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25. TRANSISTORES E TIRISTORES

25.1. INTRODUÇÃO

Transistores e tiristores são dispositivos construídos a partir de junções pn como no

caso do diodo. O transistor é um semicondutor pnp ou npn enquanto que os tiristores são
semicondutores pnpn. Neste capítulo estão relacionados alguns tipos de transistores e
tiristores.

25.2. CONSTRUÇÃO DO TRANSISTOR

O transistor é um dispositivo semicondutor no qual existe uma camada do tipo p entre

duas camadas do tipo n, ou uma camada do tipo n entre duas camadas p. O primeiro é
denominado transistor npn, enquanto que o último é chamado transistor pnp. Ambos são
mostrados na Fig. 25.1, com a polarização dc apropriada. A polarização dc é necessária para
estabelecer a região apropriada de operação para a amplificação ac. As camadas externas do
transistor são materiais semicondutores mais fortemente dopados, com larguras muito
maiores do que a camada interna tipo p ou n. Para os transistores mostrados na Fig. 25.1, a
razão entre a largura total e a largura da camada central é de 0,150/0,001 = 150:1. A dopagem
da camada interna é também consideravelmente menor do que a das camadas externas
(tipicamente 10:1 ou menor). Este nível de dopagem menor reduz a condutividade (aumenta a
resistência) deste material, diminuindo o número de portadores livres.
Para a polarização mostrada na Fig. 25.1, os terminais são normalmente indicados pela
letra maiúscula E para emissor, C para coletor e B para base. A abreviação TBJ, transistor
bipolar de junção, é usualmente aplicada a este dispositivo de três terminais. O termo bipolar
reflete o fato de que buracos e elétrons participam do processo de injeção no material
opostamente polarizado. Se um portador somente é empregado (elétron ou buraco), o
dispositivo é considerado unipolar. O diodo Schottky é um exemplo.

Fig. 25.1 - Tipos de transistores - a) pnp - (b) npn

25.3. OPERAÇÃO DO TRANSISTOR

A operação básica do transistor será descrita utilizando o transistor pnp da Fig. 25.1-a.
A operação do transistor npn é exatamente a mesma, trocando as funções dos buracos e
elétrons. Na Fig. 25.2, o transistor pnp foi redesenhado sem a polarização base-coletor. A
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região de depleção foi reduzida em largura devido à tensão aplicada, resultando em um fluxo
denso de portadores majoritários do material tipo p para o material tipo n.

Fig. 25.2 - Junção diretamente polarizada de um transistor pnp

A Fig. 25.3 mostra o transistor pnp da Fig. 25.2-a sem a polarização base-emissor.
Observa-se as semelhanças entre esta situação e aquela do diodo reversamente polarizado.
Salienta-se que o fluxo de portadores majoritários é zero, resultando apenas em um fluxo de
portadores minoritários, como indicado na Fig. 25.3. Em resumo, portanto:

Uma junção p-n de um transistor está reversamente polarizada, enquanto a outra está
diretamente polarizada.

Fig. 25.3 - Junção reversamente polarizada de um transistor pnp

Na Fig. 25.4, ambos os potenciais de polarização foram aplicados a um transistor pnp,

com o fluxo resultante de portadores majoritários e minoritários indicado. Observa-se as
larguras das regiões de depleção, indicando claramente qual junção está diretamente
polarizada e qual está reversamente polarizada. Como indicado na Fig. 25.4, inúmeros
portadores majoritários serão injetados através da junção p-n diretamente polarizada, no
material tipo n. A questão, portanto, é se estes portadores contribuirão diretamente para a
corrente de base IB, ou se passarão diretamente para o material tipo p. Já que o material tipo
n, interno, é muito fino e apresenta uma baixa condutividade, um número muito pequeno de
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tais portadores adotará este caminho de alta resistência para o terminal da base. O valor da
corrente de base é tipicamente da ordem de microampères, enquanto que a corrente de coletor
e emissor é de miliampères. Um número maior destes portadores majoritários será injetado,
através da junção reversamente polarizada, no material tipo p conectado ao terminal de
coletor, conforme a Fig. 25.4. A razão da relativa facilidade com que portadores majoritários
podem atravessar a junção reversamente polarizada é facilmente compreendida se
considerarmos que para o diodo reversamente polarizado os portadores majoritários
comportar-se-ão como portadores minoritários no material tipo n. Em outras palavras, houve
uma injeção de portadores minoritários no material tipo n da base. Combinando isto com o
fato de que todos os portadores minoritários na região de depleção atravessarão a junção
reversamente polarizada de um diodo, obtém-se o fluxo indicado da Fig. 25.4.

Fig.25.4 - Fluxo de portadores majoritários e minoritários um transistor pnp

25.4 CARACTERÍSTICAS DE ALGUNS TRANSISTORES

O transistor comum, também conhecido como TJB (transistor de junção bipolar), pode
ser considerado como um dispositivo amplificador de corrente, ou seja, operando
linearmente, a corrente de coletor é igual a corrente de base vezes um ganho. Este tipo de
transistor é caracterizado basicamente por:

 Corrente máxima ou de coletor Ic

 Tensão máxima ou tensão Vce
 Potência máxima dissipada

Para aplicações mais específicas algumas outras características devem ser analisadas
como por exemplo a frequência de operação.

Os principais transistores utilizados a nível técnico, com as principais características

relacionadas em anexo, são:

BC NPN: como exemplo tem-se o BC 547, um transistor de sinal de baixa potência, Ic e Vce
também baixo. Existe também um análogo BC PNP como o BC 557.
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BD NPN: como exemplo tem-se o BD 139, um transistor de baixa potência, Ic e Vce na faixa
de valores pequenos a médio. Possui a parte de trás metalizada para fixação de dissipadores.
Existem também um análogo BD PNP como o BD 140.

TIP NPN: como exemplo tem-se o TIP 3055, um transistor de média potência, Ic e Vce na
faixa de valores médios. Possui a parte de trás metalizada para a fixação de dissipadores.
Existem também um análogo TIP NPN como o TIP 2955.

2N NPN: como exemplo tem-se o 2N 3055, um transistor de potência, Ic e Vce na faixa de

valores médios a altos. Possui a parte externa metalizada, conectada ao coletor para contato
maior com os dissipadores. existe também um análogo 2N PNP como o 2N 2955.

2N 3265: transistor NPN para amplificador de potência de alta freqüência de chaveamento.

2N 2987: transistor NPN de média potência e alta freqüência.

Existe outro tipo de transistor, menos utilizado, conhecido como FET ou transistor de
efeito de campo. Como exemplo tem-se o BC 264A, um FET de canal N de baixa potência.

25.5 TIRISTORES

Como a terminologia indica, o SCR é um retificador construído de material de silício

com um terceiro terminal para finalidades de controle. O silício foi escolhido por causa de
suas capacidades de alta temperatura e potência. A operação básica do SCR é diferente do
diodo semicondutor de duas camadas fundamentais, pelo fato de um terceiro terminal,
chamado uma porta, determinar quando o retificador chaveia do estado de circuito aberto
para estado de curto-circuito. Não basta apenas polarizar diretamente a região ânodo-para-
catodo do dispositivo. Na região de condução, a resistência dinâmica do SCR é tipicamente
de 0,01 a 0,1 . A resistência reversa é tipicamente de 100 k ou mais.
O símbolo gráfico para o SCR é mostrado na Fig. 25.5 com as conexões
correspondentes para a estrutura semicondutora de quatro camadas. Como indicado na Fig.
25.5-a, se uma condução direta deve ser estabelecida, o ânodo deve ser positivo em relação ao
catodo. Isto não é, entretanto, um critério hábil para ligar o dispositivo. Um pulso de
amplitude suficiente também deve ser aplicado à porta para estabelecer uma corrente de
porta, representada simbolicamente por IGT .

Fig. 25.5 - (a) Símbolo do SCR - (b) construção básica

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Um exame mais detalhado da operação básica de um SCR é mais bem efetuado

dividindo-se a estrutura pnpn de quatro camadas da Fig. 25.5-b em duas estruturas de
transistor de três camadas, como na Fig. 25.5-a e, depois, considerando-se o circuito
resultante da Fig. 25.6-b.
Na Fig. 25.6 há dois transistores, um npn e outro pnp. Para propósitos de discussão, o
sinal mostrado na Fig. 25.7-a será aplicado à porta do circuito da Fig. 25.6-b. Durante o
intervalo 0  t1 , Vporta = 0 V, o circuito da Fig. 25.6-b aparecerá como mostrado na Fig.
25.7-b (Vporta = 0 V é equivalente ao terminal da porta aterrado como mostrado na figura).
Para VBE = 0 V, a corrente de base IB2 = 0 e IC2 será aproximadamente ICO. A corrente de
base de Q1 , IB1 = IC2 = ICO é muito pequena para fazer Q1 conduzir. Ambos os transistores
estão, portanto, cortados, resultando numa alta impedância entre o coletor e o emissor de cada
transistor e na representação de circuito aberto para o retificador controlado de silício da Fig.
25.7-c.

Fig. 25.6 - Circuito equivalente do SCR com dois transistores

Em t = t1 um pulso de VG volts aparecerá na porta do SCR. As condições do circuito

estabelecidas com esta entrada são mostradas na Fig. 25.8-a. O potencial VG foi escolhido
suficientemente grande para fazer Q2 conduzir (VBE2 = VG). A corrente de coletor Q2 se
elevará então para um valor grande o bastante para fazer Q1 conduzir (IB1 = IC2). Como Q1
conduz, IC1 aumentará, resultando num aumento correspondente em IB2. O aumento na
corrente de base para Q2 resultará num aumento adicional em IC2.

Fig. 25.7 - Estado cortado do SCR

O resultado final é um aumento regenerativo na corrente de coletor de cada transistor.

A resistência ânodo-para-catodo resultante [RSCR = V/ (IA - grande)] é, então, muito pequena,
resultando numa representação de curto-circuito para o SCR, como indicado na Fig. 25.8-b. A
ação regenerativa descrita acima resulta num SCR com tempos de ativação de 0,1 a 1  s.
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Entretanto, dispositivos de alta potência na faixa de 100 a 400 A podem ter tempos de
ativação de 10 a 25  s.

Fig. 25.8 - SCR no estado de “condução”

Além do gatilhamento da porta, SCRs também podem ser ligados por um aumento
significativo na temperatura do dispositivo, ou elevando a tensão ânodo-para-catodo para o
valor de ruptura.

25.6 CARACTERÍSTICAS DE ALGUNS TIRISTORES

TIC 106: É um componente conhecido como SCR, utilizado tipicamente em tensão contínua
ou em pontos retificadores com ângulo de disparo controlado.

TIC 226: É um componente conhecido como TRIAC, utilizado tipicamente em controle de

corrente alternada.

TCA 785: é um componente com 14 pinos, utilizado para controle de ângulo de disparo de
tiristores tipo SCR, sendo utilizado portanto na construção de fonte de tensão contínua de alta
potência.

QUESTÕES

1. Como é a construção de um transistor?

2. Como é a operação de um transistor?

3. Como como são caracterizados os transistores?

4. Relacione os principais transistores utilizados e quais suas principais características?

5. O que é um tiristor e qual seu princípio de funcionamento?

6. O que é um TIC 106?

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7. O que é um TIC 226?

8. O que é um tca 785?