Aide à la conception de lignes microrubans à onde lente

sur substrat structuré dans les bandes RF et

millimétriques : applications aux coupleurs et dispositifs
passifs non-réciproques
Duc Long Luong

To cite this version:

Duc Long Luong. Aide à la conception de lignes microrubans à onde lente sur substrat structuré dans
les bandes RF et millimétriques : applications aux coupleurs et dispositifs passifs non-réciproques.
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lyon, 2018. Français. �NNT : 2018LY-
SES007�. �tel-02292891�

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 N° d’ordre NNT : 2018LYSES007

THESE de DOCTORAT DE L’UNIVERSITE DE LYON

opérée au sein de
Université Jean Monnet, Saint Etienne

Ecole Doctorale N° 448

Science Ingénierie et Santé

Spécialité de doctorat : Hyperfréquences

Soutenue publiquement le 12/04/2018, par :

Duc-Long LUONG

Aide à la conception de lignes microrubans

à onde lente sur substrat structuré
dans les bandes RF et millimétriques :
applications aux coupleurs et
dispositifs passifs non-réciproques

Thèse dirigée par « Didier VINCENT » et codirigée par « Florence PODEVIN »

Devant le jury composé de :

Prof. Philippe Ferrari Université Grenoble-Alpes Président de Jury

Prof. Annie Bessaudou Université de Limoges Rapporteuse
Dr. Gaëtan Prigent Université Toulouse INP Rapporteur
Dr. Anne-Laure Perrier Université Savoie Mont-Blanc Examinatrice
Prof. Didier Vincent Université Jean Monnet, St Etienne Directeur de thèse
Dr. Florence Podevin Université Grenoble-Alpes Co-directrice de thèse
2
 REMERCIEMENTS
REMERCIEMENTS

Je souhaite tout d’abord remercier chacun des membres de mon jury de thèse d’avoir accepté
de consacrer du temps à l’examen de mes travaux de recherche.

Je tiens à adresser toute ma reconnaissance à mes encadrants de thèse, Florence Podevin et

Didier Vincent, pour leur aide très précieuse durant ces trois années. Leurs qualités humaines, leurs
nombreuses idées, leurs compétences scientifiques et leurs expériences ont assuré le succès de ce
travail.

J’adresse également ma reconnaissance les plus chaleureuses à Monsieur Philipe Ferrari pour
avoir apporté toute sa connaissance et son expérience et avoir largement contribué à travers ses
remarques intéressantes à l’avancement de ce travail.

Madame la Professeure Annie Bessaudou et Monsieur Gaëtan Prigent m’ont fait l’honneur
d’être les rapporteurs de ma thèse. J'adresse également mes remerciements à Madame Anne-Laure
Perrier qui a accepté d’examiner ce travail et de faire partie de mon jury. Qu’ils trouvent ici,
l’expression de ma profonde gratitude pour l’intérêt qu’ils ont bien voulu porté à ce travail.

Merci également à tous les membres de l’équipe RFM pour les échanges toujours très
enrichissants que nous avons pu avoir et particulièrement, un grand merci à Nicolas Corrao pour
son aide sur le plan expérimental. Je pense à Emmanuel, Matthieu, Fréd, Isaac, Anh-Tú, Mirna,
Walid, José, Victoria, Giuseppe, Jean-Daniel, Tan-Phu, Hanh-Ngân, Nhu-Huân...

Mes pensées vont aussi aux différents membres du bureau A286 (Virginie, Nimisha, Ran,
Harold, Ali) pour leur bonne humeur quotidienne.

Je ne saurais oublier l’ensemble des membres du laboratoire que j’ai eu la chance de côtoyer ces
trois années ainsi que les personnels techniques et administratifs pour leur aide toujours rapide et
efficace.

Et pour finir, je remercie de tout mon cœur ma famille, ma femme Kiêu-Trang et ma fille
Minh-Khuê Céline de m’avoir toujours encouragée et de m’accompagner chaque jour.

3
4
 TABLE DE MATIERES

INTRODUCTION GENERALE ..........................................................................................................................................9

CHAPITRE 1. PRESENTATION ET ETAT DE L’ART DES LIGNES DE TRANSMISSION

MINIATURISEES .......................................................................................................................................................... 11

1.1 Quelques nouvelles applications en RF et millimétriques .......................................................... 12

1.2 Lignes de propagation compactes à fort facteur de qualité ........................................................ 15

1.2.1 Inconvénients des lignes de propagation classiques ........................................................ 15

1.2.2 Modèle des télégraphistes des lignes de propagation ...................................................... 16

1.3 Techniques de miniaturisation localisée des lignes de transmission..................................... 18

1.3.1 Modification de la géométrie de la ligne de propagation ................................................ 19

1.3.2 Miniaturisation de la ligne de propagation en façon physique ..................................... 21

1.3.3 Substrats à haute permittivité relative ................................................................................... 25

1.4 Lignes de transmission à ondes lentes distribuées ........................................................................ 27

1.4.1 Historique de développement des lignes de transmission à ondes lentes .............. 27

1.4.2 Comparaison de performance des lignes de transmission à ondes lentes............... 33

1.4.3 Conclusion quant à l’étude historique : impact sur mon travail de thèse ................ 34

1.5 Lignes couplées ............................................................................................................................................. 36

1.5.1 Topologie et modèle électrique des lignes couplées ......................................................... 36

1.5.2 Coupleurs co-directifs et contra-directifs .............................................................................. 39

1.5.3 Intérêt des ondes lentes pour les lignes couplées .............................................................. 40

CHAPITRE 2. LIGNE MICRORUBAN A ONDE LENTE SUR SUBSTRAT STRUCTURE, RF ET

MILLIMETRIQUE ............................................................................................................................................................. 44

5
 2.1 Principe des lignes microruban à onde lente sur substrat structuré ..................................... 44

2.2 Technologies .................................................................................................................................................. 47

2.2.1 RF : PCB structuré ............................................................................................................................ 47

2.2.2 Millimétrique : membrane nanoporeuse ............................................................................... 49

2.3 Simulations électromagnétiques ........................................................................................................... 52

2.3.1 Extraction des paramètres ........................................................................................................... 52

2.3.2 Analyse de la flexibilité de positionnement sur le substrat structuré ....................... 54

2.4 Développement d’un modèle analytique ............................................................................................ 56

2.4.1 RF : PCB ................................................................................................................................................ 56

2.4.2 Millimétrique : membrane nanoporeuse ............................................................................... 71

2.4.3 Sensibilité du modèle électrique ............................................................................................... 78

2.5 Aide au design ................................................................................................................................................ 85

2.5.1 Abaque en RF, structure PCB ...................................................................................................... 85

2.5.2 Abaque en millimétrique, structure à nanofils .................................................................... 86

2.6 Application au coupleur hybride ........................................................................................................... 87

2.6.1 Conception et réalisation d’un coupleur hybride miniaturisé basé sur les lignes
microruban à ondes lentes........................................................................................................... 87

2.6.2 Comparaison avec l’état de l’art ................................................................................................. 89

CHAPITRE 3. LIGNES COUPLEES MICRORUBAN A ONDE LENTE RF ........................................................ 91

3.1 Principe des lignes microruban couplées à ondes lentes ............................................................ 91

3.2 Simulation électromagnétique ................................................................................................................ 93

3.3 Développement d’un modèle analytique ............................................................................................ 94

3.3.1 Analyse des phénomènes physiques et circuit équivalent proposé ........................... 94

6
 3.3.2 Calcul des éléments ......................................................................................................................... 96

3.4 Aide au design / Abaque en RF ............................................................................................................... 98

3.5 Application au coupleur co-directif miniaturisé .......................................................................... 100

CHAPITRE 4. APPLICATION DES LIGNES A ONDE LENTE AUX DISPOSITIFS PASSIFS NON
RECIPROQUES : ISOLATEUR MICRORUBAN ET CIRCULATEUR MICRORUBAN MINIATURISE .. 103

4.1 Physique des effets non-réciproques en hyperfréquences ...................................................... 103

4.1.1 Les ferrites utilisées dans le domaine hyperfréquence ................................................ 103

4.1.2 Phénomène de résonance gyromagnétique ....................................................................... 104

4.1.3 Effet de déplacement de champ .............................................................................................. 110

4.2 Isolateurs hyperfréquences .................................................................................................................. 111

4.2.1 Principe de fonctionnement d’un isolateur hyperfréquence ...................................... 111

4.2.2 Topologies d’isolateurs passifs hyperfréquence.............................................................. 112

4.2.3 Nouvelle conception d’un isolateur en technologie microruban à ondes lentes 117

4.3 Circulateurs hyperfréquences à jonction Y .................................................................................... 120

4.3.1 Principe de fonctionnement du circulateur hyperfréquence ..................................... 120

4.3.2 Plusieurs topologies de réalisation de circulateur hyperfréquence à jonction Y122

4.3.3 Nouvelle conception d’un circulateur en techno microruban à ondes lentes...... 124

4.4 Conclusion .................................................................................................................................................... 127

CONCLUSION GENERALE ......................................................................................................................................... 129

BIBLIOGRAPHIE ........................................................................................................................................................... 132

RESUME ................................................................................................................................................................. 147

7
8
 INTRODUCTION GENERALE

Au début des années 2000, nous avons vu l’émergence de nouvelles applications opérant
aux fréquences millimétriques et au-delà, entre 30 et 300 GHz, principalement à cause de
l’augmentation ininterrompue des flux d’information et à l’accroissement inextinguible de la
demande en bande-passante. Tout cela suppose un développement important de composants
compacts, bon marchés, faible consommation et performants basés sur l‘évolution de nouvelles
technologies et sur la montée en fréquence. En effet, le spectre électromagnétique millimétrique
peut fournir beaucoup d’avantages pour l'industrie en raison de larges bandes passantes pour le
haut-débit et d’une résolution accrue, de l’ordre du millimétrique.

Les dispositifs hyperfréquences comprennent deux catégories principales de composants

qui jouent un rôle vital dans leur fonctionnement : actifs et passifs. L’impact et l’encombrement
des circuits passifs (par exemple, les réseaux d’adaptation d’impédance, les coupleurs et baluns,
les diviseurs de puissance ou encore les filtres, etc…) sont très importants. En pratique, la
surface utilisée pour réaliser ces circuits est beaucoup plus importante que celle nécessaire pour
les éléments actifs. Cela exige de proposer des solutions innovantes à la miniaturisation des
composants passifs pour réduire l’encombrement et les pertes. En parallèle, il faut veiller à
conserver des topologies de lignes simples permettant une certaine rapidité et une certaine
facilité de conception. La conception de lignes de transmission hautement performantes,
compactes et aisée d’utilisation est donc un enjeu important pour réaliser des circuits
miniaturisés en RF et en bandes millimétriques. Des efforts considérables ces dernières années
ont ainsi été menés pour développer des lignes de transmission à la fois intéressantes en termes
de facteur de qualité mais aussi de simplicité de conception.

Ce travail de thèse a pour vocation d’apporter des solutions innovantes à la réalisation de

dispositifs passifs performants et compacts, susceptibles d’intéresser les concepteurs de circuits
RF et millimétriques. Ces dispositifs seront basés notamment sur des lignes microrubans à
ondes lentes. Les travaux complets comprennent une analyse de la topologie, des abaques de
conceptions et des nouveaux dispositifs passifs miniaturisés comme une preuve de concept.

Dans le premier chapitre, nous présentons et nous adressons quelques nouvelles

applications grand public en bandes RF et millimétriques. Ensuite, après avoir défini les
grandeurs essentielles d’une ligne de transmission, nous rappelons brièvement plusieurs
techniques de miniaturisation localisées de lignes de transmission pour dresser un état de l’art

9
4
 CHAPITRE 1. PRESENTATION ET ETAT DE L’ART DES LIGNES DE
TRANSMISSION MINIATURISEES

De nombreuses applications grand public ont vu le jour depuis les années 2000 pour les
télécommunications. Dès 1995, l’engouement pour la RF et le millimétrique avait été pressenti
par Meinel [MEINEL, 1995]. Plus récemment on a beaucoup entendu parler de l’Internet des
Objets (IoT) qui a pris un grand essor depuis 2012 (premières start-up) et enfin depuis 2015 on
remarque un engouement pour la voiture autonome qui va bientôt devenir le marché principal
de l’électronique [ANDREW, 2017]. Ces applications nécessitent en bande RF (de quelques
centaines de MHz à quelques GHz) de la faible consommation, tel que pour l’IoT. En bandes
millimétriques (entre 30 GHz et 300 GHz), on visera soit le haut-débit (notamment pour la 5G
autour de 28 GHz et 60 GHz, et les futures générations au-delà de 100 GHz pour lesquelles le
débit pourra atteindre les 10 Gbits/s), soit des bandes libres (telles que pour les radars
automatiques vers 77-81 GHz et aux alentours de 120 GHz), soit enfin de la résolution (pour
l’imagerie médicale entre 100 et 200 GHz), [VAJJIRAVELU, 2013], [MEINEL, 2013]. Il existe aussi des
applications de niche pour le spatial telle que la radio-astronomie ou le transfert de puissance
sans-fil aux alentours de 90 GHz. Le spectre électromagnétique millimétrique est d’un grand
intérêt pour l'industrie car il offre une bande passante élargie de plusieurs GHz pour le haut-
débit en multi-gigabit. Les nouvelles applications supposent un développement important de
composants compacts, bon marchés, faible consommation et performants.

Les composants actifs et passifs jouent un rôle vital dans le fonctionnement de tout
dispositif électronique. Les fonctions passives millimétriques visées sont par exemple les
réseaux d’adaptation d’impédance, les coupleurs et baluns, les diviseurs de puissance ou encore
les filtres. Bien que l’encombrement des composants passifs diminue avec la fréquence, la
surface utilisée pour réaliser ces circuits est beaucoup plus importante que celle nécessaire pour
les éléments actifs.

Le développement de circuits passifs microondes repose sur l'optimisation de lignes de

transmission et de guides d'ondes efficaces. La conception des lignes de transmission hautement
performantes et compactes est un enjeu important pour réaliser des circuits miniaturisés en RF
et en bandes millimétriques. La miniaturisation des circuits permet (i) un gain de place,
conduisant toujours à un faible coût de fabrication, et (ii) des pertes réduites pour diminuer la
consommation dans la chaine de transmission RF. Plusieurs efforts considérables ces dernières

11
 TABLE DE MATIERES

INTRODUCTION GENERALE ..........................................................................................................................................9

CHAPITRE 1. PRESENTATION ET ETAT DE L’ART DES LIGNES DE TRANSMISSION

MINIATURISEES .......................................................................................................................................................... 11

1.1 Quelques nouvelles applications en RF et millimétriques .......................................................... 12

1.2 Lignes de propagation compactes à fort facteur de qualité ........................................................ 15

1.2.1 Inconvénients des lignes de propagation classiques ........................................................ 15

1.2.2 Modèle des télégraphistes des lignes de propagation ...................................................... 16

1.3 Techniques de miniaturisation localisée des lignes de transmission..................................... 18

1.3.1 Modification de la géométrie de la ligne de propagation ................................................ 19

1.3.2 Miniaturisation de la ligne de propagation en façon physique ..................................... 21

1.3.3 Substrats à haute permittivité relative ................................................................................... 25

1.4 Lignes de transmission à ondes lentes distribuées ........................................................................ 27

1.4.1 Historique de développement des lignes de transmission à ondes lentes .............. 27

1.4.2 Comparaison de performance des lignes de transmission à ondes lentes............... 33

1.4.3 Conclusion quant à l’étude historique : impact sur mon travail de thèse ................ 34

1.5 Lignes couplées ............................................................................................................................................. 36

1.5.1 Topologie et modèle électrique des lignes couplées ......................................................... 36

1.5.2 Coupleurs co-directifs et contra-directifs .............................................................................. 39

1.5.3 Intérêt des ondes lentes pour les lignes couplées .............................................................. 40

CHAPITRE 2. LIGNE MICRORUBAN A ONDE LENTE SUR SUBSTRAT STRUCTURE, RF ET

MILLIMETRIQUE ............................................................................................................................................................. 44

5
haute définition pour les produits électroniques ggrand
rand public. Ce standard repose sur le soutien
de plus d’une quarantaine de compagnies telle
telles que Broadcom, Intel, LG, NEC, Panasonic,
Samsung, SiBEAM, Sony, Philips et Toshiba. Les spécificités de la version 1.0 ont été données lors
du CES (Consumer Electronics
Electronics Show) de Las Vegas en 2008. Ils permettent de transmettre un
débit allant jusqu’à 4 Gb/s sur la bande de fréquence 60 GHz, sur une distance de 10 m environ
[WIRELESSHD].
]. La version 1.1 de la spécification augmente le débit de données maximal à
28 Gb/s,
/s, afin de pouvoir supporter les formats 3D communs, la résolution 4K, les données
WPAN, etc
etc.

Fréquences
quences
(GHz)

100 Wireless
Power Transfer
94GHz

80
LRR, MRR, SRR
76
76-77GHz, 77
77GHz, 77-81GHz

60 IEEE
802.11ad

30

Applications RF : Wifi, Bluetooth, Mobile 4

4G,…

1970s 2000 2010 2017

Ann
Années

Fig. 1.1 Applications grand public aux fréquences RF et millimétriques

Applications

La norme IEEE 802. 1ad est un format stan

802.11ad dard de trame Ethernet informellement
standard
appelée QinQ et est un avenant au standard IEEE 802.1Q 1998. L’autre standard, WiGig
802.1Q-1998.
(Wireless Gigabit Alliance), a été développé en 2009 dans le but de promouvoir le protocole
IEEE 802.11ad pour la communication sans fil multi
multi-gigabits par seconde fonctionnant sur la
bande de fréquences sans licence à 60 GHz [W
[ IGIG]. Les appareils qui sont compatibles avec le
standard WiGig dans les bandes de 2.4, 5 et 60 GHz, fournissent des débits de transfert de

13
données jusqu'à 7 Gb/s, aussi rapidement qu'une transmission à 8 bandes du standard 802.11ac
et plus de 11 fois plus rapide que le standard 802.11n le plus élevé, tout en maintenant la
compatibilité avec les dispositifs existants en Wi-Fi.

Une autre application importante est le radar de mesure de distance (anticollision).

L'évolution du radar de distance depuis la bande X jusqu’à 24 GHz, 77 GHz, puis 100 ou 220 GHz
a permis une résolution de distance sub-millimétrique [MEINEL, 2013]. Le développement du
radar automobile présente un intérêt considérable avec des investissements importants ces
dernières années [MEINEL, 2013]. Depuis 1970, plusieurs systèmes d'essai de radar automobile
ont été embarqués sur les véhicules, tels que le radar à 10 GHz développé par VDO, le radar
anticollision automatique à 35 GHz réalisé par AEG-Telefunken en 1974 et le radar de 16 GHz
développé par Standard Electric Lorenz en 1975, par exemple. Ces dernières années, les
systèmes de radar automobile se sont spécialisés et distingués selon leurs fonctionnalités : les
radars de contrôle automatique LRR (Long Range Radar) à 76-77 GHz et le radar anti-crash, stop
& go, SRR (Short Range Radar) à 77-81 GHz, ou les capteurs BSD (Blind Spot Detection) à 24-
26 GHz, etc.

En télécommunications, la 5G est la cinquième génération de standards pour la téléphonie

mobile, faisant suite à la 4G+. La technologie 5G est une « technologie clé » qui pourrait
permettre des débits de télécommunication mobile de plusieurs gigabits de données par
seconde, soit jusqu'à 1000 fois plus rapides que les réseaux mobiles en 2010 et jusqu'à 100 fois
plus rapide que la 4G à l'horizon 2020 [GSMA, 2014]. Ces débits de données sont susceptibles de
répondre à la demande croissante avec l'essor des smartphones et objets communicants,
connectés en réseau.

Récemment, la technologie avancée de transfert de puissance sans fil par les ondes
radiofréquences (RF) a trouvé un intérêt certain pour alimenter des lieux difficiles d'accès par le
réseau énergétique. En fait, plusieurs conceptions de circuits redresseurs pour le transfert de
puissance sans fil (harvesting) en bande millimétrique ont été proposées. Dans
[SHINOHARA, 2011], les auteurs présentent une rectenna qui fonctionne à 24 GHz et obtiennent
une efficacité de 65% de la conversion RF-DC. Dans [LADAN, 2013], S. Ladan a proposé un circuit
redresseur à doubles diodes fonctionnant en bande K, permettant d’atteindre une efficacité de
conversion RF-DC de 40% sous une puissance d'entrée de 35 mW. Plus récemment, dans
[KOMURASAKI, 2017], une rectenna qui fonctionne à 94 GHz a été conçue et fabriquée pour
démontrer un transfert de puissance sans fil efficace dans cette bande de fréquences.

14
 En général, le développement des applications en bandes millimétriques est un enjeu
important et prometteur. Les longueurs d'ondes millimétriques permettent de développer de
nouvelles applications, dont celles citées ci-dessus.

Il est temps maintenant de décrire les paramètres caractéristiques des lignes de

propagation et de dresser un état de l’art des lignes compactes et faibles pertes pour
l’intégration, RF ou millimétrique.

1.2 Lignes de propagation compactes à fort facteur de qualité

1.2.1 Inconvénients des lignes de propagation classiques

Dans le domaine des fréquences RF et millimétriques, les lignes de transmission jouent un

rôle important dans les circuits hyperfréquences en tant qu'éléments constitutifs essentiels des
dispositifs passifs, des réseaux d’adaptations d’impédance, des interconnections et des éléments
de filtrages. Citons ici plusieurs topologies conventionnelles de lignes de propagation d’onde
telle que la ligne microruban (µTL), la ligne coplanaire (CPW) et les lignes couplées coplanaires
(CPS). Les lignes microrubans classiques ont été réalisées depuis le milieu du siècle dernier et
les premiers résultats ont été présentés par D.D.Grieg et H.F.Engelmann en 1952 [GRIEG, 1952].
C'est simplement un ensemble de deux conducteurs : un ruban étroit (microstrip), séparé du
large plan de masse par un substrat diélectrique pour construire une ligne de propagation. Des
lignes coplanaires classiques (CPW, CPS) sont présentés en 1969 par C.P.Wen et S.B.Cohn,
respectivement [WEN, 1969], [COHN, 1969]. La structure CPW est composée de trois rubans
métalliques : le ruban central de largeur W et deux plans de masse de largeur Wg sur la même
face, séparés par des fentes de largeurs G égales. La structure CPS est plus simple car elle n’est
composée que de deux rubans métalliques de largeur W et Wg, respectivement, sur le substrat
diélectrique. Ces topologies sont largement utilisées pour la conception de circuits RF et
millimétriques grâce aux modèles électriques ou purement analytiques précis disponibles dans
la littérature.

Néanmoins, les principaux inconvénients de ces lignes de propagation classiques sont leur
faible facteur de qualité et leur grande taille impliquant un encombrement important dans les
circuits. Pour atteindre le double objectif de (i) faibles pertes et (ii) forte miniaturisation, de
nombreuses recherches se sont orientées sur l’utilisation du phénomène d’ondes lentes pour
réduire la vitesse de phase de l’onde. Le principe de l’effet d’ondes lentes est lié au confinement
des champs électrique et/ou magnétique, réalisée par l’utilisation de substrats à hautes
permittivités ou la modification de la géométrie de la ligne de propagation. En effet, cela conduit
à une augmentation de la permittivité relative effective du substrat de la ligne de propagation et

15
permet d’augmenter la longueur d’onde d’une ligne de propagation. Avant de décrire les
différentes techniques de miniaturisation, par charges inductives ou capacitives localisées ou
distribuées, que l’on peut nommer d’une façon générale le phénomène d’onde lente, il est utile
de rappeler brièvement la modélisation classiquement utilisée pour les lignes de transmission.

1.2.2 Modèle des télégraphistes des lignes de propagation

Une ligne de propagation peut être représentée par plusieurs paramètres primaires
constituant le modèle des télégraphistes (Fig. 1.2). Les paramètres en série traduisent l’effet de
retard et de pertes induits dans la direction de la propagation sur une section de longueur
infinitésimale de ligne : la résistance linéique R (en Ω.m-1) représente les pertes dans les
conducteurs résistifs et l’inductance linéique L (en H.m-1) correspond au quotient du flux du
champ magnétique par l'intensité du courant traversant le circuit. Les éléments placés en
parallèle traduisent, quant à eux, les effets du diélectrique sur cette même section : la capacité
linéique C (en F.m-1) révèle le couplage entre les conducteurs, et la conductance linéique G (en
S.m-1) correspond aux pertes liées aux fuites à travers le diélectrique non parfait.

L R

C G

Fig. 1.2 Modèle des télégraphistes (ou modèle RLCG) d’une ligne de propagation

Le comportement d’une ligne de propagation est décrit par ses paramètres électriques :
l’impédance caractéristique Zc et l’exposant de propagation γ :

 + 

 = 
 + 

(1.1)

=  + 
 + 
 =  +  (1.2)

où α est l’exposant d’atténuation en Np.m-1 tandis que β est l’exposant de phase ou déphasage
linéique en rad.m-1.

Dans le cas général, l’impédance caractéristique d’une ligne est donc complexe. En
pratique cependant, la qualité des conducteurs utilisés (Cuivre, Or ou Argent) ainsi que des
substrats diélectriques nous situent le plus souvent, dans le domaine de la RF, dans un contexte
« faibles pertes » qui implique : R ≪ jLω et G ≪ jCω. On a alors à gérer les paramètres extraits :

16


 = 

(1.3)

1 1
= + 

2
 2 
(1.4)

 =
√  (1.5)

 #!"
 !" 
Les termes et représentent les pertes conductrices dues à la résistance série R et les

pertes diélectriques dues à la conductance G, respectivement. R dépend entre autres de l’effet de

peau ce qui implique une dépendance avec la racine carrée de la fréquence. Dans la pratique, la
qualité des diélectriques utilisés conduit souvent à négliger les pertes diélectriques qui s’avèrent
largement inférieures aux pertes conductrices. En millimétrique, lorsqu’il s’agit de circuits
passifs développés dans les Back-End-Of-Line (BEOL ou couches supérieures), le concepteur est
extrêmement vigilant à éloigner le champ électrique du silicium dopé qui au contraire peut se
comporter comme un diélectrique avec une forte conductance parallèle.

D’autres paramètres importants des lignes de transmission sont la vitesse de phase de

l’onde vφ et la longueur d’onde guidée λ.

'( 1
%& = = . × 0123 =
)* +,, -* +,, √ × 
(1.6)

où freq est la fréquence de travail, c0 est vitesse de la lumière dans le vide, εr eff représente
la permittivité relative effective et µr eff la perméabilité relative effective. La longueur physique
d’une ligne de propagation est importante puisqu’elle est liée directement à la surface nécessaire
sur une puce. Pourtant en design, le concepteur s’intéresse le plus souvent à des longueurs
électriques telles que 90° pour les lignes quart-d’onde (λ/4) ou 180° pour les lignes demi-onde
(λ/2) car c’est la longueur électrique qui détermine le fonctionnement du dispositif micro-ondes.
Par exemple, la longueur de chaque section d’un coupleur hybride, d’un coupleur directionnel ou
d’un diviseur de puissance de Wilkinson est une ligne quart-d’onde (λ/4). Il est donc important
de pouvoir synthétiser ces longueurs électriques avec les longueurs physiques les plus courtes
possibles. Nous allons voir qu’il s’agit là d’un paramètre primordial des lignes de transmission à
ondes lentes.

Le facteur de qualité, défini en (1.7), traduit les pertes αl par degré de phase βl sur une
ligne en résonance [HSU, 1963] :

17
 
4=
2
(1.7)

Ce paramètre permet de quantifier la qualité de la propagation dans la ligne. Pour un

même déphasage électrique, la ligne qui possède le meilleur facteur de qualité Q présente les
moindres pertes.

1.3 Techniques de miniaturisation localisée des lignes de transmission

Les techniques de miniaturisation de lignes de transmission font partie des enjeux
d'intérêt majeur en recherche avec l'amélioration de ses performances et de son facteur de
qualité. La réduction de la longueur physique des lignes permet des pertes réduites, conduisant
à une faible consommation dans la chaine de transmission RF. La difficulté de design ne consiste
pas seulement à réduire la longueur, ce qui suppose la modification de la structure originale,
mais aussi à maintenir le facteur de qualité, voire à l’augmenter.

En pratique, en récrivant l’équation (1.6) sous la forme de l’équation (1.8), nous voyons
que cette équation offre des solutions pour miniaturiser une ligne de transmission :

1 '( 1 1
.= × = ×
0123 )* +,, -* +,, 0123 √ × 
(1.8)

Afin de miniaturiser la ligne, on peut, soit augmenter artificiellement l’inductance linéique

(L) et/ou la capacité linéique (C) de la ligne, soit utiliser des substrats à haute permittivité
relative (εr eff).

Dans la littérature, les techniques de miniaturisation des lignes de transmission peuvent

être déclinées en trois catégories. La première approche envisageable est la modification
géométrique des structures telles que l’utilisation du repliement de ruban en forme de méandres
et fractales, pour remplir l’espace vide du circuit afin de gagner la place nécessaire. La deuxième
solution considère la modification physique en structurant ou chargeant ingénieusement la ligne
de propagation pour augmenter l’inductance linéique (L) et/ou la capacité linéique (C). Citons la
ligne artificielle de transmission haute impédance avec des stubs, le chargement capacitif, la
ligne à saut impédance caractéristique et les lignes à ondes lentes distribuées. Finalement, la
troisième technique est basée sur l’utilisation de substrats à haute permittivité diélectrique.

Notons que la modification physique de la ligne de transmission conduit à une

augmentation de la permittivité relative effective du milieu de propagation, permettant ainsi de
réduire la vitesse de phase de l’onde qui peut se propager sur la ligne de transmission. Ce

18
phénomène s’appelle l’effet d’onde lente et deux facteurs sont définis pour évaluer la
miniaturisation de cette structure : SWF0 et SWFondes_lentes/classique. Le facteur SWF0 est proposé pour
comparer la longueur physique de la ligne à ondes lentes étudiée et celle qui serait nécessaire
pour obtenir le même déphasage dans le vide. On définit aussi un facteur de miniaturisation
SWFondes_lentes/classique pour comparer la miniaturisation entre la ligne à onde lente et la ligne
classique réalisée avec la même technologie :

.(
567( = = )* +,, 89:+; <+9=+;
.89:+; <+9=+;
(1.9)

.<?;;@AB+ )* +,, 89:+; <+9=+;

56789:+; <+9=+;/<?;;@AB+ = =
.89:+; <+9=+; )* +,, <?;;@AB+
(1.10)

Plus la permittivité relative effective d’une ligne à onde lente augmente, plus le facteur
d’ondes lentes est grand, conduisant ainsi réellement à un gain de longueur dans le sens de la
propagation du signal.

Chaque catégorie de techniques de miniaturisation des lignes de transmission sera

brièvement rappelée dans les paragraphes ci-dessous.

1.3.1 Modification de la géométrie de la ligne de propagation

La première approche envisageable est la modification de la géométrique de la structure.

L’idée est de replier les lignes de propagation sur elles-mêmes tout en conservant la même
longueur de ligne. En pratique, il faut toutefois ajuster la longueur de chaque ligne de
propagation pour compenser les couplages électromagnétiques introduits par les méandres (ou
repliement) [WANG, 2007], [ECCLESTON, 2008].
≈

(a) (b) (c)

(d) (e) (f)

Fig. 1.3 Miniaturisation d’une ligne microruban par modification de sa géométrie en utilisant des
méandres de fractales de Koch: (a) ordre zéro ou initiateur, (b) première itération, (c) deuxième
itération et (d) deuxième itération avec les chargements en parallèles (e) la structure optimisée
dans [Eccleston, 2008] et (f) la ligne de propagation artificielle avec des méandres dans la
référence [Wang, 2007].

19
 Dans la référence [ECCLESTON, 2008], les auteurs ont prouvé la miniaturisation d’une ligne
microruban avec les méandres de fractales de Koch, en réalisant un résonateur de longueur
électrique λ/2, d’impédance caractéristique de 50Ω en technologie PCB. Son initiateur est
simplement une ligne microruban droite (Fig. 1.3a). Les premières et deuxièmes itérations
permettent d'atteindre un taux de réduction de la longueur de 40% et 60%, respectivement, par
rapport à la ligne microruban (Fig. 1.3b, c). Pour une deuxième itération avec des chargements
(des stubs) en parallèles (Fig. 1.3d), ce taux atteint 65% et jusqu’ à 80% en cas d’optimisation de
la structure (Fig. 1.3e). Dans [WANG, 2007], les auteurs proposent une structure de ligne
artificielle de propagation (Fig. 1.3f) dont la longueur physique est égale à environ 20% celle de
la ligne microruban classique.

En optimisant l'encombrement de la structure, le repliement de la ligne avec les méandres

permet de concevoir des circuits compacts. Dans [AWIDA, 2006] les auteurs ont conçu des
coupleurs en anneau miniaturisés en remplissant les espaces vides avec les méandres, pour
preuve de concept. Les tailles des coupleurs proposés sont entre 17% et 30% de la taille d'une
conception conventionnelle sur le même substrat. Dans la référence [CHEN, 2007], des lignes
modifiées par les méandres fractales permettent de construire un coupleur hybride à branches
miniaturisées. Par rapport au coupleur classique, la taille du coupleur en forme de fractale du
premier ordre d'itération est réduite de 35.4% et de 18.2% pour le coupleur du deuxième ordre
d'itération. Ce principe a été appliqué également sur un filtre coupe-bande [ECCLESTON, 2008]. La
ligne artificielle de propagation présentée dans [WANG, 2007] est un élément important de la
section quart d’onde pour les conceptions de coupleur hybride à branches compact et de
diviseur de puissance de Wilkinson. Les taux de réduction de la taille de ces dispositifs
atteignent 73% et 74.3%, respectivement.

Toutefois, il faut envisager l'étude du couplage électromagnétique qui peut intervenir

entre les éléments. De plus, ces structures requièrent un gros effort d’analyse et d’optimisation
car il est difficile de modéliser le circuit entier par un modèle électrique classique. Les
paramètres électriques de ces lignes comme l’impédance caractéristique, sont obtenus
seulement par les simulations électromagnétiques avec optimisation. En conclusion, il n’existe
pas de design simple et aisé pour ce type d’optimisation qui seront toujours soumises à des flots
de conception hybride et complexes. Or il est important, dans le contexte des applications de
marché grand public dans lequel nous nous plaçons de garder à l’esprit que la méthodologie de
conception est un paramètre clef. Flexibilité, souplesse et rapidité de design sont tout aussi
important que la surface dite « on chip » ou sur substrat.

20
1.3.2 Miniaturisation de la ligne de propagation en façon physique

La deuxième technique de miniaturisation de ligne consiste à modifier sa structure et la

vitesse de propagation de l’onde. Elle repose alors sur une constatation physique très simple :
par rapport à une propagation guidée classique du champ électromagnétique, stocker de
l’énergie magnétique, ou électrique, permet d’augmenter la capacité linéique (C) et/ou
l’inductance linéique (L) de la ligne et de retarder la propagation de l’onde. Dans ce paragraphe,
nous présentons plusieurs techniques de miniaturisation en ajoutant des charges capacitives à
stubs ou par défauts dans le plan de masse, et des charges inductives par l’introduction de
fentes. En outre, d’autres structures de lignes modifiées à onde lente distribuées seront décrites
au paragraphe 1.4.

1.3.2.1 Charge capacitive

La technique qui consiste à placer une charge capacitive à stubs est intéressante pour
réduire la dimension des lignes. La Fig. 1.4a présente une ligne microruban chargée par un stub
en circuit ouvert. La présence du stub introduit une capacité équivalente Cstub dont la valeur est
déterminée par la taille du stub. Les stubs dans [TAN, 2005] sont réalisés par deux sections de
disques face à face qui forment un motif en papillon (Fig. 1.4b). Ces structures sont modélisées
par un circuit électrique équivalent (Fig. 1.4c) où les stubs sont remplacés par une capacité Cstub
reliée à la masse. Cette capacité permet de stocker de l’énergie électrique et puis d’augmenter la
capacité linéique totale des lignes de transmission.

Zc0, θ0/2 Zc0, θ0/2

Cstub

(a) (b) (c)

Fig. 1.4 Miniaturisation avec le chargement par stubs: La ligne microruban chargée par (a) un
stub en circuit ouvert, (b) un stub en papillon [TAN, 2005] et (c) le circuit électrique équivalent

Ce principe a été exploité pour miniaturiser le diviseur de puissance de Wilkinson avec des
taux de réduction en surface de 74% [SCARDELLETTI, 2002] et de 53% [WU, 2011] en
comparaison avec un dispositif conventionnel. Dans [JUNG, 2008], les auteurs proposent une
conception de coupleur hybride 3 dB miniaturisé par des chargements capacitifs à stubs de type
π, un taux de miniaturisation de 62% a été obtenu. La ligne avec des stubs en papillon a été
utilisée pour réaliser un filtre passe bande en topologie anneau [TAN, 2005].

Une autre structure prometteuse pour la miniaturisation, est la ligne artificielle de

transmission avec des stubs en circuit ouvert comme charge capacitive mais qui sont cette fois-ci

21
placés plus régulièrement le long de la ligne plutôt que de façon localisée au milieu ou en début
de ligne. Cette structure se compose d’une ligne microruban haute impédance avec un réseau de
stubs en π (Fig. 1.5a). Sur la Fig. 1.5b, la petite largeur des stubs permet une souplesse de
conception en repliant des rubans pour remplir les espaces vides afin d’optimiser la
miniaturisation.

Zse, 2θse Zse, 2θse

2θ
Zsh2 , θsh2
Zsh, θsh Zsh, θsh

(a) (b) Zsh1 , θsh1

Fig. 1.5 Ligne artificielle de transmission : (a) avec des stubs de faible impédance et (b) avec un
réseau de stubs de haute impédance

Dans les références [TSENG, 2008], [WU, 2010] et [TSENG, 2010], cette idée a été appliquée
pour miniaturiser un coupleur en anneau, un coupleur hybride à branches et un diviseur de
puissance Wilkinson, respectivement. La taille du coupleur en anneau est réduite de 14.7%
[TSENG, 2010], celle du coupleur hybride de 8% [WU, 2010] et celle du diviseur de puissance de
seulement 3.9% [TSENG, 2008] par rapport aux circuits conventionnels. L'inconvénient de cette
structure est l'impédance caractéristique élevée des stubs qui conduit à une largeur mince du
ruban non réalisable avec certaines technologies de fabrication. Par exemple, dans les références
ci-dessus, l'impédance caractéristique de stubs peut atteindre 110 Ω. Elle conduit aux limites
géométriques de réalisations (largeur minimale des lignes) des structures classiques de lignes
µTL et/ou CPW.

θ1 θ1
θ2 θ1
θ2 θ2
Z1 Z2 Z2
(a) Z2 (c)
Z1 Z1

θ2 θ1 θ1 θ2
Z1

Z1 Z1
Z2 Z2
Ceq Ceq

(b) (d)

Fig. 1.6 Ligne de propagation à saut d’impédance caractéristique de divers longueurs : (a) λg/4 ;
(b) λg/2 ; (c) λg et (d) le circuit électrique équivalent.

22
 Une autre technique de miniaturisation avec le même principe de la charge capacitive
consiste à utiliser une ligne de propagation à saut d’impédance caractéristique (Fig. 1.6). Elle
comprend plusieurs sections d’impédances caractéristiques différentes : Z1 et Z2. Chaque tronçon
de ligne ayant une faible impédance caractéristique agit comme une charge capacitive et est
présenté par la capacité équivalente Ceq (Fig. 1.6d). Le changement important de l’impédance
caractéristique de la ligne permet d’augmenter la valeur de la capacité localisée équivalente et
de réduire la longueur de cette structure par rapport à un résonateur à impédance
caractéristique constante. Cette structure fonctionne comme un résonateur à saut d’impédance
caractéristique (SIR) dans l’application de filtres passe bande à lignes couplées. Les formules de
conception du résonateur SIR de type coaxial ont été dérivées analytiquement et appliquées aux
filtres passe-bande [MAKIMOTO, 1980]. En référence [SAGAWA, 1997], les auteurs analysent les
caractéristiques des résonateurs SIR de longueur λ/4, λ/2 et λ et résument systématiquement
leurs caractéristiques fondamentales, telles que les conditions de résonance, la longueur du
résonateur et les circuits équivalents. Ils mettent en évidence l’amélioration des performances
de la ligne à saut d’impédance caractéristique comme leur taille réduite et leur meilleur facteur
de qualité. Plusieurs structures pratiques du résonateur SIR sont réalisées pour preuve de
concept. Cette technique a été appliquée également pour réaliser un résonateur en anneau à saut
d’impédance caractéristique à double mode dans [MATSUO, 2001] pour les applications des
filtres passe bande.

Il est intéressant de noter que les degrés de miniaturisation obtenus sont moindres
qu’avec le repliement des lignes sur elles-mêmes (méandres). Une première raison à cela : les
structures présentées pour expliquer le principe sont les structures de références et ne sont plus
à l’état de l’art ; une deuxième raison vient du fait qu’aucune méthodologie d’optimisation de la
conception n’avait été mise en avant alors qu’il est clair qu’une modélisation analytique correcte
de la ligne artificielle, quelle qu’elle soit, non seulement permettra une optimisation maximale
du processus de miniaturisation mais aussi un gain de temps considérable dans le design tel que
mentionné plus haut.

1.3.2.2 Charge inductive

Les techniques ci-dessus visent à apporter une charge capacitive le long de ligne de
propagation afin de ralentir l’onde. Une autre solution consiste à augmenter l’inductance
linéique de la ligne à l’aide de fentes gravée sur le ruban. En référence [Hoefer, 1977], les auteurs
démontrent qu’une fente étroite sur la ligne de propagation conduit à une concentration locale
du champ magnétique. Par conséquent, l’introduction de la fente sur le ruban est équivalente à

23
un élément quasi localisé inductif Lslot (Fig. 1.7). L’estimation de la valeur de Lslot est exprimée en
fonction des dimensions du ruban (la largeur W) et de la fente (la longueur a et la largeur b).

Lslot

W
a
Zc0, θ0/2 Zc0, θ0/2
b

(a) (b)

Fig. 1.7 (a) Ligne de transmission avec la fente gravée sur le ruban ; (b) le circuit électrique
équivalent

Plusieurs structures avec des fentes gravées ont été réalisées [GÖRÜR, 1998] pour obtenir
une diminution de la taille de résonateurs quart d’onde à lignes coplanaires avec fentes sur un
côté (Fig. 1.8a), sur deux côtés (Fig. 1.8b) et sur deux côtés interdigitées (Fig. 1.8c).
L’introduction des fentes permet de diminuer la fréquence de résonance des résonateurs de
4 GHz (ligne coplanaire classique) à 3.2 GHz (avec fentes sur un côté), à 2.7 GHz (avec fentes sur
deux côtés) et à 2.4 GHz (avec fentes sur deux côtés interdigitées). Il est intéressant de noter que
les résonateurs proposés peuvent être utilisés pour obtenir un effet d'onde lente sans occuper
une surface supplémentaire. Cependant, l’inconvénient de cette technique de miniaturisation est
la limite de fabrication des fentes sur le ruban et la haute impédance caractéristique de la ligne
miniaturisée. De plus, l’adjonction de fentes rallongent le parcours du courant conduisant à une
augmentation significative des pertes séries. Le facteur de qualité est un élément clef à observer
pour ce type de lignes.

(a) (b) (c)

Fig. 1.8 Résonateurs quart-d’onde à lignes coplanaires avec fentes : (a) sur un seul côté (b) sur
deux côtés et (c) sur les deux côtés interdigitées

1.3.2.3 Charge capacitive réalisée par un défaut dans le plan de masse (DGS)

Les lignes de transmission ayant des structures de défaut dans le plan de masse ont été
introduites dans un premier temps en 2000 par C.S.Kim [KIM, 2000]. En fait, la structure DGS
fonctionne comme un perturbateur de la distribution des champs électriques et magnétiques
sous le ruban. Cela conduit à l’effet d’onde lente et permet de miniaturiser ces lignes. Dans

24
[PARK, 20
2002],
02], les auteurs ont proposé une structure typique de défaut de fentes rectangulaires
dans le plan de masse et analysé son circuit équivalent pour une section ((Fig.
Fig. 1.9). Notons que la
capacité Cp représente la charge capacit
capacitive
ive réalisée par ce défaut. La miniaturisation a été mise
en évidence [[LIM, 2002]
2002] et permet de réduire la taille du réseau d’adaptation d’impédance
caractéristique d’un amplificateur.

Lg

Cg
Rg

Rp Cp Cp Rp

(a) (b)

Fig. 1.9 Une section de la ligne de transmission ayant les structures de défaut dans le plan de
masse : (a) vue 3-D
D et (b) le circuit équivalent.

Avec la technologie utilisée dans [LIM

[LIM, 2002], lee facteur d’onde lente (SWFo) de cette ligne
est supérieur à 3,, comparé aux 1.5 de la ligne microruban standard. Un
Un taux de miniaturisation
d’environ 55% a été obtenu. Attention toute
toutefois
fois à la forme des fentes dans le plan de masse afin
de ne pas risquer des fuites de champ électrique vers un possible substrat à pertes diélectriques
sous le plan de masse. Il faut également prêter attention au retour du courant qui peut induire
des pertes prohibitives si le chemin retour est trop long. Là aussi le facteur de qualité est
Là-aussi
primordial.

1.3.3 Substrats à haute permittivité relative

Une approche envisageable pour ralentir l’onde est d’utiliser des matériaux à forte
envisageable
permittivité relative. En effet, la haute permittivité d’un matériau provoque un confinement du
champ électrique dans le diélectrique et par couplage électromagnétique, du champ magnétique
ement. Il faut faire attention ici au fait qu’il n’y a pas de stockage d’énergie. Par contre, le fort
également.
confinement permet la miniaturisation des circuits radiofréquences. Le principe est dû à
l’expression (1.8) où la longueur d’onde d’une ligne de transmission
transmission dans une structure, par
exemple un dispositif passif dépend de la permittivité du matériau du substrat. En théorie, avec
r , sa longueur d’onde est inversement proportionnelle
un substrat à haute permittivité relative εr1
à la racine de la permittivité relative effective du matériau conventionnel εr0:

25
 . )*(
=
.( √)*
(1.11)

Le Tableau 1.1 présente le développement des récents matériaux céramiques pour

fabriquer un substrat à forte permittivité relative avec des pertes diélectriques faibles. Ces
propriétés électriques sont importantes pour concevoir divers dispositifs compacts. Dans la
référence [WINTER, 1991], les auteurs ont décrit la conception et la réalisation d’un filtre passe
bande à plaques parallèles utilisant un substrat céramique de (ZrSN)TiO4 (εr = 38 ; tanδ =
0.0001). En référence [HSU, 2005], un filtre à base de résonateur rectangulaire compact avec un
substrat céramique de Sm(Co1/2Ti1/2)O3 (εr = 25.5 ; tanδ = 0.00013) a été implémenté. La matière
céramique D-9000 est choisie pour fabriquer le substrat d’un filtre à couplage croisé en raison
de ses caractéristiques électriques (εr = 90 ; tanδ = 0.00013) [CLAVET, 2009]. Cette matière est
également utilisée dans la conception du filtre SIW et permet une miniaturisation de 88% en
surface en comparaison avec l’utilisation d’un substrat d’alumine [LE COQ, 2015]. Récemment, en
2016, C. H. Hsu propose une conception de filtre passe bande interdigité qui utilise un substrat
Nd(Co1/2Ti1/2)O3 [HSU, 2016] de permittivité relative égale à 27. Ces matériaux sont extrêmement
intéressants mais ne sont pas bas-coût et difficilement exportables en dehors d’applications de
niche très spécifiques telles que le spatial ou la défense.

TABLEAU 1.1 Plusieurs substrats des matériaux à forte permittivité relative avec des pertes
diélectriques faibles

Référence Substrat εr tanδ Applications Miniaturisation

[WINTER, 1991] (ZrSn)TiO4 38 0.0001 Gap-coupled Filter N/A

Rectangular Ring
[HSU, 2005] Sm(Co1/2,Ti1/2)O3 25.5 0.00013 N/A
Bandpass Filter

D-9000 Cross-coupled
[CLAVET, 2009] 90 0.0009 N/A
Ceramic material sixth-order filter

[GARREAU, 2012] Heratape CT765 68.7 N/A SIW structure 62%

[LE COQ, 2015] Ceramic material 90 <0.001 SIW Filter 88%

ZnO-doped
[HSU, 2016] 27 N/A Hairpin Filter 48%
Nd(Co1/2Ti1/2)O3

26
1.4 Lignes de transmission à ondes lentes distribuées
Dans le paragraphe 1.3.2, nous avons mentionné plusieurs techniques de miniaturisation
des lignes de transmission grâce au ralentissement de l’onde de propagation obtenu en
chargeant localement ou en repliant sur lui-même le ruban de propagation d’onde. Ce
paragraphe se concentre sur les structures à ondes lentes distribuées. Ces lignes de propagation
sont chargées de manière distribuée et non plus à l’aide d’éléments localisés ou quasi-localisés.

1.4.1 Historique de développement des lignes de transmission à ondes lentes

La Fig. 1.10 décrit le développement de plusieurs lignes de transmission à ondes lentes au

travers de la littérature. Des efforts considérables ces dernières années ont été menés pour
développer des lignes de transmission à ondes lentes, à la fois intéressantes en termes de facteur
de qualité mais aussi de simplicité de conception. Citons les toutes premières lignes coplanaires
à ondes lentes (S-CPW) [SEKI, 1981], ainsi que des lignes S-CPW bien plus performantes grâce
aux technologies disponibles dans les années 2000 [CHEUNG, 2006], [FRANC, 2011] ; les lignes
microruban à ondes lentes avec des fentes transversales dans le plan de masse (SW-µTL)
[CALOZ, 2004], les lignes microruban à ondes lentes avec un substrat structuré à l’aide de vias
borgnes (SW-µTL) [NGUYEN, 2006] ; les lignes couplées coplanaires à ondes lentes (S-CPS)
[AZIZ, 2009] ; les lignes microrubans à ondes lentes sur membrane à nanofils métalliques
[FRANC, 2012] et le guide d'onde intégré dans le substrat à ondes lentes (SW-SIW)
[NIEMBRO, 2014], [BERTRAND, 2017].

27
 Waveguide
1900 [THOMSON, 1893]

μTL
[GRIEG, 1952] CPW CPS
[WEN, 1969] [COHN, 1969]
1950

Cross-tie
Cross S-CPW
[SEKI, 1981]
[WANG, 1988]

2000 SIW
[DESLANDES, 2001] SWμTL
SW with
slotted GND
[CALOZ, 2004]
[MASUDA, 2008

SWμTL
SW on
Metallic Wire Shielded S-CPW
S
Substrate [CHEUNG, 2006]
[CALOZ, 2006] [VAIRONEN, 2008]
[FRANC, 2011]

Shielded S-CPS
S
[AZIZ, 2009]
2010 SWμTLTL with stacked
zigzag metal strips
[LEE, 2010]

SW-SIW
SW
[NIEMBRO, 2014]

SWμTLTL on nanowire
filled membrane
[FRANC, 2012]
[SERRANO, 2014]

Years

10 Historique de développement des lignes de transmission à ondes lentes

Fig. 1.10

28
 L’existence d’un mode de propagation à onde lente pour une ligne microruban classique
implantée sur un empilement Si-SiO2, a été mise en évidence en 1971 par Hasegawa
[HASEGAWA, 1971]. Toutefois, ce mode apparaissait à très haute fréquence, au-delà d’une
fréquence plasma et était vu comme un parasite plutôt que comme un véritable atout. La force
d’Hasegawa a été d’en percevoir l’intérêt et en 1977, il présente des lignes coplanaires à ondes
lentes avec jonctions Schottky ou Metal-Isolant-Semiconducteur sur substrat AsGa
[HASEGAWA, 1977]. Le principe physique de la propagation des ondes lentes est basé sur la
nature semi-conductrice de la couche épitaxiée qui permet de séparer des champs
électromagnétiques. En effet, la plupart de l'énergie électrique est stockée dans la jonction,
tandis que l'énergie magnétique se répartit dans toute la région autour des rubans métalliques.
Ces structures permettent une miniaturisation importante avec un facteur SWF0 de 30 mais elles
présentent des pertes élevées de 1.74 dB/mm et des impédances caractéristiques très faibles
(<16 Ω).

Les lignes coplanaires à ondes lentes (S-CPW) ont été proposées en premier par Seki et
Hasegawa en 1981 pour réduire la vitesse de phase et la taille des lignes de transmission sur un
substrat AsGa [SEKI, 1981]. A partir d’une structure de guide d’onde coplanaire classique (CPW),
plusieurs conducteurs (barreaux) métalliques sont disposés périodiquement (cross-tie) dans le
sens transversal à la propagation qui correspond à une alternance de tronçons de lignes à faible
puis haute impédance caractéristique. Les mesures ont été effectuées afin de confirmer la
propagation d'onde lente le long de la structure S-CPW, indiquant un facteur d’ondes lentes
obtenu SWFS-CPW/CPW de 6. Cependant, cette ligne S-CPW présente des pertes élevées supérieures
à 1 dB/mm dès 3 GHz en raison de l’effet important de courants de Foucault liées à la forte
largeur des barreaux métalliques (10 µm). En fait, la limitation minimale obtenue de la largeur
des barreaux (quelques dizaines de micromètres) des technologies disponibles ces années était
insuffisante pour obtenir une ligne S-CPW à fort facteur de qualité.

Dans [WANG, 1988], les auteurs proposent de placer les barreaux flottants au-dessus de la
ligne principale de propagation pour construire une ligne à ondes lentes nommée « cross-tie
overlay S-CPW ». Cela permet de charger la ligne de propagation en capturant le champ
électrique dans le substrat entre la ligne et les barreaux. Cette idée repose sur le même principe
que celle de [SEKI, 1981]. Les résultats expérimentaux montrent un facteur d’ondes lentes
obtenu intéressant (SWFS-CPW/CPW = 2). De plus, à cause de la présence des barreaux flottants, les
pertes mesurées sont de 0.4 dB/mm à 5 GHz et restent modérées, par rapport aux 0.1 dB/mm de
la ligne CPW classique présentées dans cette publication.

29
un élément quasi localisé inductif Lslot (Fig. 1.7). L’estimation de la valeur de Lslot est exprimée en
fonction des dimensions du ruban (la largeur W) et de la fente (la longueur a et la largeur b).

Lslot

W
a
Zc0, θ0/2 Zc0, θ0/2
b

(a) (b)

Fig. 1.7 (a) Ligne de transmission avec la fente gravée sur le ruban ; (b) le circuit électrique
équivalent

Plusieurs structures avec des fentes gravées ont été réalisées [GÖRÜR, 1998] pour obtenir
une diminution de la taille de résonateurs quart d’onde à lignes coplanaires avec fentes sur un
côté (Fig. 1.8a), sur deux côtés (Fig. 1.8b) et sur deux côtés interdigitées (Fig. 1.8c).
L’introduction des fentes permet de diminuer la fréquence de résonance des résonateurs de
4 GHz (ligne coplanaire classique) à 3.2 GHz (avec fentes sur un côté), à 2.7 GHz (avec fentes sur
deux côtés) et à 2.4 GHz (avec fentes sur deux côtés interdigitées). Il est intéressant de noter que
les résonateurs proposés peuvent être utilisés pour obtenir un effet d'onde lente sans occuper
une surface supplémentaire. Cependant, l’inconvénient de cette technique de miniaturisation est
la limite de fabrication des fentes sur le ruban et la haute impédance caractéristique de la ligne
miniaturisée. De plus, l’adjonction de fentes rallongent le parcours du courant conduisant à une
augmentation significative des pertes séries. Le facteur de qualité est un élément clef à observer
pour ce type de lignes.

(a) (b) (c)

Fig. 1.8 Résonateurs quart-d’onde à lignes coplanaires avec fentes : (a) sur un seul côté (b) sur
deux côtés et (c) sur les deux côtés interdigitées

1.3.2.3 Charge capacitive réalisée par un défaut dans le plan de masse (DGS)

Les lignes de transmission ayant des structures de défaut dans le plan de masse ont été
introduites dans un premier temps en 2000 par C.S.Kim [KIM, 2000]. En fait, la structure DGS
fonctionne comme un perturbateur de la distribution des champs électriques et magnétiques
sous le ruban. Cela conduit à l’effet d’onde lente et permet de miniaturiser ces lignes. Dans

24
importante. Des lignes coplanaires couplées à ondes lentes améliorées sont proposées dans
[LAROCCA, 2008] pour permettre un contrôle de l’effet d’ondes lentes.

Récemment au début des années 2000, la technologie guide d’onde intégré dans un
substrat (SIW) a suscité beaucoup d’intérêt [DESLANDES, 2001]. On peut donner pour raisons de
ce succès sa capacité à fournir des facteurs de qualité relativement élevés, une intégration aisée
à l’aide d’un procédé de fabrication standard, et donc bas coût. La structure SIW est composée de
deux rangées de vias intégrées dans un substrat diélectrique qui connectent électriquement
deux plaques métalliques parallèles. La structure SIW est compatible avec les technologies de
fabrication planaires disponibles. De plus, elle présente des caractéristiques de propagation
similaires à celles des guides d'ondes rectangulaires classiques et la possibilité d'intégrer tous
les composants sur le même substrat. La technologie SIW a été appliquée à plusieurs
composants hyperfréquences, y compris les filtres à cavité [DESLANDES, 2003], [TANG, 2005], les
coupleurs directionnels [CHEN, 2006], les oscillateurs [CASSIVI, 2003], les amplificateurs de
puissance [ABDOLHAMIDI, 2008], les antennes à fente [YAN, 2004], les circulateurs [ORAZIO, 2006],
etc.

L’article [NIEMBRO, 2014] présente un nouveau concept de structure SIW à ondes lentes
basée sur le guide d'onde intégré dans un substrat (SW-SIW), où plusieurs rangées de vias
borgnes métalliques sont placées sur toute la largeur du guide. En principe, la structure SW-SIW
présente un fort effet d’ondes lentes dû à la séparation des champs magnétique et électrique
dans le volume contenant les vias borgnes. Un prototype a été fabriqué dans un procédé de
fabrication en technologie PCB standard pour preuve de concept. Des résultats expérimentaux
très prometteurs ont été obtenus. Pour une fréquence de coupure donnée, une réduction de 40%
des dimensions latérales a été obtenue par rapport à une structure SIW classique. De plus, la
vitesse de phase a également été réduite de 40%, ce qui a conduit à des dimensions
longitudinales plus petites pour une longueur électrique donnée. La réduction remarquable de la
taille du circuit présente l'intérêt de pouvoir utiliser les structures SIW à une fréquence
inférieure à celle des guides d’onde classiques. Cette topologie a été appliquée afin de
miniaturiser plusieurs applications dans la technologie PCB, tels que le filtre SW-SIW compact à
cavité [BERTRAND, 2015], le coupleur 3-dB en technologie SW-SIW [BERTRAND, 2017] et l’antenne
SW-SIW à fente en anneau carré [HO, 2017].

En 2006, C. Caloz a présenté une structure de ligne microruban sur un substrat structuré à
l’aide de vias borgnes dont il est dit qu’il présente des propriétés magnéto-diélectriques
artificielles avec une permittivité et une perméabilité effectives simultanément améliorées sur
une large bande de fréquences [NGUYEN, 2006], [FERNANDEZ, 2006], [CALOZ, 2007]. Cette

31
[PARK, 20
2002],
02], les auteurs ont proposé une structure typique de défaut de fentes rectangulaires
dans le plan de masse et analysé son circuit équivalent pour une section ((Fig.
Fig. 1.9). Notons que la
capacité Cp représente la charge capacit
capacitive
ive réalisée par ce défaut. La miniaturisation a été mise
en évidence [[LIM, 2002]
2002] et permet de réduire la taille du réseau d’adaptation d’impédance
caractéristique d’un amplificateur.

Lg

Cg
Rg

Rp Cp Cp Rp

(a) (b)

Fig. 1.9 Une section de la ligne de transmission ayant les structures de défaut dans le plan de
masse : (a) vue 3-D
D et (b) le circuit équivalent.

Avec la technologie utilisée dans [LIM

[LIM, 2002], lee facteur d’onde lente (SWFo) de cette ligne
est supérieur à 3,, comparé aux 1.5 de la ligne microruban standard. Un
Un taux de miniaturisation
d’environ 55% a été obtenu. Attention toute
toutefois
fois à la forme des fentes dans le plan de masse afin
de ne pas risquer des fuites de champ électrique vers un possible substrat à pertes diélectriques
sous le plan de masse. Il faut également prêter attention au retour du courant qui peut induire
des pertes prohibitives si le chemin retour est trop long. Là aussi le facteur de qualité est
Là-aussi
primordial.

1.3.3 Substrats à haute permittivité relative

Une approche envisageable pour ralentir l’onde est d’utiliser des matériaux à forte
envisageable
permittivité relative. En effet, la haute permittivité d’un matériau provoque un confinement du
champ électrique dans le diélectrique et par couplage électromagnétique, du champ magnétique
ement. Il faut faire attention ici au fait qu’il n’y a pas de stockage d’énergie. Par contre, le fort
également.
confinement permet la miniaturisation des circuits radiofréquences. Le principe est dû à
l’expression (1.8) où la longueur d’onde d’une ligne de transmission
transmission dans une structure, par
exemple un dispositif passif dépend de la permittivité du matériau du substrat. En théorie, avec
r , sa longueur d’onde est inversement proportionnelle
un substrat à haute permittivité relative εr1
à la racine de la permittivité relative effective du matériau conventionnel εr0:

25
2.8. En se référant à [MASUDA, 2008], les auteurs présentent une autre ligne S-CPW dont les
rubans sont connectés au plan de masse, le facteur d’ondes lentes expérimental est SWFS-CPW/µTL
de 1.7. Finalement les topologies SW-µTL à fentes dans le plan de masse et S-CPW sont
pratiquement similaires en intégré.

En 2012, A.L.Franc a proposé une structure de ligne microruban à onde lente sur
membrane à nanofils métalliques SWµTL [FRANC, 2012]. La structure s’apparente à celle de
[CHEUNG, 2006] avec son substrat structuré à l’aide de vias borgnes, mais permet de travailler à
des fréquences millimétriques, ce qui n’était pas le cas pour le PCB de [CHEUNG, 2006]. De la
même manière, l'effet d'onde lente est obtenu grâce à des nanofils métalliques qui permettent de
localiser le champ électrique juste sous le ruban alors que le champ magnétique peut s'étendre
dans tout le substrat. Ces lignes peuvent atteindre un facteur de qualité cinq fois supérieur à
celui obtenu avec une ligne microruban classique (sans nanofils), tout dépend du ratio entre la
couche diélectrique au-dessus des nanofils et la hauteur des nanofils. Dans [SERRANO, 2014], un
premier modèle physique est présenté pour prédire correctement le comportement de ces
lignes en accord avec les résultats expérimentaux. Des lignes de transmission d’épaisseurs
d'oxyde différentes et de différentes largeurs ont été fabriquées et caractérisées jusqu'à 70 GHz.
Le modèle électrique qui dépend de l’épaisseur d'oxyde et de la largeur du microruban a été
validé. Des hauts facteurs de qualité sont obtenus, au-dessus de 40, de 30 GHz à 70 GHz, ouvrant
la voie à d'autres réalisations de circuits passifs performants, comme des diviseurs de puissance
ou des coupleurs hybrides.

1.4.2 Comparaison de performance des lignes de transmission à ondes lentes

La Fig. 1.11 ci-dessous présente le facteur de qualité en fonction des pertes de plusieurs
topologies de lignes intégrées en microélectronique classiques et de lignes à ondes lentes à
60 GHz. Il est intéressant de noter que le facteur de qualité des lignes à ondes lentes varie de 30
à 40 mais sera toujours plus élevé que celui de la ligne microruban classique. De plus, les pertes
des lignes S-CPW en technologie CMOS sont améliorées avec l’aide de règles de conception, par
exemple dans [VECCHI, 2009], elles sont seulement de 0.65 dB/mm. Typiquement une ligne
microruban en technologie intégrée standard présente des pertes de 0.5 dB/mm. Les lignes SW-
µTL décrites en référence [SERRANO, 2014] offrent des faibles pertes et des facteurs de qualité
élevés. Ces structures à ondes lentes sont donc un très bon candidat pour allier miniaturisation
et fortes performances. Par contre, elles ne peuvent pas être intégrées en technologie CMOS : la
membrane à nanofils est donc présentée comme un interposeur et tout le travail réside et
résidera à fonctionnaliser cet interposeur en tirant parti de toutes ses qualités (vias
performants, possibilité d’intégration d’antennes, développement du report d’actifs, etc…).

33
 50
BiCMOS9MW CPW
Membrane nanoporeuse
μTL
Facteur de qualité 40
0.35µm
m
S-CPW [Lai,2007]
30 S-CPW [Varonen,2008]
130nm S-CPW [Vecchi,2009]
20 SWμTL
TL [Lee,2010]
65nm
90nm S-CPW [Franc,2011]
10
SWμTL
TL [Serrano,2014]

0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
Pertes (dB/mm)

Fig. 1.11
11 Comparaison du facteur de qualité en fonction des pertes à 60 GHz pour des lignes
classiques et des lignes à ondes lentes dans différentes technologies.
technologies

Noto
Notons
ns que ce bilan est inutile pour les lignes SS-CPW
CPW en PCB. Il n’a pas été réalisé sur les
lignes microrubans en PCB. L’effet sur la miniaturisation est souvent un peu moindre du fait des
rapports d’aspect qui sont moins favorables à une très forte miniaturi
miniaturisation.
sation. En parallèle, les
pertes engendrées par courant de Foucault peuvent être assez fortes au sein des vias, si bien que
le facteur de qualité n’est pas forcément amélioré, voire il peut être dégradé dans certains cas.
Par contre, nous verrons au sein du chapitre 2, que l’effet de miniaturisation ne joue pas que sur
du
la longueur des lignes mais aussi sur leur largeur. C’est là le point fort des SW µTL sur substrat
SW-µTL
structuré en RF.

1.4.3 Conclusion quant à l’étude historique : impact sur mon travail de thèse

Pou l ensemble des éléments historiques rapportés sur la miniaturisation

Pourr conclure sur l’ensemble
des dispositifs passifs dans le but d’une intégration plus performante, tant en RF que dans le
millimétrique, deux constats apparaissent.

Le premier constat concerne l’aspect distribué qui a l’avantage de proposer une approche
l’aspect
méthodologique avec un travail sur la ligne de transmission qui devient ainsi un nouvel outil à
disposition du concepteur. Le design devient alors aisé, flexible et l’on peut dès lors tirer parti de
outes les techniques présentées dans la littérature pour encore améliorer les dispositifs déjà
toutes
rendus ultra performants grâce à l’apport des lignes à ondes lentes.
ultra-performants

Le deuxième constat porte sur l’état des connaissances en terme

termes de compréhension et de
élisation des phénomènes physiques mais aussi de réalisation.
modélisation réalisation. On peut distinguer les lignes
de type coplanaires (CPW, CPS) qui ne nécessitent qu’un niveau de métal, des lignes microruban

34
qui nécessitent à la base deux niveaux de métaux distincts. Obtenir un effet d’ondes lentes pour
les lignes coplanaires suppose l’adjonction d’un deuxième niveau de métal. Ce n’est pas le cas
pour les lignes microruban : toutefois des vias structurés ou des fentes dans le plan de masse
sont nécessaires. Il apparait que l’intégration des lignes coplanaires à ondes lentes est désormais
maîtrisée avec des modèles analytiques qui fonctionnent. Elles sont devenues une ressource
industrielle. Les lignes microrubans avec fentes transversales dans le plan de masse, si l’on
souhaite justifier de l’intérêt de ces fentes et de leur impact sur l’effet d’onde lente, ne sont
finalement qu’un cas particulier des lignes S-CPW pour lesquelles les barreaux flottants auraient
été reliés aux plans de masse coplanaires. Par contre, l’effet d’onde lente obtenu pour des lignes
microruban sur substrat structuré, que cela soit sur PCB avec des vias borgnes pour la RF, ou
nanostructurés sur membranes à nanofils pour le millimétrique, n’est pas aussi bien maîtrisé. Le
travail est encore en cours d’investigation avec comme nous l’avons vu des modèles présentés
dans la littérature qui se doivent d’être améliorés.

Dans la continuité de ce travail, je me suis donc intéressé à l’analyse de la ligne microruban

à ondes lentes sur substrat (nano-)structuré en lien avec l’équipe de l’Université de Sao Paulo
(USP) qui a développé la technologie sur membrane à nanofils. Dans la suite du manuscrit,
lorsqu’il sera fait mention de lignes « microruban à ondes lentes », il sera sous-entendu « sur
substrat structuré ». Sur la base des modèles électriques développés par l’équipe de l’USP, j’ai pu
poursuivre ce travail. Ainsi des modèles analytiques de ces lignes seront présentés dans cette
thèse et validés par des simulations électromagnétiques (HFSSTM) et des mesures sur PCB. Mon
modèle valide également les mesures effectuées sur les membranes brésiliennes en
millimétrique. Par rapport au modèle classique des télégraphistes, le confinement de l’énergie
électrique est décrit par la prise en compte de toutes les lignes de champ électrique au sein de la
structure et l’effet inductif des vias. En utilisant ce modèle des nouveaux designs de coupleur
hybride en PCB seront présentés et réalisés, pour preuve de concept, dans le chapitre 2. L’état de
l’art sur les coupleurs hybrides en PCB sera présenté également au sein de ce chapitre qui
justifiera l’intérêt des lignes microrubans à ondes lentes par rapport aux lignes classiques pour
réaliser sur substrat bas-coût et faible permittivité, des coupleurs hybrides performants au-delà
de 5 GHz.

J’ai toutefois souhaité aller plus loin et proposé une étude des lignes couplées microrubans
à ondes lentes. Ceci est totalement novateur et n’a jamais été réalisé. En effet, les travaux de José
Lugo [LUGO, 2015], sur les lignes couplées S-CPW avaient montré des résultats prometteurs,
validés dans [ISKANDAR, 2016], pour maîtriser couplage et directivité des coupleurs contra-
directifs à base de lignes couplées S-CPW. Ce sera l’objet du troisième chapitre de ma thèse mais
au préalable, il est nécessaire de repréciser quelques fondamentaux sur les lignes couplées.

35
1.5 Lignes couplées
Les lignes couplées jouent un rôle important dans les dispositifs passifs pour la conception
de coupleurs directionnels et de filtres. Elles comprennent deux lignes de propagation très
proches afin que la puissance puisse être couplée d'une ligne à l'autre (interaction des champs
électromagnétiques) [POZAR, 2011]. Deux topologies de lignes couplées sont souvent réalisées :
soit des lignes ECL (Edge Coupled Line), soit des lignes BCL (Broadside Coupled Line). Dans cette
section, on s’intéressera aux lignes de type ECL, beaucoup plus aisée à concevoir et à intégrer,
toujours dans cette optique d’aide au concepteur et d’aisance dans le design ; on présente tout
d’abord la théorie fondamentale des lignes couplées microrubans classiques puis on s’intéresse
à quelques règles de conception trouvées dans la littérature afin d’améliorer le comportement
voulu pour les lignes microrubans couplées mentionnées au sein de la publication.

1.5.1 Topologie et modèle électrique des lignes couplées

La Fig. 1.12a illustre les dimensions des lignes couplées classiques où deux lignes
microrubans identiques de largeur W sont en parallèle, symétriques et séparés par un espace G.
Ces rubans sont implantés sur un substrat d’épaisseur h.

Cette structure supporte deux modes distincts de propagation : le mode pair et le mode
impair. Pour une excitation en mode pair (Fig. 1.12b), deux tensions de même potentiel sont
appliquées aux deux rubans. Dans cette configuration, un circuit ouvert est virtuellement créé
entre les deux branches, soit un mur magnétique au niveau de l’axe de symétrie. Le plan de
symétrie, au milieu entre les deux lignes, représente un plan H parfait (le champ magnétique
parallèle est nul). Le couplage entre les deux lignes se fait par couplage inductif.

Pour une excitation en mode impair (Fig. 1.12c), ce sont deux tensions de signe opposé qui
sont appliquées. Dans cette configuration, un court-circuit virtuel est créé entre les deux lignes
couplées. Le plan de symétrie représente un plan de masse flottant, on parle alors de mur
électrique. La présence du champ électrique entre les lignes couplées implique une capacité (un
couplage capacitif) entre les deux lignes.

36
 W G W
h

t
(a)

DE
Champ C DDE
Champ F

Mur H Mur E

+V +V +V -V

(b) (c)

Fig. 1.12
12 (a) Dimensions des lignes couplées classiques, (b) excitation d’onde en mode pair et (c)
excitation d’onde en mode impair

En général, les
es deux modes de propagation seront excités au même moment.
moment. En effet,
imaginons qu’un seul ruban soit excité, cette excitation peut être vue comme la superposition
d’une excitation paire et d’une excitation impaire. Rien de problématique à cela, sauf que la
vitesse de phase propre à chaque mode est différente. De façon générale,
générale, les lignes microruban
es impédances caractéristiques ainsi que par des
couplées sont caractérisées par des es constantes
constant de
propagation et des permittivités diélectriques effectives différentes pour les deux modes.

Lorsque deux lignes sont voisines l’une de l’autre, le champ électri

électrique engendré par
l’excitation d’une ligne engendre dans l’autre ligne un courant supplémentaire dû au couplage
d’une
capacitif : cet effet est modélisé dans le circuit équivalent des deux lignes par une capacité de
couplage Css entre les deux lignes, en plus des capacités propres que les lignes présentent vis-à-
vis
vis de la masse et notées Cs. De même, le champ magnétique lié au courant circulant sur une
ligne engendre un flux magnétique au sein duquel est plo gée l’autre ligne, ce qui a pour effet
plongée
ant supplémentaire sur cette deuxième ligne : cet effet est modélisé dans le
d’induire un courant
schéma équivalent par une inductance mutuelle Lm modulant l’inductance propre de chaque
ligne L0.

a décrit le circuit équivalent des lignes microrubans couplées symétr

La Fig. 1.13a iques. Une
symétriques.
résistance et une inductance propre en série ((R et L0) modélisent le ruban métallique tandis que
Cs représente la capacité entre le ruban et le plan de masse. De plus, l’inductance mutuelle Lm et
la capacité de couplage Css sont utilisées pour rreprésenter
eprésenter le
les couplages
couplage magnétique et capacitif
entre les deux rubans. Pour le mode pair (Fig.
(Fig.1.13b)
b) le plan de symétrie agit comme un mur

37
magnétique (circuit ouvert) et aucun courant ne circule entre les deux rubans. Notons que Css n’a
pas d’influence su
surr ce mode puisque cette capacité voit le même potentiel sur chaque borne.
borne
Pour le mode impair (Fig.1.13
(Fig.1.13c),
c), le plan de symétrie agit comme un mur électrique (court-
(court
circuit) à tension nulle.
nul

Lm

(a) L0
R L0
R
Cs Css Cs

Mode pair Mode impair

Mur E
Mur H L0 + Lm L0 ˗ Lm
R R
Cs 2C
Css Cs

(b) (c)

Fig. 1.13 quivalent des lignes microrubans couplées symétriques en mode pair et mode
13 Circuit équivalent
impair

On définit une longueur infinitésimale de lignes couplées. Les éléments localisés

précédents sont considérés linéiques. On appelle Ce, Co, Le, Lo les capacités et les inductances
inducta
linéiques associées respectivement au modèle des télégraphistes des modes pair (even) et
impair (odd)
(odd).

+ = ; (1.12)

8 = ; + 2;; (1.13)

+ = ( + G (1.14)

8 = ( H G (1.15)

Ces éléments sont déterminés par la permittivité du substrat diélectrique εr et ses

dimensions physiques, i.e. l’espacement G entre les rubans couplés, l’épaisseur du substrat h,
cun des rubans. Des études détaillées sur l’influence de chacun de
ainsi que la largeur W de chacun
ces paramètres physiques sur les performances du coupleur sont données dans les ouvrages de
référence [[POZAR, 2011].
20

38
 Enfin, on définit les couplages électriques et magnétiques par l’intermédiaire des
expressions suivantes :

+ H 8
I+ =
+ + 8
(1.16)

+ H 8
IG =
+ + 8
(1.17)

1.5.2 Coupleurs co-directifs et contra-directifs

L’étude des lignes couplées est intimement liée à l’étude des coupleurs qui en résultent. Le
couplage peut être co-directif tel que sur la Fig. 1.14a ou contra-directif tel que sur la Fig. 1.14b
pour la même excitation sur le port 1.

A A
1 2 1 2

I C I C
4 3 4 3

(a) (b)

Fig. 1.14 (a) Coupleur co-directif et (b) coupleur contra-directif

On définit alors les paramètres de transmission ou atténuation sur la voie directe (A), de
couplage sur la voie couplée (C) et d’isolation sur la 4ème voie, (I). La directivité (D) représente la
facilité à orienter la transmission de puissance vers la voie couplée par rapport à la voie isolée.
Elle est donnée par la soustraction du couplage par l’isolation. Le tableau 1.2 décrit les équations
correspondant à A, I, C et D en fonction des paramètres S.

TABLEAU 1.2 Les équations correspondant à A, I, C et D en fonction des paramètres S

Paramètres Coupleur co- Coupleur contra-

caractéristiques directif directif

Atténuation (A) H20KLM|5 | H20KLM|5 |

Couplage (C) H20KLM|5O | H20KLM|5P |

Isolation (I) H20KLM|5P | H20KLM|5O |

|5O | |5P |
H20KLM H20KLM
|5P | |5O |
Directivité (D)

39
1.5.3 Intérêt des ondes lentes pour les lignes couplées

Dans le cadre de la thèse de José Lugo [LUGO, 2015], il a été démontré que les barreaux
flottants sous les lignes couplées coplanaires (lignes couplées coplanaires à ondes lentes)
permettaient de contrôler la valeur du couplage tout en conservant une directivité infinie. La
question s’est donc posée naturellement pour les lignes couplées microrubans à ondes lentes sur
substrat structuré. Ce type de structure extrêmement innovante n’a jamais été étudié au sein de
la littérature. Aussi afin de pouvoir valoriser ses performances, il faudra identifier d’un point de
vue théorique quels seront les atouts d’une telle ligne, comment les mettre en avant pour du
couplage directif ou contra-directif et de comparer, le cas échéant avec les coupleurs adéquats
de la littérature. Nous verrons que le couplage directif sera un point fort de cette topologie de
ligne et l’état de l’art concernant les coupleurs directifs sera décrit au sein du chapitre 3.

1.5.3.1 Coupleur contra-directif à lignes couplées

Une des applications en hyperfréquence les plus courantes des lignes couplées est le
coupleur contra-directif, basé sur une simple section quart d’onde de lignes couplées. Le
coupleur équilibré 3-dB est largement utilisé pour diverses applications, i.e. les amplificateurs
de puissance équilibrés, les mélangeurs, les modulateurs, les systèmes de mesure, les antennes à
polarité circulaire, etc. En théorie, le coupleur contra-directif peut présenter plusieurs niveaux
de couplage car il couple une quantité définie de l'énergie électromagnétique pour obtenir le
couplage souhaité pour une application spécifique avec une taille compacte. Généralement, le
coupleur se compose d’une ou plusieurs sections de lignes couplées de longueur quart d'onde
qui permettent d'élargir la bande passante [POZAR, 2011].

Le niveau de couplage d’un coupleur à lignes couplées classique est principalement limité
par la restriction de l'espacement entre les deux lignes de transmission parallèles, couramment
à 0.1 mm dans la technologie standard de fabrication du circuit imprimé (PCB), conduisant à un
faible couplage de 8 à 40 dB en pratique [MONGIA, 1999]. D'autre part, un coupleur directif
traditionnel peut avoir une directivité faible, généralement inférieure à 20 dB, due à la différence
de vitesse de phase des modes pair et impair [LEE, 2009]. Par conséquent, certaines recherches
se sont orientées vers le développement et l’amélioration de la structure du coupleur directif à
lignes couplées afin d’augmenter le niveau de couplage (jusqu’à 3 dB) et d'améliorer la
directivité.

1.5.3.1.1 Augmentation du niveau de couplage

De nombreuses équipes ont proposé des méthodes pour obtenir un coefficient de couplage
de 3 dB pour le coupleur à lignes couplées. Citons ici le coupleur très connu de Lange

40
[OSMANI, 1981], le coupleur avec N-sections de lignes couplées en tandem [CHO, 2005], le
coupleur à lignes couplées avec la présence des lignes supplémentaires non-couplées de
longueur quart d'onde en méandres [CHUN, 2004], [FUJII, 2005], le coupleur « broadside » sur
substrat multicouches [CHANG, 2008], le coupleur avec deux sections supplémentaires de lignes
couplées [WU, 2013] et le coupleur avec structure de compensation en fragment [Wang, 2017].
Néanmoins il est important de noter que la directivité de ces coupleurs reste encore modeste.

L’état de l’art pour des coupleurs contra-directifs à lignes couplées présentant un couplage
de 3 dB est donné par le Tableau 1.3.

TABLEAU 1.3 Comparaison des performances de divers coupleurs contra-directifs de la

littérature présentant un couplage fort de 3 dB

Bonding Center Coupling

Bandwidth Phase Directivity
Reference wires or freq. level
% difference [dB]
joints [GHz] [dB]

[OSMANI, 1981] Yes 3 N/A 2.8 ± 0.4 90° ± 4° 18 – 22

[CHUN, 2004] No 1.8 26% 3 ± 0.5 N/A 33 – 42

[CHO, 2005] Yes 4.5 42% 3.7 ± 0.5 90° ± 1° 12 – 20

[FUJII, 2005] No 5 16% 3.3 ± 0.5 90° ± 2° 25 – 33.5

[CHANG, 2008] No 2.4 25% 3.2 ± 0.1 90° ± 0.6° 22 –48

[WU, 2013] No 1.9 11% 4.5 ± 0.5 90.5° ± 0.6° 25 – 36.6

[WANG, 2017] No 2 21.5% 3.2 ± 0.3 N/A 25 – 47

Bien que ces méthodes puissent améliorer le couplage, elles peuvent avoir certains
inconvénients tels que des rubans métalliques supplémentaires [CHO, 2005], le coût élevé de
fabrication sur le substrat multicouche [CHANG, 2008] et des dimensions plus importantes
[FUJII, 2005], [CHUN, 2004].

1.5.3.1.2 Amélioration de la directivité des coupleurs contra-directifs

Dans la continuité de la recherche, afin d’améliorer la directivité du coupleur à lignes

couplées microrubans, différentes techniques de compensation de la différence de la vitesse de
phase des modes pair et impair ont été proposées dans la littérature. Citons la technique de
compensation inductive [PHROM, 2006] ou capacitif [GRUSZ, 2011]; l’utilisation de lignes de
transmission ayant une permittivité effective négative (métamatériaux) pour égaliser les

41
vitesses de phase en mode pair et impair [POURZADI, 2012]; la structure de ligne couplée
ondulées en forme de dents de scie, où la vitesse de phase du mode impair est ralentie, alors que
celle du mode pair n'est pas affectée, ce qui conduit à une directivité améliorée [MULLER, 2010];
l’ajout de stubs en formes d'éperon [CHANG, 2004]; le chargement inductif [LEE, 2010], l’ajout de
deux sections supplémentaires de lignes couplées [WU, 2013], et les lignes couplées à ondes
lentes [LUGO, 2014].

On notera que l’obtention d’un couplage 3 dB n'est pas toujours recherchée dans ces
conceptions, d’autant plus qu’une forte directivité est plus dure à atteindre pour des faibles
couplages que pour des forts couplages. L’état de l’art de performances des coupleurs contra-
directif à lignes couplées ayant une haute directivité est donné Tableau 1.4.

TABLEAU 1.4 Comparaison des performances de divers coupleurs contra-directifs de la

littérature dans le but d’améliorer la directivité.

Center Directivity Bandwidth

Coupling Isolation*
Reference Frequency Dmax D > 20dB
[dB] [dB]
[GHz] [dB] [%]

[CHANG, 2004] 2.4 -10 37.5 37.5% 23 - 47.5

[PHROM, 2006] 0.9 -10 25 33% 30 - 40

[MULLER, 2010] 2 -20 30 >200% 50 - 70

[LEE, 2010] 2.4 -20 56 16.3% 32 - 75

[GRUSZ, 2011] 2 -3.3 27 100% 26 - 52

[POURZA, 2012] 2 -10 40 8.7% 30-50

[WU, 2013] 2 -4.2 36.6 20% 25 - 35

[LUGO, 2014] 60 -3.3 25.1 N/A N/A

L’article [Lugo, 2014] présente un coupleur contra-directif à lignes couplées à ondes lentes
avec des barreaux métalliques flottants. L’insertion des barreaux métalliques permet à la fois de
réduire la longueur physique de la ligne (grâce au confinement du champ électrique) et de
réaliser des lignes avec un facteur de qualité élevé. En coupant de façon adéquate ces barreaux
flottants entre les deux lignes couplées ou entre les lignes et les plans de masse, on peut
contrôler la vitesse des modes pair et impair indépendamment, l’égaliser, et obtenir
théoriquement une directivité infinie. Cette approche est très intéressante pour les lignes de
type S-CPW.

42
1.5.3.2 Coupleur co-directif à lignes couplées

Une autre application des lignes couplées est le coupleur co-directif (forward-wave
directional coupler). Notamment les coupleurs co-directifs présentent plusieurs avantages
comme un niveau de couplage pouvant atteindre 0 dB, une directivité élevée et une grande
souplesse de conception dans un système en raison de l’alignement des ports de sortie
[IKALAINEN, 1987]. Malheureusement ils souffrent d’un encombrement longitudinal non
négligeable. En effet, la longueur totale d’un coupleur co-directif sera d’autant plus réduite que
les lignes couplées présentent des vitesses de phase très différentes pour les deux modes de
propagation, pair et impair. Plusieurs techniques différentes ont été décrites pour favoriser la
miniaturisation du coupleur co-directif, y compris l’ouverture de motifs dans le plan de masse
[CHANG, 2001], [HSU, 2011], l’utilisation de lignes de transmission composite main droite/gauche
(CRLH) [LUI, 2002], [HIROTA, 2009], l’ajout de stubs périodiques [KESHAVARZ, 2010] et l’ajout de
charges capacitives le long des lignes de transmission [PARK, 2011], [HA, 2016]. Ses
performances sont données tableau 1.5.

TABLEAU 1.5 Comparaison des performances de divers coupleurs co-directifs de la littérature

présenté un couplage total de 0-dB.

Fréq. Couplage Miniaturi Largeur de

Technique
[GHz] mesuré sation bande

Ouverture de motifs
[CHANG, 2001] 7 2 dB 35% 14%
dans le plan de masse
Ouverture de motifs
[HSU, 2010] 2.9 1 dB 73% 19%
dans le plan de masse
Ouverture de motifs
[HSU, 2011] 1.5 0.5 dB 92% 12%
dans le plan de masse

[LUI, 2002] CRLH 3.8 4.5 dB 76% 6%

0.3 dB 60% 66%

[KESHAVARZ, 2010] Stubs périodiques 3
simulé simulé simulé

[PARK, 2011] Charges capacitives 5 0.9 dB 89% 34%

43
 CHAPITRE 2. LIGNE MICRORUBAN A ONDE LENTE SUR SUBSTRAT
STRUCTURE, RF ET MILLIMETRIQUE

Comme décrit au cours du chapitre 1, les premiers résultats sur des lignes microrubans
classiques ont été présentés par D.D. Grieg et H.F. Engelmann en 1952 [GRIEG, 1952]. C'est un
ensemble constitué de deux conducteurs : un ruban étroit (microruban), séparé d'un large plan
de masse par un substrat diélectrique, le tout permettant de guider la propagation d’une onde
électromagnétique. Dans la continuité des recherches pour améliorer les performances de ces
lignes de propagation, plusieurs topologies ont été développées afin de ralentir la vitesse de
propagation. Nous nous intéressons ici à la modification de la structure classique par
l’adjonction de vias ou nano-vias dans une bonne partie du substrat pour obtenir une ligne
microruban à ondes lentes. Dans un premier temps, nous verrons leur principe de
fonctionnement. Puis nous décrirons les technologies utilisées dans les domaines RF et
millimétrique respectivement, pour ensuite détailler le modèle électrique équivalent. Ce modèle
permettra un gain de temps considérable dans le design de circuits tels que le coupleur hybride
fonctionnant à 7.5 GHz présentés en dernière partie de ce chapitre 2.

2.1 Principe des lignes microruban à onde lente sur substrat structuré
On considère sur la Fig. 2.1 deux topologies de lignes, identiques sur le principe, mais
adaptées respectivement aux domaines RF et millimétrique.

La Fig. 2.1(a) représente la topologie de la structure de ligne microruban à ondes lentes

utilisée pour le domaine RF (Slow-Wave Microstrip Transmission Line, SW-µTL). Elle est
composée d’une ligne de cuivre, imprimée sur la couche supérieure d'un substrat multi-couches.
La couche basse est traversée intégralement par un réseau de vias borgnes qui jouent le rôle de
perturbateurs de champ électrique et sont connectés au plan de masse. Au-dessus de ce réseau,
la couche supérieure concentre l’énergie électrique : le champ électrique est attiré par le haut
des vias et ne va pas jusqu’au plan de masse. Le champ magnétique au contraire profite de tout
l’espace disponible, contournant les vias mais occupant tout le reste du volume jusqu’au plan de
masse. En quelque sorte, il y a de l’énergie magnétique stockée (le champ magnétique est seul
présent dans la couche basse où il ne peut y avoir de champ électrique) et donc ralentissement
de l’onde. La technologie utilisée et les dimensions seront décrites dans la section suivante §2.2.

44
 Cuivre
Cuivre, W Cuivre W
Cuivre,

PCB
Membrane
Rogers

(a) (b) GND

via GND nanofils

Fig. 2.1 Topologie

logie de la structure de ligne microruban à ondes lentes (a) sur PCB structuré par
un réseau de vias métalliques
talliques et (b) sur membrane à nanofils métalliques
métalliques.. Le détail des
dimensions sera fourni au §2.2.

La Fig. 2.1(b) résume le concept de la ligne microruban à onde lente qui fonctionne aux
fréquences millimétriques. Elle est composée également d’une ligne d
dee cuivre gravée au-dessus
au
d’un substrat multicouche. La couche basse est constituée d’une membrane d’alumine,
initialement nanoporeuse, emplie de nanofils métalliques connectés au plan de masse. Cette
membrane est recouverte d’une couche d’oxyde de siliciu
silicium
m faisant office de diélectrique.
diélectrique De la
même manière que précédemment, le champ électrique se concentre dans la couche d’oxyde
supérieure, alors que le champ magnétique occupe tout l’espace disponible. La technologie sera
décrite en détail un peu plus tard au sein de ce chapitre.

Lee principe de la ligne à ondes lentes consiste à stocker de l’énergie électrique ou

limité de la structure. Le phénomène d’ondes lentes résulte de ce
magnétique en un lieu délimité
phénomène ’équation (1) résume les deux approches théoriques
phénomène. L’équation riques possibles, matériau via
l’augmentation de la permittivité effective,
effective ou électrique via les paramètres d’inductance et de
capacité linéiques du modèle des télégraphistes :

'( 1
%& = =
)* +,,
* √ × 
(2.1)

où vφ représente la vitesse de phase de l’onde, c0 est celle de la lumière dans le vide, εr eff
représente la permittivité relative effective. Lorsque l’on modélise une ligne de propagation avec
un modèle électrique RLCG, L et C représentent
représente son inductance linéique et sa capacité linéique.
Ainsi, l’augmentation de L et/ou C de la ligne à onde lente par rapport à une propagation guidée
réduire la vitesse de phase de l’onde.
classique permet de réduire

Dans la ligne microruban à ondes lentes de la Fig. 2.1, puisque le champ électrique est
concentré dans la couche diélectrique supérieure, lla
a capacité parallèle du modèle électrique est
une ligne microruban classique d’épaisseur égale à celle
extrêmement forte par rapport à celle d’une

45
du substrat multi-couches complet. La Fig. 2.2 montre les champs E et H dans une ligne
microruban à onde lente sur substrat PCB structuré. La Fig. 2.3 montre quant à elle les champs
électrique et magnétique sur la membrane à nanofils. Dans les deux cas, on note la présence de
champ magnétique entre les vias ou nanofils. Par contre le champ électrique reste bien confiné
au-dessus.

Champ E

(a)

Champ H

(b)

Fig. 2.2 Allure du champ électromagnétique simulé d’une ligne microruban à ondes lentes sur
substrat PCB structuré : (a) champ électrique et (b) champ magnétique dans un plan transversal
à celui de la propagation

Champ E

(a)

Champ H

(b)

Fig. 2.3 Allure du champ électromagnétique simulé d’une ligne microruban à ondes lentes sur
membrane à nanofils métalliques : (a) champ électrique et (b) champ magnétique dans un plan
transversal à celui de la propagation

Remarque : On note que pour la ligne sur substrat PCB, le champ H est quand même
perturbé par les vias alors qu’il l’est beaucoup moins sur les lignes à nanofils. La façon dont le

46
champ magnétique contourne les vias en RF n’est pas évidente à appréhender. Cela sera une
difficulté lors de la mise en place du modèle électrique équivalent.

2.2 Technologies
2.2.1 RF : PCB structuré

La technologie est fournie par la société GTiD. La ligne SW-µTL est composée d’une ligne
de cuivre de largeur W, imprimée sur la couche supérieure d'un substrat à trois couches
respectives RO4003C (épaisseur htop), RO4450F (épaisseur hinner) et RO4003C (épaisseur hbot), de
haut en bas (Fig. 2.4a). Les propriétés diélectriques des matériaux sont les suivantes : RO4003C
(εr = 3.55, tanδ = 0.0027), et RO4450F (εr = 3.52, tanδ = 0.004). Ces matériaux sont appropriés
pour offrir des performances supérieures en RF telles que de faibles pertes, des propriétés
électriques stables en fonction de la fréquence et un coût compétitif de fabrication de circuits
[ROGER].

Sous la ligne microruban, les vias borgnes en réseau présentent un rayon de R1. Ils sont
inter distants de S et sont connectés au plan de masse inférieur. Basé sur les technologiques
standards de fabrication des vias, chaque via borgne est recouvert d’une pastille (pad) de rayon
R2 situé dans la couche hinner.

Sub_1 : RO4003; εr = 3.55 ; htop = 203μm

M1
M2 Sub_2 : RO4450; εr = 3.52 ; hinner = 102μm
Sub_3 : RO4003; εr = 3.55 ; hbot = 813μm
M3

(a)
2R2+S = 800μm
S = 200μm
2R2 = 600μm

(b) 2R1 = 400μm

2R2+S

(c)

Fig. 2.4 Ligne microruban à ondes lentes en technologie PCB: (a) section transversale de la
structure, (b) vue 3D et dimensions des vias métalliques, (c) arrangement des vias

47
 Avec le développement des technologies microélectroniques, de nombreuses équipes de
recherche ont réalisé des lignes S-CPW à faibles pertes en optimisant les dimensions du blindage
pour diminuer l’effet des courants de Foucault. Par exemple, en technologie BiCMOS 0.18 µm, les
auteurs [CHEUNG, 2006] ont mis des barreaux flottants les plus petits possibles au milieu de la
couche isolante (SiO2, d’épaisseur 8 µm). Cette ligne S-CPW offre des pertes faibles mesurées à
0.16 dB/mm à 10 GHz, une permittivité relative effective élevée entre 18 et 20 et un facteur
d’ondes lentes obtenu intéressant (SWFS-CPW/CPW ≈ 2.3). En technologie CMOS 65nm, la ligne S-
CPW avec les blindages implantés dans les couches métalliques les plus basses [VARONEN, 2008]
a des pertes d’environ 1.2 dB/mm à 60 GHz. En technologie BiCMOS9MW, A.L. Franc a montré
des lignes S-CPW ayant des faibles pertes inférieures à 0.7 dB/mm avec un facteur de qualité
élevée de 25 à 40 [FRANC, 2011]. Toutes les dimensions comme la largeur des barreaux, leur
espacement et l’épaisseur de diélectrique entre la ligne coplanaire et son blindage ont été
considérées [CHO, 2009] pour évaluer leur impact sur les paramètres de la ligne S-CPW
(impédance caractéristique, pertes et permittivité relative effective). L’article [FRANC, 2013]
présente en détail la répartition des pertes le long de la structure, y compris les pertes ohmiques
sur les rubans coplanaires, les pertes ohmiques et les pertes par courants de Foucault sur les
barreaux de blindage flottants pour des lignes de transmission ayant des dimensions
géométriques différentes. Le modèle est ensuite validé sur différentes technologies CMOS et
conduit à une optimisation efficace des lignes de transmission à ondes lentes S-CPW avec les
dimensions du blindage flottant.

Les lignes différentielles à ondes lentes présentée dans [AZIZ, 2009] se composent d'une
paire de conducteurs de largeur (W) séparés par un espacement (S) et déposés sur un substrat
diélectrique avec un blindage. L'idée consiste à placer des bandes flottantes sous les lignes de
transmission couplées coplanaires (CPS) afin d’empêcher le champ électrique de pénétrer dans
le substrat de silicium. Une étude paramétrique pour toutes les dimensions des lignes de
transmission S-CPS a été effectuée et les règles de conception ont été mises en évidence. La
performance de ce type de lignes dépend principalement de la résolution fournie par la
technologie en termes de largeur de barreaux flottants minimale, l'espacement minimum entre
eux et l'épaisseur du métal constituant les barreaux. L'espacement entre les deux lignes
coplanaires détermine fortement l'impédance caractéristique de la structure, l’autre élément
étant la largeur des lignes. Par ailleurs, plus l'espacement est important, plus la constante
d'atténuation est faible et plus le facteur de qualité est élevé. Autour de 10 GHz, un facteur de
qualité de l'ordre de 35 est réalisable pour des lignes de transmission de 50 Ω avec une
constante diélectrique effective de l'ordre de 78, ce qui conduit à une miniaturisation

30
 Avec la technologie de fabrication disponible chez GTiD, pour une ligne de transmission à
onde lente ayant les dimensions décrites ci-dessus,
ci dessus, les deux densités sont déterminées :
dstvias = 22.7% ; dstpads = 51.1%.

La Fig. 2.5 présente une photographie de lignes fabriquées avec vue de dessus et vue de
dessous. Quatre largeurs de rubans sont disponib
disponibles : 0.4 mm, 0.8
0. mm, 1.2 mm et 1.6 mm. Cela
permet d’obtenir des lignes SW
SW-µTLs ayant une impédance caractéristique variant de 30 à 80 Ω.
Elles sont accessibles par des accès CPWG (Coplanaire Waveguide Grounded) de 50 Ω afin d’être
d’
reliéess à des connecteurs SMA. Deux longueurs de lignes sont disponibles 10 mm et 50 mm.
mm

(a) (c)

(b) (d)

Fig. 2.5 Photographie des lignes fabriquées : (a) et (c) vues de dessus et (b) et (d) vues
vue de
dessous. (a) et (b) Longueur 50 mm. (c) et (d) Longueur 10 mm.

2.2.2 Millimétrique : membrane nanoporeuse

Nous avons vu dans le chapitre 1, que pour la montée en fréquence, il était pertine
pertinent
d’intégrer les passifs au sein d’un interposeur plutôt que dans les Back Line des
Back-Ends-Of-Line
technologies silicium. Pour des lignes microrubans à ondes lentes, un substrat structuré par des
lignes
nanofils métalliques est tout-à-fait indiqué comme interposeur
tout -fait interposeur.. Cela
Cela réduit bien évidemment les
pertes (moins de pertes de Foucault aux plus hautes fréquences dans des nano-vias
nano que dans des
vias de plusieurs micro ètres de rayon) et autorise une miniaturisation importante en
micromètres
favorisant des forts rapports d’aspect entre la hauteur des nanofils et l’épaisseur de la couche
diélectrique supérieure [S 14]. La structure à nanofils est donnée Fig. 2.6. La
[ ERRANO, 2014].
technologie est proposée par des collègues brésiliens de l’Université de Sao Paulo, sous la
direction de Gustavo Rehder.
Re Toutes les dimensions sont indiquées sur la Fig. 2.6. Les variations
correspondent aux paramètres typiques avec lesquels la fabrication a été optimisée.

49
 M1 Sub_1: SiO2; εr eff = 4 ; h1 = 0.3 μm →2 μm
1 → 3 μm

Sub_2: Al2O3; εr eff = 9.2 ; h2 = 50 μm →100μm

M2
3 μm
(a)

S = 140nm

2R = 55nm

h2 = 50→100nm

(b)

Fig. 2.6 Ligne microruban à ondes lentes sur la membrane à nanofils métalliques: (a) section
transversale de la structure, (b) vue 3D et dimensions des nanofils métalliques.

Il est intéressant de noter que l’élaboration de la membrane nanoporeuse se fait

naturellement en nid d’abeille. Les nanofils métalliques seront donc répartis en quinconce
également. On définit la densité de nanofils dstnnfs, comme le pourcentage de surface métallique
pour une surface unitaire de la membrane :

2T
QRS99,; =
2 + 5 √3
(2.5)

La Fig. 2.7 décrit le procédé de fabrication d’une ligne microruban sur la membrane à
nanofils métalliques. La ligne microruban est enfin réalisée selon un processus classique de
dépôt/gravure. Tout d’abord une membrane nanoporeuse d’alumine, d’épaisseur h2 μm est
obtenue par une oxydation électrochimique d'aluminium sous des tensions d'anodisation
spécifiques (Fig. 2.7a). La procédure détaillée est basée sur la méthode décrite en référence
[MASUDA, 1995]. Plusieurs étapes de traitement d’une plaque d'aluminium pur (polissages
mécanique et électrochimique de la surface, anodisation) sont nécessaires pour obtenir une
membrane avec des réseaux ordonnés de nanopores. Le diamètre des nanopores est ajustable de
5nm à plusieurs centaines de nanomètres avec une distance interpores variant de la dizaine à
plusieurs centaines de nanomètres, avec la densité de pores correspondante dans la gamme de
1012 à 109 cm-2. Les dimensions de cette structure poreuse sont définies par des conditions
d’anodisation spécifiques : électrolyte et tension d’activation sont les éléments clefs d’une
ingénierie de précision permettant de jouer sur la morphologie à l'échelle nanométrique. Cette
membrane est appelée AAO (oxyde d'alumine anodique) dans la littérature dévolue à la chimie.

50
 50
BiCMOS9MW CPW
Membrane nanoporeuse
μTL
Facteur de qualité 40
0.35µm
m
S-CPW [Lai,2007]
30 S-CPW [Varonen,2008]
130nm S-CPW [Vecchi,2009]
20 SWμTL
TL [Lee,2010]
65nm
90nm S-CPW [Franc,2011]
10
SWμTL
TL [Serrano,2014]

0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
Pertes (dB/mm)

Fig. 1.11
11 Comparaison du facteur de qualité en fonction des pertes à 60 GHz pour des lignes
classiques et des lignes à ondes lentes dans différentes technologies.
technologies

Noto
Notons
ns que ce bilan est inutile pour les lignes SS-CPW
CPW en PCB. Il n’a pas été réalisé sur les
lignes microrubans en PCB. L’effet sur la miniaturisation est souvent un peu moindre du fait des
rapports d’aspect qui sont moins favorables à une très forte miniaturi
miniaturisation.
sation. En parallèle, les
pertes engendrées par courant de Foucault peuvent être assez fortes au sein des vias, si bien que
le facteur de qualité n’est pas forcément amélioré, voire il peut être dégradé dans certains cas.
Par contre, nous verrons au sein du chapitre 2, que l’effet de miniaturisation ne joue pas que sur
du
la longueur des lignes mais aussi sur leur largeur. C’est là le point fort des SW µTL sur substrat
SW-µTL
structuré en RF.

1.4.3 Conclusion quant à l’étude historique : impact sur mon travail de thèse

Pou l ensemble des éléments historiques rapportés sur la miniaturisation

Pourr conclure sur l’ensemble
des dispositifs passifs dans le but d’une intégration plus performante, tant en RF que dans le
millimétrique, deux constats apparaissent.

Le premier constat concerne l’aspect distribué qui a l’avantage de proposer une approche
l’aspect
méthodologique avec un travail sur la ligne de transmission qui devient ainsi un nouvel outil à
disposition du concepteur. Le design devient alors aisé, flexible et l’on peut dès lors tirer parti de
outes les techniques présentées dans la littérature pour encore améliorer les dispositifs déjà
toutes
rendus ultra performants grâce à l’apport des lignes à ondes lentes.
ultra-performants

Le deuxième constat porte sur l’état des connaissances en terme

termes de compréhension et de
élisation des phénomènes physiques mais aussi de réalisation.
modélisation réalisation. On peut distinguer les lignes
de type coplanaires (CPW, CPS) qui ne nécessitent qu’un niveau de métal, des lignes microruban

34
isolant pour les applications RF et millimétriques, la forte densité de nanofils de cuivre assure
que les quelques pores non remplis n’affectent pas les performances du SW-µTL.

Group of SW-
microstrip
transmission
Microstrip line lines

Ground pad

Fig. 2.8 Procédé de fabrication d’une ligne microruban sur la membrane à nanofils métalliques.

L’encart de la Fig. 2.8 montre un échantillon de plusieurs lignes SW-µTL ayant différentes
longueurs mais une même largeur sur la membrane à nanofils métalliques. Ceci constitue un
groupe. Sur la photographie du wafer complet, Fig. 2.8, les groupes sont clairement différenciés.
Chaque groupe se distingue par une largeur de ligne pouvant varier de 14 à 51 µm. Cela permet
d’obtenir des lignes SW-µTL dont l’impédance caractéristique devrait varier de 24 à 45 Ω. Les
plots de masse en bout de chaque ligne permettent la transition ligne microstrip vers les pointes
de mesure. Pour la suite, nous nous focaliserons sur trois longueurs de lignes disponibles 1 mm,
1.3 mm et 2 mm.

2.3 Simulations électromagnétiques

2.3.1 Extraction des paramètres

Des simulateurs électromagnétiques tels qu’ANSYS HFSSTM sont les outils indispensables
pour les ingénieurs dans des tâches de conception amont pour le millimétrique. Ce logiciel, et ses
concurrents, sont très utilisés pour la recherche fondamentale mais aussi lors de campagnes de
développement industriel. HFSSTM offre des solveurs de pointe basés sur les éléments finis, les
équations intégrales et sur les méthodes asymptotiques et hybrides avancées, afin de simuler un
large spectre de composants et systèmes RF.

Dans ce travail, plusieurs simulations électromagnétiques de lignes microruban à ondes

lentes ont été réalisées pour évaluer leurs performances et caractériser leurs paramètres. En
théorie, la structure de ces lignes est discrétisée par des mailles de type tétraédrique où les
équations de Maxwell sont alors résolues selon les conditions spécifiques aux limites et

52
l’excitation à chaque accès. Cela permet d’obtenir la solution du champ électromagnétique dans
toute la structure et de déterminer les matrices S. De plus, le logiciel HFSSTM permet aussi de
simuler une moitié de la structure symétrique avec des conditions spécifiques de bord sur le
plan de symétrie H. Ceci permet de réduire la dimension du problème pour gagner du temps de
simulation et de l'utilisation de mémoire.

La Fig. 2.9 montre l’allure du champ électromagnétique, simulé par le logiciel HFSSTM, sur
une moitié de la ligne microruban à ondes lentes sur le substrat PCB structuré dans un plan
transversal à celui de la propagation. Le champ E est confiné entre la ligne principale et les vias
donc sa répartition est alors très proche de celle d’une ligne microruban classique d’épaisseur h1
comme le met en évidence la Fig. 2.9(a). Par ailleurs, si l’espacement entre les vias est
suffisamment grand, la conservation du flux du champ H assure que celui-ci est peu perturbé par
la présence des vias. En simulation, ceci est vérifié (Fig. 2.19(b)) où le champ magnétique d’une
ligne à ondes lentes est présent tout autour du conducteur central.

Symétrie - H

(a) Champ E (b) Champ H

Fig. 2.9 Allure du champ électromagnétique simulé d’une moitié de la ligne microruban à ondes
lentes sur le substrat PCB structuré de la Fig. 2.4 : champ (a) électrique et (b) magnétique dans
un plan transversal à celui de la propagation.

La Fig. 2.10 illustre SW-µTL, à partir des simulations HFSSTM la technique d’extraction des
paramètres tel que l’impédance caractéristique, la constante de propagation... Une fois la
simulation d’une ligne microruban à ondes lentes de longueur l simulée avec HFSSTM, on obtient
la matrice [S] de cette ligne, entre chaque port où l’excitation du mode de propagation principal
est établie.

53
 2 lignes
lignes SWμTL Matrices Matrices

 , )* +,,
K1 et K2 s5tK1 , K2 sbghtK1 H K2
Simulations Deembedding
HFSS [MANGAN-2006]

Fig. 2.10
10 Procédé de caractérisation de lignes microruban à onde lente à partir des simulations
HFSSTM

Ainsi, une étape de « de--embedding

embedding » est nécessaire pour supprimer la contribution des
accès. La technique de « de-em
embedding » choisie dans ce travail consiste en une méthode
proposée par Mangan [M
[ ANGAN-2006].
2006]. Elle repose sur l’utilisation de deux lignes de propagation
symétriques, mesurées ou simulées, ayant des mêmes paramètres physiques et des longueurs
différentes l1 et l2. Ensuite, une ligne de propagation fictive équivalente ayant les mêmes
paramètres avec une longueur de ||l1 ˗ l2| est obtenue après l’application du « de-embedding
embedding ».
Comme toute ligne de propagation, sa matrice [ABCD] peut s’écrire sous la forme :

o   H K vv
 sinho K
cosho K o   H K vv
b g
a i = m1 y
 h <j k<l o K H K vv
sinho    H K v
cosho K


(2.6)

Cette matrice [ABCD] permet de déterminer les paramètres tels que l'impédance
caractéristique Zc, la constante de propagation γ et la constante diélectrique
diélectrique relative εr eff :

g

 = 

(2.7)

coshk b
=  +  =
|K H K |
(2.8)

'(  
)* +,, = w x
2T0
(2.9)

2.3.2 Analyse de la flexibilité de positionnement sur le substrat structuré

Ce travail a été mené sur le substrat PCB pour lequel la taille des vias n’est pas négligeable
par rapport à celle de la ligne. Afin de justifier de la souplesse de design, il semblait important de
souplesse
présenter le substrat structuré comme un substrat classique dont on peut exprimer les
paramètres matériaux. Cela suppose que les vias puissent être considérés comme distribués
as influence le comportement de la ligne, alors il n’y a
sous la ligne. Si le positionnement des vias
plus de modèle équivalent possible et on retrouve les mêmes contraintes que celles exposées
pour les techniques de miniaturisation par éléments localisés lors du chapitre 1.

54
 Plusieurs simulations de la même ligne microruban à ondes lentes positionnée
différemment au
au-dessus
dessus des vias ont été réalisées sur HFSSTM afin d'étudier l’influence du
décalage du ruban par rapport à une position et un agencement de référence des vias sur
l’impédance caractéristique
caractéristiq Zc et la constante diélectrique effective εr eff (Fig.
Fig. 2.11). Il y a quatre
cas à étudier : (a) référence (ligne verticale centrée sur une colonne de vias)), (b) ligne verticale
et décalage maximal, (c) ligne horizontale centrée sur une ligne de vias, (d)) ligne horizontale et
décalage maximal
maximal.

Les performances de la ligne restent stables (variation maximale inférieure à 4%) quelle
que soit la position du ruban au
au-dessus
dessus des vias. En d'autres termes, la position n'a que très peu
d’incidence
incidence (avec cette densité
densité et ce diamètre de via) sur les paramètres caractéristiques.
Comme pour les lignes conventionnelles, nos lignes offrent une grande souplesse de conception
et peuvent être placées indifféremment sur le substrat structuré sans modification de leurs
paramètres
ètres électriques.
électriques

(a) (b)

(c) (d)

80 8
verticale, nul
70 verticale, max 7
horizontale, nul
horizontale, max
60 6
Z0 [ Ω ]

εr eff

50 5

40 4

30 3
0 5 10 15 20
Frequency [GHz]

11 L’impédance caractéristique Zc et la constante diélectrique effective εr eff des lignes

Fig. 2.11
microrubans à ondes lentes (w = 1 mm) en fonction de la fréquence, par rapport au décalage du
ruban vis vis d’une position de référence de la ligne : (a) référence (ligne verticale centrée sur
vis-à-vis
via ), (b) ligne verticale et décalage maximal, (c) ligne horizontale centrée sur
une colonne de vias),
une ligne de vias, (d) ligne horizontale et décalage mamaximal
ximal.

55
2.4 Développement d’un modèle analytique
2.4.1 RF : PCB

Comme exposé au paragraphe 2.3, les simulateurs électromagnétiques tels qu’ANSYS

HFSSTM sont capables d’offrir une solution précise pour la conception et caractérisation de lignes
microrubans à ondes lentes. Cependant, les simulations sur HFSSTM sont toujours longues et
gourmandes en mémoire vive pour atteindre une bonne précision. Par conséquent, le
développement d'un modèle électrique équivalent est extrêmement utile pour aider les
concepteurs à réaliser des lignes SW-µTL efficaces. Cela permet de réduire considérablement le
temps d’analyse en évitant des simulations électromagnétiques 3D.

2.4.1.1 Analyse des phénomènes physiques et circuit équivalent proposé

Le modèle électrique d’une ligne microruban à ondes lentes sur substrat structuré est basé
sur une bonne compréhension de la répartition des champs électrique et magnétique à
l'intérieur de la structure. La Fig. 2.12a illustre la distribution des lignes de champ électrique qui
vont du ruban de signal, puis sont capturés par les vias. La distribution des lignes de champ
électrique dans plusieurs zones permet de déterminer la capacité linéaire équivalente de la ligne
que nous nommerons Clin dans la suite du chapitre. On distingue la distribution des lignes de
champ électrique :
• dans l’air,
• dans le substrat diélectrique entre le microruban et les pastilles métalliques
• dans le substrat diélectrique entre les vias où il existe un effet de pénétration.
De plus, chaque via métallique a une résistance (R*via) et une inductance (L*via) en série qui
sont connectées à la masse, ces paramètres étant finalement séparés en deux contributions
distinctes dans le modèle analytique final.

Pour obtenir correctement le modèle de capacités de la ligne SW-µTL, on propose de

séparer la distribution du champ électrique en deux zones (Fig. 2.12b) : l’une correspondant à la
pénétration, représentée par la capacité de pénétration Cpen, et une autre correspondant aux
lignes de champ électrique qui s’arrêtent au plan fictif supérieur de vias, représentée par la
capacité Cstrip. Cette zone est subdivisée en deux parties qui sont définies ci-dessous (Fig. 2.12c).
La zone 1, en orange, représente la partie des lignes de champ électrique qui vont ensuite
pénétrer au sein des couches inférieures, conduisant à la capacité C1 définie pour chaque ligne,
alors que la zone 2, en vert, considère uniquement les lignes de champ qui s'arrêtent au-dessus
d’un via, conduisant à la capacité C2 également définie pour chaque ligne. On précise que h1 est la
distance entre le ruban et le plan fictif supérieur des pads et h2 est la longueur de via.

56
 Il est important de noter ici que bien qu’il existe 3 couches dans la technologie de circuits
imprimés multicouches utilisée ici, du fait de la forte ressemblance entre les matériaux, il est
tout-à-fait approprié de ne distinguer que 2 couches pour le modèle analytique : celle au-dessus
des pastilles et celle comprenant les vias y compris les pastilles. En se référant à la Fig. 2.4,
h1 = htop + hinner - t = 203 + 102 ‒ 35 = 270 µm et h2 = hbot + t = 813 + 35 = 848 µm.

Clin

L*via εr ; htotal
R*via

(a)

Cstrip
εr ; h1
Lpen
Lvia Cpen dpen εr ; h2
lpen

(b)

C2 C1

εr ; h1
Lpen
Lvia Cpen dpen εr ; h2
lpen

(c)

Fig. 2.12 Distribution de champ électrique dans plusieurs zones prises en compte pour établir le
modèle analytique de la capacité linéique de la ligne microruban à onde lente sur le substrat PCB
structuré d’épaisseur h1+h2:
(a) le champ électrique entier
(b) séparation du champ électrique en deux parties pour distinguer la zone de la pénétration.
(c) répartition des champs électriques qui conduisent aux capacités du modèle.

Le circuit électrique équivalent d'une ligne microruban à onde lente sur le substrat PCB
structuré est présenté Fig. 2.13. Une résistance et une inductance linéaires en série (R et L)
modélisent le ruban métallique tandis que les capacités en parallèle (C1, C2 et Cpen) sont utilisées
pour modéliser la couche diélectrique dans laquelle le champ électrique pénètre pour atteindre
le plan de masse. De plus, les vias métalliques sont modélisés par une autre série de résistances
et d'inductances (Rpen, Lpen, Rvia et Lvia) connectées à la masse.

57
 L R

C1 C2

Cpen Lpen
Rpen

Lvia
Rvia

Fig. 2.13 Modèle électrique de ligne microruban à onde lente sur le substrat PCB structuré

L’estimation de chaque élément sera analysée et décrite au paragraphe ci-dessous. Tous

les paramètres de la ligne microruban à onde lente sur substrat structuré sont pris en compte
pour les calculs des éléments du modèle électrique. Elles comprennent les dimensions de la
structure (la largeur du ruban W, l’épaisseur du ruban t, les rayons R1, R2 des vias borgnes, la
distance inter-pastille S, les épaisseurs de couches diélectriques du substrat) et les permittivités
de couches diélectriques εr1, εr2.

2.4.1.2 Calcul des éléments

2.4.1.2.1 Modèle des capacités

Le modèle de capacités de ligne est basé sur une analyse de la répartition des champs
électrique à l'intérieur de la structure. Les capacités ont été estimées avec la méthode décrite
dans [ZHAO, 2009]. Cette méthode a aussi été utilisée dans [BAUTISTA, 2015] pour dériver le
modèle électrique équivalent de guide d’onde coplanaire à ondes lentes (S-CPW). Elle donne des
résultats très précis.

Il est intéressant de noter que les capacités C1 et C2 représentent les deux parties de la
capacité Cstrip entre le microruban et les vias métalliques : l'une correspond à la zone au-dessus
de l’espace inter vias (C1) et l’autre correspond à la zone au-dessus d'un via (C2). Toutes ces
capacités dépendent de la densité métallique de vias dans le substrat :

 = ;=*@\ × 1 H QRS\?:;  (2.10)

 = ;=*@\ × QRS\?:; (2.11)

Dans ce cas, la capacité Cstrip est exactement la capacité d’une ligne de transmission
classique fictive sur un substrat d’épaisseur identique à celle comprise entre le microruban et les
pastilles métalliques. Ce paragraphe décrit la façon d’estimer la capacité d’une ligne microruban

58
classique. La Fig. 2.14 illustre la distribution des lignes de champ électrique et son modèle de
capacités associé pour une ligne microruban classique sur un substrat diélectrique d’épaisseur
h1. Le calcul de Cstrip repose sur la subdivision des lignes de champ électrique en plusieurs zones.
En général, la capacité totale (Cstrip) est la somme des contributions de toutes les régions : plan
inférieur (Cp), charge ponctuelle (Cch), bord (Cfr) et plan supérieur (Cup):

;=*@\ = \ + 2z + 2,* + 2B\ (2.12)

Weff

textra
W;t
hmax
εr ; h1

αup2 α αcf
CupCfr Cch up1 Cp
Plan supérieur Cup Charge ponctuelle Cch
Bord Cfr Plan inférieur Cp

Fig. 2.14 Zones prises en compte pour établir le modèle analytique de la capacité linéique de la
ligne microruban classique

Chaque élément fait l’objet d’un calcul analytique sur Matlab, en discrétisant les zones de
champ électrique afin que la capacité dans chaque région soit calculée par la somme de la
contribution des lignes du champ électrique créé par n charges ponctuelles:

9
1 1
 = )* )( 6 |
{ Q@
(2.13)
@}

où εr est la constante diélectrique relative, ε0 est la constante diélectrique dans le vide, di est la
distance à parcourir de la i-ème ligne de champ électrique, W est la largeur du ruban.

Cette généralisation permet de calculer la capacité en définissant la trajectoire décrite par

chaque ligne de champ électrique dans chaque région afin d’appliquer la formule (2.13), comme
présentée ci-dessous.

Pour la région « plan inférieur », la distance de parcours est constante, donc la capacité
plan est simplement estimée par :

59
 6
\ = )* )(
ℎ
(2.14)

Dans la région « charge ponctuelle », les lignes de champ électrique qui partent du coin
inférieur du pavé métallique jusqu’au plan de masse de la Fig. 2.14, décrivent une trajectoire
elliptique. La distance de parcours de lignes de champ électrique est égale à un quart d’une
circonférence de l'ellipse de grand rayon h1 et de petit rayon une longueur qui varie de zéro à h1.
Il est intéressant de noter qu’une fois sous sa forme la plus simplifiée, l’équation (2.15), cette
capacité de charge ponctuelle ne dépend pas de h1. En fait, plus la hauteur du substrat est
grande, plus l’effet de la charge ponctuelle, à l’angle du pavé métallique, sera vaste, ceci
compensant cela.

9…
1 1
z = )* )( |
{  H 1  H 1  H 1
@} T 3 €1 + ‚ H ƒ€3 + ‚ €1 + 3 × ‚„
(2.15)
{ { {

Pour la région « bord » créée par les lignes de champ électrique qui partent des bords du
ruban jusqu’au plan de masse, en décrivant une trajectoire circulaire de rayon variant de h1 à
(h1 + t). Cette région est subdivisée en deux parties : dans l’air et dans le substrat diélectrique,
conduisant à deux capacités Cfr_air et Cfr_sub.

,*_?@* × ,*_;B‡
,* =
,*_?@* + ,*_;B‡
(2.16)

9…
1 1
,*_?@* = )( S |
{ H1
 ,_@ €ℎ + S‚
(2.17)
@}
{
9…
1 1
,*_;B‡ = )* )( S |
{ T H1
@} € H ,_@ ‚ €ℎ + S‚
(2.18)
2 {

ℎ
,_@ = cos k ˆ ‰
H1
ℎ + S
(2.19)
{

Pour la région « plan supérieur » créée par les lignes de champ électrique qui partent du
plan supérieur du ruban et vont jusqu’au plan de masse, les lignes de champ décrivent une
trajectoire circulaire de rayon variant de (h1 + t) à hmax. Cette région est subdivisée en trois
parties : dans l’air, encore dans l’air et dans le substrat diélectrique, conduisant à trois capacités
Cup_air1, Cup_air2 et Cup_sub. Ici hmax est la hauteur maximale que les lignes du champ électrique

60
atteignent et est donnée par l’expression (2.24). On définit Weff comme la largeur effective du
microruban pour laquelle toutes les lignes de champ électrique ont été capturées (Fig. 2.14).

1
B\ =
1 1 1
+ +
B\_?@* B\_?@* B\_;B‡
(2.20)

9…
61 1
B\_?@* = )( |
2{ H1
 €ℎ + S + S ‚
(2.21)
@} B\_@ { +Š=*?
9…
1 1
B\_?@* = )( S+Š=*? |
{ H1
 €ℎ + S + S ‚
(2.22)
@} B\_@ { +Š=*?
9…
1 1
B\_;B‡ = )* )( S+Š=*? |
{ T H1
@} € H B\_@ ‚ €ℎ + S + S ‚
(2.23)
2 { +Š=*?

ℎG?Š = 6/2 + ℎ + S (2.24)

S+Š=*? = ℎG?Š H ℎ + S (2.25)

ℎ + S
B\_@ = cos k ˆ ‰
H1
ℎ + S + S+Š=*?
(2.26)
{

ℎ
B\_@ = cos k ˆ ‰
H1
ℎ + S + S+Š=*?
(2.27)
{

6+,, = 6 + 2 × 6/2 + ℎ + S (2.28)

Le paragraphe suivant mentionne la manière d’estimer la capacité Cpen qui représente la

région de pénétration du champ électrique entre les vias comme illustrée Fig. 2.15. Les lignes de
champ électrique viennent de la zone au-dessus de l’espace inter vias (à partir d’un plan fictif) et
s’arrêtent au via. Pour appliquer la formule (2.13), on considère que lpen est la distance moyenne
à parcourir des lignes de champ électrique et la largeur effective de la région de pénétration est
égale à Weff×(1 – dstpads). On obtient ensuite :

9…
1 1 )* )( ‹+,, 1 H QRS\?:; 
\+9 = )* )( 6+,, 1 H QRS\?:;  | =
{ K@ K\+9
(2.29)
@}

où li est la distance à parcourir de la i-ème ligne de champ électrique dans la région de

pénétration.

61
 Il y a une autre approche qui consiste à séparer la région de pénétration en trois parties
(Fig. 2.15) ; la capacité Cpen sera alors estimée par :

\+9 = \+9 + \+9 + \+9O (2.30)

C2 C1

εr ; h1
Lpen
Lvia Cpen dpen εr ; h2

wpad

tpad

lpen

Region 1: Cpen1 Region 2: Cpen2

Region 3: Cpen3

Fig. 2.15 Distribution de champ électrique dans la zone de pénétration

La région « Cpen1 » est créée par les lignes de champ électrique qui viennent de la zone au-
dessus de l’espace inter vias (à partir d’un plan fictif) et s’arrêtent sur le plan vertical au niveau
des pastilles des vias, décrivant une trajectoire circulaire. La distance de parcours de lignes de
champ électrique est égale à un quart d’une circonférence du cercle de rayon variant de 0 à
l’épaisseur tpad.

=Œ }=Ž
1 1
\+9 = )* )( S\?: | T
{
= }( 2 S@
(2.31)

La région « Cpen2 » est créée par les lignes de champ électrique qui viennent de la zone au-
dessus de l’espace inter vias, s’arrêtent sur la partie inférieure des pastilles, décrivant une

62
trajectoire circulaire. La distance de parcours de lignes de champ électrique est égale à
approximativement un tiers d’une circonférence du cercle de rayon variant de tpad à 2tpad.

=Π}=
1 1
\+9 = )* )( S\?: |
{ 2T
S
(2.32)
= }=
3 @

La région « Cpen3 » est créée par les lignes de champ électrique qui viennent de la zone au-
dessus de l’espace inter vias, s’arrêtant sur le via, décrivant un quart d’ellipse. La distance de
parcours de lignes de champ électrique est égale à approximativement un quart d’une
circonférence du cercle de rayon variant de 2t à S’/2. Ce modèle pour Cpen3 est approximatif. En
même temps il intervient pour une faible part dans la capacité Clin totale et permettait d’utiliser
la même routine que précédemment.

=Œ }’ “ /
1 1
\+9O = )* )( o5 ‘ H 2S\?: v | T
{
= }=Ž 2 S@
(2.33)

√3
5 ‘ = 2 + 5
3
(2.34)

2.4.1.2.2 Calcul de l’inductance de la ligne microruban à onde lente

Le ruban est modélisé par une inductance et une résistance en série (L et R) calculées de la
même façon que pour les lignes classiques. Dans un premier temps, l’approche adoptée
consistait à supposer que le champ magnétique n’était pas perturbé par la présence des vias
borgnes, ce qui est très juste pour les membranes à nanofils, bien plus discutable pour le PCB
multicouches. En effet, nous nous sommes aperçus très vite qu’il était primordial de distinguer
l’inductance générée par le champ magnétique qui restait confiné au-dessus des pastilles de
celui qui contournait les doigts et occupait tout l’espace autour des doigts, puis d’affecter un
certain poids à chacune de ces inductances pour le calcul de l’inductance totale. Cette approche
consiste à supposer que le champ magnétique est « peu » perturbé par les vias borgnes.

Les calculs distinguent donc les deux inductances suivantes représentées sur la (Fig. 2.17):

• ligne microruban classique sur le substrat PCB d’épaisseur h1 (Fig. 2.17a).

• ligne microruban classique sur le substrat PCB multicouche d’épaisseur htotal (Fig. 2.17b).

63
 LµTL1 DDE1
F

εr ; h1

DDE2
F
(a)

LµTL2
TL2

εr ; htotal

(b) DDE∑
F
LSWµTL

εr ; htotal

(c)

Fig. 2.16
16 Zones prises en compte pour lle
e calcul de l’inductance de la ligne microruban à onde
lente

Ces ligness ont les impédances caractéristiques Zc1 et Zc2 obtenus par le modèle empirique
84] et les capacités linéiques CµTL11 et CµTL2 sont déterminées par la méthode
de [KIRSCHNING, 1984
décrite Fig. 2.14.

inductance LSWµTL du ruban est estimée par :

L’inductance

ℎ
’”•–— = •–— × QRS\?:; + •–— × 1
1 H QRS[@?;  ×
ℎ=8=?<
(2.35)

•–— =


× •–— (2.36)

•–— =


× •–— (2.37)

où LµTL1 et LµTL2 sont les inductances de ligne

lignes classiques
classiqu d’épaisseurs h1 et htotal,
respectivement. On notera que la formule (2.3
(2.35)) constitue une approximation puisqu’elle
suppose que les lignes du champ magnétiques ne sont pas perturbées. En réalité, ces lignes de
champ magnétiques ont tendance à se refermer dans les espaces intermétalliques (entre les
vias)) ce qui n’est pas pris en compte dans l’équation (2
(2.35).

64
2.4.1.2.3 Calcul de la résistance du ruban

En calculant la résistance R du ruban d’une ligne microruban à onde lente, l'épaisseur du

conducteur doit être prise en compte. À hautes fréquences, on peut supposer qu'un courant
uniforme est concentré dans un tube rectangulaire d’épaisseur de peau δ tout autour du bord du
ruban (Fig. 2.16). On estime alors la résistance de surface R par des équations connues dans la
référence [BAHL, 1997] :

1 1 T0-(
= = 
™š26 26 ™
(2.38)

où f est la fréquence en Hz, µ0 est la perméabilité magnétique du vide en H/m, σ est la

conductivité électrique en S/m et δ est l’épaisseur de peau du ruban. On néglige la circulation du
courant dans les petits côtés du ruban d’épaisseur t dans ce calcul. Malgré tout, cela reste une
estimation pire cas. On se place en effet dans un cas défavorable avec du courant sur une seule
épaisseur de peau. Dans le monde industriel, on tâche toujours d’avoir au minimum trois à
quatre š pour l’épaisseur des rubans métalliques, aux fréquences d’utilisation recommandées.

1
š=
T0-( ™

Fig. 2.17 Schéma montrant une distribution d’un courant autour du bord du ruban

2.4.1.2.4 Calcul de la résistance et de l’inductance des vias

L’inductance d’un via est estimée à partir d’équations connues [LEFERINK, 1995] en
considérant son inductance propre et les inductances mutuelles dues aux vias mitoyens. En
considérant deux cylindres de longueur l, de rayon R, avec la distance centre à centre entre eux d
(d = 2R+S) (voir la Fig. 2.18a), on a les équations de calcul des inductances propre (self),
mutuelle et totale :

65
 -( K K K  
; K = ˆK{ ˆ +   + 1‰
‰H  +1+ ‰
2T
T   K K
(2.39)

-( K K K Q +  Q+
G K = ˆK{ ˆ + + ‰
1‰ H  +1+ ‰
2T
2 Q+ Q +   K  K
(2.40)

=8= K = ; K + G K (2.41)

En considérant un groupe de N vias de longueurs h2, de rayon R1, en parallèle (Fig.

(Fig. 2.18b),
on estime son inductance
inductance totale par :

[@?; ℎ  = ; ℎ
ℎ /œ + G ℎ  × œ (2.42)

2R1

d
2R 2R2

(a) (b) S

Fig. 2.18 cylindre de longueurs l,, de rayon R,, avec la distance centre
18 (a) Deux cylindres centre à centre d (b)
Arrangement de vias en quinconce

Chaque via de longueur l,, de rayon R1, a une résistance calculée en fonction du matériau
qui le constitue et de ses dimensions :

K K
[@? K,
  = › =
  H  H š  2™Tš
T
(2.43)

car l’effet de peau (2 µm à 1 GHz) est plus petit que le rayon (400 µm) en RF ; ρ et σ sont la
résistivité ((Ω.m)
Ω.m) et la conductivité (S/m) du matériau. Cette approche semble assez drastique
conductivité
épaisseur de peau pour la contribution des vias aux pertes totales mais un calcul
avec une seule épaisseur
rapide montre une résistance de l’ordre de quelques mΩ seulement par via, quasi négligeable.
mΩ

66
 Enfin, on définit les couplages électriques et magnétiques par l’intermédiaire des
expressions suivantes :

+ H 8
I+ =
+ + 8
(1.16)

+ H 8
IG =
+ + 8
(1.17)

1.5.2 Coupleurs co-directifs et contra-directifs

L’étude des lignes couplées est intimement liée à l’étude des coupleurs qui en résultent. Le
couplage peut être co-directif tel que sur la Fig. 1.14a ou contra-directif tel que sur la Fig. 1.14b
pour la même excitation sur le port 1.

A A
1 2 1 2

I C I C
4 3 4 3

(a) (b)

Fig. 1.14 (a) Coupleur co-directif et (b) coupleur contra-directif

On définit alors les paramètres de transmission ou atténuation sur la voie directe (A), de
couplage sur la voie couplée (C) et d’isolation sur la 4ème voie, (I). La directivité (D) représente la
facilité à orienter la transmission de puissance vers la voie couplée par rapport à la voie isolée.
Elle est donnée par la soustraction du couplage par l’isolation. Le tableau 1.2 décrit les équations
correspondant à A, I, C et D en fonction des paramètres S.

TABLEAU 1.2 Les équations correspondant à A, I, C et D en fonction des paramètres S

Paramètres Coupleur co- Coupleur contra-

caractéristiques directif directif

Atténuation (A) H20KLM|5 | H20KLM|5 |

Couplage (C) H20KLM|5O | H20KLM|5P |

Isolation (I) H20KLM|5P | H20KLM|5O |

|5O | |5P |
H20KLM H20KLM
|5P | |5O |
Directivité (D)

39
Load-Thru) jusqu’au niveau des connecteurs. Des motifs TRL (Thru-Reflect-Line) ont également
été prévus. Dans un deuxième temps, un calibrage TRL permet de ramener les plans de
référence au niveau de la ligne.

(a)

(b) (c) (d)

Fig. 2.20 (a) Lignes microrubans à onde lente à mesurer et les lignes de calibrage TRL : (b) Line,
(c) Thru et (d) Reflect.

Le modèle électrique établi avec le logiciel MatlabTM et les simulations électromagnétiques

obtenues à partir de l’outil HFSSTM sont comparées aux paramètres mesurés Fig. 2.21. Nous
constatons un bon accord entre les calculs et les mesures sur une large gamme de W, pour les
impédances caractéristiques et les permittivités effectives. Cette étape permet de valider le
circuit équivalent qui estime correctement la capacitance linéique et l’inductance linéique. Le
modèle électrique est valide et permet de déterminer correctement les performances de cette
ligne avec une erreur de calcul par rapport aux mesures évaluée à 5.4% pour l’impédance
caractéristique et 10% pour la permittivité diélectrique effective.

68
 mesures w = 0.4mm
w = 0.8mm
calculs Matlab
w = 1.2mm
simulations HFSS w = 1.6mm

100 8

80
6
60
Z0 [ Ω ]

εr eff
4
40
2
20

0 0
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
Frequency [GHz] Frequency [GHz]

400 800
Capacitances [pF/m]

Inductances [nH/m]
300 600

200 400

100 200

0 0
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
Frequency [GHz] Frequency [GHz]

Fig. 2.21 Caractéristiques des lignes microruban à ondes lentes sur substrat PCB structuré avec
diverses largeurs de ruban. (···· mesures, --- modèle et — HFSS).

2.4.1.4 Limitation du modèle électrique

Dans le paragraphe précédent, nous venons de proposer un modèle électrique pour

déterminer correctement les performances de la ligne microruban à onde lente sur un substrat
PCB structuré, validé par les mesures et les simulations. Avant d’envisager un transfert
industriel, une analyse sur la limitation du modèle électrique sera nécessaire pour déterminer
un indice de confiance pour leur utilisation.

Tous les éléments du modèle électrique proposé (R, L, C1, C2, Cpen, Rpen, Lpen, Rvia et Lvia)
dépendent des dimensions de la structure (t, h1, h2, W, R1, R2, S) et de la permittivité des couches
diélectrique (εr1, εr2). Notons que les couches diélectriques sont standard. De façon générale,
l’analyse proposée ici se focalise sur l’influence des dimensions du réseau de vias, notamment
sur la densité de vias pour le calcul des éléments sensibles (C1, C2, Cpen). Ces calculs seront

69
toujours valides pour une ligne SW-µTL avec une forte densité de vias (elle est de 22.7% pour le
substrat fabriqué chez GTiD).

Pour une ligne SWµTL avec une faible densité de vias, le calcul de la capacité Cpen ne sera
plus valide avec les équations proposées quand l’espace entre vias (S) est assez grande, illustrée
sur la Fig. 2.22. Nous estimons cette valeur par l’équation suivante :

ℎ
5 = 2 ¢T H ‹\?: ¤
£2
(2.45)

Avec h2= 848 µm ; R1 = 200 µm ; wpad = 100 µm ; on obtient S = 880 µm. Cela corresponds
une densité de vias de 6.6%.

C2 C1

εr ; h1
Lpen dpen
Lvia Cpen εr ; h2

S’/2
wpad
t

Region 1: Cpen1 Region 2: Cpen2

Region 3: Cpen3

Fig. 2.22 Distribution de champ électrique dans la zone de pénétration en cas d’une faible
densité de vias dans le substrat.

70
2.4.2 Millimétrique : membrane nanoporeuse

Une membrane nanoporeuse comprend une grosse quantité de nanofils métalliques dû à

la densité de pores dans la gamme de 1012 à 109 cm-2. Les simulations électromagnétiques par
l’outil HFSSTM, prennent beaucoup de temps et sont encore plus gourmandes en mémoire vive
que celles effectuées sur un substrat PCB structuré. La cause principale est évidemment liée à la
petite taille des nanofils qui nécessite la création de nombreuses mailles tétraédriques sous
HFSSTM. Par conséquent, le développement d'un modèle électrique équivalent est indispensable
pour aider les concepteurs à déterminer rapidement les performances de lignes SW-µTL. Le
modèle analytique développé précédemment sera réutilisé avec quelques rares spécificités
décrites ci-dessous car la géométrie, même si plus dense, est finalement moins complexe.

2.4.2.1 Analyse des phénomènes physiques et circuit équivalent proposé

Comme précédemment, le modèle électrique d’une ligne microruban à ondes lentes sur la
membrane nanoporeuse demande une bonne analyse de la répartition des champs électrique et
magnétique à l'intérieur de la structure. La Fig. 2.23a montre la distribution des lignes de champ
électrique qui vont du ruban signal aux nanofils métalliques. Les lignes de champ électrique,
liées à la capacité Clin, se répartissent dans plusieurs zones : dans l’air, dans la couche d’oxyde et
un peu dans la couche d’alumine (l’effet de pénétration proche de la surface des nanofils). De
plus, chaque nanofil métallique a une résistance (Rnnfs) et une inductance (Lnnfs) en série qui sont
connectées à la masse.

Tout comme précédemment, pour obtenir correctement le modèle de capacités, on

propose de séparer la distribution du champ électrique en deux zones (Fig. 2.23b) : l’une
correspondant à la pénétration, représentée par la capacité de pénétration Cpen, et une autre
correspondant aux lignes de champ électrique qui s’arrêtent au plan fictif supérieur de nanofils,
représentée par la capacité Cstrip. Cette zone est subdivisée en deux parties C1 et C2 qui sont
définies comme celles de la structure PCB (Fig. 2.23c).

71
 CHAPITRE 2. LIGNE MICRORUBAN A ONDE LENTE SUR SUBSTRAT
STRUCTURE, RF ET MILLIMETRIQUE

Comme décrit au cours du chapitre 1, les premiers résultats sur des lignes microrubans
classiques ont été présentés par D.D. Grieg et H.F. Engelmann en 1952 [GRIEG, 1952]. C'est un
ensemble constitué de deux conducteurs : un ruban étroit (microruban), séparé d'un large plan
de masse par un substrat diélectrique, le tout permettant de guider la propagation d’une onde
électromagnétique. Dans la continuité des recherches pour améliorer les performances de ces
lignes de propagation, plusieurs topologies ont été développées afin de ralentir la vitesse de
propagation. Nous nous intéressons ici à la modification de la structure classique par
l’adjonction de vias ou nano-vias dans une bonne partie du substrat pour obtenir une ligne
microruban à ondes lentes. Dans un premier temps, nous verrons leur principe de
fonctionnement. Puis nous décrirons les technologies utilisées dans les domaines RF et
millimétrique respectivement, pour ensuite détailler le modèle électrique équivalent. Ce modèle
permettra un gain de temps considérable dans le design de circuits tels que le coupleur hybride
fonctionnant à 7.5 GHz présentés en dernière partie de ce chapitre 2.

2.1 Principe des lignes microruban à onde lente sur substrat structuré
On considère sur la Fig. 2.1 deux topologies de lignes, identiques sur le principe, mais
adaptées respectivement aux domaines RF et millimétrique.

La Fig. 2.1(a) représente la topologie de la structure de ligne microruban à ondes lentes

utilisée pour le domaine RF (Slow-Wave Microstrip Transmission Line, SW-µTL). Elle est
composée d’une ligne de cuivre, imprimée sur la couche supérieure d'un substrat multi-couches.
La couche basse est traversée intégralement par un réseau de vias borgnes qui jouent le rôle de
perturbateurs de champ électrique et sont connectés au plan de masse. Au-dessus de ce réseau,
la couche supérieure concentre l’énergie électrique : le champ électrique est attiré par le haut
des vias et ne va pas jusqu’au plan de masse. Le champ magnétique au contraire profite de tout
l’espace disponible, contournant les vias mais occupant tout le reste du volume jusqu’au plan de
masse. En quelque sorte, il y a de l’énergie magnétique stockée (le champ magnétique est seul
présent dans la couche basse où il ne peut y avoir de champ électrique) et donc ralentissement
de l’onde. La technologie utilisée et les dimensions seront décrites dans la section suivante §2.2.

44
et nanofils, la distinction est faite entre la contribution inductive des nanofils au niveau de la
zone de pénétration et en dehors de cette zone.

L R

C1 C2

Cpen Lpen
Rpen

Lnnfs
Rnnfs

Fig. 2.24 Modèle électrique de ligne microruban à onde lente sur le substrat membrane à
nanofils métalliques.

L’estimation de chaque élément sera analysée et décrite au paragraphe suivant. Tous les
paramètres de la ligne microruban à onde lente sur la membrane à nanofils métalliques sont pris
en compte pour le calcul des éléments du modèle électrique. Elles comprennent les dimensions
de la structure (la largeur du ruban W, l’épaisseur du ruban t, le rayon R des nanofils, la distance
entre nanofils S, les épaisseurs de couches diélectriques de la membrane h1, h2) et les
permittivités de couches d’oxyde εr1 et d’alumine εr2.

2.4.2.2 Calcul des éléments

L’estimation de chaque élément du circuit équivalent de la ligne à onde lente sera similaire
à celui du substrat PCB structuré. Il est cependant nécessaire de modifier le calcul des capacités
car la structure à membrane à nanofils ne comprend pas de pastille.

C1 et C2 représentent les deux parties de la capacité Cstrip entre le microruban et les nanofils
métalliques : l'une correspond à la zone au-dessus de l’espace inter nanofils (C1) et l’autre
correspond à la zone au-dessus des nanofils (C2). Toutes ces capacités dépendent de la densité
métallique de nanofils dans le substrat :

 = ;=*@\ × 1 H QRS (2.46)

 = ;=*@\ × QRS (2.47)

Dans ce cas, la capacité Cstrip est exactement la capacité d’une ligne de transmission
classique fictive sur une couche diélectrique d’oxyde d’épaisseur h1. Le paragraphe 2.4.1.2.1
décrit la façon d’estimer la valeur de cette capacité.

73
 Cuivre
Cuivre, W Cuivre W
Cuivre,

PCB
Membrane
Rogers

(a) (b) GND

via GND nanofils

Fig. 2.1 Topologie

logie de la structure de ligne microruban à ondes lentes (a) sur PCB structuré par
un réseau de vias métalliques
talliques et (b) sur membrane à nanofils métalliques
métalliques.. Le détail des
dimensions sera fourni au §2.2.

La Fig. 2.1(b) résume le concept de la ligne microruban à onde lente qui fonctionne aux
fréquences millimétriques. Elle est composée également d’une ligne d
dee cuivre gravée au-dessus
au
d’un substrat multicouche. La couche basse est constituée d’une membrane d’alumine,
initialement nanoporeuse, emplie de nanofils métalliques connectés au plan de masse. Cette
membrane est recouverte d’une couche d’oxyde de siliciu
silicium
m faisant office de diélectrique.
diélectrique De la
même manière que précédemment, le champ électrique se concentre dans la couche d’oxyde
supérieure, alors que le champ magnétique occupe tout l’espace disponible. La technologie sera
décrite en détail un peu plus tard au sein de ce chapitre.

Lee principe de la ligne à ondes lentes consiste à stocker de l’énergie électrique ou

limité de la structure. Le phénomène d’ondes lentes résulte de ce
magnétique en un lieu délimité
phénomène ’équation (1) résume les deux approches théoriques
phénomène. L’équation riques possibles, matériau via
l’augmentation de la permittivité effective,
effective ou électrique via les paramètres d’inductance et de
capacité linéiques du modèle des télégraphistes :

'( 1
%& = =
)* +,,
* √ × 
(2.1)

où vφ représente la vitesse de phase de l’onde, c0 est celle de la lumière dans le vide, εr eff
représente la permittivité relative effective. Lorsque l’on modélise une ligne de propagation avec
un modèle électrique RLCG, L et C représentent
représente son inductance linéique et sa capacité linéique.
Ainsi, l’augmentation de L et/ou C de la ligne à onde lente par rapport à une propagation guidée
réduire la vitesse de phase de l’onde.
classique permet de réduire

Dans la ligne microruban à ondes lentes de la Fig. 2.1, puisque le champ électrique est
concentré dans la couche diélectrique supérieure, lla
a capacité parallèle du modèle électrique est
une ligne microruban classique d’épaisseur égale à celle
extrêmement forte par rapport à celle d’une

45
de HFSSTM (voir Fig. 2.25). Nous y ajoutons aussi les valeurs des lignes microrubans classiques
(sans nanofils) obtenues à partir de calculs sur MatlabTM.

Nous constatons un bon accord entre les calculs et les simulations sur une large gamme de
fréquences jusqu’à 200 GHz. Cela vérifie la précision du circuit équivalent qui estime
correctement la capacité linéique et l’inductance linéique de la structure. Le modèle électrique
est valide et permet de déterminer correctement les performances de cette ligne avec une erreur
de calculs par rapport aux simulations estimée à 1.8% pour l’impédance caractéristique, à 3.6%
pour la permittivité diélectrique effective, à 3.8% pour la capacitance linéique et 1% pour
l’inductance linéique.

W = 5 μm; t = 1 μm avec nanofils; h1+h2; simul HFSS

h1 = 0.5 μm; h2 = 5 μm avec nanofils; h1+h2; calcul Matlab
R = 100 nm; S = 400 nm sans nanofils; h1+h2; calcul Matlab
forme de nanofils:
sans nanofils: h1; calcul Matlab
60 20

15
40
Z0 [ Ω ]

εr eff

10
20
5

0 0
40 80 120 160 200 40 80 120 160 200
Frequency [GHz] Frequency [GHz]
600 600
Capacitances [pF/m]

Inductances [nH/m]

400 400

200 200

0 0
40 80 120 160 200 40 80 120 160 200
Frequency [GHz] Frequency [GHz]

Fig. 2.25 Comparaison des paramètres extraits de la ligne microruban à onde lente sur
membrane à nanofils, obtenus par des calculs sur Matlab avec ceux obtenus par des simulations
sur HFSSTM.

Pour simplifier la structure de nanofils discrétisée par des mailles de type tétraédrique
dans les simulations HFSSTM, les nanofils peuvent être simulés avec une forme carrée de côté (c)
de 200 nm et la distance inter-nanofils (d) fixée à 400 nm. Les nanofils carrés ne sont plus en
quinconce mais alignés verticalement et horizontalement. Le code a été adapté pour tenir
compte de cet état de fait avec une surface carrée R² et la densité dst suivante :

75
 '
QRS =
' + Q
(2.50)

Nous varions également l’épaisseur de la couche d’oxyde (h1 = 1 μm) et obtenons les
paramètres géométriques et électriques de la nouvelle ligne suivants : W = 5 μm ; t = 1μm ;
h1 = 1μm ; h2 = 5μm ; εr1 = 4; εr2 = 9 ; c = 200 nm ; d = 400 nm. Les paramètres du modèle
électrique correspondant à la forme carrée de nanofils déterminés avec le logiciel MatlabTM,
comparées à ceux obtenus par les simulations électromagnétiques HFSSTM sont donnés Fig. 2.26.
Le bon accord entre les calculs et les simulations sur une large gamme de fréquences jusqu’à
200 GHz vérifie la précision du circuit équivalent de la structure. Cela permet de déterminer
correctement les performances de cette ligne avec une erreur estimée inférieure à 1.2% sur
l’impédance caractéristique et 2% sur la permittivité diélectrique effective.

W = 5 μm; t = 1 μm avec nanofils; h1+h2; simul HFSS

h1 = 0.5 μm; h2 = 5 μm avec nanofils; h1+h2; calcul Matlab
R = 100 nm; S = 400 nm sans nanofils; h1+h2; calcul Matlab
forme de nanofils:  sans nanofils: h1; calcul Matlab
80 12

60 9
Z0 [ Ω ]

εr eff

40 6

20 3

0 0
40 80 120 160 200 40 80 120 160 200
Frequency [GHz] Frequency [GHz]
400 800
Capacitances [pF/m]

Inductances [nH/m]

300 600

200 400

100 200

0 0
40 80 120 160 200 40 80 120 160 200
Frequency [GHz] Frequency [GHz]

Fig. 2.26 Validation du modèle électrique correspondant la forme carré de nanofils

Ces résultats sont intéressants, dans la mesure où ils valident bien l’effet d’onde lente. Par
contre, du fait de la faible hauteur de nanofils utilisée, ils ne permettent pas de vérifier la
dispersion capacitive avec la fréquence (du fait d’avoir en série avec la capacité l’inductance des
nanofils). En effet, il n’était pas concevable de simuler sur HFSSTM une structure avec des
nanofils de plus grande hauteur. Pour la même raison la densité de nanofils a été choisie plus

76
faible que dans la pratique. Le modèle analytique a donc été comparé aux résultats mesurés sur
une technologie présentant les paramètres suivants : W varie ; t = 1 μm ; h1 = 1 μm ; h2 = 50 μm ;
εr1 = 4; εr2 = 9 ; c = 55 nm ; d = 143 nm. Plusieurs groupes de lignes SW-µTL ont été étudiés. Pour
rappel, chaque groupe se distingue par une largeur de ligne pouvant varier de 14 à 51 µm. Cela
permet d’obtenir des lignes SW-µTL ayant une impédance caractéristique variant de 45 à 24 Ω.
Ces lignes ont été caractérisées par des sondes GSG sur une station de mesure semi-automatique
Cascade-S300 connectée à un analyseur de réseau vectoriel (VNA) Anritsu ME7808C.

18.2µm mesure 26.9µm mesure 34.3µm mesure

18.2µm modele 26.9µm modele 34.3µm modele

40 80

30 60
Z0 [pF/m]

20 εr eff 40

10 20

0 0
10 20 30 40 50 60 10 20 30 40 50 60
Frequency [GHz] Frequency [GHz]

2.5 100

2 80
Quality factor
α [dB/m]

1.5 60

1 40

0.5 20

0 0
10 20 30 40 50 60 10 20 30 40 50 60
Frequency [GHz] Frequency [GHz]

2000 800
Capacitances [pF/m]

Inductances [nH/m]

1500 600

1000 400

500 200

0 0
10 20 30 40 50 60 10 20 30 40 50 60
Frequency [GHz] Frequency [GHz]

Fig. 2.27 Paramètres extraits des lignes mesurés et des calculs de Matlab

77
 Ces mesures ont été effectuées sous calibrage LRRM (Line-Reflect-Reflect-Match). Les
plots de masse sont couplés au plan de masse à travers la couche diélectrique de SiO2, évitant
l’ajout de vias supplémentaires, ce qui génère par contre une coupure DC. Chaque groupe de
lignes dans l’encart de la Fig. 2.8 présentant plusieurs longueurs différentes, il a été procédé à un
de-embedding sur la base de trois longueurs de lignes différentes : 1 mm, 1.3 mm et 2 mm. Les
mesures ont été représentées entre 10 (coupure DC) et 60 GHz. En effet, au-delà de 60 GHz, il
semble que la capacité des plots de masse en série avec l’inductance des nanofils situés au-
dessous, résonne. Ceci induit une influence des plots d’accès qui n’est plus reproductible. Le de-
embedding des deux lignes n’est donc plus fiable.

Il est intéressant de noter que le modèle comme les mesures montrent bien un effet des
nanofils sur la dispersion fréquentielle de la capacité linéique équivalente. Il existe des écarts
absolus certes avec les résultats mesurés. Toutefois la technologie n’est pas une technologie
industrielle, calibrée. La pose des pointes est une étape très délicate sur les échantillons à
disposition. Le travail sur les membranes à nanofils en est encore à un niveau de maturité assez
faible (TRL 2). Toutefois ces résultats sont prometteurs.

De façon générale, le modèle semble fiable car il a été validé par des mesures en PCB, par
des simulations HFSSTM en millimétrique et il conforte la tendance observées pour les mesures
en millimétrique. Afin de conclure sur ce modèle analytique, il m’a semblé pertinent d’effectuer
une analyse de sensibilité de ce modèle.

2.4.3 Sensibilité du modèle électrique

Dans le précédent paragraphe, nous avons proposé un seul circuit équivalent pour
modéliser une ligne microruban à onde lente en technologies substrat PCB et membrane à
nanofils métalliques. Dans ce paragraphe il s’agit d’étudier la sensibilité du modèle électrique
pour évaluer l’importance de chaque élément dans le circuit.

En général, le modèle original comprend quelques éléments à modéliser :

- le ruban (la résistance R et l’inductance L)

- les couches diélectriques (les capacités C1, C2, Cpen)
- les vias (Rvia, Rpen, Lvia, Lpen) ou nanofils métalliques (Rnnfs, Rpen, Lnnfs, Lnnfs_pen)

En théorie, ces éléments dépendent des dimensions telles que t, h1, h2, εr1, εr2, W, R1, R2, S et
de la permittivité des couches de la structure. En raison de la similarité du modèle électrique des
deux cas étudiés, seule la sensibilité du modèle de la ligne sur membrane nanoporeuse sera
analysée car sa structure est plus flexible.

78
 Dans cette étude, on se concentre sur (i) la capacité Cpen (l’influence de pénétration), (ii)
l’inductance Lnnfs (l’influence de l’inductance des nanofils) et (iii) l’inductance Lnnfs_pen (l’influence
de l’inductance des nanofils dans la région de pénétration). Nous avons estimé la sensibilité du
modèle électrique en réduisant chaque élément du modèle original (Fig. 2.28a) pour construire
un nouveau modèle plus simple, puis comparé ses paramètres extraits avec ceux du modèle
original. Les paramètres extraits du modèle simplifié sont présentés en fonction de la fréquence
et des dimensions suivantes : la longueur des nanofils h2, l’épaisseur de l’oxyde h1 et la densité
de nanofils dst.

L R L R

C1 C2
Cstrip
Cpen Lpen
Rpen
L*nnfs

Lnnfs R*nnfs

(a) Rnnfs (b)

L R L R

C’ C’

Lnnfs (d)

Rnnfs Cstrip = C1 + C2

(c) C’ = (C1 series Cpen )//C2

Fig. 2.28 Evaluation la sensibilité du modèle électrique en réduisant chaque élément du modèle :
(a) modèle électrique original,
(b) modèle électrique sans l’influence de la pénétration
(c) modèle électrique sans l’influence de l’inductance de nanofils dans la région de pénétration
(d) modèle électrique sans l’influence de l’inductance de nanofils

2.4.3.1 Modèle électrique sans l’influence de la pénétration

Considérant que l’influence de la pénétration est négligeable, on obtient le nouveau

modèle électrique de la Fig. 2.28b, par conséquent, les valeurs Cstrip et ∗99,; sont calculés :

;=*@\ =  +  (2.51)

∗99,; = 99,;_\+9 + 99,; (2.52)

79
 La Fig. 2.29 récapitule les paramètres extraits du modèle original, en parfait accord avec
les simulations HFSS, et ceux du modèle réduit (Fig. 2.28b) en fonction de l’épaisseur h2, à 80
GHz. On peut voir que, sans prendre en compte la capacité de pénétration, la capacité Cstrip est
surestimée (plus de 15%) tandis que l’inductance linéique n’est pas affectée.

De plus, la Fig. 2.30 présente les paramètres extraits du modèle original et ceux du modèle
(b) en fonction de la densité de nanofils dst, à 80 GHz. Elle montre que le modèle (b) est valable
dans le cas où la densité est supérieure à 0.4 (ou 40%). Si la densité est faible, l’épaisseur de
pénétration est plus grande et l’influence de la pénétration ne peut pas être négligée. Donc, la
capacité Cpen reste un élément important dans le modèle électrique de la ligne microruban à onde
lente.

60 60

40 40
Z0 [Ω ]

εr eff

20 avec Cpen 20
sans Cpen
0 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
h2 [µm] h2 [µm]

600 1500
Capacitances [pF/m]

Inductances [nH/m]

500 1000

400 500

300 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
h2 [µm] h2 [µm]

Fig. 2.29 Paramètres extraits du modèle original (rouge, trait plein) et ceux du modèle réduit
(bleu, pointillés) pour évaluer l’influence de la pénétration, en fonction de l’épaisseur h2, à
80 GHz. W=5 µm; t = 1 μm ; h1= 0.5 μm ; εr1= 4; εr2= 9 ; R= 100 nm ; S= 400 nm

80
 50 20

40
15
30
Z0 [ Ω ]

εr eff
10
20
5
10

0 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
dst dst

500 500
Capacitances [pF/m]

Inductances [nH/m]
400 400

300 300

200 200
avec Cpen
100 sans Cpen 100

0 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
dst dst

Fig. 2.30 Paramètres extraits du modèle original (rouge, trait plein) et ceux du modèle réduit
(bleu, pointillés) pour évaluer l’influence de la pénétration, en fonction de la densité de nanofils
dst, à 80 GHz. W=5 µm; t = 1 μm ; h1= 0.5 μm ; h2= 5 μm ; εr1= 4; εr2= 9 ; R= 100 nm. S varie.

2.4.3.2 Modèle électrique sans l’influence de l’inductance et de la résistance des nanofils dans
la région de pénétration

Considérer que l’influence de l’inductance des nanofils dans la région de pénétration est
négligeable signifie qu’il n’y a pas d’inductance Lnnfs_pen ni de résistance Rpen, donc le modèle
électrique est équivalent à celui donné Fig. 2.28c.

Les figures 2.31, 2.32 et 2.33 récapitulent les paramètres extraits du modèle original et
ceux du modèle réduit (Fig. 2.28c) en fonction de la fréquence, de l’épaisseur h2 et enfin de la
densité de nanofils dst. Fait intéressant : ce modèle est toujours valable jusqu’à plus de 200 GHz.
De plus, ce changement de modèle ne modifie pas les paramètres extraits de la ligne. Cela peut
être expliqué par le fait que l’inductance des nanofils dans la région de pénétration est très faible
ou simplement que l’épaisseur de pénétration est très petite devant la longueur des nanofils, ce
que nous avions déjà mentionné de façon intuitive lors de notre présentation du modèle au
§2.4.2.1

81
 40 20

38 avec Lnnfs-pen
15
sans Lnnfs-pen
36
Z0 [Ω ]

εr eff
10
34
5
32

30 0
40 80 120 160 200 40 80 120 160 200
Frequency [GHz] Frequency [GHz]

400 550
Capacitances [pF/m]

Inductances [nH/m]
390
500
380
450
370
400
360

350 350
40 80 120 160 200 40 80 120 160 200
Frequency [GHz] Frequency [GHz]

Fig. 2.31 Paramètres extraits du modèle original (rouge, trait plein) et ceux du modèle réduit
(bleu, pointillés) pour évaluer l’influence de l’inductance des nanofils dans la région de
pénétration, en fonction de la fréquence. W=5 µm; t = 1 μm ; h1= 0.5 μm ; h2= 5 μm ; εr1= 4; εr2= 9 ;
R= 100 nm ; S= 400 nm

60 80
avec Lnnfs-pen
50 60
sans Lnnfs-pen
Z0 [ Ω ]

εr eff

40 40

30 20

20 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
h2 [µm] h2 [µm]

500 2000
Capacitances [pF/m]

Inductances [nH/m]

450 1500

400 1000

350 500

300 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
h2 [µm] h2 [µm]

Fig. 2.32 Paramètres extraits du modèle original (rouge, trait plein) et ceux du modèle réduit
(bleu, pointillés) pour évaluer l’influence de l’inductance des nanofils dans la région de
pénétration, en fonction de la longueur des nanofils h2, à 80 GHz. W=5 µm; t = 1 μm ; h1 = 0.5 μm ;
εr1 = 4; εr2 = 9 ; R = 100 nm ; S = 400 nm

82
 50 20

40
15
30
Z0 [Ω ]

εr eff
10
20
5
10

0 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
dst dst

500 500
Capacitances [pF/m]

Inductances [nH/m]
400 400

300 300

200 avec Lnnfs-pen 200

100 sans Lnnfs-pen 100

0 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
dst dst

Fig. 2.33 Paramètres extraits du modèle original (rouge, trait plein) et ceux du modèle réduit
(bleu, pointillés) pour évaluer l’influence de l’inductance des nanofils dans la région de
pénétration, en fonction de la densité dst, à 80 GHz. W=5 µm; t = 1 μm ; h1= 0.5 μm ; h2= 5 μm ;
εr1= 4; εr2= 9 ; R= 100 nm ; S varie.

2.4.3.3 Modèle électrique sans l’influence de l’inductance des nanofils

Considérer que l’influence de l’inductance des nanofils est négligeable signifie que les
inductances Lnnfs et Lnnfs_pen ne sont pas prises en compte (modèle électrique (d), Fig. 2.28d). Les
figures 2.34 et 2.35 récapitulent les paramètres extraits du modèle original et ceux du modèle
réduit en fonction de la fréquence f pour h2 = 5 µm ou de l’épaisseur h2 pour f = 80 GHz.

Il est clair que le modèle électrique sans l’inductance des nanofils n’est pas suffisant pour
décrire l'augmentation de la capacité avec l’épaisseur de la membrane. L’écart augmente avec la
fréquence. Pour les faibles épaisseurs de membrane (<10 µm), la prise en compte de
l’inductance des nanofils permet de mieux décrire l’augmentation de la capacité avec la
fréquence mais n’est pas indispensable : l’erreur maximale commise sur la capacité linéique
pour 5 µm de membrane est de 1.5% et pour 10 µm de membrane est de 3.5% à 200 GHz. Il sera
primordial d’en tenir compte pour des épaisseurs de membrane de 100 µm, au-delà de 100 GHz,
lorsque les erreurs sur Zc et εeff dépasseront respectivement 6% et 12%. Comme prévu, ce
changement de modèle ne modifie pas l’inductance linéique de la ligne.

83
 40 20
avec Lnnfs
38
15
sans Lnnfs
36
Z0 [Ω ]

εr eff
10
34
5
32

30 0
40 80 120 160 200 40 80 120 160 200
Frequency [GHz] Frequency [GHz]

400 420
Capacitances [pF/m]

Inductances [nH/m]
390 415

380 410

370 405

360 400
40 80 120 160 200 40 80 120 160 200
Frequency [GHz] Frequency [GHz]

Fig. 2.34 Paramètres extraits du modèle original (rouge, trait plein) et ceux du modèle réduit
(bleu, pointillés) pour évaluer l’influence de l’inductance des nanofils, en fonction de la
fréquence. W=5 µm; t = 1 μm ; h1= 0.5 μm ; h2= 5 μm; εr1= 4; εr2= 9 ; R= 100 nm ; S= 400 nm

60 80
avec Lnnfs
50 60
sans Lnnfs
Z0 [Ω ]

εr eff

40 40

30 20

20 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
h2 [µm] h2 [µm]

500 2000
Capacitances [pF/m]

Inductances [nH/m]

450 1500

400 1000

350 500

300 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
h2 [µm] h2 [µm]

Fig. 2.35 Paramètres extraits du modèle original (rouge, trait plein) et ceux du modèle réduit
(bleu, pointillés) pour évaluer l’influence de l’inductance des nanofils, en fonction de la longueur
de nanofils h2, à 80 GHz. W=5 µm; t = 1 μm ; h1= 0.5 μm ; εr1= 4; εr2= 9 ; R= 100 nm ; S= 400 nm

En conclusion, la capacité de pénétration Cpen et, dans une moindre mesure, l’inductance
Lnnfs des nanofils, sont des éléments importants à considérer pour construire un modèle

84
électrique permettant d’accéder rapidement aux performances de la ligne à ondes lentes sur la
membrane à nanofils. Le modèle électrique Fig. 2.28c est assez performant pour décrire
correctement le fonctionnement de la ligne à ondes lentes sur membrane à nanofils. Pour de
faibles épaisseurs de membrane (<10 µm), on peut s’affranchir de l’inductance des nanofils.

2.5 Aide au design

2.5.1 Abaque en RF, structure PCB

L’abaque Fig. 2.36 présente l’impédance caractéristique Zc et la constante diélectrique

effective εr eff obtenus avec le modèle proposé pour différentes largeurs W à 7.5 GHz. Les
résultats obtenus par les simulations HFSSTM et par les mesures ont été représentés également.
Le modèle proposé et les simulations HFSSTM sont toujours en bon accord sur une large gamme
de W. Il est possible d’obtenir Zc entre 30 et 120 Ω pour une largeur de ruban raisonnable (de
150 µm à 2 mm). En particulier, à 7.5 GHz, pour W = 2 mm, Zc = 30 Ω et εr eff = 6.8, soit λSW-µTL/4 =
3.8 mm > W = 2 mm. Pour des lignes classiques, il n’est pas possible d’atteindre des valeurs
d’impédance aussi faibles avec des largeurs de ligne inférieures à λ/4, ce qui rend délicate, voire
impossible, la réalisation de la plupart des dispositifs passifs souvent basés sur une ligne ¼
d’onde.

120 12

100 10

80 8
Z0 [Ω ]

εr eff

60 6

40 4

20 2

0 0
0 0.5 1 1.5 2
Strip width [mm]

Fig. 2.36 Impédance caractéristique Zc et constante diélectrique effective εr eff de la ligne SW-µTL
en fonction de W, à 7.5 GHz (
mesures ; — HFSS et --- modèle).
.£
4
6
La Fig. 2.37 montre l'évolution du rapport (quart d’onde/largeur du ruban) pour

plusieurs topologies de lignes de microruban de 35 Ω de différentes épaisseurs de substrat allant

de 508 μm à 1524 μm, par rapport aux lignes à ondes lentes. Aux hautes fréquences, ce rapport
diminue remarquablement en raison de la diminution de la longueur d'onde. Par conséquent, la

85
longueur physique d'une ligne de section de 35Ω, d'un coupleur hybride à branches par exemple,
devient trop courte par rapport à sa largeur, ce qui rend impossible la conception de la structure
hybride.

Ruban
20

Quater-wave length/width ratio

SW-µTL 1118 µm
16 classical 508 µm
classical 813 µm
12 classical 1524 µm

0
0 3 6 9 12 15
Frequency [GHz]

¨£
Fig. 2.37 Evolution de rapport P (quart-d’onde/largeur du ruban) pour plusieurs topologies de
”
lignes microruban de 35Ω pour différentes épaisseurs de substrat de 508 μm à 1524 μm, par
rapport aux lignes à ondes lentes

En règle générale, un rapport supérieur à 2 est nécessaire pour la conception. La structure

SW-µTL est utile car elle permet d’utiliser un substrat plus épais (ici entre 5 et 10 GHz), et évite
de réduire l'épaisseur du substrat pour une ligne de transmission microruban classique. Il
convient de mentionner que la solution d’utiliser une ligne SW-µTL ne dégrade pas le facteur de
qualité de la ligne de transmission, grâce à l'effet de l'onde lente. Il est intéressant de noter que
la performance de la ligne à onde lente de 35 Ω sur un substrat d'épaisseur de 1118 μm avec un
réseau de vias est fonctionnelle jusqu'à 10 GHz. La même technique pourrait être utilisée avec
un substrat plus fin pour atteindre des fréquences supérieures à 20 GHz, tout en utilisant des
technologies PCB peu coûteuses. Un autre avantage important est la miniaturisation de ces
structures grâce à l'effet de l'onde lente, même si elle est moins prononcée dans les technologies
PCB que sur membrane à nanofils.

2.5.2 Abaque en millimétrique, structure à nanofils

De la même façon, nous construisons un abaque qui compare l’impédance caractéristique

Zc et la constante diélectrique effective εr eff pour différentes largeurs W à 25 GHz. Nous y
ajoutons aussi les valeurs expérimentales obtenues par les mesures.

86
 60 120

50 100

40 80
Z0 [Ω ]

εr eff
30 60

20 40

10 20

0 0
0 10 20 30 40 50 60 70 0 10 20 30 40 50 60 70
Largeur [µm] Largeur [µm]

Fig. 2.38 Impédance caractéristique Zc et permittivité effective εr eff de la ligne microruban à onde
lente sur membrane à nanofils métalliques en fonction de W à 25 GHz (— modèle et
mesures).

2.6 Application au coupleur hybride

Les lignes microrubans à ondes lentes présentées ci-dessus offrent des avantages pour
réaliser un coupleur hybride miniaturisé.

2.6.1 Conception et réalisation d’un coupleur hybride miniaturisé basé sur les lignes microruban
à ondes lentes

Un coupleur hybride qui fonctionne à 7.5 GHz a été conçu en utilisant le modèle électrique
équivalent proposé. Il comprend quatre sections de ligne de dérivation λ / 4, comme le montre la
Fig. 2.39. Sur la base du graphique Fig. 2.36, les largeurs des sections pour obtenir 50 Ω et 35 Ω
sont estimées à 0.8 mm et 1.6 mm respectivement, à 7.5 GHz. Les longueurs physiques
correspondant à leur permittivités effectives (εr eff 50Ω = 5 et εr eff 35Ω = 6.2) sont respectivement
l50Ω = 4.5 mm et l35Ω = 3.9 mm. Notons que les longueurs de ligne quart d'onde d'un coupleur
hybride classique sur le même substrat seraient égales à 5.9 mm et à 5.75 mm, respectivement.
Cela signifie que la superficie du coupleur hybride proposé est réduite de 48%.

Le coupleur a été mesuré à l’analyseur de réseau vectoriel Anritsu 37369A. Les quatre
accès sont terminés par des connecteurs SMA à travers quatre lignes d'alimentation CPWG. Le
« de-embedding » des accès du coupleur a été effectué de façon à ramener les plans de
références aux niveaux des ports 1, 2, 3 et 4, comme le montre la Fig. 2.39.

87
 Port 1 Port 2

Port 3 Port 4
1 2
90°
3 4

Fig. 2.39 Photographie du coupleur hybride miniaturisé proposé fonctionnant à 7.5 GHz

Simulation Measurement
0 0
S parameters [dB]

S parameters [dB]
-10 -10

-20 S21 -20

S31 S41
S11
-30 -30

-40 -40
4 5 6 7 8 9 10 11 4 5 6 7 8 9 10 11
(a) Frequency [GHz] (b) Frequency [GHz]

1 94
Phase difference [degree]
Amplitude imbalance [dB]

0.8
92
0.6
90
0.4
88
0.2

0 86
7 7.2 7.4 7.6 7.8 8 7 7.2 7.4 7.6 7.8 8
(c) Frequency [GHz] (d) Frequency [GHz]

Fig. 2.40 Mesures du coupleur hybride proposé: (a-b) amplitude des paramètres S, (c)
déséquilibre de l'amplitude de sortie et (d) différence de phase de sortie.

Les résultats de mesure et de simulation HFSSTM sont donnés Fig. 2.40. Les pertes
d'insertion sont inférieures à 0.37 dB à 7.5 GHz, avec une bonne adaptation puisque le coefficient
de réflexion est inférieur à -25 dB. Dans la bande de 7 GHz à 8 GHz, correspondant à une largeur

88
de bande fractionnée de 13.3%, le déséquilibre d'amplitude mesuré entre deux sorties est
inférieur à 0.5 dB tandis que le déphasage mesuré est de 90° ± 1°. En outre, les pertes de
réflexion au port 1 (entrée) et l'isolement au port 3 (isolé) sont supérieures à 17 dB sur cette
plage de fréquences.

2.6.2 Comparaison avec l’état de l’art

Les résultats précédents sont comparés à l'état de l'art dans le Tableau 2.1, et montrent un
très bon compromis entre les pertes d'insertion sur deux chemins (directs et couplés) et le
déphasage pour une bande de 15 dB d'adaptation. Ce premier résultat illustre les performances
des lignes microruban à onde lente ainsi que la validité du modèle utilisé pour sa conception.

En pratique, le coupleur hybride proposé par Ghali est miniaturisé en repliant ses
branches en méandres et en remplissant les espaces vides pour optimiser l'encombrement de la
structure [GHALI, 2004]. La réduction de la taille de son coupleur est de 75% par rapport à une
conception conventionnelle sur le même substrat.

Dans [SUN, 2005], les auteurs utilisent la ligne microruban discontinue pour la conception
du coupleur pour obtenir une réduction de la taille de 60% avec des performances comparables.

En 2006, C. Caloz a présenté une structure de ligne microruban sur un substrat structuré à
l’aide de vias borgnes (les trous plaqués en cuivre) [NGUYEN, 2006] pour réduire la taille des
dispositifs microondes tels que l’antenne patch [FERNANDEZ, 2006], le filtre passe bande à saut
d’impédance et le coupleur hybride à branches [COULOMBE, 2007]. La miniaturisation du
coupleur hybride atteint 33% avec le substrat structuré par rapport aux dispositifs sur substrat
conventionnel de même épaisseur totale et de même permittivité diélectrique relative.

Dans [JUNG, 2008], les auteurs proposent une technique de miniaturisation des lignes de
transmission en utilisant des chargements capacitifs à stubs. Ce principe a été exploité pour
miniaturiser un coupleur hybride 3 dB avec un taux de réduction en surface obtenu de 62%.

89
TABLEAU 2.1 ETAT DE L’ART POUR LES COUPLEURS HYBRIDES MINIATURISES AVEC 15 dB D’ADAPTATION
* : RESULTATS MESUREES, ** : RESULTATS SIMULES

Freq. |S21| |S31| |S41| BW Phase Surface Size

(©«ª )
imbalance reduction
(GHz) (dB) (dB) (dB) (%)

Ce travail * 7.5 -3.17 -24 -3.37 16 ±1° 0.0312 48%

[GHALI, 2004]** 2.4 -3.1 -25 -3.1 20 ±4° 0.0138 75%

[SUN, 2005]* 1 -3.8 -35 -2.5 15.4 0.5° @ 1GHz 0.0292 60%

[COULOMBE, 2007]* 2 -4 -18 -2.9 20 N/A 0.0442 33%

[JUNG, 2008]* 3.45 -3.6 -18 -4 17 ±7.4° 0.0336 62%

Conception original - -3 -∞ -3 - 0° 0.0625 -

[POZAR, 2011]

90
 CHAPITRE 3. LIGNES COUPLEES MICRORUBAN A ONDE LENTE RF

Après avoir validé et étudié la sensibilité du modèle analytique proposé pour des lignes
microrubans à ondes lentes
lentes sur substrat (nano
(nano-)structuré,
)structuré, tant en RF qu’aux ondes
millimétriques, après avoir montré que la position des vias au sein du substrat structuré n’avait
pas d’importance sous la ligne, après avoir utilisé le modèle analytique pour la conception d’un
coupleur
pleur hybride miniaturisé et faible perte à 7
7.5 GHz, je me suis intéressé au couplage entre
deux telles lignes
lignes. Le
Le principe du couplage sur substrat structuré est d’abord exposé avec une
présentation de ses avantages et inconvénients, puis un modèle est également
alement proposé dans le
but de réaliser un coupleur co-directif
co directif miniaturisé.
miniaturisé

3.1 Principe des lignes microruban couplées à ondes lentes

La Fig. 3.1a représente la topologie des lignes microrubans couplées sur substrat structuré
par un réseau de vias borgnes. IIll s’agit de deux lignes de cuivre de largeur W, identiques,
séparées par un espace G,, imprimées sur la couche supérieure d'un substrat tri
tri-couches.
couches. Sous la
ligne microruban, il y a un réseau de vias borgnes, de rayon R1 et inter distants de S,, qui sont
connectés
nectés au plan de masse.
masse

strips

PCB
Rogers

(a) via GND

W G W
h1 R2 RO4003; εr = 3.55 ; htop = 203μm

h2 S RO4450; εr = 3.52 ; hinner = 102μm

m
R1
RO4003; εr = 3.55 ; hbot = 813μm
(b)

microruban à ondes lentes en technologie PCB: (a) topologie et (b) section

Fig. 3.1 Lignes microrubans
transversale de la structure

91
 La structure de lignes microrubans couplées à ondes lentes sou
soutient
tient deux modes distincts
de propagation : mode pair et mode impair. Nous utilisons la même approche que dans le cas des
de
lignes couplées conventionnelles présentées au chapitre 1 pour analyser ces modes. Toutefois, il
n’est pas inutile de bien redéfinir lles
es terminologies.

En général, les deux modes de propagation seront excités au même moment, cependant, la
vitesse de phase de chaque mode est différente. Par conséquent, les lignes microruban couplées
sont caractérisées par leurs impédances caractéristiques ainsi que par des constantes de
propagation et des permittivités diélectriques effectives pour les deux modes
modes.

DE
Champ C DDE
Champ F

Mur H Mur E
(a) (b)
+V
V +V +V -V

Fig. 3.2 (a) excitation d’onde en mode pair et (b) excitation d’onde en mode impair

On définit Ce, Co, Le, Lo comme étant les capacités et les inductances linéique des
de lignes
microrubans couplées de mode pair et impair, respectivement
respectivement.

Ces éléments sont déterminés par la permittivité du substrat diélectrique et ses

h Par rapport aux expressions du chapitre 1, (1.12) et
dimensions physiques telles que W, G et h.
(1.13) estimant Ce et Co en fonction des capacités propres de chaque ligne et de la capacité
mutuelle entre les deux lignes, des modifications doivent être apportées.

de phase de l’onde en modes pair et impair :

On considère la vitesse de

'( 1
%& + = =
)* +,,
+,, +  + × +

(3.1)

'( 1
%& 8 = =
)* +,,
+,, 8  8 × 8

(3.2)

Ainsi, l’augmentation de L et/ou C de ligne à onde lente par rapport à une propagation
guidée classique permet de réduire la vitesse de phase de l’onde. Fort de ce constat, nous
pouvons envisager deux pistes :

92
 • Soit les vitesses de phase sont proches ; dans ce cas, cette topologie de lignes
couplées est tout-à-fait indiquée pour réaliser du couplage contra-directif comme
dans [LUGO, 2015]
• Soit les vitesses de phase sont au contraire très différentes ; dans ce cas, il est
préférable de se focaliser sur les coupleurs 0-dB co-directifs pour lesquelles, plus
la différence entre les vitesses de phase est importante et plus le coupleur est
compact.

3.2 Simulation électromagnétique

Dans ce paragraphe, plusieurs simulations électromagnétiques de lignes microrubans
couplées à ondes lentes sont conduites pour déterminer les performances et caractériser les
paramètres de ces lignes. Nous avons de nouveau recours à l’utilisation de plan de symétrie pour
simuler la structure. Non seulement cela permet de gagner du temps de calcul mais de plus c’est
obligatoire pour simuler correctement les modes pair et impair des lignes couplées. Pour
simuler le mode impair, une symétrie de type perfect-E (court-circuit) doit être choisie tandis
qu'une condition perfect-H (circuit ouvert) doit être choisie pour le mode pair.

La Fig. 3.3 montre l’allure du champ électrique, simulé par le logiciel HFSSTM, sur une
moitié des lignes microrubans couplées à ondes lentes. Le champ électrique est confiné entre la
ligne principale et les vias, pour les modes pair et impair. Sa répartition est alors très proche de
celle d’une ligne microruban d’épaisseur h1 comme le met en évidence la Fig. 3.3. Toutefois pour
le mode impair on observe du champ électrique entre les deux rubans, ce qui n’est pas le cas
pour le mode pair (pas de couplage direct dans ce cas).

E-wall

Odd-mode

93
 H-wall

Even-mode

Fig. 3.3 Simulation du champ électrique de lignes microruban couplées à ondes lentes avec des
conditions spécifiques de bord sur le plan de symétrie pour les modes impair et pair.

3.3 Développement d’un modèle analytique

Comme exposé au paragraphe 2.3, les simulateurs électromagnétiques tels qu’ANSYS
HFSSTM sont capables d’offrir une solution précise pour la conception et la caractérisation de
lignes microrubans couplées à ondes lentes. Cependant, les simulations sur HFSSTM sont toujours
longues et gourmandes en mémoire vive pour atteindre une bonne précision de résultats. Par
conséquent, le développement d'un modèle électrique équivalent est extrêmement utile pour
accéder rapidement aux performances de ces lignes et réduire le temps de conception du
coupleur.

3.3.1 Analyse des phénomènes physiques et circuit équivalent proposé

L’analyse de modèle électrique de lignes microrubans couplées à ondes lentes sur substrat
structuré est similaire au procédé décrit au paragraphe 2.2.1. La Fig. 3.4 illustre la distribution
des lignes de champ électrique qui vont du ruban signal aux vias. La distribution des lignes de
champ électrique dans plusieurs zones est considérée afin de calculer les capacités équivalentes
Ce et Co. Pour Co, il faut considérer plus précisément les Fig. 3.4a et c. Pour Ce, il faut considérer
plus précisément les Fig. 3.4b et d. Dans les deux cas, on distingue les lignes de champ :
• dans l’air,
• dans le substrat diélectrique entre le microruban et les vias métalliques,
• dans le substrat diélectrique entre les vias avec l’effet de pénétration.

Pour Co plus particulièrement, il faudra aussi considérer le couplage direct (nommé

capacité mutuelle Css) entre les deux microrubans avec des lignes de champ :

94
 • dans l’air,
• dans le substrat diélectrique entre le microruban et les vias métalliques,

De plus, chaque via métallique a une résistance (Rvia) et une inductance (Lvia) en série qui
sont connectées à la masse.

Pour obtenir correctement le modèle de capacités, on propose de séparer la distribution

du champ électrique en plusieurs zones, représentées par les capacités C1, C2, Cpen.

Co E-wall
h1
Lpen
Lvia dpen h2

(a)
Ce H-wall

Lpen
Lvia dpen

(b)

C2 C1 Css E-wall

Lpen
Lvia Cpen dpen

(c)
C2 C1 H-wall

Lpen
Lvia Cpen dpen

(d)

Fig. 3.4 Distribution de champ électrique dans plusieurs zones prises en compte pour établir le
modèle analytique de la capacité linéique de lignes microrubans couplées à onde lente sur le
substrat PCB structuré d’épaisseur h1+h2 :
(a) le champ électrique entier en mode impair
(b) le champ électrique entier en mode pair
(c) répartition des champs électriques qui conduisent aux capacités du modèle en mode impair
(d) répartition des champs électriques qui conduisent aux capacités du modèle en mode pair.

95
 La Fig. 3.5 décrit le circuit équivalent des lignes microrubans couplées symétriques à
ondes lentes. Une résistance et une inductance propre en série (R et L0) modélisent le ruban
métallique tandis que Cs représente la capacité entre le ruban et le plan de masse. De plus,
l’inductance mutuelle Lm et la capacité mutuelle Css sont utilisées pour représenter le couplage
magnétique et capacitif entre les deux rubans. Pour le mode pair (Fig.3.5a) le plan de symétrie
agit comme un mur magnétique (circuit ouvert) et aucun courant ne circule entre les deux
rubans. Notons que Css n’a pas d’influence sur ce mode puisque cette capacité est reliée aux
mêmes potentiels. Pour le mode impair (Fig.3.5b), le plan de symétrie agit comme un mur
électrique (court-circuit) à une tension nulle.

E-wall H-wall

R R
C2 C2
L0-Lm L0+Lm
C1 Lpen C1 Lpen

2Css Cpen Rpen Cpen Rpen

Lvia Lvia
(a) (b)
Rvia Rvia

Fig. 3.5 Modèle électrique des lignes microrubans couplées symétriques à ondes lentes (a) En
mode impair, (b) En mode pair.

3.3.2 Calcul des éléments

Le calcul des éléments se mène de façon similaire à celle expliquée au sein du chapitre 2,
notamment pour les inductances paire et impaire à partir des équations (2.35, 2.36 et 2.37). On
ne distingue pas L0 et Lm dans le calcul. Toutefois la détermination des capacités paire et impaire,
à partir des deux configurations d’épaisseur de la figure 2.16, en présence respectivement des
murs magnétique et électrique, n’est pas aisée.

Dans ce paragraphe, on focalise sur le calcul de la capacité mutuelle Css en considérant la

distribution de champ électrique dans plusieurs zones en fonction de l’espace G, comme décrit
sur le Tableau 3.1. Dans chaque zone, on suppose que les lignes de champ électrique traversent
le parcours le plus court. La méthode de calcul des capacités dans chaque zone est similaire que
celle décrite au paragraphe 2.4.1.2.1.

96
TABLEAU 3.1 Calculs de la capacité mutuelle Css en en fonction de l’espace G.

Zone Limitations Figure Css


> ℎG?Š
2
A 3.6 (a) 0


ℎG?Š ≥ ≥ ℎ + S ′,*
2
B 3.6 (b)


ℎ + S ≥ ≥ ℎ \= + ′z + ′,*
2
C 3.6 (c)


ℎ≥ \= + ′z + ′,* + ′z_:
2
D 3.6 (d)

plan supérieur Cup Plan inferieur Cp charge ponctuelle supérieur C’ch

bord Cfr Plan côté Cpt bord supérieur C’fr
charge ponctuelle Cch Mur E
Mur E
G/2
G/2
W, t
W, t

h h

Cup Cfr Cch Cp Cup Cfr Cch Cp

(a) (b)
Mur E Mur E

W, t G/2 W, t G/2

h h

Cup Cfr Cch Cp Cup Cfr Cch Cp

(c) (d)

Fig. 3.6 Zones prises en compte pour établir le modèle analytique de la capacité mutuelle des
lignes microrubans couplées à ondes lentes classique

97
3.4 Aide au design / Abaque en RF
Les lignes couplées à ondes lentes présentées ci-dessus offrent des capacités de modes
impair et pair à la fois plus élevées que dans le cas classique mais surtout relativement plus
proches. Cela est lié à une capacité propre des lignes microrubans très élevée du fait du
confinement électrique. Au contraire les inductances des modes pair et impair sont celles des
lignes couplées classiques et peuvent être assez différentes. En suivant les expressions (1.16) et
(1.17), nous nous attendons donc à ce que cet écart implique une forte différence des vitesses de
phase des modes impair et pair.

Les impédances caractéristiques obtenues à partir du modèle sont comparées aux valeurs
expérimentales (Fig. 3.7a). Ces impédances
(+ et
(8 , respectivement des modes impair et pair,
sont représentées sur un abaque de conception (ici à 2 GHz). Cet abaque est utilisé pour
déterminer la largeur W et l’espacement des rubans G pour obtenir un couple
(+ et
(8 donné.
Les résultats de mesures (points rouges) de certaines lignes couplées sont indiqués également
sur l’abaque. Nous constatons un bon accord entre les calculs et les mesures sur une large
gamme de W et de G. Cependant, l’erreur de calcul des impédances
(+ et
(8 devient plus
importante pour des lignes minces de largeur 100 µm. De manière générale, la comparaison
modèle analytique/mesure montre un accord meilleur que 5% pour des largeurs de rubans
supérieures à 300 µm.

140
0.1
G [mm]
120
0.2
0.3
0.5
100 0.8
0.3
Ze [Ω ]

80
0.5

60
0.8
W [mm]
40
1.5

20
20 40 60 80 100
Zo [Ω ]

Fig. 3.7 (a) Z0e et Z0o de lignes couplées à ondes lentes en fonction des largeurs de ligne, W, et de
leur espacement, G, à 2 GHz. (modèle : courbes bleues et mesures : points rouge).

98
 8
W = 0.8
W = 0.5 G = 0.3
G = 0.2
7
W = 0.3 W = 1.5
G = 0.2 G = 0.1

εr eff 6 W = 0.8
G = 0.2
e

W = 0.3
5 G = 0.5

4
2 3 4 5
o
εr eff

Fig. 3.7 (b) εeff_e et ε eff_o de lignes couplées à ondes lentes en fonction des largeurs de ligne, W, et
de leur espacement, G, à 2 GHz. (modèle : courbes bleues et mesures : points rouge).

De la même manière, sur la Fig. 3.7b, sont tracées les permittivités effectives des modes
pair et impair )*_+,,
+
et )*_+,,
8
. Il existe une relation quasi linéaire entre les deux permittivités.
Toutefois, on se rend compte que notre modèle analytique sous-estime les permittivités
(en '  . ) et dans une moindre mesure les impédances caractéristiques (en  ⁄ ). Ceci signifie
que l’on sous-estime les inductances. Ceci est d’autant plus vrai que les largeurs sont fines. Or les
inductances paire et impaire ont été calculées à partir de la donnée analytique des impédances
caractéristiques de lignes couplées sans via,
(+ et
(8 , et d’une estimation des capacités paire et
impaire, Ce et Co, toujours pour des lignes couplées classiques sans via, le tout sur la base des
équations (2.35, 2.36, 2.37). C’est donc notre calcul des capacités qui est sous-estimé. Une autre
possibilité serait de calculer Le et Lo à partir des données analytiques des lignes couplées
classiques
(+ et
(8 et )*_+,,
+
et )*_+,,
8
, avec les deux configurations d’épaisseur de la figure 2.16,
puis d’appliquer uniquement l’équation (2.35). Une dernière solution serait d’obtenir les valeurs
d’inductances paire et impaire Le et Lo, directement à partir de simulations HFSSTM dans les deux
configurations d’épaisseur de la figure 2.16 pour des lignes couplées classiques sans via, puis
d’appliquer uniquement l’équation (2.35).

Malgré tout, on observe tant en mesure qu’avec le modèle une différence entre les
permittivités paire et impaire assez forte, qui confirme la difficulté que l’on aura à égaliser les
vitesses de phase des modes pair et impair nécessaire pour obtenir des coupleurs contra-
directifs à forte directivité. Au contraire cette différence pourra être mise à profit pour
miniaturiser des coupleurs co-directifs 0-dB. C’est l’objet de la section suivante §3.5 que de
comparer ces deux approches opposées.

99
 Plusieurs simulations de la même ligne microruban à ondes lentes positionnée
différemment au
au-dessus
dessus des vias ont été réalisées sur HFSSTM afin d'étudier l’influence du
décalage du ruban par rapport à une position et un agencement de référence des vias sur
l’impédance caractéristique
caractéristiq Zc et la constante diélectrique effective εr eff (Fig.
Fig. 2.11). Il y a quatre
cas à étudier : (a) référence (ligne verticale centrée sur une colonne de vias)), (b) ligne verticale
et décalage maximal, (c) ligne horizontale centrée sur une ligne de vias, (d)) ligne horizontale et
décalage maximal
maximal.

Les performances de la ligne restent stables (variation maximale inférieure à 4%) quelle
que soit la position du ruban au
au-dessus
dessus des vias. En d'autres termes, la position n'a que très peu
d’incidence
incidence (avec cette densité
densité et ce diamètre de via) sur les paramètres caractéristiques.
Comme pour les lignes conventionnelles, nos lignes offrent une grande souplesse de conception
et peuvent être placées indifféremment sur le substrat structuré sans modification de leurs
paramètres
ètres électriques.
électriques

(a) (b)

(c) (d)

80 8
verticale, nul
70 verticale, max 7
horizontale, nul
horizontale, max
60 6
Z0 [ Ω ]

εr eff

50 5

40 4

30 3
0 5 10 15 20
Frequency [GHz]

11 L’impédance caractéristique Zc et la constante diélectrique effective εr eff des lignes

Fig. 2.11
microrubans à ondes lentes (w = 1 mm) en fonction de la fréquence, par rapport au décalage du
ruban vis vis d’une position de référence de la ligne : (a) référence (ligne verticale centrée sur
vis-à-vis
via ), (b) ligne verticale et décalage maximal, (c) ligne horizontale centrée sur
une colonne de vias),
une ligne de vias, (d) ligne horizontale et décalage mamaximal
ximal.

55
 Port 1 Port 2

A
1
× 2

3
× I C
4
Port 3 Port 4

(a) (b)

Fig. 3.8 Photographie du coupleur co-directif fonctionnant à 4.5 GHz

0 0
S31
S41
-10 -10
S11
S parameters
S parameters

-20 -20

-30 -30

-40 -40
S21

-50 -50
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
Frequency [GHz] Frequency [GHz]

Fig. 3.9 Performance du coupleur co-directif fonctionnant à 4,5GHz (— mesures et --- calculs).

De plus, un modèle du coupleur co-directif est construit en utilisant le modèle électrique

des lignes couplées et leur abaque de conception proposés aux paragraphes 3.3 et 3.4. Les
résultats calculés à partir du modèle sont comparés avec les mesures (Fig. 3.9). Le couplage au
port (4) est de 0.56 dB à 4.5 GHz. L’isolation est supérieure à 18.3 dB sur le port (2) et à 27 dB
sur le port (3). La bande passante à 1 dB de perte d’insertion sur le port (4) va de de 3.6 GHz à
5.4 GHz, correspondant à une bande passante relative de 40%. Une bonne adaptation est
obtenue dans cette bande (|S11| inférieur à -20 dB).

Les résultats expérimentaux sont comparés à l'état de l'art (Tableau 3.2) montrant un très
bon compromis entre le couplage obtenu, la miniaturisation et la largeur de bande passante.
Notre coupleur présente la bande passante relative mesurée la plus grande (40%) et un
excellent couplage de 0.56 dB. De plus, notre solution permet une forte miniaturisation obtenue
de 75%. Il est à noter que les miniaturisations concurrentes décrites dans le Tableau 3.2 sont

101
longitudinales. Par exemple, dans [HSU, 2011] l’élargissement latéral dû aux fentes dans le plan
de masse n’est pas considéré, ni les stubs capacitifs [PARK, 2011]. En pratique, le concepteur doit
considérer le surface nécessaire du substrat en fonction de longueur d’onde carré .° . De façon
intéressante, parmi les résultats mesurés, notre coupleur miniaturisé a une surface la plus petite
de 0.105 .° .

TABLEAU 3.2 Comparaison des performances des coupleurs co-directifs 0-dB dans la littérature.

Fréq. Couplage Miniaturi Largeur

Technique Surface
[GHz] mesuré sation de bande

Ouverture de motifs
[CHANG, 2001] 7 2 dB 35% N/A 14%
dans le plan de masse

0.252 .°
Ouverture de motifs
[HSU, 2010] 2.9 1 dB 73% 19%
dans le plan de masse

0.188 .°
Ouverture de motifs
[HSU, 2011] 1.5 0.5 dB 92% 12%
dans le plan de masse

[LUI, 2002] CRLH 3.8 4.5 dB 76% 0.566 .° 6%

0.044 .°
0.3 dB 60% 66%
[KESHAVARZ, 2010] Stubs périodiques 3
simulé simulé simulé

[PARK, 2011] Charges capacitives 5 0.9 dB 89% 0.295 .° 34%

CE TRAVAIL SW-µTL couplées 4.5 0.56 dB 75% 0.105 .° 40%

102
 CHAPITRE 4. APPLICATION DES LIGNES A ONDE LENTE AUX
DISPOSITIFS PASSIFS NON RECIPROQUES : ISOLATEUR MICRORUBAN
ET CIRCULATEUR MICRORUBAN MINIATURISE

Ce dernier chapitre a pour objectif d’étudier l’incidence d’une ligne à ondes lentes
appliquées à la réalisation de dispositifs non-réciproques à ferrite. Concentrer le champ
électrique dans certaines zones de l’espace et stocker de l’énergie magnétique dans d’autres
peut-il accentuer l’effet de propagation non réciproque dans les matériaux magnétiques et
permettre la miniaturisation de ce type de composants? C’est la question posée dans ce chapitre
et à laquelle nous nous efforcerons de répondre.

4.1 Physique des effets non-réciproques en hyperfréquences

Le fonctionnement des dispositifs passifs non-réciproques en hyperfréquences est basé
sur les propriétés anisotropes des matériaux magnétiques, plus particulièrement les ferrites.
Dans ces matériaux, sous certaines conditions, la propagation d’une onde électromagnétique
s’effectue différemment selon son sens de propagation. Ce phénomène détermine le
fonctionnement de plusieurs dispositifs micro-ondes non réciproques à ferrite tels que les
circulateurs et les isolateurs.

Le principe des effets non réciproques dans le milieu ferrite repose sur l’un ou plusieurs
effets suivants : la rotation Faraday, le phénomène de résonance gyromagnétique, le
déplacement de champ, les effets non linéaires et l’existence de modes non uniformes ou ondes
de spin. Pour concevoir des dispositifs hyperfréquences à base de ferrite, améliorer leurs
performances ou encore mettre au point de nouveaux matériaux, il est indispensable de bien
comprendre les mécanismes physiques qui régissent le comportement des milieux magnétiques
aimantés et de proposer des modèles mathématiques prédictifs de leur perméabilité tensorielle.

4.1.1 Les ferrites utilisées dans le domaine hyperfréquence

Le matériau ferrite est un oxyde magnétique de formule chimique Fe2O3MeO où Me

représente un métal bivalent tel que Zn, Cd, Fe, Ni, Cu, Co et Mg. Pour les applications
hyperfréquences, les ferrites utilisées offrent une forte résistivité électrique (plus de 10⁶Ω/cm),
liée à de très faibles courants de Foucault, autorisant leur utilisation à l’état dense. De plus, leur
facteur de pertes diélectriques (tanδ) est très faible et ainsi situé habituellement entre 10⁻³ et

103
10⁻⁴ tandis que leur constante diélectrique (ε) est comprise entre 11 et 17. Une forte
pénétration du champ électromagnétique dans le matériau est alors permise, le rendant bon
candidat pour des applications micro-ondes.

Les ferrites sont obtenues par des procédés céramiques. Il y a trois familles principales
selon leur structure cristallographique: les spinelles, les ferrites hexagonales et les grenats. En
pratique, l’échantillon de ferrite se présente sous forme massive mais également sous forme de
couche mince ou épaisse.

Le Tableau 4.1 présente plusieurs valeurs typiques des propriétés importantes des ferrites
dans les applications hyperfréquences, telles que l'aimantation à saturation Ms, la largeur de raie
de gyrorésonance ∆H, le champ d’anisotropie magnétique HA, et la bande de fréquences de
résonance ferromagnétique fFRM. Les définitions de ces propriétés seront détaillées aux
paragraphes suivants.

TABLEAU 4.1 Propriétés importantes des ferrites connus

Paramètres magnétiques
Matériau ferrite
4πMs [Gauss] ΔH [Oe] HA [Oe] fFRM [GHz]

55 poly
Y3Fe5O12 1750 50 2 - 20
0.5 mono

NixZn1-xFe2O4 3500-5000 ≈5 100-250 ≈3

BaFe12O19 4800 500 16800 40 - 50

SrFe12O19 4700 35 18800 90

4.1.2 Phénomène de résonance gyromagnétique

Les propriétés magnétiques des ferrites proviennent principalement du moment dipolaire

magnétique associé au spin de l'électron. Le mouvement de précession du moment magnétique
± DE@ permet d’expliquer la
DDE autour de la direction du champ magnétique interne du ferrite F
présence du phénomène de résonance gyromagnétique (Fig. 4.1a). Ces moments magnétiques
possèdent une fréquence propre de précession appelée fréquence de Larmor. Quand le champ
excitateur RF est à une fréquence proche de la fréquence de Larmor et orienté
perpendiculairement au champ de polarisation, la résonance gyromagnétique se produit avec
une interaction onde-matériau forte dans un sens de propagation et faible dans l’autre:

104

* =
( = -( F@ (4.1)

Hi est le champ magnétique interne suivant la direction z et γ est le rapport

gyromagnétique qui correspond au rapport entre l’énergie cinétique des moments magnétiques,
avec μ0γ = 2π×28 GHz/T. Le vecteur de l’aimantation est « en rotation » autour du champ interne
DE@ .
F

Les pertes associées aux interactions magnétiques sont à l’origine de l’amortissement de la

précession de Larmor. Un facteur d’amortissement α est introduit pour traduire ce phénomène :

* =
( + 
(4.2)

Lorsque la condition ω = ωr est vérifiée, l’amplitude du mouvement de précession devient

relativement grande ce qui entraîne des pertes élevées.

DDE peut varier dans l'espace mais son

Dans un matériau ferrimagnétique, l'aimantation ²
amplitude est égale en tout point à l'aimantation à saturation Ms. L'équation de Landau–Lifshitz–
Gilbert prédit la rotation de l'aimantation en réponse à un champ appliqué :

DDE
Q²  Q²DDE
DDE ∧ F
= H ² DE@ + ∧
QS ²; QS
(4.3)

DDE est l'aimantation du matériau magnétique et α correspond à l'amortissement de la

où ²
précession de Larmor. On peut, de manière imagée, parler de force de rappel qui tend à aligner
DDE autour du champ interne F
l'aimantation ² DE@ . (Fig. 4.1b).

DDDE
F DDDE
F
DDDDE

1 DDDDE

1

Q± Q±

D²
DDE D²
DDE
´ ´
(a) (b)

Fig. 4.1 Mouvement de précession d’un moment magnétique (a) sans et (b) avec amortissement

105
 Le mouvement du vecteur d’aimantation dans cette relation est donc composé d’un terme
propre au mouvement de précession et d’un terme lié à l'amortissement α, qui peut aussi
s’exprimer en fonction de la largeur à mi-hauteur ∆Heff ou largeur de résonance selon la relation :

× ∆F+,,
=
20*
(4.4)

où fr est la fréquence de résonance gyromagnétique du matériau magnétique.

Notons que l’on définit ici une largeur de raie effective ∆Heff qui rend compte des pertes
magnétiques hors de la zone de gyrorésonance [VREHEN, 1968] alors que la largeur de raie ∆H,
différente de ∆Heff, quantifie les pertes magnétiques à la résonance gyromagnétique du mode
uniforme. Un ferrite à l’état saturé possédant une faible largeur de raie (∆H ou ∆Heff) présentera
une forte localisation de ses pertes magnétiques autour de sa fréquence de résonance
gyromagnétique. Ceci aura un intérêt particulier pour un dispositif fonctionnant hors
gyrorésonance. Les pertes d’insertion du dispositif hyperfréquence considéré seront d’autant
réduites que ∆Heff et/ou ∆H seront faibles.

Pour un milieu magnétique polarisé de dimensions définies, la formule de Kittel donne la

valeur du champ équivalent pour le calcul de la fréquence de résonance quand on applique un
champ H0 externe (selon Oz) à un échantillon de ferrite de forme déterminée [KITTEL, 1948]:

* = 2T0* = -( ƒsF( H œ¶ H œŠ ²; t·F( H oœ¶ H œ¸ v²; ¹ (4.5)

où μ0 est la perméabilité dans le vide (μ0 = 4π×10⁻⁷ H/m) ; H0 est le champ extérieur appliqué ;
Ms est la magnétisation à saturation et Nx, Ny, Nz sont les facteurs démagnétisants qui dépendent
de la forme de l’échantillon (voir Tableau 4.2).

Le champ à l’intérieur du matériau Hi diffère du champ externe H0 à cause du champ

démagnétisant et du champ d’anisotropie :

DE@ = F
F DE( + F
DEº H œ
»²DDE; (4.6)

» est le tenseur démagnétisant (voir Tableau 4.2), Ms est la magnétisation à saturation et HA

où œ
est le champ d’anisotropie.

106
2.4 Développement d’un modèle analytique
2.4.1 RF : PCB

Comme exposé au paragraphe 2.3, les simulateurs électromagnétiques tels qu’ANSYS

HFSSTM sont capables d’offrir une solution précise pour la conception et caractérisation de lignes
microrubans à ondes lentes. Cependant, les simulations sur HFSSTM sont toujours longues et
gourmandes en mémoire vive pour atteindre une bonne précision. Par conséquent, le
développement d'un modèle électrique équivalent est extrêmement utile pour aider les
concepteurs à réaliser des lignes SW-µTL efficaces. Cela permet de réduire considérablement le
temps d’analyse en évitant des simulations électromagnétiques 3D.

2.4.1.1 Analyse des phénomènes physiques et circuit équivalent proposé

Le modèle électrique d’une ligne microruban à ondes lentes sur substrat structuré est basé
sur une bonne compréhension de la répartition des champs électrique et magnétique à
l'intérieur de la structure. La Fig. 2.12a illustre la distribution des lignes de champ électrique qui
vont du ruban de signal, puis sont capturés par les vias. La distribution des lignes de champ
électrique dans plusieurs zones permet de déterminer la capacité linéaire équivalente de la ligne
que nous nommerons Clin dans la suite du chapitre. On distingue la distribution des lignes de
champ électrique :
• dans l’air,
• dans le substrat diélectrique entre le microruban et les pastilles métalliques
• dans le substrat diélectrique entre les vias où il existe un effet de pénétration.
De plus, chaque via métallique a une résistance (R*via) et une inductance (L*via) en série qui
sont connectées à la masse, ces paramètres étant finalement séparés en deux contributions
distinctes dans le modèle analytique final.

Pour obtenir correctement le modèle de capacités de la ligne SW-µTL, on propose de

séparer la distribution du champ électrique en deux zones (Fig. 2.12b) : l’une correspondant à la
pénétration, représentée par la capacité de pénétration Cpen, et une autre correspondant aux
lignes de champ électrique qui s’arrêtent au plan fictif supérieur de vias, représentée par la
capacité Cstrip. Cette zone est subdivisée en deux parties qui sont définies ci-dessous (Fig. 2.12c).
La zone 1, en orange, représente la partie des lignes de champ électrique qui vont ensuite
pénétrer au sein des couches inférieures, conduisant à la capacité C1 définie pour chaque ligne,
alors que la zone 2, en vert, considère uniquement les lignes de champ qui s'arrêtent au-dessus
d’un via, conduisant à la capacité C2 également définie pour chaque ligne. On précise que h1 est la
distance entre le ruban et le plan fictif supérieur des pads et h2 est la longueur de via.

56
 - État partiellement aimanté : modèle de Rado [RADO, 1953] ; modèle de Green et
Sandy [GREEN, 1974] ; modèle de Igarashi et Y. Naito [IGARASHI, 1977] ; modèle de
Bouchaud et Zerah [BOUCHAUD, 1990]
- Etat d’aimantation quelconque modèle de Gelin [GELIN, 2008] ou modèle
généralisé.

Nous rappellerons, dans ce qui suit, uniquement le modèle de Polder qui est valable
uniquement pour l’état saturé du matériau magnétique, car l’étude que nous proposons,
concerne un composant utilisant un ferrite saturé associé à un dispositif à ondes lentes.

4.1.2.2 Modèle de Polder

Pour déterminer la perméabilité tensorielle du milieu saturé infini, Polder a résolu

DE possède une amplitude
l’équation (4.3) en supposant, d’une part, que le champ magnétique ℎ
très largement inférieure (linéarisation) à celle du champ statique Hi de polarisation rectiligne
selon l’axe (xOz), le champ magnétique RF étant orienté dans le plan (x0y) [Polder, 1949]. Dans
ces conditions, la projection de l’équation de Gilbert sur les axes du repère cartésien (Oxyz)
permet d’établir une relation entre l’aimantation dynamique du milieu ±
DDE et le champ
DE : ±
magnétique ℎ DDE = ¼
»ℎ DE, et -̿ = 1¾ + ¼̿

- Á 0
-̿ = ¿HÁ - 0À
0 0 1
(4.8)

avec

G
(
- = 1 +

(  H

(4.9)

Á =
(4.10)

(  H


Les éléments du tenseur de perméabilité (Eq. 4.8 et 4.9) dépendent de la fréquence, du

champ magnétique interne Hi et de l’aimantation à saturation du matériau Ms. L’introduction du
facteur d’amortissement permet de tenir compte des pertes magnétiques :

( = -( F@ + 
 (4.11)

G = -( ²; (4.12)

Notons que les éléments du tenseur de Polder sont complexes : - = -′ H -′′ et

Á = Á ‘ H Á′′ et donc :

108

G
( €
( H
 1 H   ‚
-′ = 1 + 
o
( H
 1 H   v + 4 

(
(4.13)


G
€
( H
 1 +   ‚
-′′ = 
o
( H
 1 H   v + 4 

(
(4.14)

G
( €
( H
 1 +   ‚
Á′ = 
o
( H
 1 H   v + 4 

(
(4.15)

2

G
(
Á′′ = 
o
( H
 1 H   v + 4 

(
(4.16)

Les éléments du tenseur de Polder peuvent être présentés en fonction de la fréquence

pour un champ interne donné. Nous choisirons un matériau magnétique bien connu : le YIG
(Grenat de Fer et d’Yttrium polycristallin) utilisé dans la référence [SAMAD, 2010]. Ses propriétés
magnétiques sont listées dans le Tableau 4.3. La Fig. 4.2 montre les composantes de μ et κ du
matériau YIG en fonction de la fréquence.

TABLEAU 4.3 Propriétés magnétiques du matériau magnétique YIG en référence

Propriétés εr μr Ms α H0

Valeurs 15.3 1 0.14 T 0.01 500 kA/m

15 15

En dessous de la En dessous de la
10 10
résonance ∆H résonance ∆H

5 5

0 0

-5 -5
, ,
µ Au-delà de la κ Au-delà de la
µ
,, résonance ,,
κ résonance
-10 -10
10 12 14 16 10 12 14 16
Fréquence [GHz] Fréquence [GHz]

Fig. 4.2 Résonance gyromagnétique : parties réelles et imaginaires du tenseur de perméabilité

avec un champ appliqué. (µ0Ms = 0.14 T ; H0 = 500 kA/m ; α =0.01)

109
 Notons que les composants usuels non-réciproques
non réciproques utilisant ce matériau, ne fonctionnent
pas à cette fréquence. En effet, ils fonctionnent soit au
au-dessous,
dessous, soit au-dessus
dessus de la résonance
gyromagnétique pour éviter l’apparition de trop de pertes.

4.1.3 Effet de déplacement de champ

L'anisotropie magnétique permet le phénomène de déplacement de champ

électromagnétique dès que la structure contenant le ferrite est limitée
limitée transversalement, ce qui
est toujours le cas. Pour illustrer cet effet, examinons le cas de la ligne microruban représentée
sur la Fig. 4.3.. Cette structure présente un plan de symétrie ((yOz)..

Lorsque le substrat est un diélectrique isotrope, ce plan est également un plan de symétrie
pour les modes de propagation et la cartographie du champ électrique et magnétique est
symétrique ((Fig. 4.3(a), (b)).

Lorsque le substrat est un ferrite aimanté selon Oz par

ar un champ magnétique H0, il y a un
phénomène de d
déplacement
éplacement de champ électrique ((Fig.
Fig. 4.3 (c), (d)) et le plan yOz n’est plus un
plan de symétrie pour les modes de propagation
propagation. Ce phénomène est utilisé généralement en
dehors de la bande de résonance gyromagnétique dans la conception de composants non-
non
iproques.. Cela est aussi observable pour la structure de ligne coplanaire [W
réciproques [WEN, 1969] et guide
d’onde rectangulaire [WEISBAUM, 1957].

y z

x
(a) (b)

DDDE
FÂ
Sens de rotation DE
Champ C DDEE
Champ F
DDE
gyro
gyromagnétique
²
Faible
Forte interaction
interaction

y z

x
(c) (d)

Fig. 4.3 Structure microruban et lignes de champs dans un plan transversal dans les cas : (a), (b)
sur un substrat diélectrique isotrope et (c)), (d) sur un ferrite aimanté

Nous allons mettre à profit cette propriété des matériaux ferrites aimantés pour déplacer
le champ électrique d’un côté ou de l’autre de la structure (suivant le sens de propagation). A ce

110
phénomène, il est possible d’ajouter l’effet de concentration du champ électrique entre la ligne et
les vias pour les lignes à onde lente. Nous espérons ainsi renforcer l’effet d’isolation des
isolateurs à ferrite.

4.2 Isolateurs hyperfréquences

4.2.1 Principe de fonctionnement d’un isolateur hyperfréquence

Un isolateur a pour fonction de permettre la propagation d’une onde électromagnétique

dans un sens et de la bloquer lorsqu’elle se propage en sens inverse. Dans les systèmes RF, ce
composant est très utilisé à la sortie d'un générateur pour supprimer l'onde réfléchie qui peut
simplement perturber le générateur, ou même le détruire [POZAR, 2014]. On le retrouve ainsi
dans les étages d'amplificateurs pour permettre un découplage source -charge.

S21

∿ S11 S22 Charge

Générateur S12
Isolateur
×
Fig. 4.4 Schéma de principe d’un isolateur dans le système RF

Un isolateur idéal se caractérise par sa matrice de répartition qui s’écrit:

0 0
5 = a i
2 Ã& 0
(4.17)

Cela indique que les deux ports sont adaptés mais que la transmission se produit
uniquement dans la direction du port 1 au port 2.

Pour évaluer la performance d’un isolateur RF, les principales caractéristiques sont les
suivantes :

- L’isolation |S12| : caractéristique la capacité d’un isolateur à atténuer le signal de retour

pour protéger la source.
- Les pertes d’insertion |S21| : le niveau d’atténuation du signal qui est transmis dans la
direction de propagation.
- La puissance : le niveau de puissance que l'isolateur peut gérer tout en conservant ses
caractéristiques électriques.
- Le rapport d’onde stationnaire ROS : qualité de l'adaptation
- La largeur de bande BW : l’intervalle de fréquences où l’isolateur a une bonne isolation

111
 Le tableau 4.4 montre des valeurs idéales et des valeurs typiques des caractéristiques d’un
isolateur hyperfréquence :

TABLEAU 4.4 Caractéristiques d’un isolateur hyperfréquence

|S21| |S12| ROS BW

Valeurs idéales 0 dB ∞ 1 -

Valeurs typiques 0.1 - 1 dB 20 - 30 dB 1.05 - 1.2 >10%

4.2.2 Topologies d’isolateurs passifs hyperfréquence

Dans la continuité des travaux sur ces composants, plusieurs idées ont été proposées pour
la réalisation d’isolateurs en bande RF et millimétrique. Avec des isolateurs passifs, les
matériaux magnétiques (généralement les ferrites à faibles pertes) jouent un rôle important.
Dans cette partie, nous présentons plusieurs topologies d'isolateur hyperfréquence avec
diverses structures de ligne de transmission basées sur les deux phénomènes principaux de
résonance gyromagnétique et de déplacement de champ électromagnétique.

4.2.2.1 Isolateur en guide d'ondes rectangulaire

Au début des années 1950, les premiers isolateurs réalisés en guide d’onde rectangulaire
exploitaient le phénomène d’absorption d’énergie d’un matériau à ferrite massif aimanté
[CLAVIN, 1955], [WEISBAUM, 1957], [DUNCAN, 1958]. Pour obtenir l’effet non-réciproque, les
auteurs ont ajouté une pièce de ferrite en position latérale dans la structure (Fig. 4.5). La
plaquette de ferrite est recouverte d’un film résistif qui jouera le rôle d’absorbant. La
propagation non-réciproque est due à l’effet de déplacement de champ dans la structure.
L’introduction d’un absorbant permettra une atténuation importante dans le sens de la
propagation lorsque le champ est maximal mais n’aura que peu d’effet dans le sens contraire
puisque peu d’interaction avec l’onde inverse. Les performances des isolateurs fonctionnant en
diverses bandes de fréquences sont brièvement présentées dans la référence [WEISBAUM, 1957].

DDDE
FÂ
Sens de rotation

DDE
gyromagnétique
²
Ferrite Absorbant

y z

x
(a) (b)

Fig. 4.5 Isolateur à déplacement de champ en guide d’onde rectangulaire (a) Le champ
électromagnétique est absorbée fortement dans le sens bloqué selon z > 0 ; (b) Faible interaction

112
du champ électromagnétique avec l’absorbant : atténuation négligeable dans le sens passant
selon z < 0.

4.2.2.2 Isolateur en structure microruban

Dans cette partie, nous présentons plusieurs conceptions d’isolateurs

d’ s hyperfréquence en
technologie planaire en appliquant l’effet
’effet de déplacement de champ électromagnétique
électromagnétique.

La structure typique des isolateurs en microruban est constituée d’un ruban conducteur
asymétriquement gravé sur le substrat à ferrite ((Fig. 4.6a). La largeur des lignes d’accès permet
pe
l’adaptation à une impédance 50 Ω. La largeur dans laa région centrale est élargie pour créer une
dissymétrie géométrique. Cela conduit à une répartition énergétique différente selon le sens de
propagation de l’onde électromagnétique dans le ferrite, ll’interaction
’interaction avec un matériau
absorbant permettant d’obtenir la fonction d’isolation de la structure. De
De nombreuses
nombreu équipes
ont proposé diverses techniques pour améliorer l’isolation de la structure en modifiant
structurellement
turellement le ruban conducteur et/ou een
n ajoutant le matériau absorbant
absorbant.

DDE
F Ferrite
DDDE
FÂ
Absorbant
S21

DDE
²
S12

(a) (b)

(c) (d) (e)

(f) (g) (h)

Fig. 4.6 Plusieurs conceptions d’isolateur hyperfréquence en structure microruban. (a) La

structure typique, (b) [H
[ INES, 19 ARAKI, 1974],
1971], (c) [A 74], (d) [[NOGUCHI, 1974], [ ANE, 1990],
74], (e) [K 19 (f)
[ALY, 20
2001], (g) [ALY, 2002] 12].
02] et (h) [[WU, 2012].

L’idée un matériau absorbant a été appliquée la première fois par M.E. Hines
idée d’utiliser un
pour réaliser un isolateur fonctionnant de 6 GHz à 12 GHz [HINES, 1971].
71]. Les auteurs ont placé
feuille de Mylar sur le côté évasé du ruban conducteur pour atténuer fortement l’onde
une feui
électromagnétique qui se propage le long de ce bord du ruban ((Fig. 4.6b). Les caractéristiques

113
électriques mesurées de l’isolateur présentent une isolation moyenne entre 20 dB et 30 dB et
des pertes d’insertion de 2.2 dB.

En 1974, K. Araki a réalisé un isolateur sans utiliser du matériau absorbant, en

accomplissant un court-circuit entre l’extrémité élargie du ruban conducteur et le plan de masse
[ARAKI, 1974] (Fig. 4.6c). Le principe de fonctionnement de cet isolateur est similaire à celui de
Hines : une transmission parfaite de l’onde électromagnétique dans un sens et une atténuation
importante dans le sens inverse à cause du court-circuit. L’une des conceptions d’isolateur
présente une bonne performance avec des niveaux d’isolation supérieur de 40 dB et des pertes
d’insertion de 1 dB sur une bande de fréquences de 5 GHz à 7 GHz.

Afin d’améliorer la conception de l’isolateur d’Araki, T. Noguchi a mis une fine plaquette de
fer le long du côté court-circuité du ruban (Fig. 4.6d) pour renforcer localement le champ
magnétique interne au ferrite [NOGUCHI, 1974]. Le champ magnétique appliqué est suffisamment
fort pour produire une résonance ferromagnétique sur un côté mais trop faible pour causer une
résonance de l’autre côté. Cela conduit à une atténuation non réciproque des ondes
électromagnétiques selon le sens de la propagation. Cet isolateur présente des niveaux
d’isolation et de réflexion supérieurs à 25 et 18 dB, respectivement, et des pertes d’insertion en
dessous de 1 dB, sur une bande de fréquences de 4 GHz à 8 GHz.

Une nouvelle conception d’isolateur sans l’emploi d’un matériau absorbant a été proposée
par R.C. Kane en utilisant une fente transversale (Fig. 4.6e), située à un bord du ruban
conducteur [KANE, 1990]. Notons que la propagation d’onde dans le sens inverse rencontrera la
discontinuité à cause de la fente et sera atténuée. Cette fente agit comme un circuit ouvert et elle
cause alors un confinement non-réciproque de l’énergie électromagnétique sous le côté évasé du
ruban, selon la direction d’application du champ magnétique statique extérieur H0. Cet isolateur
fonctionne dans une bande de fréquences de 10 GHz à 12 GHz, avec des niveaux d’isolation de
24.6 dB et des pertes d’insertion moyennes de 1.38 dB à 11 GHz. Il présente l’intérêt d’avoir une
géométrie strictement planaire. [ALY, 2001] a proposé une étude théorique avec l’idée de réunir
plusieurs fentes dans le ruban conducteur et d’utiliser un matériau absorbant afin de renforcer
l’effet.

Une autre conception d’isolateur reposant sur l’utilisation de deux lignes microruban en
parallèles a été présentée dans la référence [ALY, 2002]. Un matériau absorbant est ajouté pour
augmenter de l’isolation et réduire des réflexions parasites entre la ligne parallèle et le taper.
Une isolation d’environ 20 dB et des pertes d’insertion moyennes de 2 dB ont été
respectivement mesurées entre 2.5 et 5 GHz.

114
 Dans [Wu
[Wu, 2012],
2012], les auteurs ont présenté une structure de ligne microruban
microruban dentelée
périodique
périodiquement pour générer un champ magnétique polarisé circulairement. Le champ
magnétique avec une polarisation circulaire main droite (RHCP) aur
aura un couplage fort avec le
ferrite, tandis que celui avec une polarisation circulaire main gauche (LHCP) aura
aur un couplage
faible.. Cela conduit à un comportement non réciproque avec une isolation de plus de 19 dB dans
un sens et des pertes
perte d'insertions de 3
3.5 dB dans l’autre sens à la fréquence de 13.5 GHz..

4.2.2.3 Isolateur basé sur une ligne à fente

En 1975
1975, L. Courtois a présenté une étude théorique et expérimentale de l’isolateur en
ligne à fente fonctionnant dans une bande de fréquences de 3 GHz à 6 GHz [C
[ OURTOIS, 1975].
19 Il
est constitué d'une ligne à fente sur un substrat multicouche dont une plaque de ferrite
ferrite (YIG,
4πMs = 1780G, ΔH = 5 Oe), un
une couche diélectrique (alumine) et un matériau absorbant
(Fig. 4.7a). Cet isolateur a une isolation d'environ 25 dB à 4 GHz avec des pertes d'insertion
inférieures à 1 dB.

Un
ne autre conception d’
d’isolateur
isolateur à fente a été proposée par A. Beyer en utilisant la
structure « finline » (Fig.
( 4.7b) [BEYER, 1981].
19 Cet isolateur fonctionne de 11 GHz à 12 GHz, et
présente une isolation de 30 dB à 11.5 GHz avec des pertes d'insertion inférieures à 1 dB.

Alumine

Ferrite Absorbant Ferrite Alumine

(a) (b)

solateur basé sur une ligne à fente dans un boîtier fermé (b) Isolateur avec une
Fig. 4.7 (a) Isolateur
structure « finline »

4.2.2.4 Isolateur en structure coplanaire

Les recherches récentes se sont focalisées essentiellement sur la technologie coplanaire

copla
qui présente plusieurs avantages tels que la connexion en surface, la souplesse de conception et
intégration. La structure coplanaire peut être utilisée comme support de composants
la facilité d’intégration.
passifs non réciproques.. On peut, par exemple insérer d
non-réciproques eux barreaux de ferrite dans les fentes
deux
de la ligne (Fig. 4.8a), ou déposer une couche mince de ferrite qui recouvre le substrat
(Fig. 4.8b), ou encore utiliser aussi un substrat ferrite.

115
 DDDE DDDEE DDDE
Ferrite Ferrite Ferrite

F F F

Substrat
(a) (b) (c) Absorbant

Fig. 4.8 Isolateurs en structure coplanaire : (a) Structure proposée par [Wen,
[Wen 1969]
69] avec des
barreaux de ferrite à l’interface air
air-substrat,
substrat, (b) structure proposée par le DIOM de St Etienne
avec un film mince pulvérisé sur le substrat [[BAYARD, 202000]
00] et (c) Structure proposée par
[KIROUANE, 2009]

En 1969, C.P.Wen a observée des effets non réciproques dans une ligne coplanaire à
substrat diélectrique sur laquelle deux barreaux de ferrites sont placés à l'interface air
air--substrat
(Fig. 4.8a) [[WEN, 1969].
1969]. Dans cet article, les aute
auteurs
urs ont mis en évidence la faisabilité de réaliser
un isolateur fonctionnant à 6 GHz avec des pertes d’insertion inferieures à 2 dB et un effet non-
non
réciproque (|S12| - |S21|) de 35 dB pour une ligne de longueur de 2cm.

Au début des années 2000, plusieurs études de faisabilité pour réaliser des isolateurs
isolateur
coplanaire
coplanaires à base d’hexaferrite
d’hexaferrite de baryum BaM (BaFe12O19) ont été conduites au laboratoire
DIOM de Saint Etienne [B 00], [V
[ AYARD, 2000], [ INCENT, 2001], [BAYARD, 2003], [ APRARO, 2004],
03], [C
[CAPRARO, 2007]. Le film mince BaM est déposé sur le substrat par une technique de
sputtering)) dont l’épaisseur est comprise entre 1 µm et 36 µm. Les résultats
pulvérisation RF (sputtering
expérimentaux présente un niveau d’isolation de 3.3 dB/cm à 50 GHz [C
[ APRARO, 2004].

09], les auteurs ont présenté une nouvelle conception d’isolateur en

Dans [[KIROUANE, 2009],
structure coplanaire asymétrique sur un substrat d'hexaferrite
d'hexaferrite de baryum BaM (Ms = 0.48
0. T,
ΔH = 500 Oe) utilisant le principe de déplacement d
dee champ. L'asymétrie de ligne permet une
localisation plus facile du matériau absorbant. Cet isolateur a une isolation égale à 24 dB autour
d'une fréquence de 48 GHz avec des pertes d'inse
d'insertion
rtion égale à 8 dB. Malgré l’importance des
pertes, ce premier résultat a été obtenu aux fréquences millimétriques.

4.2.2.5 Isolateur en technologie guide d’onde intégré dans un substrat (SIW)

L’émergence de la technologie guide d’onde intégré dans un substrat (SIW) au début des
émergence
avancées intéressantes pour la recherche et le développement des
années 2000 présente des avan
applications hyperfréquences [DESLANDES, 2001].. Combinant l'avantage de la technologie
pertes inhérentes au guide d'onde rectangulaire non-planaire,
planaire et de faibles pertes non planaire, la
technologie SIW permet de concevoir des dispositifs compacts
compacts,, légers, à faible coût et
entièrement intégrés dans le substrat
substrat.

116
 Le premier isolateur en technologie SIW est proposé dans [F
[ ESHARAKI, 2013]
13] en évidant
une partie du diélectrique dans
dans la structure SIW et en plaçant une plaque de ferrite (YIG,
YIG, 4πMs =
0.1780 T, ΔH < 0.0017 T),
T , comme le montre la Fig. 4.9(a)
4.9(a). La structure SIW et sa transition vers
le microruban sont fabriquées
fabriqué s sur un substrat Rogers RT/Duroid 5880 (ɛr = 2.2)
2 d’épaisseur de
31 mils pour une fréquence de coupure de 10 GHz.. Cet isolat
isolateur
eur présente un niveau d’isolation
isolation
de 10 dB entre 13.5 et 16 GHz avec des pertes d'inse
d'insertion
rtion de 2 à 5 dB. Dans la référence
[Cheng, 2014],
14], les auteurs proposent une autre conception d’isolateur avec deux barreaux placés
sur les surfaces métalliques « top » et « bottom » pour éviter le découpage des trous
rectangulaires dans des substrats diélectriques (Fig. 4.9(b)). Un niveau d’isolation
d’isolation plus de 20 dB
et des pertes d'insertion
d'insertion de 2.3 à 3.2 dB sont mesurés dans la bande de fréquences
fréquence de 9.8 à
10.4 GHz
GHz.

Ferrite Ferrite

(a) (b)

Fig. 4.9 Isolateurs en guide d’onde intégré dans un substrat (SIW)

4.2.3 Nouvelle conception d’un isolateur en technologie microruban à ondes lentes

Dans le paragraphe précédent, nous avons présenté le fonctionnement d ’isolateurs

d’isolateurs
hyperfréquences basé sur le phénomène de déplacement de champ électromagnétique. Dans
cette partie, nous présentons une nouvelle conception d’isolateur microruban compact avec
d’isolateur
l’introduction de vias à travers le substrat ferrite. De plus, un de
design
sign de la structure complète
d’un circulateur sera simulé et optimisé sous le logiciel de simulation électromagnétique 3D
Ansoft HFFS
HFFS,, pour une preuve de concept.

La nouvelle structure de l’isolateur microruban, dans laquelle la propagation non

réciproque est créée par le phénomène de déplacement de champ électromagnétique, est
représentée Fig. 4.10.

DDDE
FÂ l
w εr = 4 ; h1 = 50μm
50
lstub
DDE
²
Ferrite ; h2 = 500μm
500
wstub
2R

(a) (b)

10 Nouvel isolateur microruban (a) structure (b) dimensions

Fig. 4.10

117
 La structure est constituée d’une ligne mic
microruban
roruban asymétrique et d’un stub au centre de
la ligne déposés sur un substrat diélectrique-ferrite.
diélectrique Notons que la largeur des lignes d’accès (w)
permet l’adaptation d’impédance
d’impédance.. Sous le stub, il y a des vias métalliques de rayon R traversant
le ferrite.

Lee fonctionnement de cet isolateur est basé sur l’effet

’effet de déplacement de champ
électromagnétique généré par la couche de ferrite aimanté perpendiculairement à son plan
(Fig. 4.11). Le principe est similaire à celui du circulateur de Hines : une transmission
transmissio de l’onde
électromagnétique dans un sens alors qu’
qu’une
une atténuation importante dans le sens inverse
intervient à cause du stub. Les vias métalliques jouent le rôle de perturbateurs, le champ
électrique est capté et distribué principalement dans la couche diélectrique
diélectrique supérieure au-
dessus de
des vias. Au niveau du stub, le fait de confiner encore plus le champ électrique grâce à
l’effet d’ondes lentes, outre le fait que cela miniaturise le stub, devrait permettre également de
ramener un court
court-circuit
circuit plus perfo
performant
rmant au niveau de la ligne (cas de la Fig. 4.11b).

DE
Champ C DDE
Champ F
DDDE
FÂ
S21

DDE
²
S12

(a) (b)

Fig. 4.11 ffet de déplacement de champs électromagnétiques généré selon la direction de

11 Effet
propagation d’onde sur le conducteur

A partir de cette structure de base nous avons montré la faisabilité de l’isolateur en

utilisant le matériau magnétique YIG pour travailler dans la bande de fréquences autour de
10 GHz.

Le matériau magnétique présente une magnétisation à saturation Ms = 1400 Gauss,

ΔH = 10 Oe, une permittivité relative εr = 15, une tangente de pertes diélectriques tanδ
tan = 10¯⁴ et
un champ interne Hi = 210 kA/m. La perméabilité du matériau magnétique, calcu lée à partir du
calculée
modèle de Polder, peut être présentée en fonction de la fréquence pour une valeur fixe du champ
interne (cf. Fig. 4.12). La résonance de la perméabilité du matériau magnétique YIG est observée
à 7 GHz, cela rend possible notre objectif d’av
d’avoir
oir un isolateur qui fonctionne au-delà
au delà de la
résonance à 10 GHz.

118
 30 30
, ,
20 µ 20 κ
,, ,,
µ κ
10 10

0 0

-10 -10

-20 -20
0 5 10 15 20 0 5 10 15 20
Fréquence [GHz] Fréquence [GHz]

Fig. 4.12 La perméabilité du matériau magnétique en fonction de la fréquence, calculée à partir

du modèle de Polder

La Fig. 4.13 présente les performances de notre isolateur : un bon niveau d’isolation de
31 dB et de faibles pertes d’insertion de 1.87 dB à 10 GHz.

Fig. 4.13 Paramètres S de l’isolateur proposé

Les principales caractéristiques disponibles des isolateurs à ferrites décrits auparavant

sont résumées dans le tableau 4.5 :

119
TABLEAU 4.5 Principales caractéristiques des isolateurs à ferrites

Pertes Bande de
Substrat H0 Isolation Réflexion
Isolateur d’insertion fréquences
Ferrite* kOe
utiles
Ferrite de
[HINES, 1971] magnésium 2.45 24 dB 2.2 dB - 6 - 12 GHz
4πMs =1500G
YIG
[ARAKI, 1975] 4πMs = 1750G, - 35 dB 2.5 dB 20 dB 5 - 7 GHz
∆H = 83 Oe
YIG
[NOGUCHI, 1974] 1.8 25 dB < 1 dB 18 4 – 8 GHz
4πMs = 1750G
Ferrite de
24.6 dB 1.38 dB
[KANE, 1990] magnésium 2.45 - 10 - 12 GHz
@ 11GHz @ 11GHz
4πMs =1500G
Ferrite de
[ALY, 2001] magnésium 0.7 > 22 dB 2 dB - 4 - 9 GHz
4πMs =1500G
Ferrite de
Calcium-
[ALY, 2002] Vanadium - 20 dB 2 dB > 30 dB 2.5 - 5 GHz
4πMs = 800 G,
∆H = 8 Oe
YIG 24.6 dB 1.38 dB
[WU, 2012] 4 4 - 13.5 GHz
4πMs = 1750G @13.5GHz @ 13.5GHz
YIG
31dB 1.68 dB 9.9 – 10.1
CE TRAVAIL 4πMs = 1400 G, 2.7 > 30 dB
@10GHz @ 10GHz GHz
∆H = 10 Oe

* 1000 Gauss = 0.1 Tesla

4.3 Circulateurs hyperfréquences à jonction Y

4.3.1 Principe de fonctionnement du circulateur hyperfréquence

Les circulateurs occupent un rôle important pour séparer la voie d’émission des autres
parties d’un système de transmission (duplexeurs de radar, téléphone mobile, etc.). Ils sont
formés d’au moins trois ports d’accès orientés à 120° les uns des autres autour d’un corps
central en ferrite qui lui confèrent sa non-réciprocité. Les circulateurs réalisent une
transmission des ondes par substitution cyclique. En effet, quand un champ magnétique
polarisant est appliqué (perpendiculairement à la surface), il se crée le phénomène de
déplacement de champ qui est tel qu'une onde entrant par les voies 1, 2 ou 3 ne peut ressortir
respectivement que par les voies 2, 3 ou 1.

120
 Antenne

Emetteur

Circula
Circulateur

Récepteur

Fig. 4.14
14 Schéma de principe d’un circulateur RF

Un circulateur idéal transmet les signaux sans pertes dans le sens de circulation et les
bloque parfaitement en sens inverse, il se caractérise par sa matrice de répartition qui s’écrit:

0 0 2 Ã&
5 = ¿2Ã& 0 0 À
0 2 Ã& 0
(4.18)

Cela indique que toute l’énergie se propage d’un accès à un autre (φ

( représente le
déphasage lié à la transmission d’un port vers le suivant
suivant)) tant que le troisième accès est
parfaitement isolé.

Les performances d’un circulateur sont évaluées par les caractéristiques suivantes :

- pertes d’insertion : atténuation

Les pertes atténu du signal dans le sens passant (pertes
magnétiques, pertes diélectriques, pertes par rayonnement éventuelles et pertes
conducteurs).
- L’isolation : atténuation du signal dans le sens bloqué (protection de la source).
- réflexi : adaptation d’impédance (doit être faible, de l’ordre de -20 dB)
La réflexion
- uissance : le niveau de puissance que le circu
La puissance circulateur
lateur peut accepter tout en
conservant ses propriétés
propriétés.
- La largeur de bande : plage de fréquences où l’on garantit les valeurs souhaitées
souhaité de
réflexion, isolation et de pertes d’insertion.

Le tableau 4.
4.66 montre des valeurs idéales et des valeurs typiques de performances pour un
circulateur hyperfréquence :

121
TABLEAU 4.6 Caractéristiques d’un circulateur hyperfréquence

Pertes
Isolation Réflexion BW
d’insertion

Valeurs idéales 0 dB ∞ -∞ -

Valeurs typiques < 1 dB > 20 dB -20 dB >10%

Les circulateurs en Y fonctionnent autour des fréquences de résonance d'un résonateur

équivalent, formé par une jonction pour laquelle la condition de mur magnétique est maintenue
sur toute sa périphérie. La fréquence de fonctionnement du circulateur est directement liée à la
dimension de ce résonateur ainsi qu’aux caractéristiques du ferrite (μ, κ) et à la polarisation de
celui-ci.

4.3.2 Plusieurs topologies de réalisation de circulateur hyperfréquence à jonction Y

Dans la continuité des travaux de recherche, plusieurs idées ont été proposées pour la
réalisation de circulateur en bande RF et millimétrique. Nous nous focalisons sur un type de
circulateur le plus couramment utilisé (les circulateurs à jonction Y) car leur processus de
fabrication, relativement simple, est bien contrôlé et à moindre coût. Au début des années 60,
H. Bosma a présenté la première étude complète décrivant le fonctionnement de ce type de
dispositif [BOSMA, 1962]. Dans cette partie, nous présentons plusieurs topologies de circulateur
hyperfréquence : en guide d’onde rectangulaire, en structure microruban, triplaque, coplanaire
et récemment en guide d’onde intégré dans le substrat.

122
 Port 1 Ferrite

Port 3

lectrique
Diélectrique
Guide d
d’ondes
ondes

Ferrite
Port 2

(b)
(a)

(c) (d) (e)

Fig. 4.15
15 Plusieurs architectures de circulateurs hyperfréquences à jonction Y : (a) en guide
d’onde rectangulaire ; (b) en structure triplaque ; (c) en microruban ; (d) en structure coplanaire
et (e) en guide d’onde intégré dans le substrat.

4.3.2.1 Circulateurs en guide d

d’onde

Ce circulateur à jonction Y est composé de trois guides d’ondes espacés de 120° et d’un
ferrite au centre qui attribue au circulateur sa non
non-réciprocité
réciprocité (cf. Fig. 4.15a). L’étude théorique
de ce type de circulateur est assez complexe et a reçu beaucoup d’attention en littérature. Pour
beaucoup
améliorer les performances et diminuer la complexité du procédé de fabrication de ce type de
circulateur, différentes études ont été réalisées en changeant la géométrie et les dimensions du
ferrite. Une de ces études était celle d’E.K.N. Yung qui a analysé et développé un circulateur à
était
jonction en guide d’ondes avec une sphère de ferrite [[Y
YUNG, 1996].
96]. Également, dans
06], les auteurs ont étudié plusieurs structures composites du cylindre central de
[HELSZAJN, 2006],
ferrite : disque de ferrite bordé de part et d’autre de deux disques diélectriques et le tout
entouré par un diélectrique porteur ou encore, un cylindre de ferrite enrobé par un
diélectrique…

4.3.2.2 Circulateurs en structure triplaque

Le circulateur triplaque à jonction Y présente un arrangement géométrique simple qui

rend son étude analytique assez simple. Il s’agit d’une structure symétrique par rapport au
conducteur central. En d’autres termes, comme le montre la Fig. 4.15(b), deux disques de ferrite

123
sont séparés par le conducteur central, formé d’une partie centrale circulaire et trois lignes
d’accès espacées de 120°. Deux plans de masse enveloppent de part et d’autre la structure.
L’espace entre les deux plans de masse et entourant les disques de ferrite est occupé par le
diélectrique. Le matériau ferrite est aimanté perpendiculairement au plan du disque par un
champ magnétique statique créé par deux aimants situés de part et d’autre de la structure.
Plusieurs publications se sont focalisées sur ce modèle et sont basées sur les travaux de Bosma
[BOSMA, 1962].

4.3.2.3 Circulateurs en structure microruban

Le circulateur à jonction Y en microruban se compose d’un substrat diélectrique au sein

duquel est posé le matériau ferrite [WU, 1974]. Plus précisément, le substrat contenant le ferrite
est placé au-dessus du plan de masse inférieur. Les lignes d’accès au circulateur sont sur la
couche supérieure de la structure (cf. Fig. 4.15c). Le ferrite peut également être déposée en
disque au-dessus du conducteur central, ou en couche entre le plan de masse et le plan
conducteur central.

4.3.2.4 Circulateurs en structure coplanaire

Le circulateur coplanaire, comme son nom l’indique, a le conducteur central et la masse

dans un même plan. Les connexions dans un même plan facilitent les étapes technologiques de
photolithographie et minimisent le coût. Le matériau ferrite est soit sous forme d’un disque
placé dans le diélectrique au-dessous du conducteur central, soit sous forme d’une couche
entière placée entre le diélectrique et le conducteur (Fig. 4.15d).

4.3.2.5 Circulateurs en guide d’ondes intégré dans le substrat

La technologie guide d’onde intégré dans un substrat (SIW) a été utilisée dans le design
d’un circulateur de haute qualité. Il s’agit d’utiliser une jonction Y de trois guides d’ondes SIW
espacés de 120° et de placer un ferrite au centre pour obtenir un effet non-réciproque
(Fig. 4.15e). Citons les références [ORAZIO, 2004], [SHI, 2010], [JIANG, 2013], les auteurs ont fait
des analyses complètes du design et de la réalisation des circulateurs en bandes X et Ka.

4.3.3 Nouvelle conception d’un circulateur en technologie microruban à ondes lentes

Dans le paragraphe 4.3.1, nous avons présenté le fonctionnement des circulateurs dans les
systèmes hyperfréquences. Bien que leur encombrement diminue avec la fréquence, la surface
nécessaire pour réaliser ces circuits occupe encore une place très importante. Avec pour
objectifs l’intégration et la miniaturisation, ces composants doivent être miniaturisés sans

124
 La Fig. 2.29 récapitule les paramètres extraits du modèle original, en parfait accord avec
les simulations HFSS, et ceux du modèle réduit (Fig. 2.28b) en fonction de l’épaisseur h2, à 80
GHz. On peut voir que, sans prendre en compte la capacité de pénétration, la capacité Cstrip est
surestimée (plus de 15%) tandis que l’inductance linéique n’est pas affectée.

De plus, la Fig. 2.30 présente les paramètres extraits du modèle original et ceux du modèle
(b) en fonction de la densité de nanofils dst, à 80 GHz. Elle montre que le modèle (b) est valable
dans le cas où la densité est supérieure à 0.4 (ou 40%). Si la densité est faible, l’épaisseur de
pénétration est plus grande et l’influence de la pénétration ne peut pas être négligée. Donc, la
capacité Cpen reste un élément important dans le modèle électrique de la ligne microruban à onde
lente.

60 60

40 40
Z0 [Ω ]

εr eff

20 avec Cpen 20
sans Cpen
0 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
h2 [µm] h2 [µm]

600 1500
Capacitances [pF/m]

Inductances [nH/m]

500 1000

400 500

300 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
h2 [µm] h2 [µm]

Fig. 2.29 Paramètres extraits du modèle original (rouge, trait plein) et ceux du modèle réduit
(bleu, pointillés) pour évaluer l’influence de la pénétration, en fonction de l’épaisseur h2, à
80 GHz. W=5 µm; t = 1 μm ; h1= 0.5 μm ; εr1= 4; εr2= 9 ; R= 100 nm ; S= 400 nm

80
 d

(a) via (b)

d
h1 Ferrite YIG ; h1 = 100μm
100
S
h2 2R1
m
RO4003 ; h2 = 500μm

(c)

Fig. 4.16
16 Le circulateur
circulateur microruban avec vias
via

Le fonctionnement du circulateur microruban à onde lente est similaire à celui des autres
types de circulateur : quand un champ magnétique perpendiculaire est appliqué au ferrite, il se
crée un déplacement de champ tel que, lorsqu’
lorsqu’une
une onde à la fréquence de fonctionnement
entrant par les voies 1, 2 ou 3, ne peut ressortir que par les voies 2, 3 ou 1 respectivement.

Afin d’évaluer la performance de nouveau circulateur, un design de circulateur à 10 GHz

est conçu et ses performances sont comparées avec celles de circulateur microruban classique
10]. Nous utilisons le même matériau magnétique pour obtenir l’effet de
[HOSSZU, 2010].
déplacement de champ.

Le ferrite choisi (YIG) présente une magnétisation à saturation Ms = 1760 Gauss,

ΔH = 85 Oe, une permittivité relative εr = 15, une tangente de pertes diélectriques tanδ
tan = 10¯⁴ et
un champ interne Hi = 90 kA/m. La perméabilité du matériau magnétique, est calculée à partir
du modèle de Polder. La résonance de la perméabilité du matériau magnétique
magnétique YIG est observée
à 3.5 GHz, cela rend possible notre objectif d’avoir un circulateur qui fonctionne au dessus de la
au-dess
résonance, à 10 GHz.

Dans notre design, le conducteur central de rayon de 1.2 mm est placé sur une couche de
YIG d’épaisseur 100 µm. Less lignes microruban à chaque accès du circulateur ont une largeur de
0.4 mm. La Fig. 4.17 présente les résultats de simulation par HFSSTM. Ce circulateur offre une
excellente isolation de 31 dB à 10 GHz, de faibles pertes d’insertion de 0.6 dB.

126
 (a) (b)

Fig. 4.17 Performance du circulateur proposé

Le tableau 4.7 compare les performances de notre design à celui donné dans
[HOSSZU, 2010]. L’intérêt de notre design permet une réduction de la surface du circulateur de
70 % toute en conservant des performances équivalentes aux designs sans via. La permittivité
relative effective du ferrite est beaucoup plus élevée et, de fait, la concentration du champ
électrique dans le ferrite par l’effet d’onde lente permet de réduire la taille du disque.

TABLEAU 4.7 Comparaison des performances du circulateur proposé avec celui donné dans
[HOSSZU, 2010]

Rayon de Pertes BW
jonction Y Isolation Réflexion
d’insertion -15dB

9.3 – 11
[HOSSZU, 2010] 2.27 mm 0.29 dB 29 dB -31dB
GHz
1.2 mm
9.8 – 10.2
Ce travail (réduction de 0.62 dB 31 dB -29 dB
GHz
taille >70%)

4.4 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons présenté des perspectives intéressantes à l’utilisation des
structures à ondes lentes aux matériaux magnétiques. Nous avons montré (i) la faisabilité d’un
nouvel isolateur microruban compact avec l’introduction de vias dans le ferrite et (ii) une
nouvelle conception de circulateur miniaturisé sur le substrat ferrite-diélectrique avec un réseau
de vias borgnes. Ces dispositifs ont été simulés et optimisées sous le logiciel de simulation
électromagnétique 3D Ansoft HFFS, pour une preuve de concept. Les résultats obtenus pour ces

127
longueur physique d'une ligne de section de 35Ω, d'un coupleur hybride à branches par exemple,
devient trop courte par rapport à sa largeur, ce qui rend impossible la conception de la structure
hybride.

Ruban
20

Quater-wave length/width ratio

SW-µTL 1118 µm
16 classical 508 µm
classical 813 µm
12 classical 1524 µm

0
0 3 6 9 12 15
Frequency [GHz]

¨£
Fig. 2.37 Evolution de rapport P (quart-d’onde/largeur du ruban) pour plusieurs topologies de
”
lignes microruban de 35Ω pour différentes épaisseurs de substrat de 508 μm à 1524 μm, par
rapport aux lignes à ondes lentes

En règle générale, un rapport supérieur à 2 est nécessaire pour la conception. La structure

SW-µTL est utile car elle permet d’utiliser un substrat plus épais (ici entre 5 et 10 GHz), et évite
de réduire l'épaisseur du substrat pour une ligne de transmission microruban classique. Il
convient de mentionner que la solution d’utiliser une ligne SW-µTL ne dégrade pas le facteur de
qualité de la ligne de transmission, grâce à l'effet de l'onde lente. Il est intéressant de noter que
la performance de la ligne à onde lente de 35 Ω sur un substrat d'épaisseur de 1118 μm avec un
réseau de vias est fonctionnelle jusqu'à 10 GHz. La même technique pourrait être utilisée avec
un substrat plus fin pour atteindre des fréquences supérieures à 20 GHz, tout en utilisant des
technologies PCB peu coûteuses. Un autre avantage important est la miniaturisation de ces
structures grâce à l'effet de l'onde lente, même si elle est moins prononcée dans les technologies
PCB que sur membrane à nanofils.

2.5.2 Abaque en millimétrique, structure à nanofils

De la même façon, nous construisons un abaque qui compare l’impédance caractéristique

Zc et la constante diélectrique effective εr eff pour différentes largeurs W à 25 GHz. Nous y
ajoutons aussi les valeurs expérimentales obtenues par les mesures.

86
 CONCLUSION GENERALE

Les travaux présentés dans ce manuscrit ont concerné les lignes microrubans à ondes
lentes sur substrat structuré, que cela soit sur PCB avec des vias borgnes pour la RF, ou
nanostructurés sur membranes à nanofils pour le millimétrique. Nous avons détaillé leurs
topologies, développé des techniques et des abaques de conception ainsi que présenté des
nouveaux dispositifs passifs miniaturisés comme preuve de concept.

Dans ces travaux, la première étude concernait la topologie et la technologie de fabrication

de cette ligne à onde lente. Le modèle analytique de ces lignes a été présenté et validé par des
simulations électromagnétiques (HFSSTM) et des mesures sur PCB. Le modèle est validé
également par des mesures effectuées sur des membranes à nanofils métalliques réalisées par
des collègues de l’Université de Sao Paulo dans le domaine millimétrique. Par rapport au modèle
classique des télégraphistes, le confinement de l’énergie électrique est décrit par la prise en
compte de toutes les lignes de champ électrique au sein de la structure et l’effet inductif des vias.
Ce phénomène a été observé et validé dans la zone de pénétration sur l’allure du champ
électromagnétique.

Ensuite, plusieurs simulations de la même ligne microruban à ondes lentes positionnée

indifféremment au-dessus des vias ont été réalisées sur HFSSTM afin d'étudier l’influence du
décalage du ruban par rapport à une position et un agencement de référence des vias sur ses
paramètres électriques tels que l’impédance caractéristique Zc et la constante diélectrique
effective εr eff. Les performances de la ligne restent stables (variation maximale inférieure à 4%)
quelle que soit la position du ruban au-dessus des vias. En d'autres termes, la position n'a que
très peu d’incidence (avec cette densité et ce diamètre de via) sur les paramètres
caractéristiques. Comme pour les lignes conventionnelles, nos lignes offrent une grande
souplesse de conception et peuvent être placées indifféremment sur le substrat structuré sans
modification de leurs paramètres électriques.

Le modèle électrique proposé pour cette ligne à onde lente a permis de construire un
abaque d’aide à la conception puis d’obtenir l’impédance caractéristique Zc et la constante
diélectrique effective εr eff pour différentes largeurs W à 7.5 GHz. Les résultats obtenus par les
simulations HFSSTM ont été présentés également. Les résultats du modèle proposé et de la
simulation HFSSTM sont toujours en bon accord sur une large gamme de W. Il est possible
d’obtenir Zc entre 30 et 120 Ω pour une largeur de ruban raisonnable (de 150 µm à 2 mm). En

129
 60 120

50 100

40 80
Z0 [Ω ]

εr eff
30 60

20 40

10 20

0 0
0 10 20 30 40 50 60 70 0 10 20 30 40 50 60 70
Largeur [µm] Largeur [µm]

Fig. 2.38 Impédance caractéristique Zc et permittivité effective εr eff de la ligne microruban à onde
lente sur membrane à nanofils métalliques en fonction de W à 25 GHz (— modèle et
mesures).

2.6 Application au coupleur hybride

Les lignes microrubans à ondes lentes présentées ci-dessus offrent des avantages pour
réaliser un coupleur hybride miniaturisé.

2.6.1 Conception et réalisation d’un coupleur hybride miniaturisé basé sur les lignes microruban
à ondes lentes

Un coupleur hybride qui fonctionne à 7.5 GHz a été conçu en utilisant le modèle électrique
équivalent proposé. Il comprend quatre sections de ligne de dérivation λ / 4, comme le montre la
Fig. 2.39. Sur la base du graphique Fig. 2.36, les largeurs des sections pour obtenir 50 Ω et 35 Ω
sont estimées à 0.8 mm et 1.6 mm respectivement, à 7.5 GHz. Les longueurs physiques
correspondant à leur permittivités effectives (εr eff 50Ω = 5 et εr eff 35Ω = 6.2) sont respectivement
l50Ω = 4.5 mm et l35Ω = 3.9 mm. Notons que les longueurs de ligne quart d'onde d'un coupleur
hybride classique sur le même substrat seraient égales à 5.9 mm et à 5.75 mm, respectivement.
Cela signifie que la superficie du coupleur hybride proposé est réduite de 48%.

Le coupleur a été mesuré à l’analyseur de réseau vectoriel Anritsu 37369A. Les quatre
accès sont terminés par des connecteurs SMA à travers quatre lignes d'alimentation CPWG. Le
« de-embedding » des accès du coupleur a été effectué de façon à ramener les plans de
références aux niveaux des ports 1, 2, 3 et 4, comme le montre la Fig. 2.39.

87
 Le dernier chapitre a pour objectif d’étudier l’incidence d’une ligne à ondes lentes
appliquée à la réalisation de dispositifs non-réciproques à ferrite. Nous démontrons l’efficacité
d’utilisation de la structure microruban à onde lente pour la miniaturisation de ce type de
composants : un nouvel isolateur microruban compact avec l’introduction de vias dans le ferrite
et une nouvelle conception de circulateur miniaturisé sur le substrat ferrite-diélectrique avec un
réseau de vias borgnes ont été proposés. Ces dispositifs ont été simulés et optimisées sous le
logiciel de simulation électromagnétique 3D Ansoft HFFS, pour preuve de concept. Les résultats
obtenus pour ces dispositifs sont très intéressants, particulièrement la nouvelle conception de
circulateur microruban miniaturisé. Ce circulateur offre une réduction de taille supérieure à
70 % et une excellente performance à 10 GHz : une bonne isolation de 31 dB, des faibles pertes
d’insertion de 0.6 dB et une bonne réflexion de 29 dB. Il ne nous a pas été possible de fabriquer
un prototype au cours cette thèse. La fabrication et la caractérisation expérimentale sont
prévues à la suite de ce travail afin de valider le concept et l’obtention de circulateurs
miniaturés.

131
 Port 1 Port 2

Port 3 Port 4
1 2
90°
3 4

Fig. 2.39 Photographie du coupleur hybride miniaturisé proposé fonctionnant à 7.5 GHz

Simulation Measurement
0 0
S parameters [dB]

S parameters [dB]
-10 -10

-20 S21 -20

S31 S41
S11
-30 -30

-40 -40
4 5 6 7 8 9 10 11 4 5 6 7 8 9 10 11
(a) Frequency [GHz] (b) Frequency [GHz]

1 94
Phase difference [degree]
Amplitude imbalance [dB]

0.8
92
0.6
90
0.4
88
0.2

0 86
7 7.2 7.4 7.6 7.8 8 7 7.2 7.4 7.6 7.8 8
(c) Frequency [GHz] (d) Frequency [GHz]

Fig. 2.40 Mesures du coupleur hybride proposé: (a-b) amplitude des paramètres S, (c)
déséquilibre de l'amplitude de sortie et (d) différence de phase de sortie.

Les résultats de mesure et de simulation HFSSTM sont donnés Fig. 2.40. Les pertes
d'insertion sont inférieures à 0.37 dB à 7.5 GHz, avec une bonne adaptation puisque le coefficient
de réflexion est inférieur à -25 dB. Dans la bande de 7 GHz à 8 GHz, correspondant à une largeur

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146
 RESUME
Aide à la conception de lignes microrubans à onde lente sur substrat structuré dans les
bandes RF et millimétriques : applications aux coupleurs et dispositifs passifs non-réciproques.

L’objectif de ces travaux est d’apporter des solutions innovantes à la réalisation de

dispositifs passifs performants et compacts, susceptibles d’intéresser les concepteurs de circuits
RF et millimétriques. Ces dispositifs sont basés notamment sur des lignes microrubans à ondes
lentes sur substrat structuré, que cela soit sur PCB avec des vias borgnes pour la RF, ou
nanostructurés sur membranes à nanofils dans le domaine millimétrique. Ces travaux ont été
menés en collaboration avec l’Université de Sao Paulo. Les travaux complets comprennent (i)
une analyse de la topologie, (ii) un développement du modèle équivalent validé par des
simulations électromagnétiques (HFSSTM) et des mesures sur PCB et sur des membranes à
nanofils en millimétrique, (iii) des abaques de conceptions et (iv) des applications à la
conception des nouveaux dispositifs passifs miniaturisés. Nos lignes offrent une grande
souplesse de conception et peuvent être placées indifféremment sur le substrat structuré sans
modification des paramètres électriques. Un nouveau coupleur hybride miniaturisé par
l’utilisation de ces lignes est présenté comme preuve de concept. Pour aller plus loin, une étude
comparative des structures de lignes microrubans couplées à ondes lentes est développée. Le
principe du couplage sur substrat structuré est d’abord exposé avec une présentation de ses
avantages et inconvénients, puis un modèle est également proposé dans le but de réaliser un
coupleur co-directif 0-dB miniaturisé par l’utilisation de ces lignes. De plus, une des parties
essentielles de ces travaux concerne l’utilisation de la structure microruban à onde lente pour la
miniaturisation de dispositifs passifs non-réciproques : un nouvel isolateur microruban compact
avec l’introduction de vias dans le ferrite et un circulateur miniaturisé sur le substrat ferrite-
diélectrique avec un réseau de vias borgnes sont proposés.

Mots-clés : Miniaturisation, microruban, onde lente, substrat structuré, membrane,

nanofils métalliques, coupleur hybride, coupleur co-directif, dispositif passif non-réciproque

147
 ABSTRACT
Design tools for slow-wave microstrip lines on structured substrate in RF and millimeter-
waves: application to couplers and non-reciprocal passive devices.

This work focuses on providing innovate solutions for designers in the realization of high-
quality and compact passive devices in the RF and millimeter-wave bands. These devices are
based on slow-wave microstrip lines on structured substrate, either on PCB with blind vias for
RF applications, or on metallic nanowire membranes in the millimeter-wave range. This work
was achieved in partnership with the University of Sao Paulo. The complete works include (i)
topology analysis, (ii) the development of an equivalent model validated by electromagnetic
simulations (HFSSTM) and measurements, (iii) design charts and (iv) applications on design of
novel miniaturized passive devices. These transmission lines give the flexibility for designers
and capability to be indifferently placed on structured substrate without any impact on their
electrical parameters. A novel miniaturized hybrid coupler using this line is proposed, as a proof
of concept. In the other hand, a comparable study on the structure of slow-wave coupled
microstrip lines is developed. The principle of coupling on structured substrate is shown for
their advantages and drawbacks and then an electrical model is also proposed in order to realize
a miniaturized 0-dB forward-wave directional coupler using these lines. Moreover, an essential
part of this thesis concerns the utilization of the slow-wave microstrip structure to miniaturize
non-reciprocal passive devices: a novel microstrip isolator with the introduction of vias inside
the ferrite and a novel design for a miniaturized circulator on a ferrite-dielectric substrate with
blind vias have been proposed.

Keywords: Miniaturization, microstrip, slow-wave, structured substrate, membrane,

metallic nanowires, hybrid coupler, forward-wave directional coupler, non-reciprocal passive
device

148