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    Controle de Rattrapage 2016-2017

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    Boussdra Nourrdine

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    Université Cadi Ayyad Le 06 Février 2017

    Faculté des Sciences Semlalia


    Département de Physique

    Fillière SMP/S5
    Contrôle de rattrappage d’Electronique Analogique
    Durée 2heures

    Exercice I : On considère le montage amplificateur à transistors de la figure ci-dessous.

    VCC

    RC
    C3
    R1
    C1
    ie C2
    is

    Ve R2 RE1
    RL Vs
    RE2
    CE
    M
    On pose : RE=RE1+RE2, RB=R1//R2 .
    On donne : RL=5KΩ, VCC = 15V, RE2=2KΩ et =50.
    Le point de fonctionnement Q du transistor est définie par : IC=1mA, VCE =5V et VBE=0,7V.
    Étude statique
    1. Donner le schéma en statique de l’amplificateur.
    2. Calculer la résistance RE1 sachant que RC= 5KΩ.
    3. On prend RB = 150 KΩ. Calculer les valeurs des résistances R1 et R2.
    Étude dynamique en Basses Fréquences
    En régime variable des petits signaux aux basses fréquences, le transistor est caractérisé par ses
    paramètres hybrides : h11=1,25 KΩ, h12=0, h21= et r0= 1/h22 =50KΩ.
    Les impédances des condensateurs sont négligeables à la fréquence de travail.
    4. Etablir le schéma dynamique faibles signaux du montage. Quel est le type du montage (EC, CC ou
    BC) ? Préciser le rôle des capacités C1, C2, C3 et CE.
    vs
    5. Déterminer le gain en tension à vide A vo 
    ve
    6. Déterminer la résistance d’entré Re en charge.
    i
    7. En déduire le gain en courant A i  s
    ie
    8. Donner le schéma du montage pour calculer la résistance de sortie RS puis déterminer son expression
    et calculer sa valeur.
    Exercice II :
    On considère le montage de la figure ci-dessous montrant un amplificateur à transistor à effet de champ dont
    les paramètres sont : IDSS=6mA ; VP= - 6V et résistance rds=50 kΩ.
    On donne : VDD=+20 V
    vi et vo sont les tensions d’entrée et de sortie.
    Etude statique :
    1- Identifier le type et le montage du transistor RD
    2- Donner le schéma en statique du montage.
    (flécher correctement tensions et courants)
    3- Rappeler l’équation de Shockley (équation de
    la caractéristique) entre ID et VGS
    4- Déterminer le courant de repos ID en RG
    résolvant une équation du second degré dont Vi
    RS Vo
    il ne faut retenir que la solution adéquate.
    5- En déduire la tension de repos VGS et le
    paramètre gm du transistor avec son unité.

    Etude dynamique en Basses Fréquences:


    1- Les impédances des condensateurs sont négligeables à la fréquence de travail.
    Donner le schéma équivalent de l’amplificateur petits signaux en basses fréquences, sachant que le
    JFET est modélisé par sa transconductance gm et sa résistance rds .
    2- En utilisant l’équivalence Norton-Thévenin puis
    Thévenin-Norton montrer que le schéma en
    dynamique en sortie peut être équivalent à celui
    de la figure ci-contre faisant apparaître un 𝑔𝑚′
    𝑣𝑔𝑠 ′ Vo
    𝑟𝑑𝑠
    paramètre g’m et une nouvelle résistance r’ds.
    3- Calculer le gain en tension du montage AV=V0/Vi
    en fonction de g’m et r’ds.
    4- Faire l’application numérique pour g’m , r’ds et Av.

    5- Déterminer la résistance de sortie RS du montage. Faire l’application numérique.

    Exercice III :

    Les amplificateurs du montage suivant sont supposés parfaits :


    I1 R1 D R2 I4

    V1
    R

    R
    I2
    - R1
    B  I3
    V2 A1 -
    + C E  A2
    VC + vs

    1. Exprimer V1 en fonction de I1, V2 en fonction de I2 et VC en fonction de I3.


    2. Déterminer l’expression de la tension de sortie Vs en fonction de V1 et V2,
    3. En déduire le rôle de ce montage.

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