LES FIBRES OPTIQUES

Composants opto-électroniques
FIBRES OPTIQUES – Pierre Lecoy
PRINCIPES D’OPTO-ELECTRONIQUE
• Emission dans un semi-conducteur :
électron émission spontanée
énergie
ou électroluminescence
Bande de conduction

Photon hn = Eg Bande interdite Applications :

Transmissions
Bande de valence (avec ou sans fibre)
trou visualisation
éclairage …
Emission si semi-conducteur
direct (III-V)
Le silicium n’émet pas de lumière

3
PRINCIPES D’OPTO-ELECTRONIQUE
• Semi-conducteurs directs et indirects :
Très faible
E E probabilité
Bande de conduction d’émission

absorption émission absorption

hn > Eg hn  Eg
hn > Eg+ Ef
Eg phonon
Eg
k k

Bande de valence

semi-conducteur direct semi-conducteur indirect

(III-V) (Si, Ge …)

Le silicium n’émet pas de lumière

4
MATERIAUX ELECTROLUMINESCENTS
• Semi-conducteurs III-V : III IV V
GaN/InGaN bleu (l = 440 nm) lecture de
B C N
disques optiques,
GaP vert (l = 565 nm)
visualisation … Al Si P
Ga Asx P1-x du jaune au rouge
Ga Ge As
GaAlP rouge à haut rendement
In Sn Sb
GaAs 1ère fenêtre infrarouge (l = 900 nm)
Ga1-x Alx As entre 700 et 900 nm en fonction (décroissante) de x
Ga1-x Inx Asy P1-y 2ème ou 3ème fenêtre infrarouge
(l = 1200 à 1600 nm en fonction croissante de x et y)
Ga1-x Inx Asy Sb1-y autour de 2,5 µm

• DEL blanches : par phosphorescence d’un matériau excité dans le bleu

5
MATERIAUX ELECTROLUMINESCENTS
• Semi- Constante de maille du réseau cristallin (nm)
conducteurs
III-V : GaSb
0,62 InAs

0,60 InP GaAlAs sur

Compositions en accord de maille substrat GaAs
0,58 GaInAsP sur
substrat InP AlAs
(indirects)
0,56 GaAs
In0,53Ga0,47As GaP
Eg
0,54
0 0,5 1 1,5 2 eV
l

4 3 2 1,5 1 0,7 µm

6
PRINCIPES D’OPTO-ELECTRONIQUE
• Détection dans un semi-conducteur :
énergie
électron Effets :
Bande de conduction • Photoconductivité
• Photovoltaïque
(photodiodes)
Photon hn Eg Bande interdite
Applications :
Bande de valence transmissions
trou capteurs d’images
Photodétection si hn  Eg mesure
soit l  1 µm environ dans cellules solaires
le silicium lecture optique …

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 PHOTODETECTION
• Coefficient d’absorption a (en m-1) :
• a.dx = probabilité pour le photon d’être absorbé sur une épaisseur dx
d’où : F(x) = F(0).e-ax flux de photons à la profondeur x

F (x) a
(cm-1)
Ge GaInAs

F0 104 GaAs

103
x Si
1/a 102 l
0,5 1 1,5 µm
Profondeur
d’absorption
8
 HETEROJONCTIONS
• Principe : jonction entre s.c. de gaps différents
• fonctionnement d’une double hétérojonction :
Couche : confinement active confinement
Bande de conduction
Diagramme des n p p+
Niveau de Fermi
bandes d’énergie Eg2 Eg1
(jonction polarisée Eg1 Bande de valence
en direct)
Confinement
Régions transparentes aux photons électrique
Indice
Effet de guide
d’ondes
Intensité lumineuse

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 PUITS QUANTIQUES
QW, quantum wells
• Principe : confinement électrique dans une couche très fine
distincte du confinement optique dans une couche plus épaisse
Eg Profondeur de la zone active
Confinement
optique
0,4 à 0,5 µm

0,01 µm

n
Puits quantiques multiples (MQW)
Confinement électrique
Avantages : - réduction du courant de seuil
- quantification des niveaux d’énergie
- possibilité de « couches contraintes »
11
 COUCHES CONTRAINTES
• Principe : possibilité de désaccord de maille dans une
couche très fine … Matériau A
Matériau B,
contraint
Matériau A

• intérêt : utilisation de
nouvelles compositions
(ex. diodes de pompe à 980 nm Matériau B, en désaccord
en InAlAs / InP, diodes bleues en
InGaN / GaN , émetteurs InAs /
Si … )
• maîtrise de la longueur d’onde
(puits quantique)
• fortes puissances possibles

Matériau A Matériau A

12
 D.E.L. : DIODE
ELECTROLUMINESCENTE
Principe de
• LED, Light Emitting Diode l’hétérojonction
Photons émis
Photons émis
Ga0,7Al0,3As
+ Couches de -
confinement

Ga0,9 Al0,1As p n
GaInAsP
n Couche active
p
GaAs substrat InP

+
-
Emission dans la Emission dans la deuxième
ou troisième fenêtre
première fenêtre (850 nm)
(suivant composition de la couche active)
13
 DIODES
ELECTROLUMINESCENTES
• Caractéristiques : • Diagramme de
La DEL doit
être alimentée rayonnement :
P (puissance lumineuse émise) en courant avec
V (tension aux bornes) lentille

spontané
se prête bien aux
transmissions analogiques

I (courant) Surface émissive

la puissance est
proportionnelle à la surface

14
 DIODES
ELECTROLUMINESCENTES
• Spectre :
assez large

Exemple :
émission à 850 nm

Largeur spectrale :
environ 50 nm

• Rapidité :
limitée
(centaine de Mbit/s)

15
 DIODES
ELECTROLUMINESCENTES

Pour la
Pour la communication
visualisation, infrarouge, sur
l’éclairage … fibre optique ou
Doc. Agilent
en espace libre

16
 MODULE EMETTEUR

• Modulation d’une DEL :

+V +V
Logique
inversée
entrée i i
analogique

Conversion entrée
tension  P
TTL
P
courant
a : analogique b : logique
0

17
PRINCIPES D’OPTO-ELECTRONIQUE
• Amplification : (dans les semi-conducteurs, les gaz rares,
état excité les terres rares)
énergie
Bandes d’énergie
Nécessité d’un
pompage
Transition (électrique,
Photon hn
2 photons hn radiative optique … )

état au repos Applications :

sources laser
Amplification (émission stimulée)
amplificateurs
si inversion de population

18
 DIODES LASER
• Structure Fabry Pérot Courant supérieur
L à un seuil
Contact
conducteur Emission face
arrière
Substrat
Couche active courant
GaAlAs
Amplification
si J > Jth
Isolant Couches de
confinement + résonance
Ruban Contact pour lp = 2Ln/p
conducteur
Emission face avant Spectre multimode (large)
diverge du fait de la diffraction

19
 DIODES LASER
Equations de base
• Coefficient de gain g (défini par : P(z) = P0.egz )
g = b (hi.J/d - J0) b coefficient caractéristique du matériau
hi rendement quantique de l'émission spontanée ;
d épaisseur de la zone active doit être très faible
J0 densité (volumique) de courant seuil

• Condition sur le gain :

e2gL.e-2aL.R2 > 1 soit g - a > |Ln R|/L

Coefficient de réflexion aux faces ne peut pas être

R = (n-1)2/(n+1)2 trop court

20
 DIODE LASER FABRY-PEROT
• Spectres :

modulé
CW e
21
 DIODES LASER
L /2
• Structure DFB L

(distributed feed-back) Détail du réseau avec le

Ruban enterré "phase shift"
(couche active)
GaInAsP Réseau de diffraction (Bragg)
intégré sur le guide
n p
Réflexion distribuée
p
n d’une seule longueur d’onde
n coupe du coin l = 2L.n
Spectre monomode (étroit)
Substrat (InP)
Composant coûteux !

22
 DIODE LASER D.F.B.
• Spectre :
Une seule
raie, même en
modulation

mais : chirp (élargissement de

la raie) si l’indice n varie
(effet de la température
ou de la modulation du courant)

23
 DIODES LASER
• Guidage latéral (dans les structures à émission par la tranche)
guidage par l'indice
Contact ruban (passif)
+ +
Oxyde Zones obtenues
Couches de p par reprise
p confinement n d'épitaxie
n p
n n
Couche active n Ruban enterré
(Couche active)
Substrat
guidage par le Contacts métalliques -
gain (actif) -

Structure à ruban isolé par oxyde Structure à ruban enterré

Economique, Meilleures performances
performances médiocres Compatible avec FP et DFB

24
 DIODES LASER
• Structure DBR (distributed Bragg Reflector)
accordable en longueur d’onde

Section de gain Section de phase Section d'accord

Commande P I1 I2 I3
Commande l (fonction de n)
Couche
active Réseau de Bragg
Guide
Substrat Applications :
Réseaux WDM
Instrumentation

25
 DIODES LASER
• Structure VCSEL (vertical cavity surface emitting laser)
Emission de lumière
Contacts Miroir de Bragg
électriques supérieur
Couche active
Miroir de Bragg
inférieur Test possible
sur wafer
Substrat

Composant de hautes performances mais économique à fabriquer

Applications à 850 nm : courte distance et (très) hauts débits
lecture optique, impression …..

26
 MODULE EMETTEUR
• Modulation d’une diode laser :
Température :
P
T1 +
P1 T2 > T1
Tête optique Fibre amorce
Seuil
t
Pm V = R.S.Pm
I
P0 I Entrée
R -
0 Vréf + signal
Ith1 Ith2
Régulation et
commande du
Caractéristique courant

Circuit de contrôle
Nécessite un asservissement

27
 MODULATION
• Réponse en fréquence d’une diode laser :
H(f)
Zone de
résonance
10

1 Modulation externe nécessaire

(modulateur Mach-Zehnder
Modulation interne
ou électroabsorption)
0,1 possible
f
0,1 1 10 GHz (échelle log)

28
 BRUIT DES DIODES LASER
• Bruit relatif d’intensité de la source :
 DP  2
• la puissance P émise par le laser fluctue de <DP> avec 2
= RIN.DF
• ceci entraîne à la réception un courant de bruit : P
2
 i L  = RIN.DF.<i(t)2>
RIN = Relative Intensity Noise,
i = photocourant de l’ordre de 10-14 Hz-1
= S.Preçue

• le RIN augmente près du courant de seuil, et vers la fréquence de résonance

Le bruit du laser peut être limitant pour des + bruit

transmissions analogiques exigeant un fort RSB en 1/f
(déport vidéo, micro-ondes sur fibre optique … )

29
 MODULE EMETTEUR
• Intérieur de la tête optique à diode laser :

Régulation
thermique

30
 MODULE EMETTEUR
• Couplage diode laser  fibre optique

Microlentille
« Taper » +
rapportée
microlentille
par fusion

Améliore le rendement de couplage

Réduit les rétroréflexions

31
 EMETTEURS
• Différents boîtiers : • Module à diode laser
à fibre amorce

en embase de connecteur
Doc. NORTEL

32
 EMETTEURS POUR FIBRES OPTIQUES
Type DEL Laser VCSEL Laser FP Laser DFB
Puissance couplée 10 à 100 µW qq. mW qq. mW qq. mW
par la surface, par la surface, par la tranche, par la tranche,
Emission divergente peu divergente assez divergente assez divergente

Longueurs d’onde 0,85 et 1,3 µm 0,85 µm 1,3 µm 1,3 et 1,55 µm

Spectre large étroit assez large très étroit

(une raie) (plusieurs raies) (une raie très fine)
Caract. P(i) linéaire seuil, 5 à 10 mA seuil, 10 à 30 mA seuil, 10 à 30 mA
Fréquence max. de 100 à 200 MHz plusieurs GHz
modulation
Coût très faible faible assez élevé élevé
transmission à haut débit (typ. GE) haut débit sur très haut débit sur
courte distance à courte distance, fibres monomodes fibres mono.
Utilisations sur fibres fibres multi. + à 1,3 µm, FTTH surtout à 1,55 µm,
multimodes lecture optique, systèmes WDM
imprimantes …
En recul
33
 PHOTODIODE PIN
• Principe : Sensibilité spectrale :
non dopée Photons S GaInAs
(i = intrinsèque) Si
Couche anti-reflets

R p+
i trous Zone
E électrons d'absorption l
V
n 1 mm
Substrat
h : rendement quantique
iS = S.P photocourant
i = iS + i D
S sensibilité de la photodiode (en A/W) = hq/hn
responsivity iD courant d'obscurité Bruit quantique :
dark current <iq2> = 2q.i.DF
36
 PHOTODIODES
• Modes de fonctionnement :
+V
i
P
i<0
obscurité
RP éclairement P
croissant
VB iD 0 V
P
iS
Régime R
avalanche
photovoltaïque i
V

Régime Droite de charge

photodiode Pente –1/R

37
 PHOTODETECTEURS
• Mode photovoltaïque :
• convertit l’énergie lumineuse en courant électrique
• temps de réponse important (trop élevé pour télécom)
• très sensible (pas de courant d’obscurité)

Applications :
Cellules solaires
Mesure de
puissance

38
 PHOTODIODE A AVALANCHE
Photons
Zone de
multiplication électrons E (champ électrique interne)
n+ secondaires
(jonction abrupte)
p électron Bruit quantique :
Zone p primaire <iq2> = 2q.i.DF. M2+x
d'absorption
p
M (échelle log)
Substrat 100 T = 0°C
50 PDA Si
Applications : 20 PDA Ge p ppn
T = 60°C
• mesure faibles niveaux de lumière
10
5
• instrumentation (fluorescence, 2
1 V
réflectométrie .. )
• récepteur télécom optiques 0 50 100 150 200 V

mais en recul, car bruit élevé et besoin d’une forte

tension

39
 RECEPTEURS
• Matériaux utilisés : économique, assez
performant mais
– Silicium jusqu’à 1 mm « mauvaise » fenêtre
– GaInAs au delà de 1 mm plus coûteux, permet les
– SiGe ? systèmes de hautes
performances
• types de photodétecteurs :
• photodiodes PIN amplification « électrique » du
photocourant sous forte tension
• photodiodes à avalanche interne
• phototransistors bipolaires

économiques mais peu efficaces (sauf à hétérojonctions)

40
 RECEPTEURS
• Photodiodes GaInAs (hétérojonctions):
Photodiode à illumination par le substrat Zone active =
Contact Mesa (réduit la guide de très
largeur de la couche faible épaisseur
Zone active p+ active)
GaInAs-n n
Photons
Substrat InP
transparent aux n+
photons Photons Contact
Photodiode à illumination
Couche antireflets par la tranche
très rapide (> 10 GHz)

41
 RECEPTEURS
• Comparaison des matériaux :
Fenêtre Première Deuxième et troisième

Matériau Si Ge GaInAs
llim (µm) 1,0 1,6 1,7
Smax (A/W) 0,6 0,7 0,8
iD (nA) 1à5 500 1à5
En avalanche: 100 à 200 25 100 à 160
VB (V)
gain max. 100 10 20
exposant x 0,5 1 0,7

42
 PHOTOTRANSISTOR
• Principe :
• transistor bipolaire dont la jonction collecteur-base est éclairée
joue le rôle de photodiode
• amplification du photocourant sous basse tension
• performances limitées (peu rapide)
Ic
Photons IC 2P
Emetteur Base
P
n
p P
n VCE
Structure 0 VCE
n+
Schéma
équivalent Caractéristique en fonction
Collecteur de la puissance optique
43
 PHOTODETECTEURS

Photodiodes
4 quadrants
Photodiodes (pour pointage)

Cellules
photovoltaïques
Capteurs
d’images
linéaires et
matriciels

44
MODULES OPTO-ELECTRONIQUES
• Module récepteur • Transceiver
(émetteur-récepteur)

Doc. NORTEL

45
 RECEPTEURS
• Structures de préamplificateurs :
+V Haute impédance Transimpédance
+V
P
Coupe évt. le continu P RC
iS
iS -
RP RP
v = G.RP .iS v = -RC .iS

Très faible bruit, haute sensibilité Large bande, reproductible

Défavorable aux hautes fréquences Bruit un peu plus élevé
(intègre le signal)

46
 RECEPTEURS
Résistance de contre réaction
Rc
• Modélisation : (et son bruit)
pour les structures
Résistance de polarisation transimpédance
(et son bruit)
2
2 <en >
iS iD <iq >

CPD
2
<in > RA//CA
Rp

Préamplificateur Filtre (DF)

Photodiode
Bruit thermique en 4kT/R.DF

Bruit : <iB2> = <iq2 > + <ith2 > + <iA2 >

Bruit de l’amplificateur, résulte de
Bruit de fond de l’électronique <in2 > et <en2 > débitant dans Y

47
 BRUIT DU RECEPTEUR
• Modèle (simplifié) :
Bruit de fond électronique
P <iF2> indépendant de P
iS=S.P

PEB. DF
équivalente Bruit quantique (ou bruit de grenaille)
<iq2> = 2qSP.DF

(SP)2
Rapport signal / bruit : RSB = 2
<iq > + <iF2>
i2F/DF
Puissance équivalente de bruit : PEB = pW/Hz
S
P2
optique d’où RSB =
PEB2DF

48
 BRUIT DU RECEPTEUR
(MSP)2
• Rapport signal / bruit : RSB = iq2i2Fi2L
RSB (dB) RSB (dB)
Formule générale
Bruit de la source dominant : <iL 2> = RIN.iS2.DF
en P
Bruit quantique dominant
<iq2> = 2qSP.DF. M2+x
en M-x
Bruit de fond
en P2 dominant Mopt
en M2

Puissance optique reçue (log) Gain M de la PDA (log)

49
 DETECTION HETERODYNE
• Principe : mélange du signal reçu avec un oscillateur local
comme en radio
Utilise la détection quadratique

Photodiode (mélangeur)
Contrôle polarisation
Coupleur Sortie en fréquence intermédiaire
w s - wL
signal optique entrant à ws
La source peut être
Contrôle de wL modulée en phase
Oscillateur local (laser) à wL (DPSK, QPSK …
)

• Avantages : amplification du signal reçu • Difficultés : - bruit du laser local

 abaissement du seuil de détection - contrôle de la polarisation signal
très sélectif en longueur d’onde - contrôle de la fréquence laser

50
 AMPLIFICATION OPTIQUE
• Principe dans une fibre dopée Erbium :
(EDFA, erbium doped fiber amplifier)
Amplifie autour
niveaux d'énergie
de 1,5 mm

Autres
Absorption : transitions non radiatives
matériaux :
Neodyme (Nd)
à 1,06 mm
à 0,8 µm transition radiative
à 1,536 µm E
à 0,98 µm à 1,48 µm

niveaux élargis par effet Stark

51
 AMPLIFICATION OPTIQUE
• Spectre dans l’Erbium : Amplifie de nombreuses
longueurs d’onde
gain par unité de longueur : Section efficace
g(n) = se(n).x.nt
se(n) section efficace (10-25 m2)
Spectre d'émission
d'émission (fluorescence)
6
absorption : Spectre
a(n) = sa(n).(1-x) nt 4 d'absorption
sa(n) section efficace
d'absorption 2
pompage
nt concentration en erbium
x fraction d’ions excités amplification l
0
varient le long de la fibre ! 1,45 1,50 1,55 1,60 µm
dP/dz = P(z) [g(z) - a(z)]
52
 AMPLIFICATION OPTIQUE
• Bruit : dû à l’émission spontanée amplifiée (ASE)
• densité spectrale : Nase = 2 Nsp (G-1).hn
• G est le gain,
• Nsp est le facteur d'inversion de population
décroît de  (apparition de l’inversion) à 1 (inversion totale)
• se propage
dans les deux sens Puissance signal

plusieurs canaux multiplexés

• spectre (dans
l’Erbium) : bruit (émission
spontanée amplifiée)
l
1,45 1,5 1,55 1,6 mm
53
 AMPLIFICATION OPTIQUE
• Spectres dans les amplificateurs à fibres dopées Erbium :
Signal + bruit

Bruit (ASE) seul

= spectre de fluorescence

54
 AMPLIFICATEUR OPTIQUE
A FIBRE DOPEE ERBIUM

• Schéma :
fibres
adaptatrices
isolateur Multiplexeur isolateur filtre sortie
entrée

diode laser Photodiode

de pompe de contrôle
fibre amplificatrice

= soudure

Amplificateur unidirectionnel, pompage vers l'aval

55
AMPLIFICATEUR OPTIQUE
A FIBRE DOPEE ERBIUM

• Amplificateur bidirectionnel,
pompage dans les deux sens
 sens aller Multiplexeur isolateur filtre
isolateur Multiplexeur

diode laser diode laser

de pompe de pompe

isolateur Multiplexeur Multiplexeur isolateur

 sens retour
Diodes de pompe partagées pour une meilleure fiabilité

56
AMPLIFICATEUR OPTIQUE
A FIBRE DOPEE ERBIUM
• Avantages :
• réduction de la complexité et du coût
• amélioration de la fiabilité
• transparence vis à vis du signal transmis
• faible dépendance vis à vis de la polarisation du signal
• amplification simultanée d’un grand nombre
de longueurs d'onde multiplexées
• Inconvénients :
• pas de régénération  ne compense pas la dispersion
 accumulation du bruit
et des effets non linéaires
57
 AMPLIFICATION OPTIQUE
• Analyse du bruit en réception :
Signal optique : P(e) filtre PS(r) filtre électrique
sortie ampli optique Dn DF
Puissance signal
entrée ampli
C1 G C2 Réc électrique :
is2 = S2. PS(r) 2
fibre, att. A
PS(r) = GC1C2A P(e)
Bruit global : <iB2> somme de
- bruit quantique signal : <iq(s)2> = 2q.S. PS(r).DF Termes en A.G
bruits prépondérants si
- bruit quantique émission spontanée : <iq(ase)2> = 2q.S. Nase(r).Dn.DF ampli distant (AG  1)
- battement signal / émission spontanée : <ib(ase)2> = 2S2. PS(r).Nase(r).DF
- battement entre les différentes composantes de l'émission spontanée :
Intérêt du
plus fort G
<ib(ase/ase)2> = 2S2. Nase(r)2. Dn.DF possible
Termes en A2.G2
bruits prépondérants si Valeur max de G « asymptotique »
préampli proche (AG >> 1) Intéressant tant que bruit de fond prépondérant
58
 AMPLIFICATEUR OPTIQUE
A SEMI-CONDUCTEURS
• Caractéristiques : Courant de pompe Lumière incidente
• bande de gain Diode laser de type à
relativement large émission par la tranche
avec faces traitées anti-
• puissance de saturation reflets
limitée
• bruit (ASE) relativement élevé
• légère sensibilité à la polarisation Lumière amplifiée
de la lumière
• pertes de raccordement avec la • Applications :
fibre optique non négligeables • amplification en optique intégrée
• faible durée de vie des porteurs, • portes optiques
d’où réponse de type • commutation de longueur d’onde
passe-haut
59
AMPLIFICATEUR OPTIQUE
• à semi-conducteur
(SCOA, semi-conductor optical amplifier)

Doc. NORTEL

60
 AMPLIFICATEUR OPTIQUE
A SEMI-CONDUCTEURS
• Applications : Compense les pertes de
composants passifs
• amplification en optique intégrée
• commutation de longueur d’onde Utilise la saturation du
gain par le signal à l1
Signal entrant Courant de pompe
modulé à l1 Filtre
Ampli optique à
semi-conducteur Signal sortant (inversé)
Onde continue à l2
modulé à l2
• Portes optiques
Le dispositif absorbe la
 commutation spatiale lumière si ipompe < seuil
 régénération optique (expérimentale)

61
 AMPLIFICATEUR OPTIQUE
A SEMI-CONDUCTEURS
• Commutateur 32 x 32 : Utilise une matrice
d’amplificateurs
optiques à semi-
conducteurs

Université de
Cambridge et INTEL,
ECOC 2007

62
AMPLIFICATEURS OPTIQUES
• Principales caractéristiques : Resté
expérimental
Fibre dopée Er silice silice verres Semi-
fluorés conducteurs
pompage à 980 nm 1480 nm 1480 nm

gain 30 à 40 dB 20 à 30 dB 40 dB 20 à 30 dB

rapport gain à 10 dB/mW 4 dB/mW 6 dB/mW

puissance de pompe
puissance de 20 à 30 dBm 10 à 15 dBm 17 à 20 dBm 10 dBm
saturation
rendement 80 %
quantique
largeur de bande 20 à 30 nm 10 à 20 nm 30 nm 30 à 40 nm
amplifiée
facteur de bruit 3 dB 6 à 9 dB 6 dB 12 dB

63
 SYSTEMES DE TRANSMISSION A
AMPLIFICATION RAMAN
• Introduction de l’amplification Raman distribuée :
Niveau du signal (dBm)
Fibre à dispersion négative
(compensation de dispersion) au stade expérimental

Fibre à dispersion positive Pompe Raman Pompe Raman

Amplificateurs optiques à fibre dopée Erbium (EDFA)
• avantages :
• amplification distribuée • inconvénients :
• grande largeur de bande, ajustable • très faible rendement
• abaisse le seuil de bruit pour l’EDFA • coût élevé
• manque de maturité techno.

64