L2 TIC

Architecture des Microprocesseurs &

Microcontrôleurs

2022- Chouchene Marwa

 Chapitre 1:

Les Mémoires
Plan

I. Introduction.
II. Organisation des informations
dans une Mémoire.
III. Structure d’une Mémoire.
IV. Connexion des Boitiers
Mémoire.
V. Caractéristiques.
VI.Hiérarchisation de la mémoire.
VII.Types des Mémoires.
I. Mémoire Vive.
II. Mémoire Morte.
I. Introduction
Caractéristiques essentielles d’un système à base d’un
microprocesseur (PC, Smartphone, etc...): Vitesse ou
Fréquence et Capacité mémoire

Définition
 Une mémoire est un dispositif capable d’enregistrer des
informations, de conserver ces informations aussi longtemps
que nécessaire ou que possible, et de les restituer à la
demande.

 La mémoire est une juxtaposition de cellules ou case

mémoires, chacune de ces cellules est identifiée d’une
manière unique par un numéro (Adresse)

 Les informations en Mémoire sont deux

types:
 Les programmes (les instructions)
 les données (sur les quelles agissent les
instructions)
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I. Introduction(1)
Deux types de classification des mémoires :
 Mémoire centrale: très rapide, peu encombrante mais
coûteuse (RAM, PROM, etc..).
 Mémoire de masse / auxiliaire, plus lente, assez
encombrante, mais meilleur marché (disque dur, CD,
DVD).

Sur une mémoire on peut effectuer l’opération de :

 Lecture : récupérer / restituer une information à partir de la
mémoire.
 Ecriture : enregistrer une nouvelle information ou modifier une
information déjà existante dans la mémoire.
 Il existe des mémoires qui offrent les deux modes
lecteur/écriture, ces mémoire s’appelles mémoires vives.
 Il existent des mémoires qui offrent uniquement la possibilité de
la lecture (c’est pas possible de modifier le contenu). Ces
mémoires s’appelles mémoires mortes.
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II. Organisation des
informations dans une Mémoire
 Bit (Binary Digit) : unité de base de
l’information : contenu d’une case / point
mémoire
 Octet : Regroupement de 8 bits ;
 Caractère : Groupement de 6, 7, 8…bits
permettant le codage d’un caractère
alphanumérique ou d’un caractère spécial selon
les conventions du codage ASCII, EBCDIC,…
 Mot : Groupement de bits constituant une
unité d’information adressable en mémoire
centrale
 Enregistrement : bloc de données : unité
d’information stockée en mémoire.
 Fichier : ensemble d’enregistrement. 6
III. Structure d’une Mémoire

Structure physique d’une mémoire centrale

(Semi Conducteur)

 RAM (Registre d’adresse Mémoire) : ce registre stock

l’adresse du mot à lire ou a écrire.
 RIM (Registre d’information mémoire) : stock
l’information lu à partir de la mémoire ou l’information à
écrire dans la mémoire.
 Décodeur : permet de sélectionner un mot mémoire.
 R/W: commande de lecture/écriture, cette commande CS
permet de lire ou d’écrire dans la mémoire ( si R/W=1 alors
lecture sinon écriture ).
 CS: Chip Select permet la sélection du boitier

 Bus d’adresses de taille n bits.

 Bus de données de taille m bits.

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III. Structure d’une Mémoire
Comment sélectionner un mot
Mémoire
 Lorsque une adresse est chargée dans le registre RAM, le
décodeur va recevoir la même information que celle du RAM.
 A la sortie du décodeur nous allons avoir une seul sortie qui
est active, cette sortie va nous permettre de sélectionner un
seul mot mémoire.

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III. Structure d’une Mémoire
Exemple du boitier Mémoire

CI RAM de 1K de 9Mots
de taille 1 octet(8
bits) chacun.
III. Structure d’une Mémoire(1)
Chip Mémoire

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III. Structure d’une Mémoire
Exercice Solution
Soit la mémoire suivante:
Nbit _ bus @
1- Déterminer la capacité de cette
Mémoire
1- CM 2 Nbit _ BusD
20
2 8 8Mbit 1Mo
N log(CM / m)
2- CM2 m  N 
log(2)
N 10
000h  3FFh Intervalle
d’adresse
2- Une mémoire RAM possède
une capacité C= 2Ko. pour un
A0-A9 RAM
mot mémoire de 16 bits, 1K×1
déterminer l’intervalle d’adresse
ainsi que la représentation
6bit
D0- 11
graphique du circuit mémoire D15
correspondant en précisant les CS R/W
IV. Connexion des Boitiers Mémoire

A0-A1
RA
M
D0-D3
4×
4
CS R/W

12
IV. Connexion des Boitiers Mémoire

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V. Caractéristiques
 Adresse : Valeur numérique désignant un élément
physique de mémoire.
 Capacité / taille : nombre d’informations qu’elle peut
contenir en bits, octet ou mots.
 Exemple: mémoire de 512 Kmots de 16 bits équivaut à 512 x 1024
mots = 512 x 1024 x 16 bits = 512 x 1024 x 2 x 8 bits = 8 Mbits=
1 Mo

 Volatilité : Permanence des informations: Laps de temps

pendant lequel la mémoire est capable de retenir des
informations de manière fiable. Mémoire volatile: perd son
contenu lorsque l’on coupe le courant (RAM). Mémoire non
volatile: conserve les informations sans devoir être
alimentée (ROM).
 Temps d’accès : Temps nécessaire pour accéder en
mémoire
 Cycle mémoire (Temps de cycle): Temps minimal
s’écoulant entre deux accès successifs à la mémoire
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(Temps d’accès + Temps de synchronisation)

V. Commande de
Caractéristiques(1)
lecture

Commande
d’écriture

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V. Caractéristiques(2)
Prix de revient: Mémoires électroniques: coût de
stockage élevé => faible capacité.
Mémoires magnétiques: moins onéreuses.
Encombrement physique: Il est intéressant d’avoir des
mémoires occupant le volume physique le plus petit
possible.

Les deux grandes familles de mémoires

Mémoires centrales Mémoires de masse
(électroniques) (magnétiques ou optiques)

Avantages Inconvénients Avantages Inconvénients

Très rapides Généralement Peu chères Assez
volumineuses
volatiles
Peu volumineuses Chères Non volatiles Lentes
Directement De faibles De grandes 16

adressables capacités capacités

V. Caractéristiques(3)
Différents types d’accès
 Accès séquentiel: le plus lent: pour accéder à une
information; il faut parcourir toutes celles qui la précèdent
(bandes magnétiques).
 Accès aléatoire ou direct: adresse propre pour chaque
information => mémoire adressable (mémoire centrale,
registres).
 Accès semi-séquentiel: combinaison accès direct et
séquentiel (disques magnétiques: accès direct au cylindre et
accès séquentiel au secteur).
 Accès par le contenu (mémoire associative): informations
identifiées par une clé et recherche de la clé de façon
simultanée sur toutes les positions mémoire (antémémoire ou
mémoire cache).

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VI. Hiérarchisation de la mémoire
 L’ Hiérarchie Mémoire tient compte de
l'éloignement par rapport au processeur :

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 VI. Hiérarchisation de la mémoire(1)

 les registres sont les éléments de mémoire les plus rapides. Ils
sont situés au niveau du processeur et servent au stockage des
opérandes et résultats intermédiaires.
 la mémoire cache est une mémoire rapide de faible capacité
destinée à accéléré l'accès à la mémoire centrale en stockant les
données les plus utilisées.
 la mémoire centrale contient les programmes (code + données) et
est plus lente que les deux mémoires précédentes.
 La mémoire d'appui est l'équivalent de la mémoire cache pour la
mémoire de masse.
 la mémoire de masse est un support de stockage généralement
de grande capacité et sert au stockage et à l'archivage des
informations.

Grande capacité et coût faible

Stockage permanent: long terme

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VII. Types de Mémoire à Semi
Conducteur
 Les différentes mémoires peuvent être classées
comme indiqué sur le schéma ci-dessous :

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VII. Types de Mémoire à Semi
Conducteur
Les Mémoires Vives
 a mémoire vive ou RAM (Random Access Memory)
pour mémoire à accès aléatoire, est une mémoire
volatile, cela signifie que si l'on coupe l'alimentation, les
données qu'elle contient sont perdues.

 Caractéristiques :
 stocker les programmes exécutés par le processeur.
 accessible en lecture et en écriture.
 organisée sous forme matricielle.

Classifications :

 Il existe deux grandes familles de mémoires

vives :
 les RAM Statiques : SRAM
21  les RAM Dynamiques : DRAM
Les Mémoires Vives
RAM statique: point mémoire = circuit bistable à transistors.
Ne nécessite quasiment aucun rafraîchissement pour des
heures à quelques jours => rapide (Temps d’accès: 6 à 15 ns),
mais chère => mémoires de faible capacité (cache pour µP).

SRAM Volatile: conserve l’information tant que le

circuit reste sous tension,
SRAM Non Volatiles: capacité de conserver
l’information en l’absence d’alimentation.

 RAM dynamiques: point mémoire = un condensateur,

Nécessitent un rafraîchissement de plusieurs milliers de fois
par seconde. Deux générations de RAM dynamique.
 La plus ancienne: DRAM asynchrone: FPM et EDO.
 Nouvelle génération: DRAM synchrone: SDRAM, RDRAM
(ou Rambus), DDR-SDRAM,…

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Les Mémoires Vives

 La mémoire vive statique : SRAM

 Chaque bit d'une SRAM est formé par une
bascule (latch) constituée par 4 à 6 transistors.
 L'information stockée peut être maintenue sans
dégradation pendant une centaine d'heures.
 L'intéret de ce type de mémoire est sa vitesse
(quelques ns) mais son cout est chère. => une
bascule est composée de deux portes NOR
constituée chacune de deux transistors (soit un
total de 4 transistors pour un bit d'information).
 Utilisation de SRAM lorsque le facteur vitesse
est critique et notamment pour des mémoires
de petite taille comme la mémoire cache.
23
 Les Mémoires Vives
 La mémoire vive statique : SRAM

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Les Mémoires Vives
Fonctionnement de la DRAM
(1)
 Constituée de centaines de milliers de condensateurs
emmagasinant des charges.1 bit mémoire = 1
condensateur (chargé -> état logique 1, déchargé -> état
logique 0).
 Etant donné que les condensateurs se déchargent, il faut
constamment les rafraîchir à un intervalle de temps
régulier appelé cycle de rafraîchissement (≈15ms).
 Pendant le rafraîchissement, mémoire indisponible en
lecture et écriture => temps d’accès lent (≈ 60ns).
 Chaque condensateur est couplé à un transistor permettant
de "récupérer" l'état du condensateur. Ces transistors sont
rangés sous forme de tableau.
 On accède à une "case mémoire" par une ligne et une
colonne pendant un délai appelé temps de latence
Fonctionnement de la DRAM (2)
Temps d’accès = temps de cycle Horloge(Processeur) +
temps de latence
=> Un PC à fréquence élevée utilisant des mémoires à
temps d'accès long doit effectuer des cycles d'attente
(wait state) pour accéder à la mémoire.
 Exemple: PC cadencé à 200Mhz utilisant des DRAM
à temps d'accès de 60ns =>11 cycles d'attente pour
un cycle de transfert => performances diminuées 11
fois

 Technique d’atténuation du temps d’accès:

 Accès par page ou Pagination: accéder à toute une
rangée de cellules: page à la fois. On parle alors de
DRAM FPM (Fast Page Mode).
 Accès en rafale (burst mode): accéder aux trois données
consécutives à la première sans temps de latence
supplémentaires => le temps d'accès aux trois autres
données est égal aux temps de cycle,
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onctionnement de la DRAM (3)
DRAM ASYNCHRONE
 Quand le processeur fait un accès à cette
mémoire, il doit attendre que celle-ci ait terminé
son travail, pour faire un autre accès => temps
d’attente.
Solution
 L’utilisation par exemple de la: RAM EDO
(Extended Data Out) apparue en 1995. La
technique consiste à adresser la colonne
suivante pendant la lecture des données d'une
colonne.
=> gain du temps sur chaque cycle.
=> période d’attente minimisée entre 2 lectures.
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Fonctionnement de la DRAM (4)
DRAM SYNCHRONE
 Lorsque le processeur fait un accès à la mémoire, il peut
continuer à travailler en attendant la réponse => Pas de
temps d’attente.
 Pour synchroniser la mémoire on utilise deux composants
que l’on place entre la mémoire et le processeur :
 La mémoire est reliée à une horloge qui cadence les
échanges entre la mémoire et le processeur,
 La mémoire et le processeur sont reliés à un buffer qui
stocke les demandes d’accès provenant du µP.
 Plusieurs types de DRAM Synchrones

- SDRAM - RDRAM
- DDR-SDRAM - DRDRAM

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VII. Type des Mémoires à Semi
Conducteur
Les Mémoires Mortes
conserve les informations sans devoir être alimentée:
impression de trace définitive à chacun des composants.
Pour ce faire, on utilisait des diodes par exemple.

Mémoire permettant de stocker des données nécessaires au

démarrage de l’ordinateur.

Très lent par rapport aux mémoires vives: temps d’accès de

l’ordre de 150ms (Solution: souvent on recopie les
instructions de la ROM dans la RAM lors du démarrage).

Evolution technologique => plusieurs types de mémoires

mortes:
ROM PROM FLASH
EPROM EEPROM

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VII. Type des Mémoires à Semi Conducteur
Les Mémoires Mortes
ROM: READ ONLY MEMORY
 Enregistrement définitif de l’information lors de la
fabrication de la mémoire par le constructeur.

 Informations binaires inscrites

directement sur
plaque de silicium grâce à un masque.

 Prix de revient élevé => utilisation limitée aux très

grandes séries.

 Compte tenu de la difficulté de conception et du

prix élevé, il a paru intéressant de fabriquer des
mémoires mortes qui pourraient être programmées
par l’utilisateur.
30
Les Mémoires Mortes
PROM: PROGRAMMABLE ROM

 Mises au point à la fin des années 1970 par la firme Texas

Instruments.

 Ecriture par l’utilisateur au moyen

d’une machine: programmeur PROM.

 Puces constituées de milliers de fusibles pouvant être

« grillés » par l’utilisateur grâce a une machine: qui envoie
un fort courant électrique (12V) dans certains fusibles.

 Ainsi, les fusibles grillés correspondent à des 1 logiques,

les autres à des 0 logiques.

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Les Mémoires Mortes
PROM: PROGRAMMABLE ROM

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Les Mémoires Mortes
EPROM: ERASABLE PROM
 Mémoire effaçable après écriture à l’aide d’un
effaceur d’EPROM = tube à rayons ultraviolets.
 Possède une vitre permettant de laisser passer
des rayons ultraviolets.
 En présence de rayons ultraviolets d’une
certaine longueur d’ondes, les fusibles sont
reconstitués.
 Couramment employée pour de petites séries
et
pour la mise au point des mémoires PROM.
 Problème: Nécessité d’une source d’ultraviolets
=> Il faut enlever la mémoire de son support.
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Les Mémoires Mortes
EPROM: ERASABLE PROM
- Le transistor peut être programmé par l’application
d'une tension suffisamment élevée, qui est appelée
tension de programmation.

Apres effacement
par UV

Apres Programmation

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Les Mémoires Mortes

EEPROM: ELECTRICALLY ERASABLE PROM

 Effaçable électriquement, octet par octet, ce qui

permet de l’effacer même lorsqu’elle est en
position dans un système à base d’un
microprocesseur

 Avantage: Mémoire à la fois non volatiles et

facilement réutilisables.

 Inconvénient : prix de revient élevé et capacité

limitée à 2 Mo, ce qui n’en autorise pas encore
une application courante.

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Les Mémoires Mortes
LES MÉMOIRES FLASH
 Technologie inventé en 1983 présentant des
caractéristiques intéressants de non volatilité
et de rapidité.
 Mémoire ré-inscriptible comme la DRAM, mais
comme la SRAM elle ne nécessite pas de
rafraîchissement et comme l’EEPROM on peut
éteindre l’alimentation sans perdre
l’information.
 Effaçable et programmable électriquement
(EEPROM) par bloc de 64 Ko qui peut se
reprogrammer en un temps bref => Flash
 Inconvénient: prix de revient élevé et un
nombre relativement limité de cycles 36

d’écritures.
Merci Pour Votre
Attention