Cours Memoire LSRT
Cours Memoire LSRT
Cours Memoire LSRT
ESP/UCAD
Mémoire
• Mémoire: élément clé des systèmes numériques
alphanumérique ou autre
de bytes de la mémoire.
Mémoire
Capacité de mémoire
Mémoire
• Composée d'un verrou RS (bascule RS) avec des portes logiques qui forment une
bascule D.
• Normalement, une cellule a 4 ou 6 transistors
• Pour activer la cellule (pour la lecture ou l’écriture) on doit activer l'entrée
Select (Select=1)
• Pour faire la lecture, Lire/Ecrire = 1, et pour faire l’écriture, Lire/Ecrire = 0
• Cette cellule de base permet de construire des mémoires plus complexes
Mémoire
Mémoire
- 2 inverseurs
mots.
transistors 2 à 2 complémentaires.
• Où a
n-1, …, a0 sont les bits d’adresse, les valeurs d0, …, dn-1 sont à écrire dans la
mémoire , il est possible de réaliser toute fonction de n variables appliquées
aux adresses de la mémoire. La fonction ainsi réalisée est appelée table de
transformation ou communément LUT (pour Look Up Table)
Les circuits combinatoires à base de RAM (2)
- Entrées: adresses
- Sorties: données
• ROM est une mémoire non volatile: l'information est conservée même si le ROM
Les données sont directement inscrites dans le semi conducteur par masquage à la
fabrication : on utilise le principe d’une matrice à diode et l’interrupteur d’adressage
Est constitué par un interrupteur statique (transistor).
• PROM: Programmable ROM. On utilise un programme pour enregistrer les valeurs sur le ROM. C’est à dire les
données sont inscrites par l’utilisateur une seule fois alors. (souvent on utilise aussi Fuse PROM)
• Structure : Réalisée à l’aide de deux technologies :
- à partir de transistors bipolaires dont leurs liaisons entre l'émetteur et le
collecteur sont effectuées par l'intermédiaire d'un fusible.
- Par destruction de fusibles pour les PROM à fusibles . Après avoir programmé le PROM en appliquant des
à la mémoire, aux adresses désignées, des impulsions de courant sont envoyées par les bus de données
qui détruiront le fusible là où on vet modig=fier les états des points de connection. (I varie de 10 mA à 1A)
Les EPROMs
• EPROM pour Erasable PROM : PROM effaçable : c’est comme le PROM sauf qu’on peut effacer
• Structure :Mémoire MORTE réalisée avec des transistors FAMOS (Floating Gate MOS = MOS à
grille Flottant, un MOS de type P dont la grille n’est relié à aucun conducteur). Si on applique une
et par effet tunnel des électrons sont injectés dans la grille flottante. Lorsqu’on annulle la tension,
les électrons piégés dans la grille ne peuvent plus s’écouler tout seuls. La grille est polarisée et
produit alors un canal P et donc le transistor est passant (S=0). Si on lui soumet un UV, la donnée
s’efface.
Les EEPROM