4. Lorsque les oscillations moléculaires non totalement symétri
ques modifient la direction du moment dipolaire électrique variable
de la molécule, on peut voir apparaître dans le cristal des interactions
résonantes conduisant à la formation d’excitations vibrationnelles
intramoléculaires collectives. La largeur de la bande des excitons
vibrationnels ainsi formés (phonons) peut atteindre 10 à 15 cm-1.
Dans la représentation par sites, l’hamiltonien des excitations
vibroniques correspondant aux vibrations intramoléculaires non
totalement symétriques s’écrit
H = 2 «V »»» + h y icojo ■+AQ (b*abn + 1/2)) B*Ba +
n n
+ + A/âi, (b+«bm + b*mba)| B*Bm+ 2 ' mmDb*abm, (50.103)
m,n m,n
où Mmn est l ’élément matriciel correspondant au transfert résonant
d’énergie électronique ; cet élément est proportionnel à | dJJ* |2;
*) Ceci résulte du principe bien connu de Franck-Condon (Arote du Tra
ducteur).
2 7 -0 5 3 4
Mmn la grandeur correspondante, mais pour le transfert résonant

d’énergie vibronique; cet élément est proportionnel à | d ^ |2;
mmn est l’élément matriciel de transfert résonant de l’énergie de
vibration.
L ’interaction de l’excitation vibronique monophononique con
sidérée avec une onde électromagnétique
E = E 0 cos (Qr — (ùt), (QE0) = 0
est caractérisée (dans l’approximation Qa<^ 1 des grandes longueurs
d ’onde) par l’opérateur
H ini = we~i(ùt + o>= co + irj,
où
w = -(E o d ft) 2 [V+n (bn + b'n) - ( b n+b+) Vn\e* °. (50.104)
n
La partie imaginaire de la permittivité, correspondant à l’exci
tation vibronique monophononique avec participation de vibra
tions intramoléculaires non totalement symétiiques, est égale à
e ;, (Q, â) = - - dy dîttV Im G (Q, û), (50.105)
où G (Q, (o) est la transformée de Fourier par rapport aux coordonnées

d ’espace et de temps de la fonction de Green retardée ((Bnbn ; b„ B^))t.
Etudions d’abord le cas où on peut négliger dans (50.103) les
interactions résonantes vibrationnelles (mnin = 0). Dans ce cas
l ’équation du type (50.69) pour la transformée de Fourier par rap
port au temps
£m—n.n (^) — ((^m^nî &0®o))ûT
devient
Æ 4~ ©10 ---- 2” O .] £m—n,n (w) ==ômnônO 4” 2 ffl-n,n (w) 4”
+ Ômn (w) 4- 2 ^ln£0l (w) J 4- •VjJ’n^ni-n.m (û>), (50.106)

1
avec G(Q, <û) = 2 *~iQn£on(c»>).
n
Les solutions de l’équation (50.106) ont été trouvées par Sérikov
[337] pour un cristal unidimensionnel. Pour Ça<^l on trouve l’ex
pression suivante :
| L<°> ! G (Q, <â) = [S-1 (y) + X— x]-‘. (50.107)
OÙ
AQ
X = L (UI | Z/<0) |, | L<0) | »
2 | L i0) | est la largeur de la bande excitonique pour une excitatiou

électronique pure, 2 | L(1) | la largeur de la bande excitonique pour
une excitation vibronique,
q /.a a / jj\ x \yo (y) il*
s (y) (y) î + -/y lÿ®(ÿ)—i] »
(50.108)
h |c5—(ûA . 1 ~
U = jL(u,| , 0)!= (O10+ T AQ+£20.
La fonction a (y) est définie par les expressions (50.82).

La partie imaginaire de la fonction G (Q, <o) est négative dans
le domaine de fréquences <o déterminé par l ’inégalité | Re y | < 1
soit
| © — ©il < | L‘0>|.
Cette partie imaginaire détermine l ’absorption à large bande, cor

respondant à la formation de deux quasi-particules dans le cristal-:
un exciton électronique de fréquence <o10 + -&Q et un phonon
intramoléculaire de fréquence Q0.
En plus des discontinuités dans l ’intervalle | y \ < 1, la fonction
de variable complexe y (50.107) présente des pôles correspondant
à une absorption à une particule. Les pôles réels placés sur l ’axe
réel | Re y | > 1 correspondent aux fréquences des excitons vibroni-
ques. Les pôles de G (y) situés dans le demi-plan complexe inférieur
(pour | Re y \ < 1) correspondent à la formation d’excitations
vibroniques non stationnaires, se désintégrant spontanément en
un exciton électronique et un phonon correspondant à une vibration
intramoléculaire.
Sur la figure 64 on a représenté à une échelle arbitraire les courbes
Im G (y) calculées par Sérikov [337]. Ces courbes représentent les
variations (50.105) de la partie imaginaire de la permittivité pour
des fréquences correspondant à l ’excitation vibronique d ’une vibra
tion moléculaire non totalement symétrique. (On suppose en outre
que ces vibrations intramoléculaires ne présentent pratiquement
pas d ’interactions résonantes.)
Etudions maintenant le cas, où le moment dipolaire de transition
dans l’état excité électronique pur est nul. Dans (50.103) il faut
poser alors Mÿm = 0 et tenir compte des éléments matriciels MSm
et mnxn qui peuvent être du même ordre de grandeur. L’hamiltonien
27*
du cristal est
H = h 2 |^0^n&n^“ [^<*>10+ AQ^6ï6n + “J*) J +
n
“h 2 [^^mn^m&n “f“ ^m n (^n^m ”1“ &m&n) (50.109)
n.m
L’opérateur (50.109) commute avec l ’opérateur Z?£Z?n, c’est pour-
Fig. 64. Différents types d'excitation correspondant à une excitation molécu

laire vibronique dans un cristal.
Les régions hachurées correspondent à l ’excitation d ’é ta ts à deux particules, les autres à
des excitons vibroniques.
quoi la fonction de Green doit vérifier l ’égalité

((Bm bQ; b^Bo))t = àmo((B0bn;
Sa transformée de Fourier par rapport au temps
Son (û>) = ((B0ba ; b*B*))~
d’après (50.69) et (50.109) vérifie l ’équation

h [<0— (ü10--- A£2—Qojfifon (<*>) = ôno [1 + frAQgoo (<*>)] +
4* M ÿ i g o o (œ ) + 2 {ramnéTOn (tt>) + M ’mOgOro (<*>)}• (5 0 .1 1 0 )

ni
La résolution de cette équation pour un modèle de cristal unidimen

sionnel, dans l’approximation des plus proches voisins, pour
^ m Ô = - - - 2" ( 8 m i"l‘ ô m ,-l) ) m m ,D = - - - «j* (® n,m +l ■’t 'S n .m -l)
est donnée par Sérikov [337]. On trouve pour la transformée de
f- W
*~W *~W
4
-z -1 0 J -Z -1 O T
Fig. 65. Différents types d'excitation correspondant à une excitation molécu

laire vibronique dans un cristal.
Les régions hachurées correspondent à l ’excitation d ’états à deux particules, les autres à des
excitons vibroniques.
Fourier de la fonction de Green par rapport aux coordonnées d’es

pace et de temps
G(Q , w) = 2 e -< Q “£0n(5)
n
l ’expression
G(Q, « ) = j |i l P î5-l (ÿ ) -y (P 2- l ) - > ‘] " , (50.111)
où
p = l + h / |l |, x = AQ/1Z | < 0,
y = 111 1 f <ûa = (o10+ “2“A£2+ô-

La fonction o (y) est définie par les expressions (50.82). Dans ce

cas la région d ’absorption à deux particules est comprise dans l’in
tervalle de fréquences
| (1) — (Ojl | < | Z |.
Les pôles de la fonction (50.111), placés sur l ’axe réel des y en dehors
de cette zone répondent à la formation d ’excitons vibroniques
(excitations à une particule). La partie imaginaire de la fonction
G (Q, <d), calculée par Sérikov, est représentée sur la figure 65 pour
quelques valeurs des paramètres p et x (unités arbitraires).
§ 51. Déformation d’un cristal moléculaire

électroniquement excité
Les résultats des paragraphes précédents sont basés sur l ’appro
ximation (47.3), d ’après laquelle l ’excitation électronique du cristal
ne détruit pas sa symétrie translationnelle. Etudions maintenant
dans quelles limites cette approximation reste valable.
Lors d ’une excitation électronique, l’énergie potentielle d ’inter
action des molécules varie, et cette variation conduit à un déplace
ment des positions d’équilibre. Le déplacement des positions d ’équi
libre de la molécule modifie à son tour l’état électronique. Par
conséquent, il faut trouver les états autocongruents (self-consistents)
entre l ’excitation électronique collective et le déplacement des
positions d’équilibre du cristal. Ces états autocongruents sont dé
crits par des équations non linéaires.
Les premières recherches théoriques relatives à ce problème
furent réalisées par Rashba [338, 339] et l’auteur [3401. Dans ces
travaux, on montre que le caractère des états autocongruents dé
pend considérablement des dimensions du système.
51.1. Déformation d ’un cristal moléculaire unidimensionnel.
Suivant les travaux de Kislukha et de l ’auteur [341], on se propose
d ’étudier un cristal moléculaire unidimensionnel infini. Soit d
le moment dipolaire de transition quantique de la molécule à l’état
électronique excité, dirigé le long du cristal. La position de la mo
lécule n est caractérisée par la variable rn. Dans l’approximation
de Heitler-London, l ’hamiltonien de l ’excitation électronique dans
la représentation par sites s’écrit
H« = S [Ag + Z? (n)] B*Bn + 5 ' M ln ( | r , - r „ | ) flf 5„, (51.1)
n l ,n
où Ag est l’énergie de l ’excitation électronique de la molécule,

0 (« ) = 2 J > m ( |r ,- r B|), (51.2)
§ 51] DÉFORMATION D’UN CRISTAL MOLÉCULAIRE 423
est la variation d ’énergie d’interaction statique d ’une molécule

donnée n du cristal avec toutes les autres, lorsque cette molécule
passe à l ’état excité. Contrairement à l ’approximation (47.3), nous
tenons compte maintenant de la dépendance de D (n) en fonction
dej la variable rn ; M /n ( | rt — rn |) sont les éléments matriciels
de transfert résonant d ’énergie d ’excitation entre les molécules
n et Z; BZ, B n sont les opérateurs de création et d’annihilation de
l ’excitation électronique sur la molécule n.
Nous proposons de considérer comme classique le mouvement
des molécules de masse m. L’énergie cinétique de ce mouvement
sera
<**-3)
n
Dans l’approximation des plus proches voisins, l’énergie potentielle

du cristal est
u = s U(/?„), (51.4)
n
où R n = | r n+1 — r„ | est la distance intermoléculaire ;

,D \ C A __
^ (-^n) jfp jfa i
C, A , p, q sont des paramètres déterminant l ’interaction des molé
cules non excitées.
Dans l’état fondamental | 0) (sans excitation électronique) le
cristal présente une invariance translationnelle caractérisée par la
constante du réseau
Cette valeur correspond au minimum de l’énergie potentielle (51.4),

soit
/ àu (Rn) \ A
\ dRn ) R n =a U-
Dans l ’état | 'F) qui tient compte de l ’excitation intramoléculaire,

la distance intermoléculaire /?„ n’est plus égale à a, de sorte que
Rn = O, pn, | pn | (51.5)
Dans ces conditions l ’énergie potentielle (51.4) varie. Dans l’appro
ximation harmonique cette variation est
AU = y i u ( R n) — it( a ) J « u ? S p l (51.6)
n n
OÙ
w = 2 \ dRl Wn)\ (51.6a)
/Rn—a
est un coefficient caractérisant les forces élastiques du cristal.
D’après (51.5)
S P* — r n.
l=n
Ceci permet d’écrire l ’énergie cinétique (51.3) en fonction des varia
bles pn sous la forme
t = t 2 [ 2 w ] !. (5 i -7)
n /= n
Dans l ’approximation des plus proches voisins, l’hamiltonien de
l ’excitation électronique (51.1) dépend aussi de la variable pn.
Nous utiliserons son expression approchée
#ei{p„>= S { l A S - ( i + s9n/a)D }B*Bn- L [ B ^ B n+1+ B U iB n)},
(51.8)
dans cette expression nous avons fait l’approximation suivante :
0„-i. , (fl»-i) + Dn+1, „ (*») « - - | r « ■- (1 + spnfa) D, (51.9)
M n. n+1 (R n) « M n+i, „ (R n) « - = “ L. (51.10)
Les grandeurs D = - —t sj L sont des paramètres positifs de la théorie.

Etudions les états du cristal décrits par la fonction
Y ( < ) - 2 « » (* )« |0 > , S k n W | 2= l- (51.11)
n n
Les grandeurs | an (t) |2 caractérisent les probabilités de distribution

de l ’excitation sur les différentes molécules du cristal.
A un instant t donné, pour un choix déterminé des an (t), la
grandeur
<v (t) I /Tel | Y (*)>= - (1 + sp ja ) D] ai (t) an (t) ~
n
- L [ a i (t) an+1 (t) + a*+l (t) an (t)]} (51.12)
vient s’ajouter à l’énergie potentielle (51.6). Cette grandeur détermine
les nouvelles positions des molécules dans le cristal excité. La
condition de minimum de la fonction
(Y | He\ | Y) + AU {p„}
S 5i] DÉFORMATION D’UN CRISTAL MOLÉCULAIRE 425-
permet de trouver, pour chaque ensemble fixe de valeurs an (ty

déterminant l’état électronique (51.11), les valeurs de p(n >caractéri
sant les nouvelles positions d ’équilibre des molécules du cristal :
pîTW=s|K(<)P. <51-13>
Pour trouver les valeurs a„ (t) correspondant aux nouvelles-
positions d ’équilibre, il faut résoudre l ’équation de Schrôdinger
Y = 0, (51.14>
dans laquelle
# = tfe.{P»#>>+ 2, (51.15).
H ei {pi?’} = S {(A* — D — G \a n (t) |2J B*Bn- L [B*nB n+1 + 5 ; +1£„]},
n
oo
s - u K#,}+r (fC>= t S [ S 4 1■ WI2f +'G11“»WI4}.
n l—n
OÙ
G - S . F - ÿ . (51 -16>
Lorsque la rigidité du réseau augmente (w -> oo) les deux grandeurs-
G et F tendent vers zéro.
Substituons les valeurs (51.15) et (51.11) dans (51.14); nous-
obtenons l ’équation
- L K +1 (t) + a „.l («)] - G I an (t) P an (t)} B* | 0 >= 0.

Comme l ’ensemble formé par les fonctions f i n I 0) est complet et
orthogonal, cette dernière équation entraîne l ’équation qui sert au
calcul de an (t) :
iU + L lan+1 (t) + a n_a (t)\ -
_ (Ag _ D - S] an (t) + G | a n (t) |* an (t) = 0. (51.17>
Introduisons la coordonnée sans dimension | = rla et passons dans
(51.17) à l ’approximation des grandes longueurs d’onde
an (0 -*■ <P (5. 0. de telle sorte que 9 («» 0 = an (0.
9(54*1, 0 4 - 9 ( 1 — 1. 0 « 2 < p ( i , 0 4 0
dl* •
L ’équation (51.17) se transforme alors pour donner une équation

non linéaire de la forme
ift!-g- + L -|^ -X < p + G |< p |2 (p = 0, (51.18)
oùMa quantité
+oo CO
X = t f - D - 2 L + ±- j «)|2] 2-h
+ G |< p(|, *)|4} . (51.19)

La solution normée de l ’équation (51.18) se présente sous la forme
«d’une onde solitaire (solitary wave) pour chaque valeur des para
mètres v ^ 0 et £q:
<Pr (6,
V 2,exp{<[‘sr ût]} (51.20)
Ch l|l(5-go-Bt)|
où
G s 2D
(51.21)
*l = 4 T S w a rL
G2 M *a~v2
hQ = t £ — D — 2L 4SL
(51.22)
'h * + G F / 6
M* = m* + mi 2La2
est la masse effective de l ’excitation, se propageant dans le cristal

-à la vitesse V = au; m* = h/2Lar est la masse effective de l ’exci
tation dans le cristal rigide (molécules fixes aux nœuds du réseau) ;
m + = mG-l24Lwar est une masse effective supplémentaire due à
la déformation locale du réseau au voisinage de l ’excitation. Cette
masse est directement proportionnelle à la masse moléculaire (m)
et inversement proportionnelle à l’interaction résonante (L) et au
cube du module de rigidité (w) du réseau cristallin. Ainsi, lorsque
la rigidité augmente (ic —>• o o ) , la masse effective supplémentaire
m * tend vers zéro.
D’après (51.20) l’excitation du cristal est localisée dans la région
£ = ç0 + ut. A chaque valeur de v correspond une énergie d’excita
tion ÆQ, définie par (51.22). A la valeur v = 0 correspond une exci
tation immobile d ’énergie AS — D — 2L — G2/48L. Cette énergie
•est inférieure à l ’énergie AS — D — 2L des excitations de grande
longueur d’onde du cristal rigide (w oo). Ainsi la localisation de
l ’excitation est énergétiquement avantageuse si la vitesse de trans
fert de l’excitation vérifie l’inégalité
a u c V G2/(24m*L).
§ 51) DEFORMATION D’UN CRISTAL MOLECULAIRE 427
En utilisant (51.13), nous trouvons que, dans la région d ’excita

tion, les distances d’équilibre intermoléculaires diminuent de
««• • (51.23)
où (i est défini par l ’expression (51.21). Cette variation sensible de
la distance intermoléculaire occupe une région du cristal d ’étendue
aA£ = aji/fi = 4ji La!G
autour du point a (£0 + ^0- Cette région se propage dans le réseau
cristallin à vitesse constante. La valeur moyenne de la distance
intermoléculaire dans cette région est égale à
a ( 1 — 0t3ji V G!2w) .
A l ’opposé des excitons libres dans les cristaux tridimensionnels,
décrits par des paquets d’ondes, les excitations des cristaux unidimen
sionnels décrits par les fonctions (51.20) ne « s’étalent » pas au cours
du temps, mais conservent leur forme. C’est pourquoi ces excitations
peuvent être appelées excitons particulaires ou solitons.
Pour des valeurs très faibles du paramètre ji, défini par l ’ex
pression (51.21), c’est-à-dire pour un réseau rigide, présentant de
grandes interactions résonantes et une faible variation des forces
d ’interaction consécutive à l’excitation d ’une molécule, la fonction
(51.20) peut être décrite par une onde monochromatique simple
<MÊ, « ) « ) / ^ e x p { i [ - ^ - ( Ç - i 0) - Q i ] } f fi«l. (51.24)
Dans ce cas limite, l ’excitation n’est pratiquement pas localisée.
L’étude précédente ne tient pas compte des processus de relaxation
des états excitoniques dus aux interactions avec les vibrations de
réseau *). On peut formellement tenir compte de ces effets en rem
plaçant l ’énergie d ’excitation (51.22) par la valeur complexe ftQ —
— ihy. Dans l ’expression (51.20) apparaît alors un facteur diminuant
exponentiellement avec le temps exp (—yt). Ce facteur définit la
durée de vie moyenne d’excitation (2v)~l. Il est évident que la gran
deur y doit dépendre du paramètre v définissant la vitesse du soliton.
Une déformation locale d’un cristal unidimensionnel, se pro
pageant le long du cristal couplée à une excitation, peut jouer un
rôle très important dans certains processus biologiques. Les molé-
*) Nous avons supposé en outre que la déformation de la chaîne accompagnait
sans inertie le déplacement de l'excitation. Une théorie ne tenant pas compte de
cet effet a été développée par Kislukha et l’auteur (JETP 71, 293 (1976)). On
montre que l’approximation dont il est question est valable tant que la vitesse
du soliton est inférieure à la vitesse du son longitudinal Vac = Ÿ w lM . L’éner
gie du soliton tend vers l’infini lorsque sa vitesse V tend vers la vitesse du son
y ac\ .Ç est pourquoi pour toutes les valeurs finies de l'énergie du soliton, la
condition V V’ac est réalisée.
cules protéiques, entrant dans la composition des organismes vivants,

présentent souvent de longues portions en hélice a, dans lesquelles
H
se répètent les groupes atomiques peptidiques —N—C— Par exemple
O
la molécule de myosine, qui entre dans la composition des fibrilles
des muscles striés, a un poids moléculaire voisin de 500 000 et pré
sente des portions spiralées a de ~ 1700 Â. Par certains côtés, ces
molécules peuvent être considérées comme des « cristaux moléculaires»
unidimensionnels. Les excitations « intramoléculaires » du groupe
peptidique (par exemple la vibration de valence à 1660 cm”1 entre
les atomes C et O) présentent un moment de transition électrique
de valeur importante. C’est pourquoi les excitations moléculaires
correspondantes doivent avoir le caractère de solitons, c’est-à-dire
qu’elles se déplacent le long de la molécule protéique avec une dé
formation locale. Cette représentation a été utilisée par l’auteur
[342, 3431 pour tenter d’expliquer le mécanisme de la contraction
musculaire à l’échelle moléculaire.
51.2. Déformation d ’un cristal moléculaire tridimensionnel.
Etudions pour simplifier un cristal tridimensionnel optiquement
isotrope à une molécule par maille élémentaire. Pour expliquer les
conditions de formation d’excitations localisées dans un cristal
tridimensionnel idéal, il suffit d’étudier les excitations stationnaires
immobiles d’énergie minimale. Par conséquent on peut négliger
l’énergie cinétique du mouvement des molécules.
Dans l’approximation des plus proches voisins, l’énergie po
tentielle d’interaction des molécules est égale à
S “ (Ar„),
Ar„ = rn+a — rn, ax = ay = a7 = a est la constante du réseau;
rn est le rayon vecteur de la molécule n. Dans l’état fondamental
du cristal | 0) (sans excitation électronique)
du(*rm) 1
= 0.
* < A rn i) J Arn i - a
Dans l’état | ¥ ) correspondant à une excitation électronique,

la distance entre molécules varie de
Ar„ = a —pn. (51.25)
Dans l’approximation harmonique l’énergie potentielle d’interaction
des molécules varie d’une valeur égale à
(51.26)
§ 51] DÉFORMATION D’UN CRISTAL MOLÉCULAIRE 429
OÙ
1 f d*u (Axn) 1
w= (51.26a)
T \ d(**n)* J Axn - a
est un coefficient, caractérisant l’élasticité du réseau cristallin.
D’après l’approximation (51.8), l’hamiltonien de l’excitation
électronique s’écrit
el «P„}) = S [A£ —( l + * 2 Pnxû’1) D] B*Ba +
n x
+ S' M (51.27)
n. m
Etudions les états du cristal décrits par la fonction
'¥ = y i auB ï |0), 2 | a n |2= l . (51.28)
n n
Pour un choix fixé de valeurs de an, nous trouvons
<V | jyei I v> = Sn [ -x ( 1 + * s Pn*a-‘)D]a*an+
“t” Mn m ^ im Z )> 0 .
Cette fonction vient compléter l’énergie potentielle (51.26), et permet

de déterminer les nouvelles positions d’équilibre des molécules
du cristal .excité.
Ces nouvelles positions d’équilibre sont caractérisées par les
vecteurs
P S . x = ^ l an |2, (51.29)
définis par la condition de minimum de la fonction
( W \ffe l\ V) + MJ
pour un choix fixé des an.
Substituons les valeurs (51.29) dans (51.27) et (51.26). Nous
obtenons l’opérateur énergie totale du cristal (sans tenir compte
de l’énergie cinétique du mouvement des molécules)
H = ffel ({pn’}) + MJ ((pD ), (51.30)
OU
H , , ((P H ) s (A% - D - G I an \^)B*Bn+ Y, M nmB+nBn (51.31)

n, m
A t f ( { p n ) = i - G 2 i an i2^ s , (51.32)
n
3s*Z>*
G, 2aaw (51.33)
La valeur des coefficients an définissant l'état (51.28) adapté

aux nouvelles positions des molécules est donnée par la condition
E = min J ({<7n}),
où la fonction
= ( A Z - D + Z - G I a„ 12)a„ + S aï^nmam- (51.34)

n d. m
Dans l’approximation des grandes longueurs d’onde, les coefficients
aB peuvent être remplacés par des fonctions réelles de r faiblement
variables, c’est-à-dire
Un l2 -*<P2 (r). (51.35)
En utilisant l’égalité
2 ... = --
n
J ••• d3r> v = a3>
Nv
(51.36)
on peut passer de la sommation sur n à l’intégration sur le volume

Nu du cristal (comprenant N mailles élémentaires). Il convient
alors de poser
2 [ - L — — V2 l<Pto, (51.37)
m(#n)
L = -
2 Mon,
m(*0)
(51.38)
m * = —h2 ( 2 Qn)~ 1
n=to
est la masse effective de l’exciton libre. Dans un cristal cubique
(isotrope) dans l’approximation des plus proches voisins, la largeur
de la bande excitonique est égale à 2L, et la masse effective est m* =
= hVa2L.
Utilisant les expressions (51.35) à (51.37) on peut transformer
la fonction (51.34), qui devient
J { = 4‘ J 9 (r) X

Nv
x [ A g - L - Z ? + H -G ç 2 (r)— ^ - V 2]<p(r)d3r. (51.39)
Compte tenu de (51.28) et (51.32), on peut écrire
-i. j * * ( r ) t f r - l , (51.40)
Nv
S— jq>‘ (r)d3r. (51.41)
Nv
S 51] DÉFORMATION D’UN CRISTAL MOLÉCULAIRE 431
Etudions la valeur de la fonction (51.4) pour une distribution

homogène de l’excitation sur tout le cristal (exciton libre). Dans
ce cas, d’après la condition de normalisation (51.40) cp (r) = iV”1/2.
Substituons cette valeur dans (51.39)
/ (j\M/2) = Ag + Z) _ Z, _ G (2N)~l. (51.42>
Dans cet état la déformation du réseau est homogène. La constante
de réseau diminue de sD/2waN (d’après (51.25) et (51.29)), cette
valeur tendant vers zéro lorsque N tend vers l’infini.
Cherchons l’extrémum de la fonction (51.39) pour des états
à symétrie sphérique en utilisant comme fonction d’essai
^ r) = ^ F ro). 0 < r - r 0'< o o , (51.43)-
où £ est un paramètre variationnel de dimension inverse d’une lon
gueur. Les conditions de normalisation imposent A 2 = 3i;p2n~3. Uti
lisons l’identité
j <pV2<Pd 3r = — j (Vcp)z d 3r ,
l’expression (51.41) et l’égalité La2 = h2!m* pour transformer la
fonction (51.39):
oo oo
J { \) = t ë - L - D —j)W r.

0 0
Substituons dans cette expression la valeur (51.43) et effectuons
l’intégration :
/ ( | ) _ ( Ag _ L - D ) = ^ i ^ a 2 r ^ - J— -û3i 3G *
» 0,37<z2î-2L —0,013a3| 3G. (51.44)
Lorsque la masse effective de l’exciton est positive (L > 0) les
extréma de / (£) correspondent aux valeurs
ji3(jt»+12)L 19L
li = 0 et 9 (n*—6) aG (51.45)
aG
La valeur = 0 correspond à une distribution homogène de l’ex
citation dans un cristal infini. Bien entendu, l’énergie de cette
excitation
E X= J (Êi) = &!i — L — D (51.46)
coïncide avec l’énergie de l’exciton libre au voisinage du bord
inférieur de la bande excitonique (k — 0). La valeur | 2 correspond
à la localisation de l’excitation dans une sphère de rayon
n aG
L’énergie de cette excitation
—1 f t ) - ~ £ , + 44-g- (51-47)
êst plus élevée que (51.46). Par conséquent la localisation sphérique
de l’excitation n’est pas avantageuse du point de vue énergétique.
Cependant, lorsque £ augmente au-delà de £2, l’énergie d’excitation
diminue. Pour des valeurs importantes de £ (R petit), la localisation
devient avantageuse. Le passage de l’excitation distribuée uniformé-
Tig. 66. Variation de l ’énergie excito- Fig. 67. Variation d’énergie de l’exci-
nique pour une localisation sphérique ton pour une localisation de l ’excita-
dans un cristal tridimensionnel. tion dans un plan d’un cristal tridi
mensionnel.
ment sur tout le cristal à l’excitation localisée sphérique nécessite

une certaine énergie d’activation (barrière énergétique). Il ne faut
pas enfin perdre de vue que lorsque £ augmente, l’approximation
du cristal continu, que nous utilisons ici, perd son sens.
Pour des excitons de masse effective négative, l’énergie d’ex
citation diminue lorsque £ > 0 augmente. Par conséquent la localisa
tion de l’excitation est toujours avantageuse. La figure 66 illustre
les résultats obtenus. Sur cette figure on a représenté les variations
de la fonction O (a£) = 103 D en fonction de la
grandeur sans dimension a£ pour la valeur GI\ L | = 100.
Nous avons montré que la localisation sphérique de l’excitation
dans un cristal isotrope était désavantagée par rapport à l’excita
tion uniforme de tout le cristal. Ceci n’exclut pas cependant la
possibilité d’une localisation de symétrie différente. Prenons le
•cas par exemple d’une localisation entre deuxplans parallèles.
Dans ce but, pour étudier les valeurs de la fonction (51.39) choisis

sons une fonction d'essai de la forme
Z>= ch V * - * ,) * <51-48>
Supposons que le cristal a une forme cylindrique, de surface de base
ara et de hauteur infinie dirigée selon l'axe des x. Les conditions
de normalisation (51.40) imposent A 2 = va/2cr. Dans ces conditions
la fonction (51.39) devient
/ (v) = A£ — D — L — ^ + - J - v 2a2.L. (51.49)
Lorsque la masse effective de l’exciton est positive (L > 0), les
valeurs extrémales de la fonction (51.47) correspondent à
vi = 0 , v2 = G/2aaL. (51.50)
La valeur j i / v 2 = 2naLIG détermine l’« épaisseur » de la couche
cristalline correspondant à la zone excitée et déformée du réseau.
La localisation de l’excitation dans cette zone est favorable énergé
tiquement, puisque pour la valeur v2 l'énergie du cristal correspondant
à l’excitation locale
J (v2) = Ag — Z) — L — G2/24a2L
est inférieure à l’énergie Ag — D — L de l’exciton libre. Cependant
pour une grande surface d’excitation (a grand), cette différence
est faible.
Pour un exciton de masse effective négative, les états libres
de l’exciton sont instables.
La figure 67 illustre les calculs effectués. On a représenté les
variations de la fonction O (va) = J pour des
I LI
excitations de masses effectives positive et négative et pour
aLIG = 50.
§ 52. Interaction exciton-phonon
dans les cristaux ioniques
Dans les cristaux ioniques, les excitations collectives sans trans
fert de charge sont appelées excitons de Wannier-Mott. Ils se pré
sentent comme des états liés électron-trou. Ces excitons ont été
étudiés au § 43, mais nous n’avons pas tenu compte des interactions
bvec les phonons.
Etudions maintenant cette interaction des excitons avec les
vibrations de réseau dans les cristaux ioniques. Cette interaction
conduit à l’absorption « vraie » de la lumière par les excitons, définit
les formes de raies d’absorption et de luminescence et modifie pro
fondément la structure interne des excitons. Ainsi, pour une liaison
2 8 -0 5 3 4
exciton-phonon forte, le caractère du mouvement excitonique change

sensiblement. En raison de l’émission et de l’absorption de plionons,
le vecteur d’onde et l’énergie de l’exciton varient et les élats cor
respondants ne sont plus stationnaires.
Nous avons montré au chapitre III que les vibrations de réseau
dans les cristaux ioniques présentaient toute une série de particula
rités dues aux charges ioniques. Dans les cristaux ioniques de per
m ittivité élevée, les rayons de Bohr des excitons sont nettement
supérieurs à la constante de réseau. Ceci permet d’étudier l’interac
tion exciton-phonon comme deux interactions indépendantes:
celle de l’électron et celle du trou avec les phonons. Dans cette
approximation l’hamiltonien de l’exciton en interaction avec les
vibrations de réseau peut s’écrire
H = Hex + tf vib + tf lnt, (52.1)
où
h* A h* . __ e*_
H ex 2 me e 2mt * Cqr (52.2)
est l’hamiltonien de l’exciton libre; meJ mt, re, rt, Ae et A* sont
respectivement les masses effectives, les coordonnées et les opéra
teurs de Laplace des électrons et des trous;
r = re — rt (52.3)
est la coordonnée relative;
jyv.b = Æ ^ Q ,(q )6 is6q. (52.4)
a. q
est l’opérateur vibration de réseau; s est l’indice de la branche
de vibration, q est le vecteur d’onde;
H un = - 4 = - 2 F. (q) [bv + b*_q, ,1 - 2 (52.5)
X iv "
». q *
est l’opérateur d’interaction de l’exciton et des phonons. Ici
(q ) = U'C(*> q) e,qr* —wt (s, q)eiv », (52.6)
où we (s, q) et wt (s, q) sont des fonctions (à définir plus loin) carac
térisant l’interaction de l’électron et du trou avec les phonons de
la branche s.
Les valeurs propres et les fonctions propres de l’opérateur
excitonique (52.2) sont données par les expressions (voir § 43)
EK i = E g+ E i + -? £ --, (52.7)
où
m = me + mt, (52.7a)
|k , ty=-py-<pjt(r)exp(ikp), (52.8)
INTERACTION DANS LES CRISTAUX IONIQUES 435
V est le volume du cristal ;

/yyiy-f m(rt
^ mc-\- mt (52.9)
est la coordonnée du centre de gravité de l’exciton ;
, ni* mn
r' = p + — r’ r, = P - — r- (52.10)
Ee est l’énergie de la bande interdite, Ex et (p*. (r) l’énergie et la
fonction d’onde des états internes de l’exciton.
En particulier, dans l’état excitonique interne fondamental
X = 0 et
ou ‘m = -mm?m/ est la masse réduite de l ’électron et du trou,7
est le rayon de Bohr de l’exciton.

Les opérateurs (52.2) et (52.5) sont écrits dans la représentation
des coordonnées. Il faut souvent connaître leur forme dans la re
présentation des nombres d’occupation des états excitoniques k, X.
Utilisons la règle générale de transformation (§ 21), en introduisant
les fonctions opératorielles
¥ ( r , p )= S * w i|k , X), (52.12)
k, X
où /?kx sont les opérateurs de création et d’annihilation de

l’exciton dans l’état kX, /?kx /?kx sont les opérateurs des nombres
d’occupation, de valeurs propres N kx = 0, 1, ... Dans la représen
tation des nombres d’occupation, les opérateurs (52.2) et (52.5) s’ex
priment par
H,.x = (W 1H cx \ f ) = y E kx B t x B kx, (52.13)
k. X
ff.nt . ÇV | H m 1 ¥ ) = v S ftlx (q) B i +q. klB k. X (bv -- b U , ) ,

X, x. 9, q , k
(52.14)
OÙ
(q) = */> (q ) (q ) - w ? (q) / & (q ), (52.15)
A.V (q ) = j <P*. W (r) <Pr,
(52.16)
A?» (q ) = j «F*, (r) «iq,V (r) d3r,
25*
sachant que
q«— q» q < = - - q - (52.16a)
En particulier, les éléments matriciels diagonaux dans l'état
excitonique interne fondamental (lorsque gaez < 1) s'expriment
simplement :
/(o'6 0 (q ) = 2na*x J exP ( ---- e x P t) d3r =
= [ l + i - q i . <a |I ] - 2 . (52.17)
Ainsi les fonctions /jÿ (q) et /<ÿ (q) sont les transformées de
Fourier de la densité de probabilité (spatiale) des électrons et des
trous dans l’état excitonique interne fondamental.
52.1. Interaction des excitons avec les phonons acoustiques. L'in
teraction des excitons avec les phonons acoustiques a été étudiée
par Anselm et Firsov [344]. Dans ce cas, l’interaction est possible
seulement avec la branche acoustique longitudinale. Les fonctions
w\a> (q), pour de petites valeurs du vecteur d'onde q, sont déter
minées par les potentiels de déformation
fi| q I — ot
< ■ » ( < ! ) - / -ê të i “ *,0> (q ) =
2NMca ’
où M est la masse des ions de la maille élémentaire; N le nombre
de mailles élémentaires dans le cristal ; ae et at sont des paramètres
homogènes à une énergie et caractérisant l’intensité de l’interaction.
Pour de nombreux cristaux non métalliques, leur valeur est située
dans l’intervalle de 1 à 10 eV. Ainsi pour de petits q, la fonction
Fl0a) (q) s (q) dans (52.4) est proportionnelle à Y I q lt comme
pour l’interaction des phonons avec les excitons moléculaires.
L’interaction exciton-phonon acoustique est caractérisée par
le paramètre sans dimension
ni2 (a,,—CF,)2 v
£ac — AIcah* (52.18)
v est le volume de la maille élémentaire. D’habitude oe > at.
La valeur gac est égale à 2 • 10"2 pour les cristaux dont les valeurs
de ae — ot « 5 eV ; M/v « 5 g/cm3, m = 10~27 g, ca « 5 • 106 cm/s.
L’interaction exciton-phonon modifie la forme et la position
de la bande excitonique et rend les états excitoniques non station
naires. Lorsque l’interaction est faible (gac<Cl) on peut étudier
les effets par la méthode des perturbations. Anselm et Firsov [3441
ont utilisé cette méthode pour calculer le libre parcours moyen
de l’exciton | 0k), sans changement de son état interne; les auteurs
ne tiennent compte que des transitions quantiques à l’intérieur

d’une même bande excitonique correspondant à l’état fondamental
(interne) de l’exciton = k = 0). Dans ce cas, conformément
à la règle d’or de Fermi, les probabilités d’émission et d’absorption
d’un phonon de vecteur d’onde q dans l’unité de temps sont
» W . * = - T O T - K + *> 6 (£*—q " ^ + â?),

(52.19)
W W k = ^ ^ - n qô(E k+q- E k - h c ag),
où
h* k«
E k — Eg -f- E q 2/71
est l ’énergie de l’exciton ;

<D(q) = (52.20)
Lorsque les masses de l’électron et du trou sont égales, cette fonction

devient
<*>(q) = (o.-<7<)2 [ 1+ 4 °«q2]~4. (52.20a)
En utilisant (52.19), on peut calculer le temps de relaxation
de l’impulsion t*, qui, conformément à (34.44), est déterminé
par l’expression
-S -F T T T ^ + q . *+WW. O- (52.21)
k q
Dans ces conditions le libre parcours moyen d’un exciton de vecteur
d’onde k est égal à
Ak = h k rjm .
On trouvera les détails du calcul dans (3441.
Si, dans (52.19), on remplace nq par sa valeur moyenne, pour
des valeurs de k et de la température 0 vérifiant l’inégalité
hcak < 0 (52.22)
le libre parcours moyen de l’exciton, dû aux interactions avec
les phonons acoustiques, est égal à
2h
At = j <D(q) ? dqt (52.23)
0
où v est le volume de la maille élémentaire. Dans ce cas le libre
parcours moyen de l’exciton est inversement proportionnel à la
température. Lorsque l'énergie de l’exciton est petite, seules les

petites valeurs de q contribuent notablement à l'intégrale (52.23).
On peut alors poser O (q) « ( — at)2 et
A nMcjh*
0 m2v&(oc—at)2 *
Lorsque l’énergie de l’exciton augmente, le libre parcours moyen
doit dépendre de l’énergie. Le caractère de cette variation est dé
terminé par les valeurs de crr, (J/, me et mt qui définissent la fonc
tion O (q).
Une analyse théorique détaillée de la forme des raies d’absorp
tion de la lumière dues à la formation d’excitons de Wannier-Mott
a été réalisée par Toyozawa [176, 1771.
Ces travaux montrent que pour une liaison exciton-phonons
acoustiques faible (gacCl)* dans l’« approximation à un phonon »
la forme de la raie d'absorption est lorentzienne, de demi-largeur
hT (0) (si T (k) est l’inverse de la durée de vie de l’exciton, de vecteur
d ’onde k, et si on peut négliger sa dépendance en fréquence co).
Pour les hautes températures Ær (0) est proportionnel à gACT (où
T est la température absolue, gac le paramètre sans dimension (52.18)).
Pour une liaison forte ( g a c > 1) la forme de la raie est gaussienne,
et sa largeur est proportionnelle à gac7\
La forme de la raie d’absorption
A{(ù) = J ___________Tl+ ï(0, (O)________ (52.24)
JI [co— ci) (0) — A (0, ©)]* + h + Y(0, (0 ) 1*
a été introduite au § 48. Dans le cas étudié ici, l’opérateur d’interac
tion est donné par l’expression (52.14), la fréquence co (0) est égale
à — 2z h« ] T ês f°ncU°ns A (0, co) et y (0, co) sont les parties
réelle et imaginaire de l’opérateur de masse M (fc, co) pour k nul.
Dans l’approximation à un phonon, l’opérateur de masse est (voir
(48.12a))
M ( o, w ) =h~4 “- S l ^ ( q ) l 4L - co— i- ^ -------+ —--------2~
— co (q) — Q q (q)
z — 1-
co — co (q) + Qo (q) J
CD= co + iT], (52.25)

où
► (q) = V I M h la ,/- (q) - ° e/“ (q)1‘ (52’25a)

Limitons-nous aux processus de diffusion à l’intérieur de la première
bande excitonique. La forme explicite de la dépendance A (co)
en fonction de la fréquence co et de la température est déterminée
par un grand nombre de paramètres: rac, m/, e0, <Tr, o*, M!v et par
le spectre de phonons Q (q). La fonction A (co) a été calculée par
» 52) INTERACTION DANS LES CRISTAUX IONIQUES 439
Toyozawa [176, 177], Fedosséev, Hizhnjak [345] pour quelques va

leurs de ces paramètres.
Si le bord inférieur de la bande excitonique correspond à la va
leur k = 0, pour de petites valeurs du paramètre de liaison sans
dimension (g<^ 1) et Pour des températures élevées, la forme de la
raie A (w) est une courbe lorentzienne asymétrique (plus étalée
du côté des fréquences élevées). Cette asymétrie correspond à des
transitions indirectes dans des états excitoniques à k ^ O . Pour
des températures basses (0 mcl), le spectre d’absorption est cons
titué (voir [345]) d’une raie de résonance fine sans phonon et d’une
aile phononique du côté des fréquences élevées. La largeur de la raie
de résonance diminue avec la température en suivant une loi ex
ponentielle (lorsque l’on ne tient compte que des processus à un
phonon).
52.2. Interaction des excitons avec les phonons optiques. L’inter
action des excitons de Wannier-Mott avec des phonons optiques
longitudinaux dans les cristaux ioniques diffère notablement de
l’interaction correspondante des excitons de Frenkel dans les cristaux
moléculaires. Dans les cristaux moléculaires les phonons optiques
sont dus aux rotations gênées des molécules anisotropes neutres.
Dans les cristaux ioniques, les phonons optiques correspondent au
déplacement relatif des ions positifs et négatifs.
L’interaction des excitons avec les phonons optiques est carac
térisée par l’opérateur (52.5) avec la valeur
F0 = w;0) (q) eiqr*— wl0) (q) eiq\ (52.26)
Seuls les phonons longitudinaux sont concernés par l’interaction.
Négligeons leur dispersion (Q0 (q) = Q0). Conformément à (36.12),
nous avons
< ’ (q) = ^ #)( q ) = - l / "J, (52.27)
où v est le volume de la maille élémentaire; -i- = ------ —.

£ Coo Ko
L’opérateur d’interaction des excitons avec les phonons optiques
dans la représentation des nombres d’occupation des états excitoni
ques | k, X) est
tf,nt= I'!‘I ^°1U q ) 5 î+q.x15 k.).(feq+ fci,), (52.28)
k. q k t . k
OÙ
A°j.(q) = Ÿ r 2nh~ta° | q | [A?fc(q) - / & (q)]- (52.29)
Les grandeurs I \ xx (q) figurant entre crochets sont définies par
les expressions (52.16). Lorsque les masses effectives des électrons
et des trous sont égales, qe = q* et la fonction d’interaction (52.29)

est nulle *). D’habitude dans les cristaux ioniques, la masse effective
du trou est beaucoup plus grande que la masse effective de l’électron.
Par exemple dans le cristal de CdS leur rapport est supérieur à
sept [1681. Dans ces cristaux, l’interaction exciton-phonon est
forte et on ne peut l’étudier par la méthode des perturbations.
Si le rayon de l’exciton est assez grand, l’interaction de l’électron
et du trou avec les ions du réseau conduit avant tout à une polarisa
tion du cristal. Chaque particule peut être considérée comme entourée
d’un champ de polarisation. Cet effet a pour résultat d’augmenter
leur masse effective (voir §§ 35, 36) et de modifier l’interaction effec
tive entre l’électron et le trou. L’électron et le trou au repos intera
gissent conformément à la loi de Coulomb — —, où e0 est la per-
eor
mittivité statique du cristal. Lorsque l’électron et le trou sont
proches l’un de l’autre, ils se déplacent à grande vitesse, et les ions
lourds ne peuvent suivre leur mouvement. Dans ce cas leur interaction
est donnée par la l o i ------—,
Coor où e» est la permittivité à haute fré-
quence. En fin de compte l’interaction effective exacte de l’électron
et du trou a une variation complexe en fonction de la distance.
Cette dépendance a été trouvée par Haken [346, 347]:
— £ — 5 - ( - è — 5 -) l “ p ( - - r ) + “ p ( - T r ) ] " <52'30)
où
— 2m,Qopt ’ t==c’ *»
Qopt est la fréquence des vibrations optiques longitudinales. Fédos-
séev [348] a montré que l’interaction de l’électron et du trou avec
les vibrations de polarisation du réseau conduisent à la levée de
dégénérescence des niveaux excitoniques par rapport au moment
orbital et au nombre quantique magnétique.
En plus de cette levée de dégénérescence, de la variation de l’é
nergie de l’état interne dus au potentiel effectif (52.30) (ces varia
tions sont surtout sensibles dans l’état ns, lorsque l’électron et le
trou sont proches), l’interaction exciton-phonon raccourcit la durée
de vie de l’exciton et modifie son mouvement.
Dans l’opérateur d’interaction des excitons avec les phonons
optiques longitudinaux Qopt, nous tiendrons compte seulement
de la bande excitonique d’énergie la plus basse, et nous utiliserons
les valeurs approchées (52.17) des éléments matriciels (q). Lors-
*) Cependant Toyozawa [176, 177] a montré que dans ce cas aussi la dif
fusion de l ’exciton sur les phonons fait intervenir une variation de Tétât interne
de Texciton.
§ 53] MÉTHODE DES MOMENTS DANS LA THÉORIE D’ABSORPTION 44î
que gaex < 1,

mt = S f 0 (q) ( 6 ,+ 6+
_q), (52.31)
k. q
OU
ô(q) = aô^(7» (52.32)

a est la constante de réseau,
(52.32a)
V ^ re/iOo*2
est un paramètre sans dimension, caractérisant la liaison des exci
tons de Wannier-Mott avec les phonons optiques longitudinaux.
La fonction (52.32) est proportionnelle au vecteur d’onde des phonons,
contrairement à la fonction (47.23) caractérisant les interactions
des phonons optiques avec les excitons de Frenkel (pour les petits
q cette fonction est indépendante de q).
L’action de l’opérateur (52.31) sur la forme des spectres d’ab
sorption à été étudiée par Toyozawa [176, 1771, Moskalenko et coll.
[3491 et autres. L’interaction des excitons avec les phonons optiques
(à basse température, pour des excitons de masse effective positive)
modifie peu la forme de la raie de résonance. Cependant cette interac
tion fait apparaître de nouvelles raies dues à la formation simultanée
d’un exciton et de un ou plusieurs phonons.
Pour un exciton de masse effective négative, cette interaction
conduit à un notable élargissement de la raie de résonance même
à très basse température [3491.
§ 53. La méthode des moments dans la théorie

de l'absorption de la lumière dans les cristaux
Comme nous l’avons remarqué, l’interaction des excitons avec
les phonons détermine la forme de la raie d’absorption des cristaux.
La détermination théorique de la forme des raies d’absorption
excitoniques n’a pour l’instant été obtenue que pour des modèles
simples dans les cas limites d’une liaison faible (voir § 48) ou d’une
liaison forte (voir § 49) des excitons et des phonons. Cependant,
pour des températures pas trop basses, lorsque les effets de la dis
persion spatiale ne sont pas encore notables (voir chap. XI), on
peut obtenir par des méthodes relativement simples quelques carac
téristiques intégrales du spectre d’absorption: les moments de la
courbe d'absorption. La confrontation des résultats théoriques et
expérimentaux permet d’obtenir dans ce cas des informations es
sentielles sur l’interaction exciton-phonon.
Le facteur d’absorption vraie de la lumière K (Q, (o) caractérise
la diminution relative de l'énergie lumineuse par unité de volume
dans l’unité de temps. D’après (42.6) il s’exprime en fonction de

la partie imaginaire de la permittivité
K (Q, ©) = <d Im e (Q, co). (53.1)
Au § 46 nous avons montré que la partie imaginaire de la per
m ittivité due à une bande excitonique isolée était donnée par l’ex
pression
e(Q, û>) = e0— — G(Q, 5), (53.2)
valable dans un cristal isotrope. Ici e0 est la permittivité due aux
autres excitations électroniques ;
+*>
G(Q, w) = | j G (Q, t ) e i S t d t (53.3)
—oo
est la transformée de Fourier de la fonction de Green retardée des
excitons; o> = <o + iq. Dans l’approximation de la température
excitonique nulle (c’est-à-dire lorsque l’énergie des excitons est
très supérieure à l’énergie d’agitation thermique moyenne) la fonc
tion de Green, conformément à (48.3), est égale à
G (Q, t) = - Î0 ( t ) <0 | (ÔQ( t ) , Bq (0)] | 0), (53.4)
le trait indique que l’on prend la moyenne sur tous les états phono
niques à la température T ;
est l’opérateur d’annihilation des excitons dans l’état Q, dans la

représentation d’Heisenberg; H est l’hamiltonien total du systè
me.
Dans (53.4), développons le commutateur. On s’aperçoit facile
ment que
G (Q, t) = - ie (t) S (Q, t), (53.5)
où 0 (/) est la fonction en escalier égale à l’unité pour 0, et
égale à zéro pour t < 0 ;
S (Q, t) - { 0 \B Q(t)B+Q (0)| 0) (53.6)
est la fonction de corrélation temporelle des opérateurs excitoniques.
La transformée de Fourier S (Q, o>) de la fonction de corrélation
(53.6) est définie par l’expression
oo
S(Q, = J S w» G )*-iQ'dQ- (53.7)

§ .r>3] M E T H O D E D ES M O M E N TS D A N S L A T H É O R IE D ’A B S O R P T IO N 443
Substituons la fonction de Green (53.5) dans l’expression (53.3).

Compte tenu de (53.7) nous obtenons
C(Q. 5) = è î ■ <53-8>
— 00
Cette fonction est appelée représentation spectrale de la jonction de

Green retardée des excitons (dans l’approximation de la température
excitonique nulle). Utilisons l’identité (x + n i ) " 1 = 5 * - - — î j i ô (a:) ;
nous pouvons transformer l’égalité (53.8) :
Im G (Q, w ) = - y 5 (Q, w). (53.9)
Les égalités (53.1), (53.2) et (53.9) permettent d’exprimer le facteur

d’absorption vraie de la lumière
~ 2o/d*
K (Q, (û) =(o Im e (Q, u) = —— S (Q, to)
directement en fonction de la transformée de Fourier de la fonction
de corrélation temporelle des excitons.
La permittivité 8 (Q, co) détermine (par l’intermédiaire des
équations de Maxwell) les lois de la transmission de la lumière
de fréquence (o par le cristal. Nous montrerons au § 56 que, dans
le cas d’une lumière tombant perpendiculairement au cristal, deux
ondes planes normales de facteurs d’absorption x/ et d’indices de
réfraction nt différents se propagent dans le milieu cristallin. Ce
pendant, lorsque
| v „ | / 2< c ^ v 2 (53.10)
l’une des deux ondes seulement possède une amplitude impor
tante et un coefficient d’amortissement faible. Le facteur d’absorp
tion x et l’indice de réfraction n de cette onde sont définis par l’éga
lité
[n (<o) + ix (<*>)]2 = e (Qr, <d),
où le vecteur d’onde Qr peut être trouvé en égalisant l’énergie de
l’exciton E (Qr) et l’énergie du photon HcQr/Ÿê0 dans le cristal
£ (Q r) = Æc|Qr | / / ^ .
Dans l’inégalité (53.10) la grandeur y caractérise l’inverse de la
durée de vie de l’exciton ; v0 = AQr/m* est la vitesse de l’exciton
de vecteur d’onde Qr et de masse effective m * ; f2 = 4ne2mF!u
est un coefficient caractérisant l’interaction exciton-photon. Dans
cette égalité e et m sont la charge et la masse de l’électron; u le
volume de la maille élémentaire du cristal ; F la force d’oscillateur

de la transition quantique vers l’état excitonique.
La grandeur y augmente avec la température, c’est pourquoi
pour des températures supérieures à une certaine température « cri -
tique », l’inégalité (53.10) est satisfaite. Dans des cristaux très
purs et parfaits de sulfure de cadmium, la température « critique »
est de l’ordre de 40 à 50 K et dans les cristaux d’anthracène la tem
pérature « critique » est de l’ordre de 20 à 30 K. En présence d’im
puretés ou de défauts du réseau cristallin, la température critique
s’abaisse.
La méthode des moments développée plus bas ne s’applique
qu’aux températures supérieures à la température « critique ».
Dans toutes les expressions données ci-dessous, qui déterminent
le facteur d’absorption vraie de la lumière K (Q, co), la valeur
du vecteur d’onde Q sera prise égale à Qr. Dans l’ultraviolet et
le visible Qra ^ 1- Pour simplifier, nous omettrons l’indice r.
La fonction de corrélation temporelle (53.7) peut être développée
en série infinie
71—0
oo
= 2 - — -J M Q )- (53.11)
n—0 nl
En différentiant (53.7) par rapport au temps, nous obtenons les
coefficients du développement
+ 00
Af*(Q) —-sî j ©nS(Q, <ù)dco. (53.12)
—oo
Les grandeurs Mn sont appelées les moments de la courbe d'absorption
S (Q» <*>). La fonction de corrélation S (Q, t) est parfois appelée
fonction caractéristique de la courbe d’absorption.
D’après (53.12), la surface située sous la courbe d’absorption
vraie (pour une valeur fixée de Q) est définie par l’expression
&C (Q) = j K (Q, co) d© = -J- 4jmd/ d2M 0 (Q), (53.13)
OÙ
+ oo
Mo (Q) = ^ j 5 (Q, co) dco = [S (Q, t) = 1 (53.13a)
—oo
est le moment d'ordre zéro de la courbe d'absorption.
Dans l’approximation utilisée, le moment d’ordre zéro ne dé
pend pas de la température du cristal ; il est toujours égal à l’unité.
$ 53] MÉTHODE DES MOMENTS DANS LA THÉORIE D’ABSORPTION 445
Cette conclusion importante est valable tant que les processus de

relaxation sont assez intenses, à l’exclusion des transformations
réciproques exciton-photon (voir § 57.2). Bien que ces processus
ne soient pas pris en compte dans l’expression (53.2), ils sont tou
jours sous-entendus lorsque l’on étudie l’interaction de la lumière
avec le cristal au premier ordre de la théorie des perturbations.
Si la fonction S (Q, e>) est normée de sorte que M 0 (Q) = 1,
le moment du premier ordre
+ oo
M x (Q) = j (ùS (Q, (o) diù = (D0
—oo
définira le « centre de gravité » de la courbe d’absorption.

On calcule souvent les moments de la courbe d’absorption par
rapport au centre de gravité co0 en utilisant l’égalité
(Q) = j (tû — (!>o)n S (Q, w)d(ù.
Dans ce cas la fonction caractéristique de la courbe d’absorption

devient
00
s (Q, 0 = 2 ■— — (Q) = «*••*$ (Q, 0 , (53.14)
n—0
où S (Q, t) est la fonction de corrélation (53.6). Ainsi les moments
de la courbe d’absorption par rapport au centre de gravité {moments
centrés) sont définis par différentiation simple de la fonction caracté
ristique (53.14)
^ n (Q) = [ ( i - | - ) ” 5(Q , (53.15)
On peut trouver le centre de gravité co0 par la condition
M t (Q) = 0. (53.16)
Etudions les premiers moments centrés de fonctions S (Q, co)
simples. Supposons que S (Q, co) coïncide avec une courbe de Gauss
S ( Q, ®) = 5 , ( w) = T ^ e x p [ - i î ^ l ] . (53.17)
Dans ce cas M 0 = 1, Mx = 0. Le second moment

oo
(Q) = j (û>— û)0)2 Sg (<o) dw = T2.
La demi-largeur de Sg (o), définie par la condition

5 1j(©o + A) = 4 - 5 g(w0) ,
est égale à A = T ^ 2 1 n 2 . Tous les moments impairs Mn sont nuis
et tous les moments pairs s'expriment en fonction du seul paramètre
T. Par exemple, M k = 3T4. Ainsi,
(M ktM $ g = 3. (53.18)
Prenons pour deuxième exemple simple une « courbe lorentzien-
ne coupée »
S (Q, w) = Si (co) = | (co— p0ur \ <a~ (ùo \< L , (5319>

l 0 pour | co— o)0 | > L ,
où L T. Tous les moments impairs de la fonction (53.19) sont
nuis. Les premiers moments pairs sont égaux respectivement à
M 0= i , Âf." « —
JT
TL, M k« —
ÔJl
TL3.
Ainsi,
Comparons (53.15) et (53.20). On voit que ces rapports diffèrent

beaucoup pour les courtes gaussienne et lorentzienne.
I a fonction totale S (Q, /) est définie par la donnée de tous
les moments, en utilisarA la formule (53.14). C’est pourquoi les
résultats expérimentaux concernant les premiers moments donnent
des informations insuffisantes sur la fonction S (Q, co). Or le calcul
théorique de S (Q, co) ou de la fonction de corrélation S (Q, /) est
trop complexe. Le calcul des premiers moments M n (Q) de la courbe
d’absorption est beaucoup plus simple. Ces calculs permettent une
comparaison plus efficace de la théorie et de l’expérience et donnent
des informations importantes sur l’interaction exciton-phonon et
les propriétés des excitations électroniques correspondantes. Ainsi
par exemple la mesure du moment d’ordre zéro (de la surface déli
mitée par la courbe d’absorption) est largement utilisée par les
expérimentateurs pour déterminer la force d’oscillateur de la tran
sition quantique dans l’état électronique excité. Nous montrerons
plus loin (voir § 57.2) qu’à très basse température, dans des conditions
où les processus de relaxation excitonique sont peu importants,
la comparaison des données théoriques et expérimentales conduit
à des conclusions erronées. Cependant dans les limites de validité
de la théorie des moments (effets négligeables de la dispersion spa
tiale — états excités localisés ou états excitoniques à relaxation
§ 53] MÉTHODE DES MOMENTS DANS LA THÉORIE D’ABSORPTION 447
importante (voir § 57)) la comparaison des études expérimentales

et théoriques est très utile.
La méthode des moments a été appliquée avec beaucoup de
succès à l’absorption de la lumière par des centres d’impureté (exci
tations localisées) [350 à 3521. Cette méthode a été utilisée par
Dzub [353], Merrifield [354], Morris et Sieats [355, 3561, Nitsovitch
[357, 358] et autres, en absorption.
D’après (53.15) les premiers moments de la courbe d’absorption
peuvent être obtenus en calculant directement les dérivées corres
pondantes par rapport au temps de la fonction de corrélation (53.14).
Ce travail est beaucoup plus facile, comme nous allons le voir,
que le calcul de la fonction de corrélation elle-même.
Calculons les moments pour un système quantique très simple.
Supposons que le cristal soit décrit par l’hamiltonien
(k) B tB k + 2 f&s (q) b;qb,q +
k s, q
+ "3V" 2 q) Æk+qZ?kq)«q» (53.21)

«. q. k
OÙ
q) = F?(k + q, —q), <P*q= &5q + # .-q ,
û) (k) sont les fréquences des excitons de vecteur d’onde k : £2, (q)
les fréquences de la branche de phonons s et de vecteur d’onde q.
Dans la représentation d’Heisenberg, la variation des opérateurs
excitoniques Bk et phononiques b^ du système décrit par l’hamilto
nien (53.21) est donnée par les équations
dB%. a __
i s r = ® (k) B * + Y 7 F 2 F t(k’ q) B*+**«' (53‘22)

' 1 ». q
1 y r =Çî* (*> b« + T 7 T 2 F' {k’ ~ q) • (53-23)

* k
i (q) K 2 F*(k* - q ) ( 53-24)
Utilisons (53.15) et (53.22) pour déterminer le premier moment

de la courbe
(Q) = [ i - |- 5 ( Q , = - o) + o)Q. (53.25)
En annulant le moment du premier ordre, on s’aperçoit que le centre
de gravité de la courbe d’absorption du système avec l’hamiltonien
(53.21) ne contenant dans l’opérateur d’interaction excitons-phonons
que des termes linéaires par rapport aux opérateurs phononiques,
•coïncide avec la fréquence de résonance coq et ne dépend pas de

Fs (k, q) et de la température du cristal.
On peut montrer que les moments d’ordre supérieur dépendent
de la température. Ainsi, en utilisant les équations du mouvement
(53.22) à (53.24), nous trouvons les trois moments suivants différents
de zéro [357, 3581 :
# .(Q ) = ~ à r S I F>(Q* <I) I2 (l + 2^q). (53.26)

*. q
M 3 (Q) = ^ i - 2 l^«(Q . q) l2{(“ Q+q — *>Q](l + 2vjq) + Qa(q)}t
*’ q (53.27)
ji74( 0 ) = 3 Â f * + - j l i- 2 I M Q . q) l 2 x
a. q
X {[^Q+q — û)q + Q s (q)]2 (1 + Vaq) +
+ [<ûQ+q— (ùq —Qa (q))2vsq}, (53.28)
où
Si les excitons interagissent seulement avec une branche optique

de vibration de réseau sans dispersion £2opt (q) = Q0, d’après (53.26)
et (53.27)
^ 2.o p t(Q ) = -1^ 2 | / ’o (Q . q ) I2.

q
I M Q , q) l2((ùq+Q — (ûq)
Qo_
M 3, 0pt (Q) — M 2, opt (Q).
Slô(Q. q) I* l + 2v0
Les calculs des moments (53.26) à (53.28) ont été réalisés par
Nitsovitch [358] pour un modèle cristallin simple. Etudions un
cristal cubique optiquement isotrope, contenant une molécule par
maille élémentaire, de constante de réseau a. Dans les régions visible
et ultraviolette du spectre, on a l’inégalité Qa<^ 1 , et on peut poser
dans le calcul Q = 0. Dans l’approximation de la masse effective
excitonique, la fréquence des excitons est
» , Lk2a2 om
“ k = w0+ ^ r = + . (o3.29)
où m* — ~2Laim' l^ lest la largeur énergétique de la bande excitonique.

Etudions l’interaction des excitons avec une branche optique de
§ 53] MÉTHODE DES MOMENTS DANS LA THÉORIE D’ABSORPTION 449
vibrations sans dispersion £2opt (q) = £20 et une branche acoustique

Qac (q) = | qa | QD/n, où QD est la fréquence de Debye.
Les fonctions d’interaction exciton-phonon F8 (0, q) seront
choisies de la manière suivante (voir § 47) :
l^ o Pt(0, q ) | (53. 30)
l^ .c (0 , q ) | 2« | q a | F*. (53.31)
Passons de la sommation sur les nombres d’onde des phonons à
l’intégration en utilisant l’égalité
ji
—ÿ- 2 • • • = 2ji2 J . . . y2 dy j y = qdy
q -a
nous obtenons les moments de la courbe d’absorption, définis par
l’interaction avec la branche optique de vibrations,
^ 2 . o p t « ^ ( l + 2v0), (53.32)
3. opt « 2 g - [ (1 + 2v0) ± + 4 Qo]. (53.33)

Utilisons les valeurs approchées du nombre de phonons
1+2 exp ( — j - ) pour P = - ^ - < Q 0.
l + 2v0= coth-^- (53.34)
' . l o + f n i»” ! » 0 -
Pour des températures élevées (P > £20) le deuxième moment aug
mente proportionnellement à la température. Pour des températures
basses (p < Q0) il tend vers une valeur constante lorsque la tem
pérature diminue.
La variation en température du moment d’ordre trois, caracté
risant l’asymétrie de la courbe d’absorption, dépend du signe de
la masse effective de l’exciton. Pour une masse effective positive,
L > 0, le moment d’ordre trois est toujours positif, c’est-à-dire
que l’aile située du côté des grandes fréquences est plus développée.
Lorsque la température augmente, l’asymétrie augmente beaucoup
en particulier pour les cristaux à bande excitonique large (L £20).
Pour des bandes d’absorption correspondant à des excitons
de masse effective négative, le signe du moment d’ordre trois dépend
du rapport L/£20 et de la température. Pour des bandes excitoniques
très étroites l’asymétrie de la courbe est toujours positive et dépend
très peu de la température. Pour L/Q0 1 l’asymétrie de la courbe
est négative et dépend fortement de la température. Pour L ~ Q0,
le moment d’ordre trois peut changer de signe, passant, lorsque
la température augmente, des valeurs positives aux valeurs néga
tives.
2 9 -0 5 3 4
Dans le modèle considéré, les expressions (53.28) et (53.32)

permettent d’écrire
M J M ltt 3+<D , (53.35)
où
9L* i~ À , 7 h * Q l , 14h Q 0
<D: 1 (53.36)
7n(l + v ,) ^ iî t 3L2 *v0)L J ’
(l + 2v0)
Comparons (53.35) avec les rapports (53.18) et (53.20) obtenus
précédemment pour les courbes gaussienne et lorentzienne. On con
clut que lorsque O -C l, la forme de la raie se rapproche d’une forme
gaussienne. Cette condition est favorisée par les hautes températures,
où la bande excitonique est étroite et la constante d’interaction
exciton-phonon élevée. Cette condition peut s’écrire
L2 « h2(1 + 2v0)JFJ et Qî « Pf*. (53.37)
Le calcul des premiers moments de la courbe d’absorption cor
respondant aux interactions de l’exciton avec la branche de vibration
acoustique est plus complexe. Dans l’approximation (53.31), Ni-
tsovitch [358] obtient les valeurs suivantes:
12
A/o a c « pour P < Q d, (53.38)
JL Jpour P > Q d,
le
M 3, ac » 35
[- ^ -Z + £ 2 d] pour p > Q n. (53.39)
Etudions à présent un système dans lequel l’hamiltonien d’in
teraction des excitons avec une branche de phonons optiques Qopt (q)
est quadratique par rapport aux opérateurs des phonons:
ffint = ~ 2 2 ^ 2) ^îi+qt+q.^kÇqiÇq,» (53.40)
k q,. q»
OÙ
<pq = + 61q.
Egalons à zéro le moment d’ordre un

m 1= — <ù0+ 2 (q. —q) [ i+ 2 v q] + ©q.
q
Nous obtenons ainsi la position du centre de gravité de la courbe
d’absorption
©0 =<»Q + - 7 ^ î - S (H -2 v q)<D(q, — q) (53.41)
§ 53] M É T H O D E D E S M O M E N T S D A N S L A T H É O R IE D ’A B S O R P T IO N 451
En particulier en l’absence de dispersion

0)0= © Q + -ii^ 2 _ 2<î>(q, —q). (53.41a)
Dans le modèle d’interaction exciton-phonon décrit par l’hamil

tonien (53.40), la position du centre de gravité de la courbe d’ab
sorption vraie dépend de la température. Pour des températures
kT > AQq, cette variation est linéaire. Le signe du déplacement
du centre de gravité est défini par le signe de 2 ^ ( —q)-
q
Le moment du deuxième ordre de la courbe d’absorption vraie
2 l« > (q i, q2) l 2( l + v q, ) ( l + v q,)
M 2= 2 ( h Ny ■
q«. qs
augmente toujours avec la température. En particulier, lorsque
la dispersion des branches optiques est négligeable, sa variation
en fonction de la température s’exprime par les formules simples
«-'JÜ ^ i( l + 4 M | , ( - T ) pour P = — <£3o.

| l (2p/Q0)2 pour P > f i „
OU
a s 2 (ftjV )-* S q 8) l2 > 0 .

q>. q*
Par conséquent, pour p > Q0, la variation du deuxième moment
est proportionnelle au carré de la température.
En conclusion de ce paragraphe, étudions l’influence des transi
tions indirectes sur la variation des moments de la courbe d’ab
sorption en fonction de la température. Pour des transitions indirectes,
l’absorption d’un photon s’accompagne de l’émission simultanée
d’un exciton et d’un phonon. Dans ce cas l’interaction du champ
électromagnétique transversal extérieur avec un cristal optiquement
isotrope à une bande excitonique isolée est décrite par l’hamiltonien
ffin t= 2 0 (O )Y Q { £ Q -iM +
\ 2 L (q) [-®Q+q — -®-Q-ql *P«q}» (53.42)

y •. q
ou
*P*q —^sq “f“ -q*
Les valeurs yq et D (Q) sont définies par les expressions (48.23)
et (48.30). La fonction f 8 (q) = (—q) est proportionnelle à
l’amplitude de vibration de zéro correspondant aux phonons de
fréquence £2, (q) de la branche 5 impliqués dans les transitions in

directes.
La fonction caractéristique de la courbe d’absorption s’écrit
maintenant
S (Q, t) = «*•.« [ (0 | Bq (t) Bq (0) 10) + 4 - 3 2 («h) /?. (q*) X
*»• *ln Ql
X (0 I BQ+q, (t) <p:,q, (it) Z^+q, (0) <p„qi (0) I 0) J . (53.43)
Négligeons les effets dus à la diffusion inélastique des excitons
sur les phonons. Nous obtenons les premiers moments de la courbe
d’absorption
^ 0 = 1 + 4 - S I /. (q) I2 (1 + 2vsq), (53.44)
*. q
M 1= ((ùq — (ù0) M 0+ - jr y i I /,(q ) |2 X
«. q __
X [(tûQ+q—o)Q) (1- f -v ^ + Q , (q)]. (53.45)
L’expression (53.44) montre que la surface située sous la courbe
d’absorption (due aux transitions indirectes) augmente avec la
température, à cause de l’importance croissante des transitions
indirectes. Nous montrerons au § 57 que pour des températures
inférieures à la température « critique », la surface embrassée par
la courbe d’absorption diminue lorsque la température diminue.
Dans le domaine de températures supérieures à la température
« critique », la surface reste constante jusqu’à ce que le rôle des transi
tions indirectes devienne important.
D’après (53.45) le centre de gravité de la courbe d’absorption
4 * S 1f* (q) |S KwQ+q-wQ) d+2vjq)+Q» (q)]
<û0 = 0 )Q
q_______________________________
1+ 4 ’ S IM «l)l2( l + 2~.q)
•%q
dépend aussi de la température ; cependant cette variation n’est
pas linéaire pour P > £2, (q).
Nous avons vu, dans les modèles simples considérés plus haut,
que les différences de comportement de la courbe d’absorption en
fonction de la température apparaissait dès les premiers moments.
Les études expérimentales de la dépendance en température des
bandes d’absorption vraie de la lumière (Im c (Q, (o)) et la comparai
son de ses caractéristiques intégrées avec les calculs théoriques
des moments peuvent donc donner un certain nombre d’informations
sur l’interaction des excitons avec les photons et les phonons dans
différents cristaux.
CHAPITRE XI
DISPERSION SPATIALE ET TRANSMISSION

DE LA LUMIERE PAR UN CRISTAL
§ 54. Pennittivité d’un cristal

Soit un cristal soumis à une onde électromagnétique extérieure
E (r, t) = E0 exp [i (kr — <ùt)] (54.1)
de faible amplitude, de fréquence réelle co et de vecteur d’onde
k, dans l’approximation des grandes longueurs d’onde (ka 1).
Nous avons montré dans le chapitre X que la réponse linéaire du
cristal était décrite par le tenseur de permittivité e (co, k). Pour
un cristal optiquement isotrope, ce tenseur devient un scalaire.
Au voisinage d’une bande d’excitation électronique à caractère
dipolaire électrique et de fréquence £2 (k) *), il revêt la forme
e(co, k) = e0 l a + t y ^ f —ü* (k) •$4.2)
où €0 représente la partie de la permittivité imputable à tous les
autres états électroniques sauf Q (k) ; y (<d) est une fonction de la
fréquence et de la température caractérisant la relaxation des états
électroniques excités (excitons) ; cette relaxation est déterminée
par l’interaction de ces états avec le système phononique dissipatif ;
f = 4jte'FImv (54.3)
est un paramètre homogène au carré d’une fréquence et exprimant
la relation entre photons et excitons; F est la force d’oscillateur
dans l’état excité; e, m sont la charge et la masse de l’électron;
v est le volume de la maille élémentaire du cristal. Il est parfois
plus commode d’exprimer f 2 en fonction de Q/j et Q0, qui sont les
limites lorsque k tend vers 0 des fréquences longitudinale et trans
versale des excitons:
f = e0 (Qft - QJ). (54.3a)
Pour illustrer les différentes valeurs possibles de indiquons
que dans le cristal d’anthracène la grandeur (J/2jic)2est de 2 • 107 cm"2,
et dans le cristal de CdS d’environ 10® cm"2.
*) Pour déterminer la dépendance Q en fonction du vecteur d’onde, il
convient de tenir compte exclusivement des interactions coulombiennes non
retardées entre les charges du cristal.
454 DISPERSION ET TRANSMISSION DE LA LUMIÈRE [CH. XI
Les variables a) et k, dont dépend le tenseur e (<o, k), sont réelles

et indépendantes. La permittivité (54.2), lorsqu’elle est exprimée
en fonction de <o, est appelée dispersion temporelle, tandis que sa
dépendance en k correspond à la dispersion spatiale. La dispersion
spatiale résulte du caractère collectif des excitations électroni
ques du cristal. Celles-ci sont caractérisées par la largeur énergétique
de la bande excitonique
L = h [max £2 (k) — min Q (k)].
Au voisinage d’une transition quadrupolaire électronique, ou
dipolaire magnétique (dans un cristal optiquement isotrope), dont
la probabilité est proportionnelle à k2, la permittivité devient
*<«• k> = * < - 1 0 , + ^ - a - o , ) • <M -4>

où g est un paramètre caractérisant l’intensité des interactions.
Dans ce cas, une excitation localisée donne lieu elle aussi à une
dispersion spatiale.
Le tenseur de permittivité 8 (©, k) caractérise macroscopique
ment un cristal non magnétique. Il relie les transformées de Fourier
D (co, k) du vecteur induction électrique à celles du champ électrique
E (co, k) du rayonnement électromagnétique de grande longueur
d’onde
D ( g), k ) = e ( g>, k ) E ( g>, k ). (54.5)
Conformément aux équations de Maxwell le vecteur induction
D (r, t) du rayonnement considéré et le champ électrique E (r, t)
vérifient l’égalité
D (r, t) = E (r, t) + 4nP (r, t), (54.6)
où P (r, t) est la polarisation électrique induite par le champ E (r, t)
dans l’unité de volume du cristal. Pour un champ extérieur variable
dans le temps, par suite du retard des interactions, la polarisation
P (r, t) dépend des valeurs prises par le champ E à tous les instants
antérieurs. De même, à un instant donné, à cause du caractère col
lectif de l’excitation, la polarisation dépend des valeurs prises
par le champ dans un certain volume entourant le point r. Dans
l’approximation linéaire cette relation peut être écrite sous la forme
oo
D (r, *) = E (r, < ) + j d3pS (p, t ; r) E (t— x, r + p ) , (54.7)

0 C T > |p |
où S (p, t ; r) est un tenseur réel de rang 2. Sa dépendance en p

traduit le caractère non localisé de la relation (54.7). Conformé
ment au principe de causalité et à la vitesse finie des interactions
(le front avant se déplace toujours à la vitesse de la lumière c),
PERMITTIVITÉ D'UN CRISTAL 455
l’intégration sur p dans (54.7) doit s’effectuer dans la région du cône

de lumière constituant le passé absolu. D’autre part, pour un milieu
illimité spatialement homogène, le tenseur S (p, t ; r) ne dépend
pas de r.
Posons S (p , t ; r) = S (p, x) et prenons la transformée de Fou-
rier de la relation (54.7). En comparant à (54.5) nous trouvons l’ex
pression du tenseur de permittivité
oo
e(o), k) = l + f dx [ <PpS ( p , t) exp [i (kp + wt)]. (54.8)
Ô C T > |p |
Pour des excitations électroniques localisées

S (p , t ) = S ( t ) ô (p ),
et (54.8) prend la forme
OO
e (co) = 1 + j dxS (x) eiû)T. (54.8a)
o
Dans ce cas il n’y a pas de dispersion spatiale.
Dans le cas général le tenseur de permittivité (54.8) est une
fonction analytique complexe du vecteur complexe k et de la variable
complexe (o, celle-ci devant être située dans le demi-plan supérieur
(Im co ^ 0) [312, 401. Ainsi la fonction e (cot k) ne possède ni pôles,
ni zéros dans le demi-plan supérieur de la variable complexe co.
Par suite les expressions de e (co, k) obtenues sur la base de théories
microscopiques pour des valeurs réelles de co et de k peuvent être
analytiquement élargies à des valeurs complexes de ces grandeurs.
Pour des valeurs de k réelles, les pôles de la permittivité seront
obligatoirement situés dans le demi-plan inférieur de la variable
complexe co.
Pour simplifier, nous considérerons par la suite uniquement des
cristaux optiquement isotropes pour lesquels le tenseur e (co, k)
se réduit à un scalaire.
Pour des k réels, les expressions (54.2) et (54.4) de la permittivité
ont un pôle unique dans le demi-plan complexe inférieur co :
co (k) = co' (k) + ico* (k) = Q (k) — iy (Q (k)).
La partie réelle co' (k) = £2 (k) correspond à la fréquence des excitons
et la partie imaginaire — co* (k) = y (£2k) à leur amortissement
au cours du temps. D’une manière générale, les pôles coj (k) = coJ (k) -f-
+ icoj (k) de la permittivité e (co, k) (les zéros de la fonction e ^ c o ^ ))
déterminent pour des k réels des excitations élémentaires dont
la dispersion est coJ (k) et l’amortissement — coï (k) > 0.
Si nous écrivons l’égalité (54.5) sous la forme
E (co, k) = e”1 (co, k) D (co, k),
on constate que les pôles du tenseur e (co, k) pour un k réel corres

pondent à des excitations élémentaires du cristal dont le champ
électrique transversal E (co, k) est nul (si D =5*= 0). Ce sont des
excitons. Les interactions électromagnétiques qui ne donnent pas
naissance à un champ électromagnétique transversal sont coulombien
nes. Par suite les états excitoniques correspondent à des excitations
décrites par des interactions coulombiennes entre les différentes
charges du cristal.
L’équation e (co, k) = 0, pour un k réelT définit des excitations
élémentaires du cristal appelées excitons longitudinaux, car dans
ces états le champ électrique est parallèle au vecteur d’onde. En
effet, si, dans l’égalité
D = eE = E + 4jiP,
e = 0, le vecteur P est opposé à E et D = 0.
Le champ électromagnétique macroscopique (de grande longueur
d’onde) est déterminé par les équations de Maxwell, dans lesquelles
interviennent des courants étrangers j (r, t). Pour les transformées
de Fourier du potentiel vecteur
A (r, t) = j d(ù j d3kA (co, k) exp [i (kr— co*)] (54.9)
et des courants étrangers
j (r, t) = j d(ù j d3kj (co, k) exp [i (kr — co*)! (54.9a)
ces équations sont dans un cristal isotrope :
[k * — 5 -e (© ,k )]A (® , k ) = i5 - j( ® ,k ) . (54.10)
La solution générale de l’équation (54.10) est
A (co, k) Aforcé (^» 10 4" Ajibre (^» k), (54.11)
où A]lbre (co, k) est le champ dans le cristal en l’absence de courants
étrangers. Il vérifie l’équation
[k * ~ î£ - e ( (û , k )]A llMe(®, k) = 0. (54.12)
Le potentiel
A forcé (û>, k) = - ^ - [ k 2 — -^ e (ü ), k )]” l j(ü>, k)
caractérise les oscillations forcées du champ sous l’action des courants
étrangers. Si nous le remplaçons par sa valeur dans (54.9) nous ob
tenons
Aforcé (r, 0 = c j do) j d3k S (<û, k) j (co, k) exp [i (kr — coOL (54.13)
§ 54] PERMITTIVITÉ D’UN CRISTAL 457
OÙ
3) (g ), k) = 4jt [k2c2 — w2e (w, k)]~l (54.14)
est la fonction de Green des photons.
Le potentiel vecteur du champ libre (sans courants étrangers)
Aubre (<*>, k), conformément à (54.12), est non nul seulement pour
les valeurs de a) et k qui vérifient l’équation
[k 2 > --£ -e (û>, k)] = 0. (54.15)
Il s’ensuit de l’expression (54.14) que l’équation (54.15) définit
les pôles de la fonction de Green des photons.
L’équation (54.15) admet deux types de solutions:
A. C h a m p s p a t i a l e m e n t c o h é r e n t . Si dans
(54.15) le vecteur d’onde k est supposé réel, nous obtenons deux so
lutions
co/ (k) = (ù' i (k) — iyt (k), Z = 1 ,2 , (54.16)
où les fréquences (of (k) sont réelles positives et représentent les
deux branches des excitations élémentaires appelées polaritons.
Les fonctions d’onde correspondantes
Ai (r, t) = A0e" Yi(k)*exp {i [kr — cof (k) J]} (54.17)
sont spatialement cohérentes, c’est-à-dire qu’à un instant donné,
dans un volume infini, on peut les normaliser à la fonction delta.
Les polaritons ont une dispersion (o/ (k) et une durée de vie moyenne
Ti (k) = 1/yi (k). La figure 68 illustre la dispersion des deux bran
ches considérées dans la région des petits vecteurs d’onde, dans le
cas d’une excitation localisée et dans celui d’une excitation excito-
nique de masse effective positive. On peut considérer les polaritons
comme des excitations élémentaires du cristal correspondant aux
pôles de la fonction de Green des photons (54.14) dans le demi-plan
complexe inférieur de la variable o, k étant supposé réel.
B. C h a m p s p a t i a l e m e n t i n c o h é r e n t . Si, dans
l’équation (54.15), la fréquence est supposée réelle, nous obtenons
un vecteur d’onde complexe
k * (cd) = Q, (co) + iA t ((o). (54.18)
Ce vecteur correspond à une onde électromagnétique qui s’amortit
en traversant le cristal
A, (r, t) = A0«-A,(“)r exp {t [Q, (©) r - ©*]}. (54.19)
Cette solution est appelée onde électromagnétique normale. Les
solutions (54.19) ne peuvent être normalisées dans un cristal infini.
Pour A ( g)) =5<é=0, elles ne correspondent à aucune valeur du vecteur
d'onde et ne représentent donc pas des excitations élémentaires

du cristal. Pour un milieu non absorbant les fonctions A (co) dans
(54.18) et y (k) dans (54.16) sont milles. Dans ce cas les polaritons
e t les ondes électromagnétiques normales coïncident.
*) b)
Fig. 68. Courbes de dispersion des deux branches polaritoniques (courbes en
trait plein).
a) E n l'absence de dispersion sp atiale, b) compte tenu de la dispersion spatiale.
En réalité les polaritons s'amortissent toujours (par réémission

de lumière ou reconversion de leur énergie en chaleur).
§ 55. Oscillations forcées du champ

spatio-cohérent du cristal
Supposons qu’un cristal infini soit soumis à l’instant t = 0
-à un courant étranger de la forme
/* (r, t) = ; 0Ô (/) <;*<?*, j v (r, <) = h (*■,*)= 0,
où Q représente le vecteur d’onde réel produit par le courant. La
composante de Fourier correspondante de la densité de courant
est :
îx (w, k) = ; 0Ô (Q — k.) 6 (kx) ô (ky)/2n.
Dans le cristal, ce courant donne naissance à un champ électromagné
tique forcé qui, pour les instants t > 0, est défini selon (54.13)
§ 55] OSCILLATIONS FORCÉES DU CHAMP DU CRISTAL 459
par l’expression
Ax (z, t) = ÿ - e j dû) 3> (û), (?) «-*•«, (55.1)
OÙ
2b (û), Q) = çaci _ w*e (û, ç) • (55.2)
Pour le calcul de (55.1) nous utiliserons la forme explicite (54.2)
de la fonction e (co, Ç). Nous considérerons un champ électromagné
tique dont la longueur d’onde excède largement les paramètres du
réseau cristallin. Dans ce cas la fréquence des excitons est reliée
au vecteur d’onde par la formule
Q2 (Q) = QJ + aÇ2c2, (55.3)
où a = hQ0I (m*c), m* étant la masse effective de l’exciton. Par
la suite nous supposerons m * > 0. Pour Q0 = 25 000 cm"1 et
m* égale à la masse de l’électron libre, la valeur de a est 6*10"6.
Dans le domaine de fréquences qui nous intéresse, la dispersion des
photons dans le cristal est définie par l’expression
©q = cQ/n0, *0 = V eo>
où c est la vitesse de la lumière dans le vide.
La fréquence de résonance £2r est obtenue en égalant les vecteurs
d ’onde et les fréquences de l’exciton et du photon. A la résonance
la valeur du vecteur d’onde est
| Qr | = £2rn0/c, Qr = Q (Qr). (55.4)
Posons Q = Qr. La permittivité (54.2) devient
e (û), Q) = e„ + Qlr- j L 2iyrQr » Yr s ï W (55.5)
Dans ces conditions le champ (55.1) devient

+“ Qï —(û*—2iyrttr picot
Ax (z, = j dû) (55.6)
□ (<■>. Q)
où
□ (co, Q) = (Q?— û)2) (Q?— û)2—2iyrQr) — f W e 0. (55.7)
Les racines de l’équation □ (û), Q) = 0 sont égales à
co*, 2 = Q l— ly £ ir dh Q r V / 2/e 0 — Vr— i y r} 2/ Qr«o (5 5 .8 )
sachant que l’on a toujours /• H convient de considérer deux
cas limites [359J :
460 DISPERSION ET TRANSMISSION DE LA LUMIERE [CH. XI
A. L i a i s o n forte des excitons avec les

phot ons
f » c0Y?. (55.9)
Dans ce cas (55.8) devient
(ü]
*2 = (<*>1.2 + *<*>1.2) 2 = Q r — *Y«®r ± — Qr «
n0
« ( Qr ± -^ r - t'Yr/2 )2. (55.10)
Les égalités
eu t2 = £2r ± f/2n0, (oô « — Yr/2 (55.10a)
déterminent respectivement les deux branches et T amortissement
des polaritons pour Q = Qr.
Intégrons (55.0) par la méthode des résidus:
-i(i)2* ■
^ « > = " ( — + ^ F )- <»«>
L ’expression (55.11) permet de calculer les champs électrique
Ex = — et magnétique H = rot A ainsi que l’intensité
du rayonnement. Remplaçons (Dj et co2 par leur valeur (55.10).
La période d’oscillation du champ étant très petite 2ji/£2r, il convient
de prendre la moyenne dans le temps du vecteur de Poynting. Nous
obtenons ainsi
W (t) = W e 'yr*cos2 (ftI2n0). (55.12)
Dans le cas d’une liaison exciton-photon forte (inégalité (55.9)),
la densité d’énergie électromagnétique dans le cristal ne diminue
pas exponentiellement avec le temps. Ce résultat reste valable
pour des excitations localisées, car nous n’avons pas obtenu pour
celles-ci une forme explicite de la dispersion spatiale. La fréquence
des oscillations de la densité d’énergie est proportionnelle à la dif
férence entre les fréquences des deux branches des polaritons pour
Q = Qr-
Introduisons le coefficient effectif d amortissement temporel
^(0) (55.13)
Yeff
î * ( 0 dt
0
Compte tenu de l’inégalité (55.9), remplaçons W (t) par sa valeur
(55.12)
Yeff « 2vr. (55.14)
La courbe
W ett (*) = jy(0) « " W (55.15)
§ 56] CHAMP ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS UN CRISTAL 461
délimite avec Taxe des abscisses la même surface que la courbe

(55.12).
B. L i a i s o n faible des excitons et des
ph ot ons
f < s 0yh (55.16)
û>î = K + ico;)2 = Q- + i , co» = Q? - 2iyrQr.
La racine coï de l’équation (55.7) ne donne pas de terme dans l’inté-

grale (55.6) puisque pour co2 = <d2, le numérateur sous le signe
d’intégration est nul. La valeur de l’intégrale (55.6) est donc entière
ment déterminée par la fréquence coj :
Ax (z, *>= f^ ° exp ( — exp[i (Qz— Qr/)] (55.17)

compte tenu de l’inégalité (55.16). Par conséquent, la densité d’éner
gie électromagnétique diminue exponentiellement au cours du temps
W (t) = W (0) exp ( — J g j.) . (55.18)
Le facteur de l’exponentielle est proportionnel à Z2, c’est-à-dire
à la force d’oscillateur F de la transition quantique moléculaire.
Ce résultat coïncide avec les résultats obtenus par la méthode des
perturbations.
§ 56. Champ électromagnétique créé à la surface

d’un cristal par des courants étrangers
Soit un cristal caractérisé par une bande isolée de fré
quence Qq:
QQ= Qo+ | S - (56.1)
pour des faibles valeurs du vecteur d’onde Q. Ici m* est la
masse effective de l ’exciton, supposée positive. Au voisinage
de cette fréquence la permittivité (54.2) est représentée par la
formule
= (56.2)
Si l ’on prend en considération qu’au voisinage de la réso

nance Qr = n(£ir/c et la vitesse de l ’exciton est
vo= ÆQr/ro*, (56.3)
462 DISPERSION ET TRANSMISSION DE LA LUMIÈRE [CH. X I
l ’égalité (56.1) devient

Qr = Q0+ iv*o£2r/2c. (56.4)
Soit une lame cristalline à faces parallèles, limitée par les plans
z = 0 et z = dy sur laquelle tombe perpendiculairement une onde
électromagnétique de fréquence o>, polarisée parallèlement à x.
Cette onde crée sur les surfaces du cristal z = 0 et z = d des courants
étrangers [359] :
ix (z, t) = e - iat [/jô (z) + /dô (z — d)], /„ (z, t) = jz (z, t) = 0.
(56.5)
Nous verrons par la suite comment on peut relier l ’intensité de
ces courants à l ’amplitude des ondes incidente et transmise.
Conformément à (54.9a) les transformées de Fourier du courant
(56.5) sont
7 x (« \ k) = (/„ + Ue-ihd) 6 ((°27 tû) Ô(kx) 6 (h,), ju (©, k) —
= j . (©,&) = 0. (56.6)
Substituons celles-ci dans (54.13):
2ce~i<ùl f JK \jo*ihz+ j d e ik(Z- d)]
AX(Z, t): «o* *J afC _______
c*k* -e(<o.. A)
0 f/A J.\ •
0>*
Ay (z, t ) = A z (z, t) = 0. (56.7)
Introduisons l ’indice de réfraction complexe
N = —(û = n +’ i x . (56.8)
(56.7) devient
i—JV* 1—N(l-<0
2c~iat C io« ‘ + jd< C
A x (z> t) '• ® J dN IV*—e (0),;JV) (56.9)
où, conformément à (56.2) et (56.1),

/*/2o)
e (©, JV) —e0 (0_ Û0_|_<Y_ WDyV*/(2cn0) ' (56.10)
n* = e0, v = h(3mj{cm*) (56.11)
est la vitesse de l’exciton de vecteur d ’onde ©ra0/c.
Pour calculer le potentiel vecteur (56.9), nous avons dû sup
poser que la permittivité e (©, k) était égale à l’unité hors du cristal
et prenait des valeurs bien déterminées à l ’intérieur (O^z-êO-
Mais ceci est une approximation qui revient à remplacer dans (54.7)
§ 56] CHAMP ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS UN CRISTAL 46$
le tenseur S (p , x; r) par le tenseur S (p , x) indépendant de r

à l’intérieur du cristal. Au voisinage de la surface S (p , x; r) peut
varier beaucoup avec r. Par suite e (g), k) ne conserve vraiment
son sens physique que dans la profondeur du cristal.
Dès qu’on limite la dimension du cristal, le vecteur d’onde k
n’est plus une véritable caractéristique des excitations élémentaires.
Le spectre des excitations électroniques collectives et les paramètres
déterminant leur relaxation dépendent fortement des effets de sur
face. La résolution exacte du problème de la réflexion et de la pro
pagation à l’intérieur du cristal pour une onde électromagnétique
dont la fréquence est voisine des fréquences excitoniques relève
d’une étude microscopique. A l’heure actuelle la manière dont s’ef
fectue la relaxation des excitations électroniques n’est pas encore
élucidée, et ceci même pour un modèle cristallin idéal bien délimité
poux* lequel les propriétés moléculaires (ou ioniques) resteraient
identiques à la surface de la lame cristalline.
Dans la théorie phénoménologique on tient compte du rôle
de la surface par un procédé artificiel. On définit un indice de ré
fraction et un facteur d’absorption pour des ondes électromagnétiques
normales se propageant au voisinage de la surface, ce qui permet
de sauvegarder la notion phénoménologique de permittivité. Il
faut alors introduire des conditions aux limites supplémentaires
reliant l’amplitude de ces ondes à l’indice de réfraction complexe.
Naturellement, le choix de ces conditions n ’est pas univoque.
C’est pourquoi il n’est pas étonnant que les auteurs des nombreux
travaux sur ce sujet [310, 312, 360 à 3651 aient choisi des conditions
aux limites différentes. Ainsi les fonctions d ’ondes excitoniques
seront différentes selon le caractère de la réflexion de l’exciton au
voisinage de la surface (réflexion totale, réflexion diffuse, etc.).
Pekar [310] fut l’un des premiers à introduire ces conditions
aux limites supplémentaires. Supposant nulle la contribution exci-
tonique à la polarisation à la surface du cristal, Pekar calcule
le rapport des amplitudes des deux ondes normales *) apparaissant
pour les fréquences voisines d’une bande excitonique dipolaire
électrique : » N x (©) et N 2 (œ) étant les indices de
réfraction complexes dans la profondeur du cristal.
Par la suite d’autres conditions aux limites supplémentaires
ont été proposées : Ginsburg [360], Agranovitch et Ginsburg [312],
Machkévitch [361], Birman et Sein [364], Agarwal, Pattanyak
et Wolf [362, 363], Maradudin et Mills [365] et d’autres. Pour établir
ces conditions supplémentaires certains travaux [366, 367], en plus
de N x et A 2, font appel à d’autres paramètres phénoménologiques.
*) En utilisant la notion de dispersion spatiale, Pekar fut le premier à
montrer la possibilité d’exciter dans un cristal deux ondes de même fréquence
et de même polarisation.
Une analyse comparative des différents aspects du problème est

réalisée dans les travaux d’Agranovitch et Hudson [366] et Zeyher,
Birman et Breing [367].
Les conditions aux limites supplémentaires doivent être choisies
de manière à expliquer le mieux possible les propriétés de surface
du cristal en utilisant les indices N t et N 2 caractérisant le cristal
dans sa profondeur. Ces conditions doivent refléter la nature des
états excitoniques : excitons dipolaires et quadrupolaires, excitons de
faible ou de grand rayon, etc. Malheureusement dans les travaux
mentionnés plus haut, on ne discute pas du rôle fondamental joué
par les processus de relaxation des excitons à la surface du cristal.
Comme nous le verrons plus loin, ces processus ont une action dé
terminante sur la propagation de la lumière dans le cristal au voisinage
d'une bande d'absorption. Dans certains cas (excitons de masse
effective négative, cristaux contenant des impuretés ou des défauts,
températures pas trop basses) ils réduisent considérablement le
rôle de la dispersion spatiale.
Si l’on se place à la surface du cristal ou dans sa profondeur,
les processus de relaxation diffèrent : ceci est dû en partie aux nom
breux défauts de surface. Aussi, si l’on néglige cette particularité,
il sera difficile de donner une description quantitative détaillée
des spectres de réflexion. Par contre la propagation de la lumière
à l’intérieur du cristal sera moins sensible à l ’effet de surface.
Ne pouvant décrire en détail les particularités de la réflexion
de la lumière par des cristaux présentant une dispersion spatiale
de la permittivité nous nous proposons d’utiliser l ’expression (56.9)
pour étudier la propagation de la lumière dans la masse du cristal.
Dans ce cas il n’est pas nécessaire d’introduire des conditions supplé
mentaires pour calculer le rapport des amplitudes des deux ondes
électromagnétiques normales se propageant à l’intérieur du cristal.
Les résultats obtenus seront exacts dans la mesure où l ’on s’intéresse
à la propagation d’une onde électromagnétique dans le demi-espace
z > 0, limité par les courants de surface (z = 0) étrangers (56.5).
Dans ce qui suit nous nous proposons de calculer, dans différents
cas limites, le potentiel vecteur (56.9), les champs électrique Ex
et magnétique H y ainsi que le vecteur de Poynting S 2.
56.1. Champ électromagnétique dans un cristal sans dispersion
spatiale. Commençons par le cas le plus simple d ’un cristal sans
dispersion spatiale, où la fréquence des excitations électroniques
du cristal ne dépend pas de k, c’est-à-dire que Qk = Q0 et u = 0.
L’équation
N 2 — e (co) = 0, (56.12)
OÙ
/*/2a>
e (<d) = z' + iz”= e0 (56.13)
|co—Ûq—*Y *
$ 56] CHAMP ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS UN CRISTAL 465
a alors deux racines N = ± (n + ix).

n = -p = -[/e '2 + e*2+ e']‘/2 (56.14)
représente l ’indice de réfraction et

x= [Vê/2 + e<>2 —e ' ] 1/2 (56.14a)
le coefficient d’absorption.
Au voisinage de la résonance ces grandeurs deviennent
+ c 0]1/2, (56.15)
x « y j 1 /c ; + /V(4S2Jyî) - * o f 2. (56.15a)
Loin de la résonance | co — Q0 | y,
n ~ ”o - 4 ^ £ - $ ) - . •<5(U6>
Dans la région le potentiel vecteur (56.9) est cal
culé par la méthode des résidus
A* (*> *>= Ï J Ï T Ü ) [> exP [ — f ( * - ' in>z=] +

+ îd ®XP [ - ( x - i n ) ( z - d ) ] ] . (56.17)
1 ôA
Utilisant les équations E = -------- etH = rot A, nous trouvons
les composantes non nulles des champs électrique et magnétique
à l ’intérieur du cristal
E x (z, t) = e - iat ^ £ 0exp— ^■z(x— in) + Ed exp (z—d) (x — in) J ,
Hy (z, t) = (n + ix) e~i<ût [æ 0 exp [ — 7 - * (x—in) J —
— £ dexp £^-(z —d) (x —in )]J, (56.18)

où
E0 _ Ed _ 2ji
1 7 ‘“ “7 7 ' ” C(n + ix)
représentent l’amplitude des ondes se propageant le long de l’axe
des z respectivement dans le sens positif et négatif. Les valeurs
E 0 et Ed (et, par suite, j 0 et }d) peuvent être exprimées en fonction
de l’amplitude du champ électrique de l’onde incidente perpendicu
laire à la surface de séparation vide-cristal (z = 0 ).
3 0 -0 5 3 4
466 DISPERSION ET TRANSMISSION DE LA LUMIERE [CH. X I
Les indices (i), (r), (t) caractérisent respectivement l'amplitude

des champs de l'onde incidente, réfléchie et transmise de fréquence
ce : HW; E(*\ HW; HW. Exprimons les conditions de
continuité des composantes tangentielles des champs à la surface
de séparation vide-cristal:
i = £ 0+ £ de x p [ t - ^ ( n + ix)] ,
+ {E Q— Edexp [ i •— (n + t x ) J | ,
(56.19)
= E0 exp [ i (n + tx)] + E d,
H f = (n + ix ) | £ 0exp [ i •— (« + ix)J — EdJ .

Sachant que
H f = Eg\ ff<r) = - E (? et H ÿ = E « \ (56.19a)
on peut résoudre le système (56.19) et trouver les coefficients de
réflexion et de transmission. Le coefficient de transmission est:
7 » ! 4°
EW
16 (n*+x*) exp ( —2 -y-xd)
(
2
-------- xd f t <ûnd\l -4 —x d ï
[(1 +«)*+**]* | l - 2p« 4 c o s[2 (P + — )J+ P *« e }
(56.20)
OU
1—At i — N x |2
y p
l + * i ’ P2
r =” 1 1+Ai
Nx est la racine positive de (56.13). Le coefficient de réflexion est:
2
EÇr) 2 p* 11—exp { 2i — Nid'j
R(<ù) B £ (i)
X jl-p S e x p ^ i-^ d )
Dans un cristal semi-infini (d = oo), qui n’est limité que d’un

côté pour les fréquences « telles que x =5*^ 0 , le coefficient de réflexion
se simplifie :
I 2
R ( <*>) = I l + * i
S 56] CHAMP ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS UN CRISTAL 467
Dans ce cas il n ’y a pas d’onde se propageant dans la direction

—z et la densité de flux énergétique moyenne dans le temps est
représentée par
, p 2 ü )x
S (z) « - jL - ( E M + ElH a) = .(56.21)

Au voisinage de la résonance, conformément à (56.15), tant que
Z2 «C 2Q0yz0J la densité du flux d’énergie décroît exponentiellement
S(z) = S ( 0 )e x p (— ^ ) . (56.22)
56.2. Emission stimulée d ’un cristal manifestant une dispersion
spatiale. Dans un cristal présentant une dispersion spatiale la vi
tesse des excitons (56.11) de fréquence o> est différente de zéro. Comp
te tenu de (56.10), l’expression (56.9) devient [3591
, /. .x 2e~iut f [W*-2C(<B)-eol(/oe c +idf e ]

A* lz» * ) - a, J aSV 2(w, N) »
(56.23)
ù
S (û>, JV) = TV4—2 [e0+ £ (©)] iV2 + e0 -f- 2£ (©) e0—Pcn0l(v<ùz),
(56.24)
t(®) 1Q« + »V(©)1. (56.25)
Les valeurs
RO^CO IX Ù T Iq
m*e Q. (56.26)
représentent la vitesse et la fréquence d’un exciton de vecteur d’onde
<ùn0/c et de masse effective positive m*.
Pour une fréquence donnée réelle w, les racines de l’équation
S (û), N) = 0 sont égales à
W1.2(<*>) = e0+ £(co) ± j / ^ P ( ® ) + ^ - . (56.27)
On peut alors intégrer (56.23) dans la région par la

méthode des résidus :
Ax (z, 2 5,(< o)[/0eXp [ l - f N * ] +

/-=1, 2
+ / dexp [ i - y iV( (d—z ) ] J . (56.28)
30*
468 DISPERSION ET TRANSMISSION DE LA LUMIERE [CH. I I
Les coefficients B t («) représentent les résidus de l'intégrale (56.23):
B, (o) JVf—2£ (<o)—eo Afj—2g(a>)—e0

A ',( A î- A r |) » £*(<■>) = (56.29)
Utilisant les équations Ex , H„ = ^ r , nous trouvons

les composantes non nulles des champs électrique et magnétique
Ex (z, t) = {E0 [ e ^ -N,z + g e ^ ‘^ ] +
+ Ed \e
/ f y (z, t) = *-*■>' {E0 [N,e -
-E ilN jjB * * * * (56.31)

OÙ
2ji
^ o //o — /d — " J " ^ 1 ( w ) » (56.32)
g , ((O) _ 7Vt [y v j— 2^(o>)— eol

Bi(û>) ” A ^ Ç M + eo-iVîl • (56.33)
Compte tenu des valeurs (56.27) on peut représenter cette expression

sous une forme plus simple :
rr_ Bg(q>) _ 7Vt (co) [e0— (co)] (56.33a)

q — Bx (<i)) “ Nt (<d) —Eo]
D’après (56.28), (56.30) et (56.31), dans un cristal d’épaisseur finie

se propagent le long de l ’axe des z deux ondes, l ’une dans le sens
positif (d’amplitude proportionnelle à i?0), l ’autre dans le sens
négatif (d’amplitude proportionnelle à Ed). Chacune de ces ondes
se présente à son tour comme une superposition de deux types d’onde
d’indices de réfraction complexes N x et N 2- Le rapport de leurs am
plitudes est déterminé par le facteur (56.33).
Nous pouvons exprimer les amplitudes E 0 et Ed (par suite les
densités de courant j 0 et jd) en fonction des amplitudes des champs
électrique Eg) et magnétique H& de l’onde incidente normale.
Pour cela il faut écrire les équations de continuité pour les composan
tes tangéntielles des champs aux frontières du cristal (z = 0, d).
§ 56] CHAMP ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS UN CRISTAL
Compte tenu des égalités (56.19a) il vient:
= (1 + ?) Æ0+ [c1^ “i + ^ /V2d] Ed,
& - & = (Nx + qN2) E0- lNie^ Nld + gNze ^ Nid] Ed,
^ Nd (56'34)
E ? = [e « Nld + q e ^ 1 ] E 0+ (î + q) E d,
+ E o - i ^ + qNJ Ed.
Ces équations conduisent à
E0 = 2 E ™ M J ( M l- G t_), Ed = — E0GJM+, (56.35)
£4r) = Eil) (M +M_— G+G.)/(Ml - Gl), (56.36)
& ' = (A/f- G ! ) (K2 + g) + e<^ JV,<t +
+ <7[^l + (l + 2?)iV2]e<^ ' Nî,i}. (56.37)

Pour simplifier nous avons posé
iW± = l ± ^1 + 7(1 ± iV s),
(56.38)
t— Nld l-^-Nîd
G± = ( i ± N 1)e + q( i ± N 2)e
L'égalité (56.36) permet de calculer le coefficient de réflexion
de la lumière
£<r* 2
X Af+A /_ — G+G_ |2
R d (<*) = £(0 M%— G* | *
X
Si le cristal n ’est limité que d’un côté (d = oo) et G± = 0

U-jVi + <7(l-'V«) [2 11 — N (m) 2
(56.39)
1+ ^ + 9 (1+ ^*) I I ! + #(«)
où
N (w) = Nt (<ü)^ Vi (<l>) (56.39a)
représente l’indice de réfraction complexe d’un cristal semi-infini,
définissant le coefficient de réflexion. En l ’absence de dispersion
spatiale, q = 0 et (56.39) coïncide avec la formule de Fresnel.
56.3. Amortissement du champ électromagnétique dans un cristal
semi-infini. Dans le paragraphe précédent nous avons obtenu les
formules générales (56.30) et (56.31) pour les champs électrique et
magnétique du rayonnement créé par un champ extérieur de fré

quence co dans un cristal d’épaisseur finie. Pour évaluer le rôle
de la dispersion spatiale et des processus de relaxation des états
électroniques il convient de simplifier ces formules trop complexes.
Nous supposerons donc le cristal semi-infini (d = oo), ainsi l’onde
réfléchie sur la deuxième face z = oo du cristal est absente.
Pour fixer les idées nous supposerons en outre que la dispersion
spatiale (v 0) est due à des excitons dont la masse effective est
positive (cf. (56.26)). Considérons les cas limites.
A. L a d i s p e r s i o n s p a t i a l e p r é d o m i n e . Cette
condition est réalisée si la fréquence co de l ’onde extérieure coïn
cide avec la fréquence de résonance Qr (55.4) et si l’on a
vJ2 » cn0y2 (£2r), (56.40)
où u0 est la vitesse de l ’exciton de fréquence Qr. Dans ce cas, en
accord avec (56.25)
C(Qr) = < ? - ^ - , Y= Y(Gr).
Les racines (56.27) ont pour valeur approchée
JVÏ.2- e . ± ^ - Z ^ + l - g g - . (56.41)
Pour un cristal semi-infini, à la résonance les champs (56.30) et
(56.31) deviennent
Ex (z, t) = rc/o c-ia.t

C
(56.42)
H y (Z, t) = n/o c-iQJ
e
Calculons maintenant la valeur moyenne dans le temps du vecteur
de Poynting (56.21). Deux cas se présentent.
a) La force d’oscillateur / est grande et la vitesse des excitons
petite. Ceci correspond à *)
*) Ecrivons (54.3a) sous la forme approchée /* = 8o(Û^ — QJ) « 2eoQr X
X ^ - Q o ) . Compte tenu de (56.4) on a •
On peut donc écrire l'inégalité (56.43) sous la forme j / " q°

Il résulte de (56.41)
Ni = n + ix, N z = x 4- in, (56.44)
avec
'H -s r l/lF r . — t 7 w V r l %" <56-44a)

Substituons (56.42) dans (56.21). Compte tenu de (56.44) nous ob
tenons la valeur moyenne du vecteur de Poynting
2Q- 2Û-
S (Z) : 2 ( S{0) ne + xe +
»+x)(
+ e c_(n+x)l | ( n _f_x) c o s[-^ - (n—x )z j +
+ {n—x) sin (n —x)> ] } ) . (56.45)

Si on suppose en outre x <C n cette expression se simplifie
20 ,.
S(z) = ± S ( 0) [e « xz + V2e~ * **cos(-J~|-Qri i - i . ) ] . (56.45a)
Le flux d'énergie rayonnante présente un amortissement spatial
oscillatoire dont la longueur d'onde est
A = 2nc/Qr (n — x) « 2jicht Qr.
Lorsque le facteur exp £ — + x) zJ diminue très vite, cette
modulation n'apparaît pas. Mais même dans ce cas la variation de
la densité de flux pour les petits z ne suit pas une simple loi exponen
tielle à cause des deux termes figurant dans l ’accolade (56.45).
b) La force d'oscillateur / est petite, mais la vitesse du mouve
ment des excitons est grande. Ceci correspond à
l / _ ç _ < j»oûr_ (56.46)
r /
Si en outre le paramètre y est petit, de telle sorte que (56.40) soit
vérifiée, l’expression (56.41) donne
N t = «i + ixf N t = n2 + ix (56.47)
où
/ ï k ’ — ■ <5 6 -4 7 »)
Dans ces conditions la densité de flux d’énergie électromagnétique
oscillant avec une fréquence //2 Ÿ^crt0v0 diminue conformément
à la loi
s (Z) - s (0) e~ »o cos2 2y/ l — .
Cette oscillation traduit l'échange périodique d'énergie entre les

photons et les excitons, conditionné par la faible valeur de la cons
tante de relaxation y.
B. I n f l u e n c e f a i b l e d e l a d i s p e r s i o n s p a
t i a l e . Au voisinage de la résonance £ (£2r) v0ur , cette faible
influence équivaut à
Vof2 < cn0y-, Y = Y (£2r), (56.48)
inverse de l’inégalité (56.40). Dans ce cas (56.27) conduit à
JVî “ 8«+ - W * ^ = eo+ 2£(Qr). (56.49)

Conformément à (56.33) q — 0 et pour un cristal semi-infini on obtient
les champs électrique et magnétique sous la forme
Ex(z, 0 0 = ^«exp[t£2r < )]•

Le vecteur de Poynting de l'onde électromagnétique s'amortit
selon la loi
S (z) = S (0) exp ( — - jcz ) , (56.50)
avec
n = - ± j [ V z i + r i & y a r ) 2+*o]U2,
*= . (56.51)
Ces expressions coïncident exactement avec les expressions analogues

(56.15), (56.15a) obtenues en négligeant la dispersion spatiale (cf.
§ 56.1).
Lorsque la température du cristal augmente, la largeur de la
zone excitonique et la vitesse des excitons v0 diminuent, mais le
paramètre y augmente. L’inégalité (56.40) se transforme alors en
l’inégalité (56.48) exprimant la faible influence de la dispersion
spatiale.
Loin de la résonance, la dispersion spatiale exerce aussi
une faible influence si se trouve vérifiée l’inégalité
v (<o) f < cn0 (co — £2W)2. (56.52)
§ M] CHAMP ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS UN CRISTAL 473
L’expression (56.27) devient alors
N' H B (» + ™)2 (S-QJ + * .(56-53>

((û) » e0 + 2£ (o). (56.53a)
(56.33) conduit approximativement à q « 0, et les champs
électrique et magnétique s’expriment sous la forme d’une onde-
normale
Ex {z, = # v ( 2» 0 = £ oexp [ —---xz + i<o(-y— t) j , (56.54>
où
n = n° 4n0<ù(l—QJ ’ X = 4n0<0(œ—QJ* *(56.55)
Ces expressions (56.55) coïncident avec les expressions (56.16)
obtenues au paragraphe 56.1, en négligeant la dispersion spatiale.
56.4 *. Transmission à travers une lame à faces parallèles. Nous
avons montré dans les divisions précédentes que l’inégalité (56.40)
concrétisait le rôle important joué par la dispersion spatiale pour
des fréquences voisines de la résonance. Cherchons, lorsque cette
condition est réalisée, comment l’intensité de la lumière trans
mise varie en fonction de l’épaisseur de la lame cristalline.
Substituant (56.41) dans (56.33) nous obtenons
_ B2(Qr) _ ;Vi
— Bt (Qr) ~ N 2
(56.56)
Compte tenu de cette égalité à la résonance l’expression (56.37)
devient
E (t)
7 < ïr-
Q Q
i-I -N id i— N îd
_ ___________ 27VtA’g ( N f \ - Z N .) e c + ( N t + 3 N t ) e e______________
U ü
i_LjVxd a:2d
|iVa (l + iV1)+ iV 1(l + iV8)]*-[iV î ( l — Ar1)e c + jV1( l _ iV1)e c ]*
(56.57)
Nous étudierons cette expression pour les deux cas limites con
sidérés au paragraphe 56.3.
a) L’i n é g a 1 i t é (56.43) e s t s a t i s f a i t e . La valeur
des indices de réfraction complexes N x et N 2 est donnée par les
expressions (56.44). Le coefficient de transmission de la lame cristal
line est
20n*®(Qr, t)
T(Qr) (l+2n+2n*) exp [ " “T 1(" + *)**]• (56.58)
OU
ch{^-^-(n—x) i j + cos (n—x)«J + pJ

< D (Q r, d) (56.59)
Q Û
i— N id i - r ~ N 2d
. > _ [x + t ( l - * » - * » ) } * c - [ n + < (l-n»-x*)lg c
x + n + i [2x#+ 2n * + / i + x l 1
P = arctg 3 — arctg 1/3 « 53°.
Le dénominateur de (56.59) exprime les réflexions multiples de
Tonde sur les deux faces de la lame. Le numérateur de (56.59) rend
compte du rôle de la dispersion spatiale.
b) L’i n é g a 1 i t é (56.46) e s t s a t i s f a i t e . La valeur
des indices de réfraction N t et N z est fixée par (56.47). Le coefficient
<ïe transmission devient
T(Q r) «
20r
16(/Ij + X*)*~ c cos* (fd/2 (56.60)
2°r
[(l+ » o )* + x * l* [ i- lR — ^cos ( 2 - ^ - n o i+ 2 p )]
où
p (n0-l)«+ x« 2/ iqx
P = arctg 1+x*—ni • (56.61)
i(«o+D+x* ’
Les expressions (56.59) et (56.60) montrent que les oscillations
spatiales dues aux réflexions multiples sur les faces de la lame
s ’amortissent assez rapidement (l’onde réfléchie traverse la lame
au moins 3 fois) et ont une autre périodicité que les oscillations dues
à la dispersion spatiale. Dans certains cas, ces dernières oscillations
n’apparaissent pas non plus. Néanmoins on doit observer dans
ces cas une variation non exponentielle de T (Qr) lorsque l’épaisseur
de la lame varie.
Les premières tentatives pour montrer expérimentalement les
effets de la dispersion spatiale dans les cristaux moléculaires furent
réalisées dans les travaux de Brodine et de Pékar [3681. Etudiant,
au voisinage des bandes d’absorption propre (Q ~ 25 200 cm-1),
des lames minces d’anthracène à 20 K, ils découvrirent que l’inten
sité lumineuse absorbée variait de manière oscillatoire avec l’épais
seur du cristal (pour de faibles épaisseurs), plus précisément pour
une fréquence Q = 25 108 cm-1 la période des oscillations étant
de A « 0,06 p.
Une variation non exponentielle de l’absorption a été observée
par Délukov et Klimoucheva [369 à 3711 sur des lames monocristal
lines de paradicblorobenzène et de paradibrombenzène à 4 K. Les
§ 56] CHAMP ÉLECTROMAGNÉTIQUE D a NS UN CRISTAL 475
résultats obtenus [369] sont illustrés par la figure 69. On a représenté

pour deux polarisations de la lumière la variation de lg (1!T d)
1369] en fonction de l’épaisseur de la lame, successivement pour
la transition électronique pure Qr (force d’oscillateur ~ 0,005)
et pour une transition vibronique (dont la force d’oscillateur est
environ 20 fois plus petite). On voit sur le dessin que pour une force
Fig. 69. Variation de lgU/Tw) en fonction de l'épaisseur d'un cristal de para-

dichlorobenzène à 4 K, pour la transition électronique pure Q et pour la tran
sition vibronique Qr + v65, pour deux polarisations différentes de la lumière.
R ésultats expérim entaux de D élukov e t Kllm oucheva [360]. La courbe théorique (& droite)
répond à la form ule (56.45).
d’oscillateur petite, la dispersion spatiale n’apparaît pas. La courbe

théorique de la figure 69, construite d’après la formule (56.45),
reflète qualitativement la dépendance expérimentale observée pour
la transition électronique pure.
La figure 70 montre la variation de lg (1!T d) en fonction de l’é
paisseur pour deux températures 4 K et 100 K (cristal de paradichloro-
benzène, fréquence 35 650 cm”1). Lorsque la température aug
mente, le paramètre d’amortissement y augmente, le rôle de la
dispersion spatiale diminue et la dépendance lg (i/T d) en fonction
de d tend à devenir linéaire. On observe les mêmes effets lorsqu’on
s’éloigne de la fréquence de résonance (fig. 71). Si la différence
| (o — Qr | (56.52) augmente, le rôle de la dispersion spatiale di
minue et la propagation de la lumière dans le cristal ressemble
de plus en plus à la propagation d’une onde électromagnétique
normale.
56.5. Dispersion spatiale et excitons de masse effective négative.
Nous avons montré plus haut que les effets de la dispersion spatiale
diminuaient loin de la résonance. Pour étudier ces effets lorsque

la masse effective des excitons est négative, il convient de se placer
à la résonance (cû = Qr, Qr = QTnjc).
Dans ce cas la vitesse des excitons
v 0 == — «Qr/| m* | (56.62)
est antiparallèle au vecteur d’onde Qr.
A basse température, pour des excitons de masse effective positive,
le paramètre de relaxation y (£2r) est très petit. Par contre pour des
Fig. 70. Variation de lg (1 / T d) en fonc Fig. 71. Variation de lg (1l T d) en fonc

tion de l'épaisseur d’un cristal de paration de l ’épaisseur d’un cristal de pa-
dichlorobenzène pour les températures radichlorobenzène à 4 K pour deux
4 K et 100 K. fréquences.
R ésultats expérim entaux de D élukov et R ésultats expérim entaux de Délukov et
K lim oucheva [369l« Klimoucheva [3691.
excitons de masse effective négative, même au zéro absolu, y (£2r)

peut être important. En effet, dans le premier cas m* > 0, la fré
quence de résonance Qr est proche du minimum de la zone excitonique,
seuls les processus d’absorption de phonons du réseau contribuent
à la relaxation. Dans le deuxième cas m* < 0, Qr est voisine du
maximum de la zone excitonique, l’excitation d’un grand nombre
de phonons augmente de manière significative la relaxation. Par
suite la condition
cn0y2 < | v 0 I F (56.63)
exprimant la prédominance de la dispersion spatiale sera beaucoup
moins souvent vérifiée même pour des très basses températures.
Supposons toutefois que (56.63) soit réalisée et déterminons (con

formément à [372]) les caractéristiques de la transmission d'une
lumière de fréquence œ à travers un tel cristal.
Si l’inégalité (56.63) est vérifiée, les racines (56.27) de l’équation
S (N, Qr) = 0 ont pour valeurs approchées
W?. 2 (Qr) = (»l. 2+ **l. 2)2 = «O± k l. 2. (56.64)
OÙ
r)>°- (56-65)
De l’égalité (56.64) il résulte
*i = -j7=-(V eo+ e» + eo),/2 . «i = -^ = -(K ë * + ë î—eo)1/2,
(56.66)
«2= —y j ( /e î + e; + e0)1/2 , x2= -^y ( /if + T * - e 0)1/2
et X2 > X i > 0 .
Substituant (56.66) dans (56.42), nous trouvons les champs
lectrique et magnétique dans un cristal semi-infini sous la forme
E x (z, 0 = - J LC , , - < v Il “ > [ ‘ «Î

T L(* ' + " H
+ Otj
CXP \ l ■%■(“ !I B*l + Ixl) 2l \

l»*l-<x, J ’ (56
Hy (z,t)= — 70«-1°r< {exp ( —xx+ *] +
+ e* p [ “ ( — >**— <! »*al)*]}.

Les champs électrique et magnétique dans le cristal sont représentés
par la superposition de deux ondes normales de fréquence (o = Qr,
d ’indices de réfraction nx et | n2 |, se propageant à l’encontre l’une
de l’autre. La moyenne* temporelle de la densité de flux d’énergie
est :
*t + *l
1 -- ^“(>«l+X2)Z
+ T e la cos [-— -(»H + |n * |)] +
+ 6 s in [ - ^ K + K | ) ] } ) ,
OÙ
_ 1”2 1 i |
lif + xf nl + x* • „f + xf *
On constate^que la période des oscillations spatiales amorties de
cette grandeur |ne s’exprime plus sous la forme - q
comme pour les excitons de masse effective positive, mais devient
A — 2jic
&r("i + lnt \) ‘
56.6. Modification des courbes de dispersion au passage d ’une
température « critique » . Dans les sections précédentes de ce pa
ragraphe, nous avons étudié la transmission d’une lumière de lon
gueur d’onde déterminée à travers le cristal, aune température donnée.
Pour des très basses températures, au voisinage de la résonance,
l’absorption de la lumière par un cristal à bandes excitoniques
larges ne s’effectue pas suivant une loi exponentielle. Lorsque la
température augmente, ou lorsqu’on s’éloigne de la résonance,
l’intensité transmise varie exponentiellement avec l’épaisseur du
cristal. A présent examinons en détail les conditions de passage
d’un type de loi à l’autre lorsque la température ou la fréquence
varient. Le raisonnement utilisé dans ce qui suit est développé
dans les travaux de Myasnikov et de l’auteur [373].
Supposons que le cristal présente une bande isolée d’états ex
citoniques dont le carré de la fréquence vérifie, pour ka 1 (les
vecteurs d’onde étant parallèles à l’axe z), une équation du type
(55.3)
Qi = QJ + ak V .
Pour les excitons de la première bande d’absorption excitonique
de l’anthracène a æ 10“8; pour ceux de la première bande d’ab
sorption excitonique du sulfure de cadmium a « 10“5.
Si le moment dipolaire de l’exciton est dirigé parallèlement
à l’axe x, pour des fréquences voisines de Q„> la composante exx («, k)
du tenseur de permittivité peut être exprimée sous la forme (54.2).
Du fait que nous ne nous intéressons pas seulement à la fréquence
de résonance (0 = Qr, il serait erroné de choisir une expression
simplifiée du type (56.2). Donc on prendra
e** (<■>, k) = e0 — f{[<ù + iy (to)]2 — Q£}-1,
où le paramètre f2 couplant les photons et les excitons s’exprime
selon (54.3) et (54.3a). Le paramètre d’amortissement des excitons
y (co) est une fonction de la fréquence et de la température du cristal.
Etudions les oscillations forcées du potentiel vecteur sous l’ac
tion de courants étrangers
Jx & *) = (s), /,, (s, t) = /. (z, t) = 0.
§ 56] CHAMP ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS UN CRISTAL 47»
Conformément aux équations de Maxwell macroscopiques, le po

tentiel vecteur A (z, t) pour un cristal semi-infini (0 z ■< oo)
est représenté par l’intégrale
Ax (z, t) = U J àkif „ (©, k) ***% z > 0 , (56.68).
OÙ
3)xx (û), k) = 4ji le2/?2 — o)2eXJC(<o, fc)]~l (56.68a)
est la fonction de Green des photons. Cette fonction peut être ana
lytiquement généralisée aux valeurs complexes de k .
Selon la méthode des résidus, A x (z, t) s'exprime comme une
somme de deux termes
2
Ax (z, t) = j0 2 B iex f[ i{ k iz — ©«)]. (56.69>
où k t correspond aux pôles de la fonction de Green des photons

2 jxx (<d, k) dans le plan complexe; B t sont des coefficients propor
tionnels aux résidus de l'expression sous le signe d'intégration (56.68}
pour k = ki. Comme la permittivité n’est définie que dans l’ap
proximation des grandes longueurs d’onde, l'expression (56.69)
n'a de sens que pour
a | k t | « 1.
Chaque terme de (56.69) peut être appelé onde normale (§ 54).
Dans la région des fréquences co réelles correspondant à l'absorption,,
l'amplitude des ondes normales dépend exponentiellement de z
sous la forme ~ exp (—z Im k t). En général les ondes normales ne-
coïncident donc pas avec les excitations élémentaires de grande
longueur d’onde (polaritons), qui par définition sont caractérisées
par un vecteur d’onde réel (et une fréquence complexe) et sont par
conséquent spatialement cohérentes.
L’indice de réfraction complexe, défini par N = ck/gj, permet
d’écrire la fonction de Green (56.68a) sous la forme
2>x, = — -W) [(JV2—e0) X (û), A T )+ /V ,
OÙ
X (ce, N) = (co + iy)2 — £2* — aA^co2. (56.70}
Le potentiel vecteur (56.68) s’exprime alors par
N) exp (ImNz/c)
A ,(z, t) = J eo)Jî (w, (56.71)
Les pôles de l’expression sous le signe d’intégration (56.71) dans le
plan complexe de la variable N sont déterminés par l’équation
(N*— e0) X (AT, o>) + /2 = — a 2©2# 4+ p(«) N* + q (©) = 0, (56.72)
•OÙ
p (©) = Pi + ipz = [© 4- iy (cû)]2—1Q; + <*e0(o2,

p, = û)2(l + ae0) —QJ—v2(o>), Pz = 2<oy((o) ;
g (©) s q1+ iq2= e0 [Qî — (©+ iv)2],
q1 = e0 (Q^ + y2 (tu) — a>2), q2ss — 2e0©Y (©) ;
1* = e0(Ç i\-Q Î).
L ’équation (56.72) admet deux racines différentes
2aallN \ <2 = P (©) ± V A (©) (56.73)
on supposant a ^ 0 (la dispersion spatiale est différente de zéro) et
A (o) == pz (w) + Aaq (©) ^ 0. (56.73a)
L ’expression (56.69) devient
2
Ax (z, <) = 7 o S 5 ' exP f —t ) J , (56.74)
/= 1
-OÙ
R a (NI — e 0) D cl(J V f— e 0)
(56.75)
l“ (ûiVÂ'f — JVf) * 2“ (ûJVa (7Vf — JV|)
.Ainsi, lorsque la condition (56.73a) est vérifiée, (56.74) est repré
sentée par la superposition de deux ondes normales dont les ampli
tudes sont dans le rapport :
Bx _ N2 ( N I - bq)
(56.76)
B* “ N ^ N l - z o) *
Ce rapport devient très grand quand N 2 N x. Par exemple pour
| No | = 10 | N x | e0, le rapport | B J B 2 | > 103. L’onde nor
male d’indice de réfraction complexe élevé est pratiquement inexis
tante.
Cherchons à présent à quelle condition s’annule le discriminant
—A (<o) de l’équation (56.72) quadratique en N 2. Les parties réelle
Ax et imaginaire A2 de A = Ax + *A2 doivent s’annuler simultané
ment
A! (<o) ss [(o2 (1 + ae0) — y2 “ ^?12 — 4(d2y2 +
+ 4aco2e0 [Qfj + Y2 — co2] = 0, (56.77)
A2 ( cû) = 4cûy [ cû2 (1 — a e 0) — y2 — £2J1 = 0. (56.77a)
En général ce système est impossible. Toutefois pour certains cris
taux, au voisinage d’une bande excitonique de masse effective
positive, la condition A = 0 peut être réalisée. En effet la grandeur
Y, fonction de la fréquence, dépend aussi sensiblement de la tempé-
rature T de telle sorte que A (<o, T) = 0 lorsque

©o = V ( l-a e o )(Q 20+ « /2). (56.78)
et pour une température T0, telle que
Y(©o. ï ’o) = / V « = Yo- (56.79)
La température T0 et la fréquence o)0 sont qualifiées de « criti
ques ». A la température et à la fréquence <tcritiques » les deux ondes
normales coïncident (A^ = N 2; B x = Z?2), c’est-à-dire qu’elles ont
même amplitude, même indice de réfraction et même coefficient
d’absorption. Comme a est petit, on constate que la fréquence cri
tique (56.78) dépasse de peu la fréquence de résonance. Par exemple
dans l’anthracène (2JIC)”1 (<d0 — Q0) est égal à 10”3 cm"*1 et dans le
cristal de CdS, voisin de 1 cm**1. Les coefficients d’amortissement
critiques des excitons y 0/(2nc) sont respectivement de ~ 0 ,4 cm”1
dans l’anthracène et ~ 3 cm”1 dans CdS.
Peut-on atteindre ces valeurs de y0 dans des cristaux réels? Appa
remment, pour des cristaux de CdS la valeur (2jic)”1y0 « 3 cm“lgpeut
être obtenue pour des températures pas trop basses. Comme le mon
trent les calculs [318], pour des cristaux d’anthracène à basse tem
pérature, y (<o) est très petit au voisinage de la fréquence de résonan
ce pour les excitons de masse effective positive. Cependant il est
plausible d’ajuster la valeur de l’interaction exciton-phonon en
prenant g = 0,01 et d’utiliser d’autres paramètres du cristal d’an
thracène définis dans [318]. On obtient alors T0» 15 K. A cette tem
pérature, A (û), T0) s’annule au voisinage d’une fréquence située
10”3 cm”1 plus élevée que la fréquence de résonance.
Les paramètres du cristal d’anthracène introduits dans [318]
sont sujets à caution. Ainsi si le paramètre d’interaction exciton-
phonon g augmente et que la fréquence v des phonons les plus actifs
diminue, la température critique diminue selon la loi
gf « 4Q„ y â ( exP -jr— 1 ) .
Pour des cristaux d’anthracène très purs, dans la région de la pre
mière bande excitonique (m* > 0), la température critique T0
dépasse 15 K. Les impuretés et les défauts augmentent sensible
ment la grandeur y (£20> T), par suite abaissent la température cri
tique. Dans quelques cristaux la grandeur y T) dépasse f ÿ a
pour toute température T ^ 0 et l’égalité (56.79) n’est plus réali
sée. Dans de tels cas la notion de température critique perd son sens.
Pour des excitons de masse effective négative, on doit s’attendre
à des valeurs de y (ô> T) relativement grandes. L’égalité (56.79)
n’est alors plus vérifiée ou n’est valable que pour des températures
très basses.
3 1 -0 5 3 4
Supposons que cette égalité (56.79) soit réalisée pour une tempé
rature critique T 0 ^= 0. Considérons plus en détail le système des
ondes normales dans le cristal pour des températures supérieures et
inférieures à la température critique. Il est commode d’utiliser un
modèle de cristal d’anthracène, pour lequel la forme des zones exci-
toniques et le rôle de l’interaction exciton-phonon ont fait l’objet
de nombreux calculs [276, 318]. Choi
sissons le modèle d’interaction exciton-
2m ,cm phonon utilisé dans [318]. Nous sup
poserons que les excitons interagissent
avec une branche de phonons acousti
ques et une branche optique de cons
tantes d’interaction gac = gOpt=0,01.
Les autres paramètres de la théorie sont
les suivants :
e0 = 4, (2JIC)-1 £2opt = 50 cm-1,
(2tlc)“1 £2ac = 30 cm"1.
Les valeurs de a et de / calculées
dans [318] ont été mentionnées plus
haut. Sur la figure 72 sont représen
tées les fonctions y (ai), construites
d’après [318] pour deux températures
10 et 20 K.
La figure 73, a donne la variation
Fig. 72. Coefficient d’amortis de N x (a>) et N 2 (<o) calculée d’après la
sement des excitons pour deux formule (56.72). La fonction y (ca) uti
températures. lisée correspond à une température de
20 K supérieure à la « température criti
que » 7’o=15K du modèle. Les courbes continues représentent les par
ties réelles nx et n2 des indices complexes N x (û>) et N 2 (œ), les cour
bes en pointillé les parties imaginaires x, et x2. L’échelle des ordon
nées est logarithmique. On constate sur la figure 73, a que si | â ’2 |
| N x | l’onde normale d’indice complexe N 2 apparaît avec une
amplitude très faible. Si en outre x2 ^ xa, celle-ci s’amortit très
vite. La lumière qui se propage dans le cristal est décrite pratique
ment par une onde normale d’indice de réfraction nx et de coefficient
d’absorption x x. Ces valeurs diffèrent peu des valeurs calculées dans
[318] lorsqu’on néglige la dispersion spatiale.
Pour des températures inférieures à la température « critique »
la variation de N x et N 2 en fonction de la fréquence est représentée
sur la figure 73, b. Dans la région w < Q0, | N 2 | < | N x |, et dans
l’expression (56.74) n’intervient que l’onde d’indice de réfraction
n2 =t5= 0 et de coefficient d’absorption x2 « 0. Dans la région w > Q0,
| N x | < | N 2 | et c’est la première onde d’indice de réfraction
ni < nz et de coefficient d’absorption xx x2 qui prédomine. Ainsi
la courbe de dispersion n (<o), pour des températures inférieures à

la température « critique », varie significativement avec la fréquence.
Pour les valeurs de Q0, lorsque la fréquence augmente, l’indice de
réfraction augmente; puis au voisinage de £20 on passe brusquement
de la courbe n2 (co) à la courbe (<o). A cette fréquence chacune des
deux ondes normales d’indices de réfraction nx (cd) et n2 (©) con
tribue à parts égales à la formule (56.74), si leurs coefficients d’ab
sorption x\ et x 2 sont proches. Dans ce domaine de fréquences, l’in
dice de réfraction du cristal n’a pas de valeur bien définie, et le
Fig. 73. Indices de réfraction nj et nt et coefficients d'absorption >4 et x 2 des

deux ondes normales se propageant dans le cristal, pour deux températures dif
férentes.
faisceau de lumière transmis par le cristal perd sa cohérence (super

position d’ondes n’ayant pas la même différence de chemin optique).
La perte de cohérence se manifesterait surtout pour des fréquences
et des températures voisines des valeurs « critiques » (o0 et T0l puis
que dans ce cas les contributions des deux ondes normales à la super
position sont comparables. Au point critique (o>0, T^) les deux on
des normales coïncident. En pratique ce cas est difficile à réaliser,
car il faudrait disposer d’une lumière quasi monochromatique.
Cette théorie a reçu une confirmation qualitative dans les tra
vaux de Brodine, Davydova et Strachnikova [3741, qui ont étudié
la biréfringence dans les cristaux CdS au voisinage de la bande exci-
tonique A n=il dans l’intervalle de température 4 à 80 K. Les cris
taux se présentent sous la forme de lamelles monocristallines d’une
31*
épaisseur de 0,18 p et 0,33 p, fixées sans contraintes de contact.

La biréfringence entre 4,2 et 15 K au voisinage de la résonance met en
évidence deux ondes normales, l’indice de l’une d’entre elles, pour
des fréquences inférieures à la résonance, atteint de grandes valeurs
(~11). Pour des fréquences supérieures à la résonance apparaît une
deuxième onde dont l’indice de réfraction est beaucoup moins élevé.
Pour des températures supérieures à 50 K il y a seulement une onde
dont la courbe n2 (co) correspond à ce que l’on devrait observer en
l ’absence de dispersion spatiale. Ceci montre que pour des cristaux
très purs de sulfure de cadmium, la température critique de trans
formation des courbes de dispersion se situe entre 25 et 50 K.
Pour une température inférieure à la valeur critique, dans la
zone d’absorption excitonique, l’une des ondes normales présente
un indice de réfraction beaucoup plus élevé que celui de l’autre
onde (pour des valeurs de co inférieures à Q0, Xj > x2, pour des va
leurs supérieures à Q0, voir fig- 73, b). Une telle onde s’amor
tit plus vite. C’est pourquoi lorsque l’épaisseur du cristal augmente,
l’intensité de la lumière transmise ne décroît pas d’abord suivant
une loi exponentielle (au voisinage de la résonance, même pour de
faibles valeurs de l’épaisseur, les deux ondes participent avec des
amplitudes comparables). Puis, lorsque le coefficient d’absorption
diminue, l’intensité décroît exponentiellement (cf. l’expression
(56.45)). Dans ces conditions l’onde transmise par un cristal pas
trop épais est cohérente.
Le coefficient de réflexion d’un rayon lumineux tombant nor
malement à la surface d’un cristal épais de CdS, a été calculé en
détail par Pékar et Strachnikova [375]. Dans ce calcul le rapport des
amplitudes des deux ondes normales est déterminé par les condi
tions aux limites supplémentaires introduites par Pékar [310] (cf.
(56.11)). Le paramètre de relaxation des états excitoniques est sup
posé indépendant de la fréquence. Les résultats de ce calcul sont en
accord avec les résultats de Brodine, Davydova et Strachnikova [374].
56.7. Rôle de la dispersion spatiale lors d ’une absorption qua-
drupolaire de la lumière. Dans ce qui précède nous avons considéré
la propagation de la lumière dans le cristal pour des valeurs de la
fréquence correspondant à la formation d ’excitons dipolaires. Dans
ce cas la dispersion spatiale traduit la dépendance en k de la fré
quence de l’exciton. Au contraire, même pour des excitations quadru-
polaires électriques localisées, dont la fréquence est indépendante
du vecteur d ’onde, la permittivité (54.4) varie avec le vecteur d ’onde.
Ces excitations quadrupolaires doivent donc faire l ’objet d ’une étude
spéciale 1376].
Supposons pour simplifier que le cristal à faces parallèles est
taillé de telle sorte que pour un vecteur d’onde normal à la surface
du cristal, la permittivité s’exprime par (54.4). La fréquence de l ’ex-
citon dans l'approximation de la masse effective (m* > 0) s’écrit :

Qk = Q0 +
L’indice de réfraction étant N = ckUo, on peut simplifier l’expres
sion (54.4) qui, au voisinage de la résonance, devient
8” (©, N ) = e„ u —Q o + i y (©) —(2cn0)-1vaN* ’(56.80)

où n0 = Y e0, v = n0/î<t)/(m*c) est la valeur de la vitesse de
l’exciton de vecteur d’onde w0(o/c.
Conformément à (56.7) le potentiel vecteur créé par les courants
étrangers (56.6) est
oo i — JV* i — iV(d—2 )
AA *. = i *N ^ l/v .- £ ( J . - • »<*«*• <5 6 -8 1 >

—OO
Pour calculer l ’intégrale (56.81) par la méthode des résidus, il con
vient de chercher les pôles et les résidus de la fonction
G (co, TV) = {(o LV2 - exx (o, (56.82)
Considérons d’abord des excitations quadrupolaires localisées
(m* = oo, ou v = 0). (56.82) devient
G{<o,N) = ^ [ N - l ( < ù ) ) - i, v = 0, (56.83)
où la grandeur
5(®) — Si (») + $*(») = «o— (D_ (Qo_!^) + ^ (<ù)- (56.84)

joue le rôle de la permittivité effective. Posons
*og = - ÿ ^ F * tf (56.85)
Nous obtenons une expression (56.84) dont la forme coïncide avec
celle de la permittivité d’une transition dipolaire de force d’oscil
lateur effective Fett et dont la fréquence de plasma est Qp *).
La fonction (56.83) a deux pôles
Ni. 2 = dh (n + tx) = ± VT(w), (56.86)
*) Pour le cristal de Cu20 la bande d’absorption quadrupolaire (j4n ei)

correspond aux valeurs Fett = 3-10“10; e0 = 7,5; — 6 ,5 -iÛ15 s*1 et Q„ =
= 3,1 -10^ s -1, donc
Qî
g 2bqQq ^ e f f ^ 5 f6*105 s”1.
OÙ
n = -y=- (Vri î + I ï + 5i)1/2» *= + (56.87)
Substituant ces valeurs dans (56.81) nous calculons le potentiel

vecteur A x (z, t) et les champs électrique et magnétique dans le
cristal
E x (z, f) = e-*“‘ { £ 0 e x p [ ( — x + in) 7 - 2] +
+ Ed exp [ ( —x + in) (d— z) ,
H u (z, t) = (n + ix)e~i,ot | ^ 0exp [( — x + in ) -7 - 2 ] —
— E& exp ((— x + in) (d —z) û>/e] j .
Ces expressions coïncident formellement avec les expressions (56.18)

obtenues au paragraphe 56.1 dans le cas de transitions dipolaires
autorisées, en négligeant la dispersion spatiale. Les résultats du
§ 56.1 concernant la réflexion et la transmission de la lumière restent
donc valables.
Dans la limite d’un cristal semi-infini, la valeur moyenne dans
le temps de la densité de flux d’énergie rayonnante diminue expo
nentiellement lorsque z augmente :
S(z) = S (0) exp ( — xz) . (56.89)
Conformément à (56.84) et (56.87), le coefficient x est maximum à

la fréquence de résonance Qr = Q0 — g, inférieure à la fréquence
de la transition électronique. Lorsque n <C y
* m ax — W og/2y (Q r)-
Considérons maintenant le cas d’excitons quadrupolaires. La

permittivité est décrite par l ’expression (56.80). Le potentiel vecteur
du champ électromagnétique dans le cristal est
i-ÎL N ( d —l )
[jV *-2£ ()—eo----I/o** e NZ + ide c
x 3 («0 , N)
, (56.90)
» 56] CHAMP ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS UN CRISTAL 487
S(o), tf)= = i\r* -2 [e 0 + £(©)]2 jV2+

+ ®o [ l + 2£(©)— » (56.91)
£(©) = •— l©—*2,,,+g-WY(©)], (56.91a)
QM= Q0 + ~2 ~ est la fréquence d’un exciton de vecteur d’onde

n0<a/c.
Pour une valeux donnée de la fréquence © les racines de l ’équa
tion S(o), N) = 0 sont
+ + Ç2(©) + 2e0- ^ - . (56.92)

Intégrons (56.90) par la méthode des résidus et calculons les champs
électrique et magnétique dans le cristal
i — N«z
£*(*, t) = e ~ ^ { E 0 [ e ^ " i: + qe c 1 +
+ ge e ]}
et
ffy(Z, t) = e-i«“{E0[N1e “ NlZ + qN2e « "* * ]-

„ r , r 1 — N i(d -i) , .. I — JV2( d - i > .
- E d [Nie « + qNte « ]}, (56.93)
OÙ
Eo Ed 2jc [TVf— 2C ( © ) — E o— 2 c n o g /(tx o )]

h U cN ^ m -N l)
Nx \eo+2t(u)-2cnogl(v<ù)-NÎ\ (56.94)
^ 2 L^f “ «o— 2Ç (W) + 2c n Q g l(v iû ) ) ‘
Dans un cristal semi-infini, la valeur moyenne dans le temps du

vecteur de Poynting est
-- X*2
S ( z ) ~ c|£ol
-2
'g^ 1-{*><
|ra,e c ‘ + | ? | 2 «2e c ' +
— ~ (X l+ H « )î
+ \q\ W + N île ' « (Xl+Hî)ï c o s [ f ( i i i - i g E + p]} , (56.95)
où
q'jNt + NÎ)
l?|eip = l^ + y v ji •
DISPERSION ET TRANSMISSION DE LA LUMIERE [CH. XI
S (z) est une fonction oscillatoire amortie de période spatiale

A(a>) = . 2nc
® l n i — n *l
Ces oscillations apparaissent au voisinage de la fréquence de réso-
nance
S2r = “f" — S• (56.96)
Nous avons supposé que
cyl < 2n0u0gQr, y0 ss y (Qr). (56.97)
N l 2(Qr) ^ ( n 1. 1t+ ix1, ^ = z0± y r c«oYo (56.98)
Pour des transitions quadrupolaires électriques, la force d’oscilla
teur effective (cf. (56.85)) est habituellement faible (»3*1010) *),
ce qui se traduit par
2cn0g < n0 v0Qr.y y
Alors
n. cnpg cVo
‘1 .2 - ”o ± Kv - 2^Q7 ’ X, 2 =
Substituant ces valeurs dans (56.95) on trouve-:
*W - ’• + -— - 2) ] . (56.99)
ou
Pour des valeurs élevées de l ’amortissement

CYo > 2n 0VogQr (56.100)
et (56.92) donne
A x = «0 + mog/(2 vo)> A . = e0 -f i2 cn0y 0/(v0Qr).
Cette condition étant réalisée, (56.94) devient | q | » g/y0 < 1 et
les oscillations spatiales de (56.95) n’ont pratiquement plus lieu.
Ces oscillations sont de même absentes loin de la résonance. Dans
ce cas en effet
| £ (ta) |2 » 2e 0n 0cg/i?0tû (56.101)
et
♦) P ar e x e m p le pour le c r is t a l d e C u 2O f d ’ a p rè s [3 7 7 ], F t u ^ 1 0 "9.
par conséquent
Pour calculer les coefficients de réflexion R (co) et de transmis

sion T (<o) il convient d’utiliser l’expression (56.93) des champs élec
trique et magnétique. La continuité des composantes tangentielles
des champs à la surface du cristal (z = 0 et z = d) impose E ^ = //<*>
pour l ’onde incidente, E ^ = —H(J> pour l’onde réfléchie et =
= Hÿ) pour l’onde transmise.
Si la condition (56.97) est vérifiée, on a à proximité de la résonance
4e0 (n
m )=
Le coefficient de transmission présente une variation oscillatoire

amortie en fonction de l’épaisseur du cristal, déterminée par le facteur
exp (—y<jdfv0) et la période
(56.103)
Les caractéristiques de ces oscillations dépendent de la dispersion
spatiale des excitons considérés. Les interférences dues aux ondes
multiples conduiraient à des oscillations s’amortissant plus vite
à une période spatiale plus petite A = nc/nîr.
Les travaux de Gorban et Timoféev [3781 mettent en évidence,
pour des cristaux de Cu20 , dans la région d’absorption excitonique
quadrupolaire n = 1 (longueur d’onde X = 6125 À), une variation
oscillatoire du coefficient d’absorption en fonction de l ’épaisseur.
La période des oscillations 2jic (Qr \n x — n2 |)“x correspondait à
la valeur | nx — n2 | « 10 "3.
Conformément aux données de Gross et Kaplianski [3771, la
force d’oscillateur effective de la transition quadrupolaire X =
= 6125 À de Cu20 est égale à 3-10"10. Posant v0 « 10e cm/s et uti
lisant (56.85) et (56.103) on trouve la valeur théorique
D’après une estimation du coefficient d ’absorption on trouve

hy0 « 3 10~fl eV. Cette valeur de t 0 vérifie l ’inéquation (56.97).
Pour a) = Qr et pour des températures basses, une petite valeur de y<>
doit être reliée au fait que la fréquence de résonance Qr est inférieure
à la fréquence Q 0 du minimum de la zone excitonique (Qr = Q0 — g).
•490 DISPERSION ET TRANSMISSION DE LA LUMIÈRE [CH. XI
§ 57*. Théorie quantique statistique de la propagation

de la lumière dans les cristaux
Dans les paragraphes précédents de ce chapitre nous avons étu
dié la transmission de la lumière dans le cristal, en utilisant les
équations phénoménologiques de Maxwell. Ainsi les propriétés
optiques du cristal étaient définies par la permittivité e («, k),
caractéiisant la réponse linéaire du cristal à un champ électromagné
tique extérieur de fréquence co et de vecteur d'onde k.
Dans ce paragraphe nous développerons une théorie microscopi
que de la propagation de la lumière dans le cristal, basée sur une
description quantique d’un système de photons, excitons et phonons
on interaction.
En réalité, dans un cristal idéal l ’absorption de la lumière est
conditionnée par la dégradation de l’énergie des photons en énergie
de vibration de réseau — les phonons. Ceux-ci constituent un systè
me dissipatif, caractérisé par un nombre énorme de degrés de liberté
de fréquences quasi discrètes, et par l ’établissement rapide (10 “12 à
10~18 s) de l’état d’équilibre thermique entre les phonons.
Considérons d’abord des photons qui n ’interagissent pas avec
les phonons, la fréquence des photons concordant avec la zone d ’ab
sorption excitonique. Dans ce cas le processus d’absorption passe
par un stade intermédiaire, dans lequel les excitons formés intera
gissent avec le sous-système dissipatif.
Le comportement d’un ensemble de particules en interaction avec
un tel sous-système doit forcément être décrit par des méthodes quan
tiques statistiques. Nous utiliserons la méthode de la matrice densité
{de l ’opérateur statistique, voir chap. X III dans [5]). Cette méthode
permet tra d’étudier tout d’abord l ’affaiblissement dans le temps de
l’intensité du rayonnement électromagnétique spatialement cohérent
dans le cristal, puis la transmission à travers le cristal d’une lumière
monochromatique. Pour cette dernière question, le déplacement des
excitons et des photons sera décrit par des paquets d’ondes. Nous
suivrons le développement utilisé dans les travaux de Serikov et de
l’auteur [3791.
Dans ce qui suit, nous poserons pour simplifier h = 1, de telle
sorte que l ’énergie aura la dimension d’une fréquence. Soit un cristal
optiquement isotrope avec une bande quasi discrète d ’états excito-
niques dipolaires, caractérisés par l’hamiltonien
f f e * = 2 'î M U k, (57.1)
k
où A£ et An sont les opérateurs de création et d’annihilation des
excitons dans les états de vecteur d’onde k et d’énergie Sk- La som
me 2V comprend ici toutes les N — 3 valeurs du vecteur d’onde de la
k
§ 37] THÉORIE QUANTIQUE STATISTIQUE 491
première zone de Brillouin, sauf la valeur k = 0. L'énergie de l'état

fondamental de k = 0 est choisie pour origine des énergies, c’est-à-
dire #o = 0 .
Nous ne nous intéresserons pas à l ’interaction entre excitons, par
conséquent nous supposerons les opérateurs A* et A i définis seule
ment dans l ’espace des fonctions orthonormées
A i | 0>, <0 | A M | 0> = 6 tk'
qui représentent des états à un exciton pour k =#= 0 et l’état sans
exciton pour k = 0 .
Le champ des photons transversaux est décrit par l’hamiltonien
ffp h = S ' «**& **. (5 7 .2 )
k
où «k = c | k |/]/ e0; c est la vitesse de la lumière dans le vide;
la permittivité e 0 tient compte de tous les états électroniques excepté
celui que l’on étudie dans (57.1) ; ai et a* sont les opérateurs de créa
tion et d’annihilation des photons dans l’état de vecteur d’onde k
et d’énergie o)k- Ils sont eux aussi définis seulement dans l’espace des
fonctions orthonormées
ai | 0 ), <0 | akai± | 0 >.= 6 kk,
qui représentent des états à un photon pour k ^ 0 et l ’état sans
photon pour k = 0 .
Les opérateurs A* et commutent et agissent respectivement sur
des fonctions du nombre d’excitons et de photons. Par suite les états
vides respectifs sont différents. Mais, pour simplifier l’écriture de
ces états, représentons-les par le même symbole.
Supposons que l’opérateur (57.2) concerne seulement les photons
dont le vecteur champ électrique est parallèle au moment dipolaire
électrique de la transition quantique vers l ’état excitonique consi
déré. Dans ce cas l ’hamiltonien d’interaction exciton-photon est [291]
i r ln t= (2 /îo )-1 S 'h W 4 + û k ^ ), ( 5 7 .3 )
k
où nQ = Y /k = Qp Y ^k/<*)k est la fonction qui caractérise
l’intensité de l’interaction exciton-photon (à la résonance ((Ok = £k)
la valeur f\ est définie par l’expression (54.3)); F la force d’oscilla
teur de la transition quantique entre l’état fondamental et l’état
excitonique; QJ = 4ne2/(mu) le ca Té de la fréquence de plasma;
v le volume de la maille élémentaire du cristal. Par exemple, si
v « 10 “21 cm3, nous obtenons Qp æ 3-1015 s”1.
Le système formé par les excitons et les photons en interaction
est appelé système dynamique ; il est décrit par l ’hamiltonien
Ha = #ex + -ffph + # in t- (57.4)
L’interaction des excitons du système dynamique avec les phonons

des vibrations de réseau conduit à la dégradation partielle ou totale
de l’énergie d’excitation du cristal en chaleur. On appelle thermostat
le système de phonons, à l ’état d ’équilibre thermique à la tempé
rature T . Ainsi l’interaction avec le thermostat crée un processus dis-
sipatif et les états] excitoniques A i | 0) (k =5^ 0) deviennent quasi
stationnaires — ils sont caractérisés par une durée de vie 1/7 *. Le
système dynamique, en interaction avec le thermostat, devient ouvert.
Ses états sont décrits par la matrice densité, qui contient à la fois des
opérateurs du système dynamique et des paramètres phénoménologi
ques y (k) fonctions de la température et caractérisant l’aspect dis
sipa tif du processus. Cette matrice densité p (t) pour T = 0 doit
vérifier l ’équation ([51, chap. XIII)
= i IP, H a ) - - S ' V(k) UAiAk, p U - 2 A ttpA i)t (57.5)

k
sachant que
[a, bj-t = ab ± ba.
Cherchons la solution de (57.5) sous la forme
p (t) = u#>M9+ SS'S' m (k„ k 2 ; t) M t (klt ka), (57.6)

J-l ki k2
OÙ
Y 2 M 0 = AîA0+a+0a0, (57.7a)
V 2 M 1 (klf kg) = AklA i3+ (57.7b)
V 2 M j (klt kj) s A]ilA£„ —flkjûk.1 (57. / c)
1 /2 M 2Çklt k 2) ^ ^ 1aICj+ A 2< , (57.7d)
l / 2 M 4 (klt k j j s i ^ a k . - ^ a ^ ) . (57.7e)
Les opérateurs Mi (l = 0 , 1 , . . . . 4) vérifient
Tr {Mi (klt k2) Mp (kj, k;)} = 6 ,, ,.0*,. k-àki, k;. (57.8)
Utilisant (57.8) nous tirons de (57.6)
wt (klf k 4 ; t) = Tr {p (t) M t (klt k*)}, (57.9)
Tr p (f) = w0 (t) + S* Iêx (k, k ; 0 + œ ph(k, k ; <)] = 1, (57.10)
k
où
Wer(klt k2; t) = w2(kx, k2 ; t) + w2(kXl k2; t), ......
_ (57.11)
1^2 t&pb (ki, k2; t) = w2 (klt k2; t) — w2 (klt k2; t).
S 57] THÉORIE QUANTIQUE STATISTIQUE 493
Compte tenu de (57.7b), (57.7c), (57.9) et (57.10) on voit que les

fonctions
U7cx (k, k ; t) > 0 et wph (k, k ; t) > 0
représentent respectivement la probabilité de trouver dans le système
dynamique un exciton ou un photon à l ’instant t avec un vecteur d’on
de k ; w0 (t) 0 représente la probabilité pour que le système dyna
mique ne contienne ni photon ni exciton.
Substituant (57.6) dans (57.5) et utilisant (57.8) nous trouvons
un système d’équations pour les fonctions w0 (t) :
- ^ - = 2 2 ' Y(k)*ex(k, k ; t) (57.12)
k
et pour les fonctions wt (kt , k2; t) pour chaque couple de valeurs klT
k 2. Dans ce qui suit, considérons seulement le cas où kxet k 2 s’écrivent
k, = k + g,, k 2 = k + É2, (57.13)
où £i et £2 vérifient
Si + E s = 0 , | Ex I. I E s l < A 6 < | k |. (57.13a)
Dans l ’approximation
h i « /*« « /* . y (k) « V (kl) « y (ks) (57.14)
les variables
Wi = wt (k. + in k + 0» 1 = i, 2, 3, 4,
sont solutions des équations
Lwt = l — y (k) + 2i (—)]
Lw2 = [— y (k) + îQ2i ( —)1 / (k) wk%
(57.15)
Lw3= Q2lwk,
Lwk = — Q2lw3— } (k) w2,
où
Z,S A + ï (k) _ iQ sl( + )t
2Q21(± ) = $k2—^k| ± (o)|c2— (Okj), (57.16)

2(^21 = <*>kx+ û)k2— (^k! + ^k2)-
11 convient de résoudre ce système dans deux cas limites: a) à

l’instant initial il n’y a pas d’excitation et le champ électromagné
tique emplit uniformément tout le cristal, et on cherche sa variation
dans le temps; b) la lumière tombe normalement sur la surface du
cristal et on • herche comment elle se propage à l’intérieur.
57.1. Amortissement au cours du temps d'un champ électroma

gnétique spatialement cohérent. Supposons que le cristal de grand
volume U soit limité par des parois réfléchissantes, ou alors que le
champ et les excitons vérifient aux frontières du cristal les mêmes
conditions cycliques. Dans ce cas il suffit de considérer les états
correspondant à une valeur déterminée du vecteur d’onde kj =
= ko = k.
Si, à l’instant initial t = 0, il y a un photon dans le cristal, les
fonctions wt (k, k ; t) = wt (t) sont
wph (0) = 1, (0) = u>3 (0) = wt (0) = 0. (57.17)
Dans ce cas u?, (0) = — u\ (0) — Les équations (57.15) de-
viennent :
L twj ( 0 + Y“ >2( 0 = 0 * L lw2(t) + ywl (t) — -J-/u 74 (t) = 0 ,
"0
(57.18)
Ltw3 (t) — Aw\ (t) = 0, L tu\ (t) + Aw3 (t) + fw2 (t) = 0,
"0
où
Y= Y(k), / = / R, L( = y + — , A = (Dk- ? k. (57.18a)
Les fonctions
”ex ^ = TT7 1 ' Iu,x W + " ph ® = ~ “*(*)!ü \

(57.19)
définissent la densité d’excitons et de photons du cristal au moment t.
Résolvons le système (57.18), vérifiant les conditions initiales
(57.17), en utilisant la transformation de Laplace, où le temps sera
la variable d’intégration. Posons
oo
X {wt (t)} = W t (p) = j e~ptwi (t) dt. (57.20)
0
Sachant que
2 { W L } = p X {w i{t)}_ Wl{0)
et compte tenu des conditions initiales (57.17) le système (57.18)

devient
(p + y )W 1(p) + yW 2 (p) = 1 //2 ,
(P+Y) W 2 (p) + yW 2 (p)—fW k = - 1 f\T2,
(p + y) ^ 3 (p ) - a^ * (p) = o,
(P + Y) (P) + AWk (p )+ fW 2 (p) = 0,

S 57] THÉORIE QUANTIQUE STATISTIQUE 49S
et les solutions sont
w«<*, p )= = S£f f L {l(P+yr-+D2(+)\-1-

- l ( p + y ) 2+ D ( - ) ) - %
W.(k -X W x-W t ( p + y )A ( + )+ B ( + ) , ( p + v M (- ) + B ( - )
p“ v ’ p> y 2~ (p+Y)*-Z)*(+)
ro 4 -v i* — b m - m "** rD-i-v i» 4 -D * r— \ »
^ 3 (*, P) = A y (p + t) 2V) Wei’ ^ = (P + /T)^ (57-21>

ou
A ( ± ) Sm ± ( i ± £ g i ) ,
* (± )-j( i± yi+àl 7 ^ /eo),

(57.21a)
D (± ) = \ Y S z ± (y2 —A2 —/ 2/e0),
52 = V (y2—A2 —Z2/(e0)2+ 4y2A2.
Si nous inversons la transformation (57.20) nous obtenons les fonc
tions cherchées
f*e -yt
Wex ( t , t) = 25*
{C h [* £ > ( + )] - C O S [fZ> ( - ) ] } ,
•^ph (k, t) = e~yl |j4 ( + ) ch [tD ( + )1 + A ( —) cos [tD (—)] +
+ 4 g Is h [fZ )(-l-)]+ 4 i^ -s in U Z )(-)]} . (57.22)

Les fonctions (57.22) se simplifient au voisinage de la résonance k =
= k0, où Ako = 0 -:
êx (k0, 0 = (a, t/2) exp (—y0t),
wph (ko» t) = [d>x (a, t/2) + Voê («» t/2)]2 exp (—ToO» (57.23)
œ3 (ko, t) = 0 , wk (k0, t) = (2 e0)“,/2/o(I)2 (*, 0 exp (—yo0 »
où
a — T J - e ;1/*. (57.24)
Les fonctions (Dj (a, x) et 0 2 (a, x) sont définies par le tableau H).
Les expressions (57.23) montrent que dans le cas général la densité-
de photons (proportionnelle à itfph) ne décroît pas au cours du temps
suivant une simple loi exponentielle. Ces équations prennent une
forme particulièrement simple en l’absence de relaxation (y0 = 0 ).
La probabilité de trouver le système, soit sous la forme photonique,
soit sous la forme excitonique, varie dans le temps de manière oscil-
latoire avec une période t = /io J i//0 :
Wpb (ko, t) = cos2 -|sL-, Wcx (k0, «) = sin2 , (57.25)
les deux autres fonctions étant

wa (k0, t) = 0, Wi (ko, 0 = sin (f0t). (57.26)
La fonction wk (k0, t) est proportionnelle à la vitesse de transfert

de l ’énergie du photon à l’exciton.
Le tableau 19 montre que le caractère des solutions (57.23) dé
pend du signe de a = yj — /J/e0. Il convient donc de discerner deux
cas limites.
Tableau 19
Valeurs des fonctions O; (a , x)
a> 0 a< 0
O, (a, x) ch (x Y a ) cos (x Ÿ\â\)

sh (x Y a ) sin (x / | 7 1 )
®2 (*, *) /T /M
A. L’inégalité
fl » e„YÎ (57.27)
est satisfaite. Par définition cette inégalité définit la condition de
liaison forte des photons et des excitons (relative au problème spatio
cohérent). Dans ce cas
K>pb (ko, t) = [cos-îÿ-+ -JJ- sin -îÿ - ] 2 exp ( —y00 ,
Wex (k0, t) = (cojjeo) - 1fie-y»1sin 2 (cû0t), (57.28)
w3 — 0 , wk (k0, t) = (n0ù)0 / 2)-1 sin (ü>00 »
où
“ o = VW^ô—ÿ î « AAo* (57.29)
Les graphes des fonctions n;ph et wCT sont représentés sur la figure 74
par des lignes continues (on suppose f 0 = SY0rc0).
B. L’inégalité
fl < e0v2 (57.30)
est satisfaite. On l’appelle condition de liaison faible des excitons et
des photons (relative au problème spatio-cohérent). Alors Y a « y —
— /J/2y et on trouve approximativement

Wph (ko, t) « e-vo‘ £ch ( - ^ V^â) + sh (-£- j/â ) ]2 «
« e x p ( —/î«/2e0v0),
■*, (>■.. o * t & t [ * * £ - 2e' " ' + « p ( - * » • « + ■ & ■ ) ] •

(57.31)
~/jj<
w* (ko, 0 = T2 T
y /s2 ------
BoVq 1« 2e«V8 - « -2vo']-
Les graphes des fonctions u7Ph et w;ex sont représentés sur la figure 74
par des lignes continues (on suppose f 0 = 0 ,6 yowo)-
Fig. 74. Variation de la probabilité de trouver le système dans un état photo

nique ou excitonique pour une liaison faible et forte des photons et des excitons.
Les courbes pointillées représentent ram o itissem en t exponentiel effectif de la densité de
photons.
Lorsqu'il n'y a pasarésonance (k ^ ko, Ai ^ 0), les variations

dans le temps des fonctions iPPh (k, t) et zrex (k, t) sont, définies
3 2 —0534
dans le cas général par des expressions extrêmement compliquées

(57.22). Si l ’on ne s’intéresse qu’à la valeur moyenne de la probabi
lité itfph (k, t) de trouver le système dans un état photonique de
vecteur d’onde k, il est commode de réduire la fonction irph (k, t)
à une forme exponentielle exp (—yerr (k) /) en choisissant ycff tel
que
oo oo
j u?ph (k, t) dt = j e~y*ltidt.
o o
Le paramètre effectif yett caractérise la décroissance exponentielle
effective au cours du temps du flux de photons:
Ycrr (k) = ( j wpb {t) dt ) \ (57.32)

0
Comparant (57.32) avec (57.20), on constate que yeff (k) s'exprime

directement comme la transformée de Laplace de lVvh (k. p) lors
que p 0 :
7err (k) = (lim W pb (k, p))-‘ ^ • (57.33)

P—0 *kÂk • 'k'*eo
Si l’énergie des photons et des excitons dépend de la valeur absolue
de k, compte tenu de (57.19) l’expression (57.33) peut s’écrire sous
forme approchée
Vo/5/2go
Yerr (<*>) (a)— <ù0)2 Vg + H ! 4e0 ’
(57.34)
OÙ
/o = /k 0 , ÏO = ï k . , C0() = % ( k 0).
Ce vecteur k 0 est déterminé par le point d’intersection des courbes
de dispersion excitonique et photonique, c’est-à-dire par l'égalité
g (k 0) = - ^ = c„k0.
57.2. Transmission de la lumière à travers le cristal. On admet

habituellement, en spectroscopie expérimentale d ’absorption d’une
lumière monochromatique, que l’intensité de la lumière transmise à
travers le cristal décroît exponentiellement avec l’épaisseur traver
sée (loi de Bouguer-Lambert)
J (z) = J (0) exp (—xz). (57.35)
Le coefficient d'absorption de la lumière x caractérise le degré d’af
faiblissement de l ’onde monochromatique au fur et à mesure de sa
propagation. On le mesure par le rapport J (z)/J (0).
S 57] THÉORIE QUANTIQUE STATISTIQUE 499
Pour décrire théoriquement ce phénomène d'amortissement

spatial, il convient de remplacer cette formulation par une autre,
qui consiste à étudier l'amortissement des photons au cours du temps.
La règle d’or de Fermi (théorie des perturbations dépendantes du
temps au premier ordre) permet d’exprimer la probabilité d ’absorp
tion de la lumière par unité de temps
(57.36)
caractérisant la transition quantique du cristal de l'état fondamen
tal vers l’état excité. Dans ce calcul ne figurent pas explicitement
les paramètres de relaxation des excitations du cristal. Toutefois,
lorsque ceux-ci atteignent des valeurs assez élevées pour ralentir
suffisamment le processus inverse d’émission, la méthode reste va
lable (voir ci-dessous). Si T est constante, (57.36) devient
J ( t) ~ J (0 ) exp ( - H ) . (57.37)
L'expression spatiale de (57.37) s'obtient simplement en remplaçant t
par z:c0. où c0 est la vitesse de la lumière dans le cristal. Le coeffi
cient d’absorption est
x - T c0. (57.38)
La théorie microscopique, basée sur les équations (57.15). défi
nit les limites d’application des approximations définies plus haut.
Pour décrire les processus de transfert des quasi-particules dans le
cristal, il est nécessaire de définir leurs états par des paquets d ’ondes.
Le vecteur d’onde de ces paquets est caractérisé par une indétermi
nation A£ < —le long de la direction de propagation (a est la cons
tante de réseau).
L’état correspondant au paquet d’ondes centré sur k et d'exten
sion spatiale Az « 2 ji A£ (l’axe z est orienté suivant k) est décrit
par la matrice densité (57.6) où seules les fonctions
+ kflîî 0 = (k ; 0 (57.39)
sont différentes de zéro. et sont des vecteurs d ’onde parallèles à
k et vérifiant les conditions
llil, llzK A i, 1 * ^ = 0 . (57.40)
Il s’ensuit
5 + —Ê*)r]ss0,
11 . (s
* 2 f ê i - y “4it* ® x p [t(ij-!* )rJ= *
h* U
2 * 4 i,e * p u ( S i- y r i.
Il» ls
32*
Pour des états décrits par des paquets d ’ondes de centre k on

peut écrire les égalités approchées
$lc+s ~ ©k+t ~ ©k 4* (57.42)
où V|c = dgk/dk est la vitesse des excitons, c 0 la vitesse des photons
dans le cristal.
Les fonctions (57.39) vérifient le système (57.15) déterminé par
les expressions (57.16). Compte tenu de (57.42)
Q*i (± ) » (Iî — li) Fit (± ), 2Vk (± ) = c0 ± Vk,
<?21 « Ak + Fk ( - ) ($, + | 2), Ak = cok - gk. {b7Aà)
Substituons (57.43) dans (57.15), multiplions les deux membres de
chaque égalité par (2n ) -3 exp {i (|j — | 2) r} et sommons sur tou
tes les valeurs de et | 2. Compte tenu de (57.41), on obtient le
système
Lt. i ^ i = [ —Vk+ Vk ( —) - ^ - ] w 2,
L t. tS 2 = r - Y k + V k ( - ) 4 - | ^ + ^ W
« « j o (57.44)
Z-r.|U73 = Ak»4»
L r, tû>k— ~ Ak^3—4 ~ f kw2
«o
pour les fonctions
» | 3 W((k; r, t) = - ^ r
2 “,6iSî(k » O exP U (li—y r l- (57.45)
ti. ti
Dans (57.44) nous avons posé
£ , . . « i M - £ + < v ><+>- s --
Les fonctions
nex = -jj-wex(k; r, t), npb = -jr wpb(k] r, t), (57.46)
où
» « ( k ; r, t) = — -(^ 1 + ^ 2). W p ^ - ÿ j i W i — wt)
définissent à l'instant t la densité d’excitons et de photons au point r

dans le volume U.
Cherchons la loi de variation» des fonctions w\ = wt (k1; z, t)
dans la région z > 0 pour un flux stationnaire de photons de densité
il U traversant )a' surface %=='ff dans une direction définie par k.
Dans ce cas, l ’étude de la propagation de la lumière dans le milieu
optiquement isotrope se ramène à un problème stationnaire unidi

mensionnel. Toutes les fonctions wt = wt (k, z) ne dépendent pas
du temps. Ainsi à la surface 2 = 0, nous obtenons les conditions aux
limites wph (k, 0 ) = 1 , we* (k, 0 ) = 0 ou
wx (k, 0) = — w2 (k, 0) = 1 / / 2 , w3 (k, 0) = wk (k, 0) = 0. (57.47)
Posons
/s /i, Y= Vk> A s Aic= 0)k —£k,
L z= y + V (+ wl (z) = wt (k; z),
le système (57.44) devient
L zwi (z) = [ P (—) -1 — y] w2 (z), L zw3 (z) = Awk (z),
L twj (2) = [ V ( —) J
— Y wi (2) + ~ f wK(2), (57.48)
L xwk (z) = — Au>3 (z) — fw, (z).

Pour résoudre ces équations, compte tenu des conditions aux limi
tes (57.47), il convient d’utiliser la transformation de Laplace où z
sera la variable d’intégration. Posons
X {wi (z)} = Wi (s) = j dz e~awi (z). (57.49)

0
Sachant que
X Wt (z)] = sX {u?, (z)} —Wt (0),
compte tenu des conditions initiales (57.47), prenons la transformée
de Laplace du système (57.48) :
a sW 1- P ,W 2 = c0/V 2 ,
a tW z- î t W x- f W J n 0= — c0/]/"2.
(57.50)
o,W73 - A W 4 = 0 ,
a,W k + AW3+ 1W2/n0 = 0,
OÙ
s sV (+ ) + y, p, = sV (—) — y.
a, (57.51)
En résolvant le système d ’équations (57.50) on trouve en particulier
cpg^/Zeo
W et ik , Z) .
( a * - p j) (a * + A * )+ /* a s/eo ’
(57.52)
Wph(k, 2 ) = - l [ l P«)/V2eo
(<**-&*) (a*+A*)+/*a*/2eo.
Il semble impossible de chercher les pôles de (57.52) et d’effectuer

la transformation inverse de (57.49) dans le cas général. Cependant
c’est facile lorsque A = 0, c’est-à-dire à la résonance entre exciton
et photon. Dans ce cas après transformation de (57.52) on obtient
^ ( k .. ( _ _ £ .) [ * ,( „ , ^ ) +
( H - ]• (57'53)
exp (— — )
^ Ph(k0, z) = ---- - g —2——[ (4y2c~ ftv0 •£-) +
+ Y ( 4v2Cq—f\v0 3c°e^ t,° ) <&. (n, z/v0) —
p 1 - <57-54>
OÙ
H= T — f o V o ! { c 0 z 0) , S s 4y2cJ — E ô ' f l (c o + V 0f .
Les fonctions et. 0 2 sont définies par le tableau 19. Dans ces ex
pressions k0, v 0, c 0 sont dirigées selon z.
Comparant (57.53) et (57.54) avec les fonctions (57.22) on constate
qu’elles coïncideraient, à condition que la vitesse v0 des excitons soit
égale à la vitesse c0 des photons. En général vQ < c 0, c’est pourquoi
on ne peut pas trouver directement l’affaiblissement spatial de la
densité de photons (dans le cas de liaison forte exciton-photon fl »
v2eo) à partir de la loi d’amortissement temporel en remplaçant
simplement t par z/c0. Cette substitution est cependant possible dans
le cas de la liaison faible (/J ye0) (voir ci-dessous).
Examinons plus en détail les expressions (57.53) et (57.54) dans
quelques cas limites :
A. A b s e n c e d e r e l a x a t i o n (y = 0). Ce cas a un inté
rêt méthodique. Les états excitoniques ont une largeur finie, c’est-à-
dire Vq 0 .
Sachant que y = 0 et v0 0 . (57.53) et (57.54) donnent
2co /o -
êx (Ab. z) co+ L'o sin 2 2 Y UqÇqEq
Wph (ko, z) = 1 — ~r~

c0
wex ( * 0 . z ).
La somme des flux photonique et excitonique

J S S U 0W e x ( fc0 , Z ) + C ol^ph (A 0, Z ) = C q
ne dépend pas de z (il n’y a pas d’absorption vraie). La partie pho-
tonique du flux diminue depuis la valeur c0jusqu’à la valeur
THÉORIE QUANTIQUE STATISTIQUE 503
pour une distance A = ji V v^c0e0lf0. Parallèlement le flux d’exci-

2c y
tons augmente de zéro jusqu’à la valeur —-j*-2- . Pour une distance
double, l ’énergie des excitons se transforme à nouveau totalement
en énergie photonique. Pour v 0 = c 0 le transfert de l’énergie entre
photons et excitons est complet, comme dans le cas du problème
spatio-cohérent (57.24). Les photons et les excitons participent au
transfert énergétique en proportions égales. Inversement, si u0 = 0
les excitations électroniques sont immobiles et le transfert d’éner
gie n’est assuré que par les photons.
B. I l y a d e s p r o c e s s u s de r e l a x a t i o n , ma i s
p a s d e d i s p e r s i o n s p a t i a l e (i;0 « 0, 7 0 =5^ 0). Lors
que yo =7^= 0 , dans le cas limite de zones excitoniques infiniment
étroites ( v 0 » 0) les expressions (57.53) et (57.54) deviennent
*>- [ exp t i w ) - " ' ( - - ¥ - ) ] •

(57.55)
«:>- ^ / / r r r [ n f - exi>( - )-
De plus
w 3 (k0, z) = 0, WK (ko, z ) « 2 V ^ T" °. U7e i (ko, Z). (57.55a)
Les courbes de (57.55) sont représentées sur la figure 75 pour deux
rapports différents f 0/y0n0.
Lorsque 2yz ^ c0. la densité d’excitons et de photons varie pres
que exponentiellement. La vitesse de décroissance de la densité de
photons est alors déterminée par la vitesse du processus le plus lent :
a) transfert d’énergie des photons aux excitons, b) transfert d ’énergie
des excitons au thermostat.
Dans le cas d'interaction exciton-photon faible (relativement au
problème de l’interaction des excitons avec le thermostat), c’est-à-
dire si fl ^ b0yJ, c’est le processus a) qui est le plus lent. Les fonc
tions wi (k0, z) prennent alors les valeurs
^ Pb (k0, z) «s exp ( - -2^ - ) . “-'ex (ko. *) « (k0, 2),
(57.56)
(ko. z) = 0 , w* (k0, 2) « -2J p - f0wph (k0, s).
(57.56a)
Les fonctions Wph (k0, z) et (k0, z) coïncident avec les fonctions
(57.31) après substitution à t de z l c 0. Le coefficient d’absorption de
la lumière est proportionnel à la force d’oscillateur F, de telle sorte

que f; = QJF.
Dans le cas d'interaction exciton-photon forte (relativement à l’in
teraction des excitons avec le thermostat), c’est-à-dire si fl ^ e0Y2,
Fig. 75. Variation de la densité de photons et d’excitons avec l'épaisseur du

cristal en l'absence de dispersion spatiale.
le processus le plus lent est b). Les photons échangent rapidement leur
énergie avec les excitons, si bien que les fonctions densité de pho
tons et d ’excitons (pour 272 c0) sont presque égales
u>ex (ko. z) « ^ph (k0, z) « exp (\ — i M
Cq . ) . (57.57)
Le coefficient d’absorption de la lumière dépend alors uniquement
du paramètre y 0 qui détermine le processus de relaxation.
C. R ô l e d e s p r o c e s s u s de r e l a x a t i o n en
p r é s e n c e d e d i s p e r s i o n s p a t i a l e . Nous avons
§ 57] THÉORIE QUANTIQUE STATISTIQUE 505-
montré dans les paragraphes 56.2 à 56.4 que dans le cadre phénomé
nologique le rôle de la dispersion spatiale ne devient essentiel que*
lorsque
Vofl » Vocoeo = y2cn0. (57.58)
Cette inégalité permet de simplifier les expressions (57.53) et (57.54)-
(57.59)-
tt’pb (ko. 2) « exp ( — wex (k0, z). ' (57.60)-
Par suite, lorsque z > c 0l2y, le flux de photons diminue avec la dis
tance selon la loi
+ (57.61),
D. Coefficients effectifs d’a f f a i b 1 i s s e-

m e n t s p a t i a l d u f l u x d e p h o t o n s d a n s le*
c r i s t a l . Si l'on ne s'intéresse pas seulement à l'absorption au
voisinage de la résonance, il est commode d’introduire le coefficient
d’absorption effectif xett (*) défini par
30 OO
j ITph (k, z) dz= j dz,

0 0
d ’où on tire
OO
Keff (k) = ( j u>ph (k, z) dz) 1. (57.62).
0
On peut exprimer Xeff directement comme la transformée de Laplace

de (k, s) + W2 (k, s)} (cf. (57.49)):
«eff (k) = [lim Wph (k, s)]'1.
W ,(k , s) et W 2 (k, s) sont des solutions du système (57.50). Procé

dant de la même transformation que pour (57.33) il vient
Xctf ^ = (o)-w0)*+7î+/î/4e0 • (5/.63)-

où c est la vitesse de la lumière dans le vide, e 0 = nj la permittivité-
qui tient compte de tous les états électroniques, sauf ceux qui for-
506 D IS P E R S IO N E T T R A N S M IS S IO N D E L A L U M IE R E [CH . X I
ment la zone excitonique étudiée g k. Yo et / 0 correspondent à la

résonance co0 = g ko, où k 0 est déterminé par T intersection des cour
bes de dispersion de l’exciton libre g k et du pliolon ckln0, et vérifie
donc la condition g k = ckJnQ.
Conformément à (57.63) et (57.34) les coefficients effectifs d’amor
tissement spatial Xeff (co) et temporel Yerr («) des photons définis
par les expressions (57.62) et (57.32) sont liés par le rapport simple
Xefr M = ïcrr (w)/c0, c{) - cin0. (57.04)
De l’expression (57.63) on tire la demi-largeur T de la courbe d’ab
sorption Xeff :
r = V t + tV W (57.65)
L’amortissement Yo augmente de manière monotone lorsque la tem
pérature augmente. Si, pour des températures très basses, on a l’iné
galité e0vj fl, lorsque la température augmente, la demi-largeur T
varie depuis la valeur f 0/2n0 jusqu’à la valeur Yo (lorsque l’inégalité
fioVo » fl est vérifiée).
La valeur maximale du coefficient d’absorption effectif est déter
minée par
yW{2cno)
max Xeff (57.66)
7 1 + /î/4e0 ’
Dans l’approximation définie plus haut, il commence par augmenter
à partir de la valeur 2n0y0!c, passe par un maximum fJ2c, puis dimi
nue jusqu’à la valeur f\l(2yn0c).
Calculons enfin la valeur intégrée du coefficient d’absorption ef
fectif
(57.67,
Dans le cas de la liaison forte exciton-photon (/J y2c0)i la valeur

ATeff = nyofo/c. Lorsque la température augmente (c’est-à-dire lors
que y augmente) l’absorption intégrée Kett augmente jusqu’à la
valeur
A‘eff = n/J/(2w0c), (57.68)
lorsque l’inégalité y;co ^ fl est satisfaite. Cette valeur de KQtt
est proportionnelle à la force d’oscillateur de la transition F.
On utilise généralement la formule (57.68) pour calculer la force
d’oscillateur d’une transition (on mesure la surface délimitée par
la courbe d’absorption). Ceci n’a de sens que si la condition
Y Îe«» fl
est satisfaite. Cette approximation revient à négliger les variations
de l’absorption intégrée Kett lorsque la température augmente.
S 5?] THÉORIE QUANTIQUE STATISTIQUE 507
Un certain nombre d’auteurs [370, 371, 380, 381] ont récemment

•évalué les variations de l’absorption intégrée d’une bande isolée
lorsque la température augmente. Délukov et Klimoucheva [370,
371] ont montré que la surface limitée par la bande d’absorption
électronique pure du cristal de paradichlorobenzène était presque
multipliée par 6 pour une augmentation de la température de 4
ii 100 K. De la même manière, le maximum de la courbe d’absorption
zène.
.Les données expérim entales sont de Délukov et Klimoucheva [370( 371]. L’épaisseur du cris
tal est 0,6 p.
varie qualitativement en bon accord avec la formule (57.66) (voir

'fig. 76). Par ailleurs Voigt [380] a étudié l’absorption de cristaux
de sulfure de cadmium dans l’intervalle de températures 1,8 K à
180 K, pour trois bandes excitoniques. Pour la première, y1M_i (E j_ c)
•d’énergie d’excitation minimale (~2,55 eV) et de force d’oscillateur
F « 0,026, lorsque la température augmente l’absorption intégrée
est presque multipliée par dix, puis elle se stabilise vers 77 K. Pour
la bande d’absorption (E || c) d’énergie 2,57 eV et de force d’os
cillateur F « 0,016 la variation de l’absorption intégrée est moins
remarquable. La saturation se manifeste déjà pour des températures
supérieures à 4 K. Pour la bande cn-1 d’énergie 2,63 eV et de force
•d’oscillateur F « 0,008 on n’observe plus de variation de l’absorp-
rtion intégrée.
508 DISPERSION ET TRANSMISSION DE LA LUMIÈRE [CH. x r
Kreingold et Makarov [381] ont étudié l'absorption de la lumière-

dans le cristal de Cu20 , pour des excitons quadrupolaires, dans l'in
tervalle de températures de 1,8 K à 120 K pour Q0 = 3*10u s”1.
Pour les meilleurs cristaux (sans défauts), on observe une variation
très significative de l’intensité intégrale avec la température (entre-
1,8 K et 30 K). Malgré la faible valeur de f 0 (« 2 ,4 -1010 s”1) la dis
persion spatiale joue un rôle d’autant plus important que y - > 0
lorsque T 0 . Cette dernière particularité laisse à penser qu'il
s’agit bien d’une absorption quadrupolaire dont la fréquence de-
résonance £2r est inférieure à la fréquence Q0 du minimum de zone-
excitonique, £2r = Q0 — g; g = (cf. (56.7)). Pour Qp «
« 6,5-1016 s*"1, 80 = 7,5 et F « 3*10°“l0° la valeur g « 5,6-105 s"1-
CHAPITRE XII
EXCITONS TRIPLETS DANS LES CRISTAUX
§ 58. Propriétés fondamentales des états

excités triplets
La plupart des molécules neutres contiennent un nombre pair
d'électrons. Si l'on néglige les interactions spin-orbite dans T ha
miltonien des états électroniques de la molécule, la résultante des
spins de tous ses électrons est une intégrale de mouvement. Dans
l'état fondamental de la molécule, les paires électroniques de spins
opposés effectuent un même mouvement orbital avec la même éner
gie. Par conséquent la somme des spins des électrons est égale à
zéro pour un état de spin singulet. Les exceptions à cette règle sont
les molécules 0 2 et NO, qui dans l'état fondamental ont un spin égal
à un.
Les états excités des molécules sont liés à la transition d'un élec
tron dans un état orbital libre d'énergie supérieure. Ces états peu
vent avoir un spin égal à zéro ou égal à 1 (en unités h). Les premiers
sont appelés étais excités singulets et sont notés Sn. Les autres s’appel
lent états excités triplets et sont notés Tn (n = 1, 2, . . .).
D'après le principe de Pauli, pour un même mouvement orbital,
les deux électrons de spin antiparallèle correspondant à l'état sin
gulet sont en moyenne beaucoup plus proches l’un de l’autre que les
deux électrons à spins parallèles correspondant à l'état triplet.
C’est pourquoi dans l’état singulet, les répulsions coulombiennes
sont plus importantes que dans l’état triplet. Par conséquent l’éner
gie E (TJ de l'état excité triplet le plus bas est généralement infé
rieure à l’énergie E (SJ de l’état excité singulet le plus bas.
Sous l’action de la lumière, les transitions quantiques les plus
intenses ont lieu entre états de même multiplicité (sans changement
du spin moléculaire). En particulier, les transitions partant de l'état
fondamental ne peuvent aboutir qu’à un état moléculaire singulet.
Ge sont ces transitions qui sont justement les mieux étudiées sur le
plan »thébrique et expérimental (en particulier S 0 S J.
Danà üne théorie qui ne tient pascompte des interactions spin-
orbète^lés trahsitions* entre états singulets et triplets sont interdites
pàri rapport ant spin. Lorsque'*!1on tient compte de*Ces interactions.
510 EXCITONS TRIPLETS DANS LES CRISTAUX [CH. XIX
F hamiltonien de la molécule devient

H = H 0 -f t f a p .o , (58.1)»
où
Hsp.0 = (2m2c2)~i Ç s, [grad £/p,] (58.2).
est l’opérateur d’interaction spin-orbite (voir [51, § 64). s< est l’opé
rateur de spin et p* l’impulsion du Même électron, U est l’opérateur
énergie potentielle. Dans un champ central symétrique, (58.2) de
vient
2i - H É r < 5 8 '2 s >

où fi et sont les opérateurs de moment orbital et de spin du
Même électron.La sommation est effectuée sur tous les électrons do
la molécule.
Lorsque l’on fait intervenir l’opérateur Hspo dans l’hamiltonien
(58.1), le spin des électrons n’est plus une intégrale du mouvement
et l’on ne peut plus distinguer les états moléculaires singulets des
états triplets. Cependant, comme les interactions spin-orbite sont
faibles, on peut utiliser la méthode des perturbations. Soient E s
et Et les énergies et et ifÿ* les fonctions propres de l’opérateur H
correspondant aux états triplet et singulet (approximation zéro).
En première approximation de la théorie des perturbations l’opéra
teur total (58.1) possède les fonctions propres
^ ^$0>+ (58.3)
où
Ks — Kt \E s - E t \
Les transitions quantiques, autorisées par symétrie, entre des

états de multiplicité différente ( S T ), et répondant à une pertur
bation indépendante du spin des électrons, sont appelées intercom-
binatoires. Ces transitions ont une probabilité environ 10 6 fois plus
petite que celle des transitions autorisées par symétrie et par spin*
car elles sont dues à une proportion très faible d’états de multipli
cité différente (58.3).
Les excitations en triplet présentent, par rapport aux états exci
tés singulets, toute une série de particularités. La durée de vie de
ces excitations est beaucoup plus grande que celle des excitations en
singulet, car le retour à l’état fondamental singulet est* à l’approxi
mation zéro, interdit par spin. Cette durée de vie relativement grande
§ 58] PROPRIÉTÉS DES ÉTATS EXCITÉS TRIPLETS 511
et la présence d'électrons non appariés augmente la réactivité .de la

molécule excitée dans l’état triplet. C’est pourquoi ces états jouent
un rôle important en photochimie. Cette durée de vie importante don
ne la possibilité de créer dans un cristal une grande concentration
d’excitons triplets, et l’on voit apparaître des interactions entre
eux. Les états triplets sont triplement dégénérés suivant les valeurs
de la projection du spin de la molécule. Cette dégénérescence est levée
dans un champ magnétique ou par interaction spin-spin.
L’émission de lumière correspondant à des transitions quantiques
entre états de même multiplicité est appelée fluorescence. Elle est
caractérisée par une durée de vie de 10~7 à 10”10 s. L’émission de
lumière correspondant au retour de l’état triplet d’énergie la plus
basse à l’état fondamental singulet présente une durée de vie plus
longue (10 à 10 ”3 s) et est appelée phosphorescence *).
Ces excitations collectives correspondant aux états moléculaires
triplets sont appelées excitons triplets. Les bases de la théorie des
excitons triplets ont été établies par Merrifield [382], McConnell et
coll. [383, 384], Jortner et coll. [385, 386]. D’importantes recher
ches expérimentales concernant les excitons triplets ont été effectuées
par Hochstrasser [3871, Robinson et coll. [388 à 3901, Faïdych et
coll. [391 à 394], Avakian et coll. [395, 3961 et autres.
Ces recherches mettent en évidence le caractère migratoire des
excitations en triplet dans le cristal et permettent d’évaluer la gran
deur de l’élément matriciel de transfert intermoléculaire résonant
de l’excitation en triplet.
La description théorique des excitations stationnaires en triplet
diffère peu de celle des excitations en singulet étudiées aux paragra
phes 44.1,44.2. Dans la représentation des coordonnées, l’hamiltonien
d’un cristal comportant quelques molécules anisotropes identiques
dans la maille élémentaire s’écrit (on suppose les molécules rigide
ment fixées aux nœuds na)
# = 2 tfna + 4" S ' Vna, mp, (58.4)

na na, mfl
où Lna.mfl est l’opérateur d’interaction des molécules deux à deux;
Hna est l’hamiltonien de la molécule située au point na. Soient
la fonction propre (contenant les variables de spin) de l’hamiltonien
Hna correspondant à l’état fondamental d’une molécule isolée,
if(na la fonction de l’état excité triplet / de la molécule libre, l’éner
gie correspondante étant E)0> (s2) pour la projection de spin sz. Lors
que le nombre des excitations en triplet n’est pas trop grand, ces
fonctions sont décrites dans la représentation de seconde quantifi-
*) La durée de vie des excitons triplets dans le cristal d’anthracèno e st.

de 10“® s.
512 EXCITONS TRIPLETS DANS LES CRISTAUX [CH. XII
'C a t i o n par T h a m ilto n ie n
Ht = S 2 l^ f (5z) ®na, m p“f- M nttf m{5 ( / i S2)] Bâ ( / , S2) /?m 3 (/» ^z)»
$z na, mp
(58.5)
où Bna (fi $z) ©t B na (/, sz) sont les opérateurs de Bose des excita
tions en triplet de la molécule n a ; Ef (sz) est l’énergie d’excitation,
qui inclut la variation d’énergie statique d’une molécule avec tou
tes les autres, lorsque celle-ci passe à l’état excité /
^ n a , m0 (/» s z) — ^ n a , mfj(/» $z) “1“ ^ n a , mP (/> $z)* ^ n a , na — 0* (5 8 .6 )

«OÙ
*n«. ntf (/, *z) = {{A - 1) (p ^ (*2) cpjft (0) |F n«, «n^lcp^ (0) çÇft (s2))
(58.7)
représente l’élément matriciel d’interaction d’échange résonant entre
les molécules na et mp (A est un opérateur d’antisymétrisation).
L’ordre de grandeur de cet élément matriciel pour deux molécules
voisines dans le cristal d’anthracène a été obtenu dans [386]. Ces
auteurs trouvent une valeur ~ 10 cm"1. Lorsque la distance intermo
léculaire augmente, les éléments matriciels (58.7) diminuent expo
nentiellement.
/n a . mP = W & (S2) <p^ (0) | V na, mp | Cp'0' (0) ^ (sz))
est l’élément matriciel de transfert résonant de l’excitation en triplet
entre molécules. Lorsque l’on néglige les interactions spin-orbite dans
les opérateurs H î les éléments matriciels J na%mp disparaissent en
raison de l’orthogonalité des fonctions relatives à des états de spins
différents. D’après les évaluations de [3861, la valeur de J na, mp
de molécules voisines est de l’ordre de 10 ”3 cm"1.
Pour diagonaliser l’opérateur (58.5), il convient de passer à la
représentation excitonique en utilisant la transformation canonique
suivante :
Bna(f, sz) = 2 2 eikn“uan (/. **; k) B il (/» ■**; k). (58.8)

* k ji= l
<j est le nombre de molécules non équivalentes par translation dans

la maille élémentaire ; na = n + pa est le vecteur déterminant la
position de la molécule na dans le cristal; ualL est une matrice uni
taire vérifiant les conditions
.2 ~ *5 ’ânâv = ®nv 1 * **
li a i
Substituons (58.8) dans (58.5). Nous trouvons l'opérateur des états

excitoniques triplets du cristal
SH= k)B*(f, sx ; k sz ; k). (58.9)
H. k
Ici ($z, k) est l'énergie de l'état excitonique de vecteur d'onde k
de la bande fi, correspondant au /-ième état excité triplet de la molé
cule. Cette énergie, ainsi que la matrice unitaire uaik sont détermi
nées par le système
2 X $ ( s „ k) uw (/, k) = g<l/ )(s2, k) uail (/, k), (58.10)

3=1
OÙ
2 % (st, k) = E, (sz) + L% (st, k), (58.11)
Lal (Sj, k ) =
S Mâ, mp exp (tk (n a—mP)]. (58.12)
na-mf)
Comme les éléments matriciels diminuent rapidement lorsque la
distance intermoléculaire augmente, la fonction L$ (sz, k) est une
fonction analytique de k au voisinage de k æ 0 .
On se propose d'étudier le cas d'un cristal moléculaire monocli
nique, de groupe d'espace Cfa (naphtalène, anthracène, diphényle)
à deux molécules par maille élémentaire. Pour des vecteurs d'onde k
perpendiculaires au plan de clivage (ab), la matrice unitaire uall
ne dépend pas de k et a pour valeur
“w ( k ) B 7 r ( i ~i)* (58-13)
Dans ce cas l'équation (58.10) a une solution simple
4° (sz, k) = E , (st) + 1 $ (sz, k)- ( - I f Lu (st, k). (58.14)
L’éclatement caractéristique des excitons — « l ’éclatement de Davy-
dov » est égal pour k « 0 à
3 f ( s z) = \E V\sz, 0) — Efp(sz, 0)1 = 2 J L $ ( S z , 0 )|. (58.15)
De nombreux efforts tendent à définir la valeur expérimentale de
l’éclatement de Davydov correspondant aux états triplets des cristaux
moléculaires de composés aromatiques. Les difficultés expérimen
tales sont liées à la faible probabilité des transitions directes S 0 ->■ Tx
sous l’action de la lumière.
Le calcul théorique des intégrales de l’interaction et de la struc
ture de bandes excitoniques a été réalisé par Jortner et coll. [386],
pour les cristaux de naphtalène, d’anthracène et de diphényle, et
pour trois directions du vecteur d’onde, le long des trois axes cristal-
3 3 -0 5 3 4
514 EXCITONS TRIPLETS DANS LES CRISTAUX [CH. XH
lographiques. Les résultats de ce calcul pour l’anthracène sont repré

sentés sur la figure 77. On peut montrer que la principale contribu
tion à Téclatement de Davydov est due aux interactions entre les
deux molécules translationnellement non équivalentes d'une même
maille élémentaire. La valeur
de l'éclatement dans l’anthra-
cène est ~ 4 0 cm”1 dans le
naphtalène ~ 3 0 cm”1 et dans
le diphényle~3cm”1. Les éner
gies des deux bandes situées
aux frontières de la zone de
Brillouin perpendiculaires aux
axes hélicoïdaux coïncident. Ce
phénomène résulte de la symé
trie par rapport à l’inversion du
signe du temps.
Choi et coll. [397] montrent
par un calcul théorique qu’il
est nécessaire de tenir compte,
----- Ç=Aa en plus des interactions
....... $-kb d’échange entre molécules neu
tres, des interactions avec
------ transfert de charge. Cette inter
Fig. 77. Structure de bandes des excitons action peut contribuer pour
tripléts dans un cristal d’anth'racène. 50 % à la largeur de la bande
Calculs de Jo rtn e r et coll. [3861. excitonique. Il convient cepen
dant de tenir compte du fait
que rinteraction des excitations électroniques avec les vibrations de
réseau conduit à une diminution de la largeur de la bande excito
nique (voir § 60).
Avakian et coll. [398] donnent la valeur expérimentale'des élé
ments matriciels Mnctf mR dans le cristal d’anthracène. Lors du cal
cul du transfert de l’excitation en triplet, on peut ne tenir compte que
des interactions entre proches voisins. Dans le cristal d’anthracène,
il y a deux types de proches voisins, il y a donc essentiellement deux
types d’éléments matriciels.
1) n+b est l’élément matriciel de transfert d’excita
tion entre deux molécules voisines situées dans la direction de l’axe b
du cristal monoclinique.
2) Ba = M t est l’élément matriciel de transfert d’exci-
7V n. n+-L(a+b)
tation entre deux molécules voisines, translationnellement non équi
valentes, situées dans le plan ab. Cette simplification permet d’écrire
l’énergie des excitons sous la forme
c (k) = er + 206 cos (kb) ± 2pd [cos k(a^~b)- + cos k(a^~b) ] ,
S 58] PROPRIETES DES ETATS EXCITES TRIPLETS 515
où eT est l'énergie d'excitation d'une molécule dans l'état triplet.

Les auteurs de l'article [398] ont mesuré la grandeur de l'éclatement
de Davydov pour k = 0, exprimée en fonction de [Jd par la formule
A= 8 | |. La valeur t ouvée pour p d est p d = 2,1 ± 0,8 cm-1.
58.1. Excitation d'excitous triplets dans les cristaux. Comme la
probabilité de transition quantique de l'état fondamental singulet à
l'état triplet est petite, la formation directe d'excitons triplets dans
les cristaux purs nécessite une intensité lumineuse importante.
A l’aide de l’émission intense d’un laser à rubis (ha* = 1,8 eV),
Kepler et coll. [395] purent exciter des états triplets dans un cristal
d’anthracène. La présence de ces états triplets dans le cristal est dé
tectée par la fluorescence retardée de l’état singulet ( S cd æ 3,42 eV)
de symétrie 1B iu, résultant de la fusion de deux excitations en tri
plet de spins antiparallèles. Conformément à la cinétique bimolé
culaire l'intensité de cette fluorescence dépend du carré de l’intensité
du rayonnement de laser.
Une autre méthode d’excitation des excitons triplets dans l’an-
thracène est utilisée par Weisz et coll. [399]. Dans cette expérience,
la formation d’excitons triplets est réalisée indirectement, en exci
tant par la lumière l’état singulet 1jB2tt. L’énergie de l’excitation en
singulet lB 2u est transférée à l’état triplet étudié par un processus
non radiatif. On observe la formation d’excitons triplets grâce au
phénomène de fluorescence retardée des états singulets l/?2u, peuplés
par la collision de deux excitons triplets.
Gaididey et Petrov [400] étudièrent théoriquement la possibilité
de former par une excitation lumineuse une paire d’excitons triplets,
en faisant intervenir un état singulet virtuel. Nous nous proposons
de développer les bases de leur théorie. Pour simplifier les notations,
nous étudierons un cristal à une molécule par maille élémentaire.
Supposons que ces molécules soient rigidement fixées aux nœuds n
d’un réseau cubique simple.
Introduisons l’opérateur d’excitation simultanée de deux états
moléculaires triplets n et m conduisant à un état de spin résultant
nul
« « - 2 ( 1 1 * ; -* ,|0 0 ) « ( * , ) ; « ( - * ) , st = 0, ± 1 ,
4x
où (11$2; — s2 | 00) sont les coefficients de la somme. Si l’on tient
compte de leurs valeurs numériques, on a
« » = « ,„ = -£=- 2 ( - 1 )*“* « « ( s z). (58.16)
*2
L’opérateur hermitique conjugué de (57.16) Cnm caractérise l’anni
hilation d’une paire d’excitations en triplet (de spin résultant nul)
située sur les molécules n et m.
33*
516 EXCITONS TRIPLETS DANS LES CRISTAUX [CH. X II
Lorsque le nombre d’excitations en triplet dans le cristal est

petit, les opérateurs d’excitations en triplet isolées Bn (sz) vérifient
les relations de commutation de Bose, et les opérateurs Cnm véri
fient les relations
iCnmi CJil = (ônpôml H” ônl^mp)- (58.17)
Dans la représentation par sites, l’hamiltonien de l’excitation en
singulet H s et celui d’une paire de triplets de même type de spin
résultant nul /72T, s’écrivent
H s= S [Es (/) Ônm-f- A f â (/)] B*a (/) Bm (/), (58.18)
n, m, /
HzT = “2“ 2 [2Æy (1— ônm) “h ^nml

n, m
+ 2 MnmCjpCiiip (1 — SDp) (1 8mp)t (58.19)
n, m, p
où E s (f) est l’énergie de l’état excité singulet /, compte tenu des
interactions statiques de la molécule excitée considérée avec les
autres molécules du cristal; ET est une grandeur analogue pour l’état
triplet de la molécule d’énergie la plus basse; n (f) et M*m
sont les éléments matriciels de transfert de l’excitation entre les
molécules n et m respectivement dans l'état singulet / et dans l’état
triplet d’énergie la plus basse ; Vnm est l’élément matriciel d’inter
action entre les molécules n et .m dans l’état triplet. Dans ce cas
Mnn (f) = Mnn = ^nn = 0. Les facteurs du type (1 — ônm) per
mettent d’exprimer l’impossibilité pour une même molécule d’avoir
simultanément deux états triplets.
Supposons que l’interaction entre les excitations d’états tri
plets couplés et d’états singulets soit définie par l’hamiltonien
H s 2T = y 2 [W n»(/)Cîm B«(/)+c.h.l, W nn = 0. (58.20)
n. m, 1
Il convient d’exprimer l’hamiltonien total du système d’excitations
d’états singulets et d’états triplets couplés en interaction mutuelle
H = H s + H 2T + H s ^ t (58.21)
dans la représentation excitonique. Utilisons pour cela les transfor
mations unitaires
Ba (f) = y W ' Z B k (f) exp (ikn), (58.22)
C’nm= 4 rS Ck ( l) exP {* [ y (n + m ) + q (n —m )J ), (58.23)

§ 58] PROPRIETES DES ETATS EXCITES TRIPLETS 517
OÙ
Ck (q) = Ck( —q) =
= Y Ï 2 & /* + ,(O A /* -q (-* « ). (58.23a)
Dans (58.23) le vecteur d'onde k est la somme des quasi-impulsions

k = k* + k2 des deux excitons triplets, et 2q la différence kx — k2.
Les opérateurs Bk (f) et Ck (q) commutent entre eux. Ils vérifient
les relations
[-5k (/)» 5 k^ (fi)] —ô/^ôfcicj,
(58.24)
[^ k (<l)> (q i)] = ôkki (®qqi “t“ ^q. -q i)*
Substituons (58.22) et (58.23) dans (58.21) :
* = 2 { 2 Eï ( m ( f ) B * ( f ) +
k f
+S
q
fi (q) « (q)c*(q )+ j2
q. qi
v*(q- q»)c+*(q)c*(q) +
[ ^ ( q ) C £ ( q ) f î k (/) + c .h .]} , (58.25)
q. f
ou
E l (J) = Es (/) + S M l o exp (ikn) (58.26)
représente l’énergie des excitons singulets de vecteur d'onde k dans
la bande / ;
E l (q) = E t + 2 A exp [i q) n ] , (58.27)
(q, q i ) = y 2 (F ”° exP (‘ ( q i - q ) nl —
n
— 2Mn0eiknt2 (exp (— iqn) + exp (iqin)]}—ET, (58.28)
^ ( q ) = - 2 ^ -ocxpfi ( y — q) n ]. (58.29)
D’après (58.23a) Ci (q) Ck (q) et Ci (—q) Ck (—q) décrivent

une paire d’excitons triplets de spins opposés et de vecteurs d’onde
1 1
k 1 = y k + q et k 2 = y k — q. Par suite nous obtenons, à partir
de l’équation (58.27), l’énergie d’une paire d’excitons (sans tenir
compte de leur interaction)
E lT (q) = E l (q) + £ ? ( - q ) = 2 (ET + 2 M l 0eikn,z cos (qn)). (58.30)
518 EXCITONS TRIPLETS DANS LES CRISTAUX [CH. x n
Dans l'expression (58.28) le premier terme de la sommation dans

l'accolade représente l'interaction entre les deux excitons triplets
de la paire, les deux termes suivants caractérisent « l’effet de répul
sion » dû au fait que deux excitations en triplet ne peuvent coexister
sur une même molécule.
Selon l’expression générale (46.34), le tenseur transversal de
permittivité complexe, décrivant dans l'approximation Qa 1
la réponse du système (paires de singulets et excitons triplets en
interaction) à une perturbation électromagnétique extérieure de fré
quence o), est
e (Q, ê>) = 2 E» (/) d?G/ (Q. ®). <û= (ù+ îy, (58.31)
/
où d/ et yf sont le moment électrique dipolaire de transition et le
paramètre de relaxation de l’état singulet / considéré;
oo
G, (Q, © )^ « 5 q (/); B+q( / ) » - = - J eiZtG, (Q, t)d t
—oo
(58.32)
est la transformée de Fourier de la fonction de Green retardée des

excitations en singulet correspondant au vecteur d’onde Q de la
lumière
Gf (Q, t) = - i Q (t) <0 | [fîQ (/, t) ; 5$ (/, 0)] | 0>, (58.33)
où l’opérateur
Bq(f, t) = e'ntlhB<ie - iHttf'
Dans (58.33), la moyenne <0 J . . . | 0) est prise sur l’état fonda
mental du cristal.
Pour calculer la transformée de Fourier (58.32) de la fonction
de Green retardée (58.33), utilisons l’équation (E.6) des complé
ments mathématiques. Nous obtenons alors, compte tenu des rela
tions de commutation (58.24),
] ® - £ q (/)]G/(Q, © )= 1 + --= ■ 2 (q)«^Q(q); * q (/)»«• (58.34)
' q
Appliquons de nouveau l’équation (E.6) à la transformée de Fourier
((Cq (q) ; B q (/)))—. Nous obtenons une deuxième équation
[ê> Éq (q )]« C >Q (q ); B $ m z = y = -[W Q (q ) + W Q ( - q ) ] G (Q ,û) +
+ ^ 2 ^ Q ( q . q i ) + ^ Q ( - q . q i ) ] « ^ Q(<L); * q (/)»». (58.35)

qi
Dans l'approximation des grandes longueurs d'onde qui nous
intéresse ici (Qa <gc 1), on peut poser Q » 0 dans les équations (58.34)
et (58.35). Divisons alors les deux membres de l’équation (58.35)

par © — E*t (q) et multiplions-les par -1= exp (iqn). Après somma
tion sur q, compte tenu de (58.28) et (58.29), nous obtenons
F, (n, ©) = 2 I® '“ £2T (q)!"1{G/ (0, "œ) Wmo cos (qm) +

m, q
+ [Fm0[cos (qm) — 2M £ o]|F/ (m, ©)} exp (iqn), (58.36)
où on a utilisé la notation
F/(n, ©) = F, ( - n . «) = — 2 «C0r(q) ; B%(/))>exp(tqn). (58.37)
'YN q
Portons la valeur (58.29) dans (58.34). Compte tenu de (58.37)
on peut transformer (58.34) de la manière suivante :
'[© -£ ? (/)] G, (0, 5) = l + - 2 (n, <o). (58.38)

a
Eliminons entre les équations du système (58.36) et (58.38) la fonc
tion Ff (n, <d). Nous trouvons l’expression explicite de la transformée
de Fourier Gf (0, œ) = G f (©) déterminant dans] (58.31) la permitti
vité. Comme les éléments matriciels Wno, V uq et Af„o décroissent
rapidement lorsque croît la distance | n |, dans la sommation sur n
on peut se limiter aux plus proches voisins.
En particulier pour un cristal unidimensionnel on peut poser
avec une bonne approximation
W n0/W = Vn0/V = M I J M r = 1 (6na+Ô„, _a). (58.39)
Pour fixer les idées posons MT > 0. Introduisons la fonction
F / ( S ) = - [ ( F ( a , û ) + F ( - a , ©)] (58.40)
et les grandeurs sans dimension

t <ù—2E t ___ V a_ W A 2ET - E f ( f )
(58.41)
s — 2Mt ’ 2Mt * 2Mt ' 2Mt
Pour les valeurs (58.39), les équations (58.36) et (58.38) deviennent
Ff (5)=u + /i (!)-« /, (Dr1p/, (Dg, (©),

(58.42)
( |+ A /)<7/ (S )= 2 jg 7 + p F / (S),
OÙ
% = t+ iy /2 M T,
(58.43)
n
T, m = i V 009 1 f a a ) ^ 1 f lx dx / _ 4
N -Zl £—cos(qa) ~ îi j 5 -c o s i »
q o
Calculons l’intégrale. Nous trouvons
/ 1(9 = - ! ü = | f c ï , T2 = U i pour I ! | > l , (58.44a)
M I ) = - Æ |± i L , I 2= l l l pour |£ |< 1 . (58.44b)
Eliminons la fonction Ft (a>) entre les deux équations (58.42).

Nous obtenons l'expression finale de la transformée de Fourier de la
fonction de Green retardée correspondant à la bande / d’états exci-
toniques singulets pour Qa ^ 1 :
G/ (©) = - ^ - { | + A / ---------------------. j -1 . (58.45)
M 2Mt l ^ ; l + / x ® ( l - o £ ) >
D’après (58.31), la partie imaginaire dans (58.44) fournit une con
tribution à la partie imaginaire de la permittivité, donc à l’absorp
tion d’une onde lumineuse de fréquence co donnée.
Supposons que la fréquence co corresponde au domaine de fré
quences de la bande des deux excitons triplets (58.30) pour k = Q «
» 0. Dans ce cas d’après (58.41) on a l’inégalité
I l I < 1. (58.46)
En négligeant la partie imaginaire petite de £ et compte tenu de
(58.44b), on trouve que dans le domaine de fréquence considéré
(58.46) la partie imaginaire de Gf (<o) est différente de zéro et est
égale à
Tm r /~x f f t , a , P M a - in a . P4(1-1*) l - 1
Im G/ (© ) — 2 A /Tcp(i) {L S + A ' + <p(Ç) J + <p*(5) / ’
(58.47)
où
(p (Ç) = l + a 2 - 2a£. (58.48)
L’absorption définie par l’expression (58.45) est due à la création,
par l’intermédiaire d’un état virtuel singulet /, d’une paire d’exci-
tons triplets de spins opposés. La contribution relative de chaque
état singulet virtuel / (qui peut être aussi bien un état vibronique),
ainsi que la distribution d’intensité dans la bande d’absorption dé
pendent de la valeur des paramètres d/, A/, a, P et MT. Etudions
quelques cas limites.
§ 58) PROPRIETES DES ETATS EXCITES TRIPLETS 52Î
1) L’énergie de l’état excitonique singulet E§ (/) est proche de-

l’énergie de la paire d’excitons triplets 2Z?r , soit
2E t —E§ (J)
|A / |- 2M t
<1. (58.49)
Dans ce cas, dans l’intervalle de fréquences o défini par l’inégalité
(58.46), il y a une fréquence co0 pour laquelle
»«■ (58.50)
Pour ça = co0 la fonction (58.47) a un maximum. Ceci correspond à
l’excitation « résonante » d’une paire d’excitons triplets par l’inter
médiaire d’un état singulet réel d’énergie Ej> (/). Lorsque (J2Ap ( | 0)
->0, ce maximum devient une fonction delta
Im G ,(© )« — + — |S |< 1 .
Lorsque fj2/q> (50) 0, le maximum est moins accusé et la paire
d’excitons triplets est excitée avec une certaine probabilité dans
tout un intervalle de fréquences o> défini par l’inégalité
—2M t < g) — 2Et < 2Mt . (58.51)
La grandeur 4Afr , conformément à (58.30), correspond à la lar
geur de la bande énergétique des excitations libres de paires de tri
plets.
2) La fréquence de la lumière correspond bien au domaine de fré
quences correspondant à l’énergie de la paire d’excitons triplets,
mais l’énergie du niveau singulet virtuel E f (/) diffère notablement
de l’énergie de la paire d’excitons triplets de sorte que
i a i __ I 2ET- E l U ) > a , p et 1.
lA' ! = | ---- 2Mt---- (58.52)-
L'expression (58.47) donne alors simplement
Im Gj (<o) P* (58.53)
2Mt ^ © V i - i 2, |S I< 1 .
Il s’ensuit que la probabilité d’excitation d’une paire d’excitons tri
plets par l’intermédiaire d’un niveau singulet virtuel est proportion
nelle au rapport
Pa / W
A* v 2ET - E * ( f )
Etudions enfin le domaine de fréquences situé hors de la bande
(58.51) des excitations de paires de triplets. Dans ce cas | £ | > 1.
Portons (58.44a) dans (58.45). Nous obtenons alors
_______ «P®_________ (58.54)
G/(ô>)
2A/T [(I+A,)q>d)+P*a]
•522 EXCITONS TRIPLETS DANS LES CRISTAUX [c h . xn
Si la fréquence co tombe dans T intervalle correspondant à l'inégalité

<*P2 — (Z)]"1,
avec
Im Gf (©) = (58.56)
[<û—E? (/)]*+?* *
Cette fonction détermine, conformément à l’expression (58.31),
l'absorption due aux excitons singulets de la bande /.
Etudions maintenant les valeurs de (58.54) pour des fréquences
ne vérifiant pas (58.55), c’est-à-dire pour
161 > 1 et |S + A ,| i (58.57)

(la fréquence ne correspond pas au domaine des bandes de singulets
•et de paires de triplets). Posons
t 1+a* (58.58)
2a
Alors £2. Séparant dans (58.59) la partie imaginaire, nous
trouvons la fonction déterminant l'absorption
Im (2M t G , (©)} = [(A, + | 0)2+ 2 p 2]"1/2 x
v r (Si—£o)y (io—Si) Y
1 (58.61)
x L (6 —
dans le domaine de fréquences discrètes
©j = 2E t + 2AfT||, i = 1, 2. (58.61a)
Dans le cas particulier où | A/ + Eo I » P et £0 >■ 0 les maxima
-d'absorption correspondent à des valeurs de £ vérifiant
Ei « A, + P (A, + Eo)"\ El = - E . - P (A, + Eo)-1.
On ne pourra observer d’absorption dans l'intervalle (58.61a) que
.si | | 0 | > 1 (58.58), donc pour
a = | V | (2MT)~l > 1.
§ 59] INFLUENCE D’IMPURETES PARAMAGNETIQUES 523
§ 59. Influence d’impuretés paramagnétiques

sur la formation d’excitons triplets
Les expériences d’Evans [401, 402] montrent que la présence d’im
puretés paramagnétiques dans les cristaux moléculaires renforce nota
blement les transitions en triplet. L’un des mécanismes de ce ren
forcement est basé sur les interactions d’échange entre la molécule
d’impureté et les molécules de base du cristal. La théorie de ce phé
nomène a été développée par Gaididey [403]. Dans ce qui suit nous
étudierons les principaux traits de cette théorie du renforcement de
la probabilité d’excitation par la lumière des excitons triplets (par
l’intermédiaire d’un état excité singulet virtuel de la molécule).
Supposons que le nœud n = 0 d’un cristal moléculaire cubique
simple soit occupé par une molécule paramagnétique (atome, ou
molécule 0 2, ou NO, etc.) de spin S 0. Nous tiendrons compte seule
ment de l’état fondamental singulet du cristal, du premier état tri
plet et de différents états excités singulets des molécules du cristal.
Sous l’action de la lumière le passage du cristal dopé à l’état excité
triplet peut être réalisé en même temps que le retournement du
spin de la molécule d’impureté. Ainsi le spin résultant de l’état
excité de l’ensemble molécule de base plus molécule d’impureté reste
égal à S 0. Cette excitation sera appelée plus bas « excitation couplée ».
L’opérateur d’annihilation relatif à cette excitation couplée est
CnO= l2S0(S0+ l ) ] - 1/2x
X [S*0Bn (Sx- 1 ) + S~Ba (Sz = - l ) - / 2 S\Bn (S t = 0)] (59.1)
et l’opérateur hermitique conjugué CJ0 est l’opérateur de création
des excitations couplées. Ici les opérateurs de spin S q, Sz et SJ
(voir § 17) sont tels que le premier augmente d’une unité, le deuxième
diminue d’une unité et le troisième laisse invariante la projection du
spin de l’impureté sur la direction de quantification considérée.
Lorsque le nombre d’excitations est petit, les opérateurs d’excita
tion couplée vérifient les relations de commutation *)
[CnO, ^mo]= ^nm» [^nOt ^mo]e 0 (59.2)
L’opérateur énergie de ces excitations couplées peut s’écrire,
compte tenu de l’interaction d’échange entre les excitations en
triplet,
# r = S E TCïiïCn9 + S I M l mCï0Cm0. (59.3)
n n, m
*) Pour obtenir ces relations de commutation, nous avons pris la moyenne

sur toutes les valeurs de la projection du spin de la molécule d'impureté. Dans
les développements ultérieurs toutes les grandeurs correspondantes seront
moyennées de la même manière.
Ici Et est l’énergie d’excitation d’états triplets de la molécule (on

ne tient pas compte de la variation d’énergie de la molécule d’impu
reté, lorsque la projection de son spin est inversée, car elle est bien
plus petite que l’énergie des excitations d’états triplets); Mnm
est l’élément matriciel d’échange de l’excitation en triplet entre les
molécules n et m ; = 0.
En plus des excitations couplées, il convient de tenir compte des
états excités singulets / dont le moment dipolaire électrique de tran
sition d/ est différent de zéro. Si l’on néglige les interactions d’échan
ge dues à différents /, l’opérateur énergie des excitations d’états
singulets s’écrit
(f) B*a (!) Ba (!) + S M snm (f) B*m (f) Bn (f). (59.4)
n,/ n, m
Ici Bn (f) et B n (/) sont les opérateurs de création et d’annihilation
de l’excitation en singulet d’énergie Es (J) sur la molécule n, compte
tenu des interactions statiques de l’environnement ; A/£m (f) est
l’élément matriciel d’échange d’excitation / entre les molécules n
et m, A/Jn = 0. Comme il n’y a pas de molécule de base au nœud n,
dans les sommes (59.3) et (59.4) il faut exclure les termes n = m = 0.
Pour simplifier les calculs nous ne tiendrons pas compte par la suite
de cette limitation.
Ecrivons les interactions d’échange entre les molécules excitées
dans les états singulets / et la molécule d’impureté sous la forme
#m t = 2 (Wn0 (f)CUBn (f)+ c.h.], Woo = 0, (59.5)
n. f
où Wno est proportionnel à Y S 0 (S 0 + 1) et à la concentration en
impuretés. Nous supposons pour simplifier que l’impureté n’altère
pas le réseau et peut se trouver avec une probabilité identique à n ’im
porte quel nœud du cristal.
Pour calculer la permittivité (58.31) il faut connaître la trans
formée de Fourier
G, (Q, 5) - S e m n -m)((Ba {f) ; B*
m (/)» - (59.6)
n-m
OÙ
0)=(0-f-lY,
« Bn (/); B*m (!)))- = \ J e® «fî„ (!) ; B*m (f)))t dt, (59.7)
par rapport au temps et aux coordonnées d’espace de la fonction de
Green retardée
«■Bn (f) ; B+m (/)», B - î6 (<) (0| [Bn (/, *), B+ (/, 0)]|0> (59.8)
§ 59] INFLUENCE D’IMPURETES PARAMAGNETIQUES 525
des opérateurs d’excitation dipolaire en singulet.

Bn (/, t) = eiHtt»Bn (f) (59.9)
est la représentation d’Heisenberg de l’opérateur B (f) du système
d’hamiltonien
g # = f f T + H, + f f lni. (59.10)
On peut calculer la transformée de Fourier (59.7) par rapport
au temps, en utilisant l’équation (E.6) figurant dans les complé
ments mathématiques. Appliquons (E.6) à ((Bn (f); Bm (/)))~, pour
n, m =?ê=0
l à S - E aH(Bn (f)i B+m (f)))~ =
= ônm*4" S *^np ((^p » ^n0 ((^nO t ^m))^-(59.11)
P
Appliquons une deuxième fois (E.6) à la transformée de Fourier
<(Cn0; nous obtenons la deuxième équation
(Aco — Et J ((Cn0 ; =
= 2 Mnp ((^no î + W uq {(Bn ; B£i))~. (59.12)
p
Multiplions (59.11) par exp [iQ (n]—m)] et sommons sur (n — m).

Nous obtenons
^ - £ .,( 0 ) 1 S e*X“- “ >«S»(/); fiS,(/)))5-=
n—m
= 1 + S «IQlMÉW* «C„o ; B i»sr, (59.13)
n-m
OÙ
Es/ (Q) = E a+ S M np (f) exp [iQ (n - p)] (59.14)
n-p
représente l’énergie des excitons singulets dans la bande /.
Transformons de manière analogue l’équation (59.12); nous
trouvons
2 e«K— >{[»5 E t (Q)l <(Cn0 ; B i s ) ) - -

n-m
- W n0 « Bn (f) ; B ^ m S ) = °. (59-15)
Br (Q) = Br + 2 Ml'sss, exp [t‘Q (n —m)]
n-m
est l’énergie des excitons triplets
L’équation (59.15) est vérifiée lorsque
« C .. ; B i ( 0 » ï = « fl» (fl ; « < * » * •

Substituons cette valeur dans (59.13). Compte tenu de (59.6), nous
obtenons l'expression finale
h ( ù ^ E f (Q)
Gf (Q, ô>) (59.16)
[/to -£ T(Q)J lIto—E'f (Q)]-WJ *
où la grandeur W} est donnée par l’expression
S «*«■— JiRT.ol* « * . ( / ) ; B*m (/)))-= ^ ? C / (Q, ®).
D’après (58.31) la distribution spectrale d’absorption de la lumière
est donnée par la fonction
Im e (Q, <a) = 2 E*f$ Im G, (Q, ©). (59.17)
/
Dans le domaine de fréquences Hxù — ET (Q) correspondant à la
formation d’excitons triplets, la contribution à l’absorption de l’état
singulet virtuel / est donnée, conformément à (59.15), par l’expression
— Im Gj (Q, ©) = h%^ lh(ù_ É tf (Q,jt+ ( ^ + ^ ) i • (59-18>

Plus l’énergie du niveau singulet virtuel E gf (Q) se rapproche de
l’énergie de l’excitation d’un état triplet, plus la contribution de
ce niveau à la probabilité d’apparition d’un état excité triplet est
importante.
Pour simplifier le calcul nous avons négligé les perturbations
apportées à la symétrie translationnelle par la substitution au nœud
n = 0 d’une molécule de base par une molécule d’impureté. Lorsque
l’on tient compte de ce fait, la lumière n’excitera plus seulement un
sous-niveau de la bande d’excitons triplets (de vecteur d’onde Q),
mais d’autres sous-niveaux de cette bande. Cependant la probabilité
totale d’excitation par la lumière d’excitons triplets ne change pas.
§ 60. Interaction des excitons triplets
avec les vibrations de réseau
L’interaction des excitons triplets avec les vibrations de réseau
apparaît nettement dans les propriétés de ces particules. En particu
lier, cette interaction définit les caractéristiques de leur mouvement
dans le cristal. La théorie de ce phénomène a été étudiée par un
certain nombre d’auteurs [404 à 4061. Dans ce paragraphe nous dé
veloppons les éléments de base de la théorie sur l’exemple d’un
cristal à une molécule par maille élémentaire. Nous porterons plus
spécialement notre attention sur l ’interaction avec des vibrations
§ 60] INTERACTION DES EXCITONS AVEC LES VIBRATIONS 527
de réseau d'états électroniques à bande excitonique étroite. Nous

dirons qu’une bande excitonique est étroite lorsque sa largeur énergé
tique est inférieure à l’énergie d’agitation thermique moyenne.
Ecrivons l’opérateur énergie des excitons dans la représentation
par sites
ffex — 21 (eônm+ -Wim.)5î, Bm ; (60.1>
n, m
ici e est l’énergie de l’état moléculaire excité, non dégénéré, com

prenant les interactions statiques de cette molécule avec son environ
nement; M nm est l’élément matriciel d’échange d’excitation entre
les molécules n et m ; et Bn sont les opérateurs des états excités
de la molécule n. Lorsque le nombre des excitations est petit, ces
opérateurs vérifient les relations de commutation
[Bnf Bm 1 = 0 , [£n,B+m] = ônm. (60.2)
L’opérateur énergie des vibrations de réseau (sans tenir compte de
l’énergie de zéro) est
#vib = « 2 S W v (60.3)
S
Il s’exprime en fonction des opérateurs de création b9 et d’annihila

tion b9 des phonons de fréquence Qa, qui vérifient les relations de
commutation
[&., bn ] = 0, [6a, &♦ ] = ôMl.
Enfin l’opérateur d’interaction des excitons et des vibrations de
réseau s’écrit en approximation linéaire par rapport aux déplace
ments des coordonnées normales
Hmt = 2 B nm(s) BnBm(p8. (60.4)
f, n , m
Ici et dans ce qui suit nous utiliserons les opérateurs de phonons auxi
liaires
<P, = - p j ( b t +b;), n ^ -^ -ib t-b ,), (60.5)
vérifiant les relations de commutation

[<P«, nJl] = ô„1, [<p„ <p„] = [Ji„ *„] = 0.(60.7)
La principale caractéristique de l’opérateur simplifié (60.4) est de
représenter, dans un cristal idéal, des processus à un phonon, dans
lesquels l’énergie de l’exciton libre varie, mais son quasi-impulsion
reste constante. Cette approximation convient pour des états à bande
excitonique étroite.
D’après la théorie générale des fonctions retardées [407, 408],
pour définir les excitations élémentaires dans un système de parti-
cules en interaction, il suffit de calculer les transformées de Fourier

des fonctions de Green retardées. Dans le plan complexe des énergies
Ej les pôles (Et) de ces fonctions définissent Ténergie (Re E t) et
l’amortissement (—Im E t) des excitations élémentaires, ainsi que
la dépendance de ces grandeurs en fonction de la température.
Etudions la fonction de Green doublement retardée des opéra
teurs d’excitations électroniques moléculaires du cristal
« fîn ; B+))t s - i© (t) Tr {p lBn (t) ; Bp (0)1}, (60.7)
■où
B n (t) = exp (iHtlh) Bn exp (—iHtlh)
•est la représentation d’Heisenberg de l’opérateur du système d’ha
miltonien
H = £ex + Z7vlb +
D’après l’équation (E.4) des compléments mathématiques la
transformée de Fourier de la fonction de Green (60.7) par rapport au
temps est
oo
Gmp (£j = « £ m; = j B9))t dt, (60.8)
—oo
où £ = Æ5(<o = <o-f-iYf Y“ * + 0 ) vérifie l ’équation
E ((Bm ; Bp))g = [Z?mt Z?J] + (([Æm, H\ ; Bp))g.
Compte tenu de la forme explicite de H , on obtient l'équation
{E —e) Gmp (E) = ômpH~ 2 (E)-f"
mi
+ (s) ^miP ($» E), (60.9)
«• mf
OÙ
0 ^ ( 5 , E) = ; s;»gr
est la transformée de Fourier de la fonction de Green des trois opé
rateurs Bm (p, et Bp. Pour établir l’équation définissant cette fonc
tion, on utilise encore (E.4) :
{E — C) Omp (s, Z?) = A f ($, E) -f- ^QsDmp ($» E) -(-
mi
+ 2 B mmi (s) (((PsfBmi(pa ; Bp))e9 (60.10)
t, m i
où n mp est une nouvelle fonction de Green des trois opérateurs

Ilmp (s, E) = ; 5p))^#
3 60] INTERACTION DES EXCITONS AVEC LES VIBRATIONS 529
En utilisant (E.4) on trouve l’équation donnant n mp (s, Ë)

{E —e) n mp(s, E) = 2 ^Bun^mip (s» ^) +
«i
S ^miDi (s\) » Bp))}? —
1. mi
— 2 B mimi (s) > ^p))gf — AQ#Omp(5). (60.11)
D1| , ni2
Les équations (60.10) et (60.11) contiennent des fonctions de
Green à quatre opérateurs. Utilisant (E.4), on peut obtenir des équa
tions contenant des fonctions de Green d’ordre plus élevé. En con
tinuant ce processus, on obtient un système infini d’équations im
briquées les unes dans les autres. La résolution exacte d’un tel système
est impossible. Il convient de le limiter à une étape déterminée.
On peut alors exprimer de façon approchée les fonctions d’ordre plus
élevé par les fonctions d’ordre moins élevé. Ce caractère approché
de la solution est inévitable. Il reflète l’impossibilité de séparer
complètement les excitations élémentaires à une particule dans un
système constitué d’un nombre énorme de particules en interaction.
Limitons le système considéré en introduisant les simplifications
suivantes :
» ôWl (tt*+ V2) Gmp (E)f
((<psBmJZg ; <Bp))gr « -g- ôUlGgnp (E)9
((®m®m|®ni2 î Bp))^ ~ ômmi ( N 1) {B) àmimtN *Gmp {E)9
OÙ
- JüSl _ _e_
s (btb9) = l e * r -1 ]-* ; N , _ (B+nBn) = [e « -1 ]-*
sont les nombres moyens de phonons et d’excitations électroniques à
la température T. Dans notre cas c » kT, c’est pourquoi N e « 0.
Compte tenu des simplifications ainsi introduites, les équations
(60.10) et (60.11) deviennent
(E —c) Omp (s, E) = 2 M ($* E) -|-
®i
“t" ( “4" “2"] 2 ®mml (s) Gœip (Ë) + ftQ,nmp (s, Ë), (60.12)
®1
(Ë-c) nmp(s, E)—2 ^mmillmip($» Ë)-
™1
— 2 2 ®mmi {s)Gmip(Ë) — hQ9®mp(s, Ë). (60.13)
mi
3 4 -0 5 3 4
530 EXCITONS TRIPLETS DANS LES CRISTAUX [CH. xn
En éliminant entre les équations (60.9), (60.12) et (60.13) les

fonctions O mp et Ilmp, nous trouvons la transformée de Fourier Gmp (£)
de la fonction de Green cherchée. Les pôles de Gmp (E) déterminent les
excitations élémentaires du système excitons-phonons en interaction.
Bien entendu, ces excitations vont dépendre de la température. Dans
les sections suivantes de ce paragraphe, nous étudions des cas par
ticuliers de ces excitations élémentaires.
60.1. Excitations élémentaires spatialement cohérentes. Dans un
cristal idéal les éléments matriciels Dnm (s) et M nm dépendent seu
lement de la différence n — m. C'est pourquoi les états quasi station
naires des excitations élémentaires à une particule sont caractérisés
par des valeurs réelles du vecteur d'onde k situées dans la première
zone de Brillouin de l'espace k. D'une manière générale, l'énergie
de ces excitations élémentaires sera complexe. La partie imaginaire
de l'énergie représente l'aspect quasi stationnaire des excitations
élémentaires à une particule, dû au fait que l'on ne peut en principe
les séparer tout à fait des autres types d'excitations du cristal.
Les transformées de Fourier de la fonction de Green figurant
dans les équations (60.9), (60.12) et (60.13) ne dépendent elles aussi
que de la différence n — m. Il est donc commode de prendre la trans
formée de Fourier de ces équations par rapport à la coordonnée
d espace n. Pour réaliser cette transformation, multiplions les équa
tions concernées par exp lik (m — p)] et sommons sur (m — p).
Nous obtenons alors le système
[ £ - e (k ) ]G (k , f ) = l + SZ ?(s, k )0 (s , k ; 2 ).
l£ -e (k ) ]0 (s , k; £ ) -
= (n. + y ) d (s* k ) G (k’ 2) - W 1 (*. k : (60.14)
[ £ - e ( k ) ] I I ( s , k ; Ê ) = — ^ D ( s , k)G (k, £ ) - « 2 . n ( s , k ; Ë),
OÙ
C (k )= e + 2 eik(m-n)Mm n
m -n
est l’énergie des excitons libres;
DU, k )= T ellc<m-n>Z>m, n (s)

m —n
S 60] INTERACTION DES EXCITONS AVEC LES VIBRATIONS 531
est la transformée de Fourier de la matrice d’interaction;

O (k, 2 ) - S elk(m-n)£mn {£),
m—n
(D(s, k ; £ ) = 2 «ik"-n>a)mn(s, Ë),
m-n
ü (s, k ; Ë ) = 2 »nmn(s, Ë).
m-n
Eliminons du système (60.14) les fonctions O (s, k; E) et II (s,
k ; E). Nous trouvons une équation définissant G (k, E)
[ I - e ( k ) - S ( k , Ë)\ G (k, Ë) = 1, (60.15)
où
s (k
v
, ê ') = 4 2- 2 D*(s-
v ’
k)' L\ — ng+l— +^=—
E —e ( k ) — h Q s
- --------1 ,
E— e ( k ) + * Q * J ’
(60.16)
Ë = E + ir\. (60.17)
Le petit paramètre positif r\ caractérise l’auto-amortissement des
excitations électroniques, par exemple l’amortissement radiatif dû
aux interactions avec le champ électromagnétique du vide, dont
nous ne tenons pas compte explicitement ici.
La fonction S (k, E) est appelée énergie propre ou opérateur
de masse des excitons. Dans notre cas cette fonction représente l’inter
action de l’exciton avec toutes les vibrations de réseau du cristal
(dans l’approximation monophononique). En général l’opérateur
de masse (60.16) est une fonction complexe des variables réelles k
et E , de sorte qu’on peut écrire
S (k, Ê) = 3 0 (k , E) - iT (k, E), (60.18)
où
2 0 (k, F \ - VZj D*{t'2 k) \f (n.,+ l ) [ g - e ( k ) —*Q,1
[Æ -eM -AÜ^+T)*
ê
■ n ,[g -e(k )+ /ta ,l 1

l £ - e (k)+Mis|*+ rv»/’ (60.19)
P /t pv _ V» D* O. k) f T)(n,+ 1)______ ,__________ \
M ’ 2 Xl£—e(k)—AQ,]*+ti* [£—e(k) + Mi,l»+r)*/*
(60.20)
Les pôles de la fonction G (k, E) figurant dans l'égalité (60.15)
définissent de manière implicite l’énergie des excitations élémentaires
conformément à
E = c (k) + S (k, Ë). (60.21)
34*
532 EXCITONS TRIPLETS DANS LES CRISTAUX [c h . xn
Ainsi, pour chaque valeur fixée de k, la partie réelle de l’énergie

des excitations élémentaires est donnée par
£(k) = e ( 1 0 + 4 - 2 ^ k) +
. ^ D*(s, k) f K + i n g Q O - c t l Q - f t Q ,!
2 \ [£ (k)—c (k)—aQg)a+ T|s
n8 \ E ( k ) - e ( k ) + h Q 8] 1
(60.22)
[ £ ( k ) - c (k) + /ia ,] * + W *
Si la fonction D (s, k) ne diffère de zéro que pour quelques va
leurs discrètes de Qs le spectre des excitations élémentaires sera consti
tué d’une excitation sans phonons d’énergie E 0 (k) et d’excitations
satellites à un phonon d’énergies E+ (k) et (k), que l’on peut obte
n ir en cherchant les solutions de l’équation (60.22). Cette solution
je u t être obtenue par une méthode graphique.
Lorsque D (s, k) < hQa, l’équation (60.22) peut être résolue
par la méthode des approximations successives. Substituons dans
le second membre de (60.22) la valeur E (k) = e (k). En première
approximation nous trouvons l’énergie de l’état sans phonons
E0 (k) = el(k) - -i- S D2k k) /« V
5
Si les excitons n’entrent en interaction qu'avec une seule branche
de vibrations optiques s = 0, en ne gardant dans le second membre
de (60.22) qu’un seul terme
E (k)—c (k)— hQo vu E (k)—c (k) + h Q 0 f

nous trouvons l’énergie des satellites monophononiques:
E+[(k) = c (k ) + 4 - « V + r V (AQ o)2 + 2 ( « o + 1 ) 0 2 (O, k ),
E . (k) = c ( k ) - 4 - f â 0- - K ( ^ « ) 2+ 2«oZ>2(0, k).
Pour des températures pas trop élevées, ces expressions se simpli
fient encore :
E+ (k) = e (k) + Æ£20 + K + 1) Di (0, k)/2ÆS20,
E. (k) = e (k) — M20 — n^D2 (0, k)/2HQ0.
Dans l’approximation de la masse effective de l’exciton libre
e (k) = A*k*/2TO*. D’après (60.22) l’interaction avec les phonons
modifie l’énergie des excitons, et par suite la masse effective des
excitons. La nouvelle masse effective M* (dans le domaine des fai-
S 60] INTERACTION DES EXCITONS AVEC LES VIBRATIONS 533
blés valeurs de k) est donnée par la condition
2M* ~ 2m* 2 ^ ’ U' ’

d’où
= — Ç - 2 Z)2(s, 0) j -1 > m*.
M
60.2. Excitations élémentaires spatialement incohérentes. Lors

que Ton étudie la migration de Ténergie électronique dans un cristal
homogène, il faut étudier les états non stationnaires constitués, à
l’instant initial, d’une excitation électronique limitée à une petite
région du cristal. Dans ce cas, comme dans le cas d’un cristal pré
sentant une impureté ou un défaut du réseau, dans la résolution des
équations (60.9), (60.12) et (60.13) il est commode de conserver la
représentation par sites.
D’après les travaux de Takeno [4091, nous considérerons les
grandeurs suivantes figurant dans ces équations
Gmn (£). (£), Ilmn (Ê), •Dmn (S),
Lmn = CÔm„+ Mmnt M mm = 0 (60.23)
comme les éléments matriciels d’une matrice carrée de rang N.
Le système d’équations étudié devient alors
(EI — L) G (Ê) = 1 + £ D (s) O (s, Ê),
5
( E I — L) <D(s, Ê) = (n ,+ */2) D (s) G (Ë)-f>QaU (s, Ê),

(E I — L ) n (s, E ) = - V2Z> (s) G (E) - HQtU (s, £),
où / est la matrice unité.
Eliminons de ce système les matrices d) et II. Nous obtenons pour
la matrice G une équation écrite symboliquement sous la forme
[E I— L — Z ( É ) ) G = I % (60.24)
où la matrice « opérateur de masse » ou « énergie propre * est définie
par l’expression
H ( £ ) = 4 2 ° ( s) « " » + !) K® ~ MW / - +
«
+ n ,\(Ê + h Q t) I - L \ - 1}. (60.25)
Explicitons l’élément matriciel m, n de l’équation (60.24)
nni] 1 mmi (f)]G m,n (£)= «■ „. (60.26)
534 E X C IT O N S T R IP L E T S D A N S L E S C R IS T A U X [CH. X II
Cette équation montre que les excitations élémentaires à une parti

cule sont des solutions du système homogène correspondant à (60.26).
Les équations de ce système peuvent être écrites sous la forme
S [ÉÔmn- L mn- Sm (É)\ Y (n) = 0, (60.27)
où ¥ est une fonction auxiliaire, caractérisant la répartition de l'exci

tation suivant les sites du réseau. L’équation (60.27) s'appelle
a équation d'onde effective» (voir [408]). Elle n’est pas linéaire en E
car l’opérateur de masse (60.25) est une fonction composée de E.
Supposons que nous connaissons les valeurs propres et les fonc
tions propres de l’équation
S (e*.ômn— ^mn) <Px (n) = 0, (60.28)
qui ne tient pas compte des interactions excitations électroniques-

phonons. L’opérateur Lmtl est hermitique, c’est pourquoi les valeurs
propres e*. sont réelles et les fonctions propres vérifient la condition
d ’orthonormalité
S <Px(n) 9*1 (n) = ô u ,, S 9x (“) 9 x (m) = ônm. (60.29)
n k
Maintenant les éléments matriciels de l’opérateur inverse I E I —
— L]“\ figurant dans l’expression (60.25) de l’opérateur de masse,
peuvent être écrits sous la forme
*n» (E) = [ Ë I - L ] ^ = 2 <Px(°)<P;(m) , (60.30)

x B-*»■
où
E = E -\-ir\.
Dans un cristal idéal à une bande excitonique X= k, t \ = t (k),
9n (n) = * ■e<tn, c’est pourquoi
yM
gnm(Ë) = ± 2 (60.30a)
k ' *
Dans l’approximation de la masse effective, pour un cristal isotrope
c (k) = ft2k2/2tfi*. Dans ce cas, passant dans (60.30a) de la somma
tion sur k à l’intégration, nous obtenons pour n =?£= m
/ . 2m*E \
exp r — —1°—m I )
gnm (E) — 2nh2 |n —m| » (60.30b)
où v est le volume de la maille élémentaire du cristal.
5 60] INTERACTION DES EXCITONS AVEC LES VIBRATIONS 535
Les éléments matriciels de l’opérateur de masse (60.25) peuvent

être exprimés par la fonction (60.30)
Snm (£) = ~2 S ^°P (*) [(n*“H1) Ifpl O®- ‘^^»)*f"
». P. 1
+ n»gpi ( È + KX) 1Dlm (s). (60.31)

Séparons la partie réelle et la partie imaginaire de (60.31)
Snm (£) = 2 Z (E) - iTam (E). (60.32)
Compte tenu de la forme explicite des fonctions (60.30), nous trou
vons la partie réelle de l’opérateur de masse
S D- <*>S t x ( p ) * ; ( » ) { ‘f c - V l - +
s, p, 1 X
+ }*>■.»)• (W.33)
La partie imaginaire de Topérateur de masse (60.32) a pour valeur
r _ <*>--§- 2 p .( .) ^ M r id ) j +
s, p, 1 X
+ — (60. 34)
La solution de l’équation (60.24) pour la transformée de Fourier

de la fonction de Green
G (Ê) = [ E l—L —S (£)]-*
peut s’écrire sous la forme de l’équation de Dyson
G (Ê) = [El — L]-1 + [El — L]-1 2 (Ê) G (E) (60.35)
En utilisant les fonctions (60.30), les éléments matriciels de cette
équation s’écrivent
Gam (Ê) = gnm (Ê) + S gnp (Ê) 2 p, (Ë) Glm (Ê). (60.36)
P .l
Appliquons les expressions générales trouvées ci-dessus aux cris
taux à bandes énergétiques étroites. Dans ce cas les éléments matri
ciels (60.23) vérifient l’inégalité
Lnn = % ^ I ^mn I = I Mmn !• (60.37)
Par conséquent, dans le système (60.27) on peut négliger les éléments
matriciels non diagonaux. Le système d’équations considéré se trans-
536 EXCITONS TRIPLETS DANS LES CRISTAUX [CH. x n
forme en un système d'équations indépendantes

[ £ - e D. 8 M(£)]T(n) = 0.
Les valeurs de l'énergie complexe des excitations élémentaires sont
donc définies par l'équation
Ë = en + S nQ(É). (60.38)
La résolution de cette équation est possible lorsqu’on connaît
les fonctions Z)nm ($), <Px (n) et les fréquences propres Q, et e*. Sup
posons que l’excitation électronique interagisse seulement avec la
vibration locale au voisinage du nœud n = 0. Alors
®nm fa) = D (s) SnO^mO* (60.39)
Dans ce cas le seul élément matriciel non nul de l’opérateur de masse
(60.31) sera
Soo (£) = 4 S DZ (*) c. (Ë), (60.40)
8
où
£# (E) = (^t 1) 800 (E — hQ9) n8goo (E “f~^£2#)- (60.41)
Compte tenu de (60.40), l’équation de Dyson (60.36) devient
Otaa (Ë) = gnu, (£)j+ ± gn0 (Ë) S & (s) Ç. (Ê) G0m (Ë). (60.42)
8
Posons dans cette équation n = 0. Nous obtenons
Go» (Ë) = £om(2?) + 4 goo (Ë ) 2 & (S) C. (Ë) Gom (Ë),

8
d’où il résulte
Gom (E) = gom (E) A-1(£), (60.43)
avec
A (g) B 1 - - L goo (Ë) 2 D* (s) Ç. (Ë). (60.44)
8
Substituons (60.43) dans le second membre de l’équation (60.42).
Nous trouvons la valeur de la fonction de Green
Gnm (Ë) = grun(Ë) + -Ë A“ (Ë) ga0 (Ë) gQm(Ë) 2 & (*) £, (Ë).
(60.45)
Par conséquent les pôles de la fonction de Green (60.45), qui carac
térisent les excitations élémentaires excitoniques en interaction avec
S 61] MOUVEMENT DES EXCITONS DANS LES CRISTAUX 53T
les vibrations locales, sont donnés par l'équation

A (E) = 0. (60.4G)
Pour résoudre cette équation il faut connaître l'expression des fonc
tions D (s) et go0 (E). Différents cas particuliers ont été considérés
par Takeno [405, 409].
Dans un cristal idéal, les solutions de (60.28) sont des états exci-
toniques d'énergie e*. (k) et de fonctions d’onde eIkn. Si l’on se
limite à une seule bande excitonique e0 (k), d’après (60.30) la fonction
f0o ( £ ) = - 2 [ £ - e . (k)]"1.
k
Dans cette approximation l’équation (60,46) devient

i _ _ * v [ g _ e 0(k )ri y z>2( « ) — î ïs ü — |-
2jv o\ » Zj w \ £ _ e 0(k)—AQ,
k s
+ =----- T ) = 0.
E — e0 ( k ) + A Û , i
§ 61. Mouvement des excitons triplets

dans les cristaux moléculaires
La première preuve de l’existence d’un transfert non radiatif
de l’excitation en triplet dans des systèmes condensés fut apportée
par Térénine et Ermolaïev [4101 en 1952. Depuis de nombreux tra
vaux sont venus justifier ce résultat. La mobilité des états triplets
est attestée par de nombreux phénomènes. En particulier le phénomè
ne de fluorescence retardée dans les cristaux organiques fut expliqué
par Hochstrasser, Avakian et autres [411 à 413] comme la trans
formation à la suite d’une collision d’une paire d’excitons triplets
en un exciton singulet. Cette « annihilation » triplet-triplet est
largement utilisée pour étudier les propriétés des excitons triplets
[4131.
Les processus d’annihilation triplet-triplet sont généralement
décrits par l’équation phénoménologique
-§fp(r, 0 = ~ y p 2(r, 0 . (61-1>
où p (r, t) est la densité d’excitons au point r et à l’instant t. Le
paramètre y est déterminé par deux types de processus: 1) par la
migration des excitons triplets l’un vers l’autre et 2) par une collision
entraînant leur transformation en exciton singulet.
Sur neuf collisions possibles de deux excitons triplets, une seule
conduit à .la formation d’un état singulet, puisque l’addition de deux
*538 EXCITONS TRIPLETS DANS LES CRISTAUX [CH. X II
'états triplets donne un état singulet, trois états triplets et cinq

•états quintuplets.
Le déplacement des excitations électroniques dans le cristal est
conditionné par les éléments matriciels d’échange d’excitation
•entre les molécules n et m. Cet échange d’excitation conduit
-à la formation de bandes excitoniques d’énergie e (k) =
= Y] A/nm exp lik (n — m)l. Par suite les excitations élémentaires,
n—m
groupées par paquets d’ondes, se déplacent dans le cristal avec la
vitesse de groupe
v = — gradk c (k). (61.2)
<Ce mouvement est cohérent. Dans un modèle unidimensionnel M nm =
= M (6n,n+a + fin. n-a), n = na (n = 0, ± 1 , ± 2, . . .) et c (k) =
= 2M cos (ka). Dans l’approximation des grandes longueurs d’onde
v = 2Ma2klh. Par conséquent la vitesse moyenne des excitons peut
•être prise égale à
v « 2Malh. (61.2a)
L’interaction de l’excitation électronique avec les vibrations de
Téseau conduit à deux effets : a) la diminution de la valeur des élé
ments matriciels M nm — l’exciton « s’alourdit * ; b) il se produit
une diffusion (élastique ou inélastique avec perte d’énergie) des exci
tons sur les phonons. Dans ce cas le mouvement de l’exciton reste
•cohérent seulement entre deux collisions successives avec les phonons.
Le libre parcours moyen de l’exciton est déterminé par le rapport des
éléments matriciels d’échange d’excitation Mnm à l’énergie d’inter
action des excitons et des phonons. Si ce rapport est très petit, le
libre parcours moyen des excitons devient comparable à la distance
intermoléculaire. Le mouvement de l’excitation devient totalement
incohérent et se présente sous la forme de « sauts » d’une molécule
à l’autre. On parle alors de mécanisme saltatoire de transfert d'exci
tation. Le premier modèle de mouvement cohérent à été développé
par Merrifield [414] et un modèle de transfert incohérent par Trlifaj
[404] et d’autres auteurs [385, 398].
Dans le cas des excitons triplets, les éléments matriciels d’échange
•d’excitation sont dus aux échanges d’électrons entre molécules,
•cette excitation décroissant exponentiellement avec la distance entre
les molécules. Pour les plus proches voisins, l’ordre de grandeur de
ces éléments est de 5 à 10 cm-1. C’est pourquoi, si la température
n ’est pas très basse, le transfert saltatoire des excitons est plus pro
bable. Pour un modèle continu, ce mouvement saltatoire de la pro
babilité d’excitation est décrit par l’équation de la diffusion, qui
s ’écrit pour un mouvement linéaire
dp(j, t) r> a»p(x, *). (61.3)
dt dx*
§ 61] MOUVEMENT DES EXCITONS DANS LES CRISTAUX 539
Dans la théorie phénoménologique, le coefficient de diffusion D

relie le flux d’excitons au gradient de leur concentration. Dans un
cristal isotrope on peut écrire
u7°“n2» f61-4)
n
où won est la probabilité par unité de temps du transfert d'excita
tion de la molécule 0 à la molécule n. Dans des cristaux anisotropes,
cette probabilité dépend notablement de la direction. Par exemple,
dans l’étude d’Avakian et coll. [412], on montre que, dans le cristal
d’anthracène, le mouvement des excitons se produit essentiellement
dans le plan ab. Le coefficient de diffusion mesuré à la température
ordinaire est égal à 6,2 «ÎO-6 cm2/s. Dans ces conditions l’excitation
sur une molécule donnée se maintient pendant ~3*10~10 s. Sachant
que la durée de vie de l’exciton triplet est t 0 « 10~2 s, pour de fai
bles concentrations des excitons, la longueur de diffusion sera égale à
l = / 2 D t 0 « 3,5 «10“4 cm. D’après les résultats expérimentaux
(398], les éléments matriciels de transfert d’excitation entre molé
cules voisines d’anthracène se trouvant dans le plan ab sont égaux à
~ 2,1 cm"1. Par conséquent pour a = 8,56 Â, conformément à (61.2a
la valeur de la vitesse pour un mouvement cohérent des excitons
triplets serait ve « 3,4 *104 cm/s. La vitesse moyenne de ces parti
cules pour un mouvement diffusionnel serait vd = — æ 3,4-10’6cm/s.
To
61.1. Théorie des interactions des phonons et du mouvement des
excitons triplets. La théorie du mouvement des excitons triplets dans
des cristaux à bandes énergétiques étroites a été développée dans de
nombreux travaux: Trlifaj [404], Takeno [405], Haken et Reineker
1406], Avakian et coll. [398, 412].
Lorsque l’on tient compte des interactions excitons-phonons, le
déplacement de l’excitation électronique dans le cristal correspond
aux nouveaux éléments matriciels
(Ë) = + (g), (61.5)
où Mnm sont les éléments matriciels de transfert de l’excitation dans
un réseau rigide. Ces éléments déterminent la bande énergétique
t ( k ) * S M nmexp [tk(n —m)l (61.6)
n -m
des excitons libres; S (E) sont les éléments matriciels de l’opérateur
de masse (60.31). D’une manière générale l’opérateur de masse est
complexe et dépend de l’énergie de l’excitation élémentaire ainsi que
de la température du cristal.
Pour expliquer les caractéristiques essentielles des éléments
de matrice (61.5), étudions l ’approximation introduite par Takeno
[405] d ’après laquelle les éléments matriciels Z?nm (5), caractéri

sant l’interaction exciton-phonon, s’écrivent sous la forme
Dom(s) = a .M nm/ V N , (61.7)
où a8 sont des coefficients déterminant la contribution à l ’interac

tion de la branche de vibration normale s. Sachant que dans un
cristal idéal la fonction de distribution des excitons libres est
« / j? \ _ 1 ^ exp [tk (n — m)l
g nm W " N ZJ c (k )
k
et utilisant l’égalité (61.6) et l’expression (61.7) nous obtenons
s o , <•)*,<*) J W . ) - # 2 11 -
P. 1 k
= [E2gtim {E) ~ Eànm — ^nm)* (61.8)
A l ’aide de l’égalité (61.8), nous pouvons transformer (60.31),

qui devient
S (É ) = - w M om+ -± - 2 O! X
f
X [ ( « , + 1 ) ( Ê - h Q . y gnm ( Ê - h Q t) + n , ( ë + m t y g im ( £ + / & , ) ] -
— — ônm 2 aî [(2n . + 1) Ê - f c l ' h (61 9)

M
U7= ^ - 2 a î ( 2” . + 1)- (ei.io)

S
Les éléments matriciels (61.5) du transfert d’excitation entre les

molécules n et m, compte tenu de l’interaction avec les vibrations
de réseau, deviennent alors
0#nm (Ê) = ( 1 - W) M om+ 2 aj X |

ff
x ( ( n .+ 1) (E-HQ.)*gnm ( Ë - t ë ï , ) + n, ( Ë + M2,)2gBm ( E + ftQJ],
n=7^=m, E = E-\-ir\. (61.11)
§ ci] MOUVEMENT DES EXCITONS DANS LES CRISTAUX 541
Dans les cristaux centrosymétriques, pour de faibles valeurs

de T), la partie imaginaire de <Mnm (E) est
Im Q # t i m (E) =
- - â ? r 2 - K R + l ) ( * - » O J » S <1,V ^ - V A ? +
* + io + * « « » 2 <w . (« •« )
k
ici la sommation sur k s'étend seulement à la moitié de la zone de

Brillouin (par exemple pour kz ^ 0).
L'interaction des excitons et des phonons conduit donc à l'ap
parition d’un terme imaginaire dans les éléments matriciels M nm
et à la diminution de leur module. Ces variations augmentent avec
la température.
Pour étudier le déplacement de l’excitation électronique du
cristal introduisons la matrice densité
P (0 = S Pnm (0 &nBm.
O, H
Ses éléments matriciels sont définis par l'égalité
Pnm (0 = Tr {p (J) B^Bm}. (61.13)
La moyenne est prise sur le même ensemble canonique que celui
qui a été utilisé pour définir la fonction de Green (60.7). L'élément
diagonal pnn (*) caractérise la variation au cours du temps de la
probabilité de présence de l'excitation sur la molécule n.
Pour une énergie E donnée de l'excitation élémentaire, l'opéra
teur correspondant à l'« équation d’onde effective » (60.27) s’écrit
sous forme matricielle
t f n m - i r nm (61.14)
ou Hnm — Lfim R® “ nm (^)» Pnm — — Im 2 nra {E), La partie
imaginaire r Dm tient compte des processus dissipatifs dus aux in
teractions entre l'excitation électronique et les vibrations de réseau.
Conformément à (61.14), les éléments (61.13) de la matrice densité
doivent vérifier l'équation de Liouville généralisée
ih ^ = {E P “ — P -^ O n m i P rnn ( 1 ■ " ô n m ) P n m — *Ï T n n P n m ô n m .
(61.15)
Etudions cette équation pour un cristal unidimensionnel, en ne
tenant compte que des interactions entre plus proches voisins.
Posons
^nm = M ( ô n , n + a “f" 6 n , n —a )»
(61.16)
r 'n ii= = Yi L o in = T (Ô n , n + a “l “ ô n , n —a ) -
Le paramètre y représente la perte d’excitation du cristal résul

tant de l ’émission et d ’autres processus; d ’habitude on a 7 < T.
C’est pourquoi, si l ’on s’intéresse aux temps inférieurs à la durée
de vie d’excitation 1/y, on peut poser y æ 0. Dans ces conditions,
si l’on ne garde que les éléments matriciels pnm relatifs à deux mo
lécules voisines, on obtient le système
dp
Mi "Iq— = M ( p n - a , n — P n . n + a + P n + a , n — P n , n + a ) —
— ( P n - a , n “f* P n , n - a “t" P n + a . n — P n , n + a ) >
& ---- — = M (pnn — pn-a. n-a) — ^Tpn-a.n* (61.17)
ïh — M (P n -a , n - a — Pnn) — ^ P n , n -a »
Mi ^ — — M ( P n n — P n + a . n + a ) — * P P n + a , n»
i t i -------— = M ( p n + a , n + a ~ P n n ) — î L p n , n + a -
Eliminons de ce système les éléments non diagonaux de la matrice

densité
^*Pnn 2M % * . o . \ r ^P n n 0*4 4q\
— --------j j i“ ( P n + a , n + a + P n - a , n - a — - * P n n ) ------ £ --------------- • ( O l.lo J
Lorsque pnn (0 varie de façon monotone dans l ’espace, on peut

passer au modèle continu, en posant pnn (0 = p (x, t). L’équation
d * p (x , 0 _ 2 AT*a* d * p (x , t) T d p (x , t) mm ^ ^ , a4 4CÏv
— ------- â?-------T — dt— •
Lorsque la condition M T est réalisée, c’est-à-dire quand le rôle
des processus dissipatifs est faible, la solution de (61.19) est une
onde plane
p (x, t) = p 0 exp [i (x — y*)],
où u = Ma V 2!h. Dans le cas inverse T » M, et dans l ’équation
(61.19), on peut négliger la déiivée seconde de p par rapport au
temps. Par conséquent quand r > M , l’équation (61.19) se réduit
à l ’équation de la diffusion, avec un coefficient de diffusion
D 2M*a*
u ~ nr (61.20)
§ 61] MOUVEMENT DES EXCITONS DANS LES CRISTAUX 543
Pour évaluer grossièrement les caractéristiques du transfert

de l ’excitation, on peut introduire la « durée de libre parcours »
t = A/T. la vitesse du mouvement 2M/T et le « libre parcours
moyen » de l’excitation A = 2Ma/T.
Le paramètre T est proportionnel à l’énergie d’interaction exci-
ton-phonon. Il augmente avec la température. Inversement l’élé
ment matriciel M diminue lorsque la température augmente. Pour
une liaison exciton-phonon faible à basse température M T
et A = 2MaiT ^ a. C’est pourquoi le mouvement de l’excitation
électronique dans le cristal est cohérent. Pour des températures
élevées et pour une liaison exciton-phonon forte A / < T et A < û .
Dans ce cas le mouvement est incohérent, et il est décrit par l’équa
tion de la diffusion.
Tableau 20
Variation du « libre parcours moyen » en fonction de la
température, pour oes excitons triplets dans un cristal
d’anthracène [415]
T, K A, cm-* r, c ra-i Afa

10“ 4 cm2/s
118 4,0 18 7 0,32

160 2,5 18 14 0,056
298 1,5 17 26 0,012
371 1,6 19 31 0,008
Dans le tableau 20 figurent les valeurs des coefficients de diffu

sion Daa (mesuiées dans [415]) pour des excitons triplets dans l’an-
thracène, le long de la direction a. On y a aussi indiqué les valeurs
de l’éclatement de Davydov A de la bande excitonique pour quatre
températures, ainsi que les valeurs des paramètres T et A = 2MalT
calculés d’après la formule (61.20) pour M = A/8 et a = 8,56 À.
On voit sur ce tableau que pour des températures supérieures à
120 K, le mouvement des excitons triplets est incohérent et on peut
le décrire parfaitement par l ’équation de la diffusion.
A 4 K, M = 2,8 cm"1 et le paramètre T diminue jusqu’à 1 cm"1.
Dans ce cas A = 5,6 a. Le mouvement des excitons ne peut donc
pas être décrit par l’équation de la diffusion.
CHAPITRE XIII
TRANSITIONS OPTIQUES DANS DES CRISTAUX

MAGNÉTIQUES ORDONNÉS
§ 62. Transitions dipolaires magnétiques

et dipolaires électriques
dans les antiferromagnétiques
Des diélectriques contenant des ions du groupe du fer (avec une
•sous-couche 3d incomplète), ou des ions du groupe des terres rares
{avec une sous-couche 4/ incomplète) constituent, pour des tempé
ratures inférieures à une température donnée, des cristaux magnéti
ques ordonnés. Cette température est appelée température de Curie
■(Tc), si l’état magnétique ordonné correspondant est ferromagnéti
que, et température de Néel ( TN) pour un état ordonné antiferroma
gnétique.
L’interaction de la lumière avec ces cristaux magnétiques ordon
nés présente toute une série de particularités, liées aussi bien à la
structure électronique des ions magnétiques qu’aux propriétés
collectives des états excités dues à l ’ordre magnétique. Dans ce qui
suit nous étudierons des diélectriques antiferromagnétiques conte
nant des ions du groupe du fer.
Comme dans le cas des cristaux moléculaires, les excitations
collectives des antiferromagnétiques peuvent être associées à des
excitations des différents ions. Etudions d ’abord ce type d ’excita
tions. Les ions des atomes du groupe du fer, divalents ou trivalents,
présentent un moment magnétique (spin). Les états excités d ’énergie
la plus basse correspondent dans le cristal à des réorientations des
spins ioniques. Ces excitations s’appellent ondes de spin (voir chap.
IV).
Les excitations correspondant au domaine optique du spectre
ônt dues à une variation du mouvement orbital des électrons de la
sous-couche 3d (des ions paramagnétiques) avec ou sans variation
du spin électronique. L’analogie des spectres d’absorption obtenus
pour des cristaux contenant une seule espèce d ’ions paramagnéti
ques et plusieurs espèces d’ions non magnétiques (ligands) vient
justifier cette assertion.
Les ions divalents des atomes de Ni, Co, Fe, Mn possèdent res
pectivement 8. 7, 6, 5 électrons sur l’orbitale 3d, au lieu de 10. Les
•électrons 3d sont généralement situés à l’intérieur des atomes, de
telle sorte que leurs fonctions d’onde radiales ne présentent pas de
S 62] TRANSITIONS DANS LES ANTIFERROMAGNETIQUES 545
nœuds. Cet « effet d'écran » dû aux électrons externes conduit à un

faible recouvrement des orbitales 3d correspondant à deux ions
voisins. Comme le recouvrement des fonctions d'onde de deux ions
voisins est faible, les excitations collectives correspondantes, appa
raissant dans le spectre optique, peuvent être décrites convenable
ment par l'approximation de Heitler-London déjà utilisée pour les
cristaux moléculaires. Les excitations collectives des diélectriques
antiferromagnétiques ont été étudiées par Loudon [416], Petrov,
Gaididey, Loktev, Kharkyanen [417 à 422] et autres sur la base
d ’une représentation excitonique.
Il ne faut pas oublier que les états excités des ions paramagné
tiques, à l'origine des spectres, sont dus à des transitions quanti
ques entre états 3d de même parité. Souvent, ces transitions s'ac
compagnent d'une variation du spin. Par exemple toutes les transi
tions dans l ’orbitale 3d de l’ion Mn2* nécessitent une variation du
spin électronique. A l ’approximation zéro de la théorie, lorsque
l’on ne tient pas compte de l’interaction spin-orbite, les transitions
sous l'action de la lumière entre états de différente multiplicité
sont interdites. Par ailleurs les transitions entre états de même
parité sont interdites dans l ’approximation dipolaire électri
que.
Les transitions avec variation du spin sont observées en raison
des interactions spin-orbite faibles apparaissant dans le champ cris
tallin moyen créé par les cations entourant l ’ion paramagnétique.
L’énergie de cette interaction est beaucoup plus faible que l’énergie
coulombienne interne de l ’ion, c’est pourquoi les raies fines d’absorp
tion, correspondant à des transitions monoélectroniques avec varia
tion du spin, sont très faibles. L’absorption de base est due à des
transitions à deux particules, c’est-à-dire faisant intervenir, en
même temps que l’excitation électronique, les excitations de spins
ou magnons. La formation de ces excitations à deux particules se
manifeste par la préseüce de larges bandes d’absorption.
Dans ce paragraphe nous étudierons seulement les transitions
à une particule. Le champ cristallin moyen a une symétrie très
inférieure à celle de l ’ion paramagnétique. Par conséquent les états
dégénérés de l’ion présentent dans le cristal un éclatement de Bethe.
La théorie de ce phénomène (pour les cristaux à base de Mn2*, Co2\
Ni2+, Fe2+) a été établie par Ballhausen [423] et Griffith [424].
Le problème de la levée de l ’interdiction due à la parité a été
étudié par Van Fleck [425], Petrov et Kharkyanen [426]. Cette in
terdiction peut être levée par le mélange au sein de l’ion d’états de
parités différentes. Ce mélange peut être réalisé soit par la partie du
champ cristallin ne présentant pas de centre de symétrie, soit par
une vibration asymétrique du réseau, déplaçant l’ion concerné du
centre de symétrie. Dans le deuxième cas, l ’intensité d’absorption
doit dépendre de la température.
3 5 -0 5 3 4
546 TRANSITIONS OPTIQUES DANS LES CRISTAUX [CH . X I I I
L’étude théorique des spectres optiques de cristaux magnétiques

ordonnés est effectuée habituellement en deux étapes. D’abord il
convient de rechercher les fonctions d’onde et le spectre des états
excités de l ’ion paramagnétique placé dans le champ complexe des
ligands. Dans ce qui suit nous supposerons que cette étape est déjà
franchie. Soient <pk0) la fonction de l’état fondamental; <p£, cf la
fonction et l ’énergie de l ’état excité f de l’ion n du cristal.
La deuxième étape consiste à étudier l ’interaction de ces ions
avec les ondes électromagnétiques. Nous supposerons pour simplifier
que les ions sont rigidement fixés à leur position d ’équilibre. Soient
A = eA exp [i (Qr —* fût) 1 + c.h. (62.1)
le potentiel vecteur de l ’onde électromagnétique (e est le vecteur
unitaire de polarisation) et
2 { —(ePni) + iÆsn/[Qe]}exp{t (Qrn/— a*)l + c.h.
n, j (62.2)
l’opérateur de l’interaction considérée (voir [5], § 95). Ici rni, p„;
et snj sont les opérateurs de la coordonnée, de l ’impulsion et du
spin de l’électron / du w-ième ion. Par analogie avec le § 44, nous
avons introduit le paramètre n = (n, a) pour indiquer la position
de l’ion magnétique dans le réseau cristallin. Le vecteur n indique
la position de la maille élémentaire, le vecteur pa caractérise la
position de l’ion dans la maille. Plus bas nous utiliserons la notation
simplifiée na = n + pa .
Si a est la constante du réseau, pour Ça 1- l ’opérateur (62.2)
devient
= (62.3)
où
= S (EP„) + C .h ., (62.4)
71
2 P
j
< Æ = Jia S (ln ,+ 2 8 n,) He-«-‘ + c.h., (62.5)
n, i
où 1nj et snj sont les opérateurs du moment orbital et du spin du
/-ième électron au n-ième ion,
E = -^-e4, H = L4[Qe] (62.6)
sont les champs électrique et magnétique ; pB = eh!2mc est le ma*
gnéton de Bohr.
Exprimons les opérateurs (62.4) et V (62.5) en seconde
quantification. Les fonctions de base <pî,#> et <p£ ont été définies
§ 62] TRANSITIONS DANS LES ANTIFERROMAGNÊTIQUES 547
plus haut, et nous supposerons que le nombre d'excitations élé

mentaires dans le cristal est petit. On a
S fâ t - — S (d« (/)E) B» (/) + c.h., (62-7)
n, /
= S (L„ (/) + 2S„ (/)) « (/) e-<-« + c.h., (62.8)

n, /
où Bn (J) et Bn (J) sont les opérateurs de création et d’annihilation

de l ’excitation f sur l ’ion n. Ces opérateurs vérifient les relations de
commutation
«U(fl - ^ <V»j S P.4 ') = < < IS | ¥?'> (62-9)

3 3
est l ’opérateur de transition dipolaire électrique dans l’état excité / ;
Ln [fl = « | 3 înj I <PÎi#>>, Sn (/) - « |S | (Pi?1) (62.10)
3 3
sont les résultantes des moments orbital et de spin de l ’ion.
L’opérateur (62.7) correspond aux transitions dipolaires élec
triques et (62.8) aux transitions dipolaires magnétiques du cristal.
D’après la théorie générale de l’interaction de la lumière avec les
cristaux (voir § 46), l ’absorption de lumière par les excitons est
caractérisée par la partie imaginaire du tenseur de permittivité.
Cette grandeur s’exprime à son tour en fonction de la partie ima
ginaire de la transformée de Fourier
«B n (0; Bn (0)»(oQ (62.11)
par rapport à l’espace et au temps de la fonction de Green retardée
des opérateurs excitoniques. L’opérateur
B n {t) = ei^ i,hB ne - i'3eil\
où 3£ est l’hamiltonien total du cristal. Les pôles de la fonction
(62.11) dans le plan complexe co définissent les fréquences et l’amor
tissement des excitations élémentaires à une particule, de vecteur
d’onde Q.
Si l’on ne s’intéresse pas aux interactions avec les vibrations
de réseau, l ’hamiltonien $£ contient seulement les états électroni
ques des ions paramagnétiques placés dans le champ cristallin
moyen, ainsi que les interactions de ces ions entre eux. Dans ce
cas les excitations électroniques élémentaires du cristal peuvent
être obtenues directement par diagonalisation de l ’opérateur SB-
Passons à l’étude de cet opérateur.
Supposons que le cristal soit placé dans un champ magnétique
constant H 0. Dans l’état fondamental le spin de l ’ion paramagnéti-:
35*
548 TRANSITIONS OPTIQUES DANS LES CRISTAUX [CH. X III
que est s, et dans l'état excité s — 1. L’opérateur énergie des excita

tions élémentaires du cristal (lorsque celles-ci ne sont pas trop nom
breuses) est
A <^= S K + D'a)Bi«(f)Bna(f) +
na, /
+ 2' I (/,£ )£ £ « (/) Sme te), (62.12)
na, mp g
OÙ
= c/— Hb ((s— 1) g f—«ffol |H0|cos (62.12a)
est l’énergie de l ’état excité / de l ’ion a placé dans le champ magné
tique extérieur ; gf et g 0 les facteurs de Landé dans les états ioniques
excité et fondamental ; da l’angle moyen formé par le spin et le champ
magnétique; D fa la variation de l ’énergie d ’interaction de l ’ion
a avec tous les ions paramagnétiques environnants, lorsque l ’ion
a passe à l’état excité/.Cette grandeur joue le rôle d ’un champ cris
tallin complémentaire et peut être exprimée en fonction des inté
grales d’échange de l ’interaction J na, mp (/)
Dfa = 2 '
na, mp
Op peut trouver la forme explicite de l’intégrale d ’échange dans
l ’article de Petrov [427]. Si V na% mp est l ’opérateur d ’interaction
des ions na et mp,
M ’L . 0,3 = K a ^ l V n a . m p l^ q C ) (62.13)
représente l’élément matriciel de transfert de l ’excitation / de l ’ion
mp à l’ion n a;
^ n a t mp = (9na<Pmp|^na, ™pl^p^na) (62.14)
sont les éléments matriciels mélangeant les états excités f et g des
ions considérés.
, Les éléments de matrice (62.13) et (62.14) caractérisent l ’inter
action d’échange de l’ion excité avec un ion non excité. Leur valeur
dépend du recouvrement des fonctions d’onde et de l ’orientation
relative des spins des ions (voir [418])
A/na. mp = COS* M ' « . mp,
(62.15)
Mi*. mfJ= c o s * M&, mp.
où Oa et sont les angles formés par les deux sous-réseaux du cris
tal antiferromagnétique avec le champ magnétique extérieur.
§ 62] TRANSITIONS DANS LES ANTIFERROMAGNÊTIQUES 549
Sachant que les éléments matriciels (62.15) dépendent de la

différence n — m, il est commode de transformer (62.12) dans la
représentation excitonique, en utilisant la relation
Bna (/) = Y x 2 (/)• (62-16)
Nous obtenons alors
S [(e£ -f Dfa) ôap+ Xafi (k ; /)]££«(/)£**(/) +
k. / a, 0
+ 2 (k ; fg) B ia (f ) B u (g), (62.17)
g£f
OÙ
#af»(k; / ) = S /) exp [ik (n a—mp)], (62.18)
na-m0
^ a s ( k ; f g ) = 2 -Waa.mp (/, g) exp [ik (n a—mP)]. (62.19)
ita-mp
La diagonalisation de l’opérateur (62.17) dépend du type de
cristal, de la valeur et de la direction du champ magnétique extérieur
H0. Dans la plupart des cas les éléments matriciels M nat ma (A S) = 0-
Dans ces conditions les états excités du cristal correspondant à l’état
excité / de l ’ion paramagnétique forment un système de niveaux
indépendant, défini par l ’hamiltonien
= S tK + D ’a) ôaP+âP (k ; /)] ££« (f) Bkfi (/)- (62.20)
k. «.P
En utilisant la transformation canonique
a k.( / ) = 2 « W (k , f ) A u ( f ) (62.21)
11
on peut obtenir l’opérateur (62.20) sous forme diagonale
Ac^y - S «V(/. k) At» (/) A u (f ). (62.22)
k. Ji
Les éléments matriciels u^ (k, f) et les énergies (k, f) sont déter
minés par le système d’équations
|J { 2 a s (k , / ) - ô aBcu (k, /)}“up(k, f) = 0 .
L’opérateur (62.22) caractérise l’énergie (k, f) des excitations
collectives du cristal. Si la maille élémentaire du cristal contient
a ions paramagnétiques, à chaque état excité / de chaque ion corres
pondront a bandes excitoniques d’indices u différents (\i = 1, 2, . . .
. . ., a). Dans chaque bande il y a N sous-niveaux de k différents.
Effectuons les transformations (62.16) et (62.21) dans les opé
rateurs dipolaire électrique (62.7) et dipolaire magnétique (62.8)
de l ’interaction de la lumière avec le cristal. Nous obtenons respec-
550 TRANSITIONS OPTIQUES DANS LES CRISTAUX [CH. x i n
tivement
<^‘nt = y = - 2 -55- (EDÏ }(k. /)) (k. /) e -<wt-fc .h ., (62.23)
' k, /, JL
= 2 (HDjr^k, f))A Ï(k, f ) e - ‘* + c.h., (62.24)
y k, /. ^
OÙ
D(; }(k, /) = y d„a (/) «îa (k, /) e -‘kn« (62.25)
na
est l'opérateur du moment dipolaire électrique de transition dans
l'état de vecteur d ’onde k de la bande excitonique p,;
D[r) (k, /) = ilB y (Lna (/) + 2S„« (/)) u;a (k, /) (62.26)
na
est l’opérateur du moment dipolaire magnétique de transition.

L’interaction du système avec la lumière (dans la mesure où
elle ne fait pas intervenir les vibrations de réseau ou d’autres
excitations de faible énergie) est conditionnée par les lois de conserva
tion de l ’énergie Aco = (k) et de l ’impulsion du photon AQ et
de l’exciton Ak. Par conséquent dans chaque bande un seul sous-
niveau est excité (lorsque les autres règles de sélection sont vérifiées).
C’est l’état de vecteur d’onde k égal au vecteur d’onde de la lumière
Q. Comme dans la partie visible du spectre Qa<î 1, on peut poser
dans les opérateurs (62.25) et (62.26) k « 0.
Les intensités spectrales correspondant aux différentes bandes
excitoniques sont proportionnelles au carré des modules de (62.25)
et (62.26) pour k = 0:
W*-') ~ | (ED^ (0, /))!*, (62.27)
Vf-tf ~ | HD™ (0, /)) |*t (62.28)
dans lesquels E et H sont les champs électrique et magnétique de
Ponde lumineuse incidente. Ces champs sont exprimés en fonction
du potentiel vecteur par (62.6). Les formules (62.27) et (62.28) ca
ractérisent aussi la polarisation des excitations correspondantes.
Les états excitoniques des diélectriques antiferromagnétiques
dépendent considérablement de la structure cristalline, déterminant
le^champ cristallin moyen et la position des ions magnétiques du
cristal. Ils dépendent aussi de la grandeur et de la direction du champ
magnétique appliqué H 0. Nous en donnons plus bas quelques exem
ples.
62.1. Absorption excitonique dipolaire magnétique de la lumière
dans un diélectrique antiferromagnétique cubique à deux sous-ré-
seaux. Le cristal de RbMnF3 est de ce type. Il possède un réseau
magnétique cubique à faces centrées, de symétrie Oh. C’est pour-
$ S2] TRANSITIONS DANS LES ANTIFERROMAGNÊTIQUES 551
quoi ou peut classer en première approximation les états électroni

ques de l’ion paramagnétique Mn2+ suivant les représentations ir
réductibles du groupe Oh. Dans l’état fondamental *Alg, l’ion Mn2+
a un spin égal à 5 2. Pour une température inférieure à la tempéra
ture de Néel («82,6 K) le cristal présente une structure strictement
antiferromagnétique : les spins des deux sous-réseaux magnétiques
sont dirigés dans deux sens opposés, suivant la direction de l ’axe
d’ordre trois [111] du cristal.
La principale caractéristique des antiferromagnétiques cubiques
est la faible valeur du champ magnétique d ’anisotropie. Dans le
cristal de RbMnF3 le champ d’anisotropie est H A « 5 à 6 Oe, et
le champ'magnétique d’échange déterminant l ’orientation antiparal
lèle des spins est HE æ 9-105 Oe. Comme H A est petit, il suffit
d ’une faible valeur du champ magnétique extérieur pour modifier la
structure magnétique du cristal et, par suite, ses propriétés. Pour
chaque orientation du champ magnétique, plusieurs orientations
stables des spins sont possibles. Parfois ces orientations coexistent
dans une même structure, et on voit apparaître des domaines [428].
Pour simplifier, nous étudierons seulement la structure magnétique
monodomaine correspondant à l’énergie la plus basse. Dans certains
cas plusieurs structures en domaines magnétiques sont simultané
ment présentes. Il convient alors d’effectuer la moyenne corres
pondante. L’étude des différentes structures en domaines possibles
pour des champs magnétiques d’orientations et d ’intensités diffé
rentes a été réalisée par Petrov et Kharkyanen [426]. Etudions des
cas particuliers.
a) Supposons que le champ H0 extérieur soit dirigé suivant l ’axe
d ’ordre quatre [001]. L’application de ce champ modifie l’orienta
tion des spins. L’orientation qui s’avère la plus avantageuse est
telle que les vecteurs des spins et du champ se trouvent dans un
même plan. Sur la figure 78 on a représenté les différentes orienta
tions des spins dans le plan défini par les directions [001] et [110]
pour différentes valeurs du champ magnétique.
Lorsque H0 varie de zéro à Hcr = V"l,5 H AHE æ 2,8 -103 Oe,
l ’angle 0 formé par l ’« axe de colinéarité » et la direction du
champ augmente de 54,7° jusqu’à 90° selon la loi cos 0 =
“ V T 11 ~ ' ' H o’H ct)2). Les vecteurs des spins tournent par rap
port à cet axe vers la direction du champ d ’un petit angle t|j défini
JJ
par l’égalité t|) « sin i|) » sin 0. Par conséquent, les spins for
ment avec la direction du champ magnétique les angles ^ = 0 — i|>
et G. = 0 + h -f t|>.
Pour des champs situés dans l’intervalle H cr H 0 ^ 2HB, les
spins sont symétriques par rapport au champ = — d , = d et
forment avec celui-ci un angle d défini par l’égalité cos d = H 0/2HB.
552 TRANSITIONS OPTIQUES DANS LES CRISTAUX [CEL u n
b) Dans un champ extérieur H 0 dirigé le long de Taxe d’ordre trois

[111], dans l'intervalle des intensités
0 < # 0< f f cr = [ / 2 f f x£ r|]1/3
les spins des deux sous-réseaux magnétiques forment avec le champ

magnétique les angles = 0, d 2 = 0 + n + op, où sin =
Fig. 78. Variation d'orientation des spins des

deux sous-réseaux magnétiques du cristal de
RbMnFa, dans le plan [001], [1101, pour dif
férentes valeurs du champ magnétique.
0O= 54°7/,
sia^ = ' W ^ C03Q’

cos 0 = - [1- ( W ] ,
cos = H q/2He .
= Hj£ [H0—^ H a / (6)] sin 0, et l ’angle 0 et la fonction / (0) sont

définis par des expressions complexes dépendant du rapport H 0/Hcr-
Celles-ci figurent dans l'article de Petrov et Kharkyanen [4261.
Pour des champs H 0 vérifiant l ’inégalité H Ct ^ ^ 2HEj les
spins forment avec la direction du champ magnétique des angles
§ 62] T R A N S IT IO N S D A N S L E S A N T IF E R R O M A G N Ê T IQ U E S 553
égaux à
d 1= 0, d 2= — 0 + cos 0 « H 0I2 HEi
sin (20 —\jj) « H Ÿ [ h 0— - H J (0) J sin 0.
L’état excité de l’ion Mn2* a un spin de 3/2 et correspond à la
représentation irréductible *Elg du groupe Oh. Il est doublement
dégénéré par rapport au mouvement orbital et quatre fois dégénéré
par rapport au spin. Le champ magnétique d’échange HE du cristal
lève la dégénérescence de spin (fig. 79). Les niveaux les plus bas
Fig. 79. Schéma indiquant le déplacement des niveaux de l’ion Mn,+ sous l'in
fluence de différents types d’interactions.
a) Champ de sym étrie cubique Oh ; b) cham p d’échange H b ; c) interaction spin-orbite ; d) in"
teractions résonantes entre ions paramagnétiques*
dans les états multiplets fondamental et excité correspondent aux

projections du spin de valeur maximale 5/2 et 3/2. L’interaction
spin-orbite lève la dégénérescence du niveau doublement dégé
néré, de projection de spin 3/2. Soient e (/), c (g), <p£, (pg les énergies
et les fonctions d’ondes des états correspondants.
Les fonctions des états excités cpg et <pg ont même parité que la
fonction (pn0> de l ’état fondamental, c’est pourquoi les transitions
vers les états / et g (lorsque l ’on ne tient pas compte des vibrations
de réseau non totalement symétriques) ont un caractère dipolaire
magnétique. Comme les deux états excités cp^ et <pg sont proches
en énergie, il faut les étudier simultanément, si l’élément matriciel
Mna, me est différent de zéro.
554 T R A N S IT IO N S O P T IQ U E S D A N S L E S C R IS T A U X [ch. x m
Lorsque le champ magnétique appliqué est dirigé le long des

axes cristallographiques [001]. [111], les éléments matriciels (pour
/ =7*^ g) A/£af mp sont égaux à zéro. Par conséquent les niveaux /
et g ne se mélangent pas. Dans ces conditions l’opérateur
ASP (/, k) = »V. {lC„ (/, k) + Di) ô«p + 2 * (k, /)] BU (/) Bkp (/),
a.P
OÙ
e « (/f k) = e£ + Z>i + 2 BB(k, /), a , p = l, 2, (62.29)
peut être diagonalisé par passage aux nouveaux opérateurs A kM,
à l'aide de la transformation
Æka (/) — ^ (/) (62.30)
H-l
avec la matrice unitaire
( cosx — sin
sin x \
(62.31)
sinx cos:
cosx/ -
Nous obtenons après transformation
à S f (k, /) = S ^ (/, k) AU (/) ^ (/), (62.32)
n
où
£ n (k )— 5 -{ex(k, /) + M k , / ) -
_ ( _ ! ) • * / [Cl(k, / ) —c2(k, /)]* + 4 |£ u (k, /)P ), (62.33)
tg X = Ici (k, f) — E» (k, /)] /^ i2 (k, /). (62.34)
Dans un champ magnétique H 0 dirigé le long de l ’axe [001],
d ’après (62.15) et (62.18), les éléments matriciels d ’interaction ré
sonante deviennent
#ap(k, /) = cos2^ ^ * 2 -^na.mpexp [ik (na — mP)]. (62.35)
n a-m p
Pour des champs magnétiques intenses vérifiant l’inégalité
Ha | H„ | -^ 2He , les spins sont symétriques par rapport à la
direction du champ = — ■Op = O, cos d = H 0/2HE. C’est pour
quoi
ci ( /» k ) - e , ( / f k ) = e 1/ + Z)1/ + ^ u (k , / ) , (6 2 .3 6 )
^11 (k, f) ■* # î2 (k, /)«= 2 ^ n i, mi exp (ik (n i—ml)], (62.37)
n i —ml
2 12(k, f) = X î i ( k , /) = cos*d 2 M /n1.m2e x p [ik (n l-m 2 )].
n i —m2
(6 2 .3 8 )
S 62] TRANSITIONS DANS LES ANTOTERR0MAGN2TIQUES 555
L’énergie des deux bandes excitoniques (62.33) est donnée par

E» (k, f) = ex (k, f) - (-1 )» | X l t (kf /) |f ii = 1, 2. (62.39)
La différence d’énergie A (k, f) = | Æj (k, f) — E, (k, f) | pour
k = 0 est appelée [429 à 433] éclatement magnétique de Dauydou,
par analogie avec l’éclatement présenté par les états collectifs d’un
cristal moléculaire (voir § 46). D’après (62.38), cet éclatement
dépend de la valeur du champ magnétique appliqué H 0:
A(0, / ) - 2 ( J l f i Iî2(0, f) |. (62.40)

OÙ
^ 12(^1 /) = 5 ^nl,m 2- (62.41)
n i—m2
Lorsque X u = X 22 la matrice de transformation (62.31) ne dépend

pas de f et de k:
Par conséquent les probabilités d’excitation des états d’énergie

* 1. 1 (0 , f ) ± \ X n ( 0 , f)\
seront, conformément à (62.28) et (62.26), proportionnelles à
IH (Dx (f) ± D2 (/)] |a, (62.42)
où
D<*(/) = ! [L„a(/) + 2Sna(/)], [ a - 1, 2.
Pour des champs H 0 ^ 2HE « 1,8-10e Oe, les spins des ions
magnétiques sont parallèles, et le diélectrique passe dans l’état
ferromagnétique: l’éclatement de Davydov disparaît.
Dans des champs magnétiques faibles vérifiant l’inégalité
H 0< H ct =« V 1,5HaHe « 2,8• 103 Oe,
les directions des spins ne sont pas symétriques par rapport au champ :
= 0— = 0 + tc + \|>. C’est pourquoi, d’après (62.12a),
les énergies des ions paramagnétiques ne sont pas égales c{ c£.
L’angle \|) est donné par l ’égalité sin ip = d ’après
(62.35) nous avons donc
# ii(k ./) = '^ r ( '§ - + "§|~) 2 n.2 exp [tk (ni —m2)].
Dans ce cas l'énergie des deux bandes excitoniques est définie par
(62.33). Les expressions générales de l'éclatement de Davydov
pour d’autres orientations du champ magnétique furent obtenues
par Petrov et Kharkyanen [420].
L’éclatement magnétique de Davydov dans les cristaux de
RbMnF3 fut d’abord observé par E emenko et coll. [432, 433] à
4 K et 20 K. Les auteurs ont étudié l’éclatement de la raie à
25144 cm"1, pour un champ magnétique dirigé le long de l'axe [ 111],
dont l ’intensité varie de 0 à 300 kOe. On montre que l ’éclatement
magnétique de Davydov est complètement induit par le champ ma
gnétique extérieur. En l ’absence de champ magnétique extérieur
= ji, c’est pourquoi X 12 (k, f) = 0. Dans l’intervalle de
champs étudié dans [432, 433], l ’éclatement augmente proportion
nellement au carré du champ selon la loi
A (cm-1) « 12,7-10"10 H2 (Oe).
62.2. Absorption excitonique dipolaire électrique dans un dié
lectrique antiferromagnétique. L ’absorption dipolaire électrique de
la lumière a été observée parBéliaéva, Eremenko et coll. [434 à 436}
dans les cristaux de CsMnF3. Ces cristaux sont des diélectriques
antiferromagnétiques à six sous-réseaux de spins colinéaires. Leur
groupe d ’espace est D\h. La maille élémentaire contient deux ions
Mnl placés aux centres de symétrie, de symétrie de site D 3d cons
tituant deux sous-réseaux 1 et 2, et quatre ions Mn2, qui ne sont pas
placés sur un centre de symétrie, dont le groupe de site est C3o, et
constituant quatre sous-réseaux 3, 4, 5, 6. Le champ d’échange est
H e » 3,4-10® Oe, le champ d’anisotropie (uniaxe) e s t~ 2 ,5 -103 Oe.
Tous les sous-niveaux de l’orbitale 3d des ions Mn2*, corres
pondant aux transitions quantiques du domaine spectral étudié,
présentent la même parité positive. Lorsque les ions sont placés
sur un centre de symétrie, les transitions dipolaires électriques entre
ces niveaux sont interdites par parité. Mais lorsque les ions apparte
nant à un ou plusieurs sous-réseaux magnétiques sont déplacés par
rapport au centre de symétrie, les transitions dipolaires électriques
sont autorisées. En effet, dans le langage de la théorie des pertur
bations, les fonctions d’onde considérées contiennent dès l’appro
ximation zéro un certain pourcentage de fonctions de parité opposée.
L’étude de la levée de l’interdiction par rapport à la parité dans
l’ion magnétique a été réalisée par Petrov et Kharkyanen [421].
Les mêmes auteurs [422] ont effectué des recherches théoriques
sur les excitations dipolaires électriques du cristal de CsMnF3. Il
ressort que ces excitations correspondent à la transition *AX (6S)
kE (4G) dans l’ion Mn** placé dans un champ de symétrie cubique
Voh.
La faible différence entre les énergies d’excitation des ions pa
ramagnétiques Mn 1 et Mn 2 est due aux différences de symétrie de
3 62] TRANSITIONS DANS LES ANTIFERROMAGNETIQUES 557
site. Les ions Mn 2, dont le champ local n'est pas centrosymétrique,

jouent un rôle prépondérant dans l’absorption dipolaire électrique.
Les interactions résonantes entre les ions paramagnétiques de
chaque type conduisent à l’apparition d’excitations collectives.
Ces excitations collectives forment six bandes excitoniques. Quatre
d’entre elles peuvent être excitées par un processus dipolaire élec
trique.
Dans des champs magnétiques extérieurs faibles, c’est-à-dire
lorsque l’orientation des spins n’a pas encore varié, les énergies des
bandes électrodipolaires sont égales deux à deux (pour k « 0)
E i (0) ~ E %(0) = - t a + e3 + / (el- t 3)2 + 8 \ X U \*}, (62.43)
E 3 (0) = Ek (0) = i - k + e , —/ ( e j - e ^ + 8 1 X 13 p ). (62.44)

Si l’interaction résonante X 13 était nulle, les énergies Ex = E 2 =
= e1 correspondraient à l’excitation de l’ion Mn 1 ; les énergies
E 3 = Ek = e3 correspondraient à l’excitation de l’ion Mn 2. Dans
ce cas, seule l’excitation d’énergie E 3 = Ek apparaîtrait dans le
spectre électrodipolaire. Lorsqu’on tient compte des interactions
résonantes X 13 = 2 ^ n i, m3 on voit apparaître le niveau
n i —ra3
Ex = En avec une intensité proportionnelle à 8 | X 13 | 2 (ex —
— e 3) ' s.
Dans des champs magnétiques forts (mais cependant inférieurs
à 2 f f E), les spins des sous-réseaux sont orientés symétriquement
par rapport au champ magnétique (f^ = et d , = — cos d =
H \
= 2Wê) ‘ Dans ce cas on voit apparaître des interactions résonan
tes entre les différents ions (X 12 et X&), et la dégénérescence des
niveaux (62.43) et (62.44) est levée:
IE i (0)- E 2 (0)\ = \ X 12(0)|
IE 3 ( 0 ) - E t (0) | = | X3i (0) | Hl/2H%.
On trouvera les détails du calcul dans [422].
L’absorption excitonique dipolaire électrique de la lumière a
été observée dans le cristal de Cr20 3. C’est dans ce cristal que Van
der Ziel T429] observa l’éclatement de Davydov correspondant à
l’échange d’excitation entre des ions Cr3-*- paramagnétiques inéqui
valents par translation. Le cristal de Cr20 3 a une structure de type
corindon avec quatre ions Cr3-** de spin 3/2. Pour des températures
inférieures à 308 K, les spins forment une structure antiferromagnéti
que et l’axe de « colinéarité » est dirigé parallèlement à l’axe d’ordre
trois (C3) du cristal. L’absorption optique est due à une transition
de l’ion de son état fondamental M 2 à l’état excité 2E de spin 1/2.
Dans un champ magnétique extérieur dirigé le long de C3, l’éclate

ment de Davydov de la raie à 13747 cm '1, dans l’intervalle de champs
0 à 25-104 Oe répond à la formule
A = y i4 ,l+ 2 ,0 6 H * (cm"1),
si H est exprimé en unités 104 Oe.
§ 63. Absorption exciton-magnon

dans les diélectriques antiferromagnétiques
En plus des excitations électroniques pures des ions paramagné
tiques des cristaux magnétiques ordonnés, il existe un autre type
d'états excités, lié à la création simultanée d’états électroniques
(excitons) et de vibrations du moment de spin (magnons). Ces exci
tations sont appelées excitations exciton-magnon. Elles apparais
sent dans le spectre sous la forme de bandes larges fortement polari
sées, satellites des raies correspondant aux transitions électroni
ques pures, et séparées de celles-ci par un intervalle énergétique
voisin de k T K. Cet intervalle correspond à l’énergie limite des mag
nons. Dans des cristaux contenant des ions paramagnétiques placés
aux centres de symétrie, ces excitations dipolaires électriques se
forment avec une probabilité plus grande que les excitations électro
niques dipolaires magnétiques pures. La combinaison d’excitons
et de magnons lève l’interdiction par rapport à la parité, de la même
manière que la combinaison d’excitations électroniques et de vibra
tions intramoléculaires non totalement symétriques lève l’inter
diction de symétrie dans les spectres moléculaires. Les magnons
lèvent aussi l’interdiction due au spin.
Les bandes d’absorption dues aux excitations électroniques
s’accompagnant de la création de magnons furent observées d’abord
par Krintchik et Tutneva [437, 438] dans les spectres des ferrites de
terres rares — les grenats. La première analyse complète de la
structure de bandes exciton-magnon dans le spectre d’absorption
du fluorure de manganèse fut réalisée par Green et coll. [439] : les
deux raies faibles E i (18419,6 cm"1) et E2 (18436,6 cm"1) correspon
dent à la transition électronique pure (*S) -**Tlg (4G) de
l’ion manganeux paramagnétique et les trois bandes larges, relati
vement intenses, à
a l (18477,1 cm"1)* a2 (18485,3 cm"1) et n i (18460,SJcm"1)
sont dues à la formation simultanée d’excitons et de magnons. Il
apparaît que les bandes a l, Jil sont des satellites de l’excitation
électronique £1, et la bande a2 satellite de E2. La position des
satellites correspond à la fréquence maximale des ondes de spin
§ 63] ABSORPTION EXCITON-MAGNON 559
~ 7 0 cm-1. Les bandes excitoniques accompagnées de satellites dus aux

magnons ont été aussi observées [440] dans les spectres d’absorption
de RbMnF3 et d’autres antiferromagnétiques.
La théorie des satellites dus aux magnons a été développée par
de nombreux auteurs [416, 441, 442], Dans le cas considéré, l’absorp
tion correspond à l’excitation simultanée d’un exciton et d’un mag-
non de vecteurs d’onde égaux et opposés k (le vecteur d’onde de la
lumière est pris égal à zéro). Toute une série de travaux théoriques
sont basés sur l’approximation selon laquelle l’interaction entre
les ions paramagnétiques passant à l’état excité ne modifie pas
leur dispersion. La largeur des satellites correspond alors à la somme
des largeurs énergétiques de la bande excitonique et de la bande de
magnons.
Parkinson et Loudon [443] développèrent une théorie tenant
compte explicitement de cette interaction exciton-magnon. Dans
ce qui suit nous exposerons les principaux résultats de cette théorie.
Soit un diélectrique antiferromagnétique à deux sous-réseaux
d’anisotropie axiale. Soit z la direction de cet axe. Pour ne pas
introduire d’indices superflus, nous noterons par n la position des
ions d’un sous-réseau magnétique et par m celle des ions de l’autre.
Dans l’état fondamental les ions paramagnétiques ont un spin
égal à S. Dans l’état antiferromagnétique, les projections des spins
sur l’axe z sont respectivement M zn = S et M zm = — S. Dans
l’état électronique excité le spin de l’ion est S' = S — 1.
Une excitation exciton-magnon, induite par la lumière, fait
intervenir une paire d’ions appartenant aux deux sous-réseaux
magnétiques. Le spin résultant de cette paire d’ions doit donc avoir
une projection nulle dans l ’état fondamental et conserver cette pro
priété à l’état excité. En effet la projection du spin du premier ion
passe de S = S — 1, tandis que celle du second passe de
—S —► *— S -f- 1.
La largeur de la bande excitonique de ces diélectriques anti
ferromagnétiques, due aux interactions d’échange, est relativement
petite (quelques cm“l). En première approximation, on peut donc
négliger les échanges d’excitation électroniques entre les ions para
magnétiques. S’il y a un seul état excité ionique, l’opérateur des
excitations électroniques du cristal s’écrit
<»« “ e ( S [B+aBn+ S B£Bm). (63.1)

n m
L’interaction d’échange J entre les spins de deux ions voisins appar

tenant à deux sous-réseaux magnétiques différents, est beaucoup
plus grande que l’interaction d’échange J t entre les spins des ions
d’un même sous-réseau (par exemple dans le cristal de MnFz, le
rapport | J /J 1 | « 6). C’est pourquoi l’opérateur des magnons peut
560 TRANSITIONS OPTIQUES DANS LES CRISTAUX [CH. x r n
•être écrit sous la forme simple

Sêmag = J 2 SnSm—V^b^ a Ç^J 2 *^m)* (63.2)
nt m n m
Dans la première somme on se limitera aux plus proches voisins;
S„ et Sm sont les opérateurs de spin (voir (17.19)).
Dans le processus d’absorption de lumière, un petit nombre de
magnons est excité, et l’on peut utiliser la transformation de Hols-
tein-Primakov (18.4) pour passer à la représentation par les nombres
d ’occupation. Introduisons les opérateurs de spin S* = Sx + iS 9
et S = S x — iS tJ, correspondant à une augmentation et une dimi
nution d’une unité de la projection du spin. Les opérateurs a* et
b+ correspondant aux « excitations de spin » dans les sous-réseaux
magnétiques, dont les spins sont parallèles ou antiparallèles à l’axe
z, sont définis en fonction des opérateurs de spin par les relations
S* = an Y 25. S* = % Y2S,
Sn = c £ Y 2 S , S m = bmY2 S, (63.3)
= 1S----S g S g i S n = — 5 -f-
Effectuons cette transformation dans (63.2) et (63.3). Négligeant

les termes constants indépendants des opérateurs nous obtenons
1443]
S ê mag = 2
n, m
*4"
A ( 2 anan + 2 ^nÀn)» (63.4)
n m
Lorsque l’ion paramagnétique passe à l’état excité, son spin
change, ainsi que l’interaction d’échange (J -> -/') de cet ion avec
les ions voisins appartenant à l’autre sous-réseau magnétique. C’est
cette variation qui est cause de l’interaction exciton-magnon, que
l’on peut écrire sous la forme très simple
<#?lnt = PJ S {ahdnBtoBm + (63.5)
où
P = {J'S' - JS )/JS (63.6)
est un paramètre caractérisant l’interaction exciton-magnon.
L’opérateur des excitations de spin (63.4) est diagonalisé en
passant aux opérateurs de magnons a k et fîk définis par
Œk= ——• [li|c S e<k“a» + Vk S «,k“ 6m] ,

' n m
(63.7)
Pk = -4 = -[« k S e - * mbm— vk S e - ‘k“û î ] .
' m n
S 63] ABSORPTION EXCITON-MAGNON 561
Lesôpérateurs de magnons vérifient les relations de commutation

[<Xk, OCkJ=ôkk't l Ü W . P M ^ Ô k k * - (63.7a)
L’opérateur (63.5) exprimé en fonction des opérateurs de magnons

est de la forme
< f i ? « n a * - S < ( k ) K « k + PÎPfc).
Hk
(63.8)
Ici l’énergie des magnons c (k) et les fonctions uk, sont données
par les formules
c2 (k) = (E0 + vlbHa)* - E 'y l, (63.9)
E0= JS Z t yk = ^ y . e x v ( i k à ) , (63.10)
,Z 6
Z est le nombre des plus proches voisins appartenant à l’autre sous-

réseau magnétique; la sommation est effectuée sur les Z vecteurs
ô définissant la position de ces ions voisins ]
+ ^ b ^ a + c (k) t 2 &o+M>bâ—<(k)j
1k 2e (k) » L“ k.2e (k)| » r (63.11)
2ukvk — ykE 0/c[{k).
L’opérateur d’interaction de l’excitation exciton-magnon avec
une onde électromagnétique d’intensité
E (t) = E0 exp U’(Qr]— <Dt)l 4- c.h.
s’écrit dans l’approximation des grandes longueurs d’onde
w (i)l= - PE (*), (63.12)
où le moment dipolaire électrique effectif de transition est défini
par l’égalité
P = 2 ' (PnmSJSn, + P„m%Sn) + C .h . (63.13)
n,
Dans cette expression Pnm sont les éléments matriciels du moment
dipolaire électrique effectif de transition correspondant à l’excitation
électron-magnon de la paire d’ions. Dans une théorie microscopique
[416] on peut les calculer au deuxième ordre de la théorie des pertur
bations. en faisant intervenir des états électroniques intermédiaires
impairs des ions. Le potentiel perturbateur est représenté par les
interactions coulombiennes entre les ions. Lorsqu’un ion est excité,
son spin varie, c’est pourquoi les éléments matriciels Pnm ont un
caractère d’échange. C’est pourquoi dans la somme (63.13), on
se limite aux plus proches voisins.
36—0534
562 TRANSITIONS OPTIQUES DANS LES CRISTAUX [CH . X I I I
Utilisant les transformations (63.3), on peut écrire (63.13) sous

la forme
P = 2S 3 P n m ( O i ; —S£ait) + c. h. (63.13a)
nm
Les composantes de la partie imaginaire de la permittivité le long
des axes principaux x, y , z sont définies par l’expression
«** (*>) = - ■ £ <(PX; Pï))z , (63.14)
où u est le volume de la maille élémentaire du cristal, N le nombre
de mailles élémentaires, ((Px ; P£))~ la transformée de Fourier de
la fonction de Green retardée des opérateurs dipolaires électriques
P*.
Utilisant les propriétés de symétrie du cristal, on peut exprimer
les éléments matriciels Pnm figurant dans (63.13a) en fonction
d’un nombre réduit de paramètres. Par exemple, dans le cristal de
RbMnF3, de groupe d’espace D\d, la fonction de Green associée à
l’excitation d’un exciton E \ et d’un magnon est, d’après Parkinson
et Loudon [4431,
<OV. P : ) ) 7 = 2SN(\A\* + 2\B\z) l((Bnbm; B ^ ) ) z +
-f-((Sn&m» (63.15)
où les vecteurs n — m, n — n', m — m' joignent deux ions voisins.
La fonction ((Bnùmî doit, conformément à l’équation
(E.6) des compléments mathématiques vérifier des équations telles
que
h(ù ((Bnbm\ Bn'bm'))„ =
= (0 1lBnbm; Bi-à*.] 10) + {([Bnbm, $f]i B+.b£ )> * (63.16)
où
S f = $£ ex "4" S f mac + Sfmt (63.17)
est l’hamiltonien total du système. La moyenne est prise sur l’état
sans excitons et sans magnons, déterminé par les conditions
Bn I 0 ) = B m | 0 > = <xk | 0 > = pk | 0 > = 0. (63.18)
Utilisons les transformations (63.7), les conditions (63.18) et
les relations de commutation des opérateurs:
(0 1[Bnbm-, B*.b+.) 10) = ônn- <01bmb+. 10) =
= —- 2 e 1 ( k >m - k «m ' > (0| ( « k . p k , — vkla i t) — vk, a k,) |0) =
k|k,
= ^ 2 « I e x P [ik (m -m ')]. (63.19)
S 63] ABSORPTION EXCITON-MAGNON 563
Compte tenu de la forme explicite de l'hamiltonien (63.17) et de

(63.19), l’équation (63.16) devient
(h(û i?ex Bq V’B ^ a ) ^ n '^ n r )) ^ =
= Ônn'(0|6n,ftm'|0>+ —^S [«^+6*. #•&£'»£ +

ô
+ P«fin6ta6n+ô6ifô; (63.20)
L’interaction entre les excitons et les magnons fait intervenir
dans l’équation (63.20) des fondions de Green d'ordre plus élevé.
En utilisant (E.6), on peut en déduire des équations contenant des
fonctions d’ordre encore plus élevé. Pour obtenir un système d’équa
tions fermé, il convient d’introduire des simplifications permettant,
à partir des fonctions d’ordre plus élevé, de retrouver les fonctions
d’ordre plus bas. Par exemple
((-®n^m^n+ô^n+ôi Bn*bm»))^ =
= (0 | &n+ô^n+ô | 0 ) ((B nbm; &n'bm'))a 4“
4 “ (6 | fcin^n+ô | 0) ( ( B nbn+ài B n 'bm '))^

Pour simplifier les calculs, nous étudierons le cas le plus simple,
lorsque l’on peut négliger les interactions entre excitons et magnons.
Pour p = 0, l’équation (63.20) a pour solution
^ uk exp [ik (m —m')1
Bq((d) = ((Bnbm; Bn»bm*))^ —“ÿÿ“ 6nn# (63.21)
^ Æo>— Ecx —c (k)
la sommation sur k s’étend à la première zone de Brillouin.

Si l’on se limite aux interactions entre plus proches voisins,
l’énergie des magnons (63.9) devient
e (k) = 2 JS [9 — (cos akx + cos a/cy + cos akz)211/2, (63.22)
où a est la constante du réseau. L’énergie maximale des magnons est
71 cm"1.
Substituant les valeurs (63.15) et (63.21) dans (63.14), et compte
tenu de l’identité ( x + r y ) " 1 = ^Px*"1 — h i ô ( x ) , on trouve
Im e « (û)) = - 2 « l sin2 (kâ) Ô[ftw — Eex— t (k)]. (63.23)
Parkinson et Loudon [443] ont montré que, compte tenu de l’in

teraction exciton-magnon, la fonction de Green (63.21) peut être
remplacée par la fonction
Oq fo) (63.24)
l - / S p G 0(û>)#
564 TRANSITIONS OPTIQUES DANS LES CRISTAUX [c h . x r a
Sur la figure 80 on a représenté la courbe d'absorption expéri

mentale de la lumière [440, 444] d'un cristal de RbMnF3 au voisinage
de 1S000 cm"1. Les courbes en pointillé correspondent au calcul
de Parkinson et Loudon d’après la formule (63.23) pour p = 0 et
en tenant compte de l’interaction exciton-magnon d’après la formule
(63.24) pour p — — 0,7.
La théorie de l'absorption exciton-magnon, pour des diélectri
ques antiferromagnétiques placés dans des champs magnétiques
Fig. 80. Courbe d'absorption expérimentale par le cristal de RbMnF3 au voisinage

de 18 000 cm*1.
Les courbes en pointillé représentent les résultats des calculs de Parkinson (p = 0 ) et Loudon
(p = - 0 .7 ) .
intenses, a été développée par Petrov et Gaididey [419]. Dans un

champ magnétique intense H 0 > Y H AHE les spins des deux sous-
réseaux ne sont plus colinéaires (fy — n). Les spins des sous-
réseaux magnétiques s’orientent symétriquement par rapport au
champ extérieur sous un angle O donné par l’égalité cos d == H 0I2HE.
Dans ce cas le mécanisme d’absorption à deux particules exciton
et magnon s'affaiblit et, à la limite, lorsque = 0, disparaît com
plètement, puisque la résultante des projections des spins de deux
ions ne se conserve dans les conditions d’excitation que si ces spins
sont antiparallèles. Pour tous les antiferromagnétiques dans lesquels
la levée d’interdiction par rapport au spin et à la parité est due aux
interactions d’échange dans une paire d’ions magnétiques, l’inten
sité de l’absorplion exciton-magnon diminue lorsque le champ ma
gnétique extérieur croît, en suivant la loi
/ (H0) = [1 - (H0/2HE)2\2J (0).
Cette diminution d’intensité fut observée expérimentalement
dans le spectre d’absorption exciton-magnon d’un cristal de FeCOn,
dans le domaine spectral 25200 à 25400 cm-1, à la température de
20 K par Eremenko et coll. [445].
§ M] ABSORPTION BIEXCITONIQUE DE LA LUMIÈRE 565
§ 64. Absorption biexciloniquc de la lumière

dans les diélectriques antiferromagnétiques
Comme nous l’avons montré plus haut, les excitations électro
niques des ions paramagnétiques à orbitales 3d incomplètes sont
liées à une diminution de leur spin d’une unité. Comme ces transi
tions présentent souvent un caractère dipolaire magnétique, les
transitions optiques à une particule sont peu probables. Dans des
diélectriques antiferromagnétiques contenant des ions de ce type,
l’absorption plus intense de la lumière est due à l’excitation simul
tanée par un photon de deux ions paramagnétiques des deux sous-
réseaux magnétiques. Ces excitations doubles (exciton-magnon,
exciton-exciton) lèvent l’interdiction par rapport au spin, puisque
la variation de spin (due à l’excitation) de l’un des ions peut être
compensée par la variation de spin d’un ion de l’autre sous-réseau.
Cet effet lève aussi l’interdiction par rapport à la parité, et la tran
sition devient autorisée dans le modèle dipolaire électrique.
Les transitions à deux particules sont situées dans la partie ultra
violette du spectre. Elles présentent toute une série de singularités
qui les distinguent des transitions à une particule. L’absorption
correspondante, à large bande, présente une polarisation très caracté
ristique. On voit apparaître une interaction entre les quasi-particules
(exciton et magnon, ou entre deux excitons) conduisant parfois à
la formation d’états liés. Ces états liés se manifestent par des bandes
d’absorption discrètes. Ces états liés prennent une grande importan
ce lorsque l’on étudie la cinétique des processus faisant intervenir
les quasi-particules considérées.
Dans ce paragraphe nous nous proposons d’étudier les propriétés
des excitations à deux excitons, dans un antiferromagnétique simple
à deux sous-réseaux, de structure magnétique colinéaire. Nous
noterons par n et m la position des ions de spin 5, respectivement
dirigé parallèlement et antiparallèlement à l’axe d’ordre magnéti
que.
L’hamiltonien des excitations (excitoniques) à une particule
s’écrit
$ e = s e o+ c^m t, (64.i)
où
3fo = S {e (/) I S Bi (f) Bn (f)+ S Bi (/) Bm(f)] +
/ n m
+ S M Wl (f) B* (f) BDl (/) + 2 M mmt (f) B i (f) Bmt (/)> (64.2)
d, D, mil m,
est l’opérateur des excitations faisant intervenir un seul exciton;

les sous-réseaux magnétiques, à spins colinéaires, sont excités in-
dépendamment, puisque M*nm = 0 ;

$ f ,nt = 4 2 2 (/. g) B l (f) B n (f) B+ (g ) 5 m te) +
/, g n, m
+ V& (/, g) B* (f) Bn te) * £ te) 5m (/)} (64.3)

est l'opérateur d'interaction des excitons appartenant aux deux sous-
réseaux.
Dans les expressions (64.2), (64.3) les opérateurs de Bose (/),
Ba if) caractérisent la création et l’annihilation de l’excitation
électronique d’énergie c (/) sur l’ion n ;
Mnn, (/) = («pWn? | F » , | <p£y„0)> (64.4)
sont les éléments matriciels d’interaction résonante, conduisant à
l’échange de l’excitation / entre les ions n et nx;
Vnm (/, g) = (q>i<Pm| ^nn,| <Pm<Pn) — (<pi<Pm) | Vnm | <p(mVn) —
~ « V mI Vm \ + W X I F»» I q fi¥ B0>) (64.5)
sont les éléments matriciels correspondant aux interactions « sta
tiques », entre lès ions excités;
v ^ ( f , g) = (q>n(PmI ^nm | <p4<p2> (64.6)
sont les éléments matriciels d’échange d’excitation entre les ions
des différents sous-réseaux.
Les opérateurs cv (nm) et Cy (nm) correspondant à l’annihilation
et à la création d’une paire d’états excités / et g f s’accompagnant
d’une variation d’une unité du spin de l’ion correspondant sont
définis par l’expression
cv (nm) = ± [ B n (f)B m( g ) - ( - i ) vBn (g)Bm(f)], v = l, 2 (64.7)
et par sa conjuguée hermitique. Lorsque le nombre d’excitations
est petit, ces opérateurs vérifient les relations de commutation
[cv (nm), cjt (n1m1)J ^vnànniàmmi, (64.8)
Exprimons maintenant l’hamiltonien (64.1) en fonction des
opérateurs définis ci-dessus:
Z Ie (/) + c (g) + F niu (v)] c*. (nm) cv (nm) +
nm
vt
+ 2 2 c v (nm) I Z M nn (vu) C» (n1m) +

v.iintn n,
+ Z M nm, (vu) c„ (nm,)]. (64.9)
m,
§ «*1 ABSORPTION BIEXCITONIQUE DE LA LUMIÈRE 567
Nous avons introduit les notations suivantes:

Vnm (V ) = F & (/, g) - ( ~ l ) VV<2i ( /, £ ),
M aat (vjx) S M nai (/) + ( - l)v+“ Mnn, (g), 5(64.10)
M mai (vji)J= M mmi (g) + ( - 1)v+^ mnil (/).
D’une manière générale, l’interaction du cristal et d’un rayon
nement électromagnétique de grande longueur d’onde E =
4
= S E0 cos (Qr — ut) peut être écrite
w (J) = (E0Peff) exp [i (Qr — (ùt)1 + c.hM (64.11)
où PCff est le moment électrique effectif de transition du cristal
dans l’état excité. Pour beaucoup d’antiferromagnétiques, pour une
excitation à un exciton PCff = 0. Par contre pour deux excitations
couplées Pcff est différent de zéro, car, au deuxième ordre de la
théorie des perturbations [439, 446 à 4501, interviennent des états
intermédiaires de parité négative. Les opérateurs conduisant à
cette transition peuvent être constitués du produit des opérateurs
des moments dipolaires électriques de chaque ion par l’opérateur
d’interaction coulombienne entre les ions. Pour évaluer l’ordre de
grandeur de la force d’oscillateur de la transition couplée corres
pondante, on multiplie la force d’oscillateur de la transition de
l’ion paramagnétique dans l’état correspondant de parité négative
(^ÎO "1 à 10”2) par le rapport de l’énergie d’échange (~100 à 10 cm"1)
à l’énergie d’excitation de l’état de parité négative (~106 cm”1).
On obtient alors, pour une transition faisant intervenir une paire
d’excitons, une force d’oscillateur de l’ordre de ~10"3 à 10”6.
Dans la représentation par sites, l’opérateur Peff peut être
écrit sous la forme
Peff = s P„m {fg) c+2(nm ), (64.12)
nm
où Pnnî (/g) sont les éléments matriciels vectoriels du moment
dipolaire électrique d’une paire d’ions dans des états / et g pairs
différents. Ces éléments sont calculés au deuxième ordre de la théo
rie des perturbations par rapport aux interactions coulombiennes en
tre paires d’ions. L’état fondamental et l’état excité des ions ont
la même parité, c’est pourquoi l’existence de Pnm est due seulement
aux étals intermédiaires de parité négative. Les interactions con
duisant à une valeur non nulle de Pnm dans les états / et g dont le
spin diffère de l’état fondamental, sont des interactions d’échange.
C’est pourquoi seules les paires d’ions voisins appartenant aux
deux sous-réseaux magnétiques contribuent à l’expression (64.12).
Dans des cristaux centrosymétriques les moments dipolaires Pnm
vérifient les règles de symétrie suivantes:

Pnm (fg) = - Pmo (fg) = ~ P-n, -m ifg) = « Pnm (gf)• (64.13)
Par conséquent seules les paires définies par l’opérateur c* (nm)
avec /=5é g figurent dans l’opérateur
- (64.12).
La direction du vecteur dé
pend de la symétrie du cristal et de
la symétrie des fonctions d’onde des
excitations électroniques considé
1%. ' Y Y p* rées. Dans le cas le plus simple,
7s'snL \ ~p< Pa cette direction coïncide avec celle du
vecteur n — m. Mais la valeur abso
lue de Pnm peut être considérée com
me un paramètre phénoménologique
de la théorie.
Etudions par exemple (voir
l’article de Gaididey et Loktev
Fig. 81. Positions des ions parama [451]) l’absorption biexcitonique de
gnétiques dans un antiferromagnéti la lumière dans un cristal ortho-
que à deux sous-réseaux.
Les flèches p „ p t , p „ p« indiquent les d i
rhombique centré. On a représenté
rections des m om ents dipolaires des exci sur la figure 81 la position des ions
tatio n s d*une paire d*ions. Les flèches
Pa *pb' pc représentent les directions paramagnétiques. L ’axe d’ordre ma
des m om ents dipolaires de transition de gnétique coïncide avec l’axe c du
la m aille élém entaire. cristal. Comme Pnm est déterminé
par les interactions d’échange, l’ab
sorption de la lumière résultera de l’excitation de deux ions para
magnétiques voisins. L’opérateur d’interaction de la lumière avec
une paire (64.11) est
w (0 = 2 c 2 (nm) (E0Pnm) exp {i [Q (n -f m)/2 — g)*]} + c.h. (64.14)
nm
Passons à la représentation excitonique par la transformation
cv (nm) = 2 cv (kq)exp{i [k (n + m )/2 + q (n—m)]}. (64.15)
q
Compte tenu des interactions entre les plus proches voisins, les
opérateurs (64.9) et (64.14) deviennent
se= s (q) c$ (kq) cv (kq) +
v, k, q
+ 4 -2 2 ^ ( q - q i ) c î ( k , q)cv(k, q,), (64.16)
v k, q, qt
w (t) = 2 (Prfo) C*,4C2 (Qq) + c.h. (64.17)
6
S 64] ABSORPTION BIEXCITONIQUE DE LA LUMIÈRE 569
Dans ces expressions

E k (q) = c (/) + c (?) + X* cos •cos (qa) +
+ cos ^ cos (qb) + %c cos ^ cos (qc), (64.18)

Vv ( q - q i ) = S ^ (v) e* <«-<»■>* (V (v) = F« (v)) (64.19)
ô
est l’opérateur d’interaction entre les excitations;
# i = 2 (Mn%n+i (/) + M nt n+1 (g)), (1 = a, b, c) (64.20)
représente la somme des demi-largeurs des bandes excitoniques
f et g pour des vecteurs d’onde dirigés le long des axes a, b et c du
cristal. La sommation dans les expressions (64.19) et (64.20) s’étend
aux huit vecteurs ô reliant l’ion central aux ions les plus proches de
l’autre sous-réseau magnétique.
L’absorption de lumière par le cristal est caractérisée par la
partie imaginaire de la permittivité pour k = Q » 0. Celle-ci est
déterminée par l’expression
Im eaP( Q , 5 ) = — ^ 2 S ^ 1e‘ <('fl- <'-ô‘) ImG(qq1â), (64.21)
où
Pà = Pam pour n —m = ô, (64.21a)
G (qqx©) = x j e<St « c2 (QS*)î (Qqi°)»i * (64.22)
est la transformée de Fourier par rapport au temps de la fonction

de Green retardée
«e2 (Qq*) ; ci (Qq10)»t = —iQ (t) <01 [c2 (QqO ; c\ (QqO)] 10),
c. (Qq<) = eim i\ (Qq)
En utilisant l’équation (E.6) des compléments mathématiques et
la forme explicite de l’opérateur St (64.16) nous trouvons l’équation
déterminant la fonction (64.22)
[A© — Æ’Q(q)]G(qq1<û) = ôqqi+ - i - 2 V* fa— G ^ q i© ). (64.23)
Soient p2, p3l p4 les moments dipolaires (64.21a) correspon

dant à des valeurs de 6 respectivement égales à (a + b + c)/2,
(a — b + c)/2, (—a + b + c)/2, (—a — b + c)/2. A partir de ces
vecteurs on peut établir les moments dipolaires dirigés le long des
axes cristallographiques, soit

Pa = Pi — Pt — P3 + P4 le vecteur parallèle à a ;
Pb = Pi + P2 — Pa — P4 Ie vecteur parallèle à b;
(64.24)
P© = Pi + P2 + P3 + P4 Ie vecteur parallèle à c ;
Pi — P2 P3 — P4 ~ 0.
Substituons ces valeurs (64.24) dans (64.21). Nous obtenons les
valeurs principales de la partie imaginaire du tenseur de permit
tivité
Imeii (Q, û ) = — —- |P , |2ImG,(w), i = a, b, c, (64.25)
où u est le volume de la maille élémentaire du cristal;
G\ (®)=ss*jJ- 2 <&«(?)‘M - 'q)C(qqx®)expli(q—q j (a + b + c)/2],

q.it
(64.26)
«(q) = sin cos cos •
<I)b (q) = cos sin cos , (64.27)
e (q) = cos cos sin .

Multiplions les deux membres de l'équation (64.23) par le facteur
de la fonction G (qqi<o) dans l'expression (64.26). Après sommation
sur toutes les valeurs de q et de qx dans la première zone de Brillouin
nous obtenons
V(2 )Ga (5) =
= {1 V (2) [ / 000—J ooi — J no— J îoo4"*ôn“ ^ ioi4**ôio]} 1—
V (2)Cb(5) =
= {1 — V (2) [ / 0oo—A u+ ôoi—J uo+îoo—ô u + A o i—ôioir1—
V(2)GC{Z) =
= {1 — V (2) [/ooo —J n i —ôoi + Aïo + Aoo—^ 011 “
—Aoi + ôiol} 1— (64.28)
où
71 71 71
j __ 1 f f f ______ cos nx cos my cos pz dx dy dz________
. (64.29)
nmp ns J J J fiZ)~-Eo--lXaCOSx-{-2;bCOS y + X c M S z ]
5 64] ABSORPTION BŒXCITONIQUE DE LA LUMIERE 571
avec
E 0 = e (/)+ e (g ) ; n, m, p = 0, 1; cù = cû + îv.
Etudions les expressions générales (64.28) et (64.29) dans deux cas

limites.
C a s A. Supposons que la condition X a "S> X b, X e soit réalisée
(cristal unidimensionnel). Posons V (2) = V, X b = X e = 0, et
introduisons les grandeurs sans dimension
a = V/Xa, | = (<û - E 0)/Xa, (64.30)
nous obtenons
Z aGa (<■>) = ga (5) ~ (64.31)
Z aGb (Cû) = gb (S) - a - 1, (64.32)
où
ga ® = a —a * ] / , —/ i l » ëb ^ = a —a* l / 0+ / , ] ’(64-33)
Jl
j __ l f cos nx dx
71 = Jl J g — c o s x ’
n = 0f 1.
0
Par conséquent
A - A = 1 + (l - 1) A, /„ + A = - 1 + (1 + !) / o,
(64.34)
_ (|2 _ l)-'/2 t Ê<_1,
AW= — Ç ^—=
Jl J g—COS Z - i ( l - | 2 ) - ,/2, | 6 |< 1 , (64.35)
( 6 * - i r l/2, >1.
Substituons les valeurs (64,34) et (64.35) dans (64.33). Nous obte

nons
ga (1) = {a — a 2 11 + (1 — l) A)}"1,
gb (5) = {<* + «2ll - (1 - 5) /o)}"1- (64.36)
Pour les fréquences situées dans l’intervalle
- \ X a |<co - £ 0< l # a I, (04.37)

la valeur | g |^ 1 . En utilisant l’expression (64.35), nous obtenons
les parties imaginaires des fonctions (64.36) et, par suite, celles des
fonctions de Green (64.31) et (64.32) déterminant l’absorption d’une
572 TRANSITIONS OPTIQUES DANS LES CRISTAUX [CH. XIII
lumière de polarisation a ou 6 donnée :
m g a - ( l + !)(l _ a)i + a 3 ( i_ |) ,
(64.38)
gb~ (1-1) (l+a)*+a* (l+Ç) •
Ces régions (64.38) de large bande d’absorption sont dues à
l’émission d’une paire d’excitons libres. L’absorption maximale
correspondant aux deux polarisations est obtenue par des valeurs de
g égales à
2a—1 * 2a+l
l a = 2a*—2a+l* 56 2a2+ 2 a + l “ (64.39)
L’absorption intégrée dans chaque bande à deux particules est pro
portionnelle à
r f (2a—1)“2, a ( a —1 ) > 0 ,
- j Im eo a ) d ( |) = | Y (64.40)
a (a —1 ) < 0 ;
f T /sw m J(2a + 1)"2» a ( o + l ) < 0 , (64.41)
a(a + l ) > 0 .
Parallèlement à cette absorption excitonique à bande large (deux
particules) il existe aussi, dans la région | £ | > 1, une absorption
à une particule correspondant à la formation d’états liés des deux
excitons. L’énergie de ces excitons correspond aux pôles de la fonc
tion de Green (64.33) situés sur l’axe réel £. Substituant la valeur
(64.35) pour | g | > 1 dans (64.33), nous obtenons les conditions
définissant un tel état.
La fonction de Green ga (|) a un pôle pour la valeur de E sui
vante :
(64-42)
lorsque l’inégalité
a (a - 1) > 0 (64.43)
est vérifiée. Dans ces conditions la partie imaginaire cherchée est
une fonction delta
- Im ga (Q = g f r . " ? 6 ( 6 4 . 4 4 )
Comparons (64.40) et (64.44). On s’aperçoit que, lorsque l’iné
galité (64.43) est satisfaite, il y a simultanément les deux types
d’absorption (à une et à deux particules) et l’intensité intégrée sur
tout le domaine spectral — j Im ga ( £) est égale à l’unité.
Lorsque | a | = | V!Xa\ augmente, l’intensité intégrée'de la bande
d’absorption large diminue, et celle de la bande étroite augmente.
Lorsque a (a — 1) < 0, on n’observe que la bande large d’absorp
tion (voir (64.40)).
§ 64] ABSORPTION BIEXCITONIQUE DE LA LUMIÈRE 573
La fonction de Green gb (£)f caractérisant l’absorption de lu

mière polarisée suivant l’axe b, a un pôle pour
^ 0>= 2 5 $ ï + 1’ (W.4 5)
lorsque l’inégalité
a (a + 1) > 0 (64.4(3)
est vérifiée. La partie imaginaire de la fonction de Green s’exprime
au voisinage de ce pôle par
-Im (64.',7)
V I
Lorsque | a | = — > 1, les deux conditions (64.43) et
JUqI
(64.46) sont simultanément réalisées. On doit donc observer pour
les deux polarisations une bande étroite et une bande large. Les
bandes étroites dues aux états liés correspondent aux fréquences
h(ù = E 0 + Va'X'a pour une lumière polarisée parallèlement
à l’axe a;
fie) = E 0 + Vb0iX a Pour une lu m iè r e polarisée parallèlement à
l’axe b.
L’absorption large (à deux excitons) occupe l’intervalle de fréquen
ces
- \ X a Kftco - £ 0< \ X a |.
C a s B. Supposons que l’inégalité X a = X b » X c soit vérifiée.
On peut alors poser X c « 0 et utiliser les mêmes grandeurs sans
dimension (64.30) qu’au cas A. (64.28) devient
VG± (©) = {1 - a [ / 00 - 7n ]}-1 - 1,
(64.48)
VG„ (a>) = {1 - a [700 + 7U - 2710]>-i - 1,
où
G± (to) = Gm (co) = Gb (a ),
G,| (co) = Ge (to),
31 31
j _JL_ f P cos nx cos my dx dy
nm Ji1 J J g—(cosx+cos*y)
o o
Gaididey et Loktev [4511 ont montré que dans les régions | g | > 2 ,
les pôles de la fonction de Green correspondant à la formation d’états
liés des paires excitoniques étaient déterminés par les équations
t s®(t )- (t)=ê p°ur œ. («•«>

®«®* (64-50>
où K et E sont les intégrales elliptiques de première et de deuxième

espèce. Pour | a | > jt/2 l’équation (64.49) a pour racine
= a + - ê r + ° (é-)-
La partie imaginaire de la fonction de Green, définissant l’absorption
de lumière polarisée perpendiculairement à c, a un maximum aigu
- Im {XaG± (<ù)} = n — Ô (S- & )• (64.51)
La formation d’états excitoniques liés dus à l’absorption de la
lumière polarisée parallèlement à c dépend donc du signe de a.
Si a est négatif, les pôles sont réels lorsque a < — n (jt — 2)"1.
Si a est positif, les pôles sont toujours situés sur l’axe réel. Lorsque
Ç est petit et positif, la position du pôle est donnée par
U' « l+ e x p ( — ÿ j .
Dans ces conditions la partie imaginaire de la fonction de Green est

- I m { ^ aG11( o ) ) } « g . ^ / 2 « ô ( |- i l0l), 0 « x < l. (64.52)
Lorsque | a \ > 3, la position du pôle est donnée par
i!| = l +<* + ^ + 0 ( j j ). |« |> 3 ,
et la partie imaginaire de la fonction de Green est définie par l’ex

pression
- I m { 2 0G„ (<o)} = n ( l - ^ 3 - ) ô ( 5 —il'). |< * |> 3 . (64.53)-
Dans l’intervalle | £ |^ 2 , c’est-à-dire pour des fréquences
(o vérifiant l’inégalité
- 2 \ X a |<ü> - £ 0< 2 \ X a |,
il y a une absorption continue. La distribution relative d’intensité
dans les bandes d’absorption peut être exprimée en fonction des
intégrales elliptiques
2n-» [g (T)-J? O
- I m { 2 aG± (©)} =
E ® ] 2+ ( i r ) 21* ® ')-* (s')1*
— Im {%aGn (<■>)}= (64.54)
2jrM5* <6')+£(i')l
{ i + g - 2aJ ^ [£fê)-(5+ D * (l)]}2 + ( ^ . ) 2Ii/r(S')+^(I')l2
§ 64] ABSORPTION BIEXCITONIQUE DE LA LUMIERE 575
avec
Sur la figure 82 on a représenté le graphe des fonctions (64.54)

(en unités arbitraires) pour différentes valeurs de a.
Dans les diélectriques antiferromagnétiques à deux sous-réseauw
les spins des deux sous-réseaux sont antiparallèles. Pour un champ
magnétique appliqué H 0 supérieur
à la valeur critique V H AHE (où
HA est le champ d’anisotropie, IIE
le champ d’échange), les spins des
ions magnétiques sont symétriques
par rapport au champ, et l’angle #
formé avec la direction du champ est
donné par l’égalité cos = H J2H E.
La réorientation des spins conduit
à une variation du spectre d’exci
tations élémentaires. On peut avoir
des transitions entre les sous-ré
seaux. L’étude de l’absorption bi-
excitonique de la lumière en champ
fort a été réalisée par Petrov et
Loktev [4521.
L’opérateur du moment électri -7,0 10
que dipolaire effectif de la paire
biexcitonique fg s’écrit dans un
champ intense
P cfr = sin20 2 p nm (fg) C+ (nm),
nm
(64.55)
ou
CJm *■ [#nl (/) #m2 (g)
En raison du facteur sin2# figurant Fig. 82. Courbes d’absorption en

dans (64.55), l’intensité d’absorption lumière polarisée par une paireVx-
biexcitonique diminue lorsque H 0 citonique et pour différentes valeurs
croît selon la loi [1 — (HJ2H^)2]2. du rapport a = V \ X a J.
Pour / / o ^ ^ l ’antiferromagnétique
passe dans l’état ferromagnétique et l’association des excitations
devient impossible. La possibilité de transition de l’excitation entre
des sous-réseaux magnétiques différents conduit au doublement du
nombre des états liés. La théorie de ce phénomène est développée
dans [4521.
§ 65. Spectre d'absorption de la lumière

par l'oxygène antiferromagnétique
Parmi les cristaux magnétiquement ordonnés, le cristal molé
culaire d’oxygène (en dessous de 23 K, modification a) occupe une
place particulière. Tout en étant un cristal moléculaire typique,
a-oxygène est un antiferromagnétique idéal à deux sous-réseaux.
La molécule d’oxygène 0 2 a un groupe de symétrie ponctuelle
Dooh- Elle figure parmi les molécules neutres peu nombreuses pos
sédant à l’état fondamental un spin égal à l’unité. Les spins
des états excités électroniques les plus bas (7882 cm”1) et l2J
(13120 cm”1) sont égaux à zéro. Ces états possèdent la même parité
que l’état fondamental. Par conséquent leur excitation optique
est interdite pour raison de spin et à cause de la parité. C’est pour
quoi pour de faibles pressions, l’intensité d’absorption de la lu
mière par l’oxygène gazeux est très petite. Les états excités 1Afî et
apparaissent en absorption en raison des interactions spin-
orbite faibles et d’autres perturbations.
Lorsque la pression augmente, on voit apparaître dans le spectre
d’absorption de nouvelles bandes correspondant à l’excitation
simultanée d’une paire de molécules, dans les états AA, AS, S S .
La preuve de l’existence de cette excitation bimoléculaire est donnée
par la dépendance quadratique de l’intensité d’absorption en fonc
tion de la pression du gaz. A l’état liquide et à l’état cristallin,
ces transitions bimoléculaires sont prépondérantes. Prikhotko et
ses collaborateurs [453 à 456] ont interprété avec succès les spectres
de l’oxygène, plus particulièrement de sa modification cristalline
(antiferromagnétique) a.
Dans les spectres d’absorption de la phase antiferromagnétique
de l’oxygène à basse température, on voit apparaître des bandes
liées à l’excitation simultanée de deux molécules appartenant à
deux sous-réseaux magnétiques. Dans ces conditions, l’interdiction
liée au spin et à la parité disparaît. Dans ce paragraphe, en nous
servant des travaux de Gaididey et Loktev [457, 458], nous nous
proposons d’étudier théoriquement ces excitations bimoléculaires.
Le cristal d’oxygène alpha a un groupe d’espace de symétrie
C\h- Les molécules d’oxygène sont situées dans le plan de clivage
(plan ab), et occupent les sommets et les centres des faces de la
maille monoclinique. L’axe de la molécule est perpendiculaire à
l’axe monoclinique. Les spins moléculaires sont dirigés parallèle
ment et antiparallèlement à l’axe monoclinique.
Le groupe de symétrie locale de la molécule d’oxygène dans le
cristal est C2h. Les états moléculaires 32 j, et '2 J se réduisent
dans le cristal aux états locaux correspondant aux représentations
irréductibles ZBRJ A g + BR et A g du groupe de symétrie C2/,.
§ 65] SPECTRE D’ABSORPTION DE LA LUMIÈRE 577
Les interactions entre les états excités résultant des variations

du spin moléculaire, présentent un caractère d’échange. C’est pour
quoi, dans ces états excités bimoléculaires ne participent que les
paires de molécules voisines situées dans le plan de clivage. La dis
tance entre molécules voisines situées dans ce plan mais appartenant
à deux sous-réseaux magnétiques est 3,2 A, et la distance minimale
entre les molécules appartenant à deux plans différents est 4,2 À.
Ainsi les propriétés optiques de l’oxygène cristallisé sont détermi
nées par des structures bidimensionnelles en interaction faible.
Dans chaque plan de clivage il peut y avoir quatre types d’ex
citations couplées /g. Celles-ci correspondent au couplage des excita
tions électroniques des molécules occupant le centre d’une face ab
aux molécules placées aux sommets de cette même face mais appar
tenant à l’autre sous-réseau magnétique. Pour chaque ensemble
d ’excitations paires /g on peut construire des fonctions d’onde pai
res et impaires par rapport au centre d’inversion du système de
deux molécules concernées (voir § 64). Seules les fonctions impaires
participent à l’absorption de la lumière. A partir des quatre fonc
tions impaires relatives aux paires moléculaires 01, 02, 03, 04, on
peut construire quatre combinaisons linéaires se transformant selon
les différentes représentations irréductibles du groupe facteur C2/l.
Deux d’entre elles caractérisent l’absorption dipolaire électrique:
A u et Bu. La première correspond à une lumière polarisée parallè
lement à l’axe monoclinique, l’autre transversalement à cet axe.
Gaididey et Loktev ont étudié la distribution d’intensité dans
les bandes d’absorption correspondant aux excitations bimolécu
laires du cristal d’oxygène alpha [457, 458]. Nous présentons plus
bas les principaux résultats de ces recherches.
Soit une paire moléculaire, dont les molécules sont situées res
pectivement aux points n et m du premier et du second sous-réseau
magnétique. Cette excitation bimoléculaire peut être décrite par
les opérateurs de création C* (nm) et d’annihilation C (nm) de la
paire d’excitations. Les opérateurs concernés peuvent être exprimés
en fonction des opérateurs Bn (f) et Bm (g) des excitations monomo
léculaires *)
C (nm) = -jl=- [Ba (/) Bm (g) - Bn (g) Bm (/)]. (65.1)
Lorsque le nombre d’excitations du cristal est petit, ces opérateurs

vérifient les relations de commutation
[C (nm), C* (n m )J = ônn'ômm'-
*) Les opérateurs correspondant à une combinaison symétrique d'excita

tions monomoléculaires sont optiquement inactifs. Pour des excitations de
grande longueur d'onde, ils ne se mélangent pas aux opérateurs (65.1). C'est
pour cela que nous ne les avons pas écrits.
3 7 -0 5 3 4
578 TRANSITIONS OPTIQUES DANS LES CRISTAUX [CH. x n r
L’hamiltonien de la paire d’excitations s’écrit

S£ = S [eo+^nml C* (nm) C (nm) +
n, m
+ S M na-C* (nm) C (n'm) +

2 (nm) C (nm'), (65.2)
d, n'f m n, m, in'
où e0 = C/ + eg est l’énergie d’excitation d’une paire localisée;
Voa 1’énergie d’interaction entre les molécules excitées;
nn' = ^ nn' -{- nn' » M mm' = M mm' “f" »
jl/nn' sont les éléments matriciels de transfert de l’excitation / entra
les molécules n et n' relatives à un meme sous-réseau.
Séparons le mouvement du centre de gravité de la paire en uti
lisant la transformation
C (nm) = - ^ = - ^ C (k, n —m )exp [ik (n — m)/2], (65.3)
l’hamiltonien devient alors
< ^ k = E ( ^ o + ^no)C+(k, n) C (k, n) +

n
+ 2 2 •Mnm£+(k* n)C (k, m) exp[ik (n —m)/2j. (65.4)
n. m
Cette expression montre que le vecteur d’onde k est une inté

grale de mouvement. Dans ce qui suit nous étudierons seulement
les excitations de grande longueur d’onde, c’est pourquoi nous pose
rons k « 0. On peut alors écrire
m = S f 0+ W y (65.5)
où
<$"0 = 2 Cn [ô®nm“1“ *^nm] Cm» Cn = C (0, n), (65.6)
n, m
W '= 2 ^ n o C ;C n. (65.7)
n
Les fonctions propres orthonormées de l’hamiltonien S ( 0, ne tenant

pas compte des interactions entre les deux excitons de la paire
s’écrivent
q>q (n) = - ^ = - ei«i»C;|0), (65.8)
où | 0} représente l’état sans excitons. Ces fonctions correspondent
à l’énergie
e<i= eo + 2 Mnmexp(iq(n—m)]. (65.9)
§ 65] SPECTRE D’ABSORPTION DE LA LUMIÈRE 579
L’élément matriciel de l’opérateur d’interaction (65.7) sur l’en

semble des fonctions (65.8) s’exprime directement en fonction de
Fn0:
W nm = nO- (65.10)
Pour calculer l’énergie des excitations élémentaires bimolé
culaires, il convient d’utiliser l’équation de Dyson pour la fonction
de Green Gnm (E) correspondant à l’opérateur (65.5). Selon les
compléments mathématiques (paragraphe F) la formule (F. 10)
(équation de Dyson)
Gran (Ê) = Gnm (Ê) + ^ G&FpoGpm (Ê), (65.11)
P
où É = E -f it|, (r) -*- + 0), G},#m (E) est la fonction de Green de
l’opérateur Elle s’écrit par conséquent
G{& (Ê) = ^ °XP 1lq^n~ m)1 . (65.12)
q q
Compte tenu du transfert d’excitation électronique entre les molé
cules paramagnétiques les plus proches du plan ab, l’énergie (65.9)
de la paire s’exprime par la formule
eq = C0 + La cos qa + Lh cos qb,
où La = 2Mn%n+a, Lh = 2Mn%n+b, a et b sont les vecteurs de base
de la maille élémentaire.
Remplaçons les indices n et m par des simples numéros caracté
risant la molécule concernée. L’équation (65.11) devient, dans
l’approximation des plus proches voisins, le système suivant:
G„„ = G®+ V [J00G00 + / 10G10 + /oiGoi + / nG„],
G10 = G',®’+ V (/joGoo + J00^10 + 111^01 + JOl^lll.
(65.13)
G0i = GJ,®’+ V [IoiG00 + /nGio + J ooG0i + AoGnl,
Gn = G '® ’ + V 1 / i i G o o + / « G , . + I î o G o i + I o o G i J .
où y = F01 = F,o = f 20 = représente les interactions entre
molécules excitées voisines.
n n
cos nx cos my dx dy
E —c0—[La cosx-t-Lb co3y\ ’
(65.14)
0 0
Le système d’équations (65.13) admet pour solutions
(65.15)
37.
Les pôles de la fonction (65.15), placés sur Taxe réel E , déterminent

l'énergie des excitations bimoléculaires. Les excitations corres
pondant aux fonctions Gx et G2 ont la même symétrie que les repré
sentations irréductibles A g et Bg du groupe facteur C2h du cristal.
Elles n'apparaissent donc pas dans le spectre d'absorption. Les
pôles des fonctions G3 et G4 déterminent des excitations de symé
tries respectives A u et Ba. Elles apparaissent donc dans le spectre
suivant les polarisations parallèle et perpendiculaire à l'axe mono
clinique. Pour étudier les pôles de G3 et G4, définissons les paramè
tres sans dimension
5—T * - , TT- 1 = Jê - ’ « —£-• <65-16>

OÙ L — Y L \ + LJ. Nous prendrons Pour calculer les
pôles de G3 et G4, il faut résoudre l’équation
\l\lE -(i-Z ?)K ] <P(6, P _ « , / 7 P±«
Il ± cos B “ 2 V P a • K™-1 0
Dans cette expression nous avons utilisé les notations
cos0 2/P t
t= l 6* _ (p _ T)* • P+v ’
«te, g = -~ -F (|-, e) £(©, / i - n -
- [ £ ( f ’ t) - F ( f • s ) ] F <e - «
où E (0, £') et Z1 (0, £') sont les intégrales elliptiques incomplètes
de première et de deuxième espèce ( f a V l — Çs).
Lorsque
» < —ü ( l — §• Î I ” * ) ~ ‘ pour G„
=*•
l’équation (65.17) admet des solutions correspondant aux états liés
de la paire d’excitations; ces états sont situés dans le domaine
£ < — (P + Y)- Les pôles sont situés dans l’intervalle 5 > P + Y*
lorsque les conditions
a > P(‘ —r - ë S f -)’1 p°ur G‘

sont satisfaites. Dans ces inégalités, l'angle = V W -
§ 65] S P E C T R E D ’A B S O R P T IO N D E L A L U M IÈ R E 581
Pour | a | ^ P + y les états liés correspondent aux valeurs

| 3, 4 ^ - 3--4L~ e° = a = b P-V P’ +v*-
4a
Les états liés des excitations bimoléculaires correspondent à
une valeur déterminée du vecteur d’onde k. Par conséquent ils se
rapportent à des excitations collectives « à une particule » du cristal.
Ils ont une polarisation perpendiculaire l’un par rapport à l’autre
et ils sont séparés par une énergie | E 3 — Ek | = ({} — y) L. Cet
éclatement est une propriété caractéristique des excitations bimo
léculaires. Il fut découvert expérimentalement par Prikhotko et
coll. [456] en étudiant le spectre d’absorption de l’oxygène a à
1,3 K. Les fréquences des excitations bimoléculaires observées
232 —*-2A sont 10891 et 20895 cm"1.
g
Dans le domaine — (P + y) ^ ^ P + y les fonctions G3

et G4 sont complexes. Leurs parties imaginaires déterminent une
absorption à bande large correspondant à deux excitations molé
culaires séparées et deux états excitoniques relatifs à chaque sous-
réseau magnétique.
CHAPITRE XIV
DIFFUSION DE LA LUMIERE
ET LUMINESCENCE DES CRISTAUX
§ 66 . Les différentes composantes de l'émission

secondaire des cristaux
Lorsque la lumière entre en interaction avec un corps cristallin
de nombreux phénomènes peuvent se produire: 1) l’énergie des pho
tons se transforme partiellement ou complètement en énergie d’agi
tation thermique ; 2) la lumière provoque dans le solide des réactions
photochimiques; 3) le cristal émet des photons de même fréquence
ou de fréquence différente. La transformation de l’énergie lumineuse
dans le cristal est habituellement liée au transport de cette énergie
d ’une région du cristal à une autre. Ce déplacement est assuré en
partie par des processus de réabsorption et surtout par les excitons
de Frenkel dans les cristaux moléculaires, et par les excitons de
Wannier-Mott, les électrons et les trous dans les semi-conducteurs
et les diélectriques.
On peut obtenir l’excitation du cristal en le soumettant soit
à un flux de photons, soit à un flux de particules chargées. Le mou
vement des particules chargées dans le cristal s’accompagne d’un
rayonnement de freinage, et, dans le cas d’électrons rapides, de
rayonnement de Cerenkov.
Dans ce paragraphe nous étudierons seulement l’émission due
à l’excitation par voie optique. On convient maintenant d’appeler
émission secondaire toutes les formes d’émission apparaissant dans
les cristaux et les molécules par excitation optique [459, 4601.
L’émission secondaire se subdivise en : 1) diffusion Rayleigh (sans
variation de fréquence) ; 2) diffusion combinatoire ou Raman (lors
qu’il y a variation de fréquence) ; 3) luminescence ; 4) luminescence
chaude; 4) émission résonante ou Raman de résonance. Il convient
aussi d’y rattacher les phénomènes de réflexion de la lumière sur
le cristal, puisqu’ils s’accompagnent d’une pénétration partielle de
la lumière dans le cristal et, par suite, reflètent les caractéristiques
des états excités du cristal.
Dans la plupart des cas, les différentes sortes d’émission secon
daire peuvent être relativement bien séparées, mettant ainsi en
évidence le mécanisme des processus à l’origine de l’émission. Dans
certains cas, cette séparation en différentes composantes est diffi
cile, voire impossible par principe.
$ 66 ) D IF F É R E N T E S C O M P O S A N T E S D E L ’É M IS S IO N S E C O N D A IR E 583
Lorsque l’énergie de la lumière coïncide avec la région de trans

parence du cristal, l’interaction de l’onde lumineuse avec la matière
fait apparaître une diffusion avec ou sans variation de fréquence.
En théorie les processus de diffusion sont considérés comme des
processus de second ordre, parce qu’ils font intervenir des états in
termédiaires virtuels. En diffusion Rayleigh, les processus d’ab
sorption et d’émission sont liés de manière cohérente. Dans le for
malisme quantique ce processus peut être exprimé comme la colli
sion élastique d’un photon et du cristal. La diffusion Raman serait
représentée par la collision inélastique du photon incident avec les
phonons du cristal. Puisque la fréquence varie, la cohérence n ’est
pas respectée, mais les rapports cinématiques traduits par les lois
de conservation de l’énergie et de l’impulsion sont encore valables.
Lorsque la lumière excite, dans le cristal, des états électroni
ques réels, ou des états vibroniques réels, après absorption du pho
ton incident, le système reste un certain temps (durée de vie moyen
ne t ) dans cet état. Les processus d’absorption et d’émission devien
nent alors indépendants. La durée de vie moyenne x détermine la
diminution exponentielle de l’intensité d’émission (I (t) =
= / (0) exp (—t/x) au cours du temps. Elle est due à l’interaction
des degrés de liberté électroniques et électro-vibratoires avec d’au
tres degrés de liberté du cristal et le rayonnement électromagnétique
du vide.
L’interaction avec ce champ de rayonnement du vide est caracté
risée par la durée de vie radiative xr. L’inverse de cette grandeur est
liée à la probabilité d’émission spontanée d’un photon par unité
de temps. Cette émission est appelée luminescence. Par émission
d ’un photon, le système passe dans un état énergétique inférieur,
on particulier dans l’état fondamental.
Dans les corps luminescents, une partie importante de l’énergie
absorbée n’est pas dégradée en chaleur, mais est réémise sous forme
de lumière. Ces corps peuvent être considérés comme des transfor
mateurs de lumière, faisant passer le rayonnement d’une fréquence
à une autre fréquence. En particulier, les corps luminescents per
mettent de transformer les rayons lumineux ultraviolets invisibles
en lumière visible. Ce phénomène est largement utilisé dans la pra
tique courante.
Parallèlement à la luminescence, chaque corps chauffé à une
température déterminée, émet des photons dus aux mouvements
thermiques désordonnés des charges. L’intensité de cette émission
thermique non structurée est proportionnelle à la quatrième puissance
de la température. La composition spectrale de l’émission est égale
ment déterminée par la température. Afin de bien séparer les phéno
mènes de luminescence de l’émission thermique, Vavilov [4611 pro
posa la définition suivante : « On appelle luminescence dans un
domaine spectral donné, l’émission restante après déduction de
584 D IF F U S IO N D E L A L U M IE R E E T L U M IN E S C E N C E [CH. XIV
rémission thermique. La durée de cette émission excédentaire doit

être finie et supérieure à la période des oscillations lumineuses. *
La durée de l’émission peut être réduite par des modifications
des conditions extérieures; cette réduction est appelée extinction
de la luminescence. L’extinction est un moyen de reconnaître la
luminescence. Stépanov et Apanassévitch [4621 proposent d’appeler
luminescence une photoémission, dans laquelle l’absorption et l’émis
sion des photons sont séparées par quelques processus intermédiaires.
Les processus intermédiaires peuvent consister en des transitions
optiques ou non optiques entre sous-niveaux excités.
La luminescence se subdivise en fluorescence èt phosphores
cence. La fluorescence résulte de transitions dipolaires électriques
entre états de même multiplicité (de même spin). La durée de vie
radiative de la fluorescence est égale à 10”M 0 “9 s. La phosphores
cence est l’émission accompagnant des transitions entre états de
multiplicités différentes. A cause de l’interdiction de spin, la durée
de vie radiative de la phosphorescence est des millions de fois plus
longue que celle de la fluorescence correspondant à des transitions
analogues mais de spins différents.
Parallèlement à l’émission, caractérisée par la durée de vie
Tr, il peut y avoir des transitions non radiatives vers des états d’éner
gie inférieure (en particulier vers l’état fondamental). Les transitions
non radiatives sont caractérisées par les temps de relaxation xr .
Les processus de relaxation diminuent la durée de vie totale de
l’état
T = Tr-f*T7*
L’émission représente une partie de l’énergie d’excitation égale à
t / t j ., le restant ( t / t x ) est transformé en chaleur. Lorsque la condi
tion xr ^ xT est réalisée, le cristal n’émet pas de radiations: l’éner
gie lumineuse se transforme en chaleur.
Une propriété remarquable des cristaux luminescents est repré
sentée par les conditions
r (fi ^ (fi > E f0, i — 1, 2, . . .,
r (fo ~ + g ) < TT (/o ~ + g ) ,
où f 0 est l’un des niveaux électroniques d’énergie la plus basse, ce

niveau étant séparé de l’état fondamental (g) par une barrière éner
gétique nettement supérieure à l’énergie d’agitation thermique.
Lorsque les conditions (66.1) sont vérifiées, une distribution de
quasi-équilibre s’établit entre les états / 0, / lT / 2 . . . d’énergies
E (fo) < E (fx) < E (/«) < . . . Cette distribution est déterminée
par la température du cristal : elle suit la loi de Boltzmann
(- w )• **•*>
§ 66] DIFFÉRENTES COMPOSANTES DE L’ÉMISSION SECONDAIRE 585*
Pour des températures très basses, l’émission se produit à partir de

l’état / 0. L’émission correspondante est appelée luminescence ther-
malisée. Cependant cette thermalisation n’est pas réalisée par rap
port à l’état fondamental, mais par rapport à un état excité f 0 si
tué plusieurs électrons-volts au-dessus de l’état fondamental.
L’excitation électronique peut renfermer une énergie dix ou
cent fois supérieure à l’énergie d’agitation thermique, pendant une
durée assez longue. Les particularités de cette « isolation » sont dé
terminées par la structure électronique des éléments déterminant
l’émission (atomes de terres rares, molécules aromatiques, etc.).
La durée de l’émission lumineuse varie largement selon les substan
ces et les conditions: depuis un milliardième de seconde pour les
atomes et les molécules jusqu’à plusieurs heures ou plusieurs jours
pour les cristallophosphores.
Lorsque la durée de vie radiative devient égale au temps de
relaxation, la distribution de quasi-équilibre ne peut s’établir
complètement. L’émission provient d’un certain nombre d’états
excités; cette émission s’appelle luminescence chaude.
Les diffusions Rayleigh et Raman de la lumière sont habituelle
ment étudiées à l’aide d’un rayonnement monochromatique intense
dont la fréquence tombe dans une région de transparence du cristal.
Dans ces conditions le spectre de diffusion se trouve loin du spectre
de luminescence, dont on le distingue facilement. L’intensité de
diffusion est très faible. Cependant au fur et à mesure que la fré
quence d’excitation se rapproche de la résonance, l’intensité de
diffusion augmente fortement (463, 464].
Les diffusions Rayleigh et Raman de résonance diffèrent peu de
la luminescence (si l’on n’utilise pas la définition de la luminescence
donnée par Stépanov). Heitler ([465], § 20) a montré que la nature
de l’émission Rayleigh résonante sur un niveau de largeur y dépen
dait de la composition spectrale de la lumière incidente. Lorsque
le système est irradié par une lumière à spectre continu dans le
domaine y , on observe une luminescence résonante, c’est-à-dire la
présence de deux phénomènes indépendants: absorption, puis émis
sion ultérieure de lumière dont la distribution spectrale correspond
à la largeur du niveau quantique y du système. Lorsque le système
est irradié par une lumière monochromatique de largeur y 0 y,
la raie d’émission possède la même largeur y 0 et la même forme que
la lumière incidente. Dans ce cas l’absorption et l’émission forment
un processus collèrent à un photon. Le système quantique « se sou
vient » du photon absorbé. Dans ces conditions, au moment de l’in
teraction avec la lumière, l’énergie du système quantique ne pos
sède pas de valeur bien déterminée. Ainsi, dans le processus de fluo
rescence résonante, on ne peut dire dans quel état (fondamental ou
excité) se trouve la molécule. C’est seulement lorsque l’état quanti
que de la molécule est bien déterminé que la largeur du spectre
586 DIFFUSION DE LA LUMIÈRE ET LUMINESCENCE [CH. XIV
<Témission peut être supérieure ou égale à la largeur de l'état consi

déré y. Ces conditions peuvent être réalisées en mesurant l'émis
sion pendant un temps petit par rapport à la durée de vie I/ 7 . Dans
le processus d’absorption et d'émission, lorsque la molécule est dans
l'état excité, ces deux processus deviennent indépendants et le
rayonnement émis a une largeur propre.
Nous appellerons luminescence l’émission secondaire après
déduction de l’émission thermique, s’accompagnant d’une transi
tion du système quantique depuis un état quantique déterminé réel
(de durée de vie finie supérieure à la durée de vie du photon) vers
un état d’énergie inférieure. Les processus d’absorption et de lumi
nescence sont indépendants et ne sont pas cohérents. Ils ne sont
même pas liés cinématiquement par les lois de conservation de l’éner
gie et de l’impulsion. La distribution spectrale de la luminescence
■est due à la nature (largeur, etc.) et à la distribution énergétique
des niveaux électroniques concernés par la transition. La définition
de la luminescence donnée par Stépanov et Apanassévitch 1462] est
un cas particulier de cette définition.
Comme l’indice de réfraction, pour des fréquences voisines de la
résonance, atteint des valeurs élevées, l’émission secondaire effectue
de multiples réflexions avant de quitter le cristal. A cause des phé
nomènes de réabsorption et de diffusion Raman sur les phonons
(très probables au voisinage de la résonance) la distribution spec
trale de l’émission secondaire peut dépendre des dimensions du
cristal. A basse température, la diffusion s'accompagne surtout d’une
émission de phonons. Par conséquant l’intensité du rayonnement
émis, correspondant à la transition sans phonons, diminue, et l’in
tensité des composantes Stokes augmente. Lorsque la température
croît, les effets dus à la diffusion combinatoire des photons dimi
nuent. Ceci résulte de compensations par des transitions polaritoni-
ques inverses, liées au renforcement des composantes anti-Stokes:
ces transitions correspondent au passage d'une énergie E < E 0 aux
énergies E > E 0 voisines du bord de la bande excitonique caracté
risée par une grande densité d'états.
Les diffusions Rayleigh et Raman sont des processus dans les
quels les états excités du cristal interviennent à l’état virtuel (même
lors de la résonance). Dans la diffusion Rayleigh, les processus d'ab
sorption et d’émission sont liés de manière cohérente. La diffusion
Rayleigh apparaît comme un seul processus de diffusion élastique
des photons sur le cristal. L'étude des interactions du photon et du
cristal par la théorie des perturbations fait intervenir des états
intermédiaires virtuels. Ces états virtuels n’indiquent en rien que
le système passe réellement dans un état excité. D’après la théorie
<les perturbations, la fonction d*onde du cristal en interaction avec
le photon se présente sous la forme d’une superposition des fonctions
d ’ondes d’états excités propres de l'hamiltonien non perturbé. Ce-
§ 66] DIFFÉRENTES COMPOSANTES DE L’ÉMISSION SECONDAIRE 587
pendant on peut développer la même fonction sur n’importe quel

autre système complet de fonctions orthonormées, définies sur le
même espace de variables indépendantes. Aucun terme de la super
position n’a de signification en soi.
La distribution spectrale de l’émission due à la diffusion élasti
que correspond à la distribution spectrale des photons dans le fais
ceau lumineux incident. Dans la diffusion Raman la fréquence du
photon varie, c’est-à-dire une diffusion inélastique du photon se
produit sur les excitations élémentaires (créées ou absorbées) du
cristal : phonons, polaritons, magnons, etc. La distribution d’in
tensité de l’émission est différente de la distribution spectrale du
faisceau incident puisqu’elle reflète les propriétés des excitations
réelles du cristal. Lorsque la lumière incidente est monochromati
que, la distribution spectrale de la diffusion Raman est déterminée
par la distribution spectrale et la largeur des excitations élémentai
res créées (ou absorbées) dans le cristal. La description théorique de
la diffusion élastique ne fait pas intervenir la largeur des niveaux
intermédiaires.
Lorsqu’on étudie théoriquement le processus de diffusion Ra
man, il ne faut pas oublier que dans le cristal les photons tombant
dans son domaine de transparence, se présentent en réalité sous la
forme de polaritons. Lors de la diffusion Raman, le polariton perd
ou acquiert une certaine énergie. Il se déplace donc par sauts le
long de la branche polaritonique (voir fig. 68 ) caractérisant la dis
persion du polariton. C’est pourquoi l’émission résultant de ce pro
cessus est parfois appelée improprement « luminescence à partir
d’états polaritoniques ». En réalité, cette émission ne présente pas
les propriétés générales d’une émission luminescente. Elle apparaît
comme le résultat de la diffusion Raman des polaritons 5 l’inté
rieur du cristal. La durée de vie de cette émission correspond appro
ximativement au temps mis par le photon de même fréquence pour
traverser le cristal.
Comme nous l’avons déjà remarqué plus haut, le processus de
diffusion Raman peut aussi accompagner la luminescence. La théorie
de ce phénomène a été développée par Miasnikov [466], Miasnikov
et Fomine [467, 468] et par Sumi [469, 470] (voir § 67.2). Les pola
ritons de fréquence o 0, voisine du bord de la bande excitonique,
peuvent, au cours de leur déplacement dans le cristal, prendre ou
communiquer de l’énergie ftQ/ aux phonons du réseau. A basse
température, la perte d’énergie est prépondérante. Comme l’énergie
des photons émis par luminescence diffère peu de l’énergie du ni
veau électronique excité, la probabilité de cette diffusion Raman
est notablement supérieure à ce qu’elle serait si la fréquence de la
lumière incidente était éloignée de celle de la transition quantique.
En plus des photons de fréquence o)0 — Q/t résultant de la dif
fusion Raman, le cristal peut émettre aussi des photons de même
588 DIFFUSION DE LA LUMIÈRE ET LUMINESCENCE [CH . X IV
fréquence correspondant aux transitions quantiques de l’état excité

à un sous-niveau vibratoire de l’état électronique fondamental.
Dans ce cas, l’état excitonique formé se dissocie en un photon de
fréquence <û0 — £2* et un phonon de fréquence £2/ (transition à
deux particules). Le photon qui apparaît n’est pas lié de manière
cohérente à l’exciton. La probabilité de tels processus ne dépend
pas des dimensions du cristal. Quant à la probabilité d’émission
des pilotons issus de la diffusion Raman, elle augmente lorsque les
dimensions du cristal augmentent, puisque le chemin parcouru par
les photons à l’intérieur du cristal augmente.
L’importance relative de ces deux processus dépend du type de
cristal et de la température. En particulier, pour des cristaux im
purs, la luminescence part des états quantiques liés aux impuretés
(voir § 68 ). Dans ce cas le rôle fondamental est joué par des proces
sus à deux particules.
La plupart des résultats expérimentaux montrent que la distri
bution spectrale de la luminescence, pour une excitation corres
pondant à la bande d’absorption propre du cristal, ne dépend pas
de la longueur d’onde de la lumière incidente. A basse température
dans un cristal idéal, la première bande du spectre de luminescence
coïncide avec la transition électronique pure correspondant au
niveau singulet d’énergie la plus basse. Ces faits expérimentaux
renforcent l’hypothèse selon laquelle un état de quasi-équilibre
thermodynamique s’établit entre les différents états excités. L’émis
sion à partir de ces états « thermalisés » est bien un processus lu
minescent, puisqu’il fait intervenir des états réels et reflète leurs
propriétés (largeur, etc.).
Une évaluation de la durée des processus de relaxation condui
sant à cet état de quasi-équilibre thermodynamique donne 10 ”11 à
10~13 s. La durée de vie radiative des états singulets est de 10“7 à
10“9 s. Ainsi, même pour des températures pas très basses (voir
§ 67.2), la distribution de quasi-équilibre a le temps de se réaliser.
Dans certains cas cependant, elle ne réussit pas à s’établir. On ob
serve alors, pour différents types d’excitations, diverses distribu
tions éloignées de la distribution de quasi-équilibre. Par exemple,
la distribution de quasi-équilibre s’établit beaucoup plus rapide
ment entre des états singulets que la distribution d’équilibre entre
un état singulet et un état triplet.
L’énergie des excitations en triplet dans les cristaux est infé
rieure à celle des excitations en singulet. Cependant, en raison des
faibles interactions entre états triplets et singulets, et de la faible
durée de vie radiative de ces derniers, les états singulets émettent
souvent avant que le cristal ait le temps de passer à l’état triplet.
Lorsque des excitons triplets sont créés, au cours de leur longue
durée de vie, des millions de fois supérieure à la durée de vie des
excitons singulets, ils peuvent, à la suite d’un choc, se transformer
S 66] DIFFERENTES COMPOSANTES DE L’EMISSION SECONDAIRE 589
€ii excitons singulets. Il se produit ce que Ton appelle Vannihilation

triplet-triplet. L’émission intervient alors, après une relaxation
rapide vers l’état singulet d’énergie la plus basse. Cette émission
s’appelle « fluorescence retardée », parce que l’énergie a été long
temps conservée dans les états triplets. La distribution spectrale
de la fluorescence retardée est la même que celle de la fluorescence à
partir de l’état singulet excité directement.
En étudiant les spectres d’absorption et de luminescence de
cristaux moléculaires purs, on a découvert qu’à basse température le
versant du spectre de luminescence situé du côté des courtes longeurs
d’onde correspondait directement au versant du spectre d’absorp
tion du côté des grandes longueurs d’onde. Cet effet met en évi
dence l’origine commune des états émetteurs et absorbants. Cepen
dant on observe rarement une coïncidence résonante exacte des
bords de la bande d’absorption et de la bande de luminescence.
Lorsque la liaison excitons-phonons est forte, des excitations
locales « autopiégées » peuvent apparaître (cf. § 51). La bande éner
gétique de ces excitations est très étroite et située en dessous de la
bande des excitons libres. Lors de l’établissement de la distribution
de quasi-équilibre, au moment de l’émission, la plus grande partie
de l’excitation passe dans un état excitonique localisé, à partir
duquel se produit l’émission. Dans ces conditions le spectre de
luminescence est constitué de bandes larges déplacées vers les gran
des longueurs d’onde par rapport au bord de la bande d’absorption.
Même à basse température il n’y aura pas de coïncidence résonante
entre les bords des bandes de luminescence et d’absorption.
Jusqu’à présent, les possibilités d’investigation expérimentale
étaient limitées, dans l’échelle des temps, aux ordres de grandeur
10 “8 à 10”9 s. Ceci ne permet d’étudier que l’établissement de la
réponse du milieu à une perturbation électromagnétique extérieure.
La théorie développée dans ce livre a été elle aussi adaptée à
l’étude de ces processus. La mise en œuvre de la méthode des fonc
tions de Green et des fonctions de corrélation s’appuie sur l’établis
sement adiabatique des interactions au temps t = —oo. Dans ce
cas, même pour un faible amortissement, les excitations propres du
système finissent toujours par s’amortir et il ne reste plus que les
oscillations forcées correspondant à la perturbation extérieure. Les
processus de relaxation rapides déterminent la largeur des raies
spectrales.
L’établissement d’un régime dans un milieu condensé est carac
térisé par des concepts généraux : la permittivité, l’indice de ré
fraction et le coefficient d’absorption. Lorsqu’on étudie l’établisse
ment de ces processus, le phénomène de résonance occupe une place
particulière. Cette notion est largement utilisée en spectroscopie,
lorsqu’on étudie le spectre des différentes excitations élémentaires
des milieux condensés. Pour un amortissement très faible, le phé-
590 DIFFUSION DE LA LUMIÈRE ET LUMINESCENCE [CH . X IV
nomène de résonance est très marqué, l’amplitude du processus

atteint de grandes valeurs, mais sa durée d’établissement est très
longue.
Illustrons ces assertions par le modèle classique simple d’un
oscillateur harmonique de fréquence propre <d0 et d’amortissement 7.
Les oscillations forcées de cet oscillateur sont caractérisées par l’équa
tion
x + 2yx + (ojx = E 0 cos cot. (66.3)
Compte tenu des conditions initiales x (0) = x (0) = 0 et ca = g>0,
la solution de cette équation est
* W = -2^T [ sintoo * - - ^ = = - *-Y‘«n (< •

Pour y «C o)0 cette solution devient simplement
xw = 11 ~ sin ®°** (66-4>

A l’instant initial t < 1ly, la solution (66.4) coïncide avec la solu
tion de l’équation (66.3) dans laquelle on pose 7 = 0 . Ainsi, à l’ins
tant initial, l ’amortissement n ’a pas d’influence sur les oscillations
forcées. Cependant, au cours du temps, l’augmentation de l’amplitude
de vibration (66.4), linéaire au début, tend, pour t 1/7 , vers une
valeur constante EJ2y<ù0. Ces états du système sont appelés régime
forcé. La grandeur I / 7 peut être appelée durée d'établissement du
régime forcé. La solution générale de l ’équation (66.3), lorsque le
régime forcé est établi (t I /7 ) ne dépend pas du choix des con
ditions initiales
x(t) Ep COS ((ùt — < p),
Y (e>g—<*>*)*+£y*<ù2
(66.5)
tg (p = 27 G )/(<D 2 — (O * ).
Par conséquent, c’est seulement le régime forcé qui présente une dé
pendance résonante de l ’amplitude de vibration en fonction de la
fréquence <o de la force extérieure. Pour des faibles amortissements,
le phénomène de résonance est très marqué, l’amplitude de vibration
atteint de très grandes valeurs EJ2y(ù0, mais la durée d’établisse
ment du régime est très longue ( > 1/7 ).
L’étude des régimes forcés dans les milieux condensés ne permet
de définir que quelques propriétés des excitations élémentaires
(fréquence, largeur, polarisation). En particulier, en étudiant les
spectres d’absorption, de luminescence et les raies Rayleigh et
Raman, il n ’est pas possible de rendre compte par ce moyen des
processus très rapides ( t < 10“10 s). On peut le faire indirectement
en supposant que la largeur d’une bande d’absorption isolée corres
pond seulement à des processus de relaxation (répondant à une loi
S 67] LUMINESCENCE EXCITONIQUE DES CRISTAUX 59Î
de décomposition exponentielle): la durée de vie t de l ’excitation

est alors reliée à la largeur énergétique AE de la bande par le rapport
simple
x = hl&E ou t = {2jic [X,"1]} "1 s, (6 6 .6 )*
où [X”1] est la largeur de la bande d’absorption exprimée en cm"1,
c la vitesse de la lumière (cm/s).
Cependant dans les corps solides et liquides, la largeur de la
bande d’absorption n ’est pas due seulement à des processus de rela
xation, mais aussi à une structure des bandes d’états correspondant
aux excitations élémentaires. Il peut y avoir aussi un élargissement
non homogène des bandes, en particulier dans les liquides et dans
les cristaux imparfaits. En outre, la loi de décomposition des états
excités n’est pas toujours exponentielle (voir § 57), c’est pourquoi
l’expression (6 6 .6 ) permettant le calcul des durées de vie peut con
duire à des résultats erronés. La formule (6 6 .6 ) détermine seule
ment la limite inférieure de la durée de vie de l ’état correspondant.
Ces derniers temps, de nouvelles possibilités d’investigation,
utilisant des impulsions laser de durée très courte (1 0"12 s), sont
apparues. Cette technique des picosecondes permet d’étudier le
déroulement temporel du processus de luminescence, la dynamique
des transferts énergétiques entre différentes excitations élémentaires
des corps solides et liquides. L’étude de l’évolution temporelle des
processus de relaxation (création et annihilation de vibrations et de
rotations moléculaires, etc.) pourrait donner de précieuses infor
mations sur les particularités des interactions moléculaires et leur
dépendance en fonction de la température.
En utilisant la technique des picosecondes, Alfano et Shapiro
[471J ont mesuré directement en 1971 la durée de vie des phonons
optiques de fréquence 1086 cm "1 dans la calcite. A 297 K, cette durée
de vie est égale à (8,5 ± 2) -10"12 s, et elle augmente lorsque la tem
pérature s’abaisse à 100 K, jusqu’à (19,1 ± 4)*10"12 s. Auparavant
on évaluait la durée de vie des phonons en utilisant la largeur des
raies de diffusion Raman. En utilisant la formule (6 6 .6 ), on trouve
pour la durée de vie des phonons (mesurée plus haut par une autre
méthode) respectivement (3,6 à 4,8)-10"12 s et 7,7-10"12 s, pour les
mêmes températures. Ces valeurs, comme il fallait s’y attendre,
sont plus petites que les valeurs des durées de vie mesurées directe
ment.
§ 67. Luminescence excitonique des cristaux
La luminescence des cristaux, comme l ’absorption (voir chap. 11),
dépend des valeurs relatives des paramètres / et y . Le premier carac
térise (voir (54.3)) les interactions des excitons et des photons, et
le deuxième la relaxation des excitons vers d’autres états. Le para
mètre y est défini par les interactions des excitons avec les phonons.
les impuretés et d’autres défauts du cristal. Il dépend beaucoup de

la température et de la pureté du cristal.
Lorsque la température n’est pas trop basse, on a d’habitude
Dans ce cas, la reconversion des excitons en photons peut
être calculée par la méthode des perturbations. Une interaction
forte des excitons avec les vibrations du réseau nécessite l’utilisation
d ’une théorie tenant compte d’approximations d ’ordre supérieur par
rapport à cette interaction. Nous supposerons que la distribution
de quasi-équilibre des excitons sur les sous-niveaux de la bande
excitonique la plus basse est réalisée. La probabilité d ’émission
îum (<»>) peut être reliée à la probabilité d’absorption M?abs (<o)
de la lumière de fréquence o>:
^lum (<*>) = const-*rabs (co) exp (—ov'kT). (67.1)
A très basse température, pour des cristaux présentant des exci
tons dipolaires actifs (d’énergie la plus basse), on ne peut étudier
l’interaction exciton-photon par la théorie des perturbations. En
raison de la grande probabilité de reconversion réciproque exciton-
photon. il faut calculer exactement leur interaction. Ceci peut être
facilement réalisé en utilisant la représentation par des polaritons,
caractérisant les états quasi stationnaires du système excitons-
photons en interaction (voir § 45). On étudie alors l’interaction
polariton-phonon par la méthode des perturbations.
67.1. Luminescence des cristaux présentant une liaison exciton-
photon faible. Nous conviendrons de parler de liaison exciton-pho
ton faible lorsque l’interaction exciton-photon est plus faible que
l’interaction exciton-phonon, c’est-à-dire lorsque / «C y. Cette iné
galité est vérifiée pour de nombreux cristaux lorsque la température
n ’est pas trop basse, et presque toujours pour des états locaux ou
liés aux impuretés (en raison de leur faible densité).
Dans les cristaux luminescents, la probabilité de transformation
complète de l’énergie d’excitation électronique en chaleur est infé
rieure à la probabilité d’émission. Comme l’interaction exciton-
phonon est forte, l’établissement de la distribution de quasi-équilibre
est relativement rapide (~ 1 0 “13 s). C’est pourquoi le spectre d ’émis
sion ne dépend pas de la fréquence de l’onde incidente. Le caractère
de la luminescence dépend de la température, de la structure des
bandes excitoniques et de la nature de l’interaction exciton-phonon.
Le plus souvent les excitons de la bande énergétique la plus
basse ont une masse effective positive, et le minimum d’énergie
correspond à la valeur k = 0. Dans ce cas, pour des températures
assez basses, mais telles que l ’inégalité E (Q) — E (0) < kT reste
valable, l’absorption résonante et l’émission ont pour origine des
états dont le vecteur d’onde k est égal au vecteur d ’onde Q de la
lumière dans le cristal.
LUMINESCENCE EXCITONIQUE DES CRISTAUX 593
Lorsque la température augmente, un nombre croissant d ’états

d’énergies E (k) supérieures à E (Q), est peuplé. La luminescence
à partir de ces états nécessite la participation d’un phonon de vec
teur d’onde q tel que k — q = Q. Les transitions faisant intervenir
des phonons sont moins probables. Elles constituent un fond continu
de faible intensité autour de la fréquence fondamentale (o (Q) =
= E (Q)/h. Lorsque la température augmente, l’intensité du fond
augmente (la probabilité de transition augmente). Celui-ci s’étend
du côté des courtes longueurs d’onde, puisque le domaine d’états
excitoniques occupés tels que | k | > | Q | augmente. La lumines
cence à partir d’états | k | # | Q | devient également possible aux
points où la symétrie translationnelle au cristal est détruite (défauts
du réseau, surface du cristal). L’intensité de ces transitions est
proportionnelle à la concentration en défauts et ne dépend pas de la
température (lorsque ces défauts ne sont pas créés par l’agitation
thermique).
On peut aussi observer des transitions, non pas vers l’état fon
damental, mais vers les sous-niveaux vibratoires correspondants,
constituant une « bande vibratoire » d’oscillations intramoléculai-
res. Les transitions électroniques autorisées se combinent aux états
vibratoires correspondant à des oscillations intramoléculaires totale
ment symétriques. La largeur de ces bandes vibratoires est pratique
ment nulle (1 à 2 cm"1) en raison de la petitesse des interactions
résonantes dues aux vibrations totalement symétriques.
Les transitions quantiques, à partir d’un état excitonique vers
un état de la bande vibratoire Q (q), répondant à l ’émission d’un
photon (û), Q) ne sont possibles que si les règles de sélection
fUù = E (k) — HQ (q), k + q = Q
sont satisfaites. Comme Q (q) « Q0» les règles de sélection sont
satisfaites pour n’importe quel vecteur d’onde k. Par conséquent
l’émission peut avoir pour origine n’importe quel sous-niveau peuplé
de la bande excitonique. Lorsque la température augmente, le nom
bre de niveaux peuplés augmente et la bande de luminescence s’élar
git atteignant la valeur L de la largeur de bande excitonique. L’in
tensité de cette large bande de luminescence augmente aussi.
Une autre particularité des transitions vers des états de la bande
vibratoire (dans des cristaux contenant au moins deux molécules par
maille élémentaire) est qu’elles donnent naissance à une émission
faiblement polarisée ou^même non polarisée. Un exemple en est
fourni par un cristal de groupe d’espace C\h contenant deux molé
cules par maille élémentaire. A chaque vibration intramoléculaire
totalement symétrique (de symétrie A lg pour une molécule de symé
trie D2h) correspondent dans le cristal deux bandes vibratoires de
symétrie A g et Bu du groupe facteur C2h. Ces deux bandes ont la
même énergie. Le moment dipolaire de transition à partir d ’un
3 8 -0 5 3 4
594 DIFFUSION DE LA LUMIERE ET LUMINESCENCE [CH. XIV
niveau excitonique A u vers l’état vibratoire A g (de même symétrie

que l’état fondamental) est associé à la représentation irréductible
Au X A e = A u du groupe facteur C2h. Il est donc parallèle à l’axe
monoclinique. L’autre moment dipolaire de transition du même
niveau excitonique A u vers l’autre état vibratoire Bz a pour symétrie
A a X Be = Bu ; il est donc dirigé perpendiculairement à l’axe
monoclinique. Pour une même probabilité des deux transitions,
l ’émission résultante est non polarisée.
Lorsque la lumière incidente est absorbée par une bande excito
nique de masse effective négative, c’est le niveau E (Q) correspon
dant au maximum de la bande qui est d ’abord peuplé. Ensuite
l ’exciton relaxe relativement vite vers des sous-niveaux de la même
bande, mais d’énergie inférieure E (k) pour | k | > Q. La transition
directe à partir de cet état vers l ’état fondamental est interdite d’a
près la règle de sélection k = Q. Seules les transitions vers des niveaux
vibratoires de l’état fondamental sont autorisées. Ainsi, lorsqu’on
crée un exciton de masse effective négative, la bande de lumines
cence coïncidant a la résonance avec la bande d ’absorption peut
manquer. En tout cas elle sera très faible à cause du faible peuple
ment du sous-niveau (k = Q) excitonique correspondant.
Dans le spectre de luminescence figurent seulement des bandes
non polarisées. Ces bandes correspondent à des transitions s’accom
pagnant de l ’excitation de vibrations intramoléculaires. Ces bandes
sont situées à coté des bandes d’absorption, vers les grandes longueurs
d ’onde et à une distance égale à la somme de la largeur de bande
excitonique et de l’énergie de la vibration intramoléculaire (à basse
température). Lorsque la température augmente, la largeur de bande
et l’intensité augmentent, en raison du remplissage croissant des
niveaux voisins du fond de la bande excitonique. Pour des tempé
ratures suffisamment élevées, la largeur de ces bandes électro-vibra
toires de luminescence caractérise en gros la largeur de bande excito
nique, lorsque celle-ci n’est pas recouverte par d’autres bandes.
L’étude expérimentale de la luminescence propre des cristaux de
naphtalène a été réalisée par Shpak et Sheka [472, 473]. Ces auteurs
ont montré que, pour des cristaux très purs exempts de traces de
p-méthylnaphtalène, le spectre de luminescence présentait une bande
à 31480 cm"*1, polarisée perpendiculairement à l ’axe monoclinique.
Cette fréquence est voisine de la fréquence 31476 cm "1 correspondant
au maximum de la bande d’absorption. Cette polarisation et la
coïncidence résonante de cette bande avec la bande d ’absorption
prouvent que l ’émission observée est bien due à une transition directe
de l’état excitonique vers l’état fondamental et que près du fond
de la bande la masse effective de l’exciton est positive.
A la température de 20 K, la valeur de kT (~14 cm"1) est environ
10 fois inférieure à la différence d’énergie entre le fond de la pre
mière bande excitonique E 0 (composante parallèle à a) et l’énergie
§ 67] LUMINESCENCE EXCITONIQUE DES CRISTAUX 595
Eb (Q) (31623 cm’1) du sous-niveau de vecteur d’onde Q (composante

parallèle à b). C’est pourquoi dans l’état de quasi-équilibre, les
sous-niveaux Et (Q) ne se peuplent pas et ne participent pas à la
luminescence. Cependant, lorsque la température augmente jusqu’à
77 K, on voit apparaître une bande dans le spectre de luminescence,
à la fréquence 31623 cm’1, polarisée le long de l’axe monoclinique
(composante b). La position et la polarisation de cette bande coïn
cident avec la position et la polarisation de la bande d’absorption.
Ces modifications du spectre de luminescence sont faciles à compren
dre sachant qu’à la température de 77 K la valeur de kT (54 cm”1)
est seulement 2,7 fois inférieure à Eb (Q) — E 0y et la probabilité
de transition vers l ’état fondamental est 160 fois plus grande pour
le niveau Eb (Q) que pour le niveau Ea (Q).
En plus des bandes fortement polarisées indiquées plus haut, on
observe aussi dans le spectre de luminescence une bande non polarisée
dont le maximum est situé à ~30970 cm’1. Cette bande correspond
à la transition depuis la bande excitonique vers un sous-niveau vi
bratoire de l ’état fondamental. Celui-ci est dû à une vibration intra-
moléculaire de 512 cm"1. La largeur de la bande est de 200 cm ’ 1
environ.
En étudiant la polarisation et la variation de l’intensité des
bandes de luminescence avec la température, pour des monocristaux
suffisamment purs, puis comparant ces résultats avec le spectre
d’absorption, on peut dans de nombreux cas établir leur nature. Ces
bandes du spectre de luminescence, fortement polarisées, dont la
polarisation et la position coïncident avec celles des composantes
du doublet d’absorption résonante, sont attribuées à des transitions
directes entre les bandes excitoniques et l ’état fondamental. A basse
température, dans le spectre de luminescence, on observe seulement
la composante de plus grande longueur d’onde.
Les transitions entre les bandes excitoniques et les sous-niveaux
vibratoires de l ’état fondamental se manifestent dans le spectre de
luminescence sous la forme de bandes relativement larges, diffuses
et non polarisées. Leur largeur augmente sensiblement avec la tem
pérature. On les distingue facilement des bandes de luminescence
des impuretés et des excitations localisées. La largeur de ces dernières
est moins sensible à la température.
Ces particularités des différentes bandes du spectre de lumines
cence se retrouvent bien dans le spectre de luminescence du cristal
d ’anthracène. L’étude la plus complète à ce sujet (pour les tempé
ratures de 20,4, 77 et 290 K) a été réalisée par Shpak et Sheremet
[474]. A 20,4 K, le spectre de luminescence de cristaux d ’anthracène
très purs, en polarisation parallèle à 6 , présente d’abord une bande
intense (largeur~60 cm’1) dont le maximum est situé à~25055 cm’1.
La polarisation et la position du versant orienté du côté des lon
gueurs d’onde côurtes correspondent à la polarisation et à la position
38*
596 DIFFUSION DE LA LUMIERE ET LUMINESCENCE [CH. xrv
de la bande d'absorption parallèle à 6 . Du côté des grandes longueurs

d'onde par rapport à cette bande, on observe de larges bandes de
luminescence qui correspondent visiblement à des transitions entre
la bande excitonique et différents sous-niveaux vibrationnels de l'état
fondamental. Les vibrations intramoléculaires concernées ont pour
fréquences 394, 1167, 1262, 1402, 1558 et 1644 cm -1 (déterminées
d ’après le spectre de diffusion Raman).
A la température de 77 K on voit apparaître encore une bande
dans la composante a du spectre de luminescence à 25200 cm ' 1 envi
ron. Le versant des courtes longueurs d'onde se prolonge jusqu'à
25300 cm ' 1 et recouvre partiellement la bande d ’absorption corres
pondant à la deuxième composante du doublet d'absorption réso
nante. Dans le spectre parallèle à b, cette bande de luminescence
manque.
Pour construire la théorie la plus simple de la luminescence
dans le cas d’une liaison excitons-photons faible, nous partirons de
l’hamiltonien du système exciton-phonon:
H = H 0 + Hinty (67.2)
où
Ho= (67.2a)
* q
est l’opérateur des excitons d’énergie e* et des phonons d’énergie
f£iq (pas d’interaction);
H lai = - ^ = - ^ F { k t q) B t . qB*(b'l+ b% ) (67.2b)
* *,q
est l’opérateur d’interaction exciton-phonon, linéaire par rapport
aux opérateurs des phonons, F (k, q) = F* (k + q, —q).
Supposons que les photons transversaux sont décrits, dans le
cristal, par l'hamiltonien
Hj>h = 5 AioqOqûq, coq = cQ /Y Co, (67.2c)
Q
où Q est le vecteur d’onde des photons dans le cristal ; e0 la permitti
vité diélectrique du cristal due à tous les états électroniques excepté
ceux qui figurent dans (67.2a). Dans les expressions écrites plus haut,
Z?£, bqj oq sont les opérateurs de création des excitons, des phonons
et des photons, et Bk, bq, oq sont les opérateurs d’annihilation
respectifs.
D’après (45.11) l ’opérateur d’interaction des photons (<o, Q)
(de polarisation définie par le vecteur unitaire e) avec les excitons est
ZZex.ph = S D (“ Q) (#kÛQ + ôkQ, (67.3)
k.Q
OÙ
Ici e0 est l’énergie de l ’excitation électronique, d le moment dipo

laire électrique de transition, v le volume de la maille élémentaire.
On se propose d’exprimer la probabilité d ’émission d ’un photon
d’énergie H(ùq par unité de temps lors d’une transition de l ’état
| i) du cristal (énergie Aû>i) à l ’état | /> d ’énergie h<ùf. La probabilité
totale peut être obtenue en prenant la moyenne sur les états initiaux
à l’aide de la matrice densité, et en sommant sur tous les états
finals / :
- § T = - T - |Z>(tû)|2 2 (67.4)
i, /
Cette expression, qui représente la loi d’or de Fermi, suppose

que la durée de vie excitonique est assez longue pour que puisse
s’établir, à la température du cristal, un état d’équilibre thermody
namique entre les différents sous-niveaux de la bande excitonique.
Ainsi le nombre moyen d’excitons sur le sous-niveau de vecteur
d’onde Q et d’énergie cq sera
TÎq = Tr {p5q5q} = {exp [P (eQ—e0 — p)] — l }"1 ; (67.5)
dans cette expression P = 1IkT, e0 est l’énergie du bord inférieur

de la bande excitonique, p le potentiel chimique des excitons, que
l’on détermine en égalant la densité moyenne des excitons à leur
nombre n (n est supposé fixe). Ainsi
n = T r ( p ,^ S $ B Q}.
Q
La résolution de cette équation permet d’exprimer le potentiel chi

mique en fonction de la température et de la densité de particules.
Ce calcul a été effectué par l’auteur ([276], chap. IV, § 3) pour des
excitons de masse effective positive.
Pour des faibles densités excitoniques, lorsque
v ^ U j
le potentiel chimique (calculé à partir du bord inférieur de la bande
excitonique) a une grande valeur négative, et la fonction de distri
bution des excitons (67.5) devient la fonction de distribution de
Boltzmann
nQ = exp {P [p — Cq]}. (67.6)
Dans ce qui suit nous nous intéresserons au rapport
-^=£S_ = exp {{J [eQ—eQ+q]}- (67.7)

nQ
Lorsque l ’interaction exciton-phonon n'est pas très forte et la
densité d’excitons est petite, on peut négliger les variations du
spectre de phonons causées par l'excitation électronique du cristal.
Nous utiliserons donc l ’expression
V, = Tr {P<6$6q>= (eftp8i - 1)-‘ (67.8)
pour exprimer le nombre moyen de phonons du cristal.
Pour calculer la probabilité (67.4) il est commode d ’introduire
la fonction de corrélation temporelle des photons
S (Q , < ) - 3 p i < W » q (*)I9, (67.9)
t
(H — hcoi)\i) = 0, (H —fi<ûy)|/) = 0 . (67.10)

Compte tenu de (67.10) la fonction de corrélation devient
s (Q, t) = ^
i, /
P, |c /l 10 112exp [i (co, - » ,) t].
La transformée de Fourier de cette fonction est définie par l’ex

pression
oo
S(Q, ©) s j S (Q, t) eiai dt =*
= 2 n 2 Pi\(f\BQli)l2ô(<of - ( o t + (ù). (67.11)

i. /
Comparant (67.11) avec (67.4) on s’aperçoit que la probabilité
d'émission par unité de temps peut être exprimée par la transformée
de Fourier de la fonction de corrélation temporelle des excitons (67.9)
* ^ L = à - t\D ( a '$ l* S ( Q , coj. (67.12)
Pour calculer explicitement cette expression, il faut connaître la
structure des bandes excitoniques ek et phononiques Qq ainsi que
la forme explicite de la fonction F (k, q) de liaison exciton-phonon,
déterminant l ’opérateur d ’interaction (67.2b). Pour des cristaux
réels, toutes ces grandeurs sont mal connues, c’est pourquoi le calcul
est généralement entrepris sur des modèles.
Si Ton ne s’intéresse pas aux détails de la structure du spectre

de luminescence excitonique on peut donner une description théori
que du phénomène en utilisant la méthode des moments [475]. Pour
introduire la représentation par les moments de la fonction spectrale
de luminescence, transformons la fonction (67.11):
S (Q, ü>) = j S (Q, t) dt, (67.13)
où Q)0 est une fréquence fixée;

S (Q, t) a e«"0ts (Q, t) = j s (Q, ©) d<ù. (67.14)
Différentions la fonction (67.14) par rapport au temps:
oo
3 / n ( Q ) a [ ( i - | - ) n 5 ( 0 ] f_ 0 = ^ r j (<û— û,0)n 5(Q , co)dco. (67.15)
—OO
Déterminons la fréquence co0 à partir de la condition
oo
ikfi(Q) = 'é r j (®“ ®o) <S(Q» tû)dco =
—oo
0 . (67.16)
La grandeur M n peut alors être appelée moment centré d ’ordre n

de la raie d’émission spectrale. La fréquence (o0 correspond alors
au « centre de gravité » de cette raie.
La fonction de corrélation elle-même (67.14) peut être exprimée
en fonction des moments centrés de différents ordres
0 = £ ± ^ [ ( « - 5 T s « ’ «1..=
n» 0
oo
= S — (67-17)
7 l* x 0
D’après (67.15) et (67.9), le moment d’ordre zéro, proportionnel à la

surface embrassée par la raie d’émission, est égal au nombre moyen
d ’excitons «q dans la bande, sur le sous-niveau de vecteur d’onde Q :
M 0 (Q) - [5 (Q. f)J«=o = j S (<*• ®)d(ù = «Q- (67-18)
Pour calculer le centre de gravité de la raie spectrale 0, il faut,
conformément à (67.16), calculer M x (Q) et égaler à zéro l ’expression
obtenue. Pour calculer M x (Q) il faut calculer i S (Q, t). Prenant
la dérivée de (67.9) par rapport au temps et utilisant l’équation du
mouvement
dBt
= + Q. q )5 Q+q(6î + 6 _q).
v q
nous obtenons
[ * - ^ - 5 (Q» 0 ] te0 = ®Q<S Q5 Q>+
+ — 7 - - S F* (Q, q) (B^BQ+q (b* + 6 -q)>. (67.19)
' q
Ici et par la suite nous utilisons la notation simplifiée
(< D )s T r (pO) = Tr {O exp [p (x - H - pn)]>,
où x est Ie potentiel thermodynamique du cristal, n = 2 BqBq
l’opérateur du nombre d’excitons, p le potentiel chimique des excitons.
Substituant (67.19) dans l’égalité
M ,(Q) = [ i A S(Q, i) ] (_ o_ -o „ [S (Q , < )],.,+
et sachant que, compte tenu de (67.9), la valeur {<S (Q, î)}<_o =

= (BqB q ), nous trouvons
“ cr_ u | 1 v f* (O ai (67.20)
21 (Q’ q) < W
Le calcul des moyennes dans (67.20) peut être réalisé en utilisant
la théorie thermodynamique des perturbations [476]. Si l’on écrit
exp (—pff) = exp (—p/70) o (P),
ou
° (P) = & {exp [ — j H lnt (t) dx]} , (67.21)
& est l ’opérateur de mise en ordre temporelle dans l’intervalle

(0, P)
#m t (T) = eH*H la
les valeurs moyennes (67.20) seront exprimées en fonction des valeurs
moyennes sur les états du système dans lequel on suppose que les
excitons et les photons n ’interagissent pas (à l ’ordre zéro)
<<D> (g (P )d > )o (67.22)
(g (P ))o ’
OÙ
(...)o = Tr{exp[P(x —H0+ im)]
Ainsi
<o(p)B^BQ+q(6q + 6 i-)> 0
{B^Bq+q( 6 q - f - & l q ) )
(®(P))o
Développons a (P) en série suivant HiDi et limitons-nous aux termes
quadratiques par rapport à la fonction F (Q, q) :
h(ù0= h(ùQ— ”Q+1 ^ ( Q , q )| 2 nq+qX
x [(1 + Vq) j e(eQ+<re<r*Q<i)T dT+V, j e(eQ+q"eQ+ha,,)t d x ] . (67.23)

0 0
De manière analogue, différentions par rapport au temps (67.9)

et utilisons les équations du mouvement d’Heisenberg pour les opé
rateurs. On peut trouver le rapport des différents moments d’ordres
supérieurs au moment d’ordre zéro :
(67.24)
#7=4- q)l2^ [ ( l + 2vq)(eQ+q- e Q)-fiQ ,]. (67.25)

a Q
Nitsovitch [475] a explicité les expressions (67.23) à (67.25) pour

le cas d’un cristal cubique isotrope simple contenant une molécule
par maille élémentaire d’arête a. Nous présentons les principaux
résultats de ce calcul. Dans l ’approximation de la masse effective,
l ’énergie des excitons est une fonction quadratique du vecteur d’onde :
eq = e0 + A2Q2/2m* ; (67.26)
ici m* est la masse effective de l ’exciton, elle est reliée à la largeur
de la bande excitonique L par l ’égalité
2a*L
Dans ce qui suit nous étudierons les régions visible et ultraviolette
du spectre, pour lesquelles Qa <C 1. On peut donc poser partout
Q « 0.
602 DIFFUSION DE LA LUMIÈRE ET LUMINESCENCE [CH. XTV
Supposons que l ’interaction des excitons avec les phonons opti

ques de dispersion £2q = 0 soit définie par les fonctions
lôpt(0 , q) | 2 =
{ /o p tfl—(?a/n)2] pour les excitons de Frenkel,
a 2 (ga/n)2 pour les excitons de Wannier-Mott. ^
La fonction d’interaction des excitons des deux types avec la branche
acoustique de vibrations, de dispersion £2q = Q0 | qaln | sera
approximée par
|F ae(0, q ) |* « /S e |— -|. (67.28)
Dans les expressions (67.23) à (67.25), passons de la sommation
sur q à l ’intégration sur la variable y = qaln. Nous obtiendrons
l ’expression des premiers moments des bandes spectrales de lumi
nescence.
Dans les cristaux à bandes larges, kT < L , lorsque les excitons
interagissent avec des phonons optiques dont l ’énergie AQ0 L,
le centre de gravité de la courbe est donné par
h(ù0 = eQ- (1 + ^ ) (1 + 2v0) fopt/L. (67.29)
Les premiers moments centrés sont respectivement égaux à
M 0 = Âq,
M t/M 0= /Jpt (i + 270) [ l - ( -Ç - ) 2] ( J% -)312,
(67.30)
M 3/M 0 - - ^ î - / S Pt L [ l + 270- ^ j (-Ç - ) 5/2 (67-31)
pour^des excitons de Frenkel et à

M 2/ ^ 0 = i ^ a 2(l + 2v0) (67.32)
M J M q= n ÿ ü a 2L [ 1 + 2v0 — ^ - ] ( -Ç - ) 7/2 (67.33)

pour des excitons de Wannier-Mott.
Les moments de la courbe de luminescence, déterminés par
l ’interaction des deux types d’excitons avec les pbonons acoustiques,
à des températures supérieures à la température de Debye,
(67.34)
(67.35)
$ 671 LUMINESCENCE EXCITONIQUE DES CRISTAUX 603
Il résulte des expressions obtenues que la largeur des bandes de

luminescence diminue sensiblement lorsque la température diminue.
L'asymétrie de cette même bande de luminescence change de signe
à une certaine température critique, pour les interactions avec des
vibrations optiques. Pour des interactions avec des vibrations acous
tiques, l ’asymétrie est toujours positive, au-dessus de la température
de Debye.
67.2. Luminescence de cristaux présentant une liaison exciton-pho-
ton forte. Nous dirons que la liaison exciton-photon est forte lorsque
/ y- On peut observer une liaison forte à très basse température
pour des cristaux, dont l ’excitation électronique la plus basse a un
caractère dipolaire électrique et une force d ’oscillateur élevée.
L’anthracène et le sulfure de cadmium très purs font partie de ces
cristaux.
Dans le cas d’une liaison exciton-photon forte, on observe dans
le spectre de luminescence une raie sans phonons très faible *) l’émis
sion de plus grande longueur d’onde présentant une structure assez
développée. Ces particularités de la luminescence furent expliquées
par Miasnikov [466], Miasnikov et Fomine [467, 468] et Sumi [469],
en tenant compte d’une diffusion Raman des photons avant leur
sortie du cristal.
Dans la région spectrale considérée l’indice de réfraction de l’onde
électromagnétique est élevé et, par conséquent, la plupart des pho
tons d’énergie égale ou inférieure au bord inférieur de la bande exci-
tonique effectuent de multiples réflexions à l’intérieur du cristal
avant de le quitter. Comme le paramètre / est grand (c’est-à-dire
la liaison exciton-photon est forte et l’énergie du photon proche
de l’énergie de résonance de l ’exciton), la probabilité de diffusion
Raman est grande. La diffusion Raman multiple et la réabsorption
conduisent à un affaiblissement de la luminescence au voisinage
de la fréquence de résonance. En même temps on assiste à une aug
mentation d’intensité dans la région de basse fréquence du spectre
de luminescence. Ces modifications du spectre d’émission seront
d’autant plus significatives que les dimensions du cristal seront
grandes.
La représentation polaritonique (voir § 45) est un moyen com
mode d’étudier la luminescence dans le cas d’une forte interaction
exciton-photon. Il n’est plus nécessaire de considérer les processus
de réabsorption, puisque l’interaction exciton-photon dans son en
semble est déjà contenue dans l’approximation d’ordre zéro. Le
processus de luminescence du cristal se réduit à la transformation,
à la surface du cristal, de polaritons en photons libres. La com-
*) On appelle habituellement raie sans phonons, rémission sans participa
tion de vibrations optiques. Cependant à la formation d’une raie sans phonons
prennent part les phonons acoustiques.
position spectrale de la luminescence F (co) est déterminée par la

densité spectrale p (co) des polaritons de fréquence c> au voisinage
de la surface et la probabilité de sortie du cristal. Pour des polaritons
de vitesse de groupe v (co) tombant normalement sur la surface du
cristal, la fonction F (co) est définie
par la formule simple
F± (<■>) =
= const p(o>) v ((ù) g (<o) [n((t))-rl]2,
(67.36)
où n (û>) et g (ü>) sont l ’indice de
réfraction et le degré de dégénéres
cence des polaritons de fréquence a>.
Lorsque les polaritons arrivent sur
la surface sous un angle d’incidence
q> > <Poi où l’angle cp0 est donné par
l ’égalité sin <p0 = n~l (<o), il y a ré
flexion interne totale.
Etudions une théorie qualitative
de la luminescence excitonique, pour
Fig. 83. Dispersion des deux bran une interaction forte exciton-photon,
ches polaritoniques dans un cristal en considérant un cristal isotrope,
de sulfure de cadmium. dont la bande excitonique la plus
Les lignes en pointillé représentent les
énergies de Texclton et du photon (pas basse (de fréquence Q (k)) est nette
d 'interaction) [469]. ment séparée de tous les autres états
électroniques. Supposons que la mas
se effective de ces excitons soit positive et que la fréquence Q ( 0)
corresponde au bord inférieur de la bande excitonique.
L’opérateur du système excitons et photons transversaux de
même polarisation, en interaction forte, est déterminé par les expres
sions (45.13) et (45.13a). Comme nous l ’avons montré au § 45, dans
le cas d’une bande excitonique isolée, cet opérateur se réduit à la
forme diagonale
H = h S ©„ (k) IJ (k) g,, (k) + S0, (67.37)
k. li
où %0 est l ’énergie de l ’état fondamental;
< (k ) = 4 A * - 4Q2 (k) k=/e0], (67.38)
A = Q2 (k) - (c*k*+ P) e0- \ n = 1, 2, (67.39)
e 0 est la permittivité, qui traduit l’influence de tous les états élec
troniques excepté celui que l ’on étudie.
L ’expression (67.38) détermine les fréquences des deux branches
polaritoniques du cristal. Pour un cristal de sulfure de cadmium,
ces branches, calculées par Sumi [469], sont représentées sur la
figure 83. Les opérateurs de création ££ (k) des polaritons sont liés
aux opérateurs de création et d’annihilation des excitons (Æk, S k)
et des photons (ak, ak) par les relations
Sî (k) = # kuk^—^-kyki + ûkakJl —û-k^kll- (67,40)
Ainsi le carré des modules des coefficients uk>1, vkM > caractérise la
proportion d’excitons et de photons entrant dans la composition
de l’état polaritonique (p, k) de même vecteur d’onde.
La fonction de distribution des polaritons p (<o) se laisse déter
miner en excitant le cristal par une lumière monochromatique de
fréquence œ > Q (0). A basse température, lorsque l’énergie d’agi
tation thermique est sensiblement inférieure à l’énergie correspondant
à l’éclatement entre les deux branches transversale et longitudinale
de Texciton (pour k = 0 , elle est égale à 2h f/\f e0), seuls les pola
ritons de la branche inférieure auront une réelle efficacité dans le
processus de luminescence. Par la suite nous étudierons exclusive
ment ces polaritons, et nous omettrons l’indice p qui caractérise le
numéro de la branche polaritonique.
A un facteur de normalisation près (d’après le § 45) les fonctions
uk et de la branche polaritonique inférieure sont déterminées
par les égalités
0) (k) — Q (k) c Ik | —o) (k) „ Ph
1 , Vk = cd (k )+ Q (k) vk — c|k |+ < o (k ) uk
(67.41)
Ph [c|k l+ (D (k )][ù )(k )^ Q (k )] n = JL/2
k “ 2Dc | k | * 4 '
Il résulte de la formule (67.38) que, dans le domaine de fréquences
<o > Q (0), l’énergie de la branche polaritonique inférieure et
l’énergie des excitons de même vecteur d’onde coïncident pratique
ment (voir fig. 83). Dans ce cas, d’après (67.40) et (67.41), on a ap
proximativement ££ (k) « 5 k, ce qui montre que ces polaritons ne
diffèrent pratiquement pas des excitons. Leur distribution suivant
les sous-niveaux de la bande excitonique est donnée en première
approximation par la loi de Boltzmann
p„ (to) = const«exp ( — h ), co > £2 (0) (67.42)
(ici on ne tient pas compte des processus de rejet des polaritons dans
un état de fréquence (ù < £2 (0 )).
Pour © < £2 (0) les polaritons ressemblent beaucoup à des pho
tons. La proportion d’excitons dans l’état polaritonique est carac
térisée par le rapport
«*” 2 e*k*f*
B Ph ~ l c |k |+ o > ( k ) ] M < û ( k ) - 2 ( k ) l * *
(67.43)
Plus le paramètre / caractérisant la liaison exciton-photon'estjf grand,

et plus la fréquence des polaritons co (k) s'approche de celle des
excitons, plus la proportion d’excitons dans l’état polaritonique
est grande, et par conséquent plus l’interaction des polaritons avec
les phonons, conduisant à la diffusion Raman, a de l’importance.
Supposons que les polaritons soient répartis de manière homogène
sur tout le cristal. Leur densité spectrale ne dépend que de la fré
quence. Supposons que, par un processus de diffusion Raman sur
des phonons optiques et acoustiques, un polariton de fréquence o>
se transforme en un polariton de fréquence co\ La probabilité de ce
processus (dans l’unité de temps) a été calculée par Tait et Weiher
[477] et Miasnikov [466]. Elle peut être écrite sous la forme w (< ù -+
-+(ù‘) g (co'), où g (co) est le degré de dégénérescence des polaritons
de fréquence co.
Soit une lumière monochromatique de fréquence co0 > Q (0)
excitant un cristal avec une « vitesse » stationnaire S (co). Une dis
tribution énergétique stationnaire de polaritons p (co) est ainsi créée
dans le cristal. Cette distribution peut être calculée, en utilisant
l'équation du bilan de particules. Supposons que les polaritons
soient distribués de manière homogène dans l’espace, et suivant les
différentes directions des vitesses, dans une lame cristalline infinie
d’épaisseur L . Pour chaque fréquence co on peut écrire (voir [469])
S (co) + j g (co) w (cox co) p (cOj) dcox = p (co) IQ (co) +
+ P (co) + \R (co)], (67.44)
où P (co) est la vitesse de sortie des polaritons de fréquence co à tra
vers la frontière du cristal. Si v (co) est leur vitesse de groupe,
r (6 , co), le coefficient de réflexion des polaritons tombant sur la
surface du cristal suivant l’angle 6 , alors
Jt/2
jP(co)= —^ | [1 — r(0, co)]cos0sin0c?0. (67.44a)
o
La deuxième fonction
Q (co) = j w (co -^coj) g (cox) c/cox (67.44b)
représente la vitesse de transition d’un polariton de fréquence o>
dans un état de fréquence différente (cette transition est due aux
chocs avec les phonons). Les valeurs des fonctions P (co) et Q (co)
calculées par Sumi pour un cristal de sulfure de cadmium sont
représentées sur la figure 84 (E = ftco). La fonction R (co) définit
la vitesse avec laquelle un polariton de fréquence co peut être piégé
par une impureté ou un défaut du réseau. Elle est proportionnelle
au carré du ra’pport des contributions excitonique et photonique
LUMINESCENCE EXCITONIQUE DES CRISTAUX 607
à l’état polaritonique :
tte* (<P) 2
R{( ù) =
aPh ((o)
où R est une constante.
Le calcul des fonctions de distribution énergétique des polaritons
pour les cristaux de sulfure de cadmium d’épaisseur lji à 4 K a été
effectué par Sumi [469] sur ordinateur. On montre que pour une
vitesse d’excitation proportionnelle à 6 (co — (o0), la fonction p (<o)
ne varie pas au voisinage de (o « £2 (0 ) lorsque o>0 varie. Ceci est
Fig. 84. Variation des pertes radiatives Fig. 85. Courbe de distribution éner
P et de la vitesse Q de transition vers gétique p (E) des polaritons de la bran
un état d’énergie différente en fonction che inférieure.
de l ’énergie du polariton, pour une dif Eo est l'énergie du bord Inférieur de la bande
fusion Raman dans un cristal de sul excitonique, le param ètre R caractérise la
fure de cadmium. vitesse de piégeage des excitons par les im
puretés. D 'après les calculs de Sumi [469J.
D*après les calculs de Sumi [4691. L 'épais
seur du cristal est de 1 ji-
valable si h(ù0 2 > k T , si co0 est supérieur à Q (0 ) et la différence

<o0 — £2 (0 ) ne correspond pas à un multiple de la fréquence des
phonons optiques. Les résultats du calcul de p (E) pour trois valeurs
du paramètre R sont représentés sur la figure 85.
La fonction de distribution énergétique des polaritons dans le
cristal présente un maximum pour une énergie un peu inférieure
à E 0 = hQ (0). Du côté des énergies élevées, pour R = 0, cette
fonction décroît selon la loi exponentielle (67.42).
La distribution spectrale de luminescence de la raie sans phonons

et de son satellite vibronique correspondant à une vibration optique
(LO) a été calculée par Sumi [4691. Elle est représentée sur la figu
re 8 6 . La raie sans phonons résulte d’une part de polaritons corres
pondant au maximum de la fonction de distribution p (E) et d’autre
part aux polaritons de fréquence o) > Q (0 ) ayant subi une suite
Rm10as~1
Fig. 86. Spectre de luminescence de cristaux de sulfure de cadmium de 1 p d’épais*

seur à 4 K.
E%est Ténergie du bord Inférieur de la bande excitonique, hSt l ’énergie du phonon LO. D*a-
près les calculs de Sumi [469J.
-de diffusions Raman sur des phonons acoustiques. La probabilité

d’une telle diffusion est très petite, c’est pourquoi la largeur de la
raie sans phonons (10~* eV) diffère peu de la largeur du pic de la
fonction de distribution.
Dans les cristaux ioniques, la diffusion Raman sur le mode LO
est beaucoup plus probable que la diffusion sur les phonons acousti
ques, c’est pourquoi le versant haute fréquence (<o > £2 (0 )) de la
fonction de distribution, reflétant la distribution statistique d’équi-
libre des polaritons, contribue notablement aux satellites vibro-

niques LO. Lorsque la température augmente, ceux-ci s’élargissent
sensiblement vers les courtes longueurs d’onde.
A très basse température, la diffusion Raman ne se produit qu’avec
émission de phonons. Lorsque la température augmente, à côté
des processus d’émission les processus d’absorption de phonons jouent
un rôle croissant. Par conséquent lorsque la température augmente,
les processus de diffusion Raman affectent de moins en moins la
distribution spectrale des polaritons.
Dans les calculs de Sumi [469] on étudie le cas d’un cristal dans
lequel la fréquence d’un phonon (~360 cm-1) est notablement supé
rieure à la fréquence correspondant à l’éclatement de la bande exci-
tonique (2f l ÿ e0) en deux composantes : transversale et longitudinale.
Dans ce cas toutes les singularités correspondant à la liaison forte
exciton-photon n’apparaissent pas.
Miasnikov dans [466] étudie un autre cas limite, lorsque la fré
quence du phonon optique est inférieure à 2flÿ~T0. Il résout l’équa
tion cinétique du type (67.45) pour R = 0, et pour un cristal excité
par une lumière monochromatique de fréquence égale à celle du bord
inférieur de la bande excitonique. On ne tient compte que des inter
actions de l’exciton avec une seule branche optique de vibration v 0
(sans dispersion). La densité spectrale des polaritons et l’intensité
de luminescence du cristal présentent des maxima correspondant
à une diffusion sur des fréquences multiples de v0. En plus on montre
que pour un cristal pas trop mince, le maximum fondamental de
la distribution correspond à plusieurs diffusions successives.
Les calculs de Miasnikov [466] et Sumi [469] supposent une faible
densité de polaritons dans le cristal. Lorsque l’on excite le cristal
avec un rayonnement laser de grande puissance, la distribution
d’intensité est modifiée au profit des diffusions multiples, à cause
de la diffusion Raman stimulée. Catalano, Cinogolani, Minafra
[488] ont étudié en fonction du niveau de pompage la dépendance du
spectre de luminescence excitonique. Ils découvrirent à basse tem
pérature, pour des niveaux de pompage assez élevés, que le rapport
de l’intensité de bandes à deux phonons à l’intensité des bandes à un
phonon augmentait fortement. Miasnikov et Ivanov [487] dévelop
pent une théorie expliquant pourquoi dans un cristal de CdS à mesure
que le niveau de pompage croît, on voit apparaître des bandes de
luminescence de plus en plus multiphononiques.
Lorsque l’on étudie la diffusion Raman des polaritons il ne faut
pas oublier que, au voisinage de la fréquence du bord inférieur de la
bande excitonique, l’indice de réfraction des ondes polaritoniques
est élevé. Par suite une grande partie des polaritons atteindra la
surface du cristal dans la gamme des angles de réflexion totale. Par
conséquent la longueur moyenne du parcours effectif des polaritons
1 9 -0 5 3 4
(si Ton ne tient pas compte de la diffusion) peut être supérieure de

beaucoup à l’épaisseur du cristal.
Les cristaux de sulfure de cadmium sont très commodes pour
étudier le rôle de la diffusion Raman des polaritons dans le processus
de luminescence du cristal. Dans ce cristal ionique, pour une inter
action exciton-phonon optique relativement importante, l’interac
tion des excitons avec les phonons acoustiques est très petite. Une
seule branche optique de vibrations (d’énergie ~ 3 8 -10"3 eV ou
360 cm-1) joue un rôle important. Sa dispersion est faible.
Dans les cristaux moléculaires, il y a de nombreuses branches
de vibrations optiques. Miasnikov [466] a étudié la probabilité
de diffusion des polaritons, dans les cristaux moléculaires en fonc
tion de l’énergie. Lorsque l’énergie est supérieure au bord inférieur
de la bande excitonique (E ;> E 0), la diffusion sur les phonons acous
tiques est sensiblement plus probable que sur les phonons optiques.
Pour E < E 0, la diffusion sur les phonons optiques prédomine.
Pour établir la théorie de la luminescence des cristaux molécu
laires à très basse température, Miasnikov et Fomine [467, 4681
utilisent aussi les conceptions relatives aux polaritons. Le mouve
ment des polaritons, créés dans le cristal par une source extérieure,
est décrit par une équation cinétique. L’intégrale de collision figu
rant dans cette équation représente leur interaction avec les phonons
et la surface du cristal. Dans cette équation cinétique figurent en
outre la dispersion des polaritons (o (k), leur vitesse de groupe v (k)
et les amortissements y* (k) et y” (k) correspondant respectivement
à la diffusion Raman avec émission et avec absorption de phonons.
Les fonctions y* (k) exprimant la durée d’« amortissement *
des polaritons d’énergie c (k) caractérisent leur diffusion Raman,
conduisant à d’autres polaritons d’énergie e (k'). Ce calcul a été
réalisé sur ordinateur pour un modèle cristallin du type anthracène.
Dans ce calcul on tient compte de la diffusion Raman sur les phonons
acoustiques de dispersion £2ac (q) = Q0q/k0 et sur les phonons d’une
branche optique sans dispersion. Connaissant la somme des coeffi
cients d’amortissement y (k) = y* (k) + y“ (k) et la vitesse de
groupe v (k) des polaritons, on peut déterminer le libre parcours
moyen des polaritons de vecteur d’onde donné k :
A (k) = v (k)/y (k).
Pour une diffusion des polaritons sur des phonons optiques de
fréquence Q0 « 45 cm"*1 à la température kT « 0,2fi£20, la diffusion
Stokes prédomine [y“ (k) « 01. Si l’on introduit le paramètre sans
dimension ô = °° , où L « 1000 cm"*1, d’après les calculs de
Miasnikov [466] pour ô æ 0,01, la longueur du libre parcours du
polariton est égale à 60 p,, et pour ô « 0,1 elle augmente jusqu’à
5 cm. En évaluant la longueur du libre parcours relatif à la diffusion
sur les phonons acoustiques, Miasnikov obtient la valeur 10“2

pour ô « 0, 15 fi pour 6 » 10~2 et 5 cm pour ô « 10"1. Les pola-
ritons dont la fréquence est supérieure au bord inférieur de la bande
excitonique émettent des phonons acoustiques avec une probabilité
beaucoup plus grande que la probabilité de diffusion des phonons
optiques. C’est justement ces processus de diffusion des polaritons
sur les phonons acoustiques qui produisent leur <c thermalisation »
rapide par rapport au bord inférieur de la bande excitonique.
Voici les principaux résultats de la théorie de la luminescence
développée par Miasnikov :
1. Si, dans l’opérateur d’interaction exciton-phonon, on ne
tient compte que des termes linéaires par rapport aux opérateurs des
phonons, à très basse température, on doit observer dans le spectre
de luminescence une raie sans phonons (O — O) d’intensité très
faible, et coïncidant à la résonance avec la raie d’absorption. Les
satellites correspondant au mode de phonons LO ont par contre une
grande intensité. La faible intensité de la raie sans phonons est due
à la grande valeur du coefficient de réflexion sur la surface du cristal
et à la valeur petite du libre parcours des polaritons de fréquence
voisine du bord inférieur de la bande excitonique.
2. L’intensité des satellites LO doit varier lorsque les dimensions
du cristal varient, en raison de redistributions d’intensité entre les
différentes bandes. En effet, pour une épaisseur donnée, si le pola-
riton quitte le cristal après avoir effectué en moyenne deux ou trois
diffusions B aman successives par exemple, pour un cristal plus
mince une diffusion unique sera plus probable. Dans ce dernier cas,
le satellite à un phonon sera plus probable, tandis que pour un cristal
épais, les satellites à deux ou trois phonons seront plus probables.
3. Dans les cristaux moléculaires, en plus des phonons acousti
ques les phonons de plusieurs branches optiques participent à la
diffusion Raman des polaritons. C’est pourquoi on peut observer
dans le spectre de luminescence plusieurs maxima séparés de la
bande O — O par une combinaison de fréquences quelconque de vi
brations optiques. Ces maxima sont dus aux diffusions multiples du
polariton.
4. L’intensité des satellites LO, dus à la diffusion Raman, dépend
notablement de la température (lorsque la fréquence du mode LO
est faible). Ces satellites vibroniques ne résultent pas seulement
de la diffusion Raman, mais aussi de la reconversion simultanée
de l’énergie électronique (exciton) en un polariton et un ou plusieurs
phonons LO. L’intensité de ces bandes de luminescence est alors
indépendante de la température.
Les conclusions qualitatives de la théorie de Miasnikov [466
à 468] ont trouvé une très bonne confirmation expérimentale dans
les travaux de Brodine, Marissova et coll. [478]. Les auteurs ont
étudié la luminescence de monocristaux d'anthracène de 20 jx à
39*
Fig. 87. Enregistrement microdensitométrique des spectres de luminescence

des cristaux d’anthracène.
a) E paisseur du cristal 20 ji, b) épaisseur du cristal 1,2 jl. D ’après les tra ra u x de Brodine et
coll. 14781.
§ 68] LUMINESCENCE A PARTIR D’UN EXCITON LOCALISÉ 613
4,2 K et de 1,2 fi d’épaisseur à 1,6 K. La figure 87 indique les enre

gistrements des bandes de luminescence les plus intenses: la bande
initiale (25 000 à 25 100 cm”1) qui possède une structure complexe
due aux interactions des excitons avec les vibrations de réseau ;
deux bandes vibroniques au voisinage de 24 703 et 23 692 cm"1
dues aux vibrations intramoléculaires de haute fréquence à 396
et 1404 cm"1. On voit que, lorsque la température augmente dans
l’échantillon épais, ou lorsque l’épaisseur du cristal diminue à tem
pérature constante 1,6 K, les bandes spectrales de luminescence se
simplifient, c’est-à-dire que l’intensité^ des satellites de plus grande
longueur d’onde, dus à la diffusion Raman, diminue sensiblement.
§ 68. Luminescence à partir d’un exciton localisé

ou d9une impureté
D’habitude, même les cristaux bien purifiés contiennent un
certain nombre d’impuretés atomiques et moléculaires. Parfois ces
impuretés proviennent du milieu extérieur et diffusent à l’intérieur
du cristal, parfois elles sont artificiellement introduites. Différentes
espèces de défauts et les fluctuations thermodynamiques de densité
constituent des impuretés propres. Si l’énergie de ces formations
localisées est un peu inférieure à l’énergie du bord inférieur de la
bande excitonique, lorsque la distribution de quasi-équilibre s’éta
blit à basse température, l’énergie d’excitation se rassemble sur ces
formations localisées.
Celles-ci, comme les excitons autopiégés (voir § 51), peuvent
être des sources de luminescence. I] faut pour cela d’une part que
l’énergie de ces formations soit voisine du bord inférieur de la bande
excitonique, d’autre part que la probabilité de conversion non radia
tive de leur énergie en chaleur soit inférieure à la probabilité d’émis
sion. Comme le nombre d’impuretés est petit, c'est l’ensemble des
molécules du cristal qui participe au processus d’absorption. Les
excitons ainsi créés se déplacent dans le cristal et, lorsqu’ils rencon
trent une impureté, lui communiquent l’excitation. Ainsi, bien que
les molécules d’impureté soient causes de la luminescence, les exci
tons jouent un grand rôle dans le processus d’émission : ils transfè
rent l’énergie depuis les molécules constitutives du cristal vers les
impuretés moléculaires.
De si petites quantités d’impuretés ne peuvent pratiquement pas
être décelées par l’analyse chimique. C’est pourquoi de nombreux
travaux attribuent au cristal pur la luminescence due aux impuretés.
Ainsi on a cru pendant longtemps que le spectre de luminescence
fondamental d’un grand nombre de cristaux de naphtalène (débutant
à 31 062 cm"1) était dû aux molécules de naphtalène elles-mêmes.
C’est seulement en 1958 que Shpak, Sheka et coll. [472, 473, 479]
montrèrent que cette luminescence était due à l’existence de très
614 DIFFUSION DE LA LUMIERE ET LUMINESCENCE [CIL XIV
faibles quantités de [S-méthylnaphtalène, de a-naphtol et d'autres

impuretés du cristal de naphtalène. Après de nombreuses purifications
du cristal on voit apparaître, dans le spectre de luminescence, l'émis
sion à partir des états excitoniques (voir § 67). Prikhotko et Fugol
[480] montrèrent aussi que la luminescence de l’anthracène, habituel
lement observée à très basse température, était due aux impu
retés.
Le mécanisme excitonique de transfert d'énergie du centre absor
bant vers le centre émetteur permit d’expliquer le phénomène de
luminescence sensibilisée des cristaux moléculaires et semi-conduc
teurs. Au cours de leur mouvement dans le cristal les excitons diffu
sent sur les phonons. Lorsque la durée de vie des excitons est nette
ment supérieure à la durée moyenne entre deux chocs successifs avec
les phonons, la distribution des excitons dans le cristal peut être
décrite par la formule de diffusion (voir § 61). Cette conception du ca
ractère diffusionnel du mouvement des excitons a été utilisée par
Agranovitch et Faïdych dans [481], et par d’autres auteurs.
Dans l’article théorique d’Agranovitch et Konobéev [482] on
montre que pour des températures supérieures à la température cor
respondant à l'énergie cinétique des excitons, le coefficient de dif
fusion, déterminé par leur interaction avec les phonons, est inverse
ment proportionnel à la racine carrée de la température. Lorsque l’on
abaisse la température, le coefficient de diffusion tend vers une
constante. Dans le cas d'excitons localisés, le coefficient de diffusion
varie selon une loi exponentielle D = D 0 exp (—Q/kT), où Q est
l’énergie d’activation. Pour une diffusion sur les frontières des cris-
tallites, le coefficient de diffusion est proportionnel à la racine
carrée de la température.
En vérité le coefficient de diffusion ne varie pas en fonction de
la température suivant la même loi, selon qu’il s’agit d’excitons
libres et localisés. Cette circonstance permet de définir expérimenta
lement la nature des excitations élémentaires participant au trans
fert énergétique.
La première tentative visant à définir expérimentalement le
coefficient de diffusion des excitons singulets a été entreprise par
Galanine et Tchijikova [4831. Ces auteurs ont étudié la luminescence
sensibilisée du naphtacène dans l’anthracène. Une très faible quan
tité de naphtacène (10~5 à 10“4 mole/litre) suffit à abaisser de manière
importante l’intensité de la luminescence de l’anthracène et fait
apparaître une forte luminescence du naphtacène. On obtient pour
le coefficient de diffusion la valeur 4,5 -10"4 cm2/s. Par la suite toute
une série d’études: Faïdich et coll. [4841, Wolf et coll. [4851 et
autres permirent d’obtenir des valeurs différentes de D . Les diffé
rentes valeurs obtenues pour D sont dues au fait que dans l’expé
rience on ne mesure que le produit DR, où R est le rayon dit de
piégeage, que l’on ne peut mesurer directement. La valeur de R
$ 68] LUMINESCENCE A PARTIR D’UN EXCITON LOCALISÉ 615
est évaluée différemment selon le procédé de dépouillement des

résultats expérimentaux.
Comme la concentration d'impuretés dans un cristal est petite,
le volume v revenant à une impureté est grand et on a toujours l’iné
galité
/ = Ane^FImv 7.
Par conséquent, la théorie de la luminescence à partir des états d’im

puretés peut reposer sur l’utilisation du premier ordre de la théorie
des perturbations, par rapport à l’interaction de l’excitation élec
tronique avec les photons. Cette théorie est développée dans de nom
breuses monographies, c’est pourquoi nous ne l’étudierons pas ici.
Les expressions générales obtenues au § 67 pour les premiers moments
(67.24) et (67.25) des bandes de luminescence sont aussi valables
dans ce cas, à condition de réaliser le calcul dans l’approximation
des bandes excitoniques très étroites. Ces calculs ont été effectués
par Nitsovitch [4751. Lorsque kT L on obtient les expressions
suivantes. Le centre de gravité de la courbe de luminescence se
déplace vers les grandes longueurs d’onde lorsque la température
augmente :
Æo), = Cq —(2nQ-{-l) 2 q)|t . (68.1)
q q
Pour une interaction avec des phonons optiques, les premiers moments
de la ourbe de luminescence pour des excitons de Frenkel sont
Mt _ 8n
M0 77!!jj /opt (1 + 2v0) ( 1* :^kT ) ,
( 68. 2)
M* 24ji
M0 9!! fopt [(1 + 2v0) L — 3£Q0]•
ons de War
M* _ jxa2
.M0 5
(1 + 2v0) ( l 3kT ) ,
M3 _ jta* (68.3)
Mo 7
[(l + 270 ) L - 4 « 2 0].
Pour une interaction des excitons avec des vibrations acousti
ques, à des températures supérieures à la température de Debye, les
premiers moments de la courbe de luminescence sont définis par les
expressions
M % n 2kT 3L %
616 DIFFUSION DE LA LUMIERE ET LUMINESCENCE [CH. XTV
Pour des bandes excitoniques étroites et pour des températures éle

vées, les raies d'émission et d'absorption évoluent de façon analogue
en fonction de la température. Elles ont la même demi-largeur, mais
elles sont inversées (asymétries de signes opposés). La courbe d'ab
sorption s'étend du côté des hautes fréquences et la courbe d’émis
sion du côté des basses fréquences.
§ 69. Luminescence chaude

Comme la durée de la relaxation vibrationnelle est habituelle
ment inférieure à la durée de vie radiative des excitations électroni
ques, la luminescence chaude est beaucoup plus faible que la lumi
nescence thermalisée. Dans certains cas, elle constitue une part
notable de la luminescence totale.
Gross, Permogorov et coll. (4601 ainsi que Martin et Varma [4861
ont observé les spectres de luminescence chaude dans les cristaux de
sulfure de cadmium. Dans ces cristaux, les excitons interagissent
surtout avec les phonons de la branche optique longitudinale de
fréquence £20 » 310 cm-1. La constante de liaison exciton-phonon
est a « 0,7. C’est pourquoi les processus multiphononiques dans
lesquels l'exciton émet en même temps un photon et plusieurs pho
nons optiques longitudinaux sont peu probables. Les auteurs des
travaux [460, 486] estiment que dans ce phénomène la lumière
émise par le cristal résulte d'un processus en cascade. Si l'énergie
du photon incident h(ù est supérieure à l'énergie du bord inférieur
de la bande excitonique Eg, un processus indirect, avec participa
tion d’un phonon compensant la variation d’impulsion, donne nais
sance à un exciton d'énergie cinétique h(ù — Èg — ÆQ0. La durée
de vie de l’exciton par rapport à l’émission d’un phonon optique
est xr æ 1 0 “12 s, et sa durée de vie relative à l'émission de lumière
est xT « 10~8 s. Ainsi l’émission d’un photon d’énergie h(ù — 2fi£20
correspond à une probabilité égale à w « xr/xr « 10“4. La perte
d’énergie fiQ0 est liée à l’émission d’un phonon compensant la
variation d’impulsion de l’exciton. Les excitons, lorsqu’ils entrent
en interaction avec les phonons optiques transversaux, perdent
de l’énergie lors de la thermalisation par quantités discrètes fiQ0.
A chaque n-ième étape de ce processus en cascade, on peut avoir
une émission d’un photon avec une probabilité ~ 10“4 et d’énergie
h<ù — (n + 1) AQo. (69.1)
Le rayonnement issu du cristal présente à la fois les aspects de
la luminescence et de la diffusion Raman. Comme dans le spectre
de diffusion Raman, la position des maxima des bandes d’émission
change lorsque la fréquence de la lumière incidente varie. Les fré
quences d’émission sont distantes d’un nombre entier de fréquence
§ 69] LUMINESCENCE CHAUDE 617
des vibrations optiques de la raie excitatrice. Il y a une corrélation

entre les photons initial et final.
Par ailleurs, rémission s'amortit dans le temps chaque fois
que, dans le processus en cascade, l’exciton perd un quantum d’éner
gie. Les raies d’émission présentent à 4,2 K une largeur*de 3 à 8 cm-1.
Lorsque la température augmente les raies s’élargissent et leur in
tensité diminue. Ceci représente des indices certains de luminescence
chaude, avec participation d’états excitoniques réels.
Lorsqu’on excite un cristal de sulfure de cadmium avec une lu
mière monochromatique, dans une région au-dessous du bord infé
rieur de la bande excitonique, on observe simplement une diffusion
R aman de la lumière avec excitation dans le cristal de un ou deux
phonons.
COMPLÉMENTS MATHÉMATIQUES
A. Transformations unitaires des opérateurs

Soit F (AT) une certaine fonction de l’opérateur M. Considérons
la transformation
Fj = S*F (M ) S
utilisant l'opérateur unitaire
S = exp (—iL), S+S = 1 ,(A.l)
où L est un opérateur hermitique, c’est-à-dire L = L*.
Si la fonction F (M) peut être développée en série
F ( M ) = 2 anM*
' aÔ
on a l’égalité opératorielle
S*F {M )S = F (S*MS). (A.2)
L’expression (A.2) montre que, pour obtenir la forme de la transfor
mée de la fonction S*F (M) S , il suffit de connaître la transformée
S*MS de l’opérateur M lui-même.
Pour calculer cette transformée S*MS, introduisons l’opérateur
auxiliaire
S (x):= exp (—ixL), (A.3)
où x est une variable réelle variant de 0 à 1. De la définition (A.1)
et de (A.3) il résulte
S (0) = 1, S (1) = S. (A.4)
Différentions les deux membres de l’égalité
Mi (x) = S* (x) M S (x)
par rapport à x. Nous obtenons compte tenu de la définition (A.l)
l’équation différentielle suivante:
™ £ L = iS + (x )[L ' M) S (x).
B. IDENTITÉS OPÊRATORIELLBS 619
Résolvons l’équation obtenue compte tenu des conditions aux limi

tes (AA). Nous obtenons
i
S+M S = M + i j S+(x) [L, M) S (x) dx. (A.5)
o
En particulier, si les égalités
[L, M] = X, IL, M = 0
sont vérifiées, l’expression (A.5) se simplifie notablement
S+MS = M + i IL, M ]. (A.6)
B. Identités opératorielles
Si le commutateur de deux opérateurs quelconques F et M com
mute avec chacun d’entre eux, [on a l’identité remarquable
exp (aF) exp (yM) = exp {yM 4- ay [F, Ml} exp (aF), (B.l)
où a et y sont des opérateurs quelconques commutant avec F et M.
Pour démontrer l'identité (B.l) différentions l’égalité suivante
A (x) = exp (aFx) M exp (—aFx) (B.2)
par rapport à la variable réelle x. Nous obtenons l’équation
ty- = q exp (aFx) [F, M\ exp ( —aFx).
Intégrons cette équation sur x variant de 0 à 1, compte tenu de
l’égalité (B.2)
exp (aF) M exp (—a F) = M + a [F, M). (B.3)
Multiplions les deux membres de (B.3) par 7 :
exp (aF) y M = (yM + ay [F, Ml) exp (aF). (B.4)
Par inductions successives nous obtenons
exp (aL) (yM)n = (yM + ay [F, M])n exp (aF),
d’où l’on tire l’identité (B.l) cherchée.
En particulier, lorsque les opérateurs F et M sont les opérateurs
de création et d’annihilation de Bose (bf et bs) dans l’état s, on
peut écrire l’identité (B.l) sous la forme
. . , , . +. f exp (yb+n) exp (ab4) pour
exp ( ,) exp (7 *t) —| exp âv exp (abt) pour s = (B.5)
En effet, les opérateurs b$ et b* vérifient les relations de commutation

b+) = Ôjb,» lb„ b.,) = 0.
620 COMPLÉMENTS MATHÉMATIQUES
Appliquons l’identité opératorielle (B.l) au produit d’opérateurs

exp (aF + pA/) exp (—a / 1). Après une transformation simple nous
obtenons
exp (a F + PM) exp ( —a F) exp ( ■— «P [AT, L\ j =
= exp ( —a F) exp (a L + pAf) exp ( —pM) exp ( — ^ a P [Af, L ] J .

De l’identité obtenue et de (B.l), il résulte que l’opérateur
A (a, p) = exp (—PM) exp (aF + PM) exp ( —a F) x
X exp ( -J- ap [ M , L] ) (B.6)
commute avec les opérateurs F et M et ne dépend pas des valeurs
de a et de p. Pour a = p = 0, on obtient directement de l’expres
sion (B.6 ) que l’opérateur A est égal à l’unité, et vu que A ne
dépend pas de a et de p l’égalité
A (a, P) = 1 (B.7)
est identiquement vérifiée. Cette identité peut s’écrire
exp = exp (PAT) exp (aF) exp ( — Af]j . (B.8 )
Cette identité fut démontrée par Weyl en 1928 et est appelée iden
tité de Weyl.
En particulier, lorsque les opérateurs F et M sont les opérateurs
de Bose bï et bt , l’identité de Weyl devient
exp (a i; + pi,) s exp (Pi,) exp (ai;) exp ( - - - a f l) (B.9)
En utilisant (B.l) cette identité devient
exp (a i; + pi,) = exp (ai;) exp (pi,) exp (-|-«P) . (B.10)
C. Calcul de la valeur moyenne des fonctions

d’opérateurs de Bose dans des états
à nombre de particules déterminé
La fonction d'onde \ n 9) d'un système constitué de nB quanta
(bosons) dans l'état s peut être exprimée en fonction des opérateurs
de Bose b9 et de l’état vide | 0)
!*.>== ( * . i r 1/2(& :no>. (C.1)
Les fonctions | n() sont fonctions propres de l’opérateur énergie
H = 2 (fi»b, + V2), c’est pourquoi elles constituent, pour
D. VALEUR MOYENNE STATISTIQUE DES OPERATEURS DE BOSE 621
n9 — 0, 1, . . . un système complet de fonctions orthonormées.

Les éléments matriciels des opérateurs (££)m« et (bs)m*sur le système
orthonorméJ(C.l) sont définis par les égalités
< V x |( « n » . > = ] / .(n-+ J " )! ô„, n,+m,y
(C.2)
<vx|(&.)">.> = ] / 6 . . XÔ*4. n3- ms-
En utilisant (C.2) nous trouvons la valeur moyenne des opéra
teurs produits
<n.|(6,)m<(6î)v*|n.) = (n, + m,) ! {n, !)-« ^ ma,
(n,|(6;)”M(6,)v*|n,) —n. ! [ ( » ,+ m.) l]'1ôv„ mt.
Développons les exponentielles en séries et utilisons (C.3). Nous
trouvons les égalités
V (ap)m« (n « + m .) 1
A (m. D* n , !
mj=0
(C.4)
V (aP)”1* n, I
ZJ («* D* (»s—m.) 1
ms**0
D. Valeur moyenne statistique des opérateurs

de Base (de phonons)
L’état des phonons du cristal, à la température T, est défini
par la matrice densité
p = exp (-p iO /T r {exp (-p ff)} . (D.l)
où
H = ^ t , ( b : b , + %) (D.2)
est l'opérateur énergie des phonons. L'indice s numérote leur état,

« W ( * 7 ) - \ e. = tel..
La moyenne statistique de n'importe quel opérateur A constitué
d'opérateurs de phonons et ba est déterminée par la relation
(A) = Tr (pA) = S P«si^n«* (D»3)
». n
Dans la représentation des fonctions propres | ns) de l'opérateur
(D.2), la matrice densité (D.l) est diagonale et ses éléments sont
j(n,Jp|n,> = (1 —e~Pt*)exp( —pn.c,).
622 COMPLÉMENTS MATHEMATIQUES
Dans cette représentation, pour un état s donné, l’égalité (D.3)

s’écrit
= exp(—pe,)] 2 <«.M*l”.)e x p (—pn.e,).(D.4)
n««=0
Appliquons cette équation à quelques cas particuliers:

a) Supposons que A , coïncide avec l’opérateur du nombre de
phonons dans l’état1 s,| c’est-à-dire A t = na = btb,. Alors
(nt | nt | nt ) = na, et nous obtenons à partir de l’équation (D.4)
<n.) = < ^ .) = [ePe* - l ] - 1, (D.5)
(bjbt) - 1 + (n,) = [1 - «-*•]-», (D.6)
2 ( n ,) + l = coth (4 -p e .).
b) Soit A , = exp (abt) exp (ybt). Dans ce cas, substituant la
valeur (C.4) dans (D.4) nous trouvons
)-[i e. ) 2 j ( m ,l ) » n s l (D.7)
msn*
Sachant que
S J-f£r <'■"-[ 2 = Il
compte tenu de (D.6) on peut écrire
[l-e -k * ] 2
(y ig + m n ) 1
ns ! ms ! «-en*e»=[l + (!»,>]*•.
n*=0
Substituons cette valeur dans (D.7). Nous obtenons l’expression

finale
oo
(e°»'e'bï) = 2 ~ r (1 + <«.»ms = exp (a7 [1 + (n.)]} (D-8)
ms**0
OU
(exp (abt) exp (yb,)) = exp (a V(b,bt)}. (D.9)

De la même manière on peut démontrer l’égalité
(exp (ybt) exp (ob,)) = exp {a? (&?&,)}. (D.10)
c) Soit
A , = exp (a*6J—abt] exp [ybt — y*bt J. (D .ll)
E. EQUATION POUR LA TRANSFORMEE DE FOURIER 623
Utilisons l ’identité de Weyl (B.10) :

A, = e-^«ea*6^ e ” v*6*exp {— ( |a |2+ I P I 2) } .
A l’aide de (B.l) transformons le deuxième et le troisième facteur:
A , = exp {(y — a) 6,} exp {(a* — y*) b;} exp { ^ 1 a I2 +
+ I P I2 — 2cx*y1}.
D’après (D.8) on peut écrire
= exp {((«,) + 1 ) [ay* + ya*— | o |2— | y 12]>,
nous obtenons l’expression finale
(exp [a*b*— abt] exp (y&.—Y*6?]) =
= exp {aY*«n.) + l) + Y®* («.)— [ OO + 4 " ] (la l2+ M 2)}* (D. 12)
E. Equation pour la transformée de Fourîer

par rapport au temps de la fonction de Green
Dans un système décrit par l’hamiltonien H , la fonction de
Green retardée de deux opérateur? a et 6 est définie par l’expression
((a; b))t = —i0 (t) Tr (p [a (t), b (0)1), (E.l)
où 9 (t) est la fonction échelon; Tr (pF) indique la moyenne sta
tistique de l’opérateur F prise à l’aide de la matrice densité (10.1).
Les opérateurs a et 6 agissent dans le même espace que H,
a (t) = exp (ifft/h) a exp (—ifft/h).
Ainsi la variation des opérateurs au cours du temps est caractérisée
par l’équation
i h - ^ - = [a. H).' (E.2)
La transformée dej Fourier «a ; b))~ par rapport au temps de la
fonction de Green retardée (E.l) est
oo
«û ;» > û = x j b))tdt, ô>=© -hy- (e.3)

—oo
Substituons (E.l) dans (E.3) et intégrons par parties. Compte tenu
de (E.2), nous obtenons l’équation
tûù((a ; 6»~ = Tr +«[a,lff] ; 6»^. (E.4)
624 COMPLEMENTS MATHEMATIQUES
Appliquons cette équation à la transformée de Fourier suivante

«la, H 1; b))~. Nous obtenons ainsi une autre équation
Aw«la,Wl; 6»~ = Tr <p (la. H), 6]) + « lia ,H], H]; b))~,
et ainsi de suite. Nous obtenons un système d’équations consécutives
pour des fonctions de Green de plus en plus compliquées. Pour résou
dre approximativement un tel système, on peut formellement arrêter
le développement à un certain ordre. On peut alors obtenir une
valeur approchée de «a, b°)) sans calculer la fonction de Green
retardée elle-même.
Si, dans l’expression (E.l), la moyenne est prise sur l’état fon
damental, c’est-à-dire
« a ; b))t = - t O (t) (0 l la (f), b (0)] | 0>, (E.5)
l ’équation (E.4) devient
ftS « a ; &»- = <0 | [a, 6] | 0) + «la. H] ; 6»~. (E.6)
F. Equation de Dyson
Pour chercher les valeurs propres et les fonctions propres de
l'hamiltonien
H = ff0 + V (F.l)
connaissant celles de H 0, il est commode d’utiliser la fonction de
Green donnée dans la représentation énergétique.
La fonction de Green G (E) de l’opérateur (F.l) est définie comme
la solution de l’équation
{K— H) G ( ë ) ==1, ii|, t| —► 0.(F.2)
On peut écrire formellement la solution de (F. 2) sous la forme
G (ë) = (Ë — ff) - i. (F.3)
Ceci montre que les valeurs propres de l’opérateur H sont les pôles
de la fonction de Green.
La fonction (F.3) vérifie l’équation de Dyson
G (£) - G<°> (Ë) + G(0) ( f ) VG (Ë), (F.4)
où
G«» (Ë) = (Ë — H 0)~i (F .5)
est la fonction de Green de l’opérateur H 0.
L’équation de Dyson (F.4) résulte directement de l’identité
opératorielle
(E — H)~l = {E— H 0)-' + { É - H 0)-' V ( Ë - H ) - K (F.6)
P. ÉQUATION DE DYSON 625
Pour vérifier cette identité, il suffit de multiplier à droite les deux

membres de (F.6) par l’opérateur (E — H).
L’équation opératorielle (F.4) peut être écrite sous forme ma
tricielle, en utilisant un système de fonctions orthonormées agissant
sur le même espace de définition que H 0 et V. Le mieux est de choisir
le système de fonctions orthonormées de l’opérateur H 0.
Si les égalités
( f f o- e x) | * > = 0 , ( X| V> = ôxv (F.7)
sont vérifiées, la fonction de Green de l’opérateur H 0 sera d’après
(F.5) et (F.7)
GŒ'(Ë) = k x . [ E - e*]"1. (F.8)
L’équation de Dyson (F.4) devient un système d’équations
G» (F-9)
En théorie du solide les fonctions propres de l’hamiltonien non

perturbé f f 0 sont données sous la forme matricielle suivante:
2W Ô nm -#& }<Px(m ) = 0,
m
où n et m sont des vecteurs du réseau. Les fonctions <px (m) vérifient
les conditions
S 9x (n) M = Ônm. 2 9Î (n) 9x' (n) = 6u--
X n
Dans ce cas l’équation de Dyson (F.9) s’écrit
Gnn, (Ë) = G& (g) + S G{ÿ (Ë) 7p,Gto (Ë) (F.10)
P. 1
OÙ
G& (Ë) = (Ë —# 0)nm = 2 . (F .ll)
Dans un cristal homogène, il y a une symétrie translationnelle

Hnm = Hn- m. Lorsqu’on étudie des états à une particule définis
par les fonctions d’onde
<Px(n) = (Pk( n ) = - ^ ^ “ (F.12)
et les énergies ek, la fonction de Green du mouvement libre est

G& (Ë) 2 ” P F - ~ m)l . (F-13)
k.~ k
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b M O jie K y jia p n o M K p n c T a J iJ ie , IK O C 6, 242 (1 9 5 9 ).
483. Af. f l. raxanun, 3. A . ûncuKoea, ü e p e H O C S H e p r a n B O a6y?K A eH H Ji b x p a -
C T aJuax a u rp a u e H a c n p m ie c b K ) Ha$TaueHa, IK O C 1, 175 (1 9 5 6 ).
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H o ro C M e m e ra H s k c h to h o b b K p H C T a ju ie a u rp a u e H a , Ÿ O IK 2, 61 (1 9 5 7 ).
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P hys. R ev. B8, 1488 (1 9 7 3 ).
INDEX DES M ATIÈRES
Absorption à deux particules 402, 413 Diffusion combinatoire ou Raman 582

— à large bande 419 — magnétique 89
Accepteurs 147 Direction dâimantation facile 104
Amortissement cyclotron des hélicons Dispersion spatiale 366, 454
190 — temporelle 454
— magnétique de Landau 190 Donneurs 147
Approximation adiabatique 7 Dopplérons 191
— des phases désordonnées 95 Duree de vie radiative 377, 583
Axes hélicoïdaux essentiels 23
Eclatement de Bethe 345, 545
Bande de conduction 145 — magnétique de Davydov 555
— énergétique 22 Effet Cooper 284
— de valence 145 — Hahn 300
Base du réseau de Bravais 10 — isotopique 285
Biexcitons 331 — Meissner 283
Bloch, fonctions de 123 — de polaron 224
Born-Von Karman, conditions de 18 Emission résonante 582
Bragg, conditions de 87 — secondaire 582
Branche acoustique de magnons 109 — thermique 583
— optique de magnons 109 Energie de couplage 284
-------des vibrations 41 — de Fermi 141, 145
Brillouin, zone de 16 Equation d'onde effective 534
Espace k 15
— — étendu 123
Champ d’anisotropie 104 Etats dégénérés 155
— de Hall 193, 197 — excités singulets 509
Classes cristallines 23 — localisés 132
Conditions aux limites cycliques 18 — monoélectroniques 122
Condon, approximation de 396 — vibroniques 394
Conductibilité extrinsèque 296 Etoile dégénérée 25
— d'impureté 296 — de la représentation k 25
— intrinsèque 296 Excitations exciton-magnon 558
Conduction électronique 147 Excitons diamagnétiques 326
— par trous 147 — électriques 362
Corrections anharmoniques 48 — de Frenkel 339
— indirects 323
— longitudinaux 456
Davydov, éclatement de 345 — magnétiques 367
—, éclatement magnétique do 555 — moléculaires 339
Debye, rayon d’écran de 97 — particulaires 427
Déformation de cisaillement 227 — quadrupolaires 366
646 INDEX DES MATIERES
Excitons singulels 319, 509 Luminescence 583

— triplets 319, 511 — chaude 582, 595, 616
— unidimensionnels 326 — thermalisée 585
— vibroniques 407, 412, 416
— de Wannier-Mott 317, 433
Extinction de la luminescence 584 M a g n é t o r é s is t a n c e 193
M agnons 108, 116, 545
M a ille é lé m e n ta ir e c r is t a llo g r a p h iq u e
Facteur d'absorption 304 13
— de Debye-Waller 87 -------primitive 9
Fermi, distribution de 153 — — de Wigner-Seitz 12
—, énergie de 141, 145 — symétrique 12
—, surface de 145 Masse effective cyclotron 166
Fluorescence, 511, 584 — — de l'électron 275
— retardée 589 — — du magnon 109
Fonction de forme des raies d'absorp — excitonique effective 340, 351
tion 381 Matrice densité 300
— de Green des photons 457, 479 — énergie propre 533
Forces d'oscillateurs 355 — des forces (ou dynamique) 40
Frenkel, excitons de 339 — d'interactions 342
Fréquence cyclotron 161, 187 — opérateur de masse 533
— de Larmor 161 Mécanisme saltatoire 538
— de plasma 92, 99 Méthode de la masse effective 127
Fusion des bandes 28 — du pseudo-potentiel 136
Modèle de Debye 55
— d'Einstein 55
Groupe d'espace 23 — de l'empilement compact 334
— facteur 24 — « gelée * 90
— de symétrie ponctuel 10 Molécule excitonique 331
— des translations 10 Moments centrés 445, 599
— du vecteur d'onde 27 — de la courbe d'absorption 441
Monstres 151
Hall, coefficient de 198
Heisenberg, hamiltonien dv 105, 108 Onde(s) d’Alphen 191
Heitler-London, approximation de 338 — cyclotron 191
Hélicons 187, 219 — normales 457, 479
Holstein-Primakov, transformation de — de plasma 90
107 — de spin 104
— — paramagnétique 120
Opérateurs de Pauli 107
Identité de Weyl 620 — de translation 10
Indice de réfraction 304 Orthoexciton 319
Interaction dipolaire spin-orbite 104 Oscillations de magnétoabsorption 316
— — spin-spin 104
— d'échange 103
Inversion au temps 29 Paraexciton 319
Paramètre de non-adiabaticité 244
Petites représentations 28
Kubo-Greenvood, formule de 303 Phonons acoustiques 36
— — longitudinaux 45
— — transversaux 45
Larmor, fréquence de 161 — optiques 41
—, rayon de 161 — virtuels 232
Liouvüle, équation de 300 Phosphorescence 511, 584
—, équation linéarisée de 302 Photons dans le cristal 75
Loi de Bloch 113 Plan de glissement 23
— de dispersion 149 Plasmons 90, 187
INDEX DES MATIÈRES 647
Polaritons 66, 72, 358, 457 Structure en bandes du cristal 22

Polaron 251, 255 Surface de diffusion 88
—, masse du 255 — de Fermi 145
Potentiel chimique 153 — isoénergétique 126, 149
— de Coulomb masqué 96 Symétrie translationnelle 9
— de déformation (ou de contrainte) Syngonies 10
224, 227 Système de coordonnées du vecteur
Processus non adiabatiques 8 d'onde 360
— de rejet (processus Ümklapp) 49, — ouvert 301
228
Température de Curie 102, 544
Quasi-impulsion 21 — de dégénérescence 155
— de Néel 103, 544
Temps de libre parcours moyen 194
Rayon d'écran de Thomas-Fermi 97 — de relaxation 194
— de Larmor 161 Tenseur de conductivité 192
Régime forcé 590 — inverse de la masse effective 125
Relaxation longitudinale 377, 380 — de résistivité 192
— transversale 377 Thomas-Fermi, rayon d'écran de 97
Représentation par les nombres d'oc Transformation de Holstein-Primakov
cupation 140 107
— par sites 338 Transitions autorisées 323
— par trous 143 — à deux particules 565
Réseau de Bravais 9 — dipolaires interdites 323
— direct 9 — indirectes 310
— réciproque 15 — verticales 306, 323
Résonance cyclotron 173 Trous 143
— géométrique 210
géante 213
— magnétoacoustique 214 Valées 297
— de Pippard 210 Van Hove, singularités de 309
Vecteurs d'onde réduits 19
— du réseau 9
Semi-conducteurs de type n 147 — de translation élémentaire 9
— — p 147
Semi-métaux 147
Solitons 427 Wigner-Seitz, maille élémentaire de 12
INDEX DES NOMS
Aganval G. S. 463 Cardona M. 322

Agranovitch V. M. 82, 360, 463, 614 Casimir H. G. 283
Anhiezer A. I. 104 Catalano M. 609
Alfano R. R. 591 Cerenkov P. A. 110, 582
Anselm A. I. 325, 436 Chmigliouk M. I. 320
Apanassévitch P. A. 584 Choi S. 514
Asnin V. M. 332 Cinogolani A. 609
Avakian P. 511, 514, 537 Cohen M. H. 183, 349
Condon E. U. 396-398, 416, 417
Ballhausen C. 545 Cooper L. N. 282, 284
Baranski P. I. 202 Coulomb C. 318, 440
Bardeen J. 224, 282, 323 Curie P. 102, 104, 109, 544
Bariakhtar V. G. 104
Béliaéva A. I. 556
Bénoît A la Guillaume, C. 331 Danifer G. 120, 121
Beuson H. J. 82 Davydov A. S. 345, 422, 427, 478,
Berman R. 51 555
Bessel F. 209, 349, 394 Davydov B. I. 185
Bethe H. 345, 545 Davydova N. A. 483, 484
Bingel W. A. 395 Debye P. 51, 55, 87, 97, 243
Birman J. L. 463, 464 Deigen M. F. 247
Blatt £ . J. 323 Délukov A. A. 474-476, 507
Bloch F. 113, 123, 137, 306 Demidenko A. A. 383
Blount E. I. 183 Dingle R. B. 170
Bogolioubov N. N. 113, 256, 282, 289, Dirac P. 194, 234
357, 364 1er C. 189, 191, 214
Bohm D. 90 a nan Y. G. 170
Bohr N. 105, 318 Dresselhaus G. 323
Boltzmann L. 51, 97, 156, 194, 597 Dyson F. 535, 579, 624, 625
Bommel H. 210 Dzub I. P. 447
Bontch-Brouévitch V. L. 96
Born M. 18, 86, 267 Edelman V. M. 327
Bose S. 34 , 51, 332, 337, 619-621 Einstein A. 55, 394
Bouguer P. 498 Elliott R. J. 319, 323, 326
Bowers R. 187 Emélianov V. N. 83
Bragg W. H. 8 , 87 Eremenko V. V. 556, 564
Bravais A. 9, 12, 15, 23 Eremko A. A. 393
Breing W. 464 Ermolaïev V. L. 537
Brillouin M. 16 Evans D. 523
Brodine M. S. 320, 474, 483, 611, 612
Broudé V. L. 346 Faïdych A. N. 511, 614
Burstein E. 82, 316 Falicov L. M. 183
INDEX DES NOMS 649
Fedorov E. 23 Jilitch A. G. 327

Fedosséev V. G. 439, 440 Johnson E. 327
Fermi E. 86, 97, 107, 119, 120, 141, Johnson M. H. 162
145, 190, 194, 261, 292 Jortner J. 511, 513, 514
Feynman R. 229, 232, 259, 386 Joule J. 197, 304
File J. 282
Firsov Y. A. 325, 436
Fisher M. 192 Kaganov M. I. 149
Fomine G. F. 587, 610 Kamerlingh Onnes H. 282
Fourier J. 67, 181, 290 Kaner E. A. 173, 189-191, 215
Franck J. 417 Kaplianski A. A. 489
Frenkel Ya. I. 339, 602, 615 Karman (von) T. 18
Fresnel A. 469 Keffer F. 349
Frôhlich H. 251, 262, 281, 282, 285 Keldych L. V. 332
Fugol I. Y. 614 Kelvin W. (Thomson) 283
Kepler R. 515
Khaïkin M. S. 173
Gaididey Y. B. 515, 523, 545, 568, 576 Kharkyanen V. N. 545, 551
Galanine M. D. 614 Kislukha N. I. 422, 427
Gauss C. F. 393 Kitaîgorodski A. I. 334
Ginsburg V. L. 82, 283, 360, 463 Klimontovitch Y. A. 83
Gorban I. S. 331, 489 Klimoucheva G. V. 474-476, 507
Gorter C. J. 283 Knox R. 319
Gourévitch V. L. 210 Konobéev Y. V. 614
Gourgénichvili G. E. 330 Konstantinov O. V. 187
Green D. 5, 364, 367, 377, 386, 399, Kossévitch A. M. 182
408, 457, 528, 558, 623 Kozlov A. N. 332
Green R. L. 558 Kramers H. A. 101
Greenwood 303 Kreingold F. I. 508
Griffith J. S. 545 Krintchik G. S. 558
Gross E. F. 316, 319, 325, 489, 616 Kronig A. K. 101
Kubo R. 303
Haas W. J. 177, 182-184 Lagrange L. 33, 40
Hahn O. 300 Lambert J. H. 498
Haken H. 440, 539 Lamport M. 328
Hall H. 193, 197-199, 323 Landau L. 163, 190, 207, 251, 255*
Hainilton W. R. 29, 38, 43, 265 283, 315, 326
Harrison W. 149 Laudé A. 548
Haynes J. R. 331 Langmuir I. 220
Heine V. 136 Laplace P. S. 494, 498
Heisenberg W. 35, 105, 164, 174, 601 Larmor J. 161, 173
Heitler W. 338, 422, 545, 585 Laue M. (von) 8
Henry C. H. 80 Lax B. 316
Hizhnjak V. 439 Lee T. D. 264
Hochstrasser H. 511, 537 Legendy C. 187
Holstein 107, 560 Lifshitz I. M. 149, 173, 182, 202
Hopfield J. J. 80, 298, 320 Liouville J. 300-302, 363, 541
Huang, Kun 58 Lippmann B. A. 162
Hudson V. I. 464 Loktev V. M. 545, 568, 575-577
London F. 338, 422, 545
Ialovets T. N. 330 Lorentz H. A. 161, 164, 193
Ivanov N. M. 609 Loudon R. 326, 545, 559, 564
Low F. E. 264
Jahn H. A. 395, 416 McConnell H. M. 511

Jashkir Ju. N. 84 Machkévitch V. S. 315, 463
*650 INDEX DES NOMS
Makarov V. L. 508 Raman C. V. 47, 77-82, 582, 590, 606-

Maradudin A. A. 463 611
Marissova S. V. 611 Rashba E. I. 148, 327, 330, 395, 422
Martin R. M. 616 Ray E. G. 395
Matsubara T. 393 Rayleigh J. W. S. 582, 590
Maxwell J. C. 61, 67, 156, 325, 368, Razbirin B. S. 325
490 Reineker P. 539
Meissner W. 283 Riemann B. 112
Merrifield R. E. 447, 511, 538 Robinson G. W. 511
Miasnikov V. N. 347, 478, 587, Rogatchev A. A. 332
609-611 Rose F. 187
Mills D. L. 82, 282, 463 Rossler U. 353
Minafra A. 609 Rydberg J. 320, 321, 352
Morris G. C. 447 Ryvkin S. M. 314
Morse R. 210
Moskalenko S. A. 319, 320, 332, 441 Samoliovitch A. G. 202
Môssbauer R. 47 Schônflies A. 11, 23
Mott N. F. 317, 320, 335, 433, 602 Schrieffer J. R. 282
Schrôdinger E. 122, 321, 425
Seijsjan R. P. 327
Néel L. 103, 544 Sein J. J. 463
Nikitine S. 331 Seitz F. 12, 15, 351
Nitsovitch B. M. 393, 447, 615 Sérikov A. A. 395,419,421, 422
Shapiro S. L. 591
Sheka V. I. 148, 350, 594, 613
Ochsenfeld R. 283 Sheremet N. I. 595
Ohm G. 195, 197 Shockley W. 224
Onoprienko M. N. 346 Shpak M. T. 594, 595, 613
Oppenheimer J. 267 Shubnikov A. V. 182
Ore A. 331 Shultz S. 120, 121
Sieats M. G. 447
Siline V. P. 120
Skobov V. G. 189-191,219, 220
Slutski A. A. 183
Packard J. R. 331 Sougakov V. I. 329
Parkinson J. B. 559, 562, 564 Stépanov B. I. 584-586
Pattanyak D. N. 463 Sterin Kh. E. 81
Pauli W. 107, 124, 140, 163 Stewart A. 203
Pavinski P. P. 316 Stokes G. 78, 586, 610
Peierls R. E. 50 Strachnikova M. I. 320, 483, 484
Pekar S. I. 127, 251, 255, 463, 474, Strizhevskii V. L. 83, 84
484 Sumi H. 587, 606-609
Péletminski S. V. 104
Pérel V. I. 187
Permogorov S. A. 616 Tait W. C. 606
Pestchanski V. G. 202 Takeno S. 533, 537, 539
Pestriakov G. M. 277 Tchijikova Z. A. 614
Petrov E. G. 515, 545, 548, 551, 575 Tel 1er E. 395, 416
Picus G. S. 316 Térénine A. N. 537
Pines D. 90, 264 Thomas D. G. 97, 298, 320
Pinzuk A. 82 Tiablikov S. V. 96, 113, 251, 267, 357,
Pippard A. B. 199, 210, 216 364
Platzman P. M. 191 Timoféev V. B. 330, 489
Poisson D. 97, 260 Tolman R. C. 203
Pomérantchouk I. Y. 185 Tolpygo K. B. 319
Poynting J. H. 305, 464, 471, 472 Toyozawa Y. 240, 257, 313
Prikhotko A. F. 576, 581, 614 Trlifaj M. 538, 539
Primakov 107, 560 Tutneva G. K. 558
INDEX DES NOMS 651
Urbach F. 394 Weiher R. L. 606

Ushioda S. 82 Weisz S. Z. 515
Weyl H. 408, 620, 623
Wigner E. P. 12, 14, 15, 351
Van Alphen J. 177, 191 Wolf E. 463
Wolf H. C. 614
Van der Waals J. 31, 37, 246,
333, 351, 372
Van Fleck J. H. 545 Xylleras E. 331
Van Hove L. 309
Vanna C. M. 616
Vavilov S. I. 583 Young T. 36
Vlassov G. K. 315, 327
Voigt J. 507
Zakhartchénia B. P. 316, 327
Zeeman P. 119
Waller I. 87 Zeyher R. 464
Walsh W. M. 191 Zilberman G. E. 175
Wannier G. H. 317, 352, 433, 438, Zinets O. S. 329
439, 441, 602 Zwerdling S. 316
TABLE DES MATIÈRES
Avant-propos ........................................................................................................ 5
Chapitre premier. SYMÉTRIE ET ÉTATS STATIONNAIRES DES
C R I S T A U X ..................................................................... 7
§ 1. L'approximation a d iab atiq u e.................................................. 7
§ 2 . Le reseau cristallin d ir e c t ................................................... 8
§ 3 . Le réseau cristallin réciproque........................................... 15
§ 4 . Valeurs propres et fonctions propres de l ’opérateur de
tr a n s la tio n .................................................................................. 17
§ 5 . Propriétés générales des états stationnaires d'un cristal
basées sur sa sy m é tr ie ............................................................. 22
Chapitre II. PHONONS DANS LESCRISTAUX COVALENTS ET
MOLÊCULAIRESI..................................................................... 31
§ 6 . Phonons dans un cristal unidimensionnel contenant un ato
me par maille é lé m e n ta ir e ................................................. 31
§ 7 . Phonons dans un cristal unidimensionnel à deux atomes
par maille é lé m e n ta ir e ......................................................... 39
§ 8 . Phonons dans un cristal tridim ensionnel.......................... 43
§ 9 . Interactions entre p h o n o n s............................................... 48
§ 10 . Capacité calorifique phononique d’un s o lid e .................. 51
Chapitre III. PHONONS DANS LES CRISTAUX IONIQUES . . . . 58
§ 11 . Théorie macroscopique des branches optiques de vibration 58
§ 12 . Théorie macroscopique des p o la rito n s.............................. 63
§ 13*. Théorie quantique aes p o la rito n s........................................ 66
§ 14 . Théorie élémentaire des interactions phonons-lumière . . 73
§ 15 . Détermination du spectre des vibrations de réseau [en
utilisant la diffusion des n eu tro n s......................................... 84
Chapitre IV. ONDES DE PLASMA ET ONDES DE S P I N ................... 90
§ 16 . Ondes de plasma dans les s o lid e s ........................................ 90
§ 17 . Ondes de spin dans les ferromagnétiques. Magnons . . 102
§ 18 . Ondes de spin dans les antiferromagnetiques................... 113
Chapitre V. ÉTATS MONOËLECTRONIQUES DANS UN [CRISTAL' 122
§ 19 . Electron dans un champ p ériod iq u e................................... 122
§ 20 . Méthodes approchées de calcul a ’états monoélectroniques 132
§ 21 . Deuxième quantification d'un système d'électrons . . . 139
TABLE DES MATIERES 653
§ 22 . Classification des solides d'après le spectre énergétique des

états m onoélectroniques........................................................ 145
§ 23 . Surfaces isoénerçétiques........................................................ 149
§ 24 . Densité d'états électroniques dans l'échelle énergétique 151
§ 25 . Statistique des électrons dans les s o lid e s ....................... 153
Chapitre VI. MOUVEMENT D’UN ELECTRON DANS UN CRISTAL
PLACE DANS UN CHAMP M AGNÉTIQUE.................... 161
§ 26 . Vecteurs propres et valeurs propres pour des particules char
gées dans un champ m agn étiq u e........................................ 161
§ 27 . Masse effective cyclotron ae l ’électron de conduction . . . 164
§ 28 . Méthodes expérimentales mettant en évidence le mouvement
cyclique des électrons dans un champ magnétique . . . 170
§ 29 . Quantification du mouvement d'un électron de conduction
soumis à un champ magnétique ........................................ 173
§ 30 . Effet de Haas-Van A lp h e n .................................................... 177
§ 31 . Ondes électromagnétiques de basse fréquence dans les mé
taux ............................................................................................ 187
§ 32 . Effets galvanomagnétiques dans les c r ista u x .................... 192
§ 33 . Phénomènes de résonance m agnétoacoustique................... 202
Chapitre VII. INTERACTION ELECTRON-PHONON.............. 224
§ 34 . Méthode du potentiel de déformation dans les cristaux
co v a len ts........................................................................... 224
§ 35 . Interaction électron-phonon dans les cristaux ioniques . . 249
§ 36 . Théorie quantique de l ’interaction des électrons avec les
phonons dans les cristaux io n iq u e s.......................... 259
§ 37*. Théorie adiabatique des perturbations tenant compte de la
symétrie translationnelle.............................................. 266
§ 38*. Méthode des transformations canoniques dans la théorie des
interactions électrons-phonons............................................ 276
§ 39 . Supraconductivité.................................................................... 282
Chapitre VIII. ABSORPTION OPTIQUE DANS LES SEMI-CONDUC
TEURS ................................................................................. 296
§ 40 . Structure des bords de la bande de valence et de la bande de
conduction de quelques sem i-con d ucteurs........................ 296
§ 41 . Réponse du cristal à une action extérieu re.............. 300
§ 42 . Absorption intrinsèque de photons dans les semi-conducteurs 303
§ 43 . Excitons de Wannier-Mott ................................................ 316
Chapitre IX. EXCITATIONS COLLECTIVES DANS LES CRISTAUX
MOLECULAIRES..................................................................... 333
§ 44 . Excitations collectives d’un cristal formé de molécules im
mobiles ..................................................................................... 333
§ 45 . Interaction exciton-photon. P o la rito n s............................. 353
§ 46 . Permittivité du cristal due aux e x c i t o n s ........................ 360
Chapitre X. INTERACTION EXCITON-PHONON................................. 371
§ 47 . Interaction exciton-phonon dans les cristaux moléculaires 371
§ 48 . Propriétés optiques d’un système d'excitons et de phonons
en interaction (liaison faible) ............................................. 376
§ 49 . Permittivité pour une interaction exciton-phonon forte . . 387
§ 50 . Permittivité liée à l ’excitation des états vibroniques du cris
tal m o lé c u la ir e ......................................................................... 394
654 TABLE DES MATIERES
§51. Déformation dfun cristal moléculaire électroniquement

e x c i t é .......................................................................................... 422
§ 52 . Interaction exciton-phonon dans les cristaux ioniques . . . 433
§ 53 . La méthode des moments dans la théorie de l'absorption de
la lumière dans les c r i s t a u x ................................................. 441
Chapitre XI. DISPERSION SPATIALE ET TRANSMISSION DE LA
LUMIERE PAR UN C R IS T A L ............................................. 452
§ 54 . Permittivité d'un c r is t a l......................................................... 452
§ 55 . Oscillations forcées du chamjp spatio-cohérent du cristal 453
§ 56 . Champ électromagnétique crée à la surface d'un cristal par
des courants étran gers............................................................. 461
§ 57*. Théorie quantique statistique de la propagation de la lu
mière dans les cristaux ......................................................... 490
Chapitre XII. EXCITONS TRIPLETS DANS LES CRISTAUX . . . 509
§ 58 . Propriétés fondamentales des états excités triplets . . . 509
§ 59 . Influence d'impuretés paramagnétiques sur la formation
d'excitons t r ip le t s .............................................................; * * 523
§ 60 . Interaction des excitons triplets avec les vibrations de réseau 526
§ 61 . Mouvement des excitons triplets dans les cristaux
moléculaires .............................................................................. 538
Chapitre XIII. TRANSITIONS OPTIQUES DANS DES CRISTAUX
MAGNETIQUES ORDONNES ..................................... 544
§ 62 . Transitions dipolaires magnétiques et dipolaires électriques
dans les antiferromagnétiques ............................................. 544
§ 63 . Absorption exciton-magnon dans les diélectriques antifer
romagnétiques .......................................................................... 553
§ 64 . Absorption biexcitonique de la lumière dans les diélectri
ques antiferrom agnétiques..................................................... 565
§ 65 . Spectre d'absorption de la lumière par l’oxygène
antiferromagnétique .............................................................. 576
Chapitre XIV. DIFFUSION DE LA LUMIÈRE ET LUMINESCENCE
DES CRISTAUX .................................................................. 582
§ 66 . Les différentes composantes de l'émission secondaire des
c r i s t a u x ...................................................................................... 582
§ 67 . Luminescence excitonioue des c r is ta u x ................................. 591
§ 68 . Luminescence à partir d’un exciton localisé ou d'une impu
reté .............................................................................................. 613
§ 69 . Luminescence chaude ............................................................. 616
COMPLEMENTS MATHÉMATIQUES ..................................................... 618
A. Transformations unitaires des opérateurs................................. 618
B. Identités opératorielles ............................................................. 619
C. Calcul de la valeur moyenne des fonctions d’opérateurs de Bose
dans des états à nombre de particulesd éterm in é...................... 620
D. Valeur moyenne statistique des opérateurs de Bose (de phonons) 621
E. Equation pour la transformée de Fourier par rapport au temps
de la fonction de G r e e n .................................................................. 623
F. Equation de D y s o n .......................................................................... 624
Bibliographie .................................................................................................. 626
Index des matières .......................................................................................... 645
Index des n o m s ................................................................................................... 648
À NOS LECTEURS
Les Editions « Mir » vous seraient très reconnaissantes-

de bien vouloir leur communiquer votre opinion sur
le contenu de ce livre, sa traduction et sa présenta
tion, ainsi que toute autre suggestion.
Notre adresse :
Editions Mir, 2, Pervi Rijski péréoulok,
Moscou, 1-110, GSP, U.R.S.S.
Im prim é en Union Soviétique•

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A. C.

TEOPHfl TBEPJtOrO TEJ1A

II3flA TEJIiCTBO «HAV'KA»

ÉDITIONS MIR • MOSCOU

<£) rjiaBH&H pegaicuiifl $H3HK0-MaTeMaTuiiecK0K

Le livre soumis à l ’attention du lecteur est une version complétée

nombre de revues et de monographies. C’est pourquoi ces questions

SYMÉTRIE ET ÉTATS STATIONNAIRES

Vo(R ) = t/Vo(R0) + i - [ d' UJ°>R) ]„ (R - Ro)2+ • .. (1.1)

Un (R) = Uvt ( / ? i ) + 4 [ ], ( * - * ,) * + . .. (1.2)

§ 2. Le réseau cristallin direct

Pour étudier théoriquement les propriétés volumiques du cristal,

Fig. 1. Différents choix de vecteurs de translation élémentaire.

maille élémentaire. Les positions de tous les points équivalents d'un

Le choix de la maille élémentaire du cristal n'est pas non plus

*) Dans les cristaux moléculaires comportant des molécules anisotropes,

Triclinique a=£b=£=c simple CX= E 1 aucun

Monoclini­ a=pb^= c r simple, I C* 2 2

Orthorhom- a=£b^=c simple,

Quadratique a = b^=c r simple, 1 S4 4 4

Hexagonale a = 6=£ c simple c. 6 G

Sym bole du groupe

Cubique a = b= c r simple, 'v T 23 3, 2

Remarque. Le symbole Cn ou simplement n représente un axe de

centrées dont les nœuds sont aux sommets et au centre de toutes

En cristallographie, on utilise souvent une autre définition de

Pa = 0* P s = ”2" (Jlx“l“aÿ *l*ar)t

caractérisant la position des ions A et B .

dans ce réseau est donnée par les vecteurs

Le réseau cubique à faces centrées peut être considéré soit comme un

Fig. 4. Maille de Wigner-Seitz du ré- Fig. 5. Maille de Wigner-Seitz du ré­

seau est entouré de 12 voisins. La maille primitive de ce réseau est

§ 3. Le réseau cristallin réciproque

où gi est un nombre entier 0, ± 1 , ± 2 , . . et bt les vecteurs élé*

En comparant les expressions trouvées avec (2.5), on s'aperçoit

b1= ^ - ( a I + aï ), b, = -§r(«* + **)f b ,= - g - ( a v + ax). (3.7)

La zone de Brillouin du réseau cubique centré a la même allure que

al = 4 ‘ (a* + a!')’ a2 = 4 '( a‘' + ai)’ a3 = - 5 " ^ + a*)-

Ces conditions aux limites cycliques, généralement appelées con­

exprimant la symétrie translationnelle du cristal, on obtient, compte

de l’opérateur de translation sont caractérisées par le vecteur réel k,

La distance Akj entre deux valeurs voisines de k le long des di­

où sont des nombres entiers vérifiant les inégalités

l’opérateur de translation dans l’espace libre. Contrairement au

L’opérateur déplacement d’un vecteur fini a = ^ ôa * est formé

oubievAg. <4 1 7 >

4) dans l’espace libre, l ’égalité A = 2nh!\ p | est valable pour

§ 5. Propriétés générales des états stationnaires

le groupe des directions appelé groupe ponctuel du cristal. Générale­

Les mailles élémentaires de cristaux monoatomiques dont les

Fig. 7. Axe hélicoïdal d'ordre deux (a) et plan de glissement (6).

élémentaires du diamant, du silicium, de l’étain, du bismuth ont

groupes. Par suite de l’isomorphisme n’importe quelle représentation

pour tous les cristaux le centre de la zone de Brillouin correspond à

Lorsque le vecteur kx appartient à une étoile dégénérée de m

Vki-4. ÿkU ........ ijJkmA—énergie EA (k j ;

l’indice i numérote la fonction de chaque représentation irréductible

Ainsi les représentations irréductibles du groupe d’espace sont

La démonstration de cette fusion fait intervenir la symétrie du

Monoclini a=pb^= c r simple, I C* 2 2

Pa = 0* P s = ”2" (Jlx“l“aÿ lar)t

Fig. 4. Maille de Wigner-Seitz du ré- Fig. 5. Maille de Wigner-Seitz du ré

Ces conditions aux limites cycliques, généralement appelées con

La distance Akj entre deux valeurs voisines de k le long des di

le groupe des directions appelé groupe ponctuel du cristal. Générale

version du temps on obtient donc pour les excitations indépendan

T S ' * G -” ->>■ (631)

Substituant (6.43) dans (6.36) et dans (6.42) on obtient l ’opé

Utilisons (7.9) et portons la valeur trouvée pour £2f dans l’équa

Les relations (8.10) et (8.12) permettent d'exprimer les énergies ciné

Les impulsions généralisées, conjuguées des coordonnées géné

De la même manière, on peut déterminer la forme opératorielle d'au