Sjllls

Faisabilité d’un capteur de pression capacitif miniature
sur silicium
Philippe Menini
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Philippe Menini. Faisabilité d’un capteur de pression capacitif miniature sur silicium. Micro et
nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1998. Français. �NNT :
�. �tel-00132443�
HAL Id: tel-00132443

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abroad, or from public or private research centers. publics ou privés.
N° d’ordre : 2931 Année : 1998
THESE
Présentée au
LABORATOIRE D’ANALYSE et D’ARCHITECTURE DES SYSTEMES DU

CNRS
en vue de l’obtention du grade de
DOCTEUR de L’UNIVERSITE PAUL SABATIER de

TOULOUSE
Spécialité : Electronique
par
Philippe MENINI
Maître ès-Sciences
----------------------------------------------------------------------------
FAISABILITE D’UN CAPTEUR DE PRESSION

CAPACITIF MINIATURE SUR SILICIUM
----------------------------------------------------------------------------
Soutenue le 11 février 1998 devant la Commission d’Examen :
- Y. SALAMERO, Professeur de l’Université Paul Sabatier (Président)
- J. P. BLANC, Professeur de l’Université Blaise Pascal (Rapporteur)
- Y. DANTO, Professeur de l’Université Bordeaux 1 (Rapporteur)
- Ph. DONDON, Maître de Conférences à l’ENSERB (Examinateur)
- G. BLASQUEZ, Directeur de Recherche au CNRS (Directeur de thèse)
Rapport LAAS n° 98045
Cette thèse a été présentée au Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes du CNRS
7 avenue Colonel Roche 31077 TOULOUSE Cedex 4.
Avant-Propos
Les travaux présentés dans ce mémoire ont été effectués au Laboratoire d’Analyse et
d’Architecture des Systèmes (LAAS) du Centre National de la Recherche Scientifique. Je
tiens à remercier Messieurs Alain COSTE et Jean-Claude LAPRIE, respectivement précédent
et actuel Directeur du LAAS, pour m’avoir admis dans cet établissement et donné
l’opportunité de préparer la thèse dans de bonnes conditions.
Je remercie également Monsieur A. MARTINEZ, Professeur de l’Institut National

des Sciences Appliquées de Toulouse, Directeur Adjoint du LAAS et responsable du groupe
Microstructures et Microsystèmes Intégrés (M2I) pour m’avoir intégré dans le groupe et pour
la confiance qu’il m’a témoigné en me confiant la responsabilité du pôle Grand sud-ouest du
Réseau Doctoral en Microtechnologies.
Que Monsieur Yves SALAMERO, Professeur à l’Université Paul Sabatier soit

remercié de l’honneur qu’il nous a fait de présider le jury de cette thèse.
J’exprime toute ma reconnaissance à Monsieur J.P. BLANC, Professeur à

l’Université Blaise Pascal, ainsi qu’à Monsieur Y. DANTO, Professeur à l’Université
Bordeaux 1, pour avoir accepté d’être rapporteurs de ce mémoire.
Que Monsieur Ph. DONDON, Maître de Conférences à l’ENSERB soit également

remercié pour l’aide qu’il a apportée dans l’avancement de mes travaux et pour avoir accepté
d’être membre du jury de thèse.
Je tiens à exprimer ma profonde reconnaissance à Monsieur G. BLASQUEZ,

Directeur de Recherche au CNRS, pour son encadrement efficace pendant ces trois années au
cours desquelles j’ai pu apprécier ses qualités tant humaines que professionnelles.
Les échanges scientifiques que nous avons eus avec Monsieur P. PONS ont été
stimulants et fructueux. Je tiens donc particulièrement à lui exprimer toute ma gratitude et à le
remercier pour sa précieuse aide, son soutien moral, ses encouragements ainsi que pour la
sympathie qu’il m’a témoignée.
Tous mes remerciements vont également à mes collègues de l’équipe Génie des
Capteurs Mécatroniques : Messieurs X. CHAUFFLEUR, E. SAINT-ETIENNE, P. FAVARO,
C. DOUZIECH et Mademoiselle Ch. VIGNAUX pour leur aide, leur dynamisme et leur
convivialité.
Je tiens aussi à remercier :
- Messieurs S. MATHIEU, C. LAJOINIE et D. DAURAT pour leur

disponibilité et leur aide technique constante.
- L’ensemble du personnel de la documentation ainsi que C. BERTY, A.

EVRARD et R. ZITTEL qui ont assuré la réalisation matérielle du mémoire.
- Tout le personnel du service « magasin et maintenance » sans qui nous

n’aurions pas pu travailler dans de bonnes conditions.
Je ne saurais terminer sans remercier l’ensemble des permanents et thésards du

laboratoire, pour leur esprit de camaraderie ainsi que tous ceux qui, d’une façon ou d’une
autre, ont contribué à l’aboutissement de mes travaux.
TABLE DES MATIERES
Pages
Avant Propos
Chapitre 1 : Présentation générale et objectifs de l’étude
Introduction .................................................................................................................3
1.1. Définition d’un capteur de pression ..............................................................4
1.2. Evolution des principes de détection ............................................................5
1.2.1. Le corps d’épreuve ......................................................................................5
1.2.2. Les transducteurs .........................................................................................6
1.3. Les circuits de traitement .................................................................................8

1.4. Les filières d’assemblage .................................................................................9
1.5. Perspectives d’évolution générale ...............................................................10
1.6. Cadre de l’étude................................................................................................11
1.6.1. Contexte historique....................................................................................11
1.6.2. Objectifs de la thèse ..................................................................................14
Chapitre 2 : Etude de la Cellule Sensible Capacitive

Introduction ...............................................................................................................19
2.1. Description de la Cellule Sensible ...............................................................19
2.1.1. Principe de base.........................................................................................19
2.1.2. Caractéristiques physiques ........................................................................20
2.1.3. Modèle électrique ......................................................................................22
2.2. Description du dispositif de mesure et de test ..........................................22

2.2.1. Caractéristiques du matériel utilisé et du banc de test ..............................23
2.2.2. Montage des cellules sensibles..................................................................24
2.3. Caractérisation de la cellule sensible ..........................................................26

2.3.1. Vérification des hypothèses simplificatrices.............................................26
2.3.2. Conditions optimales de mesure................................................................28
2.3.3. Réponse en pression de la cellule sensible................................................32
2.3.4. Modélisation de la réponse........................................................................32
2.3.5. Gammes de pression et de température .....................................................34
2.3.6. Etude des caractéristiques en pression et en température..........................35
2.3.7. Erreurs de mesure ......................................................................................39
2.3.8. Stabilité et dérives temporelles..................................................................41
Conclusion ...........................................................................................................................49
Pages
Chapitre 3 : Etude du convertisseur Capacité/Fréquence

Introduction ...............................................................................................................55
3.1. Description.........................................................................................................55
3.1.1. Principe de fonctionnement.......................................................................55
3.1.2. Description des principaux éléments du circuit ........................................56
3.1.3. Gamme de tension d’alimentation.............................................................62
3.2. Modélisation de l’oscillateur .........................................................................62
3.3. Simulation du comportement du convertisseur ........................................64

3.3.1. Simulation à température ambiante ...........................................................64
3.3.2. Simulation de la sensibilité de l’oscillateur à la température....................73
3.4. Caractérisation ..................................................................................................77

3.4.1. Dispositif expérimental .............................................................................77
3.4.2. Etude de l’oscillateur.................................................................................84
3.4.3. Etude du convertisseur ..............................................................................90
3.5. Analyse des résultats .......................................................................................93

3.5.1. Valeurs des courants..................................................................................93
3.5.2. Réponse du convertisseur ..........................................................................94
3.5.3. Comportement thermique ..........................................................................95
Conclusion .............................................................................................................. 100
Chapitre 4 : Etude du capteur de pression élémentaire

Introduction ............................................................................................................ 105
4.1. Modèle de la fonction de transfert du capteur ....................................... 105
4.2. Résultats expérimentaux ............................................................................. 107

4.2.1. Dispositif expérimental .......................................................................... 107
4.2.2. Réponse à température ambiante............................................................ 108
4.2.3. Réponse paramétrée en température....................................................... 111
4.2.4. Influence de la tension d’alimentation ................................................... 115
4.3. Potentialités et limites du capteur élémentaire ...................................... 116

4.3.1. Validation du modèle sur PSPICE ......................................................... 117
4.3.2. Influence de la dispersion des paramètres du circuit.............................. 120
4.3.3. Influence des facteurs de non-idéalité sur les caractéristiques............... 124
Conclusion ........................................................................................................................ 131

Pages
Chapitre 5 : Etude du capteur de pression ratiométrique

Introduction ............................................................................................................ 135
5.1. Choix de l’architecture ................................................................................ 135
5.2. Comportement du capteur ratiométrique « idéal » ............................... 136
5.3. Etude expérimentale du capteur ratiométrique ...................................... 137

5.3.1. Dispositif expérimental .......................................................................... 137
5.3.2. Résolution et précision du dispositif de mesure..................................... 138
5.3.3. Réponse en pression paramétrée en température ................................... 139
5.4. Analyse comportementale par la simulation et la modélisation ........ 144

5.4.1. Influence d’une dispersion des caractéristiques électriques
sur la réponse ......................................................................................... 145
5.4.2. Influence de la valeur Ro sur le comportement du capteur..................... 150
5.4.3. Influence des capacités parasites sur le comportement du capteur ........ 153
5.5. Intégration du capteur ratiométrique ........................................................ 158

5.5.1. Conception.............................................................................................. 159
5.5.2. Réalisation .............................................................................................. 159
5.5.3. Caractérisation du capteur miniature...................................................... 163
Conclusion .............................................................................................................. 171
Conclusion générale ................................................................................................. 177
Annexes
A1 : Description du matériel utilisé........................................................................... 187
A2 : Etude des capacités parasites liées au montage de la cellule sensible............... 197
A3 : Modélisation des cellules de base du convertisseur Capacité/fréquence
sur PSPICE................................................................................................................. 203
Références bibliographiques ............................................................................... 215
Liste des notations .................................................................................................... 223
Liste des illustrations ............................................................................................... 231
Liste des tableaux ...................................................................................................... 241

Chapitre 1
Présentation Générale
et
Objectifs de l’Etude
Chapitre 1 : Présentation générale et objectif de l’étude
_________________________________________________________________________________________
Introduction
Parmi les capteurs les plus courants (température, pression et accélération), les
capteurs de pression connaissent, depuis les années 80 un essor de plus en plus important. Ils
représentaient déjà, en 1989 un chiffre d'affaires de 750 millions de dollars avec une
progression de 20 % par an. Ce chiffre devrait atteindre les 15 milliards de dollars vers l’an
2000 [1-1]. Cet essor s’est surtout ressenti depuis le développement des capteurs miniatures
sur silicium, c’est-à-dire depuis l’utilisation des techniques issues de la micro-électronique.
Cette nouvelle filière a inévitablement favorisé un élargissement considérable de leurs
domaines d’applications et par suite, a introduit de nouvelles motivations au niveau de leurs
cahiers des charges aussi bien économiques que techniques.
La pression est un paramètre important dans de nombreuses disciplines comme la

thermodynamique, l’aérodynamique, l’acoustique, la mécanique des fluides, la biophysique,
etc.. Aussi, les capteurs de pression se retrouvent dans de nombreux domaines comme étant le
premier maillon d’un système de perception, de contrôle ou de mesure.
Jusque dans les années 70-80, les principales applications industrielles étaient le
contrôle de la pression dans les systèmes d’alarme, c’est-à-dire la surveillance permanente de
pressions à ne pas dépasser dans les systèmes de production, ou encore dans les canalisations
à risque des réseaux de distribution et/ou d’exploitation des gaz et des fluides. Par ailleurs, le
domaine d’application des capteurs de grande précision a toujours été l’aéronautique pour les
mesures d’altitude et pour le contrôle de commande des systèmes hydrauliques ainsi que
l’instrumentation avec de nombreuses applications particulières comme la prospection
pétrolière par exemple.
Depuis le début des années 80, une demande de plus en plus forte s’est fait ressentir
dans des domaines bien plus variés comme la robotique, le génie biologique et médical,
l’environnement (notamment dans la métrologie et météorologie), la domotique et surtout
l’automobile qui représente le secteur qui tire le marché des capteurs grâce à son grand
volume de production [1-2]. Par contre, contrairement à leurs prédécesseurs, ces nouveaux
capteurs ne sont plus utilisés pour un simple contrôle de la pression mais pour en faire une
mesure relativement précise et qui plus est, dans des milieux difficilement accessibles comme
l’intérieur du corps humain. De plus, nous pouvons ajouter que la diversité des capteurs est
d’autant plus grande que la gamme de pression mesurable est étendue (de l’ultravide aux très
hautes pressions).
________________________________________________________________________________________
3
_________________________________________________________________________________________
Pour répondre à cette forte demande qui est générale, un gros effort de recherche a été
effectué pour développer des capteurs miniatures, précis, fiables et peu onéreux en utilisant
différentes technologies spécifiques aux divers champs d’application.
C’est dans cette dynamique que le programme de recherche européen

EUREKA/Prometheus a été lancé il y a une dizaine d’années dans le secteur de l’automobile.
Parmi les différentes études qui ont été menées au sein de ce programme, l’une d’entre elles
visait à montrer la faisabilité d’un capteur de pression miniature.
1.1. Définition d’un capteur de pression
La pression, comme chacun sait, constitue une variable essentielle pour l’étude
métrologique d’un milieu environnant qui peut-être soit un gaz soit un fluide.
La mesure de cette variable est réalisée à l’aide d’un capteur de pression, dispositif capable
d’associer à la grandeur mesurée, un signal électrique reconnaissable appelé « réponse ».
Nous définirons tout le long de ce mémoire, le capteur de pression comme étant un système
constitué de deux parties : une partie détection que nous appellerons « Cellule sensible » et
une partie traitement de l’information par l’intermédiaire d’un circuit électronique que l’on
peut appeler « Circuit électronique de traitement » ou encore « Circuit convertisseur ». La
partie détection est quant à elle constituée d’un « corps d’épreuve » et d’un « transducteur »
qui transforme la déformation de ce corps d’épreuve en une grandeur physique, la plupart du
temps électrique. Un capteur de pression peut donc être représenté par le schéma de la
Fig. 1. 1 .
CAPTEUR DE PRESSION
Cellule Sensible Circuit Electronique
Transducteur
Déformation du corps Transformation en

d’épreuve grandeur physique Mise en forme d’un signal
électrique
Figure 1. 1 : Synoptique d’un capteur de pression.
________________________________________________________________________________________
4
_________________________________________________________________________________________
1.2. Evolution des principes de détection
La conception d’un capteur de pression passe par des choix techniques et

technologiques lesquels sont généralement guidés par l’application même du capteur. Aussi,
la diversification des applications a conduit à une évolution des techniques utilisées.
1.2.1. Les corps d’épreuve
A) Avant les années 70
Pour la plupart des capteurs existants sur le marché dans cette période, la partie
détection faisait appel à l’électromécanique et utilisait des techniques dont les performances
étaient relativement modestes mais acceptables par rapport à l’application qui leur était
destinée. Parmi ces techniques on peut citer :
- le tube de Bourdon,
- le tube vrillé,
- le tube borgne,
- la capsule manométrique,
- les pistons,
- les membranes encastrées et les membranes ondulées,
- ou encore différents soufflets [1-3].
Il faut noter que ces techniques sont encore utilisées de nos jours, malgré leur
grande taille et leur coût unitaire élevé.
B) A partir des années 70
Suivant les domaines d’applications, des impératifs de taille et de production

de masse à faible coût ont induit une évolution de l’électromécanique vers la micro-
électronique. Cette filière a apporté des avantages autant techniques qu’économiques en
permettant la fabrication collective de dispositifs de détection de petite taille, de bonne
stabilité, et ayant la possibilité d’avoir le traitement de signal associé [1-1].
Les « nouveaux » capteurs sont donc principalement basés soit sur la

déformation d’un substrat (capteurs GaAlAs [1-4]), soit sur celle d’une membrane de silicium
qui, de nos jours, est le corps d’épreuve le plus répandu.
________________________________________________________________________________________
5
_________________________________________________________________________________________
1.2.2. Les transducteurs
Pour effectuer la mesure de la pression, on a vu qu’il fallait convertir la déformation

du corps d’épreuve en une grandeur physique. La plupart des méthodes de conversion de la
pression sont synthétisées par la Fig. 1.2.
Figure 1. 2 : Transformation du signal issu du corps d’épreuve en signal mesurable :

méthodes de traduction. (Source : [1-3] page 589)
________________________________________________________________________________________
6
_________________________________________________________________________________________
Ce tableau montre qu’il existe plusieurs techniques pour mesurer un déplacement, une
déformation ou une force. La plupart des grandeurs de sortie sont d’ailleurs de type
électrique.
De nos jours, la majeure partie des nouvelles cellules sensibles disponibles sur le
marché, est basée sur le principe de détection de type piézorésistif. Cela signifie que la
détection de la pression se fait par la mesure d’une variation de résistance [1-5] à [1-7].
L’évolution des jauges métalliques déposées vers celles en polysilicium ou encore en silicium
dopé, directement implantées dans le corps d’épreuve, a permis à ces composants d’atteindre
de très bonnes performances et donc de monopoliser le marché [1-8].
En dépit de leurs avantages (bonne précision, faible nonlinéarité, électronique associée simple
et pas nécessairement à proximité), ces composants sont extrêmement sensibles à la
température et nécessitent un circuit de compensation spécifique, ce qui élève
considérablement leur prix de revient unitaire. C’est pourquoi, des efforts de recherche ont été
effectués sur des structures capacitives dont les avantages potentiels sont une grande
sensibilité à la pression et une faible sensibilité à la température [1-9] [1-10].
Le principe de détection de ces structures capacitives est basé sur la variation d’une capacité
qui peut être aussi bien liée à celle de la surface des électrodes en regard [1-11] qu’à celle de
la distance entre les électrodes (le plus courant) [1-12], ou encore celle de la permittivité du
diélectrique [1-13].
De manière générale, les nouvelles cellules sensibles capacitives sont réalisées selon
deux technologies différentes. La première consiste à réaliser le corps d’épreuve à partir d’un
substrat multicouches de silicium et d’oxyde, en effectuant un micro-usinage de surface [1-
14]. L’avantage de cette technique est qu’elle permet de réaliser des cellules de très petites
taille (diamètre inférieur à 500 µm). La deuxième technique consiste à réaliser un assemblage
hétérogène d’un corps d’épreuve en silicium usiné en volume et de la partie support de la
contre-électrode. Cette partie support peut être soit en silicium [1-15] soit en verre [1-16].
L’avantage d’un support en verre est qu’il minimise les capacités parasites à travers le
substrat.
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7
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1.3. Les circuits de traitement
Comme nous l’avons vu dans la définition d’un capteur, le circuit de traitement sert à
mettre en forme un signal électrique transportant l’information donnée par le transducteur.
Autrement dit, ce signal doit être l’image de la déformation du corps d’épreuve et par suite,
de la pression.
En ce qui concerne les filières technologiques de circuits utilisées, elles sont au nombre de
quatre :
- Bipolaire,
- MOS,
- CMOS
- et BiCMOS.
Le principe de mise en forme ainsi que la technologie utilisée est en grande partie déterminée
par la nature du transducteur d’une part et celle du signal désiré en sortie d’autre part.
Si l’on ne considère que les deux principaux types de cellule (piézorésistive et capacitives) et
qu’il ne peut y avoir que deux types de signaux de sortie (analogique ou numérique), alors il
existe différents cas de figures d’association entre circuits et cellules comme le montre le
tableau 1- 1 .
Tableau 1- 1 : Différentes technologies de circuits possibles suivant le type de cellule

sensible et suivant le signal de sortie désiré.
Circuit
Nécessité d’un
Type de Cellule Signal de base Technologie Signal
du circuit de sortie Convertisseur A/N(*)
Piézorésistive Analogique Bipolaire Analogique Non
Numérique Oui
Analogique Bipolaire, Analogique Non

BiCMOS Numérique Non
Capacitive
Numérique MOS, CMOS Numérique Non

(*)
Convertisseur analogique/numérique
Ce tableau nous montre que la cellule capacitive autorise un large éventail de

possibilités sur le choix du principe de mesure puisqu’on peut lui associer n’importe quel type
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8
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de circuit. De plus, si l’on veut une sortie digitale, il n’est pas nécessaire d’ajouter un circuit
convertisseur analogique-numérique comme pour la cellule piézorésistive.
En ce qui concerne les principes de circuits les plus utilisés, dans le cas d’un capteur
piézorésistif, on mesure généralement une différence de potentiel au niveau des jauges de
contraintes montées en pont de Wheatstone [1-17]. Autrement dit, le circuit de traitement est
relativement simple à mettre en oeuvre.
Pour le capteur capacitif, les deux méthodes les plus courantes sont les principes de transfert
de charges et la mesure d’une variation de tension due à une variation de charges. Pour
réaliser ces circuits, conformément au tableau 1- 1, toutes les filières technologiques sont
utilisées. Il existe d’ailleurs des brevets industriels qui les utilisent [1-18] [1-19] et [1-20].
1.4. Les filières d’assemblage
Dans certains domaines, la miniaturisation peut devenir le critère essentiel comme

dans le biomédical où le volume du capteur doit être inférieur au cm3 [1-21] [1-22]. C’est
dans ce but qu’un nouvel axe de recherche s’est développé sur les capteurs dits
« monolithiques » c’est-à-dire sur la fabrication collective et simultanée de la cellule sensible
et du circuit électronique de traitement sur un même substrat [1-23]. Cela suppose une étude
préalable particulière sur la compatibilité technologique des deux éléments [1-24]. Cela dit, ce
type de capteur peut faciliter la diminution du prix de revient dans la mesure où il est produit
en très grande quantité.
Le deuxième axe de recherche consiste à fabriquer séparément chaque partie. C’est ce que
l’on appelle l’approche modulaire ou hybride. Il est bien évident que dans ce cas, la
miniaturisation est moins importante. Par contre, chacune des deux puces peut être davantage
optimisée.
En réalité, le choix d’une approche est effectué en fonction du domaine d’application

et de la taille du marché. Actuellement, l’approche monolithique n’est utilisée que pour des
domaines bien particuliers comme le biomédical où le faible encombrement est considéré
comme un critère essentiel [1-25].
En ce qui concerne les montages hybrides, toutes les techniques conventionnelles de

report de puces sur plates-formes céramiques peuvent être utilisées, comme par exemple le
« Flip-Chip », pour réaliser ce que l’on appelle un montage en surface (CMS) ou encore un
« Multi Chip Module » (MCM). Des études récentes ont également été effectuées sur le
montage de plusieurs puces superposées (MCM-V) [1-26].
________________________________________________________________________________________
9
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Il faut ajouter que l’approche hybride autorise l’utilisation d’une cellule avec son
circuit relié à distance, par couplage électromagnétique ou par fibre optique ce qui est parfois
indispensable lorsque la mesure de pression doit être réalisée dans des milieux hostiles (haute
température par exemple).
1.5. Perspectives d’évolution générale
Quel que soit le domaine d’application, on se rend compte à travers la littérature que
les objectifs à atteindre sont à peu près semblables avec, bien entendu, des degrés
d’importance différents suivant la spécificité du capteur.
Les industriels sont aujourd’hui principalement en attente de dispositifs précis, fiables, à
faible encombrement et à faible coût.
Outre la miniaturisation, la tendance actuelle et à venir, notamment dans le secteur de

l’automobile, est au développement de réseaux multicapteurs reliés à un (ou plusieurs)
microprocesseurs par l’intermédiaire d’un bus de communication [1-27].
Dans cette optique, tous les capteurs doivent avoir une sortie compatible avec le réseau de
communication qui centralise l’ensemble des données. Autrement dit, ils doivent
nécessairement être dotés d’une sortie de type numérique.
Ceci a pour conséquence de rendre le capteur capacitif plus intéressant que le piézorésistif (cf.
Tableau 1-1), ce qui signifie en d’autres termes que le capteur capacitif paraît être une
technologie d’avenir [1-28].
________________________________________________________________________________________
10
_________________________________________________________________________________________
1.6. Cadre de l’étude
1.6.1. Contexte historique
Il y a une dizaine d’années, dans le cadre de EUREKA, un programme de recherche

Européen appelé PROMETHEUS a été lancé sur l’initiative des constructeurs automobiles de
quatre pays : l’Allemagne, la France, l’Italie et la Suède. En ce qui concerne la France, ce sont
les groupes PSA et RENAULT qui ont initié, piloté et soutenu le projet. Le principal objectif de
ce programme était d’améliorer l’efficacité et la sécurité du transport en automobile compte
tenu de la croissance régulière du flot de circulation.
En ce sens, trois axes de recherche ont été développés : un pour la surveillance du

véhicule (Pro-Car), un pour la communication inter et intra véhicules (Pro-Net) et enfin un
axe concernant la communication entre les véhicules et l’infrastructure du réseau routier (Pro-
Road).
Dans chacun de ces axes de recherche, ont été définis des sous-programmes à caractères plus
fondamentaux comme l’intelligence artificielle (Pro-Art), l’électronique embarquée (Pro-
Chip), les techniques de transmission (Pro-Com) ou encore l’ingénierie du trafic (Pro-Gen).
Proposé par les français et retenu par l’ensemble des constructeurs européens, le sous-
programme Pro-Chip avait pour objectifs « l’identification et le développement des
technologies électroniques susceptibles de trouver des applications dans l’automobile du
XXIè siècle » [1-29]. Une partie de cette étude portait sur la conception et la réalisation d’un
nouveau système de mesure de pression à fort niveau d’intégration. Les applications
potentielles de ce type de dispositif sont regroupées dans le tableau 1- 2 :
Tableau 1- 2 : Fonctions et finalités des capteurs de pression dans l’automobile.
Localisation Fonctions Finalités
Allumage Consommation
Injection Pollution
Moteur Circuit de freinage Sécurité et stabilité
Lubrification Fiabilité du moteur
Circuit de refroidissement Fiabilité du moteur
Pneumatiques Gonflage Sécurité et Stabilité
Test de crevaison
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11
_________________________________________________________________________________________
A) Cahier des charges du démonstrateur à réaliser
L’ensemble de ces spécifications encore appelées « Cahier des charges

préliminaire », défini par les industriels, précisait les conditions d’utilisation et les
caractéristiques attendues du démonstrateur. Entre autres choses, celui-ci doit avoir une sortie
digitale dans une optique d’intégration à un réseau multicapteurs. De plus, les technologies
utilisées devaient permettre une fabrication en grande série pour réduire le plus possible les
coûts unitaires.
En ce qui concerne les performances attendues, celles-ci sont regroupées dans le tableau 1- 3 :
Tableau 1- 3 : Cahier des charges du démonstrateur de capteur de pression pour

applications automobiles.
Caractéristiques Valeurs maximales ou domaine Unités
Gamme de pression utile (E.M)(*) <7 bars
Sensibilité à la pression ≥ 1,5(**) % / bar
Précision globale <3 % E.M(*)
Tension d’alimentation (unipolaire) ≤ 10 Volts
Domaine de température [-25 ; 85 ] °C
Domaine de pression admissible 2 E.M. (*) bars
(sans dégradation)
Stabilité en température < 0,1(**) % / °C
Stabilité en tension < 0,1(**) %/V

(*)
E.M : Etendue de la mesure.
(**)
pourcentage de la valeur nominale de la réponse.
B) Réalisations
Dans le cadre de ce programme européen, le Laboratoire d’Analyse et

d’Architecture des Systèmes (LAAS) de Toulouse et le Laboratoire de Micro-électronique de
Bordeaux (IXL) se sont associés pour proposer et étudier une nouvelle structure modulaire
comportant une cellule sensible et un circuit de traitement. Pour ce qui a trait à la répartition
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12
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des tâches, la conception et la réalisation de cellules sensibles étaient à la charge de l’équipe

de recherche du LAAS dirigée par M. G. Blasquez, tandis que les travaux sur le circuit
revenaient à l’IXL et plus particulièrement à M. Ph. Dondon et à ses collaborateurs.
Choix technologiques
Conformément au cahier des charges précédemment fixé, certains choix

technologiques ont été réalisés en accord avec les industriels aussi bien sur la cellule sensible
que sur le circuit électronique de traitement. Ces choix sont synthétisés par le tableau 1- 4.
Tableau 1- 4 : Choix technologiques pour la réalisation du démonstrateur.
Technologie / Filière Intérêts
Matériau de base Silicium Bon comportement mécanique
Usinage de précision
Fabrication collective [1-30]
Cellule sensible Capacitive / Silicium-Pyrex Compatibilité avec

la technologie MOS
Circuit BiCMOS Réalisation conjointe de blocs

analogiques et numériques
Montage Hybride Faisabilité technologique

et optimisation de chaque puce
Résultats obtenus
Une partie des résultats obtenus a été exposée dans la thèse de M. Ph. Dondon [1-31]
et dans un rapport faisant le bilan des activités Prometheus/Pro-Chip [1-29].
Un gros effort de recherche a été fait sur l’étude de la partie numérique du circuit pour le
rendre compatible avec les protocoles de communication spécifiques au bus de transmission
intra-véhicule (RENAULT).
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13
_________________________________________________________________________________________
1.6.2. Objectifs de la thèse
Suite à ces réalisations, nous effectuons dans ce mémoire, une étude détaillée du
comportement de ce nouveau type de capteur.
Pour cela, il était nécessaire d’élaborer un modèle du capteur pour évaluer par la simulation
d’une part, les principales caractéristiques, et d’autre part son comportement vis-à-vis de
paramètres non accessibles par voies expérimentales.
La connaissance des limites et des potentialités du démonstrateur devait permettre de suggérer
des améliorations pour optimiser les performances et pour éventuellement élargir le champ
des applications. Les travaux rapportés dans ce mémoire s’inscrivent dans cette perspective.
Celui-ci est divisé en cinq parties.
La première a rappelé le cadre de l’étude et indiqué les choix fondamentaux. Le

deuxième chapitre est consacré à l’étude expérimentale de la cellule sensible capacitive
réalisée en technologie Silicium/Pyrex. Un schéma électrique équivalent de cette cellule avec
son montage ainsi qu’un modèle d’exploitation y sont décrits. Ce modèle permet de définir et
d’analyser les principales caractéristiques de la cellule aussi bien en pression qu’en
température. Des études de stabilité et de reproductibilité sont également présentées dans
cette partie.
Le troisième chapitre est consacré à l’étude du circuit électronique de traitement

réalisé en technologie BiCMOS 2 µm. Ce convertisseur capacité-fréquence est basé sur le
principe de la charge et de la décharge à courant constant de la cellule capacitive.
Parallèlement à l’étude expérimentale, des simulations électriques avec le logiciel PSPICE
ont permis d’évaluer son comportement vis-à-vis des paramètres électriques du circuit. A
partir de ces résultats, les principales caractéristiques de ce convertisseur ont pu être
déterminées de même que son comportement en température. De plus, une approche plus
systémique a permis d’établir une fonction de transfert de ce circuit.
La quatrième partie a trait à l’étude des principales caractéristiques d’un

démonstrateur de capteur de pression modulaire élémentaire associant une cellule sensible
capacitive et un circuit convertisseur. De par leurs principes respectifs, ce démonstrateur
présente un certain nombre d’avantages comme une faible consommation, une sortie
fréquentielle autorisant un interfaçage numérique et une linéarisation partielle de la réponse.
La caractérisation en pression et en température ainsi que la simulation électrique et
comportementale sont détaillées dans cette partie. Les résultats permettent de faire ressortir
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14
_________________________________________________________________________________________
ses avantages mais aussi quelques inconvénients comme une forte sensibilité aux facteurs
d’influence et en particulier la température.
Enfin, une dernière partie présente les potentialités d’un capteur plus sophistiqué
fondé sur une architecture ratiométrique. Les résultats simulés et expérimentaux permettent
de conclure sur la faisabilité d’un capteur qui présenterait des potentialités
d’autocompensation de la nonlinéarité, des dérives thermiques ainsi que des dispersions de
fabrication.
Par ailleurs, sont également discutés dans ce chapitre, les problèmes potentiels liés à
l’intégration totale d’un tel capteur. Enfin, quelques solutions sont proposées pour atteindre
les performances optimales et envisager un développement industriel.
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15
Chapitre 2
Etude de la Cellule
Sensible Capacitive
Chapitre 2 : Etude de la cellule sensible capacitive
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Introduction
Après avoir défini le cahier des charges du capteur de pression, nous avons vu qu’il
comportait essentiellement deux parties : une cellule sensible et un circuit électronique de
traitement. L’objectif de ce chapitre est d’étudier de manière expérimentale le comportement
de la cellule sensible utilisée, en vue d’en évaluer les principales caractéristiques et d’en
établir le schéma équivalent.
Dans une première partie, nous en ferons une description physique et électrique. Ensuite, nous
détaillerons le dispositif expérimental qui a été mis au point pour caractériser ce type de
cellule. Grâce à ce dispositif, après avoir défini une méthode de modélisation, nous
évaluerons les caractéristiques de la cellule, aussi bien en pression qu’en température.
Enfin, nous examinerons la stabilité c’est-à-dire la reproductibilité de la réponse lorsque la
cellule est soumise à des cycles de pression et de température.
2.1. Description de la Cellule Sensible
2.1.1. Principe de base
Les structures utilisées ont été conçues et réalisées au LAAS par messieurs Gabriel
BLASQUEZ, Patrick PONS et leurs collaborateurs. Elles sont basées sur le principe d’un
condensateur variable.
Une cellule de base est constituée d’une armature fixe métallique déposée au fond d’une
cavité de Pyrex et d’une armature déformable en silicium, appelée « membrane » (voir Fig. 2.
1).
P>0
w(x,y) Membrane en
d Sili i
Substrat de Pyrex
Métallisations
Figure 2. 1 : Structure de la cellule sensible capacitive.
________________________________________________________________________________________
19
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En l’absence de pression appliquée, la capacité intrinsèque de la cellule est celle d’un

condensateur plan. Elle est donc définie par :
A
Ci (0) = ε o . (II. 1)
d
où : εo représente la permittivité électrique du vide, A l’aire de la surface des électrodes en

regard c’est-à-dire l’aire de l’armature fixe, et d la distance entre les armatures.
Pour simplifier l’écriture, la capacité définie à pression nulle Ci(0) sera notée Cio dans ce qui
suit.
Lorsqu’on applique une pression P, la membrane fléchit (voir Fig. 2. 1 ). Comme la

distance entre les armatures est différente en tout point de la membrane, la valeur de la
capacité Ci(P) peut être calculée à partir de la relation suivante [2- 1]:
dA
Ci ( P) = ε ∫∫ d − w( x, y, P)
A
(II. 2)
où dA est un élément de surface de l’armature fixe et w(x,y,P) représente la déflexion de la

membrane en fonction de la pression au point de coordonnées (x,y) ; l’origine du repère étant
définie au centre géométrique de la face inférieure de la membrane à P = 0.
Autrement dit, lorsque la pression extérieure augmente, la distance inter-armatures diminue,
et par suite, la capacité augmente.
2.1.2. Caractéristiques physiques
Comme le montre la Fig. 2.1, le matériau utilisé pour l’armature déformable est le
silicium compte tenu de son excellent comportement mécanique et de son micro-usinage
précis [1-30]. Les cellules sont donc réalisées à partir d’une plaque de Silicium de 300 µm
d’épaisseur environ, suffisamment dopée pour que la résistivité de cette électrode soit faible
(≈ 0,008 Ω.cm).
Le support rigide de ces dispositifs est un Pyrex de type borosilicate (CORNING 7740)
qui d’une part est très résistant aux agents corrosifs et d’autre part possède un coefficient de
dilatation voisin de celui de la membrane en silicium [2- 2] à [2- 4]. Après avoir réalisé le
dépôt métallique de l’armature fixe, la membrane est rendue solidaire du substrat par soudure
thermoélectrique [2- 5] à [2- 7].
________________________________________________________________________________________
20
_________________________________________________________________________________________
Une fois scellées, les cellules sont montées sur des embases de type TO3 comme le montre la
photographie de la Fig. 2. 2.
Figure 2. 2 : Photographie de la cellule sensible réalisée au LAAS montée sur une

embase de type TO3.
Par ailleurs, la cellule comporte une résistance thermométrique réalisée en même

temps que l’armature fixe. Cette sonde permet, après étalonnage, de connaître la valeur de la
température de la cellule et surtout de vérifier sa stabilité au cours de la caractérisation. Pour
une valeur nominale d’environ 500 Ω, la variation en température de ce type de résistance est
quasi-linéaire et sensiblement égale à 1 Ω/°C (cf. annexe A1).
La cellule sensible ainsi réalisée est une « puce » de 7 millimètres de côté.

Connaissant les caractéristiques géométriques essentielles, c’est-à-dire l’aire de la surface A
de l’armature fixe et la distance inter-électrode d, nous pouvons calculer une valeur
« théorique » de la capacité au repos. Sachant que εo = 8,86.10-12 F/m, dans le cas où A = 6,2
mm2 et d = 1,6 μm, nous obtenons, à partir de la relation (II. 1) : Cio = 34,333 pF.
________________________________________________________________________________________
21
_________________________________________________________________________________________
2.1.3. Modèle électrique
D’un point de vue électrique, la cellule sensible peut être considérée comme un dipôle.
Comme nous l’avons vu, ce dipôle est un condensateur variable. Par conséquent, il peut être
modélisé par une capacité en parallèle avec une conductance de fuite. En tenant compte des
résistances d’accès, la cellule sensible se modélise par le schéma de la Fig. 2. 3 .
La caractérisation permettra d’évaluer les différents paramètres de ce modèle.
Résistances
Ra
d’accès
Capacité Ci Gi Conductance
intrinsèque de fuite
intrinsèque
Figure 2. 3 : Modèle électrique de la cellule sensible.
2.2. Description du dispositif de mesure et de test
Le dispositif de test qui a été mis au point pour la caractérisation en pression et en

température des cellules sensibles comprend trois parties principales :
- un dispositif de génération et de mesure de pression,
- un dispositif de régulation et de mesure de température,
- un dispositif de mesure d’impédance.
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22
_________________________________________________________________________________________
L’ensemble peut être schématisé de la façon suivante :
Azote Etuve
Manomètre Bloc étanche

Analyseur
Cellule d'impédance
Générateur
de
Pression
Thermomètre
Figure 2. 4 : Schéma du dispositif expérimental de caractérisation de la cellule

sensible.
2.2.1. Caractéristiques du matériel utilisé et du banc de test
Nous avons regroupé dans le tableau 2- 1 les principales caractéristiques de chaque

appareil de mesure utilisé pour étudier la cellule sensible. L’ensemble des caractéristiques de
chaque appareil est donné dans l’annexe A1.
Tableau 2- 1 : Principales caractéristiques du matériel utilisé.
MESURANDE APPAREIL DE MESURE
Type Précision Résolution
Capacité Analyseur d’impédance 0,05 % L(*) ± 0,1 fF
Conductance (10 Hz / 2 MHz) 0,05 % L(*) ± 0,5 nS
Température Thermocouple type K 0,1%L + 0,7°C ± 0,1 °C
Pression Générateur 1 bar / 18 bars ± 0,2 % PM(***) ± 0,27

mbar(**)
(*)
En pourcentage de la lecture L dans les conditions optimales de mesure (en tension, en fréquence et en bruit)
(**)
Dans les conditions expérimentales de mesure (dépend du temps d’intégration)
________________________________________________________________________________________
23
_________________________________________________________________________________________
(***)
PM représente la pression maximale (18 bars).
2.2.2. Montage des cellules sensibles
A) Dispositif
La Fig. 2. 5 représente une vue en coupe du dispositif permettant l’étude en

pression de la cellule sensible.
Amenée de pression Bloc

métallique
Goujon
4 Cellule sensible
Joint torique 1 Plot de contact
5
Embase TO3
6 Perle de verre
3 7 isolante
Ecrou A 2 B
Colle
Figure 2. 5 : Vue en coupe schématique du montage des cellules et localisation des

capacités parasites.
L’ensemble du dispositif introduit des capacités parasites qui peuvent être non
négligeables et donc perturber la mesure. L’une des difficultés de cette étude a été de les
localiser puis de les évaluer. Nous avons reporté sur cette même figure des pastilles
numérotées de 1 à 7. Celles-ci permettent de localiser les principales capacités existantes
entre les points A et B qui représentent les points de la mesure. Elles peuvent être définies de
la façon suivante :
- c Ö Ci : Capacité intrinsèque de la cellule que l’on veut caractériser.
- d Ö C2 : Capacité de couplage entre les fils de mesure par l’intermédiaire de l’air.
- e,i Ö C3, C7 : Capacités dues aux perles de verre qui isolent les plots de contact
par rapport à l’embase.
- f Ö C4 : Capacité de l’air entre la membrane de Si et le boîtier métallique
(électriquement relié à la masse).
- g Ö C5 : Capacité due au substrat de Pyrex.
- h Ö C6 : Capacité due à la colle entre le Pyrex et l’embase.
________________________________________________________________________________________
24
_________________________________________________________________________________________
B) Schéma électrique équivalent
A partir de la Fig. 2. 5 et du schéma équivalent de la cellule sensible (cf.

Fig. 2. 3 ), nous pouvons déduire un schéma électrique équivalent de l’impédance vue entre A
et B (cf. Fig. 2.6a) :
A Ra(A) Ri = 1/Gi Ra(B) B
Ci
C2
C5
C3 C4 C7
C6
Embase
Figure 2. 6a : Schéma électrique équivalent de l’impédance vue entre A et B.
D’après les conclusions de la section 4.1 de l’annexe A1, si l’on connecte

l’embase à la masse, seules les capacités Ci et C2 seront mesurées par l’analyseur
d’impédance, c’est-à-dire la capacité intrinsèque de la cellule sensible et la capacité
équivalente due au couplage entre les fils de mesure que nous nommerons Cp dans ce qui suit.
Nous avons également représenté sur ce schéma les résistances d’accès à

chaque électrode de la cellule. Ces deux résistances sont telles que : Ra(A) + Ra(B) = Ra. Ceci
étant, nous les considèrerons comme négligeables par rapport à l’impédance équivalente à la
capacité Ci en parallèle avec la conductance de fuite Gi. Nous vérifierons cette hypothèse par
les mesures expérimentales. Par conséquent, le schéma équivalent de la Fig. 2. 6a se simplifie
comme le montre la Fig. 2. 6b [2-8].
________________________________________________________________________________________
25
_________________________________________________________________________________________
Gi Ci Cp
Figure 2. 6b : Schéma équivalent effectif de la cellule avec son montage lorsque

l’embase est reliée à la masse.
Nous avons donc à évaluer la capacité intrinsèque, la conductance de fuite et la

capacité de couplage entre les fils de mesure. Ceci étant, toutes les autres capacités parasites
ont été évaluées dans l’annexe A2 car, si elles ne perturbaient pas la mesure directe de Ci,
elles ne sont en revanche pas du tout à exclure dans le fonctionnement du capteur.
2.3. Caractérisation de la cellule sensible
2.3.1. Vérification des hypothèses simplificatrices
Le schéma électrique équivalent (cf. Fig. 2.6a) tient compte des résistances d’accès à
la mesure. Si l’on représente le module de l’impédance équivalente |Z| de la cellule et du
montage (cf. Fig. 2. 3 ) dans le diagramme de BODE, nous pouvons identifier trois modes de
fonctionnement comme le montre la Fig. 2. 7 .
________________________________________________________________________________________
26
_________________________________________________________________________________________
Z
Comportement
≈ Ri+Ra Capacitif
Comportement
résistif Comportement
résistif
≈ Ra
fc1 fréquence
fc2
Figure 2. 7 : Schématisation du comportement en fréquence de l’impédance

équivalente de la cellule sensible et du montage.
Ce système présente deux fréquences de coupure fc1 et fc2 respectivement déterminées

par :
1
f c1 = (II. 3a)
2 π (R i + R a ) Ci
1
f c2 = (II. 3b)
2 π R a Ci
Autrement dit pour vérifier que Ra << Ri, il suffit de montrer que fc1 << fc2. Par contre,
pour conclure que Ra est négligeable, il faut que la fréquence de coupure fc2 soit très
supérieure à la fréquence de mesure de la cellule.
Or, nous n’avons pas pu déterminer expérimentalement fc2 car elle est supérieure à la
fréquence maximum que le générateur peut fournir (2 MHz). Par conséquent, pour ces
fréquences, nous pouvons négliger la résistance d’accès Ra qui, d’après (II. 3b) est au moins
inférieure à 2 kΩ. En réalité, elle est bien plus faible puisque quelques mesures directes de
résistance séries ont montré qu’elle est de l’ordre de quelques ohms.
On peut alors conclure que le schéma électrique équivalent au dispositif est bien celui
de la Fig. 2. 6b, c’est-à-dire un circuit parallèle constitué d’une conductance Gi et de deux
capacités Ci et Cp.
________________________________________________________________________________________
27
_________________________________________________________________________________________
2.3.2. Conditions optimales de mesure
Avant de caractériser la cellule sensible, nous devons définir les conditions de mesure
optimales afin d’une part d’être sûr de bien mesurer le paramètre voulu et d’autre part de
minimiser les erreurs introduites par la mesure elle-même.
Pour mesurer expérimentalement ces valeurs, nous devons faire plusieurs choix dans le menu
général de l’impédancemètre. La plupart de ces choix sont importants car ils fixent la
précision globale et la résolution de la mesure (cf. annexe A1). Ils portent sur :
- le type de mesure (impédance ou admittance, en série ou en parallèle),
- l’amplitude du signal de mesure,
- la fréquence de ce signal,
- le temps et le nombre d’intégration.
A) Choix du type de mesure
L’impédance de la cellule étant celle représentée par le schéma de la Fig.

2. 6b, nous avons fait le choix d’un circuit de type parallèle.
B) Choix des caractéristiques du signal de mesure
D’après la fiche technique de l’analyseur d’impédance nous ne pouvons

mesurer que des admittances supérieures à 10 nS. Donc, étant donné que l’on veut mesurer
une capacité de l’ordre de 30 à 40 pF, la fréquence minimale du signal de mesure doit être de
l’ordre de 100 Hz.
La Fig. 2. 8 nous montre les résultats de l’étude en fréquence de la cellule

sensible à pression atmosphérique avec une amplitude Um du signal de mesure de 1 V. Nous
avons représenté sur le même graphe, la capacité mesurée Cm (Cm = Ci + Cp) et la
conductance de fuite Gi.
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28
_________________________________________________________________________________________
Capacité
Conductance
35
1000
34
33
500
Cm (pF)
Gi (nS)
32
0
31
30
-500
29
101 102 103 104 105 106
f (Hz)
Figure 2. 8 : Mesures de la capacité Cm et de sa conductance parallèle Gi en fonction

de la fréquence avec Um = 1 V.
Ces résultats confirment que la mesure de la capacité ne peut pas être effectuée
avec un signal de fréquence inférieure à 100 Hz.
Ceci étant, il apparaît clairement sur cette courbe que la capacité mesurée est à peu près stable
avec une conductance de fuite relativement faible pour des fréquences de mesure comprises
entre 5 kHz et 500 kHz. Les valeurs approchées de (environ 34 pF et quelques dizaines de nS)
obtenues dans cette plage de fréquence, confirment que la résistance d’accès peut être
négligée. De plus, dans cette même gamme de fréquence, la conductance Gi devient elle aussi
négligeable par rapport à la réactance (Ci + Cp)ω.
Enfin, compte tenu de la valeur de la capacité intrinsèque calculée et de celle mesurée, nous
pouvons également ajouter que la valeur de la capacité parasite est relativement faible
puisqu’elle est forcément inférieure à 0,5 pF.
Si nous ne négligeons pas Cp, le schéma équivalent se réduit à la capacité intrinsèque de la
cellule en parallèle avec la capacité parasite de couplage.
________________________________________________________________________________________
29
_________________________________________________________________________________________
Comme nous le verrons dans le chapitre 4, le fonctionnement du capteur est tel

que la fréquence du signal aux bornes de la capacité intrinsèque est de l’ordre de 200 kHz.
Nous avons donc choisi de prendre comme fréquence du signal de mesure, celle qui se
rapproche le plus de 200 kHz tout en ayant une précision maximum au niveau de
l’impédancemètre (cf. annexe A1). C’est pourquoi nous avons pris : fm = 100 kHz sachant
que le comportement de la cellule est sensiblement le même entre ces deux fréquences.
En ce qui concerne l’amplitude du signal de mesure, le générateur interne de

l’impédancemètre peut fournir un signal sinusoïdal dont l’amplitude peut varier entre 20 mV
et 5 V pour une fréquence inférieure à 500 kHz et entre 20 mV et 1 V pour une fréquence
supérieure ou égale à 500 kHz.
La Fig. 2. 9 représente la variation de la capacité d’une cellule en fonction de l’amplitude du
signal de mesure Um sachant que la fréquence de ce signal a été maintenue constante à 100
kHz. Plusieurs séries de mesures sont représentées sur ce schéma pour apprécier la
reproductibilité et la fidélité des mesures sur une même cellule. Nous avons représenté l’axe
des abscisses par une échelle logarithmique de manière à bien visualiser ce qu’il se passe pour
les faibles niveaux de tension.
34,28
34,24
Cm (pF)
34,20
Série 1
Série 2
34,16 Série 3
Série 4
Série 5
34,12
0,1 1 5
Um (V)
Figure 2. 9 : Variation de la capacité mesurée en fonction de Um à fm = 100 kHz.
________________________________________________________________________________________
30
_________________________________________________________________________________________
La Fig. 2. 9 montre d’une part que la capacité augmente légèrement avec la

tension et d’autre part que le bruit diminue lorsque Um augmente. De plus, les mesures sont
reproductibles avec une dispersion inférieure à 0,02 pF dès lors que l’amplitude Um est
supérieure à 0,5 Volts. Cette dispersion peut être réduite de moitié si les mesures sont
effectuées entre 0,5 V et 1 V ou entre 2 V et 5 V. En effet, nous pouvons constater une erreur
systématique de 20 fF entre 1 V et 2 V.
Lorsqu’on applique une différence de potentiel U entre deux armatures,

l’existence d’une force électrostatique peut agir sur la déflexion (w) de la membrane. Cette
force génère donc une pression électrostatique Pe définie par [2- 9] :
ε U2
Pe = (II. 4)
2 (d − w )2
Le calcul nous montre que cette pression reste inférieure à 50 Pa (0,5 mbars) pour une tension
U = 5 V.
En conclusion, après avoir fait des mesures de précision en fonction de la

tension et de la fréquence, nous avons obtenu les mesures de capacité les plus stables, les plus
reproductibles et les plus précises (voir annexe A1) pour une tension Um = 1 V et une
fréquence fm = 100 kHz.
C) Choix du temps d’intégration et du nombre d’intégrations
Toujours à partir des mesures préliminaires de précision décrites en annexe A1,

nous en avons déduit le temps d’intégration optimal donnant les mesures les plus précises :
1 mesure par seconde avec une précision maximum de 0,05 %.
Nous pouvons également « moyenner » les mesures pour avoir une meilleure
résolution. Nous avons utilisé un bon compromis rapidité-fidélité en faisant la moyenne sur 5
mesures. Cela nous permet d’avoir une mesure toutes les 10 secondes environ avec une
résolution de ± 2 fF.
________________________________________________________________________________________
31
_________________________________________________________________________________________
2.3.3. Réponse en pression de la cellule sensible
Dans toute cette partie, les mesures ont été réalisées dans les conditions optimales
établies au paragraphe précédent c’est-à-dire : Um = 1 V et fm = 100 kHz.
Dans ces conditions, la précision du capacimètre est égale à 0,07 % de la mesure (cf. Annexe
A1).
Un exemple de réponse à température ambiante d’une cellule est représenté sur la Fig. 2. 10 .
Nous n’avons pas représenté la variation de la conductance car, étant de l’ordre de 10 nS,
l’impédancemètre ne peut pas mesurer de telles valeurs avec une précision suffisante.
90
80
70
C (pF)
60
m
50
40
30
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
Pression (bar) Pmax
Figure 2. 10 : Réponse en pression à température ambiante d’une cellule sensible

capacitive.
Cette courbe de réponse montre que la pression maximum mesurable (Pmax) pour
laquelle les armatures entrent en contact, est d’environ 17 bars.
2.3.4. Modélisation de la réponse
D’après la courbe de la Fig. 2. 10 , Pour P ≤ Pmax/2, la réponse de la cellule peut être

modélisée par une droite à laquelle on ajoute un terme de nonlinéarité. Autrement dit la
réponse de la cellule peut être mise sous la forme (cf. Fig. 2.11) :
Cm (P) = Co + S×P + NL(P) (II. 5)
________________________________________________________________________________________
32
_________________________________________________________________________________________
où :
Co représente la valeur de la capacité correspondant à l’intersection de la droite
des moindres carrés avec l’axe des ordonnées pour P = 0. C’est donc l’ordonnée à l’origine et
nous l’appellerons dans ce qui suit « Offset » ou « Capacité au repos ».
S représente la pente de cette droite. C’est la sensibilité de la cellule à la

pression. Elle s’exprime en pF / bar.
NL est la nonlinéarité de la réponse en pression. Elle est calculée en faisant la

~
différence entre un polynôme de régression sur les points de mesure ( C( P) ) et la droite des
moindres carrés (CL (P)) de ces mêmes points. Nous exprimerons cette différence en
pourcentage de la réponse pleine échelle (R.P.E.), ce que l’on peut exprimer par :
~
C( P ) − C L ( P )
NL = 100 × (II. 6)
R. P. E.
où R.P.E. = CL(P(E.M)) - CL(1) (II. 7)

De plus, pour pouvoir comparer différentes nonlinéarités, nous avons défini la nonlinéarité
moyenne qui s’écrit de la manière suivante :
NL(max) + NL(min)
NL = ± (II. 8)
2
Droite des Régression

~
moindres carrés : polynomiale C (P)
Cm (P) CL (P)
Points
Expérimentaux
NL
Réponse Pleine
Echelle : R.P.E.
Offset : Co
0 1 P(E.M) P
Etendue de la mesure : E.M
Figure 2. 11 : Modélisation de la réponse de la cellule sensible.
________________________________________________________________________________________
33
_________________________________________________________________________________________
2.3.5. Gammes de pression et de température
En ce qui concerne les gammes de pression et de température mesurables, elles sont

déterminées par le cahier des charges : 1 bar / 6 bars pour la pression et -25°C / 85°C pour la
température.
Pour ce qui a trait à la pression, compte tenu du fait que nous ne disposons pas de système
permettant de faire des mesures sous vide, l’étendue de mesure en pression (E.M) n’est
définie qu’à partir de la pression atmosphérique, autrement dit, nous avons pour P(E.M) = 6
bars,
E.M = 5 bars.
D’après le modèle (cf. Fig. 2. 11 ), il est clair que la sensibilité et nonlinéarité d’une cellule
dépendent de l’étendue de la mesure de pression sur laquelle on a effectué les mesures. Le
tableau 2- 2 montre comment peuvent évoluer ces caractéristiques en fonction de P(E.M.).
Tableau 2- 2 : Evolution des caractéristiques S et NL en fonction de l’étendue de la

mesure de pression considérée (E.M).
P(E.M.) / Pmax (%) 24 35 47 71
Sensibilité (pF / bar) 1,239 1,345 1,477 1,819
Nonlinéarité (%.RPE) ± 1,23 ± 2,74 ± 3,69 ± 7,6
Nous pouvons remarquer que ce type de cellule possède une réponse d’autant plus
nonlinéaire que la plage de mesure s’étend. En revanche, augmenter cette étendue de mesure
n’améliore pas autant la sensibilité qu’elle ne détériore la nonlinéarité.
Compte tenu du fait que ces cellules ont un Pmax de 17 bars, la précision sera de l’ordre de
2,5 % de l’étendue de mesure.
Par ailleurs, nous pouvons constater que la sensibilité de ce type de cellule est relativement
grande (S/Co ≈ 4 %/bar pour P(E.M) = 6 bars) voire même bien supérieure à celle donnée par le
cahier des charges (1,5 %/bar).
Concernant la gamme de température, même si la cellule sensible peut fonctionner sur

une plage de température bien plus importante, nous nous sommes restreint à ne faire l’étude
qu’entre -10°C et 90°C, c’est-à-dire la gamme de température sur laquelle le circuit
électronique a fonctionné normalement.
________________________________________________________________________________________
34
_________________________________________________________________________________________
2.3.6. Etude des caractéristiques en pression et en température
Nous avons représenté sur la Fig. 2. 12 un exemple de variation de la capacité d’une

cellule entre 1 et 6 bars, et pour des températures comprises entre -10°C et 90°C.
42
40
C (pF)
38
m
θ =-10°C
36 θ =10°C
θ =30°C
θ =60°C
34
θ =90°C
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 2. 12 : Réponse en pression de la cellule sensible pour des températures

comprises entre -10°C et 90°C.
Nous pouvons remarquer que, sur ces plages de pression et de température, la dérive
thermique de ce type de cellule est faible.
Conformément à la modélisation proposée dans le paragraphe 2.3.4, nous avons étudié

la dérive thermique de chacun des paramètres de ce modèle, c’est-à-dire celle de Co, de S et
de NL. Pour cela nous avons calculé leur Coefficient de Température défini par :
1 ∂X
TC[ X] = (II. 9)
X ∂θ
où X est une variable qui représente un des paramètres du modèle. Ce coefficient peut être
exprimé soit en pour-cent par degré Celsius (%/°C), soit en partie par million par degré
Celsius (PPM/°C).
Comme les coefficients sont relativement faibles par rapport aux valeurs nominales, X(θ) peut
être remplacé par X (θ = 25°C).
________________________________________________________________________________________
35
_________________________________________________________________________________________
A) Etude de la dérive thermique de l’offset
A partir du modèle linéaire en pression défini pour chaque température, on

calcule la variation de « l’offset » (Co) en fonction de la température. La Fig. 2. 13 représente
cette dérive entre -10°C et 90°C.
33,0
32,9
C (pF)
o
32,8
32,7
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 2. 13 : Dérive thermique de « l’offset ».
La dérive de l’offset pouvant être considérée comme linéaire, le coefficient de

température est constant et donné par : TC[ Co ] = - 58,8 ppm/°C
B) Dérive thermique de la sensibilité
Nous avons reporté, sur la Fig. 2. 14 la dérive thermique de la sensibilité S.

Nous rappelons que celle-ci est déterminée par la pente de la droite des moindres carrés sur la
réponse Cm (P). Nous avons donc relevé la valeur de cette pente à chaque température.
________________________________________________________________________________________
36
_________________________________________________________________________________________
1,36
1,35
S (pF / bar)
1,34
1,33
1,32
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 2. 14 : Dérive thermique de la sensibilité.
De la même manière que pour l’offset, nous pouvons modéliser la dérive de

sensibilité par une régression linéaire et par suite calculer son coefficient thermique. Nous
obtenons :
TC [ S ] = - 222,2 ppm/°C
Ces deux résultats nous permettent de dire que la cellule sensible a un bon
comportement en température, c’est-à-dire que ses caractéristiques ont une dérive thermique
relativement faible comparées à celle des cellules rencontrées dans la littérature [2- 10] à
[2- 15].
C) Etude de la nonlinéarité
La Fig. 2. 15 représente la nonlinéarité normalisée par rapport à la réponse

pleine échelle en fonction de la pression et pour trois valeurs de température : -10°C, 30°C et
90°C.
________________________________________________________________________________________
37
_________________________________________________________________________________________
4
θ = - 10°C
θ = 30°C
2 θ = 90°C
NL (% RPE)
-2
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 2. 15 : Nonlinéarité de la réponse en fonction de la pression et paramétrée en

température.
Nous pouvons voir sur cette figure que les trois courbes sont pratiquement
superposées. Autrement dit, la variation de la nonlinéarité (ΔNL/NL) ne varie quasiment pas
avec la température (≤ 1 %/°C).
En calculant la nonlinéarité moyenne définie dans la section 2.3.4 par (II. 8),
nous obtenons :
NL = ± 2,7 % R.P.E.
Si le comportement en température est relativement bon, en revanche il n’en

est pas de même pour la nonlinéarité qui est trop élevée par rapport à la précision que l’on
veut atteindre (cf. § 1.2.2).
________________________________________________________________________________________
38
_________________________________________________________________________________________
2.3.7. Erreurs de mesure
L’objectif de cette section est d’évaluer le poids des erreurs de mesures dues d’une
part à la précision des appareils et d’autre part aux fluctuations introduites par les systèmes de
régulation de pression et de température. L’ensemble de ces erreurs fixe la précision globale
du système.
A) Bruit de mesure du capacimètre
Au niveau du capacimètre, il existe des fluctuations de la mesure à température

ambiante et à pression atmosphérique. Tout paramètre d’influence étant stable, nous pouvons
assimiler cette dispersion des valeurs à du bruit de mesure. Comme nous l’avons vu au
paragraphe 2.3.2.C, ce bruit ne dépend que des conditions de mesure. Il est égal (dans les
conditions de mesure choisies) à ± 2 fF. Ceci étant, cette fluctuation est comprise dans les
0,05 % de précision annoncée par le constructeur.
B) Fluctuations dues à la régulation de pression
Nous avons vu dans la section 2.2.1 que le générateur de pression pouvait

effectuer une régulation à ± 0,27 mbars près. Par contre, la présence quasi inévitable de fuites
ne nous permet de réguler, dans le pire des cas (à 6 bars), qu’à ± 2 mbars près.
C) Fluctuations dues à la régulation de température
Dans le paragraphe 2.2.1, nous avons donné l’amplitude maximum des

fluctuations observées au niveau du thermocouple placé dans la masse du bloc métallique.
Elle est égale à ± 0,1°C. Cette même fluctuation a également été observée au niveau de la
résistance thermométrique placée sur la cellule (± 0,1 Ω) (cf. annexe A1).
D) Précision
Le calcul de la précision globale sur la mesure de la capacité de mesure

consiste à faire la somme des erreurs maximum introduites par les appareils et par les
________________________________________________________________________________________
39
_________________________________________________________________________________________
systèmes de régulation (cf. annexe A1). L’ensemble de ces résultats est synthétisé dans le
tableau 2- 3 .
Tableau 2- 3 : Précision des appareils de mesures et différentes fluctuations.
Précision Fluctuations dues Erreurs
des appareils de mesure aux régulations globales
Pression ± 0,02 %L soit ± 0,033 % P(E.M)

± 1,2 mbars* ± 2 mbars* ΔP = ± 3,2 mbars*
Température ± (0,1 %L + 0,7°C) ± 0,1°C Δθ = ± 0,89°C*

* Ce sont des valeurs maximales car elles ont été calculées pour une pression maximum de 6 bars et une
température maximum de 90°C.
La précision relative des appareils de mesure est exprimée en pourcentage de la

lecture L. Nous en avons déduit l’erreur maximale associée aux valeurs limites des plages de
pression et de température (6 bars et 90°C).
A partir de la relation (II. 5) qui modélise la réponse de la cellule sensible et

des polynômes de régression sur les courbes de la Fig. 2.12, nous pouvons calculer l’erreur de
mesure introduite par des fluctuations de pression et de température sur la valeur de la
capacité à partir de la différentielle totale exacte définie par :
∂C ∂C
dC = dP + dθ (II. 10)
∂P ∂θ
Si l’on considère les variations maximales, la relation (II.10) devient :
ΔCM = ± [(1,045 - 3,094.10-4 θ + 5,688.10-2 P + 7,92.10-3 P2) ΔP
+ (2,13.10-3 + 3,094.10-4 P) Δθ] (II. 11)
Cette relation nous permet de calculer d’une part la résolution du dispositif et d’autre part sa
précision. Si l’on considère que la résolution εr est définie par les fluctuations dues aux
régulations, on a : εr = 0,053 %RPE (ou ± 3,7 fF).
Pour calculer la précision, nous devons introduire celle des appareils c’est-à-dire introduire
les erreurs globales dans l’expression de ΔCM, ce qui nous donne à P = 6 bars et θ = 90°C (cf.
tableau 2- 3 ) :
________________________________________________________________________________________
40
_________________________________________________________________________________________
ΔCM = ± 8,8 fF
Par conséquent, en tenant compte de la précision de l’impédancemètre, nous
pouvons évaluer la précision globale εp du dispositif expérimental. Cette valeur est majorée
par la somme des erreurs (précision du capacimètre + erreur de mesure en pression et en
température).
Tableau 2- 4 : Précision globale de la mesure de la cellule capacitive.
Précision de l’impédancemètre ΔCM / Co Précision globale (εp)
± 0,07 % Co(*) ± 0,026 % Co ± 0,096 % Co

(*)
Précision obtenue dans les conditions de mesures définies dans la section 2.3.2.
Nous pouvons en conclure que les mesures expérimentales sont suffisamment fidèles
pour évaluer correctement le comportement de notre cellule sensible, compte tenu de la
précision fixée par le cahier des charges (3 %).
2.3.8. Stabilité et dérives temporelles
L’objectif de ce paragraphe est d’évaluer l’importance des différentes

instabilités de type hystérésis mais aussi d’avoir une notion sur la reproductibilité et la
stabilité temporelle des mesures sur ce type de cellule.
A) Hystérésis en pression
La méthode expérimentale consiste à mesurer la capacité Cm au cours d’un

cycle de pression. La température est maintenue constante pendant tout le cycle. Pour éviter
toute fluctuation due à la régulation, nous nous sommes placés à température ambiante.
L’hystérésis en pression normalisée par rapport à la Réponse Pleine Echelle (R.P.E) (cf. (II.
7)) est définie par :
C m ( Pc ) − C m ( Pd )
H P = 100 × (II. 12)
R. P. E
avec
________________________________________________________________________________________
41
_________________________________________________________________________________________
Pc : Pressions croissantes
et Pd : Pressions décroissantes
La Fig. 2. 16 représente la variation de cette hystérésis en fonction de la

pression. Il est également représenté en pointillé sur cette figure la limite correspondant à
l’erreur maximum due à la régulation de pression avec Δθ = 0 (cf. éq. II. 11).
0,08
0,06
H (% RPE)
0,04
p
0,02
0,00
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 2. 16 : Hystérésis en pression à température ambiante.
Nous pouvons constater que l’hystérésis est inférieure aux erreurs dues à la
régulation de la pression et a fortiori, à la précision globale du système.
B) Hystérésis en température
De la même manière que pour l’étude de l’hystérésis en pression, la méthode

consiste à mesurer les valeurs de Cm au cours d’un cycle thermique, pour des valeurs
décroissantes de la température d’une part et pour des valeurs croissantes d’autre part. Pour
éviter toute fluctuation due à la régulation en pression, nous avons fait cette étude à pression
atmosphérique. L’hystérésis en température normalisée par rapport à la réponse pleine échelle
(R.P.E.) est alors définie par :
C m (θ d ) − C m (θ c )
H θ = 100 × (II. 13)
R. P. E
avec
________________________________________________________________________________________
42
_________________________________________________________________________________________
θc : températures croissantes
et θd : températures décroissantes
La Fig. 2. 17 représente la variation de cette hystérésis en fonction de la

température.
0,15
Hθ (%.R.P.E)
0,10
0,05
0,00
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 2. 17 : Hystérésis en température à pression atmosphérique.
Nous pouvons constater que ces cellules ont une hystérésis relativement faible
puisqu’elle est tout juste supérieure au bruit de mesure.
C) Reproductibilité des mesures en pression
La reproductibilité caractérise l’aptitude de la cellule sensible (avec son

boîtier) à revenir à son état initial quelle que soit la contrainte qu’on lui a fait subir.
Autrement dit, nous allons vérifier si l’ensemble du système encapsulé travaille dans un
domaine élastique ou plastique.
La méthode consiste à effectuer les mesures de Cm pendant un certain nombre

(N) de cycles de pression entre 1 bar et 6 bars comme l’indique la Fig. 2. 18 . Pour ne pas
rajouter de fluctuations dues à une régulation en température, nous avons réalisé ces mesures
à la température ambiante. Chaque mesure doit être prise dès que la pression se trouve dans
________________________________________________________________________________________
43
_________________________________________________________________________________________
l’intervalle de régulation à 1 bar et à 6 bars. Ce sont donc des mesures quasi-instantanées pour
éviter d’observer un éventuel phénomène de relaxation.
Points de mesure
Pression
6b
1b
0 90 105 120 140
t (s)
Figure 2. 18 : Définition des points de mesure pour l’étude de la reproductibilité.
Les Figs 2. 19 et 2. 20 représentent respectivement les erreurs de

reproductibilité sur la mesure à P = 1 bar et à P = 6 bars exprimées en pourcentage de la
réponse pleine échelle.
0,06
Reproductibilité (%.R.P.E)
P = 1 bar
0,04
0,02
0,00
-0,02
-0,04
0 5 10 15 20 25
N cycles
Figure 2. 19 : Reproductibilité de la mesure de Cm à P = 1 bar.
________________________________________________________________________________________
44
_________________________________________________________________________________________
0,04 P = 6 bars
Reproductibilité (% R.P.E) 0,02
0,00
-0,02
-0,04
0 5 10 15 20 25
N cycles
Figure 2. 20 : Reproductibilité de la mesure de Cm à P = 6 bars.
Nous pouvons remarquer sur ces figures que la dispersion des mesures est
inférieure ou égale aux fluctuations dues à la régulation de la pression d’une part et au bruit
de mesure du capacimètre d’autre part (cf. Tableau 2- 3 ). Ce qui signifie que les mesures en
pression sont parfaitement reproductibles entre 1 bar et 6 bars. Il n’y a donc ni de
déformations plastiques ni de problèmes de fluage du composant sur son support.
D) Dérives à court et moyen termes
L’objectif de ce paragraphe est d’évaluer les dérives temporelles (de 0 à 12 h)

de la cellule après lui avoir fait subir un échelon de pression d’une part et un échelon de
température d’autre part.
Dérives au court d’un cycle de pression
Nous avons, dans un premier temps représenté, sur la Fig. 2. 21a, la variation de la
capacité ΔCm au cours d’un cycle de pression de manière à avoir une vue globale de son
comportement. Ensuite, nous avons séparé les phases de transition correspondant au front
montant et au front descendant afin de mieux visualiser les temps de stabilisation que l’on
peut définir comme des temps de relaxation. Ces résultats sont respectivement donnés sur les
Figs 2. 21b et 2. 21c. Dans les deux cas, le temps t = 0 correspond au moment où le système
de régulation en pression se met en marche pour la première fois.
________________________________________________________________________________________
45
_________________________________________________________________________________________
6 bars
6
(pF)
4
m
ΔC
2
1 bar 1 bar
0
0 100 200 300 400 500 600

Temps (mn)
Figure 2. 21a : Stabilité de la réponse au cours du temps d’une cellule soumise au

cycle de pression : 1 bar, 6 bars, 1 bar.
0,10
(% R.P.E)
0,05
0,00
m
ΔC
-0,05
0 50 100 150 200 250
Temps (mn)
Figure 2. 21b : Dérive temporelle suite au front montant (passage de 1 bar à 6 bars).
________________________________________________________________________________________
46
_________________________________________________________________________________________
0,00
(% R.P.E) -0,02
-0,04
m
-0,06
ΔC
-0,08
0 50 100 150 200 250

Temps (mn)
Figure 2. 21.c : Dérive temporelle suite au front descendant (passage de 6 bars à 1

bar).
Nous pouvons remarquer sur la Fig. 45H2. 21a que le temps de réponse de ce type de
cellule, sur cette excursion de pression, est très faible. Il n’est d’ailleurs pas significatif
puisque les variations de capacité sont inférieures à la précision du dispositif.
D’après les deux courbes 45H2. 21b et 45H2. 21c, il est difficile de déceler un temps
de stabilisation puisque nous sommes à la limite de la résolution du système. En réalité, cette
étude est complémentaire avec celle sur la reproductibilité. En effet, nous pouvons dire que
s’il y avait eu un temps de réponse ou de stabilisation important, nous aurions perçu une
dérive dans l’étude de la reproductibilité.
Dérives au court d’un échelon de température
Nous avons mesuré les dérives temporelles de la capacité à la suite d’une variation
importante de température telle qu’un front montant (25°C => 90°C) puis d’un front
descendant (90°C => -10°C). Ces mesures sont effectuées à pression atmosphérique pour
éviter de superposer des fluctuations dues à une régulation de pression. Les résultats sont
donnés sur les Figs. 2. 22a, b et c. Pour les Figs. 2. 22 b et c, le temps t = 0 correspond à
l’instant où la température de la cellule atteint pour la première fois la valeur attendue.
________________________________________________________________________________________
47
_________________________________________________________________________________________
0,1 P = Patm
θ = 25°C θ = -10°C
3
1
0,0
ΔC (pF)
-0,1
m
-0,2
θ = 90°C
2
-0,3
0 100 200 300 400 500

Temps (mn)
Figure 2. 22a : Réponse temporelle au cours du cycle de température 25°C, 90°C,

-10°C, à pression atmosphérique.
0,00 θ = 90°C
P = Patm
-0,02
ΔC (% RPE)
-0,04
m
-0,06
-0,08
0 50 100 150 200 250

Temps (mn)
Figure 2. 22b : Dérive temporelle suite à un front montant de température

(25°C => 90°C).
________________________________________________________________________________________
48
_________________________________________________________________________________________
0,08
0,06
ΔC (% RPE)
0,04
0,02
m
0,00
θ = -10°C
-0,02
P = Patm
-0,04
-20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Temps (mn)
Figure 2. 22c : Dérive temporelle suite à un front descendant de température

(90°C => -10°C).
Les résultats montrent qu’à la suite d’une variation importante de température,

l’amplitude des dérives observées ne dépasse pas les 0,08 %RPE ce qui signifie que l’on est à
la limite de la résolution du dispositif expérimental à P = Patm qui, rappelons-le est de
± 0,053 %RPE.
Si l’on effectue une moyenne sur un grand nombre de mesures, on améliore la résolution.
Dans ce cas, nous avons pu déceler un temps de stabilisation d’environ une heure avant de
pouvoir faire des mesures à ± 0,01 %RPE près.
Conclusion
Après avoir brièvement décrit le principe de détection de la cellule sensible capacitive,

nous avons mesuré ses principales caractéristiques. Le schéma équivalent de cette cellule, aux
fréquences moyennes (5 kHz - 500 kHz) est défini par la capacité intrinsèque Ci en parallèle
avec une capacité parasite de couplage Cp (de l’ordre de 0,2 pF (cf. annexe A2)) et une
conductance de fuite Gi (de l’ordre de 10 nS). Par suite, ces éléments parasites sont
négligeables et l’on peut admettre que la cellule sensible se comporte, dans cette gamme de
fréquence, comme une capacité pure.
Nous avons également décrit l’ensemble des dispositifs de mesure spécialement conçus pour
cette étude. Nous avons pu, au cours de ce chapitre montrer la bonne précision de l’ensemble
de ce banc de test qui nous a permis de caractériser de manière précise et reproductible toutes
les cellules.
________________________________________________________________________________________
49
_________________________________________________________________________________________
La définition d’un modèle usuel défini par une partie linéaire à laquelle on ajoute un
terme de nonlinéarité nous a conduit à évaluer les principales caractéristiques de ce type de
cellule sensible. Nous avons également tenté d’évaluer les différentes instabilités comme
l’hytérésis, la reproductibilité des mesures en pression ou encore les phénomènes de
relaxation dans le temps que ce soit au cours de cycles de pression ou de température.
Toutes ces caractéristiques de la cellule sensible sont récapitulées dans le tableau 2- 5 .
D’après ce tableau ci-contre, nous pouvons conclure que cette cellule possède :
- une grande sensibilité à la pression,
- une faible sensibilité à la température,
- une très bonne stabilité.
En revanche, leur réponse en pression présente une nonlinéarité non négligeable,

d’autant plus importante que la plage de mesure est grande.
________________________________________________________________________________________
50
_________________________________________________________________________________________
Tableau 2- 5 : Principales caractéristiques de la cellule sensible capacitive.
CELLULE SENSIBLE CAPACITIVE
Conditions des mesures
Signal de mesure Amplitude 1V
Fréquence 100 kHz
Plage de mesure en Pression 1 bar / 6 bars
Plage de Température -10°C / +90°C
Schéma électrique équivalent : Ci // Gi
Capacité au repos ≈ 34 pF
Conductance ≈ 10 nS
Réponse en pression à 25°C
Pression maximale (ou de contact) 17 bars
Sensibilité 1,345 pF / bar (4 %Co / bar) (*)
Nonlinéarité ± 2,7 %.R.P.E. (*)
Comportement en température
Offset (Co) - 58,8 PPM/°C
Sensibilité - 222,2 PPM/°C
Stabilité
Hystérésis en pression ≤ Résolution(**)
Hystérésis en température ≈ Résolution(**)
Reproductibilité ≤ Résolution(**)
Dérives temporelles ≤ Résolution(**)

(*)
Valeurs obtenues sur la plage de pression considérée (1 bar / 6 bars)
(**)
Résolution du banc de mesure : ± 0,053 % RPE.
________________________________________________________________________________________
51
Chapitre 3
Etude du convertiseur
Capacité/Fréquence
Chapitre 3 : Etude du convertisseur Capacité / Fréquence
_________________________________________________________________________________________
Introduction
Après avoir caractérisé et modélisé les cellules sensibles, nous allons décrire et
analyser le fonctionnement du bloc analogique du circuit électronique. Sa principale fonction
est de générer un signal périodique dont la période est proportionnelle à la capacité de la
cellule.
Nous présenterons, dans une première partie, le principe de fonctionnement de ce circuit.
Ensuite, nous évaluerons son comportement par simulation à l’aide du logiciel PSPICE.
Dans la partie suivante, nous détaillerons le dispositif expérimental mis au point pour en faire
une évaluation plus fine. Nous déduirons enfin de l’ensemble des résultats donnés par ces
outils, un modèle du bloc analogique.
3.1. Description
Le convertisseur étudié dans cette partie a été conçu par Philippe Dondon de l’IXL et
réalisé par SGS-Thomson en technologie BiCMOS 2 µm [1-31].
3.1.1. Principe de fonctionnement
Le convertisseur est réalisé par un oscillateur basé sur le principe de la charge et de la

décharge à courant constant d’une capacité. Le schéma de l’oscillateur est représenté sur la
Fig. 3. 1 .
Système Vh
logique Vb
Io
v(t) C 2Io
Figure 3. 1 : Principe de fonctionnement de l’oscillateur.
________________________________________________________________________________________
55
_________________________________________________________________________________________
Cet oscillateur comprend deux générateurs de courant Io et 2Io, un interrupteur pour la

décharge de la capacité et un système logique pour commander cet interrupteur de manière à
ce que la tension v(t) « oscille » entre les valeurs seuils Vb et Vh. La tension v(t) aux bornes
de la capacité C a donc la forme d’une onde triangulaire comme le montre la Fig. 3. 2 .
v(t)
Vh
Vb
t1 t2 t
Figure 3. 2 : Allure de la tension aux bornes de la capacité.
La période et la fréquence de l’onde sont respectivement définies par :

2 C U hb
T(C) = t 2 − t 1 = (III. 1)
Io
Io
et f ( C) = (III. 2)
2 C U hb
avec Uhb = Vh - Vb (III. 3)
La sortie de cet oscillateur est donc un signal dont la période est proportionnelle à la
capacité. Sa fréquence f(C) est définie comme l’inverse de la période T(C) et représente donc
la fréquence fondamentale du signal triangulaire.
3.1.2. Description des principaux éléments du circuit
A) Alimentation du circuit
D’après le cahier des charges, nous avons vu que le circuit convertisseur devait
avoir une faible consommation. C’est pourquoi les éléments ont été conçus pour que le
convertisseur fonctionne sous une alimentation de 5 V. On définit donc les valeurs extrêmes
de la tension du circuit par : VDD = 5 V et VSS = 0 (cf. Fig. 3. 3).
________________________________________________________________________________________
56
_________________________________________________________________________________________
B) Elaboration des tensions de seuil
Pour que le circuit fonctionne correctement, il est important que les seuils
soient stables et donc qu’ils soient indépendants de la tension d’alimentation et de la
température. C’est pourquoi ils ont été générés à partir d’une source de tension appelée
« Générateur Bandgap » qui délivre une tension de référence Vréf égale à 1,225 V et qui a une
dérive thermique inférieure à 30 PPM/°C [3-1]. Les seuils ont été théoriquement définis de
manière à ce que la tension v(t) oscille autour de VDD/2 c’est-à-dire tels que :
Vb = 2 Vréf (III. 4)
et
Vh = 3 Vréf (III. 5)
Les coefficients multiplicatifs sont obtenus en utilisant des amplificateurs opérationnels (Aop)
en mode non-inverseur comme le montre la Fig. 3. 3 .
2R
VDD
R
Générateur Vréf Vh
« Bandgap » R
Vb
VSS
Figure 3. 3 : Générateur des seuils de tension Vh et Vb .
Etant donné que les résistances utilisées sont appairées à ± 1 %, la dispersion

de chaque tension de seuil peut être calculée à partir des relations théoriques applicables aux
Aop fonctionnant en mode non-inverseur et en régime linéaire. On a donc, comme dispersion
maximum sur chaque seuil :
ΔVb ΔR
≤ (III. 6)
Vb R
ΔVh 4 ΔR
et ≤ (III. 7)
Vh 3 R
________________________________________________________________________________________
57
_________________________________________________________________________________________
ce qui nous donne :

Vb = 2Vréf (± 1 %) (III. 8 a)
Vh = 3Vréf (± 1,33 %) (III. 8 b)
soit, dans le pire cas :
Uhb = Vréf (± 2,33 %) (III. 8 c)
En ce qui concerne le comportement thermique, on admet que les résistances

ont le même coefficient de température puisqu’elles sont issues de la même technologie. Par
conséquent, chaque tension de seuil se comporte comme la tension de référence, ce qui s’écrit
:
ΔVb ΔVh ΔVré f
= = = ± 15 PPM / °C (III. 9)
Vb Vh Vré f
Autrement dit, dans le pire des cas et sur 100°C :
Uhb = Vréf (± 0,30 %) (III. 10)
Concernant la dépendance à la tension d’alimentation, nous pouvons dire

qu’elle est nulle puisque d’une part, les Aop fonctionnent à un niveau bien en deçà de la
tension de saturation et d’autre part, la tension de référence est, par définition indépendante de
VDD. De plus, d’après les données du fabricant, nous pouvons admettre que les résistances ont
le même coefficient de tension. Par conséquent, la différence de potentiel Uhb est
indépendante de la tension d’alimentation.
C) Source du courant de charge
Le schéma électrique est représenté sur la Fig. 3. 4 .
R
+5V 1,8 R
4R
R
Générateur Vréf
Aop3 Rréf
Aop1
« Bandgap »
Io
Aop2
Figure 3. 4 : Schéma électrique du générateur de courant.

________________________________________________________________________________________
58
_________________________________________________________________________________________
L’analyse de ce schéma nous permet de dire que la différence de potentiel aux

bornes de la résistance de référence Rréf est égale à 0,7 Vréf. Autrement dit, en négligeant le
courant de base du transistor bipolaire, cette source délivre un courant Io défini par :
0,7 Vref
Io = (III. 11)
R ref
D’après les données du constructeur du circuit, la dispersion sur la valeur de Rréf est de ± 20
% de sa valeur nominale. Il s'ensuit que celle sur la valeur de Io est du même ordre de
grandeur.
Toujours d’après les fiches techniques, on a Rréf = 42,370 kΩ, ce qui nous donne comme
valeur nominale de courant :
Io = 20,2 μA (à ± 20 %). (III. 12)
D) Générateur du courant de décharge
Le courant de décharge (-Io) est obtenu à partir du courant de charge Io et d’un

courant de décharge égal à -2Io comme le montre la Fig. 3. 1 .
Ce courant de décharge est obtenu par association de miroirs de courant NMOS et PMOS et
de deux transistors NMOS ayant leur drain relié de manière à obtenir un courant deux fois
plus important. Le schéma électrique est représenté sur la Fig. 3. 5 .
VDD
Miroir PMOS
Io 2Io
Io
Miroir NMOS NMOS
Figure 3. 5 : Schéma électrique de la source de courant de décharge.
________________________________________________________________________________________
59
_________________________________________________________________________________________
Il y a donc une source de courant unique qui permet de générer à la fois le

courant de charge et celui de décharge. Ce qui signifie que si les transistors sont bien
appairés, la capacité est chargée puis déchargée par un courant de même valeur.
En ce qui concerne la polarisation de la source de décharge, elle se situe en permanence
autour de VDD/2. C’est dans ce but que les tensions de seuil Vh et Vb ont été choisies de part et
d’autre de cette valeur intermédiaire.
E) L’interrupteur
L’interrupteur permettant la décharge de la capacité est basé sur le principe de

fonctionnement en commutation de deux transistors complémentaires (MOS N et P) placés en
parallèle. La Fig. 3. 6 représente le schéma électrique du dispositif utilisé.
Système logique de Q
commande
Q
Swi1 Swi2
Io P N
Vh
N P
C
2Io
Figure 3. 6 : Schéma électrique de l’interrupteur.
Nous pouvons remarquer que ce dispositif est doté de deux interrupteurs (Swi1
et Swi2) pilotés par deux signaux de commande complémentaires (Q et Q ).
Si la sortie Q du bloc de commande est à 1 (VDD) alors l’interrupteur Swi1 est ouvert : la
capacité C se charge. Lorsque la sortie Q du système logique est à 0 (VSS), l’interrupteur Swi1
se ferme tandis que Swi2 s’ouvre : la capacité C peut alors se décharger.
Autrement dit, pendant la charge de C, l’interrupteur Swi2 assure la continuité de la
polarisation de la source de décharge. Ce mode de fonctionnement élimine les retards
inhérents aux circuits fonctionnant en discontinu [3-2].
________________________________________________________________________________________
60
_________________________________________________________________________________________
F) Système de commande de l’interrupteur
L’interrupteur Swi1 doit se fermer lorsque la tension v(t) atteint la valeur Vh

par valeurs inférieures et s’ouvrir lorsqu’elle atteint Vb par valeurs supérieures (cf. Fig. 3. 2 ).
Le circuit de commande de l’interrupteur est décrit par la Fig. 3. 7 .
Comp.1
Sortie vers bloc numérique
NOR1 ou fréquencemètre
R
Q
Vh
Q
S
Vb NOR2
Comp.2
Io C v(t) 2Io
Figure 3. 7 : Schéma électrique du circuit de commande de l’interrupteur.
Ce système comporte deux comparateurs (Comp.1 et Comp.2) et une bascule

RS (composée de deux portes NOR (NOR1 et NOR2)) pour obtenir l’effet mémoire. La
logique de ce circuit de commande est décrite à partir de la table de vérité de la bascule RS
[3- 3]. Son fonctionnement sur une période est résumé dans le tableau 3- 1 .
Tableau 3- 1 : Fonctionnement du système de commande de l’interrupteur au cours

d’une période de v(t).
Tension v(t) R S Q Interrupteur Fonctionnement
v(t) < Vb 0 1 1 Ouvert Charge
Vb < v(t) < Vh 0 0 1 Ouvert Charge
v(t) > Vh 1 0 0 Fermé Décharge
Vb < v(t) < Vh 0 0 0 Fermé Décharge

________________________________________________________________________________________
61
_________________________________________________________________________________________
v(t) < Vb 0 1 1 Ouvert Charge
En ce qui concerne la technologie utilisée, les comparateurs et les portes NOR

ont été choisis de telle sorte que le dispositif soit le plus rapide possible. Leur temps de
propagation typique (TP) respectif sont de l’ordre de 90 ns et 2 ns ce qui signifie que le temps
de réponse de l’interrupteur est inférieur à 100 ns.
3.1.3. Gamme de tension d’alimentation
D’après le schéma de la Fig. 3. 4 , nous pouvons remarquer que la tension de sortie de

l’amplificateur opérationnel « Aop3 » est égale à 3,5Vréf c’est-à-dire 4,29 V. Or, la tension de
saturation d’un amplificateur opérationnel Vsat est définie par :
Vsat = VDD - Vp (III. 13)
avec Vp ≈ 0,1 V. Cette tension représente la tension de perte dans l’Aop (donnée du
constructeur) [3- 4].
Par conséquent, si la tension d’alimentation tombait en deçà de 4,4 V, l’Aop3 fonctionnerait
en régime saturé. Le courant Io ne serait donc plus constant.
En ce qui concerne la valeur limite supérieure de VDD, elle est fixée par la technologie
utilisée. La fiche technique du constructeur nous donne : (VDD)max = 11 V. La tension
d’alimentation peut donc être comprise dans l’intervalle suivant :
4,4 V ≤ VDD ≤ 11 V (III. 14)
Après avoir décrit le circuit général, nous allons tout d’abord simuler son
comportement, puis le caractériser par des mesures expérimentales.
3.2 Modélisation de l’oscillateur
Cette modélisation a été effectuée pour affiner les expressions (III. 1) et (III. 2), c’est-
à-dire pour prendre en compte les non-idéalités inhérentes à toute réalisation physique.
La modélisation et la simulation ont été réalisées avec le logiciel PSPICE. Sachant que le
circuit est en technologie BiCMOS 2 µm, nous avons utilisé le niveau 2 c’est-à-dire une
description faisant intervenir les phénomènes de second ordre non négligeables dans les
transistors de petites dimensions (longueurs de canal inférieures à 10 µm).
________________________________________________________________________________________
62
_________________________________________________________________________________________
Nous avons modélisé l’oscillateur à partir des principes énoncés précédemment ainsi que de
données fragmentaires communiquées par le constructeur de l’ASIC 1. Les données
complémentaires ont été fixées d’une manière plus ou moins arbitraire.
Après avoir défini l’ensemble des macromodèles et des sous-circuits constituant les
cellules de base (voir Annexe A3), nous avons modélisé le circuit global de l’oscillateur
comme le montre la Fig. 3. 8 . Les paramètres présentés sur cette figure constituent un
exemple d’étude possible. Il est bien évident que l’on peut en étudier d’autres comme VDD ou
Vréf ou encore la température.
Nous pouvons vérifier dans ce modèle que la source de courant de décharge, réalisée
par les deux transistors NMOS, est bien issue d’un même générateur de courant.
Par ailleurs, la diode disposée entre l’émetteur et la base du transistor bipolaire, complète la
représentation symbolique d’un transistor PNP latéral (ce qui correspond à la technologie
réellement utilisée).
R
1,8R
4R Seuils
R
E- Vréf Vh
E- S
S E+
E+
Aop3 Rréf Vb
Aop1
Vréf Miroir P
E- Sortie
S
E+
C
VDD Vréf Aop2
SW1
Miroir N Capacité
5V 1,225 V de mesure
PARAMETRES :
R 10 kΩ
Rréf 42 kΩ
C 34 pF NMOS
Figure 3. 8 : Modèle électrique de l’oscillateur sur PSPICE.
1
Abréviation anglosaxonne de « Circuit Intégré Spécifique à une Application »
________________________________________________________________________________________
63
_________________________________________________________________________________________
3.3. Simulation du comportement du convertisseur
Nous avons simulé le comportement du circuit convertisseur par l’intermédiaire de

celui du signal v(t) aux bornes d’une capacité C. Nous avons, dans un premier temps, réalisé
cette étude à température ambiante pour évaluer ses caractéristiques intrinsèques avant de
simuler son comportement en température.
3.3.1. Simulation à température ambiante
A) Validation du modèle de l’oscillateur en régime statique
La simulation a été effectuée en prenant VDD = 5 V, Vréf = 1,225 V et

Rréf = 42,37 kΩ. Dans ces conditions, les valeurs obtenues pour les principaux paramètres
(Vb, Vh et Io) ainsi que celles qui ont été fixées par le concepteur, sont regroupées dans le
tableau 3- 2 .
Tableau 3- 2 : Comparaison entre valeurs du modèle et les valeurs cibles.
Valeurs cibles Résultats du Modèle
Tension de seuil haut (Vb) 2,45 V 2,45 V
Tension de seuil bas (Vh) 3,675 V 3,675 V
Courant (Io) 20,2 µA 20 µA
Nous pouvons remarquer d’une part que le modèle reflète bien le système réel
puisqu’il permet d’obtenir des valeurs quasiment identiques à celles que l’on s’était fixé sur
les trois paramètres de base : Vb, Vh et Io. Ceci étant, nous constatons qu’à faible niveau de
courant Io (20 µA), le courant dévié par l’amplificateur opérationnel « Aop2 » et le courant de
base du transistor bipolaire ne sont pas réellement négligeables puisqu’ils représentent 1 % de
Io .
Par conséquent, si on appelle Io le courant délivré par la source ainsi réalisée, c’est-à-dire le
courant collecteur du transistor bipolaire, alors celui-ci s’écrit :
0,7 Vré f
Io = − IB (III. 15)
R ré f
________________________________________________________________________________________
64
_________________________________________________________________________________________
où IB représente d’une part le courant de contre réaction de l’« Aop2 » et d’autre part le
courant de base du transistor bipolaire (voir Fig. 3. 8 ). Ce courant est donc directement lié à
la technologie utilisée.
B) Analyse dynamique de l’oscillateur
La Fig. 3. 9 représente l’évolution au cours du temps de la tension aux bornes

d’une capacité C fixée à 34 pF, c’est-à-dire à la valeur approchée de la capacité intrinsèque de
la cellule.
4V
Δt1
Vh
v (t)
3V
Vb
Δt2
2V
0 2 4 6 8 10
Temps (µs)
Figure 3. 9 : Simulation de la tension v(t) aux bornes d’une capacité de 34 pF.
Cette figure montre que l’oscillateur délivre bien une onde triangulaire entre
deux valeurs seuils de tension. Par contre, nous pouvons remarquer que la transition entre la
charge et la décharge de C au niveau des seuils se réalise avec un temps de retard. Ce retard
est dû au temps de commutation de l’interrupteur c’est-à-dire au temps de propagation au
niveau des comparateurs et des portes logiques (cf. Fig 3. 7 ). Il existe un retard Δt1 au niveau
du seuil haut, temps de fermeture de l’interrupteur, et un retard Δt2 au niveau du seuil bas
proportionnel au temps d’ouverture de ce même interrupteur. Par conséquent, la période du
signal v(t) peut être définie, en première approximation, par la relation :
T = Δ tr + S × C (III. 16)
________________________________________________________________________________________
65
_________________________________________________________________________________________
avec
Δtr = Δt1 + Δt2 (III. 17)
2 U hb
et S= (III. 18)
Io
où Δt1 et Δt2 représentent respectivement le temps de dépassement du seuil haut et celui du

seuil bas, tandis que S représente la sensibilité du convertisseur.
a) Evaluation des temps de retard
A partir des données de la Fig. 3. 9 , nous avons mesuré les temps Δt1 et Δt2 en
utilisant les curseurs du logiciel PROBE associé à PSPICE. Nous avons obtenu les résultats
suivants :
Δt1 = 168,7 ns
Δt2 = 141,3 ns
soit un temps de retard global :
Δtr = 310 ns
Autrement dit, si l’on compare (III. 16) avec (III. 1), on se rend compte que ce
phénomène introduit un « offset » qui se traduit par une erreur systématique sur la période.
Avec ces valeurs, qui sont fonctions des caractéristiques des composants utilisés, nous avons
évalué une erreur relative sur la période d’environ 7,4 % ce qui n’est pas tout à fait
négligeable. On comprend donc la nécessité d’utiliser les composants les plus rapides
possibles pour minimiser cette erreur.
Pour obtenir une précision Δtr/T inférieure à 3 % avec ce modèle tout en gardant les mêmes
valeurs de Io et Uhb, il faudrait que la capacité de mesure soit supérieure à 85 pF.
b) Etude du courant circulant dans C
Comme nous l’avons vu précédemment, l’oscillateur est basé sur le principe de

la charge et de la décharge d’une capacité à courant constant. Nous avons donc reporté sur la
Fig. 3. 10 la variation au cours du temps du courant circulant dans la capacité C. Cette figure
nous montre que le courant circulant dans la capacité C est alternatif ce qui conduit bien à la
charge et à la décharge de cette capacité.
________________________________________________________________________________________
66
_________________________________________________________________________________________
19,4 µA
-20,2 µA
0 2 4 6 8 10
Temps (µs)
Figure 3. 10 : Courant dans la capacité au cours du temps.
Nous pouvons remarquer que les courants de charge (positif) et de décharge

(négatif) ne sont pas égaux en valeur absolue. Cela signifie que le signal triangulaire aux
bornes de C n’est pas symétrique. Cette dissymétrie peut s’exprimer par le rapport cyclique
RC qui est défini par :
tc
RC = (III. 19)
tc + td
où tc et td représentent respectivement le temps de charge et de décharge de C. D’après la

simulation, nous avons obtenu RC = 50,7 %.
Les Figs. 3. 11 a et b représentent un agrandissement de chacun des deux niveaux de

courant c’est-à-dire la variation relative du courant respectivement pendant la charge et la
décharge de C. Il apparaît clairement sur ces deux figures que ces courants ne sont pas
constants pendant chaque « demie » période.
________________________________________________________________________________________
67
_________________________________________________________________________________________
ΔI / I
(%)
- 1,06
5,6 6,0 6,4 6,8 7,2 7,6

Temps (µs)
Figure 3. 11 a : Courant dans la capacité au cours du temps pendant la charge de C.
+ 1,06
ΔI / I
(%)
3,2 3,6 4,0 4,4 4,8 5,2

Temps (µs)
Figure 3. 11 b : Courant dans la capacité au cours du temps pendant la décharge de

C.
Par ailleurs, nous pouvons également remarquer sur ces figures qu’il existe des
instabilités au moment de chaque commutation de l’interrupteur. Ces « impulsions » sont dues
à une injection de charges à travers les capacités grille-source Cgs et grille-drain Cgd des
transistors constituant l’interrupteur. Ces discontinuités sont donc inhérentes à la conception
________________________________________________________________________________________
68
_________________________________________________________________________________________
même de l’interrupteur. Nous avons détaillé son fonctionnement dans l’annexe A3. Il ressort
de cette étude que l’impulsion introduite sur v(t) par ce phénomène, génère une erreur sur la
période du signal qui est fonction du rapport Cgd/C. Cela correspond, dans notre cas (C = 34
pF), à une erreur inférieure à 0,05 %. Nous rediscuterons de ce phénomène dans le chapitre 5.
c) Discussion
D’après les résultats de simulation, nous avons vu que les courants de charge et
de décharge de la capacité n’étaient pas égaux en valeurs absolue et qu’ils variaient au cours
de chaque demie-période.
Cette fluctuation du courant peut s’expliquer par la coexistence de deux phénomènes : d’une
part, la conductance de sortie gd des transistors MOS n’étant plus négligeable lorsqu’on
travaille avec des transistors de petites dimensions (modulation de la longueur effective du
canal), le courant de saturation varie proportionnellement à la différence de potentiel entre le
drain et la source [3-5]. Toutefois, comme nous ne connaissons pas toutes les caractéristiques
des transistors utilisés, il ne nous est pas possible d’évaluer précisément ce phénomène. Par
ailleurs, l’impédance d’entrée des deux comparateurs qui n’est pas infinie dévie une partie du
courant que l’on appellera « courant de fuite ».
En supposant, pour simplifier, que l’impédance d’entrée des comparateurs est équivalente à
une résistance, il est possible de décrire le fonctionnement de l’oscillateur pendant la charge
et la décharge de C par les deux circuits électriques de la Fig. 3. 12. Sur ces deux schémas, la
résistance Rin représente la résistance d’entrée équivalente de l’oscillateur.
Ic If
Id If
Io Io
v1(t) C Rin C Rin
v2(t)
Figure 3. 12 : Modélisation du courant de fuite pendant la charge et la décharge de C
En prenant Io constant, la loi des noeuds nous permet d’écrire :

Ic = Io - If1 (III. 20 a)
et Id = Io + If2 (III. 20 b)
De plus, pour une tension v donnée, les courants de fuite If1 et If2 dans Rin sont identiques
pendant la charge et la décharge, et égaux à :
If (t) = v(t) / Rin (III. 21)
________________________________________________________________________________________
69
_________________________________________________________________________________________
Par conséquent, d’après les relations (III. 20 a), (III. 20 b) et (III. 21), on peut constater d’une
part que les courants Ic et Id varient en fonction du temps comme la tension et d’autre part que
I c ≠ I d ce qui rend bien compte de ce que nous observons sur les Figs. 3. 10, 3. 11 a et b.
L’existence de ce courant de fuite variable a plusieurs conséquences sur le

fonctionnement de l’oscillateur. Il introduit la dissymétrie du signal que l’on quantifie par le
rapport cyclique, il déforme l’onde triangulaire en introduisant une nonlinéarité sur v(t) et
enfin il génère une gigue de la fréquence de ce même signal [3-6].
Concernant la mesure du rapport cyclique, si l’on considère que les tensions

v1(t) et v2(t) atteignent les tensions Vh et Vb respectivement au bout des temps tc et td , alors,
le rapport cyclique peut s’écrire de la façon suivante :
Vh
1+
R in I o
RC ≈ (III. 22)
U
2 + hb
R in I o
L’application numérique nous donne RC = 50,7 %, ce qui correspond au résultat obtenu en

simulation.
En ce qui concerne la nonlinéarité du signal la résolution des équations

différentielles qui régissent le comportement des deux circuits de la Fig. 3. 12 nous permet
d’écrire :
⎛ −t ⎞
v1 ( t ) = ( Vb − R in I o ) Exp⎜ ⎟ + R in I o (III. 23 a)
⎝ τ⎠
⎛ −t ⎞
v 2 ( t ) = ( Vh + R in I o ) Exp⎜ ⎟ − R in I o (III. 23 b)
⎝ τ⎠
où τ = Rin C représente la constante de temps du circuit. Si l’on considère que t est très petit
devant τ, le développement limité de l’exponentielle autour de zéro peut s’écrire de la façon
suivante :
⎛ −t ⎞ t t2
Exp⎜ ⎟ ≈ 1 − + −K (III. 24)
⎝ τ⎠ τ 2τ 2
Par conséquent, en se limitant au second ordre, les relations (III. 23a et b) deviennent :
1⎛ V ⎞ ⎛ t ⎞
v1 ( t ) ≈ Vb + ⎜ I o − b ⎟ × t × ⎜1 − ⎟ (III. 25 a)
C⎝ R in ⎠ ⎝ 2 R in C ⎠
1⎛ V ⎞ ⎛ t ⎞
et v1 ( t ) ≈ Vh − ⎜ I o + b ⎟ × t × ⎜1 + ⎟ (III. 25 b)
C⎝ R in ⎠ ⎝ 2 R in C ⎠
________________________________________________________________________________________
70
_________________________________________________________________________________________
Ces deux dernières expressions montrent que, pour t = T/2, la présence de Rin
introduit une nonlinéarité maximum définie par le rapport T/(4RinC). Cela signifie que pour
une technologie de comparateur donnée, l’erreur de nonlinéarité sera plus ou moins
négligeable suivant la valeur de la capacité mesurée C.
Dans notre cas, les comparateurs réels ayant une entrée de type bipolaire, nous avons fixé la
valeur de la résistance Rin à 10 MΩ. Autrement dit, pour C = 34 pF, on a une nonlinéarité
maximum de l’ordre de 0,4 %.
L’existence de ce courant de fuite nous amène à modifier l’expression de la

période T du signal v(t). A partir des relations (III. 16) et (III. 20a et b) et en négligeant le
retard de commutation Δtr, la période T peut s’écrire de la façon suivante:
T = tc + td (III. 26)
U hb C U hb C
soit : T= + (III. 27)
v v
Io − Io +
R in I o R in I o
⎛ ⎞
⎜ ⎟
⎜ 1 ⎟
d’où : T≈S⎜ 2⎟
C (III. 28)
⎜ ⎛ v ⎞ ⎟
⎜1− ⎜ ⎟ ⎟
⎝ ⎝ R inI o ⎠ ⎠
A partir de cette relation (III. 28), il apparaît que la période T est fonction de la
tension v(t). Cela signifie qu’au cours du temps, la fréquence du signal « oscille »:
On appelle cette fluctuation de la fréquence, la « gigue » de l’oscillateur que l’on peut
exprimer par :
Δf = f max − f min (III. 29)

ce qui donne après développement :
1 <v>
Δf = (III. 30)
τ R in I o
Vh + Vb
où <v> = (III. 31)
2
L’application numérique nous donne une gigue de 45 Hz.
________________________________________________________________________________________
71
_________________________________________________________________________________________
C) Simulation de la réponse du convertisseur (C variable)
Nous avons observé la variation de la tension v(t) lorsqu’on a fait varier la

capacité. Le résultat de l’analyse dynamique est donné par la Fig. 3. 13 . Nous n’y avons fait
apparaître que le résultat obtenu pour trois valeurs de capacité pour ne pas surcharger la
figure. Les seuils haut et bas sont également représentés pour pouvoir estimer le temps de
réponse du système de l’interrupteur avec sa commande.
4V
Vh
3V
Vb
2V
0 5 10 15
Temps (µs)
Figure 3. 13 : Analyse transitoire de la tension aux bornes de différentes capacités à

température ambiante.
Pour chaque courbe, les symboles ( ), () et (∇) correspondent

respectivement aux différentes valeurs de C : 20 pF, 40 pF et 60 pF.
A partir des courbes v(t) obtenues pour chaque valeur de C, nous pouvons tracer la réponse du
convertisseur T (C) (cf. Fig. 3. 14 ).
________________________________________________________________________________________
72
_________________________________________________________________________________________
9
8
7
6 Temps de
Période (µs)
5 retard Δtr
4
3
2 Moindres carrés :
1 T = 0,355 + 0,122 C
0
0 10 20 30 40 50 60 70
C (pF)
Figure 3. 14 : Réponse du convertisseur à température ambiante.
D’après cette courbe de réponse, nous pouvons dire que la période simulée est
proportionnelle à la capacité de mesure. De plus, nous constatons que la droite des moindres
carrés ne passe pas par l’origine du repère. L’ordonnée à l’origine (0,35 µs) correspond au
temps de retard global (Δtr) que nous avons mis en évidence précédemment. La légère
différence au niveau des valeurs observées provient de l’approximation de la méthode des
moindres carrés ajoutée à l’incertitude des mesures.
Ce résultat confirme que l’on peut modéliser la réponse de l’oscillateur par une relation
linéaire du même type que l’expression (III. 16).
Par ailleurs, sachant que Δtr est constant, la tension de dépassement des seuils
dépend de la capacité mesurée. C’est pourquoi nous pouvons observer sur la Fig. 3. 13 que
plus la valeur de la fréquence augmente (c’est-à-dire plus C est faible) plus les dépassements
des seuils sont importants.
3.3.2. Simulation de la sensibilité de l’oscillateur à la température
Cette section consiste à simuler le comportement thermique de l’oscillateur. Par

hypothèse, on admet en première approximation que la température n’a d’influence que sur la
valeur de la résistance Rréf et que cet effet peut être décrit par une loi de type parabolique du
type (données constructeur) :
________________________________________________________________________________________
73
_________________________________________________________________________________________
Rréf (θ) = Rréf (25°C) . [1 + α1 (θ - 25) + α2 (θ - 25)2] (III. 32)

avec α1 = 3.10-5 °C-1 et α2 = 6.10-6 °C-2.
La variation en température de la tension Vréf étant négligeable par rapport celle de la

résistance, la variation relative de la source de courant est égale à l’opposé de celle de Rréf (cf.
éq. III. 11).
De plus, nous avons considéré que le retard global Δtr d’une part et la différence de potentiel
entre les seuils Uhb d’autre part, restaient invariants avec la température.
A) Comportement de l’oscillateur suivant la valeur de C
Dans l’hypothèse simplificatrice où le courant de fuite est tel que If << Io et

dans le cas où il reste constant en température, la dérivée partielle logarithmique de la période
par rapport à la température peut s’écrire de la manière suivante :
∂T ⎛ Δt ⎞ ∂I
= − ⎜1 − r ⎟ o (III. 33)
T ⎝ T ⎠ Io
ou encore, d’après (III. 15) et en négligeant le retard Δtr :
∂T ⎡ ∂V ∂R ré f ∂β ⎛ 1 ⎞ ⎤
= − ⎢ ré f − + ⎜ ⎟⎥ (III. 34)
T ⎣ Vré f R ré f β ⎝ β + 1⎠ ⎦
sachant que IB = IE / (β+1) au niveau du transistor PNP.
Or, nous avons vu d’une part, que la dérive thermique de la tension de référence Vréf était très
faible (< 30 PPM/°C) comparée à celle de la résistance Rréf (cf. III. 32). D’autre part, comme
le gain β est de l’ordre de 100, on peut négliger le dernier terme de (III. 34).
Par conséquent, il vient :
∂T ∂R ré f
= (III. 35)
T R ré f
Cela signifie que, si les capacités mesurées sont telles que T >> Δtr et ont une dérive
thermique négligeable, alors celle de la période sera identique (en valeur relative) à la dérive
thermique de la résistance Rréf du générateur de courant. C’est ce que nous pouvons observer
sur la
Fig. 3. 15 où sont reportées les simulations pour différentes valeurs de C. On voit que lorsque
la capacité mesurée augmente, la dérive thermique de la période tend vers celle de la
résistance Rréf.
________________________________________________________________________________________
74
_________________________________________________________________________________________
1,03
R réf/R réf(25°C)
C 1 = 3 pF
(25°C)
X/X 1,02 C 2 = 10 pF
C 3 = 30 pF
C 4 = 300 pF
1,01
1,00
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 3. 15 : Dérives thermiques des périodes pour différentes capacités et dérive

thermique de la résistance Rréf. (les valeurs sont normalisées par rapport aux valeurs prises à
25°C).
B) Etude du cas : C = 34 pF
Nous allons maintenant considérer le cas où la valeur de C correspond à celle

de la cellule sensible (C = 34 pF). L’objectif est de déterminer une expression analytique qui
nous permettra, par la suite, de faire des comparaisons avec les résultats expérimentaux. Nous
pouvons observer, sur la Fig. 3. 16 , l’effet de la température sur le signal v(t) obtenu par
simulation. La variation en température de la période de ce signal est représentée sur la
Fig. 3. 17 .
________________________________________________________________________________________
75
_________________________________________________________________________________________
4V
3V
2V
0 2 4 6 8 10
Temps (µs)
Figure 3. 16 : Effet de la température sur le signal v(t) en ne considérant que la

variation de Rréf. Les différents symboles (carrés, losange, triangle bas et triangle haut) sont
respectivement attribués aux températures croissantes : -10°C, 30°C, 70°C et 90°C.
4,65
4,6
Période
(µs)
4,55
4,5
-20 0 20 40 60 80 100
Température (°C)
Figure 3. 17 : Dérive thermique de la période de v(t) pour C = 34 pF.
Nous avons modélisé cette dérive thermique par un polynôme de régression

d’ordre 2. Ce polynôme est le suivant :
T(2) (θ) = 4,53 - 1,21×10-3 θ + 2,49×10-5 θ2 (en µs) (III. 36)
________________________________________________________________________________________
76
_________________________________________________________________________________________
Afin de pouvoir comparer la dérive thermique de la période et celle de la résistance Rréf, nous
avons calculé le polynôme T(2)(θ)/ T(2)(25°C) et nous avons obtenu :
T(2)(θ)/T(2)(25°C) = 1,0033 - 2,68×10-4 θ + 5,51×10-6 θ2 (III. 37)
Or, d’après (III. 32) on a :
Rréf(θ)/Rréf(25°C) = 1,003 - 2,69×10-4 θ + 6×10-6 θ2 (III. 38)
Nous retrouvons donc que la période a le même comportement thermique que la résistance de
référence de la source de courant. La légère différence peut s’expliquer par le coefficient
introduit par le retard de commutation.
3.4. Caractérisation
La caractérisation a été effectuée dans le but de préciser la valeur des différents

paramètres du modèle développé à partir de la simulation comportementale et d’évaluer les
caractéristiques ignorées par ce modèle.
3.4.1. Dispositif expérimental
Comme pour l’étude de la cellule sensible, nous avons réalisé un dispositif de test
spécifique pour la caractérisation du convertisseur.
A) Description du matériel utilisé
Ce dispositif peut être schématisé par la Fig. 3. 18 .
Analyseur
d’impédance Thermomètre
Voltmètre Fréquencemètre
Circuit
Alimentation encapsulé
0-5V Oscilloscope
Etuve
Figure 3. 18 : Schéma du dispositif expérimental utilisé pour la caractérisation du

convertisseur Capacité / Fréquence.
________________________________________________________________________________________
77
_________________________________________________________________________________________
Il y a une étude préalable qui consiste à caractériser des capacités céramiques

nécessaires à l’étude du convertisseur. C’est pourquoi l’impédancemètre cité dans le chapitre
précédent fait également partie de la liste du matériel utilisé.
Nous avons regroupé dans le tableau 3- 3 l’ensemble de ce matériel avec ses principales
caractéristiques.
Tableau 3- 3 : Principales caractéristiques du matériel utilisé.
MESURANDE APPAREIL DE MESURE
Type Précision(*) Résolution(*)
Capacité Impédancemètre 0,07 % L(**) ± 1 fF

(20 Hz - 2 MHz)
Température Thermocouple type K 0,1%L(**) + 0,7°C ± 0,1 °C
Période Fréquencemètre Universel 3.10-5 ± 0,1 ns
Fréquence (10 Hz - 120 MHz) 3.10-5 ± 1 Hz

(*)
dans les conditions expérimentales de mesure
(**)
L représente la valeur mesurée ou la lecture sur l’appareil de mesure
Montage du circuit
Le circuit électronique complet est une puce de 3,5 mm2 que l’on a reporté avec une
colle conductrice sur une embase de type TO3.
Comme le support de la puce est le même que celui de la cellule, nous l’avons encapsulé de la
même manière c’est-à-dire avec le même type de bloc métallique étanche que celui utilisé
pour la cellule (voir Fig. 2. 5).
Dispositif d’accès à la mesure
Nous avons conçu et réalisé un dispositif le plus simple possible nous permettant à la
fois d’alimenter le circuit, de connecter des condensateurs sur l’oscillateur et de mesurer le
signal de sortie que ce soit avec un fréquencemètre ou un oscilloscope. Ce dispositif est décrit
par le synoptique de la Fig. 3. 19 .
________________________________________________________________________________________
78
_________________________________________________________________________________________
Branchement
de condensateurs
Fils d’alimentation
(0 - 5 V)
Connexion
Boitier du bloc
métallique circuit
d’interface
Cables coaxiaux pour la

mesure du signal de sortie
Figure 3. 19 : Synoptique du dispositif d’accès à la mesure du circuit.
Un tel dispositif a l’avantage de fixer les capacités parasites de couplage et de

minimiser toute autre influence extérieure du type rayonnement électromagnétique puisqu’il
est totalement blindé.
B) Conditions de mesures
Il est difficile d’effectuer des mesures fiables directement sur le signal

triangulaire. En effet, l’impédance d’entrée des différents appareils modifie totalement la
configuration et donc le fonctionnement du circuit (cf. § 3.3.1.B.c). Le moyen le moins
perturbateur est de visualiser ce signal à l’oscilloscope en utilisant obligatoirement des sondes
compensatrices. Ceci étant, la précision des mesures étant de 5 % environ, il n’est pas
possible, de définir ainsi de façon précise les différents paramètres de l’oscillateur et/ou du
convertisseur. L’oscilloscope ne sert qu’à observer de façon qualitative la forme des signaux.
C’est pourquoi les mesures de période (et/ou de fréquence) ont été effectuées avec un
fréquencemètre universel sur le signal de commande, c’est-à-dire sur une des deux sorties de
la bascule RS (voir Fig. 3. 7 ). En effet, ce signal rectangulaire a, par définition, exactement la
même fréquence que celle du signal triangulaire. De plus, ce signal n’est pas affecté par
l’impédance d’entrée des appareils de mesure.
Pour ce qui a trait aux mesures de courant, celui fourni par la source (Io) ne
peut pas être mesuré directement car nous n’avons pas accès à la résistance Rréf. C’est
pourquoi nous avons évalué le courant de charge (Ic) en mesurant la tension aux bornes d’une
résistance de test Rt branchée à la place d’une capacité. Cette mesure n’est valable que si
________________________________________________________________________________________
79
_________________________________________________________________________________________
l’impédance d’entrée du voltmètre est très supérieure à Rt ce qui est le cas puisque la valeur
de cette résistance est de 150 kΩ. Elle a été choisie de telle sorte que la tension à ses bornes
ne dépasse pas Vh (cf. Tableau 3- 1 ).
Nous avons obtenu, à température ambiante : Ic ≈ 20,4 µA.
Nous avons donc caractérisé d’une part le comportement de l’oscillateur en

fonction de différents facteurs d’influence, en mesurant la période avec une capacité fixe de
34 pF et d’autre part, celui du convertisseur, en étudiant la réponse T(C).
C) Résolution et précision de l’ensemble du dispositif de test
L’objectif est d’évaluer le poids des erreurs de mesure dues à l’ensemble du

dispositif. La résolution est définie par l’ensemble des fluctuations observées en sortie en
tenant également compte du bruit de mesure du dispositif. La précision du dispositif fait
intervenir celle des différents appareils de mesure.
Bruit sur les mesures de fréquence
Tout paramètre d’influence étant stable par ailleurs, il existe des fluctuations de la
mesure de la fréquence (ou de la période) à température ambiante. Nous pouvons assimiler
cette dispersion des valeurs à du bruit de mesure. Ce bruit peut avoir plusieurs origines
comme le bruit basse fréquence [3-7] mais aussi la gigue de l’oscillateur définie par (III. 30).
Nous avons mesuré l’amplitude de ce bruit dans le cas où une capacité céramique de 34 pF est
connectée sur l’oscillateur. Les Figs. 3. 20 a et b illustrent les résultats de cette analyse
respectivement sur la période et sur la fréquence.
0,4
0,2
ΔT (ns)
0,0
-0,2
-0,4
0 5 10 15 20 25 30
Points de mesure a)
________________________________________________________________________________________
80
_________________________________________________________________________________________
10
Δf (Hz)
0
-5
-10
0 5 10 15 20 25 30
b)
Points de mesure
Figure 3. 20 : Bruit de mesure du dispositif avec une capacité céramique de 34 pF ; a)

mesures de la période T ; b) mesures de fréquence f.
Il ressort de cette expérience que les mesures de période et/ou de fréquence sont
bruitées. Dans ces conditions, nous pouvons déterminer la dispersion des mesures en
calculant leur écart type σ défini par la valeur quadratique moyenne des mesures. D’après les
résultats obtenus sur une série de 30 mesures, on trouve un écart type de ± 0,2 ns sur T et de ±
4 Hz sur f. L’écart type sur la période sera noté ΔTB dans le calcul de la résolution du
dispositif.
Ces résultats montrent que le bruit est bien inférieur à celui auquel on pouvait s’attendre
causé entre autres par la gigue (45 Hz). Cela vient du fait que, de par son principe de mesure
sur plusieurs périodes, le fréquencemètre intègre plus ou moins ces fluctuations.
Bruit généré par la régulation de la température
Compte tenu du modèle de la réponse du convertisseur que nous avons étudié dans la
section 3.3.2, en négligeant le terme lié au courant de fuite, nous pouvons calculer l’erreur
introduite par une fluctuation de température de la façon suivante :
∂T ∂C
dTθ = dθ + dθ (III. 39 a)
∂θ ∂θ
En ce qui concerne les fluctuations générées par la régulation de l’étuve, celles-ci ont
déjà été définies dans la section 2.2.1. Nous avions trouvé une fluctuation de
± 0,1°C. Cet écart de température entraîne une variation à la fois de la source de courant et de
la capacité mesurée.
________________________________________________________________________________________
81
_________________________________________________________________________________________
C’est pour cela que nous avons préalablement mesuré la dérive thermique des capacités
céramiques de test.
La Fig. 3. 21 nous montre les dérives des capacités céramiques de 10 pF, 34 pF, 46 pF et 99
pF par rapport à leur valeur prise à 30°C.
0,02
0,00
ΔC (pF)
c
Cc1 = 9,9 pF
-0,02
Cc2 = 34,2 pF
Cc3 = 46,3 pF
-0,04 Cc4 = 98,8 pF
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 3. 21 : Dérives thermiques des capacités céramiques Cc par rapport aux

valeurs prises à 30°C.
Nous constatons que la variation maximale de la capacité de 98,8 pF, sur cette plage
de température, est inférieure à 65 fF ce qui correspond à une variation relative inférieure à 10
PPM/°C. En d’autres termes, une fluctuation de 0,1°C entraîne une variation de Cc inférieure
à 0,1 fF. Par conséquent, nous utiliserons ces capacités comme étant invariantes en
température.
Par conséquent, l’équation (III. 39a) devient, en variations maximales :
∂T
ΔTθ = Δθ (III. 39b)
∂θ
Dispersion maximale sur la période : Résolution
La dispersion peut se définir à partir de la somme des erreurs que nous venons de
déterminer c’est-à-dire des erreurs liées au bruit de mesure d’une part et aux fluctuations de
température d’autre part.
Or, en supposant que Δtr, Uhb et C sont indépendants de θ, on a :
________________________________________________________________________________________
82
_________________________________________________________________________________________
2 U hb C ∂I o
ΔTθ = − × Δθ (III. 39c)
I o2 ∂θ
ou encore, d’après (III. 11) :

2 U hb C ∂R ré f
ΔTθ = − × Δθ (III. 39d)
0,7 Vré f ∂θ
Pour une capacité C de 34 pF et à la température maximum de 90°C (erreur

maximum), nous avons, à partir de (III. 36) :
∂T
= 3,3 ns/ ° C
∂θ θ = 90° C
Autrement dit, pour le calcul de la résolution, on prend Δθ = ± 0,1°C :

d’où ΔTθ = ± 0,33 ns.
Nous pouvons donc calculer la résolution εr comme étant la somme des erreurs relatives :
ε r ≈ ΔTB + ΔTθ (III. 40)

T T
ce qui nous donne :
ε r ≈ 0,01 % de la mesure.
Nous pouvons dire que le dispositif ainsi utilisé possède une résolution suffisante
compte tenu des objectifs fixés par le cahier des charges et de la précision du système
(cf. § 3.3.1.B.a).
Quant à la précision du dispositif εp, si l’on prend Δθ = ± 0,89°C (cf. tableau 2-3) cela nous
donne :
ΔTθ = ± 2,94 ns
d’où εp = 0,36 % de la mesure.
________________________________________________________________________________________
83
_________________________________________________________________________________________
3.4.2. Etude de l’oscillateur
Cette étude consiste à évaluer le comportement général de l’oscillateur vis-à-vis des

facteurs d’influences comme l’alimentation, la température et ceux de l’environnement. Nous
évaluerons également sa stabilité temporelle suite à une forte variation de température. La
comparaison de ces résultats avec les simulations fera l’objet de la section 3.5.
A) Influence de la tension d’alimentation
Variation du courant de charge
Les résultats de la variation relative du courant de charge par rapport à sa valeur à 5 V

sont représentés sur la Fig. 3. 22 .
10
0
ΔI / I (%)
-10
c
-20
c
-30
-40
3 4 5 6 7 8 9 10 11
VDD (V)
Figure 3. 22 : Variation relative du courant de charge en fonction de la tension

d’alimentation à température ambiante.
Nous pouvons déduire de cette expérience que la source de courant fonctionne dans de
bonnes conditions tant que la tension d’alimentation reste comprise entre 4,5 V et 8 V. Ceci
étant, une visualisation plus précise des résultats montre que la sensibilité du courant à la
tension d’alimentation est la plus faible (+ 1 %/Volt) lorsque VDD est comprise entre 4,6 V et
5,6 V.
________________________________________________________________________________________
84
_________________________________________________________________________________________
Variation de la période
La deuxième expérience a consisté à mesurer la période du signal de sortie en fonction

de la tension VDD. Les résultats de la variation relative de T par rapport à 5 V sont présentés
sur la Fig. 3. 23 .
80
60
40
ΔT / T (%)
20
0
-20
-40
4 5 6 7 8 9 10 11
V (V)
DD
Figure 3. 23 : Variation relative de la période en fonction de la tension d’alimentation
On voit que la gamme de tension d’utilisation maximum est définie par l’intervalle
[4,6 V ; 7 V]. Par contre dans l’intervalle [4,6 V ; 6 V], la variation relative de la période est
de l’ordre de 0,1 % par rapport à sa valeur à 5 V. Cette amplitude de variation est bien plus
faible que celle observée sur le courant de charge. Ceci montre que la tension d’alimentation
influe sur d’autres paramètres qui d’une part compensent la dérive de Ic sur cet intervalle mais
qui d’autre part perturbe notablement le fonctionnement au-delà de 7 V.
________________________________________________________________________________________
85
_________________________________________________________________________________________
B) Influence de la température
Sensibilité du courant de charge aux variations de température
L’étude expérimentale qui a permis de tracer Ic(θ) s’est déroulée en deux étapes. La
première a consisté à évaluer le comportement d’une résistance de test Rt en température.
Nous avons fait correspondre à ces points de mesure un polynôme de régression d’ordre 2
obtenu par la méthode des moindres carrés. Nous avons obtenu :
Rt(θ) = 151,587 + 3,451×10-2 θ + 1,36×10-5 θ2 (III. 41)
La deuxième série de mesures a consisté à relever les valeurs de la tension aux bornes
de cette résistance connectée sur l’oscillateur à la place de C. Nous avons pour cela utilisé le
dispositif d’interface décrit dans le paragraphe 3.4.1.A.
De la même manière que précédemment, la dérive thermique de la tension peut être modélisée
par :
V(θ) = 3,061 + 1,93×10-3 θ - 2,92×10-5 θ2 (III. 42)
De ces deux expériences, nous avons déduit le comportement thermique du courant de
charge en faisant le rapport V(θ) / R(θ) (cf. Fig. 3. 24 ).
20,6
20,4
20,2
I (µA)
20,0
c
19,8
19,6
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 3. 24 : Variation du courant Ic en fonction de la température.
Cette dérive thermique peut être modélisée par :

Ic(θ) = 20,191 + 1,232×10-2 θ - 1,936×10-4 θ2 (III. 43)
________________________________________________________________________________________
86
_________________________________________________________________________________________
Sensibilité de la période à la température
Nous avons étudié le comportement en température de la période du signal aux bornes

d’une capacité fixe de 34 pF (cf. Fig. 3. 25 ).
5,00
4,95
4,90
T (µs)
4,85
4,80
4,75
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 3. 25 : Sensibilité à la température de la période du signal mesuré aux bornes

d’une capacité fixe de 34 pF entre -10°C et 90°C.
Nous avons tracé sur ces points expérimentaux un polynôme de régression d’ordre 3
pour modéliser la dérive thermique de la période (cf. III. 44).
T (θ) = 4,841 - 5,59×10-3 θ + 1,239×10-4 θ2 - 4,91×10-7 θ3 (III. 44)
On peut constater que l’oscillateur a une forte sensibilité à la température, d’autant plus
importante que l’on s’écarte de la température ambiante de 25°C. A titre indicatif, le
coefficient de température atteint les -0,18 %/°C au voisinage de -10°C.
C) Stabilité
Dérive temporelle après la mise sous tension du circuit
La Fig. 3. 26 représente la dérive de la période d’un oscillateur monté avec une

capacité céramique de 34 pF. Ces mesures ont été effectuées à une température ambiante de
________________________________________________________________________________________
87
_________________________________________________________________________________________
24°C et à pression atmosphérique (Patm = 1004 mbars) pour éviter toutes fluctuations
supplémentaires.
0,00
ΔT / T (%)
-0,05
-0,10
0 10 20 30 40 50 60
Temps (mn)
Figure 3. 26 : Dérive temporelle de la période après la mise sous tension.
Il apparaît sur cette courbe une stabilisation de la période au bout 30 minutes. Cette
durée correspond au temps de stabilisation de la tension d’alimentation après sa mise en route
(cf. Annexe A1).
Dérive temporelle de la période après une montée en température
A température ambiante, il n’apparaît aucune dérive significative après 12 heures de

fonctionnement. Par contre, si nous faisons varier la température, une dérive temporelle de la
période peut se produire. Nous avons donc fait subir au circuit une rampe de température de
25 à 90°C. L’étuve réalise cette montée en une dizaine de minutes. En revanche, le bloc-
circuit n’atteint les 90°C que 15 minutes plus tard.
Nous avons reporté sur la Fig. 3. 27 la dérive temporelle de la période. Cette

expérience a été réalisée à pression atmosphérique et en ayant pris soin d’attendre les 30
minutes nécessaires après la mise sous tension de l’oscillateur. L’origine des temps
correspond au moment où la température du bloc (et par conséquent celle du circuit) atteint
les 90°C.
________________________________________________________________________________________
88
_________________________________________________________________________________________
0,00
-0,01
ΔT / T (%)
-0,02
-0,03
-0,04
-0,05
-0,06
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Temps (mn)
Figure 3. 27 : Dérive temporelle de l’oscillateur à la suite d’une variation de

température de 25°C à 90°C.
Nous déduisons de ces mesures que le temps minimum de stabilisation d’un oscillateur
est d’environ 80 minutes. Ceci étant, dans cet intervalle de temps, la dérive de la période
n’excède pas 0,055% de sa valeur nominale.
D) Influence de l’humidité
Même s’il nous a été difficile de quantifier de manière précise l’influence de

l’humidité sur la réponse, faute de matériel hygrométrique, nous avons testé le comportement
de l’oscillateur suivant l’humidité du milieu dans lequel se trouvait le circuit.
Nous avons mesuré dans un premier temps la valeur de la période pour une capacité de
l’ordre de 34 pF lorsque le circuit était, à température ambiante, à pression atmosphérique et
placé sous atmosphère très humide. Ensuite, après avoir séché le circuit sous vide à 120°C,
nous avons refait la même mesure, dans les mêmes conditions. Nous avons obtenu :
TAtm.Sec = 4,717 µs
TAtm.Humide = 4,750 µs
Le taux d’humidité du milieu environnant au circuit, et de manière générale au

montage, influe sur la réponse de l’oscillateur. Suite à ces résultats, nous avons comparé le
comportement en température d’un oscillateur « humide » avec celui de ce même oscillateur
préalablement séché. La Fig. 3. 28 montre le résultat de cette comparaison.
________________________________________________________________________________________
89
_________________________________________________________________________________________
4,95
Atmosphère humide
4,90 Atmosphère sèche
4,85
T (µs)
4,80
4,75
4,70
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 3. 28 : Effet de l’humidité sur le comportement thermique d’un oscillateur.
Dans le cas d’une atmosphère humide, les mesures à basses températures

(θ < 0°C) sont très perturbées (T(0°C) ≈ 2 µs). Nous remarquons également que plus la
température est basse, plus l’écart entre les deux séries de mesure est important. Inversement,
plus la température est élevée, plus les valeurs sont semblables. Ceci est très certainement dû
au phénomène d’évaporation qui supprime partiellement l’effet de l’humidité à la surface et
donc sur les contacts du circuit.
Ces résultats montrent l’importance capitale du séchage des composants mais aussi de
l’ensemble du dispositif avant leur caractérisation. Pour cette raison, nous avons encapsulé les
circuits sous azote après leur avoir fait subir un séchage préalable [3-8].
3.4.3 Etude du Convertisseur
Dans cette section, on s’intéresse au comportement de la période pour différentes

valeurs de la capacité C pour en déduire la fonction de transfert réelle.
A) Réponse à température ambiante
La réponse du convertisseur est reportée sur la Fig 3. 29 .
________________________________________________________________________________________
90
_________________________________________________________________________________________
14
12
10
8
T (µs)
0
0 20 40 60 80 100 120
C (pF)
Figure 3. 29 : Réponse du convertisseur.
Nous pouvons constater que la réponse est quasiment linéaire. Pour obtenir la
relation entre la période et la capacité, nous avons tracé dans un premier temps la droite des
moindres carrés sur ces points expérimentaux (cf. (III. 45)).
T = 0,7404 + 0,1176 C (III. 45)
Par identification avec la relation (III. 16), nous pouvons évaluer certains paramètres du
convertisseur réel comme « l’offset » (l’ordonnée à l’origine) ou encore Io et Uhb définis à
partir de la pente qui caractérise la sensibilité du convertisseur.
________________________________________________________________________________________
91
_________________________________________________________________________________________
B) Etude de la réponse en température
L’évolution de la réponse du convertisseur en fonction de la température est

illustrée par la Fig. 3. 30 .
14
12
10
8
T (µs)
θ = 90°C
θ = 70°C
6
θ = 50°C
4 θ = 30°C
θ = 10°C
2 θ = -10°C
0 20 40 60 80 100
C (pF)
Figure 3. 30 : Réponse de l’oscillateur de mesure paramétrée en température.
Même s’il est difficile de s’en rendre compte sur cette figure, nous pouvons
constater que la pente de la réponse varie en température. Ce résultat est en accord avec le
modèle que nous avions vu en simulation puisque seule la sensibilité est fonction du
paramètre (Io) qui dépend de la température.
________________________________________________________________________________________
92
_________________________________________________________________________________________
3.5. Analyse des résultats
Nous discutons, dans cette section, des résultats expérimentaux et nous les comparons
à ceux obtenus en simulation. L’objectif est avant tout de comprendre les phénomènes
observés afin d’en identifier les causes, c’est-à-dire d’identifier les paramètres qui n’ont pas
été pris en compte par le modèle.
3.5.1. Valeurs des courants
Il est important de rappeler que l’on ne peut pas a priori comparer les courants
théorique, simulé et mesuré car nous n’avons pas directement accès à la résistance Rréf. De
plus, les valeurs des paramètres du modèle ne correspondent pas toutes à la réalité du circuit.
Par contre, nous pouvons comparer les courants Ic et Io déduits des mesures expérimentales.
L’écart entre ces deux courants (respectivement 20,4 µA et 20,85 µA) démontre l’existence
d’un courant de fuite If non négligeable. D’après les valeurs mesurées, nous pouvons estimer
la valeur du courant de fuite moyen à 450 nA ce qui entraîne une erreur sur la sensibilité du
convertisseur de 0,05 % puisque nous avons vu que :
2
ΔS ⎛ I f ⎞
≈⎜ ⎟ (III. 46)
S ⎝ Io ⎠
En ce qui concerne le courant de fuite, il correspond à la partie du courant

fourni par la source, qui ne participe pas à la charge et/ou à la décharge des capacités
(C + Cp). Par conséquent c’est celui qui circule dans toutes les impédances |Z| qui ont un point
commun avec la capacité de mesure comme Rin par exemple. Autrement dit, on peut exprimer
le rapport If / Io par une expression générale du type :
If 1
= (III. 47)
Io Z
1+ R
Zc
où Z R = R eq (III. 48)
[( ) ]
−1
et Zc = C + C p ω (III. 49)
Req représente une résistance équivalente à toutes celles en parallèle et/ou en série avec Rin .
ω est la pulsation du signal (ω = 2πf)
________________________________________________________________________________________
93
_________________________________________________________________________________________
3.5.2 Réponse du convertisseur
Nous pouvons constater d’après la Fig. 3. 29 et la relation (III. 45), que l’ordonnée à
l’origine, exprimée en µs, est bien plus importante que celle donnée par les caractéristiques du
modèle (Δtr = 0,31 µs). Cela signifie que le montage introduit des capacités « parasites » non
négligeables en parallèle avec C. Ces capacités peuvent être modélisées par une capacité
équivalente Cp. On peut alors considérer que la réponse expérimentale du convertisseur peut
se mettre sous la forme :
2 U hb
T = Δt r + ( C + Cp ) (III. 50)
Ie
où Ie représente le courant équivalent de charge et de décharge de C défini par :
⎡ ⎛ I ⎞2⎤
I e = I o ⎢1 − ⎜ f ⎟ ⎥ (III. 51)
⎢ ⎝ Io ⎠ ⎥
⎣ ⎦
Par conséquent, la pente de la réponse (cf. III. 45) nous permet de déterminer le
courant équivalent. Nous avons obtenu :
Ie ≈ 20,83 µA (III. 52)
A partir de cette valeur, la différence des ordonnées à l’origine nous permet de

déterminer la capacité parasite globale Cp. Nous avons obtenu :
Cp ≈ 3,512 pF (III. 53)
En réalité, cette capacité est une somme de capacités parasites réparties aussi bien à
l’intérieur du circuit qu’à l’extérieur, introduites par le dispositif de test. Nous avons donc
déterminé expérimentalement, une capacité parasite équivalente interne (Cpi) et externe (Cpe).
Pour approcher la valeur de Cpi, nous avons mesuré la période en fonction de

différentes capacités céramiques directement soudées sur les pattes de l’embase du circuit. La
mesure de l’ordonnée à l’origine de la réponse nous a permis de déterminer Cpi. Nous avons
obtenu :
Cpi = 2,907 pF (III. 54)
________________________________________________________________________________________
94
_________________________________________________________________________________________
La valeur de la capacité parasite introduite par le dispositif d’interface que nous avons
réalisé est donc définie par la différence Cp - Cpi soit :
Cpe = 0,605 pF (III. 55)
Le dispositif d’interface ne rajoute que très peu de capacités parasites et a surtout l’avantage
de les maintenir constantes.
L’expression de la fonction de transfert du dispositif devient alors :

T = Δtr + S × (C + Cpi + Cpe) (III. 56)
2U hb
avec : S= (III. 57)
Ie
ce que l’on peut écrire, en séparant les parties interne et externe du circuit :
T = To + S × (C + Cpe) (III. 58)
où : To = Δtr + S × Cpi (III. 59)

Comme nous pouvons le constater sur l’équation (III. 58), les capacités parasites en parallèle
avec C ne modifient que l’offset du convertisseur.
3.5.3. Comportement thermique
A) Comparaison entre les périodes simulée et mesurée
D’après les résultats obtenus (cf. III. 36 et III. 44), nous pouvons comparer les
variations en température de la période simulée et mesurée.
________________________________________________________________________________________
95
_________________________________________________________________________________________
1,05
Simulation
1,04 Expérience
(25°C) 1,03
1,02
T/T
1,01
1,00
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 3. 31 : Comparaison entre les périodes normalisées par rapport à 25°C

obtenues par la simulation et par les mesures expérimentales.
Nous remarquons sur ce graphe que, la dérive thermique de la période mesurée

dépend principalement de celle de la source de courant (simulation) mais aussi de celle
d’autres paramètres qui n’ont pas été pris en compte dans le modèle. Cela signifie que toutes
les capacités parasites ainsi que le courant de fuite varient en température.
B) Evaluation des comportements en température de If et de Cp
Pour évaluer le comportement thermique de ces paramètres, nous avons

comparé les coefficients de température du courant théorique (défini à partir du comportement
de la résistance Rréf), du courant de charge mesuré et de la période mesurée. La Fig. 3. 32
représente la variation de ces différents coefficients.
________________________________________________________________________________________
96
_________________________________________________________________________________________
1500
1000
TC (PPM/°C) 500
0
-500
-1000 TC[Io]
-1500 TC[Ic]
-2000 TC[T]
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 3. 32 : Comparaison des coefficients de température TC[Io], TC[Ic] et TC[T].
Le comportement thermique de la période mesurée est défini par un polynôme

d’ordre 3 contrairement à celui des deux autres paramètres qui ne sont caractérisés que par
des polynômes de deuxième ordre. C’est ce qui explique la forme différente de son coefficient
de température.
Mise à part cette différence, ces résultats font apparaître d’une part, une
différence entre les coefficients de température du courant théorique et du courant de charge
mesuré et d’autre part, une différence non négligeable entre le coefficient de température de la
période mesurée et celui de ce même courant de charge.
Autrement dit, si le comportement thermique du courant de charge est différent de celui du
courant de la source, c’est que le courant « de fuite » If dérive en température.
La dérive thermique de ce courant If peut être déterminée, d’après la relation (III. 20 a), par la
différence des polynômes de Ic(θ) et Io(θ). En considérant que Io/Io (25°C) = -Rréf/Rréf (25°C) , nous
avons obtenu :
If (θ) = 0,596 - 6,80×10-3 θ + 7,14×10-5 θ2 (III. 60)
Son allure est donnée par la Fig. 3. 33 .
________________________________________________________________________________________
97
_________________________________________________________________________________________
0,70
0,65
I (µA) 0,60
0,55
f
0,50
0,45
0,40
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 3. 33 : Allure de la dérive thermique du courant de fuite If .
Nous avons vu précédemment que ce courant If était essentiellement dû aux courants

de base des deux comparateurs. Il est donc normal de voir ce courant augmenter pour des
températures supérieures à 50°C puisqu’il se comporte comme un courant inverse de jonction
PN [3-9].
De la même manière, si le comportement thermique de la période mesurée n’est pas le

même que celui du courant de charge (voir Fig. 3. 32 ), c’est que la capacité parasite globale
Cp dérive significativement en température. En effet, même si les capacités de couplage ne
varient pratiquement pas, nous avons vu que les capacités introduites par l’embase et son
support dérivaient en température (cf. annexe A2). De plus, les capacités internes au circuit
peuvent également varier notablement.
Nous avons déduit des résultats obtenus, le comportement en température de cette

capacité parasite globale. La Fig. 3. 34 représente sa variation thermique relative par rapport à
sa valeur à 25°C.
________________________________________________________________________________________
98
_________________________________________________________________________________________
1,25
1,20
1,15
p(25°C)
1,10
C /C
p
1,05
1,00
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 3. 34 : Comportement thermique de la capacité parasite globale du circuit et

du dispositif d’interface.
Si l’on compare ce comportement avec celui des autres capacités parasites (cf.
annexe A2), on constate que la dérive thermique de ces dernières est négligeable par rapport à
celle du circuit.
Cela signifie que les capacités Cgs, Cgd de transistors MOS, celles de jonctions polarisées en
inverse ou encore celles de l’impédance d’entrée des comparateurs forment une capacité
parasite interne non négligeable et qui plus est, dérive énormément en température.
D’une manière générale, à partir de la relation (III. 50), en considérant que Uhb et C
sont invariants, l’expression de la dérivée logarithmique de la période par rapport à la
température peut s’exprimer de la façon suivante :
∂T ⎡⎛ b ⎞ ∂C p ⎛ 1 + c ⎞ ∂I o ⎛ 2c ⎞ ∂R in ⎤
= (1 − a ) ⎢⎜ ⎟ −⎜ ⎟ −⎜ ⎟ ⎥ (III. 61)
T ⎢⎣⎝ 1 + b ⎠ C p ⎝ 1 − c ⎠ I o ⎝ 1 − c ⎠ R in ⎥⎦
2
Δt r Cp ⎛ v ⎞
avec : a = , b= et c = ⎜ ⎟
T C ⎝ R in I o ⎠
Si a et b et c sont très petits devant 1, alors on retrouve bien que la période se

comporte comme la source de courant.
________________________________________________________________________________________
99
_________________________________________________________________________________________
Conclusion
L’objectif de ce chapitre était l’analyse et la caractérisation du fonctionnement de la

partie analogique du convertisseur Capacité / Fréquence. Nous avons mis en évidence, par
comparaison entre les résultats simulés et expérimentaux, l’existence d’éléments introduits
par le montage qui altèrent les performances du système par rapport à celle d’un modèle
« idéal ».
Nous avons donc déduit des mesures une fonction de transfert de ce convertisseur en tenant
compte de ces phénomènes, ce qui nous a permis d’évaluer ses principales caractéristiques.
Pour cela, la mise au point d’un banc de caractérisation nous a permis de mesurer de manière
précise le comportement du circuit sachant que la résolution de ce dispositif était de l’ordre de
± 4 fF à la sortie du convertisseur. Tous les résultats obtenus sont regroupés dans le tableau
3- 4 :
Tableau 3- 4 : Caractéristiques du circuit convertisseur.
CIRCUIT CONVERTISSEUR CAPACITE / FREQUENCE
Gamme de tension d’alimentation 4,6 V - 6 V
Gamme de fréquence 0 - 1,53 MHz
Gamme de capacité ≥ 6,15 / εp
1- Fonction de transfert à 25°C
T = To + S (C + Cpe) (µs)
Offset (To) (± dispersion) 0,652 µs (± 10 %)
Sensibilité moyenne (S) (± dispersion) 0,118 µs / pF (± 20 %)
2- Comportement thermique [-10°C ; 30°C ; 90°C]
TC[T](*) (ppm/°C) [-1558 ; +119 ; +860]
TC[To] (ppm/°C) [-5860 ; +255 ; +1064]
TC[S] (ppm/°C) [-414 ; +85 ; +808]
3- Facteurs d’influence
Alimentation (pour 4,6 V ≤ VDD ≤ 7,5 V) ΔT/T < 0,03 %/V
Humidité Le dispositif doit être étuvé car son

comportement est très sensible à l’humidité
(*)
pour la valeur particulière C = 34 pF
________________________________________________________________________________________
100
_________________________________________________________________________________________
En ce qui concerne la gamme de tension d’alimentation, nous avons vu qu’elle pouvait

s’étendre jusqu’à 7,5 V pour C = 34 pF. Ceci étant, pour que la variation relative de la période
reste inférieure à 0,1 % de sa valeur nominale fixée pour 5 V, nous avons restreint la limite
supérieure de VDD à 6 V.
Pour ce qui a trait à la gamme de fréquence, la limite supérieure est en fait la

fréquence à vide c’est-à-dire lorsque aucune capacité n’est connectée sur l’oscillateur. Par
conséquent, ce dernier fonctionne avec les capacités parasites internes que nous avons
déterminées. Autrement dit on a :
1
f max = (III. 62)
To
La gamme de capacité utilisable est en fait limitée par la précision εp que l’on veut
obtenir et par les valeurs des paramètres du circuit. En effet, d’après la relation (III. 49b), on
voit que la précision de la mesure est définie par :
1⎛ T I ⎞
εp = ⎜Cp + o e ⎟ (III. 63)
C⎝ 2 U hb ⎠
Cette précision caractérise l’écart entre la période théorique (cf. III.1) et expérimentale. On
peut voir qu’elle est fortement altérée par les éléments « parasites » liés au montage. Par
conséquent, il est bien évident que plus la capacité mesurée C sera grande, meilleure sera la
précision.
Concernant la réponse du convertisseur, nous avons exprimé l’offset et la sensibilité

avec leur dispersion respective qui sont fonctions de celle de la résistance Rréf. Dans notre cas,
ΔRréf / Rréf = ± 20 %.
Or, nous avons vu que ΔS/S ≈ - ΔIo/Io = ΔRréf/Rréf et d’après (III. 59) :
ΔTo 2 ΔS
on a : ≈ (III. 64)
To 3 S
Quant à la dérive thermique, nous avons exprimé, à partir des mesures expérimentales,
les coefficients de température de la période, de l’offset To et de la sensibilité S du
convertisseur sachant que :
1 ⎛ ∂S ∂C pi ⎞
TC[To ] = ⎜ C pi +S ⎟ (III. 65)
To ⎝ ∂θ ∂θ ⎠
________________________________________________________________________________________
101
_________________________________________________________________________________________
2 ⎛ ∂I o ∂I ⎞
et TC[S] = − ⎜ Io − If f ⎟ (III. 66)
I e ⎝ ∂θ ∂θ ⎠
Toute cette étude nous permet de dire que le système, de par son principe de
conversion linéaire, fonctionne relativement bien si ce n’est une forte sensibilité de ses
caractéristiques à la température qui peut atteindre 0,2 % /°C.
________________________________________________________________________________________
102
Chapitre 4
Etude du Capteur
de Pression
Elémentaire
Chapitre 4 : Etude du Capteur de pression élémentaire
_________________________________________________________________________________________
Introduction
Après avoir examiné les comportements intrinsèques respectifs de la cellule sensible et

du convertisseur, nous allons étudier, dans ce chapitre le comportement d’un capteur de
pression élémentaire c’est-à-dire celui d’un démonstrateur associant ces deux éléments.
L’association des deux fonctions de transfert nous permettra de déterminer celle du capteur
élémentaire. Nous donnerons ensuite les résultats expérimentaux et nous en déduirons les
principales caractéristiques. La comparaison entre ces résultats et ceux obtenus pour chacune
des deux « puces » nous permettra d’évaluer les paramètres liés au montage. Nous estimerons
également par la simulation les limites et les potentialités d’un tel capteur en observant son
comportement en fonction de la dispersion sur l’ensemble des paramètres internes et externes
au circuit.
4.1. Modèle de la fonction de transfert du capteur
Un capteur de pression élémentaire est obtenu en connectant une cellule sensible à

l’entrée du convertisseur capacité/fréquence. Ce capteur délivre un signal périodique dont la
période et/ou la fréquence est fonction de la valeur de la pression appliquée. Le schéma de
principe est illustré par la Fig. 4. 1 .
Pression
Convertisseur
Capacité / fréquence
C(P) T (P)
Cellule
ou
sensible
f (P)
Figure 4. 1 : Schéma de principe du démonstrateur de capteur de pression capacitif à

sortie fréquentielle
Nous avons vu dans le deuxième chapitre que le schéma équivalent de la cellule

sensible pouvait se modéliser par une capacité intrinsèque Ci en parallèle avec une capacité
parasite de montage Cp et une conductance de fuite Gi. Pour ce qui a trait à la réponse en
pression, nous avions vu que l’on pouvait la modéliser par une relation du type :
________________________________________________________________________________________
105
_________________________________________________________________________________________
C(P) = Co+ S(c) P + NL(c)(P) (IV. 1)

où S(c) et NL(c) représentent respectivement la sensibilité à la pression et la nonlinéarité de la
de réponse de la cellule.
En ce qui concerne la réponse du convertisseur, nous avons vu dans le troisième

chapitre que l’on pouvait la modéliser par la relation :
T(C) = To + S(Tc) (C + Cpe) (IV. 2)
où S(Tc) représente la sensibilité du convertisseur (en µs/pF) (cf. III. 57).
A partir des relations (IV. 1) et (IV. 2), nous pouvons exprimer le modèle de la
réponse du capteur élémentaire de la manière suivante :
T(P) = Toff + S(T) P + NL(T)(P) (IV. 3)
où S(T) et NL(T) représentent respectivement la sensibilité du capteur élémentaire et la
nonlinéarité de sa réponse en pression.
Autrement dit, par analogie avec (IV. 3), on peut définir les différents paramètres du modèle.
On a donc :
(
Toff = To + S(Tc ) Co + C pe ) (IV. 4)
S(T ) = S(Tc ) × S(c ) (IV. 5)
et NL(T) (P) = S(Tc) × NL(c) (P) (IV. 6)
où Το représente l’offset du convertisseur et Cpe la capacité « parasite » équivalente qui tient

compte de toutes les capacités extérieures au circuit, y compris celles liées au montage de la
cellule (cf. Annexe A2).
________________________________________________________________________________________
106
_________________________________________________________________________________________
4.2. Résultats expérimentaux
A) Montage et matériel
Nous avons choisi de monter séparément le convertisseur et la cellule dans

deux blocs métalliques semblables. Nous les avons interconnectés en utilisant le même boîtier
d’interfaçage que celui présenté dans le chapitre précédent par la Fig. 3. 19.
Grâce à ce dispositif, nous avons également accès à la mesure de la résistance

qui est située au niveau de la cellule sensible (cf. § 2.1.2). Cette mesure nous permet de
définir après étalonnage, la valeur de la température de la cellule mais aussi du circuit puisque
les deux blocs d’encapsulation sont identiques. La mesure de cette résistance nous permet
surtout d’estimer la stabilité de la température du système qui est le repère essentiel avant
toutes séries de mesures. Le matériel utilisé est strictement le même que celui que nous avons
décrit dans les études expérimentales précédentes. Seul le système de génération et de
régulation de pression, utilisé pour l’étude de la cellule sensible, a été rajouté à la liste du
matériel décrit dans l’étude du convertisseur (cf. Tab. 3- 3).
B) Résolution et précision
Les calculs de la résolution et de la précision sont strictement définis de la

même manière que dans les précédentes études (cf. § 3.4.1.C). La résolution du dispositif de
test est donc principalement définie par le bruit de mesure du fréquencemètre et par les
fluctuations dues aux différents systèmes de régulation (température et pression). Toutes ces
valeurs sont rappelées dans le tableau 2- 3 .
Tableau 4- 1 : Rappel des fluctuations maximales introduites par les régulations en

pression et en température et du bruit de mesure sur la période.
Pression (ΔP) Température (Δθ) Périodemètre (ΔTB)
Fluctuations max.(*) ± 2 mbar ± 0,1°C ± 0,2 ns
Erreurs max.(**) ± 3,2 mbar ± 0,89°C ± 0,3 ns

(*)
Nous rappelons que ce sont des valeurs maximales car elles sont obtenues pour une pression de 6 bars et une
température de -10°C.
(**)
En tenant compte de la précision des appareils de mesure.
________________________________________________________________________________________
107
_________________________________________________________________________________________
A partir de ces valeurs, nous devons calculer leur effet respectif sur la période
mesurée sachant que l’on peut définir une erreur à partir du calcul de la différentielle totale.
∂T ∂T
ΔT = ΔP + Δθ + ΔTB (IV. 7)
∂P ∂θ
Or, d’après la relation (IV. 2), on peut écrire :
∂To ⎡ ∂C ∂ (C + C pe ) ⎤ ∂S (Tc )
ΔT = Δθ + S (Tc ) ⎢ ΔP + Δθ⎥ + (C + C pe ) Δθ + ΔTB (IV. 8)
∂θ ⎣ ∂P ∂θ ⎦ ∂θ
Si l’on considère que la capacité introduite par le dispositif d’interface métallique est
indépendante de la température (couplage par l’air invariant), alors tous les termes ont déjà
été calculés dans les deux chapitres précédants (cf. (II. 11), (III. 65) et (III.66)).
Ce qui nous donne dans le pire cas (-10°C et 6 bars) :
- Pour la résolution (ΔP = ± 2 mbars et Δθ = ± 0,1°C) : ΔTM = ± 1,4 ns

- Pour la précision (ΔP = ± 3,2 mbars et Δθ = ± 0,89°C) : ΔTM = ± 8,3 ns
Cela représente en pourcentage de la réponse pleine échelle en pression :
εr = ± 0,18 % RPE (résolution)

εp = ± 1,04 % RPE (précision)
4.2.2. Réponse à température ambiante
A) Mesure des paramètres liés au montage
Avant de caractériser le comportement en pression et en température du

démonstrateur, un étalonnage doit être effectué pour identifier la valeur de la capacité parasite
globale du montage. Autrement dit, de la même manière que dans le chapitre précédent
(cf. § 3.4.3.A) nous avons mesuré la réponse T(C).
En traçant la droite des moindres carrés sur les points de mesure de T(C), nous avons obtenu :
T (C) = 0,96 + 0,1187 C (IV. 9)
L’ordonnée à l’origine nous permet de calculer la capacité parasite globale extérieure au
circuit (cf. (III.53)). Connaissant Cpi, nous avons :
Cpe = 2,57 pF (IV. 10)
________________________________________________________________________________________
108
_________________________________________________________________________________________
Or, comme nous avions montré, lors de l’étude de l’oscillateur (cf. § 3.5.2), que le montage
introduisait une capacité d’environ 0,6 pF, cela signifie que le bloc de la cellule sensible
introduit des capacités « parasites » supplémentaires de l’ordre de 1,9 pF. Cette valeur
coïncide relativement bien avec celle issue des mesures décrites dans l’annexe A2.
B) Réponse à température ambiante
Les Figs 4. 2 et 4. 3 représentent respectivement la réponse T(P) et f(P) pour

une température de 30°C et pour des pressions comprises entre 1 bar et 6 bars.
6,0
5,8
5,6
T (µs)
5,4
5,2
5,0
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 4. 2 : Résultats expérimentaux de la période en fonction de la pression à 30°C.
________________________________________________________________________________________
109
_________________________________________________________________________________________
200
195
f (kHz) 190
185
180
175
170
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 4. 3 : Résultats expérimentaux de la fréquence en fonction de la pression à

30°C.
Sur les points des deux réponses obtenues, nous avons tracé d’une part la droite
des moindres carrés et d’autre part, un polynôme de régression de manière à pouvoir
déterminer les principales caractéristiques du capteur (cf. § 2.3.4). La droite des moindres
carrés nous permet d’obtenir, dans chacun des cas, d’une part l’offset et d’autre part la
sensibilité à la pression du capteur. Nous avons obtenu :
- pour la réponse en période : Toff = 5,02 µs

S(T) = 0,16 µs / bar
- pour celle en fréquence : foff = 199,20 kHz

S(f) = -5,62 kHz / bar.
En ce qui concerne la nonlinéarité, la Fig. 4. 4 représente les nonlinéarités normalisées

par rapport à l’étendue de mesure de la période et de la fréquence, entre 1 bar et 6 bars. A titre
indicatif, nous avons également reporté sur cette figure la nonlinéarité de la réponse 1/C(P) de
la cellule sensible.
________________________________________________________________________________________
110
_________________________________________________________________________________________
f(P)
3
T(P)
2 1/C(P)
NL (%.RPE)
1
-1
-2
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 4. 4 : Nonlinéarité de la période, de la fréquence et de l’inverse de la cellule

sensible en fonction de la pression.
Ces résultats nous permettent de voir que la réponse f(P) est bien plus linéaire que
T(P). Cet effet de compensation de la nonlinéarité a été discuté dans [4-1]. Par ailleurs, nous
constatons que la nonlinéarité de f(P) est supérieure à celle de 1/C(P). Ce résultat sera analysé
dans la section 4.3.3.
Pour la suite de l’étude du capteur élémentaire, nous ne déterminerons donc que les
caractéristiques de la réponse fréquentielle.
4.2.3. Réponse paramétrée en température
Après avoir laissé le système se stabiliser à 90°C, nous avons mesuré la réponse du
capteur à différentes températures. Les résultats sont reportés sur la Fig. 4. 5 .
________________________________________________________________________________________
111
_________________________________________________________________________________________
200 θ = 90°C
195 θ = 70°C
θ = 50°C
190 θ = 30°C
θ = 10°C
f (kHz)
185
θ = -10°C
180
175
170
165
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 4. 5 : Réponse du démonstrateur élémentaire à différentes températures.
Pour pouvoir évaluer le comportement en température du démonstrateur, nous avons

déduit de ces mesures la dérive thermique des paramètres du modèle c’est-à-dire de l’offset,
de la sensibilité ainsi que de la nonlinéarité.
A) Variation en température de l’offset
La Fig. 4. 6 représente la variation en température du démonstrateur au repos

c’est-à-dire celle de la fréquence obtenue pour une pression nulle. Les résultats montrent que
cette variation est de la même forme que celle du circuit convertisseur (cf. § 3.4.2.B).
Pour évaluer l’importance du comportement en température de la cellule par

rapport à celui du démonstrateur, nous avons comparé sur la Fig. 4. 7 la variation du
coefficient thermique de leur offset respectif.
________________________________________________________________________________________
112
_________________________________________________________________________________________
-1
(%)
off
-2
Δf / f
off
-3
-4
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 4. 6 : Variation en température de l’offset du capteur.
2000
Cellule sensible
1500 Démonstrateur
TC [ Offset ] (PPM/°C)
1000
500
-500
-1000
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 4. 7 : Comparaison des coefficients de température du démonstrateur et de la

cellule sensible.
Il apparaît clairement que la variation en température de la cellule est

négligeable par rapport à celle du démonstrateur. Par conséquent, le comportement en
température du démonstrateur est essentiellement défini par celui du circuit électronique et du
montage.
________________________________________________________________________________________
113
_________________________________________________________________________________________
B) Dérive thermique de la sensibilité
La Fig. 4. 8 représente la dérive thermique de la sensibilité normalisée par

rapport à sa valeur à 30°C.
-2
ΔS / S (%)
-4
-6
-8
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 4. 8 : Dérive thermique de la sensibilité du démonstrateur.
Nous pouvons constater que la dérive thermique de la sensibilité est de la

même forme que celle de l’offset. Cela confirme que le comportement en température du
démonstrateur est principalement défini par celui de la source de courant. Par contre, puisque
aucun polynôme de régression d’ordre 2 ne peut passer par les points expérimentaux de
manière précise et que le comportement de la source Io est défini par une loi parabolique (cf.
III. 32), on ne peut pas affirmer l’équivalence totale des deux comportements.
C) Nonlinéarité
Nous avons reporté sur la Fig. 4. 9 la nonlinéarité de la réponse normalisée par

rapport à la réponse pleine échelle (RPE) à trois températures différentes : -10°C, 30°C et
90°C.
________________________________________________________________________________________
114
_________________________________________________________________________________________
1,0
0,5
NL (%.E.M)
0,0
-0,5 θ = -10°C
θ = 30°C
θ = 90°C
-1,0
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 4. 9 : Nonlinéarité de la réponse du démonstrateur pour trois températures

différentes : -10°C, 30°C et 90°C.
Nous pouvons constater que la nonlinéarité ne varie quasiment pas en

température. Le calcul nous donne une dérive ΔNL/NL inférieure à 1 % / °C.
4.2.4 Influence de la tension d’alimentation
La capacité intrinsèque de la cellule n’étant pas sensible aux faibles variations

de la tension d’alimentation, nous retrouvons exactement les mêmes courbes que celles
obtenues avec le convertisseur dans le paragraphe 3.4.2.A.
________________________________________________________________________________________
115
_________________________________________________________________________________________
4.3. Potentialités et limites du capteur élémentaire
Dans un premier temps, nous avons utilisé le simulateur pour évaluer l’influence de la
dispersion des principaux paramètres du circuit sur les caractéristiques du capteur. Pour cela,
nous avons préalablement modifié le modèle sur PSPICE pour que son comportement se
rapproche de celui du démonstrateur.
Si l’on considère que la réponse « idéale » est définie par :
Tid (P) = Sid × C (P) (IV. 11)

où Sid représente la sensibilité « idéale » définie par la relation (III. 18), alors on peut
exprimer la réponse expérimentale, c’est-à-dire celle qui tient compte des « non idéalités », en
fonction de la réponse idéale, de la façon suivante :
Tid
T = To + (IV. 12)
K i K Cp
Ki et KCp sont les facteurs de correction respectivement liés au courant de fuite (c’est-à-dire à
la résistance de fuite que l’on peut également appeler « résistance d’isolement ») et aux
capacités parasites. Ils sont définis, d’après (III. 47) (III. 48) et (III. 49) par :
2
⎛ ⎞
⎜ ⎟
⎜ 1 ⎟
Ki = 1 − ⎜ ⎟ (IV. 13)
Z
⎜⎜ 1 + R ⎟⎟
⎝ Zc ⎠
1
KCp = (IV. 14)
C pe
1+
C ( P)
Nous avons donc comparé le comportement des caractéristiques du démonstrateur

avec celui du capteur « idéal » défini par fid = 1 / Tid (cf. (IV. 11)), de manière à évaluer, en
première approximation, les potentialités et les limites du capteur élémentaire. Autrement dit,
nous avons évalué l’influence des paramètres qui constituent les facteurs de non-idéalité Ki et
KCp principalement sur la sensibilité et la nonlinéarité du capteur.
________________________________________________________________________________________
116
_________________________________________________________________________________________
4.3.1. Validation du modèle sur PSPICE
Avant d’utiliser le simulateur pour étudier le comportement du capteur en fonction de

différents facteurs d’influence, nous avons essayé de rendre le modèle plus précis c’est-à-dire
plus proche de la réalité. Pour cela, à partir des résultats expérimentaux, nous avons modifié
certaines valeurs et ajouté des paramètres comme les capacités parasites ou encore la variation
thermique du courant de fuite. L’objectif n’était certainement pas de « coller » à la réalité
mais de s’y approcher de manière à pouvoir faire une étude comportementale à peu près
réaliste du démonstrateur.
A) Les modifications
En ce qui concerne la source de courant, connaissant approximativement le

courant Io qui est une valeur déduite des mesures expérimentales, nous pouvons fixer la
résistance Rréf au voisinage de la valeur correspondante.
Pour l’étude en pression, nous avons intégré dans le modèle, la réponse de la

cellule sensible Ci(P) à partir des valeurs expérimentales.
Nous avons également ajouté deux capacités en parallèle avec celle de mesure pour simuler
les capacités introduites par le dispositif : une constante et une autre variable en température.
En ce qui concerne le comportement en température du capteur, nous avons inséré dans le
modèle, les dérives thermiques respectives de la cellule sensible, de la source de courant, de
l’impédance d’entrée des comparateurs (à partir de If(θ)) et enfin celle de la capacité parasite.
Ces dérives ont été déterminées expérimentalement dans les deux chapitres précédents.
B) Résultats
Pour valider le modèle ainsi défini, nous avons comparé les résultats de
simulation avec ceux obtenus expérimentalement.
a) Paramètres de base : Ie et Cp
Nous avons tout d’abord mesuré les paramètres de base c’est-à-dire le courant effectif
Ie et la capacité parasite extérieure globale Cp. Ces paramètres sont définis à partir de la loi de
variation de la période en fonction de la capacité de mesure à 30°C. Le tableau 4- 2 regroupe
l’ensemble de ces résultats.
________________________________________________________________________________________
117
_________________________________________________________________________________________
Tableau 4- 2 : Comparaison entre les valeurs expérimentales et simulées de Ie et Cp à

30°C.
Réponse T(Ci) Ie(µA) Cpi + Cpe (pF)
Simulation 0,95 + 0,1189 Ci 20,611 5,381
Expérience 0,96 + 0,1187 Ci 20,644 5,477
Ces résultats montrent que le modèle simulé sur PSPICE est relativement proche de la
réalité. L’essentiel ici est qu’il présente le même comportement aussi bien en pression qu’en
température.
b) Comportement en pression
Nous avons comparé les deux caractéristiques principales en pression : la sensibilité à

la pression et la nonlinéarité. Le tableau 4- 3 regroupe ces résultats.
Tableau 4- 3 : Comparaison des valeurs simulées et expérimentales de la sensibilité à

la pression S et de la nonlinéarité moyenne NL .
S NL
(kHz / bar) (%.RPE)
Simulation - 5,466 ± 0,77
Expérience - 5,615 ± 0,79
D’après ces résultats, nous pouvons dire que la nonlinéarité simulée correspond à la
nonlinéarité expérimentale ce qui signifie qu’il n’y a pas de différences notables au niveau
des paramètres qui influent sur cette caractéristique.
En revanche, il n’en est pas tout à fait de même pour la sensibilité. En effet, l’écart observable
entre les valeurs simulées et expérimentales nous montre qu’il existe une différence sur un
(ou plusieurs) paramètre(s) agissant sur la sensibilité. Nous pensons qu’il s’agit de
l’impédance d’entrée des comparateurs qui fixe la valeur du courant de fuite et donc du
courant Ie. C’est ce que nous vérifierons un peu plus loin.
________________________________________________________________________________________
118
_________________________________________________________________________________________
c) Comportement en température
Concernant le comportement en température du capteur, nous avons comparé les

résultats simulés et expérimentaux en calculant les coefficients de température de l’offset et
de la sensibilité.
2000
Simulation
1500 Expérience
1000
] (ppm/°C)
500
0
off
TC [ f
-500
-1000
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 4. 10 : Comparaison des variations des coefficients de température de l’offset

simulé et expérimental du capteur élémentaire.
4000
Simulation
3000 Expérience
TC[ S ] (ppm/°C)
2000
1000
-1000
-2000
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 4. 11 : Comparaison des coefficients de température de la sensibilité simulée et

mesurée du capteur élémentaire.
________________________________________________________________________________________
119
_________________________________________________________________________________________
Nous pouvons constater que le comportement du modèle est suffisamment

proche de la réalité pour que nous puissions l’utiliser en vue de déterminer celui du capteur
vis-à-vis de la dispersion de certains paramètres ou d’autres facteurs d’influence (Rréf, Uhb,
If, Cpe, ...).
4.3.2. Influence de la dispersion des paramètres du circuit
A) Comportement de l’offset
Dispersion sur la valeur de la résistance Rréf
Nous avons reporté sur la Fig. 4. 12 , la variation relative de l’offset par rapport à sa
valeur « nominale » c’est-à-dire par rapport à sa valeur associée à la résistance « nominale ».
Nous avons fait varier la résistance de -20 % à +20 % ce qui correspond à sa dispersion de
fabrication donnée par le constructeur. Ainsi, nous pouvons évaluer l’influence de la
dispersion de Rréf sur la fréquence de repos.
30
20
/ foff (%)
10
0
off
Δf
-10
-20
-20 -10 0 10 20
ΔR / R (%)
réf réf
Figure 4. 12 : Variation relative de la fréquence au repos en fonction d’une variation

relative de la résistance Rréf de la source de courant.
Tout autre paramètre étant stable par ailleurs, la variation de cette résistance se traduit
par une variation du courant Io. La fréquence f du signal de mesure étant proportionnelle à ce
________________________________________________________________________________________
120
_________________________________________________________________________________________
courant, une croissance linéaire de Rréf entraîne une décroissance hyperbolique de f. C’est ce
que l’on peut observer sur la courbe de la Fig. 4. 12 .
Influence d’un écart de tension de seuil
La Fig. 4. 13 représente l’effet d’une fluctuation de la différence de potentiel Uhb entre

le seuil haut et le seuil bas sur la fréquence foff. Nous avons donc tracé sur ce graphe, la
variation relative de l’offset en fonction de la variation relative de Uhb ; la valeur de référence
étant la valeur nominale 1,225 V.
20
10
/ foff (%)
0
off
Δf
-10
-20
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8
ΔU / U (%)
hb hb
Figure 4. 13 : Influence d’une variation de la différence de potentiel (Vh - Vb) sur la

fréquence de repos.
Nous pouvons remarquer qu’une faible augmentation de Uhb entraîne une forte
diminution de l’offset. Cela vient du fait de la présence de Uhb au dénominateur. En effet, si
l’on considère que foff = 1/ Toff, alors on a :
⎛ ⎞
⎜ ⎟
⎜ 1 ⎟
f off = (IV. 15)
⎜
⎜ To +
⎝
2 U hb
Ie
( ) ⎟
C io + C pe + NL(0) ⎟
⎠
De plus, la différence de potentiel Uhb apparaît également dans To (cf. (III.59)).
________________________________________________________________________________________
121
_________________________________________________________________________________________
Il faut cependant noter que dans le cas réel, il n’y a pas de raison physique pour que
les seuils varient sans que d’autres paramètres évoluent eux aussi. Par exemple, une variation
de la tension de référence entraîne à la fois une variation de Uhb et de Io dans le même sens.
Autrement dit, si les deux variations sont corrélées, elles ont tendance à se compenser vis-à-
vis de la fréquence. C’est ce que montre la Fig. 4. 14 .
0,10
(%)
0,05
off
/f
off
0,00
Δf
-0,05
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8
Δ V / V (%)
réf réf
Figure 4. 14 : Variation relative de la fréquence de repos en fonction d’une variation

relative de la tension de référence.
Nous pouvons effectivement constater que la même variation de ΔUhb (générée cette
fois par une variation ΔVréf) entraîne en réalité, une variation 200 fois plus faible que celle
obtenue sur la Fig. 4. 13 .
B) Comportement de la sensibilité
Influence de la résistance Rréf
La Fig. 4. 15 nous montre la dispersion sur la sensibilité (en terme de variation

relative) générée par celle de fabrication de Rréf.
________________________________________________________________________________________
122
_________________________________________________________________________________________
20
ΔS / S (%) 10
-10
-20
-20 -10 0 10 20
ΔRréf / Rréf (%)
Figure 4. 15 : Variation relative de la sensibilité du capteur élémentaire en fonction

de la variation relative de la résistance Rréf.
Nous pouvons constater que la dispersion sur la résistance se répercute quasi

intégralement sur la sensibilité du capteur ce qui est conforme à la théorie puisque la
sensibilité est proportionnelle au courant Io donc inversement proportionnelle à la résistance
Rréf
(cf. III. 2).
Influence d’un écart de tension de seuil
De la même manière que pour l’étude de la fréquence de repos (foff), nous avons
évalué l’influence d’une variation de la différence de potentiel entre les tensions seuils sur la
sensibilité du capteur. Pour cela, nous avons reporté sur la Fig. 4. 16 la variation relative de la
sensibilité en fonction de celle de Uhb.
________________________________________________________________________________________
123
_________________________________________________________________________________________
20
ΔS / S (%) 10
-10
-20
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8
ΔU / U (%)
hb hb
Figure 4. 16 : Variation relative de la sensibilité en fonction de celle de Uhb.
Cette figure montre qu’une augmentation de 5 % de Uhb entraîne une diminution de

plus de 10 % de la sensibilité. Par conséquent, il est très important que la différence de
potentiel Uhb soit stable quelles que soient les fluctuations de tension d’alimentation ou de
température. C’est pourquoi les tensions de seuils sont obtenues à partir d’une source de
tension de référence appelée source « Bandgap » à haute stabilité. Ceci étant, le phénomène
de compensation observé pour l’offset lorsqu’on fait varier la tension de référence existe et
donc minimise la dispersion sur la valeur de la sensibilité.
4.3.3. Influence des facteurs de non-idéalité sur les caractéristiques
La comparaison des résultats obtenus expérimentalement avec ceux donnés par le

calcul théorique (cf. (IV. 17)) nous permet de nous rendre compte de l’effet néfaste des
facteurs Ki et KCp sur les performances du capteur.
D’après la relation (IV. 12), on peut en déduire l’expression de la fréquence mesurée en
fonction de la fréquence idéale. On a :
⎛ 1 ⎞
f ( P) = K i K Cp ⎜⎜ ⎟ × f id ( P)
⎟ (IV. 16)
⎝ 1 + K i K Cp To f id ⎠
Io
avec f id ( P) = (IV. 17)
2 U hb C i ( P)
________________________________________________________________________________________
124
_________________________________________________________________________________________
A) Influence sur la sensibilité
Les figures 4. 17 et 4. 18 nous montrent la variation de la sensibilité du capteur

(à 30°C) par rapport à la sensibilité théorique, en fonction, non pas des facteurs Ki et KCp mais
directement des rapports Rin / | Zc | et Cpe / Ci (cf. (IV. 13) et (IV. 14)). En effet, nous avons vu
dans le deuxième chapitre que Gi était suffisamment faible pour le négliger par rapport à
1/Rin.
-1
Δ S / S (%)
-2
-3
1 10 100 1000
Rin / | Zc |
Figure 4. 17 : Variation relative de la sensibilité du capteur élémentaire en fonction

du rapport de la résistance d’entrée des comparateurs et de l’impédance équivalente de la
cellule en parallèle avec toutes celles liées au montage.
Cette figure nous permet de voir que la sensibilité du démonstrateur atteint sa

valeur optimale pour Rin ≥ 100 × | Zc |. Ceci étant dit, nous pouvons constater que la
sensibilité ne varie pas beaucoup même si Rin est voisin de |Zc| ce qui signifie que le facteur
Ki n’influence que très peu la sensibilité du capteur.
En ce qui concerne l’influence de la capacité parasite externe sur la sensibilité

du capteur, nous avons reporté les résultats sur la Fig. 4. 18 :
________________________________________________________________________________________
125
_________________________________________________________________________________________
-10
ΔS / S (%)
-20
-30
-40
-50
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
C pe / C io
Figure 4. 18 : Variation de la sensibilité du capteur élémentaire en fonction du

rapport Cpe /Cio .
Nous constatons que le poids de la capacité parasite par rapport à la capacité de

mesure influe beaucoup sur la sensibilité du capteur. Nous pouvons également dire que la
perte de sensibilité est principalement due au coefficient KCp (l’influence de Ki reste
négligeable). Autrement dit, pour ce type de convertisseur, il est très important de travailler
avec des cellules sensibles qui ont de grandes capacités. De plus, leur montage doit être
effectué avec soin pour que les capacités parasites soient les plus faibles possibles.
A partir des relations (IV. 16) et (IV. 17), nous pouvons effectivement calculer
cette perte de sensibilité à la pression de la façon suivante :
S( th) − S(exp)
PS = (IV. 18)
S( th)
où S(th) et S(exp) représentent respectivement les sensibilités à la pression théorique et
expérimentale. On obtient :
1
PS = 1 - . K i .( K Cp ) 2 (IV. 19)
2
⎡ To K i ⎤
⎢1 + ⎥
⎣ (
⎢ S id C i + C pe ) ⎥
⎦
Cette relation nous montre bien l’importance des facteurs Ki et surtout KCp au
niveau de la perte de sensibilité. Sachant que ces facteurs diminuent lorsque les paramètres (If
________________________________________________________________________________________
126
_________________________________________________________________________________________
et Cpe) augmentent, on peut voir dans ce cas que la perte de sensibilité augmente ce qui
signifie que la sensibilité du capteur diminue.
B) Influence sur la nonlinéarité
La Fig. 4. 19 représente la nonlinéarité normalisée par rapport à la réponse

pleine échelle du capteur élémentaire en fonction de la pression. Cette nonlinéarité a été
calculée pour quatre valeurs du rapport de la résistance d’entrée Rin des comparateurs et de
l’impédance totale de la cellule sensible et des capacités parasites en parallèle. Pour cette
étude, nous avons fixé le coefficient KCp à 1.
0,5
NL (%.RPE)
0,0
Rin / |Zc| = 1000
Rin / |Zc| = 100
-0,5 Rin / |Zc| = 10

Rin / |Zc| = 4
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 4. 19 : Nonlinéarité normalisée par rapport à la réponse pleine échelle du

capteur élémentaire en fonction du rapport Rin / |Zc|.
Nous constatons que ce paramètre n’a quasiment aucune influence sur la

nonlinéarité du capteur.
Concernant l’influence du facteur KCp ou plus exactement de la capacité

parasite extérieure Cpe sur la nonlinéarité, les résultats sont donnés sur la Fig. 4. 20 .
________________________________________________________________________________________
127
_________________________________________________________________________________________
1,5
Capteur idéal
1,0 Cpe/Cio = 0
0,5 Cpe/Cio = 0,15

NL (%.RPE)
0,0 Cpe/Cio = 0,3

Cpe/Cio = 0,45
-0,5
Cpe/Cio = 0,9
-1,0
-1,5
-2,0
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 4. 20 : Nonlinéarité normalisée par rapport à la réponse pleine échelle du

capteur en fonction du paramètre Cpe / Cio .
Dans le cas où la capacité parasite introduite par le montage n’est pas

négligeable par rapport à la capacité de mesure, on voit qu’elle peut dégrader
significativement la nonlinéarité et donc la précision du capteur.
La courbe correspondant à un rapport nul nous permet d’évaluer la nonlinéarité

optimale du capteur puisque nous avons fait les calculs en prenant la résistance Rin infinie
(Ki = 1). Nous pouvons constater que cette nonlinéarité optimale est supérieure à la
nonlinéarité « idéale » (représentée par le symbole -o-) obtenue à partir de la relation (IV.
17). Cela est dû entre autres choses, à la nonlinéarité introduite par l’offset propre au
convertisseur (To).
C) Observations sur le comportement en température
La Fig. 4. 21 représente la variation des coefficients de température de l’offset

de f et de fid.
________________________________________________________________________________________
128
_________________________________________________________________________________________
2000
Capteur "idéal"
1500 Démonstrateur
TC[offset] (ppm/°C)
1000
500
-500
-1000
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 4. 21 : Comparaison des coefficients de température de l’offset « théorique » et

expérimental du capteur élémentaire.
La différence de forme des dérives est due à la différence des degrés des
polynômes de régression. Ceci étant, nous pouvons constater un écart substantiel entre les
deux courbes. Cet écart ne peut donc qu’être lié à la dérive thermique de tous les éléments
« parasites » qui ne sont pas pris en compte dans la réponse idéale fid. Autrement dit, le
comportement thermique du démonstrateur est non seulement déterminé par celui de la source
de courant Io mais aussi par une somme de variations de différents paramètres comme par
exemple Rin, Cpi et/ou Cpe.
Pour évaluer l’importance des paramètres liés au montage, nous avons comparé
la variation du coefficient de température de la sensibilité de la fréquence mesurée avec celui
de la fréquence calculée (ou idéale) (fid). Cette comparaison est reportée sur la Fig. 4. 22 .
________________________________________________________________________________________
129
_________________________________________________________________________________________
3000 Capteur idéal

Expérimental
TC[ S ] (ppm/°C)
2000
1000
-1000
-2000
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 4. 22 : Comparaison des coefficients de température de la sensibilité théorique

et expérimentale du démonstrateur.
De même que pour la dérive de l’offset, ce résultat montre que les paramètres
liés au montage ont une dérive thermique non négligeable par rapport à celle du capteur ce
qui est tout à fait conforme aux résultats du chapitre précédent.
________________________________________________________________________________________
130
_________________________________________________________________________________________
Conclusion
Après avoir rappelé le principe du capteur élémentaire, la caractérisation et la mise au

point du modèle sur PSPICE nous ont permis de déterminer précisément le comportement du
démonstrateur et d’en évaluer ses avantages, ses potentialités mais aussi ses limites. Le
tableau 4- 4 regroupe la plupart de ces principales caractéristiques ainsi que celles d’un
capteur « idéal » dépourvu des éléments parasites liés au montage.
Tableau 4- 4 : Principales caractéristiques du démonstrateur réalisé ainsi que d’un

capteur élémentaire « idéal ».
Caractéristiques DEMONSTRATEUR CAPTEUR « IDEAL »
Gamme d’alimentation 4,6 V / 6 V
Gamme de température -10°C / +90°C
Gamme de pression 1 bar / 6 bars
Réponse en pression(*) à 30°C
Sensibilité - 5,62 kHz / bar - 8,10 kHz / bar ± 20 %
Nonlinéarité ± 0,79 % RPE. ± 0,35 % RPE.
Comportement en Température [-10°C ; 90°C]
TCmoy [ Offset ] (PPM/°C) [1750 ; - 800] [500 ; -750]
TCmoy [ S ] (PPM/°C) [3000 ; -1000] [250 ; -1000]
Divers
Sensibilité à l’alimentation 4,3 %E.M / V

(*) L’ensemble des mesures a été réalisé avec une résolution de l’ensemble du dispositif supérieure à ± 9 mbars
soit 0,18 % E.M.
Nous pouvons voir sur ce tableau que la gamme de tension d’alimentation est
différente de celle donnée par le constructeur du circuit. En effet, nous en avons défini une
plus restrictive pour que la dérive relative de la fréquence au repos (offset) reste inférieure ou
égale à 0,1 %. Cette gamme est en fait celle déterminée par le convertisseur.
________________________________________________________________________________________
131
_________________________________________________________________________________________
Quant aux gammes de pression et de température, ce sont celles définies par le cahier des
charges du capteur c’est-à-dire celles pour lesquelles le capteur fonctionne normalement avec
une nonlinéarité inférieure à 1 % E.M. Nous rappelons que cette plage de pression autorise
une surpression de 2,5 fois l’étendue de mesure ce qui est supérieur à la marge requise (2
E.M).
En ce qui concerne le comportement en pression du démonstrateur, il est

essentiellement déterminé par celui de la cellule sensible. Ceci étant, il faut souligner
l’avantage du principe de mesure de la fréquence qui, étant inversement proportionnelle à la
capacité, procure une autocompensation partielle de la nonlinéarité.
Cependant, la comparaison entre les performances du démonstrateur et celles d’un capteur
élémentaire idéal nous permet de voir une altération notable des performances d’une part par
la présence d’un courant de fuite (généré par une impédance équivalente vue à l’entrée de
l’oscillateur), et plus particulièrement par la présence quasi inévitable de capacités parasites
[4-2]. C’est pour ces raisons que la sensibilité et la nonlinéarité sont différentes de celles
prévues par le calcul.
Concernant le comportement en température, sachant que les coefficients thermiques de la
cellule sensible sont très faibles (cf. Tableau 2-5), nous pouvons en déduire que celui du
capteur élémentaire est entièrement défini par la sensibilité à la température du circuit
électronique.
Ces résultats nous permettent de dire que le démonstrateur ainsi réalisé possède des
caractéristiques en pression qui répondent tout à fait aux exigences du cahier des charges. Par
contre, sa grande sensibilité à la température ne lui permet pas d’être compétitif, y compris
pour des capteurs de faible précision. C’est pourquoi un tel capteur n’est pas utilisable dans sa
configuration actuelle pour effectuer une mesure fiable de la pression. Il était donc
indispensable de trouver une solution simple qui permettrait de réduire sa sensibilité à la
température tout en ayant une autocompensation de la nonlinéarité.
________________________________________________________________________________________
132
Chapitre 5
Etude du Capteur
de Pression
Ratiométrique
Chapitre 5 : Etude du Capteur de pression Ratiométrique
_________________________________________________________________________________________
Introduction
Comme nous l’avons vu dans le chapitre précédent, il est nécessaire de réduire au

maximum la dérive thermique tout en conservant l’autocompensation de la nonlinéarité. Lors
de la conception, l’objectif était d’avoir un système simple c’est-à-dire sans circuit spécifique
de compensation.
Après avoir montré l’intérêt du choix d’une architecture ratiométrique, nous étudierons le
comportement d’un tel capteur. Autrement dit, nous définirons dans un premier temps ses
véritables caractéristiques puis, nous évaluerons ses avantages et ses inconvénients, ses
potentialités et ses limites en nous aidant de la simulation des modèles développés
précédemment.
5.1. Choix de l’architecture
Deux architectures de circuit paraissaient a priori adéquates pour compenser à la fois

les dérives d’offset et la nonlinéarité : l’architecture différentielle et l’architecture
ratiométrique.
La première méthode consiste à faire la différence entre deux fréquences : l’une (fm) délivrée
par une cellule de mesure et l’autre (fr) par une cellule de référence. On a donc :
RD = fm - fr (V. 1)
ce qui nous donne, en utilisant la relation de base du convertisseur (cf. III.2) :

I1 I2
RD = − (V. 2)
2 C i U hb 2 C r U hb
Si les courants sont identiques sur les deux voies (I1 = I2 = Io), alors on obtient :
Io  1 1 
RD =  −  (V. 3)
2 U hb  C i C r 
La deuxième méthode consiste à faire le rapport de deux fréquences. Dans ce cas, nous
avons :
f
RR = m (V. 4)
fr
soit, toujours à partir de (III.2) :
I C
RR = 1 r (V. 5)
I 2 Ci
________________________________________________________________________________________
135
_________________________________________________________________________________________
Dans l’hypothèse d’égalité des courants, on a :
Cr
RR = (V. 6)
Ci
Les deux réponses sont proportionnelles à la fréquence de mesure fm, ce qui signifie
qu’elles conservent le bénéfice de la linéarisation par inversion (cf. § 4.2.2.B). Par contre,
contrairement à la réponse ratiométrique, nous pouvons remarquer que la réponse
différentielle dépend toujours des paramètres Io et Uhb, ce qui signifie qu’elle ne s’affranchit
pas de leur dispersion et/ou de leurs variations. De plus, d’après (V. 6), si les deux capacités
Ci et Cr ont des dérives analogues, alors la sensibilité de la réponse RR à ces dérives doit être
faible. C’est pour ces raisons que l’architecture ratiométrique a été retenue par G. Blasquez et
Ph. Dondon au début des travaux [5-1].
Pour simplifier l’écriture, la réponse du capteur ratiométrique sera notée “ R ” dans ce qui
suit.
5.2. Comportement du capteur ratiométrique “ idéal ”
Avant d’étudier les caractéristiques expérimentales du démonstrateur, nous avons

estimé celle d’un capteur “ idéal ” dont la réponse est définie par la relation (V. 6). Ainsi,
nous pourrons, par comparaison, mieux évaluer les performances du capteur réel.
La capacité Ci est définie par la capacité intrinsèque de la cellule sensible et la capacité Cr est
une capacité céramique à faible coefficient thermique (voisin de celui de Ci) et telle que
Cr ≈ Cio. Connaissant les comportements des deux capacités, on en déduit la réponse en
pression du capteur idéal à chaque température. Nous avons représenté cette réponse
“ idéale ” sur la Fig. 5. 1 .
1,00 θ = -10°C
θ = 10°C
θ = 30°C
0,95 θ = 50°C
θ = 70°C
R
0,90 θ = 90°C
0,85
0,80
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 5. 1 : Réponse du capteur de pression ratiométrique idéal pour des

températures comprises entre -10°C et 90°C.
________________________________________________________________________________________
136
_________________________________________________________________________________________
D’après cette figure, le capteur “ idéal ” a une réponse quasi-linéaire très peu sensible
à la température. De la même manière que dans les études précédentes, nous pouvons
modéliser cette réponse par une relation du type :
R(P,θ) = Roff(θ) + S(θ) × P + NL(P,θ) (V. 7)
Les caractéristiques du capteur sont donc, l’offset, la sensibilité et la nonlinéarité qui
dépendent de la température. Ces caractéristiques sont regroupées dans le tableau suivant :
Tableau 5- 1 : Caractéristiques optimales en pression du capteur ratiométrique à

partir de celles de la cellule sensible.
Offset Sensibilité Nonlinéarité
Température ≈1 -3,3 %.bar-1 (*) 0,35 %.RPE

ambiante
Coefficient thermique ≈0 +143 ppm/°C < 1 %/°C

(*) La réponse étant un nombre sans dimension, la sensibilité du capteur, définie par la pente moyenne, peut être
exprimée en valeur relative c’est-à-dire en pour-cent de l’offset par bar.
Nous pouvons remarquer la totale compensation de la variation en température de

l’offset.
Par ailleurs, nous avons vu dans le paragraphe 4.3.3.B que la nonlinéarité moyenne obtenue
pour une capacité parasite nulle est de l’ordre de ± 0,35 %RPE. Cette valeur correspond à la
nonlinéarité théorique autrement dit à la plus faible valeur que nous pouvons atteindre avec
cette cellule sensible.
5.3. Etude expérimentale du capteur ratiométrique
Pour évaluer les potentialités de ce type d’architecture, nous avons réalisé un

démonstrateur comportant deux circuits convertisseurs semblables, une cellule sensible
capacitive pour la voie de mesure et une capacité céramique pour la voie de référence. Le
principe peut se schématiser comme le montre la Fig. 5. 2 .
En ce qui concerne le dispositif expérimental permettant l’étude en pression et en température
de ce démonstrateur, c’est strictement le même que celui présenté dans la section 4.2.1.
________________________________________________________________________________________
137
_________________________________________________________________________________________
I1
Oscillateur fm (P;θ)
de
mesure
Ci (P,θ)
f
R= m
fr
Oscillateur
de
Cr (θ) référence
fr (θ)
I2
Figure 5. 2 : Schéma de principe du démonstrateur à 4 puces.
L’ensemble des mesures a été réalisé dans deux cas de figure différents. Le
premier consiste à prendre une capacité de référence dont la valeur avoisine celle de la cellule
sensible (Cr1 ≈ 34 pF). Dans le deuxième cas, nous avons choisi de façon arbitraire une valeur
de capacité de référence suffisamment éloignée de celle de Cio (Cr2 ≈ 6 Cio) pour évaluer
l’influence de cet écart sur les caractéristiques du capteur.
5.3.2. Résolution et précision du dispositif de mesure
A) Résolution
Elle est donnée par la plus petite valeur de pression mesurable en tenant
compte des différents “ bruits ” de mesure à la sortie des deux convertisseurs. D’après le
calcul donné dans la section 4.2.1.B (cf. IV. 8), la résolution sur la période de mesure (εR)m
est de ± 0,026 %. En ce qui concerne la résolution sur la période de référence (εR)r, elle
correspond au même calcul en supprimant la partie relative à la régulation de pression, ce qui
nous donne : (εR)r = ± 0,018 %.
En considérant que les différentes fluctuations sur chaque voie sont indépendantes, la
résolution du démonstrateur peut être définie par la somme de ces deux erreurs relatives.
Nous avons donc :
ε R =(ε R ) m + (ε R ) r (V. 8)
________________________________________________________________________________________
138
_________________________________________________________________________________________
soit :
εR = ± 0,044 % de la mesure
ce qui représente, compte tenu de la sensibilité de la réponse, une fluctuation de ± 24 mbars

ou encore ± 0,48 % de l’étendue de mesure en pression.
B) Précision
Pour calculer la précision du dispositif, il suffit de reprendre le calcul de la

relation (IV. 8) en tenant compte des précisions de chaque appareil de mesure. Cela nous
donne :
- sur la voie de mesure : (εp)m = 0,151 % de la mesure
- sur la voie de référence : (εp)r = 0,131 % de la mesure
ce qui nous donne une erreur maximum de précision de :
εp = 0,282 % de la mesure.
Cela correspond, en pression, à 0,152 bar soit environ 3 % de l’étendue de mesure.
5.3.3. Réponse en pression paramétrée en température
Les Figs 5. 3 a et 5. 3 b représentent respectivement la variation de R1

(Cr1 ≈ Cio) et de R6 (Cr2 ≈ 6Cio) en fonction de la pression dans la gamme utile (1 bar / 6 bars)
pour différentes valeurs de températures comprises entre -10°C et 90°C.
1,00 θ = 90°C
θ = 70°C
0,98 θ = 50°C
θ = 30°C
0,96 θ = 10°C
1
R
θ = -10°C
0,94
0,92
0,90
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
a)
________________________________________________________________________________________
139
_________________________________________________________________________________________
6,2
θ = 90°C
6,1 θ = 70°C
6,0 θ = 50°C
θ = 30°C
5,9 θ = 10°C
6
5,8
R
θ = -10°C
5,7
5,6
5,5
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
b)
Figure 5. 3 : Réponse en pression paramétrée en température du démonstrateur :

a) Cr1 ≈ Cio ; b) Cr2 ≈ 6 Cio .
Ces résultats nous montrent que le comportement du démonstrateur, aussi bien

en pression qu’en température, dépend énormément de l’écart entre les valeurs de capacités
sur la voie de mesure et de référence. En effet, nous pouvons constater que, dans le premier
cas où les deux voies sont quasi identiques, la dérive thermique est bien plus faible que dans
le deuxième cas. Nous allons dans ce qui suit, analyser d’une manière plus détaillée ces
différences de comportement.
A) Caractéristiques en pression à température ambiante
a) Sensibilité
Le tableau 5- 2 permet de comparer la sensibilité à la pression du capteur

ratiométrique testé dans les deux cas de figure précités. Ces valeurs ont été obtenues à une
température ambiante de 30°C. Deux dénominations ont été utilisées : la sensibilité absolue
(S) et la sensibilité relative (S/Roff). Ceci permet de comparer les sensibilités de réponses
ayant des offsets différents.
________________________________________________________________________________________
140
_________________________________________________________________________________________
Tableau 5- 2 : Comparaison des sensibilités à la pression du capteur ratiométrique

dans le cas où Cr1 ≈ Cio et Cr2 ≈ 6 Cio.
Sensibilité absolue (bar-1) Sensibilité relative (%/bar)
Configuration 1 : (Cr1 ≈ Cio) -0,0185 -1,85
Configuration 2 : (Cr2 ≈ 6 Cio) -0,11 -1,83
Ces résultats montrent qu’il est important de bien définir la sensibilité car l’une
(sensibilité absolue) est proportionnelle au rapport Cr / Cio tandis que l’autre (sensibilité
relative) reste constante.
b) Nonlinéarité
Nous avons représenté sur la Fig. 5. 4 les nonlinéarités obtenues pour R1 et R6 . A titre
de comparaison, nous avons également porté sur cette figure la nonlinéarité de la réponse du
capteur idéal Cr / Ci(P).
Dans ce qui suit, nous noterons Ro, la valeur du rapport Cr / Cio .
1,0
0,5
NL (%.RPE)
0,0
-0,5
Capteur Idéal
-1,0 Ro = 6
Ro = 1
-1,5
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 5. 4 : Comparaison des nonlinéarités du capteur ratiométrique pour deux

valeurs différentes de Cr et du capteur “ idéal ”.
Nous pouvons remarquer que la nonlinéarité dans le cas Ro ≈ 6 est quasiment

identique à que celle obtenue pour Ro ≈ 1. Autrement dit, la nonlinéarité est indépendante de
________________________________________________________________________________________
141
_________________________________________________________________________________________
la valeur de Ro. Par ailleurs, dans les deux cas de figure, nous observons une nonlinéarité plus
importante que celle de la réponse du capteur idéal. D’après les conclusions précédentes
portant sur le capteur élémentaire, nous pensons que cette différence est principalement liée
aux capacités parasites introduites par le dispositif.
B) Comportement en température
A partir des courbes de réponse obtenues à chaque température (cf. Fig. 5. 3 a

et 5. 3 b), nous avons déterminé le comportement thermique de “ l’offset ”, de la sensibilité et
de la nonlinéarité.
a) Dérive thermique de l’offset
La Fig. 5. 5 représente la variation relative de l’offset Roff pour des températures

comprises entre -10°C et 90°C et pour les deux cas de figure (Ro ≈ 1 et Ro ≈ 6).
1,0
Ro = 1
Ro = 6
0,5
(%)
0,0
off
/R
off
∆R
-0,5
-1,0
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 5. 5 : Comparaison des dérives thermiques de l’offset du démonstrateur dans

les deux configurations étudiées.
Pour Ro ≈ 6, nous avons une dérive relative de l’offset de l’ordre de -150 ppm/°C. Par
contre, pour Ro ≈ 1, ce coefficient est inférieur à 20 ppm/°C.
Afin de juger le degré de compensation thermique apporté par cette architecture, nous avons
tracé sur la Fig. 5. 6 les coefficients de température d’un capteur élémentaire ainsi que ceux
des deux montages ratiométriques (R1 et R6).
________________________________________________________________________________________
142
_________________________________________________________________________________________
2000
TC[foff]
1500
T.C [Offset] (PPM/°C) TC[R1off]
1000 TC[R6off]
500
0
-500
-1000
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 5. 6 : Comparaison des coefficients de température de la réponse à 0 bar du

capteur élémentaire et du capteur ratiométrique dans deux cas de figures particuliers (R1 et
R6).
Pour l’essentiel, il apparaît que les réponses des montages R1 et R6 ont des
dérives thermiques négligeables comparées à celle d’un capteur élémentaire. Autrement dit,
l’architecture ratiométrique autocompense efficacement les dérives d’offset quelle que soit la
valeur de Cr au voisinage de Cio.
b) Dérive thermique de la sensibilité
De la même manière que pour l’offset, nous avons comparé sur la Fig. 5. 7 les dérives
thermiques de la sensibilité dans les deux configurations de manière à définir qualitativement
l’avantage de l’une par rapport à l’autre.
On voit que la dérive thermique ∆S/S de R6 est quasiment deux fois plus importante que de
celle de R1.
________________________________________________________________________________________
143
_________________________________________________________________________________________
3
Ro = 6
2
Ro = 1
∆S / S (%)
1
-1
-2
-3
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure 5. 7 : Comparaison des dérives thermiques de la sensibilité du démonstrateur

dans les deux configurations étudiées.
c) Dérive thermique de la nonlinéarité
Comme nous l’avons vu pour l’étude du capteur élémentaire, la nonlinéarité de la

réponse est quasiment insensible à la température quelle que soit la valeur de Ro.
5.4. Analyse comportementale par la simulation et la modélisation
Après avoir mesuré et comparé le comportement du capteur ratiométrique dans deux

cas de figure bien particuliers, nous avons simulé la “ dérive ” des caractéristiques du capteur
en fonction de l’importance du décalage d’offset et des capacités parasites, de manière à bien
distinguer leur effet respectif. Pour faire cette étude, nous avons utilisé dans un premier temps
le simulateur PSPICE dans lequel nous avons modélisé le capteur dans son ensemble. Nous y
avons donc intégré les comportements en pression et en température de la capacité intrinsèque
ainsi que les comportements en température de la capacité de référence et des différentes
D’autre part, nous avons également utilisé un modèle analytique de la réponse R(P,θ) pour
étudier et/ou démontrer certains comportements. Compte tenu de l’ensemble des fonctions de
transfert établies précédemment (cf. IV. 2), on peut modéliser cette réponse par la relation :
________________________________________________________________________________________
144
_________________________________________________________________________________________
R ( P , θ) =
[
∆t r + S(θ) × C r (θ) + C pi (θ) + C pr ] (V. 9)
[
∆t r + S(θ) × Ci ( P, θ) + C pi (θ) + C pm ]
où ∆tr représente le retard de commutation au niveau des interrupteurs. Cpi représente la
capacité parasite interne au convertisseur et Cpm (resp. Cpr) la capacité parasite équivalente
extérieure, c’est-à-dire celle introduite par le montage sur la voie de mesure (resp. de
référence). Nous supposons les deux oscillateurs identiques c’est-à-dire qu’ils ont les mêmes
sources de courant, les mêmes sensibilités (S) et les mêmes temps de retard ∆tr. Nous
rappelons que la sensibilité S d’un convertisseur est définie par le rapport 2Uhb/Ie (cf. III.57).
5.4.1. Influence d’une dispersion des caractéristiques électriques sur la réponse
A) Influence d’une variation de courant Io sur les caractéristiques
Nous avons étudié la variation relative de l’offset en fonction de celle de Io en

considérant que cette dernière est identique dans les deux convertisseurs. La Fig. 5. 8
regroupe les résultats obtenus pour différentes valeurs de Ro pour évaluer l’importance d’un
décalage de l’offset.
1,5
Ro = 0.5
1,0 Ro = 0.8
∆ROff / ROff (%)
0,5 Ro = 1
Ro = 2
0,0
Ro = 6
-0,5
-1,0
-1,5
-20 -10 0 10 20 30
∆I / I (%)
o o
Figure 5. 8 : Sensibilité de l’offset à une variation de courant Io pour différentes

valeurs de Cr.
________________________________________________________________________________________
145
_________________________________________________________________________________________
D’après ces résultats, il est clair que plus l’écart entre Cr et Cio est important,
plus Roff est sensible à une variation de courant. Nous remarquons également que pour une
variation de 20 % de Io, celle de l’offset reste inférieure à 1,5 % quel que soit Ro < 6. Ce
résultat est à comparer à celui de la dérive de la fréquence foff du capteur élémentaire où nous
avions environ 20 % de variation. Cela signifie que l’architecture ratiométrique compense
efficacement les variations de la source de courant (sous-entendu peu sensible à la dispersion
de fabrication de Rréf).
Si nous considérons a priori, que le retard de commutation des interrupteurs ∆tr

est négligeable par rapport aux périodes considérées (cf. V. 9), la dérive de Roff est toujours
nulle. Or, les résultats nous montrent que ce n’est pas le cas dès que Cr ≠ Cio. Reprenons donc
le calcul de Roff en utilisant la même relation sans les capacités parasites pour ne pas alourdir
inutilement le calcul. Roff peut alors être approchée par la relation :
 I o ∆t r 
 1+ 
C 2C r U hb 
R off = r  (V. 10)
Cio  1 + I o ∆t r 
 
 2Cio U hb 
En ne considérant que des variations de Io, on peut calculer la dérivée logarithmique de cette
expression. On obtient :
  
  
dR off dI o  2 U hb  C io − C r 
=  (V. 11)
R off I o  I o ∆t r   2C U   2C U   
r hb 1 + io hb 
 1 +  
   I o ∆t r   I o ∆t r   

Nous pouvons constater que la dérive de l’offset en fonction de Io n’est nulle que si les deux
capacités Cio et Cr sont égales comme le montre la Fig. 5. 8 .
Si l’on se réfère à la réponse en pression R(P) dans le cas où Ro = 1, la courbe

correspondante à Ro = 0,8 s’identifie à la valeur de la réponse à P = 6 bars. Par conséquent,
comme seul l’offset est invariant, la variation du courant influe sur la sensibilité à la pression
du capteur.
Pour évaluer cette variation, nous avons défini la sensibilité comme étant la pente de la droite
des extrêmes :
~ R (6) − R1(1)
S= 1 (V. 12)
5
nous avons donc :
________________________________________________________________________________________
146
_________________________________________________________________________________________
 
~  
∆S  1  ∆R1(6)
~ = (V. 13)
S  R1 (1)  R1(6)
1− 
 R1(6) 
Pour une variation relative de ± 20 % du courant Io, nous obtenons une variation relative de la
sensibilité du capteur de l’ordre de ± 1 %. Par conséquent, l’architecture ratiométrique atténue
l’effet d’une dispersion de Rréf non seulement sur l’offset, mais aussi sur son comportement
en pression.
B) Influence de l’écart entre les tensions de seuil (Uhb) sur l’offset
Pour cette étude, nous avons considéré une variation identique de Uhb sur les
deux voies de mesure. La Fig. 5. 9 regroupe la variation relative de Roff en fonction de celle
de Uhb pour différentes valeurs de Cr / Cio.
Ro = 0,5
0,4
Ro = 1
0,2 Ro = 2
(%)
Ro = 6
off
0,0
/R
off
-0,2
∆R
-0,4
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8
∆ Uhb / Uhb (%)
Figure 5. 9 : Sensibilité de l’offset à une variation de Uhb sur les deux voies
De la même manière que dans le paragraphe précédent, nous pouvons constater

que la variation de l’offset (et par suite de la sensibilité) introduite par celle de Uhb n’est nulle
que si Cr = Cio. Pour retrouver ce résultat par le calcul, il suffit d’exprimer Roff de la façon
suivante toujours à partir de (V. 9) :
________________________________________________________________________________________
147
_________________________________________________________________________________________
2 Cr
1+ U hb
I o ∆t r
R off = (V. 14)
2 Cio
1+ U hb
I o ∆t r
Par conséquent, la dérivé logarithmique de l’offset par rapport à celle de Uhb peut s’écrire :
  1 1 
  − 
dR off dU hb  I o ∆t r  Cio C r 
=  (V. 15)
  I ∆t 
R off U hb  2 U hb o r + 1  I o ∆t r + 1 
  
   2C r U hb   2Cio U hb   

Nous retrouvons bien une dérive nulle pour Cr = Cio et de manière plus générale si ∆tr tend
vers zéro.
De la même manière que pour l’étude en fonction du courant, nous pouvons

dire qu’une variation de Uhb modifie d’une part l’offset mais aussi la sensibilité du capteur et
ce d’autant plus que l’on s’écarte de la parfaite symétrie entre les deux voies de mesures. Pour
un capteur symétrique, une variation de Uhb de 10 % entraîne seulement une variation de
sensibilité de 0,1 % ce qui est bien plus faible qu’avec le capteur élémentaire (cf. Fig. 4. 16).
C) Influence des temps de retard ∆tr sur la nonlinéarité de la réponse
Pour cette étude, nous n’avons pas tenu compte des capacités parasites qui ne
feraient qu’alourdir le calcul. A partir de la relation (V. 10) qui est généralisable pour la
réponse en pression, nous pouvons calculer l’erreur introduite par le temps de retard ∆tr de
commutation des interrupteurs de chaque voie [5-2].
Nous avons donc :
 I o ∆t r 
1 + 
Cr  2 C r U hb 
R= (V. 16)
Ci  I o ∆t r 
1+ 
 2 C i U hb 
2C i U hb
En considérant que ∆tr << , le développement limité de R nous donne :
Io
 
I o ∆t r  
2
C  I o ∆t r  I o ∆t r  
R= r  1 + 
 1− +  − K  (V. 17)
Ci  2 C r U hb   2 C i U hb  2 C i U hb  

________________________________________________________________________________________
148
_________________________________________________________________________________________
soit après développement :
Cr  I o ∆t r  Ro  
R≈ 1 + 1 −  (V. 18)
C i  2 C r U hb  1 + ξ  
avec Ci = Cio (1 + ξ) (V. 19)
et Ro = Cr / Cio (V. 20)

Nous avons vu que ∆tr est constant (≈ 350 ns) puisqu’il est essentiellement déterminé par les
temps de propagation au niveau des comparateurs et des portes logiques (cf. § 3.3.1.B.a).
Dans le cas où Ro = 1, si l’on considère que pour une pression de 6 bars on a Ci / Cr ≈ 1,25 (cf.
Fig. 2.12), alors 0 ≤ ξ ≤ 25 %.
Par conséquent, si Cr = Cio, alors l’erreur maximale de “ nonlinéarité ” est définie par le terme
I o ∆t r ξ
, ce qui donne, pour Cio = 34 pF, une erreur de 1,75 % comme le montre la
2 U hb C io 1 + ξ
Fig. 5. 10 .
∆tr = 0,35 µs
1,75 %
0,8
∆tr = 0
Ci C r
1 1,25
Figure 5. 10 : Erreur sur la réponse en pression introduite par le temps de retard

∆tr dans le cas où Cr = Cio = 34 pF.
Il ressort de cette étude que le temps de retard ∆tr généré par l’électronique, introduit
une nonlinéarité sur la réponse du capteur. Ceci étant, elle constitue, en quelque sorte, un
avantage puisqu’elle est de sens opposé à la nonlinéarité inhérente à la réponse de la cellule
sensible. On peut donc dire qualitativement que ce phénomène compense en partie la
nonlinéarité de la cellule.
________________________________________________________________________________________
149
_________________________________________________________________________________________
5.4.2. Influence de la valeur de Ro sur le comportement du capteur
Nous avons évalué l’influence d’un décalage d’offset sur le comportement en

pression du capteur. Cette évaluation a été effectuée en faisant varier la capacité de référence.
A) Etude de la sensibilité à la pression
La Fig. 5. 11 représente la variation relative de la sensibilité par rapport à sa

valeur à Ro = 1 en fonction du quotient Cr / Cio.
800
600
∆S / S (%)
400
200
-200
0 2 4 6 8 10
Cr / Cio
Figure 5. 11 : Variation relative de la sensibilité en fonction de la valeur du rapport

Cr / Cio
Nous constatons que la sensibilité du capteur est proportionnelle à la valeur de

Cr. Cela signifie que la sensibilité relative (exprimée en %/bar) est constante ou encore
indépendante de Cr /Cio.
Ce résultat peut se retrouver par le calcul. En effet, comme la réponse du capteur
ratiométrique est quasiment linéaire sur la plage de pression considérée, nous pouvons définir
une sensibilité approchée par la pente de la “ droite des extrêmes ” (cf. éq.(V. 12)).
Ce qui nous donne, en négligeant ∆tr dans (V. 9) :
________________________________________________________________________________________
150
_________________________________________________________________________________________
 Cp 
1 + 
~ Cr  Cr  ~
S= × Sc (V. 21)
Ci (1)  C p 
Ci (6)  1 + 
 Ci (1) 
~
où Sc représente la sensibilité approchée de la cellule sensible exprimée en pF / bar et Cp la
capacité parasite totale sur chaque voie.
Cette relation montre que la sensibilité du capteur est bien proportionnelle à la valeur de la
capacité de référence et par suite à celle de Cr/Cio ce qui confirme bien les résultats de la
simulation.
B) Etude de la nonlinéarité
Nous avons calculé la nonlinéarité de la réponse par rapport à la droite des

extrêmes (RLin). Exprimée en pourcentage de la réponse pleine échelle, on peut écrire :
R( P) − R Lin ( P)
NL( P) = 100 × (V. 22)
R. P. E
où R.P.E représente la Réponse Pleine Echelle définie par R(6) - R(1),
R (6) − R (1)
et R Lin ( P) = R (1) + × ( P − 1) (V. 23)
5
Par conséquent, en remplaçant (V. 9) dans (V. 22) et (V. 23), on obtient :
 C i (6) + C pm   C i ( P) − C i (1)  1
NL( P) =  ×  − ( P − 1) (V. 24)
 C i (6) − C i (1)   C i ( P) + C pm  5
Nous pouvons remarquer que la nonlinéarité normalisée par rapport à la

réponse pleine échelle est indépendante de toute capacité introduite sur la voie de référence.
Autrement dit, la nonlinéarité est indépendante de la valeur de Cr / Cio.
________________________________________________________________________________________
151
_________________________________________________________________________________________
C) Comportement en température de l’offset
La Fig. 5. 12 représente la variation du coefficient de température de l’offset à

30°C en fonction de la valeur de Cr / Cio. Plus on s’écarte de l’équilibre (Ro = 1), plus le
comportement thermique de l’offset se dégrade. Dès que Cr / Cio est supérieur à 4, le
comportement thermique du capteur tend vers celui de la capacité de mesure, ajouté à celui de
la capacité parasite de la même voie, c’est-à-dire au total, de l’ordre de - 150 ppm/°C.
800
TC [ R ] (PPM/°C)
600
400
200
off
-200
0 2 4 6 8 10
Cr / Cio
Figure 5. 12 : Coefficient de température de l’offset en fonction de la valeur de Ro.
Nous pouvons également constater que ce coefficient n’est pas nul pour
Cr = Cio. En effet, d’après la relation (V. 9), en négligeant le temps ∆tr qui ne varie pas en
température, si on calcule de façon littérale le coefficient de température de l’offset, on
obtient la relation suivante :
1  ∂C r ∂C p  1  ∂Cio ∂C p 
TC [ R off ] =  + −  +  (V. 25)
C r + C p  ∂θ ∂θ  Cio + C p  ∂θ ∂θ 
Cette relation nous montre que le coefficient de température de l’offset n’est nul que si l’on a
∂C r ∂Cio
la double condition : Cr = Cio et = , ce qui n’est pas le cas expérimentalement et
∂θ ∂θ
donc en simulation.
________________________________________________________________________________________
152
_________________________________________________________________________________________
D) Comportement en température de la sensibilité du capteur
Sur la Fig. 5. 13 , nous avons simulé la variation du coefficient de température

de la sensibilité à la pression à 30°C en fonction de Cr / Cio.
600
400
TC [ S ] (PPM/°C)
200
-200
-400
0 2 4 6 8 10
Cr / Cio
Figure 5. 13 : Coefficient de température de la sensibilité à 30°C en fonction de la

valeur de Ro.
Le comportement du coefficient thermique de la sensibilité est semblable à

celui de l’offset : il se dégrade d’autant plus que l’on s’écarte de la symétrie conformément
aux résultats précédents. De la même manière, nous pouvons remarquer qu’ils s’annulent non
pas pour Ro = 1 mais pour Ro < 1 du fait de l’inégalité des coefficients de température des
capacités Cr et Cio.
5.4.3. Influence des capacités parasites sur le comportement du capteur
A) Cas des capacités parasites symétriques sur les deux voies
Nous considérons, dans un premier temps le cas simple où des capacités

parasites extérieures au circuit sont ajoutées en parallèle sur les deux voies de manière
symétrique (Cpm = Cpr = Cp).
________________________________________________________________________________________
153
_________________________________________________________________________________________
a) Etude de la sensibilité
D’après certaines conclusions du chapitre précédent, nous avons vu que les capacités
parasites provoquaient entre autres, une diminution de la sensibilité à la pression. La Fig. 5.
14 montre les résultats simulés de la variation relative de la sensibilité en fonction de la
capacité parasite Cp pour deux valeurs différentes de Ro. Pour cela nous avons calculé la perte
de sensibilité PS définie par :
S( C p = 0) − S( C p ≠0)
PS (%) = 100 × (V. 26)
S( C p = 0)
70
60
50
40
PS (%)
30
20
Ro = 1
10 Ro = 6
0
0 20 40 60 80 100
Cp / Cio (%)
Figure 5. 14 : Perte de sensibilité en fonction des capacités parasites introduites sur

les deux voies de mesure pour deux valeurs différentes de l’offset.
Nous constatons tout d’abord que la présence de capacités parasites entraîne une perte
de sensibilité du capteur comme nous l’avions observé pour le capteur élémentaire. De plus,
nous pouvons remarquer que cette perte de sensibilité est d’autant plus importante que l’on
s’écarte du capteur symétrique. Cela dit, si l’on compare ces résultats avec ceux obtenus avec
le capteur élémentaire, on peut se rendre compte que la perte de sensibilité est relativement
bien atténuée par l’architecture ratiométrique. Par exemple, pour Cp / Cio = 33 %, on avait, au
niveau du capteur élémentaire, une perte de sensibilité de 40 % tandis qu’avec le capteur
ratiométrique symétrique, elle est inférieure à 20 %.
________________________________________________________________________________________
154
_________________________________________________________________________________________
b) Etude de la nonlinéarité
Pour ce qui a trait à la nonlinéarité, nous avons représenté sur la Fig. 5. 15 , la

variation de la nonlinéarité maximum en fonction du rapport Cp / Cio toujours en considérant
les capacités parasites identiques sur les deux voies. Sachant que la nonlinéarité est
indépendante des capacités introduites sur la voie de référence, nous ne l’avons représenté
que pour Ro = 1.
1,8
1,7
1,6
(%.RPE)
1,5
1,4
1,3
max
NL
1,2
1,1
0 20 40 60 80 100
Cp / Cio (%)
Figure 5. 15 : Variation de la nonlinéarité maximum à 30°C en fonction des capacités

parasites externes identiques sur les deux voies de mesure.
Il est à noter que la simulation tient compte des phénomènes parasites internes au
circuit. C’est pourquoi le cas Cp = 0 ne correspond pas à un capteur complètement dépourvu
de capacités parasites mais plutôt à un démonstrateur dont l’assemblage n’en aurait introduit
aucune supplémentaire.
Nous pouvons également ajouter que la nonlinéarité du capteur ratiométrique est aussi
sensible aux capacités parasites que celle du capteur élémentaire. Ceci est dû au fait que les
capacités Cpr n’influencent pas cette caractéristique. Autrement dit, pour la nonlinéarité, ce
type d’architecture n’apporte rien par rapport au capteur élémentaire.
B) Influence d’un écart entre Cpm et Cpr sur les performances du capteur
Après avoir évalué l’influence de deux capacités parasites identiques sur les
voies de mesure et de référence, nous avons étudié l’effet d’une capacité parasite extérieure
au circuit suivant qu’ elle se situe sur l’une ou l’autre des deux voies. Conformément à la
relation (V. 9), Cpm représente celle sur la voie de mesure et Cpr celle sur la voie de référence.
________________________________________________________________________________________
155
_________________________________________________________________________________________
Nous avons réalisé cette étude en comparant les comportements du capteur dans les deux cas
Ro ≈ 1 et Ro ≈ 6.
a) Etude de la sensibilité
La Fig. 5. 16 représente la perte de sensibilité à la pression du capteur ratiométrique

(cf. V. 26) en fonction de Cpx ; Cpx désignant alternativement Cpm et Cpr.
40 Effet de Cpm 
30 Ro ≈ 1
Effet de Cpr 
20
Effet de Cpm 
PS (%)
10
Ro ≈ 6
0 Effet de Cpr 
-10
-20
-30
0 5 10 15 20 25 30
Cpx / Cio (%)
Figure 5. 16 : Perte de sensibilité à la pression en fonction des capacités parasites sur

chaque voie (Cpm : symboles pleins ; Cpr : symboles vides) pour Ro ≈ 1 et Ro ≈ 6.
Nous pouvons tout d’abord constater qu’une capacité parasite sur la voie de mesure
entraîne une chute de la sensibilité à la pression du capteur (PS > 0). Cet effet est identique
quelle que soit la valeur de Ro.
Par contre, nous pouvons également observer une augmentation de la sensibilité (PS < 0)
lorsque nous faisons varier la capacité Cpr (avec Cpm = 0). Cela signifie globalement qu’une
capacité parasite sur la voie de référence supérieure à Cpm a pour effet d’augmenter la
sensibilité à la pression du capteur. C’est pourquoi, en ajoutant une capacité identique sur les
deux voies, la perte de sensibilité est atténuée. Ce phénomène s’explique à partir de la relation
(V. 26). En effet, nous avons par équivalence :
________________________________________________________________________________________
156
_________________________________________________________________________________________
C pr C pm
PS ≤ 0 ⇔ ≥ (V. 27)
Cr Cio
C pr
⇔ ≥ Ro (V. 28)
C pm
Ce qui signifie qu’en contrôlant les capacités parasites sur chaque voies de manière
à ce que Cpr / Cpm = Ro, nous supprimons le phénomène de perte de sensibilité.
Par ailleurs, nous pouvons observer sur la Fig. 5. 16 que l’influence de Cpr sur PS
dépend de Ro c’est-à-dire en fait du rapport Cpr / Cr.
Réciproquement, comme nous ne faisons pas varier Cio, l’influence de Cpm reste constante
quel que soit Ro.
Nous pouvons donc dire que l’influence d’une capacité parasite dépend de son poids vis-à-vis
de la valeur de la capacité de mesure.
b) Etude de la nonlinéarité
Nous avons tracé sur la Fig. 5. 17 la nonlinéarité maximum en fonction du rapport

Cpx / Cio où Cpx représente alternativement Cpm et Cpr. Comme l’offset n’influe pas sur la
nonlinéarité, nous ne l’avons représenté que dans le cas Ro = 1.
1,8
Effet de Cpm
1,7
1,6 Effet de Cpr
(%.RPE)
1,5
1,4
1,3
max
NL
1,2
1,1
0 20 40 60 80 100
Cpx / Cio (%)
Figure 5. 17 : Variation de la nonlinéarité maximum en fonction des capacités

parasites sur la voie de mesure et sur la voie de référence prises séparément.
________________________________________________________________________________________
157
_________________________________________________________________________________________
Ce résultat confirme les conclusions de la section 5.4.2.B, c’est-à-dire que la capacité

sur la voie de référence n’a aucune influence sur la nonlinéarité. Par contre, celle-ci peut être
fortement dégradée dès lors qu’il existe une capacité parasite sur la voie de mesure.
On peut alors conclure, à partir de l’ensemble de ces résultats, que les “ meilleures ”
performances sont obtenues dans le cas d’un capteur ratiométrique parfaitement symétrique
ayant des capacités parasites négligeables par rapport à celle de mesure [5-3].
Par conséquent, l’intégration de ce capteur paraît être une solution pour optimiser les
performances grâce à la minimisation des capacités parasites extérieures.
5.5. Intégration du capteur ratiométrique
Compte tenu de l’importance des capacités parasites introduites par un démonstrateur

trop volumineux, l’intégration semble être une solution pour les minimiser. Les avantages
potentiels de l’intégration ne se limitent pas à la réduction des capacités parasites. Elle permet
également de minimiser les gradients thermiques (ce qui réduit les erreurs systématiques de
température), et de manière plus générale, elle répond à un besoin croissant au niveau du
marché des capteurs de pressions (cf. § 1.1).
Il est important de noter ici que nous ne parlons pas de l’intégration du capteur au sens
“ monolithique ” du terme, mais au sens intégration mécanique des deux puces réunies sur un
même substrat et dans un même boîtier.
5.5.1. Conception
En ce qui nous concerne, on peut dire que l’on a réalisé une “ intégration partielle ”
dans la mesure où d’une part les deux capacités Ci et Cr sont intégrées sur la même cellule et
d’autre part les deux oscillateurs du convertisseur sont intégrés sur le même substrat. Quant
au démonstrateur réalisé, nous pouvons parler de capteur hybride miniaturisé ou encore de
capteur modulaire à fort niveau d’intégration.
Concernant le circuit, il doit comporter deux voies de mesures identiques (2 oscillateurs) de
manière à pouvoir en extraire le rapport des deux fréquences. Le principe de ce capteur
ratiométrique miniature peut être schématisé par la Fig. 5. 18 .
________________________________________________________________________________________
158
_________________________________________________________________________________________
Ci (P ;θ) Oscillateur fm (P ;θ)

triangulaire
de mesure
R(P; θ)
P;θ Source
Cellule fm/fr
de
Sensible
Courant
Oscillateur
triangulaire
Cr (θ)
de référence fr (θ)
Figure 5. 18 : Principe du capteur de pression ratiométrique à deux puces.
Une seule source de courant permet de charger et de décharger à la fois la capacité de

mesure (Ci) et celle de référence (Cr). Cela permet de se placer dans l’hypothèse
simplificatrice de l’égalité des courants I1 et I2 (cf. éq. (V. 6)) du fait de la faible dispersion
des composants sur une même puce.
5.5.2. Réalisation
A) La cellule sensible
Conçue et réalisée au LAAS, cette cellule est basée sur le même principe que
celle présentée dans le chapitre 2 (cf. Fig. 2.1). Par contre, celle-ci dispose d’une électrode
périphérique supplémentaire en guise de référence comme le montre la Fig. 5. 19.
Cr
Ci Electrode de mesure
Electrode de référence
Figure 5. 19 : Schéma représentatif des armatures fixes de la cellule sensible

intégrant une capacité de mesure et une de référence.
________________________________________________________________________________________
159
_________________________________________________________________________________________
La surface de l’électrode de référence est identique à celle de l’électrode de mesure de

manière à réaliser la condition de base Cr = Cio. De plus, son emplacement (à la périphérie de
Ci) a été déterminé de façon à ce que la sensibilité à la pression de Cr soit la plus faible
possible [5-4]. Un exemple de réponse en pression de Ci et Cr est représenté sur la Fig. 5. 20 .
A partir de ces valeurs, nous avons tracé sur la Fig. 5. 21 la réponse du capteur idéal
correspondant au rapport Cr(P)/Ci(P) à chaque température entre -10°C et 90°C.
8 Ci
Cr
6
∆C (pF)
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 5. 20 : Réponse en pression à température ambiante de la capacité de mesure

Ci et de celle de référence Cr.
θ = -10°C
1,00 θ = 10°C
θ = 30°C
θ = 50°C
0,95
i
θ = 70°C
C /C
θ = 90°C
r
0,90
0,85
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 5. 21 : Réponse en pression paramétrée en température du rapport Cr / Ci.
________________________________________________________________________________________
160
_________________________________________________________________________________________
Nous pouvons remarquer que la capacité de référence n’est pas constante en

pression. De plus son comportement n’étant pas tout à fait linéaire, il dégrade non seulement
la sensibilité mais aussi la nonlinéarité de la réponse Cr / Ci (P). En effet, si l’on compare ces
résultats avec ceux obtenus en prenant Cr constante, on trouve que la sensibilité n’est plus que
de -2,5 % / bar au lieu de -3,3 % / bar, tandis que la nonlinéarité avoisine les 1,1 % RPE au
lieu de 0,35 % RPE.
Par ailleurs, l’étude en température montre que la dérive thermique de l’offset
n’est pas nulle. En effet, même si nous avons Cr / Cio = 1 à 25°C, cela ne suffit pas pour
supprimer la dérive thermique de l’offset. Cela signifie, d’après la relation (V. 25), que la
dérive thermique de Cr est différente de celle de Cio.
B) Le circuit électronique
Le circuit transducteur dispose, non seulement d’une source de courant avec

deux oscillateurs mais également d’une partie numérique comportant un système de comptage
différentiel, un dispositif de mise en veille pour minimiser la consommation, un bloc
testabilité et enfin une interface de sortie parallèle de type VAN adaptée au mode de
communication dans le secteur de l’automobile. A titre indicatif, l’ensemble est schématisé
sur la Fig. 5. 22 .
Sortie
Tampon
Oscillateur
Mesure Mise en
Ci Compteur Veille
Mesure
Source de
Courant Diagnostic
Logique de Panne
Cr
Compteur Bloc
Oscillateur Testabilité
Référence
Référence
Cellule Bloc Analogique Bloc Numérique

Sensible
Figure 5. 22 : Schéma général de principe du capteur “ semi-intégré ” [5-5].
________________________________________________________________________________________
161
_________________________________________________________________________________________
Mises à part les nombreuses fonctions du bloc numérique, sa principale

fonction est de délivrer un nombre, codé binaire sur onze bits, proportionnel à fm/fr, c’est-à-
dire à Cr/Ci. Il fonctionne donc comme le périodemètre universel que nous avons utilisé dans
l’étude expérimentale.
La sortie de ce capteur est donc définie par :
Cr
Nm = Nr × (V. 29)
Ci
où Nm représente la sortie numérique de la mesure et Nr un nombre fixe proportionnel à la

période de référence. Ce nombre sert de référence au comptage puisque celui s’arrête lorsque
Nr = 1024 [5-5].
C) Illustration du capteur réalisé
La Fig. 5. 23 est une photographie du capteur réalisé à l’IXL. Celui-ci est

monté sur un substrat d’alumine lui-même placé sur un support mécanique plate-forme.
Figure 5. 23 : Photographie vue du dessus du démonstrateur réalisé à l’IXL.
________________________________________________________________________________________
162
_________________________________________________________________________________________
5.5.3. Caractérisation du capteur miniature
A) Réponse en pression à température ambiante
La Fig. 5. 24 représente les résultats que nous avons obtenus avec le

démonstrateur à deux puces (cellule sensible + circuit). Nous y avons également reporté, à
titre indicatif, la variation du rapport calculé des capacités de mesure et de référence.
Mesures
1,00
Calcul Cr/Ci
0,95
R
0,90
0,85
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 5. 24 : Comparaison des résultats de la réponse en pression à température

ambiante du capteur ratiométrique idéal et expérimental.
La courbe représentant les mesures expérimentales nous montre que le capteur

ne fonctionne pas normalement pour des pressions inférieures à 3 bars.
Par contre, celui-ci fonctionne pour des pressions comprises entre 3 et 6 bars. En effet, la
réponse obtenue est quasi-linéaire sachant que la résolution est de l’ordre de ± 10-3.
Autrement dit, la résolution en pression est de l’ordre de ± 40 mbars soit ± 0,8 % de l’étendue
de la mesure compte tenu de la sensibilité mesurée (-2,5 % / bar).
Si l’on compare cette valeur avec celle obtenue pour le dispositif non miniaturisé
(cf. § 5.3.2), on se rend compte que le bruit de mesure est beaucoup plus important.
En ce qui concerne la sensibilité, nous pouvons remarquer qu’elle est inférieure à celle définie
par le calcul (cf. § 5.5.2.A) comme nous pouvions nous y attendre puisque le dispositif n’est
pas dépourvu de capacités parasites.
________________________________________________________________________________________
163
_________________________________________________________________________________________
B) Description et analyse des problèmes rencontrés
La Fig. 5. 24 nous montre que pour 1 ≤ P ≤ 3 bars, le rapport R reste égal à 1

c’est-à-dire que les deux oscillateurs fonctionnent à la même fréquence bien que les capacités
Ci et Cr soient différentes.
Pour tenter de comprendre l’origine de ce phénomène de synchronisation des oscillateurs,
nous avons observé à l’oscilloscope la forme des signaux de sortie. Leur aspect est schématisé
sur la Fig. 5. 25 . A chaque commutation d’un oscillateur correspond une impulsion sur
l’autre oscillateur. Le signe de cette impulsion est déterminée par la nature du front qui la
génère : Par exemple, un front montant sur l’oscillateur de mesure génère une impulsion
positive sur l’oscillateur de référence. Autrement dit, les deux oscillateurs se perturbent
mutuellement par l’intermédiaire de capacités parasites et/ou d’éventuels couplages.
Oscillateur
de référence
Oscillateur
de mesure
Figure 5. 25 : Schématisation des signaux de sortie des oscillateurs observés à

l’oscilloscope.
Pour tenter de comprendre et d’éventuellement localiser la (ou les) cause(s) de

ce phénomène, nous avons simulé sur PSPICE le fonctionnement du capteur intégré à partir
du modèle présenté sur la Fig. 5. 26 . Pour cette étude, nous avons rajouté des capacités Cgx
entre grille et source (et/ou grille et drain) au niveau des miroirs de courant de décharge mais
aussi au niveau des transistors constituant les interrupteurs. En effet, les impulsions peuvent
être transmises par l’ensemble de ces capacités [5-6].
________________________________________________________________________________________
164
_________________________________________________________________________________________
1,8R R
R 4R
Vréf Vh
Vb
Aop3 Rréf
Aop1
Vréf Miroir P
Ci SWI1
Aop2 Cgx
VDD Vréf Miroir N Cpm
5V 1,225V NM1 NM2
Miroirs de courant de décharge
NM3 NM4
CPS
Miroir P Cgx
Cr
SWI2
Cpr
Figure 5. 26 : Modèle du capteur de pression ratiométrique sur PSPICE.
Concernant les problèmes de perturbation des signaux triangulaires, nous

avons vu, lors de l’étude du convertisseur, que chaque commutation du signal de commande
(sortie des portes logiques) introduisait une différence de potentiel (d.d.p) sur le signal de
mesure. Cette d.d.p. est transmise par l’intermédiaire des capacités Cgx (Cgs et Cgd) des
transistors MOS qui constituent les interrupteurs (cf. Annexe A3).
De la même manière, d’après le schéma de la Fig. 5. 26 , cette impulsion est transmise sur les
drains des transistors NM1 et NM2, puis sur le deuxième interrupteur au travers des capacités
Cgx de NM1, NM2, NM3 et NM4. Par suite, elle se retrouve, certes avec une amplitude
moindre, sur le signal du deuxième oscillateur.
La Fig. 5. 27 nous montre la simulation de ce phénomène d’influence mutuelle. Pour pouvoir
l’observer, nous avons réalisé un grossissement au voisinage de la commutation d’un des
deux oscillateurs. De plus, nous avons décalé la fréquence de l’un d’entre eux afin de mieux
observer l’effet du couplage sur le signal le plus lent.
________________________________________________________________________________________
165
_________________________________________________________________________________________
2,711 V
Oscillateur de
Mesure
2,600 V
2,400 V
Commutation sur
l’oscillateur de
référence
2,222 V
6,54 6,56 6,58 6,60 6,62 6,64
Temps (µs)
Figure 5. 27 : Simulation de l’influence d’un oscillateur sur l’autre au moment d’une

commutation ; grossissement sur les signaux triangulaires de mesure et de référence.
Comme l’impulsion est transmise par l’intermédiaire d’une capacité

équivalente Ceq entre la grille et la source (et/ou entre la grille et le drain) des transistors
MOS, l’amplitude de l’impulsion transmise aux bornes d’une capacité de mesure Cm (Ci ou
Cr), peut être approximée par la relation du diviseur de tension, c’est-à-dire :
Ceq
∆VC ≈ × ∆VDD (V. 30)
m Ceq + C m
où ∆VCm représente une différence de potentiel aux bornes de la capacité de mesure Cm et

∆VDD le front de commutation à la sortie d’une porte logique. On peut avoir
∆VDD = +(VDD - VSS) (front montant) ou bien ∆VDD = -(VDD - VSS) (front descendant). Il est
donc évident que l’amplitude des perturbations est directement proportionnelle à la tension
d’alimentation.
Par ailleurs, l’impulsion est d’autant plus importante que le rapport Cm / Ceq est faible (proche
de 1).
________________________________________________________________________________________
166
_________________________________________________________________________________________
C) Solutions technologiques
Facteur de forme des transistors
Sachant que les capacités Cgs et Cgd peuvent être directement proportionnelles à la
largeur de canal (W) du transistor [5-7], nous avons simulé le comportement du signal
triangulaire en fonction de ce paramètre. La Fig. 5. 28 représente l’effet d’une commutation
du signal de commande sur le signal triangulaire pour 4 valeurs de W : W1 = 16 µm, W2 = 32
µm, W3 = 48 µm et W4 = 64 µm.
3,78 V
W1
W2
W3
W4
3,76 V
3,74 V
3,01 3,02
Signal triangulaire
Temps (µs)
Figure 5. 28 : Simulation de l’influence de la largeur de canal des transistors MOS

sur la déformation du signal triangulaire due à la commutation des portes logiques.
Nous pouvons conclure que la diminution de la largeur de canal entraînant une

diminution de la valeur des capacités Cgs et Cgd, permet de minimiser l’amplitude des
impulsions transmises sur le signal v(t).
________________________________________________________________________________________
167
_________________________________________________________________________________________
Capacité de découplage
Afin de filtrer le phénomène de transmission des impulsions parasites par les miroirs
de courant, une capacité, nommée CPS sur le schéma de la Fig. 5. 26 , a été introduite entre la
ligne de grilles des miroirs et la masse. Nous observons sur la Fig. 5. 29 , une impulsion sur le
signal de commande au niveau de l’oscillateur de référence introduite par la commutation de
l’interrupteur de l’oscillateur de mesure. Pour évaluer l’importance de CPS, nous avons fait
varier cette capacité de 0 à 30 pF.
10 mV
5 mV
0V
1,0862 1,0864 1,0866 1,0868

Signal de commande (v(t)) Temps (µs)
Figure 5. 29 : Simulation de l’influence de la capacité CPS sur le couplage entre les

oscillateurs. Les différents symboles sont respectivement attribués aux valeurs de CPS : 0, 10
pF, 20 pF et 30 pF.
Nous pouvons constater que plus la valeur de la capacité CPS est importante, plus le
phénomène de couplage s’atténue.
Par contre, même si l’effet de cette capacité CPS est indiscutable dès sa plus petite
valeur, il reste insuffisant pour supprimer complètement le phénomène contrairement à ce que
l’on peut observer en simulation. En effet, au niveau expérimental, la visualisation à
l’oscilloscope montre une amplitude des impulsions parasites, bien plus importante (≈ 75 mV)
malgré la présence d’une capacité CPS de 30 pF.
Par conséquent, les impulsions se propagent non seulement par les capacités Cgx comme nous
venons de le décrire, mais aussi et surtout, par d’autres capacités parasites que nous n’avons
pas localisé. Il est probable que les implantations des alimentations et/ou les phénomènes de
couplage par le substrat soient également des causes non négligeables de ces perturbations. Il
serait donc intéressant d’étudier plus profondément ces différents phénomènes. Pour cela, il
________________________________________________________________________________________
168
_________________________________________________________________________________________
faudrait pouvoir mesurer les signaux en chaque point du circuit ce qui paraît difficile avec un
circuit intégré. Une étude sur la compatibilité électromagnétique serait également nécessaire à
la compréhension de ces problèmes.
D) Solution expérimentale : le décalage en fréquence
D’après la courbe de réponse représentée sur la Fig. 5. 24 , on peut remarquer

que le capteur fonctionne dès lors que la différence entre les capacités est suffisamment
grande. En pratique, nous avons déduit, de manière tout à fait empirique, qu’il fallait réaliser
la condition :
C r − C i ≥ 2,5 pF (V. 31)
Nous avons donc étudié le comportement du capteur en insérant une capacité

soit en série, soit en parallèle avec la capacité de référence, de telle sorte que la valeur de Ro
soit différente de 1 mais suffisamment proche de 1 pour ne pas trop diminuer ses
performances (cf. § 5.4.3.B).
La Fig. 5. 30 représente un exemple de réponse du capteur à température

ambiante pour un Ro de l’ordre de 0,95.
0,95
0,90
R
0,85
0,80
1 2 3 4 5 6
Pression (bar)
Figure 5. 30 : Exemple de réponse à température ambiante du capteur miniature.
Cette figure montre que le capteur fonctionne. Ceci étant, nous pouvons
constater que le rapport R reste constant sur plusieurs petites plages de pression.
________________________________________________________________________________________
169
_________________________________________________________________________________________
En réalité, le problème d’accrochage des fréquences se retrouve, de façon plus

ou moins importante, à chaque fois que le rapport R est défini par une fraction de nombres
entiers. En effet, tous les paliers sont respectivement définis pour des valeurs de fréquences
14 9 7 13 17 5 4
telles que R = , , , , , et . Autrement dit, cela correspond tout simplement
15 10 8 15 20 6 5
au cas particulier où il y a commutations quasiment simultanées sur les deux voies. Une
impulsion transmise au voisinage d’un seuil (Vh ou Vb) fait alors basculer l’interrupteur
prématurément. Cela se traduit par une réponse du capteur en escalier avec des paliers plus ou
moins larges suivant sa sensibilité à la pression d’une part et l’amplitude des impulsions
d’autre part. Un capteur de faible sensibilité aura une réponse comportant peu de paliers. Par
contre, ces derniers seront étendus sur une plus large plage de pression ; d’où une erreur plus
importante.
Il est clair que ce phénomène réduit considérablement la résolution du

dispositif puisqu’elle n’est plus que de ± 70 mbars. Aussi, nous n’avons pas pu évaluer de
façon précise les différentes dérives thermiques (offset et sensibilité) de ce capteur
puisqu’elles sont inférieures à cette résolution. C’est pour toutes ces raisons qu’il est
indispensable de le minimiser voire le supprimer.
________________________________________________________________________________________
170
_________________________________________________________________________________________
Conclusion
Nous avons vu dans ce chapitre que le choix d’une architecture ratiométrique pouvait
réduire considérablement l’ensemble des dérives inhérentes à la cellule et au circuit,
notamment la forte sensibilité à la température de ce dernier. Nous avons vu que cette dérive
thermique dépendait de la différence des capacités mesurées ainsi que du poids des capacités
parasites par rapport à la capacité de mesure.
Pour avoir un capteur quasiment compensé en température, il faut que les deux voies soient
identiques. Pour cela, nous avons vu qu’il fallait une source de courant unique, des capacités
de mesure et de référence égales ayant le même comportement thermique et enfin un montage
n’introduisant que de faibles capacités parasites symétriquement réparties sur les deux voies.
De plus, nous avons vu que les capacités de mesures doivent être très supérieures aux
capacités parasites de manière à réduire leur influence sur les caractéristiques du capteur. Par
conséquent, soit on augmente la capacité de mesure (mais on augmente sa taille), soit on
minimise les capacités parasites en intégrant le plus possible le capteur.
Une dernière partie est consacrée à l’étude d’une version “ semi-intégrée ” du capteur. Cette
étude nous a révélé un problème important d’influence mutuelle et/ou de couplage entre les
oscillateurs. Ceci étant, nous avons vu que le système pouvait fonctionner en décalant
légèrement les fréquences de mesure.
Autrement dit, même si ces problèmes de couplage restent à résoudre, nous sommes en
mesure de donner les potentialités d’un tel capteur au travers des résultats obtenus avec le
démonstrateur à 4 puces ainsi qu’avec ceux obtenus en simulation.
Le tableau 5- 3 regroupe toutes les principales caractéristiques du capteur. Nous avons

également inséré dans ce tableau les quelques caractéristiques du capteur “ semi-intégré ”.
________________________________________________________________________________________
171
_________________________________________________________________________________________
Tableau 5- 3 : Tableau des caractéristiques du capteur ratiométrique.
CAPTEUR DE PRESSION RATIOMETRIQUE
Caractéristiques Démonstrateur (4 puces) “ semi-intégré ”
Ro ≈ 6 Ro = 1 Ro = 0,95
Gamme d’alimentation 4,5 V / 6 V
Gamme de température - 10°C / + 90°C
Gamme de pression 1 bar / 6 bars
Consommation en courant1 3,43 mA 2,25 mA
Réponse en pression
Sensibilité - 1,85 % / bar - 1,85 % / bar - 2,6 % / bar
Nonlinéarité ± 1,1 % RPE ± 1,1 % RPE ± 0,78 % RPE
Comportement en Température
TCmoy [ Roff ] (PPM/°C) - 146 + 19 ≤ Résolution
TCmoy [ S ] (PPM/°C) - 350 - 250 ≤ Résolution
Divers
Sensibilité de Roff à 2,5 %E.M / V 0 < Résolution

l’alimentation
Il est important de rappeler d’une part que la gamme de température correspond au

domaine sur lequel le circuit fonctionne normalement.
Concernant la gamme de pression, nous l’avons définie de manière à obtenir une nonlinéarité
suffisamment faible compte tenu du cahier des charges. Ceci étant, le capteur dispose d’une
marge de sécurité d’un facteur 3 qui est bien supérieure à la marge habituelle (2 E.M).
1
Données du concepteur.
________________________________________________________________________________________
172
_________________________________________________________________________________________
En comparant les résultats en pression obtenus avec le démonstrateur à 4 puces et avec

le capteur “ semi-intégré ”, nous pouvons nous rendre compte, surtout au niveau de la
sensibilité, de l’effet néfaste des capacités parasites qui sont en plus grand nombre sur le
démonstrateur.
Même si nous n’avons pas pu évaluer précisément le comportement en température du

capteur compte tenu d’une résolution insuffisante, celui du démonstrateur nous prouve qu’il
est possible de compenser totalement la dérive thermique du circuit puisque nous retrouvons
quasiment le comportement de la cellule sensible.
Nous pouvons donc conclure que les performances du capteur peuvent devenir bien
meilleures que celles fixées par le cahier des charges dès que les problèmes d’accrochage
auront été résolus, c’est-à-dire lorsqu’il sera possible de travailler avec un offset quasiment
égal à 1.
Par ailleurs, l’ensemble des résultats obtenus sur ce capteur nous permet de dire qu’il
n’est pas judicieux de compenser les retards de commutation en ajoutant une capacité entre la
grille et le drain d’un transistor MOS (cf. Annexe A3). En effet, cela ne ferait qu’accroître le
phénomène d’accrochage entre les deux oscillateurs.
Pour résoudre les problèmes de capacités parasites ainsi que les problèmes de “ couplage ”, et
plus globalement pour améliorer les performances, nous avons vu qu’il serait intéressant :
- de redimensionner judicieusement les transistors en diminuant leur facteur de
forme (optimisation nécessaire),
- d’adopter une nouvelle architecture d’interrupteur susceptible de corriger la
nonlinéarité, avec deux transistors complémentaires NMOS et PMOS pilotés par un seul
signal de commande (cf. Annexe A3),
- et enfin d’avoir la possibilité d’ajouter plusieurs capacités en parallèle avec la
capacité de découplage existante pour minimiser au maximum l’influence mutuelle entre les
deux oscillateurs.
Certes, la solution de découplage total en réalisant deux oscillateurs indépendants peut être la
plus efficace mais au risque d’avoir une dispersion sur les sources de courant et un coût
unitaire plus élevé (surface de silicium plus importante).
________________________________________________________________________________________
173
Conclusion Générale
__________________________________________________________________________________________
Depuis une dizaine d’années, les capteurs de pression les plus utilisés sont constitués
par un corps d’épreuve en silicium dans lequel sont intégrées quatre jauges de contraintes
montées en pont de Wheatstone. Ces capteurs délivrent une réponse quasi-linéaire pour des
variations de jauges n’excédant pas quelques pour-cent. Par contre, leurs dérives thermiques
peuvent atteindre voire dépasser 2000 ppm/°C. Dans la plupart des cas, ces caractéristiques
sont insuffisantes c’est pourquoi on leur adjoint des circuits électroniques qui ont pour
fonctions essentielles d’amplifier le signal et de compenser les dérives thermiques. Le prix
total d’un capteur complet, incluant les coûts de la cellule sensible, des circuits électroniques
et le réglage des éléments de compensation thermique, est donc plutôt élevé.
Ce mémoire propose et évalue une solution alternative qui peut, donner des
caractéristiques métrologiques satisfaisantes, délivrer un signal de sortie du type numérique,
avoir une consommation équivalente voire inférieure à celle des capteurs piézorésistifs et
offrir un prix de revient modéré. Les composants de base de cette solution alternative sont
d’une part une cellule sensible capacitive et d’autre part un circuit de conversion capacité /
fréquence.
Divisé en cinq chapitres, ce mémoire synthétise tout d’abord les résultats d’une étude
approfondie sur chacun de ces deux composants, mais aussi ceux obtenus avec deux types
d’architecture de capteur, réalisés avec ces mêmes composants, ce qui a permis d’évaluer
leurs potentialités et leurs limites inhérentes à la technologie utilisée.
Après avoir rappelé quelques définitions concernant les caractéristiques d’un capteur
de pression, le premier chapitre décrit tout d’abord, l’évolution du marché et les nouvelles
tendances en terme de cahier des charges qui ne cesse de progresser avec la technologie. Les
technologies conventionnelles, comme par exemple les membranes d’acier inoxydable,
laissent place peu à peu aux capteurs miniatures sur silicium qui atteignent de meilleures
performances avec un encombrement moindre. Par ailleurs, la tendance actuelle et sans doute
à venir, est la mise en service non pas d’un capteur, mais d’un réseau multi-capteurs reliés à
un ou plusieurs microprocesseurs. Cela signifie qu’il est absolument nécessaire voire
indispensable que les futurs capteurs soient à sortie numériques pour qu’ils puissent
« dialoguer » dans ce réseau.
Une deuxième partie a permis de décrire le cadre de cette étude à partir de son contexte
historique jusqu’au cahier des charges du démonstrateur réalisé. C’est dans le contexte du
programme européen Eureka/Prometheus qu’a été développé, en collaboration avec l’IXL de
Bordeaux, un démonstrateur constitué à partir de cellules sensibles capacitives en technologie
Pyrex/silicium, et de circuits intégrés BiCMOS délivrant un nombre proportionnel à la
__________________________________________________________________________________________
177
__________________________________________________________________________________________
capacité de la cellule. Suite à cette réalisation, il était donc indispensable d’étudier finement
son comportement pour évaluer la faisabilité de cette nouvelle approche.
Pour mener à bien cette étude, nous avons tout d’abord été amenés à mettre au point
des outils de caractérisation performants c’est-à-dire un banc de test spécifique pour, d’une
part la caractérisation de chaque élément, et d’autre part pour l’ensemble du capteur.
Un premier banc de mesure était destiné à déterminer de manière précise et reproductible de
faibles variations de capacités en fonction de la pression et de la température. Le dispositif de
génération de pression nous a permis de faire varier la pression entre 1 et 6 bars avec une
étanchéité suffisante pour que la régulation puisse être réalisée dans le pire des cas à ± 2
mbars près. En ce qui concerne le système de température, son contrôle a pu être effectué au
voisinage du composant de test avec une stabilité de ± 0,1°C. Compte tenu de ces fluctuations
et de la précision des appareils de mesure, nous avons pu effectuer des mesures de capacités
de la cellule avec une précision de l’ordre de ± 0,1 % et une résolution de ± 0,01 % (± 3,7 fF).
Outre la mesure des cellules sensibles, ce dispositif a permis de mesurer des capacités
parasites de l’ordre de quelques dizaines de femtofarads.
Le deuxième banc de mesure était destiné à caractériser le comportement du circuit
convertisseur c’est-à-dire à déterminer la période du signal de sortie en fonction de la capacité
à différentes températures. Compte tenu de la précision des appareils, l’optimisation du
montage a permis de minimiser le bruit et donc de réaliser des mesures avec une précision de
± 0,36 % de la mesure et une résolution de ± 0,01 % de la mesure.
Enfin, nous avons mis au point un dispositif expérimental permettant de caractériser le
capteur en mesurant soit la période soit la fréquence du signal de sortie en fonction de la
pression et de la température. Dans ce cas, nous avons obtenu une précision de ± 1 % de la
réponse pleine échelle (RPE) du capteur et une résolution de ± 0,2 %RPE.
Dans tous les cas, la précision et la fiabilité de ces dispositifs de test ont été largement
suffisantes pour toutes nos études expérimentales.
D’autre part, pour compléter et d’analyser ces études expérimentales, nous avons
développé des modèles comportementaux concernant aussi bien la cellule sensible que le
circuit convertisseur ou encore du capteur. D’une manière générale, ces modèles ont été
définis par une partie linéaire associée à un terme de nonlinéarité. C’est à partir de ces
modèles que nous avons déterminé les principales caractéristiques des composants c’est-à-
dire l’ordonnée à l’origine des pressions (offset), la pente de la réponse (sensibilité) et la
nonlinéarité.
En ce qui concerne la cellule sensible, elle est technologiquement constituée par une
membrane en silicium monocristallin et par une armature fixe métallique déposée sur un
__________________________________________________________________________________________
178
__________________________________________________________________________________________
substrat de verre. En l’absence de pression appliquée, la capacité a une valeur voisine de 34

pF. Nous avons vu qu’il était possible d’associer un schéma électrique équivalent à
l’ensemble du montage et que celui-ci pouvait se réduire à la capacité intrinsèque de la cellule
en parallèle avec une capacité parasite et une conductance de fuite. Après avoir déterminé les
conditions optimales de mesures, les résultats obtenus ont montré que l’impédance parasite en
parallèle pouvait être négligée. Par suite, nous avons pu déterminer les principales
caractéristiques de la capacité intrinsèque aussi bien en pression qu’en température. Cette
étude a permis de montrer que ce type de cellule a une grande sensibilité à la pression (4
%/bar) et une forte nonlinéarité de l’ordre de 2,5 % de l’étendue de mesure. Par ailleurs, leur
dérive thermique est relativement faible puisqu’elle n’excède pas en moyenne 100 ppm/°C.
Enfin des études de dérives temporelles à court et moyen termes ont montré que leur
amplitude restait inférieure à la résolution du dispositif.
En parallèle, une série de mesures a été effectuée pour déterminer les capacités parasites du
dispositif ainsi que leur comportement en température. La capacité globale équivalente a été
évaluée à environ 1,8 pF avec un coefficient de température de l’ordre de 300 ppm/°C.
L’étude du convertisseur capacité-fréquence a été détaillée dans le troisième chapitre.

Son principe relativement simple consiste à charger et à décharger une capacité à courant
constant, ce qui signifie que la période du signal de sortie est proportionnelle à cette capacité.
Un modèle électrique a été implanté sur le logiciel PSPICE de manière à étudier son
comportement vis-à-vis des paramètres internes au circuit, non accessibles par mesures
expérimentales.
La simulation a tout d’abord permis de mettre en évidence un temps de retard systématique dû
au temps de transit dans les comparateurs et les portes logiques. Ce retard se traduit par une
erreur sur la période du signal de sortie que l’on peut assimiler à un « offset ». Toutefois, cette
erreur reste inférieure à 0,1 % tant que la capacité à l’entrée du convertisseur est supérieure à
2,5 pF. D’autre part, il est apparu une dissymétrie et une nonlinéarité du signal aux bornes de
la capacité. Ces phénomènes proviennent d’une fuite de courant de l’ordre de 2 % du courant
utile. Cette fuite est principalement due à l’impédance d’entrée des comparateurs. Ce
paramètre modifiant le courant de charge et de décharge, dégrade quelque peu la sensibilité
du convertisseur.
La comparaison entre les résultats simulés et expérimentaux a permis d’estimer l’influence
des éléments « parasites » (capacité parasite et courant de fuite) ainsi que leur comportement
en température. Il est ressorti de ces travaux que la sensibilité du convertisseur à la
température était pour la plupart due à celle de la source de courant mais aussi à la dérive
thermique de ces éléments « parasites ». Par ailleurs, une étude plus fine a montré que la
capacité parasite globale était définie par la somme d’une capacité interne au circuit d'environ
3 pF et d’une capacité externe liée au montage de 0,6 pF.
__________________________________________________________________________________________
179
__________________________________________________________________________________________
A partir de l’ensemble des résultats obtenus, la fonction de transfert du convertisseur a été

déterminée de manière explicite en fonction des divers paramètres du montage.
Après avoir étudié chacune des deux parties prises séparément, nous avons consacré
un chapitre à l’étude des performances d’un capteur de pression élémentaire réalisé à partir
d’une simple association de la cellule sensible capacitive et du circuit convertisseur capacité-
fréquence. L’originalité d’un tel capteur est sa sortie fréquentielle inversement
proportionnelle à la capacité de la cellule, ce qui lui confère une aptitude à compenser
automatiquement les erreurs de nonlinéarité.
Le calcul de la fonction de transfert du capteur a fait apparaître les facteurs de non-idéalité
liés au retard de commutation des interrupteurs du circuit, au courant de fuite et enfin à la
capacité parasite globale du montage.
Les résultats de l’étude expérimentale ont révélé une perte de sensibilité par rapport à celle de
la cellule (2,8 %/bar) et une compensation partielle de la nonlinéarité (0,8 % RPE).
Par ailleurs, les caractéristiques de ce capteur présentent une forte sensibilité à la température,
du même ordre de grandeur que celle du circuit convertisseur (≤ 0,2 %/°C).
La deuxième partie de ce chapitre a été consacrée à l’étude, par la simulation, de l’évolution
des performances d’un tel capteur en fonction non seulement des facteurs de non-idéalité mais
aussi de la dispersion de fabrication des composants ou encore des éventuelles dérives de la
tension d’alimentation. Les résultats ont montré une forte dépendance des performances à
l’ensemble de ces facteurs d’influence notamment à celui des capacités liées au montage. En
effet, dès que la capacité parasite extérieure atteint 20 % de la capacité de la cellule, la
sensibilité à la pression est diminuée de plus de 15 % et la nonlinéarité devient deux fois plus
importante par rapport à un capteur dépourvu de capacités parasites.
Suite à ces conclusions, certains amendements seraient donc utiles pour améliorer les
performances d’un tel capteur c’est-à-dire les rendre beaucoup moins sensibles aux différents
facteurs d’influences pré-cités. Par exemple, nous avons montré qu’il était possible de
minimiser leur influence sur les performances du capteur en utilisant une cellule sensible
capacitive de valeur nominale très supérieure à celle de la capacité parasite vue par le
système. Cependant, ce choix technologique constitue un frein considérable à la
miniaturisation du dispositif.
Concernant le temps de retard introduit par les interrupteurs, il est possible d’annuler ce retard
en modifiant la conception de l’interrupteur et en ajoutant une capacité entre la grille et le
drain d’un transistor comme cela est décrit dans l’annexe A4. Ceci étant, cela ne peut être
qu’une compensation propre à une cellule sensible donnée puisque la valeur de la capacité
ajoutée dépend de celle de la cellule.
__________________________________________________________________________________________
180
__________________________________________________________________________________________
Par ailleurs, pour rendre complètement négligeable le courant de fuite If que nous avons
caractérisé, on pourrait remplacer les comparateurs à entrée de type bipolaire par des
comparateurs légèrement moins rapides mais qui auraient une entrée différentielle de type
MOS c’est-à-dire qui auraient une impédance d’entrée jusqu’à cent fois plus importante.
En ce qui concerne les capacités parasites, il est difficile de les éviter complètement. Par
contre, au niveau de la conception, il serait intéressant de minimiser le nombre d’éléments
directement reliés à la capacité de mesure qui, en raison de leur impédance d’entrée (effet
Miller compris [c-1]), rajoutent une capacité en parallèle sur celle de la cellule sensible.
Enfin, pour ce qui a trait au comportement en température, il y aurait deux possibilités
d’amélioration. La première serait de remplacer la résistance Rréf qui défini la source de
courant par une résistance extérieure qui aurait une valeur bien définie et qui ne varierait pas
ou peu en température. Dans le cas où le cahier des charges imposerait un circuit
complètement intégré, il faudrait ajouter un circuit de compensation thermique au niveau de
la source de courant.
Dans le dernier chapitre, une solution architecturale simple est proposée pour montrer
la faisabilité d’un capteur autocompensé c’est-à-dire qui procure une compensation non
seulement de la nonlinéarité mais également de l’ensemble des dérives dues aux différents
facteurs d’influences comme la température, la tension d’alimentation ou encore la dispersion
de la résistance de référence (Rréf).
A partir d’un calcul théorique, il est montré en premier lieu que l’architecture ratiométrique
est préférable à une architecture différentielle parce qu’elle permet de s’affranchir des
problèmes induits par la source de courant.
La comparaison entre les résultats simulés et expérimentaux a permis d’évaluer non-
seulement les caractéristiques réelles du démonstrateur mais aussi l’influence des différents
facteurs d’influences sur la réponse. Tous les résultats obtenus ont montré que le capteur
ratiométrique était jusqu’à 100 fois moins sensible à ces facteurs d’influence et que sa dérive
thermique pouvait être rendue inférieure ou égale à celle de la cellule sensible (≤ 50 ppm/°C).
Par contre, cette architecture ne permet pas de rendre le capteur insensible aux capacités
parasites liées au montage. Il a d’ailleurs été montré que les niveaux de compensations cités
précédemment ne sont valables que si les capacités parasites sont identiques sur les deux
voies (de mesure et de référence). Autrement dit les meilleures performances ont été obtenues
pour un démonstrateur parfaitement symétrique ayant des capacités extérieures faibles devant
celle de mesure. De plus, nous avons vu que la dérive thermique de l’offset ne pouvait être
nulle que si les capacités de mesure et de référence avaient le même comportement en
température.
__________________________________________________________________________________________
181
__________________________________________________________________________________________
Dans le but de réduire les capacités liées au montage et de symétriser plus facilement
le dispositif, un démonstrateur à fort niveau d’intégration a été conçu et réalisé en
collaboration avec l’IXL. Celui-ci est constitué de deux puces : la cellule sensible comportant
une capacité de mesure et une capacité de référence, puis le circuit de traitement comportant
les deux oscillateurs sur le même substrat. La dernière partie a donc été consacrée à son étude
expérimentale pour en déterminer ses caractéristiques.
Les résultats ont fait apparaître un problème « d’accrochage » entre les fréquences des deux
oscillateurs dès que la différence entre les capacités de mesure et de référence est inférieure à
2,5 pF. La simulation a montré que ce phénomène était principalement lié à l’injection de
charges, au moment de chaque commutation des interrupteurs, à travers les capacités grille-
source et grille-drain des transistors MOS.
Par ailleurs, une étude supplémentaire a montré qu’il était possible de faire fonctionner
ce capteur en décalant légèrement les fréquences mais que ce phénomène d’accrochage se
reproduisait chaque fois que le rapport des capacités était voisin d’un nombre fractionnaire.
Ceci a donc eu pour conséquence une altération considérable de la résolution du capteur
(± 70 mbars). Toutefois, les résultats en pression ont confirmé que le fait de diminuer les
capacités parasites grâce à l’intégration permettait d’améliorer les performances puisque la
sensibilité a pu être estimée supérieure à 2,5 %/bar et la nonlinéarité inférieure à 0,8 %RPE.
Cela signifie que la voie de l’intégration n’est certainement pas à exclure. Par contre, il est
indispensable de minimiser voire de supprimer le couplage entre les deux oscillateurs.
Quelques solutions ont été proposées (redimensionnement des transistors MOS, capacité de
découplage plus importante, séparation franche des oscillateurs) et leur efficacité démontrée
par une diminution de l’amplitude des impulsions. Il serait donc intéressant de pouvoir
« refondre » un circuit en tenant compte de ces différentes solutions.
Enfin, les résultats de simulation ont montré que les performances du capteur
pouvaient être rendues optimales en intégrant, sur la même puce, une cellule de référence non
scellée (c’est-à-dire ayant une cavité non hermétiquement fermée, en contact avec la pression
extérieure). Cela nous permettrait d’avoir une capacité indépendante de la pression qui aurait
exactement le même comportement thermique que la cellule sensible scellée sous vide. Ce
type de puce permettrait d’obtenir une dérive thermique de l’offset quasiment nulle.
Toutes ces voies d’amélioration peuvent permettre à ce type de capteur d’arriver à un

niveau de performance bien supérieur à ce que l’on peut attendre d’un capteur bas coût et de
précision moyenne. En effet, celui-ci satisfait pratiquement à la totalité du cahier des charges
initialement fixé. Au-delà de l’objectif précis du capteur de pression pour l’automobile,
__________________________________________________________________________________________
182
__________________________________________________________________________________________
l’approche modulaire de cette étude a donc permis de valider un principe de mesure qui,
compte tenu de ses performances, peut couvrir un grand champ d’applications. En effet, à
partir de ce même type de circuit, il est possible de mesurer une large gamme de pression
mais aussi de réaliser d’autres capteurs à détection capacitive, comme ceux de force,
d’accélération ou encore de position.
Dans le cas de fabrications en grande série de ces capteurs, l’intégration monolithique de la

cellule sensible et du circuit convertisseur pourrait à la fois réduire le coût unitaire et
améliorer les performances. Par contre, cela suppose une étude particulière préalable sur la
compatibilité technologique des deux éléments et donc obligatoirement sur la conception
globale du capteur.
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183
Annexes
Annexe A1 : Description du matériel utilisé
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ANNEXE - A1
DESCRIPTION DU MATERIEL UTILISE
1. Alimentation
Nous avons à notre disposition une source d’alimentation continue P. FONTAINE MC

6015D. La tension fournie par cette alimentation dérive dans le temps suivant une loi
exponentielle décroissante dans un premier temps, puis oscillatoire dans un deuxième temps.
Nous avons mesuré cette dérive au cours d’une demi-journée à l’aide d’un voltmètre (HP
3468A Multimeter) dont la résolution est plus petite que le millivolt.
Les résultats sont reportés sur la Fig. A1- 1.
5,036
5,034
5,032
5,030
Valim (V)
5,028 Début de
stabilisation
5,026
5,024
5,022
0 50 100 150 200
Temps (mn)
Figure A1- 1 : Fluctuations de la tension d’alimentation au cours du temps après sa

mise en route.
Il ressort de ces mesures une dérive maximum de 11 mV. Le temps de stabilisation est
de 1 heure et demie. Il est donc préférable d’attendre au minimum ce temps là après sa mise
sous tension pour pouvoir effectuer les mesures dans de meilleures conditions, même si cette
dérive reste relativement faible (0,3 %).
__________________________________________________________________________________________
187
__________________________________________________________________________________________
Nous avons également réalisé un découplage entre l’alimentation et le circuit afin

d’éviter au maximum les risques d’instabilités. Pour cela, nous avons placé un circuit RdCd en
parallèle entre le circuit et l’alimentation avec :
Rd ≈ 1 kΩ : résistance de découplage de type radio,
et Cd ≈ 100 µF : plusieurs capacités de découplage en parallèle de type chimique et au
tantale.
2. Mesure et régulation de la température
La régulation de température est réalisée par une étuve ventilée, ce qui permet
d’obtenir une homogénéité dans le volume de ± 0,5°C. Ce dispositif permet de faire varier la
température du dispositif de -40°C à 180°C mais, un phénomène de condensation peut
apparaître en dessous de -10°C (possibilité d’abaissement du point de rosée) ce qui peut
entraîner des dysfonctionnements au niveau des circuits testés. C’est pourquoi nous n’avons
réalisé des mesures que pour des températures supérieures ou égales à -10°C.
Les fluctuations au niveau de la cellule sont beaucoup plus faibles que ± 0,5°C du fait
de l’intégration thermique due au bloc métallique dans lequel nous l’avons montée. Grâce à
ce dispositif, les fluctuations ne sont plus que de ± 0,1°C. Cette stabilité a pu être confirmée
par la mesure de la résistance thermométrique de la cellule. La Fig. A1-2 représente un
exemple d’étalonnage d’une de ces résistances. Leur sensibilité (≈ 1 Ω/°C) est telle que nous
sommes capables de mesurer des variations de température inférieures à 0,1°C. Ceci étant,
nous ne les avons utilisées que pour vérifier la stabilité de la température car leur valeur
nominale a tendance à dériver au cours du temps (et des cycles thermiques).
(Ω) 700
Résistance
600
500
400
130
180
10
50
90
-30
Température (°C)
Figure A1-2: Etalonnage de la résistance en fonction de la température mesurée par

le thermomètre (Fluke 51).
__________________________________________________________________________________________
188
__________________________________________________________________________________________
Nous avons donc réalisé les mesures à l’aide d’un thermocouple disposé à l’intérieur
du bloc métallique dans lequel se trouve le composant testé. La précision du thermomètre
utilisé est de ± (0,1%Lecture + 0,7°C).
3. Le système de régulation et de mesure de pression
L’étude expérimentale en pression est réalisée à l’aide d’un générateur de pression

capable de fournir des pressions comprises entre 1 et 18 bars. Quant à la mesure, elle est
réalisée par un capteur étalon pouvant mesurer des pressions comprises entre 10-5 bar (1 Pa) et
7 bars. Le tableau A1-1 regroupe les caractéristiques données par le constructeur de ces deux
appareils.
Tableau A1-1 : Caractéristiques des systèmes de génération et de mesure de pression.

GENERATEUR DE PRESSION
Gamme 1 bar / 18 bars (P.E = 17 bars)
Précision du capteur interne ± 0,2 % P.E
Répétabilité ± 0,1 % P.E
Précision de régulation : En local ± 0,001 % P.E
A distance (*) ± 0,0015 % P.E
MESUREUR DE PRESSION (MANOMETRE A QUARTZ)
Gamme 10-5 bar / 7 bars (P.E = 7 bars)
Performances du capteur Précision ± 0,02 % P.E
Reproductibilité ± 0,01 % P.E
Linéarité ± 0,005 % P.E
Hystérésis ± 0,005 % P.E
Répétabilité ± 0,005 % P.E
Résolution (**) 1 ppm

(*)
dépend de l’appareil de référence connecté
(**)
dépend du temps d’intégration : valeur donnée pour 1 échantillon par seconde.
__________________________________________________________________________________________
189
__________________________________________________________________________________________
Même si le manomètre a une meilleure résolution que le générateur, la résolution du

dispositif est fixée par la plus petite variation de pression que peut fournir le générateur, c’est-
à-dire ± 0,27 mbars.
Le dispositif de génération et de mesure de pression est piloté par ordinateur. Comme

il est possible de choisir l’appareil de référence, la précision et la résolution sont forcément
définies par celles de l’un ou l’autre des deux appareils. Compte tenu du fait que le
manomètre à quartz est plus performant que le capteur interne du générateur, nous l’avons
choisi comme étalon.
Ceci étant, même si le générateur peut effectuer une régulation de pression à ± 0,27
mbar près, il est clair que les fluctuations de pression du système dépendent des fuites du
montage. Or, les fuites étant proportionnelles à la pression, les fluctuations le sont également.
Dans notre cas, pour une pression P de l’ordre de 6 bars, nous avons relevé des fluctuations de
l’ordre de ± 2 mbars tandis qu’à pression atmosphérique, elles ne sont plus que de ± 0,5 mbar.
4. Analyseur d’impédance
4.1. Description simplifiée du principe de mesure
Conformément à la fiche constructeur, l’analyseur d’impédance comprend un

générateur de signal sinusoïdal de haute résolution entre 10 Hz et 2 MHz. Un signal i(t) est
appliqué au circuit testé ce qui crée une différence de potentiel (d.d.p.) à ses bornes. Cette
d.d.p. est mesurée, filtrée, amplifiée puis récupérée par une voie d’un convertisseur
Analogique / Digital (A/D) 18 bits. Le courant traversant le circuit est injecté dans un ampli
transadmittance. Ce courant crée une d.d.p. aux bornes d’une résistance standard située dans
la boucle de contre réaction. Cette d.d.p, proportionnelle au courant, est aussi filtrée,
amplifiée et injectée sur la deuxième voie du convertisseur A/D. Les deux signaux digitalisés,
synchronisés sur le signal sinusoïdal généré, sont injectés dans un microprocesseur qui extrait
la partie en phase et en quadrature du signal par un algorithme mathématique similaire à la
transformée de Fourier rapide. Cette information est ensuite utilisée pour calculer
l’impédance complexe Z et l’admittance complexe Y du circuit inconnu. Enfin, de ces
résultats peuvent être extraits et affichés tous les paramètres désirés comme C, L, R, Q, D, φ...
Ce fonctionnement peut alors être schématisé par la figure suivante :
__________________________________________________________________________________________
190
__________________________________________________________________________________________
Zs
Impédance Microprocesseur
mesurée
R
Zm L
B Convertisseur C
A
µP
A/D
Générateur θ
10 Hz - 2 MHz Amplificateur
transadmittance
Figure A1- 3 : Schéma simplifié du fonctionnement de l’analyseur d’impédance.
L’avantage d’un tel dispositif est qu’il est capable de supprimer toutes les capacités parasites
vues entre A et la masse et entre B et la masse, après avoir effectué une calibration spécifique
au circuit de mesure.
4.2. Domaines de mesure
Le tableau A1-2 donne les plages de valeurs mesurables par l’impédancemètre.
Tableau A1-2 : Gammes de valeurs mesurables par l’impédancemètre
Valeur minimum Nature de la mesure Valeur Maximum
0,1 µΩ Impédance, Résistance, Réactance 100 M Ω
10 nS Admittance, Conductance, Susceptance 10 MS
0,01 fF Capacité 10 F
1 pH Inductance 100 H
10-7 Facteur de dissipation 100
0 Facteur de qualité 106
-180° Phase + 179,99°
__________________________________________________________________________________________
191
__________________________________________________________________________________________
4.3. Conditions de mesure et Précision
L’impédancemètre nous permet de choisir entre trois niveaux de précision. Ces

niveaux sont en fait déterminés par la rapidité de la mesure et donc par l’intégration :
- Niveau 1 : 0,5 %(*) 1 mesure affichée / 40 ms.
(*)
- Niveau 2 : 0,25 % 1 mesure affichée / 125 ms.
(*)
- Niveau 3 : 0,05 % 1 mesure affichée / 1 s.
(*)
Ce sont les valeurs optimales de précision c’est-à-dire obtenues pour des conditions
optimales de mesure (tension et fréquence).
Cet appareil possède une fonction qui permet d’évaluer la précision de la mesure qu’il
effectue. Le résultat s’exprime en pourcentage de la valeur mesurée. Nous avons utilisé cette
fonction à titre indicatif pour confirmer ou infirmer nos choix sur la tension et la fréquence de
mesure (Um et fm.).
Tableau A1-3: Précision de la mesure de la capacité de la cellule sensible en fonction

de la fréquence avec Um = 1 V.
Niveaux de
ΔC/C (en %)
précision
Fréquence (kHz) Niveau 1 Niveau 2 Niveau 3
1 22,372 17,620 2,500
5 1,570 0,900 0,133
10 1,370 0,635 0,088
50 4,190 1,163 0,126
100 3,148 0,744 0,070
500 24,145 4,432 0,312
1000 46,502 8,153 0,535
D’après ces résultats, la meilleure précision a été obtenue avec le niveau 3 et pour une
fréquence de 100 kHz.
__________________________________________________________________________________________
192
__________________________________________________________________________________________
Nous avons fait la même expérience en prenant cette valeur de fréquence et en faisant
varier l’amplitude du signal de mesure. Les résultats sont reportés dans le tableau A1-4.
Tableau A1-4 : Précision de la mesure de la capacité de la cellule sensible en fonction

de la tension avec fm = 100 kHz.
Niveaux de
ΔC/C (en %)
précision
Tension (V) Niveau 1 Niveau 2 Niveau 3
0,2 15,321 3,377 0,269
0,4 7,800 1,750 0,146
0,6 5,215 1,191 0,104
0,8 3,909 0,910 0,082
1 3,148 0,744 0,070
2 7,097 1,198 0,134
5 14,380 3,174 0,254
La précision mesurée suit une loi définie pour chaque niveau sélectionné. A titre indicatif, la
formule concernant le niveau 3 est la suivante :
⎧⎪⎡ A ⎛ 2 ⎞
ΔC ⎛ A n 0,05 −7 ⎞ ⎜ 0,3 Um
⎟
= ± ⎨⎢ n +⎜ + + Zm × 10 ⎟ × ⎜ 0,55 + + ⎟
C ⎪⎩⎢⎣ 2 ⎝ 2 Z m ⎠ ⎝ U m 4 ⎠
⎛ f 600 ⎞ ⎤ ⎫⎪
×⎜ 0,7 + m−4 + ⎟ ⎥ × I m ⎬ × Kt
⎝ 310
. fm ⎠ ⎦ ⎪⎭
où Um et fm sont respectivement la tension et la fréquence de mesure et |Zm| l’impédance du

circuit testé.
An est le niveau de précision choisi (0,5%, 0,25%, 0,05%),
Im représente un coefficient qui dépend du niveau de tension Um (<0,1V, entre 0,1V et 1V,
entre 1V et 5V) et du domaine dans lequel se situe l’impédance mesurée (<100Ω, entre 100 et
1,6kΩ, entre 1,6 et 25kΩ et >25kΩ),
Kt est un coefficient qui dépend de la température de la pièce (1 pour 18°C<θ<28°C, 4 pour
5°C<θ<45°C).
__________________________________________________________________________________________
193
__________________________________________________________________________________________
Il est clair que nous avons opté pour le mode le plus précis c’est-à-dire le niveau 3.
Les deux tableaux précédents nous permettent de confirmer que la mesure de la cellule
sensible doit être effectuée avec une tension Um = 1 V et une fréquence fm = 100 kHz. Nous
aurons alors une mesure avec une précision de 0,070 %. Il est possible d’obtenir la précision
maximum de l’appareil (0,05 %) en faisant une moyenne sur 10 valeurs. Ce qui signifie que
pour mesurer une capacité de 40 pF (cas le plus défavorable), nous obtiendrons au mieux une
mesure à ± 20 fF près (par rapport à sa valeur « vraie »).
Par contre, ce qui nous intéresse davantage, c’est la dispersion des résultats (ou fidélité
de la mesure). Elle est d’autant plus faible que le nombre d’intégration est grand. Il faut donc
trouver un bon compromis entre fidélité et temps de mesure. Nous avons trouvé raisonnable
de prendre une valeur moyenne sur 5 points de mesure (#Average = 5) ce qui nous donne une
valeur toutes les 20 secondes environ avec une dispersion de ± 2 fF.
5. Le fréquencemètre
L’appareil qui nous a servi à mesurer la période (et/ou la fréquence) du signal v(t) est
un Fréquencemètre Universel Enertec 2616 (Schlumberger).
Cet appareil possède deux voies de mesure : la voie A et la voie B. Quatre fonctions
principales sont disponibles :
5.1. La fonction Fréquencemètre (FREQ A)
La mesure de la fréquence consiste à compter le nombre de périodes du signal lu sur la

voie A pendant un temps T. La fréquence Fx est alors égale à :
N
Fx =
T
où N est le contenu du compteur au bout du temps T. La base de temps est définie par un
signal d’horloge de 10 MHz. Elle comporte un diviseur par 10 suivi d’un diviseur dont le taux
est programmable : il dépend de la gamme choisie. Le taux de division n (c’est à dire la
gamme) peut varier de 104 à 107. Cela signifie que les temps de comptages peuvent être
respectivement 10 ms, 100 ms, 1 s et 10 s suivant la gamme utilisée.
__________________________________________________________________________________________
194
__________________________________________________________________________________________
5.2. La fonction Périodemètre (PER. B)
Il compte des impulsions de fréquence f connue (signaux pilotes) pendant un temps

inconnu qui est la période à mesurer. La fréquence f peut être 10 MHz ou bien un multiple ou
un sous-multiple suivant la gamme choisie. On a alors :
N
P=
f
5.3. La fonction Périodemètre moyennée (Per. m)
La mesure se fait comme nous l’avons décrit précédemment mais sur n périodes, n
variant de 101 à 104. D’où :
1 N
P=
n f
Ceci permet d’avoir une meilleure résolution.
5.4. La fonction Quotient-mètre (Quot)
Il compte le nombre de période du signal A (voie A) pendant n fois la période du

signal B (voie B) (n pouvant être égal à 100,101,102 ou 103). Autrement dit, nous avons :
N.TA = n.TB
T F
N=n B =n A
TA FB
Nous obtenons à l’affichage, le nombre N avec la virgule déterminée par n.
5.5. Précision
La précision est meilleure en fréquencemètre pour les fréquences élevées et en

périodemètre pour les fréquences basses.
En fréquencemètre, l’erreur relative est donnée par :
Δf 1
=± ±ε
f ft
__________________________________________________________________________________________
195
__________________________________________________________________________________________
où f est la fréquence à mesurer, t le temps de comptage et ε la précision de la base de temps.
En périodemètre, l’erreur relative est donnée par :

ΔT 1 e
=± ±ε±
T Nf T N
où f est la fréquence étalon, T la période à mesurer, N le nombre de périodes, ε la précision de

la base de temps et e l’erreur du seuil de déclenchement.
Il existe donc une fréquence critique pour laquelle la précision est la même en périodemètre et
en fréquencemètre. La Fig. A1-4 indique la précision pour différents cas de mesure et permet
de déterminer la fréquence critique pour chacun d’eux.
Figure A1-4 : Précision relative des mesures en fonction de la fréquence mesurée et

de la gamme utilisée.
D’après ce graphique, lorsque nous faisons des mesures à 200 kHz, en mode fréquencemètre
avec un temps de comptage de 0,1 s, nous avons une précision relative de l’ordre de 3.10-5.
__________________________________________________________________________________________
196
Annexe A2 : Etude des capacités parasites liées au montage de la cellule sensible
__________________________________________________________________________________________
ANNEXE - A2
ETUDE DES CAPACITES PARASITES
LIEES AU MONTAGE DE LA CELLULE SENSIBLE
Le dispositif d’encapsulation de Ci introduit des capacités parasites. Dans l’étude

même de la cellule, celles-ci ne sont pas gênantes car la plupart d’entre elles, référencées par
rapport à la masse, sont « ignorées » par le principe de mesure du capacimètre (cf. annexe
A1).
Ceci étant, nous devons évaluer leur importance ainsi que leur éventuelle dérive thermique
car dans le principe de fonctionnement du capteur, ces capacités sont directement en parallèle
avec la capacité intrinsèque de la cellule sensible. C’est pourquoi il était très important de les
minimiser par conception.
Cette étude a été relativement complexe car il a fallu mesurer non seulement des capacités de
quelques dizaines de femtofarads mais aussi leur variation en température.
1. Rappel du montage des cellules sensibles
La Fig. A2-1 représente une vue en coupe du dispositif permettant l’étude en pression
de la cellule sensible.
Amenée de pression Bloc

métallique
Goujon
4 Cellule sensible
Joint torique 1 Plot de contact
5
Embase TO3
6 Perle de verre
3 7 isolante
Ecrou A 2 B
Colle
Figure A2-1: Vue en coupe schématique du montage des cellules et localisation des
__________________________________________________________________________________________
197
__________________________________________________________________________________________
Les pastilles numérotées de 1 à 7 permettent de localiser les principales capacités

existantes entre les points A et B qui représentent les points de la mesure. Elles peuvent être
définies de la façon suivante :
- c Ö Ci : Capacité intrinsèque de la cellule que l’on veut caractériser.
- d Ö C2 : Capacité de couplage entre les fils de mesure par l’intermédiaire de l’air.
- e,i Ö C3, C7 : Capacités dues aux perles de verre qui isolent les plots de contact
par rapport à l’embase.
- f Ö C4 : Capacité de l’air entre la membrane de Si et le boîtier métallique
(électriquement relié à la masse).
- g Ö C5 : Capacité due au substrat de Pyrex.
- h Ö C6 : Capacité due à la colle entre le Pyrex et l’embase.
2. Schéma électrique équivalent
La Fig. A2-2 représente le schéma électrique équivalent de la cellule sensible

avec son boîtier d’encapsulation.
A Ra(B) Ri = 1/Gi Ra(B) B
Ci
C2
C5
C3 C4 C7
C6
Embase
Figure A2-2 : Schéma électrique équivalent de l’impédance vue entre A et B.
Dans le cahier des charges du capteur, une des deux électrodes du condensateur doit
être à la masse (c’est en l’occurrence la membrane de silicium). Ceci entraîne d’une part,
l’élimination d’une des deux capacités introduites par les perles de verre (celle qui isole la
patte reliée à la membrane) et d’autre part, l’élimination de la capacité C4.
__________________________________________________________________________________________
198
__________________________________________________________________________________________
3. Etude de C2
Nous avons évalué la capacité de couplage entre les deux fils de mesure qui est
fonction de la distance qui les sépare mais aussi du support mécanique qui fixe les fils de
mesure. Pour mesurer ces faibles valeurs de capacité, nous avons été obligés d’utiliser un
signal de fréquence plus élevée de manière à rester dans une gamme d’impédance convenable.
Les mesures ont donc été effectuées avec Um = 1 V et fm = 1 MHz. La valeur de C2 mesurée à
25°C est égale à 195 fF. Comme la distance entre les fils reste constante et ne varie pas en
température, on peut alors dire que la variation thermique de C2 n’est due qu’au support
mécanique.
Nous avons reporté sur la Fig. A2-3 la variation en température de cette capacité C2.
204
202
200
C2 (fF)
198
196
194
192
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure A2-3 : Variation en température de la capacité parasite de couplage (C2).
La variation maximale (ΔC2)max n’excède pas 7,2 fF entre -10°C et 90°C ce qui fait un
coefficient de température moyen de +370 ppm/°C.
4. Etude de C3
Ces mesures ont été effectuées dans les mêmes conditions que précédemment : Um = 1
V et fm = 1 MHz. Nous avons mesuré, à température ambiante, C3 = 1,165 pF. La variation en
température de C3 est représentée sur la Fig. A2-4.
__________________________________________________________________________________________
199
__________________________________________________________________________________________
1,19
1,18
C3 (pF)
1,17
1,16
1,15
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure A2-4 : Variation en température de la capacité introduite par une perle de

verre d’isolation (C3).
Cette capacité parasite, que nous ne pourrons absolument pas éviter, est relativement
élevée. Il faudra donc en tenir compte lors de l’étude du capteur car elle sera directement en
parallèle avec Ci.
Par contre la variation maximale en température ΔC3 n’excède pas 30 fF entre -10°C et 90°C.
Ce qui signifie que son coefficient de température moyen est de +260 ppm/°C.
5. Etude de C5
Afin de pouvoir observer une capacité mesurable d’un substrat de verre, nous avons
réalisé un échantillon de test. Cet échantillon est une plaque de Pyrex d’épaisseur e égale à
0,5 mm que nous avons ensuite métallisée sur ses deux faces. L’aire de sa surface S est de
13 mm2.
Compte tenu de la surface et de l’épaisseur de verre d’une cellule sensible, la capacité de
l’échantillon de test devra être divisée par 63,5.
__________________________________________________________________________________________
200
__________________________________________________________________________________________
La variation thermique de notre échantillon de test est donnée par la Fig. A2- 5.
10,6
10,5
10,4
C5test (pF)
10,3
10,2
10,1
10,0
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure A2- 5 : Variation en température de la capacité de l’échantillon de test d’un

substrat de Pyrex métallisé sur les deux faces.
D’après cette courbe nous pouvons dire que le substrat de verre de la cellule engendre
une capacité parasite de l’ordre de 160 fF avec une dérive thermique voisine de 440 ppm/°C.
Par conséquent, nous pouvons conclure que la variation maximale ΔC5 entre - 10 et 90°C,
n’excède pas 7 fF.
6. Etude de C6
La capacité C6 est a priori très supérieure à C5. En effet, l’épaisseur de la colle étant
inférieure à 100 μm, répartie sur toute la surface de la puce, nous pouvons estimer la valeur
de C6 à quelques picofarads.
Comme ces deux dernières capacités parasites sont en série, nous pouvons en conclure
que C6 ne joue aucun rôle dans le schéma équivalent, même si sa dérive thermique est très
importante.
7. Etude de la capacité parasite équivalente Cp

__________________________________________________________________________________________
201
__________________________________________________________________________________________
Connaissant l’ensemble des capacités parasites introduites par le montage ainsi que
leur variation en température, nous allons définir la capacité parasite équivalente Cp dont on
devra tenir compte dans l’étude du capteur.
D’après le schéma équivalent donné par la Fig. A2-2, si l’on connecte l’embase et le point A à
la masse, alors on peut dire que la capacité parasite équivalente est donnée par la somme des
différentes capacités C2, C3 et C5. Ce qui nous donne, à température ambiante, Cp ≈ 1,51 pF.
En ce qui concerne la variation en température de cette capacité parasite équivalente, c’est
également la somme des différentes variations de chacune. On a donc :
Cp (θ) = C2 (θ) + C3 (θ) + C5 (θ)
La Fig. A2-6 représente cette variation thermique de Cp.
1,56
Cp (pF)
1,54
1,52
1,50
-20 0 20 40 60 80 100
θ (°C)
Figure A2-6 : Dérive thermique de la capacité parasite équivalente du montage.
Nous pouvons remarquer que la variation maximum de Cp sur toute la plage de

température est d'environ 50 fF ce qui correspond à un coefficient thermique moyen de
+330 ppm/°C.
Cette variation représente 25 % de celle de l’offset mesurée sur la cellule. C’est donc loin
d’être négligeable.
__________________________________________________________________________________________
202
Annexe A3 : Modélisation du capteur sur PSPICE
__________________________________________________________________________________________
ANNEXE - A3
MODELISATION DES CELLULES DE BASE
DU CONVERTISSEUR CAPACITE-FREQUENCE
sur PSPICE
Nous décrivons essentiellement dans cette annexe, le détail des sous-circuits utilisés
pour la modélisation du circuit convertisseur capacité-fréquence.
1. Macromodèle d’un Amplificateur opérationnel
Il s’agit de concevoir, à partir des caractéristiques réelles d’un l’amplificateur

opérationnel (statique, dynamique, fréquentielle), un schéma équivalent assurant les mêmes
fonctionnalités. L’avantage de cette méthode est qu’elle utilise beaucoup moins d’éléments
qu’un modèle classique, ce qui se traduit par un gain considérable au niveau du temps de
calcul.
Pour modéliser les amplificateurs opérationnels, nous avons donc utilisé un macromodèle
général composé de cinq parties essentielles comme le montre la Fig. A3-1.
Cin+ Comportement
fréquentiel
Fonction
Saturation
Entrée R1 « Décalage
Fonction de
Non d’Offset »
Laplace Sortie
Inverseuse
E+ S+ E+ S+ E+ S+
R2 E- S- E- S- E- S- Rs
Cin- RMC
Entrée
Inverseuse
Figure A3-1 : Macromodèle de l’amplificateur opérationnel.
__________________________________________________________________________________________
203
__________________________________________________________________________________________
Nous avons donc :

- Un étage d’entrée de type différentiel avec deux résistances identiques R1 et
R2 , deux capacités d’entrée Cin+ et Cin- et enfin une résistance de mode commun RMC ,
- une première fonction de transfert permettant éventuellement d’ajouter une
tension de décalage (offset),
- un deuxième bloc dont la fonction de transfert caractérise son comportement
en fréquence,
- un bloc qui génère le phénomène de saturation,
- et enfin, un étage de sortie défini par une résistance de sortie Rs.
Le tableau A3-1précise les valeurs que nous avons utilisées pour les paramètres de ce modèle
d’amplificateurs opérationnels.
Tableau A3- 5 : Caractéristiques du modèle de l’amplificateur opérationnel.
MODELE DE L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
Paramètres Nom Valeur Unité
Résistances différentielles R1, R2 10 MΩ
Etage d’Entrée Résistance de mode commun RMC 50 MΩ
Capacité d’entrée Cin+ , Cin- 0,5 pF
Tension d’offset Vo 0 V
Comportement Gain en boucle ouverte Av 94 dB
Fréquentiel Fréquence de coupure (-3dB) fc 1 kHz
Fonction de saturation Saturation basse Vsat- 0 V
Saturation haute Vsat+ 5 V
Etage de sortie Résistance de sortie Rs 102 kΩ
Le phénomène de vitesse de balayage encore appelé « Slew-Rate » n’est pas

pris en compte dans ce modèle. Ceci étant, dans notre cas, ce n’est pas un problème important
puisque tous les Aop ne fonctionnent qu’en régime statique linéaire.
__________________________________________________________________________________________
204
__________________________________________________________________________________________
2. Macromodèle d’un comparateur
Le macromodèle du comparateur est basé sur le même principe que celui de

l’Amplificateur opérationnel. Par contre, contrairement à ce dernier, les comparateurs utilisés
doivent fonctionner en régime transitoire. Or, le retard introduit par le comparateur doit être
constant et très faible (TP ≤ 100 ns). C’est pourquoi, si l’on utilise une fonction de Laplace du
premier ordre, il faut choisir la fréquence de coupure qui permet d’obtenir un temps de retard
d'environ 100 ns. En effet, la constante de temps d’un circuit du premier ordre est définie par :
1 1
τ= =
ω c 2 π fc
Si on considère que le temps de montée est défini entre 10% et 90% du signal, alors ce
temps est de l’ordre de 2τ. Donc, pour que ce temps de montée soit environ égal à 200 ns,
nous avons pris une fréquence de coupure de 1 MHz.
Le schéma du macromodèle de nos comparateurs est donc tout à fait semblable à celui de
l’Aop. Ses caractéristiques sont données dans le tableau A3-2 :
Tableau A3- 6 : Caractéristiques du modèle d’un comparateur.
MODELE DU COMPARATEUR
Paramètres Nom Valeur Unité
Résistances différentielles R1, R2 10 MΩ
Etage d’Entrée Résistance de mode commun RMC 10 MΩ
Capacité d’entrée Cin+ , Cin- 0,3 pF
Tension d’offset Vo 0 V
Comportement Gain en boucle ouverte Av 83 dB
Fréquentiel Fréquence de coupure (-3dB) fc 1 MHz
Temps de propagation Temps de montée TPLH 85 ns
Temps de descente TPHL 85 ns
Fonction de saturation Saturation basse Vsat- 0 V
Saturation haute Vsat+ 5 V
Etage de sortie Résistance de sortie Rs 35 kΩ
__________________________________________________________________________________________
205
__________________________________________________________________________________________
3. Miroirs de courant à transistors MOS
La Fig. A3-2 représente le modèle utilisé pour les miroirs de courant de type N et de
type P. Ce modèle utilise des transistors MOS de la bibliothèque de PSPICE auxquels nous
avons donné les caractéristiques adéquates compte tenu de la technologie du circuit. Toutes
ces caractéristiques sont données dans la section 6.
Sortie
VDD
Entrée
Entrée Sortie
Miroir NMOS Miroir PMOS
Figure A3-2 : Modèle symbolique des miroirs de courant NMOS et PMOS.
4. Modèle symbolique du circuit d’élaboration des seuils
La Fig. A3-3 représente le circuit qui permet de définir les tensions de seuil Vh et Vb à
partir du macromodèle de l’Aop défini dans la section 1.
2R
E- Vh
S
E+
Aop
Vréf R
R
Vb
E-
S
E+
Aop
Figure A3-3 : Modèle symbolique d’élaboration des tensions seuil.
__________________________________________________________________________________________
206
__________________________________________________________________________________________
5. Cellule de l’interrupteur avec sa commande
Ce circuit utilise le macromodèle du comparateur défini dans la section 2. En ce qui

concerne les portes NOR de la bascule RS, nous les avons choisies dans la bibliothèque de
circuits logiques disponibles dans PSPICE (référence : 74ACT02). Elles sont en technologie
CMOS et leur temps de propagation maximum est d'environ 10 ns. Ce qui signifie que le
temps de propagation du modèle est quasiment identique à celui du système réel.
En fait, nous avons remplacé l’interrupteur et son circuit de commande par un sous-
circuit nommé « SW1 ». Cette modélisation ne sert qu’à alléger le circuit global de manière à
bien distinguer les différentes parties essentielles. Le symbole de l’interrupteur est défini par
le schéma de la figure ci-dessous :
E+
Vh S
E- NOR1
Comparateurs
SW1
Entrée E- NOR2
Vb S
E+
Q
Sortie
VDD
Entrée VDD
Vh
Q
Sortie
Figure A3-4 : Modèle de l’interrupteur avec sa commande.
__________________________________________________________________________________________
207
__________________________________________________________________________________________
5.1. Etude du fonctionnement de l’interrupteur
Pour évaluer ces temps de commutation, nous avons effectué un « zoom » au

niveau de chaque transition et nous avons mesuré le temps qui sépare les points v(t)max et Vh
(seuil haut) d’une part, puis Vb (seuil bas) et v(t)min d’autre part, comme le montre les figures
A3- 5a et A3- 5b.
2,44 V
2,40 V Δto
5,10 5,15 5,20 5,25 5,30

Temps (µs) a)
Δtf
3,72 V
3,68 V Vh
7,35 7,40 7,45 7,50 7,55 7,60

Temps (µs)
b)
Figure A3-5 : Mesures des temps de commutation de l’interrupteur : a) Temps
d’ouverture ; b) Temps de fermeture.
__________________________________________________________________________________________
208
__________________________________________________________________________________________
Nous avons obtenu :

Δto ≈ Δtf = 86 ns
Ce retard introduit donc une erreur sur la période définie par Δtr / T de 8,26 %
où Δtr = 2 (Δto + Δtf).
Nous pouvons également remarquer sur ces figures la présence de discontinuités sur la
tension v(t) au moment de chaque commutation de l’interrupteur. Ces « impulsions » sont
d’une part, dues à une injection de charge par l’intermédiaire des capacités grille-source Cgs et
grille-drain Cgd des transistors constituant l’interrupteur, et d’autre part, à la discontinuité de
tension existant au niveau de la capacité C pendant le laps de temps où les deux interrupteurs
sont tous les deux fermés (cf. Fig. A3-4). Ces discontinuités sont inhérentes à la conception
même de l’interrupteur et de sa commande.
L’erreur introduite par ce phénomène sur la période du signal est de l’ordre de 0,82 %.
Ceci étant, dans notre configuration, cette erreur compense partiellement le retard global, ce
qui signifie qu’elle se soustrait au retard Δtr dû au temps de propagation dans les
comparateurs et dans les portes logiques.
5.2. Voie d’amélioration
Nous en avons déduit qu’il existe une architecture d’interrupteur permettant de

compenser totalement le retard de commutation. Cette architecture consiste à n’utiliser que
deux transistors complémentaires en série (PMOS et NMOS), pilotés par un seul signal de
commande Q de la bascule RS comme le montre la figure suivante :
Commande Logique
Comparateurs Bascule RS
Io
Vh
PMOS NMOS
v(t) C
2Io
Figure A3-6 : Architecture d’un double interrupteur qui compense le retard de

commutation de sa commande.
__________________________________________________________________________________________
209
__________________________________________________________________________________________
La forme d’onde obtenue est décrite sur la Fig. A3-7.
Vh
Vb
Vmax- Vh ΔVc
Figure A3-7 : Forme de l’onde triangulaire obtenue avec une configuration

particulière de l’interrupteur.
Nous pouvons constater que si l’impulsion ΔVc du signal de commande (transmise sur
le signal v(t)) est telle que :
ΔVc = 2 (Vmax - Vh)

c’est-à-dire si la capacité totale vue entre la grille et la source Cgst du transistor PMOS est
égale à :
1
C gst =
VDD − VSS 1
−
2 I o Δt f C
alors Δ tr = 0
Dans notre cas, la valeur de Cgst doit être égale à 0,75 pF ce qui peut se concrétiser par une
capacité placée en parallèle avec Cgs.
__________________________________________________________________________________________
210
__________________________________________________________________________________________
6. Paramètres du modèle du transistor MOS
Définition du modèle des transistors MOS dans PSPICE niveau 2 pour l’utilisation
dans le circuit de l’oscillateur : Utilisation de la technologie ES2.
6.1. Transistor NMOS
.model Mbreakn NMOS (level=2 tox=4e-8 l=2u w=16u vto=0.9 UO=510 UCRIT=1e3
+CGSO=1.5e-10 CGDO=1.5e-10 CGBO=1e-10 CJ=1.1e-4 CJSW=2.5e-10 NSUB=0.53e16
+LD=0.15e-6 UEXP=0.0129 DELTA=1.64 XJ=0.5e-6 VMAX=37.9e3 NEFF=2.74 RSH=40
+JS=100e-6 MJ=0.48 MJSW=0.27 PB=0.45)
6.2. Transistor PMOS
.model Mbreakp PMOS (LEVEL=2 tox=4e-8 l=2u w=16u vto=-0.6 UO=175 UCRIT=4.72e3
+CGSO=2.1e-10 CGDO=2.1e-10 CGBO=1e-10 CJ=3.5e-4 CJSW=4.5e-10 NSUB=1.9e16
+LD=0.2e-6 UEXP=0.0311 DELTA=0.817 XJ=0.6e-6 VMAX=37.2e3 NEFF=10 RSH=50
+JS=100e-6 MJ=0.48 MJSW=0.4 PB=1.04).
__________________________________________________________________________________________
211
Références Bibliographiques
Bibliographie
_________________________________________________________________________________________
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Capteurs à semiconducteurs
Techniques de l’Ingénieur, traité électronique, E 2 310 - 7 (1990).
[1-2] Anne GOUINGUENE, Didier COLAS, J. Christophe ELOY

Microtechnologies et Microsystèmes : Marché mondial et position de la France
Rapport de synthèse pour le ministère de l’industrie, novembre 1995.
[1-3] Georges ASCH

Capteurs en instrumentation industrielle
Dunod, Paris 1982.
[1-4] P. LORENZINI
Characterization of a new device for pressure sensing
Sensors and Actuators, A33 (1992), p 53.
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Piezoresistive pressure sensors based on polycrystalline silicon
Sensors and Actuators, A28 (1991), p 113.
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Etude de faisabilité de capteurs de pression piezoresistifs à jauges en silicium
polycristallin
Thèse de l’Université Paul Sabatier, LAAS-CNRS (1992).
[1-7] G. BLASQUEZ, P. PONS, A. BOUKABACHE

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Sensors and Actuators, 17 (1989), pp. 387-403.
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Micromechanics Europe, MME’96, Barcelona 21-22 october 1996.
[1-9] P. PONS and G. BLASQUEZ

Low-cost high-sensitivity integrated pressure and temperature sensor
Sensors and Actuators A, 41-42 (1994), pp. 398-401.
[1-10] Wen H. KO
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________________________________________________________________________________________
220
Liste des notations
Notations
__________________________________________________________________________________________
A Surface de l’armature fixe de la cellule sensible
α1, α2 Coefficients thermiques d’ordre 1 et d’ordre 2 de la résistance Rréf
Aop Abréviation de Amplificateur opérationnel
β Gain du transistor bipolaire de la source de courant
C Capacité
C0 Ordonnées à l’origine du modèle linéaire de la réponse de la cellule (offset)
Cc Capacité céramique
Cgs, Cgd Capacités grille-source et grille-drain d’un transistor MOS
Ci Capacité intrinsèque de la cellule sensible
Cio Capacité intrinsèque de la cellule sensible à pression nulle
CL Modèle linéaire de la réponse en pression de la cellule
Cm Capacité mesurée à l’impédancemètre
Cp Capacité parasite
Cpe Capacité parasite externe au circuit
Cpi Capacité parasite interne au circuit
Cpm Capacité parasite externe sur la voie de mesure
Cpr Capacité parasite externe sur la voie de référence
CPS Capacité de découplage
Cr Capacité de référence
~
C Expression analytique de la réponse en pression sous forme de polynôme
d Distance inter-armature
ΔCM Variation maximale de la capacité mesurée associée aux fluctuations de P et de θ
Δt1,2 Temps de retard au niveau du seuil haut et du seuil bas
ΔTB Fluctuations de la période associées au bruit de mesure
__________________________________________________________________________________________
223
Notations
__________________________________________________________________________________________
ΔTθ Variation de période due à une variation de température
Δtr Temps de retard intrinsèque au convertisseur
E.M. Etendue de la mesure
εο Permittivité électrique du vide
εp Précision du dispositif de mesure
εR Résolution du dispositif associé au démonstrateur
εr Résolution du dispositif de mesure
(εR)m Résolution sur la voie de mesure
(εR)r Résolution sur la voie de référence
f Fréquence du signal v(t)
fc Fréquence de coupure
fm Fréquence de mesure
foff Fréquence du signal de sortie pour une pression nulle
fr Fréquence de référence
Gi Conductance de fuite de la cellule sensible
Hp Hystérésis en pression de la réponse de la cellule
Hθ Hystérésis en température
IB Courant de base
Ic, Id Courants de charge et de décharge d’une capacité
Ie Courant équivalent de charge et de décharge d’une capacité
If Courant de fuite dévié par la résistance Rin
Io Courant principal délivré par le générateur
KCp Facteur de non-idéalité associé aux capacités parasites
Ki Facteur de non-idéalité lié au courant de fuite
__________________________________________________________________________________________
224
Notations
__________________________________________________________________________________________
NL Nonlinéarité de la réponse en pression
NL(c) Nonlinéarité de la réponse en pression de la cellule sensible
NL(T) Nonlinéarité de la réponse en pression du capteur élémentaire
NL Nonlinéarité moyenne
Nm Nombre associé au compteur sur la voie de mesure
Nr Nombre associé au compteur sur la voie de référence
P Pression
Pe Pression électrostatique
Pmax Pression maximum correspondant au contact des deux armatures de la cellule
PS Perte de sensibilité
θ Température
Q, Q Signaux de sortie du système logique de commande des interrupteurs
R Réponse du capteur ratiométrique
R.P.E. Réponse pleine échelle
R1, R6 Réponses du capteur pour Ro=1 et Ro=6
Ra Résistance d’accès à la capacité de la cellule sensible
Rc Rapport cyclique
RD Réponse du capteur à mesure différentielle
Ri Résistance de fuite de la cellule sensible
Rin Résistance équivalente d’entrée des comparateurs
RLin Modèle linéaire de la réponse du capteur ratiométrique
Ro Rapport de base défini par Cr/Cio
Roff Ordonnée à l’origine du modèle linéaire de la réponse du capteur ratiométrique
RR Réponse du capteur à mesure ratiométrique
__________________________________________________________________________________________
225
Notations
__________________________________________________________________________________________
Rréf Résistance de référence dans la source de courant
Rt Résistance de test
S Sensibilité
~
S Sensibilité à la pression définie par la pente de la droite des extrêmes
S(c) Sensibilité à la pression de la cellule sensible (en pF/bar)
S(f) Sensibilité à la pression du capteur élémentaire (en kHz/bar)
S(T) Sensibilité à la pression du capteur élémentaire (en µs/bar)
S(Tc) Sensibilité du convertisseur (en µs/pF)
Sid Sensibilité du capteur idéal
τ Constante de temps définie par la capacité mesurée C et la résistance Rin
T Période du signal v(t)
t Temps
tc Temps de charge d’une capacité
TC[X] Coefficient de température de la variable X
td Temps de décharge d’une capacité
Tid Période du capteur idéal
To Période à capacité nulle
Toff Période à pression nulle du modèle linéaire
TP Temps de propagation
Uhb Différence de potentiel entre le niveau haut et le niveau bas
Um Amplitude du signal de mesure à l’impédancemètre
v(t) Tension aux bornes de la capacité mesurée en fonction du temps
Vb Potentiel de seuil au niveau bas
VDD Potentiel haut de l’alimentation
Vh Potentiel de seuil au niveau haut
__________________________________________________________________________________________
226
Notations
__________________________________________________________________________________________
Vp Tension de perte dans l’amplificateur opérationnel
Vréf Potentiel de référence
Vsat Potentiel de saturation d’un amplificateur opérationnel
VSS Potentiel bas de l’alimentation
W Largeur de canal d’un transistor MOS
ω Pulsation du signal de mesure
w(x,y) Déflexion de la membrane au point de coordonnées (x,y)
|Z| Module de l’impédance équivalente de la cellule et du montage
|Zc| Module de l’impédance équivalente à toutes les capacités associées à celles de mesure
|ZR| Module de l’impédance équivalente à toutes les résistances associées à Rin (Req)
__________________________________________________________________________________________
227
Liste des illustrations
Pages
Figure 1. 1 : Synoptique d’un capteur de pression. 4
Figure 1. 2 : Transformation du signal issu du corps d’épreuve en signal 6

mesurable : méthodes de traduction.
Figure 2. 1 : Structure de la cellule sensible capacitive. 19
Figure 2. 2 : Photographie de la cellule sensible réalisée au LAAS montée sur 21

une embase de type TO3.
Figure 2. 3 : Modèle électrique de la cellule sensible 22
Figure 2. 4 : Schéma du dispositif expérimental de caractérisation de la cellule 23

sensible.
Figure 2. 5 : Vue en coupe schématique du montage des cellules et localisation 24

des capacités parasites.
Figure 2. 6a : Schéma électrique équivalent de l’impédance vue entre A et B. 25
Figure 2. 6b : Schéma équivalent effectif de la cellule avec son montage lorsque 26

l’embase est reliée à la masse.
Figure 2. 7 : Schématisation du comportement en fréquence de l’impédance 27

équivalente à la cellule sensible et du montage.
Figure 2. 8 : Mesures de la capacité Cm et de sa conductance parallèle Gi en 29

fonction de la fréquence Um = 1 V.
Figure 2. 9 : Variation de la capacité mesurée en fonction de Um à fm = 100 kHz. 30
Figure 2. 10 : Réponse en pression à température ambiante d’une cellule sensible 32

capacitive.
Figure 2. 11 : Modélisation de la réponse de la cellule sensible. 33
Figure 2. 12 : Réponse en pression de la cellule sensible pour des températures 35

comprises entre -10°C et 90°C.
Figure 2. 13 : Dérive thermique de l’offset. 36
Figure 2. 14 : Dérive thermique de la sensibilité. 37
Figure 2. 15 : Nonlinéarité de la réponse en fonction de la pression et paramétrée 38

en température.
Figure 2. 16 : Hystérésis en pression à température ambiante. 42
Figure 2. 17 : Hystérésis en température à pression atmosphérique. 43
Pages
__________________________________________________________________________________________
231
Figure 2. 18 : Définition des points de mesure pour l’étude de la reproductibilité. 44
Figure 2. 19 : Reproductibilité de la mesure Cm à P = 1 bar. 44
Figure 2. 20 : Reproductibilité de la mesure de Cm à P = 6 bars. 45
Figure 2. 21a : Stabilité de la réponse au cours du temps d’une cellule soumise au 46

cycle de pression : 1 bar, 6 bars, 1 bar.
Figure 2. 21b : Dérive temporelle suite au front montant (passage de 1 bar 46

à 6 bars).
Figure 2. 21c : Dérive temporelle suite au front descendant (passage de 6 bars 47

à 1 bar).
Figure 2. 22a : Réponse temporelle au cours du cycle 25°C, 90°C, -10°C, 48

à pression atmosphérique.
Figure 2. 22b : Dérive temporelle suite à un front montant de température 48

(25°C => 90°C).
Figure 2. 22c : Dérive temporelle suite à front descendant de température 49

(90°C => -10°C).
Figure 3. 1 : Principe de fonctionnement de l’oscillateur. 55
Figure 3. 2 : Allure de la tension aux bornes de la capacité. 56
Figure 3. 3 : Générateur des seuils de tension Vh et Vb. 57
Figure 3. 4 : Schéma électrique du générateur de courant. 58
Figure 3. 5 : Schéma électrique de la source de courant de décharge. 59
Figure 3. 6 : Schéma électrique de l’interrupteur. 60
Figure 3. 7 : Schéma électrique du circuit de commande de l’interrupteur. 61
Figure 3. 8 : Modèle électrique de l’oscillateur sur PSPICE. 63
Figure 3. 9 : Simulation de la tension v(t) aux bornes d’une capacité de 34 pF. 65
Figure 3. 10 : Courant dans la capacité au cours du temps. 67
Figure 3. 11a : Courant dans la capacité au cours du temps pendant 68

la charge de C.
Figure 3. 11b : Courant dans la capacité au cours du temps pendant 68

la décharge de C.
Pages
__________________________________________________________________________________________
232
Figure 3. 12 : Modélisation du courant de fuite pendant la charge 69
et la décharge de C.
Figure 3. 13 : Analyse transitoire de la tension aux bornes de différentes 72

capacités à température ambiante.
Figure 3. 14 : Réponse du convertisseur à température ambiante. 73
Figure 3. 15 : Dérives thermiques des périodes pour différentes capacités et 75

dérive thermique de la résistance Rréf. (les valeurs sont normalisées
par rapport aux valeurs prises à 25°C).
Figure 3. 16 : Effet de la température sur le signal v(t) en ne considérant que la 76

variation de Rréf.
Figure 3. 17 : Dérive thermique de la période de v(t) pour C = 34 pF. 76
Figure 3. 18 : Schéma du dispositif expérimental utilisé pour la caractérisation du 77

convertisseur Capacité/Fréquence.
Figure 3. 19 : Synoptique du dispositif d’accès à la mesure du circuit. 79
Figure 3. 20 : Bruit de mesure du dispositif avec une capacité céramique 81

de 34 pF ; a) mesures de la période T ; b) mesures de la fréquence
f.
Figure 3. 21 : Dérives thermiques des capacités céramiques de Cc par rapport aux 82

valeurs prises à 30°C.
Figure 3. 22 : Variation relative du courant de charge en fonction de la tension 84

d’alimentation à température ambiante.
Figure 3. 23 : Variation relative de la période en fonction de la tension 85

d’alimentation.
Figure 3. 24 : Variation du courant Ic en fonction de la température. 86
Figure 3. 25 : Sensibilité à la température de la période du signal mesuré aux 87

bornes d’une capacité fixe de 34 pF entre -10°C et 90°C.
Figure 3. 26 : Dérive temporelle de la période après la mise sous tension. 88
Figure 3. 27 : Dérive temporelle de l’oscillateur à la suite d’une variation de 89

température de 25°C à 90°C.
Figure 3. 28 : Effet de l’humidité sur le comportement thermique d’un oscillateur. 90
Figure 3. 29 : Réponse du convertisseur. 91
Figure 3. 30 : Réponse de l’oscillateur de mesure paramétrée en température. 92
__________________________________________________________________________________________
233
Pages
Figure 3. 31 : Comparaison entre les périodes normalisées par rapport à 25°C 96

obtenues par la simulation et par les mesures expérimentales.
Figure 3. 32 : Comparaison des coefficients TC[Io], TC[Ic] et TC[T]. 97
Figure 3. 33 : Allure de la dérive thermique du courant de fuite If. 98
Figure 3. 34 : Comportement thermique de la capacité parasite globale du circuit 99

et dispositif d’interface.
Figure 4. 1 : Schéma de principe du démonstrateur de capteur de pression 105

capacitif à sortie fréquentielle.
Figure 4. 2 : Résultats expérimentaux de la période en fonction de 109

la pression à 30°C.
Figure 4. 3 : Résultats expérimentaux de la fréquence en fonction de 110

la pression à 30° C.
Figure 4. 4 : Nonlinéarité de la période, de la fréquence et de l’inverse de la 111

cellule sensible en fonction de la pression.
Figure 4. 5 : Réponse du démonstrateur élémentaire à différentes températures. 112
Figure 4. 6 : Variation en température de l’offset du capteur. 113
Figure 4. 7 : Comparaison des coefficients de température du démonstrateur et 113

de la cellule sensible.
Figure 4. 8 : Dérive thermique de la sensibilité du démonstrateur. 114
Figure 4. 9 : Nonlinéarité de la réponse du démonstrateur pour trois 115

températures différentes : -10°C, 30°C et 90°C.
Figure 4. 10 : Comparaison des variations des coefficients de température de 119

l’offset simulé et expérimental du capteur élémentaire.
Figure 4. 11 : Comparaison des coefficients de température de la sensibilité 119

simulée et mesurée du capteur élémentaire.
Figure 4. 12 : Variation relative de la fréquence au repos en fonction d’une 120

variation relative de la résistance Rréf de la source de courant.
Figure 4. 13 : Influence d’une variation de la différence de potentiel (Vh - Vb) sur 121
la fréquence de repos.
Figure 4. 14 : Variation relative de la fréquence de repos en fonction d’une 122

variation relative de la tension de référence.
__________________________________________________________________________________________
234
Pages
Figure 4. 15 : Variation relative de la sensibilité du capteur élémentaire en 123

fonction de la variation relative de la résistance Rréf.
Figure 4. 16 : Variation relative de la sensibilité en fonction de celle de Uhb. 124
Figure 4. 17 : Variation relative de la sensibilité du capteur élémentaire en 125

fonction du rapport de la résistance d’entrée des comparateurs et de
l’impédance équivalente de la cellule en parallèle avec toutes celles
liées au montage.
Figure 4. 18 : Variation de la sensibilité du capteur élémentaire en fonction du 126

rapport Cpe/Cio.
Figure 4. 19 : Nonlinéarité normalisée par rapport à la réponse pleine échelle du 127

capteur élémentaire en fonction du rapport Rin/⎟Zc⎢.
Figure 4. 20 : Nonlinéarité normalisée par rapport à la réponse pleine échelle du 128

capteur en fonction du paramètre Cpe/Cio.
Figure 4. 21 : Comparaison des coefficients de température de l’offset 129

« théorique » et expérimental du capteur élémentaire.
Figure 4. 22 : Comparaison des coefficients de température de la sensibilité 130

théorique et expérimentale du démonstrateur.
Figure 5. 1 : Réponse théorique du capteur de pression ratiométrique pour des 136

températures comprises entre -10°C et 90°C.
Figure 5. 2 : Schéma de principe du démonstrateur à 4 puces. 138
Figure 5. 3 : Réponse en pression paramétrée en température du démonstrateur : 139

a) Cr1 ≈ Cio ; b) Cr2 ≈ 6Cio. 140
Figure 5. 4 : Comparaison des nonlinéarités du capteur ratiométrique pour deux 141

valeurs différentes de Cr et du capteur « idéal ».
Figure 5. 5 : Comparaison des dérives thermiques de l’offset du démonstrateur 142

dans les deux configurations étudiées.
Figure 5. 6 : Comparaison des coefficients de température de la réponse à 0 bar 143

du capteur élémentaire et du capteur ratiométrique dans les deux
cas de figures particulières (R1 et R6).
Figure 5. 7 : Comparaison des dérives thermiques de la sensibilité du 144

démonstrateur dans les deux configurations étudiées.
Figure 5. 8 : Sensibilité de l’offset à une variation de courant Io pour différentes 145

valeurs de Cr.
Figure 5. 9 : Sensibilité de l’offset à une variation de Uhb sur les deux voies. 147
Pages
__________________________________________________________________________________________
235
Figure 5. 10 : Erreur sur la réponse en pression introduite par le temps de retard 149
Δtr dans le cas où Cr = Cio = 34 pF.
Figure 5. 11 : Variation relative de la sensibilité en fonction de la valeur du 150

rapport Cr/Cio
Figure 5. 12 : Coefficient de température de l’offset en fonction de la valeur Ro. 152
Figure 5. 13 : Coefficient de température de la sensibilité à 30°C en fonction de 153

la valeur de Ro.
Figure 5. 14 : Perte de sensibilité en fonction des capacités parasites introduites 154

sur les deux voies de mesure pour deux valeurs différentes de
l’offset.
Figure 5. 15 : Variation de la nonlinéarité maximum à 30°C en fonction des 155

capacités parasites externes identiques sur les deux voies de
mesure.
Figure 5. 16 : Perte de sensibilité à la pression en fonction des capacités parasites 156

sur chaque voie (Cpm : symboles pleins ; Cpr : symboles vides) pour
Ro ≈ 1 et Ro ≈ 6.
Figure 5. 17 : Variation de la nonlinéarité maximum en fonction des capacités 157

parasites sur la voie de mesure et sur la voie de référence prises
séparément.
Figure 5. 18 : Principe du capteur de pression ratiométrique à deux puces. 159
Figure 5. 19 : Schéma représentatif des armatures fixes de la cellule sensible 159

intégrant une capacité de mesure et une de référence.
Figure 5. 20 : Réponse en pression à température ambiante de la capacité de 160

mesure (Ci) et de celle de référence (Cr).
Figure 5. 21 : Réponse en pression paramétrée en température du rapport Cr/Ci. 160
Figure 5. 22 : Schéma général du principe du capteur « semi-intégré ». 161
Figure 5. 23 : Photographie vue du dessus du démonstrateur réalisé à l’IXL. 162
Figure 5. 24 : Comparaison des résultats de la réponse en pression à température 163

ambiante du capteur ratiométrique idéal et expérimental.
Figure 5. 25 : Schématisation des signaux de sortie des oscillateurs observés à 164

l’oscilloscope.
Figure 5. 26 : Modèle du capteur de pression ratiométrique sur PSPICE. 165
Pages
__________________________________________________________________________________________
236
Figure 5. 27 : Simulation de l’influence d’un oscillateur sur l’autre au moment 166
d’une commutation ; grossissement sur les signaux triangulaires de
mesure et de référence.
Figure 5. 28 : Simulation de l’influence de la largeur de canal des transistors 167

MOS sur la déformation du signal triangulaire due à la
commutation des portes logiques.
Figure 5. 29 : Simulation de l’influence de la capacité CPS sur le couplage entre 168

les oscillateurs.
Figure 5. 30 : Exemple de réponse à température ambiante du capteur miniature. 169
Figure A1- 1 : Fluctuations de la tension d’alimentation au cours du temps après 187

sa mise en route.
Figure A1- 2 : Etalonnage de la résistance en fonction de la température mesurée 188

par le thermomètre (Fluke 51).
Figure A1- 3 : Schéma simplifié du fonctionnement de l’analyseur d’impédance. 191
Figure A1- 4 : Précision relative des mesures en fonction de la fréquence mesurée 196
et de la gamme utilisée.
Figure A2- 1 : Vue en coupe schématique du montage des cellules et localisation 197
des capacités parasites.
Figure A2- 2 : Schéma électrique équivalent de l’impédance vue entre A et B. 198
Figure A2- 3 : Variation en température de la capacité parasite de couplage (C2). 199
Figure A2- 4 : Variation en température de la capacité introduite par une perle de 200
verre d’isolation (C3).
Figure A2- 5 : Variation en température de la capacité de l’échantillon de test d’un 201

substrat de Pyrex métallisé sur les deux faces.
Figure A2- 6 : Dérive thermique de la capacité parasite équivalente du montage. 202
Figure A3- 1 : Macromodèle de l’amplificateur opérationnel. 203
Figure A3- 2 : Modèle symbolique des miroirs de courant NMOS et PMOS. 206
Figure A3- 3 : Modèle symbolique d’élaboration des tensions seuil. 206
Figure A3- 4 : Modèle de l’interrupteur avec sa commande. 207
Figure A3- 5 : Mesures des temps de commutation de l’interrupteur : a) Temps 208

d’ouverture ; b) Temps de fermeture.
Pages
__________________________________________________________________________________________
237
Figure A3- 6 : Architecture d’un double interrupteur qui compense le retard de 209
commutation de sa commande.
Figure A3- 7 : Forme de l’onde triangulaire obtenue avec une configuration 210
particulière de l’interrupteur.
__________________________________________________________________________________________
238
Liste des tableaux
Pages
Tableau 1- 1 : Différentes technologies de circuits possibles suivant le type de 8

cellule sensible et suivant le signal de sortie désiré.
Tableau 1- 2 : Fonctions et finalités des capteurs de pression dans l’automobile. 11
Tableau 1- 3 : Cahier des charges du démonstrateur de capteur de pression pour 12

applications automobiles.
Tableau 1- 4 : Choix technologiques pour la réalisation du démonstrateur. 13
Tableau 2- 1 : Principales caractéristiques du matériel utilisé. 23
Tableau 2- 2 : Evolution des caractéristiques S et NL en fonction de l’étendue 34

de la plage de pression considérée (E.M.).
Tableau 2- 3 : Précision des appareils de mesures et différentes fluctuations. 40
Tableau 2- 4 : Précision globale de la mesure de la cellule capacitive. 41
Tableau 2- 5 : Principales caractéristiques de la cellule sensible capacitive. 51
Tableau 3- 1 : Fonctionnement du système de commande de l’interrupteur au cours 61

d’une période de v(t).
Tableau 3- 2 : Comparaison entre les valeurs du modèle et les valeurs cibles. 64
Tableau 3- 3 : Principales caractéristiques du matériel utilisé. 78
Tableau 3- 4 : Caractéristiques du circuit convertisseur. 100
Tableau 4- 1 : Rappel des fluctuations maximales introduites par les régulations en 107
pression et en température et du bruit de mesure sur la période.
Tableau 4- 2 : Comparaison entre les valeurs expérimentales et simulées 118

de Ie et Cp à 30°C.
Tableau 4- 3 : Comparaison des valeurs simulées et expérimentales de la sensibilité à 118

la pression S et de la nonlinéarité normalisée moyenne NL .
Tableau 4- 4 : Principales caractéristiques du démonstrateur réalisé ainsi que 131

d’un capteur élémentaire « idéal ».
Tableau 5- 1 : Caractéristiques optimales en pression du capteur ratiométrique à 137

partir de celles de la cellule sensible.
Tableau 5- 2 : Comparaison des sensibilités à la pression du capteur ratiométrique 141

dans le cas où Cr ≈ Cio et Cr ≈ 6Cio.
Tableau 5- 3 : Tableau des caractéristiques du capteur ratiométrique. 172
__________________________________________________________________________________________
241
Pages
Tableau A1- 1 : Caractéristiques des systèmes de génération et de mesure de pression. 189
Tableau A1- 2 : Gammes des valeurs mesurables par l’impédancemètre. 191
Tableau A1- 3 : Précision de la mesure de la capacité de la cellule sensible en fonction 192

de la fréquence avec Um = 1V.
Tableau A1- 4 : Précision de la mesure de la capacité de la cellule sensible en fonction 193

de la tension avec fm = 100 kHz.
Tableau A3- 1 : Caractéristiques du modèle de l’amplificateur opérationnel. 204
Tableau A3- 2 : Caractéristiques du modèle d’un comparateur. 205
__________________________________________________________________________________________
242
Thèse de Monsieur Philippe MENINI
Faisabilité d’un capteur de pression capacitif miniature sur silicium
RESUME
Le capteur de pression étudié résulte de l’assemblage hybride d’une cellule sensible capacitive en
technologie Silicium/Pyrex et d’un convertisseur capacité/fréquence basé sur le principe de la charge et de la
décharge d’une capacité à courant constant. La modélisation de la réponse de chacune des deux parties
permet d’établir la fonction de transfert du capteur. La détermination précise des différents paramètres
s’effectue à partir d’une approche mixte fondée sur la simulation numérique et sur la caractérisation
expérimentale de la cellule et du circuit. L’étude des comportements d’un montage inverseur et d’une
architecture ratiométrique montre la faisabilité d’un capteur dans lequel la nonlinéarité et les dérives
thermiques s’autocompensent en grande partie. Dans une plage de fréquence de l’ordre de dix pour-cent de la
fréquence à pression nulle, le démonstrateur de capteur présente une nonlinéarité inférieure à 1 % et une
dérive thermique de vingt parties par million et par degré Celsius. La simulation numérique indique que pour
optimiser les performances du capteur ratiométrique, il faut que les deux voies de référence et de mesure
soient identiques. Cet optimum peut être quasiment atteint en intégrant sur un substrat commun de silicium
les deux convertisseurs. Les essais expérimentaux révèlent également des phénomènes d’interférences entre
les oscillateurs véhiculés au travers des capacités de recouvrement des transistors MOS. La minimisation de
ce problème peut s’obtenir en ajoutant une capacité de découplage suffisamment grande entre les oscillateurs.
L’ensemble de ces résultats obtenus permet de conclure que les principes et les technologies utilisées sont
adéquats pour développer une nouvelle famille de capteurs de pression miniatures relativement précis (de
l’ordre de 1 % de l’étendue de mesure), peu coûteux et facilement interfaçables avec des réseaux de
communication numériques.
MOTS CLES :
Capteur, Pression, Capacitif, Circuit de traitement, Convertisseur capacité/fréquence, Modélisation, Micro-

électronique, Microsystèmes.
Feasibility of miniature capacitive pressure sensor on silicon.
ABSTRACT
The pressure sensor described here is an hybrid association of a capacitive sensing cell in
Silicium/Pyrex technology, and a capacitance/frequency transducer based on the charge and the discharge of
a capacitor with constant current. The modelling response of each part allows us to explicit the transfer
function of the sensor. Accurate evaluation of different parameters is achieve by both numerical simulation
and experimental characterisation of the sensing cell and the electronic circuit. Studies on a simple and a
ratiometric architecture show the feasibility of pressure sensor which is able to mainly self-compensate
nonlinearity and drifts. In the range of ten percent of the offset frequency, the demonstrator nonlinearity is
less than one percent and its thermal coefficient is about twenty parts of million by Celsius degree.
Numerical simulations show that to optimise ratiometric sensor performances, it is necessary to use identical
ways of measuring both signals : the reference one and the measure one. These optimal performances can be
obtained by integrating both converters on the same silicon substrate. Experimental results also point out
several problems of interference between oscillators through grid-to-channel capacitances. One way to
minimise these coupling effects is to add a decoupling capacitance.
All the results obtained allow us to conclude that measurement principles and the associated technologies
used are adequate to develop a new family of miniature pressure sensor which can be relatively accurate
(about 1% of the full scale), cheap and easily connected with numeric communication networks.
KEY WORDS :
Sensors, Pressure, Capacitive, Transducer, Capacitance/Frequency Converter, Modelling, Micro-electronic,

Microsystems.

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Faisabilité d’un capteur de pression capacitif miniature

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HAL Id: tel-00132443

HAL is a multi-disciplinary open access L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est

LABORATOIRE D’ANALYSE et D’ARCHITECTURE DES SYSTEMES DU

DOCTEUR de L’UNIVERSITE PAUL SABATIER de

FAISABILITE D’UN CAPTEUR DE PRESSION

Soutenue le 11 février 1998 devant la Commission d’Examen :

- Y. SALAMERO, Professeur de l’Université Paul Sabatier (Président)

- J. P. BLANC, Professeur de l’Université Blaise Pascal (Rapporteur)

- Y. DANTO, Professeur de l’Université Bordeaux 1 (Rapporteur)

- Ph. DONDON, Maître de Conférences à l’ENSERB (Examinateur)

- G. BLASQUEZ, Directeur de Recherche au CNRS (Directeur de thèse)

Rapport LAAS n° 98045

Je remercie également Monsieur A. MARTINEZ, Professeur de l’Institut National

Que Monsieur Yves SALAMERO, Professeur à l’Université Paul Sabatier soit

J’exprime toute ma reconnaissance à Monsieur J.P. BLANC, Professeur à

Que Monsieur Ph. DONDON, Maître de Conférences à l’ENSERB soit également

Je tiens à exprimer ma profonde reconnaissance à Monsieur G. BLASQUEZ,

- Messieurs S. MATHIEU, C. LAJOINIE et D. DAURAT pour leur

- L’ensemble du personnel de la documentation ainsi que C. BERTY, A.

- Tout le personnel du service « magasin et maintenance » sans qui nous

Je ne saurais terminer sans remercier l’ensemble des permanents et thésards du

1.3. Les circuits de traitement .................................................................................8

Chapitre 2 : Etude de la Cellule Sensible Capacitive

2.2. Description du dispositif de mesure et de test ..........................................22

2.3. Caractérisation de la cellule sensible ..........................................................26

Chapitre 3 : Etude du convertisseur Capacité/Fréquence

3.2. Modélisation de l’oscillateur .........................................................................62

3.3. Simulation du comportement du convertisseur ........................................64

3.4. Caractérisation ..................................................................................................77

3.5. Analyse des résultats .......................................................................................93

Conclusion .............................................................................................................. 100

Chapitre 4 : Etude du capteur de pression élémentaire

4.1. Modèle de la fonction de transfert du capteur ....................................... 105

4.2. Résultats expérimentaux ............................................................................. 107

4.3. Potentialités et limites du capteur élémentaire ...................................... 116

Conclusion ........................................................................................................................ 131

Chapitre 5 : Etude du capteur de pression ratiométrique

5.2. Comportement du capteur ratiométrique « idéal » ............................... 136

5.3. Etude expérimentale du capteur ratiométrique ...................................... 137

5.4. Analyse comportementale par la simulation et la modélisation ........ 144

5.5. Intégration du capteur ratiométrique ........................................................ 158

Conclusion .............................................................................................................. 171

Conclusion générale ................................................................................................. 177

Références bibliographiques ............................................................................... 215

Liste des notations .................................................................................................... 223

Liste des illustrations ............................................................................................... 231

Liste des tableaux ...................................................................................................... 241

La pression est un paramètre important dans de nombreuses disciplines comme la

C’est dans cette dynamique que le programme de recherche européen

1.1. Définition d’un capteur de pression

Cellule Sensible Circuit Electronique

Déformation du corps Transformation en

Figure 1. 1 : Synoptique d’un capteur de pression.

1.2. Evolution des principes de détection

La conception d’un capteur de pression passe par des choix techniques et

1.2.1. Les corps d’épreuve

A) Avant les années 70

B) A partir des années 70