Électronique de spin

et enregistrement
magnétique

1
I-Introduction à l'électronique de spin
1-Le domaine de l'électronique de spin
Le domaine de l'électronique de spin L'électronique de spin, la magnéto
électronique et la spintronique sont des noms différents pour la même chose :
l'utilisation des spins des électrons dans les circuits d'information. Ses racines
remontent aux premiers travaux sur les phénomènes de transport de spin, parmi
lesquels des processus tels que la diffusion, l'effet tunnel ou l'injection seraient au
premier rang. Les appareils électroniques conventionnels n'utilisent que la charge
de l'électron comme support de l'information. Dans les conducteurs classiques
comme le cuivre ou dans les semi-conducteurs comme le silicium, la direction de
spin des électrons est aléatoire, et donc la polarisation de spin est nulle. Cette
polarisation de spin est définie comme la différence des électrons spin up
(majoritaire) et spin down (minoritaire) qui contribuent au transport électrique
avec par rapport au montant total de la conduite électrons :
P = ( n↑ - n↓ ) / ( n↑ + n↓ ) . Avec un tel matériau , même un simple dispositif
électronique de spin comme par exemple une valve de spin, qui ne laisse passer
que des électrons avec une direction de spin spécifique, ne fonctionnerait pas.
Pour chaque orientation de spin, il y aurait toujours la même quantité de électrons
qui passeraient à travers le filtre (Fig.1a). Pour l'électronique de spin, de nouveaux
matériaux spéciaux sont nécessaires, qui présentent une asymétrie dans la
direction de spin des électrons conducteurs. Plus cette polarisation de spin est
élevée, meilleurs sont le rapport signal sur bruit et l'efficacité des dispositifs
électroniques de spin. Le transport polarisé en spin se produit naturellement dans
tout matériau pour lequel il existe un déséquilibre de la population de spin au
niveau de Fermi (Fig. 1b). La structure de bande de spin-split des métaux
ferromagnétiques produit une polarisation de spin nette dans une mesure de
transport, mais le signe et l'amplitude de cette polarisation dépendent de la mesure
spécifique effectuée. Un métal ferromagnétique peut être utilisé comme source de
porteurs polarisés en spin injectés dans un semi-conducteur, un supraconducteur
ou un métal normal ou peut être utilisé pour tunnelier à travers un barrière isolante.
Les matériaux qui ne sont que partiellement polarisés (tels que Fe, Co, Ni et leurs
alliages, qui ont une polarisation P de 40 à 50 %) sont cependant adéquats pour
des applications technologiques . Dans ces matériaux, il y a aussi des électrons s
et p au niveau de Fermi.

2
 Fig 1 : représentation schématique des densités d'états

2-Historique de la magnétorésistance
Au sens technique, l'électronique de spin fait référence à une nouvelle
électronique qui utilise effets de magnétorésistance dans les applications des
appareils . La magnétorésistance (MR) est le changement dans la résistance
électrique d'un conducteur par un champ magnétique. Dans les conducteurs non
magnétiques, il est relativement faible. En matériaux magnétiques et magnétiques
multicouches, la polarisation de spin des électrons conduit à de grands effets MR
dans de petits champs magnétiques. Historiquement, l'origine de l'électronique de
spin se trouve dans la découverte du couplage d'échange inter couche et de la
magnétorésistance géante (GMR) dans multicouches magnétiques. Depuis la
découverte du GMR en 1988 , le nouveau domaine de la magnéto électronique
s'est développé rapidement et le grand nombre de développements et de brevets
indique un énorme potentiel d'innovation et de nouvelles technologies. Un
exemple fascinant est un nouveau mini-lecteur de disque haute densité de 16,8
Gbits avec la tête de lecture basée sur l'effet GMR mis sur le marché par IBM en
1998

3-Vue d'ensemble sur les différents effets de magnétorésistance

a-magnétorésistance anisotrope(AMR)
L'AMR mesure la variation de la résistance observée lorsque le courant traversant
un échantillon ferromagnétique passe de parallèle à l'aimantation interne à
perpendiculaire à celle-ci. La différence varie entre 2 et 3 %

3
b-Magnétorésistance géante(GMR)
Les multicouches métalliques (super-réseaux) composées d'une alternance de
couches d'espacement ferromagnétiques et non magnétiques, chacune épaisse de
quelques couches atomiques, présentent des propriétés fascinantes. Un important
L'observation est que les couches de ferromagnétiques de métaux de transition 3d
sont indirectement couplées par échange magnétique via une couche
d'espacement composée de presque tous les métaux de transition non
ferromagnétiques 3d, 4d et 5d. Le couplage magnétique oscille entre couplage
ferromagnétique et antiferromagnétique avec l'épaisseur de la couche d'espaceur
et sa force varie systématiquement avec le remplissage de la bande d de l'espaceur.
On constate que la résistance est élevée lorsque les couches magnétiques voisines
ont des moments magnétiques antiparallèles et qu'elle est faible lorsque les
moments sont alignés dans un champ magnétique saturant (Fig.2). La réduction
relative de la la résistance peut atteindre 100 % . Cet effet est appelé «
magnétorésistance géante ». Le champ de saturation 𝐻𝑠 est nécessaire pour
surmonter le couplage intercouche antiferromagnétique entre les couches de Fe et
aligner les aimantations des couches consécutives. Il a été suggéré que la diffusion
dépendante du spin aux interfaces et dans le volume est responsable de la
magnétorésistance. Des expériences ont montré la prédominance de la diffusion
dépendante du spin aux interfaces ferromagnétique/couche d'espacement (Fig. 3).
La longueur de diffusion de spin 𝐿𝑠 de porteurs injectés dans un métal
paramagnétique à partir d'un contact ferromagnétique est beaucoup plus long
qu'une cellule unitaire de super-réseau . Cela signifie que le courant est transporté
séparément par des électrons de conduction de spin ascendant et descendant (deux
canaux en parallèle). Le libre parcours moyen des électrons 𝐿𝜎 dans un métal
ferromagnétique est dépendant du spin ( 1↑ ≠ 1↓ ) . Cela vient du fait que N(EF)
disponibles pour la diffusion sont différents pour les spins ascendants et
descendants (Fig.1). Il résulte de ces deux considérations qu'un électron d'un spin
donné voyageant dans un super-réseau voit des régions de résistivités locales
différentes ( 𝑃𝜎 ∼𝑁𝜎 (EF) ; σ = ↑, ↓) . La figure 3 montre les trajectoires des
électrons dans les deux canaux pour les configurations parallèle (a) et antiparallèle
(b). Le courant dans la configuration parallèle est court-circuité par le spin up
canal montant, de sorte que la résistance est beaucoup plus faible par rapport à la
configuration antiparallèle, où les électrons des deux canaux sont alternativement
des électrons de spin majoritaires et minoritaires et le court-circuit par l'un des
canaux disparaît. L'effet GMR a également été observé dans des systèmes
magnétiques granulaires (alliages hétérogènes tels que Co-Cu, Co-Ag, Fe-Au, Fe-
4
 Cu, etc.) . Les clusters Co et Fe sont des particules à domaine unique. Chaque
particule a un moment magnétique, dont la direction dans la matrice est orientée
aléatoirement. Il s'ensuit que l'aimantation totale du système est nulle. Cet état
correspond aux multicouches couplées antiferromagnétiques. Une résistance
élevée se produit lorsque les axes magnétiques des particules ne sont pas alignés
(H = 0). Une faible résistance est obtenue lorsque les axes magnétiques sont
alignés par le champ magnétique appliqué.

Fig. 2. Magnétorésistance d'un super-réseau Fig.3. Image schématique du mécanisme GMR

(Fe30 Å / Cr 9 Å)40 à 4,2 K. Le courant est le long
de (110) et le champ est dans le plan de couche
selon la direction du courant (a), dans le plan de
couche perpendiculaire à le courant(b), ou
perpendiculaire au plan de calque(c) .

5
II-Courants polarisés en spin
1-Injection de spin et accumulation de spin
En général, le transport d'électrons à travers un canal diffusif est le résultat d'une
différence de potentiel (électro-) chimique. potentiel de deux réservoirs
d'électrons connectés. Un réservoir d'électrons est un bain d'électrons en plein
équilibre thermique. Le potentiel chimique µ𝑐ℎ est par définition l'énergie
nécessaire pour ajouter un électron au système, généralement fixée à zéro à
l'énergie de Fermi (cette convention est adaptée tout au long de ce texte), et rend
compte de l'énergie cinétique des électrons. Dans le régime de réponse linéaire,
c'est-à-dire pour de petits écarts à l'équilibre ( | ev | < kT ) , le potentiel chimique
est égal à la densité électronique en excèsn divisé par la densité d'états à l'énergie
de Fermi, µ𝑐ℎ = n / N ( EF ) . De plus , un électron peut également avoir une
énergie potentielle , par exemple en raison de la présence d'un champ électrique
E . L'énergie potentielle supplémentaire pour un réservoir au potentiel V devrait
être ajouté à µ𝑐ℎ afin d'obtenir le potentiel électrochimique (en l'absence d'un
champ magnétique champ ) :

µ = µ𝑐ℎ − ev (1)

où désigne la valeur absolue de la charge électronique . De l'éq. [1] il est clair

qu'un gradient de µ ,la force motrice du transport d'électrons, peut résulter soit
d'une densité d'électrons variant dans l'espace ∇𝑛 ou un champ électrique E= -∇V
De puis µ caractérise complètement le réservoir on est libre de décrire le transport
soit en termes de diffusion (E = 0 , ∇𝑛 ≠0 ) ou en termes de dérive électronique
(E≠0, ∇𝑛 =0). Dans l'image de la dérive, toute la mer de Fermi doit être prise en
compte et par conséquent il faut maintenir une densité électronique constante
partout en imposant : ∇𝑛 = 0. Nous utilisons l'image diffusive où seule la plage
d'énergie ∇µ , la différence de potentiel électrochimique entre les deux réservoirs
est importante pour décrire le transport. Les deux approches (dérive et diffusion)
sont équivalentes dans le régime linéaire et sont liées entre elles via la relation
d'Einstein :

σ = 𝑒 2 N(EF)D (2)

6
où σ est la conductivité et D la constante de diffusion. Nous nous concentrons sur
le régime de transport diffusif, qui s'applique lorsque le libre parcours moyen l𝑒
est plus courte que les dimensions de l'appareil. La description du transport
électrique dans un ferromagnétique en termes de modèle à deux courants (spin-
up et spin-down) remonte à Fert et Campbell. Van Son et al . ont étendu le modèle
pour décrire le transport à travers des interfaces ferromagnétiques-métalliques non
magnétiques. Un fondement théorique solide, basé sur l'équation de transport de
Boltzmann, a été donné par Valet et Fert . Ils ont appliqué le modèle pour décrire
les effets de l'accumulation de spin et de la diffusion dépendante du spin sur l'effet
GMR dans les multicouches magnétiques. Ce modèle standard permet une analyse
quantitative détaillée des résultats expérimentaux un modèle alternatif, basé sur
des considérations thermodynamiques, a été proposé et appliqué par Johnson et
Silsbee (JS) . En principe, les deux modèles décrivent la même physique et
devraient donc être équivalents. Cependant, le modèle JS a l'inconvénient de ne
pas permettent un calcul direct de la polarisation de spin du courant . alors que
dans le modèle standard, toutes les quantités mesurables peuvent être directement
liées aux paramètres du système expérimental. Le transport dans un
ferromagnétique est décrit par des conductivités dépendantes du spin :

1
σ↑ = N↑ 𝑒 2 D↑ , avec D↑ = Vf↑ le ↑ (3)
3
1
σ↓ = N↓ 𝑒 2 D↓ , avec D↓ = Vf↓ le ↓ (4)
3

où N↑ , N↓ désigne la densité d'états dépendante du spin (DOS) à l'énergie de

Fermi (EF) , et D↑ , D↓ les constantes de diffusion dépendantes du spin,
exprimées en vitesses de Fermi dépendantes du spin Vf↑ , Vf↓ , et les libres
parcours moyens des électrons le ↑ , le ↓ , Tout au long de cet article , notre notation
est ↑ pour la direction de rotation majoritaire et ↓ pour la direction de spin
minoritaire. Notez que la dépendance en spin des conductivités est déterminée
parles deux densité d'états et constantes de diffusion. Cela doit être mis en
contraste avec les jonctions tunnel magnétiques F/I/F ou F/I/N, où la polarisation
de spin des électrons tunnel est déterminée par le DOS (local) dépendant du
spin.7,33,34De plus, dans un ferromagnétique typique, plusieurs bandes (qui ont
généralement une densité d'états et des masses effectives différentes en fonction
du spin) contribuent au transport. Cependant, à condition que le temps de diffusion
élastique et les temps de diffusion interbandes soient plus courts que les temps de

7
retournement de spin (ce qui est généralement le cas), le transport peut toujours
être décrit en termes de conductivités de spin up et spin down bien définies. Étant
donné que les conductivités de spin up et spin down sont différentes, le courant
dans le ferromagnétique en vrac sera réparti en conséquence sur les deux canaux
de spin :

σ↑ ∂µ↑
j↑ = (5)
𝑒 ∂x
σ↓ ∂µ↓ (6)
j↓ =
𝑒 ∂x

Où j↑ , j↓ sont les densités de courant de spin up et spin down. Selon les Eqs, 5
et 6 le courant circulant dans un ferromagnétique massif est polarisé en spin, avec
une polarisation donnée par :

σ↑ − σ↓
αF =
σ↑ + σ↓

L'étape suivante est l'introduction de processus de retournement de spin, décrits

par un temps de retournement de spin τ↑↓ pour le temps moyen nécessaire pour
passer d'une rotation ascendante à une rotation descendante, et τ↓↑ pour le
processus inverse. Le principe du bilan détaillé impose que N↑ /τ↑↓ = N↓ /τ↓↑ , de
sorte qu'à l'équilibre aucune diffusion de spin nette n'a lieu. Comme indiqué
précédemment, ces temps de retournement de spin sont généralement supérieurs
au temps de diffusion de l'impulsion τe =le /Vf . Le transport peut alors être décrit
en termes de diffusion parallèle des deux 3 espèces de spin, où les densités sont
contrôlées par des processus de retournement de spin. Il convient de noter
cependant que, en particulier dans les ferromagnétiques les temps de retournement
de spin peuvent devenir comparables au temps de diffusion de l'impulsion. Dans
ce cas, une résistance (supplémentaire) au mélange de spin apparaît, dont nous ne
parlerons pas davantage ici.

L'effet des processus de retournement de spin peut maintenant être décrit par
l'équation suivante (en supposant une diffusion dans une seule dimension) .

𝜕 2 ( N↑ − N↓ ) ( N↑ − N↓ )
D = (8)
𝜕𝑋 2 τsf
8
Où D = D↑ D↓ (N↑ − N↓ ) / (N↑ D↑ + N↓ D↓ ) est la constante de diffusion
moyenne en spin et le temps de relaxation en spin τnf.est donné par :
1/τsf =1/τ↑↓ +1/τ↓↑ . On note que τsf représente l'échelle de temps sur laquelle
l'accumulation de spin hors d'équilibre (µ↑ −µ↓ ) se désintègre et est donc égal au
temps de relaxation du réseau de spin T1 utilisé dans les équations de Bloch :
τsf =T1 . En utilisant l'exigence de conservation du courant, la solution générale
de l'éq.8 pour un ferromagnétique uniforme ou un fil non magnétique est
maintenant donné par :

𝐶
µ↑ = A + Bx + exp(−x/ λsf ) + D σ↑ exp(x/λsf ) (9)
σ↑

µ↓ = A + Bx +
𝐶
exp(−x/ λsf ) + D σ↓ exp(x/λsf ) (10)
σ↓

où nous avons introduit la longueur de relaxation de spin λsf = √𝐷τsf

Les coefficients A, B, C et D sont déterminés par les conditions aux limites

imposées aux jonctions où les fils sont couplés à d'autres fils. En l'absence de
résistance d'interface et de diffusion par retournement de spin aux interfaces, les
conditions aux limites sont : 1) continuité de µ↑ , µ↓ à l'interface, et 2)
conservation des courants de spin-up et spin-down j↑ , j↓ à travers l'interface.

• ACCUMULATION DE TOUR DANS STRUCTURES

DE VANNES SPIN MULTI-TERMINALES
Nous allons maintenant appliquer le modèle d'injection de spin à une géométrie
non locale, qui reflète notre mesure et la géométrie du dispositif, voir Fig.4a et
Fig.4c. Dans notre géométrie (à une dimension), nous pouvons identifier 6 régions
différentes pour lesquelles les équations. 9 et 10 doivent être résolus en fonction
de leurs conditions aux limites à l'interface. La géométrie est représentée
schématiquement sur la Fig.4b, où les 6 régions différentes sont marquées par des
lettres romaines I à VI. Selon l'éq. 9 les équations des potentiels électrochimiques

9
 de spin-up dans ces régions, en supposant une aimantation parallèle des régions
ferromagnétiques, se lisent :

FIG. 4: (a) Schematic representation of the multi-terminal spin valve device. Regions fIG. 4 : (c) the non local measurement geometry.
I and VI denote the injecting (F1) and detecting (F2) ferromagnetic contacts, The black arrow indicates the direction of the
whereas regions II to V denote the four arms of a normal metal cross (N) placed in applied magnetic field B in the measurements.
between the two ferromagnets. A spin polarized current is injected from region I
into region II and extracted at region IV. (b) Diagram of the electrochemical potential
solutions (Eqs. 9 and 10) in each of the six regions of the multi-terminal spin valve.
The nodes represent the origins of the coordinate axis in the 6 regions, the arrows
indicate the (chosen) direction of the positive x-coordinate. Regions II and III have a
finite length of half the Py electrode spacing L. The other regions are semi-infinite

je 2𝐶
µ↑ = A - x+ exp(−x/ λF ) (I)
σF σF (1+αF )

je 2𝐸 2𝐹
µ↑ = - x+ exp(−x/ λN ) + exp(−x/ λN ) (II)
σN σN σN
2𝐺
µ↑ = exp(−x/ λN ) (III)
σN

je 2𝐾
µ↑ = x exp(−x/ λN ) + exp(−x/ λN ) (IV)
σN σN
2𝐻 2𝐾
µ↑ = exp(−x/ λF ) + exp(−x/ λN ) (V)
σN σN
2𝐷
µ↑ = B + exp(−x/ λF ) (VI)
σF (1+αF )

10
où nous avons écrit σ↑= σF (1 + αF ) / 2 et A, B, C, D, E, F, G, H et K sont
constantes inconnues. Les équations du potentiel électrochimique de spin-down
dans les six régions de la fig. 4 peut être trouvé en mettant un signe moins devant
les constantes C, D, E, F, H, K, G et αF dans les éq .I à V. Constant B est le plus
précieux à extraire de ce jeu d'équations, car il donne directement la différence
entre le potentiel électrochimique mesuré avec une sonde métallique normale au
centre de la croix métallique amagnétique de la fig.1a et le potentiel
électrochimique mesuré avec une sonde de tension ferromagnétique à l'interface
F/N de la région V et IV . Pour λsf >> L c'est-à-dire pas de relaxation de spin
dans le métal non magnétique des régions II
et V, la sonde de tension ferromagnétique sonde efficacement la différence de
potentiel électrochimique entre les électrons de spin-up et spin-down au centre de
la croix métallique non magnétique. Résoudre les équations . I à VI en prenant la
continuité des potentiels électrochimiques spinup et spin-down et la conservation
des courants spin-up et spin down aux 3 nœuds de la Fig. 1b, on obtient :
λ
αF 2 N 𝑒 −𝐿/2λN
σN
B = -je (11)
𝐿 𝐿
2 (𝑀+1)[𝑀𝑠𝑖𝑛ℎ(2λ )+cosh (2λ )]
N N

Où M == (σF λN /σN λF )(1 − αF 2 ) et L est la longueur de la bande métallique

non magnétique entre les électrodes ferromagnétiques. L'amplitude de
l'accumulation de spin à l'interface F/N de la région V et VI est donné par :
B
µ↑ −µ↓ =
αF

Dans la situation où les ferromagnétiques ont un alignement d'aimantation

antiparallèle, la constante B de l'éq. 11 obtient un signe moins devant . Lors du
passage d'une configuration d'aimantation parallèle à antiparallèle (une mesure de
vanne de spin), une différence de ∆µ =2B sera détecté dans le potentiel
électrochimique entre le métal normal et la sonde de tension ferromagnétique.
Cela conduit à la définition de ce que l'on appelle le spin-couplé ou le spin-
2B
dépendant résistance ∆R = où S est la section transversale zone de la bande
−𝑒𝑗𝑆
non magnétique :
λ
αF 2 σ N𝑆 𝑒 −𝐿/2λN
N
∆R = 𝐿 𝐿
(12)
(𝑀+1)[𝑀𝑠𝑖𝑛ℎ( )+cosh ( )]
2λN 2λN

11
on peut écrire Eq. 12 comme :
2αF 2 λN 2 (13)
∆R =
𝑀(𝑀+1)σN 𝑆

Dans la situation où il n'y a pas d'événements de retournement de spin dans le

métal normal (λN = ∞ ) on trouve qu'on peut écrire l'éq. 13 sous une forme encore
plus simple :
2
2αF 2 λF
2
∆R =
αF
(14)
(1−σF 2 )𝑆𝐿/σN

Le point important à noter est que l'Eq. 14 montre clairement que même dans la
situation où il n'y a pas de processus de retournement de spin dans le métal normal,
le signal de spin ∆R se réduit avec l'augmentation L . La raison est que le
dépendant du spin résistance (λF /σF S ) des ferromagnétiques d'injection et de
détection reste constant pour les deux canaux de spin, alors que indépendant de la
rotation résistance (L/σN S) de le métal non magnétique entre les deux
ferromagnétiques augmente linéairement avec L Dans les deux régions
métalliques non magnétiques II et V (Fig. 4), les courants de spin doivent traverser
un chemin de résistance totale sur une longueur λF + L/2 et donc la polarisation
du courant traversant ces régions diminuera linéairement avec L et donc le signal
de spin ∆R . Notez que dans les régions V et VI, aucun courant net ne circule car
les courants de spin-up et de spin-down circulant en sens inverse sont d'amplitude
égale.
Utilisation des éq. 5, 6 et moi on peut calculer le courant polarisation à l'interface
j↑ 𝑖𝑛𝑡 − j↓ 𝑖𝑛𝑡
du contact d'injection de courant, définie comme P = , on obtient :
j↑ 𝑖𝑛𝑡 + j↓ 𝑖𝑛𝑡

𝐿
𝑀 𝑒 −𝐿/2λN + 2cosh (2λ )
P = αF 𝐿
N
𝐿 (15)
2(𝑀+1)[𝑀𝑠𝑖𝑛ℎ(2λ )+cosh (2λ )]
N N

12
Dans la limite où L >> λN on obtient la polarisation du courant à une seule
interface F/N :

αF
P= (16)
𝑀+1

Encore une fois, l'éq. 16 montre une réduction de la polarisation du courant à

l'interface F/N, lorsque la résistance dépendante du spin (λF /σF S) est beaucoup
plus petite que la résistance indépendante du spin ( λN /σN S ) du métal non
magnétique. Cette situation s'aggrave progressivement pour un semi-conducteur
lorsque σN est réduite d'un facteur 100 ou plus et est connue sous le nom de
"désadaptation de conductivité". Notons enfin que le signal de spin ∆R𝑐𝑜𝑛𝑣 . peut
également être calculée pour une géométrie de mesure conventionnelle, voir Fig.
4 b, en écrivant des équations et des conditions aux limites similaires à celles que
nous avons faites pour la géométrie non locale (Eqs. I à VI) . Nous trouvons:

∆R𝑐𝑜𝑛𝑣 = 2∆R (17)

αF
𝑀+1
• MODÈLE DE RÉSISTANCE DES STRUCTURES DE
VALVE SPIN MULTI-TERMINALES
Une meilleure compréhension physique peut être obtenue en considérant un
réseau de résistances équivalent du dispositif à vanne de spin.42Dans le régime
de transport linéaire, où les tensions mesurées sont des fonctions linéaires des
courants appliqués, le transport de spin pour la géométrie conventionnelle et non
locale peut être représenté respectivement par un réseau de résistances à deux
bornes et à quatre bornes. Ceci est illustré sur la figure 5 pour une configuration
à la fois parallèle et antiparallèle des électrodes ferromagnétiques. Les résistances
R ↑ et R ↓ représentent les résistances des canaux spin up et spin down, qui se
composent des différents spin up et spinrésistance à la baisse des électrodes
ferromagnétiques (RF ↑,RF ↓) et la résistance indépendante du spin R N du fil non
magnétique entre les électrodes ferromagnétiques. À partir des calculs du modèle
de résistance, nous obtenons :

13
 2λF (18)
R ↑ = R ↑ 𝐹 +𝑅 𝑁 = R ↑ 𝐹 +𝑅 𝑁
𝜔(1+αF )

2λF
R ↓ = R↓ 𝐹 +𝑅 𝑁 = R ↓ 𝐹 +𝑅 𝑁 (19)
𝜔(1+αF )

αF
𝑀19.
peut être calculé à l'aide des éqs. 18 et + On
1 obtient l'expression familière :

( R↓ − R↑ )2
∆R𝑐𝑜𝑛𝑣 = (20)
2( R↓ + R↑ )

pour la géométrie non locale et sous la condition λN ≫L la résistance dépendante

du spin ∆Rentre le parallèle (Fig. 2c) et l'antiparallèle (Fig.5d) résistance réseau
peut également être calculé. On obtient:

( R↓ − R↑ )2
∆R = (21)
4( R↓ + R↑ )

L'équation 21 montre à nouveau que le signal de spin mesuré dans une géométrie
non locale est réduit d'un facteur 2 par rapport à une mesure classique. Fourni ce
R ↑ 𝐹 , R ↓ 𝐹 ≪ R N nous pouvons utiliser les équations. 18 et 19 à réécrire Éq. 21
en :

2
2αF 2 λN 2 R↑ 𝐹 (22)
∆R = 2 )2 𝐿𝜔𝑅 𝑁
(1+αF

14
En utilisant S = 𝜔h et en remplaçant la résistance carrée par les conductivités Eq.
22 se réduit à l'éq. 14. Une relation directe peut maintenant être obtenue entre la
𝐹
grandeurs mesurées ∆R , 𝑅 𝑁 , R ↑ et le spin correspondant propriétés
dépendantes du ferromagnétique :

𝐿
R ↓ − R ↑ = √∆R𝑅𝑁 𝜔

FIGUE. 6 La géométrie de mesure

conventionnelle

FIGUE. 5 : Les réseaux de résistances

équivalentes du dispositif à valve de spin.
(a) Les géométries de vannes de spin
conventionnelles en parallèle et (b) en
configuration antiparallèle. (c) La
géométrie de la vanne de spin non locale
en parallèle et (d) en configuration
antiparallèle.

15
2- Couple de transfert de spin
a-Introduction
En 1996, il a été théoriquement démontré à la fois par Berger1et Slonczewski2
qu'un courant électronique polarisé en spin peut transférer un moment magnétique
à l'aimantation locale d'un ferromagnétique. En particulier, ce transfert de spin
peut induire une précession en régime permanent ou une inversion de
l'aimantation. Outre son intérêt scientifique intrinsèque, le contrôle de l'état
d'aimantation par un courant électrique, au lieu d'un champ appliqué, peut
déboucher sur plusieurs applications possibles. Afin d'apprécier cette percée,
disons quelques mots sur l'électronique de spin, aussi appelée « spintronique ».
Les dispositifs spintroniques sont généralement composés de deux couches
ferromagnétiques séparées par une entretoise non magnétique. Selon la nature de
l'espaceur, on considère deux grandes classes : les vannes de spin lorsque
l'espaceur est une couche métallique normale, et les jonctions tunnel magnétiques
lorsqu'un espaceur est un isolant (ou semi-conducteur). Dans ces structures, une
couche ferromagnétique est appelée la Fixe ou la référence couche, puisque son
aimantation est épinglée par couplage magnétique à un antiferromagnétique, et
l'autre est la gratuit couche : l'aimantation de la couche libre peut être commutée
pour obtenir un alignement parallèle ou antiparallèle des deux aimantations, ce
qui correspond à deux états de résistance différents du dispositif. Cette
magnétorésistance a conduit à diverses applications telles que les capteurs de
champ (en particulier les têtes de lecture pour disque dur) ou les dispositifs à deux
états comme la mémoire magnétique (MRAM). Concernant les MRAM, des
progrès significatifs peuvent être réalisés grâce à l'effet de couple de transfert de
spin, puisque la commutation entre les deux états de la mémoire peut être
directement pilotée par un courant électrique .
Depuis qu'il a été théoriquement prédit, le concept de couple de transfert de spin
a suscité un intérêt considérable et a été testé sur une grande variété de dispositifs,
multicouches métalliques ou jonctions tunnel magnétiques, avec différentes
géométries : contact ponctuel défini mécaniquement ou lithographique ment, nano
piliers, nano fils à croissance électrochimique. ... Tous ces dispositifs présentent
la même caractéristique essentielle : ils ont une surface de section nanométrique
avec une dimension typique d'environ 100nm. Une si petite taille est nécessaire
car le couple de transfert de spin ne peut être observé que pour une très grande
densité de courant de l'ordre de 106à 108A.cm−2. Peu de temps après sa
prédiction théorique, un travail pionnier a montré expérimentalement l'existence
16
d'un couple de transfert de spin.3Puis des démonstrations non ambiguës de
commutation d'aimantation induite par le courant entre les états parallèle et
antiparallèle ont été réalisées sur des systèmes métalliques au cours des années
2000-2001.4,5Des résultats similaires ont ensuite été obtenus sur des jonctions
tunnel magnétiques.6,7De plus, des mesures spectrales ont montré que le couple
de transfert de spin induit également une précession en régime permanent de
l'aimantation à des fréquences de quelques GHz,8,9 résultant en des oscillations
entre le haut et le bas niveau de résistance.
Dans ce qui suit, nous allons d'abord introduire le concept de couple de transfert
de spin. Ensuite, nous aurons une meilleure compréhension physique en
considérant ce phénomène au niveau microscopique. Enfin, nous aborderons
l'influence du couple de transfert de spin sur la dynamique d'aimantation.

b-Couple de transfert de spin

Dans cette section, nous présentons une approche simple et intuitive du
mécanisme physique sous-jacent du couple de transfert de spin en utilisant une
description de macros pin. Considérons deux couches ferromagnétiquesF1etF2,
séparés par une mince entretoise (soit une couche métallique, soit une barrière
tunnel) avec leur magnétisations désalignées d'un angle θ (voir Fig. 1.1-a). Un
courant électrique traverse la structure, perpendiculairement aux interfaces, avec
des électrons provenant deF1pourF2. Les électrons entrantF1sont polarisés en
spin dans le sens de l'aimantation M de cette couche ferromagnétique , tandis que
les électrons circulant dansF2sont polarisés en spin dans la direction de M2. Ainsi,
dans le laps de temps entre la traversée des surfaces imaginaires UN et B, la
polarisation de spin des électrons change. A ce stade, il faut faire la distinction
entre la polarisation de spin et le moment magnétique : le moment magnétique de
l'électron est opposé à son moment angulaire de spin μ = g e μB B𝑠⃗/ℏ avec g e ≈−2,
où 𝑠⃗ est le spin, et de même dans les ferromagnétiques à métaux de transition,
⃗⃗⃗ = gμ B𝑠⃗/ℏ où g est
l'aimantation est généralement opposée à la densité de spin 𝑀 B
typiquement compris entre -2,1 et -2,2.

17
 figue. 1.1. a) Le dispositif étudié composé de deux couches ferromagnétiques F1 et
F2 séparées par un espaceur. Les plans virtuels A et B sont suffisamment éloignés
de l'interface N/F pour que le courant soit parfaitement polarisé en spin le long de
l'aimantation de la couche ferromagnétique. b) Schémas des moments
magnétiques entrant (μ 1), sortant (μ 2) et transféré (T ), dessinés dans le plan qui
contient les aimantations des deux couches. Dans le cas particulier étudié ici, ce
plan est parallèle aux interfaces N/F.

Considérons la boîte fictive définie par les surfaces A et B : les électrons entrants
ont un moment magnétique ⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗1 et les électrons sortants un moment
μ1 parallèle à M
μ2 parallèle à ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
magnétique ⃗⃗⃗⃗⃗ M2 . Puisque les moments magnétiques entrant et
sortant n'est pas la même, un certain moment magnétique est transféré au système
par unité de temps. Or les vecteurs d'aimantation ont une magnitude fixe, donc
toute variation temporelle de ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑀 doit être perpendiculaire à ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑀:

2
⃗⃗⃗ |
𝑑|𝑀 ⃗⃗⃗ (1)
⃗⃗⃗. 𝑑𝑀
= 2𝑀
𝑑𝑡 𝑑𝑡

Par conséquent, seule la composante perpendiculaire à ⃗⃗⃗⃗⃗𝑀 du moment magnétique

des électrons peut être transférée à l'aimantation globale. Le moment transféré
total ⃗⃗⃗
𝑇 est alors décomposé en deux parties ⃗⃗⃗⃗⃗
T1 . et ⃗⃗⃗⃗⃗
T2 ( FIG . 1.1-b ) . Une partie
est transférée en ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
M1 et l'autre en ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
M2 .

le moment magnétique transféré à M ⃗⃗⃗⃗⃗⃗

1 est alors un vecteur perpendiculaire à
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
M1 qui appartient au plan défini par (M 1 , ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
M2 ). Comme le vecteur unitaire normal
à ce plan est 𝑚 ̂ 1 ×𝑚̂ 2 , ⃗⃗⃗⃗⃗
T1 . et ⃗⃗⃗⃗⃗
T2 s'écrivent nécessairement :
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
T1,2 ≡T ⃗⃗⃗⃗⃗1 𝑚
̂ 1,2 ×(𝑚
̂ 1 ×𝑚
̂ 2 ). Par analogie avec la dynamique de l'aimantation, où la
dérivée temporelle de l'aimantation est égale au couple exercé par le champ
magnétique, ce moment transféré par unité de temps était à l'origine appelé

18
"pseudo-couple" par Slonczewski. Il est maintenant universellement appelé
couple de transfert de spin. Néanmoins, nous devons garder à l'esprit que ce terme
n'est pas exactement un couple mais découle directement du flux d'impulsion de
spin dans l'élément de volume considéré.
Dans le cas d'un dispositif à deux couches magnétiques composé d'une couche
fixe et d'une couche libre, le couple de rotation sur l'aimantation de la couche libre
dû au désalignement avec l'aimantation de la couche fixe est :

⃗⃗⃗⃗‖ = 𝛾0 𝑎𝑗 𝑀
T ⃗⃗⃗ ( 𝑀
⃗⃗⃗ . 𝑃̂ ) (2)
𝑀𝑠

où 𝑀𝑠 est l'aimantation à saturation et 𝑃̂ la polarisation magnétique de la couche

fixe. Le préfacteur aj a été calculé dans le cas d'un multicouche métallique.11
L'indice rappelle que le couple est parallèle au plan qui contient les deux vecteurs
d'aimantation.

5-courant de spin
Un thème central de la recherche en spintronique porte sur la façon de générer et
de manipuler le courant de spin ainsi que sur l'exploitation de ses divers effets .
Dans la situation idéale où le spin (ou sa projection selon une direction) est
conservé, le courant de spin est simplement défini comme la différence entre les
courants d'électrons dans les deux états de spin. Ce concept a bien servi dans les
premières études des effets de transport dépendant du spin dans les métaux. La
présence omniprésente du couplage spin-orbite rend inévitablement le spin non
conservé, mais cet inconvénient est généralement évité en concentrant son
attention sur le soi-disant temps de relaxation du spin. Ces dernières années, il a
été constaté que l'on peut faire un très bon usage du couplage spinorbite, réalisant
un contrôle électrique de la génération et du transport du spin .
Dans la plupart des études précédentes sur le transport de spin en vrac, il était
conventionnel de définir le courant de spin simplement comme la valeur attendue
du produit des observables de spin et de vitesse. Malheureusement, aucune mesure
viable n'est connue pour être possible pour ce courant de spin. Les récentes
expériences d'accumulation de spin ne le déterminent pas directement et il n'y a

19
pas de relation déterministe entre ce courant de spin et l'accumulation de spin
limite, comme le montre la figure 1.

Figure 1 : Un exemple démontrant la non-pertinence de la courant de spin

conventionnel au transport de spin. A gauche : Un système macroscopique
constitué d'une distribution uniforme de boîtes microscopiques (rectangles gris)
dans lesquelles un électron est confiné. À droite : la structure intérieure de la boîte,
où les murs

En fait, la définition conventionnelle du courant de spin souffre de trois défauts

critiques qui l'empêchent d'être pertinente pour le transport de spin. Tout d'abord,
ce courant de spin n'est pas conservé. Cette seule question a motivé un certain
nombre de définitions alternatives récemment . Deuxièmement, ce courant de spin
peut même être fini dans les isolants avec des états propres localisés uniquement,
il ne peut donc pas vraiment décrire le transport . Enfin, il n'existe pas de force
mécanique ou thermodynamique en conjugaison avec ce courant, il ne peut donc
pas être intégré à la théorie standard du transport proche de l'équilibre. Une
conséquence est qu'on ne peut pas établir de relation d'Onsager reliant le courant
de spin à d'autres phénomènes de transport.
Dans cette lettre, nous essayons d'établir une définition correcte du courant de
spin exempte de toutes les difficultés ci-dessus, ce qui s'avère possible pour les
systèmes où la génération de spin dans la masse est absente pour des raisons de
symétrie. Notre nouveau courant de spin est donné par la dérivée temporelle du
spin déplacement (produit des observables de spin et de position), qui diffère de
la définition conventionnelle par un terme de dipôle de couple. Le terme dipôle
de couple est trouvé pour la première fois dans une théorie semi-classique , dont
l'impact sur le transport de spin a été analysé plus en détail pour évaluer
l'importance de l'effet Hall de spin intrinsèque . Dans ce travail, nous fournissons
une description mécanique quantique de ce terme dans la théorie de la réponse

20
linéaire pour le transport. En plus de montrer sa conséquence dans la conservation
du courant de spin, nous révélons également deux propriétés supplémentaires : Le
nouveau courant de spin s'annule à l'identique dans les isolants à orbitales
localisées, et est en conjugaison avec une force donnée par le gradient du champ
de Zeeman ou dépendant du spin. potentiel chimique. Avec la conservation,
Sur la base du principe général de la mécanique quantique, on peut dériver une
équation de continuité reliant les densités de spin, de courant et de couple
comme suit,

𝜕𝑠𝑧
= 𝛥 . 𝐽𝑠 (1)
𝜕𝑡

La densité de spin d'une particule dans un état (spinor) ψ(r) est défini par
ŝ𝑧 (r)=ψ(r)†ŝ𝑧 ψ(r) ,où ŝ𝑧 est l'opérateur de spin pour un composant particulier
(z ici, pour être précis). La densité de courant de spin ici est donnée par la
1
définition conventionnelle 𝐽𝑆 (r) = 𝑅𝑒 ψ † (r) { 𝑉̂, ŝ𝑧 }ψ(r ) , où 𝑉̂ est
2
l'opérateur de vitesse, et { , } désigne l'anticommutateur. Le côté droit de
l'équation de continuité est la densité de couple définie par 𝐽𝑍 (r)=𝑅𝑒 ψ†(r)τ̂ψ(r),
𝑑ŝ
̂ ], et H
où τ̂ ≡ 𝑧 ≡ (1/i ℏ)[ ŝ𝑧 , H ̂ est le Hamiltonien du système. Ces définitions
𝑑𝑡
peuvent être facilement reformulées dans un langage à plusieurs corps en
considérant les fonctions d'onde comme des opérateurs de champ et en prenant
la valeur d'espérance dans l'état quantique du système. La présence de la
densité de couple 𝐽 reflète le fait que le spin n'est pas conservé au microscope
dans les systèmes à couplage spin orbite.
Il arrive souvent, pour des raisons de symétrie, que le couple moyen s'annule
pour la majeure partie du système, c'est-à-dire ( 1/V )∫ 𝑑𝑉𝐽𝑍 (𝑟) . Ceci est vrai
au premier ordre dans le champ électrique externe pour tous les échantillons
présentant une symétrie d'inversion. De plus, on s'intéresse souvent à une
composante particulière du spin, et la composante de couple correspondante
peut disparaître dans la masse en moyenne même pour des échantillons sans
symétrie d'inversion. Ceci est certainement vrai pour les nombreux modèles
utilisés pour l'étude de l'effet Hall de spin , et pour les systèmes expérimentaux
utilisés pour détecter l'effet jusqu'à présent . Pour de tels systèmes, où la densité
de couple de spin moyenne disparaît dans la masse, nous pouvons écrire la
densité de couple comme une divergence d'une densité de dipôle de couple,
21
 𝐽𝑍 = − 𝛥 . 𝑃τ (𝑟) (2)

En le déplaçant vers la gauche de (1), nous avons

𝑑ŝ𝑧
+ 𝛥 . ( 𝑃τ + 𝐽𝑆 ) (3)
𝑑𝑡

qui se présente sous la forme de l'équation standard de continuité sans source.

Ceci montre que le spin est conservé en moyenne dans de tels systèmes, et le
courant de transport correspondant est :

ϒ𝑆 = 𝑃τ + 𝐽𝑆 (4)

Nous notons qu'il y a toujours un caractère arbitraire dans la définition du

courant de spin effectif car l'Eq. (2) ne détermine pas uniquement la densité de
dipôle de couple 𝑃τ de la densité de couple correspondante 𝐽𝑍 . Nous pouvons
éliminer cette ambiguïté en imposant la contrainte physique selon laquelle la
densité du dipôle de couple est une propriété matérielle qui devrait disparaître
en dehors de l'échantillon. Cela implique notamment que :
∫ 𝑑𝑉𝑃τ = − ∫ 𝑑𝑉𝑟𝛥 𝑃τ = ∫ 𝑑𝑉𝑟𝛥 𝐽𝑍 (𝑟) . Il s'ensuit alors que, sur moyenne
globale, la densité de courant de spin efficace peut être écrite sous la forme de
ϒ𝑆 = 𝑅e 𝜓 ∗ (r) 𝐽̂𝑆 ψ( r) , où

̂
𝑑( 𝑟̂ 𝑆𝑧 ) (5)
𝐽̂𝑆 =
𝑑𝑡

est l'opérateur de courant de spin effectif. Comparé à l'opérateur de courant de

spin conventionnel, il a un terme supplémentaire 𝑟̂ (d𝑆̂𝑧 /dt) , qui tient compte
de la contribution du couple de spin .
Comme le nouveau courant de spin est donné en dérivée temporelle, il doit
s'annuler dans un état d'énergie propre dans lequel l'opérateur de déplacement
de spin est bien défini, ce qui est le cas si l'état est localisé. La théorie des
perturbations élémentaires montre que le courant de spin s'annule dans un tel
système même en présence d'un champ électrique faible. En effet, pour des
22
 états propres spatialement localisés, nous pouvons évaluer le coefficient de
transport de spin comme ,

̂𝑧 )/𝑑𝑡|𝑙 ′ ⟩ ⟨𝑙 ′ |𝑉
𝐼𝑚⟨𝑙|𝑑( 𝑟̂ 𝑆 ̂ |𝑙⟩
𝜎 𝑠 = - eℏ ∑𝑙 ≠𝑙′ ℱ𝑙
(𝜀𝑙 −𝜀𝑙′ )2
(6)
= - eℏ ∑𝑙 ≠𝑙′ ℱ𝑙 ⟨𝑙|[ 𝑟̂ 𝑆̂𝑧 , 𝑟̂ ]|𝑙⟩ = 0

Où ℱ𝑙 est le nombre d'occupation d'équilibre dans leℓ-ème état. Ici, nous avons
utilisé ⟨𝑙|𝑑( 𝑟̂ 𝑆̂𝑧 )/𝑑𝑡|𝑙 ′ ⟩ =(i/ℏ)(𝜀𝑙 − 𝜀𝑙′ )⟨𝑙|𝑟̂ 𝑆̂𝑧 |𝑙′ ⟩ et ⟨𝑙 ′ |𝑉̂ |𝑙⟩ = (i/ℏ)(𝜀𝑙 −
𝜀𝑙′ ) ⟨𝑙|𝑟̂ |𝑙′ ⟩ . Les éléments de matrice impliqués sont tous bien définis entre des
états propres spatialement localisés.
Défini comme une dérivée temporelle de l'opérateur de déplacement de spin 𝑟̂ 𝑆̂𝑧 ,
le nouveau courant de spin a une force conjuguée naturelle 𝐹𝑠 , le gradient du
champ de Zeeman ou d'un potentiel chimique dépendant du spin, qui peut être
modélisé comme une perturbation externe V = - 𝐹𝑠 . 𝑟̂ 𝑆̂𝑧 . Le taux de dissipation
d'énergie pour le transport de spin peut s'écrire d𝑄/dt =𝐽𝑆 ·𝐹𝑆 . Il suggère
immédiatement une manière thermodynamique de déterminer le courant de spin
en mesurant simultanément le gradient de champ Zeeman (force de spin) et la
génération de chaleur.
De plus, les relations Onsager peuvent maintenant être établies. Par exemple, en
présence à la fois de forces électriques et de spin, la réponse linéaire des courants
de spin et de charge peut s'écrire de la manière suivante,

𝜎 𝑠𝑠 𝜎 𝑠𝑐 𝐹𝑠
(𝐽𝐽𝑆 ) = ( )( ) (7)
𝑐 𝜎 𝑐𝑠 𝜎 𝑐𝑐 𝐸

Où 𝐽𝑆 est le courant de spin et 𝐽𝑐 désigne le courant de charge . 𝜎 𝑠𝑠 et 𝜎 𝑐𝑐 ont

respectivement les tenseurs de conductivité spin-spin et charge-charge. Le bloc
hors diagonale σsc désigne la réponse du courant de spin à un champ électrique
(effet Hall de spin ), et 𝜎 𝑐𝑠 désigne la réponse du courant de charge à une force de

23
spin (effet spin-Hall inverse) . La réciprocité Onsager dicte une relation générale
entre les blocs hors diagonale (en supposant une symétrie d'inversion temporelle):

𝜎 𝑠𝑐 𝛼𝛽 = − 𝜎 𝑐𝑠 𝛼𝛽 (8)

où le signe moins supplémentaire provient de la parité impaire d'inversion de

temps de l'opérateur de déplacement de spin 𝑟̂ 𝑆̂𝑧 . On note que la relation
d'Onsager Eq. (8) ne peut être établie que lorsque les courants sont définis en
fonction de la dérivée temporelle des opérateurs de déplacement conjugués à les
forces. Dans le cas de l'entraînement par force de spin, nous avons l'opérateur de
déplacement de spin 𝑟̂ 𝑆̂𝑧 ., dont la dérivée temporelle correspond à notre nouveau
courant de spin Eq. (5), pas le courant de spin conventionnel. Cette relation
d'Onsager peut également être directement vérifiée en utilisant la théorie de la
réponse linéaire .
L'existence des relations d'Onsager rend viable la mesure électrique du courant de
spin. Une proposition théorique précédente avait suggéré que le courant de spin
pouvait être déterminé en mesurant la tension transversale générée par un courant
de spin traversant un dispositif Hall de spin . Cependant , pour ce faire, la rotation
Coefficient de Hall 𝜎 𝑠𝑐 𝑥𝑦 de l'appareil de mesure doit être connu auparavant car
le courant de spin est déterminé depuis 𝐽𝑆𝑥 = 𝜎 𝑠𝑐 𝑥𝑦 𝐸𝑦 . Avec la relation d'Onsager,
𝜎 𝑠𝑐 peut être dérivé du coefficient Hall de spin inverse correspondant, et ce
dernier peut être déterminé par une mesure du courant de charge et du gradient de
champ de Zeeman .
Après ces considérations générales, nous montrons maintenant comment évaluer
la conductivité Hall de spin sur la base de la nouvelle définition du courant de
spin. La densité de dipôle de couple peut être déterminée sans ambiguïté en tant
que propriété globale dans le cadre théorique de la réponse linéaire. Considérez la
réponse de couple à un champ électrique à vecteur d'onde fini q, 𝐽𝑧 (q) = 𝜒(q) .
E(q).Basé sur l'éq. (2) ce qui implique 𝐽𝑧 (q) = −𝑖q·𝑃τ (q) , nous pouvons
déterminer de manière unique la réponse en courant continu (c'est-à-dire , q→0)
du dipôle de couple de spin :

𝑃τ = 𝑅e {i∇_q [χ (q) . E]} q = 0 (9)

24
Ici, nous avons utilisé la condition 𝜒 (0) = 0, c'est-à-dire qu'il n'y a pas de
génération de spin en vrac par le champ électrique. En combinant l'éq. (4) et (9),
on peut alors déterminer les coefficients de transport de spin électrique pour la
nouvelle définition du courant de spin :

𝜎 𝑠𝑐 µν = 𝜎 𝑠0 µν + 𝜎 τ µν (10)

où 𝜎 𝑠0 µν est le coefficient de transport de spin conventionnel c'est l'objet de

laplupart des études précédentes, et 𝜎 τ µν = 𝑅e [i𝜕qµ 𝜒 ν(q)]q =0 , (11) est la
contribution du dipôle de couple de spin. La fonction de Green standard ou les
techniques à plusieurs corps peuvent être utilisées pour évaluer cette réponse
linéaire pour les systèmes avec un désordre arbitraire et des interactions entre les
porteurs. Les coefficients de spin-Hall pour quelques modèles de semiconducteurs
incluant les effets du désordre sont maintenant considérés par Sugimoto et al. basé
sur notre nouvelle définition du courant de spin , qui a trouvé des résultats
radicalement différents des conductivités Hall de spin conventionnelles. Par
exemple, on trouve que la conductivité de spin Hall dépend explicitement des
potentiels de diffusion pour les modèles Rashba bidimensionnels avec couplage
spin-orbite k-linéaire ou k-cubique. Pour le modèle k-cubique, le spin Hall
conventionnel la conductivité est robuste contre le désordre, mais ce n'est pas le
cas si la nouvelle définition du courant de spin est adoptée. Cela implique alors
qu'aux frontières lisses, l'accumulation de spin dans de tels systèmes est de nature
extrinsèque .
La conservation de notre nouveau courant de spin permet de considérer le
transport de spin dans la masse sans avoir besoin de travailler explicitement sur
un couple de spin (densité dipolaire) qui peut être généré par le champ électrique.
On peut penser au transport de spin pour les systèmes à fort couplage spin-orbite
au sens « usuel » établi pour les systèmes à faible couplage spin-orbite. Par
exemple, il est d'usage de lier la densité de spin et le courant de spin à travers
l'équation phénoménologique suivante de continuité de spin,

𝜕 𝑆𝑍 𝑆𝑍
+∇ . 𝐽𝑠 = − (12)
𝜕𝑡 τ𝑠

25
où τ 𝑠 est le temps de relaxation de spin, et le courant de spin a la forme 𝐽𝑠 = σE -
𝐷𝑠 ∇𝑆𝑍 . Cela n'a de sens que si notre nouveau courant de spin est utilisé dans le
calcul de la conductivité Hall de spin σ, sinon un terme supplémentaire de couple
de spin généré par le champ doit être ajouté .
L'équation (12) peut servir de base pour déterminer l'accumulation de spin à une
limite d'échantillon, ce qui est d'un grand intérêt actuel. Considérons un système
ayant une frontière lisse produite par un potentiel de confinement variant
lentement. Nous supposons que l'échelle de variation de longueur est beaucoup
plus grande que le libre parcours moyen, de sorte que l'équation de continuité ci-
dessus peut être appliquée localement. En intégrant de l'intérieur vers l'extérieur
de l'échantillon frontière, on obtient une accumulation de spin par domaine avec
̅̅̅̅
𝑆𝑍 = 𝐽𝑏𝑢𝑙𝑘 τ 𝑠 , où τ 𝑠 est le temps de relaxation du spin. Nous soulignons que le
courant de spin de transport responsable de l'accumulation de spin limite doit
êtreJs au lieu du courant de spin conventionnel J 𝑠 . Pour les frontières nettes,
l'équation de continuité de spin ne peut à elle seule produire une relation unique
entre le courant de spin provenant de la masse et l'accumulation de spin à la
frontière. Pour une paroi tranchante parfaitement réfléchissante dans le cas d'un
fort couplage spin-orbite, l'accumulation de spin limite semble être déterminée
par le courant de spin conventionnel du volume . Cependant, une telle relation est
modifiée pour d'autres conditions aux limites . Cela nécessite des expériences bien
contrôlées pour éliminer explicitement l'influence de la condition aux limites.
D'autre part, pour la classe générique des frontières lisses discutée ci-dessus, il
existe une relation unique entre l'accumulation de spin et le courant de spin, à
condition d'utiliser notre nouvelle définition .
Le véritable avantage de notre nouvelle définition du courant de spin réside dans
le fait qu'elle fournit une description satisfaisante du transport de spin dans le
volume. Avec notre nouveau courant de spin, on peut maintenant utiliser
l'équation de continuité de spin (12) pour discuter de l'accumulation de spin dans
la masse, par exemple en générant un champ électrique non uniforme ou en
modulant spatialement la conductivité Hall de spin. Notre nouveau courant de
spin s'annule dans les isolateurs d'Anderson, soit en équilibre, soit en faible champ
électrique, ce qui nous permet de prédire l'accumulation de spin nul dans de tels
systèmes. Plus important encore, il possède une force conjuguée (force de spin),
de sorte que le transport de spin peut être adapté au formalisme standard du
transport proche de l'équilibre. Le courant de spin conventionnel n'a pas de force
conjuguée, il n'est donc même pas logique de parler de dissipation d'énergie de ce

26
courant. L'existence d'une force conjuguée est cruciale pour l'établissement des
relations d'Onsager entre le transport de spin et d'autres phénomènes de transport,
et sa mesure sera importante pour la détermination thermodynamique et électrique
du courant de spin.

III-Capteurs magnétiques
1-INTRODUCTION AUX TECHNOLOGIES DES CAPTEURS
MAGNÉTIQUES
Les capteurs magnétiques sont implantés dans un très grand nombre d’objets
technologiques qui nous entourent. Par exemple, une voiture récente contiendra
plus de trente capteurs magnétiques et vous en trouverez également dans un
réfrigérateur, une machine à laver et même certaines chaussures de sport. Les
capteurs magnétiques permettent en effet de détecter et mesurer un champ
magnétique créé par un objet magnétique (aimant ou bobine) ou par un courant
électrique (à travers son champ magnétique rayonné). Ils offrent donc de très
nombreuses possibilités liées à la transmission d’information sans contact, à la
détection à distance ou à la mesure d’un courant. Nous allons d’abord donner un
aperçu des divers types de capteurs magnétiques, et voir comment ceux qui sont
issus de l’électronique de spin se placent dans ce paysage ; puis nous allons
illustrer leur intérêt à travers quelques exemples .

Les différents capteurs magnétiques

Il y a environ une quinzaine de types de capteurs magnétiques. Certains sont des
capteurs de champ (c’est-à-dire des capteurs mesurant directement la valeur du
champ magnétique selon un ou plusieurs axes), d’autres, des capteurs de flux
(c’est-à-dire mesurant l’intégrale du champ passant à travers une surface). Le
tableau p. 9 donne une liste des principaux types de capteurs utilisés. Il est toujours
difficile de comparer des capteurs magnétiques, dans la mesure où chacun possède
des avantages particuliers. Par exemple, les capteurs à effet Hall ne sont pas très
sensibles, mais présentent l’intérêt d’être absolus et linéaires sur une très grande
plage de champ : ils sont donc incontournables dans les applications qui mesurent
de fortes valeurs de champs. Un deuxième aspect déterminant est l’extension
spatiale du champ magnétique à mesurer. Si elle est grande, comme pour
l’imagerie terrestre, il faut utiliser des capteurs de flux qui sont beaucoup plus
sensibles que les capteurs de champ. Si, au contraire, l’extension spatiale devient
petite, il faut utiliser des capteurs de champ. C’est pour cette raison que les
27
capteurs à magnétorésistance géante (GMR), issus de l’électronique de spin, se
sont implantés dans les têtes de lecture à la place des bobines inductives : ils
peuvent être miniaturisés à des tailles de quelques dizaines de microns et intégrés
à des systèmes CMOS contenant une électronique de traitement de signal. Enfin,
la fréquence du champ à détecter est aussi importante : à très haute fréquence, les
capteurs inductifs (bobines) deviennent vraiment plus performants, car ils ont une
sensibilité proportionnelle à la dérivée du flux et qui croît donc comme la
fréquence.

Boussoles et mesure du champ terrestre

La boussole mécanique, inventée en Chine il y a 4500 ans, est le premier capteur
magnétique utilisé par l’homme. Basée sur l’orientation d’une aiguille dans le
champ magnétique terrestre, elle est de moins en moins utilisée de nos jours,
surtout depuis la généralisation des systèmes GPS basés sur le positionnement par
des références spatiales satellitaires. La boussole donne une mesure de la direction
du champ magnétique et non de son intensité. Les boussoles actuelles
(électroniques) se trouvent associées à un GPS, ce qui permet d’orienter les cartes
du GPS dans la bonne position dans le cas d’un système embarqué dans un
véhicule, par exemple. Le contrôle du positionnement dans l’espace, en se servant
du champ magnétique terrestre comme axe de référence, se développe aussi pour
les applications de robotique, de jeux et d’enregistrement de mouvement (tel le
stylo numérique). Une boussole électronique contient maintenant deux ou trois
capteurs magnétiques axiaux (sensibles à une direction du champ) couplés à des
mesures d’inclinaison et parfois à des accéléromètres. Les principales
technologies utilisées sont l’effet Hall, les microfluxgates et l’effet d’impédance
magnétique géante (GMI) qui n’est pas un effet d’électronique de spin, mais qui
utilise la très grande variation de l’absorption radiofréquence de certains
matériaux magnétiques en fonction de leur configuration magnétique statique

Capteurs de position et d’angle

Le principe du codage de position ou d’angle est d’avoir un cylindre ou une roue
présentant des pôles magnétiques alternés dont le passage va être détecté par un
capteur magnétique. Cela peut être réalisé avec des aimants inversés ou avec des
roues magnétiques dentées (fig. 1).
Lors du mouvement, le passage à zéro (renversement de la composante du champ
magnétique suivant une direction donnée) permet de localiser la position physique
du cran. Une roue, contenant par exemple 180 crans, permet d’obtenir avec un

28
seul capteur magnétique une résolution de 2°. En utilisant plusieurs capteurs, il
est possible d’augmenter fortement la résolution par interpolation. La
magnétorésistance géante permet d’avoir une sensibilité en champ faible
meilleure d’au moins un ordre de grandeur que celle des capteurs à effet Hall.
Pour cette raison, la détection d’un passage en champ nul peut être
particulièrement précise avec des capteurs de type GMR. Il existe un certain
nombre de produits commerciaux présentant des résolutions angulaires pouvant
atteindre 0,001° avec une barrette de 5 capteurs. Les codeurs linéaires
fonctionnent sur le même principe : une barrette magnétique est alternativement
aimantée et un réseau de capteurs fixé à l’élément mobile compte le passage des
alternances. Un positionnement de 1 μm est possible avec cette technologie. Les
applications principales sont dans l’automobile et dans l’équipement pour la
mesure de vitesse, la mesure de l’angle de rotation de moteurs ou d’éléments
tournants, et le positionnement

Capteurs de courant
Une autre application essentielle des capteurs magnétiques est la mesure de
courants sans contact. Un courant circulant dans un conducteur produit un champ
magnétique ortho radial, le champ d’Oersted, qui peut être détecté sans contact,
assurant ainsi une isolation galvanique entre la mesure et le circuit. Ce principe
est utilisé dans des compteurs électriques ou dans des systèmes industriels
nécessitant une isolation galvanique. Pour donner un ordre de grandeur, un
courant de 1 ampère à 1 mm de distance crée un champ de 6.10−4 Tesla, c’est-à-
dire 20 fois le champ terrestre. Par exemple, la mesure de la consommation
électrique des domiciles est réalisée par des capteurs de courant sans contacts.
Dans ce cas, les courants à mesurer sont forts et la linéarité est très importante.
Pour cette raison, on utilise des capteurs à effet Hall relativement optimisés. La
technologie de couches minces utilisée pour la fabrication d’éléments GMR
permet d’intégrer un grand nombre de capteurs sur une petite surface de
composants. Il est ainsi possible de développer des capteurs intégrés à base de
magnétorésistance géante permettant de mesurer un courant faible sans contact,
avec une isolation galvanique importante. À titre d’exemple, nous développons
dans notre laboratoire un capteur de courant à huit voies contenant chacune quatre
GMRs montées en pont. On est ainsi insensible aux dérives de température ou de
champ extérieur. La figure 2 montre le schéma d’un pont et un exemple de
réponse. Lorsqu’un courant circule dans la ligne placée au-dessus des GMRs, un
champ magnétique planaire est créé au niveau de ces dernières,

29
proportionnellement au courant. La forme en U de la ligne permet d’avoir deux
GMRs montées en réaction inverse et donc de réaliser un pont complet avec un
maximum de sensibilité. La difficulté de ces montages est d’avoir un isolation
galvanique suffisante entre lignes de courant et capteurs ; ainsi, 1500 V sont requis
pour les applications automobiles.

capteurs de champ ultrasensibles

Une application originale de la magnétorésistance est la mise au point de capteurs,
appelés capteurs mixtes [3], permettant d’atteindre un niveau de sensibilité de
l’ordre du fT/√𝐻𝑧 (10−15 T/√𝐻𝑧), comparable aux meilleurs capteurs
magnétiques existants, les SQUIDs. Ces capteurs mixtes sont basés sur
l’association d’une boucle supraconductrice, agissant comme un transformateur
flux-champ, et de capteurs GMRs qui permettent de mesurer un champ local
amplifié. La figure 4 montre une vue de ce type de capteur, avec deux GMRs
montées en demi-point. Dans la boucle supraconductrice (en rouge), un champ
faible sur une large surface est transformé en un champ intense sur une toute petite
surface. Les capteurs magnéto résistifs étant des capteurs de champ, leur
sensibilité est indépendante de leur taille. Dans le cas d’une boucle
supraconductrice à haute température critique, des gains de l’ordre de 1000 sont
obtenus. En associant cette boucle avec des capteurs GMRs qui sont aussi à basse
température, nous arrivons à des détectivités de 1 fT/√𝐻𝑧 à 4 K et 5 Ft /√𝐻𝑧 à
77 K au-delà de 10 kHz. À basse fréquence, un bruit de résistance en 1/f apparaît
dans les capteurs GMR en raison de leur petite taille, qui limite la sensibilité à
environ 100 fT/√𝐻𝑧 à 1 Hz .
L’application principale de ces capteurs mixtes est la magnétoencéphalographie
(MEG), qui permet de remonter à l’imagerie des courants neuronaux circulant
dans le cerveau à travers le champ rayonné par ces courants. La figure 5 montre
un signal de magnétocardiographie (signal magnétique cardiaque) enregistré à
l’aide d’un capteur mixte à 77 K. Les futurs développements de ces systèmes
seront d’une part l’utilisation des capteurs de type TMR qui permettront un gain
de sensibilité, et d’autre part l’emploi de techniques de modulation du courant
supraconducteur pour éliminer la contribution du bruit basse fréquence des
GMRs.

Conclusion
Les capteurs magnétiques sont donc un domaine où l’électronique de spin a
permis d’apporter une nouvelle richesse, en amenant la possibilité d’une grande
30
sensibilité sur une petite échelle spatiale. Si on exclut le domaine des têtes de
lectures où maintenant seules des magnétorésistances géantes ou tunnel sont
utilisées , la production en grande série de capteurs GMR vient seulement de
commencer. Le paramètre clef est l’intégration totale des éléments sensibles dans
le procédé de fabrication CMOS. Maintenant, la plupart des entreprises dominant
le marché se sont lancées dans ce développement, et il est probable que dans 4 à
5 ans les capteurs magnétiques basés sur l’électronique de spin auront une place
prépondérante dans cet ensemble, qui représente plus de 4 milliards d’unités par
an.

VI-l’enregistrement magnétique
Le principe de l’enregistrement magnétique proposé par l’anglais Oberlin Smith
et complété par le hollandais Wilhelm Hediche en 1888 devait aboutir à la
réalisation du telegraphon dix années plus tard par le danois Kaldenar Poulsen ;
le succès des phonos à cylindre ou à disque et les problèmes d’ordre technique et
technologique devaient retarder d’une quarantaine d’années la commercialisation
de ce type d’appareil.

Figure 1 : Le télégraphone de W. Poulsen : un électroaimant alimenté par un micro

parcourt un fil d’acier enroulé sur un cylindre et l’aimante donc de façon variable.
L’aimantation rémanente engendre une tension induite aux bornes du même
électroaimant lorsqu’il le parcourt à nouveau.

31
Très rapidement le cylindre sera remplacé par des bobines de fil ou de ruban
d’acier puis de bande plastique recouverte d’oxyde de fer, la tête de lecture
(l’électroaimant) restant fixe.
En 1938, la firme allemande AEG-Telefunken proposait le premier appareil
d’enregistrement sonore sur bande magnétique sous le nom, tombé dans le
domaine public, de magnétophone. Par la suite, la recherche de la miniaturisation
ne s’opposera pas à l’amélioration de la qualité et le travail - souvent discret - des
chimistes pour l’élaboration des bandes sera certainement déterminant.

1- LE PRINCIPE DU MAGNÉTOPHONE

Figure 2:

On aimante la bande en la soumettant à un champ magnétique. On utilise pour

cela une tête d’enregistrement qui est un électroaimant en forme d’anneau. Les
bobines sont parcourues par un courant modulé provenant du microphone après
avoir été amplifié. L’aimantation est obtenue en faisant passer la bande devant
l’entrefer dont la largeur est de quelques micromètres actuellement.

32
 Figure 3:

La couche magnétique conserve une aimantation rémanente, mais à cause du

phénomène d’hystérésis, celle-ci n’est pas proportionnelle au courant, d’où une
distorsion inacceptable. Très tôt (en 1927) les américains Carlson et Carpenter
montrent qu’il suffit de superposer au signal à enregistrer un signal sinusoïdal à
haute fréquence pour retrouver la linéarité impérative.
Aux circuits précédents on associe un oscillateur dont la fréquence propre varie
de 40 kHz pour les enregistrements les plus médiocres à 120 kHz pour les plus
performants. L’intensité de cette prémagnétisation dépend de la nature de la
couche magnétique.
Cet oscillateur a la charge d’une autre fonction : celle d’effacer la bande avant
l’enregistrement. Une aimantation continue de la bande par un aimant s’étant
révélée plus délicate que prévue, on préfère enregistrer le signal ultrasonore de
l’oscillateur précédent avec une intensité adaptée à la nature de la bande.

33
 Figure 4: : Le système d’enregistrement sonore à trois têtes.

Les appareils professionnels ont toujours trois têtes :

• Une tête d’effacement avec un entrefer assez large (une centaine de
micromètres) et un champ magnétique suffisant pour éliminer toute
aimantation antérieure des bandes «métal» en particulier.
• Une tête d’enregistrement et une tête de lecture séparées pour deux
raisons : d’une part le confort de l’opérateur qui entend quasi
instantanément la qualité de son enregistrement ; d’autre part, l’entrefer de
la tête de lecture doit être le plus mince possible (de l’ordre du micromètre)
pour restituer les fréquences les plus élevées du spectre tandis que celui de
la tête d’enregistrement est assez large (une dizaine de micromètres) pour
obtenir l’aimantation de la couche d’oxyde sur toute sa profondeur

Figure 5 : Un magnétophone professionnel portable : le Nagra IV-S.

34
 Les appareils à minicassette n’ont qu’une seule tête (avec double bobinage pour
la stéréo) utilisée pour l’enregistrement et la lecture ; l’entrefer a donc une largeur
intermédiaire de quelques micromètres, ce qui limite la restitution des fréquences
aiguës.
Supposons un son de fréquence 15 000 Hz enregistré sur la bande d’une
minicassette dont la vitesse de défilement standard est de 4,75 cm/s. Une période
du signal occupe :
1 /15 000 x 4,75.10−2 3,2 𝜇m
soit les dimensions de l’entrefer. En conséquence le courant induit est nul et la
fréquence est passée à la trappe ; il ne restera alors que le bruit de fond de la bande,
quelles que soient les manipulations électroniques du genre Dolby

Figure 6 : L’entrefer est trop large pour lire les

Figure 5 : Un magnétophone professionnel variations d’aimantation symbolisées par la
portable : le Nagra IV-S. courbe.

2. LA BANDE MAGNÉTIQUE
Une bande magnétique est composée de deux parties bien distinctes : le support
et la couche magnétique.
Le support doit être assez souple pour épouser le mieux possible la forme des têtes
afin de ne pas perdre trop d’aigus. Il doit être peu sensible à la chaleur et à
l’humidité et surtout à la traction, c’est pourquoi les fabricants sont passés par
l’acétate de cellulose, le polyvinyle puis le polyester pré-étiré.

35
La couche magnétique d’oxyde de fer Fe2O3 ou de dioxyde de chrome CrO2 doit
être la plus homogène possible ; les cristaux en aiguilles de 0,3 𝜇m de longueur
sont soigneusement orientés dans le sens du défilement (par un champ
magnétique) à la fabrication. La surface est éventuellement lissée pour ne pas
entraîner une usure prématurée des têtes et pour réduire le bruit de fond de la
bande. Enfin le liant qui fait adhérer la couche au support doit résister au temps.

Figure 8 : La bande d’une minicassette C 60 vue en coupe et de face côté oxyde. Les épaisseurs relatives
de la couche et du support sont à diviser par deux pour une C 120 (les appareils professionnels - à
bobines ouvertes - utilisent une bande deux fois plus large et les pistes y sont entrelacées).

3. LA PARTIE MÉCANIQUE
Aujourd’hui les volants d’inertie sont abandonnés et c’est l’axe du moteur qui
joue le rôle de cabestan. La régulation de la vitesse est plus ou moins sophistiquée
: régulation centrifuge par une masselotte solidaire du rotor, régulation
électronique avec de nombreuses variantes (la dérive est appréciée par le terme
pleurage des caractéristiques techniques).
La bande est appliquée sur le cabestan par un galet presseur en caoutchouc avec
une «force» de un kilogramme pour le Nagra ! Elle est donc entraînée après son
passage devant les têtes.
Elle doit maintenant être tendue. Pour cela la bobine débitrice s’oppose au
mouvement imposé par le moteur :
pour les appareils professionnels, un moteur auxiliaire exerce un couple constant
opposé à la rotation (il servira au rembobinage rapide),

36
pour les appareils à cassette, compte tenu des masses en mouvement, la friction
de la bobine dans son boîtier suffit à tendre la bande.
Quelle que soit la solution, on peut remarquer que la tension augmente au cours
de l’audition puisque le rayon de la bobine diminue régulièrement (elle passe de
«30 g» à «70 g» pour le Revox A 77).
De même, du côté de la bobine réceptrice, il faut bobiner la bande, d’où un couple
moteur obtenu soit par un deuxième moteur auxiliaire, soit par une ponction de
l’énergie du moteur grâce à un jeu de courroies ou de galets. Ici la tension de la
bande diminue régulièrement tandis que la vitesse de rotation de la bobine décroît.
Pendant la phase de rembobinage, la tension évolue peu (~ «200 g» pour le Révox)
puisque le moment moteur et le moment résistant varient de façons opposées.
Enfin, compte tenu des largeurs des pistes enregistrées, on devine la précision du
guidage transversal de la bande le long de son parcours sans que celui-ci
n’engendre la moindre vibration, ce qui serait catastrophique .

Figure 9 : La platine des têtes du Revox A77.

37