4.

Microscopie électronique à balayage

4.1. Principe de formation des images en MEB

4.2. Mise en œuvre
4.3. Les différents modes d’imagerie
4.4. Les différents types de contraste
4.5. Performances
4.5.1. Résolution
4.5.2. Profondeur de champ
4.6. Microscopie pratique
 MEB 4.1. Principe de formation des images
Formation d’une image par : balayage d’une zone par un faisceau
d’électrons et détection de l’intensité de rayonnement émise en
chaque point.
Faisceau
incident
d’électrons

Amplitude de balayage image

Grandissement =
Amplitude de balayage objet
 MEB Source
Tension
Wehnelt
4.2. Mise en œuvre Anode
d’accélération

Faisceau d’e-
Lentille é.m.

Vide Générateur de
balayage

Bobines de déflexion

Lentille objectif

Échantillon

Détecteur Amplificateur
de signal Écran
 MEB 4.2. Mise en œuvre
• Canons à électrons
Taille de Brillance Dispersion en Vide nécessaire
la source (A/m2.sr) énergie (eV) (mbar)

Thermoélectronique 10 µm 108 - 1010 1 10-4 – 10-7

Émission de champ 1-10 nm 1013 0,2 – 0,4 10-9 – 10-10

• Détecteurs Détecteur à semi-conducteur

(au-dessus de l’échantillon)
Lentille objectif

Distance
de travail
Compteur à scintillation
(à côté de l’échantillon)
Échantillon
 MEB 4.3. Modes d’imagerie
• Électrons secondaires
= Électrons arrachés aux atomes au cours d’interactions inélastiques
avec pertes d’énergie aléatoires
Faible énergie : ~ 50 eV ⇒ on n’observe que les e- émis près de la surface
Large dispersion en énergie ⇒ leur spectre n’est pas caractéristique
des atomes émetteurs
Grande section efficace ⇒ signal intense
Section efficace légèrement dépendante de la nature des atomes
émetteurs (proportionnelle à Z)

• Électrons rétrodiffusés
= Électrons incidents diffusés élastiquement vers l’arrière (2θθ > 90º)
Énergie élevée : ~ E0 ⇒ peuvent provenir de profondeurs importantes
Faible section efficace ⇒ intensité plus faible qu’en mode é. secondaires
Section efficace fortement dépendante de la nature des atomes
émetteurs (proportionnelle à Z2) ⇒ cartographie en éléments
 MEB 4.3. Modes d’imagerie
• Détection sélective des é. s. / é. r. avec le compteur a
scintillation

Mode électrons secondaires Compteur à

scintillations

Mode électrons rétrodiffusés

VC : tension de grille collectrice, Vd : tension d’accélération

 MEB 4.3. Modes d’imagerie
• Détection des é. r. avec le détecteur à semi-conducteur
Électrons incidents

Silicium dopé
n (massif)

Jonction p-n
(100-1000 µm)

Silicium dopé
p (0,1 µm)
-V
Électrons
Fine couche d’or retrodiffusés
(qq dizaines de nm)

Échantillon

• Détection sur un grand angle solide

• Seuls les é. r. sont détectés car les é.s. n’ont pas assez d’énergie pour
traverser la couche inactive jusqu’à la jonction p-n.
 MEB 4.4. Origine du contraste
• Contrastes de topographie
Contraste d’inclinaison :
Plus le faisceau est en incidence rasante,
plus l’émission d’é.s et d’é.r. est importante
car ils sont créés plus près de la surface.
é.s. é.r.
Contraste d’ombrage :
Les zones qui sont cachées p/r au
détecteur apparaissent plus sombres car
les e- émis sont plus absorbés par les
parois. Ce contraste est renforcé en é.r. car
leur trajectoire est rectiligne.

Contraste d’arête ou de pointe :

Par effet de champ, la barrière de potentiel
est plus faible à l’extrémité d’une pointe.
L’émission d’ é.s et d’ é.r. y est donc plus
importante.
 MEB 4.4. Origine du contraste
• Contraste de composition ou de numéro atomique
Section efficace proportionnelle à :
é.r.

Z pour les é.s. (mais ils proviennent
d’une couche superficielle)

Z2 pour les é.r.
⇒ Les éléments lourds apparaissent
plus clairs, les éléments légers
apparaissent plus sombres.
Ti (Z=22) Cu (Z=29)

• Contraste d’orientation cristalline

Le phénomène de diffraction par des
échantillons cristallins engendre des
différences d’intensités mesurées selon
l’orientation du cristal p/r au faisceau
incident et au détecteur.
Section plane
En électrons rétrodiffusés seulement car la de quartzite
diffraction nécessite des e- élastiques. polycristalline
 MEB 4.4. Origine du contraste
• Renforcer le contraste avec le détecteur à semiconducteur

Le détecteur à semiconducteur
est généralement découpé en
deux ou quatre secteurs pour
combiner les signaux
Renforcement du Renforcement du
contraste topographique contraste de composition
On est en mode électrons rétrodiffusés (seuls électrons mesurés par le
détecteur à semi-conducteur)
 MEB 4.5.1. Résolution
Lorsqu’un point de la surface d’un échantillon est irradié par un faisceau
d’électrons, des rayonnements sont émis dans tout un volume situé en
dessous de la surface irradiée. Ce volume d’émission définit la résolution
accessible en imagerie MEB ; il dépend de plusieurs paramètres :
- taille de la sonde ⇒ taille du ‘‘pixel’’ sur l’objet
- énergie des e- incidents
- numéro atomique des éléments sondés ⇒ déterminent la profondeur
de pénétration des faisceaux
- type de rayonnement mesuré

Faisceau sonde (diamètre, angle Rayonnements émis :

d’ouverture, énergie cinétique des - électrons secondaires,
électrons, courant de sonde)
- électrons rétrodiffusés,
- rayons X,
Échantillon (numéro - lumière.
atomique, densité, épaisseur)

Volume de l’échantillon
exploré par les électrons
 MEB 4.5.1. Résolution
• Taille de la sonde :

Quels sont les paramètres qui font varier le diamètre de la sonde ?

 Taille de la source (cross-over) : dépend du type de canon

> thermoélectronique : dv ~ 10 µm

> effet de champ : dv ~ 1-10 nm

 MEB 4.5.1. Résolution
• Taille de la sonde :
 Répulsions électrostatiques entre deux électrons (« chocs »)
Effet Boersch Effet Loeffler

• Les électrons se repoussent dans • Les électrons se repoussent

l’axe du faisceau transversalement
• Dispersion énergétique • Dispersion énergétique et des trajectoires
• Aberration chromatique • Aberration chromatique et sphérique

Ces effets sont d’autant plus importants que la densité d’électrons est forte
(courant de sonde élevé) et leur énergie cinétique faible (faible tension
d’accélération).
 MEB 4.5.1. Résolution
• Taille de la sonde :
 Transfert dans la colonne : l’image d’un point est un disque à cause
du phénomène de diffraction et des défauts des lentilles (vu en MET).
Le diamètre de la sonde vaut :
d G = G dV d S = 12 C S α 3
d = d G2 + d D2 + d S2 + d C2 0,61 λ ∆E
dD = d C = 2CC α
n sin α E0

G : grandissement
α : angle d’ouverture
dV : diamètre de la source
n : indice de réfraction du milieu
λ : longueur d’onde du rayonnement
CS : coefficient d’aberration sphérique
CC : coefficient d’aberration chromatique
E0 : énergie cinétique moyenne des électrons
∆E : largeur de la distribution en énergie cinétique
 MEB 4.5.1. Résolution
• Influence de l’énergie cinétique des électrons incidents :
Déjà vu : forte tension d’accélération 
meilleure résolution (minimisation des répulsions
électrostatiques et de l’aberration chromatique)

Mais il faut aussi tenir compte des interactions 10 kV

avec l’échantillon. Plus la tension
d’accélération est élevée, plus les électrons
pénètrent profondément dans l’échantillon et
moins les rayonnements émis sont
caractéristiques de la topographie de la zone
d’incidence du faisceau. 25 kV

En travaillant à faible tension d’accélération, on

obtient un meilleur contraste pour l’observation
des détails de la surface de l’échantillon.

50 kV
 MEB 4.5.1. Résolution
• Influence du numéro atomique du matériau :

La section efficace de diffusion des électrons

augmente avec le numéro atomique (en Z pour
les électrons secondaires, en Z2 pour les
électrons retrodiffusés).

Pour les matériaux de numéro atomique élevé,

les électrons sont plus fortement diffusés et
explorent donc un volume moindre de
l’échantillon.

La résolution en MEB est donc meilleure pour un

échantillon composé d’éléments lourds que pour
un échantillon composé d’éléments légers.
 MEB 4.5.1. Résolution
• Influence de la nature du rayonnement utilisé pour former l’image :

Volume exploré
par les électrons
Volume exploré
par les rayons X

Typiquement : d(é.s.) = 1-10 nm

d(é.r.) = 10-50 nm
d(RX) = de l’ordre du micron
 MEB 4.5.2. Profondeur de champ D
= distance des positions extrêmes du plan objet sans qu’il y ait perte de
résolution (i.e. profondeur sur laquelle les détails de l’objet apparaissent
nets).
Plan objet

ε D=1000 µm pour G=1000

d S + αD = ⇒
D=100 µm pour G=10000
G
ε : distance de séparation de l’œil (~ 0,2 mm) ; G : Grandissement ; α : angle
d’ouverture du faisceau incident
 MEB 4.6. Microscopie pratique

Augmenter la distance de travail (working distance,

WD) permet d’obtenir une plus grande profondeur de
champ mais fait perdre en résolution car on augmente
les aberrations sphériques (Cs augmente avec la
distance focale, visible pour les forts grandissements
surtout) :

Tension d’accélération : 5 kV, Grandissement : x 540

a) WD = 10 mm b) WD = 20 mm c) WD = 38 mm
 MEB 4.6. Microscopie pratique

A fort grandissement,
augmenter la tension
d’accélération permet
d’améliorer la résolution
(netteté de l’image) :

A faible grandissement,
diminuer la tension
d’accélération permet
d’améliorer le contraste
des détails en surface.
 MEB 4.6. Microscopie pratique
Diminuer le courant de sonde permet d’améliorer la résolution (netteté) et d’éviter la
dégragation de l’échantillon mais l’image devient plus granuleuse car la statistique de
mesure est moins bonne :

a) 1 nA b) 0,1 nA c) 10 pA

Tension d’accélération : 10 kV, Grandissement : x 5400

 MEB 4.6. Microscopie pratique : résumé
Haute Mauvais Basse Plus de
résolution contraste résolution dommages Basse Grande
de surface résolution profondeur
Plus de Image lisse de champ
dommages

Élevée Élevé Élevée

Tension Courant de Distance de

d’accélération sonde travail

Faible Faible Faible

Basse Meilleur Haute Moins de Haute Faible

résolution contraste résolution dommages résolution profondeur
de surface de champ
Moins de Image
dommages granuleuse
 MEB 4.6. Microscopie pratique
• Préparation des échantillons
• Les échantillons peuvent être massifs (contrairement au MET).

• Les électrons doivent être évacués de la surface de l’échantillon pour

éviter un effet de charge ⇒ échantillons conducteurs ou métallisés,
utilisation de laques et scotchs conducteurs.

• Les échantillons doivent résister au vide et aux électrons.

- vide et effet thermique ⇒ lyophilisation ou sublimation au

point critique pour les échantillons contenant de l’eau

- effet de déplacement atomique :

∆E élastique < seuil de déplacement atomique
⇒ E0 pas trop élevée pour étudier les éléments légers.
MEB Illustration : un disque compact
Pour le prochain cours, lire le fascicule
jusqu’à la FIN