Université Cadi 

Ayyad de Marrakech
Ecole National des Science Appliquées de Safi
Département Génie réseaux et télécommunications

Présentation du projet :

Les amplificateurs optique a semi conducteurs (SCOA)

Présenté par: encadrée par : 

ACHLOUJ Chaimaa Dr. HABBA Maryam

 
Année Universitaire 2020-2021 1
Plan de la présentation :

INTRODUCTION

PRINCIPES D’OPTO-ELECTRONIQUE

AMPLIFICATEURS OPTIQUES SCOA

CONCLUSION
 Introduction
La fibre optique :

commons.wikimedia.org/w/
index.php?curid=5820900
https://
Par Christophe.Finot

-Guide d’onde
- Permet de guider les ondes

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 Introduction
L’amplification électrique :

Le signal optique est transforme en signal électrique, amplifie,

éventuellement remis en forme et synchronise puis converti en
signal optique et enfin réinjecte dans la fibre.

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 Introduction
L’amplification optique :

-L' amplification optique est l'amplification directe d'un flux de

photons à travers un composant

-on appelle amplificateur optique un dispositif qui amplifie un

signal lumineux sans avoir besoin de le convertir d'abord en signal
électrique.

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PRINCIPES D’OPTO-ELECTRONIQUE
• Emission dans un semi-conducteur :
émission spontanée
électron ou
énergie
Bande de conduction électroluminescence

Photon h Eg Bande interdite

Applications :
Bande de valence • Transmissions
(avec ou sans fibre)
trou
• Visualisation
• Eclairage …
Emission si transition radiative 
semi-conducteur direct

Pierre LECOY - Optoélectronique 6

PRINCIPES D’OPTO-ELECTRONIQUE
• Détection dans un semi-conducteur :
électron Effets :
énergie
• Photoconductivité
Bande de conduction
(résistance diminuant
avec l’éclairement)
• Photovoltaïque
Photon h Eg Bande interdite (source d’un
photocourant)

Bande de valence Applications :

trou transmissions
Photodétection si h  Eg capteurs d’images
soit  1 µm environ dans le mesure
silicium cellules solaires
lecture optique …
Pierre LECOY - Optoélectronique 7
PRINCIPES D’OPTO-ELECTRONIQUE
• Semi-conducteurs directs et indirects :
Très faible
E E probabilité
Bande de conduction d’émission

absorption émission absorption

h> Eg h Eg
h> Eg+ E
Eg phonon
Eg
k k

Bande de valence

semi-conducteur direct semi-conducteur indirect

(CuO…) (Si, Ge …)

Le silicium n’émet pas de lumière

8
9
PRINCIPES D’OPTO-ELECTRONIQUE
LES COMPOSANTS OPTO-ELECTRONIQUES :

• Diodes électro-luminescentes
• Diodes laser
• Modules d’émission

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 D.E.L. : DIODE
ELECTROLUMINESCENTE
Principe de
• LED, Light Emitting Diode l’hétérojonction
Photons émis
Photons émis
+ Couches de -
Ga0,7Al0,3As confinement

Ga0,9 Al0,1As p n
GaInAsP
n Couche active
p
GaAs substrat InP

+
-
Emission dans la Emission dans la deuxième
ou troisième fenêtre
première fenêtre (850 nm)
(suivant composition de la couche active)
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 DIODES
ELECTROLUMINESCENTES
• Caractéristiques : • Diagramme de
La DEL doit rayonnement :
être alimentée
P (puissance lumineuse émise) en courant avec
lentille
V (tension aux bornes)

spontané
se prête bien aux
transmissions analogiques
Surface émissive
I (courant) la puissance est
proportionnelle à la surface

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 DIODES
ELECTROLUMINESCENTES
• Spectre :
assez large

Exemple :
émission à 850 nm

Largeur spectrale :
environ 50 nm

• Rapidité :
limitée
(centaine de Mbit/s)

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 DIODES LASER
Equations de base
• Coefficient de gain g (défini par : dP/dz = g.P)
g =  (iJ/d - J0)  coefficient caractéristique du matériau
i rendement quantique de l'émission spontanée
d épaisseur de la zone active doit être très faible
J0 densité (volumique) de courant seuil  puits quantiques
E
BC
• Amplification si :
F2
émission stimulée g >  dans une « bande de gain »
h Eg telle que Eg < h < F2-F1 (niveaux de Fermi)
Eg
excitation
k Condition de Bernard-Duraffourg,
F1 vérifiée dans une bande plus étroite
BV que l’émission spontanée (qq. nm)

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 MODULATION
• Réponse en fréquence d’une diode laser :

Zone de résonance
H(f) (va et vient de l’énergie entre les
électrons et les photons)

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Modulation externe nécessaire
1 (modulateur Mach-Zehnder
Modulation interne ou électroabsorption)
0,1 possible
f
0,1 1 10 GHz (échelle log)

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 MODULE EMETTEUR
• Modulation d’une diode laser :
Nécessite un asservissement
Température :
P
T1 +
P1 T2 > T1
Tête optique Fibre amorce
Seuil
t
Pm V = R.S.Pm
I
P0 I Entrée
R - signal
0 Vréf +
Ith1 Ith2
Régulation et
commande du
Caractéristique courant

Circuit de contrôle

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 MODULE EMETTEUR
• Intérieur de la tête optique à diode laser :
Régulation du courant

Régulation
thermique

Extrémité de la
fibre optique

Pierre LECOY - Optoélectronique

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 MODULATEUR OPTIQUE
• à électroabsorption (EAM) :
utilise la variation du gap d’un semi-conducteur sous l’effet d’un champ électrique
dans une structure à puits quantiques

Absorption (cm-1) dB par 100 µm

- 10
10 000 E=0 atténuation non nulle
- 20 dans l’état passant (on)
opaque Pic d’absorption
E = 5.104 V/cm excitonique - 30

- 40 Opaque (off)
transparent Eg = hc/(meV)
0
850 900 1V 2V
Absorption fonction du champ électrique Transmission fonction de la
Moins performant, mais moins coûteux tension de commande
que le MZM, et plus facilement intégrable
(même matériau que l’émetteur)
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 EMETTEURS
• Différents boîtiers :
Module à diode laser
à fibre amorce

en embase de connecteur
Doc. NORTEL

pour espace libre

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 AMPLIFICATEUR OPTIQUE
A SEMI-CONDUCTEURS
Courant de pompe Lumière incidente
• Principe :

Diode laser de type à

• Caractéristiques : émission par la tranche
avec faces traitées anti-
• bande de gain relativement large reflets
• puissance de saturation limitée Lumière amplifiée
(fonctionnement en ondes progressives)
• bruit (ASE) relativement élevé
• une certaine sensibilité à la polarisation de la lumière
• pertes de raccordement avec la fibre optique non négligeables
• faible durée de vie des porteurs, d’où réponse de type passe-haut

20
AMPLIFICATEUR OPTIQUE
à semi-conducteur
(SCOA, semi-conductor optical amplifier)

Doc. NORTEL
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 DISPOSITIFS A PUITS QUANTIQUES
• Amplificateurs optiques semi-conducteurs (SOA)
– Haute linéarité
– Rendement élevé
– Intégrable avec une source type DFB ou DBR (accordable) :
Ia ctif Ipha se Ibra g g ISOA
Rmin 0.01%
Rmax

MQW Q1.45

250 µm 60 µm 250 µm 500 à 700 µm

Alcatel-Thalès III-V lab

Zone d’accord
Peut être utilisé en
porte optique
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 AMPLIFICATEUR OPTIQUE
A SEMI-CONDUCTEURS
• Applications : Compense les pertes de
composants passifs
• amplification en optique intégrée
• commutation de longueur d’onde Utilise la saturation du
gain par le signal à 1
Signal entrant Courant de pompe
modulé à 1 Filtre
Ampli optique à
semi-conducteur Signal sortant (inversé)
Onde continue à 2
modulé à 2
• Portes optiques Le dispositif absorbe la
 commutation spatiale lumière si ipompe < seuil
 régénération optique (expérimentale)

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 AMPLIFICATEUR OPTIQUE
A SEMI-CONDUCTEURS
• Commutateur 32 x 32 : Utilise une matrice
d’amplificateurs
optiques à semi-
conducteurs

Université de
Cambridge et INTEL,
ECOC 2007

24
Conclusion

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 AMPLIFICATEUR OPTIQUE
A FIBRE DOPEE ERBIUM
• Schéma (amplificateur unidirectionnel, pompage vers l'aval) :
fibres
adaptatrices
isolateur Multiplexeur isolateur filtre sortie
entrée

diode laser Photodiode

de pompe de contrôle
fibre amplificatrice
= soudure

• avantages : amplifie un grand nombre de longueurs d’ondes

• simple et moins coûteux car pas d’électronique haut débit
• mais … pas de régénération  ne compense pas la dispersion
 accumulation du bruit et des effets non linéaires

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 AMPLIFICATEURS OPTIQUES
• Principales caractéristiques : Resté expérimental

Fibre dopée Er silice silice verres fluorés Semi-

conducteurs
pompage à 980 nm 1480 nm 1480 nm électrique

gain 30 à 40 dB 20 à 30 dB 40 dB 20 à 30 dB

rapport gain à 10 dB/mW 4 dB/mW 6 dB/mW

puissance de pompe
puissance de 20 à 30 dBm 10 à 15 dBm 17 à 20 dBm 10 dBm
saturation
rendement quantique 80 %

largeur de bande 20 à 30 nm 10 à 20 nm 30 nm 30 à 40 nm
amplifiée
facteur de bruit 3 dB 6 à 9 dB 6 dB 12 dB
27
Merci pour votre
attention!

28