Sub 02 Eletrônica Analógica Ufabc

ESTA001-13 – Dispositivos Eletrônicos
Professor: André Kazuo Takahata

Quadrimestre: 2017.1
Data: 04/05/2017
Prova Substitutiva - Prova 01
Justificativa para realização da prova substitutiva:

______________________________________________________________________
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Tabela 1: Respostas das Questões 01 e 02

a) b) c) d) e)
Questão 01
Questão 02
Questão 01 (1,0)
Indique a alternativa correta na Tabela 1:
a) Considere que 𝑣𝐺𝑆 é constante e maior que 𝑉𝑇 em um transistor NMOS tipo
enriquecimento. Ao aumentar o valor de 𝑣𝐷𝑆 , a espessura do canal aumenta nas
proximidades do dreno, aumentando a resistência entre o dreno e a fonte.
Quando 𝑣𝐷𝑆 < 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 , ocorre o fenômeno do estrangulamento. Assim, para
𝑣𝐷𝑆 < 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 , o canal se encontra estrangulado e o transistor opera na região
de saturação. Para 𝑣𝐷𝑆 ≥ 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 , o canal se encontra estrangulado e o
transistor também opera na região de saturação.
b) Em um MOSFET canal p tipo enriquecimento, quando uma tensão 𝑣𝐺𝑆 inferior à
tensão de limiar, 𝑉𝑇 , é aplicada, acumulam-se prótons o suficiente na região do
canal para se criar uma camada de inversão. Assim, forma-se um canal p no
substrato do tipo n, possibilitando a condução de corrente entre a fonte e o dreno
do transistor permitindo a emissão de luz de modo análogo ao um LED. No caso
observe que 𝑉𝑇 > 0𝑉.
c) Em um MOSFET canal n tipo enriquecimento, quando uma tensão 𝑣𝐺𝑆 superior
à tensão de limiar, 𝑉𝑇 , é aplicada, acumulam-se elétrons livres o suficiente na
região do canal para se criar uma camada de inversão. Assim, forma-se um canal
n no substrato do tipo p, possibilitando a condução de corrente entre o dreno e a
fonte do transistor.
d) Em um transistor NMOS tipo enriquecimento, o aumento do valor de 𝑣𝐷𝑆 para
além do valor de 𝑣𝐷𝑆𝑠𝑎𝑡 = 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 , faz com que haja o fenômeno chamado de
modulação do comprimento do canal, que consiste no aumento do tamanho do
canal. Isso faz com que o valor de 𝑖𝐷 diminua com aumento de 𝑣𝐷𝑆 . A partir
desse fenômeno, é possível determinar a resistência de saída do transistor. Uma
idealização frequentemente feita é considerar essa resistência nula. Nesse caso,
considera-se que 𝑖𝐷 não varia com o valor de 𝑣𝐷𝑆 quando o mesmo se encontra
na saturação.
e) Em circuitos integrados os substratos dos transistores são normalmente
interligados, de modo que em vários transistores a fonte não está ligada ao
terminal do corpo. Mesmo assim, a tensão de polarização reversa entre a fonte e
o corpo, 𝑉𝑆𝐵 , não interfere na operação dos MOSFETs. Assim, o efeito de, 𝑉𝑆𝐵
sobre um transistor NMOS tipo enriquecimento não afeta a tensão de limiar 𝑉𝑡 .
Questão 02 (1,0)
Um transistor NMOS tipo enriquecimento com 𝑉𝑡 = 1,0V, 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 = 100μA/V 2 ,
𝑊/𝐿 = 10 e 𝜆 = 0 tem seu terminal de fonte aterrado. Indique a alternativa correta na
Tabela 1.
a) Quando 𝑉𝐺 = 1,5V e 𝑉𝐷 = 3,0V, o transistor está na região de saturação e
𝑖𝐷 = 250μA.
b) Quando 𝑉𝐺 = 1,5 V e 𝑉𝐷 = 3,0V, o transistor está na região de triodo e
𝑖𝐷 = 125μA.
c) Quando 𝑉𝐺 = 2,5 V e 𝑉𝐷 = 1,0V, o transistor está na região de triodo e
𝑖𝐷 = 1000μA.
d) Quando 𝑉𝐺 = 2,5 V e 𝑉𝐷 = 1,0V, o transistor está na região de saturação e
𝑖𝐷 = 1125μA.
e) N.D.A.
Questão 03 (2,0)
Figura 1: Circuito da Questão 03.
a) Projete o circuito da Figura 1 para obter 𝐼𝐷 = 1mA e 𝑉𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷 =

4V. Considere 𝑘𝑛′ 𝑊/𝐿 = 2mA/𝑉 2 , 𝑉𝑡 = 1,0V e 𝜆 = 0. A corrente pelo divisor
resistivo composto por 𝑅𝐺1 e 𝑅𝐺2 deverá ser de 1μA.
b) Para o circuito obtido no item a), qual valor máximo de 𝑅𝐷 para que o transistor
permaneça na região de saturação?
Questão 04 (2,0)
a) Considerando que no circuito da Figura 2, os transistores NMOS 𝑄1 e 𝑄2

possuem o mesmo comprimento do canal e a razão das larguras é dada por
𝑊2 /𝑊1 = 2 , calcule o valor de 𝑅1 para que 𝐼𝐷1 = 1mA. Considere 𝑘𝑛′ 𝑊/𝐿 =
0,5mA/𝑉 2 , 𝑉𝑡 = 1,0V e 𝜆 = 0.
b) Qual é o maior valor possível de 𝑅2 para que 𝑄2 permaneça em saturação?
Obtenha 𝐼𝐷1 , 𝐼𝐷2 , 𝑉𝐷1 e 𝑉𝐷2 para esse valor de 𝑅2 .
Questão 05 (2,0)
Considere o circuito da Figura 3, em que o transistor possui 𝑘𝑛′ 𝑊/𝐿 = 2mA/𝑉 2 ,

𝑉𝑡 = 1,0V. A polarização do circuito resulta em 𝑉𝐺𝑆 = 2𝑉, 𝐼𝐷 = 1mA e 𝑉𝐷 = 6𝑉.
a) Obtenha 𝑔𝑚 e 𝑟𝑜 se 𝑉𝐴 = 100V.
b) Considere que os capacitores se comportam como curtos-circuitos para as
frequências do sinal de entrada 𝑣𝑠𝑖𝑔 . Mostre o circuito equivalente para
pequenos sinais.
c) Calcule 𝑅𝑖𝑛 e 𝑣𝑔𝑠 ⁄𝑣𝑠𝑖𝑔 .
d) Calcule 𝐴𝑣 ≡ 𝑣𝑜 ⁄𝑣𝑔𝑠 e 𝐺𝑣 ≡ 𝑣𝑜 ⁄𝑣𝑠𝑖𝑔
Questão 06 (2,0)
Um par diferencial NMOS está polarizado com uma fonte de corrente 𝐼 = 4mA,
possuindo resistência de saída 𝑅𝑆𝑆 = 200kΩ. O amplificador possui as resistências de
dreno 𝑅𝐷 = 10kΩ, utilizando transistores com 𝑘𝑛′ 𝑊/𝐿 = 1mA/𝑉 2 , 𝑉𝑡 = 1,0V e 𝑟𝑜
elevado. Suponha que 𝑉𝐷𝐷 seja alto o suficiente para sempre manter os transistores em
saturação.
a) Determine 𝑉𝑂𝑉 e 𝑉𝐺𝑆 para cada transistor.
b) Determine o valor do sinal de entrada diferencial, 𝑣𝑖𝑑 , para comutação total de
corrente. Esboce o gráfico das correntes de dreno 𝑖𝐷1 e 𝑖𝐷2 em função de 𝑣𝑖𝑑 .
c) Considere a saída tomada diferencialmente. Obtenha o ganho diferencial, o
ganho em modo comum e a relação de rejeição em modo comum, assumindo
que as resistências do dreno e os transistores são perfeitamente casados.
𝑊 1 2
𝑖𝐷 = 𝑘𝑛′ [(𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )𝑣𝐷𝑆 − 𝑣𝐷𝑆 ]
𝐿 2
1 𝑊
𝑖𝐷 = 𝑘𝑛′ (𝑣 − 𝑉𝑡 )2 (1 + 𝜆𝑣𝐷𝑆 )
2 𝐿 𝐺𝑆
−1
1 𝑊 𝑉𝐴
𝑟𝑜 = [ 𝜆𝑘𝑛′ (𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2 ] =
2 𝐿 𝐼𝐷
𝑉𝐴 = 𝜆−1
𝑊 𝑊
𝑔𝑚 = 𝑘𝑛′ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 ) = √2𝑘𝑛′ 𝐼
𝐿 𝐿 𝐷
𝐼 𝐼 𝑣𝑖𝑑 𝑣𝑖𝑑 /2 2
𝑖𝐷1 = +( √
)( ) 1 − ( )
2 𝑉𝑂𝑉 2 𝑉𝑂𝑉
𝐼 𝐼 𝑣𝑖𝑑 𝑣𝑖𝑑 /2 2
𝑖𝐷2 = −( √
)( ) 1 − ( )
2 𝑉𝑂𝑉 2 𝑉𝑂𝑉
𝐼
𝑔𝑚 =
𝑉𝑂𝑉
𝐼
𝑉𝑂𝑉 = √
𝑊
𝑘𝑛′ ( 𝐿 )
𝐴𝑑 1 𝑅𝐷
𝐶𝑀𝑅𝑅 = | | , |𝐴𝑑 | = 𝑔𝑚 𝑅𝐷 , |𝐴𝐶𝑀 | =
𝐴𝐶𝑀 2 2𝑅𝑆𝑆
|𝐴𝑑 | = 𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝐴𝑑 (2𝑔𝑚 𝑅𝑆𝑆 )
𝐶𝑀𝑅𝑅 = | |=
𝐴𝐶𝑀 ⁄(Δ𝑅𝐷 )
𝑅𝐷

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Prova Substitutiva - Prova 01

Justificativa para realização da prova substitutiva:

Tabela 1: Respostas das Questões 01 e 02

Figura 1: Circuito da Questão 03.

a) Projete o circuito da Figura 1 para obter 𝐼𝐷 = 1mA e 𝑉𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷 =

Figura 2: Circuito da Questão 04.

a) Considerando que no circuito da Figura 2, os transistores NMOS 𝑄1 e 𝑄2

Figura 3: Circuito da Questão 05.

Considere o circuito da Figura 3, em que o transistor possui 𝑘𝑛′ 𝑊/𝐿 = 2mA/𝑉 2 ,

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