RB  100K, 10K VBE  0.7V ; VCEsat  0.

2V ;   100
Département de Physique
Circuit 3
Faculté des Sciences Circuit 4

Agadir IR  10mA
RC 1kΩ
RB R1 R

VC C 5V
SMP4 – Module : Electronique 1
20V VC C
Série 3
RE 1kΩ
R2
Exercice 1 : Pour déterminer l’état d’un transistor, il faut calculer VCE :
Transistor bloqué VCE= VCC : IC  0 ; IB  0 ; IE  0
Transistor en régime linéaire VCEsat  VCE  VCC : IC  IB IE  IC  IB
Transistor saturé VCE  VCEsat : IC  IB IE  IC  IB Exercice 4 : Le circuit de la figure4 représente un générateur de courant. On supposera dans un
Pour déterminer l'état réel de polarisation d’un transistor, procéder de la manière suivante : premier temps que le transistor fonctionne en régime linéaire. R est une résistance variable.
 Supposer que la jonction base émetteur est passante. VBE  0.6V ; VCEsat  0 ;   100
 Calculer le courant de base en supposant que le transistor fonctionne en régime linéaire Pour que la diode Zener fonctionne correctement, il faut un courant de polarisation IZ = 3 mA et une
et déduire le courant de collecteur. tension VZ = 5.6V;
 Calculer la tension VCE
Pour le circuit 1, on donne successivement à la tension VBB les trois valeurs : 1. Déterminer la valeur de R2 pour que fixer IR à 10 mA.
VBB =0,5V,1V, 2 V. Pour chacune de ces valeurs calculer : lB, IC, IE et VCE et donner l’état du 2. Déduire la valeur de R1
transistor.(   100 VCEsat  0 VBE  0.8V ) 3. Montrer que la tension VCE du transistor peut se mettre sous la forme :
Circuit 2 VCE = V - RIR où V s'exprime en fonction de VCC; VZ et VBE
4. En déduire que le générateur de courant ne peut fonctionner que si la résistance R est inférieure
Circuit 1 à une valeur Rmax que l'on calculera.
R C 10kΩ
RB 20kΩ
RC 1kΩ Exercice 5 : On considère le circuit ci-dessous
10V VC C
VBE  0,7V ; VCC  10V
RB 10V VC C R1  4,7KΩ ; R 2  2,7KΩ R3  200KΩ   200
10kΩ

VBB RE 1kΩ
Début de la saturation VBCsat  0
Saturation franche VCEsat  0
Exercice 2 : Pour le circuit2, Calculer lB, IC, IE et VCE et donner l’état du transistor. U varie de 0 à 10V,
Prendre : VBE  0.7V ; VCEsat  0 ;   100 Tracer sur le même graphe VC et VE.

Exercice 3 : Pour le circuit3 de la figure Calculer VB, VE et VC pour

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Exercice 6 : On se propose d’étudier en alternatif l’amplificateur ci-dessous utilisant un transistor Remarque : En statique et en dynamique, respecter le sens des courants donné sur la figure 1.1
bipolaire NPN et une alimentation continue VCC.
VCC  10V ; RB  180K ; R C  3K ; RL  10K
1) Quel est le type de montage utilisé pour réaliser cet amplificateur ? (EC ; BC ; CC)
2) Quel sont les rôles des condensateurs C1 , C2
R1 RC C 3) Etude en continu : Le transistor utilisé est de type 2N2222 ; gain en courant β = 215.
2
3.1 Dessiner le schéma valable en continu.
3.2 La caractéristique IB=f(VBE) de la jonction BE donnée par le constructeur est
VCC représentée sur la figure 1.2
C 3 ie 3.2.a Donner l’équation de la droite d’attaque statique IB=f(VBE).
RL
3.2.b Tracer cette droite sur la figure 1.2
vs
C1 R2 3.2.c Déduire les coordonnées du point de repos VBE0, IB0, IC0, VCE0.
RE ve 3.3 3.3.a Donner l'équation de la droite de charge statique Ic=f(VCE).
3.3.b Tracer cette droite sur la figure 1.3

4) Etude en alternatif : On s’intéresse maintenant aux petites variations autour du point de

repos précédemment fixé. Le transistor peut être représenté par son schéma équivalent :
Le transistor peut être représenté par son schéma équivalent (3ème
approximation) :
h11  2.5K ; h12  0 ; h21    215 ; h22  0
h11 ; h12  0 ; h21   ; h22  0
Aux fréquences utilisées, les capacités C1 et C2 ont des impédances négligeables. On posera
Aux fréquences utilisées, les capacités C1 et C2 ont des impédances négligeables :
par la suite rC=RC//RL.
1) Quel est le type de montage utilisé pour réaliser cet amplificateur ? (EC ; BC ; CC)
4.1 Donner le schéma équivalent au circuit de la figure 1.1 en alternatif.
2) On s’intéresse maintenant aux petites variations autour du point de repos. On posera par la
suite rC=RC//RL. iR
B
4.2 Exprimer en fonction de h11, h21, rC et RB.
2.1 Donner le schéma équivalent au circuit en alternatif. iB
2.2 Exprimer le gain en tension Av=vs/ve en fonction de h11,  et rc. 4.3 Montrer que le gain en tension est donné par :
2.3 Exprimer l’impédance d’entrée Ze=ve/ie en fonction de h11,  et RE. vs h21rC  rC  h11 / h21 
2.4 Déterminer l’impédance de sortie (Penser à déterminer le générateur de thévenin Av   1  
ve h11  R B  rC 
équivalent à la sortie, RL débranchée).
4.4 Montrer que l’impédance d’entrée est donnée par :
ve h11
Ze  
Exercice 7 : i e 1  rC h21  h11  / R B  rC 
RC
4.5 Déplacement du point de fonctionnement : limite d’excursion
RB C2 Pour connaitre l’amplitude maximale du signal applicable à l’entrée sans qu’il y ait écrêtage du
signal de sortie, il faut savoir comment le point de fonctionnement se déplace dans le plan
C1 IRB
IC IC(VCE) à mesure que l’amplitude du signal d’entrée augmente.
VCC 4.5.a Montrer que l'équation de la droite de charge dynamique I c=f(VCE) est
ie donnée par :
RL vs VCE0 VCE
ve v e1 IC  IC0    aVCE  b
rC  h11 / h21 rC  h11 / h21
(rC  ) (rC  )
1  R B / rC 1  R B / rC
4.5.b Tracer cette droite sur la figure 1.3
4.5.c Déduire les limites d’excursion du signal de sortie en supposant que la
Figure 1.1 tension de saturation du transistor pratiquement nulle.
On se propose d’étudier l’amplificateur ci-dessus utilisant un transistor bipolaire NPN et une 4.5.d Par calcul, retrouver ces limites d’excursion.
alimentation continue VCC.
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 4.5.e Donner l’amplitude maximale du signal applicable à l’entrée sans qu’il y ait
écrêtage du signal de sortie.
4.5.f Pour ve(t)=20sint (mV), tracer sur la figure 1.4 l’évolution de la tension de
R1
sortie en fonction du temps.
T2
4.6 Action de la capacité C1 : ve(t)=5sint (mV)
2N2222A
Dans les questions précédentes, nous avons négligé l'impédance des condensateurs. Il nous faut
maintenant calculer leur capacité en fonction de la bande passante désirée. La bande passante de 12V
l'amplificateur possède une limite haute qui dépend essentiellement du transistor et une limite C3
basse qui dépend de la valeur des capacités.
On étudie l'influence du condensateur C1, le condensateur C2 à une impédance négligeable :
1 v e2
Z c2  0 R2 vs
C 2 RE
Ru
j
f 2.2K
v e1 f
4.6.a Montrer que : A v1   1
ve f
1 j
f1
1. Etude en continu : Polarisation VB02E2  0.7V
4.6.b Calculer la valeur de C1 pour obtenir une fréquence de coupure basse f1=1KHz.
4.6.c Tracer, sur la figure 1.5, le diagramme asymptotique de Bode de Av1 pour On impose pour ce circuit : IC0 2  2.7mA ; VC02E2  6V
0.1≤f/f1≤10. On suppose que dans le pont : IR1  IR2 (même courant qui circule dans R1 et R2 car
4.6.d Quelle est la nature de ce filtre ? I B0 2 << IR1). On impose que le courant du pont (Ip= IR1  IR2), dans R1 et R2, soit égale à 10 fois
Exercice 8 (Ne pas traiter l’exercice 80) le courant I B0 2 .
Le circuit de la figure ci-dessous est un amplificateur constitué d'un étage émetteur commun suivi 1.a) Dessiner le schéma valable pour la polarisation.
d’un étage collecteur commun T1 et T2 sont des transistors 2N2222A avec β= β1 =β2 = 300 1.b) Calculer I B0 2 et Ip
Aux fréquences utilisées, les capacités ont des impédances négligeables.
1.c) Déterminer les valeurs de R1, R2 et Rp=R1 // R2
Etage 1 Etage 2 Charge
2. Etude en alternatif
On s’intéresse maintenant aux petites variations autour du point de repos
R1 précédemment fixé. Le transistor T2 peut être représenté par son schéma équivalent :
RB
RC T2 h11  2.8K ; h12  0 ; h21    300 ; h22  0
2N2222A VCC
2.a) Donner le schéma équivalent en alternatif du montage.
T1 12V
2.b) En déduire l'expression et la valeur numérique de:
2N2222A
C1 C2 C3
• la résistance d'entrée Re2 pour une charge Ru=3,3k  ;
• le gain A CC
v 0 à vide (charge Ru infinie);
v s1 v e2 R2
v pour une charge Ru=3,3k  . Conclure;
• le gain A CC
ve RE Ru v s
• la résistance de sortie Rs2. Conclure
B - Etude de l’étage Emetteur Commun

A - Etude de l’étage Collecteur Commun

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 R 11 R C1 R 21 RC2
63kΩ 2.7kΩ 15kΩ 2.2kΩ
RC C4
RB
C2
VCC C2 iS
T1 12V Vcc
C1 2N2222A
C1 T2 20V
Ru
R u1 T1 10kΩ
v s1 ie vs
ve
ve R 12 R E1 R 22 RE2 C3
10kΩ 0.47kΩ 4.7kΩ 1kΩ

1. Etude en continu : Polarisation VB01E1  0.7V

1. Etude en continu
On impose pour ce circuit : IC0 1  2.82mA VC01E1  6V
a) Donner le schéma équivalent au circuit
1.a) Dessiner le schéma valable pour la polarisation.
b) On désire polariser en continu chacun des transistors par le même courant collecteur
1.b) Calculer RC et RB. I C0 1  IC0 2  4mA . Calculer VC01E1 et VC02E2 et donner l’état de chaque transistor (VCEsat  0,2V)
2. Etude en alternatif
2. Etude en alternatif : On s’intéresse maintenant aux petites variations autour du point de repos
2.a) Donner le schéma équivalent du montage en alternatif. précédemment fixé. Chaque transistor peut être représenté par son schéma équivalent :
2.b) En déduire l'expression et la valeur numérique de : h11  2K ; h12  0 ; h21    200 ; h22  0
• la résistance d'entrée Re1. En déduire que Re1 est de l'ordre de grandeur de
a) De quel type d’association d’étages s’agit-il? Quel est le déphasage entre le signal
h11.
d’entrée et celui de sortie.
• le gain en tension A EC
v 0 à vide (charge Ru1 infinie) b) Pour chaque étage, déterminer à vide (Etage non chargé) :
- le gain en tension,
v pour une charge Ru1 =3,3k  et Ru1 =32k  . Conclure
• le gain A EC - l’impédance d’entrée vue de la source,
- l’impédance de sortie.
• la résistance de sortie Rs1.
c) Pour l’amplificateur à deux étages, calculer :
C- Etude de l’amplificateur à 2 étages vs
- le gain en tension A v  ,
1) Le gain du premier étage est-il fortement modifié par la présence du deuxième étage? ve
(penser à la résistance d'entrée Re2 du second étage). En déduire l'utilité du deuxième étage dans - l’impédance d’entrée vue de la source Ze,
le circuit. - l’impédance de sortie Zs.
2) Déterminer le gain de l’amplificateur à 2 étages. is
- le gain en courant A i 
3) Quelle est la résistance de sortie Rs du circuit global? ie
Faire l'application numérique.
Exercice 9
On considère l’amplificateur à deux étages de la figure ci-dessous :

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