O documento discute transistores bipolares, definindo seus principais tipos e polarizações. Apresenta as configurações de emissor comum e divisão de tensão, explicando o funcionamento do transistor como chave eletrônica e sua aplicação em lógica digital. Também aborda os diferentes modos de operação do transistor e métodos para identificar a saturação.
O documento discute transistores bipolares, definindo seus principais tipos e polarizações. Apresenta as configurações de emissor comum e divisão de tensão, explicando o funcionamento do transistor como chave eletrônica e sua aplicação em lógica digital. Também aborda os diferentes modos de operação do transistor e métodos para identificar a saturação.
O documento discute transistores bipolares, definindo seus principais tipos e polarizações. Apresenta as configurações de emissor comum e divisão de tensão, explicando o funcionamento do transistor como chave eletrônica e sua aplicação em lógica digital. Também aborda os diferentes modos de operação do transistor e métodos para identificar a saturação.
O documento discute transistores bipolares, definindo seus principais tipos e polarizações. Apresenta as configurações de emissor comum e divisão de tensão, explicando o funcionamento do transistor como chave eletrônica e sua aplicação em lógica digital. Também aborda os diferentes modos de operação do transistor e métodos para identificar a saturação.
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ELETRÔNICA I –
TRANSISTORES ELISAMA ROCHA DE CARVALHO DURÃES 2019/2 Transistores ◦ Transistores bipolares – Introdução ◦ Definições ◦ Tipos ◦ Polarização ◦ Configuração Emissor comum ◦ Operação do transistor ◦ Aplicação básica: o transistor como chave eletrônica ◦ Lógica digital Diodo-Transistor (DTL) ◦ Tipos e encapsulamentos Definições ◦ Inventado nos laboratórios Bell por PhD John Bardeen, PhD William Shockley e PhD Walter Houser Nobel de Física 1956.
◦ Basicamente, há 2 tipos principais: o transistor de junção bipolar
(Bipolar Junction Transistor–BJT) e o transistor de efeito de campo (Field Effect Transistor–FET);
◦ O BJT é um dispositivo semicondutor de três terminais.
◦ Há dois tipos de BJT:
◦ NPN ◦ PNP Tipos ◦ O BJT possui duas junções (entre materiais n e p). As junções são semelhantes às junções nos diodos. ◦ Os três terminais do BJT são chamados de Base (B), Coletor (C) e Emissor (E). ◦ Tipos: NPN e PNP ◦ Junções: Base-Emissor, Base-Coletor ◦ A seta no símbolo define o sentido (convencional) da corrente de emissor. NPN PNP Polarização ◦ A diferença entre transistores NPN e PNP é a polaridade das junções; ◦ O sentido das correntes e polaridade das tensões para os transistores NPN e PNP são opostos(as). ◦ Transistores bipolares operam como reguladores de corrente controlada por corrente; ◦ As correntes IC e IE são controladas NPN PNP pela corrente IB. Polarização ◦ Aplicando a 1a Lei de Kirchhoff :
◦ Alfa cc: (em torno de 0,99)
◦ Beta cc: (Ganho de Corrente)
Exemplos ◦ Exemplo 6.1:
◦ Exemplo 6.2:
◦ Exemplo 6.3 Conexão Emissor Comum (EC) ◦ Emissor comum: o terra de cada fonte é conectada ao emissor. ◦ VBB polariza o diodo emissor diretamente. ◦ VCC polariza o diodo coletor reversamente. ◦ A corrente da base controla a corrente de coletor (variando IB pode-se variar IC). Como VE = 0: Curva da Base
Segunda aproximação:
Exemplo figura acima. Qual
6.4: Operação do Transistor ◦ A operação do transistor pode ser definida a partir da polarização: Corrente de coletor (IC) e a tensão Emissor-Coletor (VEC); ◦ Regiões de operação: Saturação, Ativa, Corte e Ruptura. Aplicando a 2a Lei de Kirchhoff: Curva Característica:
Potência dissipada no transistor:
Operação do Transistor ◦ Região Ativa: ◦ Junção Base-Emissor polarizada Ruptura diretamente; ◦ Junção Coletor-Base polarizada reversamente; ◦ IC controlada por IB : IC = βcc.IB ◦ VBE < VEC < VCC
◦ Região de Ruptura: ◦ IC e VEC excedem as especificações do fabricante. ◦ Danifica o transistor! VEC Operação do Transistor ◦ Região Saturação: ◦ Junção Base-Emissor polarizada diretamente; ◦ Junção Coletor-Base polarizada diretamente; ◦ IC atinge o valor máximo possível Ruptura (independente da IB e do β). ◦ O valor máximo possível é determinado pelo resistor de coletor RC e pela fonte de alimentação VCC ◦ VEC ≈ 0, 2V ◦ Idealmente, VEC = 0V ◦ Região de Corte: ◦ Junção Base-Emissor polarizada reversamente; ◦ IC = 0A VEC ◦ Terminais Coletor-Emissor “em aberto”. Resumo Tipos Exemplo 6.5: Exemplo 6.8: Reta de Carga
◦ Polarização de Base: mantém um valor fixo de corrente de base sob todas as
condições de operação.
Ponto de Saturação: Ponto de Corte:
Reta de Carga Ponto de Saturação:
Ponto de Corte: Exemplo 7.1 Exemplo 7.2 Exemplo 7.3 Exemplo 7.4 Ponto de Operação (Q)
•Fórmulas para cálculo do ponto Q: Exemplo 7.5 Identificando a Saturação
• Considere que a tensão de
ruptura do transistor seja maior que 20V. Identificando a Saturação Identificando a Saturação
Calculando Ic:
Calculando VEC: Identificando a Saturação Saturação Forte
Para β=10: 10 0,2 50.000
Assim, o transistor estará operando
Na saturação forte quando: 0,2 Identificando a Saturação Forte Exemplo 7.6 Transistor como Chave Polarização do Emissor •Precisamos de circuitos com o ponto Q imune à variações de ganho de corrente. •O resistor de base foi deslocado para o emissor. •Ponto Q estável. Calculando o ponto Q Calculando o ponto Q Exemplo 7-9 Polarização por Divisão de Tensão (PDT) Polarização por Divisão de Tensão (PDT) Exemplo 8.1 Ponto Q
Para RE = 2,2 kΩ: Para RE = 510 Ω:
Regras para projeto do PDT •É necessário conhecer Vcc e β; •Tensão de emissor: •RE : •Ponto Q: projetado para 0,5Vcc •Rc (0,4 Vcc): •Divisor de tensão estável (100:1): •R1:
• Exemplo 8.4 Resumo Resumo Transistor PNP Fonte de Alimentação Negativa Fonte de Alimentação Positiva Exemplo 8.7
