TELECOM 2009 & 6ème JFMMA

Le signal radiofréquence (RF) est appliqué à la Le gain de conversion étant défini comme suit :
grille de bas du FET et le signal de l’oscillateur local |V (t)|à ( )
(OL) à la seconde grille en haut. Le montage peut être Gain de conversion =
|V (t)|à (
réalisé avec deux transistors en cascode. )
2
R g _ V
Dans cette hypothèse, le transistor inférieur opère GC =
dans la région de saturation et fournit une V
transconductance gm qui est fonction de la tension du Donc le gain de conversion du mélangeur est [4] :
drain du transistor M_RF, contrôlé par le signal OL 2
qui lui opère dans la zone linéaire et travaille en GC = g _ R
commutation (Switch), suivant le signal OL.
Avec, Rout est la résistance de sortie qui peut être
Pour un bon fonctionnement du mélangeur, les calculée en utilisation le modèle petit signal du
conditions suivantes doivent être vérifiées : transistor.
- De petites dimensions pour le transistor M_OL, afin
qu’il ait un bon comportement en commutation. 4. Conception du mélangeur et résultats
- Le transistor M_OL doit avoir un mode commun, Dans ce paragraphe nous allons développer la
proche ou égal à son Vth, afin d’exploiter au mieux conception et les résultats obtenus par ce mélangeur
l’excursion de la tension OL et avoir une meilleure autour de 60 GHz. La technologie CMS 65 nm est
commutation. utilisée pour la conception permettant de réduire les
niveaux de tension et ainsi avoir une consommation
- Le transistor M_RF doit opérer dans la zone de optimisée.
saturation pour avoir une transconductance
importante. 4.1 Paramètres S :
- Le transistor M_OL doit être dans la zone linéaire. La méthodologie de simulation des paramètres S
est décrite sur la figure 2.
3. Calcul du gain de conversion
On considère les expressions des signaux OL et
RF le courant à la sortie du mélangeur et donc :
IF(t)=Id(t) signe[VLO(t)]
Avec :
1
signe[V (t)] = cos( t) cos(3 t)
4 3
1
+ cos(5 t) + .
5
Et I (t) = I + g _ V cos ( t)

On obtient alors :
4
I (t) = {I + g V cos ( t)} cos( t)
1 1
cos(3 t) + cos(5 t) +
3 5
4
I (t) = I cos( t)
2 Figure 2. Les ports du mélangeur DG-MOSFET ainsi
+ g V [cos (( )t) que les paramètres S à évalués.
cos (( + )t)] +
Avec : VIF(t)=Rout IF(t) La figure 3 montre les résultats de simulations des
4
V (t) = I R cos( t) différents paramètres S, donnant l’adaptation du
2 circuit dans une gamme de fréquence allant de 51 à
+ R g V [cos (( )t) 70 GHz. On remarque que l’adaptation est optimale à
cos (( + )t)] +
la fréquence centrale 60 GHz.
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d’entrée résulte en une diminution de 1-dB du gain.

Pour simuler cette caractéristique, la puissance RF a
été variée entre –40 et 20 dBm. Le résultat est donné
à la figure 5, où l’on note une puissance d’entrée
égale à Pin_dB = 1.264 dBm. Il faut noter que ce
résultat est obtenu pour une puissance OL de 0 dBm.

OP1_DB= -3.4174E+01dBm
1dB

(a)

Pin_1dB =1.264 dBm

Figure 5. Point de compression à 1-dB du mélangeur pour

une puissance OL égale à 0 dBm.

L’évaluation du point d’interception d’ordre 3

(b) (IP3) est effectuée avec deux signaux RF d’entrée à la
fréquence 60 GHz et (60 GHz + 10 MHz),
Figure 3. Simulation de paramètres de réflexion :
= 10 MHz). La puissance de ces
(a) à l’entrée RF (S11) et (b) à l’entrée OL.
deux signaux est égale à –33 dBm (
4.2 Gain et non-linéarité du mélangeur III-26 illustre le résultat de simulation en sortie du
mélangeur pour une puissance OL de 0 dBm. Les
La figure 4 montre l’évolution du gain de points d’interception d’ordre 3 (IP3) et (IM3) sont
conversion en fonction de la puissance d’entrée. Pour alors, après la simulation:
de faibles puissances d’entrée, le gain atteint sa
valeur maximale -0.4078 dB et commence à diminuer IM3=8.6747E+01 dBm
à partir d’une puissance d’entrée de -15 dBm. En Sachant que : IIP3=0.5*IM3 + P_RF
effet, une augmentation de l’amplitude du signal RF
engendre un éloignement du transistor M_RF de la IIP3=1.0374E+01 dBm
zone de saturation, affectant ainsi son gm, et, par la Lorsque la différence (espacement) de fréquence
suite, le gain de conversion. entre les deux signaux d’entrée est faible, IM3 et IIP3
diminuent et il sera, par la suite, difficile de filtrer le
signal.

-77.43365-(-164.18115)

P_RF=-33dBm = 86.7475 dBm

Figure 4. Gain de conversion en fonction de la puissance

d’entrée.

Le point de compression à 1-dB est une figure de

Figure 6. IM3 Hz et une puissance RF égale
mérite importante qui caractérise le niveau pour
à -33 dBm
lequel toute augmentation de la puissance du signal
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Le tableau 1 résume les résultats de toutes les Références

performances du mélangeur comparés avec l’état de
l’art des récentes publications. Ces résultats sont [1] Stephen A. Maas, “Microwave Mixers” Artech
obtenus en tenant compte de l’adaptation des ports House, 1986.
RF et OL à 50 avec une fréquence OL égale à 50 [2] Emami, S., Doan, C.H., Niknejad, A.M., and all,
GHz. Le gain de conversion est égal à -0.4078 dB, le “A 60-GHz down-converting CMOS single-gate
facteur bruit est égal à 24.07 dB, le point de mixer” IEEE RFIC 2005.
compression en 1-dB est égal à 1.264 dBm, le point [3] Lai, I.C.H. and all, “60-GHz CMOS Down-
d’interception d’ordre 3 est égal à 10.37 dBm et la Conversion Mixer with Slow-Wave Matching
consommation en puissance est égale à 8.5 mW. Transmission Lines” IEEE Asian Solid-State
L’isolation la plus critique dans les mélangeurs est Circuits Conference, 2006.
entre OL et RF. Cette isolation se traduit par des [4] D. Leenaerts, J. Van der Tang, Cicero S.
fuites du port OL au port RF. Cette isolation est égale Vaucher, Circuit Design for RF Transceivers,
à -30.85 dB. Tableau 1 montre également la Kluwer Academic Publishers, pp : 122 – 128,
simulation de paramètres S11 et S22. En comparant 2001.
ces performances, notre mélangeur peut se placer [5] B. M. Motlagh, S. E. Gunnarsson, M. Ferndahl
bien dans l’état de l’art des mélangeurs à 60 GHz and H. Zirath, "Fully Integrated 60-GHz Single-
[2-5]. Ended Resistive Mixer in 90-nm CMOS
Technology," IEEE Microwave and Wireless
Components Letters, vol. 16, issue 1, pp. 25-27,
Jan. 2006.
Parameters [2] [3] [5] This
work

Voltage supply (V) - - - 1.2

Freq_RF (GHz) 60 60 60 60
Freq_IF (GHz) 2 4 2-6 10
Power consumption - - - 8.5
(mW)
Conversion gain (dB) -2 -1.2 -11.6 -0.4078

1 dB c. p. (dBm) -3.5 0.2 6.0 1.264

IIP3 (dBm) - - - 10.37
Noise figure (dB) - - - 24.07

Isolation: - LO-RF - - - -30.85

- LO-IF -42.56
S11 (dB) - - - -11.354

S22 (dB) - - - -25.556

Technology (nm) 130 90 90 65

Conclusion
Le présent travail a montré la faisabilité de la
conception d’un mélangeur MOSFET à double grille
en technologie CMOS 65 nm. Le mélangeur conçu
montre un bon gain de conversion si l'on considère
que la tension d'alimentation ne dépasse pas 1.2 V
avec une consommation de puissance de 8.5 mW. Ces
résultats montrent un bon potentiel de la technologie
CMOS 65 nm et justifier la fiabilité de ce mélangeur
pour les applications sans fil dans une bande de
fréquences autour de 60 GHz.